[go: up one dir, main page]

KR102457997B1 - 전계 발광 표시장치 - Google Patents

전계 발광 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102457997B1
KR102457997B1 KR1020170184839A KR20170184839A KR102457997B1 KR 102457997 B1 KR102457997 B1 KR 102457997B1 KR 1020170184839 A KR1020170184839 A KR 1020170184839A KR 20170184839 A KR20170184839 A KR 20170184839A KR 102457997 B1 KR102457997 B1 KR 102457997B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
potential wiring
light emitting
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170184839A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190081955A (ko
Inventor
한전필
이지흔
김태용
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170184839A priority Critical patent/KR102457997B1/ko
Priority to CN201811480560.6A priority patent/CN109994517B/zh
Priority to US16/223,854 priority patent/US11164933B2/en
Publication of KR20190081955A publication Critical patent/KR20190081955A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102457997B1 publication Critical patent/KR102457997B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H01L51/5203—
    • H01L27/3246—
    • H01L27/3262—
    • H01L51/5237—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6723—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device having light shields
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6733—Multi-gate TFTs
    • H10D30/6734—Multi-gate TFTs having gate electrodes arranged on both top and bottom sides of the channel, e.g. dual-gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 저전위 배선의 저항 문제를 개구율 감소 없이 해결할 수 있는 전계 발광 표시장치를 제공하는 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는, 기판, 기판 상에 구비된 제 1 전극, 제 1 전극의 끝단을 가리면서 발광 영역을 정의하도록 구비된 뱅크, 뱅크에 의해 정의된 발광 영역에서 제 1 전극 상에 구비된 발광층, 발광층 및 뱅크 상에 구비된 제 2 전극, 제 2 전극 상에 구비된 도전층, 및 기판 상에 구비되고 제 2 전극 또는 도전층과 전기적으로 연결된 저전위 배선(VSS)을 포함한다.

