JP5429951B2 - Ｅｕｖ光発生装置におけるターゲット供給装置 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置などの光源に用いられるＥＵＶ光発生装置に関し、特にＥＵＶ光の発生源となるターゲットを供給する装置に関するものである。

回路パターンを半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、ＬＳＩの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画（レチクル）パターンの透過光を縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像の分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。

近年は深紫外領域の光（ＤＵＶ光）を発振するＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡrＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光（ＶＵＶ光）を発振するＦ2レーザ（波長１５７ｎｍ）が光源として開発されている。

現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域（Extreme Ultra Violet）の光（以下ＥＵＶ光）を出力するＥＵＶ光源（波長１３．５ｎｍ）を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。

ＥＵＶ光を発生させる方式を大別すると、ＬＰＰ（レーザ励起プラズマ）方式とＤＰＰ（放電励起プラズマ）方式がある。ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、短パルスレーザ光をターゲットに照射してターゲットをプラズマ状態に励起してＥＵＶ光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にＥＵＶ光を出力する。

図１は、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置の構成を概念的に示している。

真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、真空チャンバ２外の図示しない露光機に伝送される。露光機では、ＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。

真空チャンバ２の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光の集光点に位置される。ターゲット１の材料には、錫Ｓｎ、リチウムＬｉ、キセノンＸｅなどが用いられる。

レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザには、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザなどが用いられる。

レーザ光Ｌは集光光学系を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。

発生したＥＵＶ光はプラズマを中心に全方位に発散する。集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー３により集光され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光５（出力ＥＵＶ光）は、露光機に伝播される。

ターゲット１の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散しデブリとなる。デブリは、高速イオン、プラズマにならなかったターゲット１の残滓を含む。

ターゲット１には、大別すると、ドロップレットターゲット、つまり液体ターゲット、もしくは固定ターゲットが用いられる。液体ターゲットの場合には、たとえば、錫ＳｎやリチウムＬｉなどの金属を高温で溶融し、たとえばノズルなどの微細孔からジェット状若しくはドロップレット状にしてＥＵＶ光発生点Ａへ噴射する。また固定ターゲットの場合には、金属をワイヤ状あるいはテープ状にしてＥＵＶ光発生点Ａに送給したり、金属を円板状あるいは棒状にしてＥＵＶ光発生点Ａにて回転させる。

ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で固体ターゲットを用いることに関する発明は、たとえば下記特許文献１に記載されている。
特開平１１−２５０８４２号公報

近年、ＥＵＶ光の出力の著しい増大が要求されるようになっている。これに伴いドライバレーザ装置４に高出力のレーザを使用して、高出力で安定したＥＵＶ光の出力を長時間維持することが要求されるようになってきている。

たとえば５０Ｗ以上の高出力のＥＵＶ光を得るためには、ＤＰＰ方式よりも図１で例示したようなＬＰＰ方式の方が適している。

一方で、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で問題となるのは、ＥＵＶ光の発生に伴い上述したデブリが生成することである。

デブリは、ＥＵＶ光発生装置の耐久性上、あるいは光出力の効率上、望ましくない。

すなわち高速イオンのデブリは、集光ミラー３等の光学機器に衝突して集光ミラー３等の平滑な反射面をキズを付けて、光学系の耐久性を損なわせる。またデブリが集光ミラー３等の光学機器に付着すると、ＥＵＶ光の反射率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。またデブリがガス化することで真空チャンバ２内の真空度が低下し、ＥＵＶ光の伝搬効率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。

従来は、固定ターゲットと比較して液体ターゲットの方がデブリの生成が少なく有利と考えられていた。

しかし、本発明者等の実験によると、液体ターゲットでは、プラズマ生成時の衝撃によって広範囲に多量で大粒径、つまり数〜数十μｍデブリが飛散するのに対して、固体ターゲットでは、生成されるデブリの量が少なく、粒径サイズも小さいことがわかった。したがってデブリ生成の点では、液体ターゲットよりも固体ターゲットの方が有利である。また、固体ターゲットでは、ＥＵＶ光の生成効率の高い表面形状に加工することが容易である。よってＥＵＶ光を高効率で生成する点でも、固体ターゲットの方が有利である。

しかし、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で固体ターゲットに高出力のレーザ光、たとえば数ｋＷ以上のレーザ光を高繰り返し周波数で長時間照射すると、ターゲットの損傷が顕著なものとなり、ＥＵＶ光５の生成効率が低下するおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。すなわち、効率よくＥＵＶ光５を生成するためには、ターゲット１の表面が一定の形状に保たれていることが重要であり、ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌが照射されるとターゲット１にクレータ状の跡が残るためＥＵＶ光５の生成効率が低下して長時間、高出力のＥＵＶ光５を維持できなくなる。

またＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で固体ターゲットに高出力のレーザ光を高繰り返し周波数で長時間照射すると、ターゲットが高温となり融解するに至り、安定したＥＵＶ光を生成することができなくなるおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。

このため高出力のＥＵＶ光の出力を長時間維持することが困難となるおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で固体ターゲットに高出力のレーザ光を高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光を連続して得られるようにすることを解決課題とするものである。

第１発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構に送るとともに、再生機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられていること
を特徴とする。

第２発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
凹部が形成された固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
レーザ光が照射されたターゲットの凹部を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構に送るとともに、再生機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられていること
を特徴とする。

第３発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられていること
を特徴とする。

第４発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
凹部が形成された固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
レーザ光が照射されたターゲットの凹部を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられていること
を特徴とする。

第５発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられていること
を特徴とする。

第６発明は、第１発明から第５発明において、
ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物が、ワイヤまたはディスクまたはロッドの形状に形成されて、ターゲットがＥＵＶ光発生点に供給されること
を特徴とする。

第７発明は、第１発明から第４発明において、
再生機構は、
溶融金属浴中に、ターゲットを浸漬して金属をターゲットに被覆する溶融めっきによる方法でターゲットを再生する機構であること
を特徴とする。

第８発明は、第１発明から第４発明において、
再生機構は、
ターゲットに、金属の粉体を吹き付けて、ターゲットに金属を塗布する方法でターゲットを再生する機構であること
を特徴とする。

第９発明は、第１発明から第４発明において、
再生機構は、
金属を真空中で蒸発させ、ターゲット上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲットに形成する真空蒸着による方法でターゲットを再生する機構であること
を特徴とする。

第１０発明は、第１発明から第５発明において、
ターゲットとなる金属材料と、当該金属材料よりも熱伝導率の高い金属材料とを含んで構成されたターゲット構造物がＥＵＶ光発生点に供給されること
を特徴とする。

第１１発明は、第１０発明において、
ターゲット構造物は、
熱伝導率の高い金属材料を芯材とし、この芯材の表面に、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲットとなる金属材料が塗布された構造であること
を特徴とする。

第１２発明は、第１発明から第５発明において、
ヒートパイプの表面に、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲットとなる金属材料が塗布された構造のターゲット構造物がＥＵＶ光発生点に供給されること
を特徴とする。

第１３発明は、第３発明から第５発明において、
ターゲットが真空チャンバ内でプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置であって、
冷却機構は、
冷却室を含んで構成され、この冷却室内の雰囲気が、真空チャンバ内よりも圧力が高く、低温の不活性ガスの雰囲気とされ、この冷却室内をターゲットを通過させることでターゲットを冷却する機構であること
を特徴とする。

第１４発明は、第２発明または第４発明において、
ターゲットの凹部は、
レーザ光の発振周期に応じた間隔で、ターゲットを供給する方向に沿って間欠的に形成されたくぼみ、または連続的に形成された溝であること
を特徴とする。

第１５発明は、第１４発明において、
ターゲットのくぼみの位置を検出する検出手段と、
検出手段の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光発生点に、ターゲットのくぼみが位置するタイミングでレーザ光が当該ＥＵＶ光発生点に対して照射されるようにレーザ発振を制御する制御手段とが備えられていること
を特徴とする。

第１６発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
少なくともレーザ光が照射される部分がターゲットとなる固体金属で構成されたワイヤの両端がそれぞれ巻回された一対の巻取りドラムと、
ワイヤが連続してＥＵＶ光発生点を通過するように一対の巻取りドラムを駆動させる送り機構とを備え、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するワイヤのターゲットとなる固体金属に向けて照射することによってＥＵＶ光を発生させるようにしたこと
を特徴とする。

第１７発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
供給方向に沿って連続的に溝が形成され、少なくとも溝の内側表面がターゲットとなる固体金属で構成されたターゲット構造物を、その溝がＥＵＶ光発生点を通過するように供給し、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置する溝に向けて照射することによってＥＵＶ光を発生させるようにしたこと
を特徴とする。

第１８発明は、第１７発明において、
ターゲット構造物に形成された溝は、溝幅が表面で広く最深部で狭い形状であること
を特徴とする。

第１９発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットが真空チャンバ内でプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
固体金属のターゲットからなる、または固体金属のターゲットと他の材料からなるターゲット構造物をＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
真空チャンバ外に設けられ、レーザ光が照射されたターゲット構造物の固体金属の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点を通過したターゲット構造物を、真空チャンバ外の再生機構に送るとともに、真空チャンバ外の再生機構を通過したターゲット構造物を再び真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられており、
再生機構は、
再生室を含んで構成され、再生室と真空チャンバとが連通されており、
再生室内の雰囲気が、ターゲットとなる固体金属を酸化させない雰囲気とされていること
を特徴とする。

第２０発明は、第１９発明において、
再生機構は、
再生室内に設けられ、ターゲット構造物の固体金属を除去する除去槽と、
再生室内に設けられ、除去槽によって除去されたターゲット構造物の部分に固体金属を塗布する塗布手段と
を含んで構成されていること
を特徴とする。

第２１発明は、
レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
ターゲット供給装置は、
固体金属のターゲットからなる、または固体金属のターゲットと他の材料からなるターゲット構造物をＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
ターゲット供給装置には、
レーザ光が照射されたターゲット構造物の固体金属の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
ＥＵＶ光発生点を通過したターゲット構造物を、再生機構に送るとともに、再生機構を通過したターゲット構造物を再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
が設けられており、
再生機構は、
ターゲット構造物の固体金属を除去する除去槽と、
除去槽によって除去されたターゲット構造物の部分に固体金属を塗布する塗布手段と
を含んで構成されていること
を特徴とする。

第２２発明は、第１７発明において、
ターゲット構造物の溝に対向する位置に、ＥＵＶ光を集光する集光ミラーが配置され、
集光ミラーは、その集光面が、ターゲット構造物の溝を中心に１２０°以内の広がり角の範囲に収まるように構成されていること
を特徴とする。

第１発明を図４を用いて説明する。

すなわち、ＥＵＶ光発生装置１０では、レーザ光Ｌが、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するターゲット１に対して照射され、これによりターゲット１がプラズマ状態にされＥＵＶ光５が発生する。ターゲット供給装置２０は、固体金属のターゲット１をＥＵＶ光発生点Ａに向けて連続して供給する。なお図４では、ターゲット１を含んだワイヤ１Ａを供給する場合を例示している。すなわち本発明は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置で固体ターゲットを用いる装置に関する発明である。

ターゲット供給装置２０には、再生機構３０と送り機構４０とが設けられている。再生機構３０は、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する。送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を再生機構３０に送るとともに、再生機構３０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

本第１発明によれば、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が損傷されたとしても、再生機構３０によってターゲット１の表面が修復されレーザ光照射前の状態に再生された上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、損傷のない最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、効率よくＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。

第２発明では、第１発明と同様に ターゲット供給装置２０に、再生機構３０と送り機構４０とが設けられる。

再生機構３０は、図２５（ｂ）に示すように、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の凹部１Ｄを、レーザ光照射前の状態に再生する。ここで、凹部１Ｄは、ターゲット１に形成されたくぼみ、または溝である。

本第２発明によれば、第１発明と同様に、固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。さらに第２発明によれば、ターゲット１の凹部１Ｄにレーザ光Ｌを照射するようにしたので、図２５（ａ）に示すように、ターゲット１の平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて高密度にプラズマを生成することができ、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる。

第３発明では、図４に示すように、第１発明の再生機構３０に加えて、ターゲット供給装置２０に冷却機構５０が設けられる。冷却機構５０は、ターゲット１を、ターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する。送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を再生機構３０を介して冷却機構５０に送るとともに、冷却機構５０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

本第３発明によれば、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が高温となり融解するおそれがある状態になったとしても、冷却機構５０によってターゲット１が冷却されてターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度にされた上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、融点よりも低い最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、安定したＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。更に、再生機構３０の種類によっては、再生機構３０をターゲット１が通過することによっても、ターゲット１が温度上昇する。本第３発明によれば、送り機構４０によって再生機構３０を通過したターゲット１が冷却機構５０に送られるため、再生機構３０を通過することで温度上昇したターゲット１をターゲット材料の金属の融点よりも低く保持した上で、再びＥＵＶ光発生点Ａに送ることができる。

第４発明では、第３発明と同様に ターゲット供給装置２０に、再生機構３０と冷却機構５０と送り機構４０とが設けられる。

再生機構３０は、図２５（ｂ）に示すように、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の凹部１Ｄを、レーザ光照射前の状態に再生するものである。ターゲット１の凹部１Ｄにレーザ光Ｌが照射されるため、第２発明と同様に、高密度にプラズマを生成することができ、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる。

第５発明では、ターゲット供給装置２０に、冷却機構５０と送り機構４０とが設けられる。冷却機構５０は、ターゲット１を、ターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する。送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を冷却機構５０に送るとともに、冷却機構５０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

本第５発明によれば、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が高温となり融解するおそれがある状態になったとしても、冷却機構５０によってターゲット１が冷却されてターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度にされた上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、融点よりも低い最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、安定したＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。

第６発明では、図４に示すように、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａが、ワイヤの形状に形成されて、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに供給される。または図１１、図１２、図１３、図１４に示すように、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａが、ディスクの形状に形成されて、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに供給される。または図１５に示すように、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａが、ロッドの形状に形成されて、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに供給される。

第７発明では、図１６（ａ）または図１６（ｂ）または図１７に示すように、溶融金属浴中に、ターゲット１を浸漬して金属をターゲット１に被覆する溶融めっきによる方法でターゲット１が再生される。

第８発明では、図２２に示すように、ターゲット１に、金属の粉体を吹き付けて、ターゲット１に金属を塗布する方法でターゲット１が再生される。

第９発明では、図２３または図２４に示すように、金属を真空中で蒸発させ、ターゲット１上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲット１に形成する真空蒸着による方法でターゲット１が再生される。

第１０発明では、図５または図６に示すように、ターゲット１となる金属材料と、当該金属材料よりも熱伝導率の高い金属材料１Ｂとを含んで構成されたターゲット構造物１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに供給される。

第１１発明では、図５または図６に示すように、熱伝導率の高い金属材料を芯材１Ｂとし、この芯材１Ｂの表面に、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲット１となる金属材料が塗布された構造のターゲット構造物１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに供給される。

