JP2009099765A - 電子部品の実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】バンプ電極に高さバラツキがある場合でも、複数のバンプ電極と複数の端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２と端子１１とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極１２と端子１１とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数のバンプ電極１２は、内部樹脂１３をコアとしてその表面が導電膜１４で覆われた構造を有し、かつ、端子１１に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極１２ａ、１２ｂを含む。複数のバンプ電極１２は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂１３が弾性変形することにより、接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合している。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品の実装構造に関する。

従来、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいては、半導体ＩＣなどの電子部品を基板上に実装する技術が用いられている。例えば液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが実装される。この液晶駆動用ＩＣチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板（ＦＰＣ）上に実装される場合もある。前者による実装構造はＣＯＧ（Chip On Glass）構造と呼ばれ、後者はＣＯＦ(Chip On FPC)構造と呼ばれている。なお、これら実装構造以外にも、例えばガラエポ基板などにＩＣチップを実装するＣＯＢ（Chip On board）構造も知られている。

このような実装構造に用いられる基板には、配線パターンに接続するランド（端子）が形成されており、一方、電子部品には、電気的接続を得るためのバンプ電極が形成されている。そして、前記ランドにバンプ電極を接続させた状態で、前記基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造が形成されている。

ところで、前記の実装構造においては、基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
ところが、一般にランドやバンプ電極は金属によって形成されており、したがって接合時に合わせずれが生じたり、あるいはランドやバンプ電極の位置精度が悪いことによってこれらの間で位置ずれが生じた場合に、これらランドとバンプ電極との間で十分な接合強度が得られず、接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがあった。
また、例えば電子部品のバンプ電極形成面に凹凸や反りがあったり、バンプ電極に高さバラツキがある場合では、バンプ電極とランドとの間の距離が一定でなくなり、これらバンプ電極とランドとの間で十分な接合強度が得られず、接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがあった。従来では、電子部品に複数のバンプ電極を形成した場合、これらバンプ電極間で０．５μｍ程度の高さバラツキが形成されてしまっている。

このような不都合を防止するため、従来、台形状断面を有する導体パターンを有し、この導体パターン上に金属導電層を形成するとともに、この金属導電層の表面に多数の凹凸を付与したプリント配線板が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
このプリント配線板によれば、前記の金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、部品実装時に圧力がかかっても、部品（電子部品）の接続電極が基板の電極上を滑ったり、ずれ落ちて傾いたりしないため、実装歩留まりが向上するとされている。
特開２００２−２６１４０７号公報

しかしながら、前記のプリント配線板にあっては、金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、この金属導電層上に配置される接続電極（バンプ電極）が滑り落ちたりずれ落ちて傾いたりしないようになっているものの、これらの間の接合強度を高め、さらには複数の電極間での接合強度をも高める構造とはなっていない。すなわち、接続電極（バンプ電極）が金属でできているので、接続電極は接続時に塑性変形を起こし、前記のようにランドとバンプ電極間の距離が一定でなくなった場合に弾性変形による距離変化の吸収能力が低いため、これら電極間で十分な接合強度が得られず、依然として接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがある。
したがって、特にバンプ電極に高さのバラツキがある場合、バンプ電極とランドとの間の距離が一定でなくなり、これらバンプ電極とランドとの間で十分な接合強度が得られず、接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがあった。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンプ電極に高さのバラツキがある場合でも、これら複数のバンプ電極と複数の基板側端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供することにある。

本発明の電子部品の実装構造は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、
前記複数のバンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面が導電膜で覆われた構造を有し、かつ、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、
前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂が弾性変形することにより、前記接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ前記端子に接合していることを特徴としている。

この電子部品の実装構造によれば、バンプ電極は内部樹脂をコアとしているので、基板上の端子に対して加圧されることで容易に押圧されて弾性変形（圧縮変形）状態となる。すると、バンプ電極はその内部樹脂の弾性変形によって基板の端子に対し弾性復元力（反発力）を生じることから、バンプ電極と端子との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。

また、電子部品上にバンプ電極が複数形成されていると、電子部品のバンプ電極形成面に凹凸や反りがあったり、バンプ電極自体に製造バラツキがあることなどで、各バンプ電極の、端子に接合する接合部の高さ（レベル）にバラツキが生じていることがある。すると、高さバラツキのあるバンプ電極間では、それぞれの接合部の、前記端子に対する距離が異なることになる。
そして、このようにバンプ電極間で高さバラツキがある電子部品と、端子を有する基板とを、複数のバンプ電極−端子間でそれぞれ接続させようとすると、これらバンプ電極と端子とは接合前においてその間の距離にバラツキがあることから、全てのバンプ電極−端子間を良好な強度で接続するのが難しくなる。

しかし、本発明の実装構造によれば、バンプ電極が、それぞれの接合部の高さに対応して、すなわち、該接合部と端子との間の距離に対応してそれぞれ異なる度合いで弾性変形しているので、これらバンプ電極と端子との間の距離のバラツキがバンプ電極の弾性変形によって吸収される。したがって、バンプ電極が、その接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子に接合したものとなり、これによって基板と電子部品とは、バンプ電極に高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極と端子との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、この実装構造によれば、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板に対する電子部品の実装強度も向上したものとなる。
さらに、従来であれば、バンプ電極に高さバラツキが生じないよう、バンプ電極の形成面については段差等がない平坦面となるように、電子部品を設計していたが、本発明の実装構造では、前述のようにバンプ電極の高さのバラツキが吸収されるので、バンプ電極形成面に段差があっても支障がなく、したがって、電子部品についての設計自由度が高くなる。

また、前記電子部品の実装構造においては、前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が弾性変形して前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられているのが好ましい。また、その場合に前記保持手段は、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されているのが好ましい。
保持手段が備えられていることにより、弾性変形してなるバンプ電極と端子との間の導電接触状態がより良好に確保され、バンプ電極の導電膜と端子との間の導電接続状態がより良好になる。また、保持手段が封止樹脂によって構成されていれば、前記導電膜と端子との間の導電接続状態が、長期に亘って良好に保持される。

また、前記電子部品の実装構造においては、前記内部樹脂が略半球状または略円錐台状に形成され、前記導電膜は前記内部樹脂の上面を覆って設けられていてもよい。
このようにすれば、バンプ電極はその中心から全ての方向にほぼ同じに湾曲しているので、例えば端子との間でどの方向に位置ずれが生じていても、端子に対してほぼ同じ状態で接合するようになる。したがって、端子との間で安定した導電接続状態が確保される。

また、前記電子部品の実装構造においては、前記内部樹脂が、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記内部樹脂の前記横断面方向に沿ってその上面部上に帯状に設けられていてもよい。
このようにすれば、内部樹脂の上面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。

以下、本発明の電子部品の実装構造を詳しく説明する。
図１は本発明に係る電子部品の実装構造を適用した液晶表示装置を示す模式図である。まず、図１を用いて本発明に係る電子部品の実装構造の適用例を説明する。
図１において符号１００は液晶表示装置であり、この液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、電子部品（液晶駆動用ＩＣチップ）１２１とを有して構成されている。なお、この液晶表示装置１００には、図示しないものの、偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が、必要に応じて適宜設けられるものとする。

液晶パネル１１０は、ガラスや合成樹脂からなる基板１１１及び１１２を備えて構成されたものである。基板１１１と基板１１２とは、相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には、電気光学物質である液晶（図示せず）が封入されている。基板１１１の内面上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料からなる電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には前記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。

電極１１１ａは、同じ材質で一体に形成された配線１１１ｂに接続されて、基板１１１に設けられた基板張出部１１１Ｔの内面上に引き出されている。基板張出部１１１Ｔは、基板１１１の端部において基板１１２の外形よりも外側に張り出された部分である。配線１１１ｂの一端側は、端子１１１ｂｘとなっている。電極１１２ａも、同じ材質で一体に形成された配線１１２ｂに接続されて、図示しない上下導通部を介して基板１１１上の配線１１１ｃに導電接続されている。この配線１１１ｃも、ＩＴＯで形成されている。配線１１１ｃは基板張出部１１１Ｔ上に引き出され、その一端側は端子１１１ｃｘとなっている。基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成されており、その一端側は端子１１１ｄｘとなっている。該端子１１１ｄｘは、前記端子１１１ｂｘ及び１１１ｃｘと対向配置されている。また、入力配線１１１ｄの他端側は、入力端子１１１ｄｙとなっている。

基板張出部１１１Ｔ上には、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂１２２を介して、本発明に係る電子部品１２１が実装されている。この電子部品１２１は、例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。電子部品１２１の下面には、本発明に係る多数のバンプ電極（図示せず）が形成されており、これらのバンプ電極は、基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続されている。これにより、基板１１１上に電子部品１２１が実装されてなる、本発明の実装構造が形成されている。

また、基板張出部１１１Ｔ上の前記入力端子１１１ｄｙの配列領域には、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装されている。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた、それぞれに対応する配線（図示せず）に導電接続されている。そして、このフレキシブル配線基板１２３を介して外部から制御信号、映像信号、電源電位などが、入力端子１１１ｄｙに供給されるようになっている。入力端子１１１ｄｙに供給された制御信号、映像信号、電源電位などは、電子部品１２１に入力され、ここで液晶駆動用の駆動信号が生成されて液晶パネル１１０に供給されるようになっている。フレキシブル基板は、ポリイミドや液晶ポリマー等可撓性を有する有機基板であり、その基板上に銅やアルミニウムで回路パターンおよび端子が形成されていることが多く好ましいが、必ずしもその限りではない。端子部には表面に金メッキが施されていると接続抵抗が安定するので、なお良い。

以上のように構成された液晶表示装置１００によれば、電子部品１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される部分に構成される各画素毎に独立して光を変調させることができ、これによって液晶パネル１１０の表示領域に所望の画像を形成することができる。

次に、前記液晶表示装置１００に適用された、本発明の電子部品の実装構造の第１実施形態について説明する。
図２は、前記液晶表示装置１００における電子部品１２１の実装構造を拡大して示す要部拡大断面図である。図２において符号１１は、基板１１１上に設けられた前記配線１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄのいずれかに設けられた端子、すなわち、前記した端子１１１ｂｘ、１１１ｃｘ，１１１ｄｘのいずれかを表している。また、符号１２は電子部品１２１に設けられたバンプ電極である。これら基板１１１と電子部品１２１との間には、少なくともバンプ電極１２と端子１１との導電接触部分の周囲を覆って、封止樹脂１２２が充填配置され、硬化させられている。封止樹脂１２２は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂であるのが好ましいが、樹脂であればよく、その種類については特に限定されることはない。

また、本実施形態では、端子１１はアディテイブ法（めっき成長法）で形成されていることにより、比較的膜厚が厚く、したがって高く形成されており、また、その横断面が略台形状になっているものとする。ただし、端子１１としては、図３（ａ）に示すようにエッチング法で形成された横断面が矩形状のものであっても、図３（ｂ）に示すようにスパッタ法で形成された薄膜状のものであっても、さらに、図３（ｃ）に示すように印刷法で形成された略蒲鉾形状のものであってもよい。

また、本発明においては、図２に示したようにバンプ電極１２が複数あり、これらバンプ電極１２は、そのうちの少なくとも二つが、前記端子１１に接合する接合部の高さが異なって形成されている。すなわち、本発明における複数のバンプ電極１２は、互いに高さが異なる二つのバンプ電極１２ａ、１２ｂを少なくとも含んでいる。ここで、このようなバンプ１２の高さの違い（高さのバラツキ）は、電子部品１２１のバンプ電極形成面に凹凸や反りなどある場合、つまり電子部品１２１に起因する場合と、バンプ電極１２自体の製造バラツキなどに起因する場合とがある。本発明では、バンプ電極１２の高さのバラツキが、いずれに起因する場合も、また両方に起因する場合をも含むものとする。なお、図２に示した本実施形態では、バンプ電極１２自体の製造バラツキに起因して、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間に高さバラツキが生じているものとする。
そして、このような高さの異なるバンプ電極１２ａ、１２ｂは、その接合部の高さバラツキ（違い）を自ら吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合しているのである。

バンプ電極１２（１２ａ、１２ｂ）は、本実施形態では、図４（ａ）（ｂ）に示すように、電子部品１２１上に設けられた略半球状の内部樹脂１３をコアとし、その表面が導電膜１４で覆われた構造を有したものである。なお、図５（ａ）（ｂ）に示すように、電子部品１２１上に設けられた略円錐台状の内部樹脂１３をコアとし、その表面が導電膜１４で覆われた構造を有したものであってもよい。

導電膜１４は、図４（ｂ）または図５（ｂ）に示すように、電子部品１２１の表面部において絶縁膜１５の開口部内に露出した電極１６に接続・導通し、内部樹脂１３上に引き回されたものである。このような構成によって内部樹脂１３の表面を覆う導電膜１４は、前記電極１６に導通し、したがって実質的に電子部品１２１の電極として機能するものとなっている。なお、導電膜１４は、略半球状や略円錐台状の内部樹脂１３に対し、その上面全体を覆うことなく、その最頂部を含む部分のみを覆って設けられていてもよい。

内部樹脂１３は、感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等によって形成されたものである。このような樹脂からなる内部樹脂１３は、公知のリソグラーフィー技術やエッチング技術、リフロー技術により、前記した略半球状や略円錐台状に形成されている。その際、マスクの合わせずれやリフローの度合いの違いなどにより、その大きさや形状に僅かながらバラツキが生じる。すなわち、略半球状や略円錐台状における底部から最頂部までの高さについて、バラツキが生じてしまう。なお、樹脂の材質（硬度）や形状における細部（高さや幅）については、端子１１の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。

導電膜１４は、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ、鉛フリーハンダ等の金属や合金からなるもので、これら金属（合金）の単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。また、このような導電膜１４は、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後短冊状や帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキによって選択的に形成したものであってもよい。または、スパッタ法や無電解メッキによって下地膜を形成し、その後電解メッキによって下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により、導電膜１４を形成してもよい。なお、金属（合金）の種類や層構造、膜厚、幅等については、前記内部樹脂１３の場合と同様に、端子１１の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。ただし、導電膜１４は、端子１１の形状に倣って弾性変形することから、特に展延性に優れた金（Ａｕ）を用いるのが好ましい。また、積層膜によって導電膜１４を形成する場合には、その最外層に金を用いるのが好ましい。さらに、導電膜１４の幅については、接合する端子１１の幅よりも十分に広く形成しておくのが好ましい。

このように、導電膜１４が前記内部樹脂１３を覆って設けられることにより、バンプ電極１２が形成される。すると、複数の内部樹脂１３間では、前記したようにその底部から最頂部までの高さについてバラツキが生じているため、得られる複数のバンプ電極１２（１２ａ、１２ｂ）間でも、内部樹脂１３間の高さバラツキに起因して互いに高さが異なるものとなっている。そして、バンプ電極１２はその最頂部を含む部分が端子１１との接合部となるため、バンプ電極１２（１２ａ、１２ｂ）は、内部樹脂１３間の高さバラツキに起因して、端子１１に接合する接合部の高さが異なったものとなり、すなわち、接合部の高さにバラツキがあるものとなる。

図６（ａ）は電子部品１２１を基板１１１に実装する前の状態を示す図であり、図２に対応する要部断面図である。電子部品１２１と基板１１１とは、互いのバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１、１１とがそれぞれ対向するように位置決めされる。その際、バンプ電極１２ａ、１２ｂには高さバラツキがあるので、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間においては、それぞれの接合部間の距離Ｌ１、Ｌ２が異なっており、すなわちバラツキが生じており、したがって全てのバンプ電極１２−端子１１間を良好な強度で接続するのが難しくなっている。

しかして、本発明ではこのような状態のもとで、電子部品１２１と基板１１１とが互いに接合する方向に加圧されることにより、図６（ｂ）に示したようにバンプ電極１２ａ、１２ｂの導電膜１４がそれぞれ対応する端子１１に接合し、導電接触する。すると、バンプ電極１２ａ、１２ｂは、加圧力に応じてその内部樹脂１３が容易に弾性変形（圧縮変形）するので、接合する端子１１に当接することでそれぞれ弾性変形（圧縮変形）する。すなわち、内部樹脂１３が端子１１の上面（接合部）とバンプ電極１２ａ（１２ｂ）の接合部との間の距離に対応して、それぞれ異なる度合いで弾性変形することにより、それぞれの導電膜１４もそれぞれ異なる度合いで弾性変形し、その状態で端子１１に接合する。

これにより、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間に高さバラツキがあり、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間の距離にバラツキがあっても、バンプ電極１２ａ、１２ｂがそれぞれの距離に対応して弾性変形することで、前記のバラツキが吸収される。したがって、基板１１１と電子部品１２１とは、バンプ電極１２ａ、１２ｂに高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。

そして、このように導電膜１４と端子１１とが導電接触した状態で、すなわち、所定の圧力で加圧した状態のもとで、本発明における保持手段としての前記封止樹脂１２２（図２参照）が基板１１１と電子部品１２１との間に充填配置され、硬化させられる。これにより、図２に示した本発明の第１実施形態となる実装構造１０が得られる。なお、保持手段としての封止樹脂１２２については、予め基板１１１と電子部品１２１との間に未硬化状態（または半硬化状態）で設けておき、導電膜１４と端子１１とを導電接触させた後、硬化させてもよく、また、導電膜１４と端子１１とを導電接触させた後、基板１１１と電子部品１２１との間に未硬化の封止樹脂１２２を充填し、その後硬化させてもよい。

このようにして形成された本発明の第１実施形態となる実装構造１０は、電子部品１２１が基板１１１側に相対的に加圧され、これによってバンプ電極１２が端子１１に当接させられ、さらにその状態で加圧されていることにより、バンプ電極１２は、所望の形態に弾性変形（圧縮変形）している。すなわち、バンプ電極１２はそのコアとなる内部樹脂１３が金属からなる端子１１に比べて十分に軟らかいため、加圧されたことで弾性変形し圧縮される。その際、内部樹脂１３とその上の導電膜１４とは、端子１１より幅広に形成されていることから、端子１１の外側（側面側）にはみ出し、該端子１１の上面全てを覆い、これに接するようになる。

したがって、この実装構造１０によれば、バンプ電極１２ａ、１２ｂがその内部樹脂１３の弾性変形によって端子１１に対し弾性復元力（反発力）を生じることから、バンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。
また、基板１１１と電子部品１２１とは、バンプ電極１２ａ、１２ｂに高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、このバラツキがバンプ電極１２ａ、１２ｂ自身の弾性変形（圧縮変形）によって吸収されていることから、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間がそれぞれ良好な導電接続状態となり、したがって、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板１１１に対する電子部品１２１の実装強度も向上したものとなる。

図７は、本発明の電子部品の実装構造の第２の実施形態を示す図である。この第２実施形態が図２（ｂ）に示した第１実施形態と異なるところは、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間の高さバラツキが、バンプ電極１２自体の製造バラツキに起因するものでなく、電子部品１２１の設計（構造）に起因して生じている点である。

すなわち、本実施形態の実装構造２０において電子部品１２１には、その表層部に部分的に内部配線２５が形成されている。したがって、この電子部品１２１には、内部配線２５が形成されている領域２６ａと形成されていない領域２６ｂとの間で段差２７が形成されている。このような段差２７を挟んだ一方の領域２６ａと他方の領域２６ｂとにそれぞれバンプ電極１２が形成されている場合、これらバンプ電極１２間に製造バラツキが無くても、電子部品１２１側に凹凸（段差２７）があることから、結果的に領域２６ａ上に形成されたバンプ電極１２ａと領域２６ｂ上に形成されたバンプ電極１２ｂとは、その最頂部（接合部）の高さ（レベル）が異なることとなる。すなわち、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間には、結果的に高さバラツキが生じていることになる。

しかして、このようにバンプ電極１２ａ、１２ｂ間に高さバラツキがあっても、本実施形態の実装構造２０では、第１実施形態の実装構造１０同様に、バンプ電極１２ａ、１２ｂ自身の弾性変形（圧縮変形）によって前記のバラツキが吸収されていることから、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、本実施形態の実装構造２０にあっても、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板１１１に対する電子部品１２１の実装強度も向上したものとなる。

また、このように電子部品１２１の凹凸（段差２７）に起因するバンプ電極１２ａ、１２ｂ間の高さバラツキも吸収できることから、この実装構造２０では、従来に比べ電子部品１２１についての設計自由度を高くすることができる。すなわち、従来であれば、電子部品の能動面側の表層部に配線等を形成するのは、能動面に段差が形成されてしまってこれがバンプ電極１２の高さバラツキの原因となってしまうので避けられていたが、本実施形態の実装構造２０では、前述のようにバンプ電極１２ａ、１２ｂの高さのバラツキをこれらバンプ電極１２ａ、１２ｂ自身によって吸収するので、能動面側の表層部に段差があっても支障がなく、したがって、能動面側の表層部に配線等を形成するのも十分に許容されるようになる。

なお、図７に示したように電子部品１２１に段差２７がある場合、この段差２７上にバンプ電極１２が配置されていると、このバンプ電極１２は、図８に示すようにその最頂部が端子１１に対する接合部の中心とならなくなる。しかしながら、前記実施形態では、特に内部樹脂１３を略半球状とした場合、接合部の中心が最頂部からずれても、最頂部が中心である場合とほとんど同じ条件で端子１１に接合するようになる。よって、端子１１との間で安定した導電接続状態が確保される。

なお、前記実装構造１０、２０では、端子１１をめっき成長法で形成しているので、端子１１は金属微粒子の集合体からなることにより、微視的に見ると端子１１の上面（接合面）が凹凸を有する非平滑面となっている。しかしながら、本発明においては、バンプ電極１２の内部樹脂１３が弾性変形することで、内部樹脂１３上の導電膜１４が端子１１の上面の凹凸形状に倣い、これによって端子１１は、その上面が非平滑面となっているにも拘わらず、前記導電膜１４に対して全面で接触するようになる。
したがって、このような実装構造１０、２０では、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板１１１に対する電子部品１２１の実装強度も向上する。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では、バンプ電極の構造としては、図２、図４（ａ）に示したように内部樹脂が略半球状のものでなく、また、図５（ａ）に示すように略円錐台状のものでなく、図９に示すように、内部樹脂１７が略蒲鉾状に形成され、複数の導電膜１８が、前記内部樹脂１７の横断面方向に沿ってその上面部に帯状に設けられたものであってもよい。ここで、略蒲鉾状とは、電子部品１２１に接する内面（底面）が平面であり、接しない外面側が湾曲面になっている柱状形状をいう。なお、この略蒲鉾状の内部樹脂１７の横断面形状については、略半円形状でもよく、また、略台形状のものであってもよい。このような形状のバンプ電極にあっても、その製造バラツキや下地である電子部品の構造に起因して高さバラツキが生じることがあるが、本発明では、このような高さバラツキがバンプ電極自体によって吸収されるようになっている。

また、前記実施形態では、本発明における保持手段として封止樹脂１２２を用いているが、ネジやクリップ、あるいは嵌合による結合など、各種の機械的圧着手段によって本発明の保持手段を構成してもよい。また、接着剤（樹脂）を用いた場合にも、バンプ電極１２と端子１１との導電接触部分の周囲に充填配置することなく、例えば電子部品の外周部と基板との間にのみ、選択的に配するようにしてもよい。

また、前記の基板１１１についても、前記したガラスや合成樹脂からなる基板以外に、リジット基板やシリコン基板、薄厚のセラミックス基板など種々のものが使用可能である。さらに、電子部品としては、液晶駆動用ＩＣチップ以外に各種のＩＣや、ダイオード、トランジスター、発光ダイオード、レーザーダイオード、発信子、コンデンサなどの受動部品など前述したような接続電極（バンプ電極）を有する電子部品であればなんでも構わない。
また、本発明の電子部品の実装構造が適用される装置としては、前記した液晶表示装置だけではなく、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）や、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）など、各種の電気光学装置や各種の電子モジュールに適用可能である。

本発明が適用された液晶表示装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。 本発明に係る実装構造の第１実施形態の要部拡大図である。 （ａ）〜（ｃ）は端子の形状を説明するための斜視断面図である。 （ａ）はバンプ電極の概略構成を示す斜視図、（ｂ）は側断面図である。 （ａ）はバンプ電極の概略構成を示す斜視図、（ｂ）は側断面図である。 （ａ）（ｂ）は第１実施形態の実装構造を説明するための図である。 第２実施形態の実装構造を説明するための図である。 本発明に係る実装構造の変形例を説明するための図である。 他のバンプ電極の概略構成を示す斜視図である。

符号の説明

１０、２０…実装構造（電子部品の実装構造）、１１…端子、１２、１２ａ、１２ｂ…バンプ電極、１３、１７…内部樹脂、１４、１８…導電膜、２５…内部配線、２７…段差、１００…液晶表示装置、１１０…液晶パネル、１１１…基板、１１１ａ，１１２ａ…電極、１１１ｂ、１１２ｂ、１１１ｃ…配線、１１１ｄ…入力配線、１１１ｂｘ、１１１ｃｘ、１１１ｄｘ…端子、１２１…電子部品（ＩＣチップ）、１２２…封止樹脂（保持手段）

Claims (5)

1. バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
   前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、
   前記複数のバンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面が導電膜で覆われた構造を有し、かつ、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、
   前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂が弾性変形することにより、前記接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ前記端子に接合していることを特徴とする電子部品の実装構造。
2. 前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が弾性変形して前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
3. 前記保持手段が、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項２記載の電子部品の実装構造。
4. 前記内部樹脂が略半球状または略円錐台状に形成され、前記導電膜は前記内部樹脂の上面を覆って設けられてことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
5. 前記内部樹脂が、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記内部樹脂の前記横断面方向に沿ってその上面部上に帯状に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。

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