[go: up one dir, main page]

DE102006024448B4 - Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102006024448B4
DE102006024448B4 DE102006024448A DE102006024448A DE102006024448B4 DE 102006024448 B4 DE102006024448 B4 DE 102006024448B4 DE 102006024448 A DE102006024448 A DE 102006024448A DE 102006024448 A DE102006024448 A DE 102006024448A DE 102006024448 B4 DE102006024448 B4 DE 102006024448B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sub
pixel
green
red
blue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102006024448A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006024448A1 (de
Inventor
Soon Kwang Hong
Jae Won Chang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of DE102006024448A1 publication Critical patent/DE102006024448A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006024448B4 publication Critical patent/DE102006024448B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil mit: – einer Vielzahl von Gateleitungen (101) und Datenleitungen (102), die einander schneidend auf einem Substrat angeordnet sind, um Unterpixel für Rot, Grün und Blau eines Pixels zu bilden; – einem Nichtemissionsbereich (X), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über ein Schaltelement (104) und ein Ansteuerelement (105) verfügt; und – einem Emissionsbereich (E), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über eine Pixelelektrode verfügt, die mit dem entsprechenden Ansteuerelement (105) verbunden ist, wobei jedes Schaltelement (104) und Ansteuerelement (105) durch einen Dünnschichttransistor mit einer Gateelektrode, einer aktiven Schicht, einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode konfiguriert ist, wobei die Drainelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer Anodenelektrode einer Emissionsdiode (107) und die Sourceelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer parallel zu einer Datenleitung (102) verlaufenden Spannungsleitung (103) verbunden ist, wobei jedes der Unterpixel für Rot, Grün und Blau so ausgebildet ist, dass es über eine horizontale...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil, das für verbesserte Bildqualität sorgen kann und über Preiswettbewerbsfähigkeit verfügt, und sie betrifft ein Herstellverfahren für ein solches.
  • Beschreibung der einschlägigen Technik
  • Im Allgemeinen emittieren organische Elektrolumineszenz-Bauteile (OELD) Licht unter Verwendung von Energie, wie sie von angeregten Elektronen freigesetzt wird, wenn diese von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergehen, nachdem sie durch Injizieren von Elektronen und Löchern von einer Kathode und einer Anode erzeugt wurden.
  • Da ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD) selbst Licht emittiert, ist bei ihm keine Lichtquelle erforderlich, während ein Flüssigkristalldisplay eine solche benötigt. Daher können das Volumen und das Gewicht eines Displays unter Verwendung eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils gesenkt werden.
  • Ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD) verfügt ferner über Eigenschaften der Anzeigetafel hoher Qualität wie niedrigen Energieverbrauch, hohe Leuchtstärke, eine kurze Ansprechzeit und geringes Gewicht. Aufgrund dieser Eigenschaften der Anzeigetafel hoher Qualität traten OELDs als nächste Generation von Displays ins Rampenlicht, die bei Consumer Electronic wie Mobilkommunikationsterminals, einem CHS, einem PDA, einem Camcorder und einem Palm-PC angewandt werden können.
  • Ein derartiges OELD kann durch ein einfaches Herstellverfahren im Vergleich zu anderen Flachdisplays hergestellt werden. Demgemäß können die Herstellkosten für OELDs im Vergleich zu einem herkömmlichen LCD deutlich gesenkt werden.
  • Ansteuerungsmodi für OELDs werden in solchem vom Typ mit passiver Matrix und solche vom Typ mit aktiver Matrix eingeteilt.
  • Ein OELD vom Typ mit passiver Matrix verfügt über einen einfachen Aufbau, und auch sein Herstellverfahren ist einfach. Jedoch zeigt ein OELD vom Typ mit passiver Matrix Nachteile wie hohen Energieverbrauch, Schwierigkeiten beim Realisieren eines OELD mit großem Schirm sowie einen Abfall des Öffnungsverhältnisses proportional zur Zeilenanzahl.
  • Ein OELD vom Typ mit aktiver Matrix sorgt für ein hohes Emissionsverhältnis und eine hohe Bildqualität.
  • Die 1 zeigt ein herkömmliches organische Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD).
  • Gemäß der 1 verfügt das herkömmliche organische Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD) 10 über ein Dünnschichttransistor(TFT)-Array 14, das auf einem ersten transparenten Substrat 12 ausgebildet ist, eine auf dem TFT-Array 14 hergestellte erste Elektrode 16 sowie eine organische Lichtemissionsschicht 18 und eine zweite Elektrode 20.
  • Die Lichtemissionsschicht 18 gibt die Farben Rot, Grün und Blau wieder. Eine derartige Lichtemissionsschicht 18 wird allgemein dadurch hergestellt, dass die Farben Rot, Grün und Schwarz emittierende organische Materialien an einem jeweiligen von Pixeln P abgeschieden werden und die organischen Materialien strukturiert werden.
