[go: up one dir, main page]

JP2001345478A - 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - Google Patents

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Info

Publication number
JP2001345478A
JP2001345478A JP2000164349A JP2000164349A JP2001345478A JP 2001345478 A JP2001345478 A JP 2001345478A JP 2000164349 A JP2000164349 A JP 2000164349A JP 2000164349 A JP2000164349 A JP 2000164349A JP 2001345478 A JP2001345478 A JP 2001345478A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
based compound
gallium nitride
compound semiconductor
band gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000164349A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3285341B2 (ja
Inventor
Shiro Sakai
士郎 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitride Semiconductors Co Ltd
Original Assignee
Nitride Semiconductors Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18667982&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2001345478(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nitride Semiconductors Co Ltd filed Critical Nitride Semiconductors Co Ltd
Priority to JP2000164349A priority Critical patent/JP3285341B2/ja
Publication of JP2001345478A publication Critical patent/JP2001345478A/ja
Priority to US10/092,231 priority patent/US6861270B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3285341B2 publication Critical patent/JP3285341B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＧａＮ系化合物半導体において、転位の存在
にかかわらず発光効率を向上させる。 【解決手段】 基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ア
ンドープＡｌＧａＮ層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８を積
層してダブルヘテロ構造とする。アンドープＡｌＧａＮ
層１６を形成する際に、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２にＧａあ
るいはＡｌのドロップレット１４を形成する。ドロップ
レット１４の存在により、アンドープＡｌＧａＮ層１６
中のＧａとＡｌの組成比が変動し、バンドギャップに空
間的ゆらぎが生じる。バンドギャップの空間的ゆらぎに
より電子と正孔の発光再結合割合が増大する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化ガリウム系化合
物半導体の製造方法、特に発光素子の発光効率改善に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発光素子材料、特に紫外線領
域の発光素子材料としてＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ／Ｇａ
Ｎ量子井戸型超格子（ＭＱＷ）等が知られている。これ
らの材料は通常サファイア基板上に形成され、格子不整
合により１０8〜１０9／ｃｍ2程度の転位が存在する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】転位点では、キャリア
である電子と正孔が発光に寄与しないで再結合する（非
発光再結合）ため、転位密度が増大する程、一般に発光
素子の発光効率が低下してしまう。
【０００４】図４には、発光素子材料のバンドギャップ
Ｅｇが模式的に示されている。図に示されるように、発
光素子材料のバンドギャップに空間的なゆらぎが存在す
る場合、発光はバンドギャップの狭いところ（図中ａで
示す部位）のみで生じる。したがって、バンドギャップ
の空間的ゆらぎに基づく発光点の密度が、発光素子材料
中の転位の密度よりも高く設定できれば、転位点で電子
と正孔が非発光再結合する（図中ｂで示す）割合よりも
バンドギャップの狭い点で生じる発光再結合の割合を高
くでき、発光効率の劣化を抑制し得る。
【０００５】本発明の目的は、ＧａＮやＡｌＧａＮなど
の窒化ガリウム系化合物半導体に転位が存在しても、発
光効率等の特性を向上させることができる製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の製造方法は、基板上に複数の窒化ガリウム
（ＧａＮ）系化合物半導体を積層する窒化ガリウム系化
合物半導体の製造方法であって、前記複数のＧａＮ系化
合物半導体の少なくとも１つに、バンドギャップの空間
的ゆらぎを形成するステップを有することを特徴とす
る。バンドギャップに空間的ゆらぎを形成し、バンドギ
ャップの狭い部位でキャリアの再結合を生じさせること
で転位の存在によらずに発光効率を上げることができ
る。バンドギャップの空間的ゆらぎは、転位の密度より
も高い密度で形成することが望ましい。例えば、転位の
密度が１０8〜１０9／ｃｍ2である場合、発光点（バン
ドギャップの狭い部位）間の平均距離が１μｍ以下とな
るように空間的ゆらぎを形成することが望ましい。
【０００７】本発明の１つの実施形態では、バンドギャ
ップの空間的ゆらぎは、下地層に前記ＧａＮ系化合物半
導体の組成物を離散的に形成し、前記組成物が形成され
た下地層の上に前記ＧａＮ系化合物半導体を成長させる
ことにより形成される。組成物が下地層に存在すると、
ＧａＮ系化合物半導体をその下地層の上に形成する際
に、当該組成物の固層組成が高くなり、組成物が存在し
ない部位との間で組成比率に差が生じる。この組成比率
の差によりバンドギャップの空間的ゆらぎが生じる。Ｇ
ａＮ系化合物半導体の組成物とは、例えばＡｌＧａＮの
場合にはＡｌ、Ｇａ、Ｎのいずれかであり、ＩｎＧａＮ
の場合にはＩｎ、Ｇａ、Ｎのいずれかである。離散的に
形成される組成物の密度を調整することで、バンドギャ
ップの空間的ゆらぎの周期（あるいは密度）を調整する
ことができる。
【０００８】また、本発明の他の実施形態では、バンド
ギャップの空間的ゆらぎは、下地層に前記ＧａＮ系化合
物半導体の組成物拡散長を変化させる層を離散的に形成
し、前記層が形成された下地層の上に前記ＧａＮ系化合
物半導体を成長させることにより形成される。組成物拡
散長を変化させる層が下地層に存在すると、ＧａＮ系化
合物半導体をその下地層の上に形成する際にＧａＮ系化
合物半導体の組成物間でその拡散長変化に起因した組成
変化が生じる。この組成変化によりバンドギャップの空
間的ゆらぎが生じる。組成物拡散長を変化させる層の密
度を調整することで、バンドギャップの空間的ゆらぎの
周期（あるいは密度）を調整することができる。
【０００９】また、本発明の他の実施形態では、バンド
ギャップの空間的ゆらぎは、下地層に格子不整合を有す
る層を形成し、前記層が形成された下地層の上に前記Ｇ
ａＮ系化合物半導体を成長させることにより形成され
る。下地層に格子不整合が存在すると、その部位におい
て下地層の上に形成されるＧａＮ系化合物半導体の層厚
が他の部分と比べて相違する（薄くなる）こととなり、
この層厚の変化によりバンドギャップが空間的にゆらぐ
ことになる。ＧａＮ系化合物半導体が例えば量子井戸構
造である場合には、バンドギャップの空間的ゆらぎは顕
著となる。
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。
【００１０】図１には、本実施形態に係る窒化ガリウム
系化合物半導体の製造方法が示されている。本実施形態
では、ｎ型ＡｌyＧＡ1-yＮ／アンドープＡｌxＧａ1-xＮ
／ｐ型ＡｌyＧａ1-yＮの３層ダブルヘテロ構造発光素子
を製造している。
【００１１】まず、（Ａ）に示されるように、サファイ
ア等の基板１０上にｎ型ＡｌyＧＡ1 -yＮ層１２を１０５
０度で成長させる。次に、８００〜１０５０度の温度で
数秒間トリメチルガリウムと窒素ガスを基板に供給し、
ＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ａｌ yＧａ1-yＮ層１２上に約１
０〜５００ｎｍ径のガリウムドロップレット１４を離散
的に形成する。
【００１２】そして、（Ｂ）に示されるように、Ｇａの
ドロップレット（あるいはガリウムの微小塊）１４が形
成されたｎ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１２上に、１０５０度で
アンドープＡｌxＧａ1-xＮ層１６を成長させる。このと
き、Ｇａドロップレットが存在する部位では、アンドー
プＡｌxＧａ1-xＮ層１６中のガリウムの固相組成が高く
なり、アンドープＡｌxＧａ1-xＮ層１６のバンドギャッ
プに空間的なゆらぎが形成される。（Ｂ）では、ガリウ
ムドロップレット１４の存在によりアンドープＡｌxＧ
ａ1-xＮ層１６中に組成変動が生じる様子が異なるハッ
チングで模式的に示されている。アンドープＡｌxＧａ
1-xＮ層１６は、例えば０．０５μｍ程度の厚さとする
ことができる。このような組成変動は、バンドギャップ
の空間的ゆらぎ、すなわちバンドギャップの広狭を生じ
させる。バンドギャップに空間的なゆらぎが形成された
アンドープＡｌxＧａ1-xＮ層１６を成長させた後、１０
５０度でｐ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１８を成長させ、ダブル
ヘテロ構造とする。なお、以上のような半導体層の成長
は、反応管のサセプタ上に基板を載置し、ヒータで基板
１０を加熱するとともに反応管に順次原料ガスを導入す
ることで行うことができる。
【００１３】以上のようにして形成されたダブルヘテロ
型発光素子に電圧を印加して発光させたところ、Ｇａド
ロップレット１４を形成せずに成長させた構造の発光強
度に比べ約１０倍の発光強度が得られることを出願人は
確認している。
【００１４】なお、本実施形態ではドロップレット１４
としてＧａを用いているが、ＡｌＧａＮの組成物である
ＡｌあるいはＧａのいずれを用いてもよい。トリメチル
ガリウムの代わりにトリメチルアルミニウムを加熱した
基板１０上に流すことで、Ａｌのドロップレットを形成
することができる。
【００１５】図２には、他の実施形態に係る製造方法が
示されている。本実施形態においても、図１と同様にＡ
ｌＧａＮの３層ダブルヘテロ構造発光素子を製造してい
る。
【００１６】まず，（Ａ）に示されるように、基板１０
上に１０５０度でｎ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１２を成長させ
た後、ｎ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１２の表面にＳｉＮ層１５
を離散的に形成する。ＳｉＮ層１５を離散的に形成する
には、ＳｉＮを全面に形成した後にその一部を除去する
ことで形成してもよく、あるいはＳｉＮの原料ガスであ
るシランガスとアンモニアガスの流量を調整することで
形成してもよい。ＳｉＮ層１５が形成された部位はマス
ク部、ＳｉＮ層１５が形成されていない部位は窓部とな
る。
【００１７】次に、（Ｂ）に示されるように、ＳｉＮ層
１５が形成されたｎ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１２上にアンド
ープＡｌＧａＮ層１６を成長させる。このとき、成長は
ＳｉＮ層１５が形成されていない窓部から生じ、やがて
ＳｉＮ層１５上にも成長していく。ＳｉＮ層１５上で成
長する場合には、Ｇａ原子とＡｌ原子のＳｉＮ上での拡
散長が異なるため、窓部とマスク部でアンドープＡｌx
Ｇａ1-xＮ層１６中におけるＡｌとＧａの組成が異なる
ことになる。具体的には、ＳｉＮ上ではＡｌはＧａに比
べてあまり動かず固体に取り込まれるため、窓部におい
てはＡｌ組成が小さくなる。Ａｌ組成が小さくなるとバ
ンドギャップは狭く（小さく）なるから、アンドープＡ
ｌxＧａ1-xＮ層１６のバンドギャップに空間的ゆらぎが
生じることになる。バンドギャップに空間的なゆらぎが
形成されたアンドープＡｌxＧａ1-xＮ層１６を成長させ
た後、ｐ型ＡｌyＧａ1-yＮ層１８を成長させ、ダブルヘ
テロ構造とする。
【００１８】本実施形態においても、転位密度以上に容
易にバンドギャップの空間的ゆらぎを形成することがで
きるので、発光効率を向上させることができる。
【００１９】図３には、さらに他の実施形態に係る製造
方法が示されている。本実施形態では、ＡｌＧａＮ／Ｇ
ａＮの量子井戸型超格子（ＭＱＷ）発光素子を製造して
いる。
【００２０】基板（図示せず）上にＡｌＧａＮ層２０を
形成し、次にＧａＮ層２２を形成する。以下、同様にし
てｎピッチ（ｎは例えば２０とすることができる）繰り
返し、超格子構造とする。各層の厚さは１〜１００ｎ
ｍ、例えば５ｎｍ程度とすることができる。そして、Ａ
ｌＧａＮ層２０上にＧａＮ層２２を形成する際に、格子
不整合の比較的大きな材料、具体的にはＡｌＮ、Ｉｎ
Ｎ、ＡｌＩｎＧａＮ、Ｓｉ、ＭｇＮ等の層（格子不整合
層）２１を離散的に形成し、この層２１が形成されたＡ
ｌＧａＮ層２０上にＧａＮ層２２を形成する。各層及び
層２１は、上述した実施形態と同様にＭＯＣＶＤ法で形
成することができる。超格子の界面に格子不整合の大き
な物質が存在すると、表面に微小な荒れが発生する。こ
の荒れの部分でＧａＮ層２２の厚さが他の部分と異なる
ことになり、層の厚さが不均一になると量子効果に基づ
く量子準位が空間的に変化するため、バンドギャップが
空間的にゆらぐことになる。層２１を十分な密度で形成
し、バンドギャップの空間的ゆらぎの密度を転位密度以
上とすることで、発光効率を向上させることができる。
【００２１】本願出願人は、図３に示された超格子構造
の発光素子（層２１としてＡｌＮを使用）に電圧を印加
して発光させた場合、層２１を形成しない場合に比べて
約１０倍の発光強度が得られることを確認している。
【００２２】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではなく、その技
術的思想の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、
図２においてＡｌＧａＮ組成物の拡散長を変化させる層
としてＳｉＮではなく他の材料、例えばＳｉＯ2を用い
ることも可能である。
【００２３】また、図３においてはＡｌＧａＮ層２０上
に格子不整合層２１を形成しているが、ＧａＮ層２２上
に格子不整合層２１を形成し、ＡｌＧａＮ層２０のバン
ドギャップに空間的ゆらぎを形成することもできる。
【００２４】さらに、図３においてはＡｌＧａＮ／Ｇａ
ＮのＭＱＷ構造としたが、他の材料でＭＱＷ構造を形成
することもできる。例えば、ＡｌＧａＮ／ＡｌＮ／Ｇａ
ＮでＭＱＷ構造を形成することが好適である。この場
合、ＡＬＧａＮとＡｌＮとの界面、及びＡｌＮとＧａＮ
との界面に格子不整合層２１を形成することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＮ系化合物半導体
のバンドギャップの空間的ゆらぎを容易に形成すること
ができ、これにより発光効率等の特性を向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態の製造方法を示す説明図である。
【図２】 他の実施形態の製造方法を示す説明図であ
る。
【図３】 他の実施形態の製造方法を示す説明図であ
る。
【図４】 バンドギャップの空間的ゆらぎを示す説明図
である。
【符号の説明】
１０ 基板、１２ ｎ型ＡｌyＧａ1-yＮ層、１４ Ｇａ
ドロップレット、１５ＳｉＮ層、１６ アンドープＡｌ
xＧａ1-xＮ層、１８ ｐ型ＡｌＧａＮ層、２１ 格子不
整合層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE11 BE15 DB08 EF01 5F041 AA03 CA04 CA05 CA33 CA34 CA40 CA46 CA65 CA73 5F045 AA04 AB02 AB09 AB14 AB17 AB18 AC01 AC08 AC12 AD12 AD13 AD14 AF09 BB16 CA09 DA53 DA54 DA55 DA63 DB02 5F073 AA74 CA02 CA07 CB05 DA05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に複数の窒化ガリウム系化合物半
    導体を積層する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
    であって、 前記複数の窒化ガリウム系化合物半導体の少なくとも１
    つに、バンドギャップの空間的ゆらぎを形成するステッ
    プを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導
    体の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 前記バンドギャップの空間的ゆらぎは、下地層に前記窒
    化ガリウム系化合物半導体の組成物を離散的に形成し、
    前記組成物が形成された下地層の上に前記窒化ガリウム
    系化合物半導体を成長させることにより形成されること
    を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の方法において、 前記バンドギャップの空間的ゆらぎは、下地層に前記窒
    化ガリウム系化合物半導体の組成物拡散長を変化させる
    層を離散的に形成し、前記層が形成された下地層の上に
    前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させることによ
    り形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半
    導体の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の方法において、 前記バンドギャップの空間的ゆらぎは、下地層に格子不
    整合を有する層を形成し、前記層が形成された下地層の
    上に前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること
    により形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合
    物半導体の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項２記載の方法において、 前記窒化ガリウム系化合物半導体はＡｌＧａＮであり、
    前記組成物はＧａあるいはＡｌであることを特徴とする
    窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項３記載の方法において、 前記窒化ガリウム系化合物半導体はＡｌＧａＮであり、
    前記層はＳｉＮであることを特徴とする窒化ガリウム系
    化合物半導体の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項４記載の方法において、 前記複数の窒化ガリウム系化合物半導体は超格子構造を
    なすことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製
    造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の方法において、 前記複数の窒化ガリウム系化合物半導体はＡｌＧａＮ及
    びＧａＮであり、前記格子不整合を有する層はＡｌＮ、
    ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、Ｓｉ、ＭｇＮの少なくともい
    ずれかであることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半
    導体の製造方法。
JP2000164349A 2000-06-01 2000-06-01 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 Expired - Lifetime JP3285341B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000164349A JP3285341B2 (ja) 2000-06-01 2000-06-01 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US10/092,231 US6861270B2 (en) 2000-06-01 2002-03-06 Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000164349A JP3285341B2 (ja) 2000-06-01 2000-06-01 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001345478A true JP2001345478A (ja) 2001-12-14
JP3285341B2 JP3285341B2 (ja) 2002-05-27

Family

ID=18667982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000164349A Expired - Lifetime JP3285341B2 (ja) 2000-06-01 2000-06-01 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6861270B2 (ja)
JP (1) JP3285341B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003068699A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer
WO2004008551A1 (ja) * 2002-07-16 2004-01-22 Nitride Semiconductors Co.,Ltd. 窒化ガリウム系化合物半導体装置
CN100338733C (zh) * 2002-02-15 2007-09-19 昭和电工株式会社 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及ⅲ族氮化物半导体外延晶片
JP2007266401A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
KR101008285B1 (ko) 2005-10-28 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040232438A1 (en) * 2003-05-23 2004-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US20050006639A1 (en) * 2003-05-23 2005-01-13 Dupuis Russell D. Semiconductor electronic devices and methods
JP4553583B2 (ja) * 2003-12-26 2010-09-29 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP4601950B2 (ja) * 2003-12-26 2010-12-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
TWI381547B (zh) * 2007-11-14 2013-01-01 Advanced Optoelectronic Tech 三族氮化合物半導體發光二極體及其製造方法
TWI415295B (zh) * 2008-06-24 2013-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 半導體元件的製造方法及其結構
TWI401729B (zh) * 2008-10-16 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Tech 阻斷半導體差排缺陷之方法
WO2011005444A1 (en) 2009-06-22 2011-01-13 Raytheon Company Gallium nitride for liquid crystal electrodes
CN102485944A (zh) * 2010-12-03 2012-06-06 武汉迪源光电科技有限公司 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构
WO2013177514A1 (en) 2012-05-24 2013-11-28 Raytheon Company Coherent combiner for high power beams
FR3000297B1 (fr) 2012-12-26 2016-03-04 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une diode electroluminescente comprenant une couche d'algan heterogene
US9835856B2 (en) 2013-05-24 2017-12-05 Raytheon Company Adaptive optic having meander resistors
CN107316923A (zh) * 2017-06-14 2017-11-03 复旦大学 一种正弦量子阱耦合增强型GaN基发光二极管

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3909929A (en) * 1973-12-26 1975-10-07 Gen Electric Method of making contacts to semiconductor light conversion elements
JPS61108176A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Fuji Electric Co Ltd 粗面化方法
US4985113A (en) 1989-03-10 1991-01-15 Hitachi, Ltd. Sample treating method and apparatus
US5332697A (en) 1989-05-31 1994-07-26 Smith Rosemary L Formation of silicon nitride by nitridation of porous silicon
KR930004110B1 (ko) 1990-10-25 1993-05-20 현대전자산업 주식회사 표면적이 극대화된 도전층 제조방법
JPH088217B2 (ja) 1991-01-31 1996-01-29 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
DE4305296C3 (de) * 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
JP2836686B2 (ja) 1993-03-31 1998-12-14 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE69433926T2 (de) * 1993-04-28 2005-07-21 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
US5656832A (en) 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
JPH07263408A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法
JPH0832112A (ja) * 1994-07-20 1996-02-02 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
US5804918A (en) * 1994-12-08 1998-09-08 Nippondenso Co., Ltd. Electroluminescent device having a light reflecting film only at locations corresponding to light emitting regions
JPH08222797A (ja) 1995-01-17 1996-08-30 Hewlett Packard Co <Hp> 半導体装置およびその製造方法
US5787104A (en) * 1995-01-19 1998-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same
EP0731490A3 (en) 1995-03-02 1998-03-11 Ebara Corporation Ultra-fine microfabrication method using an energy beam
JPH08250768A (ja) 1995-03-13 1996-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体光素子
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3058057B2 (ja) 1995-06-30 2000-07-04 日本電気株式会社 凸凹シリコン膜の形成方法と半導体メモリデバイス
US5900650A (en) 1995-08-31 1999-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3396356B2 (ja) 1995-12-11 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置，及びその製造方法
US5874747A (en) 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5786233A (en) * 1996-02-20 1998-07-28 U.S. Philips Corporation Photo-assisted annealing process for activation of acceptors in semiconductor compound layers
JP3740730B2 (ja) 1996-02-23 2006-02-01 住友電気工業株式会社 窒化炭素単結晶膜
US6030848A (en) 1996-06-28 2000-02-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a GaN-based compound semiconductor light emitting device
JPH1022568A (ja) 1996-07-04 1998-01-23 Hitachi Ltd 半導体装置
US5717226A (en) * 1996-09-18 1998-02-10 Industrial Technology Research Institute Light-emitting diodes and method of manufacturing the same
JP3448441B2 (ja) 1996-11-29 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光装置
EP2264794B1 (en) 1997-01-09 2014-11-19 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6103604A (en) 1997-02-10 2000-08-15 Trw Inc. High electron mobility transparent conductor
JP3139445B2 (ja) 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
CN1147009C (zh) 1997-03-19 2004-04-21 夏普株式会社 半导体发光元件
KR19980079320A (ko) * 1997-03-24 1998-11-25 기다오까다까시 고품질 쥐에이엔계층의 선택성장방법, 고품질 쥐에이엔계층 성장기판 및 고품질 쥐에이엔계층 성장기판상에 제작하는 반도체디바이스
JP4203132B2 (ja) 1997-03-31 2008-12-24 シャープ株式会社 発光素子及びその製造方法
EP2234142A1 (en) 1997-04-11 2010-09-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate
JPH10321913A (ja) 1997-05-19 1998-12-04 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US5888886A (en) 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
JP3930161B2 (ja) 1997-08-29 2007-06-13 株式会社東芝 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
US6266355B1 (en) 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP3727449B2 (ja) 1997-09-30 2005-12-14 シャープ株式会社 半導体ナノ結晶の製造方法
US6335217B1 (en) 1997-10-10 2002-01-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. GaN type semiconductor device fabrication
JPH11135832A (ja) 1997-10-26 1999-05-21 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
JP3744155B2 (ja) 1997-11-07 2006-02-08 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
JP3036495B2 (ja) 1997-11-07 2000-04-24 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6849862B2 (en) * 1997-11-18 2005-02-01 Technologies And Devices International, Inc. III-V compound semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN1-a-bPaAsb non-continuous quantum dot layer
JP4138930B2 (ja) 1998-03-17 2008-08-27 富士通株式会社 量子半導体装置および量子半導体発光装置
CN1145224C (zh) * 1998-05-08 2004-04-07 三星电子株式会社 使化合物半导体层激活成为p-型化合物半导体层的方法
JPH11340576A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
JP3660801B2 (ja) 1998-06-04 2005-06-15 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子
JPH11354842A (ja) 1998-06-04 1999-12-24 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
JP3667995B2 (ja) 1998-06-04 2005-07-06 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系量子ドット構造の製造方法およびその用途
JP2000022128A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Murata Mfg Co Ltd 半導体発光素子、および光電子集積回路素子
US6261862B1 (en) * 1998-07-24 2001-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photovoltaic element
US6423984B1 (en) * 1998-09-10 2002-07-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor
JP2000174344A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JPH11346035A (ja) 1999-05-17 1999-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
JP3403665B2 (ja) 1999-05-17 2003-05-06 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2000357820A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Pioneer Electronic Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
US6580098B1 (en) * 1999-07-27 2003-06-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor
JP4055304B2 (ja) 1999-10-12 2008-03-05 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP4055303B2 (ja) 1999-10-12 2008-03-05 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体素子
TW439304B (en) 2000-01-05 2001-06-07 Ind Tech Res Inst GaN series III-V compound semiconductor devices
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
TW449931B (en) 2000-01-27 2001-08-11 United Epitaxy Co Ltd Manufacturing method of P-type semiconductor with a low resistance coefficient
WO2002007309A2 (en) 2000-07-13 2002-01-24 Rutgers, The State University Of New Jersey Integrated tunable surface acoustic wave technology and sensors provided thereby
WO2002021604A1 (en) * 2000-09-08 2002-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting device and optical device including the same
TW579608B (en) 2000-11-24 2004-03-11 High Link Technology Corp Method and structure of forming electrode for light emitting device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003068699A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer
CN100338733C (zh) * 2002-02-15 2007-09-19 昭和电工株式会社 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及ⅲ族氮化物半导体外延晶片
WO2004008551A1 (ja) * 2002-07-16 2004-01-22 Nitride Semiconductors Co.,Ltd. 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US7700940B2 (en) 2002-07-16 2010-04-20 Nitride Semiconductor Co., Ltd. Gallium nitride-based compound semiconductor device
KR101002271B1 (ko) 2002-07-16 2010-12-20 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 질화갈륨계 화합물 반도체장치
KR101008285B1 (ko) 2005-10-28 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP2007266401A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6861270B2 (en) 2005-03-01
JP3285341B2 (ja) 2002-05-27
US20030094618A1 (en) 2003-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1636858B1 (en) Light emitting device using nitride semiconductor and fabrication method of the same
JP5995302B2 (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP3285341B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3660801B2 (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
US8053756B2 (en) Nitride semiconductor light emitting element
Mukai Recent progress in group-III nitride light-emitting diodes
EP1335435B1 (en) Semiconductor light-emitting devices
JP5322523B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
CN110233190B (zh) 发光设备
CN105977354A (zh) 第iii族氮化物半导体发光元件及其制造方法
JP2010501117A (ja) マグネシウムをドーピングされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ層の堆積方法
JP2011222728A (ja) 窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP4377600B2 (ja) ３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置
JP5048236B2 (ja) 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法
CN111063772A (zh) 高光效紫外led外延结构
JP3667995B2 (ja) ＧａＮ系量子ドット構造の製造方法およびその用途
JPH11354842A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
JP2000261035A (ja) ＧａＮ系の半導体素子
JPH11354843A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途
US20070164296A1 (en) Gallium nitride-based compound semiconductor multilayer structure and production method thereof
CN102067347A (zh) 一种制备InGaN基多量子阱层的方法
JP2010021360A (ja) Ｉｉｉ族窒化物発光素子を製造する方法、及びｉｉｉ族窒化物発光素子
JP5120861B2 (ja) 光半導体素子及びその製造方法
KR101423719B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2004083359A (ja) エピタキシャル基板及び半導体積層構造

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3285341

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S202 Request for registration of non-exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S202 Request for registration of non-exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150308

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term