JP2008166535A - 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子(10)と、前記発光素子(10)を凹部(40c)内に位置するように形成された第1樹脂成形体(40)と、この第1樹脂成形体(40)の前記凹部(40c)内において、前記発光素子(10)を被覆し発光面(2)とするように設けた第2樹脂成形体(50)とを有する表面実装型側面発光装置(1)であって、前記第1樹脂成形体(40)は、前記発光面(2)の周囲となる前記凹部(40c)の周縁において少なくとも1辺の直線部分の幅が0.2mm以下に形成され、前記第1樹脂成形体(40)と前記第2樹脂成形体(50)とは熱硬化性樹脂とする。
【選択図】図1
Description
サイドビュー型発光装置の構成は、リードフレームの配置を除いては、基本的にトップビュー型表面発光装置と同じであり、発光素子と電気的に導通可能なリードフレームが、パッケージの外部へ突出したものを、リードフレームの端部がパッケージ側面の同一面になるように折り曲げて光の出射方向を搭載用リードフレームの面と平行とすることができる。
なお、サイドビュー型発光装置は、ノート型パソコンのバックライト等に使用されることから、常時点灯、安定した光量が求められている。
さらに射出された熱可塑性樹脂が硬化した後、樹脂が射出注入される部分を押圧することにより、金型が外されるため、樹脂成形体は、この押圧に耐える強度を有する幅が必要であり、凹部の周縁の幅を狭くするには限界があった。特に、凹部の周縁の幅をより薄くしようとすると発光素子からの光が全て透過してしまい、発光面側への光取り出し効率が低下する。その一方、発光面側への光取り出し効率を高めるため凹部の周縁の薄肉部分に光拡散剤を多く含有させると、その薄肉部分を形成する熱可塑性樹脂の流動性が悪くなり、凹部の周縁の幅を薄くする成型が極めて困難となる。
トリアジン誘導体エポキシ樹脂は、硬化速度が速いため、酸無水物等の揮発しやすい硬化剤を用いた場合であっても、硬化剤不足による未反応部分の残存が抑制されるからである。また、トリアジン誘導体エポキシ樹脂は、硬化前に常温で固体(例えば粉末)であって蛍光体の分散を補助する作用を持ち、硬化後には透明の樹脂となるものがより好ましい。また、エポキシ樹脂は、用途等に応じて適宜設計することが可能である。例えば、発光装置からの光が主に前方及び側方に均一に出射されるように、フィラーや光拡散剤を混合しておくこともできる。また、光の吸収を低減するために、暗色系の顔料よりも、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素といった白色系の顔料を添加しておくこともできる。このように、所定の機能を持たせるため、フィラー、光拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。
そして、樹脂硬化不足や、蛍光体の沈降を抑制して、光学特性に優れ、かつ信頼性の高い発光装置が得られ、耐熱性、耐光性等に優れたサイドビュー型発光装置を提供することができる。
熱可塑性樹脂と異なり、熱硬化性樹脂は表面に多数の反応性官能基を有しているので第1樹脂成形体と第2樹脂成形体との間に強固な接着界面を形成することができるからである。この強固な接着界面により、第2樹脂成形体が、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂のように熱膨張率の大きな樹脂を用いた場合、第2の成形体樹脂の熱膨張収縮による界面剥離を防止することができる。
一方で、図1に示すような発光面2の周囲となる前記凹部40cの周縁の厚保壁部分に、ゲートを配置することで、応力割れを引き起こしやすいゲート、ウェルドラインを0.2mmといった薄壁部分に配置せずに済み、熱膨張率の大きい熱硬化性樹脂が、熱による膨張収縮が起きても、パッケージの割れを抑えられる。
さらに、図1に示すような発光面2の周囲となる前記凹部40cの周縁の厚保壁部分に、ゲートを配置することで、応力割れを引き起こしやすいゲート、ウェルドラインを0.2mmといった薄壁部分に配置せずに済み、熱膨張率の大きい熱硬化性樹脂が、熱による膨張収縮が起きても、パッケージの割れを抑えられる。
図1は、(a)にサイドビュー型発光装置を示す全体斜視図、(b)にサイドビューの開口側からみた正面図、そして(c)に(b)において上方から見た概略断面図が示されている。
なお、図1(a)及び(b)は、説明のため後記する第2樹脂成形体等については省略した図としている。
発光素子10は、同一面側に正負一対の第1電極11と第2電極12とを有している。本明細書においては、同一面側に正負一対の電極を有するものについて説明するが、発光素子の上面と下面とから正負一対の電極を有するものを用いることもできる。この場合、発光素子の下面の電極はワイヤを用いずに、電気伝導性のあるダイボンド部材を用いて第1リードフレーム20と電気的に接続する。
第1樹脂成形体40は、底面40aと側面40bとを持つ凹部40cを有している。第1樹脂成形体40には、発光素子10と、この発光素子10を載置するための第1リードフレーム20と発光素子10と電気的に接続される第2リードフレーム30とが、この第2リードフレーム30及び第1リードフレーム20を隣り合う位置に配置して発光素子10を凹部40c内に位置するように形成され、パッケージを構成している。第1リードフレーム20の第1インナーリード部20aは、凹部40cの底面40aの一部を形成している。
前記したように、発光装置主面側は、発光装置上面側(トップビュー型発光装置における発光素子の収納部に該当する)と比べて、収納部を形成する面積が少なく、収納部をより大きく形成するためには、正面側に形成された凹状の収納部の周縁と、発光装置の上面側および下面側の端部との間の距離は、非常に短いものとする必要があるからである。
その場合には、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
第1リードフレーム20は、第1インナーリード部20aと第1アウターリード部20bとで構成されている。第1樹脂成形体40の凹部40cの底面40aは、第2樹脂成形体が充填されるまでは露出しており、発光素子10が第1インナーリード部20aに載置される。この第1インナーリード部20aは、発光素子10を載置する面積を有していればよいが、熱伝導性、電気伝導性、反射効率などの観点から面積は広い方が好ましい。
なお前記とは逆に、第1リードフレーム20及び第2リードフレーム30を薄い平板状とすることにより、折り曲げる成形工程がし易くなり、所定の形状に成形することも可能である。
第2樹脂成形体50は、外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子10を保護するために形成され、発光素子10から出射される光を効率よく外部に放出する。第2の樹脂成形体50は、第1樹脂成形体40の凹部40c内に形成されている。
その場合には、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。第2樹脂成形体50は、発光素子10を保護するため硬質のものが好ましい。
蛍光体80は、発光素子10からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましいがこれに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi2O2N2:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活されるサイアロン系蛍光体は、Mp/2Si12-p-qAlp+qOqN16-p:Ce、M−Al−Si−O−N(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。qは0〜2.5、pは1.5〜3である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M5(PO4)3X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M2B5O9X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
前記蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体80であって、同様の性能、効果を有する蛍光体80も使用することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するCaSi2O2N2:Eu、又はSrSi2O2N2:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)5(PO4)3Cl:Eu、赤色に発光する(Ca,Sr)2Si5N8:Euと、からなる蛍光体を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
本発明に係るサイドビュー型発光装置の製造方法について説明する。本製造方法は、上述のサイドビュー型発光装置についてである。図2(a)〜(e)は、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
また、トランスファ・モールド工程において適正なゲート130の位置が選択されることにより、側面に形成された凹部40cの周縁と、発光面2の上面側および下面側の端部との間の幅が0.2mm以下、好ましくは0.1mm以下という極めて薄く成形される部分においても、流し込まれた熱硬化性樹脂は、流動し、行き渡り、硬化するため、安定した品質の第1樹脂成形体40を提供することができる。
また、第1樹脂成形体40と第2樹脂成形体50との界面の剥離が生じず、耐熱性、耐光性、密着性等に優れたサイドビュー型発光装置を提供することができる。
2 発光面
10 発光素子
11 第1電極
12 第2電極
20 第1リードフレーム
20a 第1インナーリード部
20b 第1アウターリード部
30 第2リードフレーム
30a 第2インナーリード部
30b 第2アウターリード部
40 第1樹脂成形体
40a 底面
40b 側面
40c 凹部
50 第2樹脂成形体
60 ワイヤ
80 蛍光体
90 絶縁部材
120 上金型
121 下金型
130 ゲート
Claims (4)
- 発光素子と電気的に接続される第1リードフレームと、
前記発光素子と電気的に接続される第2リードフレームと、
前記発光素子が載置される凹部が形成され、かつ、前記第2リードフレーム及び前記第1リードフレームが固定される第1樹脂成形体と、
前記第1樹脂成形体の前記凹部内において、前記発光素子を被覆し発光面とするように設けられる第2樹脂成形体と、を有する表面実装型側面発光装置であって、
前記第1樹脂成形体は、フィラー又は光拡散剤が含有されており、
前記第1樹脂成形体は、前記発光面の周囲となる前記凹部の周縁において少なくとも1辺の直線部分の幅が0.2mm以下に形成され、
前記第1樹脂成形体と前記第2樹脂成形体とは熱硬化性樹脂であることを特徴とする表面実装型側面発光装置。 - 前記熱硬化性樹脂は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型側面発光装置。
- 前記第1樹脂成形体は、トランスファ・モールドにより成形されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表面実装型側面発光装置。
- 発光素子と、前記発光素子と電気的に接続される第1リードフレームと、前記発光素子と電気的に接続される第2リードフレームと、前記発光素子が載置される凹部が形成され、かつ前記第2リードフレーム及び前記第1リードフレームが固定される第1樹脂成形体と、前記第1樹脂成形体の前記凹部内において、前記発光素子を被覆し発光面とするように設けられる第2樹脂成形体と、を有する表面実装型側面発光装置の製造方法であって、
前記第1樹脂成形体の前記凹部に相当する凸部を形成している上金型と、前記上金型と対で使用する下金型により、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとを挟み込む第1の工程と、
前記上金型と前記下金型とで挟み込まれたときに、前記第1樹脂成形体の前記凹部を有する面と隣り合う側面側に備える注入口から、フィラー又は光拡散剤が含有された熱硬化性樹脂をトランスファ・モールド工程により流し込む第2の工程と、
流し込まれた前記熱硬化性樹脂を加熱して前記第1樹脂成形体を成形する第3の工程と、
少なくとも前記上金型が取り外された状態で、前記発光素子が前記第1リードフレームに載置されるとともに、前記発光素子の第1電極と前記第1リードフレームとが電気的に接続され、前記発光素子の第2電極と前記第2リードフレームとを電気的に接続する第4の工程と、
前記発光素子が載置された前記凹部内に熱硬化性樹脂を充填する第5の工程と、
充填された前記熱硬化性樹脂を加熱して前記第2樹脂成形体を成形する第6の工程と、
を有する表面実装型側面発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006355092A JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
US12/003,667 US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2007-12-28 | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US14/313,492 US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-24 | Side-view type light emitting apparatus and package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006355092A JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008166535A true JP2008166535A (ja) | 2008-07-17 |
JP2008166535A5 JP2008166535A5 (ja) | 2010-02-18 |
JP5380774B2 JP5380774B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=39582560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006355092A Expired - Fee Related JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
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US11081627B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-08-03 | Nichia Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2020038969A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP7460911B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140306262A1 (en) | 2014-10-16 |
US9190588B2 (en) | 2015-11-17 |
US20080157113A1 (en) | 2008-07-03 |
JP5380774B2 (ja) | 2014-01-08 |
US8802459B2 (en) | 2014-08-12 |
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