  • Das organische Elektrolumineszenz-Bauteil 10 wird in gekapselter Form dadurch hergestellt, dass das erste Substrat 12 über ein Dichtmittel am zweiten Substrat 28 mit Feuchtigkeitsabsorber 22 angebracht wird.
  • Der Feuchtigkeitsabsorber 22 dient zum Entfernen von Feuchtigkeit und Sauerstoff, wie sie in das gekapselte Elektrolumineszenz-Bauteil 10 eindringen können. Um den Feuchtigkeitsabsorber 22 auf dem zweiten Substrat 28 herzustellen, wird ein vorbestimmter Bereich desselben geätzt, der geätzte Bereich wird mit dem Feuchtigkeitsabsorber 22 gefüllt, und dieser wird unter Verwendung eines Bands 25 fixiert.
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 2 ein TFT-Array beschrieben, wobei es sich um ein Pixel bei einem herkömmlichen OELD handelt.
  • Die 2 ist eine Draufsicht, die ein Dünnschichttransistor(TFT)-Array bei einem herkömmlichen organischen Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD) zeigt.
  • Ein TFT-Array vom Typ mit aktiver Matrix verfügt über eine Vielzahl von auf einem Substrat 12 ausgebildeten Pixeln. Jedes der Pixel verfügt über einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) TS, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) TD sowie einen Speicherkondensator CST. Betreffend den Schalt-TFT TS und den Treiber-TFT TD kann jeder mit einem oder mehreren Dünnschichttransistoren, entsprechend den Ansteuereigenschaften, konfiguriert sein.
  • Das Substrat 12 kann ein transparentes, isolierendes Substrat aus Glas oder Kunststoff sein.
  • Wie es in der 2 dargestellt ist, ist eine Gateleitung 32 in einer Richtung auf dem Substrat 12 angeordnet, und eine Datenleitung 34 ist so angeordnet, dass sie die Gateleitung 32 schneidet, wobei dazwischen eine Isolierschicht eingefügt ist.
  • Gleichzeitig ist eine Spannungsleitung 35 so ausgebildet, dass sie um einen vorbestimmten Abstand von der Datenleitung 34 getrennt ist und parallel zu dieser verläuft.
  • Als Schalt-TFT TS und Treiber-TFT TD werden Dünnschichttransistoren verwendet, die mit Gateelektroden 36 und 38, aktiven Schichten 40 und 42, Sourceelektroden 46 und 48 sowie Drainelektroden 50 und 52 konfiguriert sind.
  • Wie oben beschrieben, ist die Gateelektrode 36 des Schalt-TFT TS mit der Gateleitung 32 verbunden, und seine Sourceelektrode 46 ist mit der Datenleitung 34 verbunden.
  • Die Drainelektrode 50 des Schalt-TFT TS ist über ein Kontaktloch 54 mit der Gateelektrode 38 des Treiber-TFT TD verbunden.
  • Die Sourceelektrode 48 des Treiber-TFT TD ist durch das Kontaktloch 56 mit der Spannungsleitung 56 verbunden.
  • Die Drainelektrode 52 des Treiber-TFT TD ist so ausgebildet, dass sie mit der im ersten Pixelbereich P ausgebildeten ersten Elektrode 16 in Kontakt steht.
  • Die Spannungsleitung 35 und die erste Elektrode 16, die eine polykristalline, unter der Spannungsleitung 35 ausgebildete Siliciumschicht ist, bilden durch Überlappung miteinander, unter Einfügung der Isolierschicht, den Speicherkondensator CST.
  • Nachfolgend wird eine Pixelanordnung eines herkömmlichen organischen Elektrolumineszenz-Bauteils (OELD) unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C beschrieben.
  • Die 3A bis 3C zeigen Anordnungen von Unterpixeln bei einem herkömmlichen organischen Elektrolumineszenz-Bauteil.
  • Gemäß den 3A bis 3C sind Unterpixel für Rot, Grün und Blau auf Grundlage eines RGB-Streifenmodus, eine RGB-Mosaikmodus oder eines RGB-Dreiecksmodus angeordnet.
  • Beim RGB-Streifenmodus sind die Unterpixel für Rot, Grün und Blau aufeinanderfolgend in jeder der Zeilen angeordnet. Im RGB-Mosaikmodus sind Unterpixel für Rot, Grün und Blau aufeinanderfolgend in einer ersten Zeile angeordnet, und Unterpixel für Grün, Blau und Rot sind aufeinanderfolgend in einer zweiten Zeile angeordnet. In der dritten Zeile sind Unterpixel für Blau, Rot und Grün aufeinanderfolgend angeordnet.