Description

전계 발광 표시장치{Electroluminescent Display Device}
본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
전계 발광 표시장치는 두 개의 전극 사이에 발광층이 구비된 구조로 이루어져, 상기 두 개의 전극 사이의 전계에 의해 상기 발광층이 발광함으로써 화상을 표시하는 장치이다.
상기 발광층은 전자와 정공의 결합에 의해 엑시톤(exciton)이 생성되고 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 유기물로 이루어질 수도 있고, 퀀텀 도트(Quantum dot)와 같은 무기물로 이루어질 수도 있다.
현재 적용되고 있는 전계 발광 표시장치는 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어질 수 있다. 다만, 상부 발광 방식의 전계 발광 표시장치는 캐소드 전극을 얇은 투명 금속으로 구비하므로, 이와 연결된 저전위 배선의 저항이 높아져 화소에서 휘도 불균일이 발생한다는 문제가 있다.
본 발명은 저전위 배선의 저항 문제를 개구율 감소 없이 해결할 수 있는 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는, 기판, 기판 상에 구비된 제 1 전극, 제 1 전극의 끝단을 가리면서 발광 영역을 정의하도록 구비된 뱅크, 뱅크에 의해 정의된 발광 영역에서 제 1 전극 상에 구비된 발광층, 발광층 및 뱅크 상에 구비된 제 2 전극, 제 2 전극 상에 구비된 도전층, 및 기판 상에 구비되고 제 2 전극 또는 도전층과 전기적으로 연결된 저전위 배선(VSS)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 제 2 전극 상에 패터닝 형태로 구비된 도전층을 통하여 저전위 배선의 저항을 낮출 수 있으므로, 개구율을 증가시킬 수 있고, 수명을 연장할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 전계 발광 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 2의 선 I-I'의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 2의 선 I-I'의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치의 개략적인 평면도이다. 도 1에서 X축은 게이트 라인과 나란한 방향을 나타내고, Y축은 데이터 라인과 나란한 방향을 나타내며, Z축은 전계 발광 표시장치의 높이 방향을 나타낸다
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 기판(100), 소스 드라이브 집적회로(410), 연성필름(430), 회로보드(450), 및 타이밍 제어부(500)를 포함한다.
상기 기판(100)은 플렉서블 기판, 예를 들어, 투명 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 폴리이미드 재질의 기판(100)은 캐리어 유리 기판에 마련되어 있는 릴리즈층의 전면(前面)에 일정 두께로 코팅된 폴리이미드 수지가 경화된 것일 수 있다. 캐리어 유리 기판은 레이저 릴리즈 공정을 이용한 릴리즈층의 릴리즈에 의해 기판(100)으로부터 분리된다. 기판(100)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들 및 화소들이 구비된다. 화소들은 복수의 서브 화소들을 포함하며, 복수의 서브 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 영역들에 구비된다.
일 예에 따른 기판(100)은 액티브 영역(AA), 및 비액티브 영역(NA)를 포함할 수 있다.
상기 액티브 영역(AA)은 영상이 표시되는 영역으로서, 기판(100)의 중앙 부분에 정의될 수 있다. 액티브 영역(AA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 구비될 수 있다.
상기 비액티브 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 비표시 영역으로서, 액티브 영역(AA)을 둘러싸도록 기판(100)의 가장자리 부분에 정의될 수 있다. 비액티브 영역(NA)에는 게이트 구동부(GP), 패드부(DP), 및 저전위 배선 컨택부(CP)가 구비될 수 있다.
상기 게이트 구동부(GP)는 타이밍 제어부(500)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(GP)는 기판(110)의 액티브 영역(AA)의 일측 바깥쪽의 비액티브 영역(NA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 구비될 수 있다.
상기 패드부(DP)는 타이밍 제어부(500)로부터 입력되는 데이터 제어신호에 따라 데이터 라인들에 데이터 신호들을 공급한다. 패드부(DP)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름(430)에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 기판(100)의 액티브 영역(AA)의 일측 바깥쪽의 비액티브 영역(NA)에 부착될 수 있다.
상기 저전위 배선 컨택부(CP)는 저전위 배선(VSS)과 액티브 영역(AA) 내의 화소에 포함된 제 2 전극을 연결할 수 있다. 예를 들어, 저전위 배선 컨택부(CP)는 상기 제 2 전극 가장자리와 중첩되는 영역에 구비되어, 컨택홀을 통해 제 2 전극의 가장자리 부분에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 소스 드라이브 집적 회로(410)는 타이밍 제어부(500)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 집적 회로(410)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 집적 회로(410)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(430)에 실장될 수 있다.
상기 연성필름(430)에는 패드부(DP)와 소스 드라이브 집적 회로(410)를 연결하는 배선들, 패드부(DP)와 회로보드(450)를 연결하는 배선들이 구비될 수 있다. 연성필름(430)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드부(DP) 상에 부착되며, 이로 인해 패드부(DP)와 연성필름(430)의 배선들이 연결될 수 있다.
