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KR101423719B1 - 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR101423719B1
KR101423719B1 KR1020080027495A KR20080027495A KR101423719B1 KR 101423719 B1 KR101423719 B1 KR 101423719B1 KR 1020080027495 A KR1020080027495 A KR 1020080027495A KR 20080027495 A KR20080027495 A KR 20080027495A KR 101423719 B1 KR101423719 B1 KR 101423719B1
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nitride semiconductor
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semiconductor layer
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Abstract

n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 Mg와 AlGaN이 교대로 반복 성장되어 형성된 초격자 구조의 Mg/AlGaN층; 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 형성된 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광 소자가 제공된다. 이에 따라, p형 질화물 반도체층의 전기전도성 및 결정성을 향상시킬 수 있다.
발광 다이오드, p-GaN 성장, Mg/AlGaN, 초격자층

Description

발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p형 질화물 반도체층과 활성층 사이에 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 가지는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물계 반도체는 풀컬러 디스플레이, 교통 신호등, 일반조명 및 광통신기기의 광원으로 청/녹색 발광 다이오드(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드(laser diode)에 널리 이용되고 있다. 이러한 질화물계 발광 소자는 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 위치한 다중양자우물 구조의 활성층을 포함하며, 상기 활성층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 발생시킨다.
이러한 질화물 반도체층들은 주로, 반응기 내에 기판을 배치한 후, III족 금속의 유기물 소스를 이용한 소스 가스들을 반응기 내로 공급함으로써 상기 기판 상에 질화물 반도체층을 성장시키는 금속유기화학 기상성장법을 사용하여 성장된다.
한편, p형 질화물 반도체층은 EBL(electronic blocking layer)로 p-AlGaN을 사용하며, 주로 Mg을 도펀트로 사용하여 형성되는데, 이때, Mg는 수소와 결합하여 p형 질화물 반도체층의 결정성을 악화시키는 동시에 p형 질화물 반도체층의 전기 전도성에 기여하지 못할 수 있다. Mg의 도핑에 따른 이러한 문제점은, 발광 소자의 누설전류 증가, 역전압 특성 열화 및 불량한 전류확산을 초래하여, 발광소자의 발광효율 및 휘도를 감소시킨다.
한편, 질화갈륨계 반도체 발광소자의 구동 전압을 낮추고, 그 출력을 향상시키기 위해서는 p형 질화물 반도체층의 전기 전도성을 개선할 필요가 있다. 그러나, Mg의 도핑 농도를 증가시킬 경우, 캐리어 농도가 감소하는 현상, 이른바 자발 보상(self-compensation)이 발생된다.
따라서, Mg 도핑 농도를 충분히 증가시켜 p형 질화물 반도체층의 전기 전도성을 향상시키는 것과, p형 질화물반도체층의 결정성을 향상시키는 것이 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전기 전도성 및/또는 결정성이 향상된 p형 질화물 반도체층을 가지는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 Mg와 AlGaN이 서로 다른 층으로 교대로 반복 성장되어 형성된 초격자 구조의 Mg/AlGaN층; 및 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 형성된 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광 소자가 제공된다.
바람직하게는, 상기 p형 질화물 반도체층은 p-GaN일 수 있다.
바람직하게는, 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층은, 상기 교대로 반복 성장된 상기 Mg과 상기 AlGaN로 이루어지는 각 쌍마다 Mg의 양이 동일한 것일 수 있다.
바람직하게는, 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층은, 상기 교대로 반복 성장된 상기 Mg과 상기 AlGaN로 이루어지는 각 쌍마다 Mg의 양이 가변적인 것일 수 있다.
바람직하게는, 상기 p형 질화물 반도체층은 거친 표면을 가질 수 있다. p형 질화물 반도체층이 표면이 거칠어지는 것은 Mg의 과다에 의해 기인된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판위에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 Mg와 AlGaN을 서로 다른 층으로 교대로 반복 성장시켜 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 형성하는 단계; 및 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법이 제공될 수 있다.
바람직하게는, 상기 p형 질화물 반도체층은 p-GaN일 수 있다.
바람직하게는, 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층 형성 단계는, 반응기내에서 이루어지며, 상기 반응기내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스, Al 소스 가스를 포함하는 소스 가스들을 공급하여 상기 활성층위에 AlGaN층을 성장시키고, 상기 반응기 내로 공급되는 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스의 공급을 중단하여 AlGaN층의 성장을 중단시키되, NH3 가스를 공급하고, 상기 반응기 내로 Mg 소스 가스 및 NH3 가스를 공급하여 AlGaN층위에 Mg층을 성장시키고, 상기 반응기 내로 공급되는 Mg 소스 가 스의 공급을 중단하여 Mg층의 성장을 중단시키되, NH3 가스를 공급하고, 상기 과정을 반복하여 수행할 수 있다.
바람직하게는 상기 제조 방법은 상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층 형성 단계를 수행한 후, 상기 반응기 내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스, Mg 소스 가스를 포함하는 소스 가스들을 공급하여 상기 기판 상에 Mg 도핑된 상기 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 것을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 과정의 반복시, 각 반복시마다 Mg 소스 가스를 동일한 유량으로 공급할 수 있다.
바람직하게는, 상기 과정의 반복시, 각 반복시마다 Mg 소스 가스를 서로 다른 유량으로 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, p형 질화물 반도체층과 활성층 사이에 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 형성함으로써, 결정 결함 밀도 예컨대 전위 밀도를 감소시키어 p형 질화물 반도체층의 결정성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 구동전압이 낮고 발광 효율 및 발광 출력이 향상된 발광 소자를 제공할 수 있다. 아울러, 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 통해 Mg를 도핑함으로써 Mg의 확산을 막아 원하는 곳에 적절하게 도핑이 가능함에 따라 발광 효율을 증가시킬 수 도 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자는 n형 질화물 반도체층(25), 활성층(27), 초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28), p형 질화물 반도체층(29)을 포함한다. 또한, 상기 발광 소자는 기판(21), 버퍼층(23), 투명전극층(31), n-전극(33) 및 p-전극(35)을 포함할 수 있다.
상기 기판(21)은 질화물계 발광소자를 제작하기 위한 웨이퍼를 지칭하는 것으로, 주로 사파이어(Al2O3) 또는 실리콘카바이드(SiC)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 질화물 반도체층을 성장시키기에 적합한 이종기판, 예컨대 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 스피넬 등의 이종기판 또는 GaN와 같은 동종기판일 수 있다.
버퍼층(23)은 기판(21) 상에 질화물 반도체층의 성장시 기판(21)과 질화물 반도체층 간의 격자 부정합을 완화하기 위한 것으로, InAlGaN 계열이나 SiC 또는 ZnO계열의 재료로 형성될 수 있다.
한편, n형 질화물 반도체층(25)은 주로 GaN로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, (Al, In, Ga)N 계열의 2원계 내지 4원계 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 또한, n형 질화물 반도체층(25)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 초격자층을 포함할 수 있다.
활성층(27)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있으며, 다중 양자우물 구조의 경우, 양자장벽층과 양자우물층이 교대로 2회 이상 20 회 이하로 반복되어 형성될 수 있다. 상기 활성층은 요구되는 발광 파장에 따라 그 조성이 결정되며, 청색 내지 녹색 계열의 가시광선을 방출하기 위해 InGaN이 활성층(양자우물층)으로 적합하다. 양자장벽층은 상기 양자우물층에 비해 밴드갭이 큰 질화물로 형성되며, 예컨대, GaN 또는 InGaN으로 형성될 수 있다.
초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28)은 활성층(27)과 p형 질화물 반도체층(29)사이에 Mg와 AlGaN이 교대로 반복 성장되어 형성된 초격자 구조를 지닌다. 초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28)은 그 위에 성장되는 p형 질화물 반도체층(29)으로 전위가 성장되는 것을 차단할 수 있어 p형 질화물 반도체층(29)의 결정성을 높이고, 홀농도를 높일 수 있으며, AlGaN층내에 Mg의 확산도 방해하여 원하는 곳에 적절히 도핑할 수 있다.
p형 질화물 반도체층(29)은 주로 GaN로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, (Al, In, Ga)N 계열의 2원계 내지 4원계 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물 반도체층(29)은 Mg를 도펀트로 사용하여 형성될 수 있다.
상기 p형 질화물 반도체층(29) 상에 투명전극층(31)이 위치하며, 투명전극층(31)은 Ni/Au와 같은 투명 금속층 또는 ITO와 같은 전도성 산화물로 형성될 수 있다.
한편, n형 반도체층(25)에 n-전극(33)이 형성될 수 있으며, 투명전극층(31) 상에 p-전극이 형성될 수 있다. n-전극 및 p-전극은 Ti/Al 등 다양한 금속 재료로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층은 금속유기화학 기상성장 법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular BeamEpitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등 다양한 기술을 사용하여 형성될 수 있으나, 현재로서는 금속유기화학 기상성장법이 주로 사용되고 있다. 따라서, 이하에서는 금속유기화학 기상성장법을 사용하여 상기 p형 질화물 반도체층을 형성하는 방법을 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.
도 2를 참조하면, 우선 기판(21)이 준비된다(S01). 상기 기판(21)은 그 위에 버퍼층(23), n형 질화물 반도체층(25) 및 활성층(27)을 가질 수 있다. 이러한 기판(21)은 반응기 내에 기판(21)을 로딩하고, 상기 반응기 내로 소스 가스들을 공급하여 버퍼층(23), n형 질화물 반도체층(25) 및 활성층(27)을 증착시킴으로써 준비될 수 있다.
상기 버퍼층(23)은 질화물로 형성될 수 있으며, 버퍼층의 형성 방법 및 재료에 대해서는 이미 잘 알려져 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 n형 질화물계반도체층(25)은 일반적으로 Si를 도펀트로 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 Si의 소스로서 SiH4나 Si2H4 등의 불활성 가스 또는 DTBSi와 같은 금속 유기물 소스를 사용할 수 있다. 상기 Si 농도는 1×1017/㎤~5×1019/㎤의 범위일 수 있으며, n형 질화물 반도체층은 1.0~5.0㎛의 두께로 형성될 수 있다.
상기 활성층(27)은 단일 양자우물구조, 또는 InxGa11-xN(0.1<x<1) 양자우물층과 InyGa1-yN(0<y<0.5) 양자장벽층이 2회 이상 20회 이하로 반복된 다중양자우물구조로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 각 양자우물층은 1~5nm 두께 및 In 함량(0.1<x<0.4)로 형성될 수 있으며, 각 양자장벽층은 5~40nm 두께 및 In 함량 (0<y<0.2)로 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반응기 내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스, Al 소스 가스들을 공급하여 AlGaN층(28a)을 성장시킨다(S03). 소스 가스들의 공급은 T1 시간 동안 이루어진다.
Ga 소스로는 트리메틸갈륨(TMGa) 또는 트리에틸갈륨(TEGa)을 사용할 수 있고, N 소스 가스로는 암모니아(NH3) 또는 디메틸히드라진(DMHy)을 사용할 수 있고, Al 소스 가스로는 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum; TMAl, Al(CH3)3)을 사용할 수 있다.
상기 T1 시간은 요구되는 두께의 AlGaN층(28a)을 형성하는 데 필요한 시간으로 설정된다.
그 후, 상기 반응기 내로 공급되는 Ga소스 및 Al 소스 가스의 공급을 중단하여 AlGaN층의 성장을 중단시킨다(S05). 상기 성장 중단은 T2 시간 동안 이루어진다.
반응기에는 배기펌프가 장착되어 반응기 내의 가스들을 배출시킴으로, 상기 소스 가스들의 공급이 중단된 후 시간이 지남에 따라 상기 반응기 내에 잔류하는 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스는 대부분 외부로 배출된다. 상기 T2 시간은 상기 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스를 배출하기 위한 시간으로 1 내지 60초일 수 있다.
상대적으로 고온 상태에서 성장을 중단시키면, 기판 상에 성장된 질화물 반도체층에서 질소 원자들이 해리되어 질소 공공들을 형성할 수 있다. 따라서, 질화물 반도체층의 성장 중단 동안에 NH3 가스를 공급하여 N 원자들을 공급할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 N 소스 가스가 NH3를 포함하는 경우, Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스의 공급을 중단하고 NH3를 계속 공급할 수 있다. 이와 달리, 상기 N 소스 가스가 NH3를 포함하지 않은 경우, 상기 성장 중단 단계(S05)에서 NH3를 별도로 공급할 수 있다.
그 후, 상기 반응기 내로 Mg 소스 가스 및 NH3 가스를 공급하여 상기 AlGaN층(28a)위에 Mg층(28b)을 성장시킨다(S07). Mg 소스로는 CP2Mg을 사용할 수 있다.
상기 Mg 성장은 T3 시간 동안 이루어지며, T3는 1 내지 60초의 범위 내에 있을 수 있다.
그 후, 상기 반응기 내로 공급되는 Mg소스 가스의 공급을 중단하여 Mg층(28b)의 성장을 중단시킨다(S09). 상기 성장 중단은 T4 시간 동안 이루어진다.
반응기에는 배기펌프가 장착되어 반응기 내의 가스를 배출시킴으로, 상기 Mg소스 가스의 공급이 중단된 후 시간이 지남에 따라 상기 반응기 내에 잔류하는 Mg 소스 가스는 대부분 외부로 배출된다. 상기 T4 시간은 상기 Mg 소스 가스를 배출하 기 위한 시간으로 1 내지 60초일 수 있다.
이상에서 설명한 AlGaN층(28a)의 성장, 성장 중단, Mg층(28b)의 성장, 성장 중단 단계들을 여러 번 반복하여 실시한다(S11). 이때, 성장되는 AlGaN층(28a) 및 Mg층(28b)은 적층된 전체 두께가 300-400Å로 형성될 수 있다. 초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28)은 10 내지 100 쌍(pair)을 이룰 수 있다. 이에 따라 초격자 구조를 이루는 AlGaN층(28a) 및 Mg층(28b)의 각각의 두께는 상기 전체 두께를 구현하기 위한 두께로 결정될 수 있다.
MOCVD를 사용하여 질화물 반도체층들을 성장시킬 경우, 동일한 반응기 내에서 n형 질화물 반도체층(25), 활성층(27), 초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28) 및 p형 질화물 반도체층(29)이 성장될 수 있다.
다시 반응기 내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스 및 Mg 소스 가스를 공급하여 Mg 도핑된 p형 질화물 반도체층(29)을 성장시킨다(S13).
그 후, 상기 기판(21) 상에 형성된 p형 질화물 반도체층(29) 및 활성층(27)을 패터닝하고, 투명전극층(31), n-전극(33) 및 p-전극(35)을 형성함으로써 도 1의 발광소자가 완성된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, p형 질화물 반도체층(29)과 활성층(27)사이에 AlGaN층(28a) 및 Mg층(28b)이 번갈아 적층된 초격자 구조의 Mg/AlGaN층(28)을 형성함으로써 그 위에 성장되는 질화물 반도체층으로 전위가 성장되는 것을 차단할 수 있어 p형 질화물 반도체층(29)의 결정성을 높이고, 홀농도를 높일 수 있으며, AlGaN층내에 Mg의 확산도 방해하여 원하는 곳에 적절히 도핑할 수 있다.
<실험1>
실험1에서는 초격자 구조의 Mg/AlGaN층의 성장시 Mg의 양 변화에 따른 광방출 효과를 측정하였다.
- Mg : 온도 980℃, 시간 0.5분, Mg 240sccm, 360sccm, 480sccm
- AlGaN: 온드 980℃, 시간 0.5분, TMGa 13sccm, Al 40/82/31
- Mg/AlGaN층 12쌍(pairs)
도 4는 Mg의 양 변화에 따른 광방출량을 나타내는 그래프이고, 도 5는 Mg 240sccm일 때 성장된 p-GaN의 표면 사진이며, 도 6은 Mg 360sccm일 때 성장된 p-GaN의 표면 사진이다. Mg 480sccm에서는 표면 불량으로 측정이 불가하였다.
도 4에서 볼 수 있는 바와 같이 초격자 구조의 Mg/AlGaN층의 성장시 Mg의 양을 증가시킴에 따라 광방출량이 증가되었다. 또한, 도 5 및 도 6에서 볼 수 있는 바와 같이 초격자 구조의 Mg/AlGaN층의 성장시 Mg의 양을 증가시킴에 따라 Mg/AlGaN층위에 성장된 p-GaN의 표면이 거칠어지는 것이 확인되었다.
이상의 실험 결과에서 볼 수 있는 바와 같이 Mg/AlGaN층의 성장시 Mg의 양을 증가시키게 되면, Mg의 과다로 인해 Mg/AlGaN층위에 성장된 p-GaN의 표면이 거칠게 되어 p-러프닝(roughening)의 효과와 같이 광방출 효과를 개선시키는 것임을 알 수 있다. 여기에서 p-러프닝(roughening)은 광방출 효과를 개선시키기 위해 p형 반도체층의 표면을 러프닝 처리하는 것을 의미한다.
본 실시예의 p형 질화물 반도체층 형성 방법은 발광 다이오드뿐만 아니라 다른 질화물계 광소자, 예컨대 레이저 다이오드를 제조하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 대해서 바람직한 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술 분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서 많은 수정과 변형이 가능함을 이해할 것이다.
예를 들어, 본 실시예들에서는 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 설명할 때 AlGaN층을 먼저 성장시키고 그 후에 Mg층을 성장시키는 것에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 Mg층을 먼저 성장시키는 공정을 수행하고 그 후에 AlGaN층을 성장시키는 공정을 수행할 수 도 있다.
또한, 본 실시예들에서는 Mg와 AlGaN을 번갈아 적층되어 여러 쌍으로 이루어진 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 형성할 때, 각 쌍마다 Mg의 양을 일정하게 하는 것에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이에 제한되지 않고, Mg/AlGaN층의 각 쌍마다 Mg의 양을 예를 들어 점점 감소시키면서 또는 점점 증가시키는 것과 같이 Mg의 양을 변화시키는 것도 가능하다.
아울러, 본 실시예에서는 도 3과 관련한 상세한 설명에서 T1 내지 T4에 대하여 한정하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서 필요에 따라 얼마든지 변형될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 Mg의 양 변화에 따른 광방출량을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 Mg 240sccm일 때 성장된 p-GaN의 표면 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 Mg 360sccm일 때 성장된 p-GaN의 표면 사진이다.

Claims (12)

  1. n형 질화물 반도체층;
    상기 n형 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층;
    상기 활성층 위에 Mg와 AlGaN이 서로 다른 층으로 교대로 반복 성장되어 형성된 초격자 구조의 Mg/AlGaN층;
    상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 형성된 p형 질화물 반도체층을 포함하고,
    상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층은,
    상기 교대로 반복 성장된 상기 Mg과 상기 AlGaN로 이루어지는 각 쌍마다 Mg의 양이 가변적인 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 p형 질화물 반도체층은 p-GaN인 발광 소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 p형 질화물 반도체층은 거친 표면을 갖는 발광 소자.
  6. 기판위에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 n형 질화물 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 위에 Mg와 AlGaN을 서로 다른 층으로 교대로 반복 성장시켜 초격자 구조의 Mg/AlGaN층을 형성하는 단계;
    상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층 형성 단계는,
    반응기내에서 이루어지며,
    상기 반응기내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스, Al 소스 가스를 포함하는 소스 가스들을 공급하여 상기 활성층위에 AlGaN층을 성장시키고,
    상기 반응기 내로 공급되는 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스의 공급을 중단하여 AlGaN층의 성장을 중단시키되, NH3 가스를 공급하고,
    상기 반응기 내로 Mg 소스 가스 및 NH3 가스를 공급하여 AlGaN층위에 Mg층을 성장시키고,
    상기 반응기 내로 공급되는 Mg 소스 가스의 공급을 중단하여 Mg층의 성장을 중단시키되, NH3 가스를 공급하여 Mg/AlGaN층을 형성하는 과정과,
    상기 Mg/AlGaN층을 형성하는 과정을 반복하여 수행하는 것을 포함하고,
    상기 Mg/AlGaN층을 형성하는 과정의 반복시, 각 반복시마다 Mg 소스 가스를 서로 다른 유량으로 공급하는 발광 소자 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 p형 질화물 반도체층은 p-GaN인 발광소자 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 초격자 구조의 Mg/AlGaN층위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계는,
    상기 반응기 내로 Ga 소스 가스, N 소스 가스, Mg 소스 가스를 포함하는 소스 가스들을 공급하여 상기 기판 상에 Mg 도핑된 상기 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  10. 삭제
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