  • Im RGB-Dreiecksmodus sind Unterpixel für Rot, Grün und Blau aufeinanderfolgend in jeder der Zeilen angeordnet, wobei die in geradzahligen Zeilen angeordneten Unterpixel von denen, die in ungeradzahligen Zeilen angeordnet sind, um einen vorbestimmten Abstand abweichen.
  • Jedes der Unterpixel für Rot, Grün und Blau ist so ausgebildet, dass eine vertikale Seite länger als eine horizontale Seite ist. Ein Pixel wird dadurch aufgebaut, dass Unterpixel für Rot, Grün und Blau in der horizontalen Richtung angeordnet werden, und das herkömmliche OELD wird durch wiederholtes Anordnen derartiger Pixel aufgebaut.
  • Jedoch existiert bei üblicher visueller Information viel Horizontalbewegung im Vergleich zu Vertikalbewegung. Daher kann die herkömmliche Anordnung von Unterpixelbildern nicht auf natürliche Weise anzeigen.
  • Um visuelle Information mit viel Horizontalbewegung mittels eines herkömmlichen OELD natürlich anzuzeigen, muss dessen Auflösung erhöht werden.
  • Die US 2002/0070909 A1 beschreibt eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung. Hierbei ist eine Gateleitung vorgesehen, die eine Datenleitung schneidet, wobei in einem Pixel Unterpixel für Rot, Grün und Blau ausgebildet sind. In einem Unterpixel sind in einer Schicht unterhalb der lichtemittierenden Schicht jeweils ein Treibertransistor und ein Schalttransistor vorgesehen, wobei die Schalttransistoren in einem jeweiligen oberen Bereich der Unterpixel und die Treibertransistoren in einem jeweiligen mittleren Bereich der Unterpixel angeordnet sind. Ferner ist in einem Unterpixel ein Kondensator vorgesehen, wie durch den schraffierten Bereich gezeigt ist.
  • Die WO 2004/073356 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren hierfür. Hierbei enthält jedes Pixel eine Vielzahl von Lichtemissionsbereichen mit einer organischen Elektrolumineszenzschicht und umfasst Lichtemissionsbereiche entsprechend den Farben Rot, Grün und Blau. Weiter sind in jedem Pixel eine Vielzahl von TFT-Elementen zur Steuerung der entsprechenden Lichtemissionsbereiche angeordnet. Die Lichtemissionsbereiche sind in einem Schachbrettmuster so angeordnet, dass sie nicht in Kontakt mit benachbarten Lichtemissionsbereichen liegen. Jedes Pixel ist in sechs Unterabschnitte aufgeteilt und die Lichtemissionsbereiche sind in drei Bereichen des Schachbretts angeordnet.
  • Die DE 197 11 967 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Wiedergabe dreidimensionaler Bilder. Hierbei ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Wiedergabe eines dreidimensionalen Bildes vorgesehen, bei der es möglich ist, ein dreidimensionales Bild mit richtigen Farben entsprechend den Farben des dargestellten Objekts zu gewinnen, wobei die Datenleitungen nicht im Bild aufscheinen, die Farben des Bildes, die in einer Linse zur Aufteilung von Links- und Rechtsbild gebildet werden, nicht auf der gleichen Oberfläche gebildet werden, oder auf der gleichen Oberfläche gegenläufig sind, und die Farben nicht getrennt ausgebildet werden, indem die Gate-Leitungen, die den Farbpixeln entsprechen, miteinander verbunden werden und die Source-(Daten-)Leitungen so umgeleitet werden, dass sie nicht durch den Pixelbereich gehen und am Rand des Bereichs angeordnet werden. Ferner sind die getrennten Farbpixel für Rot, Grün und Blau des Flüssigkristallanzeigefelds in vertikaler Richtung abwechselnd angeordnet, wobei die getrennten Farbpixel ein und derselben Farbe in horizontaler Richtung angeordnet sind.
  • ZUSAMNFNFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Demgemäß ist die Erfindung auf ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und ein Herstellverfahren für ein solches gerichtet, die eines oder mehrere Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen in der einschlägigen Technik im Wesentlichen vermeiden.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil zum Erzeugen eines natürlichen Bilds zu schaffen.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil, für das niedrigere Herstellkosten erforderlich sind, durch Verringern der Anzahl von D-ICs und der Anzahl von Stiften zu schaffen.
  • Eine weitere, andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil zum Verbessern der Bildqualität durch asymmetrisches Ausbilden von Nichtemissionsbereichen in Unterpixeln für Rot, Grün und Blau, die in einem Pixel bei einem organischen Elektrolumineszenz-Bauteil vertikal angeordnet sind, zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch das organische Elektrolumineszenz-Bauteil nach Anspruch 1 sowie durch das Verfahren nach Anspruch 4 gelöst.
  • Es ist ein organisches Elektrolumineszenz-Bauteil mit Folgendem geschaffen: einer Gateleitung und einer Datenleitung, die einander schneidend auf einem Substrat angeordnet sind, um Unterpixel für Rot, Grün und Blau zu bilden; einem Nichtemissionsbereich, der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über ein Schaltelement und ein Ansteuerelement verfügt, die durch einen Dünnschichttransistor mit einer Gateelektrode, einer aktiven Schicht, einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode konfiguriert sind; und einem Emissionsbereich, der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über eine Pixelelektrode verfügt, die mit der Drainelektrode des Ansteuerelements verbunden ist; wobei mindestens einer der Nichtemissionsbereiche in den Unterpixeln für Rot, Grün und Blau an einer anderen Stelle ausgebildet ist. Das organische Elektrolumineszenz-Bauteil kann ferner über eine Spannungsleitung verfügen, die so ausgebildet ist, dass sie mit der Sourceelektrode des Ansteuerelements in Kontakt steht. Die Nichtemissionsbereiche in benachbarten Unterpixeln können an verschiedenen Stellen ausgebildet sein. Zumindest zwei der Unterpixel für Rot, Grün und Blau können über Bereiche verfügen, die an verschiedenen Stellen ausgebildet sind. Die Unterpixel können in einer vertikalen Richtung angeordnet sein. Jedes der Unterpixel kann so ausgebildet sein, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist. Die Emissionsbereiche können durch Strukturieren eines organischen Materials für Rot, Grün und Blau hergestellt werden. Es ist ein Verfahren zum Herstellen eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils mit Folgendem geschaffen: Ausbilden eines roten, eines grünen und blauen Unterpixels, die auf einem Substrat in einer vertikalen Richtung angeordnet werden; Herstellen eines Schaltelements und eines mit diesem verbundenen Ansteuerelements in verschiedenen Nichtemissionsbereichen in mindestens zweien der Unterpixel für Rot, Grün und Blau; Herstellen einer Pixelelektrode für Verbindung mit der Drainelektrode des Ansteuerelements in jedem der Unterpixel für Rot, Grün und Blau; und Herstellen einer organischen Lichtemissionsschicht in einem Emissionsbereich der Unterpixel. Die Nichtemissionsbereich in benachbarten Unterpixeln können an verschiedenen Stellen hergestellt werden. Jedes der Unterpixel kann so hergestellt werden, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist. Mindestens eines der Unterpixel für Rot, Grün und Blau kann über einen Nichtemissionsbereich verfügen, der an einer anderen Stelle als denjenigen hergestellt wird, die in den anderen Unterpixeln hergestellt werden. Die in den Unterpixeln hergestellten Nichtemissionsbereiche können in Form eines Zickzackmusters vertikal hergestellt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und die in diese Anmeldung eingeschlossen sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen mindestens eine Ausführungsform der Erfindung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, das Prinzip derselben zu erläutern. In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt.
  • 1 zeigt ein herkömmliches organisches Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD);
  • 2 ist eine Draufsicht, die ein Dünnschichttransistor(TFT)-Array bei einem herkömmlichen organischen Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD) zeigt;
  • 3A bis 3C zeigen Anordnungen von Unterpixeln in einem herkömmlichen organischen Elektrolumineszenz-Bauteil;
  • 4 ist eine Draufsicht zum Veranschaulichen einer Pixelstruktur bei einem RGB-Ansteuerungsmodus mit vertikaler Anordnung bei einem organischen Elektrolumineszenz-Bauteil;
  • 5 ist ein Schaltbild, das ein in einem Nichtemissionsbereich in einem Pixel des organischen Elektrolumineszenz-Bauteils der 4 hergestelltes Ansteuerelement zeigt;
  • 6A zeigt eine Anordnung von Unterpixeln in einem Pixel eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils gemäß der Erfindung; und
  • 6B und 6C zeigen Anordnungen von Unterpixeln in einem Pixel eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Nun wird detailliert auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen Beispiele dargestellt sind. Wo immer es möglich ist, sind in allen Zeichnungen dieselben Bezugszahlen dazu verwendet, dieselben oder ähnliche Teile zu kennzeichnen.
  • Die 4 ist eine Draufsicht zum Veranschaulichen einer Pixelstruktur bei einem RGB-Ansteuerungsmodus mit vertikaler Anordnung bei einem organischen Elektrolumineszenz-Bauteil (OELD).
  • Wie es in der 4 dargestellt ist, verfügt ein Pixel beim RGB-Ansteuerungsmodus mit vertikaler Anordnung bei einem OELD gemäß der vorliegenden Ausführungsform über eine Vielzahl von Unterpixeln SP für Rot R, Grün G und Blau B, die in einem Streifenmodus vertikal angeordnet sind. Jedes der Unterpixel für R, G und B ist so ausgebildet, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist. Das Unterpixel SP ist mit einem Emissionsbereich E und einem Nichtemissionsbereich X konfiguriert. Der Emissionsbereich E zeigt die Farben Rot, Grün und Blau an. Der Emissionsbereich E wird durch Strukturieren eines zugehörigen organischen Materials hergestellt. Im Nichtemissionsbereich X sind ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) 104 und ein Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) 105 ausgebildet.
  • In der 4 kennzeichnen D_1, D_2, D_3, D_4 und D_M Datensignalleitungen (Datenleitung 102), während G_R1, G_R2, G_R3, ..., G_Rn, G_G1, G_G2, G_G3, ... und G_Gn sowie G_B1, G_B2, G_B3, ..., G_Bn Scanleitungen zum Liefern eines Scansignals an jedes der Unterpixel für Rot, Grün und Blau, die eine Gateleitung 101 bilden, bezeichnen.
  • Die Datenleitungen 102 (D_1, D_2, D_3, D_4, ..., D_m) sind entlang einer Seite des Pixels angeordnet. Der Schalt-Dünnschichttransistor 104 und der Treiber-Dünnschichttransistor 105 sind an einer Seite der Datenleitung 102 ausgebildet.
  • Beim RGB-Ansteuerungsmodus mit vertikaler Anordnung beim organischen Elektrolumineszenz-Bauteil gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Unterpixel in einer vertikalen Richtung angeordnet und jedes derselben verfügt über eine horizontale Seite, die länger als eine vertikale Seite ist. Das Pixel empfängt über die Datenleitung 102 ein Signal, und dieses wird gleichzeitig an die Unterpixel für Rot, Grün und Blau geliefert. Eine derartige Struktur der Pixel gemäß der vorliegenden Ausführungsform erfordert eine kleinere Anzahl von D-ICs und Stiften, um das Signal an die Unterpixel zu liefern. Daher sind die zugehörigen Herstellkosten bei der vorliegenden Ausführungsform verringert.
  • Der Schalt-TFT 104 und der Treiber-TFT 105 sind im Nichtemissionsbereich X ausgebildet. Da der Nichtemissionsbereich X über mehrere Dünnschichttransistoren in einem Pixelbereich und eine sich dazwischen erstreckende Spannungsleitung 103 verfügt, belegt er einen großen Anteil des Pixelbereichs.
  • Wenn die Nichtemissionsbereiche X symmetrisch und regelmäßig in den Unterpixeln angeordnet sind, kann die Bildqualität beeinträchtigt sein. Um eine Beeinträchtigung der Bildqualität zu verhindern, werden die Nichtemissionsbereiche gemäß der vorliegenden Ausführungsform asymmetrisch und unregelmäßig in den Unterpixeln angeordnet.
  • Wenn beispielsweise der Nichtemissionsbereich X an der unteren, rechten Seite des roten Unterpixels ausgebildet ist, ist ein Nichtemissionsbereich X an der unteren, linken Seite des grünen Unterpixels ausgebildet, das vertikal zum roten Unterpixel benachbart ist. Auch ist ein Nichtemissionsbereich X an der unteren, rechten Seite des blauen Unterpixels ausgebildet, das vertikal zum grünen Unterpixel benachbart ist.
  • Wie oben beschrieben, sind die Nichtemissionsbereiche X beim RGB-Modus mit vertikaler Anordnung eines OELD gemäß der vorliegenden Ausführungsform asymmetrisch in den Unterpixeln für Rot, Grün und Blau angeordnet.
  • Die 5 ist ein Schaltbild, das ein Ansteuerelement zeigt, wie es in einem Nichtemissionsbereich im Pixel des organischen Elektrolumineszenz-Bauteils der 4 ausgebildet ist.
  • Wie es in der 5 dargestellt ist, verfügt das Pixel des organischen Elektrolumineszenz-Bauteils gemäß der vorliegenden Ausführungsform über einen Schalt-TFT 104, einen Treiber-TFT 105, einen Speicherkondensator 106 und eine Emissionsdiode 107.
  • Die Gateelektrode des Schalt-TFT 104 ist mit einer Gateleitung 101 verbunden, und seine Sourceelektrode ist mit einer Datenleitung 102 verbunden.
  • Die Drainelektrode des Schalt-TFT 104 ist mit der Gateelektrode des Treiber-TFT 105 verbunden, und die Drainelektrode des Treiber-TFT 105 ist mit der Anodenelektrode der Emissionsdiode 107 verbunden.
  • Die Sourceelektrode des Treiber-TFT 105 ist mit einer Spannungsleitung verbunden, und die Kathodenelektrode der Emissionsdiode 107 ist geerdet.
  • Der Speicherkondensator 106 ist mit der Gateelektrode und der S Sourceelektrode des Treiber-TFT 105 verbunden.
  • Daher wird der Schalt-TFT 104 eingeschaltet, wenn ein Signal über die Gateleitung 101 zugeführt wird, und ein Bildsignal von der Datenleitung 102 wird über ihn im Speicherkondensator 106 eingespeichert. Das Bildsignal steuert den Treiber-TFT 105 dadurch an, dass es an die Gateelektrode desselben übertragen wird. Im Ergebnis emittiert die Emissionsdiode 107 Licht. Hierbei wird ihre Helligkeit durch Steuern des zu ihr fließenden Stroms gesteuert.
  • Obwohl der Schalt-TFT 104 ausgeschaltet ist, steuert die im Speicherkondensator 106 gespeicherte Spannung den Treiber-TFT 105 an. Daher emittiert die Emissionsdiode 107 dadurch dauernd Licht, dass sie den im Speicherkondensator 106 gespeicherten Strom erhält, bis ein nächstes Bildsignal einer nächsten Szene eingegeben wird.
  • Der beschriebene Nichtemissionsbereich kann an verschiedenen Stellen in den Unterpixeln ausgebildet sein.
  • Die 6A zeigt eine Anordnung von Unterpixeln in einem Pixel eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils gemäß der Erfindung.
  • Die 6B und 6C zeigen Anordnungen von Unterpixeln in einem Pixel eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils.
  • Gemäß den 6A bis 6C verfügt ein Pixel beim RGB-Ansteuermodus mit vertikaler Anordnung beim OELD über eine Vielzahl von Unterpixeln SP für Rot R, Grün G und Blau B, die vertikal in einem Streifenmodus angeordnet sind. Jedes der Unterpixel für R, G und B ist so ausgebildet, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist.
  • Jedes der Unterpixel verfügt über einen Emissionsbereich und einen Nichtemissionsbereich. Der Emissionsbereich zeigt die Farben Rot, Grün und Blau an. Der Emissionsbereich wird durch Strukturieren eines entsprechenden organischen Materials hergestellt. Der Nichtemissionsbereich verfügt über einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und einen Treiber-TFT.
  • Wie es in der 6A dargestellt ist, sind die Nichtemissionsbereiche X an der rechten Seite eines roten Unterpixels, im Zentrum eines grünen Unterpixels und an der linken Seite eines blauen Unterpixels ausgebildet.
  • Wie es in den 6A und 6C dargestellt ist, ist mindestens einer der Nichtemissionsbereiche X an einer anderen Seite von Unterpixeln ausgebildet.
  • D. h., dass die Nichtemissionsbereiche X unregelmäßig an den Unterpixeln ausgebildet sind, um optische Interferenz zu minimieren. Eine derartige Struktur der Nichtemissionsbereiche kann eine Beeinträchtigung der Bildqualität verhindern. Beispielsweise wird dadurch eine blockweise Abdunklung verhindert, wie sie regelmäßig in der Anzeige auftritt.
  • Beim RGB-Ansteuermodus mit vertikaler Anordnung beim organischen Elektrolumineszenz-Bauteil gemäß der Erfindung sind mehrere Unterpixel vertikal angeordnet, wobei jedes derselben über eine horizontale Seite verfügt, die länger als die vertikale Seite ist, und wobei das über die Datenleitung an die Pixel gelieferte Signal gleichzeitig an die Unterpixel für Rot, Grün und Blau geliefert wird. Eine derartige Pixelstruktur gemäß der Erfindung benötigt eine kleinere Anzahl von D-ICs und Stiften. Daher können die zugehörigen Herstellkosten gesenkt werden.
  • Beim RGB-Ansteuermodus mit vertikaler Anordnung beim organischen Elektrolumineszenz-Bauteil gemäß der Erfindung sind die Nichtemissionsbereiche X unregelmäßig an den Unterpixeln ausgebildet, um optische Interferenz zu minimieren. Eine derartige Struktur der Nichtemissionsbereiche kann die Bildqualität dadurch verbessern, dass eine blockweise Abdunklung verhindert wird, wie sie regelmäßig in einer Anzeige auftritt.

Claims (6)

  1. Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil mit: – einer Vielzahl von Gateleitungen (101) und Datenleitungen (102), die einander schneidend auf einem Substrat angeordnet sind, um Unterpixel für Rot, Grün und Blau eines Pixels zu bilden; – einem Nichtemissionsbereich (X), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über ein Schaltelement (104) und ein Ansteuerelement (105) verfügt; und – einem Emissionsbereich (E), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über eine Pixelelektrode verfügt, die mit dem entsprechenden Ansteuerelement (105) verbunden ist, wobei jedes Schaltelement (104) und Ansteuerelement (105) durch einen Dünnschichttransistor mit einer Gateelektrode, einer aktiven Schicht, einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode konfiguriert ist, wobei die Drainelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer Anodenelektrode einer Emissionsdiode (107) und die Sourceelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer parallel zu einer Datenleitung (102) verlaufenden Spannungsleitung (103) verbunden ist, wobei jedes der Unterpixel für Rot, Grün und Blau so ausgebildet ist, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist, und wobei die horizontale Seite parallel zu den Gateleitungen (101) und die vertikale Seite parallel zu den Datenleitungen (102) verläuft, und wobei die Nichtemissionsbereiche (X) benachbart zu den jeweilig zugehörigen Gateleitungen (101) an der rechten Seite eines roten Unterpixels, im Zentrum eines grünen Unterpixels und an der linken Seite eines blauen Unterpixels ausgebildet sind, um eine blockweise Abdunklung durch die Nichtemissionsbereiche (X) zu verhindern.
