TW202503420A - 光源裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題是提供能夠有效率地去除碎屑的光源裝置。 解決手段的光源裝置是利用能量束的照射，對液體原料進行電漿化而取出放射線的光源裝置，具備處理室、旋轉體、遮蔽體、第1排氣部。處理室能夠維持真空氣氛。旋轉體能夠以交叉於重力方向之方向的旋轉軸為中心而旋轉，具有液體原料附著的第1區域。遮蔽體具有配置在處理室內，可旋轉地收容旋轉體的空間部、照射至第1區域的能量束通過的第1能量束通過部、及藉由通過第1能量束通過部的能量束被照射至附著於第1區域之液體原料所產生的放射線通過的放射線通過部。第1排氣部以連通於遮蔽體的空間部之方式連接，能夠對空間部進行排氣。

Description

光源裝置

本發明涉及產生X射線及極紫外光等的光源裝置。

先前，X射線已經用於醫療用用途、工業用用途、研究用用途。在醫療用領域中，X射線用於胸部X射線照片攝影、牙科X射線照片攝影、CT(Computer Tomogram)等用途。在工業用領域中，X射線用於觀察構造物或熔接部等之物質內部的非破壞檢測、斷層非破壞檢測等用途。在研究用領域中，X射線用於用以分析物質的結晶構造的X射線分析、用以分析物質的構成元素的X射線分光(X射線螢光分析)等用途。

X射線中波長比較長的軟X射線區域之波長13.5nm的極紫外光(以下也稱為「EUV(Extreme Ultra Violet)光」)近年來作為曝光光使用。在此，構成細微圖案之EUV微影用的遮罩的基材作為層積構造，在由低熱膨脹性玻璃所成的基板上，設置用以反射EUV光的多層膜(例如鉬和矽)所成的反射鏡。然後，透過在多層膜上對吸收波長13.5nm之放射線的材料進行圖案化，構成EUV遮罩。

又，EUV遮罩中無法容許之缺陷的大小相較於先前的ArF遮罩之狀況大幅變小，而難以檢測出。因此，作為EUV遮罩的檢查，一般進行被稱為光化檢測(Actinic inspection)，使用與微影的作業波長一致之波長的放射線的檢測。例如使用波長13.5nm的放射線進行檢測的話，能夠透過比10nm更好的分析度來檢測出缺陷。

一般作為EUV光源裝置，可舉出DPP(Discharge Produced Plasma)光源裝置、LDP(Laser Assisted Discharge Produced Plasma)光源裝置、及LPP (Laser Produced Plasma)光源裝置。

DPP光源裝置是對被供給包含EUV放射種之氣體狀的電漿原料(放電氣體)之電極間施加高電壓，藉由放電來生成高密度高溫電漿，而利用從其放射之極紫外光者。

LDP光源裝置是改良了DPP光源裝置者，例如供給對產生放電的電極(放電電極)表面供給包含EUV放射種之液體狀的高溫電漿原料(例如Sn(錫)或Li(鋰)等)，對於該原料照射能量束(例如電子束或雷射光束等)而使該原料汽化，之後，藉由放電生成高溫電漿。

另一方面，LPP光源裝置是藉由雷射光束激發EUV放射種以生成高溫電漿。作為此種方式的光源裝置，公知有藉由對於EUV放射用靶材料即噴出成微小之液滴狀的錫(Sn)、或鋰(Li)等的微滴，將雷射光聚光，激發該靶材料而產生電漿者。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-216286號公報

[發明所欲解決之課題]

專利文獻1所記載的光源裝置具備圓盤狀的旋轉體、使該旋轉體旋轉的馬達、隔著間隙包圍該旋轉體的護蓋狀構造體、貯留設置在護蓋狀構造體的內部之液體狀的高溫電漿原料的第1貯留槽，旋轉體的一部分浸漬於前述高溫電漿原料。

旋轉體旋轉的話會對旋轉體的表面之一部分塗布液體狀的高溫電漿原料。在護蓋狀構造體的一部分，設置有露出塗布了旋轉體的高溫電漿原料之面的開口部，從能量束供給裝置透過開口部，能量束被照射至高溫電漿原料而產生EUV放射。

該方法相當於所謂LPP方式，是藉由旋轉體的離心力，對能量束的照射區域供給液體狀的電漿原料者，不需要將液體狀的電漿原料作為微滴供給。因此，相較將雷射光束聚光於微滴的方式等，能夠透過比較簡易的結構，獲得高亮度的放射線。

伴隨對於電漿原料之能量束的照射，會產生碎屑，但是，藉由護蓋狀構造體包圍旋轉體，故可防止碎屑的飛濺。

如此，被要求有效率地去除因為能量束的照射所產生的碎屑的技術。

有鑑於以上的情況，本技術的目的是提供能夠有效率地去除碎屑的光源裝置。 [用以解決課題之手段]

為了達成前述目的，本技術的一形態的光源裝置是利用能量束的照射，對液體原料進行電漿化而取出放射線的光源裝置，具備處理室、旋轉體、遮蔽體、第1排氣部。 前述處理室能夠維持真空氣氛。 前述旋轉體能夠以交叉於重力方向之方向的旋轉軸為中心而旋轉，具有前述液體原料附著的第1區域。 前述遮蔽體具有配置在前述處理室內，可旋轉地收容前述旋轉體的空間部、照射至前述第1區域的前述能量束通過的第1能量束通過部、及藉由通過前述第1能量束通過部的前述能量束被照射至附著於前述第1區域之前述液體原料所產生的前述放射線通過的放射線通過部。 前述第1排氣部以連通於前述遮蔽體的前述空間部之方式連接，能夠對前述空間部進行排氣。

在此光源裝置中，對附著於旋轉體的液體原料，照射能量束。又，旋轉體藉由遮蔽體收容，對遮蔽體的內部空間進行排氣。藉此，能夠有效率地去除因為能量束的照射所產生的碎屑。

前述光源裝置更具備配置在前述處理室內，能夠收容前述液體原料的收容部亦可。此狀況下，前述旋轉體具有位在前述第1區域的下方側，被浸漬於前述收容部所收容之前述液體原料的第2區域亦可。

前述第1排氣部包含配置在前述處理室的外部的排氣裝置、及連接於前述排氣裝置的管構件亦可。在此狀況下，前述遮蔽體具有連接前述管構件的連接部亦可。

前述遮蔽體具有設置前述第1能量束通過部及前述放射線通過部的正面部、對向於前述正面部的背面部、側部亦可。此狀況下，前述空間部是被前述正面部、前述背面部、及前述側部包圍的內部空間亦可。

前述正面部及前述背面部是圓形狀的平板亦可。

前述正面部及前述背面部是包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板亦可。

前述連接部包含設置在前述側部的連接口亦可。

前述光源裝置更具備配置在前述處理室內，能夠收容前述液體原料的收容部亦可。此狀況下，前述旋轉體具有位在前述第1區域的下方側，被浸漬於前述收容部所收容之前述液體原料的第2區域亦可。又，在和從對於前述第1區域之前述能量束的照射位置到降至前述旋轉軸的垂線垂直，且包含前述旋轉軸的平面，將前述側部分割成2個的狀況下，前述連接口被設置在前述分割的側部中存在前述照射位置之一側的側部的，比被收容於前述收容部的前述液體原料更靠上側亦可。

前述連接部包含設置在前述正面部的連接口亦可。

前述連接口設置在和對於前述第1區域之前述能量束的照射位置對向的位置亦可。

前述連接部包含設置在前述背面部的連接口亦可。

前述連接部包含設置在前述側部的連接口、設置在前述正面部的連接口、或設置在前述背面部的連接口中的至少2個亦可。

前述光源裝置更具備產生從前述遮蔽體的外部朝向前述空間部之氣體的流向的氣體供給部亦可。

前述氣體供給部具有位於前述第1能量束通過部或前述放射線通過部的至少一方的附近的氣體供給口亦可。

前述管構件具有捕捉因為對於前述第1區域之前述能量束的照射所產生之碎屑的碎屑捕捉器亦可。

前述碎屑捕捉器是前述管構件的彎曲的部分亦可。

前述遮蔽體具有在從前述旋轉軸的方向觀察時，遮蔽對於前述第1區域之前述能量束的照射位置的遮蔽部亦可。

前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。此狀況下，前述第1能量束通過部、前述放射線通過部或前述第2能量束通過部的至少1個位於設置在前述正面部，不包含前述正面部的外周的開口內亦可。

前述開口是圓形狀的開口亦可。

前述開口是圓弧形狀的開口亦可。

前述開口是直線狀地連接2個圓之形狀的開口亦可。

前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。此狀況下，前述第1能量束通過部、前述放射線通過部或前述第2能量束通過部的至少1個位於設置在前述正面部，包含前述正面部的外周的開口內亦可。

前述開口是具有直線狀地連接2個圓之形狀的一部分之形狀的開口亦可。

前述正面部是圓形狀的平板，或包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板亦可。此狀況下，前述開口是具有被前述正面部的圓弧及1個弦包圍之形狀的開口亦可。

前述正面部是圓形狀的平板，或包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板亦可。此狀況下，前述開口是具有被前述正面部的圓弧及2個平行的弦包圍之形狀的開口亦可。

在前述正面部設置1個開口亦可。此狀況下，前述第1能量束通過部及前述放射線通過部分別位於前述1個開口內亦可。

前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。此狀況下，前述第2能量束通過部位於前述1個開口內亦可。

前述遮蔽體具有吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件亦可。

在前述正面部設置第1開口及第2開口的2個開口亦可。此狀況下，前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。又，前述第1能量束通過部位於前述第1開口內亦可。又，前述放射線通過部及前述第2能量束通過部分別位於前述第2開口內亦可。

在前述正面部設置第1開口及第2開口的2個開口亦可。此狀況下，前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。又，前述第1能量束通過部及前述放射線通過部分別位於前述第1開口內亦可。又，前述第2能量束通過部位於前述第2開口內亦可。

前述遮蔽體具有遮蔽前述第2開口，吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件亦可。

在前述正面部設置第1開口、第2開口、及第3開口的3個開口亦可。此狀況下，前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部亦可。又，前述第1能量束通過部位於前述第1開口內亦可。又，前述放射線通過部位於前述第2開口內亦可。又，前述第2能量束通過部位於前述第3開口內亦可。

前述遮蔽體具有遮蔽前述第3開口，吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件亦可。

前述能量束是雷射光亦可。

前述放射線是極紫外光或X射線亦可。

前述液體原料是錫、鋰、釓、鋱、鎵、鉍、銦、或包含該等材料中至少之一的合金亦可。

前述光源裝置更具備調整附著於前述第1區域之前述液體原料的厚度的厚度調整機構亦可。

前述光源裝置更具備照射前述能量束的光束源亦可。

前述光源裝置更具備以連通於前述處理室的內部空間之方式連接，能夠對前述內部空間進行排氣的第2排氣部亦可。 [發明的效果]

依據本發明，能夠有效率地去除因為能量束的照射所產生的碎屑。再者，在此記載的效果並不一定是被限定者，作為本公開中所記載的任一效果亦可。

以下，一邊參照圖式，一邊說明本技術的實施形態。

＜第1實施形態＞ [光源裝置的基本結構] 圖1是揭示本發明的第1實施形態之光源裝置的結構例的示意圖。 光源裝置100是LPP方式的光源裝置。亦即，光源裝置100是利用能量束EB的照射，對電漿原料1進行電漿化而取出放射線R的光源裝置。 再者，在本公開中，放射線R包含EUV光等的軟X射線區域的光、能量更高的硬X射線等從電漿P放射的光(電磁波)。

作為放射線R出射EUV光時，則電漿原料1使用EUV原料。作為用以放出EUV光的原料，例如使用液體狀的錫(Sn)或鋰(Li)。Sn、Li在常溫中為固體，但在被照射能量束EB時，以液體的狀態使用。 作為放射線R出射X射線時，則電漿原料1使用X射線原料。X射線原料是例如常溫中液體狀的金屬，例如可使用鎵(Ga)、鎵合金、Sn化合物等。

圖1是由上方觀察從設置面在所定高度的位置沿著水平方向切斷光源裝置100時的示意剖面時的圖。 在圖1中，為了容易理解光源裝置100的結構及動作，針對不是說明剖面的結構等所需的部分，省略剖面的圖示。 以下，有將X方向設為左右方向(X軸的正側為右側，負側為左側)，將Y方向設為前後方向(Y軸的正側為前方側，負側為後方側)，將Z方向設為高度方向(Z軸的正側為上方側，負側為下方側)來進行說明的狀況。當然，關於本技術的適用，並不限定使用光源裝置100的方向等。

光源裝置100包含框體2、真空處理室3、能量束入射處理室4、放射線出射處理室5、電漿生成機構6、控制部7、原料供給裝置30。再者，在圖1中，藉由細虛線的框示意圖示原料供給裝置30。

在圖1所示的範例中，框體2以大略的外形成為立方體形狀之方式構成。再者，框體2的形狀並不限定於立方體形狀，使用任意立體形狀亦可。 框體2具有形成在前方面的出射孔2a、形成在右側面的入射孔2b、形成在後方面的貫通孔2c、形成在左側面的貫通孔2d。 框體2的材料並未限定，使用例如金屬製的框體。

在本實施形態中，以通過前方面的出射孔2a，延伸於Y方向(前後方向)之方式，設定放射線R的出射軸EA。X射線及EUV光等的放射線R沿著出射軸EA被取出，從出射孔2a朝向前方側放出。 又，在本實施形態中，以從右側面的入射孔2b，朝向後方側往左傾斜延伸之方式，設定能量束EB的入射軸IA。 如圖1所示，在框體2的外部，設置出射能量束EB的光束源8。光束源8以沿著入射軸IA，能量束EB入射至框體2的內部之方式設置。 作為能量束EB，能夠使用電子束或雷射光束。作為光束源8的結構，採用可出射該等能量束EB的任意結構亦可。

在光源裝置100設置有包含複數處理室的處理室部C。具體而言，處理室部C具有真空處理室3、能量束入射處理室(以下簡稱為入射處理室)4、及放射線出射處理室(以下簡稱為出射處理室)5。真空處理室3、入射處理室4及出射處理室5相互在空間上連接。亦即，真空處理室3與入射處理室4相互連結。同樣地，真空處理室3與出射處理室5相互連結。

入射處理室4以位於能量束EB的入射軸IA上之方式形成，出射處理室5以位於放射線R的出射軸EA上之方式形成。又，在真空處理室3設置產生電漿P的機構。

在本實施形態中，藉由處理室本體9、從處理室本體9的前方面往前方側突出的外側突出部9a、從處理室本體9的內周面往內部側突出的2個內側突出部9b及9c，構成處理室部C(真空處理室3、入射處理室4、出射處理室5)。 作為構成處理室部C之處理室本體9、外側突出部9a、及2個內側突出部9b及9c的材料，使用金屬材料。

處理室本體9以大略的外形成為直方體形狀之方式構成，前後左右的各面以和框體2的前後左右的各面分別對向之方式配置。 又，處理室本體9以前方面與右側面之間的右前角部位於能量束EB的入射軸IA上之方式配置。

如圖1所示，在處理室本體9的前方面形成出射孔9d。出射孔9d在放射線R的出射軸EA上，形成在與框體2之前方面的出射孔2a並排的位置。 以從處理室本體9的出射孔9d的周緣部，往前方側突出之方式構成外側突出部9a。外側突出部9a以比框體2的出射孔2a更大幅突出於前方側而內接於框體2的出射孔2a之方式構成。 又，以在處理室本體9的內部側中，從出射孔9d的周緣部往內部側突出之方式構成內側突出部9b。 被外側突出部9a及內側突出部9b包圍的空間具有作為出射處理室5的功能。也能夠將構成出射處理室5的構件即外側突出部9a及內側突出部9b本身稱為出射處理室。 外側突出部9a及內側突出部9b與處理室本體9一體地形成亦可，另個形成後連接於處理室本體9亦可。

出射處理室5以將放射線R的出射軸EA作為中心軸，成為圓錐形狀之方式構成。出射處理室5以在放射線R的出射軸EA的方向中，中央部分的剖面積較大，隨著接近前後的端部而剖面積變小之方式構成。亦即，出射處理室5是隨著接近前後的端部而縮小的形狀。又，出射處理室5在前後的端部設置通過放射線R的開口部(光孔)。

在出射處理室5的前方側的端部(外側突出部9a的前方側的端部)連接遮罩檢查裝置等的利用裝置。在圖1所示的範例中，作為形成利用裝置的一部分的處理室，連接應用處理室10。應用處理室10內的壓力為大氣壓亦可。又，應用處理室10的內部因應需要而由氣體注入路徑導入氣體(例如非活性氣體)來進行清洗亦可。又，應用處理室10的內部的氣體藉由省略圖示的排氣手段排氣亦可。

在出射處理室5與應用處理室10之間，設置物理上分離生成電漿P的區域與應用處理室10的過濾膜11。過濾膜11由可透射放射線的材料構成，防止伴隨電漿P的產生而飛濺的電漿原料1及碎屑進入至應用處理室10。

在出射處理室5的內部，配置用以將入射至出射處理室5內的放射線R導光並聚光於利用裝置內(應用處理室10內)的集光器(聚光鏡)12。在圖1中，入射、聚光於出射處理室5的放射線R的成分以影線圖示。

又，在出射處理室5的內部，配置遮蔽構件(遮蔽中央)13。遮蔽構件13以在放射線R的出射軸EA上，與處理室本體9的出射孔9d、框體2的出射孔2a、及過濾膜11並排之方式配置。在本實施形態中，藉由遮蔽構件13，能夠對未藉由集光器12聚光的放射線成分進行遮光。

在處理室本體9的右前角部形成入射窗14。入射窗14在能量束EB的入射軸IA上，形成在與框體2之右側面的入射孔2b並排的位置。 又，以於處理室本體9的右前角部的內部側中，從包圍入射窗14的位置沿著能量束EB的入射軸IA的方向突出之方式構成內側突出部9c。 處理室本體9的內部空間中被內側突出部9c包圍的空間具有作為入射處理室4的功能。也能夠將構成入射處理室4的內側突出部9c及處理室本體9的右前角部的部分本身稱為入射處理室。 內側突出部9c與處理室本體9一體地形成亦可，另個形成後連接於處理室本體9亦可。

入射處理室4以將能量束EB的入射軸IA作為中心軸，成為圓錐形狀之方式構成。入射處理室4以在能量束EB的入射軸IA的方向中，隨著接近處理室本體9的內部側的端部而剖面積變小之方式構成。亦即，入射處理室4是隨著接近內部側的端部而縮小的形狀。又，入射處理室4在內部側的端部設置通過能量束EB的開口部(光孔)。

在入射處理室4的內部，配置用以捕捉飛濺之電漿原料1及碎屑的捕捉機構。在圖1所示的範例中，作為捕捉機構，配置透射能量束EB，捕捉電漿原料1及碎屑之板狀的旋轉構件即旋轉方式窗15。透過使旋轉方式窗15旋轉，可增加旋轉方式窗15的光束透射區域的實質面積，能夠減低旋轉方式窗15的交換頻度。

又，如圖1所示，在出射處理室5及入射處理室4分別設置氣體注入路徑16a及16b，從省略圖示的氣體供給裝置，對出射處理室5及入射處理室4的內部供給氣體。對於出射處理室5供給對於放射線R透射率高的氣體。又，對於入射處理室4供給對於能量束EB透射率高的氣體。

被供給至出射處理室5及入射處理室4的氣體是相同種類的氣體亦可，不同種類的氣體亦可。例如氬及氦能夠作為對於能量束EB及放射線R雙方透射率高的氣體使用。此外，被供給至出射處理室5及入射處理室4的氣體的種類並未限定。 透過供給氣體，將出射處理室5及入射處理室4的內部壓力設定為比真空處理室3的內部壓力還高的壓力，能夠抑制碎屑等的侵入。

處理室本體9的內部空間中，除了具有出射處理室5之功能的內側突出部9b的內部空間及具有作為入射處理室4之功能的內側突出部9c的內部空間之外的空間具有作為真空處理室3的功能。也能夠將構成真空處理室3的部分本身稱為真空處理室。真空處理室3相當於本技術的處理室之一實施形態。

如圖1所示，處理室本體9具有從框體2的左側面的貫通孔2d往框體2的外部突出的部分，其前端連接於排氣用泵17。排氣用泵17的具體構造並未被限定，使用真空泵等的任意泵亦可。 藉由排氣用泵17對真空處理室3內進行排氣，而真空處理室3被減壓。藉此，可抑制真空處理室3內生成之放射線R的衰減。 真空處理室3內只要相對於入射處理室4及出射處理室5為減壓氣氛即可，不一定是真空氣氛亦可。又，對真空處理室3內供給非活性氣體(惰性氣體)亦可。 真空處理室3相當於本技術的能夠維持真空氣氛的處理室之一實施形態。

在本實施形態中，以朝向入射軸IA與出射軸EA之間的區域，延伸於左右方向之方式設置氣體噴嘴18。氣體噴嘴18在處理室本體9的右側面，透過密封構件等設置。氣體噴嘴18連接於省略圖示的氣體供給裝置，對處理室本體9內供給氣體。 在圖1所示的範例中，從氣體噴嘴18由入射軸IA與出射軸EA之間的區域的右側沿著左右方向朝向左側噴吹氣體。藉此，能夠使從電漿P放出的碎屑往離開入射軸IA及出射軸EA的方向移動。

電漿生成機構6是在真空處理室3內生成電漿P，用以放出放射線R(X射線、EUV光)的機構。 電漿生成機構6包含原料供給用之圓盤狀的旋轉體20、及收容液體狀之電漿原料1的原料容器21。旋轉體20及原料容器21配置在真空處理室3的內部。

如圖1所示，能量束EB入射至圓盤狀的旋轉體20。旋轉體20以能量束EB的照射位置I配置在入射軸IA與出射軸EA之相交點的位置之方式，配置在真空處理室3內。再者，旋轉體的形狀並不限定於圓盤形狀，例如使用多角形形狀的旋轉體等亦可。

原料容器21以旋轉體20浸漬之方式設置，對旋轉體20供給液體狀的電漿原料1。例如旋轉體20被保持成可在浸漬於原料容器21內之液體狀的電漿原料1的狀態下進行旋轉，電漿原料1附著於旋轉體20的表面。在此狀態下，藉由旋轉體20旋轉，對旋轉體20的照射位置I供給電漿原料1。然後，透過能量束EB入射至旋轉體20的照射位置I，生成電漿P。

如此，原料容器21設置在真空處理室3內，貯留液體狀的電漿原料1，對能量束EB的照射位置I供給液體狀的電漿原料1。原料容器21相當於本技術的可收容液體原料的收容部之一實施形態。此外，針對電漿生成機構6的結構，之後詳細說明。

控制部7控制光源裝置100具有之各結構要素的動作。 例如，藉由控制部7，控制光束源8及排氣用泵17的動作。又，藉由控制部7，控制之後說明之各種馬達、原料供給裝置30等的動作。 控制部7具有例如CPU及記憶體(RAM、ROM)等之電腦所需的硬體電路。藉由CPU將記憶於記憶體的控制程式載入至RAM並執行，以執行各種處理。 作為控制部7，例如使用FPGA(Field Programmable Gate Array)等的PLD(Programmable Logic Device)、其他ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等的裝置亦可。 在圖1中，控制部7作為功能區塊示意性圖示，構成控制部7的位置等任意設計亦可。

又，如圖1所示，在本實施形態中，於處理室本體9的前面側，在與真空處理室3空間上連接的區域，構成放射線診斷部19。放射線診斷部19構成於往與放射線R的出射軸EA不同之方向放射的放射線R入射的位置。 放射線診斷部19測定來自電漿P的放射線R的狀態。在此，放射線R的狀態指放射線R的強度、波長、光譜之類的放射線R的物理狀態。例如藉由檢測有無放射線R的檢測器、測定放射線的輸出的測定器，構成放射線診斷部19。 放射線診斷部19所致之測定結果用於放射線R的診斷，以下所說明之原料供給裝置30的動作控制。

原料供給裝置30將電漿原料1供給至原料容器21內。原料供給裝置30的具體結構及原料供給裝置30所致之電漿原料1的供給時機等並未被限定。

[電漿生成機構] 圖2是揭示電漿生成機構6的結構例的示意圖。 圖3及4是圖2的A-A線的剖面圖。 在圖2揭示從圖1的上側(Y方向的正側)觀察電漿生成機構6的狀態。又，圖示光束源8與藉由光束源8出射的能量束EB。再者，在圖1中藉由光束源8對於旋轉體20從右上側(相當於圖2的左手前側)出射能量束EB，但是，在圖2中從右手前側出射能量束EB。如此，在圖1與圖2中從相反方向出射能量束EB，但是，該等的出射方向僅為一例，具體的出射方向並未被限定。

電漿生成機構6具有旋轉體20、原料容器21及護蓋構造體40。在圖2以虛線圖示旋轉體20及原料容器21。再者，在圖3及4中，省略原料容器21的圖示。

旋轉體20具有圓盤部44與軸部45。圓盤部44為圓盤狀，具有表面41與背面42。表面41是圖2的前側，圖3及4的左側之面。背面42是圖2的深側，圖3及4的右側之面。旋轉體20的下方側的一部分被浸漬於原料容器21所收容的電漿原料1。所以，旋轉體的表面41之下方側的一部分成為被浸漬於電漿原料1的區域。以下，將該區域記載為浸漬區域43。例如在原料容器21收容大量的電漿原料1的狀況下，旋轉體20的表面41的大部分會被浸漬，故浸漬區域43的面積變廣。此外，根據旋轉體20及原料容器21的大小及形狀，浸漬區域43的形狀可成為各種形狀。 浸漬區域43相當於本技術的第2區域之一實施形態。 又，同樣地，背面42的下方側的一部分也成為被浸漬於電漿原料1的浸漬區域43。

軸部45具有細長的圓柱形狀，以圓形狀之面抵接於旋轉體20的背面42的中央之方式配置。在本實施形態中，旋轉體20構成為能夠以所定旋轉軸為中心而旋轉。具體而言，旋轉體20以平行於Y方向的旋轉軸H為中心軸而旋轉。於圖2以黑圓揭示旋轉軸H，在圖3及4以虛線揭示旋轉軸H。

軸部45以沿著旋轉軸H延伸之方式配置。亦即，軸部45平行於Y方向配置。所以，圓盤部44及軸部45以旋轉軸H作為中心軸一體地旋轉。如圖2所示，在本範例中旋轉方向從Y方向的正方向側觀察為逆時針旋轉，旋轉方向是順時針旋轉亦可。

又，在本實施形態中，旋轉軸H的方向為交叉於重力方向的方向。具體而言，旋轉軸H的方向為Y方向，成為交叉於重力方向(Z方向)的方向。不限於此，例如對於重力方向傾斜的方向也包含於交叉於重力方向的方向。所以，如本範例般，不僅旋轉體20在與XZ平面平行配置的狀態下旋轉的狀況，對於XZ平面傾斜配置的狀態下旋轉的狀況也包含於本技術的範圍。此外，旋轉軸H的方向是交叉於重力方向的任意方向亦可。

旋轉體20的表面41中位於浸漬區域43的上方側的部分成為電漿原料1附著的區域。具體而言，藉由旋轉體20的旋轉而抬起電漿原料1，成為藉由表面41中未被浸漬於電漿原料1的區域，攜帶了電漿原料1的狀態。以下，將該區域記載為附著區域46。附著區域46成為表面41中浸漬區域43的上方側的區域。附著區域46也可說是攜帶電漿原料1的載體。 附著區域46相當於本技術的第1區域之一實施形態。 同樣地，背面42的上方側也成為電漿原料1附著的附著區域46。

護蓋構造體40是圓盤狀，具有圓盤部47及48、側部49。圓盤部47及48是圓形狀的平板，以與YZ平面平行，中心位於旋轉軸H上之方式配置。圓盤部47以對向於圖2的前側之方式配置，圓盤部48以對向於深側之方式配置。側部49從圖2的前側方向觀察時具有環形狀，構成在圓盤部47及48之間。

又，護蓋構造體40具有被圓盤部47及48、側部49包圍的內部空間S。亦即，內部空間S也成為圓盤形狀的空間。在本實施形態中，旋轉體20能夠旋轉地被收容於內部空間S。具體而言，如圖3及4所示，觀察電漿生成機構6的剖面時，長方形狀的圓盤部44成為像被大一圈的長方形狀的護蓋構造體40包圍的外觀之方式收容旋轉體20。

藉此，旋轉體20可在內部空間S中順暢地旋轉。例如也有可能因為護蓋構造體40的形狀，旋轉體20在旋轉途中撞擊到護蓋構造體40的圓盤部47及48或側部49，導致阻礙到旋轉。在本範例中適當設計護蓋構造體40及內部空間S的形狀，故不會發生這樣的旋轉的阻礙。護蓋構造體40及內部空間S的具體形狀並未被限定，採用能夠可旋轉地收容旋轉體20的任意形狀亦可。

再者，內部空間S也收容原料容器21。例如在內部空間S的下部配置原料容器21，旋轉體20的下部被浸漬於原料容器21所收容的電漿原料1。原料容器21被收容於不會阻礙旋轉體20的旋轉的任意位置亦可。 內部空間S相當於本技術的空間部之一實施形態。

在表面側的圓盤部47設置圓形狀的開口50。開口50從圖2的前側觀察時，設置在圓盤部47的上部之比中央稍微靠左側。開口50的位置及形狀、大小等的具體結構並未被限定。例如開口50為多角形狀等亦可。

在背面側的圓盤部48設置圓形狀的貫通孔51。貫通孔51設置在圓盤部48的中央。如圖3及4所示，旋轉體20的軸部45成為貫通貫通孔51，右側的端部從護蓋構造體40露出的狀態。右側的端部連接於馬達等，透過藉由控制部7控制馬達等的驅動，實現旋轉體20的旋轉。

貫通孔51的位置及形狀並未被限定，採用能夠實現旋轉體20的旋轉的任意結構亦可。又例如，在軸部45與貫通孔51之間適當設置機械密封等的機構亦可。藉此，能夠一邊維持內部空間S的氣壓，一邊使旋轉體20順暢地旋轉。

旋轉體20、原料容器21及護蓋構造體40例如藉由金屬等之具有剛性的材料構成。或者，為了防止與電漿原料1或能量束EB、放射線R的反應所致之劣化，適當使用與該等的反應性低的材料亦可。此外，具體的結構並未被限定。

護蓋構造體40相當於本技術的遮蔽體之一實施形態。 表面側的圓盤部47相當於本技術的正面部之一實施形態。 背面側的圓盤部48相當於本技術的背面部之一實施形態。

[能量束及放射線] 如圖2所示，在本實施形態中，藉由光束源8出射能量束EB。在圖3示意圖示能量束EB的光路徑中到達旋轉體20的表面41為止的部分。能量束EB從光束源8朝向開口50出射。亦即，能量束EB從圖2的右前側朝向左深側出射。該朝向相當於圖3的從左下向右上的朝向。

在圖2中，能量束EB通過開口50，照射至旋轉體20的表面41之比開口50稍微靠左側的位置。在本實施形態中，以照射位置I位於附著區域46上之方式，適當調整開口50及光束源8的位置。亦即，例如不會有能量束EB照射至浸漬區域43的狀況。

照射位置I的具體位置並未被限定，對附著區域46上的任意位置照射能量束EB亦可。又，在圖2等以點狀示意圖示照射位置I，但也可能有能量束EB被照射至附著區域46上的廣範圍，照射位置I成為廣範圍的照射面之狀況。

藉由能量束EB的照射，在照射位置I中生成電漿P，放出放射線R。放射線R雖然根據放射角而強度上有差，但向圖2的前側的所有方向放出。在圖2以箭頭示意圖示放出的放射線R中通過開口50的一部分。同樣地，在圖4以網點模樣圖示該一部分的放射線R。

通過開口50的放射線R例如進入至出射處理室5，之後被利用裝置利用。亦即，在本範例中，在照射位置I中放出的放射線R中，僅取出、利用通過開口50之一部分的放射線R。另一方面，不會利用未通過開口50的放射線R。

在本實施形態中，在護蓋構造體40的表面側的圓盤部47，設置照射至附著區域46的能量束EB通過的入射區域52。具體而言，開口50中能量束EB通過之一部分的區域成為入射區域52。在圖3以虛線的橢圓示意揭示入射區域52的大概形狀。如此，入射區域52成為位於開口50內的區域。再者，在圖2中，省略入射區域52的圖示。

此外，例如能量束EB朝向開口50的整個面出射的狀況下，入射區域52成為涵蓋開口50的整個面的區域。如此，入射區域52的形狀成為因應能量束EB的出射方向及出射直徑等的形狀，具體而言並不限定於任何形狀。 入射區域52相當於本技術的第1能量束通過部之一實施形態。

又，在本實施形態中，在圓盤部47設置放射線R通過的通過區域53。在本範例中，放射線R通過開口50的整個面，故通過區域53的形狀成為和開口50的形狀大概相等。在圖4以虛線的橢圓示意揭示通過區域53的大概形狀。再者，在圖2中，省略通過區域53的圖示。

如此通過區域53的形狀和開口50的形狀大概相等的狀況也包含於通過區域53位於開口50內之狀況。此外，通過區域53的形狀具體而言並不限定於任何形狀。 通過區域53相當於本技術的放射線通過部之一實施形態。

再者，在圖3及4圖示將氣體供給至真空處理室3內的氣體供給部82及氣體噴嘴18。又，在圖2～4圖示連接於真空處理室3的排氣裝置83。關於該等的具體結構，於後詳細說明。

[排氣裝置] 在本實施形態中，如圖2～4所示，電漿生成機構6更具有排氣裝置84及管構件85。又，在護蓋構造體40設置連接口86。再者，在圖1中，省略排氣裝置84、管構件85、及連接口86的圖示。

連接口86是連接管構件85的開口。如圖2所示，連接口86設置在護蓋構造體40之側部49的左側。並不限定於此，例如在側部49的右側或上側設置連接口86亦可。此外，連接口86的形狀及大小等的具體結構並未被限定。 連接口86相當於本技術的連接部之一實施形態。

管構件85是具有圓筒形狀的構件。管構件85以沿著圖2的左右方向延伸，貫通真空處理室3的左側之面的方式配置。管構件85的右側的端部連接於連接口86。管構件85的直徑等的具體結構並未被限定。

排氣裝置84是例如真空泵等的泵，配置在真空處理室3的外部(左側)。又，排氣裝置84連接於管構件85的左側的端部。亦即，排氣裝置84及管構件85以連通於護蓋構造體40的內部空間S之方式連接。

在本實施形態中，藉由排氣裝置84及管構件85對內部空間S進行排氣。具體而言，藉由排氣裝置84動作，透過管構件85吸引內部空間S內的氣體，對內部空間S進行排氣(減壓)。

排氣裝置84的具體構造並未被限定，使用真空泵以外的泵等，能夠對內部空間S進行排氣的任意裝置亦可。又，排氣裝置84不透過管構件85，直接連接於護蓋構造體40亦可。 排氣裝置84及管構件85相當於本技術的第1排氣部之一實施形態。

在本範例中，因為對於附著區域46之能量束EB的照射，而產生碎屑。例如電漿原料1是錫的狀況下，錫的蒸氣或液滴作為碎屑產生。在圖3及4以網點模樣示意圖示產生的碎屑87。如此，碎屑87在照射位置I中產生，滯留於照射位置I的周圍。又，雖然省略圖示，碎屑87也可能迂迴至護蓋構造體40的側部49的周邊(側方的一側)、及背面側的圓盤部48的周邊(背面側)。亦即，碎屑87可能滯留於內部空間S的各種位置。

在本實施形態中，藉由排氣裝置84的驅動，去除存在於內部空間S的碎屑87。具體而言，如圖3及4所示，碎屑87以通過管構件85之方式被吸引，透過排氣裝置84被放出至真空處理室3的外部。在圖3及4揭示存在於照射位置I的周圍(表面側)的碎屑87往圖的上側被吸引的樣子，但是，同樣地存在於側方的一側及背面側的碎屑87也被吸引。亦即，充滿內部空間S的碎屑87整體向圖的上側被吸引。

以上，在本實施形態的光源裝置100中，對附著於旋轉體20的電漿原料1照射能量束EB。又，旋轉體20藉由護蓋構造體40收容，對護蓋構造體40的內部空間S進行排氣。藉此，能夠有效率地去除因為能量束EB的照射所產生的碎屑87。

碎屑87有吸收雷射光的性質。所以，如圖3般在能量束EB的光路徑上存在碎屑87的狀況下，能量束EB被碎屑87吸收、減光而到達照射位置I。亦即，在照射位置I中產生之放射線R的量會減少。

又，碎屑87也有吸收EUV光等的放射線的性質，故在照射位置I生成的放射線R會被滯留於照射位置I的周圍的碎屑87吸收。藉此，放射線R的輸出更加降低。

又，碎屑87會附著於電漿生成機構6內的所有部位。例如碎屑87堆積於空洞即開口50的邊界(脊線的厚度的部分)，該處的溫度低的狀況下碎屑87不會溶解，有碎屑87縮減開口50的狀況。此狀況下，能量束EB能夠入射的區域變窄，有導致放射線R的輸出降低之虞。又，最壞的狀況也有可能因為碎屑87而完全封住開口50，導致光源裝置100無法作用。

開口50以外，碎屑87也會附著於例如護蓋構造體40的內面及旋轉體20的表面等各種部位。因此，可能會有電漿生成機構6的驅動發生問題，或各種機構劣化的情況。

在本技術中藉由排氣裝置84去除碎屑87，故可抑制碎屑87所致之能量束EB的吸收。進而也可抑制碎屑87所致之放射線R的吸收。藉此，能夠抑制放射線R的輸出降低。進而，碎屑87難以附著於各種機構，故能夠防止開口50的口徑減低及各種機構的劣化等。

又，在本技術中，在護蓋構造體40設置連接口86，連接口86連接管構件85，管構件85連接排氣裝置84。藉由採用此種連接形態，能夠有效率地去除碎屑87。

又，在本技術中，在護蓋構造體40的側部49設置連接口86。在照射位置I產生的碎屑87有因為旋轉體20的旋轉的離心力向外側飛濺，多數分布在側部49的周邊的狀況。藉由在側部49設置連接口86，能夠有效率地去除這樣的碎屑87。

又，在本技術中，旋轉體20被浸漬於原料容器21所收容的電漿原料1。藉此，可有效率地使電漿原料1附著於旋轉體20。

＜第2實施形態＞ 針對本技術的光源裝置100，作為第2實施形態說明更詳細的實施形態。在以後的說明中，關於與已說明過的結構及作用相同的部分，省略或簡略化其說明。

[碎屑捕捉器] 圖5是揭示碎屑捕捉器的結構例的示意圖。在本實施形態中，電漿生成機構6具有碎屑捕捉器90及管構件91。又，在本範例中與圖3同樣地，在護蓋構造體40的側部49設置連接口86。更如圖5所示，對於連接口86依序連接管構件85、碎屑捕捉器90、管構件91及排氣裝置84。再者，在圖5中，排氣裝置84連接於碎屑捕捉器90的右側，但是，此為示意揭示連接的狀態者，具體連接的方向並未被限定。

碎屑捕捉器90捕捉因為對於附著區域46之能量束EB的照射所產生的碎屑87。作為碎屑捕捉器90例如使用具有旋轉功能的箔型捕捉器(旋轉式箔型捕捉器)或不旋轉而固定的箔型捕捉器(固定式箔型捕捉器)。

旋轉式箔型捕捉器具備以配置於中央的旋轉軸為中心，向半徑方向放射狀地配置的複數箔片(薄膜或薄的平板)，透過以前述旋轉軸為中心而使複數箔片旋轉，來捕捉碎屑87。

固定式箔型捕捉器捕捉高速移動的碎屑87(尤其是以高速移動之電漿原料1的離子、中性原子及電子等)。作為固定式箔型捕捉器，例如使用與旋轉式箔型捕捉器同樣地具有中心軸，從該中心軸往半徑方向放射狀地配置的複數箔片(薄膜或薄的平板)者。或者，使用薄平板平行地排列者等，與旋轉式箔型捕捉器不同種類的固定式箔型捕捉器亦可。

作為碎屑捕捉器90，使用組合了旋轉式箔型捕捉器及固定式箔型捕捉器的箔型捕捉器亦可。此外，碎屑捕捉器90的具體結構並未被限定，使用能夠捕捉碎屑87的任意機構亦可。

管構件91例如具有與管構件85相同的形狀。管構件91的具體結構並未被限定。在本範例中，碎屑捕捉器90及排氣裝置84藉由管構件91連接，但是，具體的連接方法並未被限定，例如不透過管構件91而連接亦可。同樣地，碎屑捕捉器90不透過管構件85，直接連接於護蓋構造體40的側部49亦可。

被排氣裝置84吸引的碎屑87有在排氣裝置84內固化，導致裝置的故障的狀況。在本實施形態中被吸引的碎屑87被碎屑捕捉器90捕捉，故進入至排氣裝置84的碎屑87的量會減少。亦即，能夠防止排氣裝置84的故障。

或者在排氣裝置84本身採取對策亦可。亦即，在排氣裝置84的內部設置相當於碎屑捕捉器90的機構亦可。此狀況下，即使在碎屑87的路徑上不設置碎屑捕捉器90也能夠實現相同的效果。

又，碎屑捕捉器90是管構件85的彎曲的部分亦可。例如在圖3中將管構件85設為途中往右側彎曲之L字型的管子，從右方一側連接排氣裝置84。藉此，碎屑87會減低管構件85的彎曲部分程度的速度，又，碎屑87的一部分附著於彎曲部分。所以，進入至排氣裝置84的碎屑87的量會減少。又，因為進入的碎屑87的速度減低，可抑制碎屑87的衝撞所致之排氣裝置84的劣化。

藉此，相較於作為碎屑捕捉器90設置箔型捕捉器的狀況，能夠透過簡易的結構實現電漿生成機構6。當然，管構件85如何彎曲並未被限定，例如管構件85彎曲成S字型等其他形狀亦可。此外，適當配合裝置的結構，選擇任意的形狀亦可。

＜第3實施形態＞ [管構件的連接位置] 圖6是揭示管構件85的連接位置之一例的示意圖。在本範例中，管構件85的連接口86設置在護蓋構造體40之表面側的圓盤部47。具體而言，在對向於照射位置I的位置設置連接口86。

公知在照射位置I產生的碎屑87雖然向各種角度放出，但是尤其放出最多至照射位置的正面(圖6的左方向)。在圖3～6以網點模樣示意圖示被放出至正面的碎屑87。

在本範例中，在碎屑87放出最多的正面方向連接管構件85，故能夠瞬間、有效率地去除在照射位置I產生的碎屑87。又，尤其如本範例般管構件85在途中彎曲的狀況下，在彎曲部分碎屑87會減速而被捕捉，可抑制排氣裝置84的劣化。

或者，連接口86設置在表面側的圓盤部47之不對向於照射位置I的位置亦可。此狀況下，管構件85連接於比較接近照射位置I的位置，故可有效率地去除碎屑87。

圖7是揭示管構件85的連接位置之一例的示意圖。在本範例中，管構件85的連接口86設置在護蓋構造體40之背面側的圓盤部48。在照射位置I產生的碎屑87有通過護蓋構造體40的側部49周邊而迂迴到背面側的狀況。在本範例中，在背面側連接管構件85，故能夠有效率地去除這樣的碎屑87。

又，迂迴到背面側的碎屑87附著於旋轉體20的軸部45，有因為該碎屑87固化而阻礙旋轉體20的旋轉的狀況。在本範例中，去除迂迴到背面側的碎屑87，故也防止這樣的旋轉的阻礙。又，尤其藉由將連接口86設置在軸部45的附近，能夠有效率地去除接近軸部45的碎屑87，進而確實地防止旋轉的阻礙。此外，連接口86設置在圖7的下側(圖2的右側)亦可。

圖8是揭示管構件85的連接位置之一例的示意圖。在圖2的範例中，在側部49的左側連接管構件85，但是，在側部49的其他位置連接管構件85亦可。

在本範例中，在和從照射位置I到降至旋轉軸H的垂線垂直，且包含旋轉軸H的平面，將側部49分割成2個的狀況下，連接口86被設置在分割的側部49中存在照射位置I之一側的側部49的，比被收容於原料容器21的電漿原料1更靠上側。

亦即，在圖8中以虛線及實線揭示側部49，在其中以實線揭示的部分設置連接口86。在圖8以虛線揭示從照射位置I降至旋轉軸H的垂線94。旋轉軸H沿著Y方向延伸，故垂線94成為和XZ平面(圖8的紙面)平行的線段。

又，在圖8以虛線揭示平面95。平面95相當於和從照射位置I降至旋轉軸H的垂線(垂線94)垂直，且包含旋轉軸H的平面。亦即，平面95成為垂直於XZ平面，且包含旋轉軸H的平面。

藉由平面95將側部49分割成2個的話，如圖8般從Y方向觀察時，具有圓周的形狀的側部49成為藉由平面95被分割成左上的半弧與右下的半弧的狀態。其中，照射位置I存在的一側的側部49是相當於左上的半弧的部分。然後，左上的半弧中比電漿原料1更靠上側的部分相當於圖8所示的實線部分。亦即，在該實線部分的任意位置設置連接口86。

碎屑87以照射位置I為中心而產生，故起因於離心力等，比較多分布於側部49的實線部分。在本範例中在該實線部分的位置設置連接口86，故能夠更有效率地去除碎屑87。

在護蓋構造體40設置複數連接口86亦可。亦即，連接口86作為設置在側部49的連接口86、設置在表面側的圓盤部47的連接口86、或設置在背面側的圓盤部48的連接口86的至少2個亦可。

例如藉由在圓盤部47、圓盤部48、及側部49各設置1個連接口86，能夠有效率地去除存在於各種位置的碎屑87。或者，僅在圓盤部47及48的2處等必要最小限度的位置設置連接口86亦可。又例如，想要重點地去除背面側的碎屑87的狀況下，在背面側的圓盤部48設置複數連接口86亦可。

使管構件85在途中分歧，連接於護蓋構造體40的不同部分亦可。此狀況下，例如僅配置1個排氣裝置84，連接於1個排氣裝置84的管構件85分歧成三叉，各1根連接於圓盤部47、圓盤部48、及側部49。藉此，不需要配置複數台的排氣裝置84，能夠透過簡易的結構實現電漿生成機構6。

＜第4實施形態＞ [護蓋構造體的結構] 圖9是揭示電漿生成機構6的結構例的示意圖。在本範例中，護蓋構造體40構成為在Y方向具有厚度的區塊狀。護蓋構造體40中，在圖9的左側的部分與圖3同樣地收容旋轉體20，在上側連接管構件85及排氣裝置84。另一方面，在護蓋構造體40的右側的部分設置用以收容馬達98的空間。又，設置旋轉體20的軸部45貫通的空間，在該空間與軸部45之間設置機械密封99。

藉由將電漿生成機構6設為此種結構，可穩定配置馬達98，抑制旋轉體20的旋轉的偏離。此外，在護蓋構造體40的內部配置馬達98以外的其他機構亦可。或者一體地構成護蓋構造體40與真空處理室3亦可。

圖10是揭示電漿生成機構6的結構例的示意圖。在本範例中，護蓋構造體40也構成為區塊狀，但是，排氣裝置84連接於圖10的護蓋構造體40的右側。具體而言，在護蓋構造體40的內部，從對向於旋轉體20的背面42的位置向Y方向延伸之方式設置碎屑87的流路。又，流路的右端成為連接口86，在該部分連接管構件85及排氣裝置84。

如此即使在護蓋構造體40是區塊狀的狀況下，也採用將管構件85連接於背面側的結構，能夠有效率地去除這樣的碎屑87。此外，適當配合其他機構的結構，適當在任意的位置連接管構件85亦可。

＜其他實施形態＞ 本技術並不限定於以上說明的實施形態，可實現其他各種實施形態。 [氣體供給部] 光源裝置100更具備產生從護蓋構造體40的外部朝向內部空間S之氣體的流向的氣體供給部82亦可。在圖3示意揭示對於真空處理室3，氣體供給部82透過氣體噴嘴18連接之狀態。

藉由氣體供給部82，例如氬等的氣體被導入至氣體噴嘴18。被導入的氣體通過氣體噴嘴18的內部，移動至真空處理室3的內部且護蓋構造體40的外部的空間(以下，記載為護蓋構造體40的外部空間T)。於是，相較於內部空間S的壓力，外部空間T的壓力變高，產生從外部空間T朝向內部空間S之氣體的流向。

藉此，能夠存在於內部空間S的碎屑87從開口50漏出至外部空間T這樣的狀況。亦即，能夠使碎屑87停留於內部空間S，對碎屑87更有效率地進行排氣。

又，氣體供給部82具有位於能量束EB的入射區域52、或放射線R的通過區域53的至少一方的附近的氣體供給口亦可。例如氣體噴嘴18的前端相當於氣體供給口，該前端部分以延伸於開口50的附近之方式配置氣體噴嘴18。藉此，在開口50的周邊產生較強之氣體的流向，能夠確實防止碎屑87的漏出。又，更可抑制碎屑87附著於開口50。

圖3是僅示意揭示氣體供給部82及氣體噴嘴18者，各個連接位置等的具體結構並未被限定。例如連接複數氣體供給部82及氣體噴嘴18亦可，氣體噴嘴18作為圓環噴頭等亦可。又，氬氣以外，在能夠實現本技術的範圍使用任意種類的氣體亦可。

又，在本範例中，光源裝置100具有以連通於護蓋構造體40的外部空間T之方式連接，能夠對外部空間T進行排氣的排氣裝置83。例如，圖1所示的排氣用泵17可成為排氣裝置83，但具體的結構並未被限定。

透過相對於護蓋構造體40側的排氣裝置84，降低真空處理室3側的排氣裝置83的驅動比例，可對內部空間S進行強力的排氣，外部空間T成為較弱的排氣的狀態。藉此，產生從外部空間T朝向內部空間S之氣體的流向。即使根據此種結構，也同樣地能夠防止碎屑87的漏出。 排氣裝置83相當於本技術的第2排氣部之一實施形態。 護蓋構造體40的外部空間T相當於本技術的處理室的內部空間。

[照射位置的正面的遮蔽] 護蓋構造體40具有在從旋轉軸H的方向觀察時，遮蔽照射位置I的遮蔽部亦可。在圖2以虛線的圓示意揭示遮蔽部102。如此，遮蔽部102成為在從旋轉軸H的方向(圖2的前方向、Y軸的正方向)觀察時，包含照射位置I的區域。

在照射位置I產生的碎屑87向正面方向(圖2的前方向)飛濺最多，故例如在正面部分設置開口50的狀況下，多數的碎屑87會從開口50漏出至外部空間T。在本範例中，從照射位置I的正面被遮蔽部102遮蔽，故向正面方向飛濺之多數的碎屑87藉由遮蔽部102阻擋，抑制碎屑87的漏出。

[開口的變化] 在圖2的範例中，在圓盤部47設置1個開口50，能量束EB的入射區域52、及放射線R的通過區域53分別位於開口50內。亦即，能量束EB的入射及放射線R的取出在相同開口50進行。藉此，能夠透過簡易的結構實現光源裝置100。

又，開口50為不包含圓盤部47的外周的開口。亦即，開口50是在圓盤部47內關閉的開口。尤其在本範例中，開口50為圓形狀的開口。藉由將開口50設為此種結構，能夠高精度地進行能量束EB的入射及出射、放射線R的取出。

圖11A～圖14A是揭示開口的變化的示意圖。在圖11A中，在圓盤部47設置開口61及開口62的2個開口。又，在圓盤部47設置藉由附著區域46反射的能量束EB通過的出射區域60。進而，入射區域52位於開口61內，通過區域53及出射區域60分別位於開口62內。在本範例中，如圖11A所示，出射區域60的形狀成為和開口62整體相同的形狀。

亦即，能量束EB入射至右側的開口61，從左側的開口62進行能量束EB的出射及放射線R的取出。藉此，能夠有效率地取出放射線R。再者，放射線R及能量束EB在混合的狀態下從開口62出射，藉由僅遮蔽其中能量束EB等，能夠僅取出放射線R。

開口61相當於本技術的第1開口之一實施形態。 開口62相當於本技術的第2開口之一實施形態。 出射區域60相當於本技術的第2能量束通過部之一實施形態。

再者，在圖11A中，入射區域52及通過區域53分別位於開口61內，出射區域60位於開口62內亦可。亦即，能量束EB入射至開口61，能量束EB從開口62出射，放射線R的取出從開口61側進行亦可。亦即，放射線R從開口61或62的任一方取出亦可，藉由適當選擇任意開口，能夠有效率地取出放射線R。

在圖11B中，開口65為圓弧形狀的開口。藉此，能夠從廣範圍取出放射線R，提升光源裝置100的利用效率。再者，在圓盤部47設置1個開口，入射區域52、通過區域53及出射區域60全部位於該1個開口內亦可。具體而言，使用將該1個開口設為圓弧形狀，使能量束EB入射至圓弧的一端，從另一端使能量束EB出射，從整個圓弧進行放射線R的取出這樣的方法。藉此，能夠透過簡易的結構實現利用效率高的光源裝置100。

開口65也可說是將照射位置I的上部及配置在下部的開口連接成圓弧狀的形狀。此外，開口65具有2個開口直線狀地連接之長孔的形狀、連接成圓弧及直線以外之其他曲線狀的形狀亦可。

在圖12A中，圓盤部47具有遮蔽開口62，吸收藉由附著區域46反射的能量束EB的阻擋器68。阻擋器68具有圓盤狀的形狀，具有比開口62的直徑大一圈的直徑。阻擋器68在開口62的位置，以封堵開口62之方式配置。阻擋器68的具體形狀並未被限定，作為能夠封堵開口62的任意的形狀亦可。例如開口62為多角形狀的狀況下，作為阻擋器68的形狀，也採用比開口62大一圈的多角形狀。

阻擋器68例如藉由能量束EB的吸收性高的材料所形成。例如作為可耐液態錫的材料，使用鉬、鎢。又，作為熱傳導性佳的材料，使用銅、金。此外，使用鈦、鐵、鎳、鋁、鉭、及包含該等的所有化合物(USU、64鈦、TZM等)。或者將該等物質作為金屬塊，透過任意氧化物、氮化物、氟化物等的化合物，對表面進行塗層亦可。此外，阻擋器68的具體的結構並未被限定。 阻擋器68相當於本技術的阻擋器構件之一實施形態。

能量束EB的反射光入射至阻擋器68的背面(內部空間S側之面)且被吸收。例如不配置阻擋器68的狀況下，反射光透過護蓋構造體40的內面重複進行反射，也有可能發生內面劣化。透過配置阻擋器68，反射光不會反射且被吸收，可抑制護蓋構造體40的劣化。再者，阻擋器68並不一定需要以封堵開口之方式配置。即使在不存在開口的位置配置阻擋器68的狀況中，也能夠實現同樣的效果。

在圖12B中，在圓盤部47設置開口71～73的3個開口。又，入射區域52位於開口71內，通過區域53位於開口72內，出射區域60位於開口73內。亦即，能量束EB入射至右側的開口71，能量束EB從左側的開口73出射，從下側的開口72取出放射線R。藉此，放射線R與能量束EB不會混合存在地出射，能夠更有效率地取出放射線R。再者，開口73藉由阻擋器68封堵亦可

開口71相當於本技術的第1開口之一實施形態。 開口72相當於本技術的第2開口之一實施形態。 開口73相當於本技術的第3開口之一實施形態。

在圖13A～圖14A中都是入射區域52、通過區域53、或出射區域60至少之一設置在圓盤部47，位於包含圓盤部47的外周的開口內。亦即，圖13A～圖14A所示的開口都成為在圓盤部47內未關閉的開口。

在圖13A中開口76以朝上開口，包含圓盤部47的外周部的上部之方式設置。同樣地，圖13B的開口77以包含圓盤部47的上側的弧之方式設置。圖14A的開口78以包含圓盤部47的右側與左側的弧之方式設置。

藉由將開口設為此種結構，能夠高精度地進行能量束EB的入射及出射、放射線R的取出。例如相較於開口在圓盤部47內封閉的狀況，變成能夠設置大面積的開口，能夠確實進行能量束EB的入射及出射。又，能夠在廣範圍取出放射線R，提升光源裝置100的利用效率。

在圖13A所示的範例中，開口76具有直線狀地連接2個圓之形狀的一部分之形狀。具體而言，將相同形狀的2個圓沿著上下方向(Z方向)並排，並以圓盤部47的上部的弧切取上下連接2個圓的形狀之下半部的形狀相當於開口76的形狀。亦即，開口76具有沿著上下方向延伸，並開口於上側之長孔的形狀。

藉此，例如能夠在廣範圍取出放射線R，提升光源裝置100的利用效率。再者，開口76以沿著左右方向或傾斜方向配置，往左右或傾斜地開口之方式構成亦可。又，在本範例中，能量束EB從右側入射，但是，從上方向等入射亦可。或者，採用使能量束EB入射至長孔的一端，從另一端取出放射線R這樣的方法亦可。

在圖13B所示的範例中，開口77具有被圓盤部47的圓弧及1個弦包圍之形狀。具體而言，藉由圓盤部47的上側的圓弧及沿著左右方向(X方向)延伸的弦包圍的形狀成為開口77的形狀。

藉此，能夠在更廣的範圍取出放射線R。再者，採用開口77具有被右側的圓弧及沿著上下方向延伸的弦包圍的形狀之狀況等，配置成不同朝向的結構亦可成。

再者，在本範例中，背面側的圓盤部48具有沒有開口的圓形狀。藉此，能夠防止來自背面側的電漿原料1的飛濺。

在圖14A所示的範例中，開口78具有被圓盤部47的圓弧及2個平行的弦包圍之形狀。具體而言，藉由圓盤部47的左右的圓弧及各自沿著左右方向延伸，相互平行的2個上下弦包圍的形狀成為開口78的形狀。

此狀況也同樣地，能夠在廣範圍取出放射線R。再者，採用開口78具有被上下的圓弧及沿著上下方向延伸的2個弦包圍的形狀之狀況等，配置成不同朝向的結構亦可。

[圓盤部的結構] 圖14B是揭示電漿生成機構6的結構例的示意圖。在本範例中，圓盤部47及48成為包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板。具體而言，圓盤部47的形狀是上半部為半圓的形狀，下半部為矩形狀(長方形狀)。亦即，該半圓相當於圓形狀的一部分的形狀，矩形相當於包含平坦的底部的形狀。又，背面側的圓盤部48也具有與圓盤部47相同的形狀。

藉此，例如圖14B所示般，能夠增大原料容器21的容積，收容更多的電漿原料1。再者，例如作為圓盤部47及48的形狀，採用下半部為台形狀的形狀、圓角的矩形形狀等，包含平坦的底部的其他結構亦可。

[開口的位置] 開口的具體位置並未被限定，在能夠實現本技術的範圍中在任意位置構成開口亦可。例如，從旋轉軸H的方向觀察時，以旋轉軸H作為基準，在比照射位置I更靠內側設置開口。

亦即，以旋轉軸H與開口的距離比旋轉軸H與照射位置I的距離還短之方式設置開口。例如圖2的開口50、圖11A的開口61、圖12B的開口71及72成為此種開口。在照射位置I產生的碎屑會因為旋轉體20的旋轉的離心力，多數向外側方向飛濺。藉由開口被配置在照射位置I的內側，能夠減少通過開口內的碎屑的量，變成能夠抑制碎屑飛濺至護蓋構造體40的外部。

或者，相反地，以旋轉軸H作為基準，在比照射位置I更靠外側設置開口亦可。根據其他機構的配置，也會有在比照射位置更靠外側設置開口是有效的狀況，也可適當採用此種開口的配置。

[開口的個數] 在圓盤部47設置4個以上的開口亦可。此狀況下，在2個以上的開口中進行能量束EB的入射或出射，或者放射線R的取出亦可。又，從開口取出能量束EB及放射線R的監視光，監視光的狀態亦可。此外，在任一開口都是圓弧形狀的結構、被阻擋器68封堵的結構、各個開口具有不同形狀的結構等之可實現本技術的範圍中能夠採用任意結構。

[撇取器] 電漿生成機構6具有調整附著於附著區域46之電漿原料1的厚度的撇取器亦可。撇取器是具有例如通道構造的構造體，在旋轉體20的照射位置I之前的位置(接近照射位置I的右上等)，以在內側夾著旋轉體20之方式，具有所定間隙而配置。當然，撇取器的具體結構並未被限定。撇取器具有作為刮取附著於旋轉體20的附著區域46之電漿原料1的一部分的刮漿刀之功能。

藉此，能夠對照射位置I幾近均勻地供給電漿原料1，能夠讓放射線R的強度變得穩定。 撇取器相當於本技術的厚度調整機構之一實施形態。 再者，配置能夠調整電漿原料1的厚度的撇取器以外的機構亦可。

[電漿原料的種類] 作為電漿原料1，能夠使用錫、鋰、釓、鋱、鎵、鉍、銦、或包含該等材料中至少之一的合金。例如作為放射線R取出EUV光，該EUV光用於顯微鏡的狀況下，作為材料使用鉍。又，作為放射線R而生成X射線的狀況下，則作為材料使用銦。藉由使用該等材料，能夠生成高品質的放射線R。此外，電漿原料1的具體種類並未被限定。

[能量束及放射線的種類] 能量束EB及放射線R的具體種類並未被限定。例如作為能量束EB，能夠使用雷射光。藉此，能夠生成高品質的放射線R。又例如，作為放射線R而生成極紫外光(EUV光)或X射線。藉此，能夠有效率地利用放射線R。

[DPP及LDP的適用] 本技術對於DPP光源裝置或LPP光源裝置也可適用。此狀況下，例如2個旋轉體20藉由共通的護蓋構造體40收容，在該護蓋構造體40連接1以上的排氣裝置84。此外，藉由任意的形態，來實現碎屑87的排氣亦可。

參照各圖式所說明的光源裝置、電漿生成機構、護蓋構造體、旋轉體、遮蔽部、開口、排氣裝置、管構件、碎屑捕捉器、氣體供給部、氣體噴嘴、阻擋器等僅為一實施形態，在不脫離本技術的趣旨的範圍內，可任意變形。亦即，採用用以實施本技術的其他任意結構等亦可。

在本公開中，使用「大略」之用語的狀況，僅為容易理解說明的使用，「大略」之用語的使用/不使用並無特別的意義。亦即，於本公開中「中心」、「中央」、「均勻」、「相等」、「相同」、「正交」、「平行」、「對稱」、「延伸」、「軸方向」、「圓形狀」、「圓筒形狀」、「圓弧形狀」、「矩形狀」、「長方形狀」、「多角形狀」「環形狀」、「立方體形狀」、「直方體形狀」、「圓柱形狀」、「圓盤形狀」、「錐形狀」等之規定形狀、尺寸、位置關係、狀態等的概念作為包含「實質上中心」、「實質上中央」、「實質上均勻」、「實質上相等」、「實質上相同」、「實質上正交」、「實質上平行」、「實質上對稱」、「實質上延伸」、「實質上軸方向」、「實質上圓形狀」、「實質上圓筒形狀」、「實質上圓弧形狀」、「實質上矩形狀」、「實質上長方形狀」、「實質上多角形狀」「實質上環形狀」、「實質上立方體形狀」、「實質上直方體形狀」、「實質上圓柱形狀」、「實質上圓盤形狀」、「實質上錐形狀」等的概念。例如也包含以「完全中心」、「完全中央」、「完全均勻」、「完全相等」、「完全相同」、「完全正交」、「完全平行」、「完全對稱」、「完全延伸」、「完全軸方向」、「完全圓形狀」、「完全圓筒形狀」、「完全圓弧形狀」、「完全矩形狀」、「完全長方形狀」、「完全多角形狀」「完全環形狀」、「完全立方體形狀」、「完全直方體形狀」、「完全圓柱形狀」、「完全圓盤形狀」、「完全錐形狀」等為基準的所定範圍(例如±10%的範圍)所包含的狀態。所以，即使並未附加「大略」等的用語的狀況中，也可能包含附加所謂「大略」等表現方式的概念。相反地，關於附加「大略」等表現的狀態，並不是一定排除完全的狀態。

於本公開中，使用「大於A(比A大)」、「小於A(比A小)」之類的「大於小於」的表現方式是包括性地包含與A同等之狀況的概念，與不包含與A同等之狀況的概念雙方的表現方式。例如「比A大」並不限定於不包含與A同等的狀況，也包含「A以上」。又，「比A小」並不限定於「未滿A」，也包含「A以下」。在實施本技術時，根據「比A大」及「比A小」所包含的概念，適當採用具體的設定等發揮前述所說明的效果即可。

也可組合以上說明之本技術的特徵部分中至少2個特徵部分。亦即，各實施形態中說明之各種特徵部分並無各實施形態的區別，任意組合亦可。又，前述中記載之各種效果僅為例示，並不是加以限定者，又，發揮其他效果亦可。

1:電漿原料 2:框體 2a:出射孔 2b:入射孔 2c:貫通孔 2d:貫通孔 3:真空處理室 4:入射處理室(能量束入射處理室) 5:出射處理室(放射線出射處理室) 6:電漿生成機構 7:控制部 8:光束源 9:處理室本體 9a:外側突出部 9b:內側突出部 9c:內側突出部 9d:出射孔 10:應用處理室 11:過濾膜 12:集光器(聚光鏡) 13:遮蔽構件 14:入射窗 15:旋轉方式窗 16a:氣體注入路徑 16b:氣體注入路徑 17:排氣用泵 18:氣體噴嘴 19:放射線診斷部 20:旋轉體 21:原料容器 30:原料供給裝置 40:護蓋構造體 41:表面(圓盤部的表面) 42:背面(圓盤部的背面) 43:浸漬區域 44:圓盤部 45:軸部 46:附著區域 47:圓盤部 48:圓盤部 49:側部(護蓋構造體的側部) 50:開口 51:貫通孔 52:入射區域 53:通過區域 54:排氣裝置 60:出射區域 61:開口 62:開口 65:開口 68:阻擋器 71:開口 72:開口 73:開口 76:開口 77:開口 78:開口 82:氣體供給部 83:排氣裝置 84:排氣裝置 85:管構件 86:連接口 87:碎屑 90:碎屑捕捉器 91:管構件 100:光源裝置 102:遮蔽部 C:處理室部 EA:出射軸 EB:能量束 H:旋轉軸 I:照射位置 IA:入射軸 P:電漿 R:放射線 S:內部空間 T:外部空間

[圖1]揭示本發明的第1實施形態之光源裝置的結構例的示意圖。 [圖2]揭示電漿生成機構的結構例的示意圖。 [圖3]圖2的A-A線的剖面圖。 [圖4]圖2的A-A線的剖面圖。 [圖5]揭示碎屑捕捉器的結構例的示意圖。 [圖6]揭示管構件的連接位置之一例的示意圖。 [圖7]揭示管構件的連接位置之一例的示意圖。 [圖8]揭示管構件的連接位置之一例的示意圖。 [圖9]揭示電漿生成機構的結構例的示意圖。 [圖10]揭示電漿生成機構的結構例的示意圖。 [圖11A]揭示開口的變化的示意圖。 [圖11B]揭示開口的變化的示意圖。 [圖12A]揭示開口的變化的示意圖。 [圖12B]揭示開口的變化的示意圖。 [圖13A]揭示開口的變化的示意圖。 [圖13B]揭示開口的變化的示意圖。 [圖14A]揭示開口的變化的示意圖。 [圖14B]揭示電漿生成機構的結構例的示意圖。

1:電漿原料

3:真空處理室

6:電漿生成機構

8:光束源

20:旋轉體

21:原料容器

40:護蓋構造體

41:表面

43:浸漬區域

44:圓盤部

46:附著區域

47:圓盤部

49:側部

50:開口

83:排氣裝置

84:排氣裝置

85:管構件

86:連接口

102:遮蔽部

EB:能量束

H:旋轉軸

I:照射位置

R:放射線

Claims (39)

1. 一種光源裝置，係利用能量束的照射，對液體原料進行電漿化而取出放射線的光源裝置，其特徵為具備： 處理室，係能夠維持真空氣氛； 旋轉體，係能夠以交叉於重力方向之方向的旋轉軸為中心而旋轉，具有前述液體原料附著的第1區域； 遮蔽體，係具有配置在前述處理室內，可旋轉地收容前述旋轉體的空間部、照射至前述第1區域的前述能量束通過的第1能量束通過部、及藉由通過前述第1能量束通過部的前述能量束被照射至附著於前述第1區域之前述液體原料所產生的前述放射線通過的放射線通過部；及 第1排氣部，係以連通於前述遮蔽體的前述空間部之方式連接，能夠對前述空間部進行排氣。
2. 如請求項1所記載之光源裝置，其中，更具備： 收容部，係配置在前述處理室內，能夠收容前述液體原料， 前述旋轉體具有位在前述第1區域的下方側，被浸漬於前述收容部所收容之前述液體原料的第2區域。
3. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述第1排氣部包含配置在前述處理室的外部的排氣裝置、及連接於前述排氣裝置的管構件， 前述遮蔽體具有連接前述管構件的連接部。
4. 如請求項3所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有設置前述第1能量束通過部及前述放射線通過部的正面部、對向於前述正面部的背面部、側部， 前述空間部是被前述正面部、前述背面部、及前述側部包圍的內部空間。
5. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述正面部及前述背面部是圓形狀的平板。
6. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述正面部及前述背面部是包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板。
7. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述連接部包含設置在前述側部的連接口。
8. 如請求項7所記載之光源裝置，其中，更具備： 收容部，係配置在前述處理室內，能夠收容前述液體原料， 前述旋轉體具有位在前述第1區域的下方側，被浸漬於前述收容部所收容之前述液體原料的第2區域， 在和從對於前述第1區域之前述能量束的照射位置到降至前述旋轉軸的垂線垂直，且包含前述旋轉軸的平面，將前述側部分割成2個的狀況下，前述連接口被設置在前述分割的側部中存在前述照射位置之一側的側部的，比被收容於前述收容部的前述液體原料更靠上側。
9. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述連接部包含設置在前述正面部的連接口。
10. 如請求項9所記載之光源裝置，其中， 前述連接口設置在和對於前述第1區域之前述能量束的照射位置對向的位置。
11. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述連接部包含設置在前述背面部的連接口。
12. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述連接部包含設置在前述側部的連接口、設置在前述正面部的連接口、或設置在前述背面部的連接口中的至少2個。
13. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： 氣體供給部，係產生從前述遮蔽體的外部朝向前述空間部之氣體的流向。
14. 如請求項13所記載之光源裝置，其中， 前述氣體供給部具有位於前述第1能量束通過部或前述放射線通過部的至少一方的附近的氣體供給口。
15. 如請求項3所記載之光源裝置，其中， 前述管構件具有捕捉因為對於前述第1區域之前述能量束的照射所產生之碎屑的碎屑捕捉器。
16. 如請求項15所記載之光源裝置，其中， 前述碎屑捕捉器是前述管構件的彎曲的部分。
17. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有在從前述旋轉軸的方向觀察時，遮蔽對於前述第1區域之前述能量束的照射位置的遮蔽部。
18. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第1能量束通過部、前述放射線通過部或前述第2能量束通過部的至少1個位於設置在前述正面部，不包含前述正面部的外周的開口內。
19. 如請求項18所記載之光源裝置，其中， 前述開口是圓形狀的開口。
20. 如請求項18所記載之光源裝置，其中， 前述開口是圓弧形狀的開口。
21. 如請求項18所記載之光源裝置，其中， 前述開口是直線狀地連接2個圓之形狀的開口。
22. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第1能量束通過部、前述放射線通過部或前述第2能量束通過部的至少1個位於設置在前述正面部，包含前述正面部的外周的開口內。
23. 如請求項22所記載之光源裝置，其中， 前述開口是具有直線狀地連接2個圓之形狀的一部分之形狀的開口。
24. 如請求項22所記載之光源裝置，其中， 前述正面部是圓形狀的平板，或包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板， 前述開口是具有被前述正面部的圓弧及1個弦包圍之形狀的開口。
25. 如請求項22所記載之光源裝置，其中， 前述正面部是圓形狀的平板，或包含圓形狀的一部分及平坦的底部之形狀的平板， 前述開口是具有被前述正面部的圓弧及2個平行的弦包圍之形狀的開口。
26. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 在前述正面部設置1個開口， 前述第1能量束通過部及前述放射線通過部分別位於前述1個開口內。
27. 如請求項26所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第2能量束通過部位於前述1個開口內。
28. 如請求項26所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件。
29. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 在前述正面部設置第1開口及第2開口的2個開口， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第1能量束通過部位於前述第1開口內， 前述放射線通過部及前述第2能量束通過部分別位於前述第2開口內。
30. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 在前述正面部設置第1開口及第2開口的2個開口， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第1能量束通過部及前述放射線通過部分別位於前述第1開口內， 前述第2能量束通過部位於前述第2開口內。
31. 如請求項30所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有遮蔽前述第2開口，吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件。
32. 如請求項4所記載之光源裝置，其中， 在前述正面部設置第1開口、第2開口、及第3開口的3個開口， 前述遮蔽體具有設置在前述正面部，藉由前述第1區域反射的前述能量束通過的第2能量束通過部， 前述第1能量束通過部位於前述第1開口內， 前述放射線通過部位於前述第2開口內， 前述第2能量束通過部位於前述第3開口內。
33. 如請求項32所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽體具有遮蔽前述第3開口，吸收藉由前述第1區域反射的前述能量束的阻擋器構件。
34. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述能量束是雷射光。
35. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述放射線是極紫外光或X射線。
36. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述液體原料是錫、鋰、釓、鋱、鎵、鉍、銦、或包含該等材料中至少之一的合金。
37. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： 厚度調整機構，係調整附著於前述第1區域之前述液體原料的厚度。
38. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： 光束源，係照射前述能量束。
39. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： 第2排氣部，係以連通於前述處理室的內部空間之方式連接，能夠對前述內部空間進行排氣。

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