상기 회로보드(450)는 연성필름(430)들에 부착될 수 있다. 회로보드(450)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(450)에는 타이밍 제어부(500)가 실장될 수 있다. 회로보드(450)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
상기 타이밍 제어부(500)는 회로보드(450)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(500)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(GP)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 집적 회로(410)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(500)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(GP)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 집적 회로(410)들에 공급한다.
도 2는 도 1의 A 영역을 확대 도시한 것이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 2의 선 I-I'의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 기판(100), 차광층(110), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(T), 층간 절연막(130), 패시베이션층(140), 평탄화층(150), 제 1 전극(E1), 뱅크(160), 발광층(EL), 제 2 전극(E2), 도전층(170), 저전위 배선(VSS)(200), 신호 패드(300), 및 패드 전극(310)을 포함한다.
상기 기판(100)은 전술한 바와 같이 플렉서블 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예에 따른 기판(100)은 전술한 바와 같이 액티브 영역(AA), 및 비액티브 영역(NA)을 포함할 수 있고, 액티브 영역(AA)은 표시부(AP), 및 뱅크부(BP)를 포함할 수 있으며, 비액티브 영역(NA)은 게이트 구동부(GP), 패드부(DP), 및 저전위 배선 컨택부(CP)를 포함할 수 있다.
여기서 표시부(AP)는 뱅크가 구비되지 않은 발광 영역으로 볼 수 있고, 뱅크부(BP)는 뱅크가 구비된 비발광 영역으로 볼 수 있다. 그리고, 게이트 구동부(GP), 패드부(DP), 및 저전위 배선 컨택부(CP)는 전술한 바와 같이 비액티브 영역(NA)의 특정 부분을 지칭하는 것으로 비액티브 영역(NA)은 반드시 이들의 조합으로만 이루어지는 것은 아니다.
상기 차광층(110)은 기판(100)의 표시부(AP) 상에 구비된다. 차광층(110)은 후술하는 액티브층(Act)으로 광이 진입하는 것을 차단할 수 있다.
상기 버퍼층(120)은 차광층(110) 상에 구비된다. 버퍼층(120)은 액티브 영역(AA)에서부터 비액티브 영역(NA)까지 연장되어 있다. 버퍼층(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막 트랜지스터(T)는 기판(100)의 표시부(AP) 상에 구비된다. 이러한 박막 트랜지스터(T)는 버퍼층(120) 상에 구비된다. 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(Act), 게이트 전극(G), 및 소스/드레인 전극(S/D)을 포함한다.
상기 액티브층(Act)은 버퍼층(120) 상에 구비된다. 액티브층(Act) 상에는 게이트 절연막(GI)이 구비되어 있고, 게이트 절연막(GI) 상에 게이트 전극(G)이 구비되어 있다. 그리고, 게이트 전극(G) 상에 층간 절연막(130)이 구비되어 있고, 층간 절연막(130) 상에 소스/드레인 전극(S/D)이 구비되어 있다.
일 예에 따른 액티브층(Act)은 실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수도 있고 산화물계 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 게이트 절연막(GI)은 액티브층(Act)과 게이트 전극(G)을 절연시키는 기능을 수행하는 것으로서, 게이트 전극(G)과 동일한 패턴으로 구비될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 전극(G)은 게이트 절연막(GI) 상에 구비된다.
상기 층간 절연막(130)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이러한 층간 절연막(130)은 액티브 영역(AA)에서부터 비액티브 영역(NA)까지 연장되어 있다.
상기 소스/드레인 전극(S/D)은 층간 절연막(130) 상에서 서로 마주하도록 구비된다. 층간 절연막(130)에는 액티브층(Act)의 일단 영역 및 타단 영역을 노출시키는 컨택홀이 구비되어 있고, 소스/드레인 전극(S/D)은 컨택홀을 통해서 액티브층(Act)의 일단 또는 타단 영역과 연결된다.
또한, 버퍼층(120)과 층간 절연막(130)에는 차광층(110)을 노출시키는 컨택홀이 구비되어 있고, 소스/드레인 전극(S/D)은 컨택홀을 통해서 상기 차광층(110)과 연결되어 있다. 일 예에 따른 차광층(110)은 도전성 물질로 이루어져 있는데, 차광층(110)이 플로우팅(floating)되어 있으면 액티브층(Act)에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 차광층(110)을 소스/드레인 전극(S/D)에 연결시킴으로써 액티브층(Act)에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 패시베이션층(140)은 소스/드레인 전극(S/D) 상에 구비된다. 패시베이션층(140)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하고 액티브 영역(AA)에서부터 비액티브 영역(NA)까지 연장되어 있다. 이러한 패시베이션층(140)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 평탄화층(150)은 패시베이션층(140) 상에 구비된다. 평탄화층(150)은 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 기판(100)의 상부를 평탄하게 할 수 있다. 평탄화층(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 전극(E1)은 기판(100)의 표시부(AP) 상에 구비된다. 이러한 제 1 전극(E1)은 평탄화층(150) 상에 구비된다.
일 예에 따른 제 1 전극(E1)은 패시베이션층(140)과 평탄화층(150)에 구비된 컨택홀을 통해서 소스/드레인 전극(S/D)와 연결될 수 있다.
