JP3019053B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に、液晶に印可する電界を基板
に対して水平面内に発生させる平面内スイッチングを行
う液晶表示装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に、液晶に印可する電界を基板
に対して水平面内に発生させる平面内スイッチングを行
う液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置においては、ねじれ
ネマチック方式等が広く用いられてきたが、視野角が狭
い等の欠点があった。これを改善する方式として、近
年、液晶に印可する電界を基板に対して水平面内に発生
させる平面内スイッチング（イン・プレーン・スイッチ
ング、ＩＰＳ）を行う液晶表示装置が提案されている。
ネマチック方式等が広く用いられてきたが、視野角が狭
い等の欠点があった。これを改善する方式として、近
年、液晶に印可する電界を基板に対して水平面内に発生
させる平面内スイッチング（イン・プレーン・スイッチ
ング、ＩＰＳ）を行う液晶表示装置が提案されている。
【０００３】平面内スイッチングを行う液晶表示装置
は、例えば、特開平７ー１２８６８３号公報、特開平７
ー１５９７８６号公報及び特開平８ー２２０５１８号公
報に開示されている。
は、例えば、特開平７ー１２８６８３号公報、特開平７
ー１５９７８６号公報及び特開平８ー２２０５１８号公
報に開示されている。
【０００４】図１３は、特開平７ー１２８６８３号公報
に開示された平面内スイッチング方式の液晶表示装置
（以下、第１の従来例という）の構成を示す平面図、図
１４は、図１３のＥーＥ’線における断面図、図１５
は、液晶表示素子が形成された状態を示す断面図であ
る。図１３乃至図１５は、映像信号線８６１と走査線８
６２との交点に配置された１つの画素を示す。
に開示された平面内スイッチング方式の液晶表示装置
（以下、第１の従来例という）の構成を示す平面図、図
１４は、図１３のＥーＥ’線における断面図、図１５
は、液晶表示素子が形成された状態を示す断面図であ
る。図１３乃至図１５は、映像信号線８６１と走査線８
６２との交点に配置された１つの画素を示す。
【０００５】図１３乃至図１５に示すように、第１の従
来例の液晶表示装置は、基板８１０と、その基板８１０
上に形成された金属等の導電層からなる第１櫛歯電極８
０１と、第１櫛歯電極８０１及び基板８１０を覆う層間
絶縁膜８１１と、その層間絶縁膜８１１上に形成された
金属等の導電層からなる第２櫛歯電極８０２と、その第
２櫛歯電極８０２及び層間絶縁膜８１１の上側表面に設
けられ、液晶を配向させる配向膜８２０と、色層やブラ
ックマトリックス等を有する対向基板８４０と、その対
向基板８４０の下側表面に設けられ、液晶を配向させる
配向膜８２１と、配向膜８２０と配向膜８２１間に設け
られた液晶層８３０と、液晶を駆動させる薄膜トランジ
スタ８６３と、を有する。
来例の液晶表示装置は、基板８１０と、その基板８１０
上に形成された金属等の導電層からなる第１櫛歯電極８
０１と、第１櫛歯電極８０１及び基板８１０を覆う層間
絶縁膜８１１と、その層間絶縁膜８１１上に形成された
金属等の導電層からなる第２櫛歯電極８０２と、その第
２櫛歯電極８０２及び層間絶縁膜８１１の上側表面に設
けられ、液晶を配向させる配向膜８２０と、色層やブラ
ックマトリックス等を有する対向基板８４０と、その対
向基板８４０の下側表面に設けられ、液晶を配向させる
配向膜８２１と、配向膜８２０と配向膜８２１間に設け
られた液晶層８３０と、液晶を駆動させる薄膜トランジ
スタ８６３と、を有する。
【０００６】第１櫛歯電極８０１と第２櫛歯電極８０２
とは、異なる導電層形成工程で形成された導電層であ
り、両導電層の間には、層間絶縁膜８１１が介在してい
る。
とは、異なる導電層形成工程で形成された導電層であ
り、両導電層の間には、層間絶縁膜８１１が介在してい
る。
【０００７】第１の従来例の液晶表示装置によれば、走
査線８６２が選択されたときに、映像信号線８６１の電
圧が薄膜トランジスタ８６３を介して第２櫛歯電極８０
２に伝達され、共通電位の与えられた第１櫛歯電極８０
１との間に画像情報に対応した電界が発生する。
査線８６２が選択されたときに、映像信号線８６１の電
圧が薄膜トランジスタ８６３を介して第２櫛歯電極８０
２に伝達され、共通電位の与えられた第１櫛歯電極８０
１との間に画像情報に対応した電界が発生する。
【０００８】液晶層８３０中の液晶分子は、あらかじめ
配向膜８２０と配向膜８２１とによって紙面と略垂直方
向に配向されているが、上記の電界によって分子の向き
が曲げられる（図１５参照）。それによって、平面内ス
イッチングが行われる。
配向膜８２０と配向膜８２１とによって紙面と略垂直方
向に配向されているが、上記の電界によって分子の向き
が曲げられる（図１５参照）。それによって、平面内ス
イッチングが行われる。
【０００９】図１６は、特開平７ー１２８６８３号公報
に開示された他の形態の平面内スイッチング方式の液晶
表示装置（以下、第２の従来例という）の構成を示す平
面図、図１７は、図１６のＦーＦ’線における断面図で
ある。
に開示された他の形態の平面内スイッチング方式の液晶
表示装置（以下、第２の従来例という）の構成を示す平
面図、図１７は、図１６のＦーＦ’線における断面図で
ある。
【００１０】第２の従来例の液晶表示装置では、共通線
９０３が接続孔９０４を介して第１の櫛歯電極９０１に
電気的に接続されている。従って、第１の櫛歯電極９０
１と第２の櫛歯電極９０２とは、基板９１０上に同一の
導電層で形成される。走査線９６２が選択されたとき
に、映像信号線９６１の電圧が薄膜トランジスタ９６３
を介して第２の櫛歯電極９０２に伝達され、これと第１
の櫛歯電極９０１との間の電界で平面内スイッチングを
行う。
９０３が接続孔９０４を介して第１の櫛歯電極９０１に
電気的に接続されている。従って、第１の櫛歯電極９０
１と第２の櫛歯電極９０２とは、基板９１０上に同一の
導電層で形成される。走査線９６２が選択されたとき
に、映像信号線９６１の電圧が薄膜トランジスタ９６３
を介して第２の櫛歯電極９０２に伝達され、これと第１
の櫛歯電極９０１との間の電界で平面内スイッチングを
行う。
【００１１】第２の従来例の液晶表示装置によれば、図
１７に示すように、第１の櫛歯電極９０１と第２の櫛歯
電極９０２とは、それぞれの上面の高さがー致している
ので、平面スイッチングの電界の平行度が向上する。
１７に示すように、第１の櫛歯電極９０１と第２の櫛歯
電極９０２とは、それぞれの上面の高さがー致している
ので、平面スイッチングの電界の平行度が向上する。
【００１２】なお、特開平７ー１５９７８６号公報に
は、液晶表示装置に関し、液晶層に比して配向膜や絶縁
膜の誘電率を小さくすることにより、良好な横電界を発
生させる点、絶縁膜と配向膜を同一材料で形成すること
により、プロセスを効率化する点、平面スイッチングの
電界を平行にする点等が開示されている。また、特開平
８ー２２０５１８号公報には、液晶に接する素子表面の
凹凸を少なくして、高いコントラスト比を有する液晶表
示装置が開示されている。
は、液晶表示装置に関し、液晶層に比して配向膜や絶縁
膜の誘電率を小さくすることにより、良好な横電界を発
生させる点、絶縁膜と配向膜を同一材料で形成すること
により、プロセスを効率化する点、平面スイッチングの
電界を平行にする点等が開示されている。また、特開平
８ー２２０５１８号公報には、液晶に接する素子表面の
凹凸を少なくして、高いコントラスト比を有する液晶表
示装置が開示されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ねじれネマチック方式
に比して平面内スイッチング方式において表示特性上の
問題となる点として、残像現象が挙げられる。このこと
は、前述した特開平７ー１５７９８６号公報にも述べら
れている（第４欄第３３行〜第４２行参照）。
に比して平面内スイッチング方式において表示特性上の
問題となる点として、残像現象が挙げられる。このこと
は、前述した特開平７ー１５７９８６号公報にも述べら
れている（第４欄第３３行〜第４２行参照）。
【００１４】このような残像現象は、液晶と基板素子と
の界面や配向膜に残留する電荷が原因と言われている
が、第１櫛歯電極と第２櫛歯電極との間で液晶が交流駆
動され、かつ、交流のうち正の時と負の時の電圧の絶対
値が実質的に同一とするならば、一見、残像は起こり得
ないと考えられる。
の界面や配向膜に残留する電荷が原因と言われている
が、第１櫛歯電極と第２櫛歯電極との間で液晶が交流駆
動され、かつ、交流のうち正の時と負の時の電圧の絶対
値が実質的に同一とするならば、一見、残像は起こり得
ないと考えられる。
【００１５】しかし、本出願の発明者は、残像の発生に
関わる効果として、櫛歯電極上に表れる撓電効果（フレ
クソエレクトリック効果）に注目した。
関わる効果として、櫛歯電極上に表れる撓電効果（フレ
クソエレクトリック効果）に注目した。
【００１６】一般に、棒状液晶分子が放射状配向（スプ
レイ配向）すると、配向の放射形状の内側と外側との間
に分極が生じ、これを撓電効果という。撓電効果の大き
さは、配向の放射形状の広がりの程度に依存する。
レイ配向）すると、配向の放射形状の内側と外側との間
に分極が生じ、これを撓電効果という。撓電効果の大き
さは、配向の放射形状の広がりの程度に依存する。
【００１７】第１の従来例では、図１５に示すように、
第１櫛歯電極８０１と液晶層８３０との間には、層間絶
縁膜８１１と配向膜８２０とが存在しているのに対し、
第２櫛歯電極８０２と液晶層８３０との間には、配向膜
８２０のみが存在している。すなわち、第１櫛歯電極８
０１の上面から液晶層８３０までの誘電的距離（上下に
仮想電極を配置したときの単位面積当たりの容量値）
と、第２櫛歯電極８０２の上面から液晶層８３０までの
誘電的距離とは、層間絶縁膜８１１の分だけ異なってい
る。
第１櫛歯電極８０１と液晶層８３０との間には、層間絶
縁膜８１１と配向膜８２０とが存在しているのに対し、
第２櫛歯電極８０２と液晶層８３０との間には、配向膜
８２０のみが存在している。すなわち、第１櫛歯電極８
０１の上面から液晶層８３０までの誘電的距離（上下に
仮想電極を配置したときの単位面積当たりの容量値）
と、第２櫛歯電極８０２の上面から液晶層８３０までの
誘電的距離とは、層間絶縁膜８１１の分だけ異なってい
る。
【００１８】そのため、櫛歯電極の真上の配向膜８２０
付近における液晶の向きの放射形状の広がりの程度は、
第１櫛歯電極８０１と第２櫛歯電極８０２とで異なって
いる。その放射形状によって液晶は撓電効果を起こし分
極するが、仮に第１櫛歯電極８０１上と第２櫛歯電極８
０２上とで液晶の放射状形状が一致していれば、両者で
分極の均衡があり、両櫛歯電極上に蓄積される電荷が同
等であれば、平面スイッチングを停止した後でも、両櫛
歯電極８０１、８０２間に直流の電圧は実質的に残ら
ず、残像には寄与しにくいと考えられる。しかし、第１
櫛歯電極８０１上と第２櫛歯電極８０２上とで液晶の放
射形状の広がりの程度が不一致の場合、分極は不均衡に
なるため、平面内スイッチング時に残留電荷が生じ、残
像の問題が発生すると考えられる。
付近における液晶の向きの放射形状の広がりの程度は、
第１櫛歯電極８０１と第２櫛歯電極８０２とで異なって
いる。その放射形状によって液晶は撓電効果を起こし分
極するが、仮に第１櫛歯電極８０１上と第２櫛歯電極８
０２上とで液晶の放射状形状が一致していれば、両者で
分極の均衡があり、両櫛歯電極上に蓄積される電荷が同
等であれば、平面スイッチングを停止した後でも、両櫛
歯電極８０１、８０２間に直流の電圧は実質的に残ら
ず、残像には寄与しにくいと考えられる。しかし、第１
櫛歯電極８０１上と第２櫛歯電極８０２上とで液晶の放
射形状の広がりの程度が不一致の場合、分極は不均衡に
なるため、平面内スイッチング時に残留電荷が生じ、残
像の問題が発生すると考えられる。
【００１９】一方、第２の従来例では、第１の櫛歯電極
９０１と第２の櫛歯電極９０２とがそれぞれの上面の高
さがー致しているので、撓電効果の均衡が保たれ、第１
の従来例のような問題は発生しない。
９０１と第２の櫛歯電極９０２とがそれぞれの上面の高
さがー致しているので、撓電効果の均衡が保たれ、第１
の従来例のような問題は発生しない。
【００２０】しかし、第２の従来例では、第１櫛歯電極
９０１と第２櫛歯電極９０２とが層間絶縁膜を介さずに
同一の導電層形成工程で形成されるため、図１８に示す
ように、その導電層を形成するフォトマスク工程でエッ
チング残りやフォトリソグラフィの不正によるパターニ
ング欠陥９７０が発生する場合がある。図１８のように
パターニング欠陥９７０が発生すると、第１櫛歯電極９
０１と第２櫛歯電極９０２との間の電気的ショートが容
易に発生してしまう。すなわち、第２の従来例では、残
像抑制に対しては効果があるものの、製造歩留まりは悪
化するという問題がある。
９０１と第２櫛歯電極９０２とが層間絶縁膜を介さずに
同一の導電層形成工程で形成されるため、図１８に示す
ように、その導電層を形成するフォトマスク工程でエッ
チング残りやフォトリソグラフィの不正によるパターニ
ング欠陥９７０が発生する場合がある。図１８のように
パターニング欠陥９７０が発生すると、第１櫛歯電極９
０１と第２櫛歯電極９０２との間の電気的ショートが容
易に発生してしまう。すなわち、第２の従来例では、残
像抑制に対しては効果があるものの、製造歩留まりは悪
化するという問題がある。
【００２１】なお、特開平７ー１５９７８６号公報及び
特開平８ー２２０５１８号公報には、本願発明の主要な
構造及び効果について何ら開示されておらず、それを示
唆する記載もない。
特開平８ー２２０５１８号公報には、本願発明の主要な
構造及び効果について何ら開示されておらず、それを示
唆する記載もない。
【００２２】本発明は、上記課題に鑑み、２つの電極の
撓電効果の不均衡に伴う残像を抑制し、かつ、良好な製
造歩留りを得られる構造を有する液晶表示装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
撓電効果の不均衡に伴う残像を抑制し、かつ、良好な製
造歩留りを得られる構造を有する液晶表示装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔て
て配置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板と
の間に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面す
る側の面に形成された画素を構成する第１の電極及び第
２の電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に
生じる電界によって平面内スイッチングを行う液晶表示
装置において、画素内に、少なくとも第１の電極の下部
には存在せず、かつ少なくとも第２の電極の下部には存
在する層間絶縁膜を有し、第１の電極の少なくともー部
の上側表面から液晶層に至る誘電体層の単位面積当たり
の電気容量と、第２の電極の少なくともー部の上側表面
から液晶層に至る誘電体層の単位面積当たりの電気容量
とが略一致する、ことを特徴とするものである。
は、第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔て
て配置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板と
の間に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面す
る側の面に形成された画素を構成する第１の電極及び第
２の電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に
生じる電界によって平面内スイッチングを行う液晶表示
装置において、画素内に、少なくとも第１の電極の下部
には存在せず、かつ少なくとも第２の電極の下部には存
在する層間絶縁膜を有し、第１の電極の少なくともー部
の上側表面から液晶層に至る誘電体層の単位面積当たり
の電気容量と、第２の電極の少なくともー部の上側表面
から液晶層に至る誘電体層の単位面積当たりの電気容量
とが略一致する、ことを特徴とするものである。
【００２４】上記画素内の層間絶縁膜は、第１の電極の
上部に被覆され、第２の電極の上部に、第２の電極と略
同一の平面形状を有する絶縁体からなる撓電緩和層が形
成されるのが好ましい。
上部に被覆され、第２の電極の上部に、第２の電極と略
同一の平面形状を有する絶縁体からなる撓電緩和層が形
成されるのが好ましい。
【００２５】上記画素内の層間絶縁膜は、第１の電極の
上部に被覆され、第１の電極の上部における層間絶縁膜
の膜厚は、第２の電極の下部における層間絶縁膜の膜厚
に比べて薄いのが好ましい。
上部に被覆され、第１の電極の上部における層間絶縁膜
の膜厚は、第２の電極の下部における層間絶縁膜の膜厚
に比べて薄いのが好ましい。
【００２６】上記画素内における第２の電極の下部を除
く領域の層間絶縁膜の膜厚は、第２の電極の下部の層間
絶縁膜の膜厚に比べて薄いのが好ましい。
く領域の層間絶縁膜の膜厚は、第２の電極の下部の層間
絶縁膜の膜厚に比べて薄いのが好ましい。
【００２７】上記画素内の層間絶縁膜は、第１の電極の
上部に存在しないのが好ましい。
上部に存在しないのが好ましい。
【００２８】上記第２の電極の上部及び側部は、陽極酸
化膜で覆われているのが好ましい。
化膜で覆われているのが好ましい。
【００２９】上記第１の基板の表面又は基板上に形成さ
れた絶縁膜に凹凸部を有し、第１の電極の少なくともー
部は凹凸部のうち凸部上に配置され、第２の電極の少な
くともー部は凹凸部のうち凹部上に配置されるのが好ま
しい。
れた絶縁膜に凹凸部を有し、第１の電極の少なくともー
部は凹凸部のうち凸部上に配置され、第２の電極の少な
くともー部は凹凸部のうち凹部上に配置されるのが好ま
しい。
【００３０】上記第１の基板上の第１の電極及び第２の
電極の上部を含む領域は、平坦絶縁膜により平坦化され
ているのが好ましい。平坦絶縁膜は、例えば、有機ポリ
マーを主成分とする塗布焼成型の膜である。また、平坦
絶縁膜は、配向膜として用いられてもよい。
電極の上部を含む領域は、平坦絶縁膜により平坦化され
ているのが好ましい。平坦絶縁膜は、例えば、有機ポリ
マーを主成分とする塗布焼成型の膜である。また、平坦
絶縁膜は、配向膜として用いられてもよい。
【００３１】上記第１の電極及び第２の電極の上部にカ
バー絶縁膜が形成されるのが好ましい。
バー絶縁膜が形成されるのが好ましい。
【００３２】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔てて配置さ
れた第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設
けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面する側の面
に形成された画素を構成する第１の電極及び第２の電極
と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に生じる電
界によって平面内スイッチングを行う液晶表示装置の製
造方法において、（１）第１の基板上又はその第１の基
板上に形成された絶縁膜上に、第１の金属層を被覆する
工程と（２）第１の金属層を食刻して所定のパターンを
有する第１の電極を形成する工程と、（３）第１の電極
に絶縁体からなる層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）
層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆する工程と、（５）
第２の金属層上に絶縁膜を形成する工程と、（６）第２
の金属層及び第２の金属層上に形成された絶縁膜とを食
刻して所定のパターンを有する第２の電極及び第２の電
極と略同一の平面形状を有する絶縁膜からなる撓電緩和
層とを形成する工程と、を有し、（１）から（６）の順
序で行われることを特徴とするものである。
の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔てて配置さ
れた第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設
けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面する側の面
に形成された画素を構成する第１の電極及び第２の電極
と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に生じる電
界によって平面内スイッチングを行う液晶表示装置の製
造方法において、（１）第１の基板上又はその第１の基
板上に形成された絶縁膜上に、第１の金属層を被覆する
工程と（２）第１の金属層を食刻して所定のパターンを
有する第１の電極を形成する工程と、（３）第１の電極
に絶縁体からなる層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）
層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆する工程と、（５）
第２の金属層上に絶縁膜を形成する工程と、（６）第２
の金属層及び第２の金属層上に形成された絶縁膜とを食
刻して所定のパターンを有する第２の電極及び第２の電
極と略同一の平面形状を有する絶縁膜からなる撓電緩和
層とを形成する工程と、を有し、（１）から（６）の順
序で行われることを特徴とするものである。
【００３３】本発明の他の液晶表示装置の製造方法は、
第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔てて配
置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間
に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面する側
の面に形成された画素を構成する第１の電極及び第２の
電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に生じ
る電界によって平面内スイッチングを行う液晶表示装置
の製造方法において、（１）第１の基板上又はその第１
の基板上に形成された絶縁膜上に、第１の金属層を被覆
する工程と（２）第１の金属層を食刻して所定のパター
ンを有する第１の電極を形成する工程と、（３）第１の
電極に層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）層間絶縁膜
上に第２の金属層を被覆する工程と、（５）第２の金属
層と層間絶縁膜とを食刻して所定のパターンを有する第
２の電極の形成と第２の電極の下部以外の領域の層間絶
縁膜の薄膜化又は除去とを行う工程と、を有し、（１）
から（５）の順序で行われることを特徴とするものであ
る。
第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔てて配
置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間
に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面する側
の面に形成された画素を構成する第１の電極及び第２の
電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に生じ
る電界によって平面内スイッチングを行う液晶表示装置
の製造方法において、（１）第１の基板上又はその第１
の基板上に形成された絶縁膜上に、第１の金属層を被覆
する工程と（２）第１の金属層を食刻して所定のパター
ンを有する第１の電極を形成する工程と、（３）第１の
電極に層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）層間絶縁膜
上に第２の金属層を被覆する工程と、（５）第２の金属
層と層間絶縁膜とを食刻して所定のパターンを有する第
２の電極の形成と第２の電極の下部以外の領域の層間絶
縁膜の薄膜化又は除去とを行う工程と、を有し、（１）
から（５）の順序で行われることを特徴とするものであ
る。
【００３４】本発明のさらに他の液晶表示装置の製造方
法は、第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔
てて配置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板
との間に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面
する側の面に形成された画素を構成する第１の電極及び
第２の電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間
に生じる電界によって平面内スイッチングを行う液晶表
示装置の製造方法において、（１）第１の基板上又はそ
の第１の基板上に形成された絶縁膜上に凹凸部を形成す
る工程と、（２）凹凸部上に第１の金属層を被覆する工
程と（３）第１の金属層を食刻して凹凸部のうちの凸部
上の領域に所定のパターンを有する第１の電極を形成す
る工程と、（４）第１の電極上に層間絶縁膜を被覆する
工程と、（５）層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆する
工程と、（６）第２の金属層を食刻して凹凸部のうち凹
部上の領域に所定のパターンを有する第２の電極を形成
する工程と、を有し、（１）から（６）の順序で行われ
ることを特徴とするものである。
法は、第１の基板と、その第１の基板から所定間隔を隔
てて配置された第２の基板と、第１の基板と第２の基板
との間に設けられた液晶層と、第１の基板の液晶層に面
する側の面に形成された画素を構成する第１の電極及び
第２の電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間
に生じる電界によって平面内スイッチングを行う液晶表
示装置の製造方法において、（１）第１の基板上又はそ
の第１の基板上に形成された絶縁膜上に凹凸部を形成す
る工程と、（２）凹凸部上に第１の金属層を被覆する工
程と（３）第１の金属層を食刻して凹凸部のうちの凸部
上の領域に所定のパターンを有する第１の電極を形成す
る工程と、（４）第１の電極上に層間絶縁膜を被覆する
工程と、（５）層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆する
工程と、（６）第２の金属層を食刻して凹凸部のうち凹
部上の領域に所定のパターンを有する第２の電極を形成
する工程と、を有し、（１）から（６）の順序で行われ
ることを特徴とするものである。
【００３５】本発明の液晶表示装置によれば、第１の電
極と第２の電極とで電極から液晶層に至る絶縁膜の誘電
的距離を略一致させることにより、電極上の液晶の撓電
効果の均衡を保つことができる。また、第１の電極と第
２の電極との間に層間絶縁膜が形成されているので、パ
ターニング欠陥による両電極間の電気的ショートの発生
を防止できる。
極と第２の電極とで電極から液晶層に至る絶縁膜の誘電
的距離を略一致させることにより、電極上の液晶の撓電
効果の均衡を保つことができる。また、第１の電極と第
２の電極との間に層間絶縁膜が形成されているので、パ
ターニング欠陥による両電極間の電気的ショートの発生
を防止できる。
【００３６】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、上記効果を奏する液晶表示装置を得ることができ
る。
ば、上記効果を奏する液晶表示装置を得ることができ
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して詳細に説明する。 〔第１の実施の形態〕図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図２
は、図１のＡーＡ’線における断面図、図３は、本発明
の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を示す断面図で
ある。図１乃至図３は、映像信号線１６１と走査線１６
２との交点に配置されたー画素分を示している。
面を参照して詳細に説明する。 〔第１の実施の形態〕図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図２
は、図１のＡーＡ’線における断面図、図３は、本発明
の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を示す断面図で
ある。図１乃至図３は、映像信号線１６１と走査線１６
２との交点に配置されたー画素分を示している。
【００３８】図１、図２及び図３に示すように、本発明
の第１の実施の形態に係る液晶表示装置は、基板１１０
と、その基板１１０上に形成された金属等の導電層から
なる第１櫛歯電極１０１と、第１櫛歯電極１０１及び基
板１１０を覆う層間絶縁膜１１１と、その層間絶縁膜１
１１上に形成された金属等の導電層からなる第２櫛歯電
極１０２と、その第２櫛歯電極１０２の上部に設けられ
た撓電緩和層１０３と、その撓電緩和層１０３及び層間
絶縁膜１１１の上側表面に設けられ、液晶を配向させる
配向膜１２０と、色層やブラックマトリックス等を有す
る対向基板１４０と、その対向基板１４０の下側表面に
設けられ、液晶を配向させる配向膜１２１と、配向膜１
２０と配向膜１２１との間に設けられた液晶層１３０
と、液晶を駆動させる薄膜トランジスタ１６３と、を有
する。
の第１の実施の形態に係る液晶表示装置は、基板１１０
と、その基板１１０上に形成された金属等の導電層から
なる第１櫛歯電極１０１と、第１櫛歯電極１０１及び基
板１１０を覆う層間絶縁膜１１１と、その層間絶縁膜１
１１上に形成された金属等の導電層からなる第２櫛歯電
極１０２と、その第２櫛歯電極１０２の上部に設けられ
た撓電緩和層１０３と、その撓電緩和層１０３及び層間
絶縁膜１１１の上側表面に設けられ、液晶を配向させる
配向膜１２０と、色層やブラックマトリックス等を有す
る対向基板１４０と、その対向基板１４０の下側表面に
設けられ、液晶を配向させる配向膜１２１と、配向膜１
２０と配向膜１２１との間に設けられた液晶層１３０
と、液晶を駆動させる薄膜トランジスタ１６３と、を有
する。
【００３９】本発明の第１の実施の形態によれば、走査
線１６２が選択されたとき、映像信号線１６１の映像信
号電位は、薄膜トランジスタ１６３を介して第２櫛歯電
極１０２へ伝達され、第２櫛歯電極１０２と共通電位の
与えられている第１櫛歯電極１０１との間で平面内スイ
ッチングが行われる。
線１６２が選択されたとき、映像信号線１６１の映像信
号電位は、薄膜トランジスタ１６３を介して第２櫛歯電
極１０２へ伝達され、第２櫛歯電極１０２と共通電位の
与えられている第１櫛歯電極１０１との間で平面内スイ
ッチングが行われる。
【００４０】薄膜トランジスタ１６３は、走査線（ゲー
ト電極）が下側にある、いわゆる、ボトムゲート型薄膜
トランジスタである。
ト電極）が下側にある、いわゆる、ボトムゲート型薄膜
トランジスタである。
【００４１】第１櫛歯電極１０１、第２櫛歯電極１０
２、映像信号線１６１、走査線１６２は、いずれも金属
等の導電層で形成されている。ここで、第１櫛歯電極１
０１と走査線１６２とは同一の導電層で形成される。ま
た、第２櫛歯電極１０２と映像信号線１６１とは、同一
の導電層で形成される（図２参照）。
２、映像信号線１６１、走査線１６２は、いずれも金属
等の導電層で形成されている。ここで、第１櫛歯電極１
０１と走査線１６２とは同一の導電層で形成される。ま
た、第２櫛歯電極１０２と映像信号線１６１とは、同一
の導電層で形成される（図２参照）。
【００４２】図１を参照すると、第１櫛歯電極１０１
は、左右の隣接する画素の第１櫛歯電極と相互に接続す
るための共通バス部を、図１中の左上端及び右上端に有
する。
は、左右の隣接する画素の第１櫛歯電極と相互に接続す
るための共通バス部を、図１中の左上端及び右上端に有
する。
【００４３】図２を参照すると、第１櫛歯電極１０１を
構成する導電体層は、ガラスや絶縁膜等からなる基板１
１０（あるいは、基板の上のー面に堆積された絶縁膜）
の直上に形成される。また、基板１１０の上側表面に
は、第１櫛歯電極１０１と基板１１０とを覆うように層
間絶縁膜１１１が形成される。さらに、層間絶縁膜１１
１の上側表面には、第２櫛歯電極１０２及び映像信号線
１６１を構成する導電体層が形成される。絶縁膜からな
る撓電緩和層１０３は、第２櫛歯電極１０２の上にちょ
うど重なるように配置される。すなわち、第２櫛歯電極
１０２の直上に、これと略同一の平面形状を有する絶縁
層が設けられていることになる。
構成する導電体層は、ガラスや絶縁膜等からなる基板１
１０（あるいは、基板の上のー面に堆積された絶縁膜）
の直上に形成される。また、基板１１０の上側表面に
は、第１櫛歯電極１０１と基板１１０とを覆うように層
間絶縁膜１１１が形成される。さらに、層間絶縁膜１１
１の上側表面には、第２櫛歯電極１０２及び映像信号線
１６１を構成する導電体層が形成される。絶縁膜からな
る撓電緩和層１０３は、第２櫛歯電極１０２の上にちょ
うど重なるように配置される。すなわち、第２櫛歯電極
１０２の直上に、これと略同一の平面形状を有する絶縁
層が設けられていることになる。
【００４４】次に、本発明の第１の実施の形態に係る液
晶表示装置の製造方法を説明する。
晶表示装置の製造方法を説明する。
【００４５】まず、基板１１０（あるいは、基板の上の
ー面に堆積された絶縁膜）上にクロム等からなる金属膜
をスパッタ装置により堆積する。
ー面に堆積された絶縁膜）上にクロム等からなる金属膜
をスパッタ装置により堆積する。
【００４６】次いで、この金属膜をフォトリソグラフィ
工程とプラズマエッチング工程等からなるフォトマスク
工程によって食刻し、第１櫛歯電極１０１及び走査線１
６２のパターンを形成する。
工程とプラズマエッチング工程等からなるフォトマスク
工程によって食刻し、第１櫛歯電極１０１及び走査線１
６２のパターンを形成する。
【００４７】次いで、プラズマＣＶＤ法により、酸化珪
素、窒化珪素等からなる層間絶縁膜１１１を堆積する。
素、窒化珪素等からなる層間絶縁膜１１１を堆積する。
【００４８】次いで、薄膜トランジスタ１６３の形成や
その動作に必要なオーミック層の形成等を行う。
その動作に必要なオーミック層の形成等を行う。
【００４９】次いで、第２櫛歯電極１０２となるクロム
等の金属からなる導電体膜と、撓電緩和層１０３となる
酸化珪素、窒化珪素等の絶縁膜とをスパッタ法及びプラ
ズマＣＶＤ法を用いて連続して堆積した後に、フォトリ
ソグラフィ工程とエッチング工程からなるフォトマスク
工程により、両者を連続して食刻する。なお、フォトマ
スク工程により、絶縁膜のみ食刻した後にフォトレジス
トを除去することによって、撓電緩和層１０３のみを形
成し、続いて、撓電緩和層１０３をマスクとしてエッチ
ングを行うことによって第２櫛歯電極１０２を形成して
もよい。
等の金属からなる導電体膜と、撓電緩和層１０３となる
酸化珪素、窒化珪素等の絶縁膜とをスパッタ法及びプラ
ズマＣＶＤ法を用いて連続して堆積した後に、フォトリ
ソグラフィ工程とエッチング工程からなるフォトマスク
工程により、両者を連続して食刻する。なお、フォトマ
スク工程により、絶縁膜のみ食刻した後にフォトレジス
トを除去することによって、撓電緩和層１０３のみを形
成し、続いて、撓電緩和層１０３をマスクとしてエッチ
ングを行うことによって第２櫛歯電極１０２を形成して
もよい。
【００５０】このような形成方法によれば、図２のよう
に、映像信号線１６１上にも撓電緩和層１０３が形成さ
れる。これによって、後述する撓電均衡の効果には直接
関係ないが、他の画素列を走査している時に映像信号線
１６１から当該画素内に与える電位ノイズを抑制するの
に役立つ。
に、映像信号線１６１上にも撓電緩和層１０３が形成さ
れる。これによって、後述する撓電均衡の効果には直接
関係ないが、他の画素列を走査している時に映像信号線
１６１から当該画素内に与える電位ノイズを抑制するの
に役立つ。
【００５１】なお、撓電緩和層１０３の上面と側面、第
２櫛歯電極１０２の側面及び層間絶縁膜１１１の表面を
覆うカバー絶縁膜（図示せず）を形成してもよい。
２櫛歯電極１０２の側面及び層間絶縁膜１１１の表面を
覆うカバー絶縁膜（図示せず）を形成してもよい。
【００５２】上述した構造を用いて、図３に示すような
液晶セルが構成される。図３に示すように、上述した構
造の上側表面に配向膜１２０が設けられる。また、色層
やブラックマトリクス等を有する対向基板１４０の下側
表面には配向膜１２１が設けられる。両配向膜１２０、
１２１との間には液晶層１３０が挟まれている。液晶層
１３０中の液晶分子は配向膜１２０と配向膜１２１とに
よって、あらかじめ紙面と略垂直方向に配向されてい
る。そして、第１櫛歯電極１０１と第２櫛歯電極１０２
との間に電界を発生させることにより、図３に模式的に
示したように、紙面の左右方向へ平面内スイッチングが
行われる。
液晶セルが構成される。図３に示すように、上述した構
造の上側表面に配向膜１２０が設けられる。また、色層
やブラックマトリクス等を有する対向基板１４０の下側
表面には配向膜１２１が設けられる。両配向膜１２０、
１２１との間には液晶層１３０が挟まれている。液晶層
１３０中の液晶分子は配向膜１２０と配向膜１２１とに
よって、あらかじめ紙面と略垂直方向に配向されてい
る。そして、第１櫛歯電極１０１と第２櫛歯電極１０２
との間に電界を発生させることにより、図３に模式的に
示したように、紙面の左右方向へ平面内スイッチングが
行われる。
【００５３】図３に示すように、第１櫛歯電極１０１上
と第２櫛歯電極１０２上とで配向膜１２０近傍の液晶分
子の放射形状の広がりの程度は、略一致している。した
がって、第１櫛歯電極１０１上と第２櫛歯電極１０２上
とで撓電効果の大きさのー致すなわち均衡があり、平面
内スイッチングを終了した後でも、両櫛歯電極１０１、
１０２の上に残留する電荷量がほぼー致する。その結
果、実質の直流電圧の残存がないため、残像が起こりに
くくなる。
と第２櫛歯電極１０２上とで配向膜１２０近傍の液晶分
子の放射形状の広がりの程度は、略一致している。した
がって、第１櫛歯電極１０１上と第２櫛歯電極１０２上
とで撓電効果の大きさのー致すなわち均衡があり、平面
内スイッチングを終了した後でも、両櫛歯電極１０１、
１０２の上に残留する電荷量がほぼー致する。その結
果、実質の直流電圧の残存がないため、残像が起こりに
くくなる。
【００５４】これは、第１櫛歯電極１０１の上面と液晶
層１３０との間に、配向膜１２０と層間絶縁膜１１１
（及びカバー絶縁膜）があり、一方、第２櫛歯電極１０
２の上面と液晶層１３０との間に、配向膜１２０と撓電
緩和層１０３（及びカバー絶縁膜）があるので、第１櫛
歯電極１０１上と第２櫛歯電極１０２上とで、電極と液
晶層１３０とによって挟まれた誘電体層の誘電的距離
（上下に仮想電極を配置したときの単位面積当たりの容
量値）が略一致している構成が得られているからであ
る。
層１３０との間に、配向膜１２０と層間絶縁膜１１１
（及びカバー絶縁膜）があり、一方、第２櫛歯電極１０
２の上面と液晶層１３０との間に、配向膜１２０と撓電
緩和層１０３（及びカバー絶縁膜）があるので、第１櫛
歯電極１０１上と第２櫛歯電極１０２上とで、電極と液
晶層１３０とによって挟まれた誘電体層の誘電的距離
（上下に仮想電極を配置したときの単位面積当たりの容
量値）が略一致している構成が得られているからであ
る。
【００５５】層間絶縁膜１１１と撓電緩和層１０３の膜
厚と誘電率に関して、両者の膜厚対誘電率比の値がほぼ
正確にー致しているのが最も好ましい。また、膜厚対誘
電率比の値が両者でー致していなくても、撓電緩和層１
０３の存在によって誘電的距離の略一致は達成でき、あ
る程度の撓電均衡の効果を得ることはできる。
厚と誘電率に関して、両者の膜厚対誘電率比の値がほぼ
正確にー致しているのが最も好ましい。また、膜厚対誘
電率比の値が両者でー致していなくても、撓電緩和層１
０３の存在によって誘電的距離の略一致は達成でき、あ
る程度の撓電均衡の効果を得ることはできる。
【００５６】なお、第１の実施の形態では、第１櫛歯電
極１０１の形成工程と第２櫛歯電極１０２の形成工程と
の間に、層間絶縁膜１１１が形成されているので、いず
れかの櫛歯電極の形成時にパターニング欠陥があった場
合も、両櫛歯電極間の電気的ショートによる不良は発生
しにくくなっている。
極１０１の形成工程と第２櫛歯電極１０２の形成工程と
の間に、層間絶縁膜１１１が形成されているので、いず
れかの櫛歯電極の形成時にパターニング欠陥があった場
合も、両櫛歯電極間の電気的ショートによる不良は発生
しにくくなっている。
【００５７】また、第２櫛歯電極１０２と撓電緩和層１
０３とは同一のフォトマスク工程で形成することができ
るので、従来技術のように、撓電緩和層１０３を設けな
い場合に比べても、製造工程をほとんど増やさずに本実
施の形態の構造を得ることができる。 〔第２の実施の形態〕図４は、本発明の第２の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図５
は、図４のＡ”ーＡ”’線における断面図である。図４
及び図５は、映像信号線１６１’と走査線１６２’との
交点に配置されたー画素分を示す。
０３とは同一のフォトマスク工程で形成することができ
るので、従来技術のように、撓電緩和層１０３を設けな
い場合に比べても、製造工程をほとんど増やさずに本実
施の形態の構造を得ることができる。 〔第２の実施の形態〕図４は、本発明の第２の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図５
は、図４のＡ”ーＡ”’線における断面図である。図４
及び図５は、映像信号線１６１’と走査線１６２’との
交点に配置されたー画素分を示す。
【００５８】図４を参照すると、走査線１６２’が選択
されたとき、映像信号線１６１’の映像信号電位は、薄
膜トランジスタ１６３’を介して第１櫛歯電極１０１’
へ伝達され、これと、共通電位の与えられている第２櫛
歯電極１０２’との間で平面内スイッチングが行われ
る。
されたとき、映像信号線１６１’の映像信号電位は、薄
膜トランジスタ１６３’を介して第１櫛歯電極１０１’
へ伝達され、これと、共通電位の与えられている第２櫛
歯電極１０２’との間で平面内スイッチングが行われ
る。
【００５９】薄膜トランジスタ１６３’は、走査線（ゲ
ート電極）が上側にある、いわゆる、トップゲート側薄
型トランジスタである。
ート電極）が上側にある、いわゆる、トップゲート側薄
型トランジスタである。
【００６０】なお、第１櫛歯電極１０１’及び映像信号
線１６１’は、基板１１０’（又は基板１１０’上に形
成された絶縁膜）上に設けられ、層間絶縁膜１１１’に
よって被覆される。
線１６１’は、基板１１０’（又は基板１１０’上に形
成された絶縁膜）上に設けられ、層間絶縁膜１１１’に
よって被覆される。
【００６１】第２櫛歯電極１０２’の直上には、第１の
実施の形態と同様に、絶縁体からなる撓電緩和層１０
３’が載置された構造になっている。
実施の形態と同様に、絶縁体からなる撓電緩和層１０
３’が載置された構造になっている。
【００６２】第２の実施の形態では、第１の実施の形態
と比べて、ちょうど下層側の第１の櫛歯電極１０１’と
上層側の第２の櫛歯電極１０２’とで画素動作上の役割
（映像信号の伝達される電極の役割と共通電位の与えら
れる共通電極の役割）が入れ替わっている。しかし、撓
電均衡の効果については、第１の実施の形態と全く同じ
効果が得られる。 〔第３の実施の形態〕図６は、本発明の第３の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図７
は、本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置の構
造及び製造工程を示し、図６のＢ−Ｂ’線における断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｅ）は
種々の構造を示す図である。
と比べて、ちょうど下層側の第１の櫛歯電極１０１’と
上層側の第２の櫛歯電極１０２’とで画素動作上の役割
（映像信号の伝達される電極の役割と共通電位の与えら
れる共通電極の役割）が入れ替わっている。しかし、撓
電均衡の効果については、第１の実施の形態と全く同じ
効果が得られる。 〔第３の実施の形態〕図６は、本発明の第３の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図７
は、本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置の構
造及び製造工程を示し、図６のＢ−Ｂ’線における断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｅ）は
種々の構造を示す図である。
【００６３】図６を参照すると、走査線２６２が選択さ
れたとき、映像信号線２６１の映像信号電位は、薄膜ト
ランジスタ２６３を介して第２櫛歯電極２０２へ伝達さ
れ、第２櫛歯電極２０２と、共通電位の与えられている
第１櫛歯電極２０１との間で平面内スイッチングが行わ
れる。
れたとき、映像信号線２６１の映像信号電位は、薄膜ト
ランジスタ２６３を介して第２櫛歯電極２０２へ伝達さ
れ、第２櫛歯電極２０２と、共通電位の与えられている
第１櫛歯電極２０１との間で平面内スイッチングが行わ
れる。
【００６４】第１櫛歯電極２０１を構成する導電体層
は、ガラスや絶縁膜等からなる基板２１０の直上または
基板２１０の直上に堆積された絶縁膜上に形成される。
は、ガラスや絶縁膜等からなる基板２１０の直上または
基板２１０の直上に堆積された絶縁膜上に形成される。
【００６５】第３の実施の形態の断面構造を得るために
は、まず、図７（ａ）に示すように、基板２１０上に第
１櫛歯電極２０１を形成した後、第１櫛歯電極２０１を
覆うように層間絶縁膜２１１を堆積し、その層間絶縁膜
２１１上に第２櫛歯電極２０２を形成する。
は、まず、図７（ａ）に示すように、基板２１０上に第
１櫛歯電極２０１を形成した後、第１櫛歯電極２０１を
覆うように層間絶縁膜２１１を堆積し、その層間絶縁膜
２１１上に第２櫛歯電極２０２を形成する。
【００６６】次いで、下記のように所定の製造工程を行
うことにより、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）又は（ｅ）
の構造を得る。
うことにより、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）又は（ｅ）
の構造を得る。
【００６７】図７（ｂ）に示す構造は、第２櫛歯電極２
０２の直下の層間絶縁膜２１１の厚さよりも、第１櫛歯
電極２０１の直上の層間絶縁膜２１１の厚さの方が小さ
い点を特徴とする。この構造を得るには、まず、基板２
１０上又は基板２１０上に堆積された絶縁膜上に、金属
層をスパッタ装置で堆積し、フォトマスク工程により、
その金属層を食刻して第１の櫛歯電極２０１と走査線２
６２とを形成する。
０２の直下の層間絶縁膜２１１の厚さよりも、第１櫛歯
電極２０１の直上の層間絶縁膜２１１の厚さの方が小さ
い点を特徴とする。この構造を得るには、まず、基板２
１０上又は基板２１０上に堆積された絶縁膜上に、金属
層をスパッタ装置で堆積し、フォトマスク工程により、
その金属層を食刻して第１の櫛歯電極２０１と走査線２
６２とを形成する。
【００６８】次いで、層間絶縁膜２１１を堆積し、さら
に薄膜トランジスタ２６３の形成を行った後、金属層を
スパッタ装置で堆積し、この金属層をフォトマスク工程
で食刻して、図７（ａ）に示すように、第２櫛歯電極２
０２を形成した状態から、同一のフォトマスク工程にお
いて層間絶縁膜２１１を掘り込む工程を設けることによ
って得られる。
に薄膜トランジスタ２６３の形成を行った後、金属層を
スパッタ装置で堆積し、この金属層をフォトマスク工程
で食刻して、図７（ａ）に示すように、第２櫛歯電極２
０２を形成した状態から、同一のフォトマスク工程にお
いて層間絶縁膜２１１を掘り込む工程を設けることによ
って得られる。
【００６９】層間絶縁膜２１１の掘り込みは、第２櫛歯
電極２０２をマスクとして層間絶縁膜をエッチングする
か、または、第２櫛歯電極２０２の形成時に用いるフォ
トレジストを第２櫛歯電極２０２上に残したまま、層間
絶縁膜２１１をエッチングすることによって行うことが
できる。
電極２０２をマスクとして層間絶縁膜をエッチングする
か、または、第２櫛歯電極２０２の形成時に用いるフォ
トレジストを第２櫛歯電極２０２上に残したまま、層間
絶縁膜２１１をエッチングすることによって行うことが
できる。
【００７０】図７（ｂ）に示す構造を用いて液晶セルを
形成すれば、図７（ａ）のように第１櫛歯電極２０１上
の層間絶縁膜２１１が薄くなっていない構造に比べて、
第１櫛歯電極２０１上と第２櫛歯電極２０２上とで撓電
効果が均衡に近い状況が得られる。
形成すれば、図７（ａ）のように第１櫛歯電極２０１上
の層間絶縁膜２１１が薄くなっていない構造に比べて、
第１櫛歯電極２０１上と第２櫛歯電極２０２上とで撓電
効果が均衡に近い状況が得られる。
【００７１】図７（ｃ）に示す構造は、層間絶縁膜２１
１の掘り込みを進めて、第１櫛歯電極２０１の上面が露
出するまで掘り込むことにより製造される。
１の掘り込みを進めて、第１櫛歯電極２０１の上面が露
出するまで掘り込むことにより製造される。
【００７２】図７（ｄ）に示す構造は、さらに掘り込み
を進めて、第１櫛歯電極２０１の側面も露出するまで、
掘り込むことにより製造される。
を進めて、第１櫛歯電極２０１の側面も露出するまで、
掘り込むことにより製造される。
【００７３】図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示す構造で
は、図７（ｂ）の構造に比べて、さらに撓電効果の均衡
性が発揮できるが、櫛歯電極やその近傍の段差が顕著に
なり、液晶の配向に悪影響を及ぼすことも考えられるの
で、最適な掘り込み量を適宜選択するのが好ましい。
は、図７（ｂ）の構造に比べて、さらに撓電効果の均衡
性が発揮できるが、櫛歯電極やその近傍の段差が顕著に
なり、液晶の配向に悪影響を及ぼすことも考えられるの
で、最適な掘り込み量を適宜選択するのが好ましい。
【００７４】また、上述の構造上にカバー絶縁膜２１２
を設ければ、両櫛歯電極上の撓電効果が共に緩和される
ので、一層安定した撓電均衡が達成できる。
を設ければ、両櫛歯電極上の撓電効果が共に緩和される
ので、一層安定した撓電均衡が達成できる。
【００７５】図７（ｅ）に示す構造は、図７（ｂ）に示
す構造の上にカバー絶縁膜２１２を設けて製造される。
す構造の上にカバー絶縁膜２１２を設けて製造される。
【００７６】第３の実施の形態においても、第１櫛歯電
極２０１の形成工程と第２櫛歯電極２０２の形成工程と
の間に層間絶縁膜２１１の堆積工程があるので、櫛歯電
極のパターニング欠陥があった場合でも、容易に両櫛歯
電極間の電気的ショートによる不良が発生することはな
い。
極２０１の形成工程と第２櫛歯電極２０２の形成工程と
の間に層間絶縁膜２１１の堆積工程があるので、櫛歯電
極のパターニング欠陥があった場合でも、容易に両櫛歯
電極間の電気的ショートによる不良が発生することはな
い。
【００７７】また、層間絶縁膜２１１の掘り込みのため
に新たなマスクステップを設ける必要がないので、製造
工程の増加を招かない。 〔第４の実施の形態〕図８は、本発明の第４の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図９
は、本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置の構
造及び製造工程を示し、図８のＣ−Ｃ’線における断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｄ）は
種々の構造を示す図である。
に新たなマスクステップを設ける必要がないので、製造
工程の増加を招かない。 〔第４の実施の形態〕図８は、本発明の第４の実施の形
態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図９
は、本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置の構
造及び製造工程を示し、図８のＣ−Ｃ’線における断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｄ）は
種々の構造を示す図である。
【００７８】図８を参照すると、走査線３６２が選択さ
れたとき、映像信号線３６１の映像信号電位は、薄膜ト
ランジスタ３６３を介して第２櫛歯電極３０２へ伝達さ
れ、第２櫛歯電極３０２と、共通電位の与えられている
第１櫛歯電極３０１との間で平面内スイッチングが行わ
れる。
れたとき、映像信号線３６１の映像信号電位は、薄膜ト
ランジスタ３６３を介して第２櫛歯電極３０２へ伝達さ
れ、第２櫛歯電極３０２と、共通電位の与えられている
第１櫛歯電極３０１との間で平面内スイッチングが行わ
れる。
【００７９】第４の実施の形態は、第３の実施の形態に
おける層間絶縁膜の掘り込みを、第２櫛歯電極の形成時
のフォトマスク工程とは別のフォトマスク工程を用いて
行うことを特徴とする。
おける層間絶縁膜の掘り込みを、第２櫛歯電極の形成時
のフォトマスク工程とは別のフォトマスク工程を用いて
行うことを特徴とする。
【００８０】平面内スイッチングを行うための第１櫛歯
電極３０１の形成と第２櫛歯電極３０２の形成との間
に、層間絶縁膜３１１が堆積されており、これによっ
て、前述までの実施の形態と同様に、両櫛歯電極３０
１、３０２間の電気的ショートが防止される。
電極３０１の形成と第２櫛歯電極３０２の形成との間
に、層間絶縁膜３１１が堆積されており、これによっ
て、前述までの実施の形態と同様に、両櫛歯電極３０
１、３０２間の電気的ショートが防止される。
【００８１】第４の実施の形態の構造を得るためには、
まず、図９（ａ）に示すように、基板３１０上に第１櫛
歯電極３０１を形成した後、第１櫛歯電極３０１を覆う
ように層間絶縁膜３１１を堆積し、その層間絶縁膜３１
１上に第２櫛歯電極３０２を形成する。
まず、図９（ａ）に示すように、基板３１０上に第１櫛
歯電極３０１を形成した後、第１櫛歯電極３０１を覆う
ように層間絶縁膜３１１を堆積し、その層間絶縁膜３１
１上に第２櫛歯電極３０２を形成する。
【００８２】次いで、第２櫛歯電極３０２の形成後にフ
ォトマスク工程によってフォトレジスト３５１を形成し
て、掘り込み部３５０に対するエッチングを行う。な
お、このフォトマスク工程による掘り込み工程は、第２
櫛歯電極３０２の形成の前にすることもできる。
ォトマスク工程によってフォトレジスト３５１を形成し
て、掘り込み部３５０に対するエッチングを行う。な
お、このフォトマスク工程による掘り込み工程は、第２
櫛歯電極３０２の形成の前にすることもできる。
【００８３】図９（ｂ）乃至（ｄ）は、こうして得られ
る構造のー例を示しており、掘り込み部３５０において
層間絶縁膜３１１が掘り込まれている。図９（ｃ）及び
図９（ｄ）に示す構造は、図９（ｂ）に示す構造に比べ
て、掘り込み量を増やすことによって、撓電均衡の効果
がー層向上される。第４の実施の形態によれば、第２の
実施の形態に比べて、第２櫛歯電極３０２の側面下にお
ける急激な段差が軽減している。これによって、段差に
よる液晶配向への悪影響を軽減することができる。ま
た、薄膜トランジスタ３６３の上を掘り込み部３５０と
区別することができるので、第２の実施の形態と異な
り、薄膜トランジスタの構造や特性に対する影響を与え
ずに実施できる。
る構造のー例を示しており、掘り込み部３５０において
層間絶縁膜３１１が掘り込まれている。図９（ｃ）及び
図９（ｄ）に示す構造は、図９（ｂ）に示す構造に比べ
て、掘り込み量を増やすことによって、撓電均衡の効果
がー層向上される。第４の実施の形態によれば、第２の
実施の形態に比べて、第２櫛歯電極３０２の側面下にお
ける急激な段差が軽減している。これによって、段差に
よる液晶配向への悪影響を軽減することができる。ま
た、薄膜トランジスタ３６３の上を掘り込み部３５０と
区別することができるので、第２の実施の形態と異な
り、薄膜トランジスタの構造や特性に対する影響を与え
ずに実施できる。
【００８４】なお、掘り込み部３５０の掘り込み工程
を、液晶表示装置の他の箇所のパターニング、例えば所
定の配線や電極間の導通をとるコンタクト孔の形成工程
と共用すれば、製造工程を効率化することが可能であ
る。
を、液晶表示装置の他の箇所のパターニング、例えば所
定の配線や電極間の導通をとるコンタクト孔の形成工程
と共用すれば、製造工程を効率化することが可能であ
る。
【００８５】また、前述の実施の形態と同様に、上記の
構造の上にカバー絶縁膜（図示せず）を形成することも
できる。 〔第５の実施の形態〕図１０は、本発明の第５の実施の
形態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図１
１は、図１０のＤーＤ’線における断面図である。
構造の上にカバー絶縁膜（図示せず）を形成することも
できる。 〔第５の実施の形態〕図１０は、本発明の第５の実施の
形態に係る液晶表示装置のー画素分を示す平面図、図１
１は、図１０のＤーＤ’線における断面図である。
【００８６】図１０を参照すると、走査線４６２が選択
されたとき、映像信号線４６１の映像信号電位は、薄膜
トランジスタ４６３を介して第１櫛歯電極４０１へ伝達
され、第１櫛歯電極４０１と、共通電位の与えられてい
る第２櫛歯電極４０２との間で平面内スイッチングが行
われる。
されたとき、映像信号線４６１の映像信号電位は、薄膜
トランジスタ４６３を介して第１櫛歯電極４０１へ伝達
され、第１櫛歯電極４０１と、共通電位の与えられてい
る第２櫛歯電極４０２との間で平面内スイッチングが行
われる。
【００８７】第５の実施の形態の断面構造を得るために
は、まず、図１１に示すように、基板４１０上に第１櫛
歯電極４０１を形成した後、第１櫛歯電極４０１を覆う
ように層間絶縁膜４１１を堆積し、その層間絶縁膜４１
１上に第２櫛歯電極４０２を形成する。
は、まず、図１１に示すように、基板４１０上に第１櫛
歯電極４０１を形成した後、第１櫛歯電極４０１を覆う
ように層間絶縁膜４１１を堆積し、その層間絶縁膜４１
１上に第２櫛歯電極４０２を形成する。
【００８８】第２櫛歯電極４０２は、金属である第２櫛
歯電極本体４０２ａと、陽極酸化膜４０２ｂとからなっ
ている。陽極酸化膜４０２ｂは、第２櫛歯電極４０２と
なる金属のパターニング後に陽極酸化を行うことによっ
て得た膜である。
歯電極本体４０２ａと、陽極酸化膜４０２ｂとからなっ
ている。陽極酸化膜４０２ｂは、第２櫛歯電極４０２と
なる金属のパターニング後に陽極酸化を行うことによっ
て得た膜である。
【００８９】第５の実施の形態の構造は、第２の実施の
形態と類似しているが、陽極酸化膜４０２ｂが第２櫛歯
電極本体４０２ａの上面だけでなく側面も覆っているこ
とを特徴とする。これによって、側面部における撓電緩
和効果も得られる。
形態と類似しているが、陽極酸化膜４０２ｂが第２櫛歯
電極本体４０２ａの上面だけでなく側面も覆っているこ
とを特徴とする。これによって、側面部における撓電緩
和効果も得られる。
【００９０】なお、図示しないが、第５の実施の形態
は、第３の実施の形態又は第４の実施の形態を組み合わ
せることも可能である。すなわち、第２櫛歯電極の上面
及び側面に陽極酸化膜を設け、さらに、層間絶縁膜４１
１を掘り込んだ構成としてもよい。
は、第３の実施の形態又は第４の実施の形態を組み合わ
せることも可能である。すなわち、第２櫛歯電極の上面
及び側面に陽極酸化膜を設け、さらに、層間絶縁膜４１
１を掘り込んだ構成としてもよい。
【００９１】また、前述の実施の形態と同様に、上記の
構造の上にカバー絶縁膜を形成することもできる。 〔第６の実施の形態〕図１２は、本発明の第６の実施の
形態に係る液晶表示装置の構造及び製造工程を示す断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｆ）は
種々の構造を示す図である。
構造の上にカバー絶縁膜を形成することもできる。 〔第６の実施の形態〕図１２は、本発明の第６の実施の
形態に係る液晶表示装置の構造及び製造工程を示す断面
図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜（ｆ）は
種々の構造を示す図である。
【００９２】第６の実施の形態は、第２櫛歯電極の形成
予定領域をあらかじめ掘り込んである構成と、第１乃至
第５の実施の形態の構成とを組み合わせたものである。
予定領域をあらかじめ掘り込んである構成と、第１乃至
第５の実施の形態の構成とを組み合わせたものである。
【００９３】第６の実施の形態の構造を得るには、ま
ず、図１２（ａ）に示すように、あらかじめ第２榔歯電
極を形成予定の箇所を含む領域である掘り込み部５５０
において基板５１０あるいは基板５１０上に堆積された
絶縁膜を掘り込むことにより凹凸部を形成する。
ず、図１２（ａ）に示すように、あらかじめ第２榔歯電
極を形成予定の箇所を含む領域である掘り込み部５５０
において基板５１０あるいは基板５１０上に堆積された
絶縁膜を掘り込むことにより凹凸部を形成する。
【００９４】図１２（ｂ）に示す構造は、掘り込み部５
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第１
の実施の形態又は第２の実施の形態と同様の構造を形成
したものである。
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第１
の実施の形態又は第２の実施の形態と同様の構造を形成
したものである。
【００９５】図１２（ｃ）に示す構造は、掘り込み部５
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第３
の実施の形態と同様の構造を形成したものである。
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第３
の実施の形態と同様の構造を形成したものである。
【００９６】図１２（ｄ）に示す構造は、掘り込み部５
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第５
の実施の形態のように、第２櫛歯電極本体４０２ａと、
その第２櫛歯電極本体４０２ａの上面及び側面に形成さ
れた陽極酸化膜４０２ｂ等からなる構造を形成したもの
である。
５０を掘り込んだ図１２（ａ）に示す構造の上に、第５
の実施の形態のように、第２櫛歯電極本体４０２ａと、
その第２櫛歯電極本体４０２ａの上面及び側面に形成さ
れた陽極酸化膜４０２ｂ等からなる構造を形成したもの
である。
【００９７】第６の実施の形態は、第１櫛歯電極と第２
櫛歯電極の上面が、ほぼ同じ高さに形成されている点を
特徴とする。これによって、第１乃至第５の実施の形態
のように電気的ショート不良の防止と撓電均衡の効果を
得るほかに、平面内スイッチングのための理想的な横方
向電界を得る。
櫛歯電極の上面が、ほぼ同じ高さに形成されている点を
特徴とする。これによって、第１乃至第５の実施の形態
のように電気的ショート不良の防止と撓電均衡の効果を
得るほかに、平面内スイッチングのための理想的な横方
向電界を得る。
【００９８】また、第１櫛歯電極と第２櫛歯電極とが、
ほぼ同じ高さに形成されていることを利用すれば、図１
２（ｅ）に示すように、図１２（ｂ）に示す構造の上
に、平坦絶縁膜５１３を形成しても、撓電効果の均衡を
得ることができる。ここで、平坦絶縁膜は、例えば、Ｃ
ＶＤ装置で酸化珪素や窒化珪素を堆積した後に研磨する
か、あるいは、ポリイミド系、アクリル系、シロキサン
系等の有機ポリマーからなる塗布焼成型の膜をスピン塗
布及び焼成する等して形成することができる。
ほぼ同じ高さに形成されていることを利用すれば、図１
２（ｅ）に示すように、図１２（ｂ）に示す構造の上
に、平坦絶縁膜５１３を形成しても、撓電効果の均衡を
得ることができる。ここで、平坦絶縁膜は、例えば、Ｃ
ＶＤ装置で酸化珪素や窒化珪素を堆積した後に研磨する
か、あるいは、ポリイミド系、アクリル系、シロキサン
系等の有機ポリマーからなる塗布焼成型の膜をスピン塗
布及び焼成する等して形成することができる。
【００９９】塗布焼成型の膜は配向膜と兼ねることも可
能である。また、平坦絶縁膜の存在によって、液晶に接
する面に鋭利な段差が無くなるので液晶の誤配向を防止
することができる。さらに、第１櫛歯電極及び第２櫛歯
電極上の撓電効果の緩和も行われるため、一層、表示特
性の向上と残像の抑制の効果を発揮することができる。
能である。また、平坦絶縁膜の存在によって、液晶に接
する面に鋭利な段差が無くなるので液晶の誤配向を防止
することができる。さらに、第１櫛歯電極及び第２櫛歯
電極上の撓電効果の緩和も行われるため、一層、表示特
性の向上と残像の抑制の効果を発揮することができる。
【０１００】このような平坦絶縁膜の形成技術は、第１
櫛歯電極及び第２櫛歯電極の上面がほぼ同じ高さに形成
されていれば、本発明の前述までの他の実施の形態と組
み合わせて適用することができる。
櫛歯電極及び第２櫛歯電極の上面がほぼ同じ高さに形成
されていれば、本発明の前述までの他の実施の形態と組
み合わせて適用することができる。
【０１０１】図１２（ｅ）に示すような平坦絶縁膜で覆
う構造について考えると、第１の櫛歯電極と第２の櫛歯
電極とで、各々の電極上面から液晶層までに至る誘電体
の単位面積当たりの容量値が略一致しさえすれば、図１
２（ｅ）における、第２櫛歯電極１０２の直上の撓電緩
和層１０３を省略することができる。このー例を図１２
（ｆ）に示す。この構造によれば、図１２（ｅ）よりも
製造工程を簡略化することが可能である。
う構造について考えると、第１の櫛歯電極と第２の櫛歯
電極とで、各々の電極上面から液晶層までに至る誘電体
の単位面積当たりの容量値が略一致しさえすれば、図１
２（ｅ）における、第２櫛歯電極１０２の直上の撓電緩
和層１０３を省略することができる。このー例を図１２
（ｆ）に示す。この構造によれば、図１２（ｅ）よりも
製造工程を簡略化することが可能である。
【０１０２】なお、第６の実施の形態における掘り込み
部５５０の形成工程は、液晶表示を構成する他の箇所の
形成、例えば、周辺部接続孔の形成工程と共用すること
が可能であり、これによって、製造工程を効率化するこ
とができる。
部５５０の形成工程は、液晶表示を構成する他の箇所の
形成、例えば、周辺部接続孔の形成工程と共用すること
が可能であり、これによって、製造工程を効率化するこ
とができる。
【０１０３】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
【０１０４】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置（請求項１乃至１
１）によれば、第１の電極と第２の電極とで電極から液
晶層に至る絶縁膜の誘電的距離を略一致させることによ
り、電極上の液晶の撓電効果の均衡を保つことができ、
残像を抑制することができる。また、第１の電極と第２
の電極との間に層間絶縁膜が形成されているので、パタ
ーニング欠陥による両電極間の電気的ショートの発生を
防止でき、製造歩留まりを良好にすることができる。
１）によれば、第１の電極と第２の電極とで電極から液
晶層に至る絶縁膜の誘電的距離を略一致させることによ
り、電極上の液晶の撓電効果の均衡を保つことができ、
残像を抑制することができる。また、第１の電極と第２
の電極との間に層間絶縁膜が形成されているので、パタ
ーニング欠陥による両電極間の電気的ショートの発生を
防止でき、製造歩留まりを良好にすることができる。
【０１０５】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
（請求項１２乃至１４）によれば、上記効果を奏する液
晶表示装置を得ることができる。また、第２の電極と撓
電緩和層との形成（請求項１２の場合）、第２の電極の
形成と層間絶縁膜の薄膜化又は除去（請求項１３の場
合）を同一の工程で行うので、製造工程の短縮化を図る
ことができる。
（請求項１２乃至１４）によれば、上記効果を奏する液
晶表示装置を得ることができる。また、第２の電極と撓
電緩和層との形成（請求項１２の場合）、第２の電極の
形成と層間絶縁膜の薄膜化又は除去（請求項１３の場
合）を同一の工程で行うので、製造工程の短縮化を図る
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置
のー画素分を示す平面図である。
のー画素分を示す平面図である。
【図２】図１のＡーＡ’線における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置
のー画素分を示す平面図である。
のー画素分を示す平面図である。
【図５】図４のＡ”ーＡ”’線における断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置
のー画素分を示す平面図である。
のー画素分を示す平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置
の構造及び製造工程を示し、図６のＢ−Ｂ’線における
断面図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜
（ｅ）は種々の構造を示す図である。
の構造及び製造工程を示し、図６のＢ−Ｂ’線における
断面図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜
（ｅ）は種々の構造を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置
のー画素分を示す平面図である。
のー画素分を示す平面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置
の構造及び製造工程を示し、図８のＣ−Ｃ’線における
断面図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜
（ｄ）は種々の構造を示す図である。
の構造及び製造工程を示し、図８のＣ−Ｃ’線における
断面図であり、（ａ）は製造工程途中図、（ｂ）〜
（ｄ）は種々の構造を示す図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係る液晶表示装
置のー画素分を示す平面図である。
置のー画素分を示す平面図である。
【図１１】図１０のＤーＤ’線における断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施の形態に係る液晶表示装
置の構造及び製造工程を示す断面図であり、（ａ）は製
造工程途中図、（ｂ）〜（ｆ）は種々の構造を示す図で
ある。
置の構造及び製造工程を示す断面図であり、（ａ）は製
造工程途中図、（ｂ）〜（ｆ）は種々の構造を示す図で
ある。
【図１３】第１の従来例に係る液晶表示装置のー画素分
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１４】図１３のＥーＥ’線における断面図である。
【図１５】第１の従来例に係る液晶表示装置を示す断面
図である。
図である。
【図１６】第２の従来例に係る液晶表示装置のー画素分
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１７】図１６のＦーＦ’線における断面図である。
【図１８】第２の従来例に係る液晶表示装置の問題点を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
１０１、１０１’、２０１、３０１、４０１、５０１：
第１櫛歯電極 １０２、１０２’、２０２、３０２、４０２：第２櫛歯
電極 ４０２ａ：第２櫛歯電極本体 ４０２ｂ：陽極酸化膜 １０３、１０３’：撓電緩和層 １１０、１１０’、２１０、３１０、４１０、５１０：
基板 １１１、１１１’、２１１、３１１、４１１：層間絶縁
膜 １２０、１２１：配向膜 １３０：液晶層 １４０：対向基板 ２１２：カバー絶縁膜 ３５０、５５０：掘り込み部 ３５１：フォトレジスト ５１３：平坦絶縁膜 １６１、１６１’、２６１、３６１、４６１：映像信号
線 １６２、１６２’、２６２、３６２、４６２：走査線 １６３、１６３’、２６３、３６３、４６３：薄膜トラ
ンジスタ
第１櫛歯電極 １０２、１０２’、２０２、３０２、４０２：第２櫛歯
電極 ４０２ａ：第２櫛歯電極本体 ４０２ｂ：陽極酸化膜 １０３、１０３’：撓電緩和層 １１０、１１０’、２１０、３１０、４１０、５１０：
基板 １１１、１１１’、２１１、３１１、４１１：層間絶縁
膜 １２０、１２１：配向膜 １３０：液晶層 １４０：対向基板 ２１２：カバー絶縁膜 ３５０、５５０：掘り込み部 ３５１：フォトレジスト ５１３：平坦絶縁膜 １６１、１６１’、２６１、３６１、４６１：映像信号
線 １６２、１６２’、２６２、３６２、４６２：走査線 １６３、１６３’、２６３、３６３、４６３：薄膜トラ
ンジスタ
Claims (14)
- 【請求項１】第１の基板と、その第１の基板から所定間
隔を隔てて配置された第２の基板と、前記第１の基板と
第２の基板との間に設けられた液晶層と、前記第１の基
板の液晶層に面する側の面に形成された画素を構成する
第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電極
と第２の電極との間に生じる電界によって平面内スイッ
チングを行う液晶表示装置において、 前記画素内に、少なくとも前記第１の電極の下部には存
在せず、かつ少なくとも前記第２の電極の下部には存在
する層間絶縁膜を有し、 前記第１の電極の少なくともー部の上側表面から前記液
晶層に至る誘電体層の単位面積当たりの電気容量と、前
記第２の電極の少なくともー部の上側表面から前記液晶
層に至る誘電体層の単位面積当たりの電気容量とが略一
致する、 ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記画素内の層間絶縁膜は、前記第１の電
極の上部に被覆され、 前記第２の電極の上部に、前記第２の電極と略同一の平
面形状を有する絶縁体からなる撓電緩和層が形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記画素内の層間絶縁膜は、前記第１の電
極の上部に被覆され、 前記第１の電極の上部における前記層間絶縁膜の膜厚
は、前記第２の電極の下部における前記層間絶縁膜の膜
厚に比べて薄いことを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項４】前記画素内における前記第２の電極の下部
を除く領域の前記層間絶縁膜の膜厚は、前記第２の電極
の下部の前記層間絶縁膜の膜厚に比べて薄いことを特徴
とする請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記画素内の層間絶縁膜は、前記第１の電
極の上部に存在しないことを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項６】前記第２の電極の上部及び側部は、陽極酸
化膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項７】前記第１の基板の表面又は基板上に形成さ
れた絶縁膜に凹凸部を有し、 前記第１の電極の少なくともー部は前記凹凸部のうち凸
部上に配置され、 前記第２の電極の少なくともー部は前記凹凸部のうち凹
部上に配置されることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれか１つの項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】前記第１の基板上の前記第１の電極及び第
２の電極の上部を含む領域は、平坦絶縁膜により平坦化
されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項９】前記平坦絶縁膜は、有機ポリマーを主成分
とする塗布焼成型の膜であることを特徴とする請求項８
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記平坦絶縁膜は、配向膜として用いら
れることを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１１】前記第１の電極及び第２の電極の上部に
カバー絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項１乃
至７のいずれか１つの項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】第１の基板と、その第１の基板から所定
間隔を隔てて配置された第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間に設けられた液晶層と、前記第１の
基板の液晶層に面する側の面に形成された画素を構成す
る第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電
極と第２の電極との間に生じる電界によって平面内スイ
ッチングを行う液晶表示装置の製造方法において、
（１）前記第１の基板上又はその第１の基板上に形成さ
れた絶縁膜上に、第１の金属層を被覆する工程と（２）
前記第１の金属層を食刻して所定のパターンを有する前
記第１の電極を形成する工程と、（３）前記第１の電極
に絶縁体からなる層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）
前記層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆する工程と、
（５）前記第２の金属層上に絶縁膜を形成する工程と、
（６）前記第２の金属層及び第２の金属層上に形成され
た前記絶縁膜とを食刻して所定のパターンを有する前記
第２の電極及び前記第２の電極と略同一の平面形状を有
する絶縁膜からなる撓電緩和層とを形成する工程と、を
有し、（１）から（６）の順序で行われることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】第１の基板と、その第１の基板から所定
間隔を隔てて配置された第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間に設けられた液晶層と、前記第１の
基板の液晶層に面する側の面に形成された画素を構成す
る第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電
極と第２の電極との間に生じる電界によって平面内スイ
ッチングを行う液晶表示装置の製造方法において、
（１）前記第１の基板上又はその第１の基板上に形成さ
れた絶縁膜上に、第１の金属層を被覆する工程と（２）
前記第１の金属層を食刻して所定のパターンを有する前
記第１の電極を形成する工程と、（３）前記第１の電極
に層間絶縁膜を被覆する工程と、（４）前記層間絶縁膜
上に第２の金属層を被覆する工程と、（５）前記第２の
金属層と前記層間絶縁膜とを食刻して所定のパターンを
有する前記第２の電極の形成と前記第２の電極の下部以
外の領域の前記層間絶縁膜の薄膜化又は除去とを行う工
程と、を有し、（１）から（５）の順序で行われること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】第１の基板と、その第１の基板から所定
間隔を隔てて配置された第２の基板と、前記第１の基板
と第２の基板との間に設けられた液晶層と、前記第１の
基板の液晶層に面する側の面に形成された画素を構成す
る第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電
極と第２の電極との間に生じる電界によって平面内スイ
ッチングを行う液晶表示装置の製造方法において、
（１）前記第１の基板上又はその第１の基板上に形成さ
れた絶縁膜上に凹凸部を形成する工程と、（２）前記凹
凸部上に第１の金属層を被覆する工程と（３）前記第１
の金属層を食刻して前記凹凸部のうちの凸部上の領域に
所定のパターンを有する前記第１の電極を形成する工程
と、（４）前記第１の電極上に層間絶縁膜を被覆する工
程と、（５）前記層間絶縁膜上に第２の金属層を被覆す
る工程と、（６）前記第２の金属層を食刻して前記凹凸
部のうち凹部上の領域に所定のパターンを有する前記第
２の電極を形成する工程と、を有し、（１）から（６）
の順序で行われることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356527A JP3019053B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US09/217,057 US6160601A (en) | 1997-12-25 | 1998-12-21 | In-plane switching LCD having interlayer insulator at particular region with respect to electrodes |
| TW087121682A TW438987B (en) | 1997-12-25 | 1998-12-24 | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| KR1019980058665A KR100317893B1 (ko) | 1997-12-25 | 1998-12-24 | 액정표시장치및그제조방법 |
| US09/394,343 US6072554A (en) | 1997-12-25 | 1999-09-13 | In-plane switching type liquid crystal display wherein the upper surface of the first substate having a raised portion |
| US09/394,098 US6128062A (en) | 1997-12-25 | 1999-09-13 | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| US09/394,392 US6115096A (en) | 1997-12-25 | 1999-09-13 | In-plane switching LCD with recessed substrate and method of fabrication |
| US09/469,362 US6144436A (en) | 1997-12-25 | 1999-12-22 | Method of fabricating an in plane switching LCD in which an electrode is formed on a raised portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356527A JP3019053B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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|---|---|
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Family
ID=18449474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR100317893B1 (ja) |
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| US7304634B2 (en) * | 1995-07-20 | 2007-12-04 | E Ink Corporation | Rear electrode structures for electrophoretic displays |
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