第１２発明では、図１５に示すように、ヒートパイプの表面に、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲット１となる金属材料が塗布された構造のターゲット構造物１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに供給される。

第１０発明、第１１発明、第１２発明によれば、レーザ光照射によって、または再生機構３０を通過したことによって、加熱されたターゲット１を、効率的に放熱させることができる。また安定したＥＵＶ光５を得るために必要なターゲット材の厚みは、少なくとも１０ｎｍあればよいことがわかっている。第１１発明、第１２発明によれば、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲット１となる金属材料が塗布されているため、ＥＵＶ光５が安定して出力されることを保証しつつターゲット１を効率的に放熱させることができる。

第１３発明では、図３４または図３５に示すように、冷却室５１内の雰囲気が、真空チャンバ２内よりも圧力が高く、低温の不活性ガス５２の雰囲気とされ、この冷却室５１内をターゲット１を通過させることでターゲット１が冷却される。

第１４発明では、図２６または図３０または図３１（ａ）、（ｂ）に示すように、ターゲット１に、くぼみ１Ｄがレーザ光Ｌの発振周期に応じた間隔で、ターゲット１を供給する方向に沿って間欠的に形成される。第１４発明によれば、レーザ光Ｌの発振に同期させて、くぼみ１ＤをＥＵＶ光発生点Ａに順次位置決めすることが可能となる。

第１５発明では、図３２または図３３に示すように、検出手段６０においてターゲット１のくぼみ１Ｄの位置が検出され、制御手段７０において検出手段６０の検出結果に基づいて、レーザ発振が制御されて、ＥＵＶ光発生点Ａに、ターゲット１のくぼみ１Ｄが位置するタイミングでレーザ光Ｌが当該ＥＵＶ光発生点Ａに対して照射される。このためターゲット１のくぼみ１Ｄに精度よくレーザ光Ｌを順次照射することができる。

第１６発明では、図３７に示すように、一対の巻取りドラム１２１、１２２に、少なくともレーザ光Ｌが照射される部分がターゲット１となる固体金属で構成されたワイヤ１Ａの両端がそれぞれ巻回されている。送り機構４０は、ワイヤ１Ａが連続してＥＵＶ光発生点を通過するように一対の巻取りドラム１２１、１２２を駆動させる。これによりＥＵＶ光発生点Ａに、ワイヤ１Ａのターゲット１となる固体金属が位置され、レーザ光Ｌが、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するワイヤ１Ａのターゲット１となる固体金属に向けて照射されると、ＥＵＶ光５が発生する。

ここで、第１６発明のターゲット供給方法（これを巻取り式という）による作用効果と、図２、図３、図４に示すターゲット供給方法（これをループ式という）による作用効果を対比する。

ループ式では、つなぎ目のない１本のワイヤ１Ａの両端がそれぞれ一対の巻取りドラム１２１、１２２に巻回されて送給されるようにしているので、つなぎ目のあるループ状のワイヤ１Ａを送給するループ式に比べて、ワイヤ１Ａの長さを稼ぐことができ、高出力のレーザ光Ｌによるワイヤ１Ａの損傷を抑制できる。

また、ループ式では、ワイヤ１Ａの端部同士を繋ぐ必要がなく、その繋ぎ作業が不要となるので、非常に工数のかかる繋ぎ作業を省略することができる。また、一般的に、ワイヤ１Ａの端部同士を繋ぐと、つなぎ目が元のワイヤ１Ａの径よりも大きくなる。このためワイヤ１Ａが狭い経路を通過する際に、たとえば図１８に示す孔３１ｂを通過する際に、つなぎ目が、その経路（孔３１ｂ）に引っかかり、スムーズな送給が行われなくなるおそれがある。これに対して、ループ式では、ワイヤ１Ａにつなぎ目がないため、ワイヤ１Ａの引っかかりがなく安定したスムーズな送給を行うことができる。

第１７発明では、図２９に示すように、供給方向Ｅに沿って連続的に溝１Ｄが形成されたターゲット構造物１Ａ（たとえばワイヤ）が、その溝１ＤがＥＵＶ光発生点Ａを通過するように供給される。ターゲット構造物１Ａの少なくとも溝１Ｄの内側表面がターゲットとなる固体金属で構成されている。これによりＥＵＶ光発生点Ａに、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄが位置され、レーザ光Ｌが、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するターゲット構造物１Ａの溝１Ｄに向けて照射されると、ＥＵＶ光５が発生する。

ここで、第１６発明の溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果と、図２５（ａ）に示す溝１Ｄが無い平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果と、図２６に示す間欠的に形成されたくぼみ１Ｄにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果を対比する。

ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合には、ターゲット構造物１Ａの平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて、プラズマが溝１Ｄの内側に閉じ込められるため、高密度にプラズマを生成することができ、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる。

また、ターゲット構造物１Ａにくぼみ１Ｄを形成する場合には、くぼみ１Ｄをレーザ光Ｌの発振周期に応じた間隔で、ワイヤなどに形成する必要があり、加工が容易ではなく工数が大となるのに対して、ターゲット構造物１Ａに溝１Ｄを形成する場合には、ワイヤなどにその長手方向に沿って連続的に開口を形成するだけでよく、加工性が良く工数が少なくて済む。また、ターゲット構造物１Ａのくぼみ１Ｄにレーザ光Ｌを照射する場合には、図３２、図３３に示すように、間欠的なくぼみ１Ｄを検出する検出手段６０と、ＥＵＶ光発生点Ａにくぼみ１Ｄが位置するタイミングでレーザ光Ｌを精度よく照射する制御手段７０が必要となり、装置構成、制御が複雑となるのに対して、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射する場合には、そのような複雑な装置構成、制御は不要となる。

第１８発明では、図４２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、ターゲット構造物１Ａには、溝幅が表面で広く最深部で狭い形状の溝１Ｄが形成されている。

図４２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に例示される、溝幅が表面で広く最深部で狭い形状の溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合には、図４２（ｆ）に示される、そうでない形状、例えば溝幅が深さ方向で同一の断面矩形状の溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる。

第１９発明では、図４３に示すように、再生機構３０は、再生室５３０を含んで構成されている。再生室５３０と真空チャンバ２は、連通路５３１を介して連通されている。そして、再生室５３０内の雰囲気は、ターゲット１となる固体金属を酸化させない雰囲気、たとえばＮ2ガス、Ａｒガスなどの不活性ガスの雰囲気若しくは真空の雰囲気とされている。

本発明者らの実験によると、再生機構３０で再生されたターゲット構造物１Ａのターゲット１の表面が酸素雰囲気に暴露されると、ターゲット表面に酸化膜が形成されてしまいその酸化膜が形成されたままの状態のターゲット１にレーザ光Ｌが照射されると、ＥＵＶ光５の発光効率が低下することがわかった。この場合、図３、図４に示すように再生機構３０自体を真空チャンバ２内に配置して再生室５３０を真空雰囲気にすれば問題はないが、構造上などの理由により、再生室５３０を、真空チャンバ２の外に設けざるを得ない場合がある。本発明では、このように再生室５３０を、真空チャンバ２の外に設けざるを得ない場合において、再生室５３０をターゲット１となる固体金属を酸化させない雰囲気にして真空チャンバ２に連通させているので、ターゲット表面に酸化膜が形成されることを抑制でき、酸化膜が形成されない状態でターゲット１にレーザ光Ｌを照射することができ、ＥＵＶ光５の発光効率の低下を抑制できる。また、差動排気装置が不要となる。

第２０発明、第２１発明では、図４３に示すように、再生機構３０の再生室５３０内の除去槽５３２で、ターゲット構造物１Ａの固体金属が除去される。そして、再生機構３０の再生室５３０内の塗布手段５３３で、除去槽５３２によって除去されたターゲット構造物１Ａの部分に固体金属が塗布されて、再生が行われる。

再生機構３０に要求される機能は、レーザ光Ｌの照射により欠損等したターゲット表面をつぎのレーザ光照射時期までに元の状態に復元することである。しかし、レーザ光Ｌの照射により欠損等した部分は、ターゲット表面（錫Ｓｎの膜）全体のうち一部だけであり、レーザ光照射後にそのままターゲット表面に固体金属（錫Ｓｎ）を塗布すると、欠損等した部分とそうでない部分とで塗布膜の厚さが異なってしまい、ターゲット表面で凹凸が生じ形状が安定しなくなる。このためＥＵＶ光５の発光効率に悪影響を与えるおそれがある。そこで、本発明では、除去槽５３２にて、ターゲット表面全体の固体金属全てを除去した後にあらためて塗布手段５３３にて、固体金属をターゲット表面全体に塗布するようにしている。これにより固体金属塗布後のターゲット表面形状が凹凸無く安定し一定形状が得られ、ＥＵＶ光５の発光効率を安定させることができる。

第２２発明では、図４６（ｂ）に示すように、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄに対向する位置に、ＥＵＶ光５を集光する集光ミラー３が配置されている。集光ミラー３は、その集光面３ａが、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄを中心に１２０°以内の広がり角θの範囲に収まるように構成されている。

すなわち、図４６（ａ）に示すように、ターゲット構造物１Ａに溝１Ｄが形成され、その溝１Ｄにレーザ光Ｌが照射されると、溝１Ｄが無いターゲット構造物１Ａにレーザ光Ｌを照射した場合と比較してＥＵＶ光５の放射方向の偏りが大きくなる。溝１Ｄに対向する図中上方向でＥＵＶ光５の強度が最も高く、溝１Ｄを中心に図中左右に角度θに広がるにつれてＥＵＶ光５の強度が低くなり、広がり角θ１８０°付近では、殆ど有効な強度が得られない。一方、光学部品である集光ミラー３は製造コストが高く、その集光面３ａが大きくなるほどコストが上昇する。集光ミラー３で集光される有効なＥＵＶ光５の強度と、集光ミラー３のコストのバランスを考慮すると、集光ミラー３は、その集光面３ａが、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄを中心に１２０°以内の広がり角θの範囲に収まっていることが望ましい。本発明によれば、集光ミラー３の製造コストを抑制しつつ、高い集光効率が得られ、露光機に、効率よく高出力のＥＵＶ光５を伝播させることができる。

以下、図面を参照して本発明に係るＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置の実施の形態について説明する。

（第１の装置構成例：再生機構と冷却機構と送り機構が備えられた装置）
図２、図３、図４は、第１の装置構成例を示している。

図２、図３、図４に共通する構成部分について以下説明する。

図２、図３、図４に示す装置は、大きくは、図１と同様に、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置１０と、ターゲット供給装置２０とからなる。

ＥＵＶ光発生装置１０の真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、真空チャンバ２外の図示しない露光機に伝送される。露光機では、ＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。

真空チャンバ２の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光の集光点に位置される。ターゲット１は、固体ターゲットであり、固体ターゲットの材料には、錫Ｓｎが用いられる。なお、他の固体金属、たとえばリチウムＬｉなどを用いる実施も可能である。

レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザは、ＣＯ2レーザである。なお、他のレーザ、たとえばＹＡＧレーザを使用する実施も可能である。

レーザ光Ｌは集光光学系を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。

発生したＥＵＶ光５はプラズマを中心に全方位に発散する。集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー３により集光され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光５（出力ＥＵＶ光）は、図示しない露光機に伝播される。

ターゲット供給装置２０は、固体金属のターゲット１をＥＵＶ光発生点Ａに向けて連続して供給する装置である。ターゲット供給装置２０は、ターゲット１がワイヤ状に形成されたターゲット構造物ないしは、ターゲット１と他の材料とがワイヤ状に形成されたターゲット構造物としてのワイヤ１Ａを供給する。

ターゲット供給装置２０には、再生機構３０と送り機構４０と冷却機構５０と各プーリ２１〜２４が設けられている。

再生機構３０は、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する。

冷却機構５０は、ターゲット１を、ターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する。

送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を再生機構３０を介して冷却機構５０に送るとともに、冷却機構５０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

ワイヤ１Ａは、各プーリ２１、２２、２３、２４にワイヤ長手方向Ｅに送給自在に架けられている。各プーリ２１、２２、２３、２４によってワイヤ１Ａのねじれ、ワイヤ幅方向の位置ずれが抑制されて、ワイヤ１Ａがワイヤ幅方向の所定位置に位置決めされる。

送り機構４０は、各プーリ２１、２２、２３、２４によって規定されたワイヤ１Ａの軌道に沿ってワイヤ１Ａを送給する。

つぎに図２、図３、図４の各装置構成で異なる部分について説明する。

図２の装置では、プーリ２１、２４間のワイヤ１Ａが真空チャンバ２内に配置されている。ターゲット供給装置２０は真空チャンバ２の外部に配置されている。

図３の装置では、ターゲット供給装置２０が真空チャンバ２の内部に配置されている。

図４の装置では、ターゲット供給装置２０のうち再生機構３０と送り機構４０のうち動力部４０ａ以外の構成部分４０ｂと冷却機構５０と各プーリ２１〜２４が真空チャンバ２の内部に配置されているとともに、送り機構４０のうち動力部４０ａが真空チャンバ２の外部に配置されている。ここで動力部４０ａは、モータなどで構成される。

図３、図４の装置によれば、ワイヤ１Ａの全体が真空チャンバ２内に収容されているため、図２の装置に比べて、ワイヤ１Ａを外部から真空チャンバ２内に導入する機構が不要となり、機構が複雑になることを回避できる。更に図４の装置構成によれば、送り機構４０の動力部４０ａが真空チャンバ２の外に配置されているため、動力部４０ａのモータ等で発生した熱を効率的に排熱させることができる。送り機構４０の動力部４０ａと動力部４０ａ以外の構成部４０ｂとの結合は、たとえばマグネットカップリングなどの磁気結合によってモータの回転運動を伝達することが考えられる。また、磁性流体シールなどを用いる実施も可能である。

（ワイヤの構造）
つぎにワイヤ１Ａの構造について、図５、図６、図７を参照して説明する。図５、図６、図７は、ワイヤ１Ａを破断したものを斜視図にて示す。

ワイヤ１Ａは、全体がターゲット１の材料となる固体金属（錫Ｓｎ）であってもよく、一部がターゲット１の材料となる固体金属（錫Ｓｎ）であって残りの部分が他の材料であってもよい。

ただし、ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されるとレーザやプラズマによりワイヤ１Ａが加熱される。また後述するように再生機構３０の種類によっては、ワイヤ１Ａが再生機構３０を通過することによって、ワイヤ１Ａが加熱される。このためワイヤ１Ａは、冷却効率がよく放熱性に優れた構造であることが望ましい。このため図５または図６では、ターゲット１となる金属材料（錫Ｓｎ）と、この金属材料よりも熱伝導率の高い金属材料１Ｂとを含んでワイヤ１Ａが構成されている。なお、冷却機構５０によってワイヤ１Ａを十分に冷却することができるのであれば、ワイヤ１Ａの全体を錫Ｓｎ、もしくは熱伝導率は低いが引っ張り強度の高いＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、インコネル、タングステン、ハステロイなどとする実施も可能である。

