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JP2002131767A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Publication number
JP2002131767A
JP2002131767A JP2000328666A JP2000328666A JP2002131767A JP 2002131767 A JP2002131767 A JP 2002131767A JP 2000328666 A JP2000328666 A JP 2000328666A JP 2000328666 A JP2000328666 A JP 2000328666A JP 2002131767 A JP2002131767 A JP 2002131767A
Authority
JP
Japan
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signal line
liquid crystal
counter electrode
electrode
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000328666A
Other languages
English (en)
Inventor
Nagatoshi Kurahashi
永年 倉橋
Masahiro Ishii
正宏 石井
Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000328666A priority Critical patent/JP2002131767A/ja
Priority to US09/977,352 priority patent/US6600541B2/en
Priority to KR10-2001-0065234A priority patent/KR100449569B1/ko
Priority to TW090126276A priority patent/TW538292B/zh
Priority to CNB011375353A priority patent/CN1178195C/zh
Publication of JP2002131767A publication Critical patent/JP2002131767A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号線の影響による光漏れを防止。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動されるスイッチング素子
と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、前記対
向電極は絶縁膜を介して画素電極の上層に形成されてい
るとともに、この対向電極と同層であって、少なくとも
前記絶縁膜の下層にある前記ドレイン信号線およびゲー
ト信号線のうち少なくとも一方の信号線上に少なくとも
該信号線に重畳される導電層が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液
晶側の各画素領域に画素電極と対向電極とが形成され、
これら各電極の間に発生する電界のうち基板にほぼ平行
な方向の成分によって、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。
【０００３】そして、このような液晶表示装置のうち、
画素電極と対向電極とを絶縁膜を介して異なる層に形成
し、一方の電極を画素領域のほぼ全域に形成された透明
電極として形成するとともに、他方の電極を該画素領域
のほぼ全域にわたって一方向に延在し該方向に並設する
方向に並設された複数のストライプ状の透明電極として
形成したものが知られるに到っている。
【０００４】このような技術としては、たとえば、K.Ta
rumi, M.Bremer, and B.Schuler, IEICE TRANS.ELECTRO
N., VOL. E79-C NO.8, pp. 1035-1039, AUGUST 1996 に
詳述されている。
【０００５】なお、このような液晶表示装置にはいわゆ
るアクティブ・マトリクス方式が適用され、たとえばｘ
方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線とｙ方
向に延在されｘ方向に並設されるゲート信号線とで囲ま
れる各画素領域に、一方のゲート信号線からの走査信号
の供給によって駆動されるスイッチング素子と、このス
イッチング素子を介して一方のドレイン信号線からの映
像信号が供給される画素電極とが備えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような液
晶表示装置は、ドレイン信号線あるいはゲート信号線と
それに隣接して配置される電極との間に生じてしまう電
界によって液晶が駆動することによる光漏れが発生する
ことが知られている。
【０００７】この対策としては、該光漏れによる光を対
向する他方の透明基板側に形成されるブラックマトリク
スによって遮光する等の方法があるが、該ブラックマト
リクスの幅をある程度確保しなければならず画素の開口
率を低下させてしまう等の不都合を免れず、他の方法に
よる解決が望まれていた。
【０００８】また、スイッチング素子である薄膜トラン
ジスタは、基板側からゲート信号線に接続されるゲート
電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ドレイン信号線と接続
されるドレイン電極および画素電極と接続されるソース
電極の積層体から構成されているが、半導体層の各電極
の形成された面側において電荷が不規則にチャージされ
やすく（バックチャネルと称す）、該薄膜 トランジス
タの特性にバラツキが生じてしまうということが指摘さ
れていた。
【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は信号線の影響による光漏れを防
止した液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】また、本発明の他の目的は、バックチャネ
ルの発生しない特性の安定した薄膜トランジスタを備え
る液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００１２】本発明による液晶表示装置は、たとえば、
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の該
液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供
給により駆動されるスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせ
しめる対向電極とが備えられ、前記対向電極は絶縁膜を
介して画素電極の上層に形成されているとともに、この
対向電極と同層であって、少なくとも前記絶縁膜の下層
にある前記ドレイン信号線およびゲート信号線のうち少
なくとも一方の信号線上に少なくとも該信号線に重畳さ
れる導電層が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１３】このように構成された液晶表示装置によれ
ば、前記導電層が遮光膜の機能を有するようにでき、信
号線の影響による光漏れを防止できるようになる。
【００１４】そして、この遮光膜は信号線が形成されて
いる基板側に形成することから、該光漏れを防止できる
に足る幅で形成でき、その幅を比較的小さく設定できる
ようになる。
【００１５】また、ゲート信号線を被うようにして前記
導電層を形成した場合、この導電層はゲート信号線に重
畳されて形成される薄膜トランジスタをも被って（絶縁
膜を介して）形成されることになる。
【００１６】これにより、薄膜トランジスタ上の前記絶
縁膜に電荷が存在した場合、前記導電層によって、該電
荷の分布の安定化が図れ、該薄膜トランジスタにおいて
バックチャネルの発生しない安定した特性が得られるよ
うになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１８】実施例１． 《等価回路》図２は本発明による液晶表示装置の等価回
路を示す図である。同図は等価回路であるが、実際の幾
何学配置に対応した図となっている。
【００１９】同図において、透明基板ＳＵＢ１があり、
この透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して他の透明基板ＳＵ
Ｂ２と対向して配置されている。
【００２０】前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、
図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線Ｇ
Ｌと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在
しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成さ
れ、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域
となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを
構成するようになっている。
【００２１】また、各ゲート信号線ＧＬの間には該ゲー
ト信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線ＣＬが
形成されている。これら各対向電圧信号線ＣＬは後述す
る映像信号に対して基準となる信号（電圧）が供給され
るようになっており、各画素領域において後述する対向
電極ＣＴと接続されるようになっている。
【００２２】各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００２３】また、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬ
との間には容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素子
Ｃｓｔｇによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフ
した際に、画素電極ＰＸに供給された映像信号を長く蓄
積させるようになっている。
【００２４】各画素領域における画素電極ＰＸは、この
画素電極ＰＸと隣接する対向電極ＣＴとの間に透明基板
ＳＵＢ１に対してほぼ平行な成分を有する電界を発生せ
しめるようになっており、これにより対応する画素領域
の液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００２５】各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一
辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板
ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積
回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成
され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板Ｓ
ＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は
該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路から
なる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子
部ＤＴＭが形成されている。
【００２６】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれ
ぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載され
たもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と
称されている。
【００２７】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力
側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部Ｇ
ＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになってお
り、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介
して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分
にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続
されるようになっている。
【００２８】また、各対向電圧信号線ＣＬの一端（右
端）は、それぞれ共通に接続されて透明基板ＳＵＢ１の
端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続されている。
【００２９】前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積
回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板Ｓ
ＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さ
な面積となっている。
【００３０】そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基
板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成
されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬ
は透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機
能も兼ねている。
【００３１】なお、上述した説明では、ＣＯＧ方式を用
いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発
明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、
ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式
によって形成されたもので、その出力端子が透明基板Ｓ
ＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透
明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の
端子部に接続されるようになっている。
【００３２】《画素の構成》図３は本発明による液晶表
