DE69322946T2

DE69322946T2 - Photolackzusammensetzung

Info

Publication number: DE69322946T2
Application number: DE69322946T
Authority: DE
Inventors: Gregory San Jose California 95141 Breyta; Hiroshi San Jose California 95120 Ito; Christopher John Bound Brook New Jersey 08800 Knors; Ratnam East Fishkill New York 12524 Sooriyakumaran
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-11-03
Filing date: 1993-10-15
Publication date: 1999-08-12
Anticipated expiration: 2013-10-16
Also published as: EP0605089A2; JPH06266112A; US5625020A; EP0605089B1; JP3147268B2; EP0605089A3; US5492793A; DE69322946D1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft lithographische Photolackzusammensetzungen zur Anwendung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen.
In der Industrie herrscht das Bestreben nach immer höherer Schaltungsdichte in mikroelektronischen Vorrichtungen vor, die mit Hilfe lithographischer Techniken hergestellt werden. Ein Verfahren zur Steigerung der Anzahl der Komponenten per Chip ist es, die einzelnen Schaltkreise auf dem Chip noch weiter zu verkleinern, was eine höher lithographische Auflösung voraussetzt. Der Einsatz von Strahlen kleinerer Wellenlängen (z. B. tiefes UV, d. i. 190 bis 315 nm) als der derzeitig benutzte mittlere UV-Spektrumsbereich (z. B. 350 nm bis 450 nm) bietet das Potential für höhere Auflösung. Jedoch werden mit tiefer UV-Strahlung mit der gleichen Energiedosis weniger Photonen übertragen, und daher sind stärkere Belichtungsdosen erforderlich, um die gleiche gewünschte photochemische Reaktion zu bewirken. Ferner haben derzeitige lithographische Werkzeuge eine stark geschwächte Ausgangsleistung im tiefen UV-Spektrumsbereich.
Zwecks Verbesserung der Empfindlichkeit wurden verschiedene säuregehärtete, chemisch verstärkte Photolackzusammensetzungen entwickelt, wie sie z. B. in US-Patent 4,491,628 und in Nalamasu et al. "An Overview of Resist Processing for Deep-UV Lithography", J. Photopolym. Sci. Technol. 4, 299 (1991) geoffenbart sind. Die Lackzusammensetzungen beinhalten im allgemeinen einen photosensitiven Säuregenerator und ein säureempfindliches Polymer. Das Polymer hat säureempfindliche Seitenketten (Seitengruppen), die an die Polymer-Hauptkette angehängt sind und auf ein Proton ansprechen. Nach der bildweisen Belichtung durch Strahlung produziert der photosensitive Säuregenerator ein Proton. Der Lackfilm wird erhitzt und das Proton bewirkt eine katalytische Abspaltung der Seitengruppe von der Polymerhauptkette. Das Proton wird bei der Spaltungsreakton nicht verbraucht und katalysiert weitere Spaltungsreaktionen und verstärkt damit das photochemische Ansprechen des Photolacks. Das abgespaltene Polymer ist in polaren Entwicklern wie Alkohol und wäßriger Base löslich während das unbelichtete Polymer in nichtpolaren organischen Lösungsmitteln wie z. B. Anisol löslich ist. Auf diese Weise ist es möglich, mit dem Photolack positive oder negative Bildmasken zu erzeugen, in Abhängigkeit von der Wahl des Entwicklerlösungsmittels.
DE-A-37 21 741 und EP-A-510445 beschreiben einen strahlungsempfindlichen Photolack enthaltend einen photosensitiven Säurengenerator, der wenigstens eine säurespaltbare Bindung aufweist, und einen Polymerbinder, der z. B. aus Hydroxystyrol und Methylmethacrylat oder Methylacrylat gebildet werden kann, wobei der Binder in wäßrigen alkalischen Lösungen löslich ist.
EP-A-440 374 offenbart Photolackmaterialien, die teilweise mit säureinstabilen Gruppen veresterte Phenolgruppen und einen photosensitiven Säuregenerator enthalten.
Zwar haben chemisch erweiterte Photolackzusammensetzungen im allgemeinen eine geeignete lithographische Empfindlichkeit, jedoch läßt sich für bestimmte Anwendungen ihre Leistung noch verbessern durch (i) Erhöhen ihrer Wärmefestigkeit gegen thermische Zersetzung und plastisches Fließen, und (ii) Verstärkung ihrer Stabilität gegen luftübertragene Kontaminierungsstoffe. Zum Beispiel können in einigen Halbleiterherstellungsprozessen Nachbildentwicklungstemperaturen (z. B. Ätzen, Implantationen usw.) 200ºC erreichen. Die US-Patente 4,939,070 und 4,931,379 offenbaren chemisch erweiterte, säureempfindliche Photolackzusammensetzungen mit erhöhter Wärmefestigkeit im Nachbildentwicklungsstadium. Die Photolackzusammensetzungen des US 4,939,070 und US 4,931,379 bilden nach dem Abspalten der säureempfindlichen Seitenkettengruppe ein Wasserstoffbindenetz zum Erhöhen der Wärmefestigkeit des Polymers. US 4,939,070 und US 4,931,379 vermeiden Wasserstoffbindungsanteile vor der Abspaltreaktion, weil solche Wasserstoffbindungen bekanntlich die säureempfindliche Seitenkette unzulässig thermisch destabilisiert. Obwohl diese Photolacke eine geeignete Wärmefestigkeit aufweisen, haben sie auch eine geringere Empfindlichkeit und sind daher für bestimmte Anwendungen ungeeignet.
Hinsichtlich der chemischen Kontaminierung berichten MacDonald et al., SPIE 1466, 2, (1991), daß aufgrund der katalytischen Natur der Abbildungsmechanismen chemisch erweiterte Photolacksysteme empfindlich für geringste Mengen luftübertragener chemischer Kontaminierungsstoffe, wie z. B. basische organische Substanzen, sind. Diese Substanzen beeinträchtigen das sich ergebende Bild im Film und bewirken einen Verlust der Linienbreitensteuerung des entwickelten Bildes. Dieses Problem wird noch verstärkt in einem Fertigungsprozeß, in dem es zu einem längeren und veränderlichen Zeitraum zwischen dem Auftragen des Films auf das Substrat und der Entwicklung des Bildes kommt. Um den Photolack gegen solche luftübertragenen Kontaminierungsstoffe zu schützen wird die den aufgetragenen Film umgebende Luft sorgfältig gefiltert, um solche Substanzen zu entfernen. Als Alternative ist der aufgetragene Film mit einer Polymerschutzschicht überzogen. Jedoch sind das sehr umständliche Verfahren.
Somit besteht auf dem Stand der Technik noch immer ein Bedarf nach einer säurempfindlichen, chemisch erweiterten Photolackzusammensetzung mit hoher Wärmefestigkeit und Stabilität gegen luftübertragene chemische Kontaminierungsstoffe zum Einsatz bei der Halbleiterherstellung.
Gesehen unter einem Aspekt sieht die vorliegende Erfindung eine Photolackzusammensetzung gemäß Definition ihn Anspruch 1 vor.
Zum vollen Verständnis der Erfindung werden jetzt bevorzugte Ausführungsformen derselben nur beispielhaft anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben; in diesen ist
Fig. 1 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme des entwickelten Photolacks gemäß der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 2 ist eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme des entwickelten Photolacks gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegenden Erfindung betrifft einen chemisch erweiterten photosensitiven Photolack gemäß Anspruch 1.
Die Hydroxystyrolmonomer- oder -oligomerkomponente des Polymers sieht eine basische Lösung des Polymers in der Photolackzusammensetzung vor. Das Hydroxystyrol ist auf geeignete Weise das Para- oder Meta-Isomer (vorzugsweise Para-) und kann durch verschiedene Substituenten ersetzt werden, die mit der lithographischen Nutzbarkeit des Polymer nicht unvereinbar sind, wie z. B. Halogene, Methoxy- oder niedrigeres Alkyl (z. B. Metall- oder Ethik-). Das α-Methyl- Hydroxystyrol kann auch im Polymer der vorliegenden Erfindung benutzt werden.
Die Acrylat- bzw. Methacrylatmonomer- oder -oligomerkomponente des Polymer bewirkt die Säureempfindlichkeit des Polymer. Die Estergruppe des Acrylat bzw. des Methacrylat ist eine Säure-instabile Gruppe, die die Auflösung des Polymer in einem alkalischen Entwickler oder in einem polaren Lösungsmittel verhindert. Bei bildweiser Belichtung durch Bestrahlung spaltet die photogenerierte Säure die Estergruppe ab und diese wird aus einem auflösungsverhinderndem Ester zu einer basisch-löslichen organischen Säurefunktionalität umgewandelt und ermöglicht so die Bildentwicklung der Zusammensetzung. Das Acrylat bzw. Methacrylat kann mit verschiedenen Alkyl- oder Arylestersubstituenten versehen sein. Geeignete Estersubstituenten sind t-Butyl und α-Methylbenzyl.
Das in der vorliegenden Erfindung benutzte Copolymer kann durch Standard-Radikal-Copolymerisierung hergestellt werden, um zufallsbedingte Copolymere zu erhalten. Z. B. kann t-Butylmethacrylat mit (i) p-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol (einem Hydroxystyrol-Vorläufermonomer) copolymerisiert werden mit anschließender thermischer Abspaltung oder milder Säurehydrolyse der t-Butoxycarbonyl-Gruppe zum Bilden von p-Hydroxystyrol/t-Butylmethacrylatcopolymer, oder (ii) mit p-t- Butyl(dimethyl)silyloxystyrol mit anschließender Desilylierung mit Fluorid. Alternativ dazu wird bevorzugt Acetoxystyrol mit Acrylat oder Methacrylat copolymerisiert. Allgemein wird Acetoxystyrol unter Stickstoff bei erhöhter Temperatur von etwa 50 bis 100ºC mit dem Estermonomer in einem geeigneten Lösungsmittel wie Toluol oder THF gemischt, zusammen mit einer kleinen Menge eines Freiradikal-Katalysators wie Benzoylperoxid. Das Produktpolymer Poly(acetoxy styrol-co-acrylat) wird dann deacyliert mit einer milden Base (z. B. Dimethylaminopyridin, Ammoniumhydroxid, Carbonat oder Bicarbonat) in einem nichtwäßrigen Lösungsmittel, wie ein alkoholisches Lösungsmittel (Methanol oder Propanol) zum Ausbilden des Hydroxystyrol/Acrylatcopolymer. Als Alternative kann das Hydroxystyrol/Acrylat- oder -Methacrylatcopolymer auch ein Block-Copolymer sein.
Vorzugsweise enthält das Copolymer die Hydroxystyroleinheit im Bereich von 50 bis 90 Mol%, in Abhängigkeit von der gewünschten Auflösungsrate/Empfindlichkeit. Das Copolymer hat ein geeignetes Zahl-Durchschnittsmolekulargewicht (bezogen auf den Polystyrolstandard) von 7000 bis 50 000. Das Copolymer hat eine hohe Glasübergangstemperatur von etwa 140ºC bis etwa 170ºC. Das Copolymer weist auch eine hohe Säureempfindlichkeit auf. Die säureinstabilen Estergruppen des Copolymers sind in Anwesenheit der Phenolhydroxygruppen bis zu einer Temperatur von etwa 180ºC überraschend wärmefest. Das ermöglicht das starke Erwärmen des Films dieser Zusammensetzung vor der Belichtung, was eine wesentlich verbesserte lithographische Leistung bewirkt.
Die photosensitiven Säuregeneratoren, die in der Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet werden, weisen eine hohe Wärmefestigkeit gegenüber Temperaturen > 160ºC auf, so daß sie bei der Vorbelichtungsbehandlung nicht zersetzt werden. Geeignete photosensitive Säuregeneratoren zum Einsatz in der vorliegenden Erfindung sind u. a. Triaryl-Sulfonium- Hexafluoroantimonat, Diaryliodonium-Metallhalogenide, und bestimmte nicht-ionische Säuregeneratoren wie z. B. Pyrogallol-tris(sulfonat) und N-Sulfonyloxynaphthalimide.
Bevorzugt sind Triphenylsulfonium-Triflat und N-Sulfonyloxynaphthalimid-Generatoren wie z. B. N-Camphersulfonyloxynaphthalimid oder N-Pentafluorbenzolsulfonyloxynaphthalimid.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung läßt sich leicht in Standard-Lithographieabbildungsprozessen anwenden. Im allgemeinen beinhaltet der erste Schritt dieses Prozesses das Beschichten des Substrats mit einem Film, der das Polymer und einen photosensitiven Säuregenerator enthält, die beide in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst sind. Geeignete Substrate sind aus Silicium, Keramik, Polymer oder dergleichen. Geeignete organische Gießlösungsmittel sind Ethyl- Cellosolve-Acetat, Cyclohexanon, Proplyenglykolmonomethyletheracetat und dergleichen. Der Film enthält im allgemeinen etwa 80 bis etwa 99,5 Gew.-% Polymer und etwa 0,5 bis etwa 20 Gew.-% Photoacid-Generator, beide gelöst im organischen Lösungsmittel. Wahlweise kann der Film auch Additive enthalten wie z. B. Polymere und kleine Moleküle, um die Auflösungsrate des Films (z. B. Polyhydroxystyrol), Ätzfestigkeit, optische Dichte, Strahlungsempfindlichkeit, Haftung und dergl. einzustellen. Der Film kann auf das Substrat aufgetragen werden durch herkömmliche Techniken auf dem Stand der Technik wie z. B. Schleudern oder Sprühbeschichten, Rakelaufstreichen oder galvanisches Abscheiden.
Im allgemeinen wird vor der Belichtung des Films dieser auf eine niedrige Temperatur erwärmt, um das Lösungsmittel zu entfernen. Infolge der einzigartigen Wärmefestigkeit des Polymers, einschließlich der Wärmefestigkeit der säureinstabilen Estergruppen, kann jedoch der erfindungsgemäße Film im Vorbelichtungs-Erwärmungsschritt auf eine höhere Temperatur aufgeheizt werden. Vorzugsweise wird er Film kurze Zeit, wenigstens etwa 10 bis 15 Sekunden (vorzugsweise mindestens etwa 30 Sekunden) bis etwa 15 Minuten, auf eine Temperatur erwärmt, die hoch genug ist, um mindestens etwa 20 Grad Celsius unter der Glasübergangstemperatur des Polymers zu bleiben, oder noch besser, auf eine Temperatur, die bei oder über der Glasübergangstemperatur (Tg) des Polymers und unter der thermischen Abspalttemperatur der säureinstabilen Ester liegt. Dieser Hochtemperatur-Vorbelichtungserwärmungsschritt wirkt sich überraschenderweise als Schutz für den Film und das nichtbelichtete, im Film ausgebildete Bild gegen die Zersetzung aus Gründen der luftübertragenen chemischen Kontaminierungsstoffe während der verlängerten und variablen Vor- und Nachbelichtungszeit vor der Entwicklung des Bildes im Film aus.
Die Glasübergangstemperatur (Tg) des Polymers läßt sich leicht durch herkömmliche Verfahren auf dem Stand der Technik feststellen, wie z. B. durch Kalorimetrie mit Differentialabtastung oder dynamische mechanische Analyse. Die Wärmeabspalttemperatur für die säureinstabile Gruppe des Polymers läßt sich bestimmen durch gravimetrische Analyse, beinhaltet Erwärmen des Materials mit einer konstanten Rate und Aufzeichnen des Gewichtsverlusts. IR-Spektroskopie bedeutet Erwärmen mehrerer Proben und dann Analysieren der IR-Spektren der Proben zum Feststellen des Ausmaßes der thermischen Abspaltung der säureinstabilen Gruppe. Auflösungsanalyse bedeutet Erwärmen mehrerer Filme auf unterschiedliche Temperaturen und dann Bestimmen der Verringerung der Filmdicke nach dem Entwickeln.
Im allgemeinen wird dann der Film, nach dem Vorbelichtungsbrennen, bildweise mit Strahlung belichtet, auf geeignete Weise mit einem Elektronenstrahl oder elektromagnetisch, vorzugsweise durch elektromagnetische Strahlung wie UV-Licht oder Röntgenstrahl, vorzugsweise tief-ultraviolette Strahlung, vorzugsweise mit einer Wellenlänge von etwa 190 bis 315 nm, am besten mit 248 nm. Geeignete Strahlungsquellen sind Quecksilber, Quecksilber/Xenon, Excimer-Laser, Xenonlampen, Elektronenstrahlen oder Röntgenstrahlen. Im allgemeinen liegt die Belichtungsdosis unter 100 mJ/cm², vorzugsweise unter 50 mJ/cm². Im allgemeinen erfolgt die Belichtung des Films bei Umgebungstemperatur. In den belichteten Bereichen des Films produzieren photosensitive Säuregeneratoren freie Säure. Weil die Bestrahlungsdosis so klein ist, kommt es zu im wesentlichen vernachlässigbarer strahlungsinduzierter Abspaltung der Esterguppen und vernachlässigbarer strahlungsinduzierter Hauptkettenaufspaltungszersetzung des Polymers. Die freie Säure bewirkt eine säurekatalytische Abspaltung der Estergruppen des Polymers im belichteten Bereich. Die Abspaltung der Estergruppen verändert die Auflösungsrate des Polymers, und die differentielle Löslichkeit zwischen den belichteten und den unbelichteten Bereichen des Films ermöglicht die Entwicklung des Filmbildes durch wäßrige Base.
Nach Belichtung des Films durch die Strahlung wird er für einen kurzen Zeitraum von etwa 30 bis 300 Sekunden wieder auf eine erhöhte Temperatur erwärmt, vorzugsweise über etwa 110º bis etwa 160ºC, und noch besser etwa 130º bis etwa 160ºC. Die erhöhte Temperatur wirkt teilweise in Richtung zu Erhöhung der säurekatalytischen Zersetzung der hängenden Estergruppen. Aber dieses Hochtemperaturbrennen nach der Belichtung verbessert ebenfalls überraschenderweise den Kontrast und die Auflösung der entwickelten Bilder in der Photolackzusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Der letzte Schritt beinhaltet die Entwicklung des Bildes im Film. Geeignete Entwicklungstechniken sind dem Fachmann bekannt. Vorzugsweise wird das Bild Lösungsmittel-entwickelt, vorzugsweise in einem wäßrigen basischen Lösungsmittel, aus Gründen des verbesserten Umweltschutzes vorzugsweise in einem Lösungsmittel ohne Metallionen, wie z. B. Tetraalkylammoniumhydroxid. Das Bild im Film weist eine hohe Auflösung und gerade Seitenwände auf ohne durch luftübertragene chemische Kontaminierungsstoffe verursachte Schäden. Ferner hat der Film einen hohen Tg für die Wärmefestigkeit bei der nachfolgenden Bearbeitung. Dann weist der Film auch eine hohe Trockenätzfestigkeit für die nachfolgende Vorrichtungsfertigung auf.
Die folgenden Beispiele sind detaillierte Beschreibungen von Methoden der Vorbereitung und Anwendung in Bezug auf die vorliegende Erfindung. Die Beispiele dienen nur zu erläuternden Zwecken und begründen keine Eingrenzung des Schutzbereichs der Erfindung.

BEISPIEL 1 - SYNTHESE VON POLY(4-ACETOXYSTYROL-CO-T-BUTYL- METHACRYLAT) (80 : 20):

25,90 g (0,16 Mol) 4-Acetoxystyrol, 5,70 g (0,04 Mol) t- Butylmethacrylat, und 32 g trockenes THF wurden in einen Rundkolben mit magnetischem Rührstab und einem Rücklaufkondensator gegeben. 1,25 g Benzoylperoxid wurden zu diesem Gemisch gegeben und der Kolben wurde geleert und mit Stickstoff (4x) mit Hilfe eines Firestoneventils gespült. Der Inhalt wurde gerührt und 54 Stunden lang auf 65ºC (Ölbad) unter Stickstoff erwärmt. Anschließend wurde das viskose Gemisch zum Abkühlen auf Zimmertemperatur stehengelassen, mit 150 ml THF verdünnt und tropfenweise unter Rühren in 2 Liter deionisiertes Wasser gegeben. Das ausfallende Polymer wurde gefiltert (Fritte) und unter Vakuum bei 60ºC getrocknet. Die Ausbeute betrug 30,68 g.

BEISPIEL 2 - SYNTHESE VON POLY(4-HYDROXYSTYROL-CO-T-BUTYL- METHACRYLAT) (80 : 20):

20 g Poly(4-Acetoxystyrol-co-t-Butylmethacrylat) und 200 ml Methanol wurden in einen Rundkolben mit magnetischem Rührstab und einem Rücklaufkondensator und Stickstoffzuführung gegeben. 2 g (0,016 Mol) 4-Dimethylaminopyridin wurde zu dieser Suspension gegeben und der Inhalt wurde unter Rühren 17 Stunden lang unter Rückfluß zum Sieden gebracht. Das IR-Spektrum des Produkts (Dünnfilm auf NaCl-Platte) zeigte, daß die Reaktion zu diesem Zeitpunkt abgeschlossen war. Der Inhalt wurde zum Abkühlen auf Zimmertemperatur stehengelassen, 2,16 g (0,036 Mol) Eisessig in 5 ml Methanol wurde zugegeben und 30 Min. gerührt. Anschließend wurde die Lösung tropfenweise in 2 Liter deionisiertes Wasser gegeben und das Polymer wurde unter Vakuum gefiltert und getrocknet. Dieses Polymer wurde in 150 ml Aceton wieder gelöst und wieder aus 1,5 Liter deionisiertem Wasser ausgefällt. Das Polymer wurde unter Vakuum bei 60ºC gefiltert und getrocknet. Die Ausbeute betrug 13,11 g.

BEISPIEL 3 - LITHOGRAPHISCHE LEISTUNG

Ein Copolymer aus Methacrylat mit p-Hydroxystyrol mit einem Durchschnittsmolekulargewicht von 36 100 enthaltend 35 Mol% der t-Butylmethacrylat-Einheit wurde gelöst zusammen mit 4,75 Gew.-% Triphenylsulfonium-Hexafluoroantimonat in Propylenglykol-Monomethylether-Acetat. Ein Film wurde bei 180ºC 2 Minuten vorbelichtungsgebrannt, mit einem Canon Excimer 248 nm Stepperlaser belichtet, 1 Minute lang bei 130ºC nachbelichtungsgebrannt, und mit MF319 60 Sekunden entwickelt. In Fig. 1 ist eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme des Films gezeigt, der positive Bilder mit geraden Wänden frei von der T-Spitzenstruktur zeigt.

BEISPIEL 4 - LITHOGRAPHISCHE LEISTUNG

Ein Copolymer aus p-Hydroxystyrol mit t-Butylacrylat (65 : 35 Zusammensetzung, 34 600 Gewichts-durchschnittliches Molekulargewicht) wurde gemischt mit 2,5 Gew.-% N-Camphersulfonyloxynaphthalimid in Propylenglykol-Monomethyletheracetat. Schleudergegossene Filme wurden 2 Minuten bei 150ºC vorbelichtungsgebrannt, in einem GCA KrF Excimer Laser-Stepper mit 0,42 NA belichtet, 2 Stunden stehengelassen, 2 Minuten bei 150ºC nachbelichtungsgebrannt und 60 Sekunden mit MF321 entwickelt. Fig. 2 zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme des Films, der positive Bilder mit 0,35 um Zeilen/Raumanordnung ohne Linienbreitenverschiebung oder Bildverschlechterung infolge Angriffs von luftgetragenen chemischen Kontaminierungsstoffen wiedergibt.
Eine photosensitive Photolackzusammensetzung enthaltend (i) einen photosensitiven Säuregenerator und (ii) ein Polymer, enthaltend Hydroxystyrol und Acrylat, Methacrylat oder ein Gemisch aus Acrylat und Methacrylat wurde beschrieben. Der Photolack weist eine hohe Lithographieempfindlichkeit und eine hohe Wärmefestigkeit auf der Photolack zeigt auch überraschende Stabilität bei Auftreten von luftübertragenen chemischen Kontaminierungsstoffen. Ein Verfahren zum Herstellen des Polymers in der Photolackzusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist nützlich zur Halbleiterherstellung, um Chips mit integrierten Schaltungen zu fertigen.

Claims

1. Eine photosensitive Photolackzusammensetzung enthaltend

(i) einen photosensitiven Säuregenerator und (ii) ein Polymer, enthaltend Hydroxystyrol und Acrylat, Methacrylat oder ein Gemisch aus Acrylat und Methacrylat;

wobei sowohl Acrylat als auch Methacrylat eine Estergruppe aufweisen, die eine säureinstabile Gruppe ist, dadurch gekennzeichnet, daß der photosensitive Säuregenerator bis zu einer Temperatur über 160ºC wärmefest ist, und die säureinstabile Estergruppe das Auflösen des Polymers im alkalischen Entwickler oder im polaren Lösungsmittel verhindert.

2. Die Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, in der das Polymer das Poly(4-Hydroxystyrol-co-methacrylat) ist.

3. Eine Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, in der das Polymer das Poly(4-Hydroxystyrol-co-acrylat) ist.

4. Die Zusammensetzung gemäß den Ansprüchen 2 und 3, in der der Säuregenerator N-Camphersulfonyloxynaphthalimid oder N-Pentafluorphenyl-Sulfonyloxynaphthalimid ist.

5. Eine photosensitive Photolackzusammensetzung enthaltend (i) N-Camphersulfonyloxynaphthalimid und (II) Poly(4- Hydroxystyrol-co-t-butylacrylat).