また安定したＥＵＶ光５を得るために必要なターゲット材（錫Ｓｎ）の厚みは、少なくとも１０ｎｍあればよく、望ましくは数十ｎｍ以上あればよいことがわかっている。またターゲット材（錫Ｓｎ）の厚みは、デブリの発生を抑制するために必要な値に定められる。よってターゲット材（錫Ｓｎ）の厚みは、ＥＵＶ光生成効率とデブリ発生量を考慮して最適な値に定められる。

そこで、図５または図６に示すように、ワイヤ１Ａは、熱伝導率の高い金属材料を芯材１Ｂとし、この芯材１Ｂの表面に、１０ｎｍ〜１００μｍの厚みでターゲット１となる金属材料（錫Ｓｎ）が塗布された構造のターゲット構造物にて構成される。ターゲット１となる金属材料（錫Ｓｎ）は、たとえば、めっきによって塗膜することができる。

ここで芯材１Ｂに使用される金属としては、たとえば銅Ｃｕである。銅Ｃｕは一定レベル以上の引っ張り強度を確保することができるためワイヤ１Ａを構成する材料として望ましい。また芯材１Ｂを、他の金属、たとえばステンレス（ＳＵＳ）、タングステンＷ、アルミニウムＡｌなどの高融点かつ熱伝導率の高い材料とし、この芯材１Ｂと表面のターゲット１の薄膜（錫Ｓｎ）との間に、熱伝導率の高い材料、たとえば金Ａｕ、水銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ダイヤモンドＣを介在させる実施も可能である。

ワイヤ１Ａの直径は、ねじれなどによる変形に耐えられる太さ、除熱を効率的に行うことができることを考慮した太さに定められる。またワイヤ１Ａの直径は、デブリの発生を抑制するために必要な値に定められる。たとえばワイヤ１Ａは、３ｍｍ以下のものを使用することができる。

図５に示すワイヤ１Ａの場合には、芯材１Ｂの全体を被覆するようにターゲット１の薄膜（錫Ｓｎ）が形成されている。ただし、図６に例示するように、十分にＥＵＶ光５を発光させることができる最小の範囲でターゲット１の薄膜（錫Ｓｎ）を形成する実施も可能である。

図６は、厚みで数十ｎｍ、直径でレーザ光Ｌのスポット径程度の大きさ（１００μｍ以下）のターゲット１の薄膜を芯材１Ｂに形成した構造を示している。

以上のようにワイヤ１Ａを熱伝導率が高く放熱性のよいターゲット構造物とすることで、レーザ光照射によって、または再生機構３０を通過したことによって、加熱されたターゲット１を、効率的に放熱させることができる。また、少なくとも１０ｎｍの厚みでターゲット１となる金属材料（錫Ｓｎ）が塗布されているため、ＥＵＶ光５が安定して出力されることを保証しつつターゲット１を効率的に放熱させることができる。

また、ワイヤ１Ａの断面形状は、図５、図６に示すように円形であってもよく、他の任意の形状であってもよい。

図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、ワイヤ１Ａの断面が三角形、四角形に形成されたターゲット構造物を例示している。

（プーリの構造）
一方、ワイヤ１Ａが架けられる各プーリ２１〜２４の溝は、ワイヤ１Ａの断面形状に応じた形状に形成されていることが望ましい。プーリ２１〜２４の溝は、ワイヤ１Ａにねじれなどの変形を生じさせず、所望するＥＵＶ光発生点Ａに正確にターゲット１を位置決めすることができる形状に形成することが望ましい。

図８（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図７（ａ）、（ｂ）に示される断面のワイヤ１Ａに適合した溝２１Ａを有するプーリ２１〜２４を例示している。

（位置決め機構）
ターゲット供給装置２０に適宜、位置決め機構８０を追加する実施も可能である。

すなわち、ＥＵＶ光発生点Ａにおいて、１００μｍ以下のスポット径のレーザ光Ｌが精度よくターゲット１に照射されるようにするためには、ターゲット１の位置決めの精度として数十μｍ以下の厳しい値が要求される。

そこで、図９、図１０に示すように、ＥＵＶ光発生点Ａの近傍に位置決め機構８０を設けて、ターゲット１をＥＵＶ光発生点Ａに数十μｍ以下の位置決め精度で位置決めさせる実施も可能である。

図９の装置では、ＥＵＶ光発生点Ａの前後に、ワイヤ１Ａの直径に応じた大きさの孔８１ａ、８２ａがそれぞれ形成された板状の部材８１および板状の部材８２を設け、これら孔８１ａ、８２ａ内をワイヤ１Ａが通過するように板状部材８１、８２を配置することで、ワイヤ１Ａのワイヤ線幅方向の位置ずれを規制して、ターゲット１をＥＵＶ光発生点Ａで数十μｍ以下の位置決め精度で位置決めさせている。

図１０の装置では、ＥＵＶ光発生点Ａの前後に一対のローラ８３Ｌ、８３Ｒおよび一対のローラ８４Ｌ、８４Ｒを設け、一対のローラ８３Ｌ、８３Ｒの間および一対のローラ８４Ｌ、８４Ｒの間をワイヤ１Ａが滑り移動するように、これら一対のローラ８３Ｌ、８３Ｒおよび一対のローラ８４Ｌ、８４Ｒを配置することで、ワイヤ１Ａのワイヤ線幅方向の位置ずれを規制して、ターゲット１をＥＵＶ光発生点Ａで数十μｍ以下の位置決め精度で位置決めさせている。

（他のターゲット構造物）
以上の説明では、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａが、ワイヤの形状に形成された場合を想定して説明した。

しかし、本発明としてはターゲット構造物１Ａの形状は任意である。

たとえば図１１、図１２、図１３、図１４に示すように、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａを、ディスクの形状に形成してもよく、また図１５に示すように、ターゲット１からなる、またはターゲット１と他の材料からなるターゲット構造物１Ａを、ロッドの形状に形成してもよい。

図１１、図１２（ａ）、図１４に示す装置では、図１３に示すように、図４の装置と同様にターゲット供給装置２０のうち再生機構３０と送り機構４０のうち動力部４０ａ以外の構成部分４０ｂと冷却機構５０が真空チャンバ２の内部に配置されているとともに、送り機構４０のうち動力部４０ａが真空チャンバ２の外部に配置されている。ディスク形状のターゲット構造物１Ａは真空チャンバ２内に配置されている。

すなわち図１１に示す送り機構４０の構造を、図１３に示す。同図１３に示すように、モータ４１によって、ディスク形状のターゲット構造物１Ａがディスク中心に位置する回転軸４２を回転中心に回転されて、ターゲット構造物１Ａの表面に形成されたターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに連続して供給される。モータ４１は、回転数を一定に保持するためにサーボモータが望ましい。またディスク形状のターゲット構造物１Ａで発生する振動、振れを防ぐためにスタビライザを追加する実施も可能である。

図１１の装置では、集光ミラー３の反射面３ａに、ディスク形状のターゲット構造物１Ａのディスク円周側面１Ｆが対向するように、ディスク形状のターゲット構造物１Ａが配置されている。また、図１１の装置では、図１３に示すように、集光ミラー３で反射されて露光機側に向かうＥＵＶ光５がターゲット構造物１により遮光される面積をできるだけ小さくするために、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの厚さが１０ｍｍ以下になるように形成することが望ましい。同様に集光ミラー３で反射されて露光機側に向かうＥＵＶ光５が送り機構４０により遮光されることを防止するために、送り機構４０の回転軸４２、スタビライザなどの構成要素をＥＵＶ光５の光路外に配置することが望ましい。また図１４に示すように、ＥＵＶ光５の生成効率を保持するためにレーザ光Ｌは、ターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆに向けて法線方向に入射することが望ましい。

図１２（ａ）の装置では、集光ミラー３の反射面３ａに、ディスク形状のターゲット構造物１Ａのディスク平面１Ｇが対向するように、ディスク形状のターゲット構造物１Ａが配置されている。図１２（ａ）の装置の場合も図１３で説明したのと同様の構造にて送り機構４０が構成されている。

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示すディスク形状のターゲット構造物１Ａをディスク平面１Ｇ側からみた図である。集光ミラー３で反射されて露光機側に向かうＥＵＶ光５がターゲット構造物１により遮光されることを防ぐために、ディスク形状のターゲット構造物１Ａのディスク平面１Ｇに、ＥＵＶ光５が通過する孔１Ｈが設けられる。たとえばディスク形状のターゲット構造物１Ａは、円周外側の幅を１０ｍｍ以下に残した車輪状に形成される。また図１３で説明したのと同様に集光ミラー３で反射されて露光機側に向かうＥＵＶ光５が送り機構４０により遮光されることを防止するために、送り機構４０の回転軸４２、スタビライザなどの構成要素をＥＵＶ光５の光路外に配置することが望ましい。

ディスク形状のターゲット構造物１Ａについても、ワイヤ形状のターゲット構造物１Ａと同様に図５、図６と同様の構造にてターゲット１とターゲット１以外の他の材料とを組み合わせることができる。この場合、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの各部の寸法については、同様にＥＵＶ光生成効率とデブリ発生量を考慮して最適な値に定められる。たとえばターゲット１の厚みを、数十ｎｍに定め、ターゲット構造物１Ａのディスクの直径を１００μｍに定めることができる。

図１５に示す装置では、図４の装置と同様にターゲット供給装置２０のうち再生機構３０と送り機構４０のうち動力部４０ａ以外の構成部分４０ｂと冷却機構５０が真空チャンバ２の内部に配置されているとともに、送り機構４０のうち動力部４０ａが真空チャンバ２の外部に配置されている。ロッド形状のターゲット構造物１Ａは真空チャンバ２内に配置されている。動力部４０ａは、駆動軸４３を介してロッド形状のターゲット構造物１Ａに連結されている。動力部４０ａによって、駆動軸４３が長手方向Ｂに駆動されるか、もしくは軸回転方向Ｃに駆動されるか、ないしはこれら両ＢおよびＣの方向に同時または交互に駆動されることで、ロッド形状のターゲット構造物１Ａが同方向に駆動されて、ターゲット構造物１Ａの表面に形成されたターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに連続して供給される。

また、図１５の装置では、図１３で説明したのと同様に、集光ミラー３で反射されて露光機側に向かうＥＵＶ光５がターゲット構造物１により遮光される面積をできるだけ小さくするために、ロッド形状のターゲット構造物１Ａの直径が１０ｍｍ以下になるように形成することが望ましい。

ロッド形状のターゲット構造物１Ａについても、ワイヤ形状のターゲット構造物１Ａと同様に図５、図６と同様の構造にてターゲット１とターゲット１以外の他の材料とを組み合わせることができる。

なお図５、図６に示されるターゲット構造物１Ａでは、ターゲット１が被覆される部材を芯材１Ｂとしているが、図１５に示すロッド状のターゲット構造物１Ａに関しては、銅Ｃｕなどを材料とするヒートパイプの表面に、ターゲット１となる金属材料（錫Ｓｎ）が塗布された構造とする実施も可能である。この場合も、ターゲット１の厚さは、少なくとも１０ｎｍ、望ましくは数十ｎｍ以上あればよい。

（再生機構）
さて、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置１０で固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌ、たとえば数ｋＷ以上のレーザ光を高繰り返し周波数で長時間照射すると、ターゲット１の損傷が顕著なものとなり、ＥＵＶ光５の生成効率が低下するおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。すなわち、効率よくＥＵＶ光５を生成するためには、ターゲット１の表面が一定の形状に保たれていることが重要であり、ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌが照射されるとターゲット１にクレータ状の跡が残るためＥＵＶ光５の生成効率が低下して長時間、高出力のＥＵＶ光５を維持できなくなる。

再生機構３０は、このような問題を解決するために設けられている。

再生機構３０は、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する機構であり、少なくともレーザ光Ｌの照射によって消耗若しくは損傷したターゲット１の表面状態を、ＥＵＶ光５の生成に最適な形状に整形することができる機能を有するものであれば、任意の手段、方法を適用することができる。

図１６（ａ）または図１６（ｂ）または図１７は、溶融金属浴中に、ターゲット１を浸漬して金属をターゲット１に被覆する溶融めっきによる方法でターゲット１を再生する再生機構３０を例示している。

図１６（ａ）に示す再生機構３０では、容器３１内に、溶融金属（錫Ｓｎ）１Ｊが貯留されており、ディクス形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆの一部が溶融金属１Ｊに浸漬されている。ディクス形状のターゲット構造物１Ａを回転させることで、レーザ光Ｌの照射によって消耗若しくは損傷したターゲット１の表面が、めっきにより被覆されて、ＥＵＶ光５の生成に最適な形状に整形される。ただし、このような溶融めっきによる方法の場合には、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの回転によって、集光ミラー３に溶融金属１Ｊの飛沫が付着するおそれがある。これを防止するためにディスク形状のターゲット構造物１Ａを、集光ミラー３に溶融金属１Ｊの飛沫が付着するおそれがない方向Ｄ、つまり図１１、図１４の図中反時計方向Ｄに回転させることが望ましい。

図１６（ｂ）に示す再生機構３０では、容器３１内に、溶融金属（錫Ｓｎ）１Ｊが貯留されており、ロッド形状のターゲット構造物１Ａの長手方向の先端部が溶融金属１Ｊに浸漬されている。ロッド形状のターゲット構造物１Ａを、長手方向Ｂに駆動するか、もしくは長手方向Ｂおよび軸回転方向Ｃに同時または交互に駆動することで、レーザ光Ｌの照射によって消耗若しくは損傷したターゲット１の表面が、めっきにより被覆されて、ＥＵＶ光５の生成に最適な形状に整形される。

図１７に示す再生機構３０では、容器３１内に、溶融金属（錫Ｓｎ）１Ｊが貯留されており、溶融金属１Ｊ中に、図２、図３、図４に示すプーリ２１〜２４またはこれらプーリ２１〜２４と同機能のプーリ２５が配置されている。プーリ２５にはワイヤ１Ａが架けられておりワイヤ１Ａが溶融金属１Ｊに浸漬されている。ワイヤ１Ａを、ワイヤ長手方向Ｅに送給することで、レーザ光Ｌの照射によって消耗若しくは損傷したターゲット１の表面が、めっきにより被覆されて、ＥＵＶ光５の生成に最適な形状に整形される。

以下では、ターゲット構造物１Ａがワイヤ形状に形成されたものを例にとり、再生機構３０の各部分について説明するが、以下の構成例は、ディスク形状、ロッド形状等の他の形状に形成されたターゲット構造物１Ａについても同様にして適用することができる。また、以下では、図３、図４にて前述したように再生機構３０が真空チャンバ２内に設けられている構成を前提として説明する。

再生後のターゲット１の厚さは、前述したように所望する厚さ（たとえば数十ｎｍ）に調整する必要がある。そこで、図１７に示すように、容器３１の外部にあって、ワイヤ１Ａの出口側に切削装置３２が設けられる。切削装置３２には、ワイヤ１Ａの周囲を切削するエッジ３２Ａが設けられており、エッジ３２Ａによって、溶融金属１Ｊを通過した後のワイヤ１Ａの周囲が切削されて、再生後のターゲット１の厚さが所望する厚さ（たとえば数十ｎｍ）に調整される。図１７では、容器３１の外に切削装置３２を設けているが、容器３１内に切削装置３２を設けてもよい。容器３１内に切削装置３２を設けることで、切削粉を溶融金属１J内に戻し再利用することができる。

また、ワイヤ１Ａが高速で溶融金属１Ｊを通過することで溶融金属１Ｊの飛沫が発生する。そこで、溶融金属１Ｊの飛沫が外部に飛散して真空チャンバ２に放出されることを防止するために、図１８に示すように、ワイヤ１Ａが通過するときのクリアランスが１ｍｍ以下となる孔３１ｂを容器３１の壁３１ａに形成して外部と仕切ることが望ましい。

図１９に示すように、容器３１内の金属（錫Ｓｎ）は、ヒータ３３によって溶融することができる。ヒータ３３が抵抗加熱式のヒータの場合、ヒータ３３に供給される電力を同図１９に示す構成にて制御することができる。すなわち、容器３１内に溶融金属１Ｊの温度を検出する温度計３４が設けられる。温度計３４の検出信号はコントローラ３５に入力される。コントローラ３５は、温度計３４の検出信号をフィードバック信号として、溶融金属１Ｊの温度を目標温度にするための操作信号、つまり目標温度と検出温度との偏差に応じた操作信号を生成して電力供給部３６に出力する。電力供給部３６は、操作信号に応じた電力をヒータ３３に供給する。これにより溶融金属１Ｊを目標とする一定温度に保持することができる。

また、容器３１が高温となり輻射熱が周囲に放出される。これにより他の構造物が輻射熱の影響を受けるおそれがある。そこで、容器３１の周囲に冷却水を通過させるなどして容器３１を冷却する構造の冷却装置を設けるようにしてもよい。

また、溶融金属１Ｊの表面には、酸化錫などの不純物が存在しているため、不純物がターゲット１に付着するおそれがある。そこで、不純物がターゲット１に付着することを防ぐために、図２０に示すように、溶融金属１Ｊの表面にワイヤ１Ａと外部とを隔離する隔離壁３７を設けるようにしてもよい。

図２１に、容器３１内にターゲット１の材料となる金属を供給する装置を例示する。

同図２１に示すように、容器３１内には、液面計１３０が設けられており、溶融金属１Ｊの液面を検出し、溶融金属１Ｊの液面が一定値を下回ったことを示す信号が、コントローラ１３１に出力される。コントローラ１３１は、この信号を受けて、供給指令をバルブ１３３に対して送出する。供給室１３２と、バルブ１３３は、真空チャンバ２の外部に設けられている。供給通路１３４は、真空チャンバ２の外側と内側とを連通している。供給室１３２と、バルブ１３３は供給通路１３４に設けられている。

供給指令がバルブ１３３に入力されると、バルブ１３３が開かれるとともに供給室１３２が真空排気される。供給室１３２内にはターゲット１の材料が供給される。このため真空チャンバ２が真空に保持された状態で、供給室１３２からターゲット１の材料がバルブ１３３、供給通路１３４を介して容器３１に供給される。なお、ターゲット１の材料は固体のまま供給して容器３１内で溶融してもよく、容器３１に供給される前に溶融して溶融された状態で容器３１に供給してもよい。

図２２は、ターゲット１に、金属の粉体を吹き付けて、ターゲット１に金属を塗布する方法でターゲット１を再生する再生機構３０を例示している。

すなわち、同図２２に示すように、コントローラ２３１からスプレーガン２３０に対して供給指令が送出され、これを受けてスプレーガン２３０は、ターゲット１の材料となる金属（錫Ｓｎ）の粉体を噴霧してワイヤ１Ａにターゲット１の材料を塗布する。なお、ターゲット１の材料となる粉体の粒径は、たとえば１０ｎｍ〜１００μｍ程度である。静電スプレーガンを使用することにより、より強固にワイヤ１Ａにターゲット１の材料を塗布することができる。この場合、スプレーガン２３０を近傍にあるプーリ、たとえばプーリ２１に接地させることが望ましい。またターゲット１の材料が錫Ｓｎである場合、融点となる２３２℃以上に温度上昇させてから塗布することで、より均一にワイヤ１Ａ上に塗布することができる。図２２に示す装置の場合も、図１７に示す装置と同様に切削装置３２を設けて、再生後のターゲット１の厚さを、所望する厚さ（たとえば数十ｎｍ）に調整してもよい。また図２２に示す装置についても、図２１に示す装置と同様に、真空チャンバ２の外部から、ターゲット１の材料を供給してもよい。

図２３、図２４は、金属を真空中で蒸発させ、ターゲット１上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲット１に形成する真空蒸着による方法でターゲット１を再生する再生機構３０を例示している。

すなわち、同図２３に示すように真空容器３３０内では、たとえば抵抗加熱式のヒータ３３１によりターゲット１の材料が高温に加熱されて、気化される。一方、真空容器３３０は、同容器３３０内をワイヤ１Ａが通過するように構成されている。ワイヤ１Ａが、真空かつターゲット１の材料が気化された雰囲気を通過することにより、ワイヤ１Ａにターゲット１の材料の被膜が形成される。

また、図２４に示すように、真空チャンバ２内の圧力が１０-3Ｐａ以上になっている場合には、差動排気装置３３２を用いて各室３３０、３３３、３３４を差動排気して真空容器３３０内を１０-3Ｐａ以下の雰囲気に保持することが望ましい。

図２３、図２４に示す装置の場合についても、図１７に示す装置と同様に切削装置３２を設けて、再生後のターゲット１の厚さを、所望する厚さ（たとえば数十ｎｍ）に調整してもよい。

上述した再生機構３０の構成例以外にも、他の方法、たとえば電子ビームによるスパッタリングによりワイヤ１Ａにターゲット１の材料を塗布する方法を用いて、ワイヤ１Ａを再生することができる。

（ターゲットの凹部にレーザ光を照射する場合の再生機構）
図２５は、ターゲット１の平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射した場合（図２５（ａ））と、ターゲット１の凹部１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合（図２５（ｂ））とを対比して示している。

ターゲット１の凹部１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合には、ターゲット１の平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて高密度にプラズマを生成することができ、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる。

しかし、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置１０でターゲット１の凹部１Ｄに高出力のレーザ光Ｌ、たとえば数ｋＷ以上のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射すると、ターゲット１の凹部１Ｄの損傷が顕著なものとなり、ＥＵＶ光５の生成効率が低下するおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。すなわち、効率よくＥＵＶ光５を生成するためには、ターゲット１の表面の凹部１Ｄが一定の形状に保たれていることが重要であり、ターゲット１の凹部１Ｄに高出力のレーザ光Ｌが照射されるとターゲット１の凹部１Ｄが損傷し形状が変化するためＥＵＶ光５の生成効率が低下して長時間、高出力のＥＵＶ光５を維持できなくなる。

ここで、十分大きいターゲット１の表面に、レーザ光Ｌのスポット径程度の径の凹部１Ｄを多数形成しておき、各凹部１Ｄに順次レーザ光Ｌを照射することで、凹部１Ｄ個々の損傷を分散させることが考えられる。しかし、産業用でＥＵＶ光発生装置１０を使用した場合には、年間でＥＵＶ光の生成回数は数億回要求されることから、この方法には限界がある。

そこで、本実施例では、レーザ光Ｌが照射されたターゲット１の凹部１Ｄを、レーザ光Ｌ照射前の状態に再生する再生機構３０を設けることで、この要求に応えて、長時間レーザ光Ｌが照射された場合でもＥＵＶ光５が高効率に生成されることを維持できるようにするものである。以下では、ターゲット構造物１Ａがワイヤ形状に形成されたものを主として説明するが、ターゲット構造物１Ａの形状としては、前述したようにワイヤ形状であってもよくその他のディスク形状、ロッド形状等の任意の形状であってもよい。

また、ターゲット構造物１Ａの構造は、図５、図６で例示したように芯材１Ｂを設ける構造であってもよく、図１５で説明したようにロッド状のターゲット構造物１Ａであれば、ヒートパイプを備えた構造であってもよい。

図２６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、凹部としてのくぼみ１Ｄが表面に形成された、断面が円形のワイヤ１Ａを示す断面図、正面図である。

同図２６に示すように、ワイヤ１Ａには、レーザ光Ｌの発振周期に応じた間隔で、ワイヤ１Ａを供給する方向Ｅに沿って間欠的にくぼみ１Ｄが形成されている。

個々のくぼみ１Ｄの直径は、レーザ光Ｌのスポット径程度の大きさ（１００μｍ以下）に設定することが望ましい。くぼみ１Ｄの直径がレーザ光Ｌのスポット径程度の大きさ（たとえば１００μｍ）であるならば、くぼみ１Ｄの深さは、くぼみ１Ｄの直径の半分程度の大きさ（５０μｍ）であることが望ましい。また、くぼみ１Ｄの間隔は、たとえばレーザ光Ｌの発振周波数が１００ｋＨｚであり、ワイヤ１Ａの送給速度が２０ｍ／ｓであるならば、２００μｍに設定される。なお、図２６では、ワイヤ１Ａは断面が円形状に形成された場合を例示しているが、図７で説明したように、ワイヤ１Ａの断面は、任意の多角形の形であってもよく、また楕円の形状であってもよい。

ターゲット構造物１Ａの構造によって、くぼみ１Ｄを再生する方法には２通りの方法がある。

図３６（ａ）に示すように、くぼみ１Ｄがターゲット１の材料以外の他の材料１Ｂの層に形成されている場合には、他の材料１Ｂの層に形成されたくぼみ１Ｄがターゲット１の材料で埋まることのないように、めっき等の再生方法にて、くぼみ１Ｄの形状に沿った形状にターゲット１の材料を形成する必要がある。真空蒸着による方法では、数十ｎｍ程度の薄膜を容易に形成することができる。このため真空蒸着による方法で再生を行う場合には、数十μｍ程度の深さのくぼみ１Ｄに、数十ｎｍ程度の薄膜を、くぼみ１Ｄの形状に沿って被覆することができる。

また、図３６（ｂ）に示すように、くぼみ１Ｄをターゲット１の材料以外の他の材料１Ｂの層の上方の層に形成する場合には、くぼみ１Ｄが他の材料１Ｂの層にかからないようにくぼみ１Ｄを形成する必要がある。よって、ターゲット１の材料の層の厚さをくぼみ１Ｄの深さ以上の大きさとし、この層にくぼみ１Ｄを形成すればよい。

図２７は、ワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄを再生する再生機構３０の構成例を示している。

同図２７に示すように、ワイヤ１Ａは図中上方から下方に向けてＥＵＶ光発生Ａに送給される。ＥＵＶ光発生Ａよりも上流側には、駆動部４３０とくぼみ成形部４３１とワイヤ固定部４３２が配置されている。

駆動部４３０は、ピエゾ素子、モータなどにより構成されており、くぼみ成形部４３１をワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄに向けて伸縮駆動する。くぼみ成形部４３１の先端部４３１ａは、再生後のくぼみ１Ｄの形状、大きさに対応する形状、大きさに形成されている。なお、くぼみ成形部４３１を構成する材料、少なくとも先端部４３１ａに相当する材料は、ターゲット１の材料よりも十分な硬度を有していることが望ましい。くぼみ成形部４３１を構成する材料が錫Ｓｎの場合には、くぼみ成形部４３１（先端部４３１ａ）を構成する材料は、ステンレスＳＵＳ、銅Ｃｕ、アルミニウムＡｌ、タングステンＷなどの材料を使用することができる。

ワイヤ１Ａを挟んでくぼみ成形部４３１の反対側には、ワイヤ固定部４３２が配置されている。ワイヤ固定部４３２は、くぼみ成形部４３１の先端部４３１ａがワイヤ１Ａを押圧する際にワイヤ１Ａが押圧方向に位置ずれが生じないようにワイヤ１Ａを固定する。

駆動部４３０が駆動制御されると、くぼみ成形部４３１が伸縮駆動され、ワイヤ１Ａがワイヤ固定部４３２によって固定されつつくぼみ成形部４３１の先端部４３１ａがワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄに押圧される。これによりワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄが所望する形状、大きさに成形される。

ここで、駆動部４３０を駆動するタイミング、つまりくぼみ成形部４３１を伸縮駆動するタイミングは、レーザ光Ｌの発振に同期させることができる。レーザ光Ｌの発振に同期させて駆動部４３０を駆動することで、ワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄにくぼみ成形部４３１の先端部４３１ａを精度よく押し当てることができる。この場合、ワイヤ１Ａの送給速度は一定に制御することが望ましい。送り機構４０の動力部４０ａのモータをサーボモータとすることで比較的容易に送給速度を精度よく一定にすることができる。

なお、レーザ光Ｌの発振とは無関係にコントローラ単体で駆動部４３０を制御してもよい。

また、ＥＵＶ光発生Ａよりも上流側の複数の箇所に、上述した駆動部４３０とくぼみ成形部４３１とワイヤ固定部４３２を配置して、複数のくぼみ１Ｄ、１Ｄ…を同時に成形する実施も可能である。このように複数の装置を設けることにより、１個の装置を設けた場合と比較して、駆動部４３０の駆動周波数を落として運転することができる。

くぼみ成形部４３１は、図２８に示す構成であってもよい。

すなわち、くぼみ成形部４３１は歯車形状に形成されており、歯車の歯４３１ｂは、再生後のくぼみ１Ｄの形状、大きさに対応する形状、大きさに形成されているとともに、歯４３１ｂのピッチは、ワイヤ１Ａ上の隣り合うくぼみ１Ｄ、１Ｄの間隔に応じた大きさに設定されている。

駆動部４３０は、歯車形状のくぼみ成形部４３１を歯車の中心を回転中心にして回転駆動する。

ワイヤ１Ａを挟んでくぼみ成形部４３１の反対側には、図２７と同様のワイヤ固定部４３２が配置されている。

駆動部４３０が駆動制御されると、歯車形状のくぼみ成形部４３１が回転駆動され、ワイヤ１Ａがワイヤ固定部４３２によって固定されつつくぼみ成形部４３１の歯４３１ｂがワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄに歯合される。これによりワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄが所望する形状、大きさに成形される。