일 예에 따른 제 1 전극(E1)은 화소 별로 패턴 구비되어 있으며, 전계 발광 표시장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다. 본 발명은 상부 발광 방식에 적용될 수 있고, 이 경우 제 1 전극(E1)은 발광층(EL)에서 발광된 광을 상부쪽으로 반사시키기 위한 반사물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한 제 1 전극(E1)은 투명한 도전물질과 반사물질의 적층구조로 이루어질 수 있다.
상기 뱅크(160)는 기판(100)의 뱅크부(BP) 상에 구비된다. 이러한 뱅크(160)는 제 1 전극(E1)의 끝단을 가리면서 발광 영역을 정의하도록 구비된다. 일 예에 따른 뱅크(160) 사이의 발광 영역에서 제 1 전극(E1)의 상면이 노출되며, 노출된 제 1 전극(E1)의 상면 영역에서 광이 방출되어 화상이 표시된다.
일 예에 따른 뱅크(160)는 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층(EL)은 기판(100)의 표시부(AP) 상에 구비된다. 이러한 발광층(EL)은 뱅크(160)에 의해 정의된 발광 영역에서 제 1 전극(E1) 상에 구비된다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 유기발광층(Organic Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한 발광층(EL)의 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
일 예에 따른 발광층(EL)은 적색 발광 물질층(EML(R); Emitting Material Layer), 녹색 발광 물질층(EML(G)), 및 청색 발광 물질층(EML(B))을 포함할 수 있다. 이에 따라 표시부(AP)는 적색의 서브 화소, 녹색의 서브 화소, 및 청색의 서브 화소를 포함할 수 있고, 이들 각각의 서브 화소는 모여서 단위 화소를 이룰 수 있다.
상기 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 및 뱅크(160) 상에 구비된다. 제 2 전극(E2)은 광이 방출되는 면에 구비되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 투명한 도전물질은 저항이 높기 때문에, 제 2 전극(E2)의 저항을 줄이기 위해서 도전층(170)이 추가로 구비될 수 있다.
일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 기판(100)의 액티브 영역(AA) 및 저전위 배선 컨택부(CP) 상에 구비될 수 있다. 구체적으로 제 2 전극(E2)은 기판(100)의 액티브 영역(AA) 및 저전위 배선 컨택부(CP)를 덮도록 일괄적으로 구비될 수 있다. 이와 같이, 제 2 전극(E2)은 화소마다 패터닝되지 않고 일괄적으로 구비되고, 투명한 도전 물질, 예를 들어, MgAg와 같은 금속으로 얇게 형성되므로, 제 2 전극(E2)과 전기적으로 연결되는 저전위 배선(VSS)(200)은 높은 저항을 가질 수 있고, 화소 내의 휘도 불균일을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 도전층(170)을 추가로 구비할 수 있다.
상기 도전층(170)은 제 2 전극(E2) 상에 구비된다. 도전층(170)은 제 2 전극(E2)과 접하도록 형성되어 제 2 전극(E2)의 저항을 줄일 수 있다. 이러한 도전층(170)은 기판(100)의 뱅크부(BP), 및 저전위 배선 컨택부(CP) 상에 구비된다.
일 예에 따른 도전층(170)은 전도성이 높은 금속 물질, 예를 들어 알루미늄(Al)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 이러한 도전층(170)은 뱅크부(BP), 및 저전위 배선 컨택부(CP) 상에 패턴 형태로 형성되므로, 표시부(AP)에서의 투과율을 감소시키지 않을 수 있다. 도전층(170)은 전도성이 높은 물질로 형성되므로, 제 2 전극(E2)과 접촉하여 제 2 전극(E2)의 저항을 줄일 수 있다.
일 예에 따른 도전층(170)은 반사 물질로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 발광층(EL)에서 발생한 광이 도전층(170)에서 반사될 수 있으므로 출광 효율이 증가될 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 도전층(170) 상에는 발광층(EL)으로 외부의 수분 및 산소가 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지층(encapsulation layer)이 추가로 구비될 수 있다. 상기 봉지층은 무기절연물로 이루어질 수도 있고 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 저전위 배선(VSS)(200)은 기판(100)의 저전위 배선 컨택부(CP) 상에 구비된다. 이러한 저전위 배선(VSS)(200)은 버퍼층(120) 상에 구비된다. 일 예에 따른 저전위 배선(VSS)(200)은 제 2 전극(E2)에 저전위 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 저전위 배선(VSS)(200)은 연결 전극(210, 220)을 통하여 제 2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 예에 따른 버퍼층(120)과 층간 절연막(130)에는 저전위 배선(VSS)(200)을 노출시키는 컨택홀이 구비되어 있고, 제 2 전극(E2)은 컨택홀에 구비된 연결 전극(210, 220)을 통하여 저전위 배선(VSS)(200)과 연결될 수 있다. 이러한 연결 전극(210, 220)은 저전위 배선(VSS)(200)과 접촉하는 제 1 연결 전극(210), 및 제 2 전극(E2)과 접촉하는 제 2 연결 전극(220)을 포함한다.
상기 제 1 연결 전극(210)은 소스/드레인 전극(S/D)과 동일한 층에서 동일한 재료로 형성될 수 있고, 이 경우 소스/드레인 전극(S/D) 및 제 1 연결 전극(210)을 동일한 공정을 통해 동시에 구비할 수 있으므로 공정상 편의성이 있다.
상기 제 2 연결 전극(220)은 제 1 전극(E1)과 동일한 층에서 동일한 재료로 형성될 수 있고, 이 경우 제 1 전극(E1) 및 제 2 연결 전극(220)을 동일한 공정을 통해 동시에 구비할 수 있으므로 공정상 편의성이 있다.
일 예에 따른 저전위 배선(VSS)(200)은 제 2 전극(E2)과 전기적으로 연결되고, 제 2 전극(E2)은 도전층(170)과 전기적으로 연결되어 있으므로, 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이, 도전층(170)을 전도성이 높은 물질의 패터닝 형태로 형성하여, 제 2 전극(E2)과 접촉시키게 되면 제 2 전극(E2)의 저항이 낮아질 수 있고, 이와 전기적으로 연결된 저전위 배선(VSS)(200)의 저항도 낮아질 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 별도의 보조 배선을 구비하지 않아도, 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있으므로, 보조 배선을 구비하지 않는 영역만큼 표시부(AP)를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 개구율이 증가될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있으므로, 화소 내의 휘도 불균일을 방지하여 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 보조 배선을 구비하지 않아 개구율을 증가시킬 수 있으므로, 전계 발광 표시장치의 수명을 연장시킬 수 있다.
상기 신호 패드(300)는 기판(100)의 패드부(DP) 상에 구비된다. 이러한 신호 패드(300)는 버퍼층(120) 상에 구비된다. 일 예에 따른 신호 패드(300)는 액티브 영역(AA)의 게이트 전극(G)과 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 신호 패드(300)와 게이트 전극(G)을 동일한 공정을 통해 동시에 구비할 수 있는 장점이 있다.
상기 패드 전극(310)은 기판(100)의 패드부(DP) 상에 구비된다. 이러한 신호 패드(310)는 층간 절연막(130) 상에 구비되며 컨택홀을 통해서 신호 패드(300)와 연결되어 있다.
일 예에 따른 패드 전극(310)은 액티브 영역(AA)의 소스/드레인 전극(S/D), 및 제 1 연결 전극(210)과 동일한 재료로 이루어질 수 있으며, 이 경우 패드 전극(310), 소스/드레인 전극(S/D), 및 제 1 연결 전극(210)을 동일한 공정을 통해 동시에 구비할 수 있는 장점이 있다.
일 예에 따른 패드 전극(310)의 상면에는 내식성이 있는 커버 패드 전극이 더 구비될 수 있다. 따라서, 패드 전극(310)의 측면은 패시베이션층(140)에 의해 가려지므로 부식이 방지될 수 있고, 패드 전극(310)의 상면은 내식성이 있는 커버 패드 전극에 의해 부식이 방지될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 2의 선 I-I'의 단면도이다. 도 4는 도 3에서 제 2 전극(E2)의 구조만 달리한 것으로 이하 중복되는 구성에 대한 중복 설명은 생략하고 상이한 구성에 대하여 서술하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 제 2 전극(E2)을 포함한다.
상기 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 및 뱅크(160) 상에 구비된다. 제 2 전극(E2)은 광이 방출되는 면에 구비되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 투명한 도전물질은 저항이 높기 때문에, 제 2 전극(E2)의 저항을 줄이기 위해서 도전층(170)이 추가로 구비될 수 있다.
일 예에 따른 제 2 전극(E2)은 기판(100)의 표시부(AP) 상에 구비될 수 있다. 구체적으로 제 2 전극(E2)은 기판(100)의 표시부(AP) 상에 패터닝의 형태로 구비될 수 있다. 이와 같이, 제 2 전극(E2)은 화소마다 패터닝되어 구비되므로, 저전위 배선(VSS)(200)과 직접적으로 연결되지 않는다. 이러한 제 2 전극(E2)은 도전층(170)과 접촉하여 전기적으로 연결되고, 도전층(170)은 저전위 배선(VSS)(200)과 컨택홀을 통하여 전기적으로 연결되므로, 제 2 전극(E2)과 저전위 배선(VSS)(200)은 전기적으로 연결될 수 있다.
일 예에 따른 저전위 배선(VSS)(200)은 기판(100)의 저전위 배선 컨택부(CP) 상에 구비된다. 일 예에 따른 저전위 배선(VSS)(200)은 연결 전극(210, 220)을 통하여 도전층(170)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 예에 따른 버퍼층(120)과 층간 절연막(130)에는 저전위 배선(VSS)(200)을 노출시키는 컨택홀이 구비되어 있고, 도전층(170)은 컨택홀에 구비된 연결 전극(210, 220)을 통하여 저전위 배선(VSS)(200)과 연결될 수 있다.
일 예에 따른 저전위 배선(VSS)(200)은 도전층(170)과 전기적으로 연결되고, 도전층(170)은 제 2 전극(E2)과 전기적으로 연결되어 있으므로, 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있다. 즉, 도전층(170)을 전도성이 높은 물질의 패터닝 형태로 형성하고, 저전위 배선(VSS)(200)과 전기적으로 연결시키면, 저전위 배선(VSS)(200)의 저항은 제 2 전극(E2)과 직접적으로 연결되는 경우에 비하여 낮은 저항을 가질 수 있다. 즉, 복수의 패터닝 형태로 형성되는 도전층(170)과 제 2 전극(E2)을 접촉시킴에 따라 도전층(170) 및 제 2 전극(E2)에서의 저항이 낮아지게 되고, 이와 전기적으로 연결되는 저전위 배선(VSS)(200)의 저항도 낮아지게 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 별도의 보조 배선을 구비하지 않아도, 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있으므로, 보조 배선을 구비하지 않는 영역만큼 표시부(AP)를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 개구율이 증가될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 저전위 배선(VSS)(200)의 저항을 낮출 수 있으므로, 화소 내의 휘도 불균일을 방지하여 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 보조 배선을 구비하지 않아 개구율을 증가시킬 수 있으므로, 전계 발광 표시장치의 수명을 연장시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 110: 차광층
120: 버퍼층 130: 층간 절연막
140: 패시베이션층 150: 평탄화층
160: 뱅크 170: 도전층
200: 저전위 배선 210, 220: 연결 전극
300: 신호 패드 310: 패드 전극
410: 소스 드라이브 집적회로 430: 연성필름
450: 회로보드 500: 타이밍 제어부

Claims (8)

  1. 액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 비액티브 영역을 구비한 기판;
    상기 액티브 영역 상에 구비된 제 1 전극;
    상기 제 1 전극의 끝단을 가리면서 발광 영역을 정의하도록 구비된 뱅크;
    상기 뱅크에 의해 정의된 발광 영역에서 상기 제 1 전극 상에 구비된 발광층;
    상기 발광층 및 상기 뱅크 상에 구비된 제 2 전극;
    상기 제 2 전극 상에 패터닝 된 도전층; 및
    상기 비액티브 영역 상에 구비되고 상기 제 2 전극 또는 상기 패터닝 된 도전층과 전기적으로 연결된 저전위 배선(VSS)을 포함하며,
    상기 제2 전극은 상기 발광층 및 상기 뱅크 위에 그리고 상기 비액티브 영역에서는 상기 저전위 배선 위에만 배치되며,
    상기 패터닝 된 도전층은 상기 액티브 영역에서는 상기 발광층을 제외한 상기 뱅크 위에만 그리고 상기 비액티브 영역에서는 상기 저전위 배선 위에만 배치되며, 상기 뱅크 위에서 상기 제2 전극과 접촉하는, 전계 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 영역은 상기 발광 영역에 대응되는 표시부, 및 뱅크부를 포함하고,
    상기 비액티브 영역은 게이트 구동부, 패드부, 및 저전위 배선 컨택부를 포함하는, 전계 발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝 된 도전층은 반사 물질을 포함하는, 전계 발광 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 아래에 구비된 평탄화층 및 상기 평탄화층 아래에 구비된 패시베이션층을 더 포함하고,
    상기 평탄화층과 상기 패시베이션층은 컨택홀을 구비하는, 전계 발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 액티브 영역 및 상기 저전위 배선 컨택부 상에 구비된, 전계 발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 컨택홀을 통하여 상기 저전위 배선과 연결되는, 전계 발광 표시장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 표시부에 구비된, 전계 발광 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 패터닝 된 도전층과 접촉하고, 상기 패터닝 된 도전층은 상기 컨택홀을 통하여 상기 저전위 배선과 연결되는, 전계 발광 표시장치.
KR1020170184839A 2017-12-29 2017-12-29 전계 발광 표시장치 Active KR102457997B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170184839A KR102457997B1 (ko) 2017-12-29 2017-12-29 전계 발광 표시장치
CN201811480560.6A CN109994517B (zh) 2017-12-29 2018-12-05 电致发光显示装置
US16/223,854 US11164933B2 (en) 2017-12-29 2018-12-18 Electroluminescent display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170184839A KR102457997B1 (ko) 2017-12-29 2017-12-29 전계 발광 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190081955A KR20190081955A (ko) 2019-07-09
KR102457997B1 true KR102457997B1 (ko) 2022-10-21

Family

ID=67058525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170184839A Active KR102457997B1 (ko) 2017-12-29 2017-12-29 전계 발광 표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11164933B2 (ko)
KR (1) KR102457997B1 (ko)
CN (1) CN109994517B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN108470749A (zh) * 2018-03-07 2018-08-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN110649173B (zh) * 2019-09-30 2022-05-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管、oled显示面板和显示设备
CN110718572B (zh) * 2019-10-17 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
CN110660839B (zh) * 2019-11-13 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111048560B (zh) * 2019-12-11 2022-05-17 云谷（固安）科技有限公司 显示装置
WO2021120207A1 (zh) * 2019-12-20 2021-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR20220011246A (ko) * 2020-07-20 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112038325B (zh) * 2020-08-20 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20220127396A (ko) * 2021-03-10 2022-09-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230053798A (ko) * 2021-10-14 2023-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230078904A (ko) * 2021-11-26 2023-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110272675A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Jin-Koo Chung Organic light emitting display device
US20140183479A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Lg Display Co., Ltd. Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20170186831A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US8610645B2 (en) * 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2002202737A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Nec Corp 発光素子の製造方法、発光素子
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
ATE396500T1 (de) * 2002-03-20 2008-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszente anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix und ihre herstellungsverfahren
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US7492092B2 (en) * 2002-12-17 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Self-emitting element, display panel, display apparatus, and method of manufacturing self-emitting element
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
EP1505666B1 (en) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
KR100573132B1 (ko) * 2004-02-14 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP4289332B2 (ja) * 2004-09-30 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、及び電子機器
JP2006113376A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びアレイ基板
KR100700643B1 (ko) * 2004-11-29 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
JP4596977B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
KR100754875B1 (ko) * 2005-11-07 2007-09-04 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR100745760B1 (ko) * 2006-02-02 2007-08-02 삼성전자주식회사 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법
KR100683406B1 (ko) * 2006-02-20 2007-02-22 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP2008098148A (ja) * 2006-09-14 2008-04-24 Canon Inc 有機発光装置
JP2008108530A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP2008170756A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 表示装置
US7839083B2 (en) * 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
US7834543B2 (en) * 2007-07-03 2010-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same
KR100990262B1 (ko) * 2008-03-13 2010-10-26 파나소닉 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
JP4655102B2 (ja) * 2008-04-11 2011-03-23 ソニー株式会社 表示素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP5608320B2 (ja) * 2008-07-09 2014-10-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR101574211B1 (ko) * 2008-09-05 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR20100030865A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011040167A (ja) * 2008-11-12 2011-02-24 Panasonic Corp 表示装置およびその製造方法
JP5532797B2 (ja) * 2009-09-29 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101309863B1 (ko) * 2009-12-14 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101258260B1 (ko) * 2010-04-16 2013-04-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
WO2012102158A1 (ja) * 2011-01-27 2012-08-02 シャープ株式会社 液晶表示パネル用基板及び液晶表示装置
KR101920766B1 (ko) * 2011-08-09 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101560430B1 (ko) * 2011-08-12 2015-10-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US9190421B2 (en) * 2011-08-18 2015-11-17 Lg Display Co., Ltd. Display device and fabrication method thereof
US8963137B2 (en) * 2011-09-02 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US20130056784A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Lg Display Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
WO2013076948A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示装置およびその製造方法
US9173272B2 (en) * 2012-09-18 2015-10-27 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and method for driving the same
KR20140044453A (ko) * 2012-10-05 2014-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 패널
KR101936619B1 (ko) * 2012-10-31 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102021028B1 (ko) * 2012-12-04 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102090555B1 (ko) * 2012-12-27 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101654232B1 (ko) * 2013-06-04 2016-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102067966B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2015072761A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ Ｏｌｅｄ表示装置
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102124063B1 (ko) * 2013-10-29 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150061921A (ko) * 2013-11-28 2015-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101661015B1 (ko) * 2013-11-28 2016-09-28 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR102184676B1 (ko) * 2014-02-19 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102277029B1 (ko) * 2014-02-24 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102257978B1 (ko) * 2014-03-17 2021-05-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102230006B1 (ko) * 2014-03-18 2021-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6327450B2 (ja) * 2014-03-28 2018-05-23 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 液晶表示装置
US9934723B2 (en) * 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
CN105390504B (zh) * 2014-08-29 2019-02-01 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及使用它的显示装置
US10032843B2 (en) * 2014-09-11 2018-07-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102285384B1 (ko) * 2014-09-15 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치
KR101640803B1 (ko) * 2014-09-26 2016-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
EP4583637A2 (en) * 2014-09-30 2025-07-09 LG Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device
JP6487173B2 (ja) * 2014-10-08 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP6500196B2 (ja) * 2014-10-10 2019-04-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102297075B1 (ko) * 2014-11-14 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
US10032844B2 (en) * 2014-12-29 2018-07-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN104483796A (zh) * 2015-01-04 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN106033800A (zh) * 2015-03-16 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 有机发光结构以及具有该结构的有机发光器件和面板
KR102372774B1 (ko) * 2015-03-26 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
US10056440B2 (en) * 2015-05-28 2018-08-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102555656B1 (ko) * 2015-05-29 2023-07-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102411543B1 (ko) * 2015-06-29 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102458597B1 (ko) * 2015-06-30 2022-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102317553B1 (ko) * 2015-08-28 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102446339B1 (ko) * 2015-09-11 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102465826B1 (ko) * 2015-10-29 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101702570B1 (ko) * 2015-10-30 2017-02-03 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치
KR101795579B1 (ko) * 2015-11-10 2017-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101879180B1 (ko) * 2015-11-16 2018-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102469949B1 (ko) * 2015-11-30 2022-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101747268B1 (ko) * 2015-11-30 2017-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
KR102484645B1 (ko) * 2015-12-15 2023-01-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102471115B1 (ko) * 2016-01-06 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102443645B1 (ko) * 2016-01-13 2022-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105552249B (zh) * 2016-03-16 2017-11-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
JP2017168397A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017174553A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102531664B1 (ko) * 2016-05-04 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
KR101859484B1 (ko) * 2016-05-30 2018-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102592564B1 (ko) * 2016-06-13 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판
KR102620013B1 (ko) * 2016-07-01 2024-01-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR102066099B1 (ko) * 2016-07-29 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106371253A (zh) * 2016-08-26 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板以及制造方法
KR102635823B1 (ko) * 2016-08-31 2024-02-08 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 이용한 표시장치
KR102584959B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102602164B1 (ko) * 2016-10-12 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102699551B1 (ko) * 2016-10-27 2024-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102715304B1 (ko) * 2016-11-29 2024-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102746590B1 (ko) * 2016-11-30 2024-12-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180062293A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102676050B1 (ko) * 2016-11-30 2024-06-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102773737B1 (ko) * 2016-12-14 2025-02-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102792467B1 (ko) * 2016-12-26 2025-04-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106445251B (zh) * 2016-12-27 2019-09-10 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控面板及其阵列基板
KR102738324B1 (ko) * 2016-12-30 2024-12-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107193144A (zh) * 2017-04-26 2017-09-22 武汉华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及其制作方法
TWI616792B (zh) * 2017-05-03 2018-03-01 友達光電股份有限公司 觸控顯示裝置的製造方法
KR102460376B1 (ko) * 2017-10-27 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102410500B1 (ko) * 2017-11-30 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102460920B1 (ko) * 2017-12-21 2022-11-01 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 형성방법
KR102537760B1 (ko) * 2017-12-22 2023-05-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR102010803B1 (ko) * 2017-12-29 2019-09-20 엘지디스플레이 주식회사 발광 디스플레이 장치
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN109713162B (zh) * 2018-12-27 2021-04-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110272675A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Jin-Koo Chung Organic light emitting display device
US20140183479A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Lg Display Co., Ltd. Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US20170186831A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190081955A (ko) 2019-07-09
CN109994517A (zh) 2019-07-09
US20190206979A1 (en) 2019-07-04
US11164933B2 (en) 2021-11-02
CN109994517B (zh) 2023-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102457997B1 (ko) 전계 발광 표시장치
KR102738919B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10770515B2 (en) Display device including color filters
US10319951B2 (en) Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
KR102611500B1 (ko) 유기발광표시장치와 그의 제조방법
US8004178B2 (en) Organic light emitting diode display with a power line in a non-pixel region
US9831463B2 (en) Electro-optic apparatus, method of manufacturing electro-optic apparatus, and electronic apparatus
US9825109B2 (en) Display device
US12101955B2 (en) Light emitting display device
KR102620576B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
TW201818536A (zh) 顯示裝置
CN107863369A (zh) 包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置
US20250024709A1 (en) Display device
US12063815B2 (en) Electroluminescence display device including a dummy light emitting layer and a plurality of trenches surrounding the display area
KR102646212B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102393315B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20220097188A (ko) 발광 표시장치
KR20220068748A (ko) 발광 표시 장치
KR20170050365A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20240009189A (ko) 전계 발광 표시장치
KR102561618B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20170125485A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20240077107A (ko) 발광 표시장치
KR20240100637A (ko) 발광 표시장치
KR102572081B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20171229

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20201218

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20171229

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220223

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220727

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20221019

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20221019

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration