JP2501287B2 - 回路化表面に保護コ―ティングを施したチップ・キャリア - Google Patents
回路化表面に保護コ―ティングを施したチップ・キャリアInfo
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はチップ・キャリアに関す
るものであり、より具体的には、紫外線照射で硬化され
た保護用コーティングを回路化表面に少なくとも部分的
に施しているチップ・キャリアに関するものである。
るものであり、より具体的には、紫外線照射で硬化され
た保護用コーティングを回路化表面に少なくとも部分的
に施しているチップ・キャリアに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップ・パッケージの一タイプで
は、一個以上の半導体チップが基板の回路化表面上に実
装されている。基板は、セラミック基板、プラスチック
基板等である。このような半導体チップ・パッケージ
は、習慣的に、チップ・キャリアと呼ばれているが、通
常は、プリント回路カードもしくはプリント回路基板上
へ実装することを目的としている。例えば、表面実装技
術を用いる場合は、チップ・キャリアには、リード・フ
レームもしくはエッジ・クリップが付いている。これら
は、基板上の、チップを保持する回路化表面周辺に形成
されている電気接続パッドへ、機械的にも電気的にも接
続される。
は、一個以上の半導体チップが基板の回路化表面上に実
装されている。基板は、セラミック基板、プラスチック
基板等である。このような半導体チップ・パッケージ
は、習慣的に、チップ・キャリアと呼ばれているが、通
常は、プリント回路カードもしくはプリント回路基板上
へ実装することを目的としている。例えば、表面実装技
術を用いる場合は、チップ・キャリアには、リード・フ
レームもしくはエッジ・クリップが付いている。これら
は、基板上の、チップを保持する回路化表面周辺に形成
されている電気接続パッドへ、機械的にも電気的にも接
続される。
【0003】チップ・キャリア基板の回路化表面上に、
一個以上の半導体チップを、いわゆるフリップ・チップ
構成を取って実装すると、比較的高密度なチップの接続
がたやすく実現できる。この構成方式では、(一個もし
くは複数の)チップを、表を下にして、半田付け可能な
金属パッド上に半田ボールで実装する。しかし、(例え
ばシリコンチップの)熱膨張係数(coefficie
nt of thermal expansion、C
TE)は、セラミック基板もしくはプラスチック基板の
CTEと著しく異なっている。その結果、チップ・キャ
リアが熱的ゆらぎを受ける場合、半田ボールによる接続
に重大なストレスが加わり、そのために半田ボールが弱
められ耐久性をすり減らす傾向がある。このような問題
は、半田ボールを、そのCTE値の30%以内のCTE
を持つ被覆物で覆うことで、簡単に解決される。このよ
うに有用な被覆物の組成は、例として、シクロアリファ
ティック・エポキシド・バインダのようなエポキシ・バ
インダと、高純度容融シリカもしくはアモルファス・シ
リカのような充填剤である。。これは、米国特許4,9
99,499号に開示されており、ここに参照すること
により、本発明へ一体化される。この特許に記されてい
るように、バインダには室温で1000センティポイズ
程度の粘性が必要であり、充填剤の最大粒子サイズは3
1マイクロメートル程度でなければならない。更に、バ
インダは、バインダと充填剤との総量の25%から60
%(重量比)を占めている必要があり、一方充填剤は、
総量の75%から40%(重量比)が適切である。
一個以上の半導体チップを、いわゆるフリップ・チップ
構成を取って実装すると、比較的高密度なチップの接続
がたやすく実現できる。この構成方式では、(一個もし
くは複数の)チップを、表を下にして、半田付け可能な
金属パッド上に半田ボールで実装する。しかし、(例え
ばシリコンチップの)熱膨張係数(coefficie
nt of thermal expansion、C
TE)は、セラミック基板もしくはプラスチック基板の
CTEと著しく異なっている。その結果、チップ・キャ
リアが熱的ゆらぎを受ける場合、半田ボールによる接続
に重大なストレスが加わり、そのために半田ボールが弱
められ耐久性をすり減らす傾向がある。このような問題
は、半田ボールを、そのCTE値の30%以内のCTE
を持つ被覆物で覆うことで、簡単に解決される。このよ
うに有用な被覆物の組成は、例として、シクロアリファ
ティック・エポキシド・バインダのようなエポキシ・バ
インダと、高純度容融シリカもしくはアモルファス・シ
リカのような充填剤である。。これは、米国特許4,9
99,499号に開示されており、ここに参照すること
により、本発明へ一体化される。この特許に記されてい
るように、バインダには室温で1000センティポイズ
程度の粘性が必要であり、充填剤の最大粒子サイズは3
1マイクロメートル程度でなければならない。更に、バ
インダは、バインダと充填剤との総量の25%から60
%(重量比)を占めている必要があり、一方充填剤は、
総量の75%から40%(重量比)が適切である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】チップ・キャリア基板
の回路化表面上の回路、より狭義には回路化表面上にフ
リップ・チップ構成で実装された単数もしくは複数のチ
ップを、機械的および環境的なハザードから保護する必
要がある。このような保護を実現する手段の一つは、チ
ップと回路化表面上の回路の少なくとも一部とに、セラ
ミックのキャップをかぶせることである。この種のセラ
ミック・キャップは、機械的及び環境的保護に有効であ
るが、それを使用することで、チップ・キャリアのコス
トが著しく高くなってしまう。更に、このセラミック・
キャップのために、チップ(単数もしくは複数)が生じ
る熱を散逸させるためのヒート・シンクを直接に取り付
ける可能性が奪われてしまう。このヒート・シンクは必
ずセラミック・キャップ上に取り付けるべきであり、グ
リースを各チップの上面とセラミック・キャップとの間
に塗布して、チップとヒート・シンクとの間の良好な熱
的接触を得なければならない。この方法は放熱には効果
的であるが、ヒート・シンクをチップ(単数もしくは複
数)へ直接取り付けられた方がより便利である。
の回路化表面上の回路、より狭義には回路化表面上にフ
リップ・チップ構成で実装された単数もしくは複数のチ
ップを、機械的および環境的なハザードから保護する必
要がある。このような保護を実現する手段の一つは、チ
ップと回路化表面上の回路の少なくとも一部とに、セラ
ミックのキャップをかぶせることである。この種のセラ
ミック・キャップは、機械的及び環境的保護に有効であ
るが、それを使用することで、チップ・キャリアのコス
トが著しく高くなってしまう。更に、このセラミック・
キャップのために、チップ(単数もしくは複数)が生じ
る熱を散逸させるためのヒート・シンクを直接に取り付
ける可能性が奪われてしまう。このヒート・シンクは必
ずセラミック・キャップ上に取り付けるべきであり、グ
リースを各チップの上面とセラミック・キャップとの間
に塗布して、チップとヒート・シンクとの間の良好な熱
的接触を得なければならない。この方法は放熱には効果
的であるが、ヒート・シンクをチップ(単数もしくは複
数)へ直接取り付けられた方がより便利である。
【0005】チップ・キャリア基板の回路化表面上の回
路を比較的低コストで機械的及び環境的に保護するため
に、エポキシバインダ及び充填剤を含むコーティング材
でその回路を覆う方法が提案された。このようなエポキ
シ・コーティングをチップの上面(回路面ではない方)
に施したところ、有用であることが明らかになった。し
かし、このようなエポキシ・コーティングが、チップ・
キャリアの回路化表面上の回路の保護コーティングとし
て有用であるには、以下の条件を満たす必要があるとさ
れている。(1) 標準的な加速式の熱による老朽化テ
ストに耐えられること。このテストでは、0℃と100
℃の間を1時間に3サイクルの周期で変化する熱サイク
ルを、最低2000サイクル、コーティングに与えて
も、半田ボールの被覆物との接触面に傷を生じさせない
ことが条件である。このような傷は、そこから回路へ水
や好ましくない化学薬品が入り込み腐食させるので、望
ましくない。(2) 上記の理由により、疎水性である
こと。(3) 通常は「シップ・ショック」テストと言
われる、第二の熱サイクルテストに耐えられること。こ
のテストでは、−40℃と+65℃の間を1時間に1サ
イクルの周期で変化する熱サイクルを、最低10サイク
ル、コーティングに与えても、チップ・キャリア基板に
傷や薄片の剥離を生じさせないことが条件である。
(4) 低いイオン濃度を示すこと。一般的には、塩素
イオン濃度が10ppm以下であることを確認して、回
路の腐食と導線のマイグレーションを避ければよい。こ
のマイグレーション現象は、回路のショートという好ま
しくない結果につながる。(5) 比較的迅速に、それ
ゆえ簡便にコーティングを硬化できること。
路を比較的低コストで機械的及び環境的に保護するため
に、エポキシバインダ及び充填剤を含むコーティング材
でその回路を覆う方法が提案された。このようなエポキ
シ・コーティングをチップの上面(回路面ではない方)
に施したところ、有用であることが明らかになった。し
かし、このようなエポキシ・コーティングが、チップ・
キャリアの回路化表面上の回路の保護コーティングとし
て有用であるには、以下の条件を満たす必要があるとさ
れている。(1) 標準的な加速式の熱による老朽化テ
ストに耐えられること。このテストでは、0℃と100
℃の間を1時間に3サイクルの周期で変化する熱サイク
ルを、最低2000サイクル、コーティングに与えて
も、半田ボールの被覆物との接触面に傷を生じさせない
ことが条件である。このような傷は、そこから回路へ水
や好ましくない化学薬品が入り込み腐食させるので、望
ましくない。(2) 上記の理由により、疎水性である
こと。(3) 通常は「シップ・ショック」テストと言
われる、第二の熱サイクルテストに耐えられること。こ
のテストでは、−40℃と+65℃の間を1時間に1サ
イクルの周期で変化する熱サイクルを、最低10サイク
ル、コーティングに与えても、チップ・キャリア基板に
傷や薄片の剥離を生じさせないことが条件である。
(4) 低いイオン濃度を示すこと。一般的には、塩素
イオン濃度が10ppm以下であることを確認して、回
路の腐食と導線のマイグレーションを避ければよい。こ
のマイグレーション現象は、回路のショートという好ま
しくない結果につながる。(5) 比較的迅速に、それ
ゆえ簡便にコーティングを硬化できること。
【0006】上述したようなエポキシ・コーティング
を、チップ・キャリアの回路化表面上のチップの上面か
ら、チップ・キャリア基板じょう回路化表面上の回路
へ、かなりの範囲、例えば36mm×36mmに広げた
結果、これらのコーティングは有用でないことが判明し
た。これらのコーティングが、上述した加速的な熱によ
る老朽化テストを受けると、半田ボールの被覆物との接
触面やその内部に決って傷を生じてしまうのである。更
に、これらのコーティングは、一般に親水性である。ま
た、既述の「シップ・ショック」テストを受けると、つ
ねに、チップ・キャリア基板に傷や薄片の剥離を生じ
る。さらに、これらのコーティングを施すには、かなり
の時間、例えば3時間も、オーブン中で処理するので、
時間の無駄であり、不便である。
を、チップ・キャリアの回路化表面上のチップの上面か
ら、チップ・キャリア基板じょう回路化表面上の回路
へ、かなりの範囲、例えば36mm×36mmに広げた
結果、これらのコーティングは有用でないことが判明し
た。これらのコーティングが、上述した加速的な熱によ
る老朽化テストを受けると、半田ボールの被覆物との接
触面やその内部に決って傷を生じてしまうのである。更
に、これらのコーティングは、一般に親水性である。ま
た、既述の「シップ・ショック」テストを受けると、つ
ねに、チップ・キャリア基板に傷や薄片の剥離を生じ
る。さらに、これらのコーティングを施すには、かなり
の時間、例えば3時間も、オーブン中で処理するので、
時間の無駄であり、不便である。
【0007】このように、チップ・キャリアの開発に携
わる技術者達は、以下の条件を満たすような、チップ・
キャリアの回路化表面上の回路用保護コーティングを探
求しているが、今までのところ成功例はない。(1)
比較的コストが安いこと。(2) 標準的な熱サイクル
テストで傷や薄片の剥離を生じることがなく、回路を機
械的にも環境的にも保護する能力があること。(3)
疎水性であること。(4) 低いイオン濃度を示すこ
と。塩素イオン濃度が、10ppm以下を示せばよい。
(5) 比較的迅速に、簡便に硬化できること。(6)
ヒート・シンクをチップ上に直接取り付けられるこ
と。
わる技術者達は、以下の条件を満たすような、チップ・
キャリアの回路化表面上の回路用保護コーティングを探
求しているが、今までのところ成功例はない。(1)
比較的コストが安いこと。(2) 標準的な熱サイクル
テストで傷や薄片の剥離を生じることがなく、回路を機
械的にも環境的にも保護する能力があること。(3)
疎水性であること。(4) 低いイオン濃度を示すこ
と。塩素イオン濃度が、10ppm以下を示せばよい。
(5) 比較的迅速に、簡便に硬化できること。(6)
ヒート・シンクをチップ上に直接取り付けられるこ
と。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、チップ・キャ
リアの回路化表面上の回路用保護コーティングとして従
来提案されていたエポキシ・コーティングが、室温(2
5℃)で約10,000psi(69MPa)という比
較的高い弾性係数を持つことを明らかにしている。その
結果、これらのコーティングには、上述した熱サイクル
テストで受けるストレスに耐えるのに必要な柔軟性が欠
けており、その事が、傷や薄片の剥離につながる。
リアの回路化表面上の回路用保護コーティングとして従
来提案されていたエポキシ・コーティングが、室温(2
5℃)で約10,000psi(69MPa)という比
較的高い弾性係数を持つことを明らかにしている。その
結果、これらのコーティングには、上述した熱サイクル
テストで受けるストレスに耐えるのに必要な柔軟性が欠
けており、その事が、傷や薄片の剥離につながる。
【0009】また、本発明では、適切な物質として選ば
れたアクリル化ウレタン・オリゴマーとアクリル化モノ
マーとフォトイニシエータとを正しい量で混合したコー
ティング剤は、比較的速く、5秒以内で処理することが
できる。この処理には、UV照射を用いて、室温で約1
0,000psi以下の弾性係数を持つ比較的低コスト
で疎水性のコーティングを得ている。その結果、これら
のコーティングは、熱サイクルテストで傷や薄片の剥離
を生じることがない。また、これらのコーティングの塩
素イオン濃度は10ppm以下なので、イオンに誘導さ
れる腐食やマイグレーションを生じることがない。さら
に、これらのコーティングを回路化表面のチップ上面に
塗布しなければ、ヒート・シンクをたやすくチップ上に
直接取り付けることができる。
れたアクリル化ウレタン・オリゴマーとアクリル化モノ
マーとフォトイニシエータとを正しい量で混合したコー
ティング剤は、比較的速く、5秒以内で処理することが
できる。この処理には、UV照射を用いて、室温で約1
0,000psi以下の弾性係数を持つ比較的低コスト
で疎水性のコーティングを得ている。その結果、これら
のコーティングは、熱サイクルテストで傷や薄片の剥離
を生じることがない。また、これらのコーティングの塩
素イオン濃度は10ppm以下なので、イオンに誘導さ
れる腐食やマイグレーションを生じることがない。さら
に、これらのコーティングを回路化表面のチップ上面に
塗布しなければ、ヒート・シンクをたやすくチップ上に
直接取り付けることができる。
【0010】
【実施例】本発明の内容は、セラミックもしくはプラス
チック製基板に回路化表面があるようなチップ・キャリ
アである。回路化表面上には、最低1個の半導体チップ
がフリップチップ構成をとって実装されている。その最
低1個の半導体チップとチップ・キャリアとの、半田ボ
ールによる接続部分は、被覆物で覆われている。その組
成は、例えば、エポキシ等であり、そのCTE値は、半
田ボールのCTE値の30%以内である。さらに、回路
化表面上の、少なくとも一部の回路は、本発明による組
成を持つ、比較的安価なコーティングで覆われている。
このコーティングの組成は、次の条件を満たすように選
択されている。(1) 標準的な熱サイクルテストに問
題なく耐え、倍率10の光学顕微鏡で観察しても、内部
の傷や、コーティング/半田ボール被覆物の接触部での
傷が見られないこと。(2)疎水性であること。(3)
塩素イオン濃度が、10ppm以下を示すこと(4)
UV照射により、比較的迅速かつ簡便に硬化できるこ
と。(5) ヒート・シンクをチップ上に直接取り付け
られること。
チック製基板に回路化表面があるようなチップ・キャリ
アである。回路化表面上には、最低1個の半導体チップ
がフリップチップ構成をとって実装されている。その最
低1個の半導体チップとチップ・キャリアとの、半田ボ
ールによる接続部分は、被覆物で覆われている。その組
成は、例えば、エポキシ等であり、そのCTE値は、半
田ボールのCTE値の30%以内である。さらに、回路
化表面上の、少なくとも一部の回路は、本発明による組
成を持つ、比較的安価なコーティングで覆われている。
このコーティングの組成は、次の条件を満たすように選
択されている。(1) 標準的な熱サイクルテストに問
題なく耐え、倍率10の光学顕微鏡で観察しても、内部
の傷や、コーティング/半田ボール被覆物の接触部での
傷が見られないこと。(2)疎水性であること。(3)
塩素イオン濃度が、10ppm以下を示すこと(4)
UV照射により、比較的迅速かつ簡便に硬化できるこ
と。(5) ヒート・シンクをチップ上に直接取り付け
られること。
【0011】図1に示されるとおり、本発明の好ましい
実施例のチップ・キャリア10には、アルミナのような
セラミック製やプラスチック製の基板20がある。この
基板20の回路化表面には、回路の配線(図には示され
ていない)と、コンタクト・パッド(例えば銅製)40
がある。少なくとも一個の半導体チップ(例えばシリコ
ンチップ)50が、回路化表面30上のフリップ・チッ
プ構成に、半田ボール60を用いて実装されている。こ
の半田ボールの組成は、例をあげると、3%(重量比)
のスズと97%(重量比)の鉛である。半導体チップ5
0と基板20との間の、半田ボール60による接続を強
化し、耐久寿命を延長するために、半田ボール60を被
覆物70で覆っている。この被覆物のCTE値は、半田
ボール60のCTE値の30%以内である。被覆物70
の組成の例をあげると、米国特許第4,999,699
号に開示されているように、エポキシ・バインダ(例と
して、シクロアリファティック・ポリエポキシド・バイ
ンダ)と、充填剤(例として、高純度容融シリカもしく
はアモルファス・シリカ)である。
実施例のチップ・キャリア10には、アルミナのような
セラミック製やプラスチック製の基板20がある。この
基板20の回路化表面には、回路の配線(図には示され
ていない)と、コンタクト・パッド(例えば銅製)40
がある。少なくとも一個の半導体チップ(例えばシリコ
ンチップ)50が、回路化表面30上のフリップ・チッ
プ構成に、半田ボール60を用いて実装されている。こ
の半田ボールの組成は、例をあげると、3%(重量比)
のスズと97%(重量比)の鉛である。半導体チップ5
0と基板20との間の、半田ボール60による接続を強
化し、耐久寿命を延長するために、半田ボール60を被
覆物70で覆っている。この被覆物のCTE値は、半田
ボール60のCTE値の30%以内である。被覆物70
の組成の例をあげると、米国特許第4,999,699
号に開示されているように、エポキシ・バインダ(例と
して、シクロアリファティック・ポリエポキシド・バイ
ンダ)と、充填剤(例として、高純度容融シリカもしく
はアモルファス・シリカ)である。
【0012】このチップ・キャリア10には、金属製リ
ード・フレームもしくはエッジ・クリップ(例として、
銅製)80も付いていて、コンタクト・パッド40に機
械的かつ電気的に接続されている。好ましくは、リード
・フレームもしくはエッジ・クリップ80とコンタクト
・パッド40との間の機械的・電気的接続の各々には、
半田付け部分90があるとよい。その組成の例として
は、10%(重量比)のスズと90%(重量比)の鉛で
ある。このことは、1992年2月18日にS.R.E
ngle その他により提出された米国特許出願第83
8,613号に記述されており、本発明においても、こ
れを使用している。さらに、このコンタクト・パッド4
0とリード・フレームもしくはエッジ・クリップ80と
の間の各半田接続は少なくとも部分的であり、好ましく
は全体を、マテリアル部分100を全体的に覆うように
するのが良い。重要な点として、米国特許出願第83
8,613号により、マテリアル領域100の組成は、
半田付け部分90とマテリアル部分100の接続後、0
℃と100℃との間での正弦熱サイクル(1時間3サイ
クルの周期で最低2000サイクル)を条件とし、半田
付け部分90の電気抵抗の上昇が200ミリオーム未満
であるように選択されている。この条件を満たすには、
米国特許出願第838,613号に従い、半田付け部分
90のCTE値の+/−30%以内のCTE値を持ち、
少なくとも部分的に充填されたエポキシ樹脂から成るマ
テリアル部分100を用いればよい。このように有用な
エポキシ樹脂の一つとして、部分的にシリカ充填剤を添
加したシクロヘキシルジエポキシド樹脂がある。これ
は、「Hysol FP0045」という商標名で、カ
リフォルニアのDextor社が販売している。
ード・フレームもしくはエッジ・クリップ(例として、
銅製)80も付いていて、コンタクト・パッド40に機
械的かつ電気的に接続されている。好ましくは、リード
・フレームもしくはエッジ・クリップ80とコンタクト
・パッド40との間の機械的・電気的接続の各々には、
半田付け部分90があるとよい。その組成の例として
は、10%(重量比)のスズと90%(重量比)の鉛で
ある。このことは、1992年2月18日にS.R.E
ngle その他により提出された米国特許出願第83
8,613号に記述されており、本発明においても、こ
れを使用している。さらに、このコンタクト・パッド4
0とリード・フレームもしくはエッジ・クリップ80と
の間の各半田接続は少なくとも部分的であり、好ましく
は全体を、マテリアル部分100を全体的に覆うように
するのが良い。重要な点として、米国特許出願第83
8,613号により、マテリアル領域100の組成は、
半田付け部分90とマテリアル部分100の接続後、0
℃と100℃との間での正弦熱サイクル(1時間3サイ
クルの周期で最低2000サイクル)を条件とし、半田
付け部分90の電気抵抗の上昇が200ミリオーム未満
であるように選択されている。この条件を満たすには、
米国特許出願第838,613号に従い、半田付け部分
90のCTE値の+/−30%以内のCTE値を持ち、
少なくとも部分的に充填されたエポキシ樹脂から成るマ
テリアル部分100を用いればよい。このように有用な
エポキシ樹脂の一つとして、部分的にシリカ充填剤を添
加したシクロヘキシルジエポキシド樹脂がある。これ
は、「Hysol FP0045」という商標名で、カ
リフォルニアのDextor社が販売している。
【0013】本発明によれば、被覆物をかぶせた半田ボ
ール60の外側の、回路化表面30上の回路のコンタク
ト・パッド40を除いた一部分、好ましくは全体は、コ
ーティング110で覆われ、その中に包まれている。こ
のコーティングの役目は、覆っている回路を、機械的及
び周囲の環境によるハザードから保護することである。
このコーティング110は、半田ボール60を包む被覆
物70にも接触し、その周囲の少なくとも一部を取り囲
んでいる。以下に詳しく述べるとおり、コーティング1
10を形成する混合物をシリンジを使用して回路化表面
30上へのせ、その後、たやすく流して露出している回
路を覆うことができる。また、その後で、この混合物
は、UV照射により比較的迅速で簡便に処理される。
ール60の外側の、回路化表面30上の回路のコンタク
ト・パッド40を除いた一部分、好ましくは全体は、コ
ーティング110で覆われ、その中に包まれている。こ
のコーティングの役目は、覆っている回路を、機械的及
び周囲の環境によるハザードから保護することである。
このコーティング110は、半田ボール60を包む被覆
物70にも接触し、その周囲の少なくとも一部を取り囲
んでいる。以下に詳しく述べるとおり、コーティング1
10を形成する混合物をシリンジを使用して回路化表面
30上へのせ、その後、たやすく流して露出している回
路を覆うことができる。また、その後で、この混合物
は、UV照射により比較的迅速で簡便に処理される。
【0014】本発明によるこのコーティング110を形
成する混合物は、次の3種の成分を含む。(1) アク
リル化ウレタン・オリゴマー。(2) アクリル化モノ
マー(3) フォトイニシエータ。アクリル化ウレタン
・オリゴマーがあることで、コーティング110を疎水
性にする傾向がある。アクリル化モノマーは、アクリル
化ウレタン・オリゴマーの希釈剤として働き、塗布され
た混合物がUV照射を受けると、アクリル化ウレタン・
オリゴマーと架橋反応する。UV照射により、このよう
な架橋反応を可能にしているのは、フォトイニシエータ
である。
成する混合物は、次の3種の成分を含む。(1) アク
リル化ウレタン・オリゴマー。(2) アクリル化モノ
マー(3) フォトイニシエータ。アクリル化ウレタン
・オリゴマーがあることで、コーティング110を疎水
性にする傾向がある。アクリル化モノマーは、アクリル
化ウレタン・オリゴマーの希釈剤として働き、塗布され
た混合物がUV照射を受けると、アクリル化ウレタン・
オリゴマーと架橋反応する。UV照射により、このよう
な架橋反応を可能にしているのは、フォトイニシエータ
である。
【0015】本発明で有用なアクリル化ウレタン・オリ
ゴマー、アクリル化モノマー、フォトイニシエータに
は、様々なものがある。この点に関しては、コーティン
グ110の弾性を決定する主要因は、オリゴマーとモノ
マーの組み合わせであることが判った。同様に判明した
こととして、有用な、弾性を生じさせるアクリル化ウレ
タン・オリゴマーとアクリル化モノマーとの組み合わせ
は、実験で簡単に見つけられる。このようなオリゴマー
とモノマー(とフォトイニシエータ)を混合し、UV照
射で処理して出来たコーティング110の、室温での弾
性係数を、従来の引き伸ばしテスト等で測定すればよ
い。係数の測定値が10、00psi以下であれば、そ
の時のオリゴマーとモノマーの組み合わせは、有用な弾
性を持つコーティングを得るという限りにおいては、本
発明で有用といえる。
ゴマー、アクリル化モノマー、フォトイニシエータに
は、様々なものがある。この点に関しては、コーティン
グ110の弾性を決定する主要因は、オリゴマーとモノ
マーの組み合わせであることが判った。同様に判明した
こととして、有用な、弾性を生じさせるアクリル化ウレ
タン・オリゴマーとアクリル化モノマーとの組み合わせ
は、実験で簡単に見つけられる。このようなオリゴマー
とモノマー(とフォトイニシエータ)を混合し、UV照
射で処理して出来たコーティング110の、室温での弾
性係数を、従来の引き伸ばしテスト等で測定すればよ
い。係数の測定値が10、00psi以下であれば、そ
の時のオリゴマーとモノマーの組み合わせは、有用な弾
性を持つコーティングを得るという限りにおいては、本
発明で有用といえる。
【0016】さらに、オリゴマーとモノマーとフォトイ
ニシエータとの組み合わせにより、コーティング110
の塩素イオン濃度が決定され、それゆえ、イオンが引き
起こす腐食やマイグレーションの度合いも決定されるこ
とが判明した。しかも、オリゴマーとモノマーとフォト
イニシエータとの有用な組み合わせは、実験で容易に見
つけることができ、それらの混合物をチップ・キャリア
の回路化表面へ形成し、UV照射で処理して作成したコ
ーティングの腐食の耐性を測定すればよい。腐食の様子
は、コーティングで覆った回路化表面を、85℃・相対
湿度80%の雰囲気中に1000時間晒すことで、確認
できる。回路の配線の直流電気抵抗値が100%以上の
増加を示せば、重大な腐食傾向があり、本発明の許容範
囲を越えているとみなす。マイグレーションの様子は、
コーティングで覆った回路化表面を、10Vの電圧をか
け続けながら85℃・相対湿度80%の雰囲気中に10
00時間晒すことで、確認できる。いずれかの隣接し合
う回路の配線の直流電気抵抗が10ミリオーム以下を示
せば、重大なマイグレーションの傾向があり、本発明の
許容範囲を越えているとみなす。
ニシエータとの組み合わせにより、コーティング110
の塩素イオン濃度が決定され、それゆえ、イオンが引き
起こす腐食やマイグレーションの度合いも決定されるこ
とが判明した。しかも、オリゴマーとモノマーとフォト
イニシエータとの有用な組み合わせは、実験で容易に見
つけることができ、それらの混合物をチップ・キャリア
の回路化表面へ形成し、UV照射で処理して作成したコ
ーティングの腐食の耐性を測定すればよい。腐食の様子
は、コーティングで覆った回路化表面を、85℃・相対
湿度80%の雰囲気中に1000時間晒すことで、確認
できる。回路の配線の直流電気抵抗値が100%以上の
増加を示せば、重大な腐食傾向があり、本発明の許容範
囲を越えているとみなす。マイグレーションの様子は、
コーティングで覆った回路化表面を、10Vの電圧をか
け続けながら85℃・相対湿度80%の雰囲気中に10
00時間晒すことで、確認できる。いずれかの隣接し合
う回路の配線の直流電気抵抗が10ミリオーム以下を示
せば、重大なマイグレーションの傾向があり、本発明の
許容範囲を越えているとみなす。
【0017】また、このイオン性の腐食とマイグレーシ
ョン防止のために必要なこととして、本発明にとって有
用なフォトイニシエータは、同じく有用なアクリル化ウ
レタン・オリゴマーを、以下で述べる強度及び露光時間
のUV照射により有用なアクリル化モノマーと完全に架
橋させねばならない。このように有用なフォトイニシエ
ータを実験で見つけるのはたやすく、有用なアクリル化
ウレタン・オリゴマーと有用なアクリル化モノマーとの
混合物に、まずフォトイニシエータを加えた後、以下で
指定する強度と露光時間のUV照射をして、第1のコー
ティングのサンプルを作成する。この第1のコーティン
グ・サンプルの示す極限強さは、架橋の割合を表すが、
従来の引き伸ばしテスト等で測定する。次いで、同じオ
リゴマーとモノマーとフォトイニシエータとの同じ割合
の混合物に、同波長のUV照射を、同じ強度で露光時間
を長くするか、同じ露光時間で強度を強くするかして、
第2のコーティングのサンプルを作成する。第2のコー
ティング・サンプルの極限強さが、第1のそれよりも大
きい場合は、第2のサンプルではさらに架橋反応が進ん
だことを意味している。一方、第2のコーティング・サ
ンプルの極限強さが変化しなかったならば、第1のサン
プルで完全に、もしくは本質的に完全に架橋反応してい
たと見なされる。このように完全な架橋反応に要するU
Vの強度と露光時間が、以下に示す範囲内である場合の
み、その時のフォトイニシエータは本発明に有用と言え
る。それ以外の場合のフォトイニシエータは、本発明に
とって有用ではない。
ョン防止のために必要なこととして、本発明にとって有
用なフォトイニシエータは、同じく有用なアクリル化ウ
レタン・オリゴマーを、以下で述べる強度及び露光時間
のUV照射により有用なアクリル化モノマーと完全に架
橋させねばならない。このように有用なフォトイニシエ
ータを実験で見つけるのはたやすく、有用なアクリル化
ウレタン・オリゴマーと有用なアクリル化モノマーとの
混合物に、まずフォトイニシエータを加えた後、以下で
指定する強度と露光時間のUV照射をして、第1のコー
ティングのサンプルを作成する。この第1のコーティン
グ・サンプルの示す極限強さは、架橋の割合を表すが、
従来の引き伸ばしテスト等で測定する。次いで、同じオ
リゴマーとモノマーとフォトイニシエータとの同じ割合
の混合物に、同波長のUV照射を、同じ強度で露光時間
を長くするか、同じ露光時間で強度を強くするかして、
第2のコーティングのサンプルを作成する。第2のコー
ティング・サンプルの極限強さが、第1のそれよりも大
きい場合は、第2のサンプルではさらに架橋反応が進ん
だことを意味している。一方、第2のコーティング・サ
ンプルの極限強さが変化しなかったならば、第1のサン
プルで完全に、もしくは本質的に完全に架橋反応してい
たと見なされる。このように完全な架橋反応に要するU
Vの強度と露光時間が、以下に示す範囲内である場合の
み、その時のフォトイニシエータは本発明に有用と言え
る。それ以外の場合のフォトイニシエータは、本発明に
とって有用ではない。
【0018】上述の手順により、本発明にとって有用と
判明した、アクリル化ウレタン・オリゴマーのうち、Z
L2196及びZL1365という商標で、イリノイ州
シカゴのMorton International
Inc.が販売しているものがある。同様に判明したこ
ととして、アクリル化モノマーのイソボルニルアクリレ
イト及び2ーヒドロキシプロピルアクリレイトは、ZL
2196と組み合わせても、ZL1365と組み合わせ
ても、本発明では有用である。さらに、以下の3種のフ
ォトイニシエータは、上述のオリゴマー及びモノマーの
いずれと組み合わせても、本発明にとって有用である。 1) 2−メチル−1−(4−(メチルチオ)−フェニ
ル)−2−モルフォリノプロパノン、2) イソプロピ
ルチオキサントン、3) 2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−フェニルプロパン−1−オン。
判明した、アクリル化ウレタン・オリゴマーのうち、Z
L2196及びZL1365という商標で、イリノイ州
シカゴのMorton International
Inc.が販売しているものがある。同様に判明したこ
ととして、アクリル化モノマーのイソボルニルアクリレ
イト及び2ーヒドロキシプロピルアクリレイトは、ZL
2196と組み合わせても、ZL1365と組み合わせ
ても、本発明では有用である。さらに、以下の3種のフ
ォトイニシエータは、上述のオリゴマー及びモノマーの
いずれと組み合わせても、本発明にとって有用である。 1) 2−メチル−1−(4−(メチルチオ)−フェニ
ル)−2−モルフォリノプロパノン、2) イソプロピ
ルチオキサントン、3) 2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−フェニルプロパン−1−オン。
【0019】既に指摘した通り、有用な混合物の3種の
成分の相対的な量も重要である。例えば、アクリル化ウ
レタン・オリゴマーは、有用な混合物の35%(重量
比)から75%(重量比)を占めるべきで、好ましくは
約65%(重量比)を占めるとよい。約35%以下の量
は望ましくない。コーティング110の弾性係数が1
0、000psi以上を示し、その結果、既述の熱サイ
クルテストを受けると、内部及び接触面での傷や薄片の
剥離を生じてしまうからである。一方、75%以上の量
では、混合物の粘性が望ましくないほど高くなるため、
シリンジで回路化表面へのせ難くなり、その結果回路面
を流れる量が少量になってしまう。
成分の相対的な量も重要である。例えば、アクリル化ウ
レタン・オリゴマーは、有用な混合物の35%(重量
比)から75%(重量比)を占めるべきで、好ましくは
約65%(重量比)を占めるとよい。約35%以下の量
は望ましくない。コーティング110の弾性係数が1
0、000psi以上を示し、その結果、既述の熱サイ
クルテストを受けると、内部及び接触面での傷や薄片の
剥離を生じてしまうからである。一方、75%以上の量
では、混合物の粘性が望ましくないほど高くなるため、
シリンジで回路化表面へのせ難くなり、その結果回路面
を流れる量が少量になってしまう。
【0020】アクリル化モノマーの方は、有用な混合物
の約63.5%(重量比)から22.5%(重量比)を
占めるべきである。この範囲外の量では、上述の理由か
ら、望ましくない。
の約63.5%(重量比)から22.5%(重量比)を
占めるべきである。この範囲外の量では、上述の理由か
ら、望ましくない。
【0021】以上に対応して、フォトイニシエータは、
有用な混合物の約1.5%から2.5%を占めている。
1.5%以下の量では、オリゴマーとモノマーの架橋反
応が不十分になるため、望ましくない。また、完全に架
橋反応させるには2.5%で十分であるので、それ以上
の量は不必要である。
有用な混合物の約1.5%から2.5%を占めている。
1.5%以下の量では、オリゴマーとモノマーの架橋反
応が不十分になるため、望ましくない。また、完全に架
橋反応させるには2.5%で十分であるので、それ以上
の量は不必要である。
【0022】上で定めた有用な混合物は、既述のとお
り、シリンジから、基板20の回路化表面30上に、た
やすく塗布することができる。この混合物は、表面30
上を簡単に流れて露出している回路を覆い、また、毛細
管現象の効果により、半田ボールの被覆物の側面を昇っ
て包み込む。
り、シリンジから、基板20の回路化表面30上に、た
やすく塗布することができる。この混合物は、表面30
上を簡単に流れて露出している回路を覆い、また、毛細
管現象の効果により、半田ボールの被覆物の側面を昇っ
て包み込む。
【0023】この有用な混合物を、塗布後、UV照射に
より簡便に処理する。有効な波長バンドは、200から
400ナノメートルの範囲である。有効なUV強度は、
約5.5から約6.5ジュール/平方センチメートルの
範囲で、対応する露光時間は約5秒から30秒である。
5.5ジュール/平方センチメートル以下のUV強度
は、オリゴマーとモノマーの架橋反応が不十分になるた
め、望ましくない。また、完全に架橋反応させるには
6.5%ジュール/平方センチメートルの強度で十分で
あり、しかも強過ぎると逆反応である結合の切断が起こ
るので、それ以上の強度は不必要である。市販のUV放
射源で、上述の強度と露光時間のUVを放射できるもの
として、例えば、メリーランド州ロックビルのFusi
on UVCuring System社販売の、D及
びHランプ(供給元による命名)を装備したUV処理シ
ステムがある。
より簡便に処理する。有効な波長バンドは、200から
400ナノメートルの範囲である。有効なUV強度は、
約5.5から約6.5ジュール/平方センチメートルの
範囲で、対応する露光時間は約5秒から30秒である。
5.5ジュール/平方センチメートル以下のUV強度
は、オリゴマーとモノマーの架橋反応が不十分になるた
め、望ましくない。また、完全に架橋反応させるには
6.5%ジュール/平方センチメートルの強度で十分で
あり、しかも強過ぎると逆反応である結合の切断が起こ
るので、それ以上の強度は不必要である。市販のUV放
射源で、上述の強度と露光時間のUVを放射できるもの
として、例えば、メリーランド州ロックビルのFusi
on UVCuring System社販売の、D及
びHランプ(供給元による命名)を装備したUV処理シ
ステムがある。
【0024】コーティング110の厚みは、それが保護
する回路の高さより約0.508ミリメートル高いこと
が好ましい。より厚い方が、有用だが、上記の厚さで機
械的保護及び周囲の環境からの保護は十分に達成され
る。
する回路の高さより約0.508ミリメートル高いこと
が好ましい。より厚い方が、有用だが、上記の厚さで機
械的保護及び周囲の環境からの保護は十分に達成され
る。
【0025】上記の通りに有用な混合物を塗布・硬化後
は、コーティング110は、内部又は接触面にクラック
が発生することなく0℃から100℃まで1時間に3サ
イクルの周期で、最低2000サイクルの熱サイクルに
耐えることができ、倍率10の光学顕微鏡で観察して
も、内部や半田ボールの被覆物との接触面に傷が認めら
れない。この熱サイクルは、当然、制御システムのある
オーブン中で行われるが、上の指定と寸分違わない熱サ
イクルを行うことはできない。実際には、各サイクル終
了に20+/−2分を要している(正確には、20分の
はず)。さらに、10℃から90℃までの昇温時間は、
6+3/−2分であり、90℃から10℃への降温時間
も6+3/−2分である。さらに、オーブンの到達温度
は100+/−10℃で、対応する休止時間は4+/−
2分である。それゆえ、本発明では、完璧な熱サイクル
の指定は、実際の熱サイクルを表しているとみなす。
は、コーティング110は、内部又は接触面にクラック
が発生することなく0℃から100℃まで1時間に3サ
イクルの周期で、最低2000サイクルの熱サイクルに
耐えることができ、倍率10の光学顕微鏡で観察して
も、内部や半田ボールの被覆物との接触面に傷が認めら
れない。この熱サイクルは、当然、制御システムのある
オーブン中で行われるが、上の指定と寸分違わない熱サ
イクルを行うことはできない。実際には、各サイクル終
了に20+/−2分を要している(正確には、20分の
はず)。さらに、10℃から90℃までの昇温時間は、
6+3/−2分であり、90℃から10℃への降温時間
も6+3/−2分である。さらに、オーブンの到達温度
は100+/−10℃で、対応する休止時間は4+/−
2分である。それゆえ、本発明では、完璧な熱サイクル
の指定は、実際の熱サイクルを表しているとみなす。
【0026】本発明によるコーティング110は、「シ
ップ・ショック」テストでも問題がない。このテストで
は、−40℃と+65℃の間を1時間に1サイクルの割
合で変化する熱サイクルを、最低10回コーティングに
与えても、チップ・キャリア基板に、倍率10の光学顕
微鏡で認められる傷や薄片の剥離を生じさせないことが
条件である。前例と同様に、この熱サイクルは、当然、
制御システムのあるオーブン中で行われるが、指定と寸
分違わない「シップ・ショック」熱サイクルを行うこと
はできない。実際には、最低温度は−40+/−5℃
で、最高温度は+65+/−5℃である。さらに、熱サ
イクルの回数は最低10回であるが、サイクル頻度には
毎時1+/−0.1サイクルの幅がある(正確には、毎
時1サイクルのはず)。しかも、最高温度及び最低温度
から遠い温度域での昇温及び降温速度は、毎分15℃で
あるのに、最高温度及び最低温度度でのドウェル時間
は、25+/−7分である。前例と同様に、本発明で
は、前者完璧な熱サイクルの指定は、後者の実際の熱サ
イクルを表しているとみなす。
ップ・ショック」テストでも問題がない。このテストで
は、−40℃と+65℃の間を1時間に1サイクルの割
合で変化する熱サイクルを、最低10回コーティングに
与えても、チップ・キャリア基板に、倍率10の光学顕
微鏡で認められる傷や薄片の剥離を生じさせないことが
条件である。前例と同様に、この熱サイクルは、当然、
制御システムのあるオーブン中で行われるが、指定と寸
分違わない「シップ・ショック」熱サイクルを行うこと
はできない。実際には、最低温度は−40+/−5℃
で、最高温度は+65+/−5℃である。さらに、熱サ
イクルの回数は最低10回であるが、サイクル頻度には
毎時1+/−0.1サイクルの幅がある(正確には、毎
時1サイクルのはず)。しかも、最高温度及び最低温度
から遠い温度域での昇温及び降温速度は、毎分15℃で
あるのに、最高温度及び最低温度度でのドウェル時間
は、25+/−7分である。前例と同様に、本発明で
は、前者完璧な熱サイクルの指定は、後者の実際の熱サ
イクルを表しているとみなす。
【0027】有用な混合物を、回路化表面30に塗布す
る他に、チップ50の露出した上面に塗布することも簡
単である。これにより、UV照射処理後、連続したコー
ティングが形成され、チップ50と回路化表面30の両
方を機械的ハザードや周囲の環境からのハザードから保
護する。しかし、チップ50の上面にコーティングを形
成しない場合は、図1に示すとおり、ヒート・シンク1
20をチップ50上面に直接取り付けられる。
る他に、チップ50の露出した上面に塗布することも簡
単である。これにより、UV照射処理後、連続したコー
ティングが形成され、チップ50と回路化表面30の両
方を機械的ハザードや周囲の環境からのハザードから保
護する。しかし、チップ50の上面にコーティングを形
成しない場合は、図1に示すとおり、ヒート・シンク1
20をチップ50上面に直接取り付けられる。
【0028】
【発明の効果】本発明により、以下の条件を満たす保護
コーティングを持つチップ・キャリアが得られる。
(1) 比較的コストが安いこと。(2) 標準的な熱
サイクルテストで傷や薄片の剥離を生じることがなく、
回路を機械的にも環境的にも保護する能力があること。
(3) 疎水性であること。(4) 低いイオン濃度を
示すこと。塩素イオン濃度が、10ppm以下を示せば
よい。(5) 比較的迅速に、簡便にコーティング処理
できること。(6) ヒート・シンクをチップ上に直接
取り付けられること。
コーティングを持つチップ・キャリアが得られる。
(1) 比較的コストが安いこと。(2) 標準的な熱
サイクルテストで傷や薄片の剥離を生じることがなく、
回路を機械的にも環境的にも保護する能力があること。
(3) 疎水性であること。(4) 低いイオン濃度を
示すこと。塩素イオン濃度が、10ppm以下を示せば
よい。(5) 比較的迅速に、簡便にコーティング処理
できること。(6) ヒート・シンクをチップ上に直接
取り付けられること。
【図1】本発明による、回路化表面の少なくとも一部を
保護コーティングで覆ったチップ・キャリアの、好まし
い実施例の断面図である。
保護コーティングで覆ったチップ・キャリアの、好まし
い実施例の断面図である。
10 チップ・キャリア 20 基板 30 回路化表面 40 電気的コンタクト・パッド 50 半導体チップ 60 半田ボール 70 半田ボールの被覆物 80 リード・フレームもしくはエッジ・クリップ 90 半田付け部分 100 マテリアル部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランシス・ジョン・オルシェフスキ アメリカ合衆国13760 ニューヨーク州 エンディコット、エヌ・マッキンリー・ アヴェニュー 827 (72)発明者 ジェームズ・ウォレン・ウィルソン アメリカ合衆国13850 ニューヨーク州 ヴェスタル、メイン・ストリート 409 (56)参考文献 特開 平5−29393(JP,A) 特開 平5−21523(JP,A)
Claims (4)
- 【請求項1】表面に電気回路がある基板と、 エポキシを含み、電導性半田ボールの熱膨張係数(CT
E)の値の30%以内のCTE値を持つ第1の被覆物
で、少なくとも部分的には覆われている該半田ボールに
より、該基板上に実装されている最低1個の半導体チッ
プと、 該基板表面の該電気回路を少なくとも部分的には覆い包
み込み、また、該第1被覆物に接続し、最低でも部分的
にはその周囲を囲む、第2の被覆物とで構成され、 該第2被覆物の組成はウレタンを含み、該組成は第2被
覆物の弾性係数が25℃で10、000psi以下を示
すように選択されていることを特徴とするチップ・キャ
リア。 - 【請求項2】前記チップに0℃と100℃の間を1時間
に3サイクルの周期で変化する熱サイクルを2000サ
イクル与えて、倍率10の光学顕微鏡で前記第2被覆物
を観察しても内部の傷や、前記第1被覆物と該第2被覆
物の接触面の傷が認められないように、該第2被覆物の
前記組成が選択されていることを特色とする、 請求項1に記載のチップ・キャリア。 - 【請求項3】前記チップに−40℃と+65℃の間を1
時間に1サイクルの周期で変化する熱サイクルを、10
サイクル与えて、倍率10の光学顕微鏡で前記第2被覆
物を観察しても基板からの薄片の剥離や傷が認められな
いように、該第2被覆物の前記組成が選択されているこ
とを特色とする、 請求項1に記載のチップ・キャリア。 - 【請求項4】少なくとも1個の前記半導体チップの露出
上面に、直接取り付けたヒート・シンクを含む、 請求項1に記載のチップ・キャリア。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US909368 | 1992-07-06 | ||
US07/909,368 US5249101A (en) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | Chip carrier with protective coating for circuitized surface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697309A JPH0697309A (ja) | 1994-04-08 |
JP2501287B2 true JP2501287B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=25427125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5136147A Expired - Lifetime JP2501287B2 (ja) | 1992-07-06 | 1993-06-07 | 回路化表面に保護コ―ティングを施したチップ・キャリア |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5249101A (ja) |
EP (1) | EP0578307B1 (ja) |
JP (1) | JP2501287B2 (ja) |
KR (1) | KR960015924B1 (ja) |
CN (1) | CN1028937C (ja) |
AT (1) | ATE143529T1 (ja) |
CA (1) | CA2091910C (ja) |
DE (1) | DE69305012T2 (ja) |
ES (1) | ES2092216T3 (ja) |
MY (1) | MY108750A (ja) |
SG (1) | SG44362A1 (ja) |
TW (1) | TW230272B (ja) |
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