DE69302960T2

DE69302960T2 - Verfahren zur Herstellung von dünnen Siliziummesas mit gleicher Dicke

Info

Publication number: DE69302960T2
Application number: DE69302960T
Authority: DE
Inventors: George William Doerre; Seiki Ogura; Nivo Rovedo
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1992-04-30
Filing date: 1993-03-23
Publication date: 1996-12-12
Anticipated expiration: 2013-03-24
Also published as: EP0568475B1; US5334281A; EP0568475A1; JP2579418B2; DE69302960D1; JPH0621206A

Description

Verfahren zur Herstellung von dünnen Siliciummesas mit gleicher Dicke

Das Gebiet der Erfindung ist jenes von integrierten Siliciumauf-Isolator(SOI)-Schaltkreisen, bei denen Transistoren in einer dünnen Bauelementschicht aus einkristallinem Silicium erzeugt werden, die über einer darunterliegenden isolierenden Schicht aus Siliciumdioxid angeordnet ist.
Auf dem Gebiet von integrierten SOI-Schaltkreisen war ein bekanntes Problem jenes der Herstellung einer Bauelementschicht, die ausreichend dünn ist. Herkömmliche Verfahren der Bildung der darunterliegenden isolierenden Schicht aus Oxid und der obenliegenden Bauelementschicht erzeugen gegenwärtig Bauelementschichten, die etwa zwei Mikrometer dick sind. Es ist höchst wünschenswert, dünnere Schichten von einem zehntel Mikrometer Dicke oder weniger vorliegen zu haben, um vollständig ladungsträgerverarmte Feldeffekttransistoren zu erzeugen und die Bauelementkapazität zu reduzieren.
Verschiedene Verfahren wurden auf dem Fachgebiet vorgeschlagen, um die Dicke einer Bauelementschicht zu reduzieren, die zuvor gebildet wurde. US-A-4 554 059 stellt eine elektrochemische Technik dar, bei der ein Ätzprozeß verwendet wird, um die Bauelementschicht ausgehend von einer anfänglichen Dicke dünner zu machen. US-A-4 177 094 stellt ein Verfahren dar, bei dem ein darunterliegendes Substrat vollständig weggeätzt wird. Keines dieser Verfahren ist im Hinblick auf die Bereitstellung einer dünnen Schicht von im wesentlichen gleichmäßiger Dicke zufriedenstellend.
US-A-4 735 679 lehrt die Verwendung einer Polierstoppschicht und eines chemisch-mechanischen Poliervorgangs, um das Silicium auf die Dicke der Polierstoppschicht dünner zu machen. Es offenbart eine Polierstoppschicht aus hochschmelzendem Metall und eine Liftoff-Technik zur Entfernung des Metalls von der zu polierenden Siliciumoberfläche.
Die Erfindung bezieht sich auf ein verbessertes Verfahren gemäß Anspruch 1 zur Erzeugung eines SOI-Wafers, bei dem eine Bauelementschicht mit einer Anfangsdicke in einen Satz von Mesas umgebildet wird, wobei in den Intervallen dazwischen eine temporäre Bezugsschicht aus Polysilicium mit einer präzise gesteuerten Dicke aufgebracht wird. Dieses Polysilicium wird vollständig oxidiert, um einen Oxidpolierbezug zu bilden. Die voneinander separierten Siliciummesas werden durch eine chemisch-mechanische Poliertechnik dünner gemacht, bis die Mesa koplanar mit der Oberseite des neuen Oxides ist.
Ein Merkmal der Erfindung besteht in der Verwendung eines selbstlimitierenden Prozesses, bei dem die Oxidation der temporären Schicht aus Polysilicium stoppt, wenn alles in Oxid umgewandelt ist, womit die Präzision der Polierbezugsdicke aufrechterhalten wird.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht in der Verwendung der Oxidpolierbezugsschicht sowohl als isolierende Schicht, um eine dielektrische Isolation zwischen Mesas bereitzustellen, als auch als visueller Bezug, um den Zeitpunkt zu bestimmen, wann der Polierprozeß stoppen sollte.
