JP2001203076A - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents
発光装置及びその作製方法Info
- Publication number
- JP2001203076A JP2001203076A JP2000338454A JP2000338454A JP2001203076A JP 2001203076 A JP2001203076 A JP 2001203076A JP 2000338454 A JP2000338454 A JP 2000338454A JP 2000338454 A JP2000338454 A JP 2000338454A JP 2001203076 A JP2001203076 A JP 2001203076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- filler
- insulator
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 59
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 28
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 66
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
技術を提供する。 【解決手段】 大型基板から複数の発光装置を形成する
多面取り工程を用いることで発光素子を用いた装置の製
造コストの低減を図る。特に、発光素子の封入工程を、
既存の液晶ラインを転用しうる工程とし、設備投資も含
めて大幅な製造コストの低減を図る。
Description
料を挟んだ素子(以下、発光素子という)を有する装置
(以下、発光装置という)及びその作製方法に関する。
特に、EL(Electro Luminescence)が得られる発光性
材料(以下、EL材料という)を用いた発光装置に関す
る。
料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起
を経由して発光(燐光および/または蛍光)するすべて
の発光性材料を含む。
発光素子(以下、EL素子という)を用いた発光装置
(EL表示装置)の開発が進んでいる。EL表示装置は
発光素子自体に発光能力があるため、液晶ディスプレイ
のようなバックライトが不要である。さらに視野角が広
いため、屋外での用途に適している。
有機材料とがあるが、近年では駆動電圧の低い有機材料
が注目されている。ところがEL素子に有機材料を用い
る際の問題点として劣化の速さが挙げられている。有機
材料が酸化することでキャリアの再結合の効率が極端に
悪化し、EL現象が得られなくなるのである。
めに様々な工夫が施されている。一般的には、EL素子
の上にセラミックス材や金属材をかぶせ、EL素子を密
封空間に閉じこめて外気から遮断する方式が知られてい
る。東北パイオニア(株)の生産するELディスプレイ
には同方式が採用されている。同社ではその密封空間に
乾燥剤を設けている。
68号公報、特開平11−54285号公報に記載され
た技術が知られている。
外気から保護するための封入(封止)方法のスループッ
ト及び歩留まりを向上させることを課題とし、発光素子
を用いた発光装置の製造コストを低減することを課題と
するものである。
複数の発光装置を形成する多面取り工程を用いることで
発光素子を用いた発光装置の製造コストの低減を図る。
特に、本発明の最も大きな特徴は、発光素子の封入工程
を、既存の液晶ラインを転用しうる工程とし、設備投資
も含めて大幅な製造コストの低減を図る点にある。
セルを形成する工程に近い工程とすることで、既存のセ
ル組み工程に用いられる装置を僅かな改造で転用できる
点に利点がある。また、液晶セルを形成する工程は既に
量産化の十分な実績があり、これを転用することで大幅
な歩留まりの向上が図れる。
(例えば基板)の上にシール材を形成し、シール材を用
いてカバー材を接着することにより、絶縁体、カバー材
およびシール材で囲まれた部分を密封可能な空間(以
下、セルという)とし、そのセルを樹脂または液体で充
填する。本明細書中ではこの目的で用いられる樹脂また
は液体を充填材と呼び、その充填に真空注入法を用いる
点に特徴がある。樹脂は液体状のものをセルに注入して
から固化させれば良い。
た発光装置には、文字情報もしくは画像情報を表示する
発光装置(以下、EL表示装置という)または光源とし
て用いる発光装置(以下、EL発光装置という)を含
む。
マトリクス型EL表示装置を大型基板上に作製する場合
について説明する。説明には図1〜図3に示した上面図
を用いる。なお、各上面図には各々の上面図をA−A’
及びB−B’で切った断面図も併記する。
数の画素部(画像表示を行うための領域)11の形成さ
れた絶縁体(ここでは基板)12上に第1のシール材1
3を形成する。本実施形態では1枚の基板から四つの発
光装置を形成する例を示すため、第1のシール材13は
四カ所に設けられている。但し、第1のシール材13を
設ける数は、1枚の基板からいくつのEL表示装置を形
成するかによって変更すれば良い。
れる公知のディスペンサー方式やスクリーン印刷方式を
用いて形成すれば良い。その際、図1(A)に示すよう
に開口部14を形成して後に充填材を注入する入り口を
確保しておく。また、第1のシール材13としては紫外
線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、
PVC(ポリビニルクロライド)、PVB(ポリビニル
ブチラル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)
を用いることが可能である。また、第1のシール材13
はフィラー(棒状またはファイバー状のスペーサ)を添
加したものであっても良い。
を撒布する。スペーサ15は公知のものを用いることが
できる。また、スペーサ15の撒布は公知の湿式または
乾式で行えば良く、第1のシール材13を形成する前で
も後でも良い。いずれにしてもフィラー(図示せず)も
しくはスペーサ15によって基板12とその上に配置す
るカバー材との距離を確保する。
ることは画素部11に形成されたEL素子の劣化を抑制
する上で効果的である。酸化バリウムに代表される吸湿
性物質からなるスペーサを用いても良い。また、スペー
サ15の材料はEL素子から発した光を透過する材料で
あることが望ましい。
囲まれた領域16内にはEL素子及びそのEL素子に電
気的に接続されたTFTを含む画素部が含まれる。ま
た、画素部と共にその画素部に電気信号を伝える駆動回
路も含まれても良い。勿論、画素部のみ第1のシール材
13の内側に設けて駆動回路は第1のシール材13の外
側に設ける構造としても良い。
ール材13を用いて基板12にカバー材17を接着す
る。本明細書中では基板12、第1のシール材13及び
カバー材17が一体となった基板をセル形成基板と呼
ぶ。このカバー材17を接着する工程には公知の液晶セ
ルの形成工程と同様の工程を用いれば良い。具体的に
は、カバー材17を基板12に合わせて貼り合わせた
後、加圧し、紫外線の照射または加熱により第1のシー
ル材13を硬化させる。
(またはフィルム)を用いれば良い。基板(またはフィ
ルム)としては、ガラス板、石英板、プラスチック板、
プラスチックフィルム、FRP(Fiberglass-Reinforce
d Plastics)板、PVF(ポリビニルフロライド)フィ
ルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムを用いることができる。
よっては透明な物質を用いる必要がある。基板12とし
てフィルムを用いる場合は、紫外線硬化樹脂を第1のシ
ール材13として用いることが望ましい。
及びカバー材17を分断する。基板12及びカバー材1
7を分断する際、公知の分断用装置を用いることが可能
である。代表的には、スクライバー、ダイサーまたはレ
ーザーを用いることが可能である。なお、スクライバー
とは、基板に細い溝(スクライブ溝)を形成した後でス
クライブ溝に衝撃を与え、スクライブ溝に沿った亀裂を
発生させて基板を分断する装置である。また、ダイサー
とは、硬質カッター(ダイシングソーともいう)を高速
回転させて基板に当てて分断する装置である。
バーを用いた例を示す。基板12及びカバー材17にス
クライブ溝を形成する順序としては、まず矢印(a)の方
向にスクライブ溝18aを形成し、次に、矢印(b)の方向
にスクライブ溝18bを形成する。このとき、開口部1
4付近を通るスクライブ溝は第1のシール材13を切断
するように形成する。こうすることでセルの端面に開口
部14が現れるため、後の充填材の注入工程が容易とな
る。
したら、シリコーン樹脂等の弾性のあるバーでスクライ
ブ溝に衝撃を与え、亀裂を発生させて基板12及びカバ
ー材17を分断する。
り、各々二つのセルを含む二つのセル形成基板19、2
0が形成される。次に、各セル内に真空注入法により充
填材21を注入する。真空注入法は液晶注入の技術とし
て良く知られている。具体的には、まずセル形成基板1
9、20を真空室におき、真空中にて開口部14を充填
材21に接触させる。次いで真空室にガスを流して内圧
を高め、それにより開口部14からセル内へと充填材2
1が注入される。
いて充填材を注入するため充填材の粘度が低くないと注
入にかかる時間が著しくかかってしまう。その場合は充
填材を加熱して粘度を低めてから注入することが有効で
ある。
脂を用いることが好ましいが、第1のシール材13に用
いることのできる材料と同一のものでも良い。なお、E
L素子から発した光の放射方向によっては透明な物質を
用いる必要がある。
低いものを用いることが好ましい。即ち充填材21の粘
度は5〜100cp(好ましくは10〜30cp)が望
ましい。このような粘度の充填材を選択しても良いし、
溶媒等で希釈して所望の粘度としても良い。また、充填
材に予め乾燥剤として吸湿性を有する物質(吸湿性物質
という)を添加しておくと、さらにEL素子の劣化を防
ぐことができる。
る場合、充填材を加熱して注入することは有効である。
1×104cp程度の粘度であっても、70〜100℃
で加熱すれば真空注入法に用いることができる。
1が充填される。なお、本実施形態では複数のセルに対
して一度に充填材21を充填する方式を示したが、この
ような方式は対角0.5〜1インチ程度の小さなEL表
示装置の作製時に好適である。一方、対角5〜30イン
チ程度の大きめのEL表示装置を作製する際は、一つの
セル毎に分断してから充填材21を充填すれば良い。
後、充填材21を硬化させて基板12とカバー材17と
の密着性をさらに高める。充填材21が紫外線硬化樹脂
であれば紫外線を照射し、熱硬化性樹脂であれば加熱す
る。但し、熱硬化性樹脂を用いる場合は、有機EL材料
の耐熱性に留意する必要がある。
クライブ溝を形成する。順序としては、まず矢印(a)の
方向にスクライブ溝22aを形成し、次に、矢印(b)の方
向にスクライブ溝22bを形成する。このとき、分断後
に基板12に比べてカバー材17の面積が小さくなるよ
うにスクライブ溝を形成しておく。
したら、前述のようにスクライブ溝に衝撃を与え、セル
形成基板23〜26に分断する。図3(A)は2回目の
分断後の様子である。さらに、各セル形成基板23〜2
6には接続端子としてFPC(フレキシブルプリントサ
ーキット)27を取り付ける。FPC27は画素部に送
られる電気信号を外部機器から入力するための端子であ
る。勿論、画素部で表示した画像を外部機器へ出力する
端子として用いることもできる。
成基板23〜26の基板端面(第1のシール材13及び
/又は充填材21の露呈部)及び接続端子であるFPC
27の一部に接して第2のシール材28を形成する。第
2のシール材28としては第1のシール材13に用いる
ことのできる材料と同一のものを用いることができる。
うなEL表示装置が完成する。以上のように、本発明を
実施すると液晶のセル組み工程と同様の装置を用いた製
造ラインによって1枚の基板から複数のEL表示装置を
作製することができる。例えば、620mm×720mmの
基板に対応した液晶製造ラインに多少の改良を加える程
度で、1枚の基板から対角13〜14インチのEL表示
装置を6個作製することが可能である。従って、大幅な
スループットの向上と製造コストの削減が達成できる。
作製したアクティブマトリクス型EL表示装置について
図4(A)、(B)を用いて説明する。図4(A)は、
EL素子の形成されたアクティブマトリクス基板におい
て、EL素子の封入まで行った状態を示す上面図であ
る。点線で示された401はソース側駆動回路、402
はゲート側駆動回路、403は画素部である。また、4
04はカバー材、405は第1のシール材、406は第
2のシール材であり、第1のシール材405で囲まれた
内側のカバー材とアクティブマトリクス基板との間には
充填材407(図4(B))が設けられる。
ゲート側駆動回路402及び画素部403に入力される
信号を伝達するための接続配線であり、外部機器との接
続端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキッ
ト)409からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
断面に相当する断面図を図4(B)に示す。なお、図4
(A)、(B)では同一の部位に同一の符号を用いてい
る。
は画素部403、ソース側駆動回路401が形成されて
おり、画素部403はEL素子に流れる電流を制御する
ためのTFT(以下、電流制御用TFTという)301
とそのドレインに電気的に接続された画素電極302を
含む複数の画素により形成される。また、ソース側駆動
回路401はnチャネル型TFT303とpチャネル型
TFT304とを相補的に組み合わせたCMOS回路を
用いて形成される。
形成され、EL素子の陰極として機能する。また、画素
電極302の両端には絶縁膜305が形成され、さらに
発光層306、正孔注入層307が形成される。また、
その上にはEL素子の陽極308が透明導電膜でもって
形成される。
法は公知の如何なる手段を用いても良いし、材料として
有機材料または無機材料を用いることができる。また、
発光層や正孔注入層だけでなく電子注入層、電子輸送
層、正孔輸送層などを組み合わせた積層構造としても良
い。
素に共通の配線としても機能し、接続配線408を経由
してFPC409に電気的に接続されている。
をディスペンサー等で形成し、スペーサ(図示せず)を
撒布してカバー材404を貼り合わせる。そして、アク
ティブマトリクス基板、カバー材404及び第1のシー
ル材405で囲まれた領域内に充填材407を真空注入
法により充填する。
湿性物質として酸化バリウムを添加しておく。なお、本
実施例では吸湿性物質を充填材に添加して用いるが、塊
状に分散させて充填材中に封入することもできる。ま
た、図示されていないがスペーサの材料として吸湿性物
質を用いることも可能である。
熱により硬化させた後、第1のシール材405に形成さ
れた開口部(図示せず)を塞ぐ。さらに、第1のシール
材405の露呈部、充填材407の露呈部及びFPC4
09の一部を覆うように第2のシール材406を設け
る。第2のシール材406は第1のシール材407と同
様の材料を用いれば良い。
材407に封入することにより、EL素子を外部から完
全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機
材料の酸化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高いEL表示装置を作製すること
ができる。
示装置用の製造ラインを転用させることができるため、
設備投資の費用が大幅に削減可能であり、歩留まりの高
いプロセスで1枚の基板から複数の発光装置を生産する
ことができるため、大幅に製造コストを低減しうる。
て作製したパッシブマトリクス型EL表示装置について
図5を用いて説明する。図5において、501はプラス
チック基板、502はアルミニウム合金からなる陰極で
ある。本実施例では、陰極502を蒸着法により形成す
る。なお、図5では図示されていないが、複数本の陰極
が紙面に平行な方向へストライプ状に配列されている。
2と直交するように絶縁膜503が形成される。また、
この絶縁膜503は陰極502の各々を絶縁分離するた
めに陰極502の隙間にも設けられる。そのため、絶縁
膜503を上面から見るとマトリクス状にパターニング
されている。
バンク504が形成される。バンク504は陰極502
に直交するように、紙面に垂直な方向に形成されてい
る。また、形状は逆三角形状(逆テーパー形状)に加工
される。
陽極506が連続的に形成される。発光層504が水分
や酸素に弱いため、真空中または不活性雰囲気中で両者
を連続的に成膜することが望ましい。発光層505は公
知の如何なる材料であっても良いが、成膜の簡便性から
ポリマー系有機材料が好ましい。また、陽極506は蒸
着法で設けることが好ましい。発光層505及び陽極5
06どちらもはバンク504によって形成された溝に沿
って形成され、紙面に垂直な方向にストライプ状に配列
される。
506との間にバッファ層として正孔輸送層や正孔注入
層を設けることは有効である。正孔注入層としては銅フ
タロシアニン、ポリチオフェン、PEDOT等を用いる
ことができる。
を形成する。なお、本実施例では下側の電極が遮光性の
陰極となっているため、発光層505で発生した光は紙
面において上面側(基板501とは反対側)に放射され
る。しかしながら、EL素子の構造を反対にし、下側の
電極を透明導電膜からなる陽極とすることもできる。そ
の場合、発光層505で発生した光は紙面において下面
側(基板501側)に放射されることになる。
式で基板501上に設けられている。ICチップ507
は陰極502及び陽極506に電気信号を伝えるための
駆動回路として設けられ、図示されないFPC(フレキ
シブルプリントサーキット)によって外部機器からの信
号を処理する。
う。本実施例では、第1のシール材508として紫外線
硬化樹脂を用い、カバー材509としてガラス基板を貼
り付け、真空注入法により充填材510を充填する。充
填材510の中には吸湿性物質511として酸化バリウ
ムを添加する。なお、本実施例では充填材510として
エポキシ樹脂を用いる。また、発光層505から発した
光が下面側に放射される場合はカバー材509が透明で
ある必要はない。
第1のシール材508に設けられた開口部(図示せず)
を塞ぎ、第2のシール材512により第1のシール材5
08の露呈部及びICチップ507を覆う。このとき、
図示されないがFPCの一部を覆うように設けられてい
ても良い。
材510に封入することにより、EL素子を外部から完
全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機
材料の酸化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高いEL表示装置を作製すること
ができる。
示装置用の製造ラインを転用させることができるため、
設備投資の費用が大幅に削減可能であり、歩留まりの高
いプロセスで1枚の基板から複数の発光装置を生産する
ことができるため、大幅に製造コストを低減しうる。
明した方法とは異なる方法で充填材を形成する場合の例
について説明する。説明には図6を用いる。
2は画素部、603は第1のシール材である。なお、図
示していないがスペーサを撒布しても良い。第1のシー
ル材603としては、実施形態で説明した第1のシール
材13と同様のものを用いることができる。但し、本実
施例では図1と異なり第1のシール材603に開口部を
設けない。即ち、この時点で完全に閉空間を作るように
(完全に囲まれた領域を作るように)第1のシール材6
03を形成する。
領域内において画素部602の上に充填材604を滴下
する。勿論、充填材604に予め吸湿性物質(図示せ
ず)を添加しておいても良い。吸湿性物質としては実施
形態で説明したものと同様のものを用いることができ
る。この滴下工程は第1のシール材603の形成に用い
るディスペンサー等の塗布成膜装置を用いれば良い。
素またはアルゴン等の不活性雰囲気にされたグローブボ
ックス中で行うことが好ましい。このとき不活性雰囲気
中の酸素濃度は極力低くし、好ましくは1ppm以下
(さらに好ましくは0.1ppm)以下とすると良い。
605を第1のシール材603により接着する。その
際、図6(A)のように滴下された充填材604はカバ
ー材605によって押しつぶされ、基板601、第1の
シール材603及びカバー材605で囲まれた閉空間の
中に充填される。なお、このようにして形成される閉空
間の容積を予め計算して、充填材604の最適な滴下量
を計算しておく必要がある。
注入法により注入する場合には充填材の粘度が低くない
とスループットの低下を招く恐れがある。しかしなが
ら、本実施例の場合は滴下しておいて押しつぶすように
充填するため、粘度の高い材料を用いても殆ど問題とな
らないという利点がある。
わせたら、この後は、実施形態と同様に基板601及び
カバー材605をスクライバー、ダイサーまたはレーザ
ーにより分断し、FPC及び/またはICチップを取り
付けてアクティブマトリクス型EL表示装置またはパッ
シブマトリクス型EL表示装置が完成する。
ィブマトリクス型EL表示装置または実施例2に示した
パッシブマトリクス型EL表示装置のどちらとも組み合
わせて実施することが可能である。また、特に特殊な装
置を加えることなく液晶表示装置用の製造ラインを転用
することができるため、製造コストを大幅に低減するこ
とが可能である。
明した方法とは異なる方法で充填材を形成する場合の例
について説明する。説明には図7を用いる。
2は画素部、703は第1のシール材である。なお、図
示していないがスペーサを撒布しても良い。第1のシー
ル材703としては、実施形態で説明した第1のシール
材13と同様のものを用いることができる。但し、本実
施例では図1と異なり第1のシール材703に二つの開
口部704と705が設けられている。
6を貼り合わせ、707aで示される矢印の方向と70
7bで示される矢印の方向にスクライブ溝を形成して基
板701及びカバー材706を分断する。
せれば毛細管現象によってセル708の内部に充填材
(図示せず)が注入される。このように本実施例では充
填材の注入方法として、毛細管現象を利用する点に特徴
がある。
ン等の不活性雰囲気にしたグローブボックス内で行うこ
とが好ましい。このとき不活性雰囲気中の酸素濃度は極
力低くし、好ましくは1ppm以下(さらに好ましくは
0.1ppm)以下とすると良い。
同様の工程を行うことでアクティブマトリクス型もしく
はパッシブ型の発光装置または光源として用いる発光装
置を作製することができる。
全域に設けた発光装置に対して実施することも可能であ
る。そのような発光装置(EL発光装置)は面状発光の
光源として用いることが可能であり、液晶表示装置(液
晶ディスプレイ)のバックライトとしての用途がある。
EL素子の封入は非常に重要であり、その封入技術とし
て本発明を用いることが望ましい。
用いた発光装置を例にして説明してきたが、本発明はE
C(エレクトロクロミクス)表示装置、フィールドエミ
ッションディスプレイ(FED)または半導体を用いた
発光ダイオードを有する発光装置に用いることも可能で
ある。
がEL素子と同様に酸素または水分に弱いため、外気か
ら遮断して気密性を保つことが好ましい。その際、本発
明を実施することで大幅に歩留まりを高め、さらに製造
コストを低減することが可能となる。
おいて、発光素子を形成した後は発光素子を酸素もしく
は水分に晒さないようにすることが重要となるため、本
発明の封入工程はすべて不活性雰囲気または真空で行わ
れる。
的にはヘリウム、アルゴンまたはネオン)で充填された
空間であり、グローブボックスと呼ばれる場合もある。
本発明では、図1〜図3で説明した一連の工程をすべて
不活性雰囲気または真空で行うため、製造ライン全体を
不活性雰囲気とすることが望ましい。
〜図3の一連の封入工程を行う装置が設置された場所を
壁またはフィルム等で囲んで密閉空間とし、窒素または
希ガスで充填した雰囲気とする。この場合、窒素または
希ガスで陽圧状態としておけば酸素や水分が入り込むこ
とはない。
装置が設置されたクリーンルームを全体的に酸素濃度が
1ppm以下の不活性雰囲気とすることもできる。その
場合、装置の操作はオートメーション化しておくことが
必要である。
ては、下地膜31に窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜
を設け、スイッチング用TFT201および電流制御用
TFT202を窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含
むパッシベーション膜(図示せず)で覆った構成とする
ことが好ましい。
TFT201および電流制御用TFT202が窒化珪素
膜もしくは窒化酸化珪素膜で挟まれた構造となり、外部
からの水分や可動イオンの侵入を効果的に防ぐことがで
きる。
設けた有機樹脂からなる平坦化膜32と画素電極302
の間に窒化珪素膜もしくはDLC(ダイヤモンドライク
カーボン)膜を設け、さらに陰極308の上に前述の窒
化珪素膜もしくはDLC膜を設けることは好ましい。
珪素膜もしくはDLC膜で挟まれた構造となり、外部か
らの水分や可動イオンの侵入を防ぐだけでなく、酸素の
侵入をも効果的に防ぐことができる。EL素子中の発光
層などの有機材料は酸素によって容易に酸化して劣化す
るため、本実施例のような構造とすることで大幅に信頼
性を向上することができる。
策とEL素子を保護するための対策を併用して施すこと
で電子装置全体の信頼性を高めることができる。
例7のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能
である。
光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明
るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従っ
て、様々な電気器具の表示部として用いることができ
る。例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角2
0〜60インチのディスプレイとして本発明の発光装置
を筐体に組み込んだディスプレイを用いるとよい。
プレイには、パソコン用ディスプレイ、TV放送受信用
ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報
表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々
な電気器具の表示部として本発明の発光装置を用いるこ
とができる。
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコン
ポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた
画像再生装置(具体的にはデジタルバーサタイルディス
ク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示し
うるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特
に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角
の広さが重要視されるため、EL表示装置を用いること
が望ましい。それら電気器具の具体例を図8、図9に示
す。
ディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、
表示部2003等を含む。本発明は表示部2003に用
いることができる。このようなディスプレイは発光型で
あるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよ
りも薄い表示部とすることができる。
101、表示部2102、音声入力部2103、操作ス
イッチ2104、バッテリー2105、受像部2106
等を含む。本発明の発光装置は表示部2102に用いる
ことができる。
プレイの一部(右片側)であり、本体2201、信号ケ
ーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部22
04、光学系2205、発光装置2206等を含む。本
発明は発光装置2206に用いることができる。
置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体230
1、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ23
03、表示部(a)2304、表示部(b)2305等
を含む。表示部(a)は主として画像情報を表示し、表
示部(b)は主として文字情報を表示するが、本発明の
発光装置はこれら表示部(a)、(b)に用いることが
できる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭
用ゲーム機器なども含まれる。
ータであり、本体2401、カメラ部2402、受像部
2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を
含む。本発明の発光装置は表示部2405に用いること
ができる。
り、本体2501、筐体2502、表示部2503、キ
ーボード2504等を含む。本発明の発光装置は表示部
2503に用いることができる。
ば、出力した画像情報を含む光をレンズや光ファイバー
等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェ
クターに用いることも可能となる。
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
2601、音声出力部2602、音声入力部2603、
表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ26
06を含む。本発明の発光装置は表示部2604に用い
ることができる。なお、表示部2604は黒色の背景に
白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑え
ることができる。
にはカーオーディオであり、本体2701、表示部27
02、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明
の発光装置は表示部2702に用いることができる。ま
た、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や
家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2
704は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費
電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置におい
て特に有効である。
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例1〜8に示した
いずれの構成の発光装置を用いても良い。
とする電気器具を屋外で使う場合、当然暗い所で見る場
合も明るい所で見る場合もある。このとき、暗い所では
さほど輝度が高くなくても十分に認識できるが、明るい
所では輝度が高くないと認識できない場合がありうる。
電流量または電圧に比例して変化するため、輝度を高く
する場合は消費電力も増してしまう。しかし、発光輝度
をそのような高いレベルに合わせてしまうと、暗い所で
は消費電力ばかり大きくで必要以上に明るい表示となっ
てしまうことになる。
置に外部の明るさをセンサーで感知して、明るさの程度
に応じて発光輝度を調節する機能を持たせることは有効
である。即ち、明るい所では発光輝度を高くし、暗い所
では発光輝度を低くする。その結果、消費電力の増加を
防ぐとともに観測者に疲労感を与えない発光装置を実現
することができる。
しては、CMOSセンサーやCCD(チャージカップル
ドデバイス)を用いることができる。CMOSセンサー
は公知の技術を用いて発光素子の形成された基板上に一
体形成することもできるし、半導体チップを外付けして
も良い。また、CCDを形成した半導体チップを発光素
子の形成された基板に取り付けても良いし、発光装置を
表示部として用いた電気器具の一部にCCDやCMOS
センサーを設ける構造としても構わない。
によって得られた信号に応じて、発光素子を動作させる
電流量または電圧を変えるための制御回路を設け、それ
により外部の明るさに応じて発光素子の発光輝度を調節
しうる。なお、このような調節は自動で行われるように
しても良いし、手動で行えるようにしても良い。
たどの電気器具においても実施することが可能である。
型基板から複数の発光装置を作製する多面取りプロセス
において、スループット及び歩留まりの向上を達成する
ことが可能である。
ンを転用することが可能であるため、設備投資の費用も
削減でき、大幅に製造コストの低減を図ることができ
る。また、製造コストを低減することにより発光装置の
コストも低減し、さらにはそのような発光装置を用いた
電気器具のコストをも低減することができる。
図。
Claims (16)
- 【請求項1】絶縁体の上にEL素子、前記EL素子を囲
むシール材および前記シール材により接着されたカバー
材を有し、前記絶縁体、前記カバー材および前記シール
材で囲まれた部分に充填材を有することを特徴とする発
光装置。 - 【請求項2】絶縁体の上にEL素子、前記EL素子を囲
むシール材および前記シール材により接着されたカバー
材を有し、前記絶縁体、前記カバー材および前記シール
材で囲まれた部分に樹脂が充填されていることを特徴と
する発光装置。 - 【請求項3】請求項1または請求項2において、前記絶
縁体、前記カバー材および前記シール材で囲まれた部分
には、スペーサが設けられていることを特徴とする発光
装置。 - 【請求項4】絶縁体の上にEL素子、接続端子、前記E
L素子を囲む第1のシール材および前記第1のシール材
により接着されたカバー材を有し、前記絶縁体、前記カ
バー材および前記第1のシール材で囲まれた部分に充填
材を有し、前記第1のシール材の露呈部および前記接続
端子の一部に接して設けられた第2のシール材を有する
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項5】請求項4において、前記絶縁体、前記カバ
ー材および前記シール材で囲まれた部分には、スペーサ
が設けられていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項6】請求項1または請求項3乃至請求項5のい
ずれか一において、前記充填材は樹脂からなることを特
徴とする発光装置。 - 【請求項7】請求項1または請求項3乃至請求項5のい
ずれか一において、前記充填材は吸湿性物質を含有する
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項8】請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載
の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする電気器
具。 - 【請求項9】請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載
の発光装置を光源に用いたことを特徴とする電気器具。 - 【請求項10】絶縁体の上の複数箇所に少なくとも発光
素子を囲むように第1のシール材を形成する工程と、 前記第1のシール材によりカバー材を接着する工程と、 前記カバー材を接着する工程の後、前記絶縁体の一部お
よび前記カバー材の一部を分断する工程と、 前記絶縁体、前記カバー材および前記第1のシール材で
囲まれた部分に充填材を注入する工程と、 前記充填材を注入する工程の後、前記絶縁体の一部およ
び前記カバー材の一部を分断する工程と、 を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項11】絶縁体の上の複数箇所に少なくとも発光
素子を囲むように第1のシール材を形成する工程と、 前記第1のシール材によりカバー材を接着する工程と、 前記カバー材を接着する工程の後、前記絶縁体の一部お
よび前記カバー材の一部を分断する工程と、 前記絶縁体、前記カバー材および前記第1のシール材で
囲まれた部分に充填材を注入する工程と、 前記充填材を注入する工程の後、前記絶縁体の一部およ
び前記カバー材の一部を分断する工程と、 前記絶縁体の上に接続端子を取り付ける工程と、 前記第1のシール材の露呈部および前記接続端子の一部
に接して第2のシール材を形成する工程と、 を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項12】絶縁体の上の複数箇所に少なくとも発光
素子を囲むように第1のシール材を形成する工程と、 前記発光素子の上に充填材を滴下する工程と、 前記充填材を滴下する工程の後、前記第1のシール材に
よりカバー材を接着する工程と、 前記カバー材を接着する工程の後、前記絶縁体の一部お
よび前記カバー材の一部を分断する工程と、 を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項13】基板の表面の複数箇所に少なくとも発光
素子を囲むように第1のシール材を形成する工程と、 前記発光素子の上に充填材を滴下する工程と、 前記充填材を滴下する工程の後、前記第1のシール材に
よりカバー材を接着する工程と、 前記カバー材を接着する工程の後、前記絶縁体の一部お
よび前記カバー材の一部を分断する工程と、 前記絶縁体の上に接続端子を取り付ける工程と、 前記第1のシール材の露呈部および前記接続端子の一部
に接して第2のシール材を形成する工程と、 を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項14】請求項10乃至請求項13のいずれか一
において、前記第1のシール材を形成する前または後に
前記絶縁体の上にスペーサを撒布する工程を含むことを
特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項15】請求項10乃至請求項14のいずれか一
において、前記充填材として樹脂を用いることを特徴と
する発光装置の作製方法。 - 【請求項16】請求項10乃至請求項15のいずれか一
において、前記充填材に吸湿性物質を添加することを特
徴とする発光装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000338454A JP4776769B2 (ja) | 1999-11-09 | 2000-11-07 | 発光装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-318252 | 1999-11-09 | ||
JP1999318252 | 1999-11-09 | ||
JP31825299 | 1999-11-09 | ||
JP2000338454A JP4776769B2 (ja) | 1999-11-09 | 2000-11-07 | 発光装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001203076A true JP2001203076A (ja) | 2001-07-27 |
JP2001203076A5 JP2001203076A5 (ja) | 2007-12-20 |
JP4776769B2 JP4776769B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=37018838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000338454A Expired - Fee Related JP4776769B2 (ja) | 1999-11-09 | 2000-11-07 | 発光装置の作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7112115B1 (ja) |
JP (1) | JP4776769B2 (ja) |
KR (2) | KR100720066B1 (ja) |
Cited By (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332062A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 |
EP1437777A2 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof |
WO2004071134A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JPWO2003061346A1 (ja) * | 2002-01-15 | 2005-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電子素子部のバリア性薄膜封止構造、表示装置、電子機器、及び電子素子部の製造方法 |
JP2005209633A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
JP2005332615A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法、電子機器 |
JP2006048946A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機機能素子、有機el素子、有機半導体素子、有機tft素子およびそれらの製造方法 |
US7097527B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-08-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing electroluminescence panel |
JP2006244943A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Aitesu:Kk | 有機el素子およびその製造方法 |
US7144819B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US7190115B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having sealing film |
US7229900B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
JP2007200887A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
US7271411B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US7314785B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR100799900B1 (ko) | 2005-12-28 | 2008-01-31 | 티디케이가부시기가이샤 | El 패널 및 이의 제조방법 |
CN100392876C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法 |
WO2008102695A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Ulvac, Inc. | 樹脂膜形成装置、樹脂膜形成方法、表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 |
US7420326B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-09-02 | Rhom Co., Ltd. | Organic electroluminescent display element and manufacturing method thereof |
WO2008105336A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Hitachi Displays, Ltd. | 有機el表示装置 |
JP2008262796A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US7486368B2 (en) | 2003-06-27 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing thereof |
US7619258B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2010007656A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
US7764012B2 (en) | 2004-04-16 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus |
US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
KR100982099B1 (ko) * | 2001-10-03 | 2010-09-13 | 소니 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US7825594B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-11-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
JP2010251132A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその封止方法 |
WO2011040441A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 大日本印刷株式会社 | 熱伝導性封止部材およびエレクトロルミネッセンス素子 |
US7928654B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7944143B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-05-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame |
JP2011124219A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
US8063561B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US8120249B2 (en) | 2006-01-23 | 2012-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US8125146B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion |
JP2012069534A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2012109257A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
JP2012134173A (ja) * | 2012-03-09 | 2012-07-12 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2012142270A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、照明装置 |
US8299705B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8415880B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
JP2014063723A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
WO2014091767A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | パナソニック株式会社 | 有機el発光装置及び照明装置 |
US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US8790938B2 (en) | 2001-10-30 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2015079519A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社 東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
JP2016146490A (ja) * | 2007-05-18 | 2016-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018205344A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | シチズンファインデバイス株式会社 | 画像表示装置 |
JPWO2022153137A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | ||
JP2023157960A (ja) * | 2012-07-12 | 2023-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6879110B2 (en) | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
JP2003197103A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | 平面型表示装置の製造方法 |
JP2003228302A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP4240276B2 (ja) | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7652359B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Article having display device |
EP1437683B1 (en) * | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
JP2004247373A (ja) | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005044613A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
KR100563057B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US7183147B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
JP4605499B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2011-01-05 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイの封止構造 |
US7736964B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP2006164708A (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器および発光装置 |
KR100719554B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP2007066775A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
KR100636502B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 원장단위 검사가 가능한 유기 전계발광표시장치 및 그검사방법 |
TWI517378B (zh) | 2005-10-17 | 2016-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US20070123133A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Eastman Kodak Company | OLED devices with color filter array units |
JP4456092B2 (ja) | 2006-01-24 | 2010-04-28 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP4624309B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-02-02 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
KR100685853B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR100732808B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 제조방법 |
KR100671639B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR100732817B1 (ko) | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US7994021B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US7943287B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
WO2008023630A1 (en) | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US8563431B2 (en) * | 2006-08-25 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7795154B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device that uses laser ablation, to selectively remove one or more material layers |
US7651896B2 (en) | 2006-08-30 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5110830B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100872709B1 (ko) * | 2007-02-26 | 2008-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
FR2913814B1 (fr) * | 2007-03-13 | 2009-07-31 | Saint Gobain | Lampe plane feuilletee et son procede de fabrication |
US7960261B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor |
US9177843B2 (en) * | 2007-06-06 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Preventing contamination in integrated circuit manufacturing lines |
US8258696B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-09-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
KR100879864B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US8330339B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
KR100884477B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2009-02-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20090015734A (ko) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 장치 |
KR101368724B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2014-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
TWI607670B (zh) | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
KR101074812B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
CN101867024B (zh) * | 2010-06-01 | 2011-10-05 | 友达光电股份有限公司 | 封装方法 |
TWI463450B (zh) * | 2010-07-28 | 2014-12-01 | E Ink Holdings Inc | 顯示器及其製造方法 |
KR101810589B1 (ko) | 2010-09-15 | 2017-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 조명 장치 |
KR102105287B1 (ko) | 2012-08-01 | 2020-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6054763B2 (ja) | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20140102996A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6104649B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US20140346476A1 (en) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled display panel and the packaging method thereof, display device |
KR20150011235A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102199216B1 (ko) * | 2014-06-09 | 2021-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
JP6453579B2 (ja) | 2014-08-08 | 2019-01-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20160110597A (ko) | 2015-03-09 | 2016-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
US11411198B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-08-09 | Innolux Corporation | Electronic device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299890A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | 沖電気工業株式会社 | Elデイスプレイ装置 |
JPH0538677A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-19 | Nisshin Steel Co Ltd | ブラシロールのドレツシング装置 |
JPH07254486A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Seikosha Co Ltd | El素子 |
JPH07320866A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-12-08 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法 |
JPH1144869A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶パネルおよびその作製方法 |
JPH1165471A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
JPH11162635A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nippon Seiki Co Ltd | 薄膜電界発光素子 |
JPH11307257A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 薄膜elパネルおよびその製造方法およびカラーelパネル装置 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4599538A (en) | 1982-09-30 | 1986-07-08 | Gte Prod Corp | Electroluminescent display device |
JPS62251723A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Epson Corp | ドライバ−内蔵液晶パネル |
JP2742057B2 (ja) | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜elパネル |
US5189405A (en) | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
JPH0329291A (ja) | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 有機分散型elランプ用捕水フィルム |
US5169693A (en) * | 1990-03-29 | 1992-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display element |
US6980275B1 (en) * | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
EP0781075B1 (en) | 1994-09-08 | 2001-12-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for sealing organic el element and organic el element |
JP3795556B2 (ja) | 1995-07-21 | 2006-07-12 | 出光興産株式会社 | 有機el素子の封止方法および有機el素子 |
JP3127195B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよびその製造方法 |
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5909081A (en) | 1995-02-06 | 1999-06-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multi-color light emission apparatus with organic electroluminescent device |
JPH08248427A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
TW384412B (en) | 1995-11-17 | 2000-03-11 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
TW309633B (ja) | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US6195142B1 (en) | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
JP3698809B2 (ja) * | 1996-03-23 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶装置作製方法 |
DE69707233T2 (de) | 1996-05-28 | 2002-07-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Organische elektrolumineszente vorrichtung |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JPH10162952A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 薄膜elパネル及びその製造方法 |
JP3297619B2 (ja) | 1996-12-18 | 2002-07-02 | ティーディーケイ株式会社 | 有機elカラーディスプレイ |
US6046543A (en) | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
TW441136B (en) | 1997-01-28 | 2001-06-16 | Casio Computer Co Ltd | An electroluminescent display device and a driving method thereof |
US5990615A (en) | 1997-02-03 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Organic electroluminescent display with protective layer on cathode and an inert medium |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
US6198220B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
JPH1154285A (ja) | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6388652B1 (en) | 1997-08-20 | 2002-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device |
KR100249784B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
JP4059968B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2008-03-12 | Tdk株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JPH11202349A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US6172459B1 (en) | 1998-07-28 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6617644B1 (en) * | 1998-11-09 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2000252473A (ja) | 1998-12-18 | 2000-09-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、半導体装置およびその作製方法 |
US6545359B1 (en) * | 1998-12-18 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
KR20020011392A (ko) | 1999-04-28 | 2002-02-08 | 메리 이. 보울러 | 산소 및 수분 열화에 대한 내성이 개선된 가요성 유기전자 장치 |
TWI232595B (en) | 1999-06-04 | 2005-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electroluminescence display device and electronic device |
US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
JP3942770B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
US6833668B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP3409762B2 (ja) | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW452952B (en) * | 2000-03-30 | 2001-09-01 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging method of electro-luminescent device |
JP3620706B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2005-02-16 | 日本精機株式会社 | 有機elパネルの製造方法 |
JP3501218B2 (ja) | 2000-08-11 | 2004-03-02 | 日本電気株式会社 | フラットパネル表示モジュール及びその製造方法 |
US6605826B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6345903B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-02-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same |
US6924594B2 (en) | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6737753B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
US6819044B2 (en) | 2002-04-10 | 2004-11-16 | Tdk Corporation | Thin-film EL device and composite substrate |
US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
KR100477745B1 (ko) * | 2002-05-23 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자의 봉지방법 및 이를 이용하는 유기전계발광 패널 |
KR100473591B1 (ko) | 2002-07-18 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US6710542B2 (en) | 2002-08-03 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device with improved moisture seal |
TWI304706B (ja) | 2002-08-30 | 2008-12-21 | Au Optronics Corp | |
TW556447B (en) * | 2002-09-05 | 2003-10-01 | Au Optronics Corp | An organic light emitting diode |
TWI228941B (en) | 2002-12-27 | 2005-03-01 | Au Optronics Corp | Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof |
-
2000
- 2000-11-07 KR KR1020000065727A patent/KR100720066B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-07 US US09/707,862 patent/US7112115B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-07 JP JP2000338454A patent/JP4776769B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-25 US US11/526,345 patent/US7977876B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-02 KR KR1020070000183A patent/KR100758000B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62299890A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | 沖電気工業株式会社 | Elデイスプレイ装置 |
JPH0538677A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-19 | Nisshin Steel Co Ltd | ブラシロールのドレツシング装置 |
JPH07254486A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Seikosha Co Ltd | El素子 |
JPH07320866A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-12-08 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法 |
JPH1144869A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶パネルおよびその作製方法 |
JPH1165471A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
JPH11162635A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nippon Seiki Co Ltd | 薄膜電界発光素子 |
JPH11307257A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 薄膜elパネルおよびその製造方法およびカラーelパネル装置 |
Cited By (120)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7097527B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-08-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing electroluminescence panel |
KR100982099B1 (ko) * | 2001-10-03 | 2010-09-13 | 소니 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US9099678B2 (en) | 2001-10-30 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9818978B2 (en) | 2001-10-30 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8790938B2 (en) | 2001-10-30 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9406903B2 (en) | 2001-10-30 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7928656B2 (en) | 2002-01-15 | 2011-04-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
US7524228B2 (en) | 2002-01-15 | 2009-04-28 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
JP2008165251A (ja) * | 2002-01-15 | 2008-07-17 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
JPWO2003061346A1 (ja) * | 2002-01-15 | 2005-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電子素子部のバリア性薄膜封止構造、表示装置、電子機器、及び電子素子部の製造方法 |
JP2003332062A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 |
US10527903B2 (en) | 2002-05-17 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9366930B2 (en) | 2002-05-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with capacitor elements |
US8120031B2 (en) | 2002-05-17 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an opening formed in a gate insulating film, a passivation film, and a barrier film |
US10133139B2 (en) | 2002-05-17 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11422423B2 (en) | 2002-05-17 | 2022-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
US7420326B2 (en) | 2002-08-08 | 2008-09-02 | Rhom Co., Ltd. | Organic electroluminescent display element and manufacturing method thereof |
US8044411B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8482011B2 (en) | 2002-12-13 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
EP1437777A3 (en) * | 2002-12-13 | 2010-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof |
US8237176B2 (en) | 2002-12-13 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7169636B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof |
EP1437777A2 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof |
US7569859B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device and manufacturing device thereof |
US7190115B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having sealing film |
US8179040B2 (en) | 2002-12-19 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
JP2016001327A (ja) * | 2002-12-19 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2004071134A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JP2004265615A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
CN1748445B (zh) * | 2003-02-04 | 2011-04-13 | 三洋电机株式会社 | 有机场致发光装置及其制造方法 |
US7271411B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US8382545B2 (en) | 2003-06-27 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
US8901806B2 (en) | 2003-06-27 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing thereof |
US9780329B2 (en) | 2003-06-27 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including sealing material |
US9257670B2 (en) | 2003-06-27 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9508953B2 (en) | 2003-06-27 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7486368B2 (en) | 2003-06-27 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing thereof |
US10270056B2 (en) | 2003-06-27 | 2019-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing thereof |
US7960733B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US7446336B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US7465593B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US10367124B2 (en) | 2003-08-29 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10903402B2 (en) | 2003-08-29 | 2021-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US8455873B2 (en) | 2003-08-29 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US7928654B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN100392876C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法 |
US8723417B2 (en) | 2003-08-29 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7579270B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US7144819B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US7718463B2 (en) | 2003-10-24 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7314785B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8164099B2 (en) | 2003-10-24 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7595256B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
US8673739B2 (en) | 2003-10-28 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US8067294B2 (en) | 2003-10-28 | 2011-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including protective film |
US7229900B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
US10312468B2 (en) | 2003-12-26 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
US9030097B2 (en) | 2003-12-26 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
JP2005209633A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
US9859523B2 (en) | 2003-12-26 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
US8432097B2 (en) | 2003-12-26 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
US9502680B2 (en) | 2003-12-26 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
US7619258B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7764012B2 (en) | 2004-04-16 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus |
JP2005332615A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法、電子機器 |
JP2006048946A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機機能素子、有機el素子、有機半導体素子、有機tft素子およびそれらの製造方法 |
US9520410B2 (en) | 2004-07-30 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7750553B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic EL element provided with an electrode in a liquid state and method for producing the same |
US8829527B2 (en) | 2004-07-30 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11310457B2 (en) | 2004-07-30 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
US8823009B2 (en) | 2004-07-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US10096795B2 (en) | 2004-09-17 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the display device |
US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2006244943A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Aitesu:Kk | 有機el素子およびその製造方法 |
KR100799900B1 (ko) | 2005-12-28 | 2008-01-31 | 티디케이가부시기가이샤 | El 패널 및 이의 제조방법 |
US7602120B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-10-13 | Tdk Corporation | Electroluminescence panel and method of making the same |
US9004972B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
CN108249764A (zh) * | 2006-01-20 | 2018-07-06 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
US8415880B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
US8120249B2 (en) | 2006-01-23 | 2012-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US7825594B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-11-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
US7944143B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-05-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame |
JP2007200887A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US8299705B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
US8063561B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US8125146B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion |
WO2008102695A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Ulvac, Inc. | 樹脂膜形成装置、樹脂膜形成方法、表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2008105336A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Hitachi Displays, Ltd. | 有機el表示装置 |
US8884846B2 (en) | 2007-02-28 | 2014-11-11 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
JP2008262796A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
KR101421451B1 (ko) * | 2007-04-12 | 2014-07-22 | 소니 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9984946B2 (en) | 2007-05-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016146490A (ja) * | 2007-05-18 | 2016-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2010007656A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2010251132A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその封止方法 |
JP5673546B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2015-02-18 | 大日本印刷株式会社 | 熱伝導性封止部材およびエレクトロルミネッセンス素子 |
US9647242B2 (en) | 2009-09-30 | 2017-05-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Heat-conductive sealing member and electroluminescent element |
WO2011040441A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 大日本印刷株式会社 | 熱伝導性封止部材およびエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2011124219A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
JP2012142270A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、照明装置 |
US9502690B2 (en) | 2010-12-16 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting device and lighting device with organic resin and glass substrate |
US9882165B2 (en) | 2010-12-16 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
KR101802409B1 (ko) | 2010-12-16 | 2017-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 조명장치 |
JP2012109257A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2012069534A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2012134173A (ja) * | 2012-03-09 | 2012-07-12 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2023157960A (ja) * | 2012-07-12 | 2023-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2014063723A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
US10170726B2 (en) | 2012-08-28 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
WO2014091767A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | パナソニック株式会社 | 有機el発光装置及び照明装置 |
JPWO2015079519A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
WO2015079519A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社 東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
JP2018205344A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | シチズンファインデバイス株式会社 | 画像表示装置 |
JPWO2022153137A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | ||
WO2022153137A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100720066B1 (ko) | 2007-05-18 |
US20070018566A1 (en) | 2007-01-25 |
JP4776769B2 (ja) | 2011-09-21 |
KR20010051478A (ko) | 2001-06-25 |
US7112115B1 (en) | 2006-09-26 |
US7977876B2 (en) | 2011-07-12 |
KR100758000B1 (ko) | 2007-09-11 |
KR20070012564A (ko) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4776769B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP6352328B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100746656B1 (ko) | 표시장치 | |
US7554263B2 (en) | Light emitting device having transparent film varying refractive index and manufacturing method thereof | |
JP4240276B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20010070173A (ko) | 전자장치 | |
JP2001093661A (ja) | El表示装置及び電子装置 | |
JP2002110343A (ja) | 表示装置 | |
JP2006261123A (ja) | カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末 | |
JP5520921B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP5052577B2 (ja) | El表示装置 | |
JP5728531B2 (ja) | El表示装置 | |
JP5393708B2 (ja) | 電子装置 | |
JP5520995B2 (ja) | El表示装置 | |
JP5917593B2 (ja) | 携帯情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4776769 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |