JP4654670B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
パッケージの成型時において、型枠に樹脂注入口を複数設けることにより薄型のパッケージを製造することができる。
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図2は、第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略II−II断面図である。図3は、第1の実施の形態に係る発光装置を示す概略III−III断面図である。図4は、第1の実施の形態に係る発光装置の背面側を示す概略斜視図である。
第1の実施の形態に係る発光装置10は、発光素子2と、発光素子2を載置する底面部1aと、底面部1aから延びる側面部1bと、を持つ凹部1cを2個有するパッケージ1と、を有している。パッケージ1の凹部1cの底面部1aには、電極3を設けており、この電極3のマウント部3aに発光素子2を搭載している。
発光素子2を載置するための底面部1aと、底面部1aから延びる側面部1bと、底面部1aの少なくとも一部に配設され、少なくとも一部が底面部1aで露出する正負の電極3と、を持つ凹部1cを2個有するパッケージ1の製造方法は以下のごときである。ただし凹部1cの個数は2個に限定されず、同様な製造方法により複数個製造することができる。
図5は、第2の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図6は、第2の実施の形態に係る発光装置を示す概略VI−VI断面図である。以下、第2の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図7は、第3の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図8は、第3の実施の形態に係る発光装置を示す概略VIII−VIII断面図である。以下、第3の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図9は、第4の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。以下、第4の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図10は、第5の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図11は、第5の実施の形態に係る発光装置を示す概略背面図である。以下、第5の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図12は、第6の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図13は、第6の実施の形態に係る発光装置を示す概略背面図である。以下、第6の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図14は、第7の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図15は、第7の実施の形態に係る発光装置を示す概略背面図である。以下、第7の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図16は、第8の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図17は、第8の実施の形態に係る発光装置を示す概略背面図である。以下、第8の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
図18は、第9の実施の形態に係る発光装置を示す概略平面図である。図19は、第9の実施の形態に係る発光装置を示す概略XXI−XXI断面図である。以下、第9の実施の形態に係る発光装置について説明する。ただし、第1の実施の形態とほぼ同様の構成を採るところは説明を省略する。
実施例1に係る発光装置について以下説明する。
1a 底面部
1b 側面部
1c 凹部
1d 凸部
1e 樹脂注入跡
1i 上面部
2 発光素子
3 電極
3a マウント部
3b 裏面側電極部
4 透光性樹脂
5 ワイヤ
10、20、30、40、50、60、70、80、90 発光装置
100 半導体発光装置
101 基板
101a 凹部
101b 凹部側面部の一辺
101c 凹部側面部の他の一辺
102 電極
102a ランド
102b マウント部
103 電極
103a ランド
104 発光素子
105 ワイヤ
106 レンズ
110 第1の直線
111 第2の直線
112 交点を通る垂線
113 中心点を通る垂線
Claims (17)
- 発光素子と、発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を2個有するパッケージと、を有する発光装置であって、
前記パッケージは隣接する2個の凹部を有しており、
前記隣接する2個の凹部は、該2個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該2個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該2個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該2個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、かつ該2個の凹部は該2個の凹部開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称であり、
前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とする発光装置。 - 前記隣接する2個の凹部の開口部は楕円形状であって、前記楕円形状の一の直径が他の直径の二倍の長さであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記パッケージの裏面は、前記隣接する2個の凹部の開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称である2個の凸部と、前記隣接する2個の凹部の底面部から裏面に続く正負の電極を有しており、
前記2個の凸部の厚みは、前記正負の電極の厚みとは同一であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記凹部は、透光性樹脂で発光素子を封止していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 発光素子と、発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を3個有するパッケージと、を有する発光装置であって、
前記パッケージは隣接する凹部を3個有しており、
前記隣接する3個の凹部のうち中央の凹部は、該凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは同じ角度であり、
前記隣接する3個の凹部のうち両端の凹部は、該凹部の開口部上方から切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは相違し、
かつ該両端の凹部は該中央の凹部の底面の中心点を通る前記底面部に対する垂線に対して対称であり、
かつ該両端の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該両端の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線は、該両端の凹部の底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とする発光装置。 - 前記パッケージの裏面は、前記隣接する3個の凹部の開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称である3個の凸部と、
前記隣接する3個の凹部の底面部から裏面に続く正負の電極を有しており、
前記3個の凸部の厚みと前記正負の電極の厚みとは同一であることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。 - 前記凹部は、透光性樹脂で発光素子を封止していることを特徴とする請求項5又は6に記載の発光装置。
- 発光素子と、発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を複数個有するパッケージと、を有する発光装置であって、
前記パッケージは隣接する凹部を複数個有しており、
前記隣接する複数個の凹部は、該複数個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該複数個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該複数個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該複数個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、
かつ該複数個の凹部は該複数個の凹部開口部の重心を通る前記底面部に対する垂線に関して対称であり、
前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とする発光装置。 - 発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を2個有するパッケージであって、
前記パッケージは隣接する2個の凹部を有しており、
前記隣接する2個の凹部は、該2個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該2個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該2個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該2個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、かつ該2個の凹部は該2個の凹部開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称であり、
前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とするパッケージ。 - 前記隣接する2個の凹部の開口部は楕円形状であって、前記楕円形状の一の直径が他の直径の二倍の長さであることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ。
- 前記パッケージの裏面は、前記隣接する2個の凹部の開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称である2個の凸部と、前記隣接する2個の凹部の底面部から裏面に続く正負の電極を有し、
前記2個の凸部の厚みと前記正負の電極の厚みとは同一であることを特徴とする請求項9又は10に記載のパッケージ。 - 発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を3個有するパッケージであって、
前記パッケージは隣接する凹部を3個有しており、
前記隣接する3個の凹部のうち中央の凹部は、該凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは同じ角度であり、
前記隣接する3個の凹部のうち両端の凹部は、該凹部の開口部上方から切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは相違し、
かつ該両端の凹部は該中央の凹部の底面の中心点を通る前記底面部に対する垂線に対して対称であり、
かつ該両端の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該両端の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線は、該両端の凹部の底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とするパッケージ。 - 前記パッケージの裏面は、前記隣接する3個の凹部の開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称である3個の凸部と、前記隣接する3個の凹部の底面部から裏面に続く正負の電極を有しており、
前記3個の凸部の厚みと前記正負の電極の厚みとは同一であることを特徴とする請求項12に記載のパッケージ。 - 発光素子を載置する底面部と、該底面部から延びる側面部と、を持つ凹部を複数個有するパッケージであって、
前記パッケージは隣接する凹部を複数個有しており、
前記隣接する複数個の凹部は、該複数個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該複数個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該複数個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該複数個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、かつ該複数個の凹部は該複数個の凹部開口部の重心を通る前記底面部に対する垂線に関して対称であり、前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されることを特徴とするパッケージ。 - 発光素子を載置するための底面部と、該底面部から延びる側面部と、該底面部の少なくとも一部に配設され、少なくとも一部が該底面部で露出する正負の電極と、を持つ凹部を隣接するように2個有するパッケージの製造方法であって、
該隣接する2個の凹部は、該2個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該2個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該2個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該2個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、
かつ該2個の凹部は該2個の凹部開口部を挟む前記底面部に対する垂線に関して対称であり、
前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されるように成型された型枠内に樹脂を注入する工程と、
該樹脂を硬化する工程と、
該型枠を取り外す工程と、有することを特徴とするパッケージの製造方法。 - 発光素子を載置するための底面部と、該底面部から延びる側面部と、該底面部の少なくとも一部に配設され、少なくとも一部が該底面部で露出する正負の電極と、を持つ凹部を隣接するように3個有するパッケージの製造方法であって、
前記隣接する3個の凹部のうち中央の凹部は、該凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは同じ角度であり、
前記隣接する3個の凹部のうち両端の凹部は、該凹部の開口部上方から切断した断面形状において、該凹部側面部と該凹部上面部との間の第1の角度と、該凹部を挟んで向かい合う該凹部側面部と該凹部上面部との間の第2の角度とは相違し、
かつ該両端の凹部は該中央の凹部の底面の中心点を通る前記底面部に対する垂線に対して対称であり、
かつ該両端の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該両端の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線は、該両端の凹部の底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されるように成型された型枠内に樹脂を注入する工程と、
該樹脂を硬化する工程と、
該型枠を取り外す工程と、有することを特徴とするパッケージの製造方法。 - 発光素子を載置するための底面部と、該底面部から延びる側面部と、該底面部の少なくとも一部に配設され、少なくとも一部が該底面部で露出する正負の電極と、を持つ凹部を隣接するように複数個有するパッケージの製造方法であって、
該隣接する複数個の凹部は、該複数個の凹部の開口部上方から前記底面部に対する垂線に沿って切断した断面形状において、該複数個の凹部底面部の中心点を通る前記底面部に対する垂線と、該複数個の凹部側面部の一辺から延びる第1の直線と該複数個の凹部側面部の他の一辺から延びる第2の直線との交点を通る前記底面部に対する垂線と、が相違する形状を有し、
かつ該複数個の凹部は該複数個の凹部開口部の重心を通る前記底面部に対する垂線に関して対称であり、
前記交点を通る前記底面部に対する垂線は、前記中心点を通る前記底面部に対する垂線よりも外側に配置されるように成型された型枠内に樹脂を注入する工程と、
該樹脂を硬化する工程と、
該型枠を取り外す工程と、有することを特徴とするパッケージの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004343742A JP4654670B2 (ja) | 2003-12-16 | 2004-11-29 | 発光装置及びその製造方法 |
US11/012,666 US7656083B2 (en) | 2003-12-16 | 2004-12-16 | Light emitting device having a backside electrode portion and same thickness protrusion and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003418002 | 2003-12-16 | ||
JP2004343742A JP4654670B2 (ja) | 2003-12-16 | 2004-11-29 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005203748A JP2005203748A (ja) | 2005-07-28 |
JP4654670B2 true JP4654670B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=34656268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004343742A Expired - Lifetime JP4654670B2 (ja) | 2003-12-16 | 2004-11-29 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7656083B2 (ja) |
JP (1) | JP4654670B2 (ja) |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6957899B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
US7213942B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
USD510913S1 (en) | 2003-09-09 | 2005-10-25 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
USD539760S1 (en) | 2003-09-09 | 2007-04-03 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
USD535263S1 (en) | 2003-09-09 | 2007-01-16 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
USD553103S1 (en) | 2003-09-09 | 2007-10-16 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
USD528515S1 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-19 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
US7525248B1 (en) | 2005-01-26 | 2009-04-28 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp |
US7535028B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-19 | Ac Led Lighting, L.Lc. | Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp |
US8272757B1 (en) | 2005-06-03 | 2012-09-25 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation |
JP4715422B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2007103838A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Agilent Technol Inc | 発光ダイオード及びそれを用いたディスプレイ装置 |
JP5303097B2 (ja) | 2005-10-07 | 2013-10-02 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
WO2007046516A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Showa Denko K.K. | Luminous device mounting substrate, luminous device mounting package, and planar light source device |
KR101006658B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2011-01-10 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 발광 소자 장착 기판, 발광 소자 장착 패키지 및 면 광원장치 |
KR100780176B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 측면 방출 발광다이오드 패키지 |
KR101200400B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2012-11-16 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드 |
USD573113S1 (en) | 2005-12-09 | 2008-07-15 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
JP5956937B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2016-07-27 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
KR100828891B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2008-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Led 패키지 |
JP5027427B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-09-19 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオードを用いた白色照明装置 |
JP2012178567A (ja) * | 2006-04-06 | 2012-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 |
KR101266709B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛과 이를 이용한 액정표시장치 |
KR100820529B1 (ko) | 2006-05-11 | 2008-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치 |
KR20090013230A (ko) | 2006-06-02 | 2009-02-04 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치 |
USD571315S1 (en) | 2006-06-19 | 2008-06-17 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Light emitting diode |
USD576966S1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-09-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | Light emitting diode |
JP2008041699A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Ledパッケージ |
JP4967551B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2012-07-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7714348B2 (en) * | 2006-10-06 | 2010-05-11 | Ac-Led Lighting, L.L.C. | AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism |
CN101578711A (zh) * | 2006-11-09 | 2009-11-11 | 跃进封装公司 | Led反射性封装体 |
JP5380774B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2014-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
JP5470680B2 (ja) | 2007-02-06 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
JP5608955B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2014-10-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体 |
JP4983348B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2012-07-25 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
TW200843135A (en) * | 2007-04-23 | 2008-11-01 | Augux Co Ltd | Method of packaging light emitting diode with high heat-dissipating efficiency and the structure thereof |
US7910944B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels |
JP4991029B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2012-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2008311245A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Nichia Corp | 発光装置 |
USD580891S1 (en) * | 2007-07-20 | 2008-11-18 | Alti-Electronics Co. Ltd. | Light emitting diode |
US20090154198A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Joo Hoon Lee | Reflection type display apparatus |
TWD129967S (zh) * | 2008-03-24 | 2010-10-01 | Alti半導體股份有限公司 | 發光二極體 |
JP2009238970A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Panasonic Corp | 半導体装置用パッケージと光半導体装置 |
USD607421S1 (en) * | 2008-05-27 | 2010-01-05 | Alti-Electronics Co., Ltd | Light emitting diode |
JP2010074124A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体装置、光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及びこのパッケージ基板を用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2012501068A (ja) * | 2008-08-26 | 2012-01-12 | ディングォ パン | 発光ダイオードマルチチップ表面実装部品及び当該表面実装部品を取り付けて製造されたライトバー |
