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TWI738912B - 密封用薄膜及其硬化物、以及電子裝置 - Google Patents

密封用薄膜及其硬化物、以及電子裝置 Download PDF

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藤本大輔
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荻原弘邦
渡瀨裕介
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日商昭和電工材料股份有限公司
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Abstract

一種密封用薄膜，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑及(D)無機填充材料，其中：上述(A)～(C)成分之中的在25℃呈液狀的液狀成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計是20～30質量%；上述(D)成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計是70～80質量%；溶劑的含量，以密封用薄膜的總質量作為基準計是0.05質量%以下。

Description

密封用薄膜及其硬化物、以及電子裝置
本發明關於一種密封用薄膜及其硬化物、以及電子裝置。更詳細而言，本發明關於一種密封用薄膜及其硬化物、以及電子裝置，該密封用薄膜能夠進行半導體器件的密封、配置於印刷線路基板上的電子零件的埋入等。
近年來，在構裝基板上的半導體元件、電容器、電阻元件等的電子零件的密封方面，處理性優異的密封用薄膜被廣泛地使用。
作為這樣的密封用薄膜，提案有一種薄片狀環氧樹脂組成物材料，其藉由將清漆(組成物)塗佈在薄膜上來進行成膜而成，該清漆例如是將環氧樹脂、硬化劑及填充材料等進行調配所調製而成(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2012-25907號公報
[發明所欲解決的問題] 專利文獻1所述之薄片狀環氧樹脂組成物材料，如上所述，是將各種成分進行調配而調製成清漆(組成物)後，藉由將該清漆塗佈在支撐體上進行成膜而製成。
然而，在這樣的製作方法中，當使塗佈在支撐體上的清漆狀環氧樹脂組成物乾燥時，因為暴露側與支撐體側在溶劑量上會產生較大的差異，所以會難以製成每片具有300μm以上的厚度的密封用薄膜。
又，如專利文獻1所述，對於利用黏貼複數片密封用薄膜而得到的膜厚300μm以上的密封用薄膜，當將電子零件進行密封成形時，有時會由於密封用薄膜中所包含的溶劑而產生起泡(blister)等不良情況，該密封用薄膜是塗佈清漆狀環氧樹脂組成物而製成。
因此，本發明的目的在於提供一種密封用薄膜及其硬化物，該密封用薄膜即便在厚度作成300μm以上時，仍能夠抑制密封成形時的起泡，並且具有良好的可撓性和良好的流動性；以及，提供一種電子裝置，其具備藉由該密封用薄膜密封而成的電子零件或電子器件(electronic device)。 [解決問題的技術手段]
為了達成上述目的，本發明的一態樣提供一種密封用薄膜，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑及(D)無機填充材料，其中：上述(A)～(C)成分((A)成分、(B)成分及(C)成分)之中的在25℃呈液狀的液狀成分的含量，以上述(A)～(D)成分((A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分)的總質量作為基準計是20～30質量%；上述(D)成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計是70～80質量%；溶劑的含量，以密封用薄膜的總質量作為基準計是0.05質量%以下。
根據本發明的一態樣中的密封用薄膜，其具有良好的可撓性和良好的流動性，並且即便在厚度作成300μm以上時，仍能夠抑制密封成形時的起泡。因此，根據上述發明，能夠提供一種密封用薄膜，其能夠一起密封具有TSV(Through-Silicon Via，直通矽通道)等的較厚的封裝體，並且厚度是300μm以上。
又，滿足上述條件的本發明的密封用薄膜，能夠藉由將揉合物進行塑性加工(plastic working)來獲得，該揉合物是將(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑及(D)無機填充材料進行揉合所獲得。也就是說，因為不必將含有環氧樹脂和無機填充材料之清漆塗佈在薄膜上便能夠形成密封用薄膜，所以能夠抑制由於密封用薄膜中包含的溶劑在硬化成形所造成的起泡。其結果，能夠謀求提升密封用薄膜的性能。
在上述密封用薄膜中，上述(D)成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是70～78質量%。
在上述密封用薄膜中，上述(D)成分的平均粒徑可以是0.01～50μm。
本發明的其他態樣，提供一種硬化物，其是上述本發明的一態樣中的密封用薄膜的硬化物。
本發明的其他態樣，提供一種電子裝置，其具備：電子零件或電子器件；及，密封部，其將上述電子零件或上述電子器件密封，該密封部包含上述本發明的一態樣中的密封用薄膜的硬化物。 [發明的效果]
根據本發明，能夠提供一種密封用薄膜及其硬化物，該密封用薄膜即便在厚度作成300μm以上時，仍能夠抑制密封成形時的起泡，並且具有良好的可撓性和良好的流動性；以及，提供一種電子裝置，其具備藉由該密封用薄膜密封而成的電子零件或電子器件。
以下，詳細地說明用以實施本發明的形態(以下，稱為「本實施形態」)。再者，本發明並未限定於以下的實施形態。
本實施形態的密封用薄膜，其含有(A)環氧樹脂(以下，有時稱為(A)成分)、(B)硬化劑(以下，有時稱為(B)成分)、(C)硬化促進劑(以下，有時稱為(C)成分)及(D)無機填充材料(以下，有時稱為(D)成分)，其中：上述(A)～(C)成分之中的在25℃呈液狀的液狀成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計是20～30質量%；上述(D)成分的含量，以上述(A)～(D)成分的總質量作為基準計是70～80質量%；溶劑的含量，以密封用薄膜的總質量作為基準計是0.05質量%以下。
〈(A)環氧樹脂〉 作為(A)環氧樹脂，只要是在1分子中具有2個以上的環氧丙基之環氧樹脂，便能夠使用而無特別限制。作為(A)成分，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚AP型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙酚B型環氧樹脂、雙酚BP型環氧樹脂、雙酚C型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚G型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚PH型環氧樹脂、雙酚TMC型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、己二醇雙酚S二環氧丙基醚等的雙酚S型環氧樹脂、酚醛清漆苯酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、雙二甲酚二環氧丙基醚等的雙二甲酚型環氧樹脂、氫化雙酚A環氧丙基醚等的氫化雙酚A型環氧樹脂、及該等的二元酸改質二環氧丙基醚型環氧樹脂；以及，脂肪族環氧樹脂等。(A)成分可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
(A)成分亦能夠使用市售的環氧樹脂。作為市售的環氧樹脂，可列舉例如：DIC股份有限公司製造的EXA4700(商品型號，4官能萘型環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製造的NC-7000(商品型號，含有萘骨架之多官能固形環氧樹脂)等的萘型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製造的EPPN-502H(商品型號，三酚環氧樹脂)等的酚類與具有酚性羥基之芳香族醛之縮合物的環氧化物(三酚型環氧樹脂)；DIC股份有限公司製造的EPICLON HP-7200H(商品型號，含有雙環戊二烯骨架之多官能固形環氧樹脂)等的雙環戊二烯芳烷型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製造的NC-3000H(商品型號；含有聯苯骨架之多官能固形環氧樹脂)等的聯苯芳烷型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON N660、EPICLON N690(以上為商品型號)、日本化藥股份有限公司製造的EOCN-104S等的酚醛清漆型環氧樹脂；日產化學工業股份有限公司製造的TEPIC(商品型號)等的參(2,3-環氧基丙基) 三聚異氰酸酯、DIC股份有限公司製造的EPICLON 860、EPICLON 900-IM、EPICLON EXA-4816、EPICLON EXA-4822(以上為商品型號)、ASAHI CIBA股份有限公司製造的Araldite AER280(商品型號)、東都化成股份有限公司製造的Epotec YD 134(商品型號)、三菱化學股份有限公司製造的jER834、jER872(商品型號)、住友化學股份有限公司製造的ELA-134(商品型號)、三菱化學股份有限公司製造的EPIKOTE 807、EPIKOTE 815、EPIKOTE 825、EPIKOTE 827、EPIKOTE 828、EPIKOTE 834、EPIKOTE 1001、EPIKOTE 1004、EPIKOTE 1007、EPIKOTE 1009(以上為商品型號)、陶氏化學公司製造的DER-330、DER-301、DER-361(以上為商品型號)、東都化成股份有限公司製造的YD8125、YDF8170(以上為商品型號)等的雙酚A型環氧樹脂；三菱化學股份有限公司製造的jER 806(商品型號)等的雙酚F型環氧樹脂；三菱化學股份有限公司製造的jER 828(商品型號)等的雙酚A型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON HP-4032(商品型號)等的萘型環氧樹脂；DIC股份有限公司製造的EPICLON N-740(商品型號)等的苯酚酚醛清漆型環氧樹脂；NAGASE CHEMTEX股份有限公司製造的DENACOL DLC301(商品型號)等的脂肪族環氧樹脂等。該等環氧樹脂，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
作為(A)成分，可以使用在25℃呈液狀的環氧樹脂。作為液狀的環氧樹脂，只要在25℃呈現液狀的環氧樹脂，則無特別限定。作為液狀的環氧樹脂，例如可列舉下述環氧丙基醚、環氧丙基胺系、及環氧丙基酯系樹脂，該等環氧丙基醚是雙酚A系、雙酚F系、聯苯系、酚醛清漆系、雙環戊二烯系、多官能酚系、萘系、芳烷基改質系、脂環式系及醇系等。該等環氧樹脂，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。作為液狀的環氧樹脂，在上述之中，從增進處理性的觀點來看，可以是雙酚F型環氧樹脂。
在本說明書中，所謂的在25℃呈液狀的環氧樹脂，意指利用E型黏度計或B型黏度計測得的在25℃時的黏度為400Pa‧s以下的環氧樹脂。
(A)成分的含量，從增進密封用薄膜良好的處理性的觀點來看，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是5～30質量%，可以是5～20質量%，亦可以是10～20質量%。
〈(B)硬化劑〉 作為(B)硬化劑，只要是在1分子中具有2個以上可與環氧丙基進行反應的官能基之硬化劑，便能夠使用而無特別限制。作為可與環氧丙基進行反應的官能基，例如可列舉：酚性羥基、胺、酸酐(苯二甲酸酐等)。作為(B)成分，例如可列舉：苯酚樹脂、酸酐、咪唑化合物、脂肪族胺、脂環族胺。(B)成分可以單獨使用1種，亦可以倂用2種以上。
作為苯酚樹脂，只要是在1分子中具有2個以上的酚性羥基之樹脂，便能夠使用公知的苯酚樹脂而無特別限制。作為苯酚樹脂，例如可列舉：在酸性觸媒下，使酚類或萘酚類與醛類縮合或共縮合所獲得之樹脂，前述酚類是苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F等，前述萘酚類是α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等，前述醛類是甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、柳醛等；聯苯骨架型苯酚樹脂；對二甲苯改質苯酚樹脂；間二甲苯/對二甲苯改質苯酚樹脂；三聚氰胺改質苯酚樹脂；萜烯改質苯酚樹脂；雙環戊二烯改質苯酚樹脂；環戊二烯改質苯酚樹脂；多環芳香環改質苯酚樹脂；二甲苯改質萘酚樹脂等。苯酚樹脂可單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
苯酚樹脂能夠使用市售的苯酚樹脂。作為市售的苯酚樹脂，例如可列舉：DIC股份有限公司製造的PHENOLITE LF 2882、PHENOLITE LF 2822、PHENOLITE TD-2090、PHENOLITE TD-2149、PHENOLITE VH-4150及PHENOLITE VH4170(以上為商品型號)；明和化成股份有限公司製造的MEH7000、MEH8000H(以上為商品型號)；三井化學股份有限公司製造的XLC-LL、XLC-4L(以上為商品型號)；新日鐵住金化學股份有限公司製造的SN-100、SN-300、SN-400(以上為商品型號)；Air Water股份有限公司製造的SK樹脂 HE910。該等苯酚樹脂可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
作為(B)成分，可以使用在25℃呈液狀的硬化劑。作為液狀的硬化劑，只要是在25℃呈現液狀的硬化劑，則無特別限定。作為液狀的硬化劑，例如較佳是在1分子中具有2個以上可與環氧丙基進行反應的官能基之硬化劑，例如可列舉：苯酚樹脂、酸酐、咪唑化合物、脂肪族胺及脂環族胺等。該等硬化劑，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。作為在25℃呈現液狀的苯酚樹脂，較佳是包含雙酚骨架之苯酚樹脂，例如可列舉：雙酚A、雙酚F、雙酚AD及雙酚S等的雙酚類；4,4’-二羥基聯苯等的二羥基聯苯類；雙(4-羥基苯基)醚等的二羥基苯基醚類；以及，在該等苯酚骨架的芳香環上導入直鏈烷基、分支烷基、芳基、羥烷基、烯丙基、環狀脂肪族基等而成者；及，在位於該等雙酚骨架的中央的碳原子上導入直鏈烷基、分支烷基、烯丙基、具有取代基之烯丙基、環狀脂肪族基或烷氧羰基等而成之多環二官能酚類。
在本說明書中，所謂的在25℃呈液狀的硬化劑，意指利用E型黏度計或B型黏度計測得的在25℃時的黏度為400Pa‧s以下的硬化劑。
(B)成分的含量，從使未反應的(A)成分和未反應的(B)成分減少這樣的觀點來看，相對於(A)成分100質量份，可以是50～100質量份，可以是55～90質量份，亦可以是60～75質量份。
(A)成分和(B)成分的比率，作為(A)成分中的環氧丙基的當量、及(B)成分中的可與環氧丙基進行反應的官能基的當量的比率(環氧樹脂中的環氧丙基的當量/硬化劑中的可與環氧丙基進行反應的官能基的當量)，可以是0.7～2.0，可以是0.8～1.8，亦可以是0.9～1.7。當此比率在上述範圍內時，未反應的(A)成分或未反應的(B)成分會變少，所以使密封用薄膜硬化時會有容易地獲得期望的硬化膜物性的傾向。
〈(C)硬化促進劑〉 作為(C)硬化促進劑，能夠無特別限制地使用，可以是胺系或磷系的硬化促進劑。作為胺系的硬化促進劑，例如可列舉：咪唑化合物、脂肪族胺、芳香族胺、改質胺、聚醯胺樹脂等。作為磷系的硬化促進劑，例如可列舉：膦氧化物、鏻鹽、二膦(diphosphines)等的有機磷化合物。在該等硬化促進劑之中，從衍生物豐富並容易地獲得期望的活性溫度的特性來看，(C)成分可以是咪唑化合物。
作為(C)成分，可以使用在25℃呈液狀的硬化促進劑。作為液狀的硬化促進劑，只要是在25℃呈現為液狀的硬化促進劑，則無特別限定。作為液狀的硬化促進劑，例如可列舉：膦、鏻鹽等的有機磷化合物；DBU(1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一碳-7-烯)、DBN(1,5-二氮雜二環[4.3.0]壬-5-烯)等的胺化合物。該等硬化促進劑，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
在本說明書中，所謂的在25℃呈液狀的硬化促進劑，意指利用E型黏度計或B型黏度計測得的在25℃時的黏度為400Pa‧s以下的硬化促進劑。
(C)成分的含量，相對於(A)成分和(B)成分的總質量100質量份，可以是0.01～5質量份，可以是0.1～3質量份，亦可以是0.3～1.5質量份。當(C)成分的含量是0.01質量份以上時，可容易地獲得充分的硬化促進效果。另一方面，當(C)成分的含量是5質量份以下時，可抑制製作密封用薄膜時或儲存時的硬化的進行，所以會有降低密封用薄膜的破裂或伴隨熔融黏度的上升所造成的成形不良的傾向。
〈液狀成分〉 本實施形態的密封用薄膜，是將(A)～(C)成分之中的在25℃呈液狀的液狀成分，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計地含有20～30質量%。若液狀成分的含量是20質量%以上，藉由塑性加工(A)～(D)成分的揉合物便能夠獲得密封用薄膜，並且能夠抑制由於密封用薄膜中所包含的溶劑所造成的硬化成形時的起泡。又，若液狀成分的含量是20質量%以上，能夠獲得具有良好的可撓性和良好的流動性之密封用薄膜。另一方面，若液狀成分的含量是30質量%以下，便能夠獲得厚度300μm以上的密封用薄膜。又，藉由液狀成分的含量在上述範圍內，便能夠對密封用薄膜賦予良好的處理性。從獲得更高水準的上述效果的觀點來看，液狀成分的含量，可以是20～28質量%，亦可以是20～25質量%。
液狀成分，可以僅為(A)～(C)成分中的一種成分，亦可以是兩種成分以上。在本實施形態的密封用薄膜中，較佳是至少(A)成分包含液狀成分，更佳是至少(A)成分和(B)成分包含液狀成分。再者，(A)成分可以包含在25℃呈液狀的環氧樹脂、及在25℃呈固形的環氧樹脂。(B)成分可以包含在25℃呈液狀的硬化劑、及在25℃呈固形的硬化劑。(C)成分可以包含在25℃呈液狀的硬化促進劑、及在25℃呈固形的硬化促進劑。
當本實施形態的密封用薄膜含有在25℃呈液狀的環氧樹脂時，從對密封用薄膜賦予良好的處理性的觀點來看，其含量以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是5質量%以上，可以是6質量%以上，亦可以是10質量%以上。另一方面，從抑制薄膜表面過度的黏性這樣的觀點來看，在25℃呈液狀的環氧樹脂的含量，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是20質量%以下，可以是18質量%以下，亦可以是17質量%以下。
當本實施形態的密封用薄膜含有在25℃呈液狀的硬化劑時，從對密封用薄膜賦予良好的處理性的觀點來看，其含量以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是1質量%以上，可以是2質量%以上，亦可以是3質量%以上。另一方面，從抑制薄膜表面過度的黏性這樣的觀點來看，在25℃呈液狀的硬化劑的含量，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，可以是20質量%以下，可以是15質量%以下，亦可以是13質量%以下。
〈(D)無機填充材料〉 作為(D)無機填充材料，能夠使用先前公知的無機填充材料，並未限定為特定的無機填充材料。作為(D)成分，例如可列舉：硫酸鋇、鈦酸鋇、非晶二氧化矽、結晶型二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、氮化矽、氮化鋁。作為(D)成分，從藉由表面改質等而容易地提升在樹脂中的分散性、或具有較小的熱膨脹係數，從而容易地獲得期望的硬化膜特性的觀點來看，可以是二氧化矽類。
(D)成分可以實行表面改質。表面改質的手法並未特別限定。從表面改質簡便並且官能基的種類豐富而容易地賦予期望的特性這點來看，可以是使用了矽烷耦合劑的手法。作為矽烷耦合劑，例如可列舉：烷基矽烷、烷氧基矽烷、乙烯基矽烷、環氧基矽烷、胺基矽烷、丙烯基矽烷、甲基丙烯基矽烷、巰基矽烷、硫化物矽烷、異氰酸酯矽烷、硫基矽烷、苯乙烯基矽烷、烷基氯矽烷等。
作為矽烷耦合劑，可列舉例如：甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、二異丁基二甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正十二烷基甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三苯基矽醇、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、正辛基二甲基氯矽烷、四乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺乙基)胺丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺乙基)胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-苯基胺丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、雙[3-(三乙氧基矽基)丙基]二硫化物、雙[3-(三乙氧基矽基)丙基]四硫化物、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、二烯丙基二甲基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、胺基矽烷等。該等矽烷耦合劑，可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
(D)成分的含量，從獲得作為薄膜的良好的處理性(可撓性等)的觀點來看，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計是70～80質量%，亦可以是70～78質量%。
(D)成分的平均粒徑，可以是0.01～50μm，可以是0.1～25μm，亦可以是0.3～10μm。當平均粒徑是0.01μm以上時，可抑制無機填充材料的凝集，而會有無機填充材料的分散變得容易的傾向。當平均粒徑是50μm以下時，對於半導體封裝體成形後在封裝體表面上的印字會有可獲得良好的外觀的傾向，該印字是藉由雷射雕刻所產生。所謂的平均粒徑，是當將粒子的總體積設為100%來求得基於粒徑的累積度數分布曲線時，對應於體積50%的點的粒徑，粒徑能夠以使用雷射繞射散射法的粒度分布裝置等來測定。
本實施形態的密封用薄膜，在不損害本發明的效果的範圍內，能夠進一步使用其他添加劑。作為如此的添加劑的具體例，能夠列舉彈性體、顏料、染料、脫模劑、抗氧化劑、表面張力調整劑等。
本發明的密封用薄膜，例如能夠依下述操作來製造。將上述的(A)～(D)成分進行熔融揉合。作為熔融揉合的方法，並未特別限定，例如可列舉藉由混合輥(mixing roll)、加壓式捏合機、擠壓機(extruder)等公知的揉合機來進行熔融揉合的方法等。
作為揉合條件，溫度只要在上述各成分的軟化點以上，則無特別限制，例如是30～130℃，若考慮環氧樹脂的熱硬化性，較佳是40～120℃，進一步較佳是60～110℃，時間例如是1～30分鐘，較佳是5～15分鐘。
藉由上述的揉合方法所調製成的揉合物，例如，能夠依下述操作而加工成密封用薄膜。利用具有雙軸輥或壓延輥等之軋輥機、擠壓機或沖壓機等，以厚度成為期望的厚度的方式來壓延、擠壓，並且進行加壓便能夠加工。藉此製造而成的密封用薄膜，從其作業性、成形性的觀點來看，較佳是在常溫中可保持形狀者。
作為密封用薄膜的加工溫度，只要是在上述的各成分的軟化點以上，並無特別限制，若考慮環氧樹脂的熱硬化性和加工性，例如可以是30～150℃，較佳是50～140℃，更佳是60～120℃。
密封用薄膜的厚度，例如可以是100～1500μm，較佳是300～1200μm。根據本實施形態，能夠容易地獲得具有300μm以上的厚度的密封用薄膜。
密封用薄膜，可以形成在支撐體上。作為支撐體，例如能夠使用高分子薄膜。
作為高分子薄膜，例如可列舉：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜等的聚烯烴薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯等的聚酯薄膜；聚碳酸酯薄膜；乙酸纖維素薄膜；四氟乙烯薄膜等。
本實施形態中的電子零件裝置，具備：電子零件；及，密封部，其將上述電子零件進行密封，並且上述密封部包含本實施形態中的密封用薄膜或其硬化物。本實施形態中的電子零件裝置，使用密封用薄膜或其硬化物來密封電子零件而成。作為具備電子零件之電子零件裝置，例如可列舉具備半導體元件之半導體裝置。電子零件，亦可以是電子器件中的電子零件。
又，本實施形態中的電子裝置，具備：電子零件或電子器件；及，密封部，該密封部將上述電子零件或上述電子器件密封，並包含本實施形態中的密封用薄膜的硬化物。
本實施形態中的電子裝置的製造方法，具備：密封步驟，其藉由本實施形態中的密封用薄膜來將電子零件或電子器件密封；獲得密封部的步驟，其使上述密封用薄膜硬化來獲得密封部。密封步驟，例如是藉由在加熱下對密封用薄膜進行按壓，來將設置在基板上的電子零件或電子器件進行密封的步驟。本實施形態中的電子裝置的製造方法，例如具備：藉由在加熱下將密封用薄膜按壓在電子零件或電子器件上，而利用密封用薄膜來將電子零件或電子器件密封的步驟；及，使已將電子零件或電子器件密封的密封用薄膜進行硬化而獲得密封部的步驟。
藉由密封用薄膜所進行的電子零件或電子器件的密封，能夠藉由疊層法來實行。作為使用在疊層法的疊層機，並無特別限定，例如可列舉：輥式、氣囊式等的疊層機。在該等之中，從埋入性優異的觀點來看，能夠使用可進行真空加壓的氣囊式。
疊層溫度，通常在使用支撐體(薄膜狀的支撐體等)時是在支撐體的軟化點以下。疊層溫度，例如是密封用薄膜成為最低熔融黏度附近的溫度。疊層時的壓力，可依據欲埋入的電子器件(半導體元件等)的尺寸或密集度來變化，可以是0.1～1.5MPa，亦可以是0.3～1.0MPa。疊層時間，並無特別限定，可以是20～600秒，可以是30～300秒，亦可以是40～120秒。
密封用薄膜的硬化，例如能夠在大氣下或惰性氣體下來實行。硬化溫度，並無特別限定，可以是80～280℃，可以是100～240℃，亦可以是120～200℃。只要硬化溫度是80℃以上，密封用薄膜的硬化就會充分地進行，並且能夠容易地抑制不良的產生。只要硬化溫度是280℃以下，便能夠抑制對其他材料造成的熱損傷。硬化時間，並無特別限定，可以是30～600分鐘，可以是45～300分鐘，亦可以是60～240分鐘。只要硬化時間在該等範圍內，密封用薄膜的硬化就能夠充分地進行，並可獲得良好的生產效率。亦可以將複數種硬化條件進行組合。
以上，說明了本發明中的密封用薄膜及電子裝置適合的實施形態。但是本發明並未限定於上述的實施形態，只要在不脫離其發明要旨的範圍內，可實行適當地變更。作為半導體元件以外的電子零件，例如，在線路板材料用途中亦能夠應用本發明中的密封用薄膜。 [實施例]
以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但是本發明並未限定於該等實施例。
為了製作密封用薄膜，準備下述成分。 ((A)成分：環氧樹脂) 環氧樹脂a：雙酚F型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造的jER806(商品型號)；環氧當量：160；在25℃呈液狀)。 環氧樹脂b：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造的jER828(商品型號)；環氧當量：185；在25℃呈液狀)。 環氧樹脂c：含有萘骨架之多官能固形環氧樹脂(DIC股份有限公司製造的EXA-4750(商品型號)；環氧當量：182；在25℃呈固形)。 ((B)成分：硬化劑) 硬化劑a：苯酚酚醛清漆(旭有機材料工業股份有限公司製造的PAPS-PN2(商品型號)；酚性羥基當量：104；在25℃呈固形)。 硬化劑b：苯酚酚醛清漆(明和化成股份有限公司製造的MEH8000H(商品型號)；酚性羥基當量：140；在25℃呈液狀)。 ((C)成分：硬化促進劑) 硬化促進劑：咪唑(四國化成工業股份有限公司製造的2PHZ-PW(商品型號)；在25℃呈固形)。 ((D)成分：無機填充材料) 無機填充材料：二氧化矽(Admatechs股份有限公司製造的SX-E2(商品型號)；苯基胺基矽烷處理；平均粒徑5.8μm)。
(實施例1～2) 以顯示於表1的配方(單位：質量%)來調配各成分，並以60～100℃、10分鐘的條件藉由輥揉合機來熔融揉合，製成揉合物。
繼而，將所獲得的揉合物藉由熱擠壓成形法來成形為薄膜狀，並分別製成厚度500μm的實施例1的密封用薄膜、及厚度1000μm的實施例2的密封用薄膜。
(實施例3～6及比較例2～3) 以顯示於表1和表2的配方(單位：質量%)來調配各成分，並以60～100℃、10分鐘的條件藉由輥揉合機來熔融揉合，製成揉合物。
繼而，將所獲得的揉合物藉由平壓法來成形為薄片狀，而製成厚度500μm的密封用薄膜。但是比較例2，其成形後的材料會流動而無法保持薄膜狀，所以無法製成密封用薄膜。
(比較例1) 以顯示於表2的配方(單位：質量%)來調配各成分。以添加溶劑後成為組成物總質量的15質量%的量，將作為溶劑的甲基乙基酮添加至所獲得的調配物中，來製成塗佈用清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機，利用以下的條件將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈在支撐體(38μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜)上，來製成薄膜的厚度為250μm(不包括支撐體的厚度)的密封用薄膜。 塗佈頭(coating head)方式：刮刀式(comma)塗佈。 　塗佈和乾燥速度：1m/分鐘。 乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m。
之後，將2片薄膜厚度為250μm的密封用薄膜進行積層，藉由真空加壓疊層機並利用以下的條件進行貼合，製成薄膜厚度為500μm的密封用薄膜。 疊層裝置：真空加壓疊層機(名機製作所股份有限公司製造的MVLP-500(商品型號))。 疊層溫度：90℃。 疊層壓力：0.5MPa。 抽真空時間：30秒。 疊層時間：40秒。
〈評價〉 (可撓性評價) 密封用薄膜的可撓性是使用彎曲試驗機並利用以下的步驟來評價。作為試驗機，準備YOSHIMITSU精機股份有限公司製造的彎曲試驗機(日本工業規格JIS型的型號1，圓筒型心軸法)。將各實施例和各比較例的密封用薄膜切割為縱50mm、橫50mm來製成試驗片。使試驗片的其中一面(在比較例1中是支撐體的面)接觸在直徑2mm的圓筒型軸心上，並將試驗片彎曲成135°，然後利用下述基準來評價可撓性。將評價結果顯示於表1和表2。 A：即便折曲成135°仍不會斷裂，也未產生裂痕。 B：雖然折曲成135°不會斷裂，但產生裂痕。 C：若折曲成135°則會斷裂。
(流動性評價) 密封用薄膜的流動性是利用以下的步驟來評價。作為試驗機，準備TA Instruments公司製造的流變儀(ARES G2)。將0.6g的各實施例和各比較例的密封用薄膜成形為直徑20mm的圓形，並利用2片的鋁平行板來夾持，來測定熔融黏度(測定溫度40～220℃、升溫速度5℃/分鐘)。針對比較例1的密封用薄膜，在剝離支撐體後進行測定。流動性利用下述基準來評價。將評價結果顯示於表1和表2。 A：最低熔融黏度是100Pa‧s以下。 B：最低熔融黏度大於100Pa‧s且300Pa‧s以下。 C：最低熔融黏度大於300Pa‧s。
(起泡評價) 密封用薄膜的起泡是利用以下的步驟來評價。將各實施例和各比較例的密封用薄膜切割為縱70mm、橫100mm來製成試驗片。針對比較例1的密封用薄膜，作成剝離支撐體後的狀態。將試驗片貼合在玻璃板上，在140℃的烘箱中加熱10分鐘。以目視確認是否有來自密封用薄膜上部和玻璃面的起泡。將評價結果顯示於表1和表2。
(溶劑量測定) 密封用薄膜中的溶劑含量是利用以下的步驟算出。將各實施例和各比較例的密封用薄膜切割為5cm見方的試料。針對比較例1的密封用薄膜，作成剝離支撐體後的狀態。將該試料放入已預先測定質量的鋁杯中，來測定已放入試料的鋁杯的質量。繼而，直接以試料放入鋁杯的狀態，在180℃的烘箱中加熱10分鐘，然後在室溫中放置10分鐘後，再次測定已放入試料的鋁杯的質量。繼而，從加熱前和加熱後的已放入試料的鋁杯的質量的測定值減去鋁杯的質量，各自求得加熱前和加熱後的密封用薄膜的質量。並且，不論是否調配有溶劑，將從加熱前的密封用薄膜的質量減去加熱後的密封用薄膜的質量所得的重量減少的值，當作密封用薄膜中所包含的溶劑的質量。並且，將溶劑的質量相對於加熱前的密封用薄膜的質量的比例當作溶劑的含量(溶劑量)。將結果顯示於表1和表2。
[表1]
Figure 106138398-A0304-0001
[表2]
Figure 106138398-A0304-0002
無
無
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (5)

  1. 一種密封用薄膜，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑及(D)無機填充材料，其中：前述(A)~(C)成分之中的在25℃呈液狀的液狀成分的含量，以前述(A)~(D)成分的總質量作為基準計是20~30質量%；前述(B)成分的含量，相對於前述(A)成分100質量份是55~90質量份；前述(D)成分的含量，以前述(A)~(D)成分的總質量作為基準計是70~80質量%；溶劑的含量，以密封用薄膜的總質量作為基準計是0.05質量%以下。
  2. 如請求項1所述之密封用薄膜，其中，前述(D)成分的含量，以前述(A)~(D)成分的總質量作為基準計是70~78質量%。
  3. 如請求項1或2所述之密封用薄膜，其中，前述(D)成分的平均粒徑是0.01~50μm。
  4. 一種硬化物，其是請求項1~3中任一項所述之密封用薄膜的硬化物。
  5. 一種電子裝置，其具備：電子零件或電子器件；及，密封部，其將前述電子零件或前述電子器件密封，該密封部包含請求項1~3中任一項所述之密封用薄膜的硬 化物。
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