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JP2006049624A - 発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】 熱応力による発光素子の内部破壊を回避することができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光チップ5、金属ワイヤー6および2ndワイヤボンドエリア8全てがカップ状構造物4の内側に配置されており、このカップ状構造物4の内部に形成された低応力樹脂部3によって、発光チップ5と金属ワイヤー6と金属ワイヤー6が接続されている2ndワイヤボンドエリア8とが覆われており、さらに、低応力樹脂部3およびカップ状構造物4がトランスファーモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部2によって覆われている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、実装基板等の上に面実装される面実装タイプの発光素子に関するものである。
従来の面実装タイプ発光素子は、実装基板上への実装時に発光チップにかかる熱衝撃緩和のため、発光チップのみカップ状構造物の中に入れ、このカップ状構造物に低応力樹脂を注入して低応力樹脂部を形成し、発光チップをコーティングすることで、発光素子内部での熱応力によるチップ破壊を回避していた。
また、カップ状構造物を作成するには、通常、実装基板に窪みを作成した上で、窪みの内部にメッキ処理を行い、電気的接合をとっていた。
一方、カップ状構造物を作成しない場合には、発光チップの周囲のみに低応力樹脂を注入して低応力樹脂部を形成し、熱応力によるチップの破壊を回避していた(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−198570号公報
しかしながら、従来の構成では、発光チップにかかる熱衝撃は緩和されるが、発光チップと発光チップを搭載している実装基板とを繋ぐ金属ワイヤーおよび金属ワイヤーと搭載基板との接続部分(即ち、セカンドワイヤボンド部(2ndワイヤボンド部))が低応力樹脂部の外側にあるため、熱応力が緩和されず、金属ワイヤーの断線または金属ワイヤーの2ndワイヤボンド部からの剥離が起こりやすいといった問題があった。
当然、金属ワイヤーの断線または金属ワイヤーの2ndワイヤボンド部からの剥離が発生すると、発光チップと搭載基板との電気的接合が無くなるため、発光素子として動作しなくなる。
また、実装基板に窪みを作成するためには、充分厚い基板を使用する必要があり、発光素子の外形が大きくなってしまうといった問題もあった。
本発明は係る実情に鑑みてなされたもので、その目的は、熱応力による発光素子の内部破壊を回避することができる発光素子を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の発光素子は、発光チップと、金属ワイヤーと、金属ワイヤーが接続されている2ndワイヤボンドエリアとが低応力樹脂部で覆われており、この低応力樹脂部の外側が硬化性樹脂を用いて形成された透光性外装モールド樹脂部で封止されているものである。
さらに詳しくは、図1に示すように、発光チップ5と、この発光チップ5を搭載するためのチップダイボンドエリア9と発光チップ5をワイヤボンドするための2ndワイヤボンドエリア8とを有している絶縁性基板1と、チップダイボンドエリア9と絶縁性基板1裏面に設けられた外部電極7aとを電気的に接続する1つのメッキ配線10aと、2ndワイヤボンドエリア8と絶縁性基板1裏面に設けられた外部電極7bとを電気的に接続する他の1つのメッキ配線10bと、発光チップ5と2ndワイヤボンドエリア8とを電気的に接合する金属ワイヤー6と、硬化性樹脂を用いたモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部2とを備えた面実装タイプ発光素子である。さらに、発光チップ5と金属ワイヤー6との接続部位、および金属ワイヤー6とメッキ配線10bとの接続部位である2ndワイヤボンドエリア8全てが低応力樹脂部3で封止されていることを特徴としている。
また、図1に示すように、前記低応力樹脂部3を保持するカップ状構造物4が絶縁性基板1上に形成されており、このカップ状構造物4の内側に、発光チップ5、金属ワイヤー6および2ndワイヤボンドエリア8全てが配置されてる。
また、図1に示すように、前記カップ状構造物4が、樹脂(例えば高反射率エポキシ樹脂)を用いてモールド成形を行うことにより形成されていてもよい。
また、図1に示す発光素子では、カップ状構造物4の内面の断面が直線であるが、図2に示すように、前記カップ状構造物4の内面が曲面(即ち、カップ状構造物4の内面の断面が放物線に沿うような曲線)であってもよい。
また、図1に示すように、前記低応力樹脂部3およびカップ状構造物4が、使用環境温度よりガラス転移点の高い透光性樹脂を用いたトランスファーモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部2によって覆われていてもよい。
また、前記透光性外装モールド樹脂部2のうち、発光チップ5上方の部位にレンズが形成されていてもよい。
発明の発光素子は、発光チップと、金属ワイヤーと、金属ワイヤーが接続されている2ndワイヤボンドエリアとが低応力樹脂部で覆われており、この低応力樹脂部の外側が硬化性樹脂を用いて形成された透光性外装モールド樹脂部で封止されているので、熱応力による発光素子の内部破壊を回避することができる。
また、本発明の発光素子は、発光チップと金属ワイヤーとの接続部位、および金属ワイヤーとメッキ配線との接続部位である2ndワイヤボンドエリア全てを低応力樹脂部で封止しているので、熱応力による発光素子の内部破壊を回避することができる。
また、本発明の発光素子は、前記低応力樹脂部を保持するカップ状構造物が絶縁性基板上に形成されており、このカップ状構造物の内側に、発光チップ、金属ワイヤーおよび2ndワイヤボンドエリア全てを配置した構造としたので、このカップ状構造物によって、コーティングに用いる低応力樹脂が必要以上広がらないように制限することが可能となる。また、低応力樹脂部の形状が任意に設定できるようになる。また、前記カップ状構造物を、樹脂を用いてモールド成形により形成したので、モールドにて容易かつ大量に成形可能となる。
また、前記カップ状構造物を、高反射率エポキシ樹脂を用いて形成したので、発光素子にフォトリフレクタとしての機能も併せてもたせることが可能となる。また、前記カップ状構造物の内面を曲面形状とした場合には、発光素子の指向性を任意に設定することができる。また、前記低応力樹脂部およびカップ状構造物を、使用環境温度よりガラス転移点の高い透光性樹脂を用いたトランスファーモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部によって覆われた構造としたので、外部熱応力から発光チップを保護することができる。また、カップ状構造物と透光性外装モールド樹脂部の材質が同一であるため、透光性外装モールド樹脂部とカップ状構造物との熱衝撃による剥離の発生を抑制することができる。
また、前記透光性外装モールド樹脂部のうち、発光チップ上方の部位にレンズを形成したので、透光性外装モールド樹脂部をトランスファーモールド成形する時に、発光チップ上にレンズを同時成形することができ、このレンズにより光を効率よく集光することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の発光素子の実施例1を示す断面図である。ここでは、発光素子の一例として面実装タイプの発光素子を用いて説明を行う。
この発光素子は、発光チップ5と、この発光チップ5を実装するためのチップダイボンドエリア9と発光チップ5をワイヤボンドするための2ndワイヤボンドエリア8とを有している絶縁性基板1と、チップダイボンドエリア9と絶縁性基板1裏面(側面であってもよい)に設けられた外部電極7aとを電気的に接続する1つのメッキ配線10aと、2ndワイヤボンドエリア8と絶縁性基板1裏面(側面であってもよい)に設けられた外部電極7bとを電気的に接続する他の1つのメッキ配線10bと、発光チップ5と2ndワイヤボンドエリア8とを電気的に接合する金属ワイヤー6と、硬化性樹脂を用いたモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部2とを備えた面実装タイプの発光素子である。
また、発光チップ5と金属ワイヤー6との接続部位と、金属ワイヤー6とメッキ配線10bとの接続部位である2ndワイヤボンドエリア8との全てが低応力樹脂部3で封止されている。
さらに、絶縁性基板1上には低応力樹脂部3を保持するカップ状構造物4が形成されている。このカップ状構造物4の内側には、発光チップ5、金属ワイヤー6および2ndワイヤボンドエリア8全てが配置されている。
このカップ状構造物4の内部には、低応力樹脂を充填することにより前記低応力樹脂部3が形成されている。このように、低応力樹脂部3が形成されていることにより、熱衝撃から発光チップ5および2ndワイヤボンドエリア8を保護している。
なお、カップ状構造物4は、底面を備えていない(絶縁性基板1が底面の役割を担っている)筒形状の部材であり、その内面は所定のテーパー角度を有するテーパー面となっている。
また、発光チップ5、チップダイボンドエリア9、金属ワイヤー6、2ndワイヤボンドエリア8、金属ワイヤー6、カップ状構造物4および低応力樹脂部3は、ガラス転移点の高い透光性樹脂を用いて形成された透光性外装モールド樹脂部2によって外装モールドされている。そのため、外部からの熱衝撃から発光素子を保護することができる。
また、本実施例1では、カップ状構造物4が高反射率エポキシ樹脂を用いて形成されていてもよく、さらに、カップ状構造物4と透光性外装モールド樹脂部2とが同一の材質により形成されている場合には、カップ状構造物4と透光性外装モールド樹脂部2との剥離が発生しにくい構造とすることができる。
図2は、本発明の発光素子の実施例2を示す断面図であり、特に、カップ状構造物のテーパー形状について示している。
図1に示す発光素子では、カップ状構造物4の内面(テーパー面)の断面形状は直線状となっているが、図2に示す発光素子では、テーパー面の断面形状が放物線形状になっている。なお、図2中に放物線の一例を破線L1を用いて示している。
さらに、発光チップ5を放物線の焦点(一点鎖線L2で示している)に配置してもよく、この場合には、発光チップ5から放射された光のほとんどは発光チップ5上面方向へと放射される。
また、実施例1および実施例2の発光素子において、透光性外装モールド樹脂部2のうち、発光チップ上方の部位にレンズが形成されていてもよい。
本発明の発光素子の実施例1を示す断面図である。 本発明の発光素子の実施例2を示す断面図である。
符号の説明
1 絶縁性基板
2 透光性外装モールド樹脂部
3 低応力樹脂部
4 カップ状構造物
5 発光チップ
6 金属ワイヤー
7a,7b 外部電極
8 2ndワイヤボンドエリア
9 チップダイボンドエリア
10a,10b メッキ配線

Claims (8)

  1. 発光チップと、金属ワイヤーと、金属ワイヤーが接続されているセカンドワイヤボンドエリアとが低応力樹脂部で覆われており、この低応力樹脂部の外側が硬化性樹脂を用いて形成された透光性外装モールド樹脂部で封止されていることを特徴とする発光素子。
  2. 発光チップと、該発光チップを搭載するためのチップダイボンドエリアと発光チップをワイヤボンドするためのセカンドワイヤボンドエリアとを有している絶縁性基板と、チップダイボンドエリアと絶縁性基板側面に設けられた所定の電極または裏面に設けられた所定の電極とを電気的に接続する1つのメッキ配線と、セカンドワイヤボンドエリアと絶縁性基板側面に設けられた所定の電極または裏面に設けられた所定の電極とを電気的に接続する他の1つのメッキ配線と、発光チップとセカンドワイヤボンドエリアとを電気的に接合する金属ワイヤーと、モールド成形された透光性外装モールド樹脂部とを備えた面実装タイプ発光素子であって、発光チップと金属ワイヤーとの接続部位、および金属ワイヤーとメッキ配線との接続部位であるセカンドワイヤボンドエリア全てが低応力樹脂部で封止されている請求項1記載の発光素子。
  3. 前記低応力樹脂部を保持するカップ状構造物が絶縁性基板上に形成されており、このカップ状構造物の内側に、発光チップ、金属ワイヤーおよびセカンドワイヤボンドエリア全てが配置されている請求項1または請求項2に記載の発光素子。
  4. 前記カップ状構造物が、樹脂を用いてモールド成形を行うことにより形成されている請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光素子。
  5. 前記カップ状構造物が、高反射率エポキシ樹脂を用いて形成されている請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の発光素子。
  6. 前記カップ状構造物の内面が曲面である請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の発光素子。
  7. 前記低応力樹脂部およびカップ状構造物が、使用環境温度よりガラス転移点の高い透光性樹脂を用いたトランスファーモールド成形によって形成された透光性外装モールド樹脂部によって覆われている請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の発光素子。
  8. 前記透光性外装モールド樹脂部のうち、発光チップ上方の部位にレンズが形成されている請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の発光素子。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007329249A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP2008263235A (ja) * 2008-07-22 2008-10-30 Nichia Corp 表面実装型発光装置の製造方法
JP2009088112A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp 発光装置
KR101081170B1 (ko) 2010-04-01 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2013120821A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Citizen Holdings Co Ltd 発光デバイス
US8802459B2 (en) 2006-12-28 2014-08-12 Nichia Corporation Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof
KR101443881B1 (ko) 2012-04-30 2014-09-25 한국세라믹기술원 고체산화물 연료전지 셀 구성을 위한 동시소성용 전사지 제조방법 및 이의 제조방법에 의해 제조된 고체산화물 연료전지 셀 구성을 위한 동시소성용 전사지
US9039216B2 (en) 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
CN110832649A (zh) * 2018-06-08 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 发光元件封装件及该发光元件封装件的制造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10971656B2 (en) 2006-05-18 2021-04-06 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9634204B2 (en) 2006-05-18 2017-04-25 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10686102B2 (en) 2006-05-18 2020-06-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US11631790B2 (en) 2006-05-18 2023-04-18 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10263161B2 (en) 2006-05-18 2019-04-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9929318B2 (en) 2006-05-18 2018-03-27 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP2007329249A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光装置及びその製造方法
US8802459B2 (en) 2006-12-28 2014-08-12 Nichia Corporation Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof
US9190588B2 (en) 2006-12-28 2015-11-17 Nichia Corporation Side-view type light emitting apparatus and package
JP2009088112A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp 発光装置
JP2008263235A (ja) * 2008-07-22 2008-10-30 Nichia Corp 表面実装型発光装置の製造方法
US9039216B2 (en) 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
KR101081170B1 (ko) 2010-04-01 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2013120821A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Citizen Holdings Co Ltd 発光デバイス
KR101443881B1 (ko) 2012-04-30 2014-09-25 한국세라믹기술원 고체산화물 연료전지 셀 구성을 위한 동시소성용 전사지 제조방법 및 이의 제조방법에 의해 제조된 고체산화물 연료전지 셀 구성을 위한 동시소성용 전사지
JP2021527324A (ja) * 2018-06-08 2021-10-11 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. 発光素子パッケージ及びその製造方法
CN110832649A (zh) * 2018-06-08 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 发光元件封装件及该发光元件封装件的制造方法
CN110832649B (zh) * 2018-06-08 2024-04-19 首尔伟傲世有限公司 发光元件封装件及该发光元件封装件的制造方法
US12300773B2 (en) 2018-06-08 2025-05-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device package and manufacturing method therefor
JP7677794B2 (ja) 2018-06-08 2025-05-15 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びその製造方法並びに光照射装置

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