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JPH11202349A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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Publication number
JPH11202349A
JPH11202349A JP10018095A JP1809598A JPH11202349A JP H11202349 A JPH11202349 A JP H11202349A JP 10018095 A JP10018095 A JP 10018095A JP 1809598 A JP1809598 A JP 1809598A JP H11202349 A JPH11202349 A JP H11202349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrates
display device
tape
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10018095A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Hirakata
吉晴 平形
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP10018095A priority Critical patent/JPH11202349A/ja
Priority to US09/227,192 priority patent/US6219127B1/en
Publication of JPH11202349A publication Critical patent/JPH11202349A/ja
Priority to US09/819,991 priority patent/US6864943B2/en
Priority to US11/045,128 priority patent/US7283185B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341Filling or closing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 対向する一対の基板側面に液晶を封止するた
めの部材を形成することにより、有効表示領域以外のス
ペースを小さくして基板サイズを縮小する。 【解決手段】 接着材層302により、一対の基板10
1、201は所定の隙間を持って貼り合わされ、その隙
間に注入された液晶310が封止される。接着材層30
2を基板101と201の側面に密接して形成すること
により、従来シール材が形成されていたスペースを不要
にし、基板サイズを小さくする。さらに接着材層302
に密接してテープ301を基板側面に固定することで、
基板外周部を衝撃、汚染、静電破壊から保護して、ハン
ドリングを簡単化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータや携
帯型端末等の情報機器や、大画面テレビ等のAV機器に
利用される液晶表示装置や有機EL表示装置等のフラッ
トパネル型の表示装置に関するのものである。
【0002】
【従来の技術】図7に従来の液晶表示装置の簡単な構成
を示す。図7(a)は正面図であり、図7(b)は図7
(a)の線A−A’に沿った断面図である。
【0003】液晶装置は画素マトリクス回路及びドライ
バ回路を有するTFT基板1と、カラーフィルタが形成
される対向基板2との一対の基板を有する。基板1と2
は対向して貼り合わされ、その隙間にはシール材によっ
て液晶材料5が封止されている。なお3は外部接続端子
であり、TFT基板1に形成されたドライバ回路を外部
の電源回路等に接続するためのものである。
【0004】液晶5は基板1もしくは2の周辺部に形成
されたシール材4によって封止されている。シール材4
はディスペンサー方式やスクリーン印刷法等により、基
板1もしくは2の表面に形成される。シール材4の一部
には液晶注入口形成され、液晶5を注入後は接着材6に
よって封止されている。
【0005】シール材4は基板1又は2の表面に形成さ
れるため、基板の寸法はシール材4自体の幅やシール材
配設工程のマージン分だけ大きくなる。例えばディスペ
ンサーのノズル径は100〜300μm程度であり、こ
の幅でシール材が基板表面に線状に描画されるが、基板
を貼り合わせるとシール材4の幅は1mm程度になって
しまう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図7に示したように従
来例では、液晶材料を封止するためのシール材は基板の
表面に形成しているため、実効表示部よりも基板面積が
拡大してしまい、表示装置の小型化を妨げている。
【0007】現在ポリシリコンTFTの製造技術が確立
され、ドライバ回路と画素マトリクス回路を集積した液
晶表示装置の供給も著しい。が、ドライバ回路を形成し
た分だけ有効表示領域よりも基板面積が拡大する。装置
の小型化や多面取りの観点から、表示領域以外のスペー
スはできるだけ少ないことが望ましい。このためドライ
バ回路上にシール材を配設する方法が実施されている。
【0008】しかしながら、通常シール材にはセルギャ
ップ(基板間隔)を規制するためのガラス性のフィラー
が混入されているので、シール材をドライバ回路上に配
設すると、フィラーによってドライバ回路にダメージや
ストレスを与えてしまう。さらにドライバ回路は画素マ
トリクス回路に比べて凹凸が大きいので、フィラーによ
ってドライバ回路上でセルギャップを均一に保持するこ
とは非常に難しい。
【0009】更にアクティブ型の表示装置には、基板に
ガラス基板や石英等の絶縁性基板を用いるため発熱の問
題がある。シール材の熱伝導係数は比較的小さく放熱が
不十分であり、また熱伸縮による剥離という問題もあ
る。
【0010】本発明の目的は、上述したシール材による
問題点を解消して、フラットパネル型の表示装置の基板
サイズを縮小することにある。
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ための本発明の表示装置の構成は、所定の隙間を開けて
対向して貼り合わされた一対の基板を有し、前記一対の
基板の側面に密接して形成された接着材層と、前記接着
材層に密接して形成されたテープもしくは枠部材を有す
ることを特徴とする。
【0011】即ち、本発明はシール材を基板表面に形成
せずに、一対の基板を貼り合わせ、またその隙間を封止
する部材を基板側面に形成した表示装置にある。
【0012】
【発明の実施の形態】図1を用いて本実施形態を説明す
る。本実施形態は本発明を液晶表示装置に実施したもの
である。一対の基板101、201の側面に接着材層3
02によって所定の隙間を開けて貼り合わされ、かつそ
の隙間に注入された液晶310が封止されている。ここ
で図1(b)、(c)は図1(a)の部分a、bの断面
図を示す。
【0013】接着材層302を基板101と201の側
面に形成することによって、従来シール材が形成されて
いたスペースが不要となり、基板サイズを小さくするこ
とができる。
【0014】さらに、接着材層302に密接してテープ
301を基板側面に形成することにより、基板外周部を
衝撃から保護できるので、ハンドリングが簡単になる。
またテープ301により接着材層302を外部環境から
隔てているため、接着材層302の汚染や劣化防止効果
を得ることができ、表示装置の信頼性の向上につなが
る。
【0015】接着材層302によりテープ301を基板
101、201の側面接着固定するには、図1(d)に
示すように、まずテープ301に接着材300を線状に
配設する。そして図1(b)、(c)に示すように、一
対の基板101、201の側面にテープ301を巻き付
け接着材300を硬化させる。
【0016】
【実施例】 以下、図1〜図6を用いて、本発明の実施
例を詳細に説明する。
【0017】[実施例1] 本実施例は、本発明をドラ
イバ回路を集積化したアクティブ型液晶表示装置の例を
示す。図3(a)はTFT基板の正面図であり、図3
(b)は対向基板の正面図であり、図3(c)はTFT
基板及び対向基板の概略の断面図である。
【0018】TFT基板は、公知のポリシリコンTFT
の製造技術を用いて作製されている。図3(a)に示す
ように、基板101上に、画素ごとに形成された画素電
極と、画素電極に接続されたTFT(アクティブ素子)
とを有する画素マトリクス回路102と、画素マトリク
ス回路102のTFTを駆動するゲートドライバ回路1
03及びソースドライバ回路104と、外部接続端子1
05とを有する。外部接続端子105にはFPCが接続
される。基板101には可視光に対して透明なガラスや
石英基板等を用いればよい。また反射型液晶表示装置を
製造する場合であれば、TFT基板側の基板101は透
明な基板に限定されるものではなく、シリコン基板等と
することができる。
【0019】またTFT基板の構成は図3(a)に示す
ものに限定されるものではない。例えばドライバ回路を
画素マトリクス回路を挟んで2つ設けた冗長構造にした
り、またドライバ回路の他に、プリチャージ回路等の他
の回路を集積した構成が挙げられ、TFT基板の構成に
より本発明の構成が限定されるものではない。
【0020】TFT基板は1枚の基板に複数作製されて
おり、完成した後、所定の形状に分断される。図3
(a)に示すように、本実施例では分断された基板10
1の側面(端面)がテーパ状になるように成形する。な
お外部接続端子105が形成されている側の側面は平坦
としが、外部接続端子105が形成されている側の側面
もテーパ状に成形してもよい。
【0021】他方対向基板を作製するには、可視光に対
して透明なガラスや石英等の基板を用意する。カラー表
示用であれば、基板上の画素マトリクス回路102に対
向する領域202にカラーフィルタが形成される。そし
て基板201の領域202を少なくとも覆ってITO等
の透明導電膜でなる対向電極206が形成される。次
に、TFT基板と同様に所定の形状に分断する。また分
断された基板201の4つの側面(端面)をテーパ状に
成形する。
【0022】基板101や201の分断工程において、
ダイサーを用いると分断と側面(端面)加工を同一工程
で行うことができる。あるいはスクライブ後ブレークし
て分断を実施後、端面研磨を実施することもできる。な
お、図3(b)において203、204で示す領域はそ
れぞれ、ゲートドライバ回路103、ソースドライバ回
路104に対向する領域を示す
【0023】分断工程終了後、TFT基板、対向基板の
最表面に、液晶を配向するための図示しない配向膜を形
成し、ラビング処理を施す。
【0024】次にTFT基板又は対向基板にのいずれか
一方の基板上に、セルギャップを保持するための球状ス
ペーサを散布する。そして図3(c)に示すようにTF
T基板と対向基板を対向させて、スペーサによって規制
される隙間を保って、一対の基板101と201を貼り
合わせる。本実施例では基板を貼り合わせ、且つ液晶を
封止するための封止部材を基板101と201の側面に
形成する。この封止部材として接着材を配設したテープ
を用いる。以下図1を用いて液晶の封止部材の作製方法
を説明する。
【0025】図1(d)に示すように、長尺のテープ3
01にディスペンサーによって、UV硬化型樹脂でなる
接着材300を線状に配設する。そして図1(a)に示
すように、貼り合わされた基板101と201との隙間
を塞ぐように、接着材300を内側にしてテープ301
を基板101、201の側面に巻き付ける。この際に液
晶注入口を残すようにする。
【0026】なお、基板201はTFT基板と貼り合わ
された状態で、TFT基板の回路102〜104を覆
い、外部接続端子105を覆わないような形状となって
おり、TFT基板上の回路102〜104は基板201
で保護される。外部接続端子105が形成されている基
板101の表面は、基板201の側面よりも突出するた
め、FPCとの接続が容易にできるようになっている。
【0027】液晶表示装置の小型化のため、基板201
の側面が基板101の側面よりも突出しないようするこ
とが好ましい。さらに基板101が突出して画素マトリ
クス回路102やドライバ回路を露出させないようにす
る。ここでは基板101の側面とほぼ一致するようにす
る。
【0028】なお、図1(b)、(c)はそれぞれ図1
(a)の部分a、bの概略の断面構成を示す。即ち、部
分aは対向基板よりもTFT基板が突出している部分を
示し、部分bは基板101と対向基板201の側面がほ
ぼ一致してる部分を示す。
【0029】封止部材に使用されるテープ301とし
て、アルミニウムや銅テープ等の熱伝導性が高い金属材
料や、樹脂やアルミニウムでコーティングされた紙テー
プ等の耐湿性を有するものを使用できる。また、接着材
300にはUV硬化型樹脂の他、室温等の比較的低温で
硬化する熱硬化型樹脂材料を用いることができる。
【0030】線状に配設された接着材300は適度な粘
度を有し、図1(b)、(c)に示すように、テープ3
01が基板101、201の側面に巻き付けられると、
接着材300はテープ301のほぼ全面に押し広げら
れ、テープ301の接着を確実なものとする。そしてU
V光を照射して接着材300を硬化する。基板101と
201の隙間、及び2つの基板が対向している部分の側
面は、接着材層302を介してテープ301でなる封止
部材によって覆われ、基板101と201は所定の隙間
を隔てて貼り合わされる。
【0031】また、本実施例では封止効果を高め、かつ
基板縁の保護のために、テープ301は基板101、2
01の側面だけでなく、貼り合わされた状態で露出して
いる基板101、201の表面の周囲を枠状に覆うよう
にした。基板101が基板201よりも突出している部
分aでは、基板101の突出した表面と、基板201の
外表面を覆うように形成し、基板101と201が対向
している部分bでは、基板101及び201の外表面を
も覆うようにした。だだし基板101、201の外表面
を覆う部分が有効表示領域に掛からないようにすること
が重要である。また、ドライバ回路103、104を覆
うようにテープを固定することが好ましく、ドライバ回
路で光リーク電流が流れるのを防止することができる。
【0032】接着材層302を硬化させた後、液晶注入
口から液晶310を注入する。そして液晶注入口も図1
(d)に示す接着材300が配設されたテープ301で
塞ぐ。この際先に巻き付けたテープと、注入口を塞ぐテ
ープの終端が重なるようにする。以上の工程により、図
1(a)、(b)に示すように、液晶310が封止部材
によって基板101と201の隙間に封止された構成を
得る。なお図1(a)、(b)では、基板101や20
1上に形成されている回路や対向電極は省略した。
【0033】本実施例では、基板表面にシール材を配設
することが不要なため、基板サイズが縮小でき、また従
来のシール材にように、ドライバ回路にダメージやスト
レスを与えることがない。図3に示すように基板101
(201)の縁から回路102〜104(回路に対向す
る領域202〜205)までのマージンM1〜M4を小さく
することができる。
【0034】本実施例では図1(b)、(c)に示すよ
うに、基板101、102の側面をテーパ状に成形した
ため、貼り合わされた基板101と201の側面はくさ
び型の空間を成し、この空間に接着材300が溜まるの
で、接着材300が基板101と201の間に侵入しに
くくなる。また基板101、201と接着剤300の接
触面積が増えるため、接着強度を高めることができる。
【0035】接着材層302が基板101、201の間
に侵入しない用にすることで、上記マージンM1〜M4は分
断工程のマージンだけ考慮すればよい。マージンM1〜M4
の値は分断工程にスクライバダイサーを用いた場合には
0.5mm程度まで小さくすることができ、ダイサーを
用いた場合には0.5mm〜0.1mmの範囲まで小さ
くすることができる。
【0036】またマージンM1〜M4を小さくするには、接
着材300が基板101と201の間に侵入する部分が
少ないほどよく、接着材300の粘度があまり低いもの
は好ましくなく、適度な粘度を持たせることが重要であ
る。
【0037】接着材300の侵入を少なくする方法とし
て、図1(d)に示すように、ディスペンサーで接着材
300を配設しながらテープ301を巻き付ると同時
に、巻き付け部分にUV光を照射して接着材300を逐
次硬化させるという方法や、或いはテープ301に配設
した接着材300にUV光を照射して、若干硬化させる
という方法が挙げられる。
【0038】また上記の効果を得るには、基板101、
201の側面をテーパ状に成形する他、図2に示すよう
に階段状に成形しても良い。更に本実施例では、TFT
基板側の基板101もテーパ状に成形したが、対向側の
基板201の側面のみをテーパ状もしくは階段状に成形
しても、同様の効果を得ることができる。なお、接着材
300の粘度が高く基板間に侵入しないようであれば、
従来のように基板の側面は水平面のままでも許される。
【0039】従来シール材は基板表面に設けられている
ため、基板の外周部分はシール材からひさし状に突出し
た状態となり、基板外周部分は機械的な衝撃に非常に脆
い。そこで衝撃から基板を保護するため、最終製品形態
での外装とは別に、液晶が封止された一対の基板は外枠
(アルミニウムや、プラスチックで形成されている)に
はめ込まれてモジュール化されている。
【0040】これに対して本実施例では、基板101、
201の外周部(隙間、側面および外側表面を含む)は
封止部材で保護されている。従って、従来のモジュール
用の外枠が不要となり、表示装置を小型化・軽量化が図
れる。
【0041】本実施例の封止部材では、基板の隙間は接
着材層302で覆われているため、接着材層302によ
って液晶が実質的に封止され、かつ基板101と201
が貼り合わされていることとなる。しかし樹脂材料でな
る接着材層302のみでは衝撃や汚染に対する保護が十
分でない。そこで接着材層302を介してテープ301
を基板101、201の隙間及びその側面に接着固定す
ることで、基板外周部の強度が高められると共に、液晶
材料に不純物が侵入することが防止できる。従って基板
のハンドリングが容易になり手で扱うことも可能にな
る。
【0042】更にテープ301を接着固定することで、
TFT基板の静電破壊を防止効果を得ることができる。
一般に、TFT製造中の静電破壊防止のために内部ショ
ート用の配線を形成して、TFT基板の電位を揃えるよ
うにしている。そして製品状態での静電破壊を防止する
ために液晶注入工程後には、内部ショート用配線の端部
を斜方研磨して、また従来のシール材の外側に突出して
いる端部に接触しないようにしている。しかしながら、
配線の端部は完全に保護されてはいない。
【0043】これに対して、本実施例では基板101側
面をテープ301で覆うので、内部ショート用の配線に
接触することが防止され、静電破壊の観点からもハンド
リングが容易になり、作業効率が向上される。
【0044】また、テープ301も設けずに、接着材を
塗布し硬化して接着材層302だけを形成した場合で
は、接着材に気泡が混入していてもそのまま硬化されて
しまうので、接着材層302の信頼性が低下する。これ
に対してテープ301も基板の側面に固定するようにす
ることで、テープ301を基板側面に巻き付ける際に、
テープ301を介して硬化前の接着材300を押圧する
ことができるため、接着材300内の気泡を追い出すこ
とができる。
【0045】また、本実施例のようにドライバ一体型の
液晶表示装置ではドライバ回路での発熱の問題があり、
しかしながら液晶表示層TFTではガラスや石英などの
絶縁性基板が使用され、またシール材の熱伝導率も低い
ため、熱を効率的に拡散することが困難である。そこで
テープ301に絶縁性基板や接着材層302よりも熱伝
導率の高いアルミニウム等の金属材料もしくは金属材料
でコーティングされたテープを用いることによって、熱
の拡散作用を持たせることができる。
【0046】特に本実施例では、テープ301から回路
103、104までの距離(基板マージンM1〜M4)が小
さいので、回路103、104からの熱を効果的にテー
プ301に拡散させることができる。また、テープ30
1は接着材層302に密接しているため、接着材層30
2の熱伸縮による剥離を防ぐ効果もある。
【0047】なお図1(a)では、対向側の基板201
よりも突出している基板101の側面はテープ301が
接着されていないが、この部分の側面及び両表面の縁も
接着材層302を介してテープ301を固定すると、基
板101縁の保護がより確実になる。
【0048】[実施例2] 本実施例は実施例1の変形
例であり、テープ302の代わりに枠部材を用いた実施
例である。本実施例を図4を用いて説明する。なお図4
において、図1〜3と同じ符号は同じ部材を示す。
【0049】先ず、実施例1で説明したように、スペー
サを散布した後、TFT基板を構成する基板101と対
向基板を構成する基板201とを対向させる。そして図
4(a)に示す2つに分割された枠部材401、401
の内側に、熱硬化型樹脂でなる接着材を配設する。な
お、枠部材402には液晶注入口402aが設けられて
おり、注入口402aを接着材で塞がないように注意す
る。なお、図4(c)、(d)はそれぞれ図4(a)の
部分a、bの断面図を示す。また基板101、102の
側面は本実施1と同様にテーパ状に成形されている。
【0050】枠部材401、402は、従来のモジュー
ル化用の外枠と同様な材料で作製すれば良く、例えばア
ルミニウムやアルミニウム合金、ステンレス、銅等の金
属材料や、プラスチック等の樹脂材料で作製することが
できる。
【0051】そして図4(b)に示すように、枠部材4
01、402を基板101、201の外周部に取り付
け、加熱して接着材を硬化させる。図4(c)、(d)
で示すように、枠部材401、402は接着材層403
を介して基板101、201に固定される。ここでは、
枠部材401、402の側面に接着材を塗布したが、基
板101、102の側面に接着材を塗布するようにして
もよい。
【0052】そして液晶注入口402aから液晶410
を注入した後、注入口402aと嵌合し、枠部材40
1、402と同じ材料でなるキャップを接着材によって
注入口402aに接着固定する。接着材層403と枠部
材401、402とでなる封止部材により、基板10
1、102の隙間に液晶410が封止される。
【0053】図5(d)に示すように、枠部材401、
402の断面は『コ』の字型であり、基板101、20
1の外側表面の周囲を被覆している。他方、枠部材40
1の部分bのように、基板101が基板201よりも突
出している部分の断面構造は、図5(c)に示すよう
に、突出している基板101表面を覆うようになってい
る。
【0054】この形状により、2つの枠部材401、4
02は接着材層403を介して、基板101と201の
外周部(側面、隙間および外側表面)を連続して覆うこ
とができる。また、枠部材401、402が有効表示領
域となる画素マトリクス回路102に掛からないように
設定する。ここでは図4(b)に示すように、枠部材4
01、402でドライバ回路103と104を覆うよう
にした。また、枠部材401には外部接続端子105を
FPCと接続できるように窓が開けてある。
【0055】本実施例の封止部材は接着材403を介し
て基板101、201に固定された枠部材401と40
2で構成され、実施例1のテープを用いた封止部材と同
様の効果を得ることができる。基板のマージンM1〜M4
(図3参照)は実施例1で述べたように0.1〜0.5
mmの範囲にすることが可能になる。特に枠部材を用い
たことで、テープよりも機械的な衝撃、汚染、静電気に
対する保護効果に対する保護が高く、また接着材層40
2を気泡のない信頼性よく形成することができる。ま
た、実施例1で述べたように、枠部材をアルミニウム等
の金属等の接着材層402よりも熱伝導性の高い材料で
形成することによって、ドライバ回路で発生した熱を効
果的に拡散させることができる。
【0056】また枠部材401、402の気密性が十分
あり、液晶が漏れないようであれば、接着材層403は
枠部材401、402の内側全面に形成する必要が無
く、基板101、201に固定できる程度に部分的に設
ければよい。
【0057】なお、本実施例では封止部材を構成する枠
部材をを2つに分割しているが、側面ごとに4分割した
り、また2分割する場合でも上下で分割してもよい。ま
た、液晶表示装置が反射型の場合には、枠部材によって
TFT基板101の外側表面を全て覆うような構成にし
てもよい。
【0058】[実施例3] 本実施例では、実施例1と
2の封止部材を組み合わせた例を示す。先ず実施例1で
説明したように、基板の外周部に接着材を介してテープ
を固定し、その後、実施例2で説明したように接着材に
て枠部材を接着固定する。
【0059】また、実施例3、4の液晶表示装置を投射
型の表示装置のライトバルブとして用いる場合には、封
止部材の枠部材401、402を外装用のフレームとし
て用いることができる。
【0060】この場合には、図3(a)に示すように封
止部材を形成し、外部接続端子105にFPCを接続す
る。そして、露出している基板101の表面(表示領域
を除く)を覆う部材を接着材等で固定して、ライトバル
ブを完成する。
【0061】なお、本発明の実施例を液晶表示装置につ
いて説明したが、有機ELディスプレイ等一対の基板を
貼り合わせた構造を有する表示装置に本発明を実施する
ことで、表示装置の小型化・軽量化を容易に実現するこ
とができる。さらにハンドリングが簡単化され、作業効
率が向上する。またドライバ回路一体型アクティブマト
リクス表示装置に実施した場合では、基板上の回路での
発熱を効率良く拡散させることができる。
【0062】[実施例4] 従来のシール材は基板表面
に配設され、またフィラーが混入されているため、セル
ギャップを規制することが可能である。他方、実施例1
〜3の封止部材は基板側面に設けられるため、セルギャ
ップを規制していない。セルギャップを規制するため
に、フィラーの他に球状スペーサを散布しているが、実
施例の封止部材を基板に接着固定するまで、球状スペー
サが散布された基板を十分な水平状態に保つことができ
ない場合もある。
【0063】このような問題点を解消するため、本実施
例では、実施例1〜3で示した封止部材を用いた液晶表
示装置に好適なセルギャップの保持手段を示す。本実施
例を図5、6を用いて説明する。
【0064】図5は本実施例のギャップ保持部材510
の構成図であり、図5(a)はギャップ保持部材501
の上面図であり、図5(b)は斜視図である。図5
(c)は本実施例の液晶表示装置の概略の断面構成を示
す。
【0065】ギャップ保持部材511は感光性の樹脂材
料の1つであるポリイミドでなる円柱状の部材であり、
対向側の基板501上に作製される。502、503、
504で示す領域はそれぞれ、TFT基板のマトリクス
回路、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回路に対向
する領域を示す。511は領域502上に形成された対
向電極である。
【0066】以下、図6を用いてギャップ保持部材22
0の形成工程を説明する。まず、対向基板を構成する透
光性を有するガラス基板や石英基板を用意する。本実施
例ではガラス基板501を用いる。ガラス基板501上
に、透明導電膜を形成しパターニングして、マトリクス
回路102に対向する領域502に対向電極510を形
成する(図6(a))。本実施例では、透明導電膜とし
てITO膜を150nmの厚さに形成した。なお、必要
であれば、対向電極502を形成する前に、カラーフィ
ルタやブラックマトリクスを形成する。
【0067】次に、図6(b)に示すように、スピンコ
ート法によって感光性ポリイミド膜51を厚さ3.2μ
mに形成した。その後、感光性ポリイミド膜51の表面
を対向基板全面に渡って平坦にするために、30分間常
温で放置した(レベリング)。次に感光性ポリイミド膜
51を120℃で3分間プリベークした。
【0068】感光性ポリイミド膜51の膜厚で、セルギ
ャップ(基板間隔)が決定されるので、セルギャップに
合わせて感光性ポリイミド膜51の膜厚を適宜に設定す
る。例えば、透過型液晶表示層にであればセルギャップ
が4〜6μm程度、反射型液晶表示装置であればセルギ
ャップが2〜3μm程度、強誘電性・反強誘電性液晶表
示装置であれば2μm以下となるように膜厚を決めれば
よい。ここでは感光性ポリイミド膜51の膜厚を3.2
μmとなるように形成した。
【0069】また膜厚を制御する方法として、プリベー
クされた感光性ポリイミド膜51の表面をCMP処理に
よって、所望の膜厚まで研磨する方法を用いるとよい。
【0070】次に、感光性ポリイミド膜51をパターン
ニングする。図6(c)に示すように、感光性ポリイミ
ド膜51をフォトマスク52で覆い、マスク52側から
紫外線を照射する。現像処理後、280℃で1時間ポス
トベークを施す。こうして、図6(d)及び図5に示す
ように、パターンニングされたセルギャップ保持部材5
11が形成される。
【0071】ギャップ保持部材220の円柱の直径は
1.5〜2.5μm、高さは2.0〜5.0μmとすれ
ばよい。本実施例では、円柱の直径を3.0μmとし、
セルギャップを3.0μmとするため、マトリクス回路
との対向領域502においてその高さを3.2μmとし
た。ドライバ回路との対向領域503、504でのギャ
ップ保持部材51の高さは、対向電極510やカラーフ
ィルタ等の厚さ分高くなる。
【0072】図5(a)に示すように、複数のギャップ
保持部材511を規則的に配置する。その配置密度は従
来の球状スペーサと同程度の40〜160個/mm2
度の密度に形成すればよい。本実施例では、50個/m
2の密度にした。なお、ギャップ保持部材511の配
置は図5に示すものに限定されるものではなく、ランダ
ムに配置したり、或いはドライバ回路と対向する領域を
避けて配置したり、と実施者が適宜に決定することがで
きる。
【0073】またギャップ保持材511の材料は感光性
ポリイミドの他の感光性樹脂材料や、レジスト材料を用
いることができる。またアクリル、ポリアミド、または
ポリイミドアミド等の熱硬化型樹脂を用いてもよい。
【0074】、またギャップ保持材511の形状は円柱
状に限定されるものではなく、楕円柱、流線形柱、ある
いは三角形、四角形などの多角形柱状であってもよく、
TFT基板と対向基板とのギャップを制御できる形状で
あれば、いかなる形状を有することも許される。
【0075】例えば、図6(d)の状態を得た後酸素プ
ラズマ処理を施して、ギャップ保持部材511を台形柱
状に成形することもできる。台形柱状にすることによ
り、後の配向膜のラビング処理で、ギャップ保持部材5
11が受ける衝撃を緩和することができる。
【0076】また、ここでは対向基板側にギャップ保持
部材511を形成したが、上述した工程を用いてTFT
基板側に形成することも可能である。
【0077】次に、図6(e)に示すように配向膜51
2を形成する。配向膜512の材料には垂直配向型のポ
リイミド膜を用い、スピンコート法によってポリイミド
膜を塗布する。その後、80℃で5分間仮焼成し、18
0℃の熱風を送り込んで加熱(本焼成)してポリイミド
を硬化させて、配向膜512を形成する。
【0078】なお、図6(e)では、配向膜512は、
ギャップ保持部材511の側面や表面を覆っていない
が、本実施例では、ポリイミド被膜をスピンコート法で
形成したため、ギャップ保持部材511の側面や表面を
このポリイミド被膜が若干覆っている場合もあるが、ギ
ャップ保持部材511の高さが数μmであるのに対し、
ポリイミド被膜の厚さは数十〜百nmと極薄いため、ま
た側面のような直立した部分では完全な膜を成していな
い場合もあるので、図6(e)では基板501の表面に
形成された配向膜512のみを図示した。
【0079】次に、配向膜512の表面を毛足の長さ2
〜3mmのバフ布(レイヨン、ナイロン等の繊維)でラ
ビング処理を行う。この際、ギャップ保持部材511を
破壊しないように、バフ布の種類、植毛密度あるいは、
ローラーの回転数等のラビング条件を設定する。
【0080】そして、実施例1〜3で説明したようにT
FT基板と対向基板に封止部材を形成し、液晶を封止す
る。図5(c)は実施例1の封止部材を用いた液晶表示
装置の断面構造を示す。
【0081】本実施例のギャップ保持部材511は従来
の球状スペーサに替わるものであるが、基板に固定され
た部材であるため、実施例1〜3において封止部材の作
製工程時の基板の取り扱いも容易になる。また保持部材
511の高さを任意に設定できるため、セルギャップの
大きさを任意に決定でき、強誘電性液晶表示装置等の2
μm以下の挟セルギャップの場合に特に有効である。
【0082】上述した実施例1〜4は表示装置が小型化
・軽量化されるため、特に携帯型の情報機器、ノート
型、モバイル型等のコンピュータ、電子手帳、カーナビ
ゲイション・システム等の表示装置に好適である。ま
た、最終製品の外装と表示装置の外装が異なるプロジェ
クタ型の表示装置のライトバルブにも好適である。
【0083】
【発明の効果】本発明の表示装置では、基板の表面にシ
ール材を配設しないで、基板側面に接着層を形成して一
対の基板を貼り合わすため、基板サイズが縮小できる。
さらに接着材層の外側に密接してテープもしくは枠部材
を設けたため、ハンドリングが簡単になると共に、モジ
ュール化用の外枠が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1の封止部材の説明図である。
【図2】 実施例1の基板の側面の形状の説明図であ
る。
【図3】 実施例1のTFT基板の対向基板の平面図と
断面図である。
【図4】 実施例2の封止部材の説明図である。
【図5】 実施例3のギャップ保持部材の構成の説明図
である。
【図6】 実施例3のギャップ保持部材の作製工程を説
明する断面図である。
【図7】 従来例の液晶表示装置の正面図と断面図であ
る。
【符号の説明】
101 基板(TFT基板側) 201 基板(対向基板側) 300 接着材 301 テープ 302 接着材層 310 液晶 401、402 枠部材 402 接着材層 410 液晶 510 対向電極 511 ギャップ保持部材

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の隙間を開けて対向して貼り合わさ
    れた一対の基板を有する表示装置において、 前記一対の基板が対向している部分の側面に密接して形
    成された接着材層と、 前記接着材層に密接して形成されたテープとを有するこ
    とを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記テープは、前記
    一対の基板の露出している表面周囲を覆っていることを
    特徴とする表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記テープは前記接
    着材層よりも熱伝導性が高いことを特徴とする表示装
    置。
  4. 【請求項4】 所定の隙間を開けて対向して貼り合わさ
    れた一対の基板を有する表示装置において、 前記一対の基板の側面に密接して形成された接着材層
    と、 前記接着材層に密接して形成された枠部材とを有するこ
    とを特徴とする表示装置。
  5. 【請求項5】 請求項4において、前記枠部材は、前記
    一対の基板の露出している表面周囲を覆っていることを
    特徴とする表示装置。
  6. 【請求項6】 請求項4において、前記枠部材は前記接
    着材層よりも熱伝導性が高いことを特徴とする表示装
    置。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
    表示装置は、前記一対の基板の一方に画素マトリクス回
    路と、前記画素マトリクス回路に形成されたアクティブ
    素子を駆動するためのドライバ回路とが形成されたアク
    ティブマトリクス型であることを特徴とする表示装置。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の
    表示装置は、前記一対の基板の隙間に液晶材料が封止さ
    れていること特徴とする表示装置。
  9. 【請求項9】 請求項8において、前記一対の基板のい
    ずれか一方に固定されたギャップ保持部材を有すること
    を特徴とする表示装置。
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