JP2003195330A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素領域の開口率の向上。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、こ
れら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によっ
て作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対
して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、前記対向電極は、複数の絶縁層の積層体の下層に形
成され、前記対向電圧信号線は、非透光性の導電体から
なるとともに、前記複数の絶縁層の積層体の上層に形成
され、前記ゲート信号線およびドレイン信号線をも被っ
て格子状パターンをなし、その一部にて前記複数の絶縁
層の積層体に形成されたスルーホールを通して前記対向
電極に電気的に接続されている。
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、こ
れら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によっ
て作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素
子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対
して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、前記対向電極は、複数の絶縁層の積層体の下層に形
成され、前記対向電圧信号線は、非透光性の導電体から
なるとともに、前記複数の絶縁層の積層体の上層に形成
され、前記ゲート信号線およびドレイン信号線をも被っ
て格子状パターンをなし、その一部にて前記複数の絶縁
層の積層体に形成されたスルーホールを通して前記対向
電極に電気的に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
り、特に横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板
とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっ
ている。
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板
とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっ
ている。
【０００３】そして、このような構成をアクティブマト
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
【０００４】そして、これら各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
【０００５】ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
【０００６】また、このような構成において、対向電極
をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に
形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸を
ほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有
して該ドレイン信号線に沿って形成された構成のものも
知られている。
をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に
形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸を
ほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有
して該ドレイン信号線に沿って形成された構成のものも
知られている。
【０００７】ドレイン信号線からの電気力線がその上方
の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させる
のを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端
するとそれがノイズとなってしまうからである。
の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させる
のを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端
するとそれがノイズとなってしまうからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置は、対向電極に信号を供
給する対向電圧信号線を必要とし、それが画素領域内を
走行して配置させるために画素領域のいわゆる開口率を
向上させる妨げとなっていたという不都合があった。
うな構成からなる液晶表示装置は、対向電極に信号を供
給する対向電圧信号線を必要とし、それが画素領域内を
走行して配置させるために画素領域のいわゆる開口率を
向上させる妨げとなっていたという不都合があった。
【０００９】また、対向電極と対向電圧信号線は絶縁層
を介して配置されることが多く、それらの電気的接続は
該絶縁層に形成した小さなスルーホールを通して行なう
ため、該接続のさらなる信頼性が望まれていた。近年に
おける高精細化の傾向に伴うものである。
を介して配置されることが多く、それらの電気的接続は
該絶縁層に形成した小さなスルーホールを通して行なう
ため、該接続のさらなる信頼性が望まれていた。近年に
おける高精細化の傾向に伴うものである。
【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は画素領域の開口率を向上させた
液晶表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は画素領域の開口率を向上させた
液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】また、本発明の他の目的は、対向電極と対
向電圧信号線の信頼性ある接続を図った液晶表示装置を
提供することにある。
向電圧信号線の信頼性ある接続を図った液晶表示装置を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設される複数のゲート信号線とこれらゲー
ト信号線に交差して並設される複数のドレイン信号線と
で囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に、
ゲート信号線からの走査信号によって作動されるスイッ
チング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電
圧信号線を介して前記映像信号に対して基準となる信号
が供給される対向電極とが形成され、前記対向電極は、
複数の絶縁層の積層体の下層に形成され、前記対向電圧
信号線は、非透光性の導電体からなるとともに、前記複
数の絶縁層の積層体の上層に形成され、前記ゲート信号
線およびドレイン信号線をも被って格子状パターンをな
し、その一部にて前記複数の絶縁層の積層体に形成され
たスルーホールを通して前記対向電極に電気的に接続さ
れていることを特徴とするものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設される複数のゲート信号線とこれらゲー
ト信号線に交差して並設される複数のドレイン信号線と
で囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に、
ゲート信号線からの走査信号によって作動されるスイッ
チング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン
信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電
圧信号線を介して前記映像信号に対して基準となる信号
が供給される対向電極とが形成され、前記対向電極は、
複数の絶縁層の積層体の下層に形成され、前記対向電圧
信号線は、非透光性の導電体からなるとともに、前記複
数の絶縁層の積層体の上層に形成され、前記ゲート信号
線およびドレイン信号線をも被って格子状パターンをな
し、その一部にて前記複数の絶縁層の積層体に形成され
たスルーホールを通して前記対向電極に電気的に接続さ
れていることを特徴とするものである。
【００１３】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１の構成を前提として、前記対向電圧信号
線と対向電極との電気的接続は、前記複数の絶縁層の間
に形成された画素電極を構成する導電層と同時に形成さ
れる他の導電層を介してなされていることを特徴とする
ものである。
とえば、手段１の構成を前提として、前記対向電圧信号
線と対向電極との電気的接続は、前記複数の絶縁層の間
に形成された画素電極を構成する導電層と同時に形成さ
れる他の導電層を介してなされていることを特徴とする
ものである。
【００１４】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１の構成を前提として、前記対向電圧信号
線と対向電極との電気的接続は、前記複数の絶縁層の間
に形成されたドレイン信号線を構成する導電層と同時に
形成される他の導電層を介してなされていることを特徴
とするものである。
とえば、手段１の構成を前提として、前記対向電圧信号
線と対向電極との電気的接続は、前記複数の絶縁層の間
に形成されたドレイン信号線を構成する導電層と同時に
形成される他の導電層を介してなされていることを特徴
とするものである。
【００１５】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１ないし３のうちいずれかの構成を前提と
して、前記対向電圧信号線と対向電極との電気的接続は
２箇所あるいはそれ以上の個所でなされていることを特
徴とするものである。
とえば、手段１ないし３のうちいずれかの構成を前提と
して、前記対向電圧信号線と対向電極との電気的接続は
２箇所あるいはそれ以上の個所でなされていることを特
徴とするものである。
【００１６】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電極は複数の絶縁層の積層体の下層に形成され、前
記画素電極は前記積層体の複数の絶縁層のうちの２つの
絶縁層の間に形成され前記ドレイン信号線の延在方向に
沿って延在され該方向に交差する方向に並設された複数
の電極群からなるとともに、前記対向電圧信号線は、非
