JP2000311933A

JP2000311933A - 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法

Info

Publication number: JP2000311933A
Application number: JP11119631A
Authority: JP
Inventors: Yukio Takabayashi; 幸夫高林; Shigeyuki Uzawa; 繁行鵜澤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-04-27
Filing date: 1999-04-27
Publication date: 2000-11-07
Also published as: US6307620B1

Abstract

(57)【要約】【課題】異物の付着を軽減し、あるいは異物を速やか
に除去させるクリーニング手段を提供する。【解決手段】本発明の基板保持装置は、基板保持部に
光触媒反応を生成する薄膜を形成することを特徴とす
る。この構成によって、素子製造上の歩留まりを悪化さ
せる異物を付着しにくくする手段、あるいは、速やかに
除去させる手段を提供することを目的とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被加工物である基
板を保持する基板保持装置に関し、特に半導体製造装
置、液晶基板製造装置、磁気ヘッド製造装置およびマイ
クロマシン製造装置等に用いられる基板保持装置に関す
る。また、このような基板保持装置を用いた露光装置お
よびデバイス製造方法に関する。ならびに、基板保持装
置のクリーニングを行うための基板保持部クリーニング
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、露光光源の波長は、３６５ｎｍの
ｉ線光源から波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザに主流が移
りつつあり、次世代をにらんで更に短波長の光源につい
ても開発が進められている。また、ＫｒＦよりも短波長
のレーザ光では、光学部品へのダメージが大きく、装置
ランニングコストの上昇が懸念されるため、露光装置と
しては、波長を短波長化する以外に、投影光学系の高Ｎ
Ａ化も図っている。高ＮＡ化によって微細化を進める場
合には、光学系の有効な焦点深度がＮＡの増加に伴い減
少する。そこで、十分な実用深度を得るために、投影光
学系の像面湾曲の軽減や、基板の厚みムラやチャックの
平面精度の向上などを行い、プロセスマージンを最大限
に確保する必要がある。

【０００３】こうした中で、実用深度を確保するため
に、ウエハとチャックとの間に不用意に入り込む異物の
挟みこみ等をなくしていく必要がある。

【０００４】露光工程に達するウエハの裏面は、種々の
処理工程を経過する中で、レジストを始めとする各種異
物や、搬送ハンド接触部の摺動異物などが付着する可能
性がある。この異物は、付着場所も大きさも特定するこ
とは困難である。ウエハとチャックとの間に異物を挟み
こんだ場合、その影響は大きく、例えば１μｍの粒径の
異物を挟みこんだときは、そこを中心に直径１２ｍｍの
領域にウエハの盛り上がりが生じ、解像不良の領域を広
げてしまう。また、その異物がチャック上に残る場合に
は、単にウエハ１枚のみの不良ではなく、全てのウエハ
の同じ位置にて素子不良を発生させてしまうことにな
る。

【０００５】従来の装置では、このようなチャック上に
付着した異物を除去するために、クリーニング用の砥石
をチャック表面に圧接摺動させて、異物を物理的に掻き
落とす手法が採用されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、砥石の摺動に
よるチャック表面のクリーニング方法は、手動あるいは
自動化されたシステムによって実現されているが、チャ
ッククリーニングに要する装置ダウンタイムおよびその
頻度により、スループットの低下を招いていた。

【０００７】本発明は、素子製造上の歩留まりを悪化さ
せる異物を付着しにくくする手段、あるいは、速やかに
除去させる手段を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の基板保持装置は、基板を保持する基板保持
部に光触媒反応を生成する薄膜を形成することを特徴と
する。

【０００９】また、前記基板保持装置は、真空吸着によ
り前記基板保持部に基板を保持することが望ましい。

【００１０】また、光触媒反応を生成する前記薄膜は、
半導体セラミックスにより形成することが望ましく、酸
化チタンから形成されることが好ましい。なお、前記酸
化チタンの薄膜の熱処理温度が８００℃以下であると良
い。

