CN118355331A - 光源装置 - Google Patents

Abstract

提供一种能够提高由能量束生成的等离子体的发光效率的光源装置。有关本发明的一形态的光源装置是通过能量束将液体原料等离子体化而将放射线取出的光源装置，具备旋转体、原料供给部和膜厚调整部。上述旋转体被配置在上述能量束入射的位置处，具有与上述能量束的入射区域重叠地设置的槽部。上述原料供给部对上述槽部供给上述液体原料。上述膜厚调整部调整上述液体原料的膜厚，以使得在上述能量束的入射区域上述液体原料的表面成为与上述槽部对应的凹面。

Description

光源装置

技术领域

本发明涉及能够应用于X射线或极紫外光等的射出的光源装置。

背景技术

以往，X射线被用于医疗用用途、工业用用途、研究用用途。在医疗用领域，X射线被用于胸部X射线相片摄影、牙科X射线相片摄影、CT(Computer Tomogram)之类的用途。

在工业用领域，X射线被用于观察构造物、焊接部等的物质内部的非破坏检查、断层非破坏检查之类的用途。

在研究用领域中，X射线被用于用来将物质的结晶构造解析的X射线衍射、用来分析物质的构成元素的X射线分光(荧光X射线分析)之类的用途。

X射线能够使用X射线管产生。

X射线管在其内部中具有一对电极(阳极、阴极)。如果使电流流到阴极灯丝中并加热，对阳极与阴极间施加高电压，则从灯丝产生的负的热电子高速地碰撞到处于阳极表面的靶极上，从该靶极产生X射线。

此外，在X射线管中，已知有将阳极侧的靶极作为液体金属喷射器、通过对该靶极照射电子束而将高亮度的X射线取出的技术。

X射线中的处于波长比较长的软X射线区域中的波长13.5nm的极紫外光(以下也称作“EUV(Extreme Ultra Violet)光”)近年来被用作曝光光。

这里，构成微细样式的EUV光刻用的掩模的基材是作为层叠构造而在由低热膨胀性玻璃构成的基板之上设有用于使EUV光反射的多层膜(例如，钼和硅)的反射镜。

并且，通过在多层膜上布图将波长13.5nm的放射线吸收的材料布图，构成EUV掩模。

如果EUV掩模的不能容许的缺陷的大小与以往的ArF掩模的情况相比大幅变小，则难以检测到。

所以，作为EUV掩模的检查，通常进行被称作光化检查(Actinic inspection)，进行使用与光刻的作业波长一致的波长的放射线的检查。

例如，如果使用波长13.5nm的放射线进行检查，则能够以比l0nm更好的解析力来检测缺陷。

一般作为EUV光源装置可以举出DPP(Discharge Produced Plasma)光源装置、LDP(Laser Assisted Discharge Produced Plasma)光源装置及LPP(Laser ProducedPlasma)光源装置。

DPP方式的EUV光源装置是对被供给了包含EUV放射种(气相的等离子体原料)的放电气体的电极间施加高电压而通过放电生成高密度高温等离子体、利用从这里放射的极紫外光的装置。

LDP光源装置是将DPP光源装置改良而成的，例如是以下这样的装置：对产生放电的电极(放电电极)表面供给包含EUV放射种的液体状的高温等离子体原料(例如，Sn(锡)、Li(锂)等)，对该原料照射激光束等的能量束(例如，电子束、激光束等)而将该原料气化，然后，通过放电来生成高温等离子体。

LPP光源装置是通过将激光对于作为EUV放射用靶极材料的被以微小的液滴状喷出的锡(Sn)或锂(Li)等的微滴聚光、将该靶极材料激励而产生等离子体的装置。

这样，作为产生处于软X射线区域中的EUV光的EUV光源装置，可以使用DPP方式(LDP方式)或LPP方式的光源装置。

另一方面，在EUV光源装置中，DPP方式(LDP方式)的装置由于最终通过电极间的放电来生成等离子体，所以容易产生起因于EUV原料的碎片。

LPP方式的装置由于以作为EUV原料的微细的锡的微滴为靶极，使激励用激光聚光于其上，所以光源的构造复杂。此外，难以将锡的微滴稳定地滴落/供给，难以稳定地生成EUV光。

在专利文献1中，提出了对圆盘状的旋转体涂布液体状的X射线产生用的靶极原料、对该涂布的液体状原料照射能量束(激光束)来得到X射线的方法。根据该方法，能够以比较简单的结构得到高亮度的X射线。

在将专利文献1所记载的方法应用于EUV光源装置的情况下，虽然相当于所谓LPP方式，但不需要将液体状的EUV原料作为微滴供给。因此，EUV原料供给较容易，并且能够可靠地对液体状的EUV原料照射激光束，能够以比较简单的结构的装置得到EUV放射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第6658324号公报

专利文献2：日本特许第4893730号公报

发明内容

发明要解决的课题

在使用能量束使原料气化而产生等离子体的情况下，有时气化的原料的空间上的扩散等与放射线的强度有关。

例如在专利文献2所记载的LDP方式的光源装置中，在两个放电电极之间通过能量束使原料气化，对各电极施加高电压而生成放电等离子体。此时，通过使用能量束或棒状部件在原料的表面上形成凹部，抑制气化的原料的空间上的扩散，有效率地产生放电等离子体。

另一方面，在如专利文献1那样使用旋转体的LPP方式中，用能量束使液体状原料气化，通过对该气化的原料继续照射能量束，将原料加热激励，生成高温等离子体。如果该高温等离子体的密度较低，则可以想到发光效率会下降。因此，要求提高由能量束生成的等离子体的发光效率的技术。

鉴于以上这样的情况，本发明的目的是提供一种能够提高由能量束生成的等离子体的发光效率的光源装置。

用来解决课题的手段

为了达成上述目的，有关本发明的一技术方案的光源装置是通过能量束将液体原料等离子体化而将放射线取出的光源装置，具备旋转体、原料供给部和膜厚调整部。

上述旋转体被配置在上述能量束入射的位置处，具有与上述能量束的入射区域重叠地设置的槽部。

上述原料供给部对上述槽部供给上述液体原料。

上述膜厚调整部调整上述液体原料的膜厚，以使得在上述能量束的入射区域中上述液体原料的表面成为与上述槽部对应的凹面。

在该光源装置中，在配置在能量束入射的位置处的旋转体上，以与能量束的入射区域重叠的方式设置槽部，对于槽部供给液体原料。调整该液体原料的膜厚，在能量束的入射区域中，在液体原料的表面上形成与槽部对应的凹面。由该凹面限制原料在气化时膨胀的方向，能够提高由能量束生成的等离子体的发光效率。

上述槽部也可以被设置在面向上述旋转体的旋转轴的位置处。

上述旋转体也可以具有圆盘状的旋转体主体。在此情况下，上述槽部也可以被设置在上述旋转体主体的一方的主面上。

上述槽部也可以是沿着上述旋转体主体的径向的截面形状为三角形、矩形或圆弧形的环状的槽。

上述膜厚调整部也可以包括削刮器，所述削刮器从上述旋转体独立地被固定在上述槽部的正上方，将与上述旋转体一起旋转的上述液体原料的一部分削掉。

上述削刮器也可以是将上述旋转体的外缘夹入的沟槽构造的部件。

上述削刮器也可以与设有上述槽部的上述旋转体的表面接触而配置。

上述膜厚调整部也可以包括对使上述旋转体旋转的驱动部进行控制的旋转控制部。

上述旋转体也可以包括圆盘状的旋转体主体和罩部，所述罩部在上述旋转体主体的一方的主面上从该主面隔开规定的间隔而配置，以环状设有用来使上述能量束穿过的开口部。

上述槽部也可以设在上述旋转体主体的配置有上述罩部的主面上。在此情况下，上述罩部的开口部也可以以与上述槽部重叠的方式配置。

上述旋转体主体的配置有上述罩部的主面也可以是平坦面。在此情况下，上述槽部也可以是上述罩部的开口部。

上述槽部的开口宽度也可以在上述能量束的束斑尺寸的1倍以上10倍以下的范围中设定。

上述旋转体也可以具有将旋转轴包围的内周面。在此情况下，上述槽部也可以设在上述内周面上。

上述光源装置也可以还具备开口有上述能量束及上述放射线的路径、收容上述旋转体的壳体部。

上述放射线也可以是X射线或极紫外光。

发明效果

根据本发明，能够提高由能量束生成的等离子体的发光效率。

附图说明

图1是表示有关本发明的一实施方式的光源装置的结构例的示意图。

图2是表示原料供给机构的结构例的示意图。

图3是表示能够应用于光源装置的容器的另一结构例的示意图。

图4是表示旋转体的结构例的示意图。

图5是用来说明被供给到旋转体的等离子体原料的分布的示意图。

图6是用来说明高温等离子体的分布的示意图。

图7是表示槽部的截面形状的一例的示意图。

图8是表示槽部的截面形状与能量束的关系的示意图。

图9是表示削刮器的另一结构例的示意图。

图10是表示削刮器的俯视结构的一例的示意图。

图11是表示具备罩部的旋转体的结构例的示意图。

图12是表示具备罩部的旋转体的另一结构例的示意图。

图13是表示有关其他实施方式的旋转体的结构例的示意图。

图14是表示有关其他实施方式的旋转体的结构例的示意图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本发明的实施方式。

[光源装置的基本结构]

图1是表示有关本发明的一实施方式的光源装置的结构例的示意图。

图1是从上方观察将光源装置1在距设置面为规定的高度的位置处沿着水平方向切断的情况下的示意性的截面的情况的图。

在图1中，为了容易理解光源装置1的结构及动作，关于不需要说明截面的结构等的部分省略了截面的图示。

以下，将X方向设为左右方向(X轴的正侧为右侧，负侧为左侧)，将Y方向设为前后方向(Y轴的正侧为前方侧，负侧为后方侧)，将Z方向设为高度方向(Z轴的正侧为上方侧，负侧为下方侧)而进行说明。

当然，关于本技术的应用，并不限定使用光源装置1的朝向等。

光源装置1是用能量束EB使等离子体原料23等离子体化而取出放射线R的LPP方式的光源装置。光源装置1例如能够放出从波长30nm以下的硬X射线到软X射线(包含EUV光)的放射线R。

因而，可以将光源装置1作为X射线产生装置或EUV光源装置(EUV放射产生装置)使用。当然，也能够将本技术应用于射出其他波长带的放射线的光源装置。

光源装置1包括箱体2、真空室3、能量束入射室4、放射线射出室5、原料供给机构6和控制部7。

箱体2其大体的外形被构成为立方体形状。

箱体2具有形成在前方面上的射出孔8、形成在右侧面上的入射孔9、形成在后方面上的两个贯通孔10及11和形成在左侧面上的贯通孔12。

箱体2的材料没有被限定，例如使用金属制的箱体。

在本实施方式中，以经过前方面的射出孔8在Y方向(前后方向)上延伸的方式设定放射线R的射出轴EA。X射线やEUV光等的放射线R被沿着射出轴EA取出，从射出孔8朝向前方侧放出。

此外，在本实施方式中，以从右侧面的入射孔9朝向后方侧向左斜方延伸的方式设定能量束EB的入射轴IA。

如图1所示，在箱体2的外部设置射出能量束EB的束源13。束源13被设置为，使得能量束EB沿着入射轴IA入射到箱体2的内部中。

作为能量束EB，可以使用电子束、激光束。作为束源13的结构，可以采用能够射出这些能量束EB的任意的结构。

真空室3、能量束入射室(以下，单记作入射室)4及放射线射出室(以下，仅记作射出室)5相互在空间上连接。即，真空室3和入射室4被相互连结。同样，真空室3和射出室5被相互连结。

在本实施方式中，由室主体14、从室主体14的前方面向前方侧突出的外侧突出部15和从室主体14的内周面向内部侧突出的两个内侧突出部16及17构成真空室3、入射室4和射出室5。

作为室主体14、外侧突出部15及两个内侧突出部16及17的材料，例如使用金属材料。

室主体14其大致的外形被构成为长方体形状，以前后左右的各面与箱体2的前后左右的各面分别对置的方式配置。

此外，室主体14以前方面与右侧面之间的右前角部位于能量束EB的入射轴IA上的方式配置。

如图1所示，在室主体14的前方面上形成射出孔18。射出孔18被形成于在放射线R的射出轴EA上与箱体2的前方面的射出孔8排列的位置。

以从室主体14的射出孔18的周缘部向前方侧突出的方式构成外侧突出部15。外侧突出部15以比箱体2的射出孔8向前方侧较大地突出的方式构成，以与箱体2的射出孔8内接。

此外，在室主体14的内部侧，以从射出孔18的周缘部向内部侧突出的方式构成内侧突出部16。

被外侧突出部15及内侧突出部16包围的空间作为射出室5发挥功能。也可以将作为构成射出室5的部件的外侧突出部15及内侧突出部16自身称作射出室。

外侧突出部15及内侧突出部16既可以与室主体14一体地形成，也可以在单独地形成后与室主体14连接。

射出室5以放射线R的射出轴EA为中心轴被构成为圆锥形。射出室5构成为，在放射线R的射出轴EA的方向上，中央部分的截面积较大，随着向前后的端部接近而截面积变小。即，射出室5为随着向前后的端部接近而被减小那样的形状。

在室主体14的右前角部，形成有入射窗19。入射窗19被形成于在能量束EB的入射轴IA上与箱体2的右侧面的入射孔9排列的位置处。

此外，在室主体14的右前角部的内部侧，以从将入射窗19包围的位置沿着能量束EB的入射轴IA的方向突出的方式构成内侧突出部17。

室主体14的内部空间中的被内侧突出部17包围的空间作为入射室4发挥功能。也可以将构成入射室4的内侧突出部17及室主体14的右前角部的部分自身称作入射室。

内侧突出部17既可以与室主体14一体地形成，也可以在单独地形成后与室主体14连接。

入射室4以能量束EB的入射轴IA为中心轴被构成为圆锥形。入射室4构成为，在能量束EB的入射轴IA的方向上随着向室主体14的内部侧的端部接近而截面积变小。即，入射室4为随着向内部侧的端部接近而被减小那样的形状。

室主体14的内部空间中的除了作为射出室5发挥功能的内侧突出部16的内部空间以及作为入射室4发挥功能的内侧突出部17的内部空间以外的空间作为真空室3发挥功能。也可以将构成真空室3的部分自身称作真空室。

如图1所示，室主体14具有从箱体2的左侧面的贯通孔12向箱体2的外部突出的部分，其前端与排气用泵20连接。

由排气用泵20将真空室3内排气，将真空室3减压。由此，在真空室3内生成的放射线R的衰减被抑制。

真空室3内只要相对于入射室4及射出室5是减压环境即可，也可以并不一定是真空环境。此外，也可以对真空室3内供给惰性气体。

排气用泵20的具体的结构没有被限定，可以使用真空泵等任意的泵。

原料供给机构6是用来在真空室3内的等离子体生成区域21中生成等离子体P、放出放射线R(X射线、EUV光)的机构。

原料供给机构6包括被配置在真空室3的内部中的、收容原料供给用的圆盘状的旋转体50以及液相的等离子体原料(放射线原料)23的容器24。

如图1所示，在圆盘状的旋转体50上，设定有能量束EB入射的入射区域25。旋转体50以入射区域25被配置在入射轴IA与射出轴EA的交点的位置处的方式被配置在真空室3内。

对于旋转体50的入射区域25供给等离子体原料23，通过能量束EB入射到入射区域25中，生成等离子体P。

真空室3内的生成等离子体P的区域(空间)为等离子体生成区域21。因而，等离子体生成区域21为与旋转体50的入射区域25的位置对应的区域。

关于原料供给机构6的详细情况在后面叙述。

控制部7对光源装置1具有的各构成要素的动作进行控制。

例如，由控制部7对束源13及排气用泵20的动作进行控制。此外，由控制部7对后面说明的各种马达、等离子体原料循环装置、外部电压源等的动作进行控制。

控制部7具有例如CPU、存储器(RAM、ROM)等计算机所需要的硬件电路。通过CPU将存储在存储器中的控制程序装载到RAM中并执行，执行各种处理。

作为控制部7，也可以使用例如FPGA(Field Programmable Gate Array)等的PLD(Programmable Logic Device)、其他ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等设备。

在图1中，将控制部7示意地图示为功能块，但构成控制部7的位置等可以任意地设计。

在本实施方式中，通过控制部7的CPU执行有关本实施方式的程序，执行有关本实施方式的等离子体生成方法及放射线射出方法。

以下，对于构成光源装置1的各种室及原料供给机构6详细地进行说明。

[入射室]

入射室4在室主体14的右前角部由内侧突出部17构成。在室主体14的右前角部，配置有入射窗19，从束源13射出的能量束EB经过入射窗19并沿着入射轴IA入射到入射室4的内部中。

另外，能量束EB的入射轴IA也可以说是入射到入射室4的内部中的能量束EB的光轴(主轴)。

入射窗19由能够使能量束EB透过的材料构成，以能够耐受入射室4的内外的压力差的厚度设计。

在能量束EB为电子束的情况下，例如可以使用钛、铝之类的金属膜。

在能量束EB为激光束的情况下，例如可以使用玻璃材料(石英玻璃)。

除此以外，可以使用能够使能量束EB透过的任意的材料。

内侧突出部17朝向旋转体50的表面51a的入射区域25突出，在突出侧的前端上形成有入射侧小孔26。

入射侧小孔26在能量束EB的入射轴IA上以与入射窗19排列的方式配置。

入射侧小孔26使能量束EB从入射室4入射到真空室3内。即，从入射窗19沿着入射轴IA行进的能量束EB经过入射侧小孔26入射到配置在真空室3内的旋转体50上。

在入射室4的内部中，配置用来将飞散的等离子体原料23或碎片捕捉的捕捉机构。

在图1所示的例子中，作为捕捉机构，配置有使能量束EB透过、将等离子体原料23或碎片捕捉的作为板状的旋转部件的旋转式窗27。旋转式窗27例如被构成为圆盘状。

在旋转式窗27的中心部安装着省略了图示的马达的旋转轴。通过马达使旋转轴旋转，旋转式窗27旋转。马达被控制部7驱动控制。

马达被形成在箱体2的外部，旋转轴穿过形成在箱体2及室主体14上的未图示的贯通孔与旋转式窗27连接。在将旋转轴向室主体14导入时使用机械工具，在维持入射室4内的环境(后述的气体环境)的同时，容许旋转式窗27的旋转。

此外，使旋转式窗27旋转的旋转轴被配置在能量束EB的与入射轴IA偏移的位置处。由此，能量束EB不与旋转式窗27的旋转轴干涉，能够穿过旋转式窗27的束透过区域而行进。

通过使旋转式窗27旋转，能够使旋转式窗27的束透过区域的实质上的面积增大，能够实现旋转式窗27的长寿命化，能够降低旋转式窗27的交换频率。

如图1所示，在室主体14中，以与入射室4连结的方式设置有气体注入路28。经由气体注入路28，从省略了图示的气体供给装置对入射室4内供给气体。

被供给的气体是对于能量束EB透过率较高的气体，例如采用氩(Ar)、氦(He)之类的惰性气体等。

为了使入射室4的内部的压力增加而供给气体。即，通过从气体注入路28对入射室4内供给气体，能够将入射室4的内部压力维持为与真空室3的内部压力相比充分高的压力。

内侧突出部17由随着向突出侧(形成有入射侧小孔26的一侧)前进而截面积变小的圆锥形构成。并且，在其前端部上设有入射侧小孔26。由此，成为有利于供给气体使入射室4的内部压力增加的结构。此外，通过将内侧突出部17构成为圆锥形，能够减小内侧突出部17在室主体14内占据的空间，能够使其他部件的配置设计等的自由度提高。结果，能够实现装置的小型化。

[射出室]

射出室5由以射出轴EA为中心轴的圆锥形构成，在前方侧的端部(外侧突出部15的前方侧的端部)上连接着掩模检查装置等的利用装置。在图1所示的例子中，作为形成利用装置的一部分的室，连接着应用室30。

应用室30内的压力也可以是大气压。此外，应用室30的内部也可以根据需要而从气体注入路31导入气体(例如惰性气体)来进行清洗。此外，也可以将应用室30的内部的气体用省略了图示的排气机构排气。

如图1所示，在外侧突出部15中，以与射出室5连结的方式设置气体注入路32。经由气体注入路32从省略了图示的气体供给装置对射出室5内供给气体。

供给的气体是对于放射线R透过率较高的气体，例如采用氩、氦之类的惰性气体等。

氩、氦可以作为对于能量束EB及放射线R这两者透过率较高的气体使用。因而，也可以对入射室4及射出室5这两者供给相同的气体。

在此情况下，由于能够共通地使用气体供给装置，所以能够实现装置的简单化。当然，作为对入射室4供给的气体和对射出室5供给的气体也可以使用相互不同的气体。

也可以为了使射出室5的内部的压力增加而供给气体。即，通过从气体注入路32对射出室5内供给气体，能够将射出室5的内部压力维持为与真空室3的内部压力相比充分高的压力。

在射出室5的内部中，配置有用来将入射到射出室5内的放射线R导光并聚光到利用装置内(应用室30内)的集光器(聚光镜)33。在图1中，将入射到射出室5中并被聚光的放射线R的成分用阴影图示。

集光器33的外表面以冷却和对位的目的与射出室5的内表面(外侧突出部15的内表面)接触。

作为集光器33，例如使用单壳的斜入射反射镜。集光器33主体由金属部件(例如铝(Al)、镍(Ni)、不锈钢)构成。

集光器33的内侧的反射面的反射涂层是任意的，但作为将放射线R反射的反射涂层材料，例如优选的是钌(Ru)。

另外，也可以代替将集光器33做成在主体上涂层有昂贵的Ru的构造，而将其构成为，使主体为玻璃(二氧化硅：SiO2)，将内侧研磨而形成放射线反射面。

该玻璃制集光器虽然反射面的反射率与被施以了Ru涂层的金属部件制集光器相比反射率较低，但与该Ru涂层集光器相比材料成本非常低，能够进行频繁的更换。

构成射出室5的内侧突出部16朝向旋转体50的表面51a的入射区域25突出，在突出侧的前端上形成有射出侧小孔34。

射出侧小孔34在放射线R的射出轴EA上以与室主体14的射出孔18及箱体2的射出孔8排列的方式配置。

射出侧小孔34使放射线R从真空室3入射到射出室5内。即，从等离子体P放出的放射线R的一部分穿过射出侧小孔34入射到集光器33中。由集光器33将放射线R导光，在应用室30内聚光。

通过适当设计射出侧小孔34的开口面积，能够对入射到集光器33中的放射线R的发散角进行控制。

另外，放射线R的射出轴EA也可以说是被从等离子体P取入到射出室5内的放射线R的光轴(主轴)。

内侧突出部16由随着向突出侧(形成有射出侧小孔34的一侧)前进而截面积变小的圆锥形构成。因而，也可以将内侧突出部16称作集光器圆锥。

由于在由圆锥形构成的内侧突出部16的前端部上设有射出侧小孔34，所以成为有利于供给气体而使射出室5的内部压力增加的结构。

此外，通过将内侧突出部16构成为圆锥形，能够在室主体14内减小内侧突出部16占据的空间，能够使其他部件的配置设计等的自由度提高。结果，能够实现装置的小型化。

如图1所示，在射出室5与应用室30之间设有过滤膜35。

过滤膜35是用来将真空室3内的等离子体生成区域21和应用室30物理地分离(物理地将空间分离)的，防止飞散的等离子体原料23或碎片向应用室30的进入。

过滤膜35由使在等离子体生成区域21中产生的放射线R透过的材料构成。在放射线R为X射线的情况下，过滤膜35例如由对于X射线的透过率非常高的铍薄膜构成。在放射线R为EUV光的情况下，例如由锆(Zr)构成。

另外，射出室5内虽然被供给气体，但由于与真空室3在空间上连接，所以是减压环境。另一方面，应用室30内也可以如上述那样是大气压。

在此情况下，在射出室5与应用室30之间产生压力差。由此，过滤膜35的厚度为能够耐受该压力差的厚度。即，过滤膜35构成为，不破坏与真空室3在空间上连接的射出室5内的减压环境。

在射出室5的内部中配置有遮蔽部件(中央掩蔽部)36。

遮蔽部件36在放射线R的射出轴EA上以与室主体14的射出孔18、箱体2的射出孔8及过滤膜35排列的方式配置。

在从等离子体P放出并向射出室5入射的放射线R之中，也可能存在没有被集光器33聚光而在射出室5内行进的放射线成分。该没有被聚光的放射性成分的至少一部分一边扩散一边行进。这样的放射线成分通常没有由利用装置利用而不需要的情况较多。

在本实施方式中，能够由遮蔽部件36将没有被集光器33聚光的放射线成分遮光。

此外，如图1所示，在本实施方式中，在入射室4的后方侧，以在左右方向上延伸的方式设置有气体喷嘴37。气体喷嘴37夹着密封部件等被设置在室主体14的右侧面上。

气体喷嘴37连接着省略了图示的气体供给装置，向室主体14内供给气体。

在图1所示的例子中，从气体喷嘴37，从入射轴IA与射出轴EA之间的轴间区域的右侧沿着左右方向朝向左侧喷吹气体。由此，能够使从入射区域25放出的碎片向远离入射轴IA及射出轴EA的方向移动。

[原料供给机构]

图2是表示原料供给机构6的结构例的示意图。

在图2中，图示了从图1的箭头A的方向观察旋转体50及容器24的情况。因而，在图2中图示了旋转体50的表面51a侧。

如图1及图2所示，原料供给机构6包括旋转体50、容器24、马达38、轴部39、削刮器40和等离子体原料循环装置41。

旋转体50是通过以旋转轴O为中心旋转而对等离子体生成区域21供给等离子体原料23的部件，被配置在能量束EB入射的位置处。具体而言，将旋转轴O以与能量束EB的入射轴IA交叉的方式配置。

此外，圆盘状的旋转体50具有表面51a及背面51b，在表面51a的规定的位置处设定能量束EB入射的入射区域25。

进而，旋转体50具有槽部55。槽部55是形成在旋转体50上的槽状的构造部分，以与能量束EB的入射区域25重叠的方式设置。

在本实施方式中，槽部55被配置在与能量束EB入射的旋转体50的表面51a的入射区域25重叠的位置处。此外，槽部55被形成为以旋转体50的旋转轴O为中心的圆环状的槽。如图2所示，在本实施方式中，在旋转体50的表面51a的周缘部的附近，设定能量束EB入射的入射区域25。以穿过该入射区域25的方式形成圆环状的槽部55。因而，在旋转体50旋转的期间，圆环状的槽部55总是与入射区域25重叠。

旋转体50例如使用钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等高熔点金属构成。

旋转体50其下方侧的一部分被浸渍在贮存于容器24中的等离子体原料23中。此时，设定旋转体50的位置及容器24内的等离子体原料23的贮存量，以使得至少槽部55浸在等离子体原料23中。

在作为放射线R而射出X射线的情况下，作为等离子体原料23而使用X射线原料。X射线原料是在常温下为液体状的金属，例如可以使用镓(Ga)或作为镓、铟(In)及锡(Sn)的共晶合金的镓铟锡合金(Galinstan，注册商标)等的镓合金。

在作为放射线R而射出EUV光的情况下，作为等离子体原料23而使用EUV原料。作为用来放出EUV光的原料，例如使用液体状的锡(Sn)或锂(Li)。

由于Sn、Li在常温下是固体，所以在容器24中设置省略了图示的调温机构。例如，在EUV原料是Sn的情况下，将容器24维持为Sn的熔点以上的温度。

在旋转体50的背面51b的中心部，连接着马达38的轴部39。由控制部7对马达38的动作进行控制，经由轴部39使旋转体50旋转。

轴部39是在与旋转体50的表面51a正交的方向上延伸的柱状的部件，其中心轴为旋转体50及马达38的旋转轴O。

轴部39穿过箱体2的贯通孔10并经由机械工具42被导入到真空室3内。机械工具42在维持真空室3内的减压环境的同时容许轴部39的旋转。

如上述那样，旋转体50以圆环状的槽部55浸渍在贮存于容器24中的等离子体原料23中的方式配置。在该状态下，如果旋转体50以轴部39为中心旋转，则粘在表面51a的槽部55及其周边上的等离子体原料23被从容器24拉起。通过该方式，遍及圆环状的槽部55的整周涂布等离子体原料23。此外，被涂布在槽部55上的等离子体原料23随着旋转体50的旋转被输送到能量束EB的入射区域25中。

这样，在本实施方式中，通过容器24、马达38及轴部39，对旋转体50的槽部55供给等离子体原料23。在本实施方式中，由容器24、马达38及轴部39实现原料供给部。

削刮器40是用来调整被涂布在旋转体50上的等离子体原料23的膜厚的部件。削刮器40从旋转体50独立地被固定在固定槽部55的正上方，将与旋转体50一起旋转的等离子体原料23的一部分削掉。

例如，通过与旋转体50另外设置的保持工具(图示省略)，将削刮器40固定，以使其与设在旋转体50的表面51a上的槽部55接近或接触。在该状态下，如果旋转体50旋转，则被削刮器40遮挡的等离子体原料23被从旋转体50的表面除去。另外，设定削刮器40的构造及位置，以使等离子体原料23残留在旋转体50的表面51a上。这样，削刮器40作为将旋转体50上的等离子体原料23部分地削掉的刮板发挥功能。

在图1所示的例子中，削刮器40是将旋转体50的外缘夹入的沟槽构造的部件。在此情况下，削刮器40是拥有U型的截面形状的构造体。削刮器40以在其内侧夹着旋转体50的方式从旋转体50的表面51a隔开规定的间隙而配置。由此，能够调整旋转体50的表面51a(槽部55)中的、入射区域25中的等离子体原料23的膜厚。

削刮器40相对于旋转体50的位置既可以被固定，也可以是可变的。此外，削刮器40的构造并不限定于沟槽构造，也可以使用其他构造的削刮器40。

膜厚被削刮器40调整后的槽部55上的等离子体原料23随着旋转体50的旋转被输送到能量束EB入射的入射区域25中。即，旋转体50的旋转方向是槽部55上的等离子体原料23经过削刮器40后被向入射区域25输送的方向。并且，在入射区域25中，对槽部55上的等离子体原料23照射能量束EB，产生等离子体P。

关于旋转体50及削刮器40的动作，在后面详细地进行说明。

等离子体原料循环装置41在通过放射线R的产生动作而等离子体原料23被消耗的情况下，对于适当容器24补充等离子体原料23。此外，等离子体原料循环装置41也作为等离子体原料23的温度调整机构(冷却机构)发挥功能。

如图2所示，等离子体原料循环装置41包括原料流入管路44、原料排出管路45、原料贮存槽46、原料驱动部(泵)47和温度调整机构48。

在原料贮存槽46中，贮存等离子体原料23。

原料流入管路44及原料排出管路45被设置在原料贮存槽46与容器24之间，以将原料贮存槽46与容器24连通。

原料驱动部47被设置在原料流入管路44中。通过原料驱动部47驱动，贮存在原料贮存槽46中的等离子体原料23流出到原料流入管路44中，能够通过原料贮存槽46、原料流入管路44、容器24及原料排出管路45的循环系统使等离子体原料23循环。

作为原料驱动部47，例如使用能够用磁力输送液体金属(等离子体原料23)的电磁泵。当然，也可以使用其他种类的泵。

在本实施方式中，原料贮存槽46及原料驱动部47是真空室3的外部，还被配置在箱体2的外部。

从等离子体原料循环装置41向容器24延伸的原料流入管路44及原料排出管路45穿过箱体2的贯通孔11，经由密封部件49被导入到真空室3内，与容器24连接。

密封部件49在维持真空室3内的减压环境的同时，容许将原料流入管路44及原料排出管路45从真空室3的外侧向内侧贯通。

在被涂布在旋转体50的表面51a(槽部55)上的等离子体原料23中，被照射了能量束EB的部分被消耗。因此，为了长期间稳定地进行放射线R(X射线或EUV光)的产生动作，需要将大容量的等离子体原料23贮存在容器24中。

另一方面，因为与光源装置1的真空室3的大小的兼顾，所以对于能够收容到真空室3的内部中的容器24的大小有制约，难以将大容量的等离子体原料23贮存到容器24中的情况也较多。

所以，将能够贮存大容量的等离子体原料23的原料贮存槽46设置在真空室3的外部，能够经由原料流入管路44对容器24的原料贮存部分补充等离子体原料23而构成。

由此，容器24的原料贮存部分的等离子体原料23的量在长期间被保持为一定，结果能够长期间稳定地进行放射线R的产生动作。

即，等离子体原料循环装置41使等离子体原料23在容器24的原料贮存部分与原料贮存槽46之间循环，以使容器24的原料贮存部分的等离子体原料23的量成为一定。

此外，如果对被涂布在旋转体50的表面51a(槽部55)上的等离子体原料23照射能量束EB，则在从该等离子体原料23(靶极)产生放射线R的同时，旋转体50自身被加热。该被加热后的旋转体50每当经过贮存有等离子体原料23的容器24的原料贮存部分，就在与容器24内的等离子体原料23之间进行热交换。

因此，在此状况下，容器24内的等离子体原料23的温度逐渐变化。在等离子体原料23的粘度随温度而变化的情况下，通过等离子体原料23的温度的变化而旋转体50对于等离子体原料23的浸润性变化，等离子体原料23向旋转体50的附着状态变化。结果，放射线R的输出也有可能变化。

有关本实施方式的等离子体原料循环装置41在真空室3的外部(箱体2的外部)具备比较大型的原料贮存槽46。

因此，即使在容器24的原料贮存部分中温度变化了的等离子体原料23经由原料排出管路45流入到原料贮存槽46中，原料贮存槽46内的等离子体原料23的温度也不怎么变化，大致被保持为一定。

并且，温度被保持为大致一定的等离子体原料23经由原料流入管路44流入到容器24中。

这样，通过由等离子体原料循环装置41使等离子体原料23循环，将容器24内的等离子体原料23的温度保持为大致一定。因而，等离子体原料23向旋转体50的附着状态也稳定，能够使放射线R的输出稳定。

进而，也可以由设在原料贮存槽46的内部中的温度调整机构48调整原料贮存槽46内的等离子体原料23的温度。

由于原料贮存槽46被设置在真空室3的外部(箱体2的外部)，所以可以使用不取决于真空室3的大小的大容量的温度调整机构48。由此，能够将等离子体原料23的温度在短时间中可靠地调整为规定的温度。

这样，通过使用具有温度调整机构48的等离子体原料循环装置41，能够在将等离子体原料23的温度保持为一定的原状下对容器24的原料贮存部分供给等离子体原料23。

例如，假设使用液体状态下的温度比常温高的液体金属作为等离子体原料23。在此情况下，也能够在保持为比常温低的温度的原状下将液相的等离子体原料23供给到容器24中。

此外，假设使用液体状态下的温度比常温低的液体金属作为等离子体原料23。在此情况下，也能够在保持为比常温高的温度的原状下将液相的等离子体原料23供给到容器24中。

图3是表示能够对光源装置1应用的容器的另一结构例的示意图。

在图3所示的例子中，容器24被构成为罩状构造体，能够将旋转体50的大致整体包围。即，容器24也可以说作为收容旋转体50的壳体发挥功能。

如图3所示，在容器24上，在与设定在旋转体50的表面51a上的入射区域25对应的位置处形成开口部58。能量束EB经由开口部58被入射到入射区域25中，生成等离子体P。此外，经由开口部58从等离子体P将放射线R取出，经由射出室5射出。

这样，容器24开口有能量束EB及放射线R的路径，收容旋转体50。本实施方式中，容器24相当于壳体部。

通过将容器24构成为罩状构造体，从旋转体50飞散的等离子体原料23除了容器24的开口部58以外附着在容器24的内壁上。并且，附着在内壁上的等离子体原料23移动到容器24下部的原料贮存部分中。

因而，等离子体原料23几乎不会飞散到作为容器24的外部、真空室3的内部的空间中。结果，能够充分地抑制飞散的等离子体原料23附着在真空室3的内壁上。

此外，如图1所示，在本实施方式中，在室主体14的前面侧，在与真空室3在空间上连接的区域中构成放射线诊断部29。放射线诊断部29被构成在向与放射线R的射出轴EA不同的方向放射的放射线R入射的位置处。

放射线诊断部29是对放射线R的物理状态进行诊断的部分，例如由检测放射线R的有无的检测器或检测放射线的输出的测量器构成。

此外，如图1所示，也可以设置外部电压源59，能够对内侧突出部16施加正电压或负电压。通过对内侧突出部16施加电压，能够通过产生的电场使离子性的碎片从内侧突出部16反弹或使碎片的行进方向从向射出室5内进入的方向偏离。

在此情况下，内侧突出部16通过由陶瓷材料等构成的未图示的绝缘体与真空室3等的其他零件电绝缘。此外，外部电压源59的动作受控制部7控制。

[放射线R的产生过程]

[原料供给]

在作为旋转体50的下方侧、设置槽部55的部分浸渍在贮存于容器24中的等离子体原料23中的状态下，该旋转体50以轴部39为中心旋转。

等离子体原料23通过与旋转体50的表面51a的浸润性被从容器24的原料贮存部分拉起，以粘在旋转体50的表面51a上。此时，对于设在表面51a上的槽部55涂布等离子体原料23。并且，等离子体原料23以被涂布在槽部55上的状态被输送到能量束EB入射的入射区域25中。

旋转体50的旋转方向如图2、图3所示，是附着在旋转体50上的等离子体原料23被从容器24的原料贮存部分拉起后经过削刮器40而到达等离子体生成区域21(入射区域25)那样的方向。

[等离子体生成]

经过削刮器40而旋转体50上的膜厚被调整后的等离子体原料23到达旋转体50的入射区域25。从束源13沿着入射轴IA朝向入射区域25射出能量束EB。能量束EB经过入射孔9、入射窗19、旋转式窗27、入射侧小孔26入射到被供给了等离子体原料23的槽部55所处的入射区域25中。

如果能量束EB向入射区域25入射，则存在于槽部55中的等离子体原料23被能量束EB气化。进而，被气化后的等离子体原料2接着被能量束EB加热激励，生成高温等离子体P。并且，从在等离子体生成区域21生成的高温等离子体P放出规定的波长的放射线R。

[放射线R的取出]

从高温等离子体P放出的放射线R朝向各种各样的方向行进。其中，入射到射出室5中的放射线R穿过射出室5被导光到掩模检查装置等的利用装置(应用室30)中。即，在从高温等离子体P放出的放射线R中，入射到射出室5中的成分沿着射出轴EA被向外部取出。

[旋转体的结构]

图4是表示旋转体50的结构例的示意图。图4的A是将在旋转体50中能量束EB入射的表面51a从旋转轴O的方向观察的旋转体50的俯视图。图4的B是由图4的A所示的aa线切断的旋转体50的剖视图。

首先，对槽部55的配置进行说明。

如上述那样，在旋转体50上，以与能量束EB的入射区域25重叠的方式设置槽部55。典型的是，将槽部55设置在面向旋转体50的旋转轴O的位置处。这里，面向旋转轴O的位置是在旋转体50中能看到旋转轴O那样的位置。因而，槽部55在旋转体50中被形成在能看到旋转轴O那样的面上。

例如，在平板型的旋转体50中，与旋转轴O交叉的旋转体50的主面为能看到旋转轴O的面。此外，在使用拥有以旋转轴O为中心的环状构造的旋转体50的情况下(参照图13及图14等)，环状构造中的被朝向旋转轴O的内周面为能看到旋转轴O的面。另外，形成槽部55的面不需要是能直接看到旋转轴O的面，例如即使在与旋转轴之间有遮蔽物等，也只要是被朝向旋转轴O的面即可。

另一方面，在平板型的旋转体50中将两个主面连接的端面为不能看到旋转轴O的面。此外，在拥有环状构造的旋转体50中被朝向与旋转轴O相反侧(外侧)的外周面为不能看到旋转轴O的面。

如果旋转体50旋转，则对于旋转体50上的等离子体原料23，作用与旋转体50的旋转对应的离心力。通过离心力作用，旋转体50上的等离子体原料23要向远离旋转轴O的方向移动。

例如，在能看到旋转轴O的面中，由于等离子体原料23沿着其面扩展，所以等离子体原料23的膜厚成为与离心力对应的膜厚。因此，在能看到旋转轴O的面中，能够容易地实现与离心力的强弱(旋转体50的旋转速度)对应的膜厚。

另一方面，在不能看到旋转轴O的面中，可以想到离心力越大则等离子体原料23越集合而膜厚越增加。如果离心力进一步增加，可以想到等离子体原料23会从旋转体50剥离并向外侧飞散。因此，在不能看到旋转轴O的面中，膜厚有可能不稳定。

这样，通过将槽部55设置在面向旋转轴O的位置处，能够将被供给到槽部55中的等离子体原料23的膜厚利用离心力精度良好地调整。因而，通过对例如使旋转体50旋转的马达38的旋转速度进行控制，能够容易地进行膜厚的调整。此外，通过将马达38的旋转速度保持为一定，还能够稳定地维持槽部55中的等离子体原料23的膜厚。

图4所示的旋转体50由旋转体主体51构成。旋转体主体51是作为旋转体50的主体的一体的部件。例如使用将金属材料一体地成型而成的圆盘作为旋转体主体51。旋转体主体51的两个主面中的一方的主面为能量束EB入射的表面51a，另一方的主面为背面51b。

旋转体主体51(旋转体50)例如由钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)等高熔点金属构成。

图4所示的旋转体主体51是平板状的部件，表面51a及背面51b都为与旋转轴O正交的平面。并不限定于此，例如也可以将表面51a及背面51b构成为中心部突出的凸面或中心部凹陷的凹面。此外，也可以将表面51a及背面51b构成为任意的旋转曲面。

此外，还可以使用多个部件构成旋转体50。在此情况下，例如也可以在旋转体主体51上安装其他部件来构成旋转体50(参照图11及图12)。

槽部55被设置在作为旋转体主体51的一方的主面的表面51a上。如上述那样，旋转体主体51的表面51a是能看到旋转轴O的面。因而，通过在表面51a上设置槽部55，能够精度良好地调整被供给到槽部55中的等离子体原料的膜厚。

槽部55是以规定的宽度形成在旋转体主体51的表面51a上的圆环状的槽，相对于旋转轴O以大致同轴状配置。

将槽部55的半径设定为与入射区域25重叠。这里，槽部55的半径例如是从旋转体主体51的表面51a的中心点到槽部55的宽度的中心位置的距离。此外，将槽部55的宽度设定为比入射区域25中的能量束的束径(束斑直径)大。这里，槽部55的宽度是旋转体主体51的半径向上的槽部55的宽度，是槽部55的内侧的端缘(内缘)及外侧的端缘(外缘)之间的距离。

如图4的A所示，将槽部55(入射区域25)配置在旋转体主体51的表面51a的外侧。例如，将槽部55的半径设定为旋转体主体51的半径的一半以上的大小。通过将槽部55(入射区域25)配置在表面51a的外侧，每旋转一周被照射能量束EB的区域的面积变大。由此，能够抑制温度伴随着能量束EB的照射而上升及对于旋转体主体51的损伤等。

此外，在图4的A及图4的B所示的例子中，沿着旋转体主体51的半径向的槽部55的截面形状为楔形(三角形)。即，槽部55为在旋转体主体51的半径向上将表面51a从半径向的内侧及外侧朝向最深部斜着切入的构造。另外，槽部55的截面形状并不限定于楔形，例如也可以是四边形、半球面形、半椭圆形等。关于槽部55的形状等，参照图7及图8等在后面叙述。

[等离子体原料的膜厚的调整]

图5是用来说明被供给到旋转体50上的等离子体原料23的分布的示意图。图5的A是将被浸渍在容器24中的旋转体50从表面51a侧观察的示意图。这里，省略了等离子体原料循环装置41等的图示。图5的B及图5的C是由图5的A所示的bb线及cc线切断的旋转体50的剖视图。

bb线是经过旋转体50的中心和削刮器40的线。此外，cc线是经过旋转体

50的中心和能量束EB的入射区域25的线。

以下，参照图5对等离子体原料23的膜厚的调整进行说明。

在光源装置1中，设有调整等离子体原料23的膜厚以使得在能量束EB的入射区域25中等离子体原料23的表面成为与槽部55对应的凹面的膜厚调整部。

膜厚调整部是用来调整入射区域25中的等离子体原料23的膜厚的机构。调整膜厚的方法没有被限定，可以使用能够调整膜厚的任意的机构作为膜厚调整部。在光源装置1中，设有至少1个这样能够调整等离子体原料23的膜厚的机构。

[由削刮器进行的膜厚调整]

在本实施方式中，上述的削刮器40作为膜厚调整部发挥功能。

如图5的A所示，被从容器24拉起并被供给等离子体原料23的槽部55在到达入射区域25之前经过削刮器40。此时，由削刮器40将多余的等离子体原料23削掉。

在图5的B中示意地图示了由沟槽型的削刮器40将等离子体原料23削掉的状况。在削刮器40上，设有将旋转体50夹入的间隙。该间隙的内表面中的朝向旋转体50的表面51a(槽部55)的面为调整等离子体原料23的膜厚的调整面56。调整面56典型的是与旋转体50的表面51a平行地配置。通过适当设定削刮器40的调整面56与旋转体50的表面51a的间隔，能够调整被输送到入射区域25中的等离子体原料23的膜厚。

在通过削刮器40的调整面56将膜厚调整之后，离心力接着对液体状的等离子体原料23作用。因此，等离子体原料23例如被朝向表面51a的外侧拉伸，沿着槽部55的形状分布。结果，如图5的C所示，在能量束EB的入射区域25中，等离子体原料23的表面成为沿着槽部55的形状的凹面。

另外，在到达了入射区域25时的等离子体原料23的膜厚过厚的情况下等，也可能有等离子体原料23的表面没有成为沿着槽部55的形状的凹面的情况。因而，削刮器40也可以说是在等离子体原料23到达了入射区域25的时点将多余的等离子体原料23去除以使等离子体原料23的表面成为沿着槽部55的形状的凹面并将处于槽部55的周边的等离子体原料23预先调整为适当的膜厚的机构。

此外，通过使用削刮器40，例如能够对入射区域25供给大致均匀的膜厚的等离子体原料23。即，槽部55中的等离子体原料23的膜厚稳定。通过使入射区域25中的等离子体原料23的膜厚稳定，能够使从等离子体P放射的放射线R的强度稳定。

[由控制部进行的膜厚调整]

此外，在本实施方式中，由图1所示的控制部7对使旋转体50旋转的马达38进行控制。也可以使用该控制部7调整旋转体50上的等离子体原料23的膜厚。在此情况下，控制部7作为膜厚调整部发挥功能。

在本实施方式中，马达38相当于使旋转体旋转的驱动部，控制部7相当于对驱动部进行控制的旋转控制部。

对于旋转体50上的等离子体原料23，作用与旋转体50的旋转速度对应的离心力。因而，旋转体50的旋转速度越快，离心力越强，在旋转体50的表面51a(背面51b)中，可以想到等离子体原料23的膜厚变薄。

在控制部7中，对旋转体50(马达38)的旋转速度进行控制，以使得在能量束EB的入射区域25中，等离子体原料23的表面成为沿着槽部55的形状的凹面。

例如，在难以使削刮器40的调整面56充分地接近于旋转体50的表面51a的情况下等，也有可能不能使等离子体原料23的膜厚充分变薄。在这样的情况下，可以进行使旋转体50的旋转速度变快、使等离子体原料23的膜厚变薄之类的控制。由此，在到达入射区域25之前，等离子体原料23的膜厚充分地变薄，入射区域25中的等离子体原料23的表面成为沿着槽部55的形状的凹面。

此外，通过使用控制部7对旋转体50的旋转速度进行控制，能够精度良好且容易地调整等离子体原料23的膜厚。由此，即使在例如削刮器40的位置偏移的情况或等离子体原料23的粘性变化的情况下，也能够适当地维持等离子体原料23的膜厚。

[通过其他方法的膜厚调整]

除了削刮器40或控制部7以外，还可以使用能够调整等离子体原料23的膜厚的任意的方法。

如上述那样，在与容器24连接的等离子体原料循环装置41中，设有调整等离子体原料23的温度的温度调整机构48。也可以使用该温度调整机构48对旋转体50上的等离子体原料23的膜厚进行调整。在此情况下，温度调整机构48作为膜厚调整部发挥功能。

例如，如果等离子体原料23的温度变化，则等离子体原料23的粘性变化。通常，等离子体原料23的温度越高则其粘性越低。因而，例如在旋转体50以一定的旋转速度旋转的情况下，旋转体50上的等离子体原料23的温度越高、即粘性越低，等离子体原料23越容易沿着表面51a扩展，等离子体原料23的膜厚变得越薄。

在温度调整机构48中，对等离子体原料23的温度进行控制，以使得在能量束EB的入射区域25中，等离子体原料23的表面成为沿着槽部55的形状的凹面。这样，也可以通过对于等离子体原料23的温度调节来控制其膜厚。

在光源装置1中，执行由削刮器40进行的膜厚调整、由控制部7对旋转速度进行控制的膜厚调整、以及利用由温度调整机构48进行的温度调节的膜厚调整中的至少其一。此外，也可以执行将这些方法任意地组合的膜厚调整。

[高温等离子体的分布]

图6是用来说明高温等离子体P的分布的示意图。在图6的A及图6的B中，分别示意地图示了在旋转体50的表面51a上没有槽部55的情况及在旋转体50的表面51a上有槽部55的情况下的高温等离子体P的生成状态。在各图中，在旋转体50的表面51a上涂布有液体状的等离子体原料23。

此外，在图6的A及图6的B中，分别使用双点划线箭头、虚线箭头及实线的箭头示意地图示能量束EB的入射轴IA、相对于旋转体50的表面51a的法线轴NA、放射线R的射出轴EA。

如图6的A所示，在旋转体50的表面51a上没有设置槽部55的情况下，在能量束EB的入射区域25中，沿着旋转体50的表面51a平面性地分布有等离子体原料23。

如果被照射能量束EB，则存在于入射区域25中的液体状的等离子体原料23立即气化，沿着平面地分布的等离子体原料23的表面膨胀。

对于该气化膨胀后的等离子体原料23(气化原料)接着照射能量束EB，气化原料被加热激励而等离子体化。结果，最终生成从能量束EB的入射地点各向同性地扩展的高温等离子体P。

在图6的A中，沿着平面地分布的等离子体原料23的表面发生气化膨胀。因而，气化原料不被等离子体原料23的表面等遮挡而各向同性地扩展到大范围。因此，被能量束EB加热激励的气化原料的密度有变小的趋向，有难以效率良好地生成高温等离子体P的情况。

相对于此，在图6的B中，在旋转体50的表面51a上设有槽部55。进而，使用上述的削刮器40等的膜厚调整部对等离子体原料23的膜厚进行控制。因此，在能量束EB的入射区域25中，等离子体原料23的表面形成与槽部55对应的凹面。

如果朝向槽部55(入射区域25)照射能量束EB，则与图6的A的情况同样，被供给到槽部55中的液体状的等离子体原料23立即气化，沿着形成与槽部55对应的凹面的等离子体原料23的表面膨胀。

这样，对于沿着与槽部55对应的凹面气化膨胀的等离子体原料23(气化原料)接着照射能量束EB，气化原料被加热激励，生成高温等离子体P。

如上述不同，通过能量束EB的照射而产生的气化原料沿着等离子体原料23的表面膨胀。即，气化原料其膨胀方向沿着等离子体原料23的表面的形状被限制。

如图6的B所示，在有关本发明的旋转体50中，入射区域25中的等离子体原料23的表面的形状为与槽部55对应的凹面。由该凹面限制气化的等离子体原料23(气化原料)的膨胀方向。例如在图6的B中，入射区域25中的等离子体原料23的表面成为沿着楔形的槽部55凹陷的形状。由此，旋转体50的径向上的气化原料的扩展被限制。

通过气化原料的扩展被限制，被能量束EB加热激励的气化原料的密度与没有设置槽部55的情况相比变大。这样，由于密度较大的气化原料被等离子体化，所以能够效率良好地生成高温等离子体P。由此，能够提高高温等离子体P的密度，能够提高由能量束EB生成的高温等离子体P的发光效率。

此外，例如在等离子体原料为固体的情况下，有时为了照射能量束EB将原料气化而花费时间。因此，有可能在没有充分得到上述那样的效果时，由能量束EB进行的原料的加热激励就结束了。此外，在等离子体原料为固体的情况下，难以控制其膜厚而形成与槽部对应的凹面，例如成为预先在原料的表面形成凹面。但是，可以想到，如果固体原料被消耗，则形成在表面上的凹面也变形，难以持续长期间效率良好地产生高温等离子体。

因而，设置槽部55带来的上述的效果，当被照射能量束EB的等离子体原料23是液体原料时变得显著。例如，作为液体原料的等离子体原料23能够总是控制其表面的形状。由此，能够长期间维持发光效率较高的高温等离子体P。

[槽部的结构例]

图7是表示槽部的截面形状的一例的示意图。

这里，对沿着旋转体主体51(旋转体50)的径向的槽部55的截面形状进行说明。在图7的A～图7的D的各图中，图中的左右方向对应于旋转体主体51的径向。此外，能够任意地设定能量束EB对于各槽部55的入射方向(入射轴IA)。

图7的A所示的槽部55是截面形状为三角形的环状的槽。这是图1、图4～图7所示的槽部55的截面形状。三角形的槽部55比较容易制作。此外，槽部55由与表面51a连接的斜面构成，例如容易根据旋转体50的旋转速度使膜厚变化。

图7的B所示的槽部55是截面形状为矩形的环状的槽。矩形的槽部55比较容易制作。此外，在槽部55上设有隔着底面和底面对置的两个侧面。例如通过这两个侧面，能够充分地抑制在等离子体原料23气化时在径向上扩展的膨胀。

图7的C所示的槽部55是截面形状为圆弧形的环状的槽。在圆弧形的槽部55中，例如即使能量束EB的入射角度沿着旋转体50的径向而变化，能量束EB对于槽部55的内表面的束斑形状几乎不变化。由此，能够比较自由地设定能量束EB的入射轴IA。此外，在调整了旋转体50的配置等的情况下等，也能够避免发光特性较大地变化这样的状况。

图7的D所示的槽部55是截面形状为底面侧较宽的梯形的环状的槽。在这样的梯形的槽部55中，能量束EB入射的开口侧变窄。通过该结构，能够充分地抑制等离子体原料23在气化时在径向上扩展的膨胀。

除此以外，可以将槽部55的截面形状设定为任意的形状。

此外，在图7的A～图7的D中，使用箭头图示了槽部55的开口宽度W和槽部55的深度D。这里，开口宽度W是槽部55的开口部分的径向的宽度。此外，深度D是槽部55相对于表面51a的最深部的深度。

槽部55的开口宽度W在能量束EB的束斑尺寸的1倍以上10倍以下的范围中被设定。此外，将槽部55的深度D设定为例如与开口宽度W相同程度。通过在这样的范围中设定开口宽度W，能够充分地抑制由能量束EB气化的等离子体原料23(气化原料)膨胀的方向。

此外，优选的是，将开口宽度W在能量束EB的束斑尺寸的3倍以上5倍以下的范围中设定。由此，能够比较容易地进行能量束EB的束斑与槽部55的对位，并且能够可靠地抑制气化原料的膨胀。

将能量束EB的束斑的直径设定为例如从10μm到100μm的范围中。在此情况下，将开口宽度W例如设定为从50μm到100μm左右。当然，并不限定于此，槽部55的开口宽度W、深度D可以对应于使用的能量束EB的束斑尺寸等而适当设定。

图8是表示槽部的截面形状与能量束的关系的示意图。

这里，对能量束EB相对于构成槽部55的各面的角度进行说明。另外，在图8的A～图8的D的各图中，假设能量束EB相对于各槽部55的入射方向被固定。

图8的A所示的槽部55的截面形状是三角形。能量束EB对构成槽部55的一方的斜面Sa入射，入射轴IA与斜面Sa正交。

由此，被投影到斜面Sa上的能量束EB的束斑尺寸成为最小。因此，能够对于沿着斜面Sa分布的等离子体原料23以较高的密度照射能量束EB。由此，能够充分有效率地产生高温等离子体P。

图8的B所示的槽部55的截面形状是三角形。能量束EB对于构成槽部55的一方的斜面Sb斜着入射。因而，入射轴IA与斜面Sb之间的角度小于90°。例如，有通过对等离子体原料23照射能量束EB而产生的碎片的放出量在入射位置处的旋转体50的法线方向上最多的趋向。

在图8的B所示的结构中，能量束EB的入射轴IA与斜面Sb的法线的方向不同。即，能够将能量束EB的入射方向和碎片的放出量较多的方向分开，例如能够减少到达图1所示的入射室4的碎片。

图8的C所示的槽部55的截面形状是三角形。能量束EB被朝向槽部55的底部照射，对于隔着底部而构成的斜面Sc及斜面Sd斜着入射。斜面Sc及斜面Sd和入射轴IA的角度都小于90°。

在该结构中，通过沿着斜面Sc及斜面Sd分布的等离子体原料23的表面能够充分地限制气化原料的膨胀，能够充分地提高高温等离子体P的密度。此外，放出碎片的方向被分散，能够避免碎片仅集中在一方向上的状况。

图8的D所示的槽部55的截面形状是矩形。能量束EB被朝向槽部55的一方的角照射，对于底面Se及侧面Sf斜着入射。

通过该结构，例如与图8的C所示的槽部55同样，能够通过沿着底面Se及侧面Sf分布的等离子体原料23的表面充分地限制气化原料的膨胀。进而，通过有与侧面Sf对置的侧面Sg，将气化原料关入的效果增大。此外，通过侧面Sg也能够将从侧面Sf飞散的碎片等再吸收，能够抑制碎片的放出量。

除此以外，与能量束EB对应的槽部55的结构没有被限定，可以根据对装置要求的发光效率及碎片的抑制程度等适当设定。

[削刮器的结构例]

图9是表示削刮器的另一结构例的示意图。

这里，对削刮器40的另一结构例进行说明。图9的A及图9的B的左侧的图是表示削刮器40所作用的旋转体50的状态的示意性的剖视图，右侧的图是表示经过削刮器40之后的旋转体50的状态的示意性的剖视图。

在图9的A中，使用单面用的削刮器40a。削刮器40a例如是在一面上形成有调整面56的板状或块状的部件。如左侧的图所示，削刮器40a将调整面56朝向旋转体50的表面51a，在表面51a与调整面56之间隔开规定的间隔而被配置在槽部55的正上方。通过削刮器40a作用，将涂布在槽部55的周边上的等离子体原料23削掉来调整膜厚。

在经过削刮器40a之后，在残留于旋转体50上的等离子体原料23上作用离心力而朝向外侧流动。结果，如右侧的图所示，处于槽部55的正上方的等离子体原料23的表面的形状为与槽部55对应的凹面。

这样，也可以代替上述的沟槽型的削刮器40而使用单面用的削刮器40a。

图9的B所示的单面用的削刮器40b与设有槽部的旋转体50的表面51a接触而配置。即，削刮器40b是与旋转体50接触的接触削刮器。如左侧的图所示，削刮器40b使调整面56与旋转体50的表面51a接触，被配置在槽部55的正上方。通过在该状态下旋转体50旋转，将处于槽部55的内侧的等离子体原料23残留，槽部55的周边的等离子体原料23几乎都被削掉。

在经过削刮器40b之后，对残留于槽部55的内侧的等离子体原料23上作用离心力，其一部分朝向表面51a流动到槽部55的外侧。结果，如右侧的图所示，残留在槽部55中的等离子体原料23的表面的形状成为沿着槽部55的形状凹陷的凹面。

这样，通过使用接触型的削刮器40b，多余的等离子体原料23不再被输送到能量束EB的入射区域25，能够充分地抑制碎片的产生。

图10是表示削刮器的俯视结构的一例的示意图。

图10所示的削刮器40c跨比参照图2等说明的削刮器40大的范围设置。削刮器40c构成为，将圆环状的槽部55中的被从贮存在容器24中的等离子体原料23拉起的位置到能量束EB的入射区域25的跟前的位置为止覆盖。

这里，使用沿着旋转轴O观察的俯视形状为圆弧状的削刮器40c，但只要是能够覆盖上述的范围的形状即可，削刮器40c的形状没有被限定。此外，削刮器40c既可以是沟槽型，也可以是单面型。此外，也可以将削刮器40c构成为接触削刮器。

这样，增大削刮器40c的作用面，在刚从等离子体原料23拉起后使削刮器40c作用，进而通过将削刮器40c的末端部设定到与能量束EB入射的入射区域25(等离子体生成点)接近之处，容易将上述等离子体生成点处的等离子体原料的膜厚控制为希望的膜厚。此外，在旋转体50的转速较快的情况下等，可以想到等离子体原料23会飞散到周边。即使是这样的情况，通过使用削刮器40c，也能够充分地抑制等离子体原料23的飞散。

[旋转体的结构例]

在上述中，对旋转体由单体的部件(旋转体主体)构成的情况进行了说明，但也可以使用由多个部件构成的旋转体。

以下，对在旋转体主体上设有罩部的结构进行说明。

图11是表示具备罩部的旋转体的结构例的示意图。图11所示的旋转体60具有旋转体主体61、罩部62和固定工具63。此外，在旋转体60的附近设有削刮器40d。

图11的A是表示削刮器40d所作用的旋转体60的状态的示意性的剖视图，图11的B是表示经过削刮器40d之后的旋转体60的状态的示意性的剖视图。

旋转体主体61是构成旋转体60的主体的圆盘状的部件。旋转体主体61的中心轴成为旋转体60的旋转轴O。此外，旋转体主体61的一方的主面为能量束EB入射的表面61a，另一方的主面为背面61b。

此外，在旋转体主体61的表面61a上形成槽部55。槽部55是被构成为与旋转体主体61的中心轴(旋转轴O)大致同轴状的圆环状的槽。在图11中，形成有截面形状为矩形的槽部55。另外，槽部55的截面形状也可以是其他形状。

罩部62是将旋转体主体61的表面61a覆盖的板状的部件，在旋转体主体61的表面61a上从表面61a隔开规定的间隔而配置。因而，在旋转体主体61与罩部62之间设置间隙。以下，将在罩部62中为与旋转体主体61相反侧的面记作罩表面62a，将为与罩表面62a相反侧的面记作罩背面62b。

固定工具63是用来将罩部62固定到旋转体主体61上的部件，例如使用螺钉等。在图11所示的例子中，通过将贯通罩部62后的固定工具63嵌入到设在比旋转体主体61的槽部55靠外侧的孔中，将罩部62固定到旋转体主体61上。

此外，在罩部62上，以环状设置用来使能量束EB穿过的开口部64。开口部64是以一定的宽度以圆环状形成在罩部62上的狭缝(切入部)，以与槽部55重叠的方式配置。

开口部64例如被构成为遍及整周连续的圆环状的狭缝。在此情况下，罩部62夹着开口部64被分为配置在内侧的圆形的部件和配置在外侧的圆环状的部件。在此情况下，外侧的部件被上述的固定工具63固定，内侧的部件使用未图示的其他固定工具固定。

另外，开口部64并不一定需要遍及整周连续，例如也可以构成为圆环被部分地关闭那样的狭缝。

此外，开口部64的宽度被设定为例如比能量束EB的束斑径大、并且比槽部55的宽度小。除此以外，开口部64的宽度可以在能够使能量束EB通过到槽部55侧的范围中适当设定。

如图11的A所示，削刮器40d是接触削刮器。削刮器40d以将罩部62的开口部64覆盖的方式与罩部62的罩表面62a接触而配置。通过该削刮器40d，将在开口部64的周边附着在罩表面62a上的等离子体原料23削掉。

另外，罩部62与旋转体主体61之间的空间(开口部64的内侧、罩部62与旋转体主体61的间隙及槽部55的内侧)被用等离子体原料23充满。

在经过削刮器40d之后，残留在罩部62与旋转体主体61之间的等离子体原料23通过离心力而流动到旋转体主体61的外周侧。结果，如图11的B所示，在槽部55的正上方(开口部64的正下方)，等离子体原料23的表面的形状成为沿着槽部55的形状凹陷的凹面。

例如在由旋转体主体61的表面61a和罩部62的罩背面62b夹着的空间中，通过来自各面的表面张力等对等离子体原料23作用，等离子体原料23残留。相对于此，在面向开口部64的槽部55的正上方的区域中，由于不作用来自罩背面62b的表面张力等，所以形成凹面。

由此，通过能量束EB气化的等离子体原料23的膨胀除了形成在等离子体原料23的表面上的凹面以外，被罩部62的开口部64限制。由此，能够将气化原料关入到充分窄的范围中，能够效率非常好地生成高温等离子体P。结果，能够充分地提高高温等离子体P的发光效率。

此外，如上述那样，开口部64的宽度比能量束EB的束斑径大，并且比槽部55的宽度小。由此，将气化原料关入的效果提高。此外，能够将照射了能量束EB时飞散的碎片等用罩部62遮蔽，能够减少碎片。

图12是表示具备罩部的旋转体的另一结构例的示意图。图12所示的旋转体70在圆盘状的旋转体主体71上使用固定工具73固定着罩部72。

旋转体主体71的一方的主面为能量束EB入射的表面71a，另一方的主面为背面71b。其中，以将表面71a覆盖的方式隔开规定的间隔配置罩部72。

此外，在罩部72上，以环状设置用来使能量束EB穿过的开口部74。罩部72例如与图11所示的罩部62同样地构成。

在图12所示的例子中，旋转体主体71的作为配置有罩部72的主面的表面71a是平坦面。即，在表面71a上没有形成圆环状的槽等。在此情况下，罩部72的开口部74作为旋转体70上的槽部55发挥功能。

在旋转体70中，与图11的A同样使用接触削刮器将附着在罩部72上的多余的等离子体原料23削掉。在图12中，示意地图示了经过接触削刮器之后的旋转体70的状态。

在经过接触削刮器之后，残留在旋转体主体71与罩部72之间的等离子体原料23通过离心力流动到旋转体主体71的外周侧。此时，在开口部74的面向等离子体原料23的部分(壁)中，产生对于离心力的抗力(反作用)，所以以等离子体原料23沿着上述壁部分的方式存在，结果等离子体原料23的表面成为凹面。

这样，即使是在旋转体主体71上没有设置槽部55的情况，也能够在等离子体原料23的表面上形成与开口部74对应的凹面。由此，能够限制通过能量束EB气化的等离子体原料23的膨胀。

此外，由于不需要在旋转体主体71上设置槽部55，所以能够使制造工艺简略化。

以上，在有关本实施方式的光源装置1中，在配置于能量束EB入射的位置处的旋转体上，以与能量束EB的入射区域25重叠的方式设有槽部55，对于槽部55供给等离子体原料23。调整该等离子体原料23的膜厚，在能量束EB的入射区域25中，在等离子体原料23的表面上形成与槽部55对应的凹面。通过该凹面，限制等离子体原料23在气化时膨胀的方向，能够提高由能量束EB生成的高温等离子体P的发光效率。

<其他实施方式>

本发明并不限定于以上说明的实施方式，能够实现其他各种实施方式。

在上述的实施方式中，对于在圆盘状的旋转体中成为平面部分的主面照射能量束EB、在平面部分的能量束EB的入射区域设有槽部的构造进行了说明。设置槽部的位置并不限定于旋转体的主面。

例如，也可以考虑在旋转体上设置内周面、对于其内周面供给等离子体原料的结构。这里，旋转体的内周面是将旋转体的旋转轴O包围的面，是以旋转轴O为中心的旋转对象的曲面部分。在此情况下，槽部被设置在内周面上。

图13及图14是表示有关其他实施方式的旋转体的结构例的示意图。在图13及图14中，示意地图示了将旋转体80及旋转体90沿着旋转轴O切断的剖视图。在旋转体80及旋转体90上，分别设有内周面，对于其内周面上供给液体状的等离子体原料23。此外，旋转体80及旋转体90典型的是以旋转轴O为铅直方向的方式配置而使用。

在图13所示的旋转体80中，在圆盘状的基体81的一方的面上形成有环状槽82。环状槽82是被从基体81突出的外壁和内壁包围的区域，被盖部83关闭。环状槽82被作为用来收容等离子体原料23的空间使用。

此外，在环状槽82的内壁上，设有用来将能量束EB导入的入射用的开口部和用来将由环状槽82产生的放射线R取出的射出用的开口部。

进而，在环状槽82的外壁的侧面Sh上，以与能量束EB的入射区域重叠的方式形成槽部55。侧面Sh为旋转体80的内周面。

如果旋转体80以旋转轴O为中心旋转，则被收容在环状槽82中的等离子体原料23被环状槽82的外侧的侧面Sh推压而分布。此外，侧面Sh向旋转轴O侧倾斜。因此，等离子体原料23容易积存在侧面Sh的根侧，但通过使其以足够的旋转速度旋转，等离子体原料23分布在侧面Sh整体上。由此，在能量束EB的入射区域中，等离子体原料23的表面成为与槽部55对应的凹面。

在图14所示的旋转体90中，在圆盘状的基体91的一方的面上形成楔形的环状槽92。此外，在环状槽92的外侧，形成构成与环状槽92连接的垂直壁的外壁部93。对于楔形的环状槽92，供给等离子体原料23。此外，对于环状槽92从旋转轴O侧导入能量束EB。

进而，在环状槽92的外侧的侧面Si上，以与能量束EB的入射区域重叠的方式形成槽部55。侧面Si为旋转体90的内周面。

如果旋转体90以旋转轴O为中心旋转，则收容在环状槽92中的等离子体原料23沿着向外侧倾斜的侧面Si分布。等离子体原料23从侧面Si朝向外壁部93扩展。因此，在旋转体90是足够的旋转速度的情况下，侧面Si上的等离子体原料23的膜厚充分变薄，等离子体原料23沿着槽部55的形状分布。由此，在能量束EB的入射区域中，等离子体原料23的表面为与槽部55对应的凹面。

这样，即使是在内周面(侧面Sh及Si)形成槽部55的情况下，也能够使处于内周面上的等离子体原料23的表面凹陷。由此，通过能量束EB气化的等离子体原料23的膨胀被限制，能够有效地生成高温等离子体P，提高发光效率。

此外，也可以在槽部55的正上方设置削刮器，调整内周面上的等离子体原料的膜厚。通过进行由削刮器进行的膜厚调整，能够使等离子体原料23的表面容易匹配于槽部55的形状而凹陷。

在本公开中，为了使说明的理解变得容易，适当使用“大致”“大体”“大约”等词语。另一方面，在使用这些“大致”“大体”“大约”等的词语的情况和不使用的情况下，并没有规定明确的差异。即，在本公开中，“中心”“中央”“均匀”“相等”“相同”“正交”“平行”“对称”“延伸”“轴向”“圆柱形”“圆筒形”“环形”“圆环形”等的规定形状、尺寸、位置关系、状态等的概念为包含“实质上为中心”“实质上为中央”“实质上均匀”“实质上相等”“实质上相同”“实质上正交”“实质上平行”“实质上对称”“实质上延伸”“实质上轴向”“实质上圆柱形”“实质上圆筒形”“实质上环形”“实质上圆环形”等的概念。

例如也包括包含在以“完全为中心”“完全为中央”“完全均匀”“完全相等”“完全相同”“完全正交”“完全平行”“完全对称”“完全延伸”“完全轴向”“完全圆柱形”“完全圆筒形”“完全环形”“完全圆环形”等为基准的规定的范围(例如±10％的范围)中的状态。

因而，在没有附加“大致”“大体”“大约”等词语的情况下，也可能包含能够附加所谓“大致”“大体”“大约”等而表现的概念。相反，关于附加“大致”“大体”“大约”等而表现的状态，也并不一定将完全的状态排除。

在本公开中，“比A大”“比A小”之类的使用“比”的表现是包含性地包括包含与A同等的情况的概念和不包含与A同等的情况的概念这两者的表现。例如“比A大”并不限定于不包含与A同等的情况，也包含“A以上”。此外，“比A小”并不限定于“小于A”，也包含“A以下”。

在实施本技术时，为了发挥在上述中说明的效果，只要从包含在“比A大”及“比A小”中的概念中适当采用具体的设定等即可。

也可以将以上说明的有关本技术的特征部分中的至少两个特征部分组合。即，在各实施方式中说明的各种特征部分也可以没有各实施方式的区别而任意地组合。此外，在上述中记载的各种效果只不过是例示，没有被限定，此外也可以发挥其他效果。

标号说明

EB…能量束

R…放射线

IA…入射轴

EA…射出轴

P…高温等离子体

O…旋转轴

1…光源装置

6…原料供给机构

7…控制部

23…等离子体原料

24…容器

25…入射区域

38…马达

39…轴部

40、40a～40d…削刮器

50、60、70、80、90…旋转体

51、61、71…旋转体主体

51a…表面

51b…背面

55…槽部

56…调整面

58…开口部

Claims (15)

1.一种光源装置，通过能量束将液体原料等离子体化而将放射线取出，其特征在于，

具备：

旋转体，被配置在上述能量束入射的位置，具有与上述能量束的入射区域重叠地设置的槽部；

原料供给部，对上述槽部供给上述液体原料；以及

膜厚调整部，调整上述液体原料的膜厚，以使得在上述能量束的入射区域上述液体原料的表面成为与上述槽部对应的凹面。

2.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，

上述槽部被设置在面向上述旋转体的旋转轴的位置。

3.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述旋转体具有圆盘状的旋转体主体，

上述槽部被设置在上述旋转体主体的一方的主面上。

4.如权利要求3所述的光源装置，其特征在于，

上述槽部的沿着上述旋转体主体的径向的截面形状为三角形、矩形或圆弧形的环状的槽。

5.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述膜厚调整部包括削刮器，所述削刮器与上述旋转体独立地被固定在上述槽部的正上方，将与上述旋转体一起旋转的上述液体原料的一部分削掉。

6.如权利要求5所述的光源装置，其特征在于，

上述削刮器是将上述旋转体的外缘夹入的沟槽构造的部件。

7.如权利要求5所述的光源装置，其特征在于，

上述削刮器与设有上述槽部的上述旋转体的表面接触而配置。

8.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述膜厚调整部包括对使上述旋转体旋转的驱动部进行控制的旋转控制部。

9.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述旋转体包括圆盘状的旋转体主体和罩部，所述罩部在上述旋转体主体的一方的主面上与该主面隔开规定的间隔而配置，以环状设有用来使上述能量束穿过的开口部。

10.如权利要求9所述的光源装置，其特征在于，

上述槽部设在上述旋转体主体的配置有上述罩部的主面上，上述罩部的开口部以与上述槽部重叠的方式配置。

11.如权利要求9所述的光源装置，其特征在于，

上述旋转体主体的配置有上述罩部的主面是平坦面，

上述槽部是上述罩部的开口部。

12.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述槽部的开口宽度在上述能量束的束斑尺寸的1倍以上10倍以下的范围中设定。

13.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述旋转体具有将旋转轴包围的内周面；

上述槽部设在上述内周面上。

14.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

还具备开口有上述能量束及上述放射线的路径、收容上述旋转体的壳体部。

15.如权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，

上述放射线是X射线或极紫外光。