図２７、図２８は、機械的な構成要素を直接ワイヤ１Ａに押し当てる等してくぼみ１Ｄを再生する再生機構３０の構成を例示した。しかし、図２７、図２８に示すような、伸縮部材４３１ａ（図２７）、歯車の歯４３１ｂ（図２８）以外の機械的な構成要素を直接ワイヤ１Ａに押し当てる等して再生を行う実施も当然可能である。また、光、電子線等の熱媒体をワイヤ１Ａに照射する等して、熱変形によりくぼみ１Ｄを再生する実施も可能である。たとえば集光したレーザ、電子ビーム、イオンビームをワイヤ１Ａに照射してくぼみ１Ｄを形成してもよく、放電加工の方法によりワイヤ１Ａにくぼみ１Ｄを形成してもよい。

上述した構成例では、凹部１Ｄが、ワイヤ１Ａに間欠的に形成されたくぼみであることを前提としてるが、ワイヤ１Ａに凹部としての溝１Ｄを形成する実施も可能である。溝１Ｄの幅は、くぼみを形成する場合と同様にレーザ光Ｌのスポット径程度の大きさに設定することが望ましい。また、溝１Ｄの断面の形状は、くぼみの場合と同様に任意であり、たとえば矩形状、半円状、楕円状、Ｖ字状に形成することができる。

図２９（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、ワイヤ１Ａの側面図および正面図であり、ワイヤ長手方向（ワイヤ送給方向）Ｅに沿って溝１Ｄが形成されたワイヤ１Ａを例示している。
上述した構成例では、凹部１Ｄが、ワイヤ１Ａに形成された場合を例示したが、ロッド形状のターゲット構造物１Ａや、ディスク形状のターゲット構造物１Ａに凹部１Ｄを形成する実施も可能である。

図３０は、ロッド形状のターゲット構造物１Ａに、くぼみ１Ｄが形成された構成例を示している。

図１５で説明したように、ロッド形状のターゲット構造物１Ａは、ロッドの長手方向Ｂおよびロッドの軸回転方向Ｃに駆動させることができる。このようにターゲット構造物１Ａが駆動されると、ターゲット構造物１Ａの表面上の点がらせん状に移動する。そこで、図３０に示すように、ロッド形状のターゲット構造物１Ａの表面に、らせん状に、間欠的にくぼみ１Ｄを形成した上で、同ターゲット構造物１Ａを上述の方向ＢおよびＣに駆動すれば、図２７、図２８と同様の装置構成の再生機構３０にて、あるいはレーザ、電子ビーム、イオンビームを照射する再生機構３０にて、あるいは放電加工の方法を用いた再生機構３０にて、同様にくぼみ１Ｄを再生することができる。

また、ロッド形状のターゲット構造物１Ａの表面に、らせん状に、溝１Ｄを形成して、同様に溝１Ｄの再生を行う実施も可能である。

なお、溝１Ｄの幅は、たとえば数十μｍ程度の大きさに設定される。

図３１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、ディスク形状のターゲット構造物１Ａを、ディスク平面１Ｇからみた図および円周側面１Ｆからみた図であり、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆに、周方向に沿って間欠的にくぼみ１Ｄが形成された構成例を示している。同様に、図３１（ｃ）、（ｄ）は、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆに、周方向に沿って溝１Ｄが形成された構成例を示している。

図１１、図１３、図１４で説明した装置構成例では、レーザ光Ｌは、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆに照射される。

そこで、図３１（ａ）、（ｂ）に示すように、ディスク形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆに、周方向に沿って間欠的にくぼみ１Ｄを形成した上で、同ターゲット構造物１Ａを周方向Ｄに回転駆動すれば、図２７、図２８と同様の装置構成の再生機構３０にて、あるいはレーザ、電子ビーム、イオンビームを照射する再生機構３０にて、あるいは放電加工の方法を用いた再生機構３０にて、同様にくぼみ１Ｄを再生することができる。また図３１（ｃ）、（ｄ）に示すように、同様にして溝１Ｄを再生することができる。

（ターゲットの凹部にレーザ光を照射する場合の制御装置）
さて、ターゲット構造物１Ａにくぼみあるいは溝といった凹部１Ｄが形成されている場合には、凹部１Ｄの位置を、ＥＵＶ光発生点Ａに少なくとも数十μｍ以下の精度で位置決めして、その点Ａにレーザ光Ｌを精度よく照射することが、高効率にＥＵＶ光５を発生する上で必要となる。

ここで、ターゲット構造物１Ａがワイヤである場合には、図９、図１０で説明したのと同様に機械的にワイヤ１Ａの位置を規制する位置決め機構８０を用いて、ワイヤ１Ａの送給方向Ｅに対して垂直な方向、つまりワイヤ線幅方向の位置変動を規制することで、凹部１Ｄのワイヤ線幅方向の位置を、ＥＵＶ光発生点Ａに少なくとも数十μｍ以下の精度で位置決めすることができる。ターゲット構造物１Ａがディスクやロッドである場合にも、同様に機械的にターゲット構造物１Ａの位置を規制するガイド等の部材を用いて位置決め機構８０を構成すれば、ターゲット構造物１Ａの駆動方向に対して垂直な方向の位置決めを行うことができる。

ターゲット構造物１Ａの送り方向の位置決めに関しては、レーザ光Ｌの発振に同期させることで、くぼみ１ＤをＥＵＶ光発生点Ａに精度よく順次位置決めすることが可能である。

たとえば、図２７に示すような装置構成の場合には、ワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄがくぼみ成形部４３１の先端部４３１ａに位置したときに、ワイヤ１Ａ上の他のくぼみ１ＤがＥＵＶ光発生点Ａに丁度位置するように予め各機器を配置しておく。この状態でレーザ光Ｌの発振に同期させてくぼみ成形部４３１を伸縮駆動すれば、ワイヤ１Ａ上のくぼみ１Ｄを精度よく成形しつつ、ＥＵＶ発生点Ａにてくぼみ１Ｄに精度よくレーザ光Ｌを照射することができる。この場合、ワイヤ１Ａの送給速度は一定に制御することが望ましい。送り機構４０の動力部４０ａのモータをサーボモータとすることで比較的容易に送給速度を精度よく一定にすることができる。なお、ターゲット構造物１Ａがディスク形状、ロッド形状の場合にも同様に制御することができる。

また、図３２あるいは図３３に示すように、検出手段６０と制御手段７０を設け、検出手段６０でワイヤ構造物１Ａのくぼみ１Ｄの位置を検出し、制御手段７０で検出手段６０の検出結果に基づいて、レーザ光Ｌの発振を制御する実施も可能である。

図３２は、検出手段６０として、位置検出用のレーザ発振器６１と、受光センサ６２を設けるとともに、制御手段７０として、コントローラ７１とレーザ用コントローラ７２を設けた装置構成を例示している。

レーザ発振器６１は、位置検出用のレーザ光をワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄに向けて照射する。受光センサ６２は、位置検出用のレーザ光の反射光を受光する。コントローラ７１は、受光センサ６２の検出信号を入力して、受光センサ６２の検出信号の変化に基づいてくぼみ１Ｄの位置を計測する。コントローラ７１は、くぼみ１Ｄの位置が計測されたときに、発振指令をレーザコントローラ７２に出力する。レーザコントローラ７２は、発振指令にしたがいレーザ光Ｌの発振を制御する。これにより、ＥＵＶ光発生点Ａに、ワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄが位置するタイミングでレーザ光ＬがＥＵＶ光発生点Ａに対して照射される。このためワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄに精度よくレーザ光Ｌを順次照射することができる。

検出手段６０としては、ＣＣＤなどの画像センサを使用してもよい。画像センサにより、ワイヤ構造物１Ａのくぼみ１Ｄの位置を２次元的に検出することができる。このため、くぼみ１Ｄの位置を、送り方向だけではなく、送り方向に垂直な方向についても精度よく検出することができる。

また、ターゲット構造物１Ａの送り方向に垂直な方向、たとえばワイヤ１Ａの送給方向Ｅに垂直な線幅方向の位置を制御する位置決め制御装置を設けてもよい。この場合、検出手段６０として、上記した画像センサを用いれば、制御手段７０により、くぼみ１Ｄの送給方向Ｅの位置を精度よく制御しつつ、上記した位置決め制御装置により、くぼみ１Ｄの線幅方向の位置を精度よく制御することができる。

検出手段６０は、ラインビームとラインセンサの組み合わせて構成してもよい。

図３２は、ターゲット構造物１Ａがワイヤであることを想定して説明したが、ターゲット構造物１Ａが他のディスク形状やロッド形状である場合にも同様にして適用することができる。

また、図３２では、検出手段６０によりターゲット構造物１Ａ上のくぼみ１Ｄを直接検出するようにしているが、くぼみ１Ｄに対応する孔等の検出対象１Ｄ´をターゲット構造物１Ａに別途形成して、かかる検出対象１Ｄ´を検出手段６０にて検出することでくぼみ１Ｄの位置を検出する実施も可能である。

図３３は、ターゲット構造物１Ａがディスクである場合の構成例を示したものであり、図３３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、ディスク形状のターゲット構造物１Ａを、ディスク平面１Ｇからみた図および円周側面１Ｆからみた図である。

ディスク形状のターゲット構造物１Ａの円周側面１Ｆには、周方向に沿って間欠的にくぼみ１Ｄが形成されているとともに、ディスク平面１Ｇのくぼみ１Ｄに対応する周方向位置には、孔１Ｄ´が形成されている。孔１Ｄ´は、対応するくぼみ１Ｄと同一の径方向に沿って設けられている。

位置検出手段６０は、位置検出用のレーザ発振器６１と、受光センサ６２で構成されている。

レーザ発振器６１は、位置検出用のレーザ光が孔１Ｄ´を通過するように孔１Ｄ´に向けて照射する。受光センサ６２は、ターゲット構造物１Ａを挟んでレーザ発振器６１と反対側の位置に配置されており、レーザ発振器６１から発振された位置検出用のレーザ光を受光する。制御手段７０は、受光センサ６２の検出信号を入力して、受光センサ６２で位置検出用のレーザ光が受信されたタイミングでレーザ光Ｌを発振させる。これにより、ＥＵＶ光発生点Ａに、ディスク形状のターゲット構造物１Ａ上のくぼみ１Ｄが位置するタイミングでレーザ光ＬがＥＵＶ光発生点Ａに対して照射される。このためディスク形状のターゲット構造物１Ａ上のくぼみ１Ｄに精度よくレーザ光Ｌを順次照射することができる。

（冷却機構）
さて、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置１０で固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射すると、ターゲット１が高温となり融解するに至り、安定したＥＵＶ光を生成することができなくなるおそれがあることが、本発明者による実験で明らかになった。

更に、再生機構３０の種類によっては、再生機構３０をターゲット１が通過することによっても、ターゲット１が温度上昇する。

冷却機構５０は、このような問題点を解決するために設けられている。

冷却機構５０は、ターゲット１を、ターゲット１の材料となる金属、たとえば錫Ｓｎの融点よりも低い温度になるまで冷却するものである。再生機構３０を通過することで上昇したターゲット１の温度を迅速に低下させるためには、冷却機構５０を、再生機構３０からみてターゲット送り方向の下流方向にあって、再生機構３０の直後に配置することが望ましい。また、デブリの発生を抑制するという観点からは、冷却機構５０を、ＥＵＶ光発生点Ａからみてターゲット送り方向の上流方向にあって、ＥＵＶ光発生点Ａの直前に配置することが望ましい。

冷却機構５０は、ターゲット１をその固体金属の融点よりも低い温度に冷却できるものであれば、任意の冷却媒体、冷却素子を用いることができる。たとえば、ガス、冷却水、ペルチェ素子などの冷却媒体、冷却素子を低温に保持し、これら冷却媒体、冷却素子に直接あるいは間接的にターゲット１を接触させることにより、ターゲット１と冷却媒体、冷却素子との間で熱交換を行い熱伝導により熱をターゲット１から冷却媒体、冷却素子側に放熱させることができる。たとえば、図２、図３、図４に例示したように各プーリ２１〜２４にワイヤ１Ａが架けられている構成の場合には、各プーリ２１〜２４毎に冷却機構５０を設けて、各プーリ２１〜２４をそれぞれ冷却することでワイヤ１Ａの各部を冷却して、その構成材料であるターゲット１を冷却する実施が考えられる。

冷却媒体としてガスを用いる場合には、ターゲット１に冷却用の不活性ガスを直接吹き付けて冷却してもよく、また図３４、図３５に例示するように、冷却室５１を隔壁により外部と仕切り、外部よりも高圧とした雰囲気で不活性ガスによってターゲット１を冷却してもよい。冷却室５１の雰囲気を高圧とすることで効率的にターゲット１を冷却することができる。

図３４、図３５は、冷却機構５０の装置構成を例示している。図３４、図３５の冷却機構５０は、いずれも、冷却室５１内の雰囲気を、真空チャンバ２内よりも高い圧力とするとともに、低温の不活性ガス５２の雰囲気とし、この冷却室５１内にターゲット１を通過させるように構成したものである。不活性ガス５２としては、たとえばアルゴンＡｒ、窒素Ｎ２を使用することができる。

図３４に示す冷却機構５０では、差動排気装置５３を用いて各室５４、５５、５１が差動排気され冷却室５１内が真空チャンバ２内の圧力（〜１Ｐａ）よりも高圧（〜１０００Ｐａ）の雰囲気に保持される。差動排気を行うことで真空チャンバ２内の圧力をなるべく上昇させることなく、冷却室５１を高圧にすることができる。

図３５に示す冷却機構５０では、圧力計５６と、コントローラ５８と、マスフローコントローラ５７が設けられる。圧力計５６で冷却室５１内の圧力が検出され、検出信号がコントローラ５８に出力される。コントローラ５８は、圧力計５６の現在の圧力検出値に応じて冷却室５１内を所望する圧力にするための流量を計測する。計測した流量はマスフローコントローラ５７に送られる。マスフローコントローラ５７は、計測した流量が得られるように冷却室５１に供給される不活性ガス５２の流量を調整する。これにより冷却室５１内の圧力が所望する圧力に制御される。冷却室５１に熱交換機などの冷却装置５９を設けることで、ターゲット１をより効率的に冷却することができる。

以上のように第１の装置構成例によれば、ターゲット供給装置２０に再生機構３０、送り機構４０を設けるように構成したため、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が損傷されたとしても、再生機構３０によってターゲット１の表面が修復されレーザ光照射前の状態に再生された上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、損傷のない最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、効率よくＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。

また第１の装置構成例によれば、ターゲット供給装置２０に冷却機構５０、送り機構４０を設けるように構成したため、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が高温となり融解するおそれがある状態になったとしても、冷却機構５０によってターゲット１が冷却されてターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度にされた上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、融点よりも低い最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲットに高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、安定したＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。更に、再生機構３０の種類によっては、再生機構３０をターゲット１が通過することによっても、ターゲット１が温度上昇する。第１の装置構成例によれば、送り機構４０によって再生機構３０を通過したターゲット１が冷却機構５０に送られるため、再生機構３０を通過することで温度上昇したターゲット１をターゲット材料の金属の融点よりも低く保持した上で、再びＥＵＶ光発生点Ａに送ることができる。

（第２の装置構成例：再生機構と送り機構が備えられた装置）
図２、図３、図４に示す第１の装置構成例では、ターゲット供給装置２０に、再生機構３０と送り機構４０と冷却機構５０を設けるようにしているが、このうち冷却機構５０の配設を省略する実施も可能である。

この場合ターゲット供給装置２０の再生機構３０は、第１の構成例と同様にレーザ光Ｌが照射されたターゲット１の表面を、レーザ光照射前の状態に再生する。また送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を再生機構３０に送るとともに、再生機構３０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

この第２の装置構成例によれば、ターゲット供給装置２０に再生機構３０と送り機構４０を設けるようにしたため、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が損傷されたとしても、再生機構３０によってターゲット１の表面が修復されレーザ光照射前の状態に再生された上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、損傷のない最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、効率よくＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。

（第３の装置構成例：冷却機構と送り機構が備えられた装置）
図２、図３、図４に示す第１の装置構成例では、ターゲット供給装置２０に、再生機構３０と送り機構４０と冷却機構５０を設けるようにしているが、このうち再生機構３０の配設を省略する実施も可能である。

この場合、ターゲット供給装置２０の冷却機構５０は、ターゲット１を、ターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する。送り機構４０は、ＥＵＶ光発生点Ａを通過したターゲット１を冷却機構５０に送るとともに、冷却機構５０を通過したターゲット１を再びＥＵＶ光発生点Ａに送る。

第３の装置構成例によれば、ＥＵＶ光発生点Ａで、高出力のレーザ光Ｌがターゲット１に照射されてターゲット１の表面が高温となり融解するおそれがある状態になったとしても、冷却機構５０によってターゲット１が冷却されてターゲット１の材料となる金属の融点よりも低い温度にされた上で、送り機構４０によってターゲット１が再びＥＵＶ光発生点Ａに送られる。このため、長時間にわたり常に、融点よりも低い最適な表面状態のターゲット１に対してレーザ光Ｌを照射することができる。これにより固体ターゲット１に高出力のレーザ光Ｌを高繰り返し周波数で長時間照射した場合であっても、安定したＥＵＶ光５を生成することができるようになり、長時間、安定して高出力のＥＵＶ光５を連続して取得することができる。

上述した各実施例に対しては、種々の追加、変化、変形が可能である。

以下では、ターゲット構造物１Ａがワイヤであるとして説明する。

図３８、図３９は、ターゲット供給装置２０の他の装置構成例を示している。

図３８は、ワイヤ１Ａの両端をつなぎ合わせてループ状に構成し、このつなぎ目のあるループ状のワイヤ１Ａをドラム１２４、１２５の回動によってＥＵＶ光発生点Ａに一方向Ｅに連続して送給するターゲット供給装置２０を示している。この送給方法をループ式というものとする。図３８はターゲット供給装置２０の正面図で、図３９は図３８を同図３８中の下方向からみた図である。

つなぎ目のあるワイヤ１Ａは、プーリ２１、２２に架けられているとともに、一対の巻取りドラム１２４、１２５に巻回されている。ドラム１２４、１２５は、それらの中心軸１２０Ｃが平行になるように対向して配置されている。ドラム１２４、１２５の外周には、ワイヤ１Ａを案内する溝１２０がドラム１２４、１２５の同心円状に形成されている。つまり、溝１２０はドラム１２４、１２５の中心軸１２０Ｃに対して垂直な方向に形成されている。一方、ワイヤ１Ａは、ドラム１２４の溝１２０と、ドラム１２５の溝１２０との間を溝１２０に対して傾斜をなすように螺旋状に架け渡されている。

ドラム１２４は駆動ドラムであり、モータ１２６によって回転駆動される。ドラム１２５は従動ドラムであり、ワイヤ張力調整機構１４０が付設されている。モータ１２６が駆動されると、ドラム１２４が回転駆動し、これに伴い従動ドラム１２５が回転し、ワイヤ１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに送給される。

ループ式では、ワイヤ１Ａの長さに比例してワイヤ１Ａの伸びが増加する。ワイヤ１Ａの伸びを吸収し張力を一定するにするためにワイヤ張力調整機構１４０が設けられている。ワイヤ張力機構１４０は、ドラム１２５に付設されている。すなわち、ドラム１２５の回動軸１２５ａには滑動部材１４１が接続されている。滑動部材１４１はガイドレール１４２に沿って滑動自在に設けられている。滑動部材１４１は、ばねあるいはアクチュエータ１４３などによって引っ張られる。ばねあるいはアクチュエータ１４３によって滑動部材１４１が引っ張られると、滑動部材１４１はガイドレール１４２に沿って滑動し、それに応じて、ドラム１２５がドラム１２４から離れる方向に移動する。これによりワイヤ１Ａの伸びが吸収されワイヤ１Ａの張力が一定にされる。

図４０は、ループ式のターゲット供給装置２０の他の装置構成例を示している。

図４０の装置では、図３８、図３９に示す実施例と同様に、つなぎ目のあるワイヤ１Ａがプーリ２１、２２、２３、３４、２５に架けられているとともに、一対の巻取りドラム１２４、１２５に巻回されている。一対の巻取りドラム１２４、１２５は、図３９と同様に構成されている。

再生機構２０、ワイヤ張力制御機構１５０は、ＥＵＶ光発生点Ａからみて送給方向Ｅの上流に配置され、冷却機構５０は、ＥＵＶ光発生点Ａからみて送給方向Ｅの下流に配置されている。またワイヤ張力制御機構１５０は、ＥＵＶ光発生点Ａからみて送給方向Ｅの上流に配置されている。ワイヤ張力制御機構１５０は、ワイヤ１Ａの張力を一定にするように制御する。

断線検出センサ１２７は、ワイヤ１Ａの断線を検出するセンサであり、断線検出センサ１２７の検出信号に基づいて異常処理を行うことができる。速度検出センサ１２８は、ワイヤ１Ａの速度を検出するセンサであり、速度検出センサ１２８の検出信号に基づいて、ワイヤ１Ａの送給速度を一定にする制御などを行なうことができる。

なお、図４０に示す構成において、冷却機構５０を、ＥＵＶ光発生点Ａからみて送給方向Ｅの上流に配置させてもよく、ワイヤ張力制御機構１５０を、ＥＵＶ光発生点Ａからみて送給方向Ｅの下流に配置させてもよい。

また、再生機構２０、冷却機構５０は、図２と同様に真空チャンバ２の外部に設けてもよく、図３、図４と同様に真空チャンバ２の内部に設けてもよい。ワイヤ張力制御機構１５０についても、真空チャンバ２の外部に設けてもよく、真空チャンバ２の内部に設けてもよい。再生機構２０、冷却機構５０、ワイヤ張力制御機構１５０を真空チャンバ２の外部に設ける場合には、図２４に例示するように再生機構３０等の室を差動排気室として構成し、差動排気室を経由して真空チャンバ２にワイヤ１Ａを出入りさせることが望ましい。

図３７、図４１は、ターゲット供給装置２０の他の装置構成例を示している。図３７はターゲット供給装置２０の正面図で、図４１はターゲット供給装置２０を駆動制御する装置構成を示したブロック図である。

図３７は、つなぎ目の無いワイヤ１Ａが用意され、ワイヤ１Ａの両端がそれぞれ一対の巻取りドラム１２１、１２２に巻回され、巻取りドラム１２１、１２２を一方向に回動させることによって、このつなぎ目の無いワイヤ１Ａを一方向Ｅ１にＥＵＶ光発生点Ａに向けて送給するとともに、一方のドラム１２２でワイヤ１Ａの巻取りを終えると、巻取りドラム１２１、１２２を逆方向に回動させることによって、ワイヤ１Ａを他方向Ｅ２にＥＵＶ光発生点Ａに向けて送給することを交互に繰り返すターゲット供給装置２０を示している。この送給方法を巻取り式というものとする。

ワイヤ１Ａのうち、レーザ光Ｌが照射される部分はターゲット１となる錫Ｓｎなどの固体金属で構成されている。

ワイヤ１Ａは、プーリ２１、２２に架けられているとともに、ワイヤ１Ａの一方の終端がドラム１２１に巻回され他方の終端がドラム１２２に巻回されている。ドラム１２１、１２２は、それらの中心軸１２０Ｃが平行になるように対向して配置されている。

ドラム１２１、１２２は駆動ドラムであり、サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂによって回転駆動される。サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂが一方向に回転駆動されると、それに応じて巻取りドラム１２１、１２２が一方向に回転駆動され、ワイヤ１Ａが一方向Ｅ１にＥＵＶ光発生点Ａに向けて送給される。一方のドラム１２２でワイヤ１Ａの巻取りを終えると、サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂが逆方向に回転駆動され、それに応じて巻取りドラム１２１、１２２が逆方向に回転駆動される。これによりワイヤ１Ａが他方向Ｅ２にＥＵＶ光発生点Ａに向けて送給される。以後、同様の動作を交互に繰り返す。

巻取り式では、サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂの回転方向によって、ＥＵＶ光発生点Ａの上流側、下流側が変わる。よって図４１に示すように、再生機構２０、冷却機構５０は、ＥＵＶ光発生点Ａの上流側、下流側のいずれのワイヤ１Ａを再生し、冷却できるように、ＥＵＶ光発生点Ａの上流側、下流側の両方に設けることが望ましい。

ワイヤ張力制御機構１５０Ａ、１５０Ｂはそれぞれ、ＥＵＶ光発生点Ａの上流側、下流側の両方に設けられており、コントローラ１７０を介してワイヤ１Ａの張力を一定にするように制御する。

トラバース機構１６０Ａ、１６０Ｂはそれぞれ、巻取りドラム１２１、１２２に近接して設けられており、巻取りドラム１２１、１２２でワイヤ１Ａが整列して巻き取られるように調整する。

断線検出センサ１２７は、ワイヤ１Ａの断線を検出するセンサであり、断線検出センサ１２７の検出信号に基づいて異常処理を行うことができる。

速度検出センサ１２８は、ワイヤ１Ａの速度を検出する。変位計１８０Ａ、１８０Ｂはそれぞれ、巻取りドラム１２１、１２２の巻かれたワイヤ１Ａまでの変位を測定することによって、巻取りドラム１２１、１２２の中心から巻かれたワイヤ１Ａの外周までの距離（ドラム径）を計測する。モータ回転センサ１９０Ａ、１９０Ｂはそれぞれ、サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂの回転数を検出する。コントローラ１７０は、計測された巻取りドラム１２１、１２２のドラム径と、サーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂの回転数に基づいて、巻取りドラム１２１、１２２に巻かれたワイヤ１Ａの周速度を各ドラム毎に計測し、ワイヤ１Ａの周速度が、各ドラム１２１、１２２で同じとなるようにサーボモータ１２６Ａ、１２６Ｂの回転数を制御する。またコントローラ１７０は、速度検出センサ１２８の検出信号に基づいて、ワイヤ１Ａの送給速度を一定にする制御を行なう。

再生機構２０、冷却機構５０は、図２と同様に真空チャンバ２の外部に設けてもよく、図３、図４と同様に真空チャンバ２の内部に設けてもよい。ワイヤ張力制御機構１５０についても、真空チャンバ２の外部に設けてもよく、真空チャンバ２の内部に設けてもよい。
図４１に示す再生機構２０、冷却機構５０等の装置を真空チャンバ２の外部に設ける場合には、図２４に例示するように再生機構３０等の室を差動排気室として構成し、差動排気室を経由して真空チャンバ２に出入りさせることが望ましい。

つぎに上述した図３７に示す実施例のターゲット供給方法（巻取り式）による作用効果と、図２、図３、図４ないしは図３８、図４０に示すターゲット供給方法（ループ式）による作用効果を対比する。

ループ式では、つなぎ目のない１本のワイヤ１Ａの両端がそれぞれ一対の巻取りドラム１２１、１２２に巻回されて送給されるようにしているので、つなぎ目のあるループ状のワイヤ１Ａを送給するループ式に比べて、ワイヤ１Ａの長さを稼ぐことができ、高出力のレーザ光Ｌによるワイヤ１Ａの損傷を抑制できる。

また、ループ式では、ワイヤ１Ａの端部同士を繋ぐ必要がなく、その繋ぎ作業が不要となるので、非常に工数のかかる繋ぎ作業を省略することができる。また、一般的に、ワイヤ１Ａの端部同士を繋ぐと、つなぎ目が元のワイヤ１Ａの径よりも大きくなる。このためワイヤ１Ａが狭い経路、たとえば図１８に示す孔３１ｂを通過する際に、つなぎ目が、その経路（孔３１ｂ）に引っかかり、スムーズな送給が行われなくなるおそれがある。これに対して、ループ式では、ワイヤ１Ａにつなぎ目がないため、ワイヤ１Ａの引っかかりがなく安定したスムーズな送給を行うことができる。

さて、図２９では、ワイヤ１に、供給方向Ｅに沿って連続的に溝１Ｄを形成し、このワイヤ１Ａを、その溝１ＤがＥＵＶ光発生点Ａを通過するように供給する実施例について説明した。ワイヤ１Ａの少なくとも溝１Ｄの内側表面は、ターゲットとなる固体金属、たとえば錫Ｓｎで構成されている。ワイヤ１Ａの全体表面に錫Ｓｎを塗布してもよく、プラズマ生成に必要な最小限の範囲、つまり溝１Ｄの内側表面のみに錫Ｓｎを塗布してもよい。 これによりＥＵＶ光発生点Ａに、ワイヤ１Ａの溝１Ｄが位置され、レーザ光Ｌが、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するワイヤ１Ａの溝１Ｄに向けて照射されると、ＥＵＶ光５が発生する。

ここで、溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果と、図２５（ａ）に示す溝１Ｄが無い平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果と、図２６に示す間欠的に形成されたくぼみ１Ｄにレーザ光Ｌを照射したときの作用効果を対比する。

ワイヤ１Ａの溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合には、ワイヤ１Ａの平面１Ｅにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて、プラズマが溝１Ｄの内側に閉じ込められるため、高密度にプラズマを生成することができ、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができる（図２５参照）。

また、ワイヤ１Ａにくぼみ１Ｄを形成する場合には、くぼみ１Ｄをレーザ光Ｌの発振周期に応じた間隔で形成する必要があり、加工が容易ではなく工数が大となるのに対して、ワイヤ１Ａに溝１Ｄを形成する場合には、ワイヤ１Ａの長手方向に沿って連続的に開口を形成するだけでよく、加工性が良く工数が少なくて済む。また、ワイヤ１Ａのくぼみ１Ｄにレーザ光Ｌを照射する場合には、図３２、図３３に示すように、間欠的なくぼみ１Ｄを検出する検出手段６０と、ＥＵＶ光発生点Ａにくぼみ１Ｄが位置するタイミングでレーザ光Ｌを精度よく照射する制御手段７０が必要となり、装置構成、制御が複雑となるのに対して、ワイヤ１Ａの溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射する場合には、そのような複雑な装置構成、制御は不要となる。以上の点から、ワイヤなどのターゲット構造物１Ａに溝を形成する実施が望ましい。

つぎに、ワイヤ１Ａの溝１Ｄの断面形状について考察する。

本発明者らの実験によると、図４２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、ワイヤ１Ａに、溝幅が表面で広く最深部で狭い形状の溝１Ｄを形成する実施が、ＥＵＶ光５の発光効率を高くできる点で好ましいということがわかった。

図４２（ａ）は、溝１Ｄの断面形状が三角形（Ｖ字形）となっているワイヤ１Ａの断面を示している。図４２（ｂ）は、溝１Ｄの断面形状が台形となっているワイヤ１Ａの断面を示している。図４２（ｃ）は、溝１Ｄの断面形状が円弧となっているワイヤ１Ａの断面を示している。図４２（ｄ）は、溝１Ｄの断面形状が楕円弧となっているワイヤ１Ａの断面を示している。図４２（ｅ）は、溝１Ｄの断面形状が２次曲線となっているワイヤ１Ａの断面を示している。図４２（ａ）〜（ｅ）において、Ｘは溝１Ｄの溝幅、Ｙは溝１Ｄの溝深さである。図４２（ｂ）〜（ｅ）では、図４２（ａ）に示す溝１Ｄと溝幅Ｘ、溝深さＹが同じになるように、図４２（ａ）に示す三角形の各頂点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を通過する溝１Ｄを例示している。

ワイヤ１Ａの断面は、図７（ｂ）に示すように四角形に形成されている。ワイヤ１Ａの断面を四角形とすることにより、ワイヤ１Ａの送給が安定して行われ、ＥＵＶ光発生点Ａで溝１Ｄの開口がレーザ光Ｌに向う姿勢にワイヤ１Ａを位置決めすることが容易になる。ワイヤ１Ａの断面は、図７（ａ）に示すように三角形でもよく、五角形などの多角形であってもよい。

図８に示すように、プーリ２１、２２…に、ワイヤ１Ａに断面に適合した溝２１Ａを形成し、ワイヤ１Ａを、プーリ２１、２２…の溝２１Ａに架け渡すことで容易に位置決めさせることができる。プーリ２１、２２…の溝２１Ａにワイヤ１Ａを架け渡す場合には、ワイヤ１Ａの断面は、四角形等の角を有する断面であることは必ずしも必要でない。円、楕円等の曲線で構成された断面を有するワイヤ１Ａを、プーリ２１、２２…の溝２１Ａに架け渡すことによっても、溝１Ｄの開口がレーザ光Ｌに向う姿勢にワイヤ１Ａを位置決めすることができる。

つぎに、図４２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に例示される、ワイヤ１Ａの溝１Ｄを溝幅が表面で広く最深部で狭い断面形状にしたことによる作用効果について説明する。図４２（ｆ）は、溝幅が深さ方向で同一の断面矩形状の溝１Ｄを比較例として示している。
図４２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に例示される、溝幅が表面で広く最深部で狭い形状の溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合には、図４２（ｆ）に示される、そうでない形状、例えば溝幅が深さ方向で同一の断面矩形状の溝１Ｄにレーザ光Ｌを照射した場合に比べて、ＥＵＶ光５の発光効率を高くすることができた。

レーザ光Ｌのスポット径を５０〜５００μｍの範囲とし、レーザ光Ｌのエネルギーを２０ｍＪ〜５００ｍＪの範囲としたとき、溝１Ｄの溝幅Ｘ、溝深さＹはともに、１００〜１０００μｍ程度にすることが、ＥＵＶ光５の発光効率を高くするために、好ましい範囲である。たとえばレーザ光Ｌのスポット径が１００μｍであり、レーザ光Ｌのエネルギーが２０ｍＪであるとき、溝１Ｄの溝幅Ｘを４００μｍとし溝深さＹを２００μｍとしたときに、ＥＵＶ光５の発光効率を最も高くすることができた。また、レーザ光Ｌのスポット径が大きいほど、レーザ光Ｌのエネルギーが大きいほど、溝幅Ｘおよび溝深さＹを大きくすることが、ＥＵＶ光５の発光効率を高くするために必要であるというデータを得ている。

さて、前述の実施例では、再生機構３０を設けることにより、ターゲット１の表面が一定の形状に保持され、ＥＵＶ光５の生成効率が長時間安定して、高出力のＥＵＶ光５を長期間に渡り維持でき、有用であるということについて説明した。しかしながら、本発明者らの実験によると、再生機構３０で再生されたワイヤ１Ａのターゲット１の表面が酸素雰囲気に暴露されると、ターゲット表面に酸化膜が形成されてしまいその酸化膜が形成されたままの状態のターゲット１にレーザ光Ｌが照射されると、ＥＵＶ光５の発光効率が低下してしまうことがわかった。

この場合、図３、図４に示すように再生機構３０自体を真空チャンバ２内に配置して再生室を真空雰囲気にすれば問題はないが、構造上などの理由により、再生室を、真空チャンバ２の外に設けざるを得ない場合がある。そこで、本実施例では、このように再生室を、真空チャンバ２の外に設けざるを得ない場合において、図４３のように再生機構３０を構成し、再生機構３０の再生室５３０をターゲット１となる固体金属を酸化させない雰囲気にして真空チャンバ２に連通させるようにしている。

すなわち、図４３に示すように、本実施例の再生機構３０は、再生室５３０を含んで構成されている。再生室５３０と真空チャンバ２は、連通路５３１を介して連通されている。そして、再生室５３０内の雰囲気は、ターゲット１となる固体金属を酸化させない雰囲気、たとえばＮ2ガス、Ａｒガスなどの不活性ガスの雰囲気若しくは真空の雰囲気とされている。

このように、再生室５３０をターゲット１となる固体金属を酸化させない雰囲気にして真空チャンバ２に連通させているので、ターゲット表面に酸化膜が形成されることを抑制でき、酸化膜が形成されない状態でターゲット１にレーザ光Ｌを照射することができ、ＥＵＶ光５の発光効率の低下を抑制できる。また、差動排気装置が不要となる。

さて、再生機構３０に要求される機能は、レーザ光Ｌの照射により欠損等したターゲット表面をつぎのレーザ光照射時期までに元の状態に復元することである。しかし、レーザ光Ｌの照射により欠損等した部分は、ターゲット表面（錫Ｓｎの膜）全体のうち一部だけであり、レーザ光照射後にそのままターゲット表面に固体金属（錫Ｓｎ）を塗布すると、欠損等した部分とそうでない部分とで塗布膜の厚さが異なってしまい、ターゲット表面で凹凸が生じ形状が安定しなくなる。このためＥＵＶ光５の発光効率に悪影響を与えるおそれがある。そこで、本実施例では、図４３に示すように、除去槽５３２にて、ターゲット表面全体の固体金属全てを除去した後にあらためて塗布手段５３３にて、固体金属をターゲット表面全体に塗布するようにしている。

すなわち、図４３は、図１７で説明したのと同様に溶融めっきによる方法でターゲット１を再生する再生機構３０を示している。

再生機構３０の再生室５３０内には、除去槽５３２と、塗布槽５３３が設けられている。

除去槽５３２、塗布槽５３３には、ターゲット１となる錫Ｓｎが溶融状態（以下、溶融錫５３９という）で貯留されている。

ワイヤ１Ａは、各プーリ１２１〜１２６に、プーリ１２１、１２２、１２３、１２４、１２５、１２６の順序で再生室５３０の入口側から出口側に向けて架け渡されている。

各プーリ１２１、１２２、１２３、１２４、１２６には、ワイヤ１Ａの外形に合わせた溝が形成され、その溝にワイヤ１Ａが架けられている。

プーリ１２１は、除去槽５３２の入口に配置されたプーリであり、プーリ１２３は、除去槽５３２の出口に配置されたプーリである。プーリ１２２は、除去槽５３２の入口のプーリ１２１と除去槽５３２の出口のプーリ１２３の間に配置されたプーリである。プーリ１２２の下方は溶融錫５３９に浸漬されている。

プーリ１２４は、塗布槽５３３の入口に配置されたプーリであり、プーリ１２６は、塗布槽５３３の出口に配置されたプーリである。プーリ１２５は、塗布槽５３３の入口のプーリ１２４と塗布槽５３３の出口のプーリ１２６の間に配置されたプーリである。プーリ１２５の下方は溶融錫５３９に浸漬されている。

図４４（ａ）は、除去槽５３２の溶融錫５３９に浸漬されたプーリ１２２を拡大して示した図で、図４４（ｂ）は、図４４（ａ）に示すプーリ１２２および溶融錫５３９のＺ−Ｚ断面図である。ワイヤ１Ａは、プーリ１２２に接触する前に溶融錫５３９に浸漬され、プーリ１２２から離れた後で溶融錫５３９から出るように、プーリ１２２の溝２１Ａにワイヤ１Ａが架けられている。プーリ１２２の出口側にあって溶融錫５３９の上方には、プーリ１２２から離れたワイヤ１Ａの図中上方および図中下方に向けて、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒなどの不活性ガスを吹き付けるブロー用ノズル５３４、５３５がそれぞれ設けられている。

図４５（ａ）は、塗布槽５３３の溶融錫５３９に浸漬されたプーリ１２５を拡大して示した図で、図４５（ｂ）は、図４５（ａ）に示すプーリ１２５および溶融錫５３９のＺ−Ｚ断面図である。プーリ１２５の外周面には、ワイヤ１Ａの溝１Ｄの断面形状に合わせた突起１２５Ａが設けられている。ワイヤ１Ａは、プーリ１２５に接触する前に溶融錫５３９に浸漬され、溶融錫５３９を出てからプーリ１２５から離れるように、プーリ１２５の外周面にワイヤ１Ａが架けられている。プーリ１２５の出口側にあって溶融錫５３９の上方には、プーリ１２５から離れたワイヤ１Ａの図中下方、つまりワイヤ１Ａのうち溝１Ｄと反対の面に向けて、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒなどの不活性ガスを吹き付けるブロー用ノズル５３６が設けられている。

ワイヤ１Ａは送給方向Ｅに送給され、プーリ１２２を介して除去槽５３２内の溶融錫５３９に浸漬される。ワイヤ１Ａがプーリ１２２から離れ、その後、溶融錫５３９から出ると、ブロー用ノズル５３４、５３５によって不活性ガスがワイヤ１Ａの表面全体に吹き付けられる。これによりワイヤ１Ａに塗布されていた全ての錫（ターゲット１）の膜が溶融、除去される。つぎに、ワイヤ１Ａは、プーリ１２５を介して塗布槽５３３内の溶融錫５３９に浸漬される。ワイヤ１Ａが溶融錫５３９を出て、その後、プーリ１２５から離れると、ブロー用ノズル５３６によって不活性ガスがワイヤ１Ａの下方（溝１Ｄと反対の面）に吹き付けられる。これによりワイヤ１Ａの溝１Ｄの表面全体に錫（ターゲット１）の膜が塗布される。突起１２５Ａの形状によって溝１Ｄの内部表面の錫（ターゲット１）の膜の厚みがほぼ定まり、さらにブロー用ノズル５３６から噴出される不活性ガスの流量により、その錫（ターゲット１）の膜厚を微調整することができる。なお、再生室５３０内に、ワイヤ１Ａの表面を清浄化するために不活性ガスをワイヤ１Ａに吹き付けるブロー用ノズルを設けてもよい。

このように本実施例によれば、再生機構３０の再生室５３０内の除去槽５３２で、ターゲット構造物１Ａの固体金属が除去され、再生機構３０の再生室５３０内の塗布槽５３３で、除去槽５３２によって除去されたターゲット構造物１Ａの部分に固体金属が塗布されて、再生が行われる。これにより固体金属塗布後のターゲット表面形状が凹凸無く安定し一定形状が得られ、ＥＵＶ光５の発光効率を安定させることができる。

なお、この実施例では、塗布槽５３３にワイヤ１Ａを浸漬するという溶融めっきによる方法でターゲット１の再生を行うようにしているが、溶融めっき以外の方法、たとえば真空蒸着などの方法を用いて、ターゲット１の表面を再生する実施も可能である。すなわち、塗布槽５３３の代わりに、ワイヤ１Ａに、ターゲット１となる固体金属を塗布する任意の塗布手段を適用することができる。

さて、光学部品である集光ミラー３は、その集光面を仕上げるために多大な工数がかかる。このため集光ミラー３の集光面が大型化すると、製造コストが飛躍的に上昇する。このため集光ミラー３の集光面は出来る限り小さくすることが望ましい。

そこで、本実施例では、図４６（ｂ）に示すように、ワイヤ１Ａの溝１Ｄに対向する位置に、ＥＵＶ光５を集光する集光ミラー３を配置する構成とし、その集光ミラー３を、その集光面３ａが、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄを中心に１２０°以内の広がり角θの範囲に収まるように構成している。

すなわち、図４６（ａ）に示すように、ワイヤ１Ａに溝１Ｄが形成され、その溝１Ｄにレーザ光Ｌが照射されると、溝１Ｄが無いワイヤ１Ａにレーザ光Ｌを照射した場合と比較してＥＵＶ光５の放射方向の偏りが大きくなる。溝１Ｄに対向する図中上方向でＥＵＶ光５の強度が最も高く、溝１Ｄを中心に図中左右に角度θに広がるにつれてＥＵＶ光５の強度が低くなり、広がり角θ１８０°付近では、殆ど有効な強度が得られない。一方、光学部品である集光ミラー３は上述したように製造コストが高く、その集光面３ａが大きくなるほどコストが上昇する。集光ミラー３で集光される有効なＥＵＶ光５の強度と、集光ミラー３のコストのバランスを考慮すると、集光ミラー３は、その集光面３ａが、ターゲット構造物１Ａの溝１Ｄを中心に１２０°以内の広がり角θの範囲に収まっていることが望ましい。本実施例によれば、集光ミラー３の製造コストを抑制しつつ、高い集光効率が得られ、露光機に、効率よく高出力のＥＵＶ光５を伝播させることができる。

図１は従来技術および実施例に共通する装置構成図である。 図２は第１の装置構成例を示した図である。 図３は第１の装置構成例を示した図である。 図４は第１の装置構成例を示した図である。 図５はターゲット構造物の構造を示した図である。 図６はターゲット構造物の構造を示した図である。 図７（ａ）、（ｂ）はターゲット構造物の構造を示した図である。 図８（ａ）、（ｂ）はプーリの構成例を示した図である。 図９は位置決め機構の構成例を示した図である。 図１０は位置決め機構の構成例を示した図である。 図１１はディスク形状のターゲット構造物を用いた場合の構成図である。 図１２（ａ）、（ｂ）はディスク形状のターゲット構造物を用いた場合の構成図である。 図１３はディスク形状のターゲット構造物を用いた場合の構成図である。 図１４はディスク形状のターゲット構造物を用いた場合の構成図である。 図１５はロッド形状のターゲット構造物を用いた場合の構成図である。 図１６（ａ）、（ｂ）は再生機構を例示した図である。 図１７は再生機構を例示した図である。 図１８は図１７の容器の壁の部分拡大図である。 図１９は再生機構を例示した図である。 図２０は再生機構を例示した図である。 図２１は再生機構を例示した図である。 図２２は再生機構を例示した図である。 図２３は再生機構を例示した図である。 図２４は再生機構を例示した図である。 図２５（ａ）、（ｂ）はターゲットが平面である場合と凹部がある場合とを比較して示した図である。 図２６（ａ）、（ｂ）は凹部が形成されたワイヤを示した図である。 図２７はくぼみを再生する再生機構を例示した図である。 図２８はくぼみを再生する再生機構を例示した図である。 図２９（ａ）、（ｂ）は溝が形成されたワイヤを示した図である。 図３０はくぼみが形成されたロッドを示した図である。 図３１（ａ）、（ｂ）はくぼみが形成されたディスクを示した図で、図３１（ｃ）、（ｄ）は溝が形成されたディスクを示した図である。 図３２はレーザ発振を制御する制御装置の構成図である。 図３３はレーザ発振を制御する制御装置の構成図である。 図３４は冷却機構を例示した図である。 図３５は冷却機構を例示した図である。 図３６（ａ）、（ｂ）はターゲット構造物の断面図である。 図３７は、ターゲット供給装置の他の装置構成例を示した正面図である。 図３８は、ターゲット供給装置の他の装置構成例を示した正面図である。 図３９は、図３８のターゲット供給装置を下方向からみた図である。 図４０は、ループ式のターゲット供給装置の他の装置構成例を示した図である。 図４１は、ターゲット供給装置の他の装置構成例を示した図で、図３７のターゲット供給装置を駆動制御する装置構成を示したブロック図である。 図４２（ａ）〜（ｆ）は、ワイヤの溝の断面形状を示した図である。 図４３は、ターゲット全体を除去してからターゲットの表面を再生する再生機構を示している。 図４４（ａ）は、除去槽の溶融錫に浸漬されたプーリを拡大して示した図で、図４４（ｂ）は、図４４（ａ）に示すプーリおよび溶融錫のＺ−Ｚ断面図である。 図４５（ａ）は、塗布槽の溶融錫に浸漬されたプーリを拡大して示した図で、図４５（ｂ）は、図４５（ａ）に示すプーリおよび溶融錫のＺ−Ｚ断面図である。 図４６（ａ）は、ワイヤの溝にレーザ光が照射されたときのＥＵＶ光の放射方向の偏りを示した図で、図４６（ｂ）は、ワイヤと集光ミラーの位置関係を示した図である。

符号の説明

１ ターゲット、１Ａ ターゲット構造物、１０ ＥＵＶ発生装置、２０ ターゲット供給装置、３０ 再生機構、４０ 送り機構、５０ 冷却機構

Claims (38)

1. レーザ光を、真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
   ターゲット供給装置は、
   固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
   ターゲット供給装置には、
   レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
   ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
   ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
   が設けられており、
   前記ターゲット供給装置のうち前記再生機構と前記冷却機構と前記送り機構のうち動力部以外の構成部分が前記真空チャンバの内部に配置されているとともに、前記送り機構のうち動力部が前記真空チャンバの外部に配置されていること
   を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
2. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
   ターゲット供給装置は、
   固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
   ターゲット供給装置には、
   レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
   ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
   ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
   が設けられており、
   前記ターゲット供給装置は、
   芯材の表面に、少なくとも１０ｎｍの厚みで前記レーザ光のスポット径に対応する１００μｍ以下の径の薄膜であって前記固体金属のターゲットの薄膜を形成した構造のターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであること
   を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
3. 前記ターゲット供給装置は、
   ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状またはディスク形状またはロッド形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであること
   を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
4. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
   ターゲット供給装置は、
   固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
   ターゲット供給装置には、
   レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
   ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
   ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
   が設けられており、
   前記ターゲット供給装置は、
   ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
   前記ＥＵＶ光発生点の前後にそれぞれ、前記ワイヤ形状のターゲット構造物の線幅方向の位置ずれを規制する位置決め機構を設けたこと
   を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
5. 前記位置決め機構は、
   前記ＥＵＶ光発生点の前後にそれぞれ配置された板状部材であって、前記ワイヤ形状のターゲット構造物が通過する孔が形成された板状部材であること
   を特徴とする請求項４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
6. 前記位置決め機構は、
   前記ＥＵＶ光発生点の前後にそれぞれ配置された一対のローラであって、当該一対のローラ間に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物が滑り移動可能な間隙が形成された一対のローラであること
   を特徴とする請求項４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
7. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生し、発生したＥＵＶ光を集光ミラーで集光するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
   ターゲット供給装置は、
   固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
   ターゲット供給装置には、
   レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
   ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
   ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
   が設けられており、
   前記ターゲット供給装置は、
   ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ディスク形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
   前記ディスク形状のターゲット構造物の少なくともディスク円周側面に前記固体金属のターゲットが形成され、当該ディスク円周側面に前記集光ミラーの反射面が対向して前記ディスク形状のターゲット構造物が配置されているか、あるいは、
   前記ディスク形状のターゲット構造物の少なくともディスク平面に前記固体金属のターゲットが形成され、当該ディスク平面に前記集光ミラーの反射面が対向して前記ディスク形状のターゲット構造物が配置されていること
   を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
8. 前記ディスク形状のターゲット構造物は、前記ディスク平面に前記集光ミラーの反射面が対向しており、当該ディスク平面には、前記集光ミラーで反射したＥＵＶ光を通過させる孔が設けられていること
   を特徴とする請求項７記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
9. 前記ディスク形状のターゲット構造物は、前記ディスク円周側面に前記集光ミラーの反射面が対向しており、当該ディスク円周側面の法線の方向に、前記レーザ光が入射されること
   を特徴とする請求項７記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
10. レーザ光を、真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、
    前記再生機構および前記冷却機構は、前記真空チャンバ内で隣接して配置されていること
    を特徴とする請求項７記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
11. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ロッド形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記ロッド形状のターゲット構造物の長手方向に沿って、当該ロッド形状のターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点と前記再生機構および前記冷却機構との間で往復移動させるものであること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
12. レーザ光を、真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、
    前記再生機構および前記冷却機構は、前記真空チャンバ内で、前記ロッド形状のターゲット構造物の長手方向に沿って隣接して配置されていること
    を特徴とする請求項１１記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
13. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記再生機構と前記ＥＵＶ光発生点との間に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物の周囲を切削する切削装置を設けたこと
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
14. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記再生機構は、ターゲットとなる金属を溶融金属として貯留する容器を備え、当該容器の壁に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物が通過する孔であって、前記ワイヤ形状のターゲット構造物とのクリアランスを１ｍｍ以下とする孔を形成したこと
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
15. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ロッド形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記ロッド形状のターゲット構造物の表面に、間欠的にくぼみが、あるいは溝が螺旋状に形成され、
    前記ロッド形状のターゲット構造物を長手方向および軸回転方向に駆動する駆動機構を備えていること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
16. 前記ディスク形状のターゲット構造物は、前記ディスク円周側面に前記集光ミラーの反射面が対向しており、当該ディスク円周側面の周方向に沿って、間欠的にくぼみが、あるいは溝が形成されていること
    を特徴とする請求項７記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
17. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状またはロッド形状またはディスク形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記ターゲット構造物の表面に間欠的にくぼみが形成され、
    前記ターゲット構造物の表面に位置計測用レーザ光を照射するレーザ発振器と、
    前記ターゲット構造物の表面で反射した前記位置計測用レーザ光を受光する受光センサと、
    前記受光センサの検出信号に基づいて前記くぼみの位置を計測して、当該くぼみの位置を計測したときに、前記レーザ光を前記ターゲット構造物に照射する制御手段と
    を備えたこと
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
18. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状またはロッド形状またはディスク形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記ターゲット構造物の表面に、間欠的にくぼみが形成されるとともに、当該間欠的なくぼみに対応して、間欠的に孔が形成され、
    前記ターゲット構造物の表面に位置計測用レーザ光を照射するレーザ発振器と、
    前記ターゲット構造物の表面に形成された前記孔を通過した前記位置計測用レーザ光を受光する受光センサと、
    前記受光センサの検出信号に基づいて前記孔の位置を計測して、当該孔の位置を計測したときに、前記レーザ光を前記ターゲット構造物に照射する制御手段と
    を備えたこと
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
19. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、
    ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記冷却機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物が通過し、冷却媒体が導入された冷却室と、
    前記冷却室の前記ワイヤ形状のターゲット構造物が導入される側および前記ワイヤ形状のターゲット構造物が導出される側のそれぞれに設けられた差動排気室と
    を備えたこと
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
20. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記冷却機構は、
    冷却媒体が導入された冷却室と、
    前記冷却室の圧力を検出する圧力計と、
    前記冷却室に供給される冷却媒体の流量を調整する流量調整機構と、
    前記圧力計の検出信号に基づいて前記流量調整機構を制御して、前記冷却室内の圧力を所望の圧力にするコントローラと
    を備えたこと
    特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
21. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記送り機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物を巻回する一対の巻取りドラム
    を備えたこと
    特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
22. 前記送り機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物の張力を一定に制御するワイヤ張力制御機構
    を備えたこと
    特徴とする請求項２１記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
23. 前記送り機構は、
    前記一対の巻取りドラムに前記ワイヤ形状のターゲット構造物が整列して巻き取られるように調整するトラバース機構と、
    前記一対の巻取りドラムに巻かれた前記ワイヤ形状のターゲット構造物までの変位を測定する変位計と、
    前記変位計の測定結果に基づいて前記一対の巻取りドラムの回転数を制御するコントローラとを備えたこと
    特徴とする請求項２１または２２に記載ＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
24. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられており、
    前記ターゲット供給装置は、
    ターゲットからなる、またはターゲットと他の材料からなるターゲット構造物であって、ワイヤ形状に形成されたターゲット構造物を、前記ＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給するものであって、
    前記再生機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物が供給される上流側に、ターゲットとなる金属を前記ワイヤ形状のターゲット構造物から除去する除去槽と、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物が供給される下流側に、ターゲットとなる金属を前記ワイヤ形状のターゲット構造物に塗布する塗布槽と
    を備えていること
    特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
25. 前記除去槽の出口に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物の上方および下方に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物に不活性ガスを吹き付けるブロー用ノズルが設けられていること
    特徴とする請求項２４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
26. 前記塗布槽の出口に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物の下方に、前記ワイヤ形状のターゲット構造物に不活性ガスを吹き付けるブロー用ノズルが設けられていること
    特徴とする請求項２４または２５記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
27. 前記EUV光を集光する集光ミラーが備えられ、
    前記ターゲット構造物の前記くぼみまたは前記溝は、前記集光ミラーの反射面が対向しており、
    前記ターゲット構造物の前記くぼみまたは前記溝の開き角は、１２０度以内であること
    を特徴とする請求項１５、１６、１７、１８記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
28. 前記送り機構は、前記ワイヤ形状のターゲット構造物が架けられる溝を有したプーリを備え、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物の断面は、多角形であり、前記プーリの溝は、前記ワイヤ形状のターゲット構造物の断面と同一あるいは略同一の断面形状に形成されていること
    を特徴とする請求項４、１３、１４、１９、２１、２４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
29. 前記再生機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物にターゲットとなる金属の粉体を噴霧する静電スプレーガンを備えたこと
    を特徴とする請求項項４、１９、２１記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
30. 前記再生機構は、ターゲットとなる金属を溶融金属として貯留する容器と、
    前記容器内の溶融金属を加熱するヒータと、
    前記ヒータに供給する電力を調整して前記溶融金属を目標とする一定温度に制御するコントローラとを備えたこと
    を特徴とする請求項１３、１４、２４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
31. 前記再生機構は、ターゲットとなる金属を溶融金属として貯留する容器と、
    前記容器内の溶融金属の液面を検出する液面計と、
    前記容器内にターゲットとなる金属材料を供給する供給通路と、
    前記供給通路に設けられたバルブと、
    前記液面計の検出信号に基づいて前記バルブを開閉して前記容器内の溶融金属の液面を一定値より下回らないように保持するコントローラとを備えたこと
    を特徴とする請求項１３、１４、２４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
32. レーザ光を、真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、
    前記真空チャンバ外にあって、前記供給通路には、真空排気しながら、ターゲットとなる金属材料を前記供給通路内に供給する供給室が設けられていること
    を特徴とする請求項３１記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
33. 前記送り機構は、
    前記ワイヤ形状のターゲット構造物の断線を検出する断線検出センサを備えたこと
    を特徴とする請求項４、１３、１４、１９、２１、２４記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
34. レーザ光を、真空チャンバ内のＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、
    前記ターゲット供給装置のうち前記再生機構と前記冷却機構と前記送り機構のうち動力部以外の構成部分が前記真空チャンバの内部に配置されているとともに、前記送り機構のうち動力部が前記真空チャンバの外部に配置されていること
    を特徴とする請求項２から３３に記載のＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
35. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構に送るとともに、再生機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられ、
    前記再生機構は、
    金属を真空中で蒸発させ、ターゲット上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲットに形成する真空蒸着による方法でターゲットを再生する機構であること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
36. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    凹部が形成された固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの凹部を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構に送るとともに、再生機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられ、
    前記再生機構は、
    金属を真空中で蒸発させ、ターゲット上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲットに形成する真空蒸着による方法でターゲットを再生する機構であること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
37. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの表面を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられ、
    前記再生機構は、
    金属を真空中で蒸発させ、ターゲット上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲットに形成する真空蒸着による方法でターゲットを再生する機構であること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。
38. レーザ光を、ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットに対して照射することによってターゲットがプラズマ状態にされＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置に適用され、ターゲットをＥＵＶ光発生点に供給するようにしたＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置において、
    ターゲット供給装置は、
    凹部が形成された固体金属のターゲットをＥＵＶ光発生点に向けて連続して供給する装置であって、
    ターゲット供給装置には、
    レーザ光が照射されたターゲットの凹部を、レーザ光照射前の状態に再生する再生機構と、
    ターゲットを、ターゲットの材料となる金属の融点よりも低い温度になるまで冷却する冷却機構と、
    ＥＵＶ光発生点を通過したターゲットを再生機構を介して冷却機構に送るとともに、冷却機構を通過したターゲットを再びＥＵＶ光発生点に送る送り機構と
    が設けられ、
    前記再生機構は、
    金属を真空中で蒸発させ、ターゲット上に金属を凝縮させることによって金属被膜をターゲットに形成する真空蒸着による方法でターゲットを再生する機構であること
    を特徴とするＥＵＶ光発生装置におけるターゲット供給装置。

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