【００１１】また、前記基板保持部は、ウエハチャック
に設けられていることが望ましい。

【００１２】また、前記基板を保持するためのピンが設
けられていることが望ましく、前記基板を保持するため
のピンの上に凸部が設けられていることが好ましい。

【００１３】また、少なくとも前記基板と接触する部分
に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成することが望
ましく、前記基板を保持するためのピンの先端部に、光
触媒反応を生成する前記薄膜を形成することが好まし
い。

【００１４】また、少なくとも前記基板と接触する部分
の外周部に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成する
ことが望ましく、前記基板を保持するためのピンの外周
部に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成することが
好ましい。

【００１５】また、前記基板保持部は、ウエハを搬送す
る搬送系のハンドに設けられていることが望ましく、前
記ハンドは、セラミックにより形成されていることが好
ましい。

【００１６】また、前記ハンドは、待機時に紫外線が照
射されることが望ましい。

【００１７】また、本発明の基板搬送システムは、前記
の基板保持装置を備えることが望ましい。

【００１８】また、本発明の露光装置は、前記の基板保
持装置を有することが望ましい。

【００１９】また、前記基板保持装置をステージによっ
て移動可能とすることが望ましく、前記基板保持装置の
露光は、ステージをステップ移動しながら行うことが好
ましく、前記基板保持装置の露光は、ステージを走査移
動しながら行うことも好ましい。

【００２０】前記基板保持装置を露光することにより、
基板保持装置をクリーニングすることを特徴とすること
が望ましい。

【００２１】また、前記基板保持装置を露光する光は、
４２０ｎｍ以下の波長であることが望ましく、ｉ線であ
ることが好ましい。

【００２２】また、前記基板保持装置を露光する光照射
装置を有することが望ましい。

【００２３】また、前記光照射手段は、レチクルに形成
されたパターンをウエハに転写するための露光光の光源
から導いて前記基板保持装置を露光することが望まし
い。

【００２４】また、前記光照射手段は、レチクルに形成
されたパターンをウエハに転写するための露光光を照射
する手段を兼用することが望ましい。

【００２５】また、前記光照射手段は、レチクルに形成
されたパターンをウエハに転写するための露光光の光源
とは別の光源を用いて前記基板保持装置を露光すること
が望ましい。

【００２６】また、前記基板保持部は、基板にレジスト
液または現像液を塗布する塗布装置に設けられているこ
とが望ましい。

【００２７】また、本発明の塗布装置は、上記した基板
保持装置を備えたこと特徴とし、前記基板にレジスト液
又は現像液を塗布することが望ましい。

【００２８】また、本発明のデバイス製造方法は、上記
した露光装置を用意するステップと、レチクルに形成さ
れたパターンをウエハに転写するステップと、前記基板
保持装置に光触媒反応が発生する光を照射するステップ
とを有することを特徴とする。

【００２９】また、上記した塗布装置を利用してウエハ
にレジストを塗布するステップと、露光されたウエハを
現像するステップとを更に有することが望ましい。

【００３０】上記の目的を達成するための本発明の基板
保持部クリーニング方法は、基板を保持する基板保持部
のクリーニングを行う方法であって、光触媒反応を生成
する薄膜を形成した基板保持部を光照射装置の照射領域
まで移動するステップと、光照射手段により光を該基板
保持部に照射するステップとを有することを特徴とす
る。

【００３１】また、露光装置の光学系を利用して、基板
保持部に光を照射することが望ましい。

【００３２】

【発明の実施の形態】＜ウエハチャックの実施形態＞本
発明のウエハチャックの概略図を図１に示す。

【００３３】ウエハチャック５は、異物の挟み込みを極
力回避するため、ウエハ（不図示）との間で最小限の接
触面積になるように、点接触型の表面パターンを有して
いる。ウエハに与える局所応力を大きくしすぎないよう
に、ピン５１の大きさはφ０．１〜φ０．２ｍｍのピン
５１を採用している。

【００３４】また、ピンのピッチは、ウエハのたわみが
１０ｎｍ以下になるように約２ｍｍ程度の格子ピッチを
採用している。ウエハの熱を速やかにチャックに伝熱で
きるように、ピン５１の高さを３０μｍ程度としてい
る。ウエハチャックの母材としては、熱膨張率が小さ
く、熱伝導率が大きく、比剛性のたかいセラミックスで
あるＳｉＣが用いられている。

【００３５】また、ウエハチャック５には吸引孔５２が
設けられており、真空吸引することでウエハがウエハチ
ャック５に吸着保持される。

【００３６】本実施形態のウエハチャックに用いられる
光触媒薄膜について、その詳細を以下に述べる。

【００３７】光触媒とは、通常は数１００℃でなければ
生じさせることのできない化学反応を、光エネルギーを
利用することで室温で生じさせることのできる触媒のこ
とである。光触媒反応を有する半導体の表面にそのバン
ドギャップ以上のエネルギーを持つ波長の光を照射する
と、光触媒反応が励起され、半導体内部に電子・正孔対
が形成される。形成された電子が雰囲気ガス中の酸素と
反応することで表面に活性酸素が生じ、正孔は雰囲気ガ
ス中の水分と反応することで表面にプロトンを生じる。
この表面に形成された活性種が有機成分と反応し、酸化
・還元反応が進み、有機物を分解除去することができ
る。

【００３８】本実施形態における光触媒の材質として
は、半導体セラミックスに属するものが用いられ、例え
ば、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＫＴａＯ３、ＣｄＴｅ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＢｉＳ３、ＳｉＣ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、Ｃｕ２
Ｏ、ＦｅＯ３、ＧａＰ、ＷＯ３，ＰｂＯ、ＰｂＯ２、Ｃ
ｄＳ、Ｓｉ、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３等の光化学変
換が可能な材質が適用可能である。また、これらの単一
材質あるいは複合材質でも可能である。

【００３９】本実施形態のウエハチャックの断面図を図
２に示す。

【００４０】本実施形態のウエハチャックでは、上述の
ＳｉＣ母材のウエハチャック表面に対して、アンターゼ
型結晶構造の酸化チタンの薄膜５０ａを施している。製
膜方法は、スプレーコーティングによる塗布を行い、８
００℃低温焼成を加えている。８００℃を越える熱処理
を施すと、酸化チタンのアンターザ型結晶構造がルチル
型に変化し、光触媒効果が急激に消失することが知られ
ている。また、酸化チタンの薄膜５０ａの厚さを約２μ
ｍとし、厚さのばらつきが発生しにくいようにコーティ
ングノズルの動作を制御し、複数回に分けて母材上にコ
ーティングを施している。酸化チタンの被膜製法として
は、スプレーコーティング、ロールコーティング、ディ
ッピング、スピンコーティングのほかに、真空蒸着法、
ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、電気めっき
法、溶射法などがある。

【００４１】酸化チタンのバンドギャップは約３ｅＶで
あり、波長に直すと約４２０ｎｍである。つまり、４２
０ｎｍ以下の光をウエハチャック表面に照射すれば光触
媒反応が起こり、ウエハチャックのクリーニングを行う
ことができる。酸化チタンの膜の厚さを厚くしすぎると
光透過性が悪くなるので、膜厚を調整して光透過性を良
くし、光が光触媒の全域に到達できるようにすることが
望ましい。逆に、光触媒の膜厚が２０ｎｍ以下の場合に
は、量子粒径効果によってバンドギャップが３ｅＶより
も大きくなる。

【００４２】ウエハチャック表面に光触媒からなる半導
体セラミック薄膜を形成し、紫外線を照射することで、
次の光触媒効果が生じる。まず、ウエハチャックの表面
に経時的に帯電していく静電気を瞬時に中和し、また、
チャック表面の疎水性をなくし表面自由エネルギを低く
抑え、チャック表面の異物の付着性を軽減し、付着した
異物の剥離を促す。さらには、シロキサンやフタル酸等
の汚染有機性ガスを分解あるいは安定化ガスに変換させ
る効果も発揮する。

【００４３】次に、図３にウエハチャックの第１の変形
例の断面図を示す。

【００４４】前述のウエハチャックは、ウエハチャック
の表面に均質な薄膜５０ａを形成していたが、本変形例
では薄膜形成後に、ウエハチャックの表面にラップ加工
を施すことでチャック平面の平面度を向上させ、ウエハ
裏面の接触部分の一部の薄膜を剥離させて母材を露出さ
せても良い。この場合は、ピンの先端部の薄膜は剥離さ
れ、母材がウエハと接触するものの、実際の異物付着
は、ピンの外周部に集中する場合が多く、ピン外周エッ
ジの部分に薄膜５０ｂが存在すれば、光触媒によるクリ
ーニング効果を損ねるものではない。

【００４５】また、図４にウエハチャックの第２の変形
例の断面図を示す。前述のウエハチャックと異なり、ウ
エハと接触するピンの先端部分に光触媒の酸化チタンの
薄膜５０ｃを設けている。この場合でも、光触媒による
クリーニング効果を得ることができる。この場合も、異
物が付着する割合が高いピンの外周部の部分に光触媒の
薄膜５０ｃが形成されるようにすれば、光触媒によるク
リーニング効果を十分発揮できる。

【００４６】さらに、図５のようにピンの上に凸部５３
を設けたようなピンチャックに光触媒の薄膜５０ｄを形
成してもよい。この場合も同様に、異物が付着する割合
が高いピンの外周部の部分に光触媒の薄膜５０ｃが形成
されるようにすれば、光触媒によるクリーニング効果を
十分発揮できる。

【００４７】このように、光触媒効果をウエハチャック
に施すことで、ウエハチャック表面に付着する異物が減
少し、不良素子の発生頻度を抑制することができ、半導
体素子製造の歩留まり向上に貢献する。

【００４８】本実施形態では、ウエハを保持する基板保
持装置として、真空吸引によりウエハを保持するピンチ
ャックを紹介したが、ピンに限定されるものではなく、
吸着溝を設けたウエハチャックに光触媒の薄膜を設けて
も良い。また、ウエハの保持方法としては、真空吸着に
限られるものではなく、例えば静電チャックまたはメカ
ニカルにクランプするチャックでも良い。

【００４９】＜露光装置の実施形態＞図６に前述のウエ
ハチャックを用いた縮小投影露光装置を示している。

【００５０】同図において、１は、ウエハに転写するパ
ターンが形成されたレチクルである。レチクル１は、レ
チクルステージ６上に載置され、照明光学系４を通して
導かれる露光光に照射される。

【００５１】レチクルを透過した露光光は、投影光学系
３によって１／５に縮小され、被加工物であるシリコン
ウエハ２上に照射される。ウエハ２を保持する基板保持
装置としての前述のウエハチャック５は、水平面で移動
可能なＸＹステージ７上に載置されている。被露光ウエ
ハ上には、予め露光光によって化学反応を効果的に起こ
す感光材であるレジスト材料が薄く塗布されており、次
工程のエッチングマスクとして機能する。

【００５２】図中、８はオフアクシススコープであり、
９はウエハの面位置計測手段である。

【００５３】次に、光触媒効果のために紫外線を照射す
る方法について、詳述する。

【００５４】本実施形態では、縮小投影を行うための露
光光に紫外線光源を用いている。具体的には、超高圧水
銀灯を光源とするｉ線の光線（波長３６５ｎｍ）を用い
ている。ウエハチャック表面に形成する光触媒に酸化チ
タンを用いた場合、ｉ線の光源は光反応を起こすのに適
当な光源となり得る。

【００５５】露光シーケンスを以下に述べる。

【００５６】被露光ウエハ２が露光装置に自動あるいは
作業者の手によってセッティングされた状態から、露光
工程の開始指令により露光装置の動作が開始される。ま
ず、１枚目のウエハ２が搬送システムによってステージ
７上に載置されたウエハチャック５上に送りこまれる。
続いて、装置に搭載されたオフアクシススコープ８によ
ってウエハ２上に記されたアライメントマークを複数個
所検出してウエハの倍率、回転、ＸＹずれ量を確定し、
位置補正を行う。ステージ７は、搭載したウエハの第１
ショット位置が露光装置の露光位置に合うようにウエハ
を移動する。面位置計測手段９により合焦確認後、約
０．２秒程度の露光を行い、ウエハ上の第２ショット位
置にウエハをステップ移動して順次露光を繰り返す。最
終ショットまで同様のシーケンスを繰り返し、１枚の露
光処理は完了する。ウエハチャック５上から回収搬送ハ
ンドに受け渡されたウエハは、ウエハキャリアに戻され
る。

【００５７】本発明の露光シーケンスでは、ウエハチャ
ック上からウエハを回収して次ウエハがウエハチャック
に搬送されるまでの間に、一旦ステージが移動し、予め
決められたチャック表面の領域に対して露光光を照射す
るチャック照射シーケンスが加えられている。照射露光
量は、投影露光装置の紫外線照度が光反応に比して十分
大きいため、一瞬のうちに光触媒反応の必要照度に達
し、露光領域内の光触媒反応を利用したチャックのクリ
ーニングが行われる。ステージは、ステップ移動しなが
らチャック照射しても良いし、停止することなく走査移
動しながらウエハチャックを照射しつづけて、ウエハチ
ャックのクリーニングを行っても良い。

【００５８】上述の露光シーケンスでは、ウエハチャッ
クのクリーニングをウエハ処理動作の合間に行っている
が、これに限るものではなく、装置待機時あるいは規定
時間経過時に、チャック照射のシーケンスを行っても良
い。

【００５９】また、本実施形態では、露光光を用いてチ
ャック照射を行っているが、図７に示すように別の紫外
線照射装置１０をウエハチャック上方に設けても良い。
紫外線照射装置１０としては、光源から別経路にて露光
光を導いてもよいし、別に設けた紫外線光源を利用して
も良い。

【００６０】＜搬送系ハンドの実施形態＞図８は、本発
明の搬送系システムの実施形態の概略図を示している。

【００６１】同図の搬送系システムは、ウエハをステー
ジ上に送りこむハンドに、上述した光触媒反応を生成す
る薄膜が形成されていることを特徴としている。

【００６２】搬送系ロボット１２は、露光装置のウエハ
インラインポート（不図示）から運びこまれるウエハを
受け取り、ステージのチャック上に受け渡す動作を行
う。ウエハの保持は、剛性の高いセラミックによってな
るハンド１１によって行われる。ハンドには、ウエハ裏
面と接触する２箇所あるいは３箇所程度のランド部が形
成されている。この基板保持部である接触点でウエハ裏
面を真空吸着保持し、ウエハを搬送中に落とすことなく
運ぶ。

【００６３】従来の装置では、ハンドの異物付着はウエ
ハと接触するランド部に集中し、ウエハ裏面への異物転
写を引き起こしていた。本実施形態では、搬送系ハンド
の少なくともウエハ裏面と接触する部位に光触媒反応を
生成する薄膜を形成している。

【００６４】また、図８に示すように、搬送系ハンドの
上部には、紫外線照射装置１３があり、ハンド待機時に
ハンドの上面に対して紫外線を照射する構成をとってい
る。

【００６５】同図において、搬送系ハンドに紫外線を照
射するための紫外線照射装置１３と、前述の実施形態で
述べたウエハチャックに紫外線を照射するための紫外線
照射装置１０がそれぞれ独立して設けられているが、本
発明はこのような構成に限定されるものではなく、搬送
系ハンドとウエハチャックとがウエハを受け渡す位置に
紫外線照射装置を設ければ、搬送系ハンドとウエハチャ
ックに紫外線を照射するための紫外線照射装置を兼用す
ることもできる。

【００６６】本実施形態では、露光装置内部の搬送系ハ
ンド（基板保持装置）に光触媒を適用しているが、これ
に限るものではなく、ウエハと接触する部位を有する各
種搬送手段（基板保持装置）に対しても、そのハンドリ
ング部に光触媒反応を生成する薄膜を形成し、これに紫
外線を照射するための紫外線照射装置を持たせる構成を
採れば、チャックと同様の効果を持たせることが可能に
なる。

【００６７】＜塗布・現像装置の実施形態＞図９は、本
発明の塗布・現像装置の実施形態の概略図である。

【００６８】同図は、塗布・現像装置の処理容器を示し
ており、１０１はウエハ２を真空吸着によって保持する
スピンチャック、１０２はスピンチャック１０１を高速
回転駆動するためにスピンチャック１０１の下方に設け
られた回転駆動部、１０３は塗布液の飛散防止のためス
ピンチャックの周囲を囲む飛散防止用カップ、１０４は
ウエハ上方に設けられレジスト液または現像液をウエハ
中心に滴下するためのノズルである。

【００６９】本実施形態においては、スピンチャック
（基板保持装置）の少なくともウエハ接触面（基板保持
部）に光触媒を生成する薄膜を形成してある。また、ス
ピンチャック上方からスピンチャック上に紫外線を照射
できるように紫外線照射装置１０５が構成されている。
塗布・現像工程の待機時に、紫外線を照射することで光
触媒による同様の効果を持たせることが可能になる。

【００７０】＜デバイスの生産方法＞次に上記説明した
露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施例
を説明する。図１０は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製
造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デ
バイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ１４によって作製されたウエハを用いて半
導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイ
シング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ
封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステッ
プ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐
久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導
体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ７）され
る。

【００７１】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。

【００７２】

【発明の効果】本発明の請求項１記載の基板保持装置に
よれば、異物を基板保持部に付着しにくくし、あるい
は、速やかに除去させることができる。

【００７３】本発明の請求項１１記載の基板保持装置に
よれば、基板を保持するためのピンの異物が付着しやす
い所に光触媒を用いているので、効果的に異物の付着を
除去することができる。

【００７４】本発明の請求項１３記載の基板保持装置に
よれば、ウエハ搬送中での異物の付着を減少させること
ができる。

【００７５】本発明の請求項１９および２０記載の露光
装置によれば、基板保持装置の広範囲にわたって異物の
付着を減少させることができる。

【００７６】本発明の請求項２６の露光装置によれば、
レチクルパターンをウエハに転写ときの露光光と同じ光
源を利用して、光触媒反応を生成することができるの
で、装置の小型化やコストダウンを計ることができる。

【００７７】また、本発明の請求項３２記載の基板保持
部クリーニング方法によれば、異物を基板保持部に付着
しにくくし、あるいは、速やかに除去させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態のウエハチャックの概略図

【図２】本実施形態のウエハチャックの断面図

【図３】本実施形態のウエハチャックの第１の変形例の
断面図

【図４】本実施形態のウエハチャックの第２の変形例の
断面図

【図５】本実施形態のウエハチャックの第３の変形例の
断面図

【図６】本実施形態の露光装置の正面図

【図７】本実施形態の露光装置の変形例の正面図

【図８】搬送系システムの概略図

【図９】塗布、現像装置の概略図

【図１０】半導体デバイスの製造フロー図

【図１１】ウエハプロセスのフロー図

【符号の説明】

１レチクル２ウエハ３投影光学系４照明光学系５ウエハチャック６レチクルステージ７ＸＹステージ８オフアクシススコープ９面位置計測手段１０紫外線照射装置１１ハンド１２搬送系ロボット１３紫外線照射装置５０光触媒薄膜５１ピン５２吸引孔５３凸部１０１スピンチャック１０２回転駆動部１０３カップ１０４ノズル１０５紫外線照射装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持する基板保持装置であって、基板を保持する基板保持部に光触媒反応を生成する薄膜
を形成することを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】真空吸着により前記基板保持部に基板を
保持することを特徴とする請求項１記載の基板保持装
置。
【請求項３】光触媒反応を生成する前記薄膜は、半導
体セラミックスにより形成することを特徴とする請求項
１または２記載の基板保持装置。
【請求項４】光触媒反応を生成する前記薄膜は、酸化
チタンから形成されることを特徴とする請求項３記載の
基板保持装置。
【請求項５】前記酸化チタンの薄膜の熱処理温度が８
００℃以下であることを特徴とする請求項４記載の基板
保持装置。
【請求項６】前記基板保持部は、ウエハチャックに設
けられていることを特徴とする請求項１〜５いずれか記
載の基板保持装置。
【請求項７】前記基板を保持するためのピンが設けら
れていることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の
基板保持装置。
【請求項８】前記基板を保持するためのピンの上に凸
部が設けられていることを特徴とする請求項１〜７いず
れか記載の基板保持装置。
【請求項９】少なくとも前記基板と接触する部分に、
光触媒反応を生成する前記薄膜を形成することを特徴と
する請求項１〜８いずれか記載の基板保持装置。
【請求項１０】前記基板を保持するためのピンの先端
部に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成することを
特徴とする請求項９記載の基板保持装置。
【請求項１１】少なくとも前記基板と接触する部分の
外周部に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成するこ
とを特徴とする請求項１〜１０いずれか記載の基板保持
装置。
【請求項１２】前記基板を保持するためのピンの外周
部に、光触媒反応を生成する前記薄膜を形成することを
特徴とする請求項１１記載の基板保持装置。
【請求項１３】前記基板保持部は、ウエハを搬送する
搬送系のハンドに設けられていることを特徴とする請求
項１〜５いずれか記載の基板保持装置。
【請求項１４】前記ハンドは、セラミックにより形成
されていることを特徴とする請求項１３記載の基板保持
装置。
【請求項１５】前記ハンドは、待機時に紫外線が照射
されることを特徴とする請求項１３または１４記載の基
板保持装置。
【請求項１６】請求項１３〜１５いずれか記載の基板
保持装置を備えたことを特徴とする基板搬送システム。
【請求項１７】請求項１〜１５記載の基板保持装置を
有することを特徴とする露光装置。
【請求項１８】前記基板保持装置をステージによって
移動可能とすることを特徴とする請求項１７記載の露光
装置。
【請求項１９】前記基板保持装置の露光は、ステージ
をステップ移動しながら行うことを特徴とする請求項１
７または１８記載の露光装置。
【請求項２０】前記基板保持装置の露光は、ステージ
を走査移動しながら行うことを特徴とする請求項１７〜
１９いずれか記載の露光装置。
【請求項２１】前記基板保持装置を露光することによ
り、基板保持装置をクリーニングすることを特徴とする
請求項１７〜２０いずれか記載の露光装置。
【請求項２２】前記基板保持装置を露光する光は、４
２０ｎｍ以下の波長であることを特徴とする請求項１７
〜２１いずれか記載の露光装置。
【請求項２３】前記基板保持装置を露光する光は、ｉ
線であることを特徴とする請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】前記基板保持装置を露光する光照射装
置を有することを特徴とする請求項１７〜２３いずれか
記載の露光装置。
【請求項２５】前記光照射手段は、レチクルに形成さ
れたパターンをウエハに転写するための露光光の光源か
ら導いて前記基板保持装置を露光することを特徴とする
請求項２４いずれか記載の露光装置。
【請求項２６】前記光照射手段は、レチクルに形成さ
れたパターンをウエハに転写するための露光光を照射す
る手段を兼用することを特徴とする請求項２４または２
５記載の露光装置。
【請求項２７】前記光照射手段は、レチクルに形成さ
れたパターンをウエハに転写するための露光光の光源と
は別の光源を用いて前記基板保持装置を露光することを
特徴とする請求項２４記載の露光装置。
【請求項２８】前記基板保持部は、基板にレジスト液
または現像液を塗布する塗布装置に設けられていること
を特徴とする請求項１〜５いずれか記載の基板保持装
置。
【請求項２９】請求項１〜５のいずれか又は請求項２
８記載の基板保持装置を備えたことを特徴とする塗布装
置。
【請求項３０】前記基板にレジスト液又は現像液を塗
布することを特徴とする請求項２９記載の塗布装置。
【請求項３１】請求項１７〜２７いずれか記載の露光
装置を用意するステップと、レチクルに形成されたパターンをウエハに転写するステ
ップと、前記基板保持装置に光触媒反応が発生する光を照射する
ステップとを有することを特徴とするデバイス製造方
法。
【請求項３２】請求項２９または３０記載の塗布装置
を利用してウエハにレジストを塗布するステップと、露光されたウエハを現像するステップとを更に有するこ
とを特徴とする請求項３０記載のデバイス製造方法。
【請求項３３】基板を保持する基板保持部のクリーニ
ングを行う方法であって、光触媒反応を生成する薄膜を形成した基板保持部を光照
射装置の照射領域まで移動するステップと、光照射手段により光を該基板保持部に照射するステップ
とを有することを特徴とする基板保持部クリーニング方
法。
【請求項３４】露光装置の光学系を利用して、基板保
持部に光を照射することを特徴とする請求項３３記載の
基板保持部クリーニング方法。