[go: up one dir, main page]

JP2002009096A - 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents

樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Info

Publication number
JP2002009096A
JP2002009096A JP2000185328A JP2000185328A JP2002009096A JP 2002009096 A JP2002009096 A JP 2002009096A JP 2000185328 A JP2000185328 A JP 2000185328A JP 2000185328 A JP2000185328 A JP 2000185328A JP 2002009096 A JP2002009096 A JP 2002009096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
substrate
semiconductor chip
sealing
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000185328A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Miyajima
文夫 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP2000185328A priority Critical patent/JP2002009096A/ja
Priority to US09/884,054 priority patent/US20020017738A1/en
Publication of JP2002009096A publication Critical patent/JP2002009096A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B29C2045/14663—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame the mould cavity walls being lined with a film, e.g. release film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75315—Elastomer inlay
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フリップチップ実装された半導体パッケージ
のアンダーフィルモールドが均一に行え、しかも製造コ
スト、ランニングコストを削減できる樹脂封止方法を提
供する。 【解決手段】 半導体チップ６と基板２との隙間部分２
１へ優先的に封止樹脂２２を圧送りしてアンダーフィル
モールドを行い、アンダーフィル部２４に接続する成形
品ゲートランナ２５を基板端位置で分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は、基板に半導体チッ
プがフリップチップ接続された被成形品をモールド金型
によりクランプし、半導体チップと基板との隙間部分を
含むキャビティに封止樹脂を圧送して樹脂封止する樹脂
封止方法及び樹脂封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを基板にフリップチップ接
続した後、該半導体チップと基板との間の熱応力による
影響を緩和するため、所謂アンダーフィルモールドが行
われている。このアンダーフィルモールドは、半導体チ
ップの一辺又は二辺に相当する周囲にポッティングによ
り液状樹脂を垂らして基板を傾けることにより、毛細管
現象により半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入
し、加熱硬化させて樹脂封止するものである。
【０００３】また、半導体チップと基板との隙間が狭小
化して液状樹脂に気泡が生じ易く、フィラーなどを含有
するため流れ性が悪いこと、更には生産効率の低さなど
の理由から、本件出願人は、ポッティング法に替えてト
ランスファー成形法によりアンダーフィルモールドを行
う樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提案した（特開平１
１−２７４１９７号公報参照）。
【０００４】この方法は、半導体チップがフリップチッ
プされた基板（被成形品）を下型へセットし、基板上及
び樹脂路を覆うリリースフイルムを上下金型面に各々吸
着させて、ポットに樹脂タブレットを投入する。そし
て、モールド金型を型閉じして被成形品をクランプし
て、樹脂タブレットを加熱溶融させながらプランジャに
より圧送りして樹脂封止するものである。この場合、半
導体チップと基板との隙間部分へのアンダーフィルモー
ルドを確実に行うため、半導体チップの両側面部（アン
ダーフィル部への樹脂充填方向に対して両側部）にサイ
ドブロックを設けて、該サイドブロックを予めキャビテ
ィ凹部内へ突出させてリリースフィルムを基板上に押さ
えてアンダーフィルモールドを行い、樹脂が半導体チッ
プの下流側より流出する際にサイドブロックを退避させ
て半導体チップの残る両側面部を樹脂封止するようにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平１１−２７４１
９７号公報に開示されている樹脂封止方法及び樹脂封止
装置は、上下リリースフィルムにより挟まれてモールド
金型より離型した成形品には、不用樹脂である成形品ゲ
ートランナが一体となっており、この成形品のゲートブ
レイクをモールド金型上で行うか或いはモールド金型外
へ取出してから行うかのいずれかにより行う必要があ
る。しかしながら、モールド金型上でゲートブレイクし
ても上下にリリースフィルムにより覆われている状態
で、成形品（パッケージ）と不要樹脂とをいかにして分
離して取出すかが課題として残り、封止装置を自動化す
るには成形品の取出構造が煩雑になるおそれがある。ま
た、成形品をモールド金型外へ取出してからゲートブレ
イクする場合には、リリースフィルムと共に成形品を搬
送する際に、パッケージに成形品ゲートランナが一体に
なっているため成形品が撓み易いため、成形品を破損し
易く、不要樹脂が成形品ランナの途中などで折れて落下
するおそれがあるなどの不具合が生ずる。
【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、フリップチップ実装されたパッケージのアンダー
フィルモールドが均一に行え、製造コスト、ランニング
コストが削減でき、しかも成形後のゲートブレイクが定
位置で容易に行える樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。即ち、樹脂封止方法に
おいては、被成形品をモールド金型内に搬入し、半導体
チップを収容するキャビティ凹部及び該キャビティ凹部
に連通する樹脂路を含む上型面をリリースフィルムによ
り覆って上型及び下型により被成形品をクランプし、半
導体チップと基板との隙間部分へ優先的に封止樹脂を圧
送りしてアンダーフィルモールドを行い、アンダーフィ
ル部に接続する成形品ゲートランナを基板端位置で分離
することを特徴とする。また、半導体チップの両側面部
で上型に設けられた可動ブロックを予めキャビティ凹部
内へ突出させリリースフィルムを基板上に押接してアン
ダーフィルモールドを行い、可動ブロックを退避させて
半導体チップの両側面部を樹脂封止することを特徴とす
る。また、成形品ゲートランナのうち基板端からアンダ
ーフィル部に連絡する部位の成形樹脂厚が、基板端より
ポット側の成形樹脂厚より薄くなるように樹脂封止する
ことを特徴とする。また、基板上に残存する成形品ラン
ナの基板端位置にはＶ溝が形成されて樹脂封止されるこ
とを特徴とする。また、上型の基板端位置には可動ゲー
トピンが樹脂路に対して突き出し可能に設けられてお
り、アンダーフィルモールド後に可動ゲートピンにより
樹脂路を閉鎖することにより、基板端位置の封止樹脂を
ポット側へ押し戻して樹脂封止することを特徴とする。
また、上型には基板端よりキャビティ凹部に連絡する樹
脂路へ可動ランナブロックが突き出し可能に設けられて
おり、アンダーフィルモールド後に可動ランナブロック
により樹脂路を閉鎖することにより、基板上の封止樹脂
をポット側へ押し戻して樹脂封止することを特徴とす
る。
【０００８】また、樹脂封止装置においては、被成形品
を載置する下型と、半導体チップを収容するキャビティ
凹部、該キャビティ凹部に連通する樹脂路が形成された
上型とを具備したモールド金型と、上型のキャビティ凹
部及び該キャビティ凹部に連通する樹脂路を覆うリリー
スフィルムとを備え、半導体チップと基板との隙間部分
より優先的に封止樹脂を圧送りしてアンダーフィルモー
ルドを行うと共に、該アンダーフィル部に接続する成形
品ゲートランナを基板上に残したまま半導体チップを樹
脂封止することを特徴とする。また、上型には、半導体
チップの両側面部に可動ブロックがキャビティ凹部内へ
突出可能に設けられており、該可動ブロックを予めキャ
ビティ凹部内へ突出させてリリースフィルムを基板上に
押接してアンダーフィルモールドを行い、可動ブロック
を退避させて半導体チップの両側面部を樹脂封止するこ
とを特徴とする。また、上型に形成された金型ゲートラ
ンナのうち基板端からキャビティ凹部に連絡する部位の
樹脂路断面が、基板端よりポットに連絡する部位の樹脂
路断面より小さく形成されていることを特徴とする。ま
た、半導体チップの少なくとも各コーナー部を含む上縁
部には面取り部が形成されていることを特徴とする。ま
た、上型の基板端位置には可動ゲートピンが樹脂路に対
して突き出し可能に設けられており、アンダーフィルモ
ールド後に可動ゲートピンにより樹脂路を閉鎖すること
により、基板端位置の封止樹脂をポット側へ押し戻して
樹脂封止することを特徴とする。また、上型には基板端
よりキャビティ凹部に連絡する樹脂路へ可動ランナブロ
ックが突き出し可能に設けられており、アンダーフィル
モールド後に可動ランナブロックにより樹脂路を閉鎖す
ることにより、基板上の封止樹脂をポット側へ押し戻し
て樹脂封止することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る樹脂封止方法
及び樹脂封止装置の好適な実施の形態について添付図面
と共に詳述する。 ［第１実施例］先ず、基板に半導体チップがフリップチ
ップ接続された被成形品をトランスファ成形により樹脂
封止する樹脂封止方法及び樹脂封止装置について説明す
る。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は樹脂封止装置のモールド
金型の模式上視図、矢印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完了
前後の状態を示す矢印Ｂ−Ｂ断面図、図２（ａ）（ｂ）
（ｃ）は樹脂封止後の成形品の斜視図、上視図及び矢印
Ｃ−Ｃ断面図、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は
他例に係る樹脂封止後の成形品の斜視図、上視図、矢印
Ｃ−Ｃ断面図、矢印Ｄ−Ｄ断面図及び半導体チップ形状
の説明図、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）は可動ブロックの形
状を示す説明図、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図６
（ａ）（ｂ）（ｃ）は他例に示す樹脂封止装置のモール
ド金型の模式上視図、矢印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完
了前後の状態を示す矢印Ｂ−Ｂ断面図である。
【００１０】先ず、樹脂封止装置の概略構成について図
１及び図２を参照して説明する。図１（ｂ）において、
１はモールド金型であり、基板２を載置する下型３と、
樹脂路が形成された上型４とを備えている。上型４の上
型ブロック５には、基板２にフリップチップ接続された
半導体チップ６を収容するキャビティ凹部７、該キャビ
ティ凹部７に連通する金型ゲートランナ８、金型カル９
などの樹脂路が形成されている。被成形品は、半導体チ
ップ６をバンプ又ははんだボールなどの電極端子６ａを
介してフリップチップ接続された基板２が用いられる。
基板２としては、エポキシ系樹脂基板、ポリイミド系樹
脂基板、ＢＴ（Bismaleimide・Triazine）基板の他にセ
ラミックス基板なども用いられる。また、基板２は、単
層基板でも多層基板のいずれでも良い。
【００１１】上型４には、半導体チップ６の両側面部
（アンダーフィル部への樹脂充填方向に対して両側部）
に可動ブロック（フィレットフォーク）１０がキャビテ
ィ凹部７内へ突出可能に設けられている。この可動ブロ
ック１０は、図示しないシリンダ駆動により、キャビテ
ィ凹部７内へ突出可能に設けられている。尚、アンダー
フィルモールドが優先的に行えるのであれば、可動ブロ
ック１０は省略可能であり、この場合には半導体チップ
６の両側面部はキャビティ凹部７の内壁面であっても良
い。また、下型３には基板２を載置する基板搭載部１
１、該基板搭載部１１を形成する下型インサートブロッ
ク１２、図示しないプランジャを内臓したポット１３、
ポット１３の周囲に設けられたポットインサート１４、
下型インサートブロック１２の周囲に設けられたエンド
ブロック１５、上記ポットインサート１４、下型インサ
ートブロック１２、エンドブロック１５を支持する下型
ベースブロック１６などが設けられている。下型インサ
ートブロック１２は下型ベースブロック１６との間に弾
装された下型スプリング１７により上方へ付勢されてい
る。
【００１２】１８はリリースフィルムであり、上型４の
キャビティ凹部７及び該キャビティ凹部７に連通する樹
脂路（金型ゲートランナ８、金型カル９など）を覆い、
半導体チップ６及び基板２の上面を露出させて樹脂封止
する。リリースフィルム１８は、モールド金型１の加熱
温度に耐えられる耐熱性を有するもので、金型面より容
易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するフ
ィルム材、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥ
Ｐ、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニリジン等が好適に用いられる。リリースフィルム
１８は、上型ブロック５のパーティング面に形成された
図示しない吸着穴よりエアーを吸引することで、吸着保
持される。リリースフィルム１８は、リール間に巻回さ
れた長尺状のものをリリースフィルム供給機構（図示せ
ず）により連続してモールド金型１へ供給するようにな
っていても、或いは予め短冊状に切断されたものを用い
ても良い。
【００１３】下型インサートブロック１２には、突出ピ
ン１９が上方に突出して設けられており、先端部が基板
２より上方に突出している。上型ブロック５には、突出
ピン１９に対向する位置に挿入穴２０が設けられてい
る。モールド金型１をクランプする際に、突出ピン１９
がリリースフィルム１８を挿入穴２０に若干押し込んで
リリースフィルム１８の皺やたるみを矯正するようにな
っている。また、図１（ａ）（ｂ）において、上型４の
金型ゲートランナ８のうち基板端からキャビティ凹部７
に連絡する部位の樹脂路断面が、基板端よりポット１３
に連絡する部位の樹脂路断面より小さく形成されてい
る。これによって、成形品ランナの基板端に応力集中し
易くして、ゲートブレイクが定位置で容易に行える。ま
た、樹脂封止装置は、例えば下型３を電動モータにより
トグル機構などを用いて上下動させてモールド金型１を
開閉する公知の型開閉機構、ポット１３より樹脂路を経
て封止樹脂をキャビティへ圧送するトランスファ機構な
どが装備されている。
【００１４】樹脂封止方法について説明すると、上型４
の半導体チップ６を収容するキャビティ凹部７、該キャ
ビティ凹部７に連通する樹脂路を含む上型面にリリース
フィルム１８を吸着保持しておく。そして、半導体チッ
プ６をフリップチップ接続された基板２をモールド金型
１の下型３の基板搭載部１１に搬入し、ポットに樹脂タ
ブレットを投入して図示しない型開閉機構を作動させて
モールド金型１をクランプする。そして、図示しないト
ランスファ機構を作動させて、プランジャを上昇させて
ポット１３より樹脂路を経てキャビティへ封止樹脂を圧
送りする。
【００１５】このとき、図１（ｃ）の左半図に示すよう
に、予め半導体チップ６両側面部に設けられた可動ブロ
ック１０をキャビティ凹部７内へ突出させてリリースフ
ィルム１８を基板２上に押接した状態にすることによ
り、半導体チップ６と基板２との隙間部分２１へ優先的
に封止樹脂２２を圧送りしてアンダーフィルモールドを
行う。そして、封止樹脂２２が半導体チップ６のゲート
側から下流側に到達すると、図１（ｃ）の右半図に示す
ように、可動ブロック１０を上方に退避させて樹脂封止
を行う。尚、可動ブロック１０を基板２より退避させる
タイミングは、少なくともアンダーフィル部２４に封止
樹脂２２が充填されると同時若しくはそれ以降であるの
が望ましい。これにより、図２（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、成形品２３はアンダーフィル部２４に接続する成
形品ゲートランナ２５の一部を基板２上に残したまま樹
脂成形される。成形品ゲートランナ２５は、基板端にお
いて樹脂路断面が絞られて形成されているので、基板端
に応力集中し易く、ゲートブレイクが定位置で容易に行
われる。尚、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ６
の各コーナー部６ｂより周囲に封止樹脂２２が回り込ん
で樹脂リング部２４ａが形成されていても良い。この場
合には、半導体チップ６のコーナー部６ｂで発生し易い
応力集中を緩和でき、半導体チップ６を損傷するおそれ
がない。この場合には、基板２上の樹脂路にも金めっき
が施されているのが望ましい。
【００１６】また、図３（ａ）〜（ｃ）において、基板
２上に残存する成形品ゲートランナ２５の基板端位置に
は基板端面に対して傾斜したＶ溝２６が形成されていて
も良い。このＶ溝２６は、上型ブロック５に形成された
樹脂路のうちの基板端位置に突設された突部などにより
形成しても良い。この場合には、成形品ゲートランナ２
５の基板端位置に形成されたＶ溝２６より確実かつ少な
い応力でゲートブレイクすることができる。また、図３
（ｄ）に示すように、半導体チップ６の各コーナー部６
ｂには面取り部６ｃが形成されているのが好ましく、更
には図３（ｅ）に示すように、各コーナー部６ｂを含む
上縁部全周に面取り部６ｃが形成されていても良い。面
取り部６ｃは、例えば段付きの砥石を用いて半導体チッ
プ６に対して面取り加工して形成する。この面取り部６
ｃにより、リリースフィルム１８が破れ難くなり、生産
性が向上する。また、リリースフィルム１８の過度の伸
びが防止できるので、該フィルム１８が膨らまされたと
きの各コーナー部６ｂによるエッジ痕跡を無くすことが
できる。
【００１７】また、可動ブロック１０の先端部形状は、
図４（ａ）に示すように、半導体チップ側先端部に段差
１０ａが形成されたもの、図４（ｂ）に示すように半導
体チップ側先端部にテーパー部１０ｂが形成されたも
の、図４（ｃ）に示すように半導体チップ側先端部に面
取り部１０ｃが形成されたものなどいずれの態様を採用
しても良い。
【００１８】上記樹脂封止方法及び樹脂封止装置によれ
ば、従来モールド金型１の上下に使用しているリリース
フィルム１８のうち、上フィルムのみ使用し下フィルム
を省略して既存の樹脂封止方法及び樹脂封止装置を使用
できるため、製造コストやランニングコストを低減でき
る。また、下フィルムを省略できるので、成形品２３を
下型３側に載置したまま型開きして取り出しできるの
で、取出動作が簡略化できる。また、基板端の成形品ゲ
ートランナ２５の断面積を絞ったりＶ溝２６を形成した
りすることで該基板端に応力集中し易く、不要樹脂のゲ
ートブレイクが小さい応力でしかも定位置で確実に行え
る。
【００１９】次に、樹脂封止方法及び樹脂封止装置の他
例について図５及び図６を参照して説明する。尚、図１
の樹脂封止装置と同一部材には、同一番号を付して説明
を援用する。図５（ａ）（ｂ）において、上型４の樹脂
路の基板端位置に、可動ゲートピン２７が樹脂路に対し
て突き出し可能に設けられている。可動ゲートピン２７
は、図示しないシリンダ等による駆動により樹脂路に突
出して該樹脂路を閉鎖可能に設けられている。この可動
ゲートピン２７は、例えばアンダーフィルモールド後
に、図５（ｃ）に示す半導体チップ６の両側面部（アン
ダーフィル部への樹脂充填方向に対して両側部）に設け
られた可動ブロック１０を退避させるのと同時かそれ以
降の所定のタイミングで可動ゲートピン２７を樹脂路へ
突き出して閉鎖することにより、基板端位置の封止樹脂
２２をポット１３側へ押し戻して樹脂封止する。上記樹
脂封止方法及び樹脂封止装置によれば、成形品２３の基
板端の成形品ゲートランナ２５の樹脂厚を薄くでき、ゲ
ートブレイクをし易くできる。
【００２０】また、図６（ａ）（ｂ）において、上型４
の基板端から隙間部分にわたる樹脂路に対して可動ラン
ナブロック２８が突き出し可能に設けられている。この
可動ランナブロック２８は図示しないシリンダ等による
駆動により樹脂路に突出して該樹脂路を閉鎖可能に設け
られている。可動ランナブロック２８は、アンダーフィ
ルモールド後に、図６（ｃ）に示す半導体チップ６の両
側面部（アンダーフィル部への樹脂充填方向に対して両
側部）に設けられた可動ブロック１０を退避させるのと
同時かそれ以降の所定のタイミングで可動ランナブロッ
ク２８により樹脂路を閉鎖することにより、基板上の封
止樹脂２２をポット１３側へ押し戻して樹脂封止する。
上記樹脂封止方法及び樹脂封止装置によれば、成形品２
３の基板上の成形品ゲートランナ２５が残っても薄ばり
状であるため、ゲートブレイクが不要若しくは極めて簡
略化できる。
【００２１】更に、樹脂封止方法及び樹脂封止装置の他
例について図７〜図９を参照して説明する。尚、図１の
樹脂封止装置と同一部材には、同一番号を付して説明を
援用する。図７（ａ）〜（ｃ）において、モールド金型
３０のうち、上型ブロック３１のキャビティ凹部７には
金型凸部３２が形成されている。この金型凸部３２は、
半導体チップ６を樹脂封止する際に、該半導体チップ６
の周囲の樹脂封止部３７に成形品凹部３４を形成して樹
脂封止するようにしたものである（図９（ａ）〜（ｃ）
参照）。半導体チップ６の上面には樹脂封止後に図示し
ない放熱板が接着される。このとき、樹脂封止部３７に
形成された成形品凹部３４に接着剤が塗布されて放熱板
が貼り合わされる。図８（ａ）（ｂ）にモールド金型３
０の構成を示す。本実施例の場合、図８（ａ）に示すよ
うに、上型３２のキャビティ凹部７には、半導体チップ
６をクランプする金型凹部３３が設けられその周囲に金
型凸部３２が設けられている。この場合、樹脂封止後の
半導体チップ６の露出部分が、成形品凹部３４より例え
ば０．０５ｍｍ程度の高さとなる程度に凹凸部が設計さ
れていれば充分である。また、上型３２には、基板端に
金型ゲートランナ８が接続するように形成されており、
該金型ゲートランナ８のディゲートライン３５は図８
（ｂ）の部分拡大図の破線に示すように基板端部より突
出しないように設計されている。
【００２２】図７のモールド金型３０を用いて樹脂封止
した成形品３６を図９（ａ）〜（ｃ）に示す。図９
（ａ）〜（ｃ）において、成形品ゲート３８には図８
（ｂ）に示すディゲートライン３５に沿ってゲートブレ
イクされた結果、基板端面に対して傾斜したテーパー部
３９が形成されている。
【００２３】このように、半導体チップ６の上面に図示
しない放熱板を接着するため、半導体チップ６の周囲を
封止する樹脂封止部３７に成形品凹部３４を形成するこ
とにより、放熱板を接着する接着剤層の厚さを樹脂封止
部３７で吸収できるため、パッケージの高さを低く抑え
ることができる。
【００２４】以上本発明の好適な実施例について種々述
べてきたが、樹脂封止装置及び樹脂封止方法は上述した
各実施例に限定されるのではなく、例えば基板上に形成
される成形品ゲートランナの樹脂厚などは任意に設計で
き、アンダーフィルモールド後にキャビティ凹部に突き
出した可動ブロックを退避させるタイミングなどは任意
である等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る、樹脂封止方法及び樹脂封
止装置によれば、従来樹脂封止装置のモールド金型に上
下に使用しているリリースフィルムのうち、上フィルム
のみ使用し下フィルムを省略して既存の樹脂封止方法及
び樹脂封止装置を使用できるため、製造コストやランニ
ングコストを低減できる。また、下フィルムを省略でき
るので、成形品を下型側に載置したまま型開きして取り
出しできるので、取出動作が簡略化できる。また、基板
端の成形品ゲートランナの断面積を絞ったりＶ溝を形成
したりすることで該基板端に応力集中し易く、不要樹脂
のゲートブレイクが小さい応力でしかも定位置で確実に
行える。また、上型の基板端位置に可動ゲートピンを樹
脂路に突き出し可能に設けたり、基板端からキャビティ
凹部に連絡する樹脂路に可動ランナブロックを突き出し
可能に設けた場合には、アンダーフィルモールド後に可
動ゲートピン又は可動ランナブロックにより樹脂路を閉
鎖することにより、基板上の封止樹脂をポット側へ押し
戻して樹脂封止できるので、基板上の成形品ゲートラン
ナの樹脂厚を薄くしたり、薄ばり状にして、ゲートブレ
イクが極めて容易若しくは省略することができる。ま
た、半導体チップの少なくとも各コーナー部を含む上縁
部には面取り部が形成されている場合には、該面取り部
によりリリースフィルムが破れ難くなり、生産性が向上
するうえに、リリースフィルムの過度の伸びが防止でき
るので、該フィルムが膨らまされたときの各コーナー部
によるエッジ痕跡を無くすことができる。また、半導体
チップに放熱板を接着するため、該半導体チップの周囲
を封止する樹脂封止部に凹部を形成する場合には、放熱
板を接着する接着剤層の厚さを樹脂封止部で吸収できる
ため、パッケージの高さを低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】樹脂封止装置のモールド金型の模式上視図、矢
印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完了前後の状態を示す矢印
Ｂ−Ｂ断面図である。
【図２】樹脂封止後の成形品の斜視図、上視図及び矢印
Ｃ−Ｃ断面図である。
【図３】他例に係る樹脂封止後の成形品の斜視図、上視
図及び矢印Ｃ−Ｃ断面図、矢印Ｄ−Ｄ断面図及び半導体
チップ形状の説明図である。
【図４】可動ブロックの形状を示す説明図である。
【図５】他例に示す樹脂封止装置のモールド金型の模式
上視図、矢印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完了前後の状態
を示す矢印Ｂ−Ｂ断面図である。
【図６】他例に示す樹脂封止装置のモールド金型の模式
上視図、矢印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完了前後の状態
を示す矢印Ｂ−Ｂ断面図である。
【図７】他例に示す樹脂封止装置のモールド金型の模式
上視図、矢印Ａ−Ａ断面図及び樹脂充填完了前後の状態
を示す矢印Ｂ−Ｂ断面図である。
【図８】図７のモールド金型の断面説明図及び部分拡大
図である。
【図９】図７の樹脂封止後の成形品の斜視図、上視図及
び矢印Ｃ−Ｃ断面図である。
【符号の説明】
１、３０ モールド金型 ２ 基板 ３ 下型 ４ 上型 ５、３１ 上型ブロック ６ 半導体チップ ６ａ 電極端子 ６ｂ コーナー部 ６ｃ 面取り部 ７ キャビティ凹部 ８ 金型ゲートランナ ９ 金型カル １０ 可動ブロック １１ 基板搭載部 １２ 下型インサートブロック １３ ポット １４ ポットインサート １５ エンドブロック １６ 下型ベースブロック １７ 下型スプリング １８ リリースフィルム １９ 突出ピン ２０ 挿入穴 ２１ 隙間部分 ２２ 封止樹脂 ２３、３６ 成形品 ２４ アンダーフィル部 ２５ 成形品ゲートランナ ２６ Ｖ溝 ２７ 可動ゲートピン ２８ 可動ランナブロック ３２ 金型凸部 ３３ 金型凹部 ３４ 成形品凹部 ３５ ディゲートライン ３７ 樹脂封止部 ３８ 成形品ゲート ３９ テーパー部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に半導体チップがフリップチップ接
    続された被成形品をモールド金型によりクランプし、前
    記半導体チップと基板との隙間部分を含むキャビティに
    封止樹脂を圧送して樹脂封止する樹脂封止方法におい
    て、 前記被成形品をモールド金型内に搬入し、前記半導体チ
    ップを収容するキャビティ凹部及び該キャビティ凹部に
    連通する樹脂路を含む上型面をリリースフィルムにより
    覆って上型及び下型により前記被成形品をクランプし、 前記半導体チップと基板との隙間部分へ優先的に封止樹
    脂を圧送りしてアンダーフィルモールドを行い、アンダ
    ーフィル部に接続する成形品ゲートランナを基板端位置
    で分離することを特徴とする樹脂封止方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体チップの両側面部で前記上型
    に設けられた可動ブロックを予めキャビティ凹部内へ突
    出させ前記リリースフィルムを基板上に押接してアンダ
    ーフィルモールドを行い、前記可動ブロックを退避させ
    て前記半導体チップの両側面部を樹脂封止することを特
    徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
  3. 【請求項３】 前記成形品ゲートランナのうち基板端か
    らアンダーフィル部に連絡する部位の成形樹脂厚が、前
    記基板端よりポット側の成形樹脂厚より薄くなるように
    樹脂封止することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止
    方法。
  4. 【請求項４】 前記基板上に残存する成形品ランナの基
    板端位置にはＶ溝が形成されて樹脂封止されることを特
    徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
  5. 【請求項５】 前記上型の基板端位置には可動ゲートピ
    ンが樹脂路に対して突き出し可能に設けられており、ア
    ンダーフィルモールド後に前記可動ゲートピンにより樹
    脂路を閉鎖することにより、基板端位置の封止樹脂をポ
    ット側へ押し戻して樹脂封止することを特徴とする請求
    項１記載の樹脂封止方法。
  6. 【請求項６】 前記上型には基板端よりキャビティ凹部
    に連絡する樹脂路へ可動ランナブロックが突き出し可能
    に設けられており、アンダーフィルモールド後に前記可
    動ランナブロックにより樹脂路を閉鎖することにより、
    前記基板上の封止樹脂をポット側へ押し戻して樹脂封止
    することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。
  7. 【請求項７】 基板に半導体チップがフリップチップ接
    続された被成形品をモールド金型によりクランプし、前
    記半導体チップと基板との隙間部分を含むキャビティに
    封止樹脂を圧送して樹脂封止する樹脂封止装置におい
    て、 前記被成形品を載置する下型と、前記半導体チップを収
    容するキャビティ凹部、該キャビティ凹部に連通する樹
    脂路が形成された上型とを具備した前記モールド金型
    と、 前記上型のキャビティ凹部及び該キャビティ凹部に連通
    する樹脂路を覆うリリースフィルムとを備え、 前記半導体チップと基板との隙間部分より優先的に封止
    樹脂を圧送りしてアンダーフィルモールドを行うと共
    に、該アンダーフィル部に接続する成形品ゲートランナ
    を基板上に残したまま前記半導体チップを樹脂封止する
    ことを特徴とする樹脂封止装置。
  8. 【請求項８】 前記上型には、前記半導体チップの両側
    面部に可動ブロックがキャビティ凹部内へ突出可能に設
    けられており、該可動ブロックを予めキャビティ凹部内
    へ突出させて前記リリースフィルムを基板上に押接して
    アンダーフィルモールドを行い、前記可動ブロックを退
    避させて前記半導体チップの両側面部を樹脂封止するこ
    とを特徴とする請求項７記載の樹脂封止装置。
  9. 【請求項９】 前記上型に形成された金型ゲートランナ
    のうち基板端から前記キャビティ凹部に連絡する部位の
    樹脂路断面が、基板端よりポットに連絡する部位の樹脂
    路断面より小さく形成されていることを特徴とする請求
    項７記載の樹脂封止装置。
  10. 【請求項１０】 前記半導体チップの少なくとも各コー
    ナー部を含む上縁部には面取り部が形成されていること
    を特徴とする請求項７記載の樹脂封止装置。
  11. 【請求項１１】 前記上型の基板端位置には可動ゲート
    ピンが樹脂路に対して突き出し可能に設けられており、
    アンダーフィルモールド後に前記可動ゲートピンにより
    樹脂路を閉鎖することにより、基板端位置の封止樹脂を
    ポット側へ押し戻して樹脂封止することを特徴とする請
    求項７記載の樹脂封止装置。
  12. 【請求項１２】 前記上型には基板端よりキャビティ凹
    部に連絡する樹脂路へ可動ランナブロックが突き出し可
    能に設けられており、アンダーフィルモールド後に前記
    可動ランナブロックにより樹脂路を閉鎖することによ
    り、前記基板上の封止樹脂をポット側へ押し戻して樹脂
    封止することを特徴とする請求項７記載の樹脂封止装
    置。
JP2000185328A 2000-06-20 2000-06-20 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 Pending JP2002009096A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000185328A JP2002009096A (ja) 2000-06-20 2000-06-20 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US09/884,054 US20020017738A1 (en) 2000-06-20 2001-06-20 Resin sealing method and resin sealing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000185328A JP2002009096A (ja) 2000-06-20 2000-06-20 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002009096A true JP2002009096A (ja) 2002-01-11

Family

ID=18685659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000185328A Pending JP2002009096A (ja) 2000-06-20 2000-06-20 樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20020017738A1 (ja)
JP (1) JP2002009096A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005219297A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Apic Yamada Corp 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
WO2007060812A1 (ja) * 2005-11-22 2007-05-31 Sony Corporation 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007335740A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Sony Computer Entertainment Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7326379B2 (en) 2002-03-22 2008-02-05 Kao Corporation Apparatus and method for producing soap cake
JP2010109252A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびトランスファモールド装置とこれを用いた樹脂成形方法と半導体装置
JP2013123063A (ja) * 2013-01-17 2013-06-20 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびこれを用いたトランスファモールド装置
JP2014221527A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
KR20160133468A (ko) * 2014-03-17 2016-11-22 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지 몰드 방법 및 수지 몰드 금형
JP2019181872A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 アピックヤマダ株式会社 モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2020174089A (ja) * 2019-04-09 2020-10-22 アサヒ・エンジニアリング株式会社 樹脂封止装置および樹脂封止方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4102634B2 (ja) * 2002-09-27 2008-06-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂注入装置
NL1024248C2 (nl) * 2003-09-09 2005-03-10 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het met behulp van een flexibel drukelement omhullen van elektronische componenten.
JP4855026B2 (ja) * 2005-09-27 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
US7898093B1 (en) 2006-11-02 2011-03-01 Amkor Technology, Inc. Exposed die overmolded flip chip package and fabrication method
TW200935527A (en) * 2008-02-15 2009-08-16 Chipmos Technologies Inc Chip package apparatus and chip package process
KR101708272B1 (ko) 2009-10-28 2017-02-21 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법
US20120098114A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Nokia Corporation Device with mold cap and method thereof
KR20120081809A (ko) * 2011-01-12 2012-07-20 삼성엘이디 주식회사 형광체 도포 방법 및 형광체 도포 장치
US8940587B1 (en) 2012-07-11 2015-01-27 Amkor Technology, Inc. Die seal design and method and apparatus for integrated circuit production
WO2015099684A1 (en) * 2013-12-23 2015-07-02 Intel Corporation Package on package architecture and method for making
NL2013978B1 (en) * 2014-12-15 2016-10-11 Besi Netherlands Bv Device and method for controlled moulding and degating of a carrier with electronic components and moulded product.
US10109547B2 (en) * 2016-01-29 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Llc Semiconductor device and method of manufacture
JP6845903B1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-24 Ｔｏｗａ株式会社 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP7360374B2 (ja) * 2020-11-04 2023-10-12 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
CN118116883B (zh) * 2024-04-30 2024-07-16 深圳市科敏传感器有限公司 传感器封装结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213937A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気調和機
JPH02129933A (ja) * 1988-11-09 1990-05-18 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード用のモジュールの製造方法
JPH07212131A (ja) * 1994-01-12 1995-08-11 Japan Energy Corp ミリ波発振器
JPH08306719A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Nec Corp 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法
JPH11274197A (ja) * 1998-01-23 1999-10-08 Apic Yamada Corp 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2000040775A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730937B1 (en) * 1994-11-21 1998-02-18 Apic Yamada Corporation A resin molding machine with release film
JP3246848B2 (ja) * 1995-02-22 2002-01-15 アピックヤマダ株式会社 汎用ゲート位置樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
US5817545A (en) * 1996-01-24 1998-10-06 Cornell Research Foundation, Inc. Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits
US6048483A (en) * 1996-07-23 2000-04-11 Apic Yamada Corporation Resin sealing method for chip-size packages
US6255142B1 (en) * 1999-10-29 2001-07-03 Nordson Corporation Method for underfilling semiconductor devices
JP3971541B2 (ja) * 1999-12-24 2007-09-05 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213937A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気調和機
JPH02129933A (ja) * 1988-11-09 1990-05-18 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード用のモジュールの製造方法
JPH07212131A (ja) * 1994-01-12 1995-08-11 Japan Energy Corp ミリ波発振器
JPH08306719A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Nec Corp 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法
JPH11274197A (ja) * 1998-01-23 1999-10-08 Apic Yamada Corp 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2000040775A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326379B2 (en) 2002-03-22 2008-02-05 Kao Corporation Apparatus and method for producing soap cake
JP2005219297A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Apic Yamada Corp 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
JP4827851B2 (ja) * 2005-11-22 2011-11-30 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7880317B2 (en) 2005-11-22 2011-02-01 Sony Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
WO2007060812A1 (ja) * 2005-11-22 2007-05-31 Sony Corporation 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007335740A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Sony Computer Entertainment Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010109252A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびトランスファモールド装置とこれを用いた樹脂成形方法と半導体装置
JP2013123063A (ja) * 2013-01-17 2013-06-20 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびこれを用いたトランスファモールド装置
JP2014221527A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
KR20160133468A (ko) * 2014-03-17 2016-11-22 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지 몰드 방법 및 수지 몰드 금형
KR102203761B1 (ko) 2014-03-17 2021-01-18 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지 몰드 방법 및 수지 몰드 금형
JP2019181872A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 アピックヤマダ株式会社 モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP7029342B2 (ja) 2018-04-16 2022-03-03 アピックヤマダ株式会社 モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2020174089A (ja) * 2019-04-09 2020-10-22 アサヒ・エンジニアリング株式会社 樹脂封止装置および樹脂封止方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020017738A1 (en) 2002-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002009096A (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US7618573B2 (en) Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
JP3581814B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2004179284A (ja) 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料
JP3194917B2 (ja) 樹脂封止方法
JP2004098364A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2000277551A (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2004134591A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004230707A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4052939B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP5364944B2 (ja) モールド金型
JP3569224B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP4358501B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3581816B2 (ja) フリップチップの樹脂注入方法
JP2002118130A (ja) マトリクスパッケージの樹脂封止方法
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
JP2000176967A (ja) 樹脂封止装置
JP2003133351A (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP3477488B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP5723800B2 (ja) 半導体チップの圧縮樹脂封止成形方法及び装置
KR101089801B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 금형 장치
JP2005081695A (ja) 樹脂成形用金型
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2004119816A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040406