US20110260192A1 (en) * | 2008-10-01 | 2011-10-27 | Chang Hoon Kwak | Light-emitting diode package using a liquid crystal polymer |
US9685592B2 (en) | 2009-01-14 | 2017-06-20 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Miniature surface mount device with large pin pads |
CN102024882A (zh) * | 2009-09-14 | 2011-04-20 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管装置及其制造方法 |
TW201116145A (en) * | 2009-10-19 | 2011-05-01 | Paragon Sc Lighting Tech Co | LED package structure for generating similar-circle light-emitting effect |
TW201115716A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-01 | Paragon Sc Lighting Tech Co | LED package structure for generating similar-circle light-emitting effect by single wire or dual wire bonding method alternatively |
TWM387376U (en) * | 2010-03-03 | 2010-08-21 | Azurewave Technologies Inc | Lightemitting diode package structure to increase the illumination efficiency |
KR101039994B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
KR101103674B1 (ko) | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN102934228B (zh) | 2011-03-02 | 2017-09-01 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光二极管封装件及发光二极管 |
KR20120105146A (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-25 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조장치 및 이를 이용한 발광소자 패키지의 제조방법 |
KR101831274B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2018-02-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 전자기기. |
CN102956627B (zh) * | 2011-08-30 | 2015-04-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
CN103000621B (zh) * | 2011-09-09 | 2016-02-17 | 英特明光能股份有限公司 | 多槽式发光装置 |
US20130170174A1 (en) | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Intematix Technology Center Corp. | Multi-cavities light emitting device |
EP2613354B1 (en) * | 2012-01-03 | 2020-05-06 | Epistar Corporation | Multi-cavaties light emitting device |
JP6191308B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2017-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源用発光装置 |
JP6018869B2 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-11-02 | シャープ株式会社 | 光源モジュール |
JP6262211B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2018-01-17 | シャープ株式会社 | 照明装置、照明機器および表示装置 |
JP6532200B2 (ja) * | 2014-09-04 | 2019-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
US9299895B1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-29 | Prolight Opto Technology Corporation | Package structure of enhanced lumen light emitting diode |
JP6477328B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
JP6729254B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
KR102487411B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광소자 패키지 및 전자기기 |
KR101970938B1 (ko) | 2019-02-11 | 2019-04-19 | 진재언 | 지향각이 조절된 발광소자 패키지 및 이를 이용한 발광장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0492660U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
JPH0525752U (ja) * | 1991-09-10 | 1993-04-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2000012894A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2000188358A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
TW408497B (en) * | 1997-11-25 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | LED illuminating apparatus |
JP2000294833A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | 表面実装型半導体発光装置及びその吸着実装方法 |
JP3773855B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2006-05-10 | 三洋電機株式会社 | リードフレーム |
US6812503B2 (en) * | 2001-11-29 | 2004-11-02 | Highlink Technology Corporation | Light-emitting device with improved reliability |
KR100691143B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자 |
JP5081370B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2004
- 2004-11-29 JP JP2004343742A patent/JP4654670B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-16 US US11/012,666 patent/US7656083B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0492660U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
JPH0525752U (ja) * | 1991-09-10 | 1993-04-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2000012894A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
JP2000188358A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7656083B2 (en) | 2010-02-02 |
US20050127816A1 (en) | 2005-06-16 |
JP2005203748A (ja) | 2005-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100413 |
|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4654670 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |