JP2010232697A - 浸漬式リソグラフィ露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、露光装置の各種部品に対する汚染物質の付着を軽減または解消するリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】 リソグラフィ装置の基盤テーブルに備えられるセンサーなどの露光装置の各種部品の少なくとも一部に、半導体、光触媒、および（または）金属酸化物を含むコーティングを付与することを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は露光装置のコーティング、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイスに関する。

リソグラフィ装置は、基板のターゲット箇所に所望パターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この分野では、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成するためにマスクのようなパターン形成装置を使用することができ、またこのパターンは、放射光感応物質（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェーハ）上のターゲット箇所（例えば、一つまたは幾つかのダイよりなる部分を含む）上に像形成されることができる。一般に、一つの基板は連続して露光されるターゲット箇所が隣接されたネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、一回の行程で一つのターゲット箇所に全パターンを露光することで個々のターゲット箇所の照射を行ういわゆるステッパと、投影ビームを通してパターンを所定の方向（「走査」方向）へ走査すると同時に、その方向と実質的に平行または非平行な方向へ基板を同期して走査し、これにより個々のターゲット箇所の照射が行われるスキャナとを含む。

ここではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用を特別に言及するが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は一体光学システム、磁気定義域メモリのガイドおよび検出パターン、液晶表示装置（ＬＣＤ）や他のフラット・パネル表示装置、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例があることも理解しなければならない。このような代替応用例では、本明細書の「ウェーハ」や「ダイ」という用語の使用は、それぞれさらに一般的な用語である「基板」や「ターゲット箇所」と同義とみなせることを認識しなければならない。本明細書で引用する基板は、露光前または露光後に例えばトラック（典型的に基板にレジスト層を付与し、また露光したレジストを現像するツール）、冶金ツールまたは検査ツールにて処理することができる。適当であるならば、本明細書の開示内容はそれらの基板処理ツールや他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば複層ＩＣを製造するために一回以上処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理して得た層を含む基板も示すことができる。

本明細書で使用する「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば、３６５，３５５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば、５〜２０ｎｍの波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームのような粒子ビームを含む全ての種類の電磁放射線を包含する。

本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、例えば基板のターゲット箇所にパターンを形成するなどのために、放射ビームの横断面にパターンを付与することに使用できる装置を示すものと広く解釈されねばならない。放射ビームに付与されるパターンは基板のターゲット箇所に望まれるパターンと厳密に同じではないことに留意すべきである。一般に放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット箇所に形成される集積回路のようなデバイスの特定の機能層に一致する。

パターン形成装置は透過式または反射式とすることができる。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレー、およびプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでは周知であり、二値化式、交番位相シフト式、減衰位相シフト式、ならびに各種のハイブリッド・マスクのようなマスク形式が含まれる。例とするプログラム可能ミラー・アレーは小さなミラーのマトリックス配列を使用しており、個々のミラーは入射する放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾動されることができ、これにより反射ビームがパターン化される。

支持部がパターン形成装置を支持する、すなわちその重量を受止める。この支持部は、パターン形成装置の配向、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターン形成装置が真空環境の中で保持されるのか否かのような他の条件に幾分従って、パターン形成装置を保持する。支持部は、機械的クランプ、真空圧、または例えば真空条件の下での静電クランプのような他のクランプ技術を使用できる。この支持部は、例えばフレームまたはテーブルとすることができ、必要に応じて固定されるか移動可能とされ、またパターン形成装置が例えば投影系に対して望まれる位置であることを保証することができる。本明細書で使用する「焦点板」または「マスク」という用語はさらに一般的な「パターン形成装置」という用語と同意語とみなすことができる。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、例えば露光用放射光の使用、または浸漬流体の使用や真空圧の使用のような他の要因に対して適当であるように、屈折光学系、反射光学系および屈折反射光学系を含む各種形式の投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書で使用する「レンズ」という用語の使用はさらに一般的な「投影系」と同意語とみなすことができる。

照射系もまた、放射ビームの方向決め、成形または制御を行う屈折光学系、反射光学系、屈折反射光学系の要素を含む各種の形式の光学要素を包含し、それらの要素は以下に、集合体または単体で「レンズ」とも称される。

このリソグラフィ装置は二つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（および（または）二つ以上のマスク・テーブル）を有する形式とされることができる。そのような「多段」機械においては、付加されるテーブルは平行状態で使用されるか、一つ以上のテーブルが露光に使用されている間に他の一つ以上のテーブルが準備作業を実行するようになされ得る。

このリソグラフィ装置はまた、基板が比較的大きな屈折率を有する液体、例えば水の中に浸されて投影系の最終要素と基板との間隙をその液体が充満するような形式の装置とすることもできる。浸漬液体はリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の最初の要素との間に与えられることもできる。浸漬式リソグラフィは米国特許出願第２００４/０１１９９５４Ａ１号およびＷＯ２００４／０９３６１０に記載されている。

しかしながら、液体の使用は、例えば投影系、基盤保持具、または液体付近の他の部分に汚れを生じ、またはおそらく液体から蒸気の発散を生じる。例えば、汚れはセンサー、例えば基盤保持具に存在する伝達像センサー（ＴＩＳ）に残り、例えばウェーハとマスクとの整合における不正確さ、および（または）それらのセンサーの寿命の短縮をもたらす。本発明の一つの概念は、浸漬用液体による露光装置の様々な部分が汚れる危険性を軽減または排除することである。

露光装置に一般に生じる他の問題は、装置の様々な部分、例えばセンサーに汚染物質が付着することである。そのような汚染物質は、例えば基盤上に存在するフォトレジストより脱ガスして生じるか、大気中に存在する成分（露光装置により発生された放射光の影響で大気中に形成された成分を含む）から生じ得る。脱ガスは極紫外（ＥＵＶ）線リソグラフィに特に関係する。ＥＵＶリソグラフィは、例えば米国特許第６７２４４６２号に説明されている。ＥＵＶ放射光は脱ガスの結果として大気中に放出される炭化水素の分解を助成し、これは表面付近に望ましくない炭素の付着をもたらす。

汚染物質の付着は、付着箇所によっては、例えば装置の各種部品の寿命、整合、レベリング、センサー格子の劣化、および（または）放射光の遮断に関係する問題をもたらす。本発明の一つの概念は、露光装置の様々な部分に対する汚染物質の付着を軽減または排除することである。

本発明は、例えば基盤テーブル上のセンサーを被覆するための、露光装置に使用されるコーティングを提供する。このコーティングは水との接触角度が１０゜未満である。このコーティングは光触媒作用性を有し、例えば或るコーティングは半導体光触媒を含む。コーティングは半導体を含む。コーティングは金属酸化物も含む。

本発明はさらに保護コーティング、例えば上述のコーティングを含むセンサーを提供する。

本発明はまたリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法も提供する。

本発明のさらなる概念および特徴は本明細書に記載される。

本発明の実施例が添付の概略図を参照して単なる例を挙げて説明される。図面では、同じ符号は同じ部分を示している。

本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す。 本発明による基盤テーブルの実施例を示す。

図１は本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を模式的に示している。この装置は、放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射光）を調整するようになされた照射系（照射装置）ＩＬと、パターン形成装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するようになされ、部材ＰＬに対してそのパターン形成装置を正確に位置決めする第一の位置決め装置ＰＭ（例えば、少なくとも一つの回転モーター、直動モーターまたは平面モーターを含む）に連結された第一の支持部（例えばマスク・テーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジスト被覆ウェーハ）Ｗを保持するようになされ、パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを基盤Ｗのターゲット箇所Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）に像形成するように構成された部材（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬに対して基盤を正確に位置決めする第二の移動（位置決め）装置ＰＷ（例えば、少なくとも一つの回転モーター、直動モーターまたは平面モーターを含む）に連結された基盤テーブル（例えば、ウェーハ・テーブル）ＷＴとを含む。

本明細書に記載するように、この装置は透過式（例えば、透過式マスクを使用する）の形式とされている。これに代えて、この装置を反射式（例えば、上述で説明した形式のプログラム可能ミラー・アレーを使用する）とすることもできる。

照射装置ＩＬは放射光源ＳＯから放射光を受入れる。例えば放射光源が励起レーザーである場合には、放射光源およびリソグラフィ装置を完全に分離することができる。その場合、放射光源はリソグラフィ装置の一部を形成するものと考えるのではなく、放射ビームは放射光源ＳＯから、例えば適当な方向決めミラーおよび（または）ビーム拡張機を含むビーム導入システムＢＤによって照射装置ＩＬへ送られる。他の例では、例えば放射光源が水銀ランプであるときは、放射光源は装置に一体の部分となされる。放射光源ＳＯおよび照射装置ＩＬは、必要ならばビーム導入システムＢＤと一緒にして放射系と称することができる。

照射装置ＩＬは、ビームの角度的な強度分布を調整するようになされた調整装置ＡＭを含むことができる。一般に、照射装置の瞳面における強度分布の半径方向の少なくとも外側範囲および（または）内側範囲（一般にそれぞれσ−アウターおよびσ−インナーと称される）は調整することができる。さらに、照射装置ＩＬは積分装置ＩＮおよびコンデンサーＣＯのような他のさまざまな構成部材を一般に含む。照射装置は、横断面に所望の均一性および強度分布を有する調整された放射ビームを形成する。一実施例では、放射光は少なくとも５ｎｍ、例えば、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１２５ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１９０ｎｍ、または少なくとも２２０ｎｍの波長を有する。一実施例では、放射光は最大４００ｎｍ、例えば、最大３６５ｎｍ、最大３００ｎｍ、最大２６０ｎｍ、最大２００ｎｍ、最大１５０ｎｍ、最大１００ｎｍ、最大５０ｎｍ、または少なくとも２０ｎｍの波長を有する。

放射ビームＰＢはマスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡを照射する。マスクＭＡを横断した放射ビームＰＢは投影系ＰＬを通過し、この投影系は基板Ｗのターゲット箇所Ｃ上にビームを投影する。第二の位置決め装置ＰＷおよび測定装置（位置センサー）ＩＦ（例えば、干渉式または容量式の装置および（または）エンコーダ）によって、例えばビームＰＢの光路内に異なるターゲット箇所Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴは正確に移動されることができる。同様に、例えば、マスク保管場所からマスクが機械的に取出された後または走査時に、ビームＰＢの光路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために第一の位置決め装置ＰＭおよび他の位置センサー（例えば、図１に明確に示されてはいないが干渉式または容量式の装置および（または）エンコーダとされる）を使用することができる。一般に、物品テーブルＭＴ，ＷＴの動作は、位置決め装置ＰＭ，ＰＷの一部を構成する長ストローク用モジュール（粗い位置決め）および短ストローク用モジュール（微細な位置決め）によって行われる。しかしながら、ステッパの場合には、スキャナとは反対に、マスク・テーブルＭＴは短ストローク用アクチュエータのみに連結されるか、固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク整合マーカーＭ１，Ｍ２および基板整合マーカーＰ１，Ｐ２を使用して整合される。

図示装置は以下の好ましいモードで使用できる。

１．ステップ・モードでは、放射ビームに与えられたパターン全体が一度にターゲット箇所Ｃ上に投影される間、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保持される（すなわち、一回の静止露光）。その後基板テーブルＷＴはＸおよび（または）Ｙ方向へ移動されて、別のターゲット箇所Ｃが露光できるようになされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大寸法が一回の静止露光で像形成されるターゲット箇所Ｃの寸法を制限する。

２．走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃ上に投影される間、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期して走査される（すなわち、一回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、倍率（縮小率）および投影系ＰＬの像転倒特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大寸法は一回の動的露光でのターゲット箇所の非走査方向の幅を制限するのに対して、走査動作の長さはターゲット箇所の走査方向の高さを決定する。

３．他のモードでは、マスク・テーブルＭＴはプログラム可能パターン形成装置を基本的に静止状態に保持し、基板テーブルＷＴは放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃに投影される間に移動または走査される。このモードでは、一般にパルス化された放射光源が使用され、プログラム可能パターン形成装置は基板テーブルＷＴの各々の移動の後、または走査時の連続する放射光パルスの間に、要求に応じてアップデートされる。この作動モードは、上述で引用した形式のプログラム可能ミラー・アレーのようなプログラム可能パターン形成装置を使用するマスクの無いリソグラフィにも容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび（または）変形例、またはまったく異なる使用モードも使用することができる。

図２は基盤テーブルＷＴの一実施例を示している。図２に示された実施例では、二つのセンサーＴＩＳ１，ＴＩＳ２が基盤テーブルＷＴの頂面に取付けられた基準プレート上で、基盤Ｗで覆われる面積部分の外側にて対角線上の反対位置に取付けられている。基準プレートは、例えばＩＮＶＡＲ（登録商標）のような熱膨張率が非常に小さい高安定材料で作られ、平面状の反射上面を有しており、これは整合段階で使用されるマーカーを担持する。センサーＴＩＳ１，ＴＩＳ２は投影系の空間像の垂直および水平方向位置を直接に決定するために使用される。それらのセンサーはそれぞれの表面に開口を含み、そのすぐ後ろ側には露光段階で使用される放射光に感応する光検出器が配置される。焦点面の位置を決定するために、投影系はマスクＭＡに与えられた明領域と暗領域とを有するＴＩＳパターンＴＩＳ−Ｍの像を空間に投影する。その後基盤テーブルは水平に一または二つの方向へ、および垂直に走査されて、ＴＩＳの開口が空間像の予期される空間部を通るようになされる。ＴＩＳの開口がＴＩＳパターン像の明および暗部分を通るとき、光検出器の出力は変動する。光検出器の出力の振幅の変化率が最も高い垂直レベルはＴＩＳパターン像が最大コントラストを有するレベルを示し、したがって最適焦点面を示す。この形式のＴＩＳの例は米国特許第４５４０２７７号に非常に詳細に記載されている。ＴＩＳに替えて、米国特許第５１４４３６３号に記載されているような反射像センサー（ＲＩＳ）も使用できる。基盤テーブルをマスクに整合させるためにこのＴＩＳ面はさらに基準マーカーを担持することができ、その位置はレンズを通しての（スルー・ザ・レンズ（ＴＴＬ））整合システムを使用して検出される。このような整合システムは、例えば米国特許第５４８１３６２号に記載されている。個々の露光面積部分の整合も遂行できる。または、露光面積部分をウェーハ・ステージ上の基準マーカーに整合させるために測定・ステージで遂行される整合段階によって省かれる。このような段階は、例えば米国特許第６２９７８７６号に記載されている。

先に説明したように、浸漬式リソグラフィにおけるような液体の使用は、露光装置の部品、例えば伝達像センサーのようなセンサーに汚れを生じる。一般に露光装置に生じる他の問題は、大気中の汚染物質が装置の各種部品に付着することである。

一実施例において、本発明は露光装置の部品、例えば投影系の部品や基盤テーブルの部品のためのコーティングを提供する。一実施例において、装置の作動時に放射光で露光される一つ以上の部品にコーティングが使用される。一実施例において、本発明のコーティングはセンサー、例えば収差センサー、放射線量センサー、伝達増センサー、および（または）反射像センサーに使用される。一実施例において、例えばコーティングが浸漬式リソグラフィ装置に使用される場合、そのコーティングは装置の作動時に液体、例えば水のような水溶液に露出される。

一実施例において、本発明のコーティングは一つ以上の光触媒、例えば二酸化チタンおよび（または）酸化亜鉛を含む。一実施例において、光触媒のコーティングは、コーティング表面に付着した汚染物を破壊する助けをなす。一実施例において、コーティングはその全重量に対して少なくとも２５％の、例えば少なくとも５０重量％、少なくとも７５重量％、少なくとも９０重量％、または少なくとも９５重量％の一つ以上の光触媒を含む。一実施例において、コーティングは一つ以上の光触媒、例えば、ＴｉＯ_２を含む。

一実施例において、本発明のコーティングは親水性で、１５゜未満、例えば１０゜未満、８゜未満、６゜未満、３゜未満、または約０゜の水接触角を有する。水接触角はＦＴＡ２００動的接触角分析（英国ケンブリッジシャー、エルスワース、ケンテルＬＴＤより入手可能）により室温で決定される。親水性のコーティングは、例えば浸漬式リソグラフィにおける水溶液でコーティング済み部品の汚れを防止できる。親水性のコーティングは液滴形成を防止し、これにより液滴の周辺へ向けて流れて集中することにより液体状態で存在する。コーティングの親水性は光で誘起された親水性であり（例えば、ＵＶ放射光に露出されるか、露出されていたかの結果として）、光誘起の親水性に依存する前には、例えば１５゜超（例えば２０゜超）の水接触角を有している。一実施例において、光誘起の親水性は可逆（例えば、或る時間にわたり放射光を受けなかった後にコーティングが比較的に疎水性に戻る）とされる。一実施例において、親水性のコーティングは二酸化チタン・コーティングとされる。

一実施例において、コーティングは一つ以上の金属酸化物、例えば二酸化チタン、酸化亜鉛、および（または）二酸化ジルコニウムを含む。一実施例において、コーティングはその全重量に対して少なくとも２５％の、例えば少なくとも５０重量％、少なくとも７５重量％、少なくとも９０重量％、または少なくとも９５重量％の一つ以上の金属酸化物を含む。一実施例において、コーティングは基本的に一つ以上の金属酸化物、例えば、ＴｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２、ＷＯ_３またはそれらの混合物を含んでなる。

一実施例において、本発明のコーティングは一つ以上の半導体、例えばＴｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２、ＷＯ_３ＣｄＳ、またはそれらの混合物を含む。一実施例において、コーティングはその全重量に対して少なくとも２５％の、例えば少なくとも５０重量％、少なくとも７５重量％、少なくとも９０重量％、または少なくとも９５重量％の一つ以上の半導体を含む。一実施例において、コーティングは一つ以上の半導体を含む。一実施例において、半導体は半導体光触媒とされる。

コーティングはいずれかの適当な方法および処理によって基盤上に備えられる。一実施例において、コーティングは反応的なマグネトロン・スパッタリングによって付与される。他の実施例では、コーティングはスピン被覆処理または浸漬被覆処理によって付与される。一実施例において、基盤はガラス製基盤（例えば、クロムのような金属で部分的に被覆されたガラス製基盤）またはハライド（ハロゲン化物、例えばＣａＦ_２）基盤とされる。

コーティングは適当な厚さを有する。一実施例において、コーティングの厚さは少なくとも１ｎｍ、例えば、少なくとも３ｎｍ、少なくとも７ｎｍ、少なくとも１５ｎｍ、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも７５ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、または少なくとも２５０ｎｍとされる。一実施例において、コーティングの厚さは少なくとも１０μｍ、例えば、少なくとも７μｍ、少なくとも４μｍ、少なくとも２μｍ、少なくとも１μｍ、少なくとも７５０ｎｍ、少なくとも５００ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍとされる。

本発明の特定の実施例を説明したが、当業者にはその多くの変更が容易に浮かび、または示唆されることが理解されるであろう。したがって、本発明は特許請求の範囲によって定められることを意図していることが理解されるであろう。

ＡＭ 調整装置
ＢＤ ビーム導入システム
Ｃ ターゲット箇所
ＣＯ コンデンサー
ＩＦ 位置センサー
ＩＬ 照射系すなわち照射装置
ＩＮ 積分装置
Ｍ１，Ｍ２ 整合マーカー
ＭＡ マスク
ＭＴ マスク・テーブル
Ｐ１，Ｐ２ 基板整合マーカー
ＰＢ 放射ビーム
ＰＬ 投影系
ＰＷ 位置決め装置
ＳＯ 放射光源
ＴＩＳ１，ＴＩＳ２ センサー
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (28)

1. 放射ビームを供給するようになされた放射系と、
   所望のパターンに従って放射ビームをパターン形成するようになされたパターン形成装置と、
   基盤を支持するようになされた基盤テーブルと、
   パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影するようになされた投影系とを含み、基盤テーブルの少なくとも一部がコーティングで被覆され、コーティングは金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含んでなる露光装置。
2. 基盤テーブルの被覆された部分がセンサーを含んでいる請求項１に記載された装置。
3. センサーが収差センサー、放射線量センサー、伝達像センサー、または反射像センサーである請求項２に記載された装置。
4. 基盤テーブルの被覆された部分が伝達像センサーを含んでいる請求項３に記載された装置。
5. コーティングが金属酸化物を含んでいる請求項１に記載された装置。
6. コーティングが光触媒を含んでいる請求項１に記載された装置。
7. コーティングが半導体を含んでいる請求項１に記載された装置。
8. コーティングが二酸化チタンを含んでいる請求項１に記載された装置。
9. コーティングがその全重量に対して少なくとも５０重量％の二酸化チタンを含んでいる請求項１に記載された装置。
10. コーティングが金属酸化物、光触媒、および（または）半導体を含んでいる請求項１に記載された装置。
11. 装置が浸漬式リソグラフィ装置である請求項１に記載された装置。
12. 放射ビームが５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する請求項１に記載された装置。
13. コーティングが約１０μｍ未満の厚さを有する請求項１に記載された装置。
14. コーティングが約５０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する請求項１に記載された装置。
15. 金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含んでなるコーティングで少なくとも一部が覆われた基盤テーブルに基盤を支持させ、
    パターン形成された放射ビームを基盤のターゲット箇所に投影することを含むデバイス製造方法。
16. 請求項１５に記載された方法により製造されたデバイス。
17. 集積回路である請求項１６に記載されたデバイス。
18. 基盤テーブルを含み、基盤テーブルの少なくとも一部がコーティングを有し、コーティングは親水性で約１０゜未満の水接触角を有している浸漬式リソグラフィ。
19. 水接触角が約４゜未満である請求項１８に記載された装置。
20. 水接触角が約０゜である請求項１８に記載された装置。
21. 親水性が光誘起される請求項１８に記載された装置。
22. 光触媒コーティングを有する部分を含み、極紫外線リソグラフィ装置または浸漬式リソグラフィ装置であるリソグラフィ装置。
23. 前記部分がその作動時に放射光で露光される請求項２２に記載された装置。
24. 前記部分がセンサーを含んでいる請求項２２に記載された装置。
25. 光触媒コーティングを有する部分を含む露光装置からのパターン形成された放射ビームで基盤を露光することを含むデバイス製造方法。
26. 露光装置が極紫外線リソグラフィ装置または浸漬式リソグラフィ装置である請求項２５に記載されたデバイス製造方法。
27. 請求項２５に記載された方法により製造されたデバイス。
28. 集積回路である請求項２７に記載されたデバイス。

Images