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CN108349987A - 苯并咪唑稠合杂芳族类 - Google Patents

苯并咪唑稠合杂芳族类 Download PDF

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CN108349987A
CN108349987A CN201680064341.2A CN201680064341A CN108349987A CN 108349987 A CN108349987 A CN 108349987A CN 201680064341 A CN201680064341 A CN 201680064341A CN 108349987 A CN108349987 A CN 108349987A
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CN
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unsubstituted
group
alkyl
aryl
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Application number
CN201680064341.2A
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西前祐
西前祐一
T.沙弗
中野裕基
长岛英明
河村昌宏
羽毛田匡
盐见拓史
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
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Abstract

通式(I)的化合物提供确保了OLED的良好的效率、良好的操作寿命和对热应力的高稳定性、以及低的使用和操作电压的电子器件、优选OLED。其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有如在说明书中定义的含义。

Description

苯并咪唑稠合杂芳族类
技术领域
本发明涉及包含至少一种通式(I)的化合物的电子器件、优选存在于电子器件中的包含至少一种通式(I)的化合物的发光层、根据通式(I)所述的化合物在电子器件中作为主体材料、电荷传输材料或者不含金属物种的掺杂剂的用途、根据通式(IV)所述的特定化合物、以及用于制备这些化合物的方法。
背景技术
苯并咪唑稠合杂芳族类和它们在电子器件中的用途是本领域已知的。
WO 2014/008982 A1公开了在电子器件、特别是OLED(有机发光二极管)中使用通式M(L)n(L')m的金属络合物作为发光体。存在于这些络合物中的配体L和L'尤其对应于下述式：
，
其中，-X=X-可以对应于。WO 2014/008982 A1中，没有公开在电子器件中使用不具有任何金属阳离子的配体、或对应的电子器件。
CN 1017781312 A公开了用于制备喹诺酮或吲哚衍生物的方法、和它们在生物化学、化妆品、医药、材料应用中的用途。尤其是，公开了式的化合物，其中，Y、Z可以为N或C，且R1可以为烷基、芳基等。CN 1017781312 A1中例示的特定化合物是和。在该文献中，没有公开将苯并咪唑稠合杂芳族类用于电子器件。
M. Hranjec等人，J.Med.Chem.2008，51，(16)，页4899 - 4910公开了用于制备通式的化合物的方法。在该文献中，没有公开将这些化合物用于电子器件。
引用列表
专利文献
专利文献1：WO 2014/008982 A1
专利文献2：CN 1017781312 A
非专利文献
非专利文献1：M. Hranjec等人，J.Med.Chem.2008，51，(16)，页4899 – 4910。
发明内容
技术课题
还存在对包含新材料、特别是主体材料、电子传输材料和/或空穴传输材料以提供电子器件的改进的效率、稳定性、可制造性、驱动电压和/或光谱特征的电子器件的需求。
相应地，针对前述现有技术，本发明的一个目的是，提供适合于在电子器件、优选OLED、以及有机电子学中的其他应用中使用的材料。更特别地，应当能够提供包含新的化合物作为电子传输材料、空穴传输材料或主体材料的电子器件。材料应当特别适合于包含至少一种优选为磷光发光体的发光体的OLED、例如包含至少一种绿色、红色或黄色发光体、特别是包含至少一种绿色发光体或至少一种红色发光体的OLED。材料应当还特别适合于特别是作为电子传输材料而包含至少一种优选为荧光发光体的发光体、例如至少一种蓝色发光体的OLED。
进一步，材料应当适合于提供电子器件、优选OLED，其确保了OLED的良好的效率、良好的可操作寿命、和对热应力的高稳定性、以及低的使用和操作电压。
解决课题的方案
所述目的通过电子器件而解决，其包含至少一种通式(I)的化合物：
(I)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有下述含义：
A1、A2、A3和A4形成芳族或杂芳族6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4；
B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族5或6元环，其中，B1是直接键、NR5、N、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、N、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、N、O、S、CR14或CR15R16，且B4是直接键、NR17、N、O、S、CR18或CR19R20；
C1、C2、C3和C4形成芳族或杂芳族6元环，其中，C1是N或CR21，C2是N或CR22，C3是N或CR23，且C4是N或CR24、
X1和X2各自是直接键、O、S、NR25或CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
其中，R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、或者-C≡C-；
E是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J或C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
R28、R29和R30各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基、或者被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
R31和R32各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R33、R34、R35和R39各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R36是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R37、R38、R40、R41和R42各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
或者，R37和R38一起形成5或6元环；
或者，R41和R42一起形成5或6元环；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R17、R18、R19和R20中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
在通式(I)的化合物一个实施方案中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24中的至少一者是不同于H(氢)的取代基、即E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。不同于H的取代基优选是将在下文提及的式(b)和(b1)的那些。
上述目的进一步通过发光层而解决，其优选存在于电子器件、更优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)中，其包含根据本发明所述的至少一种通式(I)的化合物。
上述目的进一步通过根据本发明所述的根据通式所述的化合物(I)在电子器件、优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)、优选发光层中作为主体材料、电荷传输材料、例如电子传输材料或空穴传输材料、或者不含金属物种的掺杂剂、优选作为主体材料的用途而解决。
具体实施方式
根据本发明所述的电子器件将在下文详细描述。
根据本发明所述的电子器件包含如上所述的根据至少一种根据通式(I)所述的化合物。根据本发明，电子器件可以包含一种根据本发明所述的化合物，或者可以包含不同的根据通式(I)所述的化合物的混合物。进一步，根据本发明所述的电子器件可以在器件的不同部分、例如层中包含至少一种根据通式所述的化合物(I)。根据该实施方案，一种根据通式所述的化合物(I)可以存在于不同部分、例如层中。根据另一个实施方案，不同的根据通式(I)所述的化合物可以存在于不同部分、例如层中。
根据本发明，术语卤素、烷基、芳基、芳氧基和杂芳基在所述基团没有进一步在下述具体实施方案中进一步指明的情况下，通常具有下述含义：
卤素是氟、氯、溴和碘。
C1-C25烷基、优选C1-C18烷基典型而言在可能的情况下是直链或支链的。实例是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基。C1-C8烷基典型而言是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基或2-乙基己基。C1-C4烷基典型而言是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、或者叔丁基。
C1-C25烷氧基、优选C1-C18烷氧基是直链或支链的烷氧基、例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。C1-C8烷氧基的实例是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基，优选的C1-C4烷氧基典型而言是例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基和叔丁氧基。
可以任选被取代的C6-C60芳基、优选C6-C24芳基、特别优选C6-C18芳基典型而言是苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基、特别是1-萘基或2-萘基、联苯基、三联苯基、芘基、2-或9-芴基、菲基、或者蒽基，其可以是未取代或取代的。苯基、1-萘基和2-萘基是C6-C10芳基的实例。
可以任选被取代的C6-C24芳氧基典型而言是可以任选被一个或多个C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代的C6-C10芳氧基，例如苯氧基、1-萘氧基、或者2-萘氧基。
C2-C60杂芳基、优选C2-C30杂芳基、特别优选C2-C13杂芳基表示其中氮、氧或硫是可能的杂原子的具有5至7个环原子的环、或者稠环体系，并且典型而言是具有5至40个原子且具有至少6个共轭π电子的杂环基，例如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、中氮茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异噁唑基、呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、苯并咪唑并[2,1-b][1,3]苯并噻唑基、咔唑基、或者吩噁嗪基，其可以是未取代或取代的。苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基和二苯并呋喃基是C2-C14杂芳基的实例。
C7-C25芳烷基是例如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω,ω-二甲基-ω-苯基-丁基、ω-苯基-十二烷基、ω-苯基-十八烷基、ω-苯基-二十烷基或ω-苯基-二十二烷基，优选是C7-C18芳烷基、例如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω,ω-二甲基-ω-苯基-丁基、ω-苯基-十二烷基或ω-苯基-十八烷基，并且特别优选C7-C12芳烷基、例如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、或者ω,ω-二甲基-ω-苯基-丁基，其中，脂肪族烃基和芳族烃基两者可以为未取代或取代的。优选的实例是苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基、萘基乙基、萘基甲基和异丙苯基。
C5-C12环烷基是例如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十一烷基、环十二烷基，优选是环戊基、环己基、环庚基、或者环辛基，其可以为未取代或取代的。
上述基团的可能的优选取代基是C1-C8烷基、羟基、巯基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、卤素、卤代-C1-C8烷基、或者氰基。
通常，根据本发明所述的电子器件包含至少一种根据通式(I)所述的化合物：
(I)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有上述含义。
通常，A1、A2、A3和A4形成芳族或杂芳族6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4。
根据一个实施方案，A1是N，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，其中，R2、R3和R4具有上述含义。
根据另一个实施方案，A1是CR1，A2是N，A3是CR3，且A4是CR4，其中，R1、R3和R4具有上述含义。
根据另一个实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是N，且A4是CR4，其中，R1、R2和R4具有上述含义。
根据另一个实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是N，其中，R1、R2和R3具有上述含义。
根据一个优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4。根据该优选的实施方案，A1、A2、A3和A4形成取代或未取代的芳族6元环，其中，R1、R2、R3和R4具有上述含义。
根据一个特别优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、或者-C≡C-；
E是J、-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J、C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
更优选地，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义。
根据本发明的一个进一步优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1和R4是H，并且R2和R3各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义。
最优选地，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1、R2和R4是H，并且R3是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42和G具有与上述相同的含义；
或者，
R1、R3和R4是H，且R2是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42和G具有与上述相同的含义。
R1、R2、R3和/或R4、优选R2和/或R3、最优选R3的特别优选的含义是未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，优选是未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，芳族和/或杂芳族5或6元环稠合在一起或者通过碳-碳键连接。
R1、R2、R3和/或R4的特别优选的含义是式(IV)的取代基、和如下所示的另外的取代基：
(IV)、
其中，R47可以是取代或未取代的芳族或杂芳族的、具有2至60碳原子和任选的选自N、O和S中的杂原子的环或环体系。任选存在的取代基选自：E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
特别优选的R47示于如下：
。
根据本发明的一个特别优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，其中，R1、R3和R4是H，并且R2是-CN或者式(IV)的取代基。根据本发明的一个特别优选的实施方案，R1、R2和R4是H，并且R3是-CN或者式(IV)的取代基。
根据一个进一步优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1、R2、R3和R4是H，意味着A1、A2、A3和A4形成未取代的苯基环。
根据一个进一步优选的实施方案，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下、形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的、优选杂芳族的环，而R1、R2、R3和R4中的其余两者是H。
由R1、R2、R3和R4中的两者形成的5或6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环优选稠合于由A1、A2、A3和A4形成的6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
优选地，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，且A4是CR4，并且
R1和R2形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R3和R4是H；
或者
R2和R3形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R1和R4是H；
或者
R3和R4形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R1和R2是H。
优选R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5元的取代的杂芳族环。
该5元的取代的杂芳族环优选被E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30取代，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
存在于5元的取代的杂芳族环上的取代基特别优选稠合于所述5元的取代的杂芳族环。
由R1、R2、R3和R4中的两者形成的最优选的5元的取代的杂芳族环示于如下：
其中，虚线描述键合于由A1、A2、A3和A4形成的环的键，并且R48可以是取代或未取代的芳族或杂芳族的、具有2至60碳原子和任选的选自N、O和S中的杂原子的环或环体系。任选存在的取代基选自：E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
特别优选的R48示于如下：
通常，B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族5或6元环，其中，B1是直接键、NR5、N、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、N、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、N、O、S、CR14或CR15R16，和/或B4是直接键、NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义，优选R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20是甲基(-CH3)、
CH3、苯基、三亚苯、二苯并呋喃、或。
根据本发明的一个实施方案，B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族5元环，其中，B1是直接键、NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、O、S、CR14或CR15R16，和/或B4是直接键、NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义。
根据本发明的另一个实施方案，B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族6元环，其中，B1是N、O、S或CR6，B2是N、O、S或CR10，B3是N、O、S或CR14，和/或B4是N、O、S或CR18，其中，R6、R10、R14和R18具有上述含义。
根据一个优选的实施方案、B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族6元环，其中，
B1是N，B2是CR10，B3是CR14，且B4是CR18，其中，R10、R14和R18具有上述含义；
或者，
B1是CR6，B2是N，B3是CR14，且B4是CR18，其中，R6、R14和R18具有上述含义；
或者，
B1是CR6，B2是CR10，B3是N，且B4是CR18，其中，R6、R10和R18具有上述含义；
或者，
B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，且B4是N，其中，R10、R14和R18具有上述含义。
特别优选地，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，且B4是CR18，其中，R6、R10、R14和R18具有上述含义。根据该实施方案，包含在根据本发明所述的电子器件中的根据通式所述的化合物(I)对应于如下述示出的通式(Ia)：
(Ia)，
其中，A1、A2、A3、A4、C1、C4、R6、R10、R14、R18、X1、X2、R22和R23具有与上述相同的含义。
在通式(Ia)的化合物的一个实施方案中，选自R6、R10、R14、R18、R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基，优选R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R6、R10、R14、R18、R22和R23而如上所述的，并且优选是下述式(b)或(b1)所示。
优选地，R6、R10、R14和R18各自独立地选自H、-CN、、或，最优选R6、R10、R14和R18是H。
根据一个进一步优选的实施方案，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，且B4是CR18，并且R6、R10、R14和R18中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、优选5元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的、优选杂芳族的环，而R6、R10、R14和R18中的其余两者是H。
由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5或6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环优选稠合于由B1、B2、B3和B4形成的6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5或6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环的可能的优选取代基是未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基。这些芳基或杂芳基可以稠合于由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5或6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，或者可以通过碳-碳单键键合于该环。
优选地，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，且B4是CR18，并且
R6和R10形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R14和R18是H；
或者，
R10和R14形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R6和R18是H；
或者
R14和R18形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R6和R10是H。
特别优选地，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，且B4是CR18，并且
R6和R10形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R14和R18是H；
或者
R14和R18形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R6和R10是H。
优选地，R6、R10、R14和R18中的两者形成5元的取代的杂芳族的环或环体系。
由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5元的取代的杂芳族环优选被H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30取代，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
存在于由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5元的取代的杂芳族环上的取代基特别优选稠合于5元的取代的杂芳族环、或者通过碳-碳键键合于该5元的取代的杂芳族环，最优选取代基稠合于所述5元的取代的杂芳族环。
因此，最优选的由R6、R10、R14和R18中的两者形成的5元的取代的杂芳族环示于如下：
其中，虚线描述键合于由B1、B2、B3和B4形成的环的键，并且R49可以是取代或未取代的芳族或杂芳族的、具有2至60碳原子和任选的选自N、O和S中的杂原子的环或环体系。其任选存在的取代基可以选自：E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
特别优选的R49示于如下：
。
根据通式(Ia)的化合物的一个优选的实施方案，A1优选是CR1，A2优选是CR2，A3优选是CR3，A4优选是CR4，其中，R1、R2、R3和R4具有与上述相同的含义。根据该优选的实施方案，根据通式所述的化合物(I)或根据通式所述的化合物(Ia)对应于如下述示出的根据通式所述的化合物(II)：
(II)，
其中，R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22、R23、X1、X2、C1和C4具有上述含义。
因此，本发明优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，根据通式所述的化合物(I)对应于通式(II)
(II)，
其中，R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22、R23、X1、X2、C1和C4具有上述含义。
在通式(II)的化合物的一个实施方案中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基，优选R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22和R23而如上所述的，并且优选是下述式(b)或(b1)。
特别优选地，R6、R10、R14和R18独立地选自H、-CN、、或，最优选R6、R10、R14和R18是H。
如上所述，A1优选是CR1，A2优选是CR2，A3优选是CR3，A4优选是CR4，并且R1、R2、R3和R4特别优选是H。根据该优选的实施方案，如上所示的根据通式所述的化合物(II)对应于如下述示出的根据通式(IIa)所述的特别优选的化合物：
(IIa)，
其中，R22、R23、X1、X2、C1和C4具有与上述相同的含义。
在通式(IIa)的化合物的一个实施方案中，R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R22和R23而如上所述的，并且优选是下述式(b)或(b1)。
根据本发明的另一个优选的实施方案，通式(I)中的B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族5元环，其中，B1是直接键、NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、O、S、CR14或CR15R16，和/或B4是直接键、NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义。
根据该优选的实施方案，B1是直接键，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义；
或者
B1是NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R5、R6、R7、R8、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义；
或者
其中，B1是NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键，且B4是NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R17、R18、R19和R20具有上述含义；
或者
其中，B1是NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是直接键，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16具有上述含义。
根据本发明的一个优选的实施方案，B1是直接键，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义；
或者
B1是NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是直接键，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16具有上述含义。
特别优选的实施方案是下述化合物(Ib)所示，其中，B1是直接键，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是NR17、O、S、CR18或CR19R20，其中，R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20具有上述含义：
(Ib)，
其中，A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有与上述相同的含义。
优选地，根据通式所述的化合物(Ib)中，
B2是NR9、O或S，B3是CR14，且B4是CR18，其中，R9、R14和R18具有上述含义；
或者
B2是CR10，B3是NR13、O或S，且B4是CR18，其中，R10、R13和R18具有上述含义；
或者
B2是CR10，B3是CR14，且B4是NR17、O或S，其中，R10、R14和R17具有上述含义；
其中，A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有与上述相同的含义。
特别优选地，根据通式所述的化合物(Ib)中，
B2是NR9、O或S，B3是CR14，且B4是CR18；
或者
B2是CR10，B3是CR14，且B4是NR17、O或S；
其中，R9和R17选自芳族或杂芳族的、具有2至60个碳原子的环或环体系，并且R14和R18、或R10和R14形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
最优选地，R9和R17各自独立地选自：
，
R14和R18、或R10和R14优选形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，最优选对应于下述式(Id)的6元的、取代或未取代的芳族环：
(Id)，
其中，虚线描述键合于B1、B2、B3和/或B4的键，并且其中，R43、R44、R45和R46各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
其中，G、E、D、R28、R29和R30具有如上述定义的含义。
最优选R43、R44、R45和R46是H、、、、或。
根据本发明的一个优选的实施方案，X1和B1是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X1和B1是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
根据本发明的一个优选的实施方案，X1和B4是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X1和B4是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
根据本发明的一个优选的实施方案，X2和B4是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X2和B4是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
根据本发明的一个优选的实施方案，X2和B1是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X2和B1是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如上述定义的含义。
进一步特别优选的实施方案作为化合物(Ic)而示于如下，其中，B1是NR5、O、S、CR6或CR7R8，B2是NR9、O、S、CR10或CR11R12，B3是NR13、O、S、CR14或CR15R16，且B4是直接键，其中，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16具有上述含义：
(Ic)，
其中，A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有与上述相同的含义。
优选地，根据通式所述的化合物(Ic)中，
B1是NR5、O或S，B2是CR10，且B3是CR14，其中，R5、R10和R14具有上述含义；
或者
B1是CR6，B2是NR9，且B3是CR14，其中，R6、R9和R14具有上述含义；
或者
B1是CR6，B2是CR10，且B3是NR13、O或S，其中，R6、R10和R13具有上述含义；
其中，A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有与上述相同的含义。
特别优选地，根据通式所述的化合物(Ic)中，
B1是NR5、O或S，B2是CR10，且B3是CR14；
或者，
B1是CR6，B2是CR10，且B3是NR13、O或S；
其中，R5和R13选自芳族或杂芳族的、具有2至60个碳原子的环或环体系，并且R10和R14、或R6和R10形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
最优选地，R5和R13各自独立地选自：
。
R6和R10、或R14和R18优选形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，最优选对应于下述式(Id)的6元的、取代或未取代的芳族环：
(Id)，
其中，虚线描述键合于B1、B2、B3和/或B4的键，并且其中，R43、R44、R45、R46各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
其中，G、E、D、R28、R29和R30具有如上述定义的含义。最优选R43、R44、R45、R46是H、、、、或。
最优选地，在根据通式(Ib)和(Ic)所述的化合物中，A1、A2、A3和A4具有含义CR1、CR2、CR3和CR4，其中，R1、R2、R3和R4具有上述含义，并且B2是CR10，且B3是CR14，其中，R10和R14形成对应于下述式(Id)的6元的、取代或未取代的芳族环：
(Id)，
其中，虚线描述键合于B2和B3的键，并且其中，R43、R44、R45和R46各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
其中，G、E、D、R28、R29和R30具有如上述定义的含义。最优选R43、R44、R45、R46是H、、、、或。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，根据通式所述的化合物(I)对应于通式(III)：
(III)，
其中，B1是直接键、且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，或者B1是NR5、N、O、S、CR6或CR7R8、且B4是直接键；
C1是N或CR21，且C4是N或CR24；
X1、X2是直接键、O、S、NR25或CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
R43、R44、R45和R46各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
其中，G、E、D、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29和R30具有如上述定义的含义；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R5或R17可以与R43、R44、R45或R46形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
根据一个进一步优选的实施方案，R5或R17与R43、R44、R45或R46(如果存在)形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。优选R5或R17与R43、R44、R45或R46形成5元的饱和环，其上可以稠合有具有4至30个碳原子的芳族或杂芳族的环或环体系。优选地，R5和R46、或R17和R43形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，特别优选形成5元的饱和环，其上可以稠合有具有4至30个碳原子的芳族或杂芳族的环或环体系。
在B1是直接键的情况中，最优选地，由R17和R43形成的部分对应于下述式：
；
其中，虚线描述键合于R17所涉及的N、和B4的键，并且其中，R53可以是一个或多个、优选最多4个选自H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30中的取代基，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。这些取代基可以通过碳-碳键而键合，或者可以稠合于芳族环。
在B4是直接键的情况中，最优选地，由R5和R46形成的部分对应于下述式：
；
其中，虚线描述键合于R5所涉及的N、和B4的键，并且其中，R54可以是一个或多个、优选最多4个选自H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30中的取代基，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。这些取代基可以通过碳-碳键而键合，或者可以稠合于芳族环。
根据通式(I)所述、特别是根据通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(II)、(IIa)、(III)和(IV)所述的化合物中，C1、C2、C3和C4形成芳族或杂芳族6元环，其中，C1是N或CR21，C2是N或CR22，C3是N或CR23，且C4是N或CR24，其中，R21、R22、R23和R24具有上述含义。
根据一个优选的实施方案，
C1是N，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，R22、R23和R24具有上述含义；
或者
C1是CR21，C2是N，C3是CR23，且C4是CR24，其中，R21、R23和R24具有上述含义；
或者
C1是CR21，C2是CR22，C3是N或CR23，且C4是CR24，其中，R21、R22和R24具有上述含义；
或者，
C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是N，其中，R21、R22和R23具有上述含义。
根据这些实施方案，其中，C1、C2、C3和C4形成含N的杂芳族环，R21、R22、R23和R24优选选自H、-CN、、、、、、或。
更优选地，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R21、R22、R23和R24各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义。特别优选地，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R21、R22、R23和R24是H。
根据本发明的一个进一步优选的实施方案，C1是CR21，C2是C22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R21各自独立地是E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义，且R22、R23和R24是H。
根据本发明的一个进一步优选的实施方案，C1是CR21，C2是C22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R22各自独立地是E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义，且R21、R23和R24是H。
根据本发明的一个进一步优选的实施方案，C1是CR21，C2是C22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R23各自独立地是E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，E和G具有上述含义，且R21、R22和R24是H。
最优选地，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，并且
R21各自独立地是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，并且R22、R23和R24具有上述含义，其中，R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42和G具有与上述相同的含义；
或者
R22各自独立地是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，并且R21、R23和R24具有上述含义，其中，R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42和G具有与上述相同的含义；
或者
R23各自独立地是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，并且R21、R22和R24具有上述含义，其中，R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42和G具有与上述相同的含义。
R21、R22、R23和/或R24的特别优选的含义是式(VI)的取代基、和如下所示的其他取代基：
(VI)、、
其中，R49可以是取代或未取代的芳族或杂芳族的、具有2至60碳原子和任选的选自N、O和S中的杂原子的环或环体系。任选存在的取代基选自：E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
特别优选的R49示于如下：
。
R21、R22、R23和/或R24、特别是R23的进一步特别优选的含义是如下述示出的取代基：
。
如果A1是CR1、A2是CR2、A3是CR3、A4是CR4、并且R1、R2、R3和R4是H、B1是CR6、B2是CR10、B3是CR14、且B4是CR18、并且R6、R10、R14和R18是H、并且C1是CR21、C2是CR22、C3是CR23、且C4是CR24，则R21、R22、R23和/或R24、特别是R23优选为上述取代基。根据该实施方案，如果仅R21、R22、R23和R24中的一者、优选R23是如上所述的取代基，则其余的优选是H。
R21、R22、R23和/或R24的进一步特别优选的含义是-CN。
根据一个优选的实施方案，C1是N或CR21，C2是N或CR22，C3是N或CR23，且C4是N或CR24，并且R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族、优选杂芳族的环，而R21、R22、R23和R24中的其余两者是H。
由R21、R22、R23和R24中的两者形成的5或6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环优选稠合于由C1、C2、C3和C4形成的6元的取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
优选地，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，并且
R21和R22形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R23和R24是H；
或者
R22和R23形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R21和R24是H；
或者
R23和R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R21和R22是H。
特别优选的是下述实施方案，其中，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，并且R21和R22形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，且R23和R24是H。
优选R21、R22、R23和R24形成5元的取代的杂芳族环。
由R21、R22、R23和/或R24中的两者形成的最优选的5元的取代的杂芳族环示于如下：
其中，虚线描述键合于由C1、C2、C3和C4形成的环的键，并且R50可以是取代或未取代的芳族或杂芳族的、具有2至60碳原子和任选的选自N、O和S中的杂原子的环或环体系。任选存在的取代基选自：E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
特别优选的R50示于如下：
。
根据通式(I)所述、特别是根据通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(III)和(IV)所述的化合物中，X1和X2是直接键、O、S、NR25或CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27。
根据本发明所述的化合物因此优选对应于根据式(Ie)所述的化合物：
(Ie)，
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4具有上述含义，并且X1是直接键、且X2是O、S、NR25、CR26R27，或者X1是O、S、NR25、CR26R27、且X2是直接键。
在通式(Ie)的化合物的一个实施方案中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24而如上所述的，并且优选是下述式(b)或(b1)所示。
在通式(Ie)的化合物的一个实施方案中，选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23和R24、R25、R26和R27中的至少一者是通式(b)的取代基：
(R56)t-L- (b)
其中，
L是直接键、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60亚芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60亚杂芳基，优选为苯、联苯、三联苯、萘、蒽、菲、三亚苯、二苯并呋喃和二苯并噻吩的二价残基；
R56是未取代或被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的C6-C60芳基；未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的C2-C60杂芳基；和，氰基；
t是1至5、优选1至3、更优选1或2、进一步优选1的整数，并且
相邻碳原子上的两个基团R56可以形成取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
在通式(Ie)的化合物的一个实施方案中，通式(b)的取代基对应于通式(b1)：
(b1)
其中，R56和t具有如上述定义的相同含义。
在通式(Ie)的化合物的一个实施方案中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R21、R22、R23和R24中的至少一者、优选R23是通式(b)或(b1)的取代基。
上述通式(Ie)的化合物的实施方案中，R1、R2、R3和R4是氢原子。
上述通式(Ie)的化合物的实施方案中，R6、R10、R14和R18是氢原子。
上述通式(Ie)的化合物的实施方案中，不是通式(b)或(b1)的取代基的R21、R22、R23和R24中的任一者、优选R21、R22和R24是氢原子。
R56的优选的含义是未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的含氮C2-C60杂芳基，优选是各自可以被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、或菲咯啉基。
R56的优选的含义是氰基。
R56的优选的含义是未取代或被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的稠合C6-C60芳基，优选是各自可以被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的萘基、蒽基、三亚苯基、芘基、菲基、苯并菲基、苯并䓛基、苯并蒽基、芴基、苯并芴基、9,9-二甲基芴基、9,9,-二苯基芴基和9,9'-螺二芴基。
R56的优选的含义是未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的咔唑基，
优选地，
其中两个苯环中的至少一者形成稠合的芳族或杂芳族环的咔唑基，例如：
和；
或者，下述式的取代基：
其中，
R51是C6-C60芳基、优选苯基；
R52、R53、R54和R55各自独立地是C1-C25烷基、C6-C60芳基、或C2-C60杂芳基；
p是0至4、优选0的整数；
q是0至2、优选0的整数；
r是0至2、优选0的整数；
s是0至4、优选0的整数；
(R52)0、(R53)0、(R54)0和(R55)0分别是指不存在R52、R53、R54和R55。
优选的根据通式(Ie)所述、特别优选的式(b)和(b1)的化合物示于如下。
。
特别优选的式(b)示于如下。
。
其中X1是直接键、且X2是O、S、NR25或CR26R27的实施方案因此对应于通式(If)：
(If)，
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4具有上述含义。
在通式(If)的化合物的一个实施方案中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24而如上所述的，并且优选是式(b)或(b1)所示。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X1是直接键，且X2是O、S或NR25，其中，R25具有如上述定义的相同含义。
优选地，X2是O、S或NR25，更优选X2是O。
其中X1是O、S、NR25或CR26R27、优选O、S或NR25、且X2是直接键的优选的实施方案对应于通式(Ig)：
(Ig)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4具有上述含义。
在通式(Ig)的化合物的一个实施方案中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18、C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24中的至少一者是不同于H的取代基。取代基是针对通式(I)的R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24而如上所述的，并且优选是式(b)或(b1)所示。
本发明因此优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，X1是O、S或NR25，且X2是直接键，其中，R25具有如上述定义的相同含义。
优选地，X1是O、S或NR25，更优选X1是O。
R25的优选的含义是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。
R25的特别优选的含义是未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基，其中，G具有如上述定义的含义，并且C2-C60杂芳基优选包含N作为杂原子。
R25的特别优选的含义是稠合C6-C60芳基、含氮C2-C60杂芳基、被稠合C6-C60芳基和含氮C2-C60杂芳基中的至少一种取代的C6-C60芳基、或者被稠合C6-C60芳基和含氮C2-C60杂芳基中的至少一种取代的C2-C60杂芳基。
R25的特别优选的含义示于如下：
。
优选的根据通式(Ie)、(If)和(Ig)所述的化合物中，特别优选的CR26R27是C(CH3)2，并且特别优选的R25示于如下。
根据一个进一步优选的实施方案，R25与R21、R22、R23或R24(如果存在)形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。优选R25和R21、R22、R23或R24形成5元的饱和环，其上可以稠合有具有4至30个碳原子的芳族或杂芳族的环或环体系。优选地，R25和R21、或R25和R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环，特别优选形成5元的饱和环，其上可以稠合有具有4至30个碳原子的芳族或杂芳族的环或环体系。
在X1是直接键的情况中，最优选地，由R25和R21形成的部分对应于下述式：
，
其中，虚线描述键合于R25所涉及的N、和C1的键，并且其中，R51可以是一个或多个、优选最多4个选自H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30中的取代基，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。这些取代基可以通过碳-碳键而键合，或者可以稠合于芳族环。
在X2是直接键的情况中，最优选地，由R25和R24形成的部分对应于下述式：
，
其中，虚线描述键合于R25所涉及的N、和C4的键，并且其中，R51可以是一个或多个、优选最多4个选自H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、或者-SiR28R29R30中的取代基，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义。这些取代基可以通过碳-碳键而键合，或者可以稠合于芳族环。
除了根据本发明所述的电子器件之外，上述目标还通过根据通式(IV)所述的化合物而解决：
(IV)，
其中，
A1、A2、A3、A4形成芳族或杂芳族 6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4；
B1是直接键、且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，或者B1是NR5、N、O、S、CR6或CR7R8、且B4是直接键；
C1是N或CR21，且C4是N或CR24；
X1、X2是直接键、O、S、NR25、CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
其中，R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、或者-C≡C-；
E是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J或C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
R28、R29和R30各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基、或者被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
R31和R32各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R33、R34、R35和R39各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R36是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R37、R38、R40、R41和R42各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
或者，R37、R38一起形成5或6元环；
或者，R41、R42一起形成5或6元环；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R5、R6、R7、R8、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R43、R44、R45和R46各自独立地是H、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R5或R17可以与R43、R44、R45或R46形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
根据通式(IV)所述的化合物是存在于根据本发明所述的电子器件中的根据通式(I)所述的化合物的具体选择。根据通式(IV)所述的化合物的共同特征是，B1、B4与相邻的碳原子一起形成芳族或杂芳族5元环。根据一个优选的实施方案，根据本发明所述的电子器件包含至少一种通式(IV)的化合物。
针对式(IV)中的A1、A2、A3、A4、B1、B4、C1、C4、X1、X2、R22、R23、R43、R44、R45和R46，相应地适用如针对式(I)的化合物所概述的一般和优选的实施方案。
根据本发明，通式(I)、(II)或(III)的化合物包含至少 6个、优选至少7个、更优选至少8个、更优选至少9个通过直接键连接或稠合在一起的芳族或杂芳族的、饱和或不饱和的环。
因此，本发明优选地涉及根据本发明所述的电子器件，其中，通式(I)、(II)或(III)的化合物包含至少6个、优选至少7个、更优选至少8个、更优选至少9个通过直接键连接或稠合在一起的芳族或杂芳族的、饱和或不饱和的环。
特别优选的根据通式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(II)、(IIa)、(III)和(IV)所述的化合物示于如下：
。
本发明进一步涉及用于制备根据通式(I)所述的化合物的方法，特别涉及用于制备通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(II)、(IIa)、(III)和(IV)的化合物的方法，最优选涉及用于制备通式(IV)的化合物的方法。
根据第一实施方案，根据式(I)所述的化合物中，X1是直接键，且X2是O、S、NR25或CR26R27，其中，R25、R26和R27具有如上述定义相同的含义。根据该第一实施方案，化合物通过包括下述步骤(a)、(b)、(c)和(d)的方法制备。
根据所述方法的步骤(a)，使根据通式所述的化合物(VI)与根据通式所述的化合物(VII)在碱的存在下反应，从而获得根据通式所述的化合物(VIII)：
；
其中，X2、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3、且B4具有与上述相同的含义，R'是C1-C18烷基、被-O-中断的C1-C18烷基、C3-C25环烷基、C6-C18芳基、或者具有5至22个环原子的杂芳基，且Y是F、Cl、Br或I。
适合的反应条件、碱和溶剂是本领域技术人员公知的。适合的碱优选选自：碱金属和碱土金属氢氧化物、例如NaOH、KOH或Ca(OH)2；碱金属氢化物、例如NaH或KH；碱金属氨化物、例如NaNH2；碱金属或碱土金属碳酸盐、例如K2CO3或Cs2CO3；碱金属磷酸盐、例如K3PO4；和碱金属烷醇盐、例如NaOMe、NaOEt或KOtBu。此外，前述碱的混合物是适合的。
适合的溶剂是例如(极性)非质子溶剂，例如THF、二噁烷、二甲基亚砜(DMSO)、二乙基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)和十三烷、或者醇、例如乙醇。
特别优选的条件、碱和溶剂公开于Tetrahedron letters，2011，52，1557和Tetrahedron letters，2011，52，1574中。
将作为根据本发明所述的方法的步骤(a)的产物的根据通式所述的化合物(VIII)引入步骤(b)。
根据本发明所述的方法步骤(b)包括：使根据通式所述的化合物(VIII)与根据通式所述的化合物(IX)在碱的存在下反应，从而获得根据通式所述的化合物(X)：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有与上述相同的含义，且Y'是F、Cl、Br或I。
适合的反应条件、碱和溶剂是本领域技术人员公知的。
适合的碱优选选自：碱金属和碱土金属氢氧化物、例如NaOH、KOH或Ca(OH)2；碱金属氢化物、例如NaH或KH；碱金属氨化物、例如NaNH2；碱金属或碱土金属碳酸盐、例如K2CO3或Cs2CO3；碱金属磷酸盐、例如K3PO4；和碱金属烷醇盐、例如NaOMe或NaOEt。此外，前述碱的混合物是适合的。
更优选的碱是NaH、KOH、NaOH、K3PO4和Cs2CO3。特别优选的是K3PO4和K2CO3。
适合的溶剂是例如(极性)非质子溶剂，例如THF、二噁烷、二甲基亚砜(DMSO)、二乙基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)或十三烷、或者醇、例如乙醇。
更优选的溶剂是THF、二噁烷、DMF和DMSO。
步骤(b)的反应温度优选是室温(即20℃)至100℃。
反应时间优选是4至12小时。
将作为根据本发明所述的方法的步骤(b)的产物的根据通式所述的化合物(X)引入根据本发明所述的方法的步骤(c)。
根据本发明所述的方法步骤(c)包括：将根据通式所述的化合物(X)用还原剂或H2在催化剂、如Pd/C的存在下、在溶剂中还原，从而获得根据通式所述的化合物(XI)：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有与上述相同的含义。
适合于步骤(c)的反应条件和溶剂是本领域技术人员已知的。优选的还原剂是例如Sn、Zn和/或Fe。如果使用那些还原剂中的一种，则优选的溶剂是：醇、例如乙醇、异丙醇；乙酸和/或THF。此外，可以添加HCl(浓的、或者用水稀释)。反应温度优选是室温至130℃。反应时间优选是4至12小时之间。
适合于用H2在催化剂、如Pd/C的存在下还原的反应条件和溶剂是本领域技术人员公知的。适合于该实施方案的溶剂是例如(极性)非质子溶剂，例如THF、二噁烷、二甲基亚砜(DMSO)、二乙基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、十三烷、或者醇、例如乙醇。更优选的溶剂是THF、乙醇、和/或DMF。
反应温度优选是室温(即20℃)至50℃。
反应时间优选是1至5小时。
氢气压力优选是1至5 bar。
将作为根据本发明所述的方法的步骤(c)的产物的根据通式所述的化合物(XI)引入根据本发明所述的方法的步骤(d)。
步骤(d)包括：使根据通式所述的化合物(XI)在催化剂的存在下反应，从而获得根据通式所述的化合物(I)：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有与上述相同的含义。
根据本发明所述的方法的步骤(d)中适合的反应条件和溶剂是本领域技术人员公知的。
优选的催化剂是多聚磷酸、对甲苯磺酸和/或三氟乙酸。
步骤(d)可以在存在或不存在溶剂的情况下进行。优选地，在根据本发明所述的方法的步骤(d)中不使用溶剂。
在使用溶剂的情况中，优选的溶剂是芳族的溶剂、例如甲苯和二甲苯。
温度优选是室温(即20℃)至250℃、优选150至220℃。
反应时间优选是5至24小时。
根据第二实施方案，根据式(I)所述的化合物中，X1是O、S、NR25或CR26R27，且X2是直接键，其中，R25、R26和R27具有如上述定义相同的含义。根据该第二实施方案素哟书的化合物通过包括步骤(e)的方法制备。
根据所述方法的步骤(e)，使根据通式所述的化合物(XII)与根据通式所述的化合物(XIII)反应，从而获得根据通式所述的化合物(I)：
其中，X1、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有与上述相同的含义，并且，(i)Y1是I、且Y2是Br或Cl，或者(ii)Y1是Br、且Y2是Cl，或者(iii)Y1和Y2为相同的卤素。
根据本发明所述的方法的步骤(e)优选是在碱和催化剂的存在下进行。适合的反应条件、碱和溶剂是本领域技术人员公知的，并且公开于例如Org.Biomol.Chem.2013，11，7966中。
适合的碱优选选自：碱金属和碱土金属氢氧化物、例如NaOH、KOH或Ca(OH)2；碱金属氢化物、例如NaH或KH；碱金属氨化物、例如NaNH2；碱金属或碱土金属碳酸盐、例如K2CO3或Cs2CO3；碱金属磷酸盐、例如K3PO4；和碱金属烷醇盐、例如NaOMe或NaOEt。此外，前述碱的混合物是适合的。
更优选的碱是NaH、KOH、NaOH、K3PO4和Cs2CO3。特别适合的是Cs2CO3。
适合的溶剂是例如(极性)非质子溶剂，例如THF、二噁烷、二甲基亚砜(DMSO)、二乙基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)或十三烷、或者醇、例如乙醇。
更优选的溶剂是THF、二噁烷、DMF和DMSO，特别优选是DMF。
步骤(e)的反应温度优选是室温(即20℃)至200℃、优选100至160℃。
反应时间优选是12至36小时。
有机电子学应用中的式(I)、(II)或(III)的化合物
已发现，式(I)、(II)或(III)的化合物特别适合用于其中要求电荷载流子传导性的应用，特别适合用于有机电子学应用、例如选自：开关元件、例如有机晶体管、例如有机FET和有机TFT；有机太阳能电池、和有机发光二极管(OLED)。
有机晶体管通常包括：由具有电荷传输能力的有机层形成的半导体层；由导电层形成的栅极；和，在半导体层和导电层之间引入的绝缘层。源极和漏极被载于该排布上，由此制造晶体管元件。此外，在有机晶体管中还可以存在本领域技术人员已知的另外的层。具有电荷传输能力的层可以包含式(I)、(II)或(III)的化合物。
有机太阳能电池(光电转换元件)通常包含存在于平行排布的两个板型电极之间的有机层。有机层可以被配置于梳形电极上。对有机层的位置没有特别限制，并且对电极的材料没有特别限制。但是，使用平行排布的板型电极时，至少一个电极优选由透明电极、例如ITO电极或氟掺杂的氧化锡电极形成。有机层由两个子层形成，即一个具有p型半导体特性或空穴传输能力的层和一个具有n型半导体特性或电荷传输能力而形成的层。此外，在有机太阳能电池中可以存在本领域技术人员已知的另外的层。具有电荷传输能力的层可以包含式(I)、(II)或(III)的化合物。
式(I)、(II)或(III)的化合物特别适合在OLED中、优选光发射层中作为主体(=基质)材料、和/或电荷和/或激子阻挡剂材料、和/或电荷传输材料、例如空穴传输材料和/或电荷传输材料、优选作为电子传输材料、特别是与磷光发光体组合、和/或作为不含金属物种的掺杂剂而使用。进一步优选，式(I)、(II)或(III)的化合物特别适合在OLED中、优选光发射层中作为电子传输材料、特别是与荧光发光体组合而使用。
本发明因此优选地涉及根据如上述定义的通式(I)、(II)或(III)所述的化合物在电子器件、优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)、优选发光层中作为主体材料、电荷传输材料、例如空穴传输材料或电子传输材料、优选作为电子传输材料、和/或不含金属物种的掺杂剂、优选作为主体材料或电子传输材料的用途。
在本发明的式(I)、(II)或(III)的化合物用于OLED的情况中，获得了具有良好的效率和长寿命、且特别是可以在低的使用和操作电压下操作的OLED。本发明的式(I)、(II)或(III)的化合物特别适合用作用于绿色、红色和黄色、优选绿色和红色、更优选红色发光体的基质和/或电荷传输和/或电荷阻挡材料。本发明的式(I)、(II)或(III)的化合物进一步特别适合用作用于蓝色发光体的电子传输材料。进一步，式(I)、(II)或(III)的化合物可以在选自开关元件和有机太阳能电池中的有机电子学应用中被用作导体/补充材料。根据本申请，术语基质和主体可以互换使用。
在OLED的发光层或发光层之一中，还可以组合发光体材料与至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物的基质材料、以及一种或多种、优选一种另外的基质材料(共主体)。这可以实现这些器件的高量子效率、低驱动电压和/或长寿命。
根据本发明的一个优选的实施方案，根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物被用作优选在包含红色光发射化合物的发光层中的主体材料。根据该实施方案，优选在光发射层中不存在另外的主体材料。
根据本发明的另一个优选的实施方案，根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物被用作优选在包含绿色光发射化合物的发光层中的主体材料。根据该实施方案，根据本发明所述的化合物优选在至少一种另外的主体材料的存在下使用、即作为共主体使用。另外的主体材料示于如下。
同样地，式(I)、(II)或(III)的化合物可以存在于下述两个或三个层中：光发射层(优选作为主体材料)、和/或传输层(作为电子传输材料)。
式(I)、(II)或(III)的化合物被用作发光层中的基质(主体)材料、且额外地被用作电子传输材料时，由于材料的化学一致性或相似性，改进了发光层和相邻材料之间的界面，这可以导致等同亮度下的电压降低、并且延长OLED的寿命。另外，由于可以将相同的源用于一种式(I)、(II)或(III)的化合物的材料的气相沉积方法，因此使用相同材料作为电子传输材料和/或发光层的基质使得OLED的制造方法简化。
有机电子器件、特别是有机发光二极管(OLED)的适合的结构是本领域技术人员已知的，并且具体说明如下。
例如，根据本发明所述的电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)包含阴极、阳极、以及在阴极和阳极之间提供的多个有机薄膜层，有机薄膜层包含发光层，所述发光层包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物优选作为主体材料、电荷传输材料、例如空穴传输材料或电子传输材料、优选作为电子传输材料、和/或不含金属物种的掺杂剂、特别优选作为主体材料或电子传输材料。
本发明因此优选地涉及电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)，其包含阴极、阳极、以及在阴极和阳极之间提供的多个有机薄膜层，有机薄膜层包含发光层，所述发光层包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物优选作为主体材料、电荷传输材料、例如空穴传输材料或电子传输材料、优选作为电子传输材料、和/或不含金属物种的掺杂剂、特别优选作为主体材料或电子传输材料。
更优选地，本发明提供有机发光二极管(OLED)，其包含阳极(a)和阴极(i)、以及在阳极(a)和阴极(i)之间排布的光发射层(e)、以及在适当的情况下包含选自至少一个空穴/激子阻挡层、至少一个电子/激子阻挡层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴传输层、至少一个电子注入层、和至少一个电子传输层中的至少一个另外的层，其中，至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物存在于光发射层(e)和/或至少一个另外的层中。至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物优选存在于光发射层、和/或空穴/激子阻挡层、和/或电荷阻挡层、即电子或空穴传输层中。
在本发明的一个优选的实施方案中，至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物被用作电子传输材料。优选的式(I)、(II)或(III)的化合物的实例示于如上。
在本发明的另一个优选的实施方案中，至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物被用作电荷/激子阻挡剂材料。优选的式(I)、(II)或(III)的化合物的实例示于如上。
本申请进一步涉及光发射层，其优选存在于电子器件、更优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)中，其包含如上述定义的至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物优选作为主体材料或共主体材料。优选的式(I)、(II)或(III)的化合物的实例示于如上。
最优选地，根据本发明所述的电子器件是有机发光二极管(OLED)。
本发明的OLED的结构
本发明的有机发光二极管(OLED)由此通常具有下述结构：阳极(a)和阴极(i)、以及在阳极(a)和阴极(i)之间排布的光发射层(e)。
本发明的OLED可以例如在一个优选的实施方案中由下述层形成：
1.阳极(a)
2.空穴传输层(c)
3.光发射层(e)
4.空穴/激子阻挡层(f)
5.电子传输层(g)
6.阴极(i)。
不同于前述结构的层顺序也是可能的，并且是本领域技术人员已知的。例如，OLED可以不具有所提及的全部层；例如，在层(c)(空穴传输层)、(f)(空穴/激子阻挡层)和(g)(电子传输层)的功能由相邻层承担的情况下，具有层(a)(阳极)、(e)(光发射层)和(i)(阴极)的OLED也同样是适合的。具有层(a)、(c)、(e)和(i)、或者层(a)、(e)、(f)、(g)和(i)的OLED也同样是适合的。此外，OLED可以在空穴传输层(c)与光发射层(e)之间具有电子/激子阻挡层(d)。
还可以是多个前述功能(电子/激子阻挡剂、空穴/激子阻挡剂、空穴注入、空穴传导、电子注入、电子传导)被组合在一个层中，并且例如由存在于该层中的单一材料而承担。例如，在一个实施方案中，空穴传输层中使用的材料可以同时阻挡激子和/或电子。
进一步，上述说明的那些之中的OLED的单独层可以转而由两个或三个层形成。例如，空穴传输层可以由空穴从电极注入其中的层、和将空穴从空穴注入层传输至光发射层中的层形成。电子传输层可以同样地由多个层构成，例如其中通过电极注入电子的层、和从电子注入层接收电子并将其传输至光发射层的层。所提及的这些层各自根据例如能级、热阻率、和电荷载流子迁移率、还有有机层所指定的层或金属电极的能差的因素而选择。本领域技术人员能够选择OLED的结构，以使得其优化地与根据本发明使用的有机化合物匹配。
在一个优选的实施方案中，根据本发明所述的OLED按顺序包含：
(a) 阳极、
(b) 任选空穴注入层、
(c) 任选空穴传输层、
(d) 任选激子阻挡层、
(e) 发光层、
(f) 任选空穴/激子阻挡层、
(g) 任选电子传输层、
(h) 任选电子注入层、和
(i) 阴极。
在一个特别优选的实施方案中，根据本发明所述的OLED按顺序包含：
(a) 阳极、
(b) 任选空穴注入层、
(c) 空穴传输层、
(d) 激子阻挡层、
(e) 发光层、
(f) 空穴/激子阻挡层、
(g) 电子传输层、和
(h) 任选电子注入层、和
(i) 阴极。
这些多种层的特性和功能、以及实例材料是本领域已知的，并且基于优选的实施方案而在下文更详细地描述。
阳极(a)：
阳极是提供正电荷载流子的电极。其可以由例如包含金属、不同金属的混合物、金属合金、金属氧化物、或不同金属氧化物的混合物的材料组成。替代地，阳极可以是导电性聚合物。适合的金属包含元素周期表11、4、5和6族的金属、以及8至10族的过渡金属。要使阳极为透明时，通常使用元素周期表12、13和14族的混合金属氧化物，例如铟锡氧化物(ITO)。同样地，阳极(a)可以包含有机材料、例如聚苯胺，如记载于例如Nature，卷357，页477至479(1992年6月11日)。优选的阳极材料包括导电性金属氧化物、例如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AlZnO)、以及金属。阳极(和基材)可以对于生成底发射器件而言充分透明。优选的透明基材和阳极组合是商业可获得的沉积于玻璃或塑料(基材)上的ITO(阳极)。反射性阳极可以对于一些顶发射器件而言是优选的，从而增加来自器件顶部的发射光的量。至少阳极或阴极应当是至少部分透明的，从而使得能够发射所形成的光。可以使用另外的阳极材料和结构。
空穴注入层(b)：
通常，注入层包含可以改进电荷载流子从一个层、例如电极或电荷生成层注入至相邻有机层中的材料。注入层还可以发挥电荷传输功能。空穴注入层可以是改进空穴从阳极注入至相邻有机层中的任何层。空穴注入层可以包含溶液沉积材料、例如旋涂聚合物，或者其可以是气相沉积的小分子材料、例如CuPc或MTDATA。可以使用聚合物空穴注入材料、例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺；自掺杂聚合物、例如磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(Plexcore® OC Conducting Inks，商业可获得于Plextronics)；和共聚物、例如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、也称为PEDOT/PSS。
适合的空穴注入材料的一个实例是： (还参见空穴传输分子)。
空穴传输层(c)：
根据一个优选的实施方案，根据本发明所述的OLED包含至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物或它们的优选的实施方案作为电荷传输材料、优选作为空穴传输层。除了根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物之外、或不使用这些化合物，可以将空穴传输分子或聚合物用作空穴传输材料。适合于本发明的OLED的层(c)的空穴传输材料公开于例如Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第4版，卷18，页837至860，1996、US20070278938、US2008/0106190、US2011/0163302(三芳基胺与(二)苯并噻吩/(二)苯并呋喃；Nan-Xing Hu等人，Synth.Met.111(2000) 421(吲哚并咔唑类)、WO2010002850(取代的苯基胺化合物)和WO2012/16601(特别是在WO2012/16601的第16和17页上提及的空穴传输材料)中。可以使用不同空穴传输材料的组合。参照例如WO2013/022419，其中，(HTL1-1)和(HTL2-1)构成空穴传输层。
通常使用的空穴传输分子选自：、、(4-苯基-N-(4-苯基苯基)-N-[4-[4-(N-[4-(4-苯基苯基)苯基]苯胺代)苯基]苯基]苯胺)、(4-苯基-N-(4-苯基苯基)-N-[4-[4-(4-苯基-N-(4-苯基苯基)苯胺代)苯基]苯基]苯胺)、(4-苯基-N-[4-(9-苯基咔唑-3-基)苯基]-N-(4-苯基苯基)苯胺)、(1,1',3,3'-四苯基螺[1,3,2-苯并二氮杂硅杂环戊二烯-2,2'-3a,7a-二氢-1,3,2-苯并二氮杂硅杂环戊二烯])、(N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-八(对甲苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、1,1-双[(二(4-甲苯基)氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N'-双(4-甲基苯基)-N,N'-双(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)联苯]-4,4'-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对(二乙基氨基)苯乙烯基]5-[对(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑9-基)-环丁烷(DCZB)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(TTB)；芴化合物、例如2,2',7,7'-四(N,N-二-甲苯基)氨基9,9-螺二芴(spiro-TTB)、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)9,9-螺二芴(spiro-NPB)、和9,9-双(4-(N,N-双联苯-4-基-氨基)苯基-9H芴；联苯胺化合物、例如N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺；以及卟啉化合物、例如酞菁铜。此外，可以使用聚合物空穴注入材料，例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺；自掺杂聚合物、例如磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(Plexcore® OC Conducting Inks，商业可获得于Plextronics)；和共聚物、例如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、也称为PEDOT/PSS。优选的空穴注入层的材料的实例是卟啉化合物、芳族的叔胺化合物、或者苯乙烯基胺化合物。特别优选的实例包括芳族的叔胺化合物、例如六氰基六氮杂三亚苯(HAT)。
空穴传输层也可以被电子性掺杂，从而改进所使用的材料的传输特性，从而首先使得层厚度更充分(避免针孔/短路)，并且第二使得器件的操作电压最小化。电子性掺杂是本领域技术人员已知的，并且公开于例如W. Gao，A.Kahn、J.Appl.Phys.，卷94，2003，359(p型掺杂有机层)；A.G. Werner、F.Li、K.Harada、M.Pfeiffer、T.Fritz、K.Leo，Appl.Phys.Lett.，卷82，25号，2003，4495；和Pfeiffer等人，Organic Electronics 4495，4，89 - 103；和K. Walzer、B.Maennig、M.Pfeiffer、K.Leo，Chem.Soc.Rev. 2007，107，1233中。例如，能够在空穴传输层中使用混合物，特别是导致空穴传输层的电学p型掺杂的混合物。p型掺杂通过添加氧化材料而实现。这些混合物可以为例如下述混合物：上述空穴传输材料与至少一种金属氧化物、例如MoO2、MoO3、WOx、ReO3和/或V2O5、优选MoO3和/或ReO3、更优选MoO3的混合物；或者包含前述空穴传输材料、和选自7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-双(2-羟基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷、双(四正丁基铵)四氰基联苯酚醌二甲烷、2,5-二甲基-7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基苯醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基苯醌二甲烷、二氰基亚甲基-1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-叉基)丙二腈(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(来自Kahn等人，J.Am. Chem.Soc.2009，131(35)，12530-12531)、如记载于EP1988587、US2008265216、EP2180029、US20100102709、WO2010132236、EP2180029中的化合物、和如在EP2401254中提及的醌化合物中的一种或多种化合物的混合物。
激子阻挡层(d)：
阻挡层可以用于减少离开发光层的电荷载流子(电子或空穴)和/或激子的数量。电子/激子阻挡层(d)可以被布置于第一发光层(e)与空穴传输层(c)之间，从而在空穴传输层(c)的方向上阻挡来自发光层(e)的电子。阻挡层也可以用于阻挡激子扩散至发光层外。
适合用作电子/激子阻挡剂材料的金属络合物是例如如记载于WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727和PCT/EP2014/055520中的卡宾络合物。明确在此参照所引述的WO申请的公开内容，并且这些公开内容应当认为被并入本申请的内容中。
发光层(e)：
光发射层是具有光发射功能的有机层，并且由一个或多个层形成，其中，一个层包含主体材料(第一主体材料)、任选的第二主体材料、和如下所述的光发射材料。
光发射层由两个或更多个层组成时，采用掺杂体系时，光发射层或不同于上述的层含有主体材料和掺杂剂材料。主体材料的主要功能是促进电子和空穴的再结合，并且将激子约束在光发射层中。掺杂剂材料使得通过再结合生成的激子高效地发射光。
在磷光器件的情况中，主体材料的主要功能是将掺杂剂上生成的激子约束在光发射层中。
光发射层可以被制成双掺杂剂层，其中组合使用具有高量子收率的两种或更多种掺杂剂材料，并且各掺杂剂材料以其自己的颜色发射光。例如，为了获得黄色发光，使用通过共沉积主体、红色发光掺杂剂和绿色发光掺杂剂而形成的光发射层。
在两个或更多个光发射层的层压体中，电子和空穴在光发射层之间的界面处积累，并且因此，再结合区域被局限在光发射层之间的界面处，从而提高了量子效率。
光发射层可以在空穴注入能力和电子注入能力方面不同，并且还可以在各自通过迁移率表示的空穴传输能力和电子传输能力方面不同。
例如通过已知的方法、例如气相沉积法、旋涂法、和LB法来形成光发射层。替代地，光发射层可以通过将粘结剂、例如树脂、以及用于光发射层的材料在溶剂中的溶液通过例如旋涂的方法而制成薄膜，从而形成。
光发射层优选是分子沉积膜。分子沉积膜是通过沉积气化的材料而形成的薄膜、或者通过固化处于溶液或液体的状态下的材料而形成的膜。分子沉积膜可以通过组装体结构和高级有序结构中的不同、和由于结构不同导致的功能不同，从而与通过LB法(分子构建膜)形成的薄膜相区分。
光发射层(e)包含至少一种发光体材料。原则上，其可以为荧光或磷光发光体，适合的发光体材料是本领域技术人员已知的。所述至少一种发光体材料优选是磷光发光体。
光发射层中使用的磷光掺杂剂的发射波长没有特别限制。在一个优选的实施方案中，光发射层中使用的至少一种磷光掺杂剂具有通常430 nm或更长且780 nm或更短、优选490 nm或更长且700 nm或更短、并且更优选490 nm或更长且650 nm或更短的发射波长峰值。最优选的是绿色发光体材料(490至570 nm)。在另一个优选的实施方案中，优选为红色发光体材料(570至680 nm)。
磷光掺杂剂(磷光发光体材料)是通过释放激发的三重态的能量而发射光的化合物，并且优选为包含选自Ir、Pt、Pd、Os、Au、Cu、Re、Rh和Ru中的至少一种金属、以及配体的有机金属络合物，只要通过释放激发的三重态的能量而发射光，则对其没有特别限制。优选是具有邻位金属键(ortho metal bond)的配体。从获得高磷光量子收率和进一步提高电致发光器件的外量子效率的观点出发，优选为包含选自Ir、Os和Pt中的金属的金属络合物，更优选为铱络合物、锇络合物、和铂、特别是邻位金属化(ortho metallated)络合物，还更优选为铱络合物和铂络合物，并且特别优选为邻位金属化的铱络合物。
根据本发明，式(I)、(II)或(III)的化合物可以作为不含金属物种的掺杂剂而使用。根据本发明，词语“不含金属物种”是指根据式(I)、(II)或(III)所述的化合物中的金属的量低于可以用常规分析、例如ICP-MS(电感耦合等离子体质谱)和ICP-AES(电感耦合等离子体原子发射光谱)检测的限度。
如果式(I)、(II)或(III)的化合物作为不含金属物种的掺杂剂而使用，则其发射波长的峰值通常为420 nm或更长且780 nm或更短、优选440 nm或更长且550 nm或更短、并且更优选440 nm或更长且520 nm或更短。
根据本发明的一个优选的实施方案，式(I)、(II)或(III)的化合物可以作为光发射层中的基质(=主体材料)而使用。
式(I)、(II)或(III)的化合物可以优选地作为光发射层中的基质(=主体材料)而使用。
适合在本发明的OLED中优选作为发光体材料的金属络合物被记载于例如文献WO02/60910A1、US2001/0015432A1、US2001/0019782A1、US2002/0055014A1、US2002/0024293A1、US2002/0048689A1、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453A1、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512A1、WO02/15645A1、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301A1、WO2006/067074A1、WO2006/056418、WO2006121811A1、WO2007095118A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2010129323、WO2010056669、WO10086089、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266和WO2012/172482中。
进一步适合的金属络合物是商业可获得的金属络合物三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶合-N,C2')铱(III)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2,2'-苯并噻吩基)吡啶合-N,C3')(乙酰丙酮合)铱(III)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶合-N,C2)吡啶甲酸铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(二-苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-甲基二-苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉合)铽(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉](乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯基苯并噻唑合)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-(9,9-二己基芴基)-1-吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)。
另外，下述商业可获得的材料是适合的：三(二苯甲酰基丙酮合)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)-单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、三(二2-萘甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二(联苯基)甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二苯基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二甲基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二甲基菲咯啉二磺酸)铕(III)二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(菲咯啉)铕(III)、和三[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二苯基甲基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑合)二甲基苯基膦锇(II)、三[4,4'-二叔丁基(2,2')-联吡啶]钌(III)、双(2-(9,9-二丁基芴基)-1-异喹啉(乙酰丙酮合)锇(II)。
特别适合的金属络合物被记载于US2014048784、US2012223295、US2014367667、US2013234119、US2014001446、US2014231794、US2014008633、WO2012108388和WO2012108389中。例示出US2013234119、第[0222]段中提及的发光体。US2013234119、第[0222]段中提及的所述发光体中所选择的发光体、特别是红色发光体是：
。
进一步适合的发光体被提及于：Mrs Bulletin，2007，32，694：
、。
进一步适合的发光体被提及于： WO2009100991：
。
进一步适合的发光体被提及于： WO2008101842：
。
进一步适合的发光体被提及于： US 20140048784，特别是第[0159]段：
。
进一步适合的红色发光体示于WO 200/109824。根据该文献所述的优选的红色发光体是下述化合物：
。
适合的磷光蓝色发光体被说明于下述公开中： WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404、US2011/057559 WO2011/073149、WO2012/121936A2、US2012/0305894A1、WO2012/170571、WO2012/170461、WO2012/170463、WO2006/121811、WO2007/095118、WO2008/156879、WO2008/156879、WO2010/068876、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266、WO2012/172482、PCT/EP2014/064054和PCT/EP2014/066272。
光发射层(e)包含例如至少一种卡宾络合物作为磷光发光体。适合的卡宾络合物是例如式(XIV)的化合物，其记载于WO2005/019373A2中，其中，符号具有下述含义：
M是选自Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag和Au中的金属原子，其呈对各金属原子而言可能的任意氧化态；
卡宾是可以为不带电荷或者单阴离子、且为单齿、双齿或三齿的卡宾配体，卡宾配体还能够为双卡宾或三卡宾配体；
L是单阴离子或二阴离子配体，其可以为单齿或双齿的；
K是不带电的单齿或双齿的配体，优选选自：膦类；膦酸根和其衍生物、砷酸根或其衍生物；亚磷酸根；CO；吡啶类；腈类、和与M1形成π络合物的共轭二烯；
n1是卡宾配体的数量，其中，n1是至少1，且当n1>1时，式I的络合物中的卡宾配体可以相同或者不同；
m1是配体L的数量，其中，m1可以是0或≥1，且当m1>1时，配体L可以相同或者不同；
o是配体K的数量，其中，o可以是0或≥1，且当o>1时，配体K可以相同或不同；
其中，n1 + m1 + o取决于金属原子的氧化态和配位数、以及配体卡宾、L和K的齿数、以及还有配体、卡宾和L上的电荷，前提是，n1是至少1。
更优选的是下述通式的金属-卡宾络合物：
(XIVa)，其被记载于WO2011/073149中，其中，M是Ir或Pt；
n1是选自1、2和3中的整数；
Y是NR51'、O、S或C(R25')2；
A2'、A3'、A4'和A5各自独立地是N或C，其中，2个A' = 氮原子，并且在环中的两个氮原子之间存在至少一个碳原子；
R51'是：任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有1至20个碳原子的直链或支链的烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有3至20个碳原子的环烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代的杂芳基原子团；
R52'、R53'、R54'和R55'在A2'、A3'、A4'和/或A5'是N的情况下各自为自由电子对，或者在A2'、A3'、A4'和/或A5'是C的情况下各自独立地是：氢；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有1至20个碳原子的直链或支链的烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有3至20个碳原子的环烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代的杂芳基原子团；具有供体或受体行为的基团；或者
R53'和R54'与A3'和A4'一起形成任选被至少一个另外的杂原子中断、且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的任选取代的不饱和环；
R56'、R57'、R58'和R59'各自独立地是：氢；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有1至20个碳原子的直链或支链的烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有3至20个碳原子的环烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有3至20个碳原子的取代或未取代的杂环烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代的杂芳基原子团；具有供体或受体行为的基团；或者
R56'和R57'、R57'和R58'、或R58'和R59'与其键合的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子中断、且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的饱和或不饱和或芳族的、任选取代的环；和/或
如果A5'是C，则R55'和R56'一起形成饱和或不饱和的、直链或支链的桥，其任选包含杂原子、芳族的单元、杂芳族的单元和/或官能团，并且具有总计1至30碳原子和/或杂原子，其上任选稠合有取代或未取代的、包含碳原子和/或杂原子的5至8元的环；
R25'独立地是：任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有1至20个碳原子的直链或支链的烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有3至20个碳原子的环烷基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有6至30个碳原子的取代或未取代的芳基原子团；任选被至少一个杂原子中断、任选载有至少一个官能团且具有总计5至18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代的杂芳基原子团；
K是不带电荷的单齿或双齿配体；
L是单阴离子或二阴离子配体、优选单阴离子配体，其可以是单齿或双齿的；
m1是0、1或2，其中，当m1为2时，K配体可以相同或不同；并且
o1是0、1或2，其中，当o1为2是，L配体可以相同或不同。
式XIV的化合物优选是下述式的化合物：
。
进一步适合的非卡宾发光体材料提及如下：
。
式XIV的化合物更优选是化合物(BE-1)、(BE-2)、(BE-7)、(BE-12)、(BE-16)、(BE-64)、或者(BE-70)。最优选的磷光蓝色发光体是化合物(BE-1)和(BE-12)。
均配(homoleptic)金属-卡宾络合物可以以面式(facial)或经式(meridional)异构体、或它们的混合物的形式存在，优选为面式异构体。
适合的式(XIV)的卡宾络合物和它们的制备方法被记载于例如WO2011/073149中。
本发明的式(I)、(II)或(III)的化合物还可以作为对于磷光绿色发光体的主体而使用。适合的磷光绿色发光体被说明于例如下述公开中： WO2006014599、WO20080220265、WO2009073245、WO2010027583、WO2010028151、US20110227049、WO2011090535、WO2012/08881、WO20100056669、WO20100118029、WO20100244004、WO2011109042、WO2012166608、US20120292600、EP2551933A1；US6687266、US20070190359、US20070190359、US20060008670；WO2006098460、US20110210316、WO2012053627；US6921915、US20090039776；JP2007123392、和欧洲专利申请第14180422.9号。
适合的磷光绿色发光体的实例示于如下：
或。
发光体材料(掺杂剂)、优选磷光发光体材料可以单独使用，或者组合使用两种或更多种。
可以存在于根据本发明所述的OLED的光发射层中的进一步优选的蓝色掺杂剂是如在EP 2924029中提及的多环胺衍生物。特别优选的芳族的胺衍生物选自根据下述式(20)所述的化合物：
式(20)中，Y是取代或未取代的稠合芳族的烃基，其包括10至50个环碳原子。
Ar101和Ar102独立地是取代或未取代的包括6至50个环碳原子的芳基、或取代或未取代的包括5至50个环原子的杂环基。
Y的具体的实例包括上述稠合芳基。Y优选是取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基或取代或未取代的䓛基。
n是1至4的整数。优选的是，n是1至2的整数。
上述式(20)优选是下述式(21)至(24)所示的一种：
。
式(21)至(24)中，Re、Rf和Rg独立地是取代或未取代的包括1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的包括2至50个碳原子的烯基、取代或未取代的包括2至50个碳原子的炔基、取代或未取代的包括1至20个碳原子的芳烷基、取代或未取代的包括3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的包括1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的包括6至20个环碳原子的芳氧基、取代或未取代的包括6至50个环碳原子的芳基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的包括1至50个碳原子的烷基锗基团、或取代或未取代的包括6至50个环碳原子的芳基锗基团。Re、Rf和Rg可以独立地键合于构成稠合多环骨架的苯环的任意键合位置。
作为优选的Re、Rf和Rg的实例，可以给出取代或未取代的包括6至50个环碳原子的芳基。更优选地，Re、Rf和Rg是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基等。
t是0至10的整数。u是0至8的整数。m是0至10的整数。Ar201至Ar218独立地是包括6至50个环碳原子的芳基、或取代或未取代的包括5至50个环原子的杂环基。
优选的Ar201至Ar218的实例包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基等。作为优选的Ar201至Ar218的取代基的实例，可以给出烷基、氰基、和取代或未取代的甲硅烷基。
式(21)至(24)中，作为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和杂环基的实例，可以给出上述例示的那些。
作为包括2至50、优选2至30、更优选2至20、且特别优选2至10个碳原子的烯基，可以给出乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3,3-二苯基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3-苯基-1-丁烯基等。优选的是苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基等。
作为包括2至50(优选2至30、更优选2至20、特别优选2至10)个碳原子的炔基，可以给出炔丙基、3-戊炔基等。
作为烷基锗基团，可以给出甲基氢甲锗烷基、三甲基甲锗烷基、三乙基甲锗烷基、三丙基甲锗烷基、二甲基-叔丁基甲锗烷基等。
作为芳基锗基团，可以给出苯基二氢甲锗烷基、二苯基氢甲锗烷基、三苯基甲锗烷基、三甲苯基甲锗烷基、三萘基甲锗烷基等。
作为苯乙烯基胺化合物和苯乙烯基二胺化合物，下述式(17)和(18)所示的那些是优选的：
。
式(17)中，Ar301是k价基团；k价基团对应于苯基、萘基、联苯基、三联苯基、芪基、苯乙烯基芳基、和二苯乙烯基芳基。Ar302和Ar303独立地是包括6至20个环碳原子的芳基，并且Ar301、Ar302和Ar303可以被取代。
k是1至4的整数，优选为1和2的整数。Ar301至Ar303中的任一者是包括苯乙烯基的基团。进一步优选的是，Ar302和Ar303中的至少一者被苯乙烯基取代。
对于包括6至20个环碳原子的芳基，可以具体给出上述芳基。优选的实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、三联苯基等。
式(18)中，Ar304至Ar306是v价的取代或未取代的包括6至40个环碳原子的芳基。v是1至4的整数，优选为1和2的整数。
在此，作为式(18)中的包括6至40个环碳原子的芳基，可以具体给出上述芳基。萘基、蒽基、䓛基、芘基、或式(20)所示的芳基是优选的。
作为在芳基上取代的优选的取代基，可以给出包括1至6个碳原子的烷基、包括1至6个碳原子烷氧基、包括6至40个环碳原子的芳基、被包括6至40个环碳原子的芳基取代的氨基、包含包括5至40个环碳原子的芳基的酯基、包含包括1至6个碳原子的烷基的酯基、氰基、硝基、卤素原子等。
发光体材料(掺杂剂)、优选磷光发光体材料在光发射层中的含量没有特别限制，并且根据器件的用途而选择，并且优选为0.1至70质量%、且更优选为1至30质量%。如果为0.1质量%或更多，则光发射量是充分的。如果为70质量%或更少，则能够避免浓度淬灭。发光层中的另外的组分通常是一种或多种主体材料，其优选以30至99.9 质量%、更优选70至99质量%的量存在，其中，一种或多种发光体材料与一种或多种主体材料的总和为100质量%。
主体(基质)材料
光发射层除了包含发光体材料之外，还可以包含另外的组分。例如，可以在光发射层中存在荧光染料，从而改变发光体材料的发射颜色。此外，在一个优选的实施方案中，可以使用基质材料。该基质材料可以为聚合物、例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。但是，基质材料可以为小分子、例如4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CDP=CBP)、或者叔芳族胺类、例如TCTA。
在光发射层中使用一种或多种磷光发光体材料的情况中，采用一种或多种磷光主体作为主体材料。磷光主体是将磷光掺杂剂的三重态能量高效地约束在光发射层中、从而引起磷光掺杂剂高效地发射光的化合物。
在一个优选的实施方案中，光发射层由至少一种发光体材料和至少一种本申请中提及的基质材料形成。根据一个优选的实施方案，根据本发明所述的电子器件、优选根据本发明所述的OLED包含至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物作为基质(主体)材料。
根据一个实施方案，光发射层包含至少一种发光体材料和至少两种基质材料，其中，一种基质材料是式(I)、(II)或(III)的化合物，并且另外的一种或多种基质材料被用作一种或多种共主体。适合的不同于式(I)、(II)或(III)的化合物的主体材料(共主体)提及如下。该实施方案优选以发射绿色光的发光体材料而实现。
根据另一个实施方案，光发射层包含至少一种发光体材料和作为单一基质材料的式(I)、(II)或(III)的化合物。作为单一主体材料而有用的优选的式(I)、(II)或(III)化合物的实例示于如上。该实施方案优选以发射红色光的发光体材料而实现。
式(I)、(II)或(III)的化合物适合作为单一主体材料、以及与一种或多种另外的主体材料(共主体)一起的主体材料。适合的另外的主体材料提及如下。“另外的主体材料”在本申请的情况中是指不同于式(I)、(II)或(III)的化合物的主体材料。但是，在本申请的OLED的光发射层中，也可以使用两种或多种不同的式(I)、(II)或(III)的化合物作为主体材料。
在一个更优选的实施方案中，光发射层由0.1至70重量%、优选1至30重量%的至少一种前述发光体材料、和30至99.9重量%、优选70至99重量%的至少一种在说明书中提及的基质材料、在一个实施方案中为至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物形成，其中，发光体材料和基质材料的总和相加为100重量%。
在一个进一步更优选的实施方案中，光发射层包含作为基质材料的式(I)、(II)或(III)的化合物、至少一种另外的基质材料(共主体)、和至少一种发光体材料。在所述实施方案中，光发射层由0.1至70重量%、优选1至30重量%的至少一种发光体材料、和30至99.9重量%、优选70至99重量%的式(I)、(II)或(III)的化合物、以及另外的基质材料形成，其中，至少一种发光体材料、另外的基质材料、和式(I)、(II)或(III)的化合物的总和相加为100重量%。
光发射层中的作为第一主体材料的式(I)、(II)或(III)的化合物与作为共主体的第二基质材料的含量比没有特别限制，并且可以相应地选择，并且第一主体材料:第二主体材料优选是1:99至99:1、更优选10:90至90:10，其各自基于质量。
如果将根据本发明所述的化合物作为电荷传输材料、即作为电子传输材料或空穴传输材料、和/或作为不含金属物种的掺杂剂而使用，则提及可以在根据本发明所述的电子器件中用作单一主体材料的下述主体材料。如果将根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物作为第一主体材料而使用，则下述提及的主体材料还可以作为第二主体材料而使用，反之亦可。
