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TWI762611B - 耐熱離型片材及其之製造方法 - Google Patents

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TWI762611B
TWI762611B TW107111166A TW107111166A TWI762611B TW I762611 B TWI762611 B TW I762611B TW 107111166 A TW107111166 A TW 107111166A TW 107111166 A TW107111166 A TW 107111166A TW I762611 B TWI762611 B TW I762611B
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秋葉府統
黒木裕太
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之耐熱離型片材具有聚醯亞胺基材、及夾持聚醯亞胺基材之第1及第2聚四氟乙烯(PTFE)層。構成第1及第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上，自聚醯亞胺基材剝離第1PTFE層所需之剝離力為0.5 N/20 mm以上，剝離第2PTFE層所需之剝離力未達0.5 N/20 mm。本發明之耐熱離型片材具有新穎之構成，更高溫下之熱壓接合亦能夠應對。

Description

耐熱離型片材及其之製造方法
本發明係關於一種耐熱離型片材及其之製造方法。
於使用NCF(Non-Conductive Film，非導電膜)及NCP(Non-Conductive Paste，非導電膏)等底部填充物之半導體晶片之覆晶安裝、及印刷電路板(PCB)之製造中，採用熱壓接合之方法。熱壓接合之方法亦利用於使用各向異性導電膜(ACF)之PCB與電子零件之連接等。壓接對象物之熱壓接合中一般使用作為熱源及壓力源之熱加壓頭。為了防止熱壓接合時之壓接對象物與熱加壓頭之固著，於壓接對象物與熱加壓頭之間通常配置有耐熱離型片材。先前，耐熱離型片材中使用離型性優異之氟樹脂之片材。氟樹脂之例為耐熱性優異之聚四氟乙烯(以下，記作「PTFE」)。 聚醯亞胺與PTFE同樣地作為耐熱性優異之樹脂而眾所周知，其耐熱性較PTFE更加優異。作為聚醯亞胺及PTFE之複合體，以下者為眾所周知。 於專利文獻1中揭示了具有氟樹脂層作為接著層之聚醯亞胺膜。該聚醯亞胺膜例如作為絕緣被覆材料纏繞於電線上而使用。此時，對相鄰之聚醯亞胺膜熱接合氟樹脂層，使單獨時接著性較低之聚醯亞胺膜彼此接著。 於專利文獻2中揭示了一種薄層轉印用片材，該薄層轉印用片材具備：包含金屬薄膜、或聚醯亞胺等耐熱性樹脂之薄膜之基材、及氟樹脂層。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開昭62-162543號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-96325號公報
[發明所欲解決之問題] 於上述熱壓接合中，可預測為了提高安裝效率，所應用之溫度不斷上升。於耐熱離型片材中，被加熱至最高溫度者為與熱加壓頭接觸之露出面。 本發明之目的在於提供一種具有新穎構成之耐熱離型片材，即便為更高溫下之熱壓接合其亦能夠應對。 [解決問題之技術手段] 本發明提供一種耐熱離型片材A， 其具有聚醯亞胺基材、及夾持上述聚醯亞胺基材之第1及第2PTFE層， 構成上述第1及第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上， 自上述聚醯亞胺基材剝離上述第1PTFE層所需之剝離力為0.5 N/20 mm以上，剝離上述第2PTFE層所需之剝離力未達0.5 N/20 mm。 於另一態樣中，本發明提供一種耐熱離型片材之製造方法(第1製造方法)， 其係耐熱離型片材A之製造方法， 於僅對一個主表面進行了低溫電漿處理之聚醯亞胺基材之兩個主表面形成PTFE分散液之膜， 藉由對上述形成之膜進行乾燥及焙燒，由上述一個主表面上之上述膜形成上述第1PTFE層，由上述聚醯亞胺基材之另一個主表面上之上述膜形成上述第2PTFE層，而獲得上述耐熱離型片材。 於又一態樣中，本發明提供一種耐熱離型片材B， 其具有聚醯亞胺基材、及配置於上述聚醯亞胺基材之一個主表面上之PTFE層， 構成上述PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上， 自上述聚醯亞胺基材剝離上述PTFE層所需之剝離力為0.5 N/20 mm以上。 於進而另一態樣中，本發明提供一種耐熱離型片材之製造方法(第2製造方法)， 其自耐熱離型片材A剝離上述第2PTFE層， 而獲得耐熱離型片材B。 [發明之效果] 於本發明之耐熱離型片材A中，藉由夾持基材之PTFE層賦予兩個主表面較高之離型性。又，由於耐熱離型片材A具有聚醯亞胺基材、及由具有耐熱性較低分子量之PTFE更加優異之傾向之高分子量之PTFE構成之PTFE層，故而亦能夠應對更高溫下之熱壓接合。進而，耐熱離型片材A藉由使第2PTFE層與聚醯亞胺基材之剝離力未達0.5 N/mm，能夠容易地剝離第2PTFE層而用作耐熱樹脂片材B。耐熱樹脂片材B若將聚醯亞胺基材之面用作熱加壓頭之被按壓面，則亦能夠應對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合。又，於耐熱樹脂片材B中，儘管使用由難以較高地保持與基材之剝離力之高分子量之PTFE構成之PTFE層，亦能夠確保基材與PTFE層之剝離力為0.5 N/mm以上。
本發明之第1態樣之耐熱離型片材具有聚醯亞胺基材、及夾持上述聚醯亞胺基材之第1及第2PTFE層，構成上述第1及第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上，自上述聚醯亞胺基材剝離上述第1PTFE層所需之剝離力為0.5 N/20 mm以上，剝離上述第2PTFE層所需之剝離力未達0.5 N/20 mm。 於本發明之第2態樣中，於第1態樣之耐熱離型片材中，構成上述第1PTFE層之PTFE之數量平均分子量、與構成上述第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量實質上相同。 本發明之第3態樣之耐熱離型片材之製造方法係第1或第2態樣之耐熱離型片材之製造方法，該方法於僅對一個主表面進行了低溫電漿處理之聚醯亞胺基材之兩個主表面形成PTFE分散液之膜，並對上述形成之膜進行乾燥及焙燒，藉此由上述一個主表面上之上述膜形成上述第1PTFE層，由上述聚醯亞胺基材之另一個主表面上之上述膜形成上述第2PTFE層，而獲得上述耐熱離型片材。 於本發明之第4態樣中，於第3態樣之製造方法中，上述低溫電漿處理為濺鍍蝕刻處理。 本發明之第5態樣之耐熱離型片材具有聚醯亞胺基材、及配置於上述聚醯亞胺基材之一個主表面上之PTFE層，構成上述PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上，自上述聚醯亞胺基材剝離上述PTFE層所需之剝離力為0.5 N/20 mm以上。 於本發明之第6態樣中，於第5態樣之耐熱離型片材中，上述聚醯亞胺基材之另一個主表面為露出面。 於本發明之第7態樣中，於第5或第6態樣之耐熱離型片材中，於上述聚醯亞胺基材之另一個主表面之一部分存在PTFE片，構成上述PTFE層之PTFE之數量平均分子量、與構成上述PTFE片之PTFE之數量平均分子量實質上相同。 於本發明之第8態樣之耐熱離型片材之製造方法中，自第1或第2態樣之耐熱離型片材剝離上述第2PTFE層，而獲得第5至第7中任一態樣之耐熱離型片材。 以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。 [耐熱離型片材] 將耐熱離型片材A之一例示於圖1。圖1所示之耐熱離型片材1具有聚醯亞胺基材2、及夾持基材2之第1PTFE層3及第2PTFE層4。PTFE層3配置於基材2之一個主表面2a上。PTFE層4配置於基材2之另一個主表面2b上。構成PTFE層3、4之PTFE之數量平均分子量為600萬以上。自基材2剝離PTFE層3所需之剝離力(基材2與PTFE層3之剝離力)A為0.5 N/20 mm以上，自基材2剝離PTFE層4所需之剝離力(基材2與PTFE層4之剝離力)B未達0.5 N/20 mm。 片材1於兩個主表面具有藉由PTFE層3、4獲得之較高離型性。 聚醯亞胺及PTFE皆為具有較高耐熱性之材料。聚醯亞胺之耐熱性高於PTFE。又，PTFE顯示分子量越大則耐熱性越高之傾向。片材1由於具有聚醯亞胺基材2及PTFE層3、4，故而亦能夠應對更高溫下之熱壓接合。 聚醯亞胺基材與以PTFE層為首之氟樹脂層相比，即便於高溫下亦難以變形。因此，具有聚醯亞胺基材2之片材1於高溫下之尺寸穩定性優異。自該觀點而言，片材1亦能夠應對更高溫下之熱壓接合。 於工業化熱壓接合步驟中，一般而言，於壓接對象物之搬送路徑配置熱加壓頭，對經由該路徑依序搬送來之壓接對象物連續進行熱壓接合。於該熱壓接合步驟中，存在藉由搬送向熱加壓頭與壓接對象物之間供給帶狀之耐熱離型片材之情況。於該情形時，會對耐熱離型片材施加由熱加壓頭所引起之熱量以及由搬送所引起之朝向長度方向之張力。然而，聚醯亞胺基材與以PTFE層為首之氟樹脂層相比，由高溫下之拉伸力所引起之伸長較少。因此，具有聚醯亞胺基材2之片材1能夠於上述供給時穩定地搬送。自該觀點而言，片材1亦能夠應對更高溫下之熱壓接合。 基材2與PTFE層3之剝離力A為0.5 N/20 mm以上。剝離力A較佳為0.6 N/20 mm以上，更佳為0.75 N/20 mm以上。剝離力A之上限並無限制，例如為10 N/20 mm以下，亦可為5 N/20 mm以下，進而3 N/20 mm以下。基材與PTFE層之剝離力可依據日本工業標準(以下，記作「JIS」)K6854-3：1999中所規定之T形剝離試驗而求出。 基材2與PTFE層4之剝離力B未達0.5 N/20 mm。剝離力B亦可為0.4 N/20 mm以下。剝離力B之下限並無限制，例如為0.3 N/20 mm以上。 構成PTFE層3、4之PTFE之數量平均分子量為600萬以上。由具有600萬以上之數量平均分子量之PTFE構成之PTFE層與由具有未達600萬尤其是400萬以下之數量平均分子量之PTFE構成之PTFE層相比，與基材2之接合性較低，一般而言，與基材2之剝離力未達0.5 N/20 mm，進而可為0.4 N/20 mm以下。PTFE層4具有反映該較低接合性之剝離力B。另一方面，儘管PTFE層3由具有600萬以上之數量平均分子量之PTFE構成，亦具有0.5 N/20 mm以上之剝離力A。與PTFE層4之剝離力B相比提高之PTFE層3之剝離力A例如藉由於聚醯亞胺基材2之低溫電漿處理面形成PTFE層3而達成。其中，提高剝離力A之方法並不限定於低溫電漿處理。 構成PTFE層3、4之PTFE之數量平均分子量亦可為700萬以上、800萬以上、900萬以上、進而1000萬以上。數量平均分子量之上限例如為1600萬以下，亦可為1400萬以下、進而1200萬以下。PTFE之數量平均分子量可基於Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253 - 3257 (1973)中所記載之方法，藉由示差掃描熱量分析(DSC)進行評價。 構成PTFE層3之PTFE之數量平均分子量、與構成PTFE層4之PTFE之數量平均分子量亦可實質上相同。兩者之數量平均分子量實質上相同之片材1例如可於PTFE分散液中浸漬基材2而於兩個主表面2a、2b形成PTFE分散液之塗佈膜，並對形成之塗佈膜進行乾燥及焙燒而製造。於本說明書中，於數量平均分子量之差例如為100萬以下，較佳為50萬以下，更佳為30萬以下，進而較佳為10萬以下，特佳為5萬以下之情形時，視為實質上相同。 PTFE層3、4之厚度例如為1～50 μm，亦可為5～30 μm。PTFE層3之厚度與PTFE層4之厚度亦可實質上相同。PTFE層3、4之厚度實質上相同之片材1例如可對藉由上述浸漬而形成於基材2之兩個主表面2a、2b之PTFE分散液之塗佈膜進行乾燥及焙燒而製造。於本說明書中，於厚度之差例如為5 μm以下，較佳為3 μm以下，更佳為1 μm以下之情形時，視為實質上相同。 片材1亦可具有由數量平均分子量實質上相同之PTFE構成的具有實質上相同之厚度之PTFE層3、4。 PTFE層3、4可僅由PTFE構成。但是，只要能獲得本發明之效果，則PTFE層3、4亦可包含除PTFE以外之材料。 PTFE層3、4可為非多孔質層，亦可基於PTFE所具有之較高撥液性(撥水性及撥油性)而為於厚度方向不滲透水等流體(fluid)之不透性層。又，PTFE層3、4亦可基於PTFE所具有之較高絕緣性而為絕緣層(非導電層)。 構成基材2之聚醯亞胺例如為四羧酸二酐與二胺之縮聚物。但是，構成基材2之聚醯亞胺並不限定於上述例。又，於聚醯亞胺為上述縮聚物之情形時，四羧酸二酐及二胺之種類並無限定。 基材2之厚度例如為5～150 μm，亦可為12.5～125 μm。 基材2可僅由聚醯亞胺構成。但是，只要能獲得本發明之效果，則基材2亦可包含除聚醯亞胺以外之材料。 耐熱離型片材A藉由剝離具有相對較低之與基材2之剝離力B之PTFE層4，成為亦能夠應對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合之耐熱離型片材B。 將耐熱離型片材B之一例示於圖2。圖2所示之耐熱離型片材11具有聚醯亞胺基材2、及配置於基材2之一個主表面2a上之PTFE層3。構成PTFE層3之PTFE之數量平均分子量為600萬以上。自基材2剝離PTFE層3所需之剝離力A為0.5 N/20 mm以上。 聚醯亞胺之離型性雖不如PTFE，但仍具有較高離型性。片材11於各個主表面具有利用聚醯亞胺基材2及PTFE層3所得之充分之離型性。 自具有聚醯亞胺基材2之片材11於高溫下之尺寸穩定性優異之方面、及於工業化熱壓接合步驟中能夠穩定地搬送及供給之方面而言，與片材1相同。 聚醯亞胺及PTFE皆為具有較高離型性及耐熱性之材料，但關於離型性則PTFE更加優異，關於耐熱性則聚醯亞胺更加優異。片材11中，於聚醯亞胺基材2側之表面與PTFE層3側之表面之間耐熱性及離型性不同。具體而言，於聚醯亞胺基材2側耐熱性更高，於PTFE層3側離型性更高。 於耐熱離型片材中被加熱至最高溫度者係與熱加壓頭接觸之露出面。片材11可將耐熱性更加優異之聚醯亞胺基材2之面用作熱加壓頭之被按壓面。因此，片材11亦能夠應對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合，例如能夠抑制熱壓接合時之片材11對熱加壓頭之接合。若耐熱離型片材接合於熱加壓頭，則熱壓接合之效率下降。又，若為包含氟樹脂之片材之耐熱離型片材，則有因將接合後之片材自熱加壓頭剝離時該片材伸長，而使利用作為帶狀之片材之上述搬送所進行之穩定供給變得困難之虞。於具有聚醯亞胺基材2之片材11中，能夠抑制此類問題之產生。於片材11中，能夠確保PTFE層3與基材2之剝離力為0.5 N/mm以上。 又，於熱加壓頭之溫度設定為更高溫之情形時，相比耐熱離型片材接合於由金屬構成之熱加壓頭之問題，更容易發生耐熱離型片材接合於可能含有樹脂之壓接對象物之問題。片材11可將離型性更加優異之PTFE層3之表面與壓接對象物相接而使用。自該觀點而言，片材11亦能夠應對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合。 片材11能夠應對例如300℃以上之熱加壓頭之設定溫度。又，根據片材11之構成，片材11能夠應對315℃以上、330℃以上、進而350℃以上之熱加壓頭之設定溫度。當然，亦可於以更低設定溫度實施之熱壓接合步驟中使用片材11。 片材11中，亦可於基材2之另一個主表面2b上配置其他層。但是，就對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合之應對更加確實之方面而言，較佳為於基材2之主表面2b上不配置其他層。即，較佳為基材2之主表面2b為露出面。 片材11中，基材2之另一個主表面2b可為將配置於主表面2b上之PTFE層4剝離而成之剝離面。於主表面2b為上述剝離面之情形時，存在作為所剝離之PTFE層4之殘留物之PTFE片殘留於主表面2b之情況。此時，構成主表面2b上之上述PTFE片(來自PTFE層4之PTFE片)之PTFE之數量平均分子量可為600萬以上，亦可與構成PTFE層3之PTFE之數量平均分子量實質上相同。 片材11中，於基材2之主表面2b之一部分存在PTFE片，構成PTFE層3之PTFE之數量平均分子量、與構成該PTFE片之PTFE之數量平均分子量可實質上相同。 片材1亦可具有不具備PTFE層3及/或PTFE層4之區域，例如於至少一個表面露出基材2之區域。該區域例如為片材1之端部之區域、矩形狀或帶狀之片材1之寬度方向之端部之區域、以及帶狀之片材1中之長度方向之一部分區間。該區間可每隔帶狀之片材1之長度方向之特定長度而存在。 片材11亦可具有不具備PTFE層3之區域，例如露出基材2之主表面2a之區域。該區域例如為片材11之端部之區域、矩形狀或帶狀之片材11之寬度方向之端部之區域、以及帶狀之片材11中之長度方向之一部分區間。該區間可每隔帶狀之片材11之長度方向之特定長度而存在。 片材1只要能獲得本發明之效果，則亦可具有除聚醯亞胺基材2、第1PTFE層3及第2PTFE層4以外之層、及/或構件。構件例如為顯示將第2PTFE層4自基材2剝離之點之標記片、及支援第2PTFE層4自基材2之剝離之引導片。 片材11只要能獲得本發明之效果，則亦可具有除聚醯亞胺基材2及第1PTFE層3以外之層、及/或構件。 片材1、11之形狀並無限制，例如為正方形及矩形等多邊形、圓形、橢圓形、以及帶狀。帶狀之片材1、11亦可製成輥(捲繞體)。 [耐熱離型片材之製造方法] 將利用第1製造方法所進行之耐熱離型片材1之製造之一例示於圖3。圖3所示之例中，利用以下之方式製造片材1。 僅對聚醯亞胺基材2之一個主表面2a進行低溫電漿處理(表面處理步驟(a))。