  2. Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Unterpixel für Rot, Grün und Blau in einer vertikalen Richtung angeordnet sind.
  3. Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Emissionsbereiche (E) dadurch ausgebildet sind, dass ein organisches Material für Rot, Grün und Blau strukturiert ist.
  4. Verfahren zum Herstellen eines organischen Elektrolumineszenz-Bauteils, das Folgendes beinhaltet: – Ausbilden einer Vielzahl von Gateleitungen (101) und Datenleitungen (102), die einander schneidend auf einem Substrat angeordnet sind, um Unterpixel für Rot, Grün und Blau eines Pixels zu bilden; – Ausbilden eines Nichtemissionsbereichs (X), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über ein Schaltelement (104) und ein Ansteuerelement (105) verfügt; und – Ausbilden eines Emissionsbereichs (E), der in jedem der Unterpixel ausgebildet ist und über eine Pixelelektrode verfügt, die mit dem entsprechenden Ansteuerelement (105) verbunden ist, wobei bei dem Schritt des Ausbilden der Nichtemissionsbereiche (X) jedes Schaltelement (104) und Ansteuerelement (105) durch einen Dünnschichttransistor mit einer Gateelektrode, einer aktiven Schicht, einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode gebildet wird, wobei die Drainelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer Anodenelektrode einer Emissionsdiode (107) und die Sourceelektrode des Ansteuerelements (105) mit einer parallel zu einer Datenleitung (102) verlaufenden Spannungsleitung (103) verbunden wird, wobei jedes der Unterpixel für Rot, Grün und Blau so ausgebildet wird, dass es über eine horizontale Seite verfügt, die länger als eine vertikale Seite ist, und wobei die horizontale Seite parallel zu den Gateleitungen und die vertikale Seite parallel zu den Datenleitungen verläuft, und wobei die Nichtemissionsbereiche (X) benachbart zu den jeweilig zugehörigen Gateleitungen (101) an der rechten Seite eines roten Unterpixels, im Zentrum eines grünen Unterpixels und an der linken Seite eines blauen Unterpixels ausgebildet werden, um eine blockweise Abdunklung durch die Nichtemissionsbereiche (X) zu verhindern.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Unterpixel für Rot, Grün und Blau in einer vertikalen Richtung angeordnet werden.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei bei dem Ausbilden der Emissionsbereiche (E) diese aus einem organischen Material für Rot, Grün und Blau gebildet werden.
DE102006024448A 2005-05-31 2006-05-24 Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung Active DE102006024448B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0045920 2005-05-31
KR1020050045920A KR100683403B1 (ko) 2005-05-31 2005-05-31 유기전계발광소자 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006024448A1 DE102006024448A1 (de) 2007-02-15
DE102006024448B4 true DE102006024448B4 (de) 2013-03-28

Family

ID=36694700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006024448A Active DE102006024448B4 (de) 2005-05-31 2006-05-24 Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7710023B2 (de)
JP (1) JP4688732B2 (de)
KR (1) KR100683403B1 (de)
CN (1) CN100470828C (de)
DE (1) DE102006024448B4 (de)
FR (1) FR2886461B1 (de)
GB (1) GB2426864B (de)
TW (1) TWI348676B (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295192B1 (ko) 2006-06-29 2013-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP5470689B2 (ja) * 2007-08-30 2014-04-16 ソニー株式会社 表示装置
JP5672695B2 (ja) * 2009-12-18 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 表示装置
WO2012157536A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 シャープ株式会社 表示装置
CN103123927B (zh) * 2013-01-24 2015-05-06 昆山维信诺显示技术有限公司 用于oled显示屏的像素结构及其金属掩膜板
US9231032B2 (en) * 2013-12-24 2016-01-05 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
CN105448950B (zh) * 2014-08-11 2018-08-21 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管显示面板及显示面板的像素排列结构
KR102265610B1 (ko) * 2014-09-29 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
US9899456B2 (en) * 2015-05-01 2018-02-20 Emagin Corporation Large area OLED microdisplay and method of manufacturing same
JP6840948B2 (ja) 2016-07-25 2021-03-10 船井電機株式会社 液晶表示装置
KR102647372B1 (ko) * 2018-07-13 2024-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102541836B1 (ko) * 2020-09-02 2023-06-09 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2023000174A1 (zh) * 2021-07-20 2023-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN116456776B (zh) * 2023-04-27 2024-05-17 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19711967A1 (de) * 1996-03-30 1997-10-30 Samsung Electronics Co Ltd Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Wiedergabe dreidimensionaler Bilder