可以是所提及的小分子或小分子的(共聚)聚合物的进一步适合的主体材料被说明于下述公开中：WO2007108459(H-1至H-37)、优选H-20至H-22和H-32至H-37、最优选H-20、H-32、H-36、H-37；WO2008035571 A1(主体 1至主体 6)；JP2010135467(化合物1至46和主体-1至主体-39、和主体-43)；WO2009008100 化合物1号至67号、优选3号、4号、7号至 12号、55号、59号、63号至67号、更优选4号、8号至12号、55号、59号、64号、65号、和 67号；WO2009008099 化合物1号至110号；WO2008140114 化合物1-1至1-50；WO2008090912 化合物OC-7至OC-36、以及Mo-42至Mo-51的聚合物；JP2008084913 H-1至H-70；WO2007077810 化合物1至44、优选1、2、4-6、8、19-22、26、28-30、32、36、39-44；WO201001830 单体1-1至1-9的聚合物、1-3、1-7、和 1-9的聚合物；WO2008029729 化合物1-1至1-36(的聚合物)；WO20100443342 HS-1至HS-101、和BH-1至BH-17、优选BH-1至BH-17；JP2009182298 基于单体1至75的(共聚)聚合物；JP2009170764；JP2009135183 基于单体 1-14的(共聚)聚合物；WO2009063757 优选基于单体 1-1至1-26的(共聚)聚合物；WO2008146838 化合物a-1至a-43、和1-1至1-46；JP2008207520 基于单体1-1至1-26的(共聚)聚合物；JP2008066569 基于单体1-1至1-16的(共聚)聚合物；WO2008029652 基于单体1-1至1-52的(共聚)聚合物；WO2007114244 基于单体1-1至1-18的(共聚)聚合物；JP2010040830 化合物HA-1至HA-20、HB-1至HB-16、HC-1至HC-23、和基于单体HD-1至HD-12的(共聚)聚合物；JP2009021336；WO2010090077 化合物1至55；WO2010079678 化合物H1至H42；WO2010067746；WO2010044342化合物HS-1至HS-101、和Poly-1至Poly-4；JP2010114180 化合物PH-1至PH-36；US2009284138 化合物1至111、和H1至H71；WO2008072596 化合物1至45；JP2010021336 化合物H-1至H-38、优选H-1；WO2010004877 化合物H-1至H-60；JP2009267255 化合物1-1至1-105；WO2009104488 化合物1-1至1-38；WO2009086028；US2009153034；US2009134784；WO2009084413 化合物21至2-56；JP2009114369 化合物2-1至2-40；JP2009114370 化合物1至67；WO2009060742 化合物2-1至2-56；WO2009060757 化合物1-1至1-76；WO2009060780化合物1-1至1-70；WO2009060779 化合物1-1至1-42；WO2008156105 化合物1至54；JP2009059767 化合物1至20、JP2008074939 化合物1至256；JP2008021687 化合物1至50；WO2007119816 化合物1至37；WO2010087222 化合物H-1至H-31；WO2010095564 化合物主体-1至主体-61；WO2007108362；WO2009003898；WO2009003919；WO2010040777；US2007224446、WO06128800；WO2012014621；WO2012105310；WO2012/130709；和欧洲专利申请 EP12175635.7、EP12185230.5、和EP12191408.9(特别是EP12191408.9的第25至29页)。
上述小分子比上述小分子的(共聚)聚合物更优选。
进一步适合的主体材料被记载于WO2011137072(例如和；如果将所述化合物与组合，则实现最佳结果)；WO2012048266(例如和)中。
上述主体材料可以单独用于本发明的OLED中，或者可以与作为主体材料的式(I)、(II)或(III)的化合物组合使用。在该情况中，式(I)、(II)或(III)的化合物是主体，且上述主体材料是共主体。
单独或与作为主体材料的式(I)、(II)或(III)的化合物组合而适合作为磷光主体的化合物的另外的实例包括咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代的查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族甲叉基化合物、卟啉化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃(thiopynan)二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、芴叉基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物；稠环、例如萘和苝的四羧酸酐；酞菁衍生物、8-喹啉醇衍生物的金属络合物、金属酞菁、具有例如苯并噁唑和苯并噻唑的配体的金属络合物；导电性低聚物、例如聚硅烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺共聚物、噻吩低聚物、和聚噻吩；以及聚合物例如聚噻吩衍生物、聚亚苯基衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、以及聚芴衍生物。这些磷光主体可以单独使用，或者组合使用两种或更多种。其具体的实例示于如下：
。
作为与至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物一起的共主体而特别有用的进一步适合的主体是记载于US2014048784、US2012223295、US2014367667、US2013234119、US2014001446、US2014231794、US2014008633、WO2012108388、WO2014009317和WO2012108389中的主体、以及记载于2015年10月1日提交的EP申请EP 15187954中的式(1)的化合物。
特别优选的是在US2013234119中提及的第一和第二主体材料、US2014048784中提及的主体材料、以及记载于2015年10月1日提交的EP申请EP 15187954中的式(1)的化合物。
在根据本发明所述的OLED的光发射层中与至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物一起而作为共主体优选使用的US2013234119中提及的第一主体材料为式(A)所示。通过在光发射层中组合地使用作为第一主体材料的至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物、和作为共主体的式(A)所示的主体材料，从而提高了OLED的寿命：
(A)，
其中，
A1A和A2A各自独立地表示可以是未取代或取代的具有6至30个环碳原子的芳基；或者可以是未取代或取代的具有5至30个环原子的杂环基；
A3A表示可以是未取代或取代的具有6至30个环碳原子的二价芳基；或者可以是未取代或取代的具有5至30个环原子的二价杂环基；
mA表示0至3的整数；
X1A至X8A和Y1A至Y8A各自独立地表示N或CRa；
Ra各自独立的表示：氢原子；可以是未取代或取代的具有6至30个环碳原子的芳基；或者可以是未取代或取代的具有5至30个环原子的杂环基；可以是未取代或被例如E取代的具有1至30个碳原子的烷基；可以是未取代或取代的甲硅烷基；卤素原子；或者氰基，前提是，当存在两个或更多个Ra基团时，Ra基团可以相同或不同，并且X5A至X8A中的一者与Y1A至Y4A中的一者通过A3A彼此键合；并且
式(A)满足下述要求(i)至(v)中的至少一者；
(i)A1A和A2A中的至少一者表示氰基取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基；
(ii)X1A至X4A和Y5A至Y8A中的至少一者表示CRa，并且X1A至X4A和Y5A至Y8A中的至少一个Ra表示氰基取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基；
(iii)mA表示1至3的整数，并且至少一个A3表示氰基取代的具有6至30个环碳原子二价芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的二价杂环基；
(iv)X5A至X8A和Y1A至Y4A中的至少一者表示CRa，并且X5A至X8A和Y1A至Y4A中的至少一个Ra表示氰基取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基；和
(v)X1A至X8A和Y1A至Y8A中的至少一者表示C-CN。
氰基-取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、和氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基可以进一步被不同于氰基的基团取代。
下标mA优选是0至2，并且更优选是0或1。mA是0时，X5A至X8A中的一者与Y1A至Y4A中的一者通过单键而彼此键合。
式(A)中，上述基团具有下述含义：
A1A、A2A和Ra所示的具有6至30个环碳原子的芳族烃基可以为非稠合的芳族烃基、或稠合的芳族烃基。其具体实例包括：苯基、萘基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、荧蒽基、三亚苯基、菲基、芴基、螺芴基、9,9-二苯基芴基、9,9'-螺二[9H-芴]-2-基、9,9-二甲基芴基、苯并[c]菲基、苯并[a]三亚苯基、萘并[1,2-c]菲基、萘并[1,2-a]三亚苯基、二苯并[a,c]三亚苯基、和苯并[b]荧蒽基，优选为苯基、萘基、联苯基、三联苯基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、和荧蒽基，并且更优选为苯基、1-萘基、2-萘基、联苯-2-基、联苯-3-基、联苯-4-基、菲-9-基、菲-3-基、菲-2-基、三亚苯-2-基、9,9-二甲基芴-2-基、荧蒽-3-基。
A3A所示的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基的实例包括上述具有6至30个环碳原子的芳族烃基的二价残基。
A1A、A2A和Ra所示的具有5至30个环原子的杂环基可以为非稠合的杂环基、或稠合的杂环基。其具体实例包括吡咯环、异吲哚环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并噻吩环、异喹啉环、喹喔啉环、菲啶环、菲咯啉环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二噁烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、噁唑环、噁二唑环、苯并噁唑环、噻唑环、噻二唑环、苯并噻唑环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环、和苯并[c]二苯并呋喃环的残基、和这些环的衍生物的残基，优选为二苯并呋喃环、咔唑环、二苯并噻吩环、和这些环的衍生物的残基，并且更优选为二苯并呋喃-2-基、二苯并呋喃-4-基、9-苯基咔唑-3-基、9-苯基咔唑-2-基、二苯并噻吩-2-基、和二苯并噻吩-4-基的残基。
A3A所示的具有5至30个环原子的二价杂环基的实例包括上述具有5至30个环原子的杂环基的二价残基。
Ra所示的具有1至30个碳原子的烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环辛基、和金刚烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、环戊基、和环己基。
Ra所示的可以是未取代或取代的甲硅烷基的实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、苯基二甲基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅烷基、和三苯基甲硅烷基，优选为三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、和丙基二甲基甲硅烷基。
Ra所示的卤素原子的实例包括氟、氯、溴和碘，优选为氟。
作为Ra还优选的是氢原子、或可以是未取代或取代的具有6至30个环碳原子的芳基。
“取代或未取代的”和“可以被取代”所指的任选的取代基的实例在上文和下文是指包括卤素原子(氟、氯、溴、碘)；氰基；具有1至20、优选1至6个碳原子的烷基；具有3至20、优选5至12个碳原子的环烷基；具有1至20、优选1至5个碳原子的烷氧基；具有1至20、优选1至5个碳原子的卤代烷基；具有1至20、优选1至5个碳原子的卤代烷氧基；具有1至10、优选1至5个碳原子的烷基甲硅烷基；具有6至30、优选6至18个环碳原子的芳族烃基；具有6至30、优选6至18个环碳原子的芳氧基；具有6至30、优选6至18个碳原子的芳基甲硅烷基；具有7至30、优选7至20个碳原子的芳烷基；和具有5至30、优选5至18个环原子的杂芳基。
上述任选的取代基可以进一步被上述任选的基团取代。
任选的具有1至20个碳原子的烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、和1-甲基戊基。
任选的具有3至20个碳原子环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环辛基、和金刚烷基。
任选的具有1至20个碳原子的烷氧基的实例包括具有选自上述烷基中的烷基部分的那些。
任选的具有1至20个碳原子的卤代烷基的实例包括上述烷基，其中，其氢原子部分或完全地被卤素原子替代。
任选的具有1至20个碳原子的卤代烷氧基的实例包括上述烷氧基，其中，其氢原子部分或完全地被卤素原子替代。
任选的具有1至10个碳原子的烷基甲硅烷基的实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、和二乙基异丙基甲硅烷基。
任选的具有6至30个环碳原子芳基的实例包括选自针对A1A、A2A和Ra而如上所述的芳基中的那些。
任选的具有6至30个环碳原子的芳氧基的实例包括具有选自上述芳族烃基中的芳基部分的那些。
任选的具有6至30个碳原子的芳基甲硅烷基的实例包括苯基二甲基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅烷基、和三苯基甲硅烷基。
任选的具有7至30个碳原子的芳烷基的实例包括苄基、2-苯基丙-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基异丙基、2-苯基异丙基、苯基-叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基异丙基、2-α-萘基异丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基异丙基、2-β-萘基异丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、对甲基苄基、间甲基苄基、邻甲基苄基、对氯苄基、间氯苄基、邻氯苄基、对溴苄基、间溴苄基、邻溴苄基、对碘苄基、间碘苄基、邻碘苄基、对羟基苄基、间羟基苄基、邻羟基苄基、对氨基苄基、间氨基苄基、邻氨基苄基、对硝基苄基、间硝基苄基、邻硝基苄基、对氰基苄基、间氰基苄基、邻氰基苄基、1-羟基-2-苯基异丙基、和1-氯-2-苯基异丙基。
任选的具有5至30个环原子的杂芳基的实例包括选自针对A1A、A2A和Ra而如上所述的杂环基中的那些。
“取代或未取代的具有a至b的碳数的X基团”的表达中的“a至b的碳数”是未取代的X基团的碳数，并且不包括任选的取代基的碳原子。
氢原子在本文中是指包括中子数不同的同位素，即轻氢(氕)、重氢(氘)和氚。
式(A)所示的主体材料中，式(a)和(b)所示的基团通过-(A3)mA-而在X5A至X8A中的一者与Y1A至Y4A中的一者处彼此键合。式(a)和(b)之间的键合方式的具体实例是X6A-(A3A)mA-Y3A、X6A-(A3A)mA-Y2A、X6A-(A3A)mA-Y4A、X6A-(A3A)mA-Y1A、X7A-(A3A)mA-Y3A、X5A-(A3A)mA-Y3A、X8A-(A3A)mA-Y3A、X7A-(A3A)mA-Y2A、X7A-(A3A)mA-Y4A、X7A-(A3A)mA-Y1A、X5A-(A3A)mA-Y2A、X8A-(A3A)mA-Y2A、X8A-(A3A)mA-Y4A、X8A-(A3A)mA-Y1A、X5A-(A3A)mA-Y1A、和X5A-(A3A)mA-Y4A所示。
。
在式(A)所示的主体材料的优选的实施方案中，式(a)和(b)之间的键合方式是X6A-(A3A)mA-Y3A、X6A-(A3A)mA-Y2A、或者X7A-(A3A)mA-Y3A所示，即用于有机电致发光器件的材料优选是式(XXII)、(XXIII)、或者(XXIV)所示：
。
其中，X1A至X8A、Y1A至Y8A、A1A至A3A、和mA与式(A)中的X1A至X8A、Y1A至Y8A、A1A至A3A、mA相同，并且式(XXII)、(XXIII)、和(XXIV)各自满足在式(A)的定义中说明的要求(i)至(v)中的至少一者。
式(A)所示的主体材料满足要求(i)至(v)中的至少一者，即主体材料是引入了氰基的具有彼此连接的式(a)所示的基团和式(b)所示的基团的双咔唑衍生物。
式(A)的A3A优选表示单键、取代或未取代的具有6个或更少的环碳原子的二价单环烃基、或者取代或未取代的具有6个或更少的环原子的二价单环杂环基。
A3A所示的具有6个或更少的环碳原子的单环烃基的实例包括亚苯基、亚环戊烯基、亚环戊二烯基、亚环己基、和亚环戊基，优选为亚苯基。
A3A所示的具有6个或更少的环原子的单环杂环基的实例包括亚吡咯基、亚吡嗪基、亚吡啶基、亚呋喃基、和亚噻吩基。
在式(A)、(XXII)、(XXIII)、和(XXIV)的优选的实施方案中，mA是0，且X5A至X8A中的一者与Y1A至Y4A中的一者通过单键而彼此键合；或者，A3A表示取代或未取代的具有6个或更少的环碳原子的单环烃基、或取代或未取代的具有6个或更少的环原子的单环杂环基。
在更优选的实施方案中，mA是0，且X5A至X8A中的一者与Y1A至Y4A中的一者通过单键而彼此键合；或者，A3A表示取代或未取代的亚苯基。
式(A)的主体材料优选满足条件(i)和(ii)中的至少一者：
(i)A1A和A2A中的至少一者表示氰基取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基；和
(ii)X1A至X4A和Y5A至Y8A中的至少一者表示CRa，并且X1A至X4A和Y5A至Y8A中的至少一个Ra表示氰基取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或氰基取代的具有5至30个环原子的杂环基。
即，式(A)的主体材料优选是下述化合物中的任一者：
(1)满足要求(i)但不满足要求(ii)至(v)；
(2)满足要求(ii)但不满足(i)和(iii)至(v)；以及
(3)满足要求(i)和(ii)两者但不满足(iii)至(v)。
满足要求(i)和/或(ii)的式(A)的主体材料具有下述结构，其中，含氰基的芳族烃基或含氰基的杂环基被引入至包含式(a)和(b)所示的中心骨架的末端。
式(A)的主体材料满足要求(i)时，A1A和A2A中的至少一者优选是氰基取代的苯基、氰基取代的萘基、氰基取代的菲基、氰基取代的二苯并呋喃基、氰基取代的二苯并噻吩基、氰基取代的联苯基、氰基取代的三联苯基、氰基取代的9,9-二苯基芴基、氰基取代的9,9'-螺二[9H-芴]-2-基、氰基取代的9,9'-二甲基芴基、或者氰基取代的三亚苯基，并且更优选是3'-氰基联苯-2-基、3'-氰基联苯-3-基、3'-氰基联苯-4-基、4'-氰基联苯-3-基、4'-氰基联苯-4-基、4'-氰基联苯-2-基、6-氰基萘-2-基、4-氰基萘-1-基、7-氰基萘-2-基、8-氰基二苯并呋喃-2-基、6-氰基二苯并呋喃-4-基、8-氰基二苯并噻吩-2-基、6-氰基二苯并噻吩-4-基、7-氰基-9-苯基咔唑-2-基、6-氰基-9-苯基咔唑-3-基、7-氰基-9,9-二甲基芴-2-基、或者7-氰基三亚苯-2-基。
其中A1A被氰基取代且A2A未被氰基取代的式(A)的主体材料是优选的。在该情况中，更优选不满足要求(ii)的第一主体材料。
式(A)的主体材料满足要求(ii)时，X1A至X4A和Y5A至Y8A中的至少一者优选是CRa，并且X1A至X4A和Y5A至Y8A中的一个Ra优选是氰基取代的苯基、氰基取代的萘基、氰基取代的菲基、氰基取代的二苯并呋喃基、氰基取代的二苯并噻吩基、氰基取代的联苯基、氰基取代的三联苯基、氰基取代的9,9-二苯基芴基、氰基取代的9,9'-螺二[9H-芴]-2-基、氰基取代的9,9'-二甲基芴基、或者氰基取代的三亚苯基，并且更优选是3'-氰基联苯-2-基、3'-氰基联苯-3-基、3'-氰基联苯-4-基、4'-氰基联苯-3-基、4'-氰基联苯-4-基、4'-氰基联苯-2-基、6-氰基萘-2-基、4-氰基萘-1-基、7-氰基萘-2-基、8-氰基二苯并呋喃-2-基、6-氰基二苯并呋喃-4-基、8-氰基二苯并噻吩-2-基、6-氰基二苯并噻吩-4-基、7-氰基-9-苯基咔唑-2-基、6-氰基-9-苯基咔唑-3-基、7-氰基-9,9-二甲基芴-2-基、或者7-氰基三亚苯-2-基。
优选式(A)的主体材料满足要求(ii)、但不满足要求(i)。
式(A)和(XXII)至(XXIV)中，A1A和A2A优选彼此不同，并且更优选A1A被氰基取代、但A2A未被氰基取代。即，式(A)的主体材料优选是结构不对称的。
第一主体材料的制造方法没有特别限制，并且其根据已知的方法制造，例如通过咔唑衍生物与芳族的卤代化合物在Tetrahedron 40(1984) 1435至1456页中记载的铜催化剂、或Journal of American Chemical Society 123(2001) 7727至7729页中记载的钯催化剂的存在下的偶联反应而制造。
式(A)的主体材料的实例被提及于US2013234119中的[0145]中。
在根据本发明所述的电子器件中优选作为共主体而使用的优选的主体材料的实例被提及于US2013234119、WO2012108388和WO2014009317，其为：
。
根据本发明，根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物也可以与在US20130234119中、特别参见US20130234119的0146至0195段中被称为“第二主体材料”的主体材料组合使用。此外，根据US20130234119的0146至1095段所述的这些化合物也可以在根据本发明所述的电子器件中被用作例如对于红色发光体材料或绿色发光体材料、优选红色发光体材料而言的单一主体材料。优选的是，将根据本发明所述的根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物与根据US20130234119的0146至0195段所述的主体材料作为对于绿色光发射材料而言的主体材料而使用。
特别地，根据式(1a)所述的化合物可以在根据本发明所述的电子器件中作为主体材料而使用：
(1a)
其中，
Z1表示稠合于a侧的环结构、且为式(1-1)或(1-2)所示，并且Z2表示稠合于b侧的环结构、且为式(1-1)或(1-2)所示，前提是，Z1和Z2中的至少一者为式(1-1)所示；
M1表示取代或未取代的具有5至30个环原子的含氮芳族杂环；
L1表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的二价杂环基、具有5至30个环原子的亚环烷基、或者其中前述基团直接彼此连接的基团；并且
k表示1或2。
式(1-1)中，c侧稠合于式(1)的a或b侧。式(1-2)中，d、e和f侧中的任一者稠合于式(1)的a或b侧。式(1-1)和(1-2)中，X11表示硫原子、氧原子、N-R19、或者C(R20)(R21)；并且R11至R21各自独立地表示氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基，前提在于，R11至R21中的相邻基团可以彼此键合从而形成环。
式(1a)的M1所示的含氮芳族杂环包括吖嗪环。
含氮芳族杂环的实例包括吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、氮杂环丙烷、氮杂中氮茚、中氮茚、咪唑、吲哚、异吲哚、吲唑、嘌呤、蝶啶、β-咔啉、萘啶、喹喔啉、三联吡啶、联吡啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、和咪唑并吡啶，特别优选是吡啶、嘧啶、和三嗪。式(1a)优选是式(2)所示：
，
Z1表示稠合于a侧的环结构、且为式(1-1)或(1-2)所示，并且Z2表示稠合于b侧的环结构、且为式(1-1)或(1-2)所示，前提在于，Z1和Z2中的至少一者为式(1-1)所示；
L1如式(1a)中定义；
X12至X14各自独立地表示键合于R31或L1的氮原子、CH、或者碳原子，前提是，X12至X14中的至少一者表示氮原子；
Y11至Y13各自独立地表示键合于R31或L1的CH或碳原子；
R31各自独立地表示卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基；
存在两个或更多个R31基团时，R31基团可以相同或不同，并且相邻的R31基团可以彼此键合从而形成环；
k表示1或2，且n表示0至4的整数；
式(1-1)的c侧稠合于式(2)的a或b侧；并且式(1-2)的d、e和f侧中的任一者稠合于式(2)的a或b侧。
其中式(1-1)或(1-2)所示的环稠合于式(2)的a或b侧的化合物的实例示于如下：
。
式(1)或(2)所示的化合物更优选为式(3)所示，并且特别优选为式(4)所示。
式(3)中，L1如式(1)中定义；
X12至X14各自独立地表示键合于R31或L1的氮原子、CH、或者碳原子，前提是，X12至X14中的至少一者表示氮原子；
Y11至Y13各自独立地表示键合于R31或L1的CH或碳原子；
R31各自独立地表示卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基；
存在两个或更多个R31基团时，R31基团可以相同或不同，并且相邻的R31基团可以彼此键合从而形成环；
n表示0至4的整数；
R41至R48各自独立地表示氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基；并且
R41至R48中的相邻基团可以彼此键合从而形成环。
；
式(4)中，L1如式(1)中定义；
X12至X14各自独立地表示键合于R31或L1的氮原子、CH、或者碳原子，前提是，X12至X14中的至少一者表示氮原子；
Y11至Y13各自独立地表示键合于R31或L1的CH或碳原子；
R31各自独立地表示卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基；
相邻的R31可以彼此键合从而形成环；
n表示0至4的整数；
L2和L3各自独立地表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的二价杂环基、具有5至30个环原子的亚环烷基、或者其中前述基团直接彼此连接的基团；
R51至R54各自独立地表示卤素原子、氰基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至30个碳原子的炔基、取代或未取代的具有3至30个碳原子的烷基甲硅烷基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳基甲硅烷基、取代或未取代的具有1至30个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳烷基、或者取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳氧基；
存在两个或更多个R51基团时，R51基团可以相同或不同，并且相邻的R51基团可以彼此键合从而形成环；
存在两个或更多个R52基团时，R52基团可以相同或不同，并且相邻的R52基团可以彼此键合从而形成环；
存在两个或更多个R53基团时，R53基团可以相同或不同，并且相邻的R53基团可以彼此键合从而形成环；
存在两个或更多个R54基团时，R54基团可以相同或不同，并且相邻的R54基团可以彼此键合从而形成环；
M2表示取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或者取代或未取代的具有5至30个环原子的杂环基；并且
p和s各自独立地表示0至4的整数，并且q和r各自独立的表示0至3的整数。
式(1)至(4)、(1-1)、和(1-2)中，R11至R21、R31、R41至R48和R51至R54所示的基团如针对式(A)而上述定义。
式(1)至(4)的L1至L3所示的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基和具有5至30个环原子的二价杂环基的实例包括针对式(A)而在上文描述的对应基团的二价残基。
根据本发明的一个进一步优选的实施方案，特别是在使用红色光发射材料的情况下，根据US20140048784所述、特别是根据0098至0154段所述的主体材料可以被用于根据本发明所述的电子器件。根据US20140048784所述的主体材料能够可优选地被用作单一主体材料，或者可以与根据本发明所述的化合物(I)、(II)或(III)组合作为主体材料和共主体而使用。
根据US20140048784所述的主体材料是在其分子中具有两个咔唑结构的双咔唑衍生物。
双咔唑衍生物在特定的位置具有取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的二苯并三亚苯基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的苯并䓛基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的联萘基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基、取代或未取代的苯并萘并噻吩基、取代或未取代的二苯并菲基、取代或未取代的萘并三亚苯基、取代或未取代的苯并荧蒽基、取代或未取代的苯并芴基、或者取代或未取代的苯基。其实例包括式(1)至(4)、(1')、(1a)、和(10)中的任一者所示的化合物。
其中，
A1和A2各自独立地表示取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基；
Y1至Y16各自独立地表示C(R)或氮原子，并且R基团各自独立地表示氢原子、取代基、或者键合于咔唑骨架的化学价；并且
L1和L2各自独立地表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、或者取代或未取代的具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基，前提在于：
A1、A2和R中的至少一者表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的二苯并三亚苯基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的苯并䓛基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的联萘基、取代或未取代的二苯并菲基、取代或未取代的萘并三亚苯基、取代或未取代的苯并芴基、或者萘基；
Y1至Y16全部表示C(R)，其中，R是氢原子，Y6和Y11彼此通过单键键合，L1和L2各自表示单键，且A1表示菲基时，A2表示苯基、联苯基、或者萘基；并且
Y1至Y16全部表示C(R)，其中，R是氢原子，Y6和Y11彼此通过单键键合，L1和L2各自表示单键，且A1表示萘基时，A1和A2彼此不同。
式(1)和(1')中，Y1至Y4中的至少一者表示C(R)，Y5至Y8中的至少一者表示C(R)，Y9至Y12中的至少一者表示C(R)，并且Y13至Y16中的至少一者表示C(R)。
此外，Y5至Y8中的至少一者表示C(R)，且Y9至Y12中的至少一者表示C(R)，其中，两个R基团表示彼此键合的化学价。
式(1)和(1')中的R基团可以相同或不同。
式(1a)中，Y1a至Y4a中的至少一者表示C(R)，Y5a至Y8a中的至少一者表示C(R)，Y9a至Y12a中的至少一者表示C(R)，并且Y13a至Y16a中的至少一者表示C(R)。
此外，Y5a至Y8a中的至少一者表示C(R)，且Y9a至Y12a中的至少一者表示C(R)，其中，两个R基团表示彼此键合的化学价。
式(1a)中的R基团可以相同或不同。
式(10)中，Y1'至Y4'中的至少一者表示C(R')，Y5'至Y8'中的至少一者表示C(R')，Y9'至Y12'中的至少一者表示C(R')，并且Y13'至Y16'中的至少一者表示C(R')。
此外，Y5'至Y8'中的至少一者表示C(R')，且Y9'至Y12'中的至少一者表示C(R')，其中，两个R'基团表示彼此键合的化学价。
式(10)中的R'基团可以相同或不同。
其中，式(2)至(4)中的各个A1、A2、Y1至Y16、L1和L2如式(1)中定义。
其中，
A1和A2各自独立地表示取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基、或取代或未取代的具有2至30个环碳原子的芳族杂环基；
Y1至Y16各自独立地表示C(R)或氮原子，并且R基团各自独立地表示氢原子、取代基、或者键合于咔唑骨架的化学价；并且
L1和L2各自独立地表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、或者取代或未取代的具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基，前提在于：
A1、A2和R中的至少一者表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的二苯并三亚苯基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的苯并䓛基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的联萘基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基、取代或未取代的苯并萘并噻吩基、取代或未取代的二苯并菲基、取代或未取代的萘并三亚苯基、取代或未取代的苯并芴基、或者取代或未取代的苯基；
Y1至Y16全部表示C(R)，其中，R是氢原子，Y6和Y11彼此通过单键键合，L1和L2各自表示单键，且A1表示菲基时，A2不表示菲基；
Y1至Y16全部表示C(R)，Y6和Y11彼此通过单键键合，且L1和L2各自表示单键时，各R基团不表示芴基；并且
A1表示芴基时，A2不表示苯基、萘基、或者芴基。
其中，
A1a和A2a中的一者表示式(a)所示的基团、且另一者表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的联萘基、取代或未取代的二苯并菲基、取代或未取代的萘并三亚苯基、或者取代或未取代的苯并芴基；
Y1a至Y16a各自独立地表示C(R)或氮原子，并且R基团各自独立地表示氢原子、取代基、或者键合于咔唑骨架的化学价；
L1a和L2a各自独立地表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、或者取代或未取代的具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基：
；
其中，Y21和Y25各自独立地表示C(Ra)或氮原子，并且Ra基团各自独立地表示氢原子或取代基。
式(1a)和(a)中的A1a、A2a、Y1a至Y16a、L1a、L2a和Ra的详情与式(1)中的A1、A2、Y1至Y16、L1、L2和R的那些相同。
A1a和A2a中的一者表示式(a)所示的基团、且另一者表示包括大分子量稠环的基团、例如三亚苯基和䓛基时，式(1a)所示的化合物具有过大的分子量、提高的气相沉积温度，并且因此倾向于增加热分解组分的量。因此，A1a和A2a中的一者表示式(a)所示的基团时，另一者优选表示取代或未取代的荧蒽基、或者取代或未取代的菲基。
，
其中，
A1'和A2'中的一者表示取代或未取代的萘基、或取代或未取代的芴基，且另一者表示取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基；
Y1'至Y16'各自独立地表示C(R')或氮原子，并且R'基团各自独立地表示氢原子、取代基、或者键合于咔唑骨架的化学价；并且
L1'和L2'各自独立地表示单键、取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、或者取代或未取代的具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基。
式(10)中的A1'、A2'、L1'、L2'、Y1'至Y16'和R'的详情与式(1)中的A1、A2、L1、L2、Y1至Y16和R的那些相同。
式(1)至(4)和(1')中，A1、A2和R中的至少一者优选表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的二苯并三亚苯基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的苯并䓛基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、或者取代或未取代的联萘基，其理由在于这些基团适度庞大。更优选地，A1和A2中的至少一者表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的二苯并三亚苯基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的苯并䓛基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的苯并[b]荧蒽基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、或者取代或未取代的联萘基。
还优选地，式(1)至(4)和(1')中的A1和A2各自独立地表示取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并三亚苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。
另外，式(1)至(4)和(1')中的-L1-A1和-L2-A2优选彼此不同。
对于A1、A2和R中的任一者而言的取代或未取代的苯基优选是被具有10至30个环碳原子的芳族烃基取代的苯基，且特别优选是萘基苯基。
式(1)至(4)和(1')中的A1和A2中的至少一者表示式(a)所示的基团时，双咔唑衍生物特别优选作为与绿色发光掺杂剂组合使用的主体材料。
式(a)中，Y21和/或Y25优选表示氮原子，且Y22和Y24各自更优选表示C(Ra)。
式(1)至(4)和(1')中的A1和A2可以具有的取代基和R和Ra所示的取代基的具体实例包括：氟原子；氰基；取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状烷基；具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状亚烷基；具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状的二价不饱和烃基；取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状烷氧基；取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状卤代烷基；取代或未取代的具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状卤代烷氧基；取代或未取代的具有1至10个碳原子的直链、支链、或者环状烷基甲硅烷基；取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基甲硅烷基；取代或未取代的具有6至30个环碳原子的芳族烃基；和，取代或未取代的具有2至30个环碳原子的芳族杂环基。此外，可以存在任意这样的种类的多个取代基，并且当存在多个取代基时，取代基可以彼此相同或不同。
相邻环碳原子上的R基团可以彼此键合，从而与所述环碳原子一起形成环结构。
具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3-甲基戊基、环戊基、环己基、环辛基、3,5-四甲基环己基、三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、和1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙基。
具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状亚烷基的实例包括亚乙基、亚丙基、和亚丁基。
具有1至20个碳原子的直链、支链、或者环状的二价不饱和烃基的实例包括1,3-丁二烯-1,4-二基。
具有1至10个碳原子的直链、支链、或者环状烷基甲硅烷基的实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、和二乙基异丙基甲硅烷基。
具有6至30个碳原子的芳基甲硅烷基的实例包括苯基二甲基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、二苯基叔丁基甲硅烷基、和三苯基甲硅烷基。
卤素原子的实例包括氟原子。
具有2至30个环碳原子的芳族杂环基的实例包括非稠合芳族杂环和稠合芳族杂环基团，更具体而言为吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基、以及吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二噁烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、噁唑环、噁二唑环、苯并噁唑环、噻唑环、噻二唑环、苯并噻唑环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环、和苯并[c]二苯并呋喃环的残基。
具有6至30个环碳原子的芳族烃基的实例包括非稠合芳族烃基和稠合芳族烃基，更具体而言为苯基、萘基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、荧蒽基、三亚苯基、菲基、9,9-二甲基芴基、苯并[c]菲基、苯并[α]三亚苯基、萘并[1,2-c]菲基、萘并[1,2-a]三亚苯基、二苯并[a,c]三亚苯基、和苯并[b]荧蒽基。
式(1)至(4)和(1')中的L1和L2所示的二价连接基团的实例包括取代或未取代的具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基、和取代或未取代的具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基。
具有6至30个环碳原子的二价芳族烃基的实例包括通过使上述具有6至30个环碳原子的芳族烃基的实例成为二价基团而得到的基团。
此外，具有2至30个环碳原子的二价芳族杂环基的具体实例包括通过使上述具有2至30个环碳原子芳族杂环基的实例成为二价基团而得到的基团。
式(1)至(4)和(1')各自中，Y1至Y16优选全部表示C(R)。
式(1)至(4)和(1')各自中，Y1至Y8或Y9至Y16中的R所示的取代基的数量优选是0至2、更优选0或1。
式(1)至(4)、(1')、和(10)中的任一者所示的双咔唑衍生物的具体实例包括下述化合物。在下述结构式中，D表示重氢(氘)。
根据本发明，根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物优选作为电子器件、优选根据本发明所述的OLED中的光发射层中的主体材料而使用。根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物可以(a)作为单一主体材料而使用，或者(b)与如上所述的任意适合的化合物组合作为主体材料而使用。如果在光发射层中存在红色光发射材料，则实施方案(a)是优选的。如果在光发射层中存在绿色光发射材料，则实施方案(b)是优选的。
如果在光发射层中存在蓝色掺杂剂，则可以使用的优选的主体材料被提及于US2012/112169中。优选地，将式(5)所示的蒽衍生物作为对于蓝色掺杂剂而言的主体材料使用。
。
式(5)中，Ar11和Ar12独立地是取代或未取代的具有5至50个环原子的单环基团、取代或未取代的具有8至50个环原子的稠环基团、或者由单环基团与稠环基团的组合形成的基团，并且R101至R108独立地选自氢原子、取代或未取代的具有5至50个环原子的单环基团、取代或未取代的具有8至50个环原子的稠环基团、由单环基团与稠环基团的组合形成的基团、取代或未取代的具有1至50个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至50个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至50个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有7至50个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳氧基、取代或未取代的甲硅烷基、卤素原子、和氰基。
式(5)中的单环基团是指仅由不具有稠合结构的环结构组成的基团。
作为具有5至50(优选5至30、更优选5至20)个环原子的单环基团具体实例，可以优选地给出：芳族基团、例如苯基、联苯基、三联苯基、和四联苯基；以及杂环基、例如吡啶基、吡唑基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、和噻吩基。
这些之中，优选为苯基、联苯基或三联苯基。
式(5)中的稠环基团是指由2个或更多个环结构稠合而形成的基团。
作为具有8至50(优选8至30、更优选8至20)个环原子稠环基团的具体实例，可以优选给出稠合芳族环基团、例如萘基、菲基、蒽基、䓛基、苯并蒽基、苯并菲基、三亚苯基、苯并䓛基、茚基、芴基、9,9-二甲基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、荧蒽基、和苯并荧蒽基；以及稠合杂环基、例如苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、喹啉基、和菲咯啉基。
这些之中，优选为萘基、菲基、蒽基、9,9-二甲基芴基、荧蒽基、苯并蒽基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基。
作为Ar11、Ar12和R101至R108中的“取代或未取代的……”的优选的取代基，可以给出单环基团、稠环基团、烷基、环烷基、甲硅烷基、烷氧基、氰基、和卤素原子(特别是氟)。特别优选为单环基团和稠环基团。
优选的是，式(5)所示的蒽衍生物为下述蒽衍生物(A)、(B)和(C)中的任一者，其取决于所应用的有机EL器件的构成和所需特性而选择。
(蒽衍生物(A))
该蒽衍生物是式(5)的衍生物，其中，Ar11和Ar12独立地是取代或未取代的具有8至50个环原子的稠环基团。该蒽衍生物可以被分类为：Ar11和Ar12是相同的取代或未取代的稠环基团的情况；以及Ar11和Ar12是不同的取代或未取代的稠环基团的情况。
特别优选的是式(5)的蒽衍生物，其中，Ar11和Ar12是不同(包括取代位置的不同)的取代或未取代的稠环基团。优选的稠环的具体实例与上文所述那些相同。这些之中，优选为萘基、菲基、苯并蒽基、9,9-二甲基芴基、和二苯并呋喃基。
(蒽衍生物(B))
该蒽衍生物是式(5)的衍生物，其中，Ar11和Ar12中的一者是取代或未取代的具有5至50个环原子的单环基团，并且另一者是取代或未取代的具有8至50个环原子的稠环基团。
作为一个优选的实施方案，Ar12是萘基、菲基、苯并蒽基、9,9-二甲基芴基或二苯并呋喃基，并且Ar11是被单环基团或稠环基团取代的苯基。
作为另一个优选的实施方案，Ar12是稠环基团，并且A11是未取代的苯基。在该情况中，作为稠环基团，特别优选为菲基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、和苯并蒽基。
(蒽衍生物(C))
该蒽衍生物是式(5)的衍生物，其中，Ar11和Ar12独立地是取代或未取代的具有5至50个环原子的单环基团。
作为一个优选的实施方案，Ar11和Ar12两者是取代或未取代的苯基。
作为一个进一步优选的实施方案，Ar11是未取代苯基，并且Ar12是具有单环基团或稠环基团作为取代基的苯基，并且Ar11和Ar12独立地是具有单环基团或稠环基团作为取代基的苯基。
作为取代基的优选的单环基团和稠环基团的具体实例与上文所述那些相同。作为当作取代基的单环基团，进一步优选为苯基和联苯基。作为当作取代基的稠环基团，进一步优选为萘基、菲基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基和苯并蒽基。
空穴/激子阻挡层(f)：
阻挡层可以用于减少离开发光层的电荷载流子(电子或空穴)和/或激子的数量。空穴阻挡层可以被布置于发光层(e)与电子传输层(g)之间，从而在电子传输层(g)的方向上阻挡空穴离开层(e)。阻挡层也可以用于阻挡激子扩散至发光层外。
典型在OLED中使用的额外的空穴阻挡剂材料是2,6-双(N-咔唑基)吡啶(mCPy)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(浴铜灵，(BCP))、双(2-甲基-8-喹啉合)-4-苯基苯酚)铝(III)(BAIq)、吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物、和1,3,5-三(N-苯基-2-苄基咪唑基)苯)(TPBI)，TPBI还适合作为电子传输材料。进一步适合的空穴阻挡剂和/或电子传导材料是2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉醇合锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉。在一个进一步的实施方案中，作为空穴/激子阻挡层(f)，能够使用：包含通过含羰基的基团结合的芳族或杂芳族的环的化合物，如公开于WO2006/100298；选自二甲硅烷基咔唑类、二甲硅烷基苯并呋喃类、二甲硅烷基苯并噻吩类、二甲硅烷基苯并磷杂环戊二烯类、二甲硅烷基苯并噻吩S-氧化物类、和二甲硅烷基苯并噻吩 S,S-二氧化物类中的二甲硅烷基化合物，如说明于例如PCT申请WO2009/003919和WO2009003898；以及二甲硅烷基化合物，如公开于WO2008/034758。
在另一个优选的实施方案中，可以使用化合物(SH-1)、(SH-2)、(SH-3)、SH-4、SH-5、SH-6、(SH-7)、(SH-8)、(SH-9)、(SH-10)和(SH-11)作为空穴/激子阻挡材料。
电子传输层(g)：
电子传输层可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是本征的(未掺杂)的、或者掺杂的。可以使用掺杂来提高导电性。
根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物适合单独或者与下述一种或多种电子传输材料组合而作为电子传输材料。如果在发光层中存在蓝色荧光发光体，则根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物优选适合作为电子传输材料。
可以与根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物组合作为电子传输材料使用、或者在不存在根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物的情况下作为电子传输材料使用的进一步适合于本发明的OLED的层(g)的电子传输材料包含：被类羟基喹啉(oxinoid)化合物螯合的金属、例如三(8-羟基喹啉合)铝(Alq3)；基于菲咯啉的化合物、例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA = BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,4,7,9-四苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)、或公开于EP1786050、EP1970371、或者EP1097981中的菲咯啉衍生物；以及唑化合物、例如2(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、和3-(4-联苯基)-4苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)。
可以与根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物组合作为电子传输材料使用、或者在不存在根据本发明所述的式(I)、(II)或(III)的化合物的情况下作为电子传输材料使用的进一步适合的电子传输材料被提及于Abhishek P. Kulkarni、Christopher J.Tonzola、Amit Babel、和Samson A. Jenekhe，Chem.Mater.2004，16，4556-4573；G.Hughes、 M.R. Bryce，J.Mater.Chem.2005，15，94-107；以及Yasuhiko Shirota和HiroshiKageyama，Chem.Rev. 2007，107，953-1010(ETM，HTM)。
同样地，可以在电子传输层中使用至少两种材料的混合物，在该情况下，至少一种材料是电子导电的。优选地，在这样的混合电子传输层中，使用至少一种菲咯啉化合物、优选BCP、或者根据下述式(XVI)所述的至少一种吡啶化合物、优选下述式(XVIa)的化合物。更优选地，在混合电子传输层中，除了至少一种菲咯啉化合物之外，还使用碱土金属或碱金属羟基喹啉盐络合物、例如Liq。适合的碱土金属或碱金属羟基喹啉盐络合物说明如下(式XVII)。参照WO2011/157779。
电子传输层也可以被电子性掺杂，从而改进所使用的材料的传输特性，从而首先使得层厚度更充分(避免针孔/短路)，并且第二使得器件的操作电压最小化。电子性掺杂是本领域技术人员已知的，并且公开于例如W. Gao、A.Kahn，J.Appl.Phys.，卷94，号1，2003年7月1日(p型掺杂有机层)；A.G. Werner、F.Li、K.Harada、M.Pfeiffer、T.Fritz、K.Leo，Appl.Phys.Lett.，卷82，号25，2003年6月23日；和Pfeiffer等人，Organic Electronics2003，4，89 - 103；和K. Walzer、B.Maennig、M.Pfeiffer、K.Leo，Chem.Soc.Rev. 2007，107，1233中。例如，能够使用导致电子传输层的电学n型掺杂的混合物。n型掺杂通过添加还原材料而实现。这些混合物例如可以是上述电子传输材料与碱/碱土金属或碱/碱土金属盐、例如Li、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3的混合物、与碱金属络合物、例如8-羟基喹啉合锂(Liq)的混合物、以及与Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、邻苯二甲酸二钾、来自EP1786050的W(hpp)4的混合物、或者与记载于EP1837926B1、EP1837927、EP2246862和WO2010132236中的化合物的混合物。
在一个优选的实施方案中，电子传输层包含高度电子注入和/或高度电子传输的物质、优选与式(I)、(II)或(III)的化合物组合。所述物质是例如碱金属、含碱金属的化合物、碱土金属、含碱土金属的化合物、稀土金属、和含稀土金属的化合物。
碱金属可以是Li、Na、K、Rb和Cs。含碱金属的化合物可以是：卤化物、例如氟化物、氯化物、溴化物、和碘化物；氧化物；以及络合物、例如8-喹啉醇合锂(Liq)。
碱土金属可以是Be、Mg、Ca、Sr和Ba。含碱土金属的化合物可以是：卤化物、例如氟化物、氯化物、溴化物、和碘化物；氧化物；以及络合物、例如双(10-羟基苯并[h]喹啉合)铍(BeBq2)。
稀土金属可以是Sc、Y、Ce、Eu、Tb、Er和Lu。含稀土金属的化合物可以是：卤化物、例如氟化物、氯化物、溴化物、和碘化物；氧化物；以及络合物。
在一个优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种通式(XVII)的化合物：
，其中，
R32'和R33'各自独立地是F、C1-C8-烷基、或者C6-C14-芳基，其任选被一个或多个C1-C8-烷基取代；或者
两个R32'和/或R33'取代基一起形成任选被一个或多个C1-C8-烷基取代的稠合苯环；
a和b各自独立地是0、或者1、2或3；
M1是碱金属原子或碱土金属原子；
M1是碱金属原子时，p是1，M1是碱土金属原子时，p是2。
式(XVII)的非常特别优选的化合物是(Liq)，其可以以单一种类的形式存在，或者以其他形式、例如例如LigQg(其中g是整数)、例如Li6Q6存在。Q是8-羟基喹啉盐配体或8-羟基喹啉盐衍生物。
在一个进一步优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种式(XVI)的化合物：
(XVI)，其中，
R34''、R35''、R36''、R37''、R34'、R35'、R36'和R37'各自独立地是H、C1-C18-烷基、被E'取代和/或被D'中断的C1-C18-烷基、C6-C24-芳基、被G'取代的C6-C24-芳基、C2-C20-杂芳基或被G'取代的C2-C20-杂芳基；
Q是各自任选被G'取代的亚芳基或亚杂芳基；
D'是-CO-；-COO-；-S-；-SO-；-SO2-；-O-；-NR40'-；-SiR45'R46'-；-POR47'-；-CR38'=CR39'-；或-C≡C-；
E'是-OR44'；-SR44'；-NR40'R41'；-COR43'；-COOR42'；-CONR40'R41'；-CN；或F；
G'是E'、C1-C18-烷基、被D'中断的C1-C18-烷基、C1-C18-全氟烷基、C1-C18-烷氧基、或者被E'取代和/或被D'中断的C1-C18-烷氧基，其中
R38'和R39'各自独立地是H、C6-C18-芳基；被C1-C18-烷基或C1-C18-烷氧基取代的C6-C18-芳基；C1-C18-烷基；或者被-O-中断的C1-C18-烷基；
R40'和R41'各自独立地是C6-C18-芳基；被C1-C18-烷基或C1-C18-烷氧基取代的C6-C18-芳基；C1-C18-烷基；或者被-O-中断的C1-C18-烷基；或者
R40'和R41'一起形成6元环；
R42'和R43'各自独立地是C6-C18-芳基；被C1-C18-烷基或C1-C18-烷氧基取代的C6-C18-芳基；C1-C18-烷基；或者被-O-中断的C1-C18-烷基；
R44'是C6-C18-芳基；被C1-C18-烷基或C1-C18-烷氧基取代的C6-C18-芳基；C1-C18-烷基；或者被-O-中断的C1-C18-烷基；
R45'和R46'各自独立地是C1-C18-烷基、C6-C18-芳基、或者被C1-C18-烷基取代的C6-C18-芳基；
R47'是C1-C18-烷基、C6-C18-芳基、或者被C1-C18-烷基取代的C6-C18-芳基。
优选的式(XVI)的化合物是式(XVIa)的化合物：
(XVIa)
其中，Q是：
、、 、或者；
R48'是H或C1-C18-烷基，并且
R48''是H、C1-C18-烷基或、或。
特别优选的是下述式的化合物：
(ETM-2)。
在一个进一步非常特别优选的实施方案中，电子传输层包含化合物Liq和化合物ETM-2。
在一个优选的实施方案中，电子传输层以99至1重量%、优选75至25重量%、更优选约50重量%的量包含至少一种式(XVII)的化合物，并且以1至99重量%、优选25至75重量%、更优选约50重量%的量包含至少一种式(XVI)的化合物，其中，式(XVII)的化合物的量与式(XVI)的化合物的量加合得到总计100重量%。
式(XVI)的化合物的制备被记载于J. Kido等人，Chem.Commun.(2008) 5821-5823；J.Kido等人，Chem.Mater.20(2008) 5951-5953；和JP2008/127326中，或者，化合物可以以类似于前述文献中公开的方法而制备。
同样地，在电子传输层中，可以使用碱金属羟基喹啉盐络合物、优选Liq、与二苯并呋喃化合物的混合物。参照WO2011/157790。WO2011/157790中记载的二苯并呋喃化合物A-1至A-36、和B-1至B-22是优选的，其中，最优选为二苯并呋喃化合物 (A-10；= ETM-1)。
在一个优选的实施方案中，电子传输层以99至1重量%、优选75至25重量%、更优选约50重量%的量包含Liq，并且以1至99重量%、优选25至75重量%、更优选约50重量%的量包含至少一种二苯并呋喃化合物，其中，Liq的量与一种或多种二苯并呋喃化合物、特别是ETM-1的量加合得到总计100重量%。
在一个优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物。
在一个进一步优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物、和至少一种碱金属羟基喹啉盐络合物。
在一个进一步优选的实施方案中，电子传输层包含记载于WO2011/157790中的二苯并呋喃化合物A-1至A-36、和B-1至B-22中的至少一种、特别是ETM-1。
在一个进一步优选的实施方案中，电子传输层包含记载于WO2012/111462、WO2012/147397、WO2012014621中的化合物、例如式(ETM-3)的化合物；US2012/0261654中的化合物、例如式(ETM-4)的化合物；和WO2012/115034、例如式(ETM-5)的化合物。
根据本发明所述的OLED的电子注入层的进一步优选的实施方案被提及于US2013306955。
特别地，在光发射层与阴极之间的根据本发明所述的OLED的电子传输层优选包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物。
在一个优选的实施方案中，包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物的电子传输层还包含还原掺杂剂。
还原掺杂剂的实例包括供体金属、供体金属化合物、和供体金属络合物。还原掺杂剂可以单独使用，或者组合使用两种或更多种。
还原掺杂剂在本文中是指供电子材料。供电子材料是通过与电子传输层中共存的有机材料、或者与电子传输层相邻的层中的有机材料、或者与具有供电子原子团的材料的相互作用而生成自由基阴离子的材料。
供体金属是具有3.8 eV或更低的功函数的金属，优选碱金属、碱土金属、或者稀土金属，并且更优选Cs、Li、Na、Sr、K、Mg、Ca、Ba、Yb、Eu、或者Ce。
供体金属化合物是包含上述供体金属的化合物，优选包含碱金属、碱土金属、或者稀土金属的化合物，并且更优选这些金属的卤化物、氧化物、碳酸盐、或者硼酸盐，例如MOx(M：供体金属，x：0.5至1.5)、MFx(x：1至3)、或者M(CO3)x(x：0.5至1.5)所示的化合物。
供体金属络合物是包含上述供体金属的络合物，优选碱金属、碱土金属或稀土金属的有机金属络合物，并且更优选式(I)所示的有机金属络合物：
MQn (I)
其中，M是供体金属，Q是配体、优选羧酸衍生物、二酮衍生物、或者喹啉衍生物，并且n是1至4的整数。
供体金属络合物的实例包括记载于JP 2005-72012A中的水磨型(watermill-shaped)钨化合物、和记载于JP 11-345687A中的具有碱金属或碱土金属作为中心金属的酞菁化合物。
还原掺杂剂优选是选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、具有碱金属的有机络合物、具有碱土金属的有机络合物、和具有稀土金属的有机络合物中的至少一者，更优选是碱金属的8-喹啉醇络合物。
碱金属的实例包括：
Li(锂，功函数：2.93 eV)、
Na(钠，功函数：2.36 eV)、
K(钾，功函数：2.3 eV)、
Rb(铷，功函数：2.16 eV)、和
Cs(铯，功函数：1.95 eV)。
功函数的值基于Handbook of Chemistry(Pure Chemistry II，1984，页493，TheChemical Society of Japan编制)。同样在后文适用。
优选的碱土金属的实例是：
Ca(钙，功函数：2.9 eV)；
Mg(镁，功函数：3.66 eV)；
Ba(钡，功函数：2.52 eV)、和
Sr(锶，功函数：2.0至2.5 eV)。
锶的功函数基于Physics of Semiconductor Device(N.Y.，Wiley，1969，页366)。
优选的稀土金属的实例是：
Yb(镱，功函数：2.6 eV)、
Eu(铕，功函数：2.5 eV)、
Gd(钆，功函数：3.1 eV)、和
Er(铒，功函数：2.5 eV)。
碱金属氧化物的实例包括Li2O、LiO和NaO。碱土金属氧化物优选是CaO、BaO、SrO、BeO、或者MgO。
碱金属卤化物的实例包括氟化物、例如LiF、NaF、CsF和KF、以及氯化物、例如LiCl、KCl和NaCl。
碱土金属卤化物优选是氟化物、例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2、以及不同于氟化物的卤化物。
由于在增加效率的同时减少了驱动电压，因此特别优选是OLED，其中，在电子传输中使用至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物。
电子传输层中的至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物的含量优选是50质量%或更多、并且更优选60质量%或更多。
电子传输层促进电子注入至光发射层中，并且将电子传输至光发射区域，并且具有大的电子迁移率和通常大至2.5 eV或更多的电子亲和性。电子传输层优选由能够在较低电场强度下将电子传输至光发射层的材料形成，所述材料优选在104至106 V/cm的电场下具有例如至少10-6 cm2/V·s的电子迁移率。
在电子传输层中使用至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物时，电子传输层可以由至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物单独形成、或者与另外的材料组合形成。
用于与至少一种根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物组合形成电子注入/传输层的材料只要具有上述优选的特性则没有特别限制，并且可以选自通常在光导材料的领域中被用作电子传输材料中的那些、和作为用于有机EL器件的电子注入/传输层的材料而已知的那些。
在本发明中，包括绝缘材料或半导体的电子注入层可以被布置于阴极和有机层之间。通过这样的电子注入层，有效地防止漏电流，从而提高了电子注入能力。优选的绝缘材料的实例包括选自碱金属氧属化物(chalcogenide)、碱土金属氧属化物、碱金属卤化物、和碱土金属卤化物中的至少一种金属化合物。由于进一步提高了电子注入特性，因此优选包括上述碱金属氧属化物的电子注入层。优选的碱金属氧属化物包括Li2O、K2O、Na2S、Na2Se、和Na2O；优选的碱土金属氧属化物包括CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、和CaSe；优选的碱金属卤化物包括LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、和NaCl；并且，优选的碱土金属卤化物包括氟化物、例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、和BeF2、和不同于氟化物的卤化物。
用于电子传输层的半导体的实例包括选自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb、和Zn中的至少一种元素的氧化物、氮化物和氮氧化物，其单独使用、或者组合两种或更多种使用。优选的是，构成电子传输层的无机化合物形成微晶或非晶的绝缘薄膜。当构成上述绝缘薄膜时，使得电子注入层更均匀，从而减少了像素缺陷、例如暗点。这样的无机化合物的实例包括上述碱金属氧属化物、碱土金属氧属化物、碱金属卤化物、和碱土金属卤化物。
电子注入层(h)：
电子注入层可以是改进电子注入至相邻有机层中的任何层。
可以将含锂有机金属化合物、例如8-羟基喹啉合锂(Liq)、CsF、NaF、KF、Cs2CO3或LiF应用于电子传输层(g)与阴极(i)之间作为电子注入层(h)，从而减少操作电压。
阴极(i)：
阴极(i)是起引入电子或负电荷载流子作用的电极。阴极可以是具有低于阳极的功函数的任何金属或非金属。适合于阴极的材料选自：元素周期表1族的碱金属、例如Li、Cs；2族的碱土金属；12族的金属，包括稀土金属、镧系金属和锕系金属。此外，可以使用金属例如铝、铟、钙、钡、钐、和镁、以及它们的组合。
通常，在存在的情况下，不同层具有下述厚度：
阳极(a)： 500至5000 Å(ångström，埃)、优选1000至2000 Å；
空穴注入层(b)： 50至1000 Å、优选200至800 Å；
空穴传输层(c)： 50至1000 Å、优选100至800 Å；
激子阻挡层(d)： 10至500 Å、优选50至100 Å；
光发射层(e)： 10至1000 Å、优选50至600 Å；
空穴/激子阻挡层(f)： 10至500 Å、优选50至100 Å；
电子传输层(g)： 50至1000 Å、优选200至800 Å；
电子注入层(h)： 10至500 Å、优选20至100 Å；和
阴极(i)： 200至10 000 Å、优选300至5000 Å。
本领域技术人员知道(例如基于电化学研究)需要如何选择适合的材料。适合于单独的层的材料是本领域技术人员已知的，并且公开于例如WO00/70655。
此外，在本发明的OLED中使用的层可以进行了表面处理，从而增加电荷载流子传输的效率。针对所提及的各个层的材料的选择通过获得具有高效率和寿命的OLED而决定。
本发明的OLED可以通过本领域技术人员已知的方法制造。通常，本发明的OLED通过在适合的基材上连续气相沉积单独的层从而制造。适合的基材是例如玻璃、无机半导体、或聚合物膜。对于气相沉积，可以使用通常的技术，例如热蒸镀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、和其他技术。在一个替代的方法中，OLED的有机层可以由适合的溶剂中溶液或分散液，采用本领域技术人员已知的涂布技术而施用。
将式(I)、(II)或(III)的化合物在OLED的至少一个层、优选光发射层中优选用作主体材料、电荷传输材料和/或不含金属物种的掺杂剂、特别优选用作主体材料和空穴或电子传输材料使得能够获得具有高效率和低的使用和操作电压的OLED。经常地，通过使用式(I)、(II)或(III)的化合物而获得的OLED额外地具有高寿命。OLED的效率可以额外地通过优化OLED的其他层而提高。例如，可以使用高效率阴极、例如Ca或Ba，其适当与LiF的中间体层组合。另外，可以在OLED中存在额外的层，从而调整不同层的能级，并且促进电致发光。
OLED还可以包含至少一个第二光发射层。OLED的总发光可以由至少两个光发射层的发光组成，并且还可以包含白色光。
OLED可以用于其中电致发光是有用的所有仪器中。适合的器件优选选自静态和移动视觉显示单元和照明单元。静态视觉显示单元是例如计算机、电视的视觉显示单元、打印机、厨房家电和广告板、照明和信息板中的视觉显示单元。移动视觉显示单元是例如手机、平板PC、笔记本电脑、数码相机、MP3播放器、汽车、公共汽车和火车上的目的地显示器中的视觉显示单元。其中可以使用本发明的OLED的进一步的器件是例如键盘；服装配件；家具；壁纸。此外，本发明涉及器件，其选自：静态视觉显示单元、例如计算机、电视的视觉显示单元、打印机、厨房家电和广告板、照明、信息板中的视觉显示单元；以及移动视觉显示单元、例如手机、平板PC、笔记本电脑、数码相机、MP3播放器、汽车、以及公共汽车和火车上的目的地显示器中的视觉显示单元；照明单元；键盘；服装配件；家具；壁纸，其包含至少一个本发明的有机发光二极管或至少一个本发明的光发射层。
下述实施例仅出于说明性目的而被包括，并且不限制权利要求的范围。除非另有声明，所有的份和百分比以重量计。
实施例
合成实施例1 - 化合物1
中间体1-1
将5-溴-2-羟基-苯甲腈(441.8 g，2.23 mol)、2-(溴甲基)苯甲酸甲酯(479 g，2.03mol)、和碳酸钾(560 g，4.05 mol)在Ar氛围下添加至DMF(4.6 L)。将混合物在50℃下搅拌1h后，将反应混合物在0℃下冷却。向其添加2L水后，将混合物在室温下搅拌1 h，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并溶解于THF。将THF溶液用MgSO4干燥，然后将其浓缩，从而生成673 g的1-1。不经进一步提纯，将其用于下一反应。
中间体1-2
将1-1(673 g，1.95 mol)溶解于DMF(4.6 L)，并在室温下添加叔丁醇钾(250 g，2.23mol)。然后，将混合物在80℃下搅拌1 h。将反应混合物在室温下冷却并向其添加1.5 L的甲苯后，在0℃下滴加1.2 L的二噁烷中的4 M HCl，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并用甲苯洗涤，从而生成白色粉末形式的478 g(75%)的1-2。
LC-MS(m/z) 314。
中间体1-3
将1-2(203 g，646 mmol)和1-氟-2-硝基-苯(100 g，711 mmol)添加至2 L的DMSO。将混合物在80℃下加热。向混合物添加碳酸钾(116 g，840 mmol)，并将混合物在100℃下搅拌20h。将反应混合物在室温下冷却后，向其添加1 L的水，从而给出固体。将固体通过过滤回收，并且用水和正庚烷洗涤。将粗产物通过硅胶上、用二甲苯洗脱的柱色谱提纯，从而生成134g(47%)的1-3。
LC-MS(m/z) 435。
中间体1-4
将1-3(134 g，309 mmol)添加至3.6 L的乙醇，并且将混合物在Ar氛围下在60℃下加热。向混合物添加溶解于水(555 mL)中的氯化铵(82.7 g，1.546 mol)、和铁(86.3 g，1.546mol)，并将混合物在70℃下搅拌20 h。将反应混合物在室温下冷却后，向其添加1 L的10%碳酸钾水溶液，并且将混合物在室温下搅拌1 h，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并用水洗涤。将固体悬浮于混合溶剂THF(2.5 L)和DMF(0.5 L)，并且通过过滤去除不溶解的材料。将滤液浓缩后，向其添加1 L的水，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并用水和甲醇洗涤，从而生成127.7 g(98%)的1-4。
LC-MS(m/z) 405。
中间体1-5
将1-4(103 g，251 mmol)在Ar氛围下添加至多聚磷酸(1050 mL)。将混合物在225℃下搅拌4 h。将反应混合物在室温下冷却后，将其导入冰水中，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并用水洗涤。将其在1 L的10% 碳酸钾水溶液中在室温下搅拌3 h后，将固体通过过滤收集，并用水洗涤。将粗产物通过硅胶上的、用甲苯洗脱的柱色谱提纯，从而生成米色粉末形式的92 g(50%)的1-5。
LC-MS(m/z) 388。
化合物1
将1-5(1.56 g，4.0 mmol)、3-(9H-咔唑-3-基)-9-苯基-咔唑(1.63 g，4.0 mmol)、和叔丁醇钠(769 mg，8.0 mmol)在Ar氛围中悬浮于27 mL的甲苯中。向其添加Xantphos(185 mg，0.32 mmol)和三(二苄叉基丙酮)二钯(0)(183 mg，0.2 mmol)，并且将混合物回流过夜。将反应混合物在室温下冷却后，将固体通过过滤去除，并用THF洗涤。将溶液浓缩从而给出深棕色粉末。将粗产物通过硅胶上的、用甲苯-CHCl3(10:1)洗脱的柱色谱提纯，从而给出米色粉末形式的2.29 g(80%)的1。
LC-MS(m/z) 714。
合成实施例2 - 化合物2
将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸(1.5 g，3.3 mmol)(记载于US 2013/0082591 A1)与1-5(1.3 g，3.3 mmol)和K2CO3(0.9 g，6.6 mmol)在三口圆底烧瓶中合并，并用N2脱气。然后添加Pd(PPh3)4(0.2 g，0.16 mmol)，接着添加二噁烷/H2O(30 mL，4:1)。将所得反应混合物在N2的物流下、在90℃的油浴温度下加热。3小时后，完成反应。将混合物冷却至室温，并且将溶剂在减压下浓缩。将粗残留物提取于CHCl3中，并用水洗涤(x2)，经过无水MgSO4干燥，并且蒸去溶剂。将粗产物悬浮于丙酮中，并在丙酮中、在室温下搅拌过夜。将沉淀过滤，然后溶解于CHCl3(1 L)中，并且经过硅胶塞倒出。蒸去溶剂，并且将产物最终通过从氯苯中重结晶而提纯，从而给出白色固体形式的2 g(85 %收率)的产物。
LC-MS(M+1) 715。
合成实施例3 - 化合物3
中间体3-1
将24.40 g(57.6 mmol)的2-(3-溴-5-氯苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(根据已知流程合成)、12.80 g(57.6 mmol)的9-菲基硼酸、和86 ml(173 mmol)的2M 碳酸钠溶液悬浮于DME中，并且用氩气排空并吹扫4次。然后，鼓泡通入氩气30分钟。在氩气下添加1.33 g(1.15mmol)的四(三苯基膦)钯(0)，并且另外鼓泡通入氮气5分钟。然后，将反应混合物加热至85℃。在该温度下、氩气下搅拌14小时后，将反应混合物冷却至室温，并过滤。将残留物用热甲苯洗涤，从而给出25.7g(85%)的3-1。
。
中间体3-2
混合8.58 g(16.50 mmol)的3-1、4.61 g(18.15 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷、和4.05 g(41.25mmol)的乙酸钾。然后，在氩气下添加85 ml的二噁烷、然后0.203 g(0.495 mmol)的二环己基-[2-(2,6-二甲氧基苯基)苯基]膦烷、和0.227 g(0.248 mmol)的Pd2(dba)3，并将悬浮液加热至115℃。在该温度下搅拌4小时后，将反应混合物冷却至室温。将250 ml的水和150 ml的氯仿添加至有机悬浮液，将其搅拌并通过硅藻土(hyflo)过滤至分液漏斗中，同时用200ml的氯仿洗涤。分离所述相，将水相用100 ml的氯仿萃取，将合并的有机相用200 ml的水洗涤，经过Na2SO4干燥，过滤，并且在真空中去除溶剂。将粗产物从60 ml的甲苯中重结晶，并且在真空下干燥，从而给出9.39g(93%)的3-2。
。
化合物3
将2.57 g(4.20 mmol)的3-2和1.55 g(4.00 mmol)的1-5悬浮于40ml的THF中。添加0.110 g(0.120 mmol)的Pd2(dba)3、和0.07 g(0.240 mmol)的三叔丁基磷鎓四氟硼酸盐，并将混合物加热至50℃。向其添加溶解于8 ml的水中的2.12 g(10.0 mmol)的磷酸钾溶液后，将反应混合物加热至回流4小时，然后冷却至室温。添加100 ml的氯仿和200 ml的3%氰化钠溶液，将混合物加热至回流2小时，然后冷却至室温。将黄色悬浮液过滤，用氯仿和水洗涤，并且在高真空下干燥。将粗产物通过从1,2-二氯苯中的重结晶提纯。将残留物用1,2-二氯苯和庚烷洗涤，并在真空下干燥，从而生成白色晶体形式的2.73 g(86%)的3。
LC-MS(M) 791
合成实施例4 - 化合物4
在Ar氛围下，将1,2-二甲氧基乙烷(80 ml)和2M 碳酸钠水溶液(15.5 mL，31.0 mmol)添加至[10-(2-萘基)-9-蒽基]硼酸(3.96 g，11.4 mmol)、1-5(4.00 g，10.3 mmol)、和(AMPHOS)2PdCl2(0.293 g，0.413mmol)。将混合物在回流下搅拌5 h。完成反应后，蒸去溶剂，并且将残留物用甲醇洗涤，并且从氯苯中重结晶，从而给出产物(4.10 g，63 % 收率)，其通过质谱而被确定为化合物4(m/e = 610，准确质量：610.20)。
合成实施例5 - 化合物5
中间体5-1
在Ar氛围下，将1,4-二噁烷(140 ml)添加至1-5(7.00 g，18.1 mmol)、双(频哪醇合)二硼(5.51 g，21.7 mmol)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(II)二氯甲烷加合物(0.443 g，0.542 mmol)、和乙酸钾(3.55 g，36.2 mmol)。将混合物在回流下搅拌4 h。完成反应后，将混合物通过硅胶上的柱色谱提纯，并蒸去溶剂，从而给出中间体5-1(7.86 g，99%收率)。
化合物5
在Ar氛围下，将1,4-二噁烷(250 ml)和2M 碳酸钠水溶液(27.1 ml，54.2 mmol)添加至5-1(7.85 g，18.1 mmol)、2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(7.02 g，18.1 mmol)、和[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(II)二氯甲烷加合物(0.590 g，0.723 mmol)。将混合物在90℃下搅拌20 h。反应后，将混合物冷却至室温，并添加甲醇，从而给出固体。将固体通过过滤收集，并用1,4-二噁烷洗涤，从而给出产品(3.20 g，27%收率)，其通过质谱而被确定为化合物5(m/e = 615，准确质量：615.21)。
合成实施例6 - 化合物6
除了使用1-(4-溴苯基)萘替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(62%收率)，其通过质谱而被确定为化合物6(m/e = 510，准确质量：510.17)。
合成实施例7 - 化合物7
除了使用4-溴苯甲腈替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(70%收率)，其通过质谱而被确定为化合物7(m/e = 409，准确质量：409.12)。
合成实施例8 - 化合物8
除了使用4-(4-溴苯基)苯甲腈替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(65%收率)，其通过质谱而被确定为化合物8(m/e = 485，准确质量：485.15)。
合成实施例9 - 化合物9
除了使用4-(4-溴苯基)-2,6-二苯基嘧啶替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(55%收率)，其通过质谱而被确定为化合物9(m/e = 614，准确质量：614.21)。
合成实施例10 - 化合物10
除了使用2-[3-(3-溴苯基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(55%收率)，其通过质谱而被确定为化合物10(m/e = 691，准确质量：691.24)。
合成实施例11 - 化合物11
除了使用2-(4-溴苯基)-1,10-菲咯啉替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(42%收率)，其通过质谱而被确定为化合物11(m/e = 562，准确质量：562.18)。
合成实施例12 - 化合物12
除了使用4-(4-溴苯基)二苯并呋喃替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(60%收率)，其通过质谱而被确定为化合物12(m/e = 550，准确质量：550.17)。
合成实施例13 - 化合物13
除了使用2-(8-溴二苯并呋喃-2-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(51%收率)，其通过质谱而被确定为化合物13(m/e = 705，准确质量：705.22)。
合成实施例14 - 化合物14
除了使用7-溴菲-2-甲腈替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(45%收率)，其通过质谱而被确定为化合物14(m/e = 509，准确质量：509.15)。
合成实施例15 - 化合物15
除了使用2-溴三亚苯替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(61%收率)，其通过质谱而被确定为化合物15(m/e = 534，准确质量：534.17)。
合成实施例16 - 化合物16
除了使用4-溴-9,9-二苯基芴替代2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪之外，以与合成实施例5中的化合物5的合成相同的方式，得到产物(60%收率)，其通过质谱而被确定为化合物16(m/e = 624，准确质量：624.22)。
实施例1
1.1 OLED制造
将用作阳极的具有120 nm厚铟锡氧化物(ITO)透明电极的玻璃基材(由制造GeomatecCo.，Ltd.)首先用异丙醇在超声浴中清洗10分钟。为了清除任何可能的有机残留物，进一步将基材暴露于紫外光和臭氧30分钟。该处理也提高了ITO的空穴注入特性。将经清洗的基材在于基材支架上，并且载入真空室中。其后，将下文说明的有机材料以约0.2-1 Å/秒的速率在约10-6-10-8 mbar下通过气相沉积施用于ITO基材。作为第一层，气相沉积5 nm厚的受电子化合物A。然后，施用50 nm厚的芳族胺化合物B作为第一空穴传输层。接着，施用60 nm厚的芳族胺化合物C作为第二空穴传输层。然后，施用8重量%的发光体化合物(Ir(piq)3)、92重量%的主体(化合物1)的混合物，从而形成45 nm厚磷光发光层。在发光层上，施用30 nm厚化合物D作为电子传输层。最终，沉积1 nm厚LiF作为电子注入层，然后沉积80 nm厚Al作为阴极，从而完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中，用玻璃盖和吸气剂密封器件。
1.2 OLED表征
为了表征OLED，在多个电流和电压下记录电致发光光谱。此外，与亮度结合，测量电流-电压特征，从而确定发光效率和外量子效率(EQE)。除非另有声明，在10mA/cm2下给出驱动电压V、EQE和国际照明委员会(CIE)坐标。
表1
编号 主体 V(V) EQE(%) CIE x，y
实施例1 化合物1 5.8 15.0 0.65，0.34
结果示于表1。CIE值显示，电致发光来源于红色发光体化合物(Ir(piq)3)，表明化合物1可以被用作红色磷光主体。
实施例2
2.1 OLED制造
将用作阳极的具有120 nm厚铟锡氧化物(ITO)透明电极的玻璃基材(由制造GeomatecCo.，Ltd.)首先用异丙醇在超声浴中清洗10分钟。为了清除任何可能的有机残留物，进一步将基材暴露于紫外光和臭氧30分钟。该处理也提高了ITO的空穴注入特性。将经清洗的基材在于基材支架上，并且载入真空室中。其后，将下文说明的有机材料以约0.2-1 Å/秒的速率在约10-6-10-8 mbar下通过气相沉积施用于ITO基材。作为空穴注入层，施用50 nm厚的化合物E。然后，施用45 nm厚的芳族胺化合物F作为空穴传输层。然后，施用3重量%的发光体化合物G、97重量%的主体化合物H的混合物，从而形成20 nm厚荧光发光层。在发光层上，施用5nm厚化合物1作为第一电子传输层。然后，施用25 nm厚化合物I作为第二电子传输层。最终，沉积1 nm厚LiF作为电子注入层，然后沉积80 nm厚Al作为阴极，从而完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中，用玻璃盖和吸气剂密封器件。
2.2 OLED表征
OLED的表征如在1.2节下概述地进行。
表2
编号 电子传输层 V(V) EQE(%) CIE x，y
实施例2 化合物1 4.0 8.3 0.14，0.10
结果示于表2。CIE值显示，电致发光源自蓝色掺杂剂化合物G。此外，实施例2显示出多于8%的EQE，其超过了5%的理论限制。结果表明，化合物1可以通过将三重态激子约束在发光层中，提高了三重态-三重态融合，从而克服5%的纯理论限制。实施例2明确显示，如果使用蓝色荧光发光体材料，则根据本发明所述的化合物、特别是化合物1可以被用作电子传输材料。
实施例3至17
除了使用表3中所示的各化合物替代化合物1作为电子传输材料之外，以与实施例2中相同的方法制造各有机EL器件。发光性能的评价以与实施例2中相同的方法进行。结果总结于表3。
对比实施例1
除了使用下述化合物(ET-1)作为电子传输材料之外，尝试以与实施例2中相同的方式进行有机EL器件的制造。但是，由ET-1组成的器件由于不稳定的气相沉积特性而无法制造。
表3
编号 电子传输层 V(V) EQE(%) CIE x，y
实施例3 化合物2 4.1 8.7 0.14，0.10
实施例4 化合物3 4.3 7.3 0.14，0.10
实施例5 化合物4 3.7 8.3 0.14，0.10
实施例6 化合物5 4.1 8.9 0.14，0.10
实施例7 化合物6 3.7 9.1 0.14，0.10
实施例8 化合物7 4.2 8.9 0.14，0.10
实施例9 化合物8 4.0 9.0 0.14，0.10
实施例10 化合物9 3.9 9.0 0.14，0.10
实施例11 化合物10 3.8 9.1 0.14，0.10
实施例12 化合物11 3.8 7.7 0.14，0.10
实施例13 化合物12 3.8 9.1 0.14，0.10
实施例14 化合物13 3.8 9.1 0.14，0.10
实施例15 化合物14 4.0 9.0 0.14，0.10
实施例16 化合物15 3.9 9.0 0.14，0.10
实施例17 化合物16 4.0 9.0 0.14，0.10
结果示于表3。CIE值显示，电致发光源自蓝色发光体化合物G。此外，实施例3至17显示出多于7%的EQE，其超过了5%的理论限制。结果表明，化合物2和3可以通过将三重态激子约束在发光层中，提高了三重态-三重态融合，从而克服5%的纯理论限制。
实施例18和19
OLED制造
将用作阳极的具有120 nm厚铟锡氧化物(ITO)透明电极的玻璃基材(由制造GeomatecCo.，Ltd.)首先用异丙醇在超声浴中清洗10分钟。为了清除任何可能的有机残留物，进一步将基材暴露于紫外光和臭氧30分钟。该处理也提高了ITO的空穴注入特性。将经清洗的基材在于基材支架上，并且载入真空室中。其后，将下文说明的有机材料以约0.2至1 Å/秒的速率在约10-6至10-8 mbar下通过气相沉积施用于ITO基材。作为空穴注入层，施用50 nm厚的化合物E。然后，施用45 nm厚的芳族胺化合物F作为空穴传输层。然后，施用3重量%的发光体化合物G、97重量%的主体化合物H的混合物，从而形成20 nm厚荧光发光层。在发光层上，施用50重量%的化合物4或5、50重量%的Liq，从而形成30 nm厚电子传输层。最终，沉积1 nm厚Liq作为电子注入层，然后沉积80 nm厚Al作为阴极，从而完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中，用玻璃盖和吸气剂密封器件。
表4
编号 电子传输层 V(V) EQE(%) CIE x，y
实施例18 化合物4 4.0 9.1 0.14，0.10
实施例19 化合物5 3.9 9.4 0.14，0.10

Claims (31)

1.电子器件，其包含至少一种通式(I)的化合物，
(I)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3、C4、X1和X2具有下述含义：
A1、A2、A3、A4形成芳族或杂芳族6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4；
B1、B2、B3、B4形成芳族或杂芳族5或6元环，其中，B1是直接键、NR5、N、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、N、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、N、O、S、CR14或CR15R16，和/或B4是直接键、NR17、N、O、S、CR18或CR19R20；
C1、C2、C3、C4形成芳族或杂芳族6元环，其中，C1是N或CR21，C2是N或CR22，C3是N或CR23，且C4是N或CR24；
X1、X2是直接键、O、S、NR25、CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
其中，R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、-C≡C-；
E是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J、C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的 C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
R28、R29和R30各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基、或者被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
R31和R32各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R33、R34、R35和R39各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R36是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R37、R38、R40、R41和R42各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
或者，R37、R38一起形成5或6元环；
或者，R41、R42一起形成5或6元环；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R17、R18、R19和R20中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，X1是直接键，且X2是O、S或NR25，其中，R25具有如权利要求1中定义的相同含义。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，X1是O、S或NR25，且X2是直接键，其中，R25具有如权利要求1中定义的相同含义。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，A1是CR1，A2是CR2，A3是CR3，A4是CR4，B1是CR6，B2是CR10，B3是CR14，B4是CR18，C1是CR21，C2是CR22，C3是CR23，且C4是CR24，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R21、R22、R23和R24中的至少一者是不同于H的取代基。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，根据通式(I)所述的化合物对应于通式(II)：
(II)；
其中，R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22、R23、X1、X2、C1和C4具有如权利要求1中定义的含义。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其中，选自R1、R2、R3、R4、R6、R10、R14、R18、R22和R23中的至少一者是不同于H的取代基。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，根据通式(I)所述的化合物对应于通式(III)：
(III)；
其中，B1是直接键、且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，或者B1是NR5、N、O、S、CR6或CR7R8、且B4是直接键；
C1是N或CR21，且C4是N或CR24；
X1、X2是直接键、O、S、NR25和CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
R43、R44、R45和R46 各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24、优选与R21或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R5或R17可以与R43、R44、R45或R46、优选与R43或R46形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
其中，G、E、D、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29和R30具有如权利要求1中定义的含义。
8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，X1和B1是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的含义。
9.根据权利要求7所述的电子器件，其中，X1和B4是直接键，X2是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的含义。
10.根据权利要求7所述的电子器件，其中，X2和B4是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B1是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的含义。
11.根据权利要求7所述的电子器件，其中，X2和B1是直接键，X1是O、S、NR25或CR26R27，且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，其中，R17、R18、R19、R20、R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的含义。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的电子器件，其中，R43、R44、R45和R46是H。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的电子器件，其中，通式(I)、(II)或(III)的化合物包含至少6个、优选至少7个、更优选至少8个、更优选至少9个通过直接键连接或稠合在一起的芳族、杂芳族、饱和或不饱和的环。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)，其包含阴极、阳极、以及在阴极和阳极之间提供的多个有机薄膜层，其中，有机薄膜层包含发光层，所述发光层包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物优选作为主体材料、电荷传输材料和/或不含金属物种的掺杂剂、特别优选作为主体材料或电子传输材料。
15.根据权利要求1至13中任一项所述的电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)，其包含阴极、阳极、以及在阴极和阳极之间提供的多个有机薄膜层，其中，有机薄膜层包含电子传输层，所述电子传输层包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物。
16.根据权利要求15所述的电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)，其中，电子传输层包含选自碱金属、含碱金属的化合物、碱土金属、含碱土金属的化合物、稀土金属、和含稀土金属的化合物中的至少一种。
17.根据权利要求1至13中任一项所述的电子器件、优选有机电致发光器件、更优选有机发光二极管(OLED)，其包含阴极、阳极、以及在阴极和阳极之间提供的多个有机薄膜层，其中，有机薄膜层包含发光层、和与发光层的阴极侧相邻且包含至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物的层。
18.发光层，其优选存在于电子器件、更优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)中，其包含如权利要求1至13中任一项中定义的至少一种通式(I)、(II)或(III)的化合物。
19.如在权利要求1至13中任一项中定义的根据通式(I)、(II)或(III)所述的化合物在电子器件、优选电致发光器件、特别优选有机发光二极管(OLED)、优选发光层中作为主体材料、电荷传输材料和/或不含金属物种的掺杂剂、优选作为主体材料或电子传输材料的用途。
20.根据通式(IV)所述的化合物：
(IV)；
其中，
A1、A2、A3、A4形成芳族或杂芳族6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4；
B1、B4形成芳族或杂芳族5元环，其中，B1是直接键、且B4是NR17、N、O、S、CR18或CR19R20，或者B1是NR5、N、O、S、CR6或CR7R8、且B4是直接键；
C1是N或CR21，且C4是N或CR24；
X1、X2是直接键、O、S、NR25、CR26R27，其中，X1和X2中的一者是直接键，且另一者是O、S、NR25或CR26R27；
其中，R1、R2、R3、R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、-C≡C-；
E是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J或C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
R28、R29和R30各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基、或者被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
R31和R32各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R33、R34、R35和R39各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R36是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R37、R38、R40、R41和R42各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
或者，R37和R38一起形成5或6元环；
或者，R41和R42一起形成5或6元环；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R5、R6、R7、R8、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环
R43、R44、R45和R46各自独立地是H、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
或者，R43、R44、R45和R46中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，可以形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24、优选与R21或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R5或R17可以与R43、R44、R45或R46、优选与R43或R46形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
21.根据通式(Ie)所述的化合物：
(Ie)；
其中，
A1、A2、A3和A4形成芳族或杂芳族6元环，其中，A1是N或CR1，A2是N或CR2，A3是N或CR3，且A4是N或CR4；
B1、B2、B3和B4形成芳族或杂芳族5或6元环，其中，B1是直接键、NR5、N、O、S、CR6或CR7R8，B2是直接键、NR9、N、O、S、CR10或CR11R12，B3是直接键、NR13、N、O、S、CR14或CR15R16，且B4是直接键、NR17、N、O、S、CR18或CR19R20；
C1、C2、C3和C4形成芳族或杂芳族6元环，其中，C1是N或CR21，C2是N或CR22，C3是N或CR23，且C4是N或CR24；
X1是直接键、且X2是O、S、NR25或CR26R27，或者X1是O、S、NR25或CR26R27、或者X2是直接键；
其中，R1、R2、R3和R4各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30；
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR31=CR32-、-NR33-、-SiR28R29-、-POR34-、-C≡C-；
E是-OR35、-SR36、-NR37R38、-COR39、-COOR40、-CONR41R42、-CN、-SiR28R29R30、卤素、未取代的C6-C60芳基、被J、C1-C18烷基取代的C6-C60芳基、被O中断的C1-C18烷基、未取代的 C2-C60杂芳基、或者被J、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基；
J是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、或者-C(CF3)3；
G是E、C1-C18烷基、或者被O中断的C1-C18烷基；
R28、R29和R30各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基、或者被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；
R31和R32各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R33、R34、R35和R39各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R36是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
R37、R38、R40、R41和R42各自独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基、或者被-O-中断的C1-C18烷基；
或者，R37、R38一起形成5或6元环；
或者，R41、R42一起形成5或6元环；
或者，R1、R2、R3和R4中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19和R20各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C24芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R17、R18、R19和R20中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自独立地是H、E、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳基、未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60芳氧基、未取代或被至少一个基团G取代的C7-C25芳烷基、未取代或被至少一个基团G取代的C5-C12环烷基、或者-SiR28R29R30，其中，G、E、D、R28、R29和R30各自独立地具有如上述定义的含义；
或者，R21、R22、R23和R24中的两者在存在于相邻碳原子上的情况下，形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环；
或者，R25可以与R21、R22、R23或R24形成5或6元的、取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族的环。
22.根据权利要求21所述的化合物，其中，选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23和R24中的至少一者是通式(b)的取代基：
(R56)t-L- (b)
其中，
L是直接键、未取代或被至少一个基团G取代的C6-C60亚芳基、或者未取代或被至少一个基团G取代的C2-C60亚杂芳基；
R56是未取代或被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的C6-C60芳基；未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的C2-C60杂芳基；和，氰基；
t是1至5、优选1至3、更优选1或2、进一步优选1的整数；且
相邻碳原子上的两个基团R56可以形成取代或未取代的、饱和或不饱和的、芳族或杂芳族环。
23.根据权利要求22所述的化合物，其中，通式(b)的取代基对应于通式(b1)：
(b1)
其中，R56和t具有如权利要求21中定义的相同含义。
24.根据权利要求22或23所述的化合物，其中，选自R21、R22、R23和R24中的至少一者、优选R23是通式(b)或(b1)的取代基。
25.根据权利要求22至24中任一项所述的化合物，其中，R56是未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的含氮C2-C60杂芳基，优选是各自可以被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、或菲咯啉基。
26.根据权利要求22至24中任一项所述的化合物，其中，R56是氰基。
27.根据权利要求22至24中任一项所述的化合物，其中，R56是未取代或被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的稠合C6-C60芳基，优选是各自可以被选自C6-C60芳基、C2-C60杂芳基和氰基中的至少一种取代的萘基、蒽基、三亚苯基、芘基、菲基、苯并菲基、苯并䓛基、苯并蒽基、芴基、苯并芴基、9,9-二甲基芴基、9,9,-二苯基芴基、和9,9'-螺二芴基。
28.根据权利要求22至24中任一项所述的化合物，其中，R56是未取代或被选自C6-C60芳基和C2-C60杂芳基中的至少一种取代的咔唑基，优选是其中两个苯环中的至少一者形成稠合的芳族或杂芳族环的咔唑基、或者下述式的取代基：
其中，
R51是C6-C60芳基；
R52、R53、R54和R55各自独立地是C1-C25烷基、C6-C60芳基、或C2-C60杂芳基；
p是0至4、优选0的整数；
q是0至2、优选0的整数；
r是0至2、优选0的整数；
s是0至4、优选0的整数；
(R52)0、(R53)0、(R54)0、和(R55)0分别是指不存在R52、R53、R54和R55。
29.根据权利要求21至28中任一项所述的化合物，其中，根据通式(Ie)所述的化合物对应于通式(If)：
(If)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4具有如权利要求19中定义的含义，且X2是O、S、NR25或CR26R27、优选是O。
30.根据权利要求21至28中任一项所述的化合物，其中，根据通式(Ie)所述的化合物对应于通式(Ig)：
(Ig)；
其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C1、C2、C3和C4具有如权利要求19中定义的含义，且X1是O、S、NR25或CR26R27、优选是O。
31.用于制备如权利要求1至30中任一项中定义的根据通式(I)所述的化合物的方法；
如果X1是直接键，且X2是O、S、NR25或CR26R27，其中，R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的相同含义，则包括步骤(a)至(d)：
(a) 使根据通式(VI)所述的化合物与根据通式(VII)所述的化合物在碱的存在下反应，从而获得根据通式(VIII)所述的化合物：
；
其中，X2、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有如权利要求1中定义的相同含义，R'是C1-C18烷基、被-O-中断的C1-C18烷基、C3-C25环烷基、C6-C18芳基、或者具有5至22个环原子的杂芳基，且Y是F、Cl、Br或I；
(b) 使根据通式(VIII)所述的化合物与根据通式(IX)所述的化合物在碱的存在下反应，从而获得根据通式(X)所述的化合物：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有如权利要求1中定义的相同含义，且Y'是F、Cl、Br或I；
(c) 将根据通式(X)所述的化合物用还原剂或H2在催化剂的存在下、在溶剂中还原，从而获得根据通式(XI)所述的化合物：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有如权利要求1中定义的相同含义；和
(d) 使根据通式(XI)所述的化合物在催化剂的存在下反应，从而获得根据通式(I)的化合物：
其中，X2、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有如上所述的相同含义；
或者，
如果X1是O、S、NR25或CR26R27、且X2是直接键，其中，R25、R26和R27具有如权利要求1中定义的相同含义，则包括步骤(e)：
(e) 使根据通式(XII)所述的化合物与根据通式(XIII)所述的化合物在碱和催化剂的存在下反应，从而获得根据通式(I)所述的化合物：
(f)
其中，X1、A1、A2、A3、A4、C1、C2、C3、C4、B1、B2、B3和B4具有如权利要求1中定义的相同含义，并且，(i)Y1是I、且Y2是Br或Cl，或者(ii)Y1是Br、且Y2是Cl，或者(iii)Y1和Y2为相同的卤素。
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