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KR101089801B1 - 반도체 패키지 제조용 금형 장치 - Google Patents

반도체 패키지 제조용 금형 장치 Download PDF

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KR101089801B1
KR101089801B1 KR1020090021098A KR20090021098A KR101089801B1 KR 101089801 B1 KR101089801 B1 KR 101089801B1 KR 1020090021098 A KR1020090021098 A KR 1020090021098A KR 20090021098 A KR20090021098 A KR 20090021098A KR 101089801 B1 KR101089801 B1 KR 101089801B1
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vacuum
mold
package
vacuum holes
cavity block
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목철규
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티에스테크놀로지 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 제조용 금형 장치에 관한 것으로, 반도체 칩이 기판에 실장되어 와이어 본딩이 완료된 패키지 반제품을 고정시키도록 상기 패키지 반제품의 하면을 진공 흡착할 수 있는 복수의 진공홀이 관통 형성된 캐버티 블록을 구비한 하부 금형과, 상기 하부 금형의 상방에 위치하되 상기 캐버티 블록에 대응하도록 하부에 오목한 캐버티가 형성된 상부 금형과, 상기 복수의 진공홀 보다 더 작은 직경을 가지고, 복수의 진공홀에 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀에 삽입되는 복수의 핀을 포함하여 이루어진다.
반도체 패키지, 하부 금형, 캐버티 블록, 진공홀, 핀, 진공라인

Description

반도체 패키지 제조용 금형 장치{MOLDING APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMI-CONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 칩이 기판에 실장되어 와이어 본딩이 완료된 패키지 반제품을 성형 수지를 이용하여 몰딩 처리함으로써 반도체 패키지를 완성하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치에 관한 것이다.
반도체 패키지 제조 공정에 있어서 몰딩 공정은 리드프레임(leadframe) 또는 인쇄회로기판(PCB, printed circuit board)과 같은 기판에 반도체 칩(chip)이 실장되어 와이어 본딩에 의해 전기적인 연결이 완료된 상태의 패키지 반제품을 물리적 또는 화학적인 외부 환경으로부터의 보호를 위하여 반도체 칩과 전기적인 연결부분들을 밀봉하는 공정이다.
이러한 몰딩 공정은 대부분 경제성과 양산성이 뛰어나고 내흡수성이 우수한 성형 수지인 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC, epoxy molding compound)를 사용하는 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 방식이 주로 사용되고 있다.
상기 트랜스퍼 몰딩 방식은 고체 상태인 에폭시 몰딩 컴파운드의 타블렛(tablet)을 열을 가하여 용융시켜 일정한 점도를 가지게 한 후 패키지 반제품이 개재된 몰딩 금형의 캐버티(cavity)로 주입하고 경화시켜 패키지 반제품의 일정 부분을 밀봉하는 방식이다.
도 1은 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 주요 부분에 대한 정단면도이고, 도 2 및 3은 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 작동 상태를 도시한 측단면도이며, 도 4는 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 캐버티 블록에 형성된 진공홀로 성형 수지가 유입된 상태를 도시한 측단면도이다.
도 1에 도시된 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는 종래 기술에 따른 트랜스퍼 몰딩 방식의 몰딩 장치의 일 실시예로서, 기판(11)에 반도체 칩(12)이 실장되어 본딩와이어(13)로 전기적인 연결이 완료된 패키지 반제품(10)의 일면 상부를 성형 수지, 즉 에폭시 몰딩 컴파운드(15)로 밀봉하는 금형 장치이다.
상기 종래의 금형 장치는 패키지 반제품(10)이 개재되는 하부 금형(20)과 상부 금형(30)을 구비한다. 하부 금형(20)은 에폭시 몰딩 컴파운드(15)가 타블렛 상태로 공급되어 용융되는 포트(21a)가 형성된 센터 블록(21)을 중심으로 양쪽 주변에 패키지 반제품(10)이 안착되는 캐버티 블록(22)이 설치된다. 상부 금형(30)은 상기 하부 금형(20)의 상방에 위치하되 상기 캐버티 블록(22)에 대응하도록 하부에 오목한 캐버티(31)가 형성된다. 또한, 상부 금형(30)은 하부 금형(20)의 포트(21a)에 대응되는 컬(cull; 32)이 형성되어 있으며, 런너(runner; 33)를 통해 상기 캐버티(31)와 컬(32)이 연결된다. 하부 금형(20)의 포트(21a) 내에는 용융된 에폭시 몰딩 컴파운드(15)를 밀어 런너(33)를 통해 캐버티(31)로 공급시키는 플런저(plunger; 21b)가 수직 운동 가능하게 설치된다.