其次，於進行了低溫電漿處理之基材2之兩個主表面2a、2b形成PTFE分散液之膜12a、12b(塗佈步驟(b))。分散液中所包含之PTFE之數量平均分子量為600萬以上。其次，藉由乾燥及焙燒，由形成於基材2之一個主表面2a上之膜12a形成第1PTFE層3，由形成於另一個主表面2b上之膜12b形成第2PTFE層4，而獲得耐熱離型片材1(焙燒步驟(c))。藉由表面處理步驟中之對主表面2a進行之低溫電漿處理，基材2、與經由焙燒步驟而形成於主表面2a上之PTFE層3之剝離力A變為0.5 N/20 mm以上。另一方面，基材2、與形成於未進行低溫電漿處理之主表面2b上之PTFE層4之剝離力B未達0.5 N/20 mm。 於表面處理步驟中，僅對基材2之一個主表面2a進行低溫電漿處理。低溫電漿處理可於剝離力A成為0.5 N/20 mm以上之條件下實施。 低溫電漿處理例如為濺鍍蝕刻處理、電漿蝕刻處理、電暈放電。就0.5 N/20 mm以上之剝離力A之達成更加確實之方面而言，低溫電漿處理較佳為濺鍍蝕刻處理。濺鍍蝕刻處理中所使用之氣體例如為氧氣、氮氣、氨氣、氬氣。低溫電漿處理之氣體氛圍(真空度)例如為0.1～20 Pa，所使用之高頻之頻率例如為數十kHz～數十MHz。但是，低溫電漿處理之條件並不限定於上述例。 塗佈步驟例如可藉由浸漬法實施。浸漬法中，例如於收容有PTFE分散液之浸漬槽中浸漬基材2。浸漬法中，藉由於大致垂直方向搬送浸漬後之基材2，亦能夠使焙燒步驟後之PTFE層3之厚度及PTFE層4之厚度實質上相同。但是，只要能夠於進行了低溫電漿處理之基材2之兩個主表面2a、2b形成PTFE分散液之膜12a、12b，則實施塗佈步驟之具體方法並無限制。 分散液中所包含之PTFE之數量平均分子量為600萬以上。分散液中所包含之PTFE之數量平均分子量可採用於片材1之說明中上述之範圍。 膜12a及膜12b可由相同之PTFE分散液構成。於此情形時，能夠使焙燒步驟後之構成PTFE層3之PTFE之數量平均分子量、與構成PTFE層4之PTFE之數量平均分子量實質上相同。 利用塗佈步驟所形成之膜12a之厚度與膜12b之厚度亦可實質上相同。 焙燒步驟中之乾燥溫度例如為80～120℃。焙燒步驟中之焙燒溫度為PTFE之熔點以上之溫度，例如為340～380℃。於焙燒步驟中，亦可連續實施膜12a、12b之乾燥及焙燒。但是，關於實施焙燒步驟之具體方法、以及於焙燒步驟中所實施之乾燥及焙燒之條件，只要能由主表面2a上之膜12a形成PTFE層3，且由主表面2b上之膜12b形成PTFE層4，則並不限定於上述例。 只要能夠製造片材1，則第1製造方法亦可包括除上述以外之步驟。 將利用第2製造方法所進行之耐熱離型片材11之製造之一例示於圖4。於圖4所示之例中，利用以下之方式製造片材11。 自具有聚醯亞胺基材2、及夾持基材2之第1及第2PTFE層3、4之耐熱離型片材1剝離PTFE層4，獲得耐熱離型片材11(剝離步驟(a)及(b))。 剝離步驟中，藉由使PTFE層4與基材2之剝離力未達0.5 N/20 mm，能夠容易地剝離PTFE層4。關於實施剝離步驟之具體方法，只要能夠自耐熱離型片材1剝離PTFE層4，則並無限制。 只要能夠製造片材11，則第2製造方法亦可包括除上述以外之步驟。 [耐熱離型片材之使用] 如圖5所示，片材1、11能夠用作於壓接對象物22之熱壓接合時配置於熱加壓頭21與壓接對象物22之間而防止兩者之固著之耐熱離型片材。關於片材11，藉由以聚醯亞胺基材2面向熱加壓頭21，PTFE層3面向壓接對象物22之方式使用，亦能夠應對使用設定為更高溫之熱加壓頭之熱壓接合。 壓接對象物22例如為半導體晶片、PCB、電子零件。片材1、11例如可使用於利用熱壓接合所進行之半導體晶片之覆晶安裝、PCB之製造、電子零件之連接等。 [實施例] 以下，利用實施例進一步詳細地對本發明進行說明。本發明並不限定於以下實施例。 (實驗例1：PTFE之數量平均分子量、與PTFE層相對於聚醯亞胺基材之剝離力之關係) 將聚醯亞胺基材(Kaneka製造之Apical AH，厚度25 μm)浸漬於PTFE分散液(旭硝子製造之Fluon AD911E，PTFE之數量平均分子量500萬)後提起，於基材之兩個主表面形成分散液之膜。其次，於設定為100℃之爐內對基材加熱5分鐘使膜乾燥之後，於設定為380℃之爐內進一步加熱5分鐘對乾燥後之膜進行焙燒，形成PTFE層(厚度10 μm)。 對於所形成之聚醯亞胺基材與PTFE層之積層體A，依據JIS K6854-3：1999中所規定之T形剝離試驗，對PTFE層相對於聚醯亞胺基材之剝離力進行評價。於剝離試驗中，使用長度200 mm及寬度20 mm之短條狀之試驗片。試驗片係藉由如下方式準備，即，將用以防止試驗時之PTFE層之伸長之補強用之黏著帶(日東電工製造，No.360UL，厚度0.06 mm)貼附於PTFE層後，將積層體A切割成上述尺寸之短條狀，針對所得之切割片，將聚醯亞胺基材與一個PTFE層自長度方向之一個端部於該方向剝離50 mm。切割片及試驗片之長度方向設為聚醯亞胺基材向PTFE分散液之浸漬方向，切割片及試驗片之寬度方向設為於面內相對於上述浸漬方向垂直之方向。拉伸試驗機使用島津製作所製造之精密萬能試驗機Autograph AG-I，於剝離部分中分別保持聚醯亞胺基材及一個PTFE層之一對夾具之移動速度(剝離速度)設為300 mm/分鐘。試驗片之樣品數n設為5，將關於各試驗片而求出之「平均剝離力」之試驗片間之平均值(n＝5之平均值)作為PTFE層相對於聚醯亞胺基材之剝離力。將剝離力之評價結果示於表1。 此外，除PTFE分散液中使用旭硝子製造之Fluon AD938E(PTFE之數量平均分子量為1000萬)以外，與上述同樣地製作聚醯亞胺基材與PTFE層之積層體B。對於該積層體B，與上述同樣地實施剝離一個PTFE層之T形剝離試驗，對PTFE層相對於聚醯亞胺基材之剝離力進行評價。將所測定之剝離力示於表1。 [表1]
Figure 107111166-A0304-0001
 如表1所示，由數量平均分子量600萬以上之PTFE構成之PTFE層(積層體B之PTFE層)相對於聚醯亞胺基材之剝離力、與由數量平均分子量未達600萬之PTFE構成之PTFE層(積層體A之PTFE層)相對於聚醯亞胺基材之剝離力之間有較大差異，前者之剝離力為0.38 N/20 mm以下。 (實驗例2：利用濺鍍蝕刻處理所進行之剝離力提昇) 除對聚醯亞胺基材之一個主表面實施使用氬氣之濺鍍蝕刻處理(氣體量250～1300 scc/分鐘，真空度5 Pa，功率3～7 kW，頻率13.56 MHz)以外，與實驗例1之積層體B同樣地製作聚醯亞胺基材與PTFE層之積層體C。對於該積層體C，與實驗例1同樣地實施將形成於該一個主表面上之PTFE層剝離之T形剝離試驗，對該PTFE層相對於聚醯亞胺基材之剝離力進行評價。所測定之剝離力為0.75 N/20 mm，與實驗例1中所製作之積層體B中之剝離力0.38 N/20 mm相比得到了提昇。於實驗例2中，藉由對聚醯亞胺基材之濺鍍蝕刻處理，可確認形成於處理面上之PTFE層(由數量平均分子量600萬以上之PTFE構成)相對於聚醯亞胺基材之剝離力之提昇。 (實施例1) 自實驗例2中所製作之積層體C將形成於聚醯亞胺基材中之未實施濺鍍蝕刻處理之另一個主表面上之PTFE層剝離，製作包含聚醯亞胺基材與PTFE層之積層體D。 將積層體D作為耐熱離型片材，使用設定為300℃、330℃或350℃之熱加壓頭，實施線壓1 kN、壓接時間30秒之熱壓接合試驗。此時，以聚醯亞胺基材側之面面向熱加壓頭、PTFE層側之面面向壓接對象物之方式配置積層體D。 於實施例1中，即便將熱加壓頭設定為350℃，亦不會產生耐熱離型片材對熱加壓頭及壓接對象物之接合，亦基本上不會產生熱壓接合前後之耐熱離型片材之尺寸變化。 (比較例1) 將單層之PTFE片材(日東電工製造，NITOFLON No.900UL)作為耐熱離型片材，與實施例1同樣地實施熱壓接合試驗。於比較例1中，於將熱加壓頭設定為330℃之情形時，於熱壓接合前後產生耐熱離型片材之尺寸變化。又，於將熱加壓頭設定為350℃之情形時，產生耐熱離型片材對熱加壓頭之接合。進而，於將接合之耐熱離型片材自熱加壓頭剝離時該片材發生伸長，若不發生伸長則無法自熱加壓頭剝離。 本發明可於不脫離其意圖及本質特徵之範圍內應用於其他實施形態。該說明書中所揭示之實施形態於各個方面均為說明性內容，並不限定於此。本發明之範圍由隨附之申請專利範圍表示，而並非由上述說明表示，與申請專利範圍等同之含義及範圍內之所有變化均包括於其中。 [產業上之可利用性] 本發明之耐熱離型片材可於熱壓接合時配置於熱加壓頭與壓接對象物之間而用於防止兩者之固著。使用本發明之耐熱離型片材之熱壓接合例如可應用於半導體晶片之覆晶安裝、PCB之製造、電子零件之連接等。
1‧‧‧耐熱離型片材2‧‧‧聚醯亞胺基材2a‧‧‧(一個)主表面2b‧‧‧(另一個)主表面3‧‧‧第1PTFE層4‧‧‧第2PTFE層11‧‧‧耐熱離型片材12a、12b‧‧‧(PTFE分散液之)膜21‧‧‧熱加壓頭22‧‧‧壓接對象物
圖1係模式性地表示本發明之耐熱離型片材A之一例之剖視圖。 圖2係模式性地表示本發明之耐熱離型片材B之一例之剖視圖。 圖3(a)～(c)係模式性地表示本發明之耐熱離型片材A之製造方法之一例之步驟圖。 圖4(a)、(b)係模式性地表示本發明之耐熱離型片材B之製造方法之一例之步驟圖。 圖5係用以說明使用本發明之耐熱離型片材之熱壓接合方法之一例之模式圖。
1‧‧‧耐熱離型片材
2‧‧‧聚醯亞胺基材
2a‧‧‧(一個)主表面
2b‧‧‧(另一個)主表面
3‧‧‧第1PTFE層
4‧‧‧第2PTFE層

Claims (4)

  1. 一種耐熱離型片材，其具有聚醯亞胺基材、及夾持上述聚醯亞胺基材之第1及第2聚四氟乙烯(PTFE)層，構成上述第1及第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量為600萬以上，自上述聚醯亞胺基材剝離上述第1PTFE層所需之剝離力為0.5N/20mm以上，剝離上述第2PTFE層所需之剝離力未達0.5N/20mm，上述剝離力係依據JIS K6854-3：1999中所規定之T形剝離試驗，並藉由將剝離速度設為300mm/分鐘而測定者。
  2. 如請求項1之耐熱離型片材，其中構成上述第1PTFE層之PTFE之數量平均分子量、與構成上述第2PTFE層之PTFE之數量平均分子量之差為50萬以下。
  3. 一種耐熱離型片材之製造方法，其係如請求項1或2之耐熱離型片材之製造方法，於僅對一個主表面進行了低溫電漿處理之聚醯亞胺基材之兩個主表面形成PTFE分散液之膜，藉由對上述形成之膜進行乾燥及焙燒，由上述一個主表面上之上述膜形成上述第1PTFE層，由上述聚醯亞胺基材之另一個主表面上之上述膜形成上述第2PTFE層，而獲得上述耐熱離型片材。
  4. 如請求項3之耐熱離型片材之製造方法，其中上述低溫電漿處理為濺鍍蝕刻處理。
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