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CN108122955B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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CN108122955B CN201711224246.7A CN201711224246A CN108122955B CN 108122955 B CN108122955 B CN 108122955B CN 201711224246 A CN201711224246 A CN 201711224246A CN 108122955 B CN108122955 B CN 108122955B
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Abstract

公开一种有机发光显示装置，包括：遮光层和第一辅助电极，均在通过显示区和焊盘区限定的基板的显示区中；缓冲层，覆盖遮光层和第一辅助电极；薄膜晶体管，在缓冲层上，使其与遮光层交叠；下焊盘部，在焊盘区的缓冲层上；上焊盘部，经层间绝缘膜与下焊盘部间隔开且经由焊盘接触孔连接到下焊盘部；第二辅助电极，经第一接触孔连接到第一辅助电极；平坦化膜，覆盖薄膜晶体管和第二辅助电极；焊盘保护膜，覆盖上焊盘部的侧表面并暴露上焊盘部的部分上表面；第一电极，在平坦化膜上电连接到薄膜晶体管；第三辅助电极，经第二接触孔连接到第二辅助电极；有机发光层，在第一电极上；第二电极，在包括发光层的有机发光层上且电连接到第三辅助电极。

Description

有机发光显示装置
本申请要求2016年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0162383的权益，在此通过参考将其并入本文，就如在本文全部阐述一样。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法，更特别地，涉及用于减小厚度、降低制造成本和保护焊盘部的有机发光显示装置。
背景技术
正在将用于在屏幕上显示各种信息的图像显示装置开发成为更纤薄、质量更轻、更便携和更高功能的形式，这是信息技术时代的重要技术。响应于这些需求，通过控制由有机发光层发出的光量显示图像的有机发光显示装置作为能够减小重量和体积的平板显示装置吸引了大量注意，阴极射线管在重量和体积方面具有缺陷。
有机发光显示装置通过以矩阵形式设置的多个像素显示图像。每个像素都包括发光元件和像素驱动电路，像素驱动电路单独操作发光元件且包括多个晶体管、存储电容器等。每个发光元件都包括在第一电极和第二电极之间的发光层。
近些年，已经在积极研究用以确保孔径比并且实现透明显示的顶发射型有机发光显示装置。顶发射型有机发光显示装置的发光层应当渗透(permeate)上部电极即第二电极，并发光以显示图像。由此，使用透明导电材料形成第二电极。由于透明导电材料具有比金属更高的电阻，因此使用辅助电极降低这种电阻。这种情况下，辅助电极可形成在与第一电极相同的层中，但是不能被形成为使其与第一电极交叠。由此，在增加辅助电极的面积方面存在空间上的限制，这导致在降低第二电极的电阻方面的限制。
因此，提出了一种顶发射型有机发光显示装置，其还包括经由第一电极和薄膜晶体管之间的绝缘膜插入的连接电极(连接层)，以将第一电极连接至薄膜晶体管，其中辅助电极形成在与连接层相同的层中。
但是，这种情况下，叠置这种附加的层将导致有机发光显示装置的厚度增加，且所使用的掩模数量增加，由此引起制造成本增加。此外，在所提出的有机发光显示装置中，一般采用具有高反射率的金属比如银(Ag)形成连接电极，并且使用与形成连接电极相同的工艺形成焊盘部。但是，当使用银形成焊盘部时，由于银的低抗蚀性导致有机发光显示装置的焊盘部被侵蚀，由此具有接触缺陷的问题。
发明内容
因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本避免了由于相关技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题的有机发光显示装置。
本发明的一方面是提供一种用于减小厚度、降低制造成本和保护焊盘部的有机发光显示装置。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的描述将变得显而易见或者可通过本文提供的发明构思的实践领会到。通过说明书或其导出物、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明构思的其它特征和方面。
为了实现本发明构思的这些和其它方面，如在此具体化和概括描述的，一种有机发光显示装置包括：遮光层和第一辅助电极，所述遮光层和所述第一辅助电极的每一个都被设置在基板的显示区中，其中所述基板通过所述显示区和焊盘区限定；缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述第一辅助电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上，并使得所述薄膜晶体管与所述遮光层交叠；下焊盘部，所述下焊盘部设置在所述焊盘区的缓冲层上；上焊盘部，所述上焊盘部经由层间绝缘膜与所述下焊盘部间隔开且经由焊盘接触孔连接到所述下焊盘部；第二辅助电极，所述第二辅助电极经由第一接触孔连接到所述第一辅助电极；平坦化膜，所述平坦化膜覆盖所述薄膜晶体管和所述第二辅助电极；焊盘保护膜，所述焊盘保护膜覆盖所述上焊盘部的侧表面并暴露出所述上焊盘部的上表面的一部分；第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化膜上且电连接到该薄膜晶体管；第三辅助电极，所述第三辅助电极经由第二接触孔连接到所述第二辅助电极；有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极设置在包括发光层的有机发光层上且电连接到所述第三辅助电极。
将理解，前文的大体性描述和下文的具体描述都是都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明构思提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的各种原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的有机发光显示装置的截面图；以及
图2A至2D是示出根据本发明的有机发光显示装置的制造方法的示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述本发明的优选实施方式。尽可能地将在整个附图中采用相同的附图标记指代相同或相似的部分。在下文描述中，将省略对与本发明相关的公知技术或构造的详细描述，以免不必要地混淆本发明的主题。而且，考虑到易于撰写说明书选择下文描述中使用的元件名称，且其可与元件的实际名称不同。
将理解，在位置关系的描述方面，当一元件被称为位于另一元件或层“上”、“上方”、“下方”或“之后”时，可以在两个元件之间存在一个或多个中间元件，除非使用了术语“紧接”或“直接”。
尽管可采用诸如“第一”和“第二”之类的术语描述各种部件，但是这些术语仅用于彼此区分相同或相似部件。因此，在整个说明书，在本发明的技术构思中“第一”部件可与“第二”部件相同，除非有另外明确提及。
为便于画图示出了图中示出的元件的尺寸和厚度，本发明不必限于此。
以下，将参照附图描述本发明的各实施方式。
图1是示出根据本发明实施方式的有机发光显示装置的示意图。
根据本发明的有机发光显示装置包括显示区A/A和焊盘区P/A。
根据本发明的有机发光显示装置包括设置在显示区A/A中的薄膜晶体管T、电连接到薄膜晶体管T的第一电极51、有机发光层52、第二电极53和电连接到第二电极53的辅助电极30。此外，根据本发明的有机发光显示装置包括设置在焊盘区P/A中的焊盘电极40。
薄膜晶体管T包括有源层20、栅极绝缘膜26、栅极27、源极24和漏极25。
辅助电极30包括第一辅助电极31、第二辅助电极32和第三辅助电极33。
此外，焊盘电极40包括下焊盘部41和上焊盘部42。
将参照图1更具体地描述这种结构。参照图1，缓冲层11设置在基板10上。缓冲层11防止湿气或杂质渗入到基板10中，并且平坦化膜13用于平坦化基板10的上表面。可使用无机绝缘材料比如SiNx或SiOx形成缓冲层10。
由半导体例如硅或氧化物半导体制成的有源层20形成在缓冲层11上。栅极绝缘膜26设置在有源层20上且栅极27设置在栅极绝缘膜26上。将栅极27设置成使其经由栅极绝缘膜26与有源层20的沟道区21交叠。栅极27可具有由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的任一种或其合金制成的单层或多层。
遮光层8设置在薄膜晶体管T的下方。遮光层8用于阻挡入射到有源层20上的光且减小在薄膜晶体管T和各条线(未示出)之间产生的寄生电容。遮光层8可由银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)中的任一种的金属或其合金形成。
层间绝缘膜12设置在栅极27上。层间绝缘膜12自显示区A/A延伸至基板10表面的整个区域，包括焊盘区P/A的下焊盘部41。层间绝缘膜12可被形成为由无机绝缘材料比如SiNx或SiOx制成的单层或多层。
这种情况下，层间绝缘膜12包括暴露出有源层20的源极区22的第一接触孔H1和暴露出漏极区23的第二接触孔H2。
源极24经由第一接触孔H1连接到源极区22，漏极25经由第二接触孔H2连接到漏极区23。这种情况下，为了在漏极25、有源层21与遮光层8之间产生等电位，可经由通过去除部分的层间绝缘膜12和缓冲层11形成的第三接触孔H3将漏极25进一步连接到遮光层8。当在漏极25、有源层21与遮光层8之间形成等电位时，防止在漏极25和有源层21之间或者在有源层21和遮光层8之间形成寄生电容。
源极24和漏极25可以是单层或多层，其包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金，但是本发明不限于此。但是，根据本发明的有机发光显示装置设置有由有机绝缘材料制成的前述平坦化膜13，代替由薄膜晶体管T上的无机绝缘材料制成的钝化层，这与常规有机发光显示装置不同。因此，以多层结构形成源极24和漏极25以便保护电极不受外界氧气、湿气等的影响，且使用高抗蚀性材料形成最上层和最下层，以便通过覆盖(capping)保护设置在中间部分中的电极层。
例如，源极24可包括三层即第一源极片段层(fraction layer)24a、第二源极片段层24b和第三源极片段层24c。相似地，漏极25可包括三层即第一漏极片段层25a、第二漏极片段层25b和第三漏极片段层25c。
这种情况下，第一至第三源极片段层24a至24c和第一至第三漏极片段层25a至25c可以是依次叠置的MoTi/Cu/MoTi三层。但是，第一至第三源极片段层24a至24c和第一至第三漏极片段层25a至25c可使用各种材料形成，而不限于上述材料。
平坦化膜13设置在薄膜晶体管T上。平坦化膜13用于平坦化设置了薄膜晶体管T的基板10的上部。平坦化膜13例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成。
第一电极51形成在平坦化膜13上。第一电极51设置在开口511中以在基板10中限定发光区且电连接到薄膜晶体管T。在这种情况下，第一电极51设置在平坦化膜13中且经由暴露出漏极25的第四接触孔H4电连接到薄膜晶体管T的漏极25。
根据薄膜晶体管T的类型，第一电极51用作阳极或阴极。在本实施方式中，第一电极51用作有机发光元件的阳极。这种情况下，第一电极51由具有相对较高功函数的透明导电材料例如ITO、IZO、ZnO或IGZO制成。此外，第一电极51可包括高反射性金属材料例如铝(Al)、银(Ag)、APC(Ag/Pb/Cu)等。这是为了将入射到有机发光元件下部上的光朝向其上部反射，以有助于有机发光元件的光发射，从而改善顶发射型发光装置的效率和寿命。这种情况下，高反射性金属比如铝(Al)或银(Ag)易于被外部氧气、湿气等氧化。因此，第一电极51也包括三层即第一电极下部层51a、第一电极中间层51b和第一电极上部层51c，第一电极中间层51b包括高反射性材料比如Ag，第一电极下部层51a和第一电极上部层51c优选使用透明导电材料形成，以便保护第一电极中间层51b的高反射性金属层。这种情况下，第一电极上部层51c由透明导电材料制成，使得由第一电极中间层51b反射的光穿过第一电极上部层51c且朝向有机发光元件的上部发射。基于这些特性，根据本发明的有机发光显示装置具有如下优势：由于入射到发光元件下部上的光被反射向上部以有助于有机发光元件的光发射，因此改善了有机发光元件的效率和寿命。
堤绝缘膜14被形成为覆盖一部分第一电极51且限定作为发光区的开口511。堤绝缘膜14可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成。
有机发光层52设置在第一电极51上。这种情况下，有机发光层52可具有空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)的结构。在其顶部上，有机发光层52可进一步包括至少一个功能层以改善发光层的发光功效和寿命，例如，用以产生电荷的电荷产生层、附加的电子传输层、附加的空穴传输层等。
有机发光层52可延伸以覆盖绝缘膜14的上部从而减少掩模数量。这种情况下，有机发光层52的发光层可仅被设置在第一电极51上且可不形成在其它区域中。
设置第二电极53以覆盖有机发光层52和堤14的上表面。当第一电极51用作阳极时，第二电极53用作阴极。在顶发射型有机发光显示装置中，使用具有小厚度(例如约
Figure GDA0003135945410000071
或以下)以透光并具有低功函数的金属材料形成第二电极53，使得来自有机发光层52的光穿过第二电极53，且由此实现顶发射。可用在第二电极53中的材料例如可包括银(Ag)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)以及银(Ag)和镁(Mg)的合金中的至少一种。此外，使用透明导电材料比如ITO、IZO、IGZO或ZnO形成第二电极53，由此允许来自有机发光层52的光穿过第二电极53并实现顶发射。
由具有极小厚度的金属或者透明导电材料制成的第二电极53具有相对较高的电阻。当第二电极53是阴极时，随着第二电极53的电阻增加，提供到有机发光元件的低电源电压(VSS)增加，由此降低了有机发光元件的亮度、功效和寿命。在尝试解决这些问题时，为了降低第二电极53的电阻，第二电极53电连接至辅助电极30。使用具有相对较低电阻的材料形成辅助电极30，使得第二电极53连接至辅助电极30，由此降低了第二电极53的电阻。
这种情况下，辅助电极30可具有三层结构，包括第一辅助电极31、第二辅助电极32和第三辅助电极33，第二电极53可电连接至通过去除一部分堤绝缘膜14暴露出来的第三辅助电极33。
下文将更具体地描述辅助电极30的结构。
第一辅助电极31形成在与遮光层8相同的层上，也就是在基板10上，并且被缓冲层11覆盖。这种情况下，可使用与遮光层8相同的材料形成第一辅助电极31。如前所述，由于层间绝缘膜12设置在基板10的整个表面上方，因此缓冲层11和层间绝缘膜12设置在第一辅助电极31上。
第二辅助电极32设置在第一辅助电极31与层间绝缘膜12交叠的区域中。第二辅助电极32经由通过去除部分缓冲层11和层间绝缘膜12而暴露第一辅助电极31的第五接触孔H5连接到第一辅助电极31。
可使用与源极24和漏极25相同的材料将第二辅助电极32形成在与源极24和漏极25相同的层中。也就是，与由第一至第三片段层构成的源极24和漏极25相似，第二辅助电极32也可具有三层结构，包括第一辅助电极片段层32a、第二辅助电极片段层32b和第三辅助电极片段层32c，但是本发明不限于此。第二辅助电极32可形成为单层或多层。例如，当源极24和漏极25分别是具有MoTi/Cu/MoTi叠层的三层时，第一辅助电极片段层32a和第三辅助电极片段层32c由MoTi制成，第二辅助电极片段层32b由Cu制成，使得通过依次叠置的三层MoTi/Cu/MoTi形成第二辅助电极32。这种情况下，用于第二辅助电极32的材料不限于上述材料，且可从构成源极24和漏极25的上述金属中可变地选择。
平坦化层13形成在薄膜晶体管T上并延伸到辅助电极32的上部。这种情况下，通过去除平坦化膜13暴露出第二辅助电极32的上表面的第六接触孔H6设置在平坦化膜13与第二辅助电极32交叠的一部分区域中。
第三辅助电极33形成在平坦化膜13上。由于使用与第一电极51相同的材料在与第一电极51相同的层中形成第三辅助电极33，因此可不通过任何附加工艺形成第三辅助电极33。
与包括具有第一电极下部层51a、第一电极中间层51b和第一电极上部层51c的三层结构的第一电极51相似，也以三层结构形成第三辅助电极33，但是本发明不限于此。第一电极51可被形成为单层或多层。当第三辅助电极33是三层结构时，第三辅助电极33可具有第四辅助电极片段层33a、第五辅助电极片段层33b和第六辅助电极片段层33c的三层结构。
与第一电极51相似，第三辅助电极33包括由高反射性金属比如Ag制成的第五辅助电极片段层33b、由透明导电材料制成的第四辅助电极片段层33a和第六辅助电极片段层33c，从而具有用于保护第一电极中间层51b的高反射性金属层的结构。
堤绝缘膜14也可设置在第三辅助电极33上。堤绝缘膜14覆盖一部分的第一电极51且延伸到第三辅助电极33的上部。这种情况下，通过去除一部分堤绝缘膜14暴露出一部分第三辅助电极33的有机孔512设置在第三辅助电极33中。
阻挡层(barrier)54可进一步设置在有机孔512中。阻挡层54包括具有倒锥形状的侧表面端部，但是本发明不限于此。可使用与堤绝缘膜14相同的材料形成阻挡层54，但是本发明不限于此。阻挡层54包括具有倒锥形状的两个侧表面，使得有机发光层52的一部分不连续地形成在阻挡层54的上侧上，同时有机发光层52不形成在阻挡层54的相邻区域中。因此，第三辅助电极33的第六辅助电极片段层33c被暴露在阻挡层54的相邻区域中，且第二电极53接触位于阻挡层54的相邻区域中的第三辅助电极33。
如上所述，第二电极53形成在开口511和堤绝缘膜14中。也就是，第二电极53形成在设置了第六辅助电极片段层33c的区域中，且一部分第二电极53也不连续地形成在位于阻挡层54的上部中的不连续的有机发光层52上。
这种情况下，与有机发光层52不同，第二电极53自开口511中的第二电极连续延伸至阻挡层54的相邻区域。因此，第三辅助电极33和连续的第二电极53(其一部分经由有机孔512暴露)在阻挡层54的相邻区域中电连接。
如上所述，第二电极53连接至辅助电极30，由此降低第二电极53的高电阻。特别是，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，辅助电极30包括顺序叠置的第一至第三辅助电极31至33，且由此与常规情况相比极大地增加了辅助电极30的面积，从而有效降低了第二电极53的电阻。特别是，辅助电极30被形成为三层结构，第二电极53的电阻被有效降低而不增加与第一电极51形成在相同层中的第三辅助电极33的面积。因此，不需要将连接电极插入到第一电极51和漏极25之间以像常规有机发光显示装置那样增大辅助电极，从而能减小有机发光显示装置的厚度，用于形成连接电极的掩模数量可减少且由此能简化有机发光显示装置的整个制造工艺，且能降低制造成本。
尽管未示出，但是，将密封部分设置在第二电极53上。密封部分用于保护有机发光元件和诸如薄膜晶体管T之类的元件不受外部撞击的影响，且防止渗入湿气。这种情况下，密封部分可以是由无机绝缘材料比如SiOx或SiNx制成的单层，或者是由交替叠置的无机绝缘材料制成的多层。
焊盘电极40设置在焊盘区P/A的基板10上。将参照图1更具体地描述这种结构。焊盘电极40包括下焊盘部41和上焊盘部42。
尽管图1中未示出，但是焊盘电极40接触用于连接至驱动电路(未示出)的驱动线(未示出)以驱动有机发光显示装置。此外，驱动电路提供多个驱动信号以通过焊盘电极40驱动有机发光显示装置。根据本发明的焊盘电极40具有两层结构，包括下焊盘部41和上焊盘部42，从而降低焊盘电极40的电阻且由于在上部层中产生接触而可容易地进行接触。
下焊盘部41设置在缓冲层11的焊盘区P/A上，缓冲层设置在基板10的表面的整个区域上方。可使用与薄膜晶体管T的栅极27相同的材料形成下焊盘部41。
层间绝缘膜12设置在下焊盘部41上。层间绝缘膜12自显示区A/A延伸至基板10的整个表面，从而覆盖下焊盘部41。这种情况下，通过去除一部分层间绝缘膜12暴露出下焊盘部41的上部的焊盘部接触孔H7设置在与下焊盘部41对应的区域中。也就是，层间绝缘膜12覆盖下焊盘部41的侧表面以防止构成下焊盘部41的金属的腐蚀。
上焊盘部42设置在层间绝缘膜12与下焊盘部41交叠的区域中。
可使用与源极24和漏极25相同的材料形成上焊盘部42。也就是，上焊盘部42可以是单层或多层，其包括可用于形成源极24和漏极25的钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或者其合金，但是本发明不限于此。
上焊盘部42可具有三层结构，与具有三层结构的源极24和漏极25相似。例如，与包括第一至第三片段层的源极24和漏极25相似，上焊盘部42也可具有三层结构，包括第一焊盘部片段层42a、第二焊盘部片段层42b和第三焊盘部片段层42c，但是本发明不限于此。这种情况下，当源极24和漏极25是依次叠置的三层MoTi/Cu/MoTi时，第一焊盘部片段层42a和第三焊盘部片段层42c由MoTi制成，第二焊盘部片段层42b由Cu制成，使得上焊盘部42可具有依次叠置的三层结构MoTi/Cu/MoTi，但是本发明不限于这些材料。
焊盘保护膜45设置成覆盖上焊盘部42的侧表面。此外，焊盘保护膜45不全部覆盖上焊盘部42的上表面且暴露出一部分的上焊盘部42。通过具有暴露的上表面的上焊盘部42，焊盘电极40接触各条线且接收驱动信号以驱动有机发光显示装置。
焊盘保护膜45覆盖上焊盘部42的侧表面。上焊盘部42的第二焊盘部片段层42b可以由具有弱抗蚀性的铜(Cu)制成。由此，焊盘保护膜45包围第二焊盘部片段层42b，由此有利地防止第二焊盘部片段层42b的腐蚀。
特别是，当上焊盘部42与源极24和漏极25同时形成时，通过用于形成第一电极51的蚀刻剂可产生第二焊盘部片段层42b的缺陷，即腐蚀。由此，焊盘保护膜45包围第二焊盘部片段层42b，由此防止第二焊盘部片段层42b的腐蚀。
可使用与平坦化膜13相同的材料同时形成焊盘保护膜45。也就是，与平坦化膜13相似，焊盘保护膜45可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成。这种情况下，如上所述，通过使用金属比如铜(Cu)形成第二焊盘部片段层42b。当丙烯酸树脂连接到包括铜(Cu)的第二焊盘部片段层42b时，第二焊盘部片段层42b可被腐蚀，但是聚酰亚胺树脂没有引起这种现象的可能性。因此，为了保护第二焊盘部片段层42b，最优选通过使用聚酰亚胺树脂形成焊盘保护膜45。因此，当焊盘保护膜45和平坦化膜13同时形成时，平坦化膜13也优选使用聚酰亚胺树脂形成。
图2A至2D是示出根据本发明的有机发光显示器的制造方法的示意图。
首先，如图2A中所示，遮光层8和第一辅助电极31形成在基板10上，通过在基板10的表面整个区域上方沉积形成缓冲层11以覆盖其上部。遮光层8和第一辅助电极31可通过沉积选自银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)的单种材料或其合金、之后进行图案化而同时形成。
之后，如图2B中所示，由半导体材料制成的有源层20形成在缓冲层11上。此外，栅极绝缘膜26和栅极27依次形成在有源层20的沟道区21上。
此外，通过与形成栅极27相同的工艺形成下焊盘部41。可通过沉积具有单层或多层结构的第二金属层(未示出)、之后进行图案化来形成栅极和下焊盘部41，第二金属层包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr),金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的任一种或其合金，但是本发明不限于此。
之后，通过使用栅极27作为掩模用杂质来掺杂有源层20以形成源极区22和漏极区23。当有源层20由氧化物半导体制成时，可通过用等离子体处理来固化有源层20的两侧形成源极区22和漏极区23。
接下来，层间绝缘膜12在栅极27和下焊盘部41上形成在基板10的整个表面上方。像缓冲层10那样，层间绝缘膜12可由无机绝缘材料制成。
之后，层间绝缘膜12被图案化以形成暴露出源极区22的第一接触孔H1和暴露出漏极区23的第二接触孔H2。这种情况下，在显示区A/A中，层间绝缘膜12和缓冲层11的多个部分被图案化以形成暴露出遮光层8的第三接触孔H3和暴露出第一辅助电极31的第五接触孔H5。此外，通过图案化层间绝缘膜12暴露出下焊盘部41的上表面的焊盘部接触孔H7设置在焊盘区P/A中。
之后，在层间绝缘膜12上，形成通过第一接触孔H1连接到源极区22的源极24，并形成通过第二接触孔H2连接到漏极区23的漏极25。此时，漏极25可通过第三接触孔H3连接到遮光层8，但是本发明不限于此。同时，在层间绝缘膜12上，形成经由第五接触孔H5连接到第一辅助电极31的第二辅助电极32和经由第七接触孔H7连接到下焊盘部41的上焊盘部42。
这种情况下，源极24、漏极25、第二辅助电极32和上焊盘部42可具有多层结构，如上所述。例如，当具有三层叠层结构MoTi/Cu/MoTi时，可通过在层间绝缘膜12的整个上表面上方叠置三层金属MoTi/Cu/MoTi并同时将其图案化来形成源极24、漏极25、第二辅助电极32和上焊盘部42。
此时，如图2C中所示，平坦化膜13形成在薄膜晶体管T和第二辅助电极32上。平坦化膜13可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成。
同时，焊盘保护膜45被形成为覆盖位于焊盘区P/A中的焊盘电极40的上焊盘部42的侧表面。使用与平坦化膜13相同的材料形成焊盘保护膜45。
在形成平坦化膜13和焊盘保护膜45时，使用半色调掩模等将焊盘保护膜45图案化，使得焊盘保护膜45的厚度小于平坦化膜13。
此外，平坦化膜13被图案化以形成暴露出一部分漏极25的第四接触孔H4和暴露出一部分第二辅助电极32的第六接触孔H6。同时，在焊盘区P/A中，一部分焊盘保护膜45被图案化，以暴露出上焊盘部42的上表面。此外，第一电极51和第三辅助电极33形成在平坦化膜13上。如上所述，可将第一电极51和第三辅助电极33形成为具有三层结构。为此目的，可通过沉积多个金属层、然后同时将其图案化形成第一电极51和第三辅助电极33。
例如，假设第一电极51的下部层51a和上部层51c以及第三辅助电极33的第四和第六辅助电极片段层33a和33c由ITO制成，且第一电极51的中间层51b和第五辅助电极片段层33b由Ag制成，可通过以ITO/Ag/ITO的顺序依次沉积金属层、然后同时将其图案化形成这些层。这种情况下，包括焊盘部45的焊盘电极40包括具有差抗蚀性的金属比如Cu，但是由具有差抗蚀性的金属制成的层被焊盘保护膜45密封，且仅暴露出焊盘保护膜45上的具有高抗蚀性的金属，使得用于图案化以形成第一电极51和第三辅助电极33的蚀刻剂的影响很小。
之后，如图2D中所示，堤绝缘膜14形成在第一电极51和第三辅助电极33上。堤绝缘膜14可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等制成，但是本发明不限于此。之后，堤绝缘膜14被图案化以形成开口51和有机孔512。
同时，将具有倒锥形状的阻挡层54形成在经由有机孔512暴露的第三辅助电极33上。堤绝缘膜14和阻挡层54可同时形成且可通过不同工艺形成。可使用与堤绝缘膜14相同的材料形成阻挡层54。
此外，有机发光层52形成在第一电极51和堤绝缘膜14上。
有机发光层52可包括空穴注入层(HTL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
第二电极53形成在基板10的表面的整个区域上方。通过使用具有低功函数的材料比如银(Ag)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)和镁(Mg)或者其合金，或者透明导电材料比如ITO、IZO、IGZO或ZnO，将第二电极53形成为小厚度。第二电极53可如上所述接触位于阻挡层54的相邻区域中的辅助电极30的第三辅助电极33。
此外，密封层(未示出)形成在下部基板10的整个表面上方。密封层可以是包括SiOx和SiNx中至少一种的单层，或者包括交替叠置的SiOx和SiNx的多层。
常规有机发光显示装置包括在漏极和第一电极之间具有连接电极和辅助电极的分开的层，且进一步包括在连接电极和辅助电极上的附加平坦化层。此外，常规有机发光显示装置还包括由无机膜制成的钝化层以保护焊盘部。
与此相对照，在根据本发明的有机发光显示装置中，代替形成钝化层，为了提供钝化特征，通过在形成源极24和漏极25、第二辅助电极32和上焊盘部42(其每一个都具有三层叠置结构)的同时形成聚酰亚胺(PI)平坦化膜13的工艺形成用于保护上焊盘部42的焊盘保护膜45。此外，根据本发明的有机发光显示装置不需要形成连接电极和与连接电极设置在相同层中的辅助电极，实现了作为单层的平坦化层。
总之，根据本发明的有机发光显示装置能确保辅助电极30具有足够的面积，而不形成钝化层、附加的平坦化膜、附加的连接电极以及辅助电极。因此，有利地，根据本发明的顶发射型有机发光显示装置与常规有机发光显示装置相比能够减少三至四道掩模，由此简化了工艺，且降低了制造成本，并且减小了有机发光显示装置的厚度以及第二电极53的电阻。
根据本发明的有机发光显示装置能够确保辅助电极具有足够的面积，而不需要形成钝化层、附加的平坦化膜、附加的连接电极和辅助电极。因此，根据本发明的顶发射型有机发光显示装置需要的掩模比常规有机发光显示器需要的掩模少了三至四道，由此，有利地简化了工艺和降低了制造成本、减小了有机发光显示装置的厚度以及第二电极的电阻。
在不背离本发明的技术精神或范围的情况下，可在本发明的有机发光显示装置中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书的范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，包括：
遮光层和第一辅助电极，所述遮光层和所述第一辅助电极的每一个都被设置在基板的显示区中，其中所述基板通过所述显示区和焊盘区限定；
缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述第一辅助电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上，并使得所述薄膜晶体管与所述遮光层交叠；
下焊盘部，所述下焊盘部设置在所述焊盘区的缓冲层上；
上焊盘部，所述上焊盘部经由层间绝缘膜与所述下焊盘部间隔开且经由焊盘接触孔连接到所述下焊盘部；
第二辅助电极，所述第二辅助电极经由第一接触孔连接到所述第一辅助电极；
平坦化膜，所述平坦化膜覆盖所述薄膜晶体管和所述第二辅助电极；
焊盘保护膜，所述焊盘保护膜覆盖所述上焊盘部的侧表面并暴露出所述上焊盘部的上表面的一部分；
第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化膜上且电连接到该薄膜晶体管；
第三辅助电极，所述第三辅助电极经由第二接触孔连接到所述第二辅助电极；
有机发光层，所述有机发光层设置在所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极设置在包括发光层的有机发光层上且电连接到所述第三辅助电极，
其中，所述薄膜晶体管的漏极连接到所述遮光层，
其中，所述第一接触孔和所述第二接触孔不交叠并且间隔开，并且
其中，所述第一辅助电极与所述第一接触孔、所述第二接触孔以及所述第一接触孔和所述第二接触孔之间的区域交叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中使用与所述平坦化膜相同的材料在与所述平坦化膜相同的层上形成所述焊盘保护膜，并且所述焊盘保护膜与所述平坦化膜分离，
所述焊盘保护膜的厚度小于所述平坦化膜的厚度，并且
所述焊盘保护膜下方的所述层间绝缘膜暴露在所述焊盘区中的所述焊盘保护膜的侧表面的外围。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上且包括沟道区、源极区和漏极区；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜设置在所述有源层的沟道区上；
栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘膜上；
源极，所述源极连接至所述有源层的源极区；和
所述漏极，所述漏极连接至所述有源层的漏极区，
其中，所述层间绝缘膜覆盖所述栅极，并且
所述下焊盘部设置在与所述栅极相同的层中且使用与所述栅极相同的材料形成。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述源极和所述漏极设置在与所述上焊盘部和所述第二辅助电极相同的层中，且所述源极和所述漏极使用与所述上焊盘部和所述第二辅助电极相同的材料形成。
5.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述源极、所述漏极、所述上焊盘部和所述第二辅助电极中的至少一个具有包括三层金属层的叠置结构。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述三层金属层是依次叠置的MoTi、Cu和MoTi。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
堤绝缘膜，所述堤绝缘膜设置在所述第一电极上以暴露出所述第一电极的一部分，所述堤绝缘膜限定发光区并暴露出所述第三辅助电极的一部分；和
阻挡层，所述阻挡层设置在所述第三辅助电极的暴露部分上且具有倒锥形状，
其中所述第三辅助电极电连接到位于所述阻挡层的相邻区域中的第二电极。
8.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘保护膜和所述平坦化膜包括聚酰亚胺(PI)。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极和所述第三辅助电极中的至少一个具有三层金属层的叠置结构，所述三层金属层包括下部层、中间层和上部层。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述三层金属层是依次叠置的ITO、Ag和ITO。
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