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JP2002176184A - 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法

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Publication number
JP2002176184A
JP2002176184A JP2000375438A JP2000375438A JP2002176184A JP 2002176184 A JP2002176184 A JP 2002176184A JP 2000375438 A JP2000375438 A JP 2000375438A JP 2000375438 A JP2000375438 A JP 2000375438A JP 2002176184 A JP2002176184 A JP 2002176184A
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JP
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substrate
data communication
communication module
infrared data
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000375438A
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English (en)
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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Priority to US10/015,016 priority patent/US6712529B2/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板とモールド体との密着性をより向上させ
ることのできる赤外線データ通信モジュールを提供す
る。 【解決手段】 基板３の表面３ａに搭載された発光素子
４、受光素子５および集積回路素子６と、各素子４，
５，６を覆うようにそれぞれ形成された保護体７と、保
護体７を覆うようにモールド樹脂により一体的に形成さ
れたモールド体８とを備え、基板３の表面３ａには、そ
れとモールド体８との密着性を高めるための凹部１６が
形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＩｒＤＡ（Infr
ared Data Association ）方式による赤外線データ通信
を行うために用いられる赤外線データ通信モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、携帯型情報機器やノート型パ
ーソナルコンピュータ等において、それらの機器同士あ
るいはプリンタ等の周辺機器との間では、ＩｒＤＡ方式
による赤外線データ通信が行われている。
【０００３】このような赤外線データ通信においては、
内部に赤外線用の発光素子および受光素子が備えられた
赤外線データ通信モジュール（以下、単に「モジュー
ル」という）が用いられる。このモジュール１では、図
１および図２に示すように、導体パターン２が形成され
た基板３上に発光素子４、受光素子５、および集積回路
素子６がそれぞれ搭載されている。上記各素子４，５，
６は、導体パターン２とワイヤＷを介して接続され、ま
た、上記各素子４，５，６の周囲には、モールド樹脂
（後述）による応力を緩和するための保護体７がそれぞ
れ形成されている。
【０００４】そして、基板３の表面３ａには、各保護体
７を一体的に覆うようにモールド樹脂によるモールド体
８が形成されている。モールド体８の上面８ａには、発
光素子４に対応して発光用レンズ部１１が、受光素子５
に対応して受光用レンズ部１２がそれぞれ形成されてい
る。また、基板３の裏面３ｂには、図示しない外部の回
路基板と半田付けされて接合される接続端子部１３が形
成されている。この接続端子部１３は、基板３の側面３
ｃに形成された溝部１４を介して、基板３の表面３ａに
形成された導体パターン２と接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成において、発
光素子４、受光素子５および集積回路素子６をそれぞれ
保護するための保護体７は、必要最小限の容積に形成す
る必要がある。すなわち、上記保護体７は、ゲル状にさ
れたシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を各素子４，５，
６に対して塗布、固化することにより形成される。しか
しながら、上記各素子４，５，６のうち、特に発光素子
４は、たとえば約０．３５ｍｍ角の略直方形状とされ、
比較的その大きさが小であるため、シリコーン樹脂の塗
布量が多すぎると、シリコーン樹脂が基板３上であって
発光素子４の周囲に広がることが考えられる。
【０００６】上記保護体７が形成された後、基板３上に
はエポキシ樹脂等のモールド樹脂によるモールド体８が
形成される。この場合、基板３上においてシリコーン樹
脂が発光素子４の周囲に広がっていると、基板３とモー
ルド体８との接触面積が制限され、狭小化されることに
なる。そのため、両者３，８間における密着性が阻害さ
れ、両者３，８間の界面において剥離が生じ、ワイヤＷ
の断線や導体パターン２の剥がれを引き起こす原因とな
ることがある。
【０００７】
【発明の開示】本願発明は、上記した事情のもとで考え
出されたものであって、基板とモールド体との密着性を
より向上させることのできる赤外線データ通信モジュー
ルを提供することを、その課題とする。
【０００８】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】本願発明の第１の側面によって提供される
赤外線データ通信モジュールは、基板の表面に搭載され
た発光素子、受光素子および集積回路素子と、各素子を
覆うようにそれぞれ形成された保護体と、この保護体を
覆うようにモールド樹脂により一体的に形成されたモー
ルド体とを備えた赤外線データ通信モジュールであっ
て、基板の表面には、それとモールド体との密着性を高
めるための凹部が形成されたことを特徴としている。
【００１０】この構成によれば、基板の表面において各
保護体を覆うようにモールド体が形成される際、たとえ
ば所定の金型によるキャビティ内に流動状態のモールド
樹脂が流入される。そのとき、基板の表面には凹部が形
成されているため、モールド樹脂は凹部内に流入され
る。そして、金型内および凹部に入り込んだモールド樹
脂は、その後固化され、それにより一体的にモールド体
が形成される。そのため、凹部内に形成されるモールド
体がいわゆるアンカー効果を発揮することになり、これ
により、基板とモールド体との接合における機械的強度
を向上させることができる。
【００１１】また、基板の表面に凹部が形成されること
により、基板の表面積が広げられ、すなわち、凹部内に
モールド樹脂が流入、固化されれば、基板とモールド樹
脂との接触面積が実質的に広げられることになる。その
ため、基板とモールド体との密着性をより高めることが
できることから、両者の界面における剥離を防止するこ
とができ、その剥離に起因するたとえばワイヤの断線や
ダイボンディングの剥がれを抑制もしくは防止すること
ができる。したがって、信頼性の高い赤外線データ通信
モジュールを提供することができる。
【００１２】本願発明の好ましい実施の形態によれば、
凹部は、基板の表面において、各素子を覆う保護体の形
成領域を除く領域中の複数箇所に形成されている。この
ように、凹部の形成箇所が、各素子を覆う保護体の形成
領域を除く領域に限定されれば、保護体としてのたとえ
ばシリコーン樹脂が凹部に入り込むことを防止でき、モ
ールド体としてのモールド樹脂を確実に凹部内に流入、
固化させることができる。
【００１３】他の好ましい実施の形態によれば、凹部
は、略円柱状とされていてもよい。この構成によれば、
たとえば凹部が多角柱状に形成された場合に比べ、モー
ルド樹脂が隙間なく充填される可能性を高くすることが
でき、モールド体の機械的強度の向上に寄与することが
できる。
【００１４】本願発明の第２の側面に係る赤外線データ
通信モジュールの製造方法は、導体パターンが形成され
た基板の表面に、発光素子、受光素子および集積回路素
子を実装し、それらを一体的に樹脂モールドしてなる赤
外線データ通信モジュールの製造方法であって、基板に
上記各素子を実装する前に、基板の表面に所定の穿孔具
により略円柱状の凹部を形成する工程と、基板に各素子
を実装した後、それらを覆うように一体的にモールド樹
脂によるモールド体を形成する際、凹部内にモールド樹
脂を流入、固化する工程とを有することを特徴としてい
る。
【００１５】この製造方法によれば、上記第１の側面に
おいて提供される赤外線送受信モジュールを実際の製造
工程において容易に得ることができ、その結果として上
記赤外線データ通信モジュールにおける作用効果と同様
の作用効果を奏することができる。
【００１６】本願発明の第３の側面によって提供される
赤外線データ通信モジュールは、基板の表面に搭載され
た発光素子、受光素子および集積回路素子と、各素子を
覆うようにモールド樹脂により一体的に形成されたモー
ルド体とを備えた赤外線データ通信モジュールであっ
て、集積回路素子の周囲には、それを覆うように光ノイ
ズの影響を防止するためのシールド体が形成されたこと
を特徴としている。具体的には、シールド体は、遮光性
樹脂が塗布形成されてなり、遮光性樹脂には、赤外光を
遮断するための酸化物と、可視光を遮断するための染料
とが含有されている。
【００１７】この構成によれば、上記シールド体によっ
て、可視光および赤外光を含む、約３００〜１０００ｎ
ｍの波長を有する光を遮断することが可能となる。その
ため、このシールド体に覆われた集積回路素子は、たと
えば光ノイズによって誤動作することが防止され、発光
素子および受光素子の制御を良好に行うことができる。
これにより、信頼性の高い赤外線データ通信モジュール
を提供することができる。
【００１８】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。なお、
以下の説明では、従来の説明の欄で説明した図１および
図２を再び参照し、同図において同符号を示す部品につ
いては同機能を示すものとする。
【００２０】図１および図２によれば、この赤外線デー
タ通信モジュール（以下、単に「モジュール」という）
１は、略矩形状の基板３と、基板３に実装された発光素
子４、受光素子５、および集積回路素子６と、各素子
４，５，６の周囲にそれを覆うようにそれぞれ形成され
る保護体７と、これらを一体的にモールド樹脂により封
止するモールド体８とを具備して構成されている。
【００２１】図３は、上記基板３の平面透視図であり、
図４は、基板３の裏面図である。基板３は、たとえばガ
ラスエポキシ樹脂からなり、その表面３ａには、所定の
導体パターン２が形成され、導体パターン２の適所には
必要に応じて金メッキが施されている。導体パターン２
は、各素子４，５，６が直接的に、あるいは後述するグ
リーンレジストを介して間接的に搭載される導体パター
ン、各素子４，５，６と接続するためにワイヤボンディ
ングが施される導体パターン等によって構成される。
【００２２】基板３の裏面３ｂには、それのほぼ全面を
覆う導体パターン２（ダミーパターン）と、このモジュ
ール１を実装するための外部回路基板（図示せず）と接
合される導体パターン２としての接続端子部１３とが形
成されている。基板３の側面３ｃには、略円弧状の溝部
１４が形成され、溝部１４の内周面には、メッキされた
銅による導体層（図示せず）が形成されている。この導
体層を介して、基板３の表面３ａの導体パターン２と裏
面３ｂの接続端子部１３とが電気的に接続される。
【００２３】また、基板３の表面３ａ上および裏面３ｂ
上の適当な領域には、グリーンレジストを呼称され、そ
れらを保護するための絶縁層（図示せず）が形成されて
いる。この絶縁層は、外部に露出する必要のあるべき部
分以外を覆うもので、たとえば、接続端子部１３は、外
部の回路基板（図示せず）との間で半田フィレットを介
して接合されるため、絶縁層によって覆われていない。
【００２４】発光素子４は、発光ダイオード等からな
り、基板３の表面３ａの一端側であって、金メッキが施
された導体パターン２の所定領域２Ａに実装されてい
る。発光素子４は、その上面が金線Ｗによってワイヤボ
ンディングされて所定の導体パターン２と接続されてい
る。
【００２５】受光素子５は、ＰＩＮフォトダイオード等
からなり、基板３の表面３ａの他端側であって、導体パ
ターン２の所定領域２Ｂに実装されている。受光素子５
は、その上面が金線Ｗによってワイヤボンディングされ
て所定の導体パターン２と接続されている。
【００２６】また、集積回路素子６は、発光素子４およ
び受光素子５による送受信動作を制御するものであり、
基板３の表面３ａの中央部に位置する、導体パターン２
の所定領域２Ｃに実装されている。集積回路素子６は、
詳細には図示していないが、金線Ｗによってワイヤボン
ディングされることにより、ワイヤＷおよび導体パター
ン２によって、発光素子４および受光素子５と接続され
ている。
【００２７】保護体７は、たとえばシリコーン樹脂等の
透光性樹脂からなり、ゲル状にされたシリコーン樹脂が
各素子４，５，６の周囲にそれぞれ塗布され、所定温度
で加熱固化されることにより形成される。保護体７は、
各素子４，５，６およびそれに接続されたワイヤＷをそ
れぞれ覆うように形成される。このようにして形成され
た保護体７は、ゴム性を有し、モールド体８としてのモ
ールド樹脂による応力を緩和する作用を備える。
【００２８】モールド体８は、たとえば顔料を含んだエ
ポキシ樹脂の熱硬化性樹脂からなり、上記各素子４，
５，６の保護体７を覆うように一体的に封止して形成さ
れている。モールド体８の上面であって、発光素子４お
よび受光素子５に対応する面８ａには、発光用レンズ部
１１および受光用レンズ部１２がそれぞれ形成されてい
る。このモールド体８は、可視光に対しては透光性を有
しないが、赤外光に対しては透光性を有する。
【００２９】このような構成のモジュール１を、図５に
示すように、外部の回路基板Ｃに実装する場合、基板３
の裏面３ｂが外部の回路基板Ｃの実装面に対して直交方
向に沿うように、すなわち、発光素子４および受光素子
５の受発光の方向が外部の回路基板Ｃの実装面と平行に
なるように実装され、基板３の裏面３ｂの接続端子部１
３および溝部１４と、外部の回路基板Ｃの実装面に形成
された配線パターンＰとの間に、半田フィレットＦが形
成されることにより半田付けされて接合される。
【００３０】そして、図示しない相手側機器の他のモジ
ュールと対向して配されることにより、赤外線によるデ
ータ通信が行われる。すなわち、発光素子４では、集積
回路素子６から送られてくる電気信号を光信号に変換
し、外部に対してその光信号としての赤外光を出射す
る。一方、受光素子５は、外部から受けた光信号として
の赤外光を電気信号に変換し、それを集積回路素子６に
対して与える。
【００３１】ここで、本実施形態の特徴は、図３および
図６に示すように、基板３の表面３ａにおいて、モール
ド樹脂からなるモールド体８と基板３との密着性を高め
るための凹部１６が形成されている点にある。具体的に
は、上記凹部１６は、基板３の表面３ａのうち、各素子
４，５，６における保護体７の形成領域を除く領域中の
複数箇所（図３では４箇所）に形成されている。上記凹
部１６は、略円柱形状に掘削されて形成され、たとえば
その径Ａは約０．２φとされ、その深さＢは約０．２〜
０．５ｍｍとされている。
【００３２】このように、基板３の表面３ａにおいて各
保護体７を覆うようにモールド体８が形成される際、た
とえば、基板３上に装着された所定の金型内に流動状態
のモールド樹脂が流入される。そのとき、基板３の表面
３ａには凹部１６が形成されているため、モールド樹脂
は凹部１６内に流入される。そして、金型内および凹部
１６に入り込んだモールド樹脂は、その後固化され、そ
れにより一体的にモールド体８が形成される。そのた
め、凹部１６内に形成されるモールド体８がいわゆるア
ンカー効果を発揮することになり、これにより、基板３
とモールド体８との接合における機械的強度を向上させ
ることができる。
【００３３】また、基板３の表面３ａに凹部１６が形成
されることにより、基板３の表面積が広げられ、上記凹
部１６内にモールド樹脂が流入、固化されることによ
り、基板３とモールド体８との接触面積が実質的に広げ
られることになる。そのため、基板３とモールド体８と
の密着性をより高めることができる。したがって、従来
のように、各素子４，５，６に対する保護体７としての
シリコーン樹脂が多少、基板３上に広がったとしても、
上記凹部１６に流入、固化されたモールド樹脂によっ
て、基板３とモールド体８との密着性が損なわれること
を抑制することができる。そのため、両者３，８の界面
における剥離を防止することができ、その剥離に起因す
るワイヤＷの断線やダイボンディングの剥がれを抑制も
しくは防止することができる。したがって、上記凹部１
６によって、信頼性の高いモジュール１を提供すること
ができる。
【００３４】なお、凹部１６は、後述するように、各素
子４，５，６の周囲に保護体７が形成される前に、掘削
されることにより形成されるが、凹部１６は、基板３の
表面３ａ上において、各素子４，５，６における保護体
７が広がることのないであろう領域に予め設定されて形
成される。すなわち、凹部１６内には、シリコーン樹脂
ではなく、モールド体８としてのモールド樹脂を充填さ
せる必要があるからである。このような点が考慮され
て、基板３の表面３ａにおいて、図３に示した箇所に凹
部１６が形成されているが、凹部１６が形成される箇所
は、図３に示したような箇所に限るものではない。
【００３５】また、上記凹部１６の形成箇所数は、上記
した数に限るものではなく、その形成箇所数が多いほ
ど、基板３とモールド体８との密着性をより高めること
になりより好ましい。また、凹部１６の形状は、円柱状
に限るものではないが、凹部１６が略円柱状とされれ
ば、たとえば凹部１６が多角柱状に形成された場合に比
べ、モールド樹脂が隙間なく凹部１６内に充填される可
能性を高くすることができる。そのため、モールド体の
機械的強度の向上に寄与することができ、より好ましい
ものとなる。また、凹部１６が略円柱状にされれば、た
とえばドリル等で容易に形成することができる。
【００３６】さらに、凹部１６は、導体パターン２の上
方から掘削されて形成されてもよい。すなわち、導体パ
ターン２の厚みは数十μｍと、凹部１６の深さに比べ相
当小であるため、上記凹部１６を導体パターン２の上方
から形成しても、凹部１６は、導体パターン２を貫通し
て基板３に容易に達する。そのため、凹部１６の内表面
においては、モールド体８と基板３とを充分に接触させ
ることができる。
【００３７】次に、上記モジュール１の製造方法につい
て説明する。この製造方法では、図７に示すように、略
矩形状に延びたシート状のガラスエポキシ樹脂からなる
集合基板１８を用いる。この集合基板１８は、多数個の
モジュール１を配列できる大きさを有し、各モジュール
１のそれぞれに対応して一定の大きさの領域１９が区画
されている。集合基板１８の両サイドには、モジュール
１の製作工程において、必要に応じて集合基板１８を固
定するための係合孔２０が形成されている。また、集合
基板１８には、所定数の領域１９ごとに、集合基板１８
の反れを防止するための縦方向に延びたスリット２１が
形成されている。
【００３８】次いで、各領域１９ごとに、集合基板１８
の表裏面を導通させるための最終的に溝部１４となるス
ルーホール２２を適宜数形成する。その後、図８に示す
ように、集合基板１８の各領域１９ごとに、集合基板１
８の表面および裏面に対して、公知のフォトリソグラフ
ィー法により所定の導体パターン２を形成する。すなわ
ち、表面に銅箔を施した集合基板１８に対してレジスト
材料を塗布し、所望のパターンが描かれたマスクを用い
て露光・現像し、エッチングにより銅箔の不要部分を除
去することにより、導体パターン２を形成する。なお、
導体パターン２は、スルーホール２２を形成する前に、
形成されてもよい。
【００３９】次に、集合基板１８の表面および裏面に対
して、絶縁層を形成し、外部に露出する必要のあるべき
部分以外を覆う。この場合も、フォトリソグラフィー法
を用い、たとえば、導体パターン２のうち、露出させる
べき部分と対応した窓孔をもつマスク（図示せず）を用
いて、予め集合基板１８全面に形成した絶縁層に露光処
理を行い続いて現像を行うことにより、絶縁層に開口を
形成する。
【００４０】その後、図９に示すように、集合基板１８
の表面であって各領域１９の所定箇所に、凹部１６を形
成する。これには、径が約０．２ｍｍより小の刃先を備
えるドリル（図示せず）を用い、これを集合基板１８の
表面に対して略直交方向に進退させて、凹部１６を形成
する。
【００４１】次いで、図１０に示すように、集合基板１
８上の各領域１９ごとに、発光素子４等をそれぞれ実装
し、各素子４，５，６に対してワイヤボンディングを施
す。その後、各素子４，５，６に対してそれを覆うよう
に保護体７を形成する。これには、ゲル状のシリコーン
樹脂が放出可能なノズル（図示せず）を用い、シリコー
ン樹脂を各素子４，５，６に供給し、各素子４，５，６
およびそれに接続されたワイヤＷがシリコーン樹脂によ
って覆われるように塗布する。この場合、先の工程で形
成した凹部１６の内側に、シリコーン樹脂が流入しない
ように注意する。その後、塗布したシリコーン樹脂を所
定温度で加熱することによって固化させ、保護体７を形
成する。
【００４２】次に、図１１に示すように、エポキシ樹脂
によって各領域１９ごとに、トランスファーモールド成
形を用いてモールド体８を形成する。これには、基板３
上に所定の金型（図示せず）を装着し、金型によるキャ
ビティ内に流動状態のエポキシ樹脂を流入、固化するこ
とにより、基板３の表面３ａ上の各保護体７を一体的に
モールドする。モールド体８の上面８ａには、略半球形
状の発光用レンズ部１１および受光用レンズ部１２がそ
れぞれ形成される。
【００４３】そして、集合基板１８を縦横に切断し、単
体のモジュール１を得る。具体的には、図１０に示す一
点破線Ｌ１に沿って、集合基板１８を縦方向に沿って切
断し、縦長の中間品を得る。集合基板１８の切断には、
所定のブレード（図示せず）を用いる。次に、中間品に
おける各モールド体８の上下に位置する不要部分を除去
するために、図１０に示す一点破線Ｌ２に沿って中間品
を切断する。このように、集合基板１８を切断して、多
数個のモジュール１が得られる。
【００４４】ところで、上記の製造方法によって製造さ
れたモジュール１は、外部の回路基板Ｃ等に実装され、
携帯電話機やノート型パーソナルコンピュータ等に用い
られるが、この場合、外来ノイズの影響を防止するため
に、モジュール１に対してそれを覆うように、図１２に
示すような金属性のシールドケース２４が装着される。
【００４５】外来ノイズには、電磁波（光を除く）によ
るノイズの他に、蛍光灯の光や太陽光によるノイズが含
まれ、このシールドケース２４によってこれらのノイズ
の影響を遮断することが可能である。このシールドケー
ス２４を用いることにより、上記した集積回路素子６で
は、電磁波あるいは光によるノイズによる誤動作を防止
することができる。
【００４６】ここで、上記した集積回路素子６では、素
子自体で上記電磁波によるノイズの対策を施している場
合があるが、光によるノイズに対しては、集積回路素子
６自体による対策を施していないことが多く、上記シー
ルドケース２４が必要不可欠である。しかしながら、上
記シールドケース２４は、一般的に高価であるため部品
コストが増大する。また、モジュール１の製造工程にお
いて、それをモジュール１に対して装着する工程が必要
となり、製造コストの増大を招くといった問題点があ
る。
【００４７】そこで、本実施形態では、光ノイズによる
集積回路素子６の誤動作を防止するために、以下のよう
な処置を施すようにしている。すなわち、基板３上に搭
載された集積回路素子６の周囲には、図１３に示すよう
に、上記した保護体７に代わり、それを覆うように、光
ノイズの影響を防止するためのシールド体２５が形成さ
れている。
【００４８】シールド体２５は、透光性樹脂が塗布、固
化されることによりなる。この透光性樹脂は、たとえば
エポキシ樹脂を主成分として、赤外光を遮断するための
酸化物（たとえば酸化チタン）と、可視光を遮断するた
めの染料とが含有されたものである。
【００４９】このシールド体２５によって、一部の紫外
光、可視光、および赤外光を含む、約３００〜１０００
ｎｍの波長を有する光を遮断することが可能となる。そ
のため、このシールド体２５に覆われた集積回路素子６
は、光ノイズによって誤動作することが防止され、発光
素子４および受光素子５の制御を良好に行うことができ
る。したがって、信頼性の高いモジュール１を提供する
ことができる。また、上記シールド体２５を用いること
により、上記したシールドケース２４が不要となる。そ
のため、部品コストが低減するとともに、モジュール１
の軽量化を図ることができる。さらには、上記シールド
ケース２４をモジュール１に装着するための工程が省略
できるので、製造時間の短縮化や製造コストの低減化を
図ることができる。
【００５０】また、シールド体２５は、その熱膨張率が
基板３のそれとモールド体８のそれとの間に存在し、ま
た熱硬化性を有していることから、透光性樹脂を集積回
路素子６の周囲を覆うように塗布、固化して形成するこ
とができる。そのため、シールド体２５は、上記した保
護体７と同様に、集積回路素子６を保護する機能を備え
もち、保護体７の代用として充分にその機能を発揮する
ことができる。
【００５１】なお、集積回路素子６に対する光の進入を
完全に遮断するために、上記透光性樹脂は、上記したよ
うに集積回路素子６の周囲、すなわち、集積回路素子６
の上面および４つの側面を全て覆うように形成されるこ
とが望ましい。
【００５２】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではなく、発明の範囲内で種々
の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
斜視図である。
【図２】図１に示す赤外線データ通信モジュールの内部
構成図である。
【図３】基板の平面透視図である。
【図４】基板の裏面図である。
【図５】赤外線データ通信モジュールの外部回路基板に
対する実装状態を示す図である。
【図６】基板に形成された凹部を示す断面図である。
【図７】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図８】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図９】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図１０】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示
す図である。
【図１１】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示
す図である。
【図１２】シールドケース付きの赤外線データ通信モジ
ュールの斜視図である。
【図１３】赤外線データ通信モジュールの他の実施形態
を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 赤外線データ通信モジュール ２ 導体パターン ３ 基板 ４ 発光素子 ５ 受光素子 ６ 集積回路素子 ７ 保護体 ８ モールド体 １６ 凹部 ２５ シールド体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年４月２４日（２００１．４．２
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 赤外線データ通信モジュールおよびそ
の製造方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＩｒＤＡ（Infr
ared Data Association ）方式による赤外線データ通信
を行うために用いられる赤外線データ通信モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、携帯型情報機器やノート型パ
ーソナルコンピュータ等において、それらの機器同士あ
るいはプリンタ等の周辺機器との間では、ＩｒＤＡ方式
による赤外線データ通信が行われている。
【０００３】このような赤外線データ通信においては、
内部に赤外線用の発光素子および受光素子が備えられた
赤外線データ通信モジュール（以下、単に「モジュー
ル」という）が用いられる。このモジュール１では、図
１および図２に示すように、導体パターン２が形成され
た基板３上に発光素子４、受光素子５、および集積回路
素子６がそれぞれ搭載されている。上記各素子４，５，
６は、導体パターン２とワイヤＷを介して接続され、ま
た、上記各素子４，５，６の周囲には、モールド樹脂
（後述）による応力を緩和するための保護体７がそれぞ
れ形成されている。
【０００４】そして、基板３の表面３ａには、各保護体
７を一体的に覆うようにモールド樹脂によるモールド体
８が形成されている。モールド体８の上面８ａには、発
光素子４に対応して発光用レンズ部１１が、受光素子５
に対応して受光用レンズ部１２がそれぞれ形成されてい
る。また、基板３の裏面３ｂには、図示しない外部の回
路基板と半田付けされて接合される接続端子部１３が形
成されている。この接続端子部１３は、基板３の側面３
ｃに形成された溝部１４を介して、基板３の表面３ａに
形成された導体パターン２と接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成において、発
光素子４、受光素子５および集積回路素子６をそれぞれ
保護するための保護体７は、必要最小限の容積に形成す
る必要がある。すなわち、上記保護体７は、ゲル状にさ
れたシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を各素子４，５，
６に対して塗布、固化することにより形成される。しか
しながら、上記各素子４，５，６のうち、特に発光素子
４は、たとえば約０．３５ｍｍ角の略直方形状とされ、
比較的その大きさが小であるため、シリコーン樹脂の塗
布量が多すぎると、シリコーン樹脂が基板３上であって
発光素子４の周囲に広がることが考えられる。
【０００６】上記保護体７が形成された後、基板３上に
はエポキシ樹脂等のモールド樹脂によるモールド体８が
形成される。この場合、基板３上においてシリコーン樹
脂が発光素子４の周囲に広がっていると、基板３とモー
ルド体８との接触面積が制限され、狭小化されることに
なる。そのため、両者３，８間における密着性が阻害さ
れ、両者３，８間の界面において剥離が生じ、ワイヤＷ
の断線や導体パターン２の剥がれを引き起こす原因とな
ることがある。
【０００７】
【発明の開示】本願発明は、上記した事情のもとで考え
出されたものであって、基板とモールド体との密着性を
より向上させることのできる赤外線データ通信モジュー
ルを提供することを、その課題とする。
【０００８】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】本願発明の第１の側面によって提供される
赤外線データ通信モジュールは、基板の表面に搭載され
た発光素子、受光素子および集積回路素子と、各素子を
覆うようにそれぞれ形成された保護体と、この保護体を
覆うようにモールド樹脂により一体的に形成されたモー
ルド体とを備えた赤外線データ通信モジュールであっ
て、基板の表面には、それとモールド体との密着性を高
めるための凹部が形成されたことを特徴としている。
【００１０】この構成によれば、基板の表面において各
保護体を覆うようにモールド体が形成される際、たとえ
ば所定の金型によるキャビティ内に流動状態のモールド
樹脂が流入される。そのとき、基板の表面には凹部が形
成されているため、モールド樹脂は凹部内に流入され
る。そして、金型内および凹部に入り込んだモールド樹
脂は、その後固化され、それにより一体的にモールド体
が形成される。そのため、凹部内に形成されるモールド
体がいわゆるアンカー効果を発揮することになり、これ
により、基板とモールド体との接合における機械的強度
を向上させることができる。
【００１１】また、基板の表面に凹部が形成されること
により、基板の表面積が広げられ、すなわち、凹部内に
モールド樹脂が流入、固化されれば、基板とモールド樹
脂との接触面積が実質的に広げられることになる。その
ため、基板とモールド体との密着性をより高めることが
できることから、両者の界面における剥離を防止するこ
とができ、その剥離に起因するたとえばワイヤの断線や
ダイボンディングの剥がれを抑制もしくは防止すること
ができる。したがって、信頼性の高い赤外線データ通信
モジュールを提供することができる。
【００１２】本願発明の好ましい実施の形態によれば、
凹部は、基板の表面において、各素子を覆う保護体の形
成領域を除く領域中の複数箇所に形成されている。この
ように、凹部の形成箇所が、各素子を覆う保護体の形成
領域を除く領域に限定されれば、保護体としてのたとえ
ばシリコーン樹脂が凹部に入り込むことを防止でき、モ
ールド体としてのモールド樹脂を確実に凹部内に流入、
固化させることができる。
【００１３】他の好ましい実施の形態によれば、凹部
は、略円柱状とされていてもよい。この構成によれば、
たとえば凹部が多角柱状に形成された場合に比べ、モー
ルド樹脂が隙間なく充填される可能性を高くすることが
でき、モールド体の機械的強度の向上に寄与することが
できる。
【００１４】本願発明の第２の側面に係る赤外線データ
通信モジュールの製造方法は、導体パターンが形成され
た基板の表面に、発光素子、受光素子および集積回路素
子を実装し、それらを一体的に樹脂モールドしてなる赤
外線データ通信モジュールの製造方法であって、基板に
上記各素子を実装する前に、基板の表面に所定の穿孔具
により略円柱状の凹部を形成する工程と、基板に各素子
を実装した後、それらを覆うように一体的にモールド樹
脂によるモールド体を形成する際、凹部内にモールド樹
脂を流入、固化する工程とを有することを特徴としてい
る。
【００１５】この製造方法によれば、上記第１の側面に
おいて提供される赤外線送受信モジュールを実際の製造
工程において容易に得ることができ、その結果として上
記赤外線データ通信モジュールにおける作用効果と同様
の作用効果を奏することができる。
【００１６】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。なお、
以下の説明では、従来の説明の欄で説明した図１および
図２を再び参照し、同図において同符号を示す部品につ
いては同機能を示すものとする。
【００１８】図１および図２によれば、この赤外線デー
タ通信モジュール（以下、単に「モジュール」という）
１は、略矩形状の基板３と、基板３に実装された発光素
子４、受光素子５、および集積回路素子６と、各素子
４，５，６の周囲にそれを覆うようにそれぞれ形成され
る保護体７と、これらを一体的にモールド樹脂により封
止するモールド体８とを具備して構成されている。
【００１９】図３は、上記基板３の平面透視図であり、
図４は、基板３の裏面図である。基板３は、たとえばガ
ラスエポキシ樹脂からなり、その表面３ａには、所定の
導体パターン２が形成され、導体パターン２の適所には
必要に応じて金メッキが施されている。導体パターン２
は、各素子４，５，６が直接的に、あるいは後述するグ
リーンレジストを介して間接的に搭載される導体パター
ン、各素子４，５，６と接続するためにワイヤボンディ
ングが施される導体パターン等によって構成される。
【００２０】基板３の裏面３ｂには、それのほぼ全面を
覆う導体パターン２（ダミーパターン）と、このモジュ
ール１を実装するための外部回路基板（図示せず）と接
合される導体パターン２としての接続端子部１３とが形
成されている。基板３の側面３ｃには、略円弧状の溝部
１４が形成され、溝部１４の内周面には、メッキされた
銅による導体層（図示せず）が形成されている。この導
体層を介して、基板３の表面３ａの導体パターン２と裏
面３ｂの接続端子部１３とが電気的に接続される。
【００２１】また、基板３の表面３ａ上および裏面３ｂ
上の適当な領域には、グリーンレジストを呼称され、そ
れらを保護するための絶縁層（図示せず）が形成されて
いる。この絶縁層は、外部に露出する必要のあるべき部
分以外を覆うもので、たとえば、接続端子部１３は、外
部の回路基板（図示せず）との間で半田フィレットを介
して接合されるため、絶縁層によって覆われていない。
【００２２】発光素子４は、発光ダイオード等からな
り、基板３の表面３ａの一端側であって、金メッキが施
された導体パターン２の所定領域２Ａに実装されてい
る。発光素子４は、その上面が金線Ｗによってワイヤボ
ンディングされて所定の導体パターン２と接続されてい
る。
【００２３】受光素子５は、ＰＩＮフォトダイオード等
からなり、基板３の表面３ａの他端側であって、導体パ
ターン２の所定領域２Ｂに実装されている。受光素子５
は、その上面が金線Ｗによってワイヤボンディングされ
て所定の導体パターン２と接続されている。
【００２４】また、集積回路素子６は、発光素子４およ
び受光素子５による送受信動作を制御するものであり、
基板３の表面３ａの中央部に位置する、導体パターン２
の所定領域２Ｃに実装されている。集積回路素子６は、
詳細には図示していないが、金線Ｗによってワイヤボン
ディングされることにより、ワイヤＷおよび導体パター
ン２によって、発光素子４および受光素子５と接続され
ている。
【００２５】保護体７は、たとえばシリコーン樹脂等の
透光性樹脂からなり、ゲル状にされたシリコーン樹脂が
各素子４，５，６の周囲にそれぞれ塗布され、所定温度
で加熱固化されることにより形成される。保護体７は、
各素子４，５，６およびそれに接続されたワイヤＷをそ
れぞれ覆うように形成される。このようにして形成され
た保護体７は、ゴム性を有し、モールド体８としてのモ
ールド樹脂による応力を緩和する作用を備える。
【００２６】モールド体８は、たとえば顔料を含んだエ
ポキシ樹脂の熱硬化性樹脂からなり、上記各素子４，
５，６の保護体７を覆うように一体的に封止して形成さ
れている。モールド体８の上面であって、発光素子４お
よび受光素子５に対応する面８ａには、発光用レンズ部
１１および受光用レンズ部１２がそれぞれ形成されてい
る。このモールド体８は、可視光に対しては透光性を有
しないが、赤外光に対しては透光性を有する。
【００２７】このような構成のモジュール１を、図５に
示すように、外部の回路基板Ｃに実装する場合、基板３
の裏面３ｂが外部の回路基板Ｃの実装面に対して直交方
向に沿うように、すなわち、発光素子４および受光素子
５の受発光の方向が外部の回路基板Ｃの実装面と平行に
なるように実装され、基板３の裏面３ｂの接続端子部１
３および溝部１４と、外部の回路基板Ｃの実装面に形成
された配線パターンＰとの間に、半田フィレットＦが形
成されることにより半田付けされて接合される。
【００２８】そして、図示しない相手側機器の他のモジ
ュールと対向して配されることにより、赤外線によるデ
ータ通信が行われる。すなわち、発光素子４では、集積
回路素子６から送られてくる電気信号を光信号に変換
し、外部に対してその光信号としての赤外光を出射す
る。一方、受光素子５は、外部から受けた光信号として
の赤外光を電気信号に変換し、それを集積回路素子６に
対して与える。
【００２９】ここで、本実施形態の特徴は、図３および
図６に示すように、基板３の表面３ａにおいて、モール
ド樹脂からなるモールド体８と基板３との密着性を高め
るための凹部１６が形成されている点にある。具体的に
は、上記凹部１６は、基板３の表面３ａのうち、各素子
４，５，６における保護体７の形成領域を除く領域中の
複数箇所（図３では４箇所）に形成されている。上記凹
部１６は、略円柱形状に掘削されて形成され、たとえば
その径Ａは約０．２φとされ、その深さＢは約０．２〜
０．５ｍｍとされている。
【００３０】このように、基板３の表面３ａにおいて各
保護体７を覆うようにモールド体８が形成される際、た
とえば、基板３上に装着された所定の金型内に流動状態
のモールド樹脂が流入される。そのとき、基板３の表面
３ａには凹部１６が形成されているため、モールド樹脂
は凹部１６内に流入される。そして、金型内および凹部
１６に入り込んだモールド樹脂は、その後固化され、そ
れにより一体的にモールド体８が形成される。そのた
め、凹部１６内に形成されるモールド体８がいわゆるア
ンカー効果を発揮することになり、これにより、基板３
とモールド体８との接合における機械的強度を向上させ
ることができる。
【００３１】また、基板３の表面３ａに凹部１６が形成
されることにより、基板３の表面積が広げられ、上記凹
部１６内にモールド樹脂が流入、固化されることによ
り、基板３とモールド体８との接触面積が実質的に広げ
られることになる。そのため、基板３とモールド体８と
の密着性をより高めることができる。したがって、従来
のように、各素子４，５，６に対する保護体７としての
シリコーン樹脂が多少、基板３上に広がったとしても、
上記凹部１６に流入、固化されたモールド樹脂によっ
て、基板３とモールド体８との密着性が損なわれること
を抑制することができる。そのため、両者３，８の界面
における剥離を防止することができ、その剥離に起因す
るワイヤＷの断線やダイボンディングの剥がれを抑制も
しくは防止することができる。したがって、上記凹部１
６によって、信頼性の高いモジュール１を提供すること
ができる。
【００３２】なお、凹部１６は、後述するように、各素
子４，５，６の周囲に保護体７が形成される前に、掘削
されることにより形成されるが、凹部１６は、基板３の
表面３ａ上において、各素子４，５，６における保護体
７が広がることのないであろう領域に予め設定されて形
成される。すなわち、凹部１６内には、シリコーン樹脂
ではなく、モールド体８としてのモールド樹脂を充填さ
せる必要があるからである。このような点が考慮され
て、基板３の表面３ａにおいて、図３に示した箇所に凹
部１６が形成されているが、凹部１６が形成される箇所
は、図３に示したような箇所に限るものではない。
【００３３】また、上記凹部１６の形成箇所数は、上記
した数に限るものではなく、その形成箇所数が多いほ
ど、基板３とモールド体８との密着性をより高めること
になりより好ましい。また、凹部１６の形状は、円柱状
に限るものではないが、凹部１６が略円柱状とされれ
ば、たとえば凹部１６が多角柱状に形成された場合に比
べ、モールド樹脂が隙間なく凹部１６内に充填される可
能性を高くすることができる。そのため、モールド体の
機械的強度の向上に寄与することができ、より好ましい
ものとなる。また、凹部１６が略円柱状にされれば、た
とえばドリル等で容易に形成することができる。
【００３４】さらに、凹部１６は、導体パターン２の上
方から掘削されて形成されてもよい。すなわち、導体パ
ターン２の厚みは数十μｍと、凹部１６の深さに比べ相
当小であるため、上記凹部１６を導体パターン２の上方
から形成しても、凹部１６は、導体パターン２を貫通し
て基板３に容易に達する。そのため、凹部１６の内表面
においては、モールド体８と基板３とを充分に接触させ
ることができる。
【００３５】次に、上記モジュール１の製造方法につい
て説明する。この製造方法では、図７に示すように、略
矩形状に延びたシート状のガラスエポキシ樹脂からなる
集合基板１８を用いる。この集合基板１８は、多数個の
モジュール１を配列できる大きさを有し、各モジュール
１のそれぞれに対応して一定の大きさの領域１９が区画
されている。集合基板１８の両サイドには、モジュール
１の製作工程において、必要に応じて集合基板１８を固
定するための係合孔２０が形成されている。また、集合
基板１８には、所定数の領域１９ごとに、集合基板１８
の反れを防止するための縦方向に延びたスリット２１が
形成されている。
【００３６】次いで、各領域１９ごとに、集合基板１８
の表裏面を導通させるための最終的に溝部１４となるス
ルーホール２２を適宜数形成する。その後、図８に示す
ように、集合基板１８の各領域１９ごとに、集合基板１
８の表面および裏面に対して、公知のフォトリソグラフ
ィー法により所定の導体パターン２を形成する。すなわ
ち、表面に銅箔を施した集合基板１８に対してレジスト
材料を塗布し、所望のパターンが描かれたマスクを用い
て露光・現像し、エッチングにより銅箔の不要部分を除
去することにより、導体パターン２を形成する。なお、
導体パターン２は、スルーホール２２を形成する前に、
形成されてもよい。
【００３７】次に、集合基板１８の表面および裏面に対
して、絶縁層を形成し、外部に露出する必要のあるべき
部分以外を覆う。この場合も、フォトリソグラフィー法
を用い、たとえば、導体パターン２のうち、露出させる
べき部分と対応した窓孔をもつマスク（図示せず）を用
いて、予め集合基板１８全面に形成した絶縁層に露光処
理を行い続いて現像を行うことにより、絶縁層に開口を
形成する。
【００３８】その後、図９に示すように、集合基板１８
の表面であって各領域１９の所定箇所に、凹部１６を形
成する。これには、径が約０．２ｍｍより小の刃先を備
えるドリル（図示せず）を用い、これを集合基板１８の
表面に対して略直交方向に進退させて、凹部１６を形成
する。
【００３９】次いで、図１０に示すように、集合基板１
８上の各領域１９ごとに、発光素子４等をそれぞれ実装
し、各素子４，５，６に対してワイヤボンディングを施
す。その後、各素子４，５，６に対してそれを覆うよう
に保護体７を形成する。これには、ゲル状のシリコーン
樹脂が放出可能なノズル（図示せず）を用い、シリコー
ン樹脂を各素子４，５，６に供給し、各素子４，５，６
およびそれに接続されたワイヤＷがシリコーン樹脂によ
って覆われるように塗布する。この場合、先の工程で形
成した凹部１６の内側に、シリコーン樹脂が流入しない
ように注意する。その後、塗布したシリコーン樹脂を所
定温度で加熱することによって固化させ、保護体７を形
成する。
【００４０】次に、図１１に示すように、エポキシ樹脂
によって各領域１９ごとに、トランスファーモールド成
形を用いてモールド体８を形成する。これには、基板３
上に所定の金型（図示せず）を装着し、金型によるキャ
ビティ内に流動状態のエポキシ樹脂を流入、固化するこ
とにより、基板３の表面３ａ上の各保護体７を一体的に
モールドする。モールド体８の上面８ａには、略半球形
状の発光用レンズ部１１および受光用レンズ部１２がそ
れぞれ形成される。
【００４１】そして、集合基板１８を縦横に切断し、単
体のモジュール１を得る。具体的には、図１０に示す一
点破線Ｌ１に沿って、集合基板１８を縦方向に沿って切
断し、縦長の中間品を得る。集合基板１８の切断には、
所定のブレード（図示せず）を用いる。次に、中間品に
おける各モールド体８の上下に位置する不要部分を除去
するために、図１０に示す一点破線Ｌ２に沿って中間品
を切断する。このように、集合基板１８を切断して、多
数個のモジュール１が得られる。
【００４２】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではなく、発明の範囲内で種々
の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
斜視図である。
【図２】図１に示す赤外線データ通信モジュールの内部
構成図である。
【図３】基板の平面透視図である。
【図４】基板の裏面図である。
【図５】赤外線データ通信モジュールの外部回路基板に
対する実装状態を示す図である。
【図６】基板に形成された凹部を示す断面図である。
【図７】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図８】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図９】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す
図である。
【図１０】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示
す図である。
【図１１】赤外線データ通信モジュールの製造方法を示
す図である。
【符号の説明】 １ 赤外線データ通信モジュール ２ 導体パターン ３ 基板 ４ 発光素子 ５ 受光素子 ６ 集積回路素子 ７ 保護体 ８ モールド体 １６ 凹部
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】削除
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】削除
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｂ 33/00 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA04 CA05 CA21 DA07 DB15 DB16 EA02 EA10 EC11 ED04 EE02 EE07 EE12 EE13 GA01 5F041 DA07 DA12 DA20 DA44 DA45 DA58 DA83 FF14 5F088 AA03 BB01 JA03 JA06 JA10 JA20 LA01 5F089 AA01 AB03 AC02 AC10 CA06 CA20 EA04

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の表面に搭載された発光素子、受光
    素子および集積回路素子と、上記各素子を覆うようにそ
    れぞれ形成された保護体と、この保護体を覆うようにモ
    ールド樹脂により一体的に形成されたモールド体とを備
    えた赤外線データ通信モジュールであって、 上記基板の表面には、それと上記モールド体との密着性
    を高めるための凹部が形成されたことを特徴とする、赤
    外線データ通信モジュール。
  2. 【請求項２】 上記凹部は、上記基板の表面において、
    上記各素子を覆う上記保護体の形成領域を除く領域中の
    複数箇所に形成された、請求項１に記載の赤外線データ
    通信モジュール。
  3. 【請求項３】 上記凹部は、略円柱状とされた、請求項
    １または２に記載の赤外線データ通信モジュール。
  4. 【請求項４】 導体パターンが形成された基板の表面
    に、発光素子、受光素子および集積回路素子を実装し、
    それらを一体的に樹脂モールドしてなる赤外線データ通
    信モジュールの製造方法であって、 上記基板に上記各素子を実装する前に、上記基板の表面
    に所定の穿孔具により略円柱状の凹部を形成する工程
    と、 上記基板に上記各素子を実装した後、それらを覆うよう
    に一体的にモールド樹脂によるモールド体を形成する
    際、上記凹部内に上記モールド樹脂を流入、固化する工
    程とを有することを特徴とする、赤外線データ通信モジ
    ュールの製造方法。
  5. 【請求項５】 基板の表面に搭載された発光素子、受光
    素子および集積回路素子と、上記各素子を覆うようにモ
    ールド樹脂により一体的に形成されたモールド体とを備
    えた赤外線データ通信モジュールであって、 上記集積回路素子の周囲には、それを覆うように光ノイ
    ズの影響を防止するためのシールド体が形成されたこと
    を特徴とする、赤外線データ通信モジュール。
  6. 【請求項６】 上記シールド体は、遮光性樹脂が塗布形
    成されてなり、 上記遮光性樹脂には、赤外光を遮断するための酸化物
    と、可視光を遮断するための染料とが含有されている、
    請求項５に記載の赤外線データ通信モジュール。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005064689A1 (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Rohm Co., Ltd. 光データ通信モジュール
JP2007180275A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 光半導体装置および電子機器
JP2007258204A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Rohm Co Ltd 光通信モジュール
JP2007329249A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP2008252148A (ja) * 2008-07-22 2008-10-16 Nichia Corp 発光装置用のパッケージ及びその製造方法
JP2008248548A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Honda Lock Mfg Co Ltd 車両用アウトハンドル装置
JP2009135420A (ja) * 2007-11-05 2009-06-18 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2010278315A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US8802459B2 (en) 2006-12-28 2014-08-12 Nichia Corporation Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof
JP2016162895A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 株式会社東芝 光結合装置および絶縁装置
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10957834B2 (en) 2018-10-09 2021-03-23 Nichia Corporation Light-emitting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01146376A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Stanley Electric Co Ltd チップｌｅｄ
JPH05218491A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Sharp Corp 光結合装置
JPH0856012A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Sharp Corp フォトカプラおよびこれを用いた回線接続検出回路
JPH08288539A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Nitto Denko Corp フォトカプラー用一次封止樹脂組成物
JPH11177125A (ja) * 1997-12-12 1999-07-02 Nec Corp 光通信用デバイスとその製造方法
JP2000012773A (ja) * 1998-04-23 2000-01-14 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000114583A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Nec Corp 赤外線通信用発光受光デバイス及びその製造方法
JP2000188358A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2000340846A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線データ通信モジュール、及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01146376A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Stanley Electric Co Ltd チップｌｅｄ
JPH05218491A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Sharp Corp 光結合装置
JPH0856012A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Sharp Corp フォトカプラおよびこれを用いた回線接続検出回路
JPH08288539A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Nitto Denko Corp フォトカプラー用一次封止樹脂組成物
JPH11177125A (ja) * 1997-12-12 1999-07-02 Nec Corp 光通信用デバイスとその製造方法
JP2000012773A (ja) * 1998-04-23 2000-01-14 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000114583A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Nec Corp 赤外線通信用発光受光デバイス及びその製造方法
JP2000188358A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2000340846A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線データ通信モジュール、及びその製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191189A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
WO2005064689A1 (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Rohm Co., Ltd. 光データ通信モジュール
JP2007180275A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sharp Corp 光半導体装置および電子機器
JP2007258204A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Rohm Co Ltd 光通信モジュール
US11631790B2 (en) 2006-05-18 2023-04-18 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10686102B2 (en) 2006-05-18 2020-06-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10971656B2 (en) 2006-05-18 2021-04-06 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10263161B2 (en) 2006-05-18 2019-04-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9929318B2 (en) 2006-05-18 2018-03-27 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9634204B2 (en) 2006-05-18 2017-04-25 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP2007329249A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光装置及びその製造方法
US9190588B2 (en) 2006-12-28 2015-11-17 Nichia Corporation Side-view type light emitting apparatus and package
US8802459B2 (en) 2006-12-28 2014-08-12 Nichia Corporation Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof
JP2008248548A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Honda Lock Mfg Co Ltd 車両用アウトハンドル装置
JP2009135420A (ja) * 2007-11-05 2009-06-18 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008252148A (ja) * 2008-07-22 2008-10-16 Nichia Corp 発光装置用のパッケージ及びその製造方法
JP2010278315A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN105938829A (zh) * 2015-03-02 2016-09-14 株式会社东芝 光耦合装置以及绝缘装置
US10483424B2 (en) 2015-03-02 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Signal coupling device
CN105938829B (zh) * 2015-03-02 2019-10-25 株式会社东芝 光耦合装置以及绝缘装置
US11430926B2 (en) 2015-03-02 2022-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Signal coupling device
JP2016162895A (ja) * 2015-03-02 2016-09-05 株式会社東芝 光結合装置および絶縁装置
US10957834B2 (en) 2018-10-09 2021-03-23 Nichia Corporation Light-emitting device

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