示装置の画素の一実施例を示す構成図で、図２の点線枠
Ａに囲まれた部分を示す平面図となっている。また、同
図のI−I線における断面図を図１に、IV−IV線における
断面図を図４に、V−V線における断面図を図５に示して
いる。
【００３３】なお、この実施例の液晶表示装置は、その
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１
とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない場合には
黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成となっ
ており、このノーマリブラックモードは液晶の特性（こ
の実施例ではたとえばｐ型）、画素電極ＰＸと対向電極
ＣＴとの間の電界の方向、配向膜ＯＲＩのラビング方
向、偏光板ＰＯＬの偏光透過軸方向によって設定できる
ようになっている。
【００３４】まず、透明基板ＳＵＢ１の表面であって画
素領域の下側には図中ｘ方向に延在するゲート信号線Ｇ
Ｌが形成されている。このゲート信号線ＧＬはたとえば
Ｃｒあるいはその合金からなっている。
【００３５】このゲート信号線ＧＬは、該画素領域の上
側に位置づけられる画素領域の対応するゲート信号線
（図示せず）、後述するドレイン信号線ＤＬ、該画素領
域の右側に位置づけられる画素領域の対応するドレイン
信号線とともに、該画素領域を囲むようにして形成され
ている。
【００３６】また、各ゲート信号線ＧＬの間には該ゲー
ト信号線ＧＬと平行に走行する対向電圧信号線ＣＬが形
成されている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえばゲー
ト信号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、たとえばＣ
ｒあるいはその合金からなっている。
【００３７】この対向電圧信号線ＣＬは図２では一方の
ゲート信号線ＧＬに近接して配置されているが、この実
施例では画素領域のほぼ中央を通るようにして形成され
ている。このようにした場合、該対向電圧信号線ＣＬと
ゲート信号線ＧＬとの接続を確実に回避でき、製造の歩
留まりを向上させることができる。
【００３８】このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電
圧信号線ＣＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には
このゲート信号線ＧＬ等をも被って、たとえばＳｉＮ等
からなる絶縁膜ＧＩが形成されている（図１、図４、図
５参照）。
【００３９】この絶縁膜ＧＩは、前記ゲート信号線Ｇ
Ｌ、対向電圧信号線ＣＬに対しては後述のドレイン信号
線ＤＬとの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴに対してはそのゲート絶縁膜としての機
能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇに対してはその誘電体膜
としての機能を有するようになっている。
【００４０】そして、前記絶縁膜ＧＩの上面であってゲ
ート信号線ＧＬと重畳する部分にたとえばアモルファス
Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳが形成されてい
る。
【００４１】この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの半導体層となり、この上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することによって、ゲート
信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭ
ＩＳ型トランジスタが形成されるようになっている。
【００４２】なお、この半導体層ＡＳは薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域ばかりでなく、後述のドレイン信号
線ＤＬの形成領域にも形成されている。該ドレイン信号
線ＤＬのゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに
対する層間絶縁膜としての機能を前記絶縁膜ＧＩととも
にもたせるためである。
【００４３】薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｓ
Ｄ１はドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるようにな
っており、ソース電極ＳＤ２は画素電極ＰＸと同時に形
成されるようになっている。
【００４４】すなわち、前記絶縁膜ＧＩ上にて図中ｙ方
向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成され、この際
に、その一部が前記半導体層ＡＳの上面まで延在させる
ことによってドイレン電極ＳＤ１が形成されている。こ
れらドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１はた
とえばＣｒあるいはその合金によって形成されている。
【００４５】また、画素領域の僅かな幅の周辺を除いた
中央部には、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された
複数（図では３本）の画素電極ＰＸが形成され、これら
各画素電極ＰＸは前記対向電圧信号線ＣＬ上で互いに接
続されたパターンとなっていることによって電気的に接
続されている。これら画素電極ＰＸはたとえばドレイン
信号線ＤＬの形成の際に同時に形成され、たとえばＣｒ
あるいはその合金からなっている。
【００４６】なお、これら各画素電極ＰＸはその延在方
向に沿って幾つかの屈曲部を有してジグザグ状となって
いるが、これに関しては後述の対向電極を説明する際に
説明する。
【００４７】そして、各画素電極ＰＸのうち前記薄膜ト
ランジスタＴＦＴに近接する画素電極ＰＸがその一端に
て前記半導体層ＡＳの上面まで延在させることによって
ソース電極ＳＤ１が形成されている。
【００４８】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレ
イン信号線ＤＬ、画素電極ＰＸが形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面には該薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被っ
て、たとえばＳｉＮ等からなる無機膜ＰＳＶ１および樹
脂膜等からなる有機膜ＰＳＶ２の順次積層体からなる保
護膜ＰＳＶが形成されている（図１、図４、図５参
照）。この保護膜ＰＳＶは主として薄膜トランジスタＴ
ＦＴの液晶ＬＣとの直接の接触を回避させるために形成
されている。
【００４９】保護膜ＰＳＶの一部として樹脂膜等からな
る有機膜ＰＳＶ２を用いているのは、該有機膜ＰＳＶ２
の誘電体率が小さいことから、該保護膜ＰＳＶの下層に
位置づけられる電極あるいは信号線と該保護膜ＰＳＶの
上層に位置づけられる電極あるいは信号線との間に生じ
る容量を小さくさせるためである。まず、有機膜ＰＳＶ
２は、該無機膜ＰＳＶ１と比較して厚膜化が容易であ
り、無機膜ＰＳＶ１と比較して平坦な表面を得ることが
容易である。そのため、透明基板ＳＵＢ１上の配線等の
端部の段差が原因で生じる配向膜の塗布不良や、ラビン
グ時の陰による初期配向不良、液晶のスイッチング異常
（ドメイン）を防止する効果がある。
【００５０】そして、この保護膜ＰＳＶの上面には図中
ｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数（図では２本）
の対向電極ＣＴが形成され、この対向電極ＣＴは前述し
た各該電極ＰＸと隙間を有して交互に配置されるように
して形成されている。この対向電極ＣＴはたとえばＩＴ
Ｏ（Indium-Tin-Oｘide）膜あるいはＩＺＯ（Indium-Zi
nc-Oｘide）膜等のような透明の導電膜から形成されて
いる。
【００５１】これら各対向電極ＣＴは、前記対向電圧信
号線ＣＬと重畳する領域にて互いに接続されるパターン
とすることにより電気的に接続された構成となっている
とともに、ここの部分にて前記保護膜ＰＳＶ（有機膜Ｐ
ＳＶ２、無機膜ＰＳＶ１）に形成されたコンタクトホー
ルＴＨを介して前記対向電信号線ＣＬに接続されてい
る。
【００５２】このコンタクトホールＴＨの形成は前記対
向電圧信号線ＣＬ上でなされることによって、開口率の
低下を回避する工夫がなされている。この場合、前記各
画素電極ＰＸの相互の接続部は前記コンタクトホールＴ
Ｈとの干渉を防ぐために該コンタクトホールＴＨの形成
部分を回避させたパターンで形成されている。
【００５３】ここで、図中ｙ方向に延在する各対向電極
ＣＴはその一端から他端にかけてθ方向（図中ｙ方向に
対して）に屈曲された後、−θ方向（図中ｙ方向に対し
て）に屈曲され、さらにθ方向（図中ｙ方向に対して）
に屈曲されるというようにジグザグ状に形成されてい
る。ここで、前記θは０°より大きく４５°より小さ
く、望ましくは５°から３０°の範囲に設定されてい
る。
【００５４】画素電極ＰＸにおいても対向電極ＣＴと同
様に屈曲され、それらは一方の電極が図中ｘ方向にシフ
トすることによって他方の電極に重なるというようなパ
ターンで形成されている。
【００５５】画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴをこのよ
うなパターンとしたのは、該画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔとの間に生じる電界においてその方向が異なるような
領域を形成することによって、表示面に対して異なる方
向から観察した場合の色調の変化を相殺するいわゆるマ
ルチドメイン方式を採用しているからである。
【００５６】また、この実施例では、前記ドレイン信号
線ＤＬの形成領域上において該ドレイン信号線ＤＬの中
心軸をほぼ同じにし、かつ該ドレイン信号線ＤＬよりも
幅広の第１の導電層ＣＮＤ１が形成されている。換言す
れば、この第１の導電層ＣＮＤ１は透明基板ＳＵＢ１を
垂直方向から観た場合に前記ドレイン信号線ＤＬが露出
することなく完全に被った状態で形成されている。この
第１の導電層ＣＮＤ１は対向電極ＣＴの形成の際に同時
に形成され、したがってＩＴＯ膜あるいはＩＺＯ膜から
なる。
【００５７】また、この第１の導電層ＣＮＤ１は対向電
極ＣＴと同電位に保持されるようになっている。
【００５８】この第１導電層ＣＮＤ１は、たとえばＩＴ
Ｏ膜等からなる透明の導電層で形成されているにも拘ら
ず、ドレイン信号線ＤＬの近傍において液晶を駆動させ
る電界による光漏れを遮光する遮光膜として機能するよ
うになっている。
【００５９】すなわち、上述したように、この液晶表示
装置は画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板Ｓ
ＵＢ１とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない際
には黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成と
なっている。このことは第１の導電層ＣＮＤ１の上方に
おいて、透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向に電界が多く
発生しており、該透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を
もつ電界が発生していないことから黒表示されることに
なり、前記第１の導電層ＣＮＤ１は遮光膜の代わりとす
ることができる。
【００６０】また、第１導電層ＣＮＤ１は、ドレイン信
号線ＤＬから生じる電界を終端させることができ、該ド
レイン信号線ＤＬと隣接する画素電極ＰＸ側に終端する
のを抑制できるようになっている。
【００６１】第１導電層ＣＮＤ１は、対向電極ＣＴと同
電位となっており、ドレイン信号線ＤＬからの電界は容
易にこの第１導電層に終端できるようになっている。こ
の場合、保護膜ＰＳＶは積層体として構成し、その上層
に誘電率の低い樹脂層からなる保護膜ＰＳＶ２を用いて
いることもドレイン信号線ＤＬからの電界を容易に第１
導電層ＣＮＤ１に終端させやすくしている。
【００６２】このことは、画素電極ＰＸは薄膜トランジ
スタＴＦＴを介した映像信号に基づく電界のみを対向電
極ＣＴとの間に発生せしめることができ、ドレイン信号
線ＤＬからのノイズとなる電界が侵入しないことから表
示の不良を回避できる構成となっている。
【００６３】また、この第１導電膜ＣＮＤ１は、上述し
たように対向電極ＣＴと同電位となっていることから、
隣接して配置される画素電極ＰＸとの間に電界を発生せ
しめる対向電極ＣＴとしても機能するようになってい
る。
【００６４】このことは、画素領域のスペースと各電極
の数が予め設定されている場合において、一対の対向電
極ＣＴを該画素領域外（ドレイン信号線ＤＬ上）に配置
できることを意味し、画素の開口率を向上させることが
できるようになる。
【００６５】このように画素電極ＰＸが形成された透明
基板ＳＵＢ１の表面には該画素電極ＰＸをも被って配向
膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液
晶ＬＣと直接に接触して該液晶ＬＣの分子の初期配向方
向を規制する膜で、この実施例では、そのラビング方向
はドレイン信号線ＤＬの延在方向となっている。
【００６６】なお、透明基板ＳＵＢ１の液晶側と反対側
の面には偏光板ＰＯＬ１が形成され、その偏光軸方向は
前記配向膜ＯＲＩ１のラビング方向と同一あるいはそれ
と直交する方向となっている。
【００６７】また、このように構成された透明基板ＳＵ
Ｂ１と液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板ＳＵＢ
２の液晶側の面には、ブラックマトリクスＢＭが形成さ
れている。
【００６８】このブラックマトリクスＢＭは表示のコン
トラストを向上させるため、そして、薄膜トランジスタ
ＴＦＴへの外来光の照射を回避するために形成されてい
る。
【００６９】しかし、上述したように、ドレイン信号線
ＤＬ上の前記第１の導電層ＣＮＤ１が遮光膜の機能を有
することから、前記ブラックマトリクスＢＭはゲート信
号線上に設けられているのみとなっている。
【００７０】このようにした場合、ドレイン信号線ＤＬ
上にブラックマトリクスが存在しないことから、透明基
板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の対向配置の際
に、ｘ方向へのずれに対して裕度が大きく、ｙ方向への
ずれに対して注意をはらうだけでよいという効果を奏す
る。さらに、ブラックマトリクスを薄膜トランジスタＴ
ＦＴおよびその周辺部のみに形成することもできる。こ
の場合、ｙ方向の上下合わせ裕度を充分に確保すること
と、高い開口率の向上を両立させることができる。
【００７１】このようにブラックマトリクスＢＭが形成
された透明基板ＳＵＢ２の表面には、ｙ方向に並設され
る各画素領域に共通な色のカラーフィルタＦＩＬが形成
され、ｘ方向にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の順に配置されている。
【００７２】そして、これらブラックマトリクスＢＭお
よびカラーフィルタＦＩＬをも被ってたとえば樹脂膜か
らなる平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの表
面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ２のラビング方向は透明基板ＳＵＢ１側の配向膜の
それと同じになっている。
【００７３】なお、透明基板ＳＵＢ１の液晶側と反対側
の面には偏光板ＰＯＬ２が形成され、その偏光軸方向は
前記透明基板ＳＵＢ１側に形成した偏光板ＰＯＬ１の偏
光軸方向と直交する方向となっている。
【００７４】上述した実施例では、画素電極ＰＸをたと
えばＣｒあるいはその合金のような不透明な導電層で形
成したものである。しかし、対向電極ＣＴと同様にＩＴ
Ｏ膜あるいはＩＺＯ膜等で形成してもよいことはいうま
でもない。このようにした場合、開口率の向上が図れ
る。
【００７５】本実施例に示した有機膜ＰＳＶ２の他の機
能として、保護膜自体の信頼性を向上する効果ものあ
る。従来の無機膜ＰＳＶ１単体で保護膜を構成した場
合、配線端部のカバレジ不良によって生じた微細な欠陥
から、配線材料の一部が液晶内部に流出し、液晶の電気
−光学特性に影響を与える場合があった。良好なカバレ
ジが得られ、厚膜が得られる有機膜ＰＳＶ２を導入する
ことで上記の不良を防止できる。同様の理由により、画
素電極ＰＸとゲートあるいはドレイン配線を同じ材料で
構成した場合でも、画素電極ＰＸのエッチング加工時
に、欠陥からエッチング液が染み込むことによって生じ
る配線の断線不良を防止する効果もある。
【００７６】さらに、画素電極ＰＸにｐ−ＩＴＯを、ゲ
ート配線にＡｌ系合金をそれぞれ用いる構成とした場
合、画素電極ＰＸのエッチング液にＨＢｒのような強酸
を用いてもゲートのＡｌ系配線が腐食あるいは断線に到
ることがない。
【００７７】上述した実施例では、ノーマリブラックモ
ードの構成の液晶表示装置について説明したものであ
る。しかし、ノーマリホワイトモードの構成についても
適用できることはいうまでもない。この場合、対向電極
ＣＴおよびこれと同時に形成される第１の導電層ＣＮＤ
１および第２の導電層ＣＤＮ２はたとえばＣｒあるいは
その合金のように不透明な導電層とすることによって、
上述した機能をもたせることができる。
【００７８】実施例２．図６は、本発明による液晶表示
装置の画素の他の実施例を示す図で、図３に対応した平
面図となっている。また、図６のVII−VII線における断
面図は図７に示している。
【００７９】図３の場合と異なる構成は、ゲート信号線
ＧＬの上方においてもたとえばＩＴＯ膜からなる第２導
電層ＣＮＤ２が形成されている。
【００８０】この第２導電層ＣＮＤ２はその中心軸がゲ
ート信号線ＧＬのそれとほぼ一致づけられ、その幅はゲ
ート信号線ＧＬのそれよりも大きく形成されている。換
言すれば、この第２の導電層ＣＮＤ２は透明基板ＳＵＢ
１を垂直方向から観た場合に前記ゲート信号線ＧＬが露
出することなく完全に被った状態で形成されている。
【００８１】また、この第２導電層ＣＮＤ２は対向電極
ＣＴの形成と同時に形成され、このことからドレイン信
号線ＤＬの上方に形成される前記第１導電層ＣＮＤ１と
一体に形成され、かつ対向電極ＣＴと同電位に保持され
るようになっている。
【００８２】そして、この第２導電層ＣＮＤ２はそれが
遮光膜の機能を有することから、透明基板ＳＵＢ２側に
おいてブラックマトリクスＢＭが形成されていない構成
となっている。
【００８３】すなわち、ドレイン信号線ＤＬの上方に形
成された第１導電層ＣＮＤ１およびゲート信号線ＧＬの
上方に形成された第２導電層ＣＮＤ２がブラックマトリ
クスＢＭの機能を有し、それらの幅はブラックマトリク
スＢＭの幅よりも小さくできて開口率の向上をもたらす
効果を奏する。
【００８４】ブラックマトリクスＢＭは、透明基板ＳＵ
Ｂ１に対する透明基板ＳＵＢ２の対向配置の際の位置ず
れを考慮しなければならず、その幅は比較的大きく形成
するのが一般的であるからである。
【００８５】ここで、ゲート信号線ＧＬを被うようにし
て形成した第２の導電層ＣＮＤ２は結果的に薄膜トラン
ンジスタＴＦＴの少なくとも半導体層ＡＳをも被う構成
となる。薄膜トランンジスタＴＦＴの半導体層ＡＳはゲ
ート信号線ＧＬの一部に重畳するようにして形成してい
るからである。
【００８６】このように構成されている場合、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴにいわゆるバックチャネルのばらつきを
抑制でき、他の薄膜トランジスタＴＦＴとの特性を均一
化できて表示むらを防止することができる。
【００８７】すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴを構成
する半導体層ＡＳはそのゲート電極に印加される電位に
てチャネル層が形成され、そのチャネル層に流れる電流
によって該薄膜トランジスタＴＦＴの特性が決定される
が、たとえば保護膜ＰＳＶにイオン性の不純物が何らか
の原因で侵入していた場合に、このイオン性の不純物に
よって前記チャネル層が影響されると考えられる。
【００８８】このため、薄膜トランジスタの特性を不安
定にさせるという不都合をもたらし、多数の薄膜トラン
ジスタＴＦＴが組み込まれる表示面にて個々の薄膜トラ
ンジスタの特性にばらつきが生じ易くなり、この結果、
表示むらの原因を引き起こすことになる。
【００８９】それ故、該薄膜トランジスタＴＦＴの上面
に保護膜ＰＳＶ等を介して前記第２導電膜ＣＮＤ２を形
成することによって、半導体層ＡＳのゲート電極側とは
反対側の面およびその周辺を電荷的に安定化させること
ができ、個々の薄膜トランジスタＴＦＴの特性のばらつ
きを抑制できるようになり、表示むらの発生を回避でき
るようになる。
【００９０】このような第２導電層ＣＮＤ２は薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ上において少なくともその半導体層のチ
ャネル部（ドレイン電極とソース電極の間の半導体層領
域）と重畳するようにして形成することによって充分と
なるが、それよりも四方に若干延在する大きな面積で形
成することによってさらに信頼性を向上させることがで
きるようになる。
【００９１】実施例３．図８は、本発明による液晶表示
装置の画素の他の実施例を示す図で、図６に対応した平
面図となっている。
【００９２】図６と異なる構成は、透明基板ＳＵＢ２の
液晶側の面にゲート信号線ＧＬを被うブラックマトリク
スＢＭが形成されていることにある。
【００９３】この場合、ゲート信号線ＧＬ、第２導電層
ＣＮＤ２、およびブラックマトリクスＢＭのそれぞれの
中心軸はほぼ一致づけられており、それらの各幅はゲー
ト信号線ＧＬ、第２導電層ＣＮＤ２、およびブラックマ
トリクスＢＭの順に大きくなっている。
【００９４】この場合、ブラックマトリクスＢＭの幅は
たとえば第２導電層ＣＮＤ２を形成しない場合と比較し
て大幅に小さくできる効果を奏する。
【００９５】ブラックマトリクスＢＭと第２導電層ＣＮ
Ｄ２とでいわゆる二重遮光する構成となっており、たと
えば透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の対向
配置の際に図中ｙ方向に比較的大きなずれが生じたとし
ても、ブラックマトリクスＢＭに対してはみ出した第２
導電層ＣＮＤ２が実質的なブラックマトリクスとしての
機能を奏するようになるからである。
【００９６】実施例４．図９は、本発明による液晶表示
装置の画素の他の実施例を示す図で、図８に対応した平
面図となっている。
【００９７】同図は、図８と異なり、対向電極ＣＴおよ
び画素電極ＰＸがともにたとえばＣｒあるいはその合金
等からなる不透明の導電層で形成されている。
【００９８】すなわち、対向電極ＣＴは絶縁膜ＧＩの下
層において、たとえばＣｒあるいはその合金等からなる
対向電圧信号線ＣＬと一体に形成され、該画素電極ＰＸ
は前記絶縁膜ＧＩの上層において薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのソース電極ＳＤと一体となって形成されている。
【００９９】このため、画素領域には絶縁膜ＧＩ（ある
いは保護膜ＰＳＶ）を介した下層の電極あるいは信号線
と上層の電極あるいは信号線との接続を不必要とし、前
記絶縁膜ＧＩ（あるいは保護膜ＰＳＶ）にコンタクトホ
ールの形成領域を形成しなくて済むという効果を奏す
る。
【０１００】なお、ドレイン信号線ＤＬの上方に第１導
電層ＣＮＤ１が、ゲート信号線ＧＬの上方に第２導電層
ＣＮＤ２が、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にゲート信
号線ＧＬを被うブラックマトリクスＢＭが形成されてい
るのは図８と同様である。
【０１０１】しかし、上述した各実施例で示したよう
に、ゲート信号線ＧＬの上方の第２導電層ＣＮＤ２、あ
るいは透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面のゲート信号線Ｇ
Ｌを被うブラックマトリクスＢＭは形成されていなくて
もよいことはいうまでもない。
【０１０２】実施例５．図１０は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す図で、図９と対応した
図となっている。
【０１０３】同図は、まず、ドレイン信号線ＧＬを被う
第１導電層ＣＮＤ１、ゲート信号線ＧＬを被う第２導電
層ＣＮＤ２は保護膜ＰＳＶ上に形成され、それらと同層
にある対向電極ＣＴとともに、たとえばＣｒあるいはそ
の合金等からなる不透明の導電層で構成されている。
【０１０４】そして、第１導電層ＣＮＤ１あるいは第２
導電層ＣＮＤ２は表示部ＡＲの領域外にまで延在され
て、対向電圧信号が供給されるようになっている。
【０１０５】このことから、この実施例では上述した実
施例に示した対向電圧信号線ＣＬが存在しない構成とな
っており、これにより開口率の向上が図れるようになっ
ている。
【０１０６】画素電極ＰＸは絶縁膜ＧＩ上にてたとえば
Ｃｒあるいはその合金等から形成され、たとえばＣｒあ
るいはその合金からなるドレイン信号線ＤＬと同時に形
成される薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と
一体となって形成されている。
【０１０７】ここで、画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ膜
等の透明な導電層で形成してもよい。この場合、ドレイ
ン信号線ＤＬはその低抵抗化のためＣｒあるいはその合
金等で形成され、前記画素電極ＰＸは、前記ドレイン信
号線ＤＬと同時に形成される薄膜トランジスタＴＦＴの
ソース電極ＳＤ２と直接に重ね合わされて接続が図れる
ようにする。
【０１０８】また、画素電極ＰＸを駆動させる薄膜トラ
ンジスタＴＦＴと反対側の該画素電極ＰＸの一端は、そ
れに近接するゲート信号線（該薄膜トランジスタＴＦＴ
を駆動するゲート信号線ＧＬと該画素電極ＰＸを間にし
て配置される他のゲート信号線）に充分な面積を有して
重ねられる領域を有し、この領域において前記他のゲー
ト信号線とで容量素子Ｃａｄｄを構成している。
【０１０９】この容量素子Ｃａｄｄは保護膜ＰＳＶ１お
よびＰＳＶ２の積層体を誘電体膜とする蓄積容量Ｃｓｔ
ｇと、ゲート絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする保持容量Ｃａ
ｄｄの２つの容量部で構成されている（Ｃａｄｄ≧Ｃｓ
ｔｇ）。
【０１１０】また、ドレイン信号線ＤＬの上方に第１導
電層ＣＮＤ１が、ゲート信号線ＧＬの上方に第２導電層
ＣＮＤ２が、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にゲート信
号線ＧＬを被うブラックマトリクスＢＭが形成されてい
るのは図９と同様である。
【０１１１】しかし、上述した各実施例で示したよう
に、ゲート信号線ＧＬの上方の第２導電層ＣＮＤ２、あ
るいは透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面のゲート信号線Ｇ
Ｌを被うブラックマトリクスＢＭは形成されていなくて
もよいことはいうまでもない。
【０１１２】実施例６．図１１は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図３に対応
した図となっている。なお、図１１のＸII−ＸII線にお
ける断面図を図１２に、ＸIII−ＸIII線における断面図
を図１３に示している。
【０１１３】図３と比較して大きく異なる構成は、ま
ず、ゲート信号線ＧＬと同層に形成される対向電圧信号
線ＣＬは、該ゲート信号線ＧＬに近接して形成されてい
る。そして、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは保護膜ＰＳ
Ｖ上において層を同じにして形成され、それらはいずれ
もたとえばＩＴＯ膜あるいはＩＺＯ膜等の透明導電層で
形成されている。
【０１１４】すなわち、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは
同一の工程で形成でき、これによりそれぞれの画素電極
とそれに隣接する対向電極ＣＴとの間隔をマスクずれな
く均一に形成でき、表示のむらの発生を回避することが
できる。
【０１１５】本実施例の画素の構成をより詳述すると、
図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬが形成され、こ
のゲート信号線ＧＬはたとえばＣｒあるいはその合金か
らなっている。
【０１１６】また、このゲート信号線ＧＬに近接して平
行に走行する対向電圧信号線ＣＬが形成され、この対向
電圧信号線ＣＬはたとえばゲート信号線ＧＬの形成の際
に同時に形成され、たとえばＣｒあるいはその合金から
なっている。
【０１１７】この対向電圧信号線ＣＬはその画素領域側
の一部にて若干の延在部が形成されている。この延在部
は後述の対向電極ＣＴとのスルーホールを介したコンタ
クト部となる。
【０１１８】このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電
圧信号線ＣＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には
このゲート信号線ＧＬ等をも被って、たとえばＳｉＮ等
からなる絶縁膜ＧＩが形成されている（図１２、図１３
参照）。
【０１１９】そして、前記絶縁膜ＧＩの上面であってゲ
ート信号線ＧＬと重畳する部分にたとえばアモルファス
Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳが形成されてい
る。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層となる。
【０１２０】この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの形成領域ばかりでなく、後述のドレイン信号線ＤＬ
の形成領域にも形成されている。
【０１２１】また、前記絶縁膜ＧＩ上には図中ｙ方向に
延在するドレイン信号線ＤＬが形成され、この際に、そ
の一部が前記半導体層ＡＳの上面まで延在させることに
よってドイレン電極ＳＤ１が形成される。これらドレイ
ン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１はたとえばＣｒ
あるいはその合金によって形成される。
【０１２２】また、ドレイン電極ＳＤ１と同時に形成さ
れるソース電極ＳＤ２は前記対向電圧信号線ＣＬの形成
領域にまで延在し、この対向電圧信号線ＣＬ上にて比較
的広い面積を有するようになっている。この延在部は後
述の画素電極ＰＸとのスルーホールを介したコンタクト
部となる。
【０１２３】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレ
イン信号線ＤＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面に
は該薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被って、たとえばＳ
ｉＮ等からなる無機膜ＰＳＶ１および樹脂膜等からなる
有機膜ＰＳＶ２の順次積層体からなる保護膜ＰＳＶが形
成されている（図１２、図１３参照）。この保護膜ＰＳ
Ｖは主として薄膜トランジスタＴＦＴの液晶ＬＣとの直
接の接触を回避させるために形成されている。
【０１２４】保護膜ＰＳＶの一部として樹脂膜等からな
る有機膜ＰＳＶ２を用いているのは、該有機膜ＰＳＶ２
の誘電体率が小さいことから、該保護膜ＰＳＶの下層に
位置づけられる電極あるいは信号線と該保護膜ＰＳＶの
上層に位置づけられる電極あるいは信号線との間に生じ
る容量を小さくさせるためである。
【０１２５】そして、この保護膜ＰＳＶの上面には図中
ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるたとえば３本の画素
電極ＣＴとたとえば２本の対向電極ＣＴが形成され、こ
れら画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは隙間を有して交互に
配置されるようにして形成されている。また、これら画
素電極ＰＸと対向電極ＣＴはたとえばＩＴＯ膜あるいは
ＩＺＯ膜等のような透明の導電膜から形成されている。
【０１２６】また、各画素電極ＰＸのそれぞれは薄膜ト
ランジスタＴＦＴ側の端部で互いに共通に接続され、こ
この部分で前記保護膜ＰＳＶ２、ＰＳＶ１に形成された
スルーホールを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソ
ース電極ＳＤ２の延在部に接続されている。
【０１２７】さらに、各対向電極ＣＴのそれぞれは薄膜
トランジスタＴＦＴと反対側の端部で互いに共通接続さ
れ、各対向電極ＣＴのうちの一つは薄膜トランジスタＴ
ＦＴ側の端部で前記保護膜ＰＳＶ２、ＰＳＶ１に形成さ
れたスルーホールを通して前記対向電圧信号線ＣＬの延
在部に接続されている。
【０１２８】また、前記画素電極ＰＸおよび対向電極Ｃ
Ｔの形成と同時に、前記ドレイン信号線ＤＬの形成領域
上において該ドレイン信号線ＤＬの中心軸をほぼ同じに
し、かつ該ドレイン信号線ＤＬよりも幅広の第１の導電
層ＣＮＤ１が形成され、この第１の導電層ＣＮＤ１は対
向電極ＣＴと同電位に保持されるようになっている。
【０１２９】なお、この実施例では、ゲート信号線ＧＬ
上に第２の導電層ＣＮＤ２が形成されていない構成とな
っているが、第２の導電層ＣＮＤ２を形成するようにし
てもよいことはいうまでもない。
【０１３０】また、第２の導電層ＣＮＤ２を形成する場
合において、透明基板ＳＵＢ２側のブラックマトリクス
ＢＭを形成しないようにしてもよいことはもちろんであ
る。
【０１３１】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、信号線の影響によ
る光漏れを防止することができる。また、バックチャネ
ルの発生しない特性の安定した薄膜トランジスタを備え
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の断面図で、
図３のI−I線における断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のV−V線における断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線における断面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
【図１２】図１１のＸII−ＸII線における断面図であ
る。
【図１３】図１１のＸIII−ＸIII線における断面図であ
る。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ、Ｃａ
ｄｄ…容量素子、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ１…保護膜（無
機）、ＰＳＶ２…保護膜（有機）、ＣＮＤ１…第１導電
層、ＣＮＤ２…第２導電層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲吉 良彰 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JB05 JB13 JB33 JB56 JB57 JB64 JB66 JB69 KB14 KB25 NA01 NA22 PA09 5F033 GG04 HH17 HH38 JJ05 JJ38 KK01 KK17 LL04 QQ09 QQ10 QQ37 RR06 RR21 TT04 UU04 VV15 5F110 AA30 BB02 CC07 EE04 EE06 FF03 GG02 GG15 HK04 HK06 NN03 NN24 NN27 NN44 NN45 NN72 NN73

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
    の走査信号の供給により駆動されるスイッチング素子
    と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
    の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
    間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記対向電極は絶縁膜を介して画素電極の上層に形成さ
    れているとともに、この対向電極と同層であって、少な
    くとも前記絶縁膜の下層にある前記ドレイン信号線およ
    びゲート信号線のうち少なくとも一方の信号線上に少な
    くとも該信号線に重畳される導電層が形成されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 画素電極および対向電極は、それぞれド
    レイン信号線の延在方向に延在され該延在方向と直交す
    る方向に並設された複数の電極からなり、各画素電極の
    うち二つは両脇に前記ドレイン信号線に隣接して形成さ
    れていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
    置。
  3. 【請求項３】 導電層は、その中心軸が信号線の中心軸
    とほぼ一致し、該信号線の幅と同じか、より大きくなっ
    ていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
    置。
  4. 【請求項４】 対向電極を上層として形成される前記絶
    縁膜は樹脂膜で形成されていることを特徴とする請求項
    １に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 対向電極は透明な導電層で形成されてい
    るとともに前記導電層も透明な導電層で形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 導電層は対向電極に電気的に接続されて
    いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 画素電極と対向電極との間に電界が発生
    していない際には黒表示がなされるノーマリブラックモ
    ードであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
    装置。
  8. 【請求項８】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
    の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
    と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
    の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
    間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記対向電極は絶縁膜を介して画素電極の上層に形成さ
    れているとともに、この対向電極と同層であって、少な
    くとも前記絶縁膜の下層にある薄膜トラシジスタの少な
    くとも半導体層上に導電層が重畳されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 薄膜 トランジスタは一方の基板側から
    ゲート信号線に接続されるゲート電極、ゲート絶縁膜、
    半導体層、ドレイン信号線と接続されるドレイン電極お
    よび画素電極と接続されるソース電極の積層体から構成
    されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示
    装置。
  10. 【請求項１０】 対向電極は透明の導電層からなるとと
    もに、導電層はこの対向電極と同一の材料から構成され
    ていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
    置。
  11. 【請求項１１】 導電層は対向電極と電気的に接続され
    ていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
    置。
  12. 【請求項１２】 液晶を介して対向配置される基板のう
    ち一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線か
    らの走査信号の供給により駆動されるスイッチング素子
    と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線から
    の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
    間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記対向電極は絶縁膜を介して画素電極の上層に形成さ
    れているとともに、この対向電極と同層であって、少な
    くとも前記絶縁膜の下層にある前記ドレイン信号線およ
    びゲート信号線のうち少なくとも一方の信号線上に該信
    号線上に第１の導電層、および少なくとも前記絶縁膜の
    下層にある薄膜トラシジスタの少なくとも半導体層上に
    第２の導電層が重畳されていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  13. 【請求項１３】 薄膜 トランジスタは一方の基板側か
    らゲート信号線に接続されるゲート電極、ゲート絶縁
    膜、半導体層、ドレイン信号線と接続されるドレイン電
    極および画素電極と接続されるソース電極の積層体から
    構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の液
    晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 対向電極は透明の導電層からなるとと
    もに、第１の導電層および第２の導電膜はこの対向電極
    と同一の材料から構成されていることを特徴とする請求
    項１２に記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 第１の導電層および第２の導電膜は対
    向電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求
    項１２に記載の液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 液晶を介して対向配置される基板のう
    ち一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線か
    らの走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
    と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
    の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
    間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記薄膜トランジスタは前記ゲート信号線、第１の絶縁
    膜、半導体層、前記ドレイン信号線および画素電極とそ
    れぞれ接続された各電極の順次積層体からなり、前記半
    導体層は前記ゲート信号線の形成領域内に重畳されてい
    るとともに、 前記対向電極は前記薄膜トランジスタを被う第２の絶縁
    膜を介して画素電極の上層に形成され、この対向電極と
    同層であって、少なくとも前記第２の絶縁膜および第１
    の絶縁膜の下層にあるゲート信号線上に該ゲート信号線
    を被って重畳される導電層が形成されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 導電層はＩＴＯ膜あるいはＩＺＯ膜か
    ら構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の
    液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 導電層は対向電極と同電位になってい
    ることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 画素電極と対向電極との間に電界が発
    生していない際には黒表示がなされるノーマリブラック
    モードであることを特徴とする請求項１７、１８のうち
    いずれかに記載の液晶表示装置。
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