도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 상기 종래의 금형 장치는 하부 금형(20)의 캐버티 블록(22) 내부에 진공 라인(22a)이 형성되어 있고, 상기 진공 라인(22a)에 연통되어 상기 패키지 반제품(10)의 하면을 진공 흡착할 수 있는 복수의 진공홀(22b)이 관통 형성된다. 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 진공라인(22a)은 진공 펌프(vacuum pump)와 연결되어 진공 흡입력이 인가된다. 상기와 같은 구조는 최근 반도체 소자의 대용량화와 소형화에 대한 소비자의 요구에 따른 반도체 패키지의 박형화로 인하여 몰딩 공정에서 가해지는 고열에 의해 휨 및 그로 인한 몰딩 불량의 발생을 방지하기 위한 것이다. 한편, 하부 금형(20)에 설치된 캐버티 블록(22)의 하부에는 패키지 반제품(10)의 몰딩 완료 후 캐버티 블록(22)의 상면으로부터 패키지 반제품(10)을 분리하기 위한 이젝트 핀(eject pin; 40)이 상하 승강 가능하게 설치된다.
종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 작동과정을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이 패키지 반제품(10)이 하부 금형(20)에 설치된 캐버티 블록(22)에 탑재된 상태에서 에폭시 몰딩 컴파운드(15)의 타블렛이 포트(21a)에 공급된다. 다만, 여기서 상기 패키지 반제품(10)이 하부 금형(20)에 설치된 캐버티 블록(22)에 탑재될 때, 도 2에 도시된 바와 같이 캐버티 블록(22)에 형성된 진공홀(22b)에 진공 흡입력이 인가되어 패키지 반제품(10)의 하면을 캐버티 블록(22)의 상면에 흡착 고정시키는 것이다. 그리고 상부 금형(30)의 하면이 하부 금형(20)의 상면에 가압 밀착된 상태에서 고온으로 가열되어 일정한 점도를 갖는 겔(gel) 상태의 에폭시 성형 수지로 용융되어 상부 금형(30)의 캐버티(31)에 주입된다. 패키지 반제품(10)의 몰딩이 완료된 후에는 도 3에 도시된 바와 같이 상부 금형(30) 및 하부 금형(20)이 상하로 분리되고, 이젝트 핀(40)의 상승에 의해 패키지 반제품(10)을 캐버티 블록(22)으로부터 들어올린다.
한편, 전술한 바와 같은 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는 일정 기간 사용 후에 캐버티에 형성된 오염물질을 정기적 또는 비정기적으로 제거시키는 클리닝(cleaning) 작업이 이루어진다. 그에 따라 후속으로 진행되는 패키지 반제품의 몰딩 과정에서 몰딩 불량이 발생하지 않도록 하고 있다. 이러한 클리닝 작업은 고무 시트(rubber sheet)라 불리는 고무 성분의 세정폼을 사용하여 이루어지는데, 상기 고무 시트는 175℃에서 약 300초 동안 20톤 가량의 힘을 받아 압착되어 상부 금형 및 하부 금형 내에 있는 오염물질을 제거하는 것이다.
그러나, 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 반제품(10)이 비정상적으로 안착되거나 패키지 반제품(10)의 하면이 고르지 못한 경우에 에폭시 몰딩 컴파운드(15)가 진공홀(22b) 내부로 침투하여 진공홀(22b)이 막혀버리는 문제가 있다. 또한, 상기 클리닝 작업시에 사용되는 세정 고무가 캐버티 블록(22)에 형성된 진공홀(22b) 내부로 침투하기도 한다. 그에 따라, 후속으로 이어지는 몰딩 과정에서 패키지 반제품(10)의 흡착 고정이 정상적으로 이루어지지 않아 몰딩 불량이 지속적으로 발생한다. 특히, 진공홀(22b)이 에폭시 몰딩 컴파운드(15)나 세정 고무 등에 의하여 막혀 버린 경우, 하부 금형(20)의 각 부품들을 분리시키고 캐버티 블록(22)을 최종 분리한 후 복수의 진공홀(22b)에 막힌 각각의 이물질 등을 공구(tool)를 이용하여 수작업으로 제거해 주어야 한다. 이때, 진공홀(22b)이 완전히 막힌 상태에서는 이물질을 제거하기가 어렵고, 제거시 공구가 파손되는 문제가 있다.
상기와 같이 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는, 하부 금형에 설치된 캐버티 블록의 진공홀이 몰딩 과정에서 에폭시 몰딩 컴파운드에 의해 막히거나 세정 과정에서 고무 시트가 내부로 침투함으로써, 패키지 반제품의 진공 흡착이 제대로 이루어지지 않아 몰딩 불량을 발생시키고, 이러한 진공홀 내부의 이물질을 제거하기 어렵다는 문제가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명의 목적은, 하부 금형에 설치된 캐버티 블록의 진공홀이 몰딩 과정 또는 세정 과정에서 에폭시 몰딩 컴파운드나 고무 시트에 의해 막히는 것을 방지할 수 있도록 하고, 진공홀이 막히더라도 용이하게 이물질을 제거할 수 있는 반도체 패키지 제조용 금형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관된 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는, 반도체 칩이 기판에 실장되어 와이어 본딩이 완료된 패키지 반제품을 고정시키도록 상기 패키지 반제품의 하면을 진공 흡착할 수 있는 복수의 진공홀이 관통 형 성된 캐버티 블록을 구비한 하부 금형과, 상기 하부 금형의 상방에 위치하되 상기 캐버티 블록에 대응하도록 하부에 오목한 캐버티가 형성된 상부 금형과, 상기 복수의 진공홀 보다 더 작은 직경을 가지고, 복수의 진공홀에 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀에 삽입되는 복수의 핀을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 복수의 진공홀과 연통되도록 상기 캐버티 블록의 내부에 형성된 진공라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 진공라인은, 상기 복수의 진공홀 하부가 각각 연결되도록 상기 캐버티 블록의 내부에 형성된 연결홈과, 상기 연결홈으로부터 단차지게 확장되고, 상기 복수의 핀의 헤드의 높이와 동일하게 형성되어 상기 복수의 핀의 헤드가 안착되는 안착홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수의 핀의 헤드는, 상기 복수의 진공홀의 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀 하부를 일부 개방하여 상기 복수의 진공홀 하부에 걸려 고정되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수의 핀의 헤드는 타원 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수의 진공홀은, 패키지 반제품의 하면 외주 둘레부 및 내부를 각각 진공 흡착할 수 있도록 상기 캐버티 블록에 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부 금형이 상하로 승강 가능하게 설치되어 상기 상부 금형의 하면이 상기 하부 금형의 상면에 맞닿아 가압됨으로써 상기 패키지 반제품을 몰딩하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하부 금형이 상하로 승강 가능하게 설치되어 상기 하부 금형의 상면이 상기 상부 금형의 하면에 맞닿아 가압됨으로써 상기 패키지 반제품을 몰딩하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 제조용 금형 장치는, 캐버티 블록의 복수의 진공홀보다 작은 직경의 복수의 핀이 삽입되어 패키지 반제품의 몰딩 시 에폭시 몰딩 컴파운드가 전체적으로 작은 직경으로 된 진공홀의 내부로 침투하여 막히는 것을 방지할 수 있다.
또한, 진공홀의 내부로 에폭시 몰딩 컴파운드가 유입되더라도 복수의 핀을 해제하면, 진공홀이 막힌 상태가 아니므로 공구를 이용해 쉽게 유입된 몰딩 컴파운드를 제거할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조로 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 금형 장치를 도시한 측단면도이며, 도 6은 도 5의 실시예의 요부 측단면도이며, 도 7은 도 5의 실시예 중 캐버티 블록 및 핀의 배면을 도시한 사시도이다.
본 발명의 반도체 패키지 제조용 금형 장치는, 도 5 내지 7에 도시된 바와 같이 패키지 반제품(100)이 고정되는 캐버티 블록(250)을 구비한 하부 금형(200)과, 캐버티(350)가 형성된 상부 금형(300)과, 복수의 핀(400) 및 진공라인(500)을 포함하여 이루어진다. 상기 캐버티 블록(250)은 복수의 진공홀(255)이 관통 형성된다.
패키지 반제품(100)은 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(110)이 기판(120)에 실장되어 와이어(130) 본딩에 의해 전기적인 연결이 완료된 것이다. 반도체 칩(110)의 각 리드와 기판(120)의 내부 리드 간에 와이어(130)를 이용하여 본딩을 하고, 그에 따라 전기적인 연결이 이루어진다. 상기 기판(120)은 리드 프레임 또는 인쇄회로기판(PCB) 등이 있고, 상기 기판(120)의 칩 탑재판에 반도체 칩(110)이 부착된 후 와이어 본더를 통해 와이어 본딩 공정이 이루어진다. 즉, 패키지 반제품(100)은 와이어 본더에 의해 기판(120)에 부착된 반도체 칩(110)이 와이어(130)를 매개로 본딩이 이루어진 상태를 말한다. 이러한 패키지 반제품(100)을 외부로부터 보호하기 위하여 몰딩 공정이 수행되는 것이며, 이러한 몰딩 공정을 수행하기 위하여 본 발명의 금형 장치를 이용하는 것이다.
하부 금형(200)은 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 반제품(100)을 고정시키도록 상기 패키지 반제품(100)의 하면을 진공 흡착할 수 있는 복수의 진공홀(255)이 관통 형성된 캐버티 블록(250)을 구비한다. 상기 캐버티 블록(250)의 내부는 상기 진공홀(255)과 연통되도록 형성된 후술할 에어라인(500)이 제공된다. 상기 에어라인(500)은 하부 금형(200)을 관통하여 외부의 진공 펌프(미도시)와 연결되고, 상기 진공 펌프의 작동에 의해 에어라인(500)을 따라 진공홀(255)에 진공 흡착력이 발생하게 된다. 즉, 상기 캐버티 블록(250)의 상면에 패키지 반제품(100)이 탑재되며, 캐버티 블록(250)에 관통 형성된 복수의 진공홀(255)의 진공 흡착력으로 패키지 반제품(100)의 하면이 고정되는 것이다. 또한, 상기 복수의 진공홀(255)은 패키지 반제품(100)의 하면 외주 둘레부 및 내부를 각각 진공 흡착할 수 있도록 캐버티 블록(250)에 형성된다. 즉, 패키지 반제품(100)의 외주 둘레부 뿐만 아니라 내부의 들뜸 현상을 방지하기 위해 내부면 역시 진공 흡착하여 견고하게 흡착될 수 있도록 한다.
상부 금형(300)은 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하부 금형(200)의 상방에 위치하되 상기 캐버티 블록(250)에 대응하도록 하부에 오목한 캐버티(350)가 형성된다. 상부 금형(300)의 캐버티(350)는 하부 금형(200)의 캐버티 블록(250)에 대응하도록 형성됨으로써, 패키지 반제품(100)에 실장된 반도체 칩(110) 및 와이어(130) 본딩 영역을 몰딩할 수 있을 정도의 크기를 가진다. 상부 금형(300)의 캐버티(350) 내부로 성형 수지, 즉 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)가 상부 금형(300)에 형성된 런너(미도시)를 통해 주입되고, 그에 따라 패키지 반제품(100)의 몰딩이 수행되는 것이다.
복수의 핀(400)은 도 5 내지 7에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 진공홀(255)보다 작은 더 작은 직경을 가지고, 복수의 진공홀(255)에 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀(255)에 삽입된다. 즉, 캐버티 블록(250)의 복수의 진공홀(255)보다 작은 직경의 복수의 핀(400)이 삽입되어 패키지 반제품(100)의 몰딩 시 에폭시 몰딩 컴파운드가 전체적으로 작은 직경으로 된 진공홀(255)의 내부로 침투하여 막히는 것을 방지할 수 있다. 또한, 진공홀(255)의 내부로 에폭시 몰딩 컴파운드가 유입되더라도 복수의 핀(400)을 해제하면, 진공홀(255)이 막힌 상태가 아니므로 공구를 이용해 쉽게 유입된 몰딩 컴파운드를 제거할 수 있는 것이다. 이때, 상기 복수의 진공홀(255)에 각각 진공 흡착력을 제공하기 위하여 진공라인(500)이 형성된다.
진공라인(500)은 도 6 및 7에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 진공홀(255)과 연통되도록 상기 캐버티 블록(250)의 내부에 형성된다. 하부 금형(200)의 두께를 최소화하기 위하여, 상기 진공라인(500)은 연결홈(510)과 안착홈(520)으로 구성된다. 즉, 연결홈(510)은 상기 복수의 진공홀(255) 하부가 각각 연결되도록 상기 캐버티 블록(250)의 내부에 형성되고, 안착홈(520)은 상기 연결홈(510)으로부터 단차지게 확장되고, 상기 복수의 핀(400)의 헤드(410)의 높이와 동일하게 형성되어 상기 복수의 핀(400)의 헤드(410)가 안착된다. 이때, 상기 복수의 핀(400)의 헤드(410)는 상기 복수의 진공홀(255)의 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀(255) 하부를 일부 개방하여 상기 복수의 진공홀(255) 하부에 걸려 고정된다. 즉, 상기 복수의 핀(400)의 헤드(410)는 타원 형상을 가짐으로써 복수의 진공홀(255) 하부에 전후가 걸려 고정되고, 좌우가 개방된 상태가 되는 것이다. 그에 따라 복수의 핀(400)이 상기 복수의 진공홀(255)에 삽입되더라도 진공홀(255)에 계속하여 진공 흡착력이 유지되는 것이다.
한편, 본 발명의 반도체 패키지 제조용 금형 장치에 있어서, 하부 금형(200)이 고정된 채 상부 금형(300)의 상하로 승강함에 따라 상부 금형(300)의 하면 및 하부 금형(200)의 상면이 맞닿아 가압된 후 패키지 반제품(100)을 몰딩하는 경우가 있고, 오히려 상부 금형(300)은 고정된 채 하부 금형(200)이 승강함으로써 패키지 반제품(100)을 몰딩하는 경우가 있다. 즉, 어떠한 경우이든 본 발명의 특징부가 설치된 금형 장치라면 모두 본 발명의 권리 범위에 속한다고 할 것이다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
도 1은 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 주요 부분에 대한 정단면도이고,
도 2 및 3은 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 작동 상태를 도시한 측단면도이며,
도 4는 종래의 반도체 패키지 제조용 금형 장치의 캐버티 블록에 형성된 진공홀로 성형 수지가 유입된 상태를 도시한 측단면도이고,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 금형 장치를 도시한 측단면도이며,
도 6은 도 5의 실시예의 요부 측단면도이며,
도 7은 도 5의 실시예 중 캐버티 블록 및 핀의 배면을 도시한 사시도이다.
<< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >>
100 : 패키지 반제품 110 : 반도체 칩
120 : 기판 130 : 와이어
200 : 하부 금형
250 : 캐버티 블록 255 : 진공홀
300 : 상부 금형 350 : 캐버티
400 : 핀 410 : 핀헤드
500 : 진공라인
510 : 연결홈 520 : 안착홈

Claims (8)

  1. 반도체 칩이 기판에 실장되어 와이어 본딩이 완료된 패키지 반제품을 고정시키도록 상기 패키지 반제품의 하면을 진공 흡착할 수 있는 복수의 진공홀이 관통 형성된 캐버티 블록을 구비한 하부 금형과,
    상기 하부 금형의 상방에 위치하되 상기 캐버티 블록에 대응하도록 하부에 오목한 캐버티가 형성된 상부 금형과,
    상기 복수의 진공홀 보다 더 작은 직경을 가지고, 복수의 진공홀에 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀에 삽입되는 복수의 핀; 및
    상기 복수의 진공홀과 연통되도록 상기 캐버티 블록의 내부에 형성된 진공라인;을 포함하며,
    상기 진공라인은,
    상기 복수의 진공홀 하부가 각각 연결되도록 상기 캐버티 블록의 내부에 형성된 연결홈; 및
    상기 연결홈으로부터 단차지게 확장되고, 상기 복수의 핀의 헤드의 높이와 동일하게 형성되어 상기 복수의 핀의 헤드가 안착되는 안착홈;을 포함하며,
    상기 복수의 핀의 헤드는,
    상기 복수의 진공홀의 진공 흡착력이 유지되도록 상기 복수의 진공홀 하부를 일부 개방하여 상기 복수의 진공홀 하부에 걸려 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 핀의 헤드는 타원 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 진공홀은,
    패키지 반제품의 하면 외주 둘레부 및 내부를 각각 진공 흡착할 수 있도록 상기 캐버티 블록에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상부 금형이 상하로 승강 가능하게 설치되어 상기 상부 금형의 하면이 상기 하부 금형의 상면에 맞닿아 가압됨으로써 상기 패키지 반제품을 몰딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하부 금형이 상하로 승강 가능하게 설치되어 상기 하부 금형의 상면이 상기 상부 금형의 하면에 맞닿아 가압됨으로써 상기 패키지 반제품을 몰딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 금형 장치.
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