透光性の導電体からなるとともに、前記複数の絶縁層の
積層体の上層に形成され、前記ゲート信号線およびドレ
イン信号線をも被って格子状パターンをなし、その一部
にて前記複数の絶縁層の積層体に形成されたスルーホー
ルを通して前記対向電極に電気的に接続されていること
を特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電極は複数の絶縁層の積層体の下層に形成され、前
記画素電極は前記積層体の複数の絶縁層のうちの２つの
絶縁層の間に形成され前記ドレイン信号線の延在方向に
沿って延在され該方向に交差する方向に並設された複数
の電極群からなるとともに、前記対向電圧信号線は、非
透光性の導電体からなるとともに、前記複数の絶縁層の
積層体の上層に形成され、前記ゲート信号線およびドレ
イン信号線をも被って格子状パターンをなし、その一部
にて前記複数の絶縁層の積層体に形成されたスルーホー
ルを通して前記対向電極に電気的に接続されていること
を特徴とするものである。
【００１７】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段５の構成を前提として、画素領域を平面的
に観た場合に、ドレイン信号線を被って形成された前記
対向電圧信号線とそれに隣接して配置される画素電極と
の間の距離は、互いに隣接して配置される画素電極との
間の距離よりも大きく設定されていることを特徴とする
ものである。
とえば、手段５の構成を前提として、画素領域を平面的
に観た場合に、ドレイン信号線を被って形成された前記
対向電圧信号線とそれに隣接して配置される画素電極と
の間の距離は、互いに隣接して配置される画素電極との
間の距離よりも大きく設定されていることを特徴とする
ものである。
【００１８】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段５、６のうちいずれかの構成を前提とし
て、画素領域を平面的に観た場合に、ドレイン信号線を
被って形成された前記対向電圧信号線とそれに隣接して
配置される画素電極との間の距離は、該対向電圧信号線
とそれに近接して配置される対向電極との間の距離より
も大きく設定されていることを特徴とするものである。
とえば、手段５、６のうちいずれかの構成を前提とし
て、画素領域を平面的に観た場合に、ドレイン信号線を
被って形成された前記対向電圧信号線とそれに隣接して
配置される画素電極との間の距離は、該対向電圧信号線
とそれに近接して配置される対向電極との間の距離より
も大きく設定されていることを特徴とするものである。
【００１９】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌある
いはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層の積
層体の下層に形成され、前記対向電極は、透光性の導電
体からなるとともに、前記複数の絶縁層の積層体の上層
に形成され、前記ゲート信号線およびドレイン信号線を
も被って格子状パターンをなし、その一部にて前記複数
の絶縁層の積層体に形成されたスルーホールを通して前
記対向電圧信号線に容量結合されていることを特徴とす
るものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌある
いはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層の積
層体の下層に形成され、前記対向電極は、透光性の導電
体からなるとともに、前記複数の絶縁層の積層体の上層
に形成され、前記ゲート信号線およびドレイン信号線を
も被って格子状パターンをなし、その一部にて前記複数
の絶縁層の積層体に形成されたスルーホールを通して前
記対向電圧信号線に容量結合されていることを特徴とす
るものである。
【００２０】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌある
いはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層の積
層体の下層に形成され、かつこの対向電圧信号線の少な
くとも一部の下層に該対向電圧信号線から露出された導
電材料層を備え、前記対向電極は、前記複数の絶縁層の
積層体の上層に形成され、前記ゲート信号線およびドレ
イン信号線をも被って格子状パターンをなし、その一部
にて前記複数の絶縁層の積層体に形成されたスルーホー
ルを通して前記導電材料層に電気的に接続されているこ
とを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設される複数のドレ
イン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動
されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基
準となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記
対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌある
いはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層の積
層体の下層に形成され、かつこの対向電圧信号線の少な
くとも一部の下層に該対向電圧信号線から露出された導
電材料層を備え、前記対向電極は、前記複数の絶縁層の
積層体の上層に形成され、前記ゲート信号線およびドレ
イン信号線をも被って格子状パターンをなし、その一部
にて前記複数の絶縁層の積層体に形成されたスルーホー
ルを通して前記導電材料層に電気的に接続されているこ
とを特徴とするものである。
【００２１】手段１０．本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段９の構成を前提として、対向電極は透光
性の導電層で構成されていることを特徴とするものであ
る。
たとえば、手段９の構成を前提として、対向電極は透光
性の導電層で構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００２２】手段１１．本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段９、１０のうちいずれかの構成を前提と
して、複数の絶縁層の前記積層体の２つの絶縁層の間に
ドレイン信号線が形成され、前記対向電極と導電材料層
との間に前記ドレイン信号線の材料と同一の材料層が介
在されていることを特徴とするものである。
たとえば、手段９、１０のうちいずれかの構成を前提と
して、複数の絶縁層の前記積層体の２つの絶縁層の間に
ドレイン信号線が形成され、前記対向電極と導電材料層
との間に前記ドレイン信号線の材料と同一の材料層が介
在されていることを特徴とするものである。
【００２３】なお、本発明は以上の構成に限定されず、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体構成》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す全体構成図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体構成》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す全体構成図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
【００２５】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
【００２６】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２７】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２８】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００２９】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００３０】この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【００３１】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００３２】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【００３３】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００３４】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３５】また、前記各対向電圧信号線ＣＬは図中右
側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬ
を超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構
成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基
準となる電圧が供給されるようになっている。
側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬ
を超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構
成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基
準となる電圧が供給されるようになっている。
【００３６】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
【００３７】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【００３８】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
【００３９】《画素構成》図１（ａ）は前記画素領域の
一実施例の構成を示す平面図である。また、図１（ｂ）
は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図、図１（ｃ）は
図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図、図１（ｄ）は図
１（ａ）のｄ−ｄ線における断面図である。
一実施例の構成を示す平面図である。また、図１（ｂ）
は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図、図１（ｃ）は
図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図、図１（ｄ）は図
１（ａ）のｄ−ｄ線における断面図である。
【００４０】各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
【００４１】そして、この画素領域内における透明基板
ＳＵＢ１の表面には透光性の導電材からなる対向電極Ｃ
Ｔが該画素領域の周辺の僅かな領域を除く中央部に形成
されている。透光性の導電材としては、たとえば、ITO
(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、I
ZO (Indium Zinc Oxide)、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が用
いられる。
ＳＵＢ１の表面には透光性の導電材からなる対向電極Ｃ
Ｔが該画素領域の周辺の僅かな領域を除く中央部に形成
されている。透光性の導電材としては、たとえば、ITO
(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、I
ZO (Indium Zinc Oxide)、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が用
いられる。
【００４２】このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電
極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には該ゲー
ト信号線ＧＬ等をも被ってたとえばＳｉＮからなる絶縁
膜ＧＩが形成されている。
極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には該ゲー
ト信号線ＧＬ等をも被ってたとえばＳｉＮからなる絶縁
膜ＧＩが形成されている。
【００４３】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
【００４４】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
【００４５】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型ト
ランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型ト
ランジスタを構成することができる。
【００４６】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【００４７】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
【００４８】また、このソース電極ＳＤ２は画素領域側
に若干延在されて後述する画素電極ＰＸとの電気的接続
を図るためのコンタクト部ＣＯＴが形成されている。
に若干延在されて後述する画素電極ＰＸとの電気的接続
を図るためのコンタクト部ＣＯＴが形成されている。
【００４９】そして、透明基板ＳＵＢ１の表面には前記
ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソー
ス電極ＳＤ２をも被って保護膜ＰＳＶ１が形成されてい
る。この保護膜ＰＳＶ１はたとえばＳｉＮ膜等の無機材
料層からなり、後述の保護膜ＰＳＶ２とともに、前記薄
膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させ
るようになっている。該薄膜トランジスタＴＦＴの液晶
との接触により特性が変化してしまうのを防止するため
である。
ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソー
ス電極ＳＤ２をも被って保護膜ＰＳＶ１が形成されてい
る。この保護膜ＰＳＶ１はたとえばＳｉＮ膜等の無機材
料層からなり、後述の保護膜ＰＳＶ２とともに、前記薄
膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させ
るようになっている。該薄膜トランジスタＴＦＴの液晶
との接触により特性が変化してしまうのを防止するため
である。
【００５０】この保護膜ＰＳＶ１の表面には、たとえば
透光性の導電材で形成される画素電極ＰＸが形成されて
いる。該透光性の導電材として、たとえば、ITO(Indium
TinOxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indiu
m Zinc Oxide)、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が用いられ
る。
透光性の導電材で形成される画素電極ＰＸが形成されて
いる。該透光性の導電材として、たとえば、ITO(Indium
TinOxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indiu
m Zinc Oxide)、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が用いられ
る。
【００５１】ここで、この画素電極ＰＸは、図中ほぼｘ
方向に延在しｙ方向に並設される多数の帯状の電極群か
ら構成されているが、各電極はその延在方向のほぼ中央
部に屈曲部を有する山型形状のパターンで形成されてい
る。
方向に延在しｙ方向に並設される多数の帯状の電極群か
ら構成されているが、各電極はその延在方向のほぼ中央
部に屈曲部を有する山型形状のパターンで形成されてい
る。
【００５２】このような画素電極ＰＸは、特にその辺端
部（エッヂ）において前記対向電極ＣＴとの間に電界を
生じせしめるようになっているが、上述のパターンとす
ることにより、いわゆるマルチドメイン方式を採用した
構成となっている。
部（エッヂ）において前記対向電極ＣＴとの間に電界を
生じせしめるようになっているが、上述のパターンとす
ることにより、いわゆるマルチドメイン方式を採用した
構成となっている。
【００５３】すなわち、液晶はその分子配列が同じ状態
でも、液晶表示パネルに入射する光の入射方向によって
透過光の偏光状態が変化するので、入射方向に対応して
光の透過率が異なってしまう。
でも、液晶表示パネルに入射する光の入射方向によって
透過光の偏光状態が変化するので、入射方向に対応して
光の透過率が異なってしまう。
【００５４】このような液晶表示パネルの視角依存性は
視角方向に対し視点を斜めに傾けると、輝度の逆転現象
を引き起こすことになり、カラー表示の場合に画像が色
づくという表示特性を有する。
視角方向に対し視点を斜めに傾けると、輝度の逆転現象
を引き起こすことになり、カラー表示の場合に画像が色
づくという表示特性を有する。
【００５５】このため、前記画素電極ＰＸをその延在方
向に少なくとも一つの屈曲部を形成したパターンとし、
さらにこのパターンを平行にシフトした形状で対向電極
ＣＴを形成し、これら各電極の屈曲点を結んだ仮想の線
を境にし一方の領域と他方の領域とで各電極間に作用す
る電界の方向を異ならしめ、これにより、視野角に依存す
る画像の色づきを補償するようにしている。
向に少なくとも一つの屈曲部を形成したパターンとし、
さらにこのパターンを平行にシフトした形状で対向電極
ＣＴを形成し、これら各電極の屈曲点を結んだ仮想の線
を境にし一方の領域と他方の領域とで各電極間に作用す
る電界の方向を異ならしめ、これにより、視野角に依存す
る画像の色づきを補償するようにしている。
【００５６】なお、この実施例では、対向電極ＣＴは画
素領域のほぼ全域にわたって形成されたものであるが、
そのうち実際に対向電極として機能するのは上述したよ
うに画素電極ＰＸを平行にシフトした部分となる。
素領域のほぼ全域にわたって形成されたものであるが、
そのうち実際に対向電極として機能するのは上述したよ
うに画素電極ＰＸを平行にシフトした部分となる。
【００５７】そして、画素電極ＰＸの電極群はそれらが
互いに電気的に接続されるために周辺において同一の材
料で一体に形成されるようになっている。このことか
ら、画素電極ＰＸは全体として画素領域の周辺の僅かな
領域を除く中央部に形成された導電層にそのｘ方向に延
在されｙ方向に並設された多数スリット（山形状スリッ
ト）を形成したパターンとして形成される。
互いに電気的に接続されるために周辺において同一の材
料で一体に形成されるようになっている。このことか
ら、画素電極ＰＸは全体として画素領域の周辺の僅かな
領域を除く中央部に形成された導電層にそのｘ方向に延
在されｙ方向に並設された多数スリット（山形状スリッ
ト）を形成したパターンとして形成される。
【００５８】また、このようなパターンの画素電極ＰＸ
の一部は前記保護膜ＰＳＶ１に予め形成されたスルーホ
ールを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ２のコンタクト部ＣＯＴに電気的接続がなされるよ
うになっている。
の一部は前記保護膜ＰＳＶ１に予め形成されたスルーホ
ールを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ２のコンタクト部ＣＯＴに電気的接続がなされるよ
うになっている。
【００５９】さらに、透明基板ＳＵＢ１の表面には該画
素電極ＰＸをも被って保護膜ＰＳＶ２が形成されてい
る。この保護膜ＰＳＶ２はたとえば樹脂からなる有機材
料からなっている。
素電極ＰＸをも被って保護膜ＰＳＶ２が形成されてい
る。この保護膜ＰＳＶ２はたとえば樹脂からなる有機材
料からなっている。
【００６０】この保護膜ＰＳＶ２は、前記保護膜ＰＳＶ
１とともに薄膜トランジスタＴＦＴの液晶の直接の接触
を回避する保護膜ＰＳＶとして機能することは上述した
通りであるが、その材料として有機材料を用いることで
表面を平坦化でき、その上方面に形成する配向膜のラビ
ング性を良好にできる。
１とともに薄膜トランジスタＴＦＴの液晶の直接の接触
を回避する保護膜ＰＳＶとして機能することは上述した
通りであるが、その材料として有機材料を用いることで
表面を平坦化でき、その上方面に形成する配向膜のラビ
ング性を良好にできる。
【００６１】さらに、この保護膜ＰＳＶ２の表面には前
記対向電極ＣＴに信号を供給するための対向電圧信号線
ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは電気
抵抗の小さい材料が選定され、このことから金属等が用
いられている。
記対向電極ＣＴに信号を供給するための対向電圧信号線
ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは電気
抵抗の小さい材料が選定され、このことから金属等が用
いられている。
【００６２】また、対向電圧信号線ＣＬは、ドレイン信
号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬを被うようにした格子
状パターンをなし、その開口部は画素領域の周辺の僅か
な部分を除いた中央部、すなわち実質的な画素領域を露
呈させるように形成されている。
号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬを被うようにした格子
状パターンをなし、その開口部は画素領域の周辺の僅か
な部分を除いた中央部、すなわち実質的な画素領域を露
呈させるように形成されている。
【００６３】このようなパターンで形成された対向電圧
信号線ＣＬは、前記液晶表示部ＡＲの周辺のうちいかな
る個所、および複数からでも対向電圧信号を供給するこ
とができる。このため、対向電圧信号線ＣＬにおける対
向電圧信号の波形歪みを無くすことことができ、スメ
ア、輝度傾斜の発生を低減させることができる。
信号線ＣＬは、前記液晶表示部ＡＲの周辺のうちいかな
る個所、および複数からでも対向電圧信号を供給するこ
とができる。このため、対向電圧信号線ＣＬにおける対
向電圧信号の波形歪みを無くすことことができ、スメ
ア、輝度傾斜の発生を低減させることができる。
【００６４】また、対向電圧信号線ＣＬの全体として電
気抵抗、給電抵抗を小さくできることから、いわゆるコ
モン反転駆動において、横スメアを１／３以下に低減さ
せることができるようなる。
気抵抗、給電抵抗を小さくできることから、いわゆるコ
モン反転駆動において、横スメアを１／３以下に低減さ
せることができるようなる。
【００６５】そして、ドレイン信号線ＤＬをその長手方
向に沿って被う対向電圧信号線ＣＬはその中心軸をほぼ
一致させて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅が大きく形成
されている。これにより、ドレイン信号線ＤＬからのノ
イズの原因となる電界を該対向電圧信号線ＣＬ側に終端
させ、画素電極ＰＸに終端させにくくしている。
向に沿って被う対向電圧信号線ＣＬはその中心軸をほぼ
一致させて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅が大きく形成
されている。これにより、ドレイン信号線ＤＬからのノ
イズの原因となる電界を該対向電圧信号線ＣＬ側に終端
させ、画素電極ＰＸに終端させにくくしている。
【００６６】この場合、ドレイン信号線ＤＬと対向電圧
信号線ＣＬとの間の寄生容量は、それらの間に介在され
る有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２によって大幅に低減
されるようになっている。このような保護膜ＰＳＶ２は
誘電率が小さいからである。
信号線ＣＬとの間の寄生容量は、それらの間に介在され
る有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２によって大幅に低減
されるようになっている。このような保護膜ＰＳＶ２は
誘電率が小さいからである。
【００６７】同様に、ドレイン信号線ＤＬをその長手方
向に沿って被う対向電圧信号線ＣＬもその中心軸をほぼ
一致させて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅が大きく形成
されている。
向に沿って被う対向電圧信号線ＣＬもその中心軸をほぼ
一致させて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅が大きく形成
されている。
【００６８】この場合、該対向電圧信号線ＣＬは薄膜ト
ランジスタＴＦＴも被うように形成されている。該対向
電圧信号線ＣＬは非透光性の金属で形成され、該薄膜ト
ランジスタＴＦＴに照射される外来光を遮光し、該薄膜
トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止できるからであ
る。
ランジスタＴＦＴも被うように形成されている。該対向
電圧信号線ＣＬは非透光性の金属で形成され、該薄膜ト
ランジスタＴＦＴに照射される外来光を遮光し、該薄膜
トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止できるからであ
る。
【００６９】なお、該対向電極信号線ＣＬは画素領域内
において画素電極ＰＸの一部と重畳する領域を有するよ
うになっており、この領域において、保護膜ＰＳＶ２を
誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
において画素電極ＰＸの一部と重畳する領域を有するよ
うになっており、この領域において、保護膜ＰＳＶ２を
誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
【００７０】この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
【００７１】そして、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
【００７２】なお、透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して配
置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフ
ィルタが形成されている。このカラーフィルタはたとえ
ば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青(Ｂ)の各色のフィルタからな
り、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色の
フィルタが共通に形成され、該画素領域群にｘ方向に順
次隣接する画素領域群に共通に赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、
青(Ｂ)色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成さ
れている。
置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフ
ィルタが形成されている。このカラーフィルタはたとえ
ば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青(Ｂ)の各色のフィルタからな
り、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色の
フィルタが共通に形成され、該画素領域群にｘ方向に順
次隣接する画素領域群に共通に赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、
青(Ｂ)色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成さ
れている。
【００７３】そして、カラーフィルタが形成された透明
基板の表面にはこれらカラーフィルタをも被って平坦化
膜が形成されている。この平坦化膜は塗布によって形成
できる樹脂膜からなり、該カラーフィルタの形成によっ
て顕在化する段差をなくすために設けられる。
基板の表面にはこれらカラーフィルタをも被って平坦化
膜が形成されている。この平坦化膜は塗布によって形成
できる樹脂膜からなり、該カラーフィルタの形成によっ
て顕在化する段差をなくすために設けられる。
【００７４】そして、この平坦化膜の表面には配向膜が
形成され、この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、そ
の表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初
期配向方向を決定づけるようになっている。
形成され、この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、そ
の表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初
期配向方向を決定づけるようになっている。
【００７５】ここで、この実施例では、透明基板ＳＵＢ
２の液晶側の面にはブラックマトリクスが形成されてい
ない構成となっている。透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面
に形成された対向電圧信号線ＣＬが該ブラックマトリク
スと同様の機能をもつようになるからである。これによ
り、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の合わ
せの精度を向上させることができるようになる。
２の液晶側の面にはブラックマトリクスが形成されてい
ない構成となっている。透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面
に形成された対向電圧信号線ＣＬが該ブラックマトリク
スと同様の機能をもつようになるからである。これによ
り、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の合わ
せの精度を向上させることができるようになる。
【００７６】実施例２．図３は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｂ）に対応し
た図となっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｂ）に対応し
た図となっている。
【００７７】図１（ｂ）の場合と比較して異なる構成
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとのスルーホー
ルＴＨを通しての接続において、画素電極ＰＸを構成す
る材料層と同一の導電層ＣＮＬを介在させていることに
ある。
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとのスルーホー
ルＴＨを通しての接続において、画素電極ＰＸを構成す
る材料層と同一の導電層ＣＮＬを介在させていることに
ある。
【００７８】すなわち、保護膜ＰＳＶ１の上面に画素電
極ＰＸを形成する際に、該保護膜ＰＳＶ１に形成したス
ルーホールＴＨ１を通して前記対向電極ＣＴと接続され
る導電層を同時に形成し、その後、保護膜ＰＳＶ２の上
面に形成された対向電圧信号線ＣＬを該保護膜ＰＳＶ２
に形成したスルーホールＴＨ２を通して前記導電層に接
続させることによって構成できる。
極ＰＸを形成する際に、該保護膜ＰＳＶ１に形成したス
ルーホールＴＨ１を通して前記対向電極ＣＴと接続され
る導電層を同時に形成し、その後、保護膜ＰＳＶ２の上
面に形成された対向電圧信号線ＣＬを該保護膜ＰＳＶ２
に形成したスルーホールＴＨ２を通して前記導電層に接
続させることによって構成できる。
【００７９】このようにした場合、対向電極ＣＴと対向
電圧信号線ＣＬとの接続部の接触面積の増大を図ること
ができ、接続を信頼性あるものとすることができる。
電圧信号線ＣＬとの接続部の接触面積の増大を図ること
ができ、接続を信頼性あるものとすることができる。
【００８０】実施例３．図４は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。
【００８１】図３の場合と比較して異なる構成は、対向
電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとのスルーホールＴＨを
通しての接続において、ドレイン信号線ＤＬを構成する
材料層と同一の導電層ＣＮＬを介在させていることにあ
る。
電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとのスルーホールＴＨを
通しての接続において、ドレイン信号線ＤＬを構成する
材料層と同一の導電層ＣＮＬを介在させていることにあ
る。
【００８２】対向電極ＣＴとして透光性の導電材を用
い、また、対向電圧信号線ＣＬとしてたとえばＡｌある
いはその合金を用いた場合、それらの接続抵抗は大きく
なることから、前記ドレイン信号線ＤＬとしてたとえば
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、他の高融点金属あるいはこれらを含む
合金等を用い、上述した構成とすることによって、対向
電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続抵抗の低減を図
った構成とすることができる。
い、また、対向電圧信号線ＣＬとしてたとえばＡｌある
いはその合金を用いた場合、それらの接続抵抗は大きく
なることから、前記ドレイン信号線ＤＬとしてたとえば
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、他の高融点金属あるいはこれらを含む
合金等を用い、上述した構成とすることによって、対向
電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続抵抗の低減を図
った構成とすることができる。
【００８３】実施例４．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。
【００８４】図３の場合と比較して異なる構成は、保護
膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩに形成するスルーホールＴ
Ｈ１と絶縁膜ＰＳＶ２に形成するスルーホールＴＨ２は
それらの中心軸を一致させることなく、それぞれ別な個
所に形成することにある。
膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩに形成するスルーホールＴ
Ｈ１と絶縁膜ＰＳＶ２に形成するスルーホールＴＨ２は
それらの中心軸を一致させることなく、それぞれ別な個
所に形成することにある。
【００８５】このようにした場合、有機材料からなる保
護膜ＰＳＶ２の表面は、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜Ｇ
ＩのスルーホールＴＨ１の形成個所においても平坦化さ
れるようになる。
護膜ＰＳＶ２の表面は、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜Ｇ
ＩのスルーホールＴＨ１の形成個所においても平坦化さ
れるようになる。
【００８６】このことは、保護膜ＰＳＶ２に形成される
凹陥部はスルーホールＴＨ２のみとなるが、その深さは
比較的浅いことから、該保護膜ＰＳＶ２の表面に形成さ
れる配向膜のラビング性を向上させることができる。
凹陥部はスルーホールＴＨ２のみとなるが、その深さは
比較的浅いことから、該保護膜ＰＳＶ２の表面に形成さ
れる配向膜のラビング性を向上させることができる。
【００８７】実施例５．図６は本発明による液晶表示装
置の他の実施例を示す構成図で、図１（ａ）に対応する
図となっている。
置の他の実施例を示す構成図で、図１（ａ）に対応する
図となっている。
【００８８】図１（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続を図る
部分が１個のみならず２個設けられていることにある。
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続を図る
部分が１個のみならず２個設けられていることにある。
【００８９】上述した構成から明らかなように、対向電
極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続は保護膜ＰＳＶ
２、ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩの比較的多層である積
層体に形成されたスルーホールＴＨを通して行なわなけ
ればならないことから、接続不良の発生を回避するため
の冗長構成となっている。
極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続は保護膜ＰＳＶ
２、ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩの比較的多層である積
層体に形成されたスルーホールＴＨを通して行なわなけ
ればならないことから、接続不良の発生を回避するため
の冗長構成となっている。
【００９０】一方のスルーホールは画素領域を囲む一方
のゲート信号線ＧＬに近接させて形成し、他方のスルー
ホールは他方のゲート信号線ＧＬに近接させて形成して
いる。
のゲート信号線ＧＬに近接させて形成し、他方のスルー
ホールは他方のゲート信号線ＧＬに近接させて形成して
いる。
【００９１】実施例６．図７（ａ）は本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１（ａ）と対
応した図となっている。また、図７（ｂ）は図７（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１（ａ）と対
応した図となっている。また、図７（ｂ）は図７（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。
【００９２】図１（ａ）の場合と比較して異なる構成は
画素電極ＰＸにあり、この画素電極ＰＸはｙ方向にほぼ
直線状に延在しｘ方向に並設された電極群から構成され
ていることにある。
画素電極ＰＸにあり、この画素電極ＰＸはｙ方向にほぼ
直線状に延在しｘ方向に並設された電極群から構成され
ていることにある。
【００９３】この場合においても、電極群からなる各画
素電極ＰＸはその上下端で互いに接続された構成となっ
ている。
素電極ＰＸはその上下端で互いに接続された構成となっ
ている。
【００９４】また、これら画素電極ＰＸをも被って保護
膜ＰＳＶ２が形成され、この保護膜ＰＳＶ２の上面にド
レイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬを被って形成
される対向電圧信号線ＣＬが形成されている。
膜ＰＳＶ２が形成され、この保護膜ＰＳＶ２の上面にド
レイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬを被って形成
される対向電圧信号線ＣＬが形成されている。
【００９５】このように構成した場合、前記対向電圧信
号線ＣＬの開口部の領域内に形成された各画素電極ＰＸ
のうちドレイン信号線ＤＬに隣接する画素領域は該対向
電圧信号線ＣＬにより近接させて配置でき、該対向電圧
信号線ＣＬに対向電極ＣＴの機能をもたせてそれらの間
に電界を発生せしめるようにできる。
号線ＣＬの開口部の領域内に形成された各画素電極ＰＸ
のうちドレイン信号線ＤＬに隣接する画素領域は該対向
電圧信号線ＣＬにより近接させて配置でき、該対向電圧
信号線ＣＬに対向電極ＣＴの機能をもたせてそれらの間
に電界を発生せしめるようにできる。
【００９６】このことから、前記対向電圧信号線ＣＬの
開口部の領域において無駄な領域を形成することなく、
画素領域とすることができ、その開口率を向上させるこ
とができる。
開口部の領域において無駄な領域を形成することなく、
画素領域とすることができ、その開口率を向上させるこ
とができる。
【００９７】すなわち、ドレイン信号線ＤＬからの電界
はその上部に形成された対向電圧信号線ＤＬ側にほぼ集
中的に終端され、該対向電圧信号線ＣＬの両側に放射状
に拡がってしまう分が減少することになる。このため、
該対向電圧信号線ＣＬの近傍においても表示に寄与でき
る画素領域として構成できるからである。
はその上部に形成された対向電圧信号線ＤＬ側にほぼ集
中的に終端され、該対向電圧信号線ＣＬの両側に放射状
に拡がってしまう分が減少することになる。このため、
該対向電圧信号線ＣＬの近傍においても表示に寄与でき
る画素領域として構成できるからである。
【００９８】また、上述した構成のようにすることによ
り、図７（ｂ）に対応する図である図８に示すように、
対向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電極ＰＸの距
離Ｗ１を各画素電極ＰＸの間の距離Ｗ２に対して異なっ
た値に設定するようにできるようになる。このことは、
たとえば画素電極ＰＸの本数が既に定められており、画
素領域間の距離を可変するような設定をするような場合
において、対向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電
極ＰＸの前記距離Ｗ１を調整することにより、最適な画
素構成を容易に実現することができる。
り、図７（ｂ）に対応する図である図８に示すように、
対向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電極ＰＸの距
離Ｗ１を各画素電極ＰＸの間の距離Ｗ２に対して異なっ
た値に設定するようにできるようになる。このことは、
たとえば画素電極ＰＸの本数が既に定められており、画
素領域間の距離を可変するような設定をするような場合
において、対向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電
極ＰＸの前記距離Ｗ１を調整することにより、最適な画
素構成を容易に実現することができる。
【００９９】さらに、対向電圧信号線ＣＬは誘電率の小
さな保護膜ＰＳＶ２の上面に形成されているため、該対
向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電極ＰＸとの間
の電界強度は、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間の電
界の強度よりも大きくなる。このため、画素内の輝度均
一化を図るためには、Ｗ１＞Ｗ２が望ましく、さらに前
記保護膜ＰＳＶ２の膜厚をｄとした場合、Ｗ１＞Ｗ２＋
ｄとすることが好ましい。
さな保護膜ＰＳＶ２の上面に形成されているため、該対
向電圧信号線ＣＬとそれに隣接する画素電極ＰＸとの間
の電界強度は、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間の電
界の強度よりも大きくなる。このため、画素内の輝度均
一化を図るためには、Ｗ１＞Ｗ２が望ましく、さらに前
記保護膜ＰＳＶ２の膜厚をｄとした場合、Ｗ１＞Ｗ２＋
ｄとすることが好ましい。
【０１００】さらに、ドレイン信号線ＤＬからのノイズ
をより低減させるには、図８に示すようにＷ１＞Ｗ３と
なるように設定することが望ましい。ここで、Ｗ３は対
向電圧信号線ＣＬに近接して配置される対向電極ＣＴと
の離間距離である。このように構成することによって、
ドレイン信号線ＤＬからのノイズ電界は、同じ電位であ
る対向電圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴのなす等電位
面に閉じ込められ、外部へのノイズ電界の漏出が抑制さ
れるからである。
をより低減させるには、図８に示すようにＷ１＞Ｗ３と
なるように設定することが望ましい。ここで、Ｗ３は対
向電圧信号線ＣＬに近接して配置される対向電極ＣＴと
の離間距離である。このように構成することによって、
ドレイン信号線ＤＬからのノイズ電界は、同じ電位であ
る対向電圧信号線ＣＬおよび対向電極ＣＴのなす等電位
面に閉じ込められ、外部へのノイズ電界の漏出が抑制さ
れるからである。
【０１０１】ここで、対向電圧信号線ＣＬはドレイン信
号線ＤＬに対してその走行方向に平行な辺がそれぞれ１
／３×Ｗ１以上にはみ出して形成することが好ましい。
号線ＤＬに対してその走行方向に平行な辺がそれぞれ１
／３×Ｗ１以上にはみ出して形成することが好ましい。
【０１０２】なお、上述した実施例において、各画素電
極ＰＸをその長手方向に一つあるいは複数の屈曲部を設
けることによってマルチドメイン方式を採用するように
してもよいことはもちろんである。この場合、これにと
もない、ドレイン信号線ＤＬおよび対向電圧信号線ＣＬ
をも画素電極ＰＸをｘ方向にシフトさせたように屈曲部
を有するパターンとすれば、上述した効果を奏すること
ができる。
極ＰＸをその長手方向に一つあるいは複数の屈曲部を設
けることによってマルチドメイン方式を採用するように
してもよいことはもちろんである。この場合、これにと
もない、ドレイン信号線ＤＬおよび対向電圧信号線ＣＬ
をも画素電極ＰＸをｘ方向にシフトさせたように屈曲部
を有するパターンとすれば、上述した効果を奏すること
ができる。
【０１０３】実施例７．図９（ａ）は本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図７（ａ）と対
応した図となっている。また、図９（ｂ）は図９（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図７（ａ）と対
応した図となっている。また、図９（ｂ）は図９（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を示している。
【０１０４】図７（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、まず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩ上にてドレイン信
号線ＤＬと同層に形成されている。
は、まず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩ上にてドレイン信
号線ＤＬと同層に形成されている。
【０１０５】そして、該画素電極ＰＸおよびドレイン信
号線ＤＬをも被って保護膜ＰＳＶ１、保護膜ＰＳＶ２が
順次形成され、該保護膜ＰＳＶ２の上面にドレイン信号
線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被って格子状パター
ンの対向電極ＣＴが形成されている。
号線ＤＬをも被って保護膜ＰＳＶ１、保護膜ＰＳＶ２が
順次形成され、該保護膜ＰＳＶ２の上面にドレイン信号
線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被って格子状パター
ンの対向電極ＣＴが形成されている。
【０１０６】さらに、この対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ
２、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩに貫通して形成さ
れたスルーホールＴＨを通して該絶縁膜ＧＩの下層とし
て形成された対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されて
いる。
２、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩに貫通して形成さ
れたスルーホールＴＨを通して該絶縁膜ＧＩの下層とし
て形成された対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されて
いる。
【０１０７】なお、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ（ドレ
イン信号線ＤＬ）はその走行方向に沿って複数の屈曲部
が形成されてマルチドメイン方式が採用されている。
イン信号線ＤＬ）はその走行方向に沿って複数の屈曲部
が形成されてマルチドメイン方式が採用されている。
【０１０８】この場合、対向電圧信号線ＣＬはゲート信
号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、それらはたとえ
ばＡｌあるいはその合金層からなるとともに、その表面
に陽極化成された酸化膜ＡＯが形成されたものが考えら
れる。
号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、それらはたとえ
ばＡｌあるいはその合金層からなるとともに、その表面
に陽極化成された酸化膜ＡＯが形成されたものが考えら
れる。
【０１０９】本実施例は、陽極化成された対向電圧信号
線ＣＬの一部を露呈させるようにして保護膜ＰＳＶ２、
保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩにスルーホールＴＨを
形成し、このスルーホールＴＨを被うようにして対向電
極ＣＴを形成していることにある。
線ＣＬの一部を露呈させるようにして保護膜ＰＳＶ２、
保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩにスルーホールＴＨを
形成し、このスルーホールＴＨを被うようにして対向電
極ＣＴを形成していることにある。
【０１１０】すなわち、対向電極ＣＴと対向電圧信号線
ＣＬとの電気的接続は前記酸化膜ＡＯを介した容量結合
によってなされており、これにより、該接続部における
酸化膜ＡＯの除去を特に行なわない構成としている。
ＣＬとの電気的接続は前記酸化膜ＡＯを介した容量結合
によってなされており、これにより、該接続部における
酸化膜ＡＯの除去を特に行なわない構成としている。
【０１１１】対向電極ＣＴは格子状のパターンからなる
ことから、この対向電極ＣＴから給電を行なうことがで
き、対向電圧信号線ＣＬには直接の給電を行なわなくて
もいわゆるコモン電位を安定化させる役割りを有する。
ことから、この対向電極ＣＴから給電を行なうことがで
き、対向電圧信号線ＣＬには直接の給電を行なわなくて
もいわゆるコモン電位を安定化させる役割りを有する。
【０１１２】このことから、他の実施例とし、図１０に
示すように、陽極化成された対向電圧信号線ＣＬと対向
電極ＣＴとの電気的接続部の間にさらにドレイン信号線
ＤＬと同一の導電層ＣＮＬを介在させるようにしてもよ
いことはもちろんである。
示すように、陽極化成された対向電圧信号線ＣＬと対向
電極ＣＴとの電気的接続部の間にさらにドレイン信号線
ＤＬと同一の導電層ＣＮＬを介在させるようにしてもよ
いことはもちろんである。
【０１１３】また、このような容量結合の構成を行なっ
た場合、対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴとをそれぞ
れ材料を異にするようにしてもよい。それらの間に応力
が発生し結合部でクラックが発生しても直接的な電気的
接続が図れるからである。
た場合、対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴとをそれぞ
れ材料を異にするようにしてもよい。それらの間に応力
が発生し結合部でクラックが発生しても直接的な電気的
接続が図れるからである。
【０１１４】実施例８．図１１（ａ）は本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図９（ａ）と
対応した図となっている。また、図１１（ｂ）は図１１
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。
晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図９（ａ）と
対応した図となっている。また、図１１（ｂ）は図１１
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。
【０１１５】図９（ａ）の場合と比較して、対向電圧信
号線ＣＬはＡｌ（あるいはＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｒ、Ｓｉまたはこれらの一もしくは複数との合金）で構
成され、その表面には陽極化成による酸化膜ＡＯが形成
されているのは同様であるが、その一部の下層にＡｌあ
るいはその合金以外にの他の導電層（たとえばＣｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒあるいはこれらの一もしくは複数の
合金）ＣＮＬが形成され、かつ対向電圧信号線ＣＬの形
成領域以外の領域にまで延在されて形成されていること
にある。
号線ＣＬはＡｌ（あるいはＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｒ、Ｓｉまたはこれらの一もしくは複数との合金）で構
成され、その表面には陽極化成による酸化膜ＡＯが形成
されているのは同様であるが、その一部の下層にＡｌあ
るいはその合金以外にの他の導電層（たとえばＣｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒあるいはこれらの一もしくは複数の
合金）ＣＮＬが形成され、かつ対向電圧信号線ＣＬの形
成領域以外の領域にまで延在されて形成されていること
にある。
【０１１６】この導電層ＣＮＬの該延在部は対向電極Ｃ
Ｔとのコンタクト部として機能するようになっている。
前記対向電圧信号線ＣＬを陽極化成しても、前記金属層
は陽極化成されることはなく、該対向電圧信号線ＣＬと
充分に電気的接続が図れる端子部を形成できるからであ
る。
Ｔとのコンタクト部として機能するようになっている。
前記対向電圧信号線ＣＬを陽極化成しても、前記金属層
は陽極化成されることはなく、該対向電圧信号線ＣＬと
充分に電気的接続が図れる端子部を形成できるからであ
る。
【０１１７】なお、前記導電層ＣＮＬは前記延在部を除
く部分において対向電圧信号線ＣＬの形成領域の全域に
形成されていてもよいことはもちろんである。換言すれ
ば、前記導電層ＣＮＬは対向電圧信号線ＣＬと同パター
ンでしかもその一部において延在部が形成されたパター
ンとして形成されるようにしてもよい。
く部分において対向電圧信号線ＣＬの形成領域の全域に
形成されていてもよいことはもちろんである。換言すれ
ば、前記導電層ＣＮＬは対向電圧信号線ＣＬと同パター
ンでしかもその一部において延在部が形成されたパター
ンとして形成されるようにしてもよい。
【０１１８】図１２は、本発明による液晶表示装置の他
の実施例を示す断面図で、図１１（ｂ）に対応した図と
なっている。
の実施例を示す断面図で、図１１（ｂ）に対応した図と
なっている。
【０１１９】前記導電層ＣＮＬと対向電極ＣＴとの間に
ドレイン信号線ＤＬの材料層と同一の導電層ＣＮＬ２を
介して接続を図った構成としたものである。
ドレイン信号線ＤＬの材料層と同一の導電層ＣＮＬ２を
介して接続を図った構成としたものである。
【０１２０】このようにした場合、前記金属層と対向電
極ＣＴとの接触面積を増大でき、接続の信頼性を向上さ
せることができる。
極ＣＴとの接触面積を増大でき、接続の信頼性を向上さ
せることができる。
【０１２１】実施例９．上記実施例８に示した構成の他
の実施例として、前記金属層をＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光
性の導電層に代えて構成してもよい。
の実施例として、前記金属層をＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光
性の導電層に代えて構成してもよい。
【０１２２】このようにした場合、対向電極ＣＴも透光
性の導電層であることから、それらの接続部においてた
とえ面積を増大させても、画素領域の開口率を低減させ
るようなことにはならないという効果を奏する。
性の導電層であることから、それらの接続部においてた
とえ面積を増大させても、画素領域の開口率を低減させ
るようなことにはならないという効果を奏する。
【０１２３】実施例１０．図１３（ａ）は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す断面図で、図１１
（ａ）に対応した図となっている。図１３（ｂ）は図１
３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
る液晶表示装置の他の実施例を示す断面図で、図１１
（ａ）に対応した図となっている。図１３（ｂ）は図１
３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【０１２４】図１１（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの電気接続部
において、該対向電圧信号線ＣＬの表面に形成されてい
る酸化膜ＡＯを、その陽極化成時に、部分的に形成され
ないようにして構成したものである。
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの電気接続部
において、該対向電圧信号線ＣＬの表面に形成されてい
る酸化膜ＡＯを、その陽極化成時に、部分的に形成され
ないようにして構成したものである。
【０１２５】すなわち、対向電圧信号線ＣＬが形成され
た透明基板ＳＵＢ１ごと電界溶液中に浸漬させ、該対向
電圧信号線ＣＬを一方の電極、該電界溶液中に浸漬され
た別個の他の電極板を他方の電極として電圧を印加する
ことにより（陽極化成）、該対向電圧信号線ＣＬの表面
に陽極酸化膜を形成させている。
た透明基板ＳＵＢ１ごと電界溶液中に浸漬させ、該対向
電圧信号線ＣＬを一方の電極、該電界溶液中に浸漬され
た別個の他の電極板を他方の電極として電圧を印加する
ことにより（陽極化成）、該対向電圧信号線ＣＬの表面
に陽極酸化膜を形成させている。
【０１２６】この場合、該対向電圧信号線ＣＬの対向電
極ＣＴとの接続個所において、レジスト膜を選択的に形
成した状態で陽極化成を行なう。この陽極化成が終了し
た段階で該レジスト膜を除去することで、その部分にＡ
ｌあるいはその合金の表面が露出した対向電圧信号線Ｃ
Ｌを得ることができる。
極ＣＴとの接続個所において、レジスト膜を選択的に形
成した状態で陽極化成を行なう。この陽極化成が終了し
た段階で該レジスト膜を除去することで、その部分にＡ
ｌあるいはその合金の表面が露出した対向電圧信号線Ｃ
Ｌを得ることができる。
【０１２７】なお、前記レジストの形成は、ホトレジス
トを全面に形成した後、マスク露光により露光し、不要
部のレジストを除去する通常の露光処理で行なう。
トを全面に形成した後、マスク露光により露光し、不要
部のレジストを除去する通常の露光処理で行なう。
【０１２８】この場合、対向電極ＣＴは、対向電圧信号
線ＣＬ上の酸化膜ＡＯの除去部のみでなくその周辺の酸
化膜ＡＯ形成領域上にも形成された構成とすることが望
ましい。
線ＣＬ上の酸化膜ＡＯの除去部のみでなくその周辺の酸
化膜ＡＯ形成領域上にも形成された構成とすることが望
ましい。
【０１２９】さもないと、化成されていないＡｌあるい
はその合金が直接絶縁膜ＧＩと相対することになり、い
わゆるヒロック発生の懸念があるからである。
はその合金が直接絶縁膜ＧＩと相対することになり、い
わゆるヒロック発生の懸念があるからである。
【０１３０】実施例１１．図１４は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す断面図で、図１３（ｂ）に
対応した図となっている。
表示装置の他の実施例を示す断面図で、図１３（ｂ）に
対応した図となっている。
【０１３１】図１３（ｂ）の場合と比較して異なる構成
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続におい
て、絶縁膜ＧＩ上に形成されているドレイン信号線ＤＬ
の材料と同一の導電層ＣＮＬを介在させるようにしたこ
とにある。
は、対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬとの接続におい
て、絶縁膜ＧＩ上に形成されているドレイン信号線ＤＬ
の材料と同一の導電層ＣＮＬを介在させるようにしたこ
とにある。
【０１３２】このようにした場合、対向電圧信号線ＣＬ
のＡｌあるいはその合金とＩＴＯ等の透光性の導電層と
の直接の接続を回避でき、接続抵抗の増大を抑制するこ
とができるようになる。透光性の前記導電層は酸化物で
あるため、Ａｌあるいはその合金と直接に接触させた場
合、該Ａｌあるいはその合金が酸化されてしまうため、
接続抵抗が増大してしまうからである。
のＡｌあるいはその合金とＩＴＯ等の透光性の導電層と
の直接の接続を回避でき、接続抵抗の増大を抑制するこ
とができるようになる。透光性の前記導電層は酸化物で
あるため、Ａｌあるいはその合金と直接に接触させた場
合、該Ａｌあるいはその合金が酸化されてしまうため、
接続抵抗が増大してしまうからである。
【０１３３】実施例１２．図１５（ａ）ないし（ｃ）は
本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図で
ある。
本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図で
ある。
【０１３４】各図は対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴ
との接続を、たとえば図１５（ａ）では各画素ごとに、
図１５（ｂ）では隣接する複数の画素においてその一つ
の画素ごとに、図１５（ｃ）ではカラー表示用の３画素
においてその一つの画素ごとに設けていることにある。
との接続を、たとえば図１５（ａ）では各画素ごとに、
図１５（ｂ）では隣接する複数の画素においてその一つ
の画素ごとに、図１５（ｃ）ではカラー表示用の３画素
においてその一つの画素ごとに設けていることにある。
【０１３５】上述したように、対向電圧信号線ＣＬある
いは対向電極ＣＴは各画素領域を画するようにした格子
状のパターンとなっていることから、それらの接続にお
いては場所的にも数的にも任意なものとして設定するこ
とができる。
いは対向電極ＣＴは各画素領域を画するようにした格子
状のパターンとなっていることから、それらの接続にお
いては場所的にも数的にも任意なものとして設定するこ
とができる。
【０１３６】しかし、対向電圧信号線ＣＬと対向電極Ｃ
Ｔとの接続を輝度の比較的高い画素内に位置づけること
により、該輝度への影響を防止することができる。
Ｔとの接続を輝度の比較的高い画素内に位置づけること
により、該輝度への影響を防止することができる。
【０１３７】また、透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ
２との間にいずれかの基板に形成したいわゆる支柱状の
スペーサを設ける場合において、該スペーサを形成する
画素領域と、対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴとの接
続を図る画素領域とを別個にするようにしてもよい。
２との間にいずれかの基板に形成したいわゆる支柱状の
スペーサを設ける場合において、該スペーサを形成する
画素領域と、対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴとの接
続を図る画素領域とを別個にするようにしてもよい。
【０１３８】この場合、特定が素領域の立体構造が他の
画素に比べ相対的に複雑になることを抑制でき、立体構
造の差による予期せぬ不良が特定画素にのみ発生するよ
うな憂いを予め回避できる。
画素に比べ相対的に複雑になることを抑制でき、立体構
造の差による予期せぬ不良が特定画素にのみ発生するよ
うな憂いを予め回避できる。
【０１３９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、画素領域の開口率
を向上させることができる。また、対向電極と対向電圧
信号線の信頼性ある接続を図ることができる。
本発明による液晶表示装置によれば、画素領域の開口率
を向上させることができる。また、対向電極と対向電圧
信号線の信頼性ある接続を図ることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
ＳＵＢ１…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレ
イン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラ
ンジスタ、Ｃｓｔｇ…容量素子、ＰＸ…画素電極、ＣＴ
…対向電極、ＣＮＬ…導電層、ＧＩ…絶縁膜（ゲート絶
縁膜）、ＰＳＶ１…保護膜（無機材料）、ＰＳＶ２…保
護膜（有機材料）。
イン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラ
ンジスタ、Ｃｓｔｇ…容量素子、ＰＸ…画素電極、ＣＴ
…対向電極、ＣＮＬ…導電層、ＧＩ…絶縁膜（ゲート絶
縁膜）、ＰＳＶ１…保護膜（無機材料）、ＰＳＶ２…保
護膜（有機材料）。
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Ｆターム(参考） 2H092 GA06 GA14 GA17 GA25 GA26
GA29 HA04 JA24 JB16 JB58
NA07
Claims (11)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動されるスイッチング素子と、このスイッチング
素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給され
る画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に
対して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、 前記対向電極は、複数の絶縁層の積層体の下層に形成さ
れ、 前記対向電圧信号線は、非透光性の導電体からなるとと
もに、前記複数の絶縁層の積層体の上層に形成され、前
記ゲート信号線およびドレイン信号線をも被って格子状
パターンをなし、その一部にて前記複数の絶縁層の積層
体に形成されたスルーホールを通して前記対向電極に電
気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記対向電圧信号線と対向電極との電気
的接続は、前記複数の絶縁層の間に形成された画素電極
を構成する導電層と同時に形成される他の導電層を介し
てなされていることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３】 前記対向電圧信号線と対向電極との電気
的接続は、前記複数の絶縁層の間に形成されたドレイン
信号線を構成する導電層と同時に形成される他の導電層
を介してなされていることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記対向電圧信号線と対向電極との電気
的接続は２箇所あるいはそれ以上の個所でなされている
ことを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれかに記
載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動されるスイッチング素子と、このスイッチング
素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給され
る画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に
対して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、 前記対向電極は複数の絶縁層の積層体の下層に形成さ
れ、前記画素電極は前記積層体の複数の絶縁層のうちの
２つの絶縁層の間に形成され前記ドレイン信号線の延在
方向に沿って延在され該方向に交差する方向に並設され
た複数の電極群からなるとともに、 前記対向電圧信号線は、非透光性の導電体からなるとと
もに、前記複数の絶縁層の積層体の上層に形成され、前
記ゲート信号線およびドレイン信号線をも被って格子状
パターンをなし、その一部にて前記複数の絶縁層の積層
体に形成されたスルーホールを通して前記対向電極に電
気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 画素領域を平面的に観た場合に、ドレイ
ン信号線を被って形成された前記対向電圧信号線とそれ
に隣接して配置される画素電極との間の距離は、互いに
隣接して配置される画素電極との間の距離よりも大きく
設定されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項７】 画素領域を平面的に観た場合に、ドレイ
ン信号線を被って形成された前記対向電圧信号線とそれ
に隣接して配置される画素電極との間の距離は、該対向
電圧信号線とそれに近接して配置される対向電極との間
の距離よりも大きく設定されていることを特徴とする請
求項５、６のうちいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動されるスイッチング素子と、このスイッチング
素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給され
る画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に
対して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、 前記対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌ
あるいはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層
の積層体の下層に形成され、 前記対向電極は、透光性の導電体からなるとともに、前
記複数の絶縁層の積層体の上層に形成され、前記ゲート
信号線およびドレイン信号線をも被って格子状パターン
をなし、その一部にて前記複数の絶縁層の積層体に形成
されたスルーホールを通して前記対向電圧信号線に容量
結合されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設される複数
のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によ
って作動されるスイッチング素子と、このスイッチング
素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給され
る画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に
対して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
れ、 前記対向電圧信号線は、その表面が陽極化成されたＡｌ
あるいはその合金から構成されるとともに複数の絶縁層
の積層体の下層に形成され、かつこの対向電圧信号線の
少なくとも一部の下層に該対向電圧信号線から露出され
た導電材料層を備え、 前記対向電極は、前記複数の絶縁層の積層体の上層に形
成され、前記ゲート信号線およびドレイン信号線をも被
って格子状パターンをなし、その一部にて前記複数の絶
縁層の積層体に形成されたスルーホールを通して前記導
電材料層に電気的に接続されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１０】 対向電極は透光性の導電層で構成され
ていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１１】 複数の絶縁層の前記積層体の２つの絶
縁層の間にドレイン信号線が形成され、前記対向電極と
導電材料層との間に前記ドレイン信号線の材料と同一の
材料層が介在されていることを特徴とする請求項９，１
０のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396509A JP4162890B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 液晶表示装置 |
| US10/328,027 US6784964B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-26 | Liquid crystal display device |
| US10/926,183 US7084948B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-08-26 | Liquid crystal display device having counter electrode covering the plurality of drain signal lines |
| US11/489,620 US7453540B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-07-20 | Liquid crystal display device with particular electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396509A JP4162890B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 液晶表示装置 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001396509A Expired - Fee Related JP4162890B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6784964B2 (ja) |
| JP (1) | JP4162890B2 (ja) |
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| CN104122728A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-10-29 | 深超光电（深圳）有限公司 | 液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
| US8953134B2 (en) | 2011-01-20 | 2015-02-10 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display panel |
| US9977287B2 (en) | 2008-12-19 | 2018-05-22 | Japan Display Inc. | Liquid crystal panel with pixel electrode pattern bent at bend point, and electronic apparatus |
| JP2020197754A (ja) * | 2005-12-05 | 2020-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
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