US20020070909A1 (en) * 2000-11-22 2002-06-13 Mitsuru Asano Active matrix type display apparatus
WO2004073356A1 (ja) * 2003-02-13 2004-08-26 Fujitsu Limited 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59111196A (ja) * 1982-12-15 1984-06-27 シチズン時計株式会社 カラ−表示装置
JP3346911B2 (ja) * 1994-09-17 2002-11-18 株式会社東芝 表示装置の駆動方法
KR100230793B1 (ko) * 1995-07-28 1999-11-15 김영환 엘씨디의구동방식
JP2000347617A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 画像表示装置
DE10025304A1 (de) 2000-05-22 2001-11-29 Bayer Ag Mischungen wässriger Bindemittel
JP2002008549A (ja) * 2000-06-27 2002-01-11 Nec Corp プラズマディスプレイパネル
JP2002032051A (ja) 2000-07-18 2002-01-31 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法、ならびに携帯端末
JP2002215063A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
KR100397877B1 (ko) * 2001-08-14 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자
JP4226867B2 (ja) * 2002-09-25 2009-02-18 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2004258488A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Seiko Epson Corp カラー表示装置及び電子機器
KR100936908B1 (ko) * 2003-07-18 2010-01-18 삼성전자주식회사 전계발광 디바이스의 박막 트랜지스터, 이를 이용한전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19711967A1 (de) * 1996-03-30 1997-10-30 Samsung Electronics Co Ltd Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Wiedergabe dreidimensionaler Bilder
US20020070909A1 (en) * 2000-11-22 2002-06-13 Mitsuru Asano Active matrix type display apparatus
WO2004073356A1 (ja) * 2003-02-13 2004-08-26 Fujitsu Limited 表示装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006338012A (ja) 2006-12-14
GB2426864B (en) 2007-08-22
KR20060124145A (ko) 2006-12-05
TW200705366A (en) 2007-02-01
JP4688732B2 (ja) 2011-05-25
FR2886461B1 (fr) 2011-02-18
TWI348676B (en) 2011-09-11
FR2886461A1 (fr) 2006-12-01
US20060267490A1 (en) 2006-11-30
US7710023B2 (en) 2010-05-04
DE102006024448A1 (de) 2007-02-15
KR100683403B1 (ko) 2007-02-15
CN1917228A (zh) 2007-02-21
GB2426864A (en) 2006-12-06
CN100470828C (zh) 2009-03-18
GB0610763D0 (en) 2006-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006024448B4 (de) Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102019134084B4 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit einem Durchgangsloch im Anzeigebereich
DE102005020939B4 (de) Organisches Elektrolumineszenz-Bauteil und Herstellverfahren für dieses
DE102005051818B4 (de) Activmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden sowie Herstellverfahren für ein solches
DE69927235T2 (de) Anzeigevorrichtung
DE102013114696B4 (de) Organische Leuchtdiodenbildschirmvorrichtung
DE10357472B4 (de) Organisches Doppeltafel-Elektrolumineszenzdisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
KR102198645B1 (ko) 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
DE102019128731A1 (de) Elektrolumineszierende Anzeigevorrichtung
DE112018003955T5 (de) Anzeigevorrichtung, verfahren zum herstellen der anzeigevorrichtung und eine elektronische vorrichtung
DE10359248A1 (de) Aktivmatrixvorrichtung mit organischen Lichtemissionsdioden sowie zugehöriger Dünnschichttransistor
CN109449183B (zh) 像素结构、显示面板及显示面板的控制方法
DE102020133833A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102018129464B4 (de) Lichtemittierende anzeigevorrichtung
DE102016125867A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102019134179A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE112017004482T5 (de) Displayeinrichtung und Elektronikeinrichtung
DE102021122709A1 (de) Anzeigetafel, anzeigevorrichtung, die die tafel enthält, und verfahverfahren zum herstellen der tafel
DE10150836B4 (de) Organisches Farb-EL-Display
DE102021134086A1 (de) Lichtdurchlässige anzeigevorrichtung
DE102018127255B4 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung
DE102022134935B4 (de) Anzeigetafel und anzeigevorrichtung und mobiles endgerät, die sie enthalten
DE102014114778A1 (de) Pixel-elementstruktur, array-struktur und anzeigevorrichtung
DE112022007739T5 (de) Anzeigesubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE112021004938T5 (de) Pixelstruktur, Ansteuerungsverfahren dafür, Anzeigetafel und Anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWAELTE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130629

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027320000

Ipc: H10K0059000000