Noch ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht in der Verwendung einer Schutzschicht aus Nitrid lediglich in breiten Gebieten ohne Mesas, um eine übermäßige Entfernung von Oxid oder Silicium zu verhindern, welche die Planarität der Oberseite ver- mindern würde.
Anspruch 7 bezieht sich auf ein Verfahren zur Erzeugung eines integrierten Schaltkreises mit Bauelementen, die in Mesas ausgebildet sind, die gemäß dem Verfahren von Anspruch 1 hergestellt wurden.
Die Figuren 1 bis 5 stellen Teile eines Wafers während einer Ausführungsform der Erfindung im Querschnitt dar.
Figur 6 stellt einen Schritt in einer alternativen Ausführungsform dar.
Nunmehr bezugnehmend auf Fig. 1 ist dort ein Querschnitt eines Teils eines Wafers gezeigt, der eine SOI-Oxidschicht 20 und eine Bauelementschicht 30 über dem Silicium-Grundsubstrat 10 aufweist. Der Wafer wurde in diesem Stadium einschließlich der Oxidschicht 20 durch eine herkömmliche Technik erzeugt, wie Waferbonden, bei dem zwei Wafer, von denen einer oder beide eine Anfangsoberfläche aus Oxid besitzen, aneinander gebondet werden. Derartige SOI-Wafer sind von einer Anzahl von Anbietern, wie Shin Etsu Handotai, kommerziell erhältlich.
Die Bauelementschicht 30 ist die epitaxiale, einkristalline Bauelementschicht, in der die Transistoren erzeugt werden. Sie ist in Figur 1 dergestalt gezeigt, daß sie durch einen herkömmlichen reaktiven Ionenätzschritt in einen Satz von Siliciummesas getrennt wurde, von denen jede mit dem Bezugszeichen 40 bezeichnet ist, getrennt durch einen Satz schmaler Gräben 32, welche die Mesas umgeben und sich hinunter bis zu der Oxidschicht 20 erstrecken, so daß die Gräben 32 eine untere Oberfläche aus Oxid besitzen. Illustrativ wird bei dem reaktiven Ionenätzvorgang HBr/Cl&sub2;/He/O&sub2; verwendet. Die Anfangsoberfläche der Bauelementschicht ist durch die gestrichelte, mit dem Bezugszeichen 31 bezeichnete Linie markiert. Für eine nominelle Dicke der Bauelementschicht von 2 um und eine Grabenbreite von 1 µm beträgt das Aspektverhältnis der Mesa-Trenngräben vernünftige 2:1, so daß aufgebrachte Materialien ohne weiteres in der Lage sind, die Gräben gleichmäßig zu füllen.
Zwei Grabenbreiten sind in der Zeichnung dargestellt. Ein Satz von Mesa-Trenngräben 32 mit üblicher Breite sind herkömmlicherweise so eingericlitet, daß sie so klein sind, wie es die Entwurfsregeln erlauben, um die größte Bauelementdichte auf dem integrierten Schaltkreis bereitzustellen. Ein Graben 35 wird in Gebieten verwendet, in denen eine Anzahl von Zwischenverbindungsleitungen verlaufen sollen, oder in anderen Gebieten, die einen breiten leeren Raum erfordern. Eines der Probleme, das durch die Erfindung angegangen wird, ist jenes, daß verhindert wird, daß der Poliervorgang ein breites Gebiet, wie 35, durch Entfernen von zu viel des Materials und durch Erniedrigen der Oberseite des Wafers unter die Position, die sie dort aufweist, wo die Mesas enger beieinander liegen, "konkav vertieft". Zu Illustrationszwecken kann ein breites Gebiet als eines angesehen werden, das eine Breite von mehr als 5 Mikrometer aufweist.
Das Problem, das durch die Erfindung angegangen wird, ist jenes der Reduzierung der Dicke von Mesas 40 in einer genau gesteuerten Weise und der gleichzeitigen elektrischen Isolierung derselben. Verfahren des Standes der Technik zur Reduzierung der Dicke beruhten auf einer Anzahl von Verfahren, wie einem Ätzvorgang während einer vorgegebenen Zeitdauer. Wie auf dem Fachgebiet allgemein bekannt, sind zeitabgestimmte Atzvorgänge aufgrund von Prozeßschwankungen unzuverlässig. Ein damit verwandtes Problem ist jenes, daß die Oberseite des endgültigen Wafers im wesentlichen planar gehalten wird, wenn eine mechanische Poliertechnik verwendet wird. Die Vorgehensweise, die bei dieser Erfindung gewählt wird, ist die Verwendung einer Schicht mit einer präzise gesteuerten Dicke, die zwei Funktionen ausführt. Die präzise gesteuerte Dicke erlaubt deren Verwendung als Dickenbezugsmaß für die Mesas. Sie dient außerdem als dielektrische Isolation und wird nach Beendigung des Poliervorgangs nicht entfernt.
Nunmehr bezugnehmend auf Figur 2, ist dort ein Querschnitt des gleichen Gebiets gezeigt, nachdem zwei zusätzliche Schichten aufgebracht wurden. Eine Bezugsschicht 42 aus polykristallinem Silicium (Polysilicium) wurde über dem gesamten Wafer aufgebracht, nicht nur in den unteren Bereichen der Gräben 32, sondem auch auf der Oberseite und den Seiten der Mesas. Diese Bezugsschicht besitzt eine illustrative Bezugsdicke von 600 Å (10 Å = 1 nm). Eine zweite Schicht 44 aus Siliciumnitrid wurde mit einer Dicke von zwischen 300 Å und 1.000 Å erzeugt und dann mit einem gerichteten Ätzvorgang geätzt, wie CHF&sub3;, der nicht nur gerichtet ist, sondern auch bevorzugt Nitrid gegenüber Silicium ätzt. Dieser Typ von Ätzvorgang wird dazu verwendet, Nitrid auf den horizontalen Oberflächen zu entfernen, jedoch Nitridseitenwände 44 zu belassen, die dazu dienen, das Polysilicium auf den Seiten der Mesas während des nächsten Oxidationsprozesses zu schützen.
Figur 3 zeigt das gleiche Gebiet, nachdem ein Oxidationsschritt von zum Beispiel 45 Minuten bei 900 ºC in Dampf die gesamte Dicke der Polysiliciumschicht 42 dort oxidiert hat, wo sie nicht durch Nitrid 44 geschützt ist, wobei eine Oxidpolierbezugsschicht 45 auf der Oberseite der Mesas und in den Gräben erzeugt wird. Die Schicht 45 besitzt eine Polierbezugsdicke, welche nach dem Polierschritt die endgültige Mesadicke ist. Es ist ein vorteilhaftes Merkmal der Erfindung, daß der Oxidationsschritt selbstlimitierend ist. Da die isolierende Schicht 20 ebenfalls aus Oxid besteht, ist die Oxidation der Polyschicht 42 kein kritischer Schritt. In einem zeitabgestimmten Oxidationsschritt kann ein großzügiger Spielraum erlaubt werden, ohne Gefahr zu laufen, die Präzision des Dickenbezugs zu beeinträchtigen.
Die Polyschicht 42 wird mit einer Dicke von ungefähr 50 % der gewünschten Dicke der Oxidschicht 45 aufgebracht, um ein Anwachsen der Dicke während des Oxidationsprozesses zu berücksichtigen. Um das selbstlimitierehde Merkmal der Erfindung beizubehalten, ist es notwendig, einen SOI-Wafer zu verwenden, dessen vergrabenes Oxid im wesentlichen aus 100 % SiO&sub2; mit einer ausreichenden Dicke besteht, um jegliches weitere nennenswerte Oxidwachstum nach der vollständigen Oxidation der Polyschicht 42 zu verhindern. Ein Prozeß für einen durch das SIMOX-Verfahren (implantierter Sauerstoff wird mit dem Silicium reagiert) erzeugten SOI-Wafer ist wahrscheinlich nicht geeignet, da die isolierenden Schichten, die durch einen derartigen Prozeß erzeugt werden, im allgemeinen eine merkliche Menge an nicht reagierten Restsilicium enthalten und eine weitere Oxidation nicht zum Stillstand kommen lassen.
In Fig. 3 wurden dann die Nitridseitenwände 44 mit heißer Phosphorsäure weggeätzt, und eine optionale Polierstoppschicht aus Nitrid 47 mit einer Dicke von 1.000 Å wurde in dem breiten Graben 35 aufgebracht und in der Nähe der Mesas entfernt. Ein isotroper Plasmaätzvorgang mit CF&sub4; + O&sub2; wird dazu verwendet, die Nitridschicht 47 in der Nähe der Mesas durch übliche photolithographische Mittel zu entfernen. Es ist möglich oder auch nicht, daß dieser Ätzvorgang einiges oder alles der Polysiliciumbezugsschicht 42 entfernt. Sollte eine präzisere Entfernung gewünscht sein, kann ein dünnes Oxid (150 Å), in Fig. 1 als Schicht 34 gezeigt, auf den Mesas aufgewachsen werden, nachdem sie strukturiert sind und vor der Deposition der Polyschicht 42. Dies verhindert ein Ätzen der Mesas, während eine totale Entfernung des Polysiliciums ermöglicht wird.
Das Resultat ist im Querschnitt in Figur 3 dargestellt, in der die Oxidschicht 45 oben auf den Mesas und auf kleinen horizontalen Bereichen in der Nähe der Mesas, wo die Schicht 47 entfernt wurde, freigelegt ist. Die Polysiliciumschicht 42 ist (wenn sie während der Strukturierung des Nitrids 47 nicht weggeätzt wurde) an den Mesaseitenwänden freigelegt, und eine Schutzschicht 47 aus Nitrid isü auf dem breiten Gebiet 35 vorhanden, um ein schüsselartiges Vertiefen während des Poliervorgangs zu verhindem.
Eine Reihe chemisch-mechanischer Polierschritte, wie jene in Technical Digest der IEDM von 1989, "A New Planarization Technique, Using a Combination of RIE and Chemical Mechanical Polish (CMP)", Seite 61 dargestellten, werden verwendet, um sowohl das freiliegende Oxid als auch das Silicium in den Mesas 40 zu entfernen. Dieser Prozeß wird fortgesetzt, bis die Mesadicke im wesentlichen die gleiche wie die Polierbezugsdicke der Schicht 45 ist. Der Höhenunterschied zwischen der Mesaoberseite der Mesa 40 und dem Oxid 45 kann als ein Unterscheidungsmerkmal beim Poliervorgang verwendet werden, wobei der mechanische Polierprozeß periodisch unterbrochen wird, um das Fortschreiten zu überprüfen, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist.
Die Dicke der Nitridpolierstoppschicht 47, die etwa 1.000 Å beträgt, ist kein Hindernis für die Bereitstellung einer im wesentlichen gleichmäßig planaren Oberfläche über der Mesa, da der Versatz zwischen einer Mesa und der nächstgelegenen Nitridpolierstoppschicht zum Beispiel 0,5 um betragen kann. Die rückwärtige Verstärkung des Polierkissens ist flexibel genug, um sich während des Poliervorgangs durchzubiegen, um von der Höhe des Nitrids 47 bis zu der Höhe des Oxids 45 über den erzeugten Abstand hinweg hinunterzureichen. Somit kann, auch wenn der Poliervorgang über dem Nitrid 47 aufgehört hat oder langsamer wurde, eine Entfernung von Silicium in dem Mesagebiet weiterhin stattfinden.
Figur 4 zeigt in vergrößerter Form einen Bereich eines Wafers in dem Gebiet zwischen einer schützenden Nitridpolierstoppschicht 47 und der nächstgelegenen Mesa 40 in einem späten Stadium in dem Vorgang. Eine Poliereinrichtung 110, die kommerziell erhältlich ist, befindet sich in Kontakt sowohl mit der Mesa 40 als auch dem schützenden Nitrid 47.
Durch Verwendung einer herkömmlichen Emulsion, deren Zusammensetzung dem Fachmann für diese Technik bekannt ist, entfernt ein rotierendes Kissen, das mit dem Wafer in Kontakt kommt, Oxid sowie Silicium bevorzugt gegenüber Oxid und beeinflußt Nitrid wenigstens durch eine Kombination von chemischer und mechanischer Wirkung. Wie bei jedem abschleifenden Prozeß werden die höchsten topographischen Bereiche innerhalb eines gegebenen Gebiets zuerst entfernt, was eine Planarisierung bereitstellt.
In diesem Stadium wurde genug Material von der Mesa 40 entfernt, so daß sich deren Mesaoberseite unterhalb. der Oberseite des Nitrids 47 befindet. Zuvor wären die relativen Höhen selbstverständlich umgekehrt gewesen. Die Unterseite der Einrichtung 110 ist durch die Linie 120 bezeichnet, die zeigt, daß sich die Oberfläche durchbiegt, wenn sie sich über das Oxid 45 erstreckt. Zu einem späteren Zeitpunkt, wenn die Oberseite der Mesa 40 im wesentlichen koplanar mit dem Oxid 45 ist, ist die Durchbiegung ausgeprägter, wie mit der gestrichelten Linie 120' angezeigt. Die Polierstoppschicht ist von der nächstgelegenen Mesa durch einen Abstand getrennt, der als der Polierhöhen-Anpassungsabstand bezeichnet wird, und der Bereich, von dem die Polierstoppschicht entfernt ist, wird als der Polierhöhen-Anpassungsbereich bezeichnet. Der Polierhöhen-Anpassungsabstand hängt für einen speziellen Fall von der Steifheit der Poliereinrichtung ab, und flexible Einrichtungen sind in der Lage, sich durchzubiegen und die Höhenanpassung in einem kleineren horizontalen Abstand durchzuführen, als dies eine steifere Einrichtung zu tun vermag.
Das Kriterium für das Einstellen des Polierhöhen-Anpassungsabstandes besteht darin, daß die Poliereinrichtung in der Lage ist, sich genügend durchzubiegen, um auf der nächstgelegenen Mesa den Grad an Koplanarität zu erzielen, der für die spezielle Anwendung erforderlich ist. Der Fachmann ist ohne weiteres in der Lage, den erforderlichen Grad an Koplanarität zu bestimmen und den Betrieb seiner Poliereinrichtungen zu testen, um den Polierhöhen-Anpassungsabstand einzustellen.
Im Betrieb wird das Nitrid 47 mit einer viel geringeren Rate erodiert als das Silicium, und der Fachmann ist ohne weiteres in der Lage, die Anfangsdicke des Nitrids 47 derart einzustellen, daß eine vernünftige Menge am Ende des Polierprozesses übrigbleibt, um einen Sicherheitsspielraum bereitzustellen. Es ist nicht dramatisch, wenn die gesamte Nitridschicht 47 entfernt wird, da ein bestimmtes Maß an schüsselartigem Vertiefen in einem derartig breiten Gebiet tolerierbar ist. Die minimale Breite für die Verwendung einer Polierstoppschicht ist mit dem doppelten Polierhöhen-Anpassungsabstand vergleichbar.
Bei der dargestellten Ausführungsform betrug die Anfangsdicke des Siliciums in den Mesas 40 2 µm, und die Anfangsdicke des Nitrids 47 betrug 0,1 µm. Am Ende des Polierschritts betrug die Mesadicke 0,1 µm und die verbliebene Polierstoppschicht besaß eine nominelle Dicke von 0,08 µm Es ist bevorzugt, den Rest des Nitrids 47 nach dem Polierschritt zu entfernen, da der Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Nitrid 47 und Oxid 20 zu einer Schädigung an dem Wafer durch mechanische Spannung während eines nachfolgenden thermischen Verfahrensablaufs führen kann, welche die Leistungsfähigkeit des Bauelements beeinflussen kann.
In ähnlicher Weise ist die Verwendung einer Nitridschicht als Dickenbezugsmaß aufgrund von potentiellen Auswirkungen auf die Leistungsfähigkeit weniger wünschenswert als die Poly-Oxid-Kombination, auch wenn der Oxidationsschritt eliminiert würde. Wenn eine Schicht gemäß der Erfindung gebildet wird, bilden die Schichten 45 und 20 eine einzelne Oxidschicht ohne Grenzfläche.
Alternativ kann es gewünscht sein, eine Oxidschicht direkt aufzubringen, anstatt eine Polyschicht aufzubringen und nachfolgend zu oxidieren, um die Bezugsschicht/Intermesa-Isolationsschicht zu erzeugen. Die isolierenden Qualitäten aufgebrachter Oxide sind jedoch im allgemeinen schlechter als jene von thermisch aufgewachsenen Oxiden.
Nunmehr bezugnehmend auf Fig. 5, ist dort der letzte Schritt in dem Prozeß gezeigt, in dem Mesas 40 im wesentlichen koplanar mit dem Isolationsoxid 45 sind. Die Nitridschicht 47 wurde mit einem herkömmlichen Ätzvorgang mit Phosphorsäure entfernt. Eine dünne Schutzschicht aus Oxid wurde über den Mesas 40 aufgewachsen, um die Bauelementoberfläche vor Kontarnination während des Schritts zur Entfernung des Nitrids zu schützen. An den Kanten der Mesas 45, an denen sich das Nitrid 44 hinunter bis unterhalb der endgültigen Höhe des Oxids 45 erstreckt, sind kleine Vertiefungen 46 vorhanden, diese weisen jedbch eine typische Tiefe von 500 Å bei einer Mesadicke von 0,1 µm auf und sind kein wesentliches Hindernis für die Qualitätsbauelementerzeugung. Es kann ein potentieller Leckpfad entlang der Kante der Mesa 40 zwischen der Source und dem Drain eines FET vorhanden sein, und es kann notwendig sein, in Abhängigkeit von dem Ausmaß des Leckverlusts, der bei der beabsichtigten Anwendung toleriert werden kann, Korrekturrnaßnahrnen zu ergreifen, wie Implantieren der Mesaseitenwände.
Eine alternative Ausführungsform der Erfindung, bei welcher der Schritt zur Bildung der Nitridseitenwände 44 weggelassen wurde, ist in Fig. 6 dargestellt, die das Ergebnis des Oxidierens der Mesas 40 zeigt. Die Anfangsoberfläche der Mesa 40 ist durch die mit 40' bezeichnete, gestrichelte Linie gezeigt. Ohne Seitenwände 44 wurde Oxid 45' sowohl auf den Seiten der Mesa 40 als auch auf der Oberseite gebildet. Oxid hat die Oberfläche 40' aufgrund der Toleranz in dem zeitabgestimmten Oxidationsprozeß horizontal durchdrungen. Die endgültige horizontale Abmessung der Mesas 40 ist daher kleiner und schwankt möglicherweise stärker als bei der bevorzugten Ausführungsform, und es kann notwendig sein, für eine größere Toleranz beim Einpassen von Transistoren in die Mesas zu sorgen, um die gewünschten endgültigen Transistorabmessungen bereitzustellen. Ob das Weglassen des Nitridschritts die weniger regelmäßige Abmessung der Mesas kompensiert, hängt von den üblichen technischen Vorgaben ab, die dem Fachmann allgemein bekannt sind.
Fig. 7 zeigt einen Teil eines Schaltkreises gemäß der Erfindung, bei dem zwei FETs 150 und 160 mit Polysilicium-Gates 152 und 162 durch eine metallische Zwischenverbindung 170 verbunden sind, um einen Inverter zu bilden. Die FETs 150 und 160 sind durch ein zusammengesetztes Oxid, das aus den Schichten 20 und 45 gebildet ist, umgeben und elektrisch isoliert, was den Vorteil der Verwendung der Polierstopphöhe als Teil der Mesa-Isolationsschicht zeigt. Eine Schicht aus aufgebrachtem Oxid 175 dient als das Zwischenniveau- oder Zwischenschicht-Dielektrikum, um das erste Niveau der Zwischenverbindung (herkömmucherweise Polysilicium) von einem oberen Niveau (herkömmlicherweise Aluminium-Metall) zu trennen.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung isolierter Siliciummesas (34) von einem Wafer mit einem Siliciumgrundsubstrat (10), einer isolierenden Oxidschicht (20), die über dem Substrat angeordnet ist, und einer Siliciumbauelementschicht (30) über der Oxidschicht, das die Schritte umfaßt:

Erzeugen eines Satzes von Gräben (32, 35) in der Bauelementschicht, wobei die Gräben so angeordnet sind, daß sie eine Mehrzahl von Siliciumrnesas festlegen, und sich von der Oberfläche der Bauelementschicht auf die Oxidschicht hinunter erstrecken, wodurch die Gräben eine untere Oberfläche aus Oxid besitzen;

Aufbringen einer Bezugsschicht aus polykristallinem Silicium (42) mit einer vorgegebenen Bezugsdicke in dem Satz von Gräben; Oxidieren der Bezugsschicht aus Polysilicium, um eine Oxidpolierbezugsschicht mit einer vorgegebenen Polierbezugsdicke, die zu der vorgegebenen Bezugsdicke in Beziehung steht, in den Gräben zu bilden, wodurch die Mesas von der Oxidpolierbezugsschicht mit einer Oxidbezugsoberfläche umgeben sind, wobei die vorgegebene Polierbezugsdicke über der Oberfläche der ersten Schicht liegt; und

Polieren der Mesas durch chemisch-mechanisches Polieren, bis die Mesas im wesentlichen koplanar mit der Oxidbezugsoberfläche sind, wodurch die Oxidpolierbezugsschicht als ein Dickenbezugsrnaß zur Bereitstellung einer Mesadicke für die Mesas wirkt.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Aufbringen einer ersten Nitridschicht (44) aus Siliciumnitrid auf der Bezugsschicht (42) und über der Mehrzahl von Siliciummesas und Ätzen der ersten Nitridschicht mit einem gerichteten selektiven Ätzvorgang, um die erste Nitridschicht zu entfernen, wobei lediglich eine Mehrzahl von Seitenwänden aus Nitrid auf der Mehrzahl von Siliciummesas zurückbleibt, wodurch ein Teil der Bezugsschicht, der sich auf Seitenwänden der Mehrzahl von Siliciumrnesas befindet und unter den Seitenwänden aus Nitrid liegt, somit vor einer Oxidation während des Schritts des Oxidierens der Bezugsschicht geschützt ist; und

Entfernen der Seitenwände aus Nitrid nach dem Schritt des Oxidierens der Bezugsschicht.

3. Verfahren gemäß Anspruch 1, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Aufbringen einer Polierstoppschicht aus Nitrid nach dem Schritt des Oxidierens der Bezugsschicht zur Bildung der Oxidpolierbezugsschicht; und

Entfernen der Polierstoppschicht von der Mehrzahl von Sihciummesas und von einem Polierhöhen-Anpassungsbereich, der sich in einem vorgegebenen Polierhöhen-Anpassungsabstand von einer nächstgelegenen der Mehrzahl von Mesas erstreckt, wodurch die Polierstoppschicht eine Entfernung von Material von der Oxidpolierbezugsschicht an Stellen verhindert, die von einer nächstgelegenen Mesa durch den Polierhöhen-Anpassungsabstand getrennt sind.

4. Verfahren gemäß Anspruch 3, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Bilden einer dünnen Schicht aus Oxid auf den Mesas vor dem Schritt der Deposition der Bezugsschicht aus polykristallinem Silicium, wodurch die Mesas durch die dünne Schicht aus Oxid während des Schritts der Entfernung der Polierstoppschicht von der Mehrzahl von Siliciummesas geschützt sind.

5. Verfahren gemäß Anspruch 2, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Aufbringen einer Polierstoppschicht aus Nitrid nach dem Schritt der Entfernung der Seitenwände aus Nitrid; und

Entfernen der Polierstoppschicht von der Mehrzahl von Sihciummesas und von einem Polierhöhen-Anpassungsbereich, der sich in einem vorgegebenen Polierhöhen-Anpassungsabstand von einer nächstgelegenen der Mehrzahl von Mesas erstreckt.

6. Verfahren gemäß Anspruch 5, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Bilden einer dünnen Schicht aus Oxid auf den Mesas vor dem Schritt der Deposition der Bezugsschicht aus polykristallinern Silicium, wodurch die Mesas durch die dünne Schicht aus Oxid während des Schritts der Entfernung der Polierstoppschicht von der Mehrzahl von Siliciummesas geschützt sind.

7. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit Bauelementen, die in isolierten Siliciummesas in einer Bauelementschicht von einem Wafer gebildet sind, der ein Siliciumgrundsubstrat (10), eine isolierende Oxidschicht (20), die über dem Substrat angeordnet ist, und eine Siliciumbauelementschicht (30) über der Oxidschicht aufweist, das die Schritte umfaßt:

Erzeugen eines Satzes von Gräben (32, 35) in der Bauelementschicht, wobei die Gräben so angeordnet sind, daß sie eine Mehrzahl von Siliciummesas festlegen, und sich von der Oberfläche der Bauelementschicht auf die Oxidschicht hinunter erstrecken, wodurch die Gräben eine untere Oberfläche aus Oxid besitzen;

Aufbringen einer Bezugsschicht (42) aus polykristallinem Silicium mit einer vorgegebenen Bezugsdicke in dem Satz von Gräben;

Oxidieren der Bezugsschicht aus Polysilicium, um eine Oxidpolierbezugsschicht mit einer vorgegebenen Polierbezugsdicke, die zu der vorgegebenen Bezugsdicke in Beziehung steht, in den Gräben zu bilden, wodurch die Mesas von der Oxidpolierbezugsschicht mit einer Oxidbezugsoberfläche umgeben und elektrisch isoliert sind, wobei die vorgegebene Polierbezugsdicke über der Oberfläche der ersten Schicht liegt; und

Polieren der Mesas durch chemisch-mechanisches Polieren, bis die Mesas im wesentlichen koplanar mit der Oxidbezugsoberfläche sind, wodurch die Oxidpolierbezugsschicht als ein Dickenbezugsmaß zur Bereitstellung einer Mesadicke für die Mesas wirkt;

Bilden einer Mehrzahl elektrischer Bauelemente in der Mehrzahl von Siliciummesas;

Bilden wenigstens eines Zwischenschichtdielektrikums über der Oxidpolierbezugsschicht; und

Erzeugen eines Satzes von Bauelementzwischenverbindungen, die sich über der Polierbezugsschicht erstrecken, um die Mehrzahl elektrischer Bauelemente in einem integrierten Schaltkreis zu verbinden.

8. Verfahren gemäß Anspruch 7, das des weiteren die Schritte umfaßt:

Aufbringen einer ersten Nitridschicht (44) aus Siliciumnitrid auf der Bezugsschicht und über der Mehrzahl von Siliciummesas und Ätzen der ersten Nitridschicht mit einem gerichteten selektiven Ätzvorgang, um die erste Nitridschicht zu entfernen, wobei lediglich eine Mehrzahl von Seitenwänden aus Nitrid auf der Mehrzahl von Siliciummesas zurückbleibt, wodurch ein Teil der Bezugsschicht, der sich auf Seitenwänden der Mehrzahl von Siliciummesas befindet und unter den Seitenwänden aus Nitrid liegt, somit vor einer Oxidation während des Schritts des Oxidierens der Bezugsschicht geschützt ist; und

9. Verfahren gemäß Anspruch 7, das des weiteren die Schritte umfaßt:

10. Verfahren gemäß Anspruch 9, das des weiteren die Schritte umfaßt: