[go: up one dir, main page]

JP7070559B2 - 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 - Google Patents

封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7070559B2
JP7070559B2 JP2019514668A JP2019514668A JP7070559B2 JP 7070559 B2 JP7070559 B2 JP 7070559B2 JP 2019514668 A JP2019514668 A JP 2019514668A JP 2019514668 A JP2019514668 A JP 2019514668A JP 7070559 B2 JP7070559 B2 JP 7070559B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
functional group
reactive functional
mass
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019514668A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018199309A1 (ja
Inventor
裕介 渡瀬
豊 野村
紘之 石毛
雅彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Resonac Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd, Resonac Corp filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of JPWO2018199309A1 publication Critical patent/JPWO2018199309A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7070559B2 publication Critical patent/JP7070559B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/34—Feeding the material to the mould or the compression means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

本発明は、封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法に関する。
電子機器の軽薄短小化に伴って、電子部品装置（半導体装置等）の小型化及び薄型化が進んでいる。半導体素子（シリコンチップ等の半導体チップ）とほぼ同じ大きさの半導体装置を用いる形態、又は、半導体装置の上に半導体装置を積む実装形態（パッケージ・オン・パッケージ）が盛んに行われており、今後、電子部品装置の小型化及び薄型化が一段と進むと予想される。
半導体素子の微細化が進展し、端子数が増加してくると、半導体素子上にすべての外部接続端子（外部接続用の端子）を設けることが難しくなる。例えば、無理に外部接続端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなると共に端子高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。そこで、電子部品装置の小型化及び薄型化を実現するために、新たな実装方式が多々提案されている。
例えば、半導体ウエハを個片化して作製された半導体素子を、適度な間隔を有するように再配置した後、固形又は液状の樹脂（封止用樹脂）を用いて半導体素子を封止し、半導体素子の外側において半導体素子を封止する封止部分上に外部接続端子を設けることができる実装方法、及び、これを用いて作製される半導体装置が提案されている（例えば、下記特許文献１～３参照）。
上記実装方法では、電子部品を封止して作製した封止構造体（封止成形物）に対して、外部接続端子を配置するための配線、及び、外部接続端子を形成する工程が実施される。また、上記実装方法では、複数の電子部品（半導体素子等）を封止して得られる封止構造体をダイシングして複数の電子部品装置（半導体装置等）を得る場合がある。この場合、再配置される電子部品が多いほど、一度の工程で作製可能な電子部品装置が増えることになる。そこで、封止構造体を大きくする検討が行われている。現状は、例えば、配線形成に半導体製造装置を使用するため、封止構造体はウエハ形状に成形されており（ファンアウト型ウエハレベルパッケージ）、ウエハ形状の大径化が進む傾向がある。さらに、より大判化が可能であり且つ半導体製造装置よりも安価なプリント配線板製造装置等の使用が可能となるように、封止構造体のパネル化も検討されている（ファンアウト型パネルレベルパッケージ）。
特開２０１５－１７８６３５号公報 特開２０１４－１３１０１６号公報 特開２０１４－１９７６７０号公報
ところで、封止用樹脂を用いて被封止体を封止する場合、被封止体と被封止体を封止する封止部（封止用樹脂の硬化物）の熱膨張率が異なることに基づき、反りが問題となることがある。特に、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ及びファンアウト型パネルレベルパッケージのようなパッケージ基板を有しない薄型の半導体装置では反りが発生しやすい。
そこで、本発明は、封止構造体の反りを低減することができる封止用フィルム及びその製造方法、並びに当該封止用フィルムを用いた封止構造体を提供することを目的とする。
本発明の一側面は、熱硬化性樹脂と、無機充填材と、を含有する封止用フィルムの製造方法に関する。この方法は、熱硬化性樹脂として反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂と、無機充填材と、を含有する樹脂組成物を準備する工程と、樹脂組成物をフィルム状に成形する工程と、を備える。この方法によれば、封止構造体の反りを低減することができる封止用フィルムを得ることができる。
樹脂組成物の硬化後のガラス転移温度は８０～１８０℃であってよい。この場合、封止構造体の信頼性を向上させることができる封止用フィルムを得ることができる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂は、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができる封止用フィルムを得ることができる。また、この方法によれば、硬化後に充分なＴｇを有し、封止構造体の信頼性を向上させることができる封止用フィルムが得られやすい。
樹脂組成物は、熱硬化性樹脂として、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を更に含有してよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができる封止用フィルムを得ることができる。また、この方法によれば、硬化後に充分なＴｇを有し、封止構造体の信頼性を向上させることができる封止用フィルムが得られやすい。
樹脂組成物は、熱硬化性樹脂として、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂を更に含有してよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができる封止用フィルムを得ることができる。また、この方法によれば、硬化後に充分なＴｇを有し、封止構造体の信頼性を向上させることができる封止用フィルムが得られやすい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂はエポキシ樹脂を含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができる封止用フィルムを得ることができる。また、この方法によれば、硬化後に充分なＴｇを有し、封止構造体の信頼性を向上させることができる封止用フィルムが得られやすい。
封止用フィルムの膜厚は２０～２５０μｍであってよい。この場合、塗工時における面内の厚みのバラつきが抑制されやすく、また、塗工時に深さ方向で一定の乾燥性が得られやすい。
本発明の一側面は、熱硬化性樹脂と、無機充填材と、を含有し、熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂を含む、封止用フィルムに関する。この封止用フィルムによれば、封止構造体の反りを低減することができる。
封止用フィルムの硬化後のガラス転移温度は８０～１８０℃であってよい。この場合、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂は、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができると共に、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を更に含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができると共に、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂を更に含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができると共に、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂はエポキシ樹脂を含んでよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができると共に、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
封止用フィルムの膜厚は２０～２５０μｍであってよい。この場合、封止構造体の反りをより低減することができると共に、封止構造体の信頼性を向上させることができる。
本発明の一側面は、被封止体と、当該被封止体を封止する上記封止用フィルムの硬化物と、を備える封止構造体に関する。この封止構造体では、反りが低減されている。
本発明の一側面は、上記方法により得られる封止用フィルム又は上記封止用フィルムを用いて、被封止体を封止する工程を備える、封止構造体の製造方法に関する。この方法によれば、反りが低減された封止構造体を得ることができる。
本発明によれば、封止構造体の反りを低減することができる封止用フィルム及びその製造方法、並びに当該封止用フィルムを用いた封止構造体を提供することができる。
図１は、実施形態の封止用フィルムを備える支持体付き封止用フィルムを示す模式断面図である。 図２は、封止構造体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 図３は、封止構造体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
本明細書中において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書中に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。本明細書中において、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
本実施形態の封止用フィルムは、熱硬化性成分及び無機充填材を含有するフィルム状の樹脂組成物である。熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤等が挙げられる。熱硬化性成分は、硬化剤及び／又は硬化促進剤を含むことなく、熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂は、１分子中に２個以上の反応性官能基を有している。本実施形態では、例えば、反応性官能基と他の反応性官能基とが熱により反応することで三次架橋構造が形成され、封止用フィルムが硬化される。反応性官能基と反応する他の反応性官能基は、熱硬化性樹脂が有する反応性官能基であってよく、硬化剤が有する反応性官能基であってもよい。
熱硬化性樹脂は、２５℃で液状の熱硬化性樹脂、及び、２５℃で液状ではない熱硬化性樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。本実施形態では、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、２５℃で液状の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。なお、「２５℃で液状」とは、Ｅ型粘度計で測定した２５℃における粘度が４００Ｐａ・ｓ以下であることを指す。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂Ａを含む。本明細書中、「反応性官能基当量」とは、熱硬化性樹脂が有する反応性官能基１ｍｏｌあたりの熱硬化性樹脂の質量（ｇ／ｍｏｌ）を意味する。反応性官能基当量は、例えば、反応性官能基がエポキシ基である場合には、熱硬化性樹脂をクロロホルムに溶解させた後、得られた溶液に、酢酸及び臭化テトラエチルアンモニウム酢酸溶液を加え、過塩素酸酢酸標準液により電位差滴定し、全てのエポキシ基が反応した終点を検出することによって測定される。また、反応性官能基が水酸基である場合には、熱硬化性樹脂にアセチル化試薬を加え、グリセリン浴中で加熱し、放冷した後、指示薬として、フェノールフタレイン溶液を加え、水酸化カリウムエタノール溶液で滴定することによって測定される。
本実施形態の封止用フィルムによれば、樹脂Ａを含むことにより、被封止体を封止して得られる封止構造体の反りを低減することができる。本発明者らの知見によれば、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂を含む従来の封止用樹脂（例えば封止用樹脂からなる封止用フィルム）では、封止構造体の反りが発生しやすいのに対し、本実施形態では、封止用フィルムがエポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂を含む場合であっても、封止構造体の反りを低減することができる。このような効果が得られる原因は、明らかではないが、封止用フィルムが樹脂Ａを含むことにより、硬化時の架橋点が減り、硬化後の架橋密度が小さくなるためであると本発明者らは推察している。
樹脂Ａとしては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性ポリイミド、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、ポリウレタン等が挙げられる。樹脂Ａとしては、優れた熱伝導率を有する硬化物が得られやすい観点及び本発明の効果が顕著となる観点から、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂が好ましい。樹脂Ａがエポキシ樹脂である場合、反応性官能基はエポキシ基である。樹脂Ａがフェノール樹脂である場合、反応性官能基は水酸基（フェノール性水酸基）である。
樹脂Ａは、封止構造体の反りをより低減できる観点から、反応性官能基当量が２８０ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてよく、反応性官能基当量が３００ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が３３０ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてもよい。樹脂Ａは、硬化後のＴｇが充分となり、封止構造体の信頼性（熱信頼性）を向上させることができる観点から、反応性官能基当量が５００ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてよく、反応性官能基当量が４５０ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が４１０ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてもよい。これらの観点から、樹脂Ａは、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きく５００ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてよく、反応性官能基当量が２８０～４５０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が３３０～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよい。
樹脂Ａの含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５質量％以上、１０質量％以上、１２質量％以上又は１５質量％以上であってよく、また、９０質量％以下、８５質量％以下、７０質量％以下又は３０質量％以下であってもよい。上述の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。したがって、樹脂Ａの含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、１０～９０質量％であってよく、１２～８５質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよく、５～３０質量％であってもよく、１０～３０質量％であってもよく、１５～３０質量％であってもよい。なお、以下の同様の記載においても、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。
特に、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、樹脂Ａのうち反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１０～９０質量％であってよく、１２～８５質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。
本実施形態では、互いに異なる反応性官能基当量を有する複数の熱硬化性樹脂を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを両立できる。また、この場合、無機充填材を多くした場合（例えば無機充填材の量を封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として７０質量％以上とした場合）であっても、硬化後のクラック及び割れを低減することができる。これらの効果が得られる原因は、明らかではないが、樹脂Ａに由来する架橋構造が耐クラック性を向上させるためであると本発明者らは推察している。
熱硬化性樹脂は、樹脂Ａの反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂Ｂを含むことが好ましい。この場合、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる。この原因は、明らかではないが、硬化によって、架橋が密な部分と架橋が疎な部分とを有する架橋構造が形成されることにより、硬化時には応力の発生を抑制しつつ、硬化後には充分なＴｇを確保できるためであると本発明者らは推察している。樹脂Ｂは、反応性官能基当量の異なる複数の樹脂を含んでいてよい。
熱硬化性樹脂が、反応性官能基当量の異なる複数の樹脂Ａを含む場合、樹脂Ｂは、少なくとも１つの樹脂Ａの反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂であればよい。
樹脂Ｂが有する反応性官能基は、樹脂Ａが有する反応性官能基と同一であってよく、異なっていてもよい。樹脂Ｂが有する反応性官能基は、樹脂Ａが有する反応性官能基と熱により反応する官能基であってもよい。例えば、樹脂Ａがエポキシ樹脂である場合、樹脂Ｂは、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、カルボン酸樹脂等であってよい。また、例えば、樹脂Ａがフェノール樹脂である場合、樹脂Ｂは、エポキシ樹脂等であってよい。
樹脂Ｂの含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５質量％以上、１５質量％以上又は２５質量％以上であってよく、また、６０質量％以下、５０質量％以下又は４０質量％以下であってよい。したがって、樹脂Ｂの含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、５～６０質量％であってよく、１５～５０質量％であってもよく、２５～４０質量％であってもよい。
また、熱硬化性樹脂は、樹脂Ａと、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂Ｃと、を含むことが好ましい。この場合、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる。この原因は、明らかではないが、硬化によって、架橋が密な部分と架橋が疎な部分とを有する架橋構造が形成されることにより、硬化時には応力の発生を抑制しつつ、硬化後には充分なＴｇを確保できるためであると本発明者らは推察している。
樹脂Ｃは、封止構造体の反りをより低減できる観点から、反応性官能基当量が８０ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてよく、反応性官能基当量が９０ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１００ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１３０ｇ／ｍｏｌ以上である樹脂を含んでいてもよい。樹脂Ｃは、硬化後のＴｇが充分となり、封止構造体の信頼性（熱信頼性）を向上させることができる観点から、反応性官能基当量が２１０ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が２０５ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１６０ｇ／ｍｏｌ以下である樹脂を含んでいてもよい。これらの観点から、樹脂Ｃは、反応性官能基当量が８０～２５０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてよく、反応性官能基当量が９０～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１００～２０５ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１００～１６０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１３０～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよく、反応性官能基当量が１３０～１６０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含んでいてもよい。
樹脂Ｃは、反応性官能基当量の異なる複数の樹脂を含んでいてよい。例えば、樹脂Ｃとして、反応性官能基当量が１００～１６０ｇ／ｍｏｌである樹脂と、反応性官能基当量が１６０～２５０ｇ／ｍｏｌである樹脂と、を組み合わせて用いてもよい。
樹脂Ｃが有する反応性官能基は、樹脂Ａが有する反応性官能基と同一であってよく、異なっていてもよい。例えば、樹脂Ｃが有する反応性官能基は、樹脂Ａが有する反応性官能基と熱により反応する官能基であってよい。
樹脂Ｃの反応性官能基当量は、樹脂Ａの反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍であってよい。樹脂Ａと樹脂Ｃとの好ましい組み合わせは、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂と、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂の組み合わせであり、より好ましい組み合わせは、反応性官能基当量が３３０～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂と、反応性官能基当量が１３０～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂の組み合わせである。
樹脂Ｃの含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５質量％以上、１５質量％以上、２５質量％以上、３５質量％以上又は４５質量％以上であってよく、８５質量％以下、７５質量％以下、６５質量％以下、６０質量％以下、５０質量％以下又は４０質量％以下であってよい。したがって、樹脂Ｃの含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、２５～８５質量％であってよく、３５～７５質量％であってもよく、４５～６５質量％であってもよく、５～６０質量％であってもよく、１５～５０質量％であってもよく、２５～４０質量％であってもよい。特に、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを更に高い水準で両立できる観点から、樹脂Ｃのうち反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、２５～８５質量％であってよく、３５～７５質量％であってもよく、４５～６５質量％であってもよい。
次に、樹脂Ａがエポキシ樹脂を含む第１実施形態、及び、樹脂Ａがフェノール樹脂を含む第２実施形態について、詳細に説明する。
［第１実施形態］
第１実施形態の封止用フィルムは、樹脂Ａがエポキシ樹脂を含む。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ、エポキシ基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂であれば特に制限なく用いることができる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＧ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂（ヘキサンジオールビスフェノールＳジグリシジルエーテル等）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰＨ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＴＭＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂（ビキシレノールジグリシジルエーテル等）、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等）、これらの樹脂の二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを両立できる観点では、ビスフェノールＡ骨格を有するエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂として、２５℃で液状のエポキシ樹脂（液状エポキシ樹脂）を用いてよい。液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡＤ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＳ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型又は４官能型のグリシジルアミン等が挙げられる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りをより低減できる観点から、２８０ｇ／ｍｏｌ以上であることが好ましく、３００ｇ／ｍｏｌ以上であることがより好ましく、３３０ｇ／ｍｏｌ以上であることが更に好ましい。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の反応性官能基当量は、硬化後のＴｇが充分となり、封止構造体の信頼性（熱信頼性）を向上させることができる観点から、５００ｇ／ｍｏｌ以下が好ましく、４５０ｇ／ｍｏｌ以下がより好ましく、４１０ｇ／ｍｏｌ以下が更に好ましい。このような観点から、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の反応性官能基当量は、２５０ｇ／ｍｏｌより大きく５００ｇ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、２８０～４５０ｇ／ｍｏｌであることがより好ましく、３００～４１０ｇ／ｍｏｌであることが更に好ましく、３３０～４１０ｇ／ｍｏｌであることが特に好ましい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい市販のエポキシ樹脂としては、ＤＩＣ株式会社製の「ＥＸＡ４８１６」、「ＥＸＡ４８５０－１０００」、「ＥＸＡ４８５０－１５０」等が挙げられる。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５質量％以上、１０質量％以上又は１５質量％以上であってよく、９０質量％以下、８５質量％以下又は７５質量％以下であってよい。したがって、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、５～９０質量％であってよく、１０～８５質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。特に、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌであるエポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５～９０質量％であってよく、１０～８５質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい液状エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５質量％以上、１０質量％以上又は１５質量％以上であってよく、９０質量％以下、８５質量％以下又は７５質量％以下であってよい。したがって、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい液状エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、５～９０質量％であってよく、１０～８５質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい液状エポキシ樹脂の含有量が上記下限値以上であれば、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい。また、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい液状エポキシ樹脂の含有量が上記上限値以下であれば、フィルムのタック性が過剰に高まること及びエッジフュージョンを抑制しやすい。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるエポキシ樹脂を含んでいてもよい。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＢＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＧ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂（ヘキサンジオールビスフェノールＳジグリシジルエーテル等）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰＨ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＴＭＣ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂（ビキシレノールジグリシジルエーテル等）、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等）、これらの樹脂の二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが挙げられる。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
封止用フィルムに含まれる全てのエポキシ樹脂の含有量は、優れた流動性が得られやすい観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、１質量％以上であってよく、３質量％以上であってもよく、４質量％以上であってもよく、４質量％以上であってもよく、５質量％以上であってもよく、１０質量％以上であってもよく、１５質量％以上であってもよい。封止用フィルムに含まれる全てのエポキシ樹脂の含有量は、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、３０質量％以下であってよく、２５質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよい。したがって、封止用フィルムに含まれる全てのエポキシ樹脂の含有量は、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、例えば、１～３０質量％であってよい。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂と熱により反応する官能基を有する樹脂を更に含んでいてよい。例えば、熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。フェノール樹脂としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する樹脂であれば、特に制限なく公知のフェノール樹脂を用いることができる。
フェノール樹脂としては、例えば、フェノール類及び／又はナフトール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂等が挙げられる。フェノール類としては、フェノール、置換基含有フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等が挙げられる。ナフトール類としては、α－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。
フェノール樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍であってよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有するフェノール樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１５質量％以上、２０質量％以上又は２５質量％以上であってよく、また、９５質量％以下、９０質量％以下又は８５質量％以下であってよい。したがって、上記フェノール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってよく、２５～８５質量％であってよい。
フェノール樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、２５０ｇ／ｍｏｌ以下であってよい。フェノール樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りをより低減できる観点から、２１０ｇ／ｍｏｌ以下であってよく、２０５ｇ／ｍｏｌ以下であってよく、１６０ｇ／ｍｏｌ以下であってもよい。フェノール樹脂の反応性官能基当量は、硬化後のＴｇが充分となり、封止構造体の信頼性（熱信頼性）を向上させることができる観点から、８０ｇ／ｍｏｌ以上であってよく、９０ｇ／ｍｏｌ以上であってもよく、１００ｇ／ｍｏｌ以上であってもよい。したがって、フェノール樹脂の反応性官能基当量は、例えば、８０～２５０ｇ／ｍｏｌであってよく、９０～２１０ｇ／ｍｏｌであってもよく、１００～２１０ｇ／ｍｏｌであってもよく、１００～２０５ｇ／ｍｏｌであってもよく、１００～１６０ｇ／ｍｏｌであってもよく、１３０～２１０ｇ／ｍｏｌであってもよく、１３０～１６０ｇ／ｍｏｌであってもよい。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量の異なる複数のフェノール樹脂を含んでいてよい。例えば、熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が１００～１６０ｇ／ｍｏｌであるフェノール樹脂と、反応性官能基当量が１６０～２５０ｇ／ｍｏｌであるフェノール樹脂と、を含んでいてもよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるフェノール樹脂としては、例えば、下記式（１）で表される構造単位を有するフェノール樹脂が挙げられる。
Figure 0007070559000001
 ［式（１）中、Ｒ１は、炭素数２～２５の炭化水素基を示す。式（１）で表される構造単位が複数である場合、複数のＲ１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１の位置は、－ＯＨに対し、オルト位、メタ位又はパラ位のいずれであってもよく、結合手（－＊及び－ＣＨ２－＊）の位置は、－ＯＨに対し、オルト位、メタ位又はパラ位のいずれであってもよい。］
Ｒ１で表される炭化水素基は、直鎖状又は分枝状のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、飽和又は不飽和のいずれであってもよい。炭化水素基が不飽和炭化水素基である場合、不飽和炭化水素基は、２以上の不飽和結合を有していてもよい。炭化水素基の炭素数は、４～２２であってよく、８～２０であってもよく、１０～１８であってもよい。
上記式（１）で表される構造単位を有するフェノール樹脂は、上記式（１）で表される構造単位のみからなっていてよく、上記式（１）で表される構造単位以外の他の構造単位を更に有していてもよい。上記フェノール樹脂は、例えば、上記式（１）で表される構造単位と、他の構造単位とのランダム共重合体であってよく、上記式（１）で表される構造単位を含むブロックと、他の構造単位を含むブロックとを備えるランダム共重合であってもよい。
他の構造単位としては、下記式（２）で表される構造単位が挙げられる。
Figure 0007070559000002
 ［式（２）中、Ｒ２は、水素原子又はフェニル基を示す。式（２）で表される構造単位が複数である場合、複数のＲ２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２の位置は、－ＯＨに対し、オルト位、メタ位又はパラ位のいずれであってもよく、結合手（－＊及び－ＣＨ２－＊）の位置は、－ＯＨに対し、オルト位、メタ位又はパラ位のいずれであってもよい。］
上記フェノール樹脂における上記式（１）で表される構造単位の含有量は、該フェノール樹脂を構成する構造単位の全量を基準として、２０～１００モル％であってよく、３０～９０モル％であってもよく、４０～８０モル％であってもよい。
上記フェノール樹脂における上記式（２）で表される構造単位の含有量は、該フェノール樹脂を構成する構造単位の全量を基準として、０モル％超８０モル％以下であってよく、１０～７０モル％であってもよく、２０～６０モル％であってもよい。
上記式（１）で表される構造単位を有するフェノール樹脂は、例えば、下記式（３）で表される置換基含有フェノールと、ホルムアルデヒドと、場合により下記式（４）で表される置換基含有フェノールと、を反応させることで得ることができる。なお、下記式（３）におけるＲ１の例は、上記式（１）におけるＲ１の例と同一であり、下記式（４）におけるＲ２の例は、上記式（２）におけるＲ２の例と同一である。
Figure 0007070559000003
Figure 0007070559000004
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるフェノール樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１５質量％以上、２０質量％以上又は２５質量％であってよく、９５質量％以下、９０質量％以下又は８５質量％以下であってよい。したがって、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるフェノール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、例えば、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってよく、２５～８５質量％であってよい。特に、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを更に高い水準で両立できる観点から、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌであるフェノール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってもよく、２５～８５質量％であってもよい。
封止用フィルムに含まれる全てのフェノール樹脂の含有量は、エポキシ樹脂の含有量及びエポキシ樹脂のエポキシ基当量を勘案して適宜設定してよい。未反応のエポキシ樹脂及び／又は未反応のフェノール樹脂が残存しにくく、所望の硬化物特性が得られやすい観点から、封止用フィルム中のフェノール性水酸基のモル数Ｍ１に対するエポキシ基のモル数Ｍ２の比（Ｍ２／Ｍ１）は、０．７以上、０．８以上又は０．９以上であってよく、また、２．０以下、１．８以下又は１．７以下であってよい。したがって、封止用フィルム中のフェノール性水酸基のモル数Ｍ１に対するエポキシ基のモル数Ｍ２の比（Ｍ２／Ｍ１）は、例えば、０．７～２．０であってよく、０．８～１．８であってもよく、０．９～１．７であってもよい。
［第２実施形態］
第２実施形態の封止用フィルムは、樹脂Ａがフェノール樹脂を含む。反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂は、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有し、かつ、フェノール性水酸基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂であれば、特に制限なく公知のフェノール樹脂を用いることができる。
フェノール樹脂としては、例えば、フェノール類及び／又はナフトール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ビフェニル骨格型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン・パラキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、キシリレン変性ナフトール樹脂等などが挙げられる。フェノール樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂の反応性官能基当量は、架橋点が少なくすることができ、反りを低減できる観点から、２５０ｇ／ｍｏｌより大きく５００ｇ／ｍｏｌ以下であってもよく、２８０～４５０ｇ／ｍｏｌであってもよく、３００～４１０ｇ／ｍｏｌであってもよく、３３０～４１０ｇ／ｍｏｌであってもよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とを両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５～８５質量％であってよく、１０～８０質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。特に、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌであるフェノール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、５～８５質量％であってよく、１０～８０質量％であってもよく、１５～７５質量％であってもよい。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるフェノール樹脂を含んでいてもよい。
封止用フィルムに含まれる全てのフェノール樹脂の含有量は、優れた流動性が得られやすい観点及びフィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってもよく、２５～８５質量％であってもよい。
熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂と熱により反応する官能基を有する樹脂を更に含んでいてよい。例えば、熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する樹脂であれば、特に制限なく公知のエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいエポキシ樹脂及び反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるエポキシ樹脂として上述したエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍であってよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きいフェノール樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有するエポキシ樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってよく、２５～８５質量％であってよい。
エポキシ樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、２５０ｇ／ｍｏｌ以下であってよい。エポキシ樹脂の反応性官能基当量は、封止構造体の反りをより低減できる観点から、８０～２５０ｇ／ｍｏｌであってよく、９０～２１０ｇ／ｍｏｌであってもよく、１００～２０５ｇ／ｍｏｌであってもよく、１００～１６０ｇ／ｍｏｌであってもよい。
反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であるエポキシ樹脂の含有量は、封止構造体の反りの低減と封止構造体の信頼性の向上とをより高水準で両立できる観点から、熱硬化性樹脂の総質量を基準として、１５～９５質量％であってよく、２０～９０質量％であってよく、２５～８５質量％であってよい。
封止用フィルムに含まれる全てのエポキシ樹脂の含有量は、フェノール樹脂の含有量及びフェノール樹脂のフェノール性水酸基当量を勘案して適宜設定してよい。封止用フィルム中のフェノール性水酸基のモル数Ｍ１に対するエポキシ基のモル数Ｍ２の比の範囲は第１実施形態で例示した範囲と同じであってよい。
（硬化剤）
本実施形態の封止用フィルムは、熱硬化性成分として、硬化剤（熱硬化性樹脂に該当する成分は除く）を含有してもよい。硬化剤としては、特に限定されないが、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、硬化剤としては、エポキシ基と反応する官能基を１分子中に２個以上有する化合物であれば特に制限なく用いることができる。また、熱硬化性樹脂がフェノール樹脂を含む場合、硬化剤としては、フェノール性水酸基と反応する官能基を１分子中に２個以上有する化合物であれば特に制限なく用いることができる。硬化剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。熱硬化性樹脂が、異なる反応性官能基を有する複数の樹脂を含む場合、反応性官能基の種類に応じて複数種の硬化剤を併用してよい。
硬化剤の含有量は、熱硬化性樹脂の硬化性に優れる観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、１～２０質量％であってよく、２～１５質量％であってもよく、３～１０質量％であってもよい。
（硬化促進剤）
本実施形態の封止用フィルムは、熱硬化性成分として、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、特に制限なく用いることができるが、アミン系の硬化促進剤及びリン系の硬化促進剤からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。硬化促進剤としては、特に、優れた熱伝導率を有する硬化物が得られやすい観点、誘導体が豊富である観点、及び、所望の活性温度が得られやすい観点から、アミン系の硬化促進剤が好ましく、イミダゾール化合物、脂肪族アミン及び脂環族アミンからなる群より選ばれる少なくとも１種がより好ましく、イミダゾール化合物が更に好ましい。イミダゾール化合物としては、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。硬化促進剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。硬化促進剤の市販品としては、四国化成工業株式会社製の「２Ｐ４ＭＺ」及び「１Ｂ２ＭＺ」等が挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂の合計量を基準として、下記の範囲が好ましい。硬化促進剤の含有量は、充分な硬化促進効果が得られやすい観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましい。硬化促進剤の含有量は、封止用フィルムを製造する際の工程（例えば塗工及び乾燥）中、又は、封止用フィルムの保管中に硬化が進行しにくく、封止用フィルムの割れ、及び、溶融粘度の上昇に伴う成形不良を防止しやすい観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、硬化促進剤の含有量は、０．０１～５質量％が好ましく、０．１～３質量％がより好ましく、０．３～１．５質量％が更に好ましい。
（無機充填材）
無機充填剤としては、従来公知の無機充填剤を使用でき、特に限定されない。無機充填剤の構成材料としては、シリカ類（無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、合成シリカ、中空シリカ等）、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。表面改質（例えば、シラン化合物による表面処理）等により、樹脂組成物中での分散性の向上効果、及び、ワニス中での沈降抑制効果が得られやすい観点、並びに、比較的小さい熱膨張率を有するために所望の硬化膜特性が得られやすい観点では、シリカ類を含む無機充填材が好ましい。高い熱伝導性が得られる観点では、酸化アルミニウムを含む無機充填材が好ましい。無機充填剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
無機充填材は、表面改質されていてもよい。表面改質の手法は特に限定されない。処理が簡便であり、官能基の種類が豊富であり、所望の特性を付与しやすい観点から、シランカップリング剤を用いた表面改質が好ましい。
シランカップリング剤としては、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が挙げられる。
シランカップリング剤の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ｎ－オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（１，３－ジメチルブチリデン）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン（フェニルアミノシラン等）等が挙げられる。シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
無機充填材の平均粒子径は、無機充填材の凝集を抑制しやすく、無機充填材の分散が容易である観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましく、０．３μｍ以上が更に好ましく、０．５μｍ以上が特に好ましい。無機充填材の平均粒子径は、ワニス中で無機充填材が沈降することが抑制されやすく、均質な封止用フィルムを作製しやすい観点から、２５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましい。これらの観点から、無機充填材の平均粒子径は、０．０１～２５μｍが好ましく、０．０１～１０μｍがより好ましく、０．１～１０μｍが更に好ましく、０．３～５μｍが特に好ましく、０．５～５μｍが極めて好ましい。無機充填材の平均粒子径は、１０～１８μｍであってもよい。
樹脂組成物の流動性に優れる観点から、互いに異なる平均粒子径を有する複数の無機充填材を組み合わせて用いることが好ましい。無機充填材の組み合わせの中でも、最も大きい平均粒子径が１５～２５μｍであることが好ましい。平均粒子径が１５～２５μｍの無機充填材と、平均粒子径が０．５～２．５μｍの無機充填材と、平均粒子径が０．１～１．０μｍの無機充填材と、を組み合わせて用いることが好ましい。
「平均粒子径」とは、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径であり、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。組み合わせた各無機充填材の平均粒子径は、混合時の各無機充填材の平均粒子径から確認できると共に、粒度分布を測定することで確認することができる。
無機充填材の市販品としては、デンカ株式会社製の「ＤＡＷ２０」、株式会社アドマテックス製の商品名「ＳＣ５５０Ｏ－ＳＸＥ」及び「ＳＣ２０５０－ＫＣ」等が挙げられる。
無機充填材の含有量は、熱伝導率を向上させる観点、及び、被封止体との熱膨張率の差によって封止構造体（例えば、半導体装置等の電子部品装置）の反りが大きくなることが抑制されやすい観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として７０質量％以上であってよく、７５質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよい。無機充填材の含有量は、封止用フィルムの作製の際の乾燥工程において封止用フィルムが割れてしまうことが抑制されやすい観点、及び、封止用フィルムの溶融粘度の上昇により流動性が低下することが抑制され、被封止体（電子部品等）を充分に封止しやすい観点から、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、９３質量％以下であってよく、９１質量％以下であってもよく、８８質量％以下であってもよい。これらの観点から、無機充填材の含有量は、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を除く）を基準として、７０～９３質量％であってよく、７５～９１質量％であってもよく、８０～８８質量％であってもよい。なお、上記含有量は、表面処理剤の量を除いた無機充填材の含有量である。
（エラストマー）
本実施形態の封止用フィルムは、必要に応じて、エラストマー（可とう剤）を含有してもよい。エラストマーは、分散性及び溶解性に優れる観点から、ポリブタジエン粒子、スチレンブタジエン粒子、アクリル系エラストマー、シリコーンパウダ、シリコーンオイル及びシリコーンオリゴマからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。エラストマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
エラストマーが粒子状である場合、エラストマーの平均粒子径に特に制限はない。ｅＷＬＢ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用途では、半導体素子間を埋め込む必要があることから、封止用フィルムをｅＷＬＢ用途に用いる場合には、エラストマーの平均粒子径は、５０μｍ以下であることが好ましい。エラストマーの平均粒子径は、エラストマーの分散性に優れる観点から、０．１μｍ以上であることが好ましい。
エラストマーの市販品としては、ナガセケムテックス株式会社製のアクリル系エラストマーである「ＳＧ－２８０ ＥＫ２３」、「ＳＧ－７０Ｌ」、「ＷＳ－０２３ ＥＫ３０」等が挙げられる。また、市販のエラストマー成分の中には、エラストマー単体ではなく、予め液状樹脂（例えば、液状エポキシ樹脂）中に分散しているものもあるが、問題なく用いることができる。このような市販品としては、株式会社カネカ製の「ＭＸ－１３６」及び「ＭＸ－９６５」等が挙げられる。
エラストマーの含有量は、フィルムに柔軟性を付与し、割れを改善する観点から、添加量に特に制限はなく、熱硬化性成分とエラストマーの合計量を基準として、１質量％以上であってよく、５質量％以上であってもよく、１０質量％以上であってもよい。エラストマーの含有量は、埋め込み等に必要な流動性を確保する観点から、熱硬化性成分とエラストマーの合計量を基準として、３０質量％以下であってよく、２５質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよい。以上のことから、エラストマーの含有量は、熱硬化性成分とエラストマーの合計量を基準として、１～３０質量％であってよく、５～２５質量％であってもよく、１０～２０質量％以下であってもよい。
（その他の成分）
本実施形態の封止用フィルムは、他の添加剤を更に含有することができる。このような添加剤の具体例としては、顔料、染料、離型剤、酸化防止剤、表面張力調整剤等を挙げることができる。
また、本実施形態の封止用フィルムは、溶剤（例えば、封止用フィルムの調製に用いた溶剤）を含有してもよい。溶剤としては、従来公知の有機溶剤であってよい。有機溶剤としては、無機充填材以外の成分を溶解できる溶剤であってよく、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、テルペン類、ハロゲン類、エステル類、ケトン類、アルコール類、アルデヒド類等が挙げられる。溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
溶剤としては、環境負荷が小さい観点、及び、熱硬化性成分を溶解しやすい観点から、エステル類、ケトン類及びアルコール類からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。その中でも、溶剤がケトン類である場合、熱硬化性成分を特に溶解しやすい。溶剤としては、室温（２５℃）での揮発が少なく、乾燥時に除去しやすい観点から、アセトン、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。
封止用フィルムに含まれる溶剤（有機溶剤等）の含有量は、封止用フィルムの総質量（溶剤の質量を含む）に対して、下記の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量は、封止用フィルムが脆くなり封止用フィルムの割れ等の不具合が生じること、及び、最低溶融粘度が高くなり、埋め込み性が低下することを抑制しやすい観点から、０．２質量％以上であってよく、０．３質量％以上であってもよく、０．５質量％以上であってもよく、０．６質量％以上であってもよく、０．７質量％以上であってもよい。溶剤の含有量は、封止用フィルムの粘着性が強くなりすぎて取扱い性が低下する不具合、及び、封止用フィルムの熱硬化時における溶剤（有機溶剤等）の揮発に伴う発泡等の不具合を抑制しやすい観点から、１．５質量％以下であってよく、１質量％以下であってもよい。これらの観点から、溶剤の含有量は、０．２～１．５質量％がであってよく、０．３～１質量％であってもよく、０．５～１質量％であってもよく、０．６～１質量％であってもよく、０．７～１質量％であってもよい。
本実施形態の封止用フィルムは、例えば、半導体デバイスの封止、プリント配線板に配置された電子部品の埋め込み等に用いることができる。特に、本実施形態の封止用フィルムは、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ及びファンアウト型パネルレベルパッケージのようなパッケージ基板を有しない薄型の半導体装置の封止に好適に用いることができる。
封止用フィルムの厚さ（膜厚）は、塗工時における面内の厚みのバラつきが抑制されやすい観点及び封止構造体の信頼性を向上させることができる観点から、２０μｍ以上であってよく、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよい。封止用フィルムの厚さは、塗工時に深さ方向で一定の乾燥性が得られやすい観点及び封止構造体の反りをより低減することができる観点から、２５０μｍ以下であってよく、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよい。これらの観点から、封止用フィルムの厚さは、２０～２５０μｍであってよく、３０～２５０μｍであってもよく、５０～２００μｍであってもよく、１００～１５０μｍであってもよい。また、封止用フィルムを複数枚積層して、厚さ２５０μｍを超える封止用フィルムを製造することもできる。
封止用フィルムの硬化後のガラス転移温度は、得られる封止構造体の信頼性（熱信頼性）に優れる観点から、８０℃以上であってよく、１００℃以上であってもよい。封止用フィルムの硬化後のガラス転移温度は、得られる封止構造体の信頼性（熱信頼性）に優れる観点から、１８０℃以下であってよく、１６５℃以下であってもよく、１５０℃以下であってもよい。これらの観点から、封止用フィルムの硬化後のガラス転移温度は、８０～１８０℃であってよく、８０～１６５℃であってもよく、８０～１５０℃であってもよく、１００～１５０℃であってもよい。封止用フィルムのガラス転移温度は、熱硬化性成分の種類及び含有量、エラストマー成分の種類及び含有量等により調整することができる。ガラス転移温度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
本実施形態の封止用フィルムは、例えば、支持体付き封止用フィルムとして用いることもできる。図１に示す支持体付き封止用フィルム１０は、支持体１と、支持体１上に設けられた封止用フィルム２と、を備える。
支持体１としては、高分子フィルム、金属箔等を用いることができる。高分子フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリ塩化ビニルフィルム等のビニルフィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム；ポリカーボネートフィルム；アセチルセルロースフィルム；テトラフルオロエチレンフィルムなどが挙げられる。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。
支持体１の厚さは、特に限定されるものではないが、作業性及び乾燥性に優れる観点から、２～２００μｍであってよい。支持体１の厚さが２μｍ以上である場合、塗工時に支持体が切れる不具合、ワニスの重さで支持体がたわむ不具合等を抑制しやすい。支持体１の厚さが２００μｍ以下である場合、乾燥工程において、塗工面及び裏面の両面から熱風が吹きつけられる場合に、ワニス中の溶剤乾燥が妨げられる不具合を抑制しやすい。
本実施形態では、支持体１を用いなくてもよい。また、封止用フィルム２の支持体１とは反対側に、封止用フィルムの保護を目的とした保護層を配置してもよい。封止用フィルム２上に保護層を形成することで、取扱い性が向上し、巻き取りした場合に、支持体の裏面に封止用フィルムが張り付くといった不具合を回避することができる。
保護層としては、高分子フィルム、金属箔等を用いることができる。高分子フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリ塩化ビニルフィルム等のビニルフィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム；ポリカーボネートフィルム；アセチルセルロースフィルム；テトラフルオロエチレンフィルムなどを例示することができる。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔等を例示することができる。
ところで、電子部品の封止には、固形又は液状の樹脂封止材を金型で成形するモールド成形が使用される場合がある。例えば、ペレット状の樹脂封止材を溶融させ、金型内に樹脂を流し込むことで封止するトランスファーモールド成形が使用される場合がある。しかしながら、トランスファーモールド成形では、溶融させた樹脂を流し込んで成形するため、大面積を封止しようとする場合、未充填部が発生する可能性がある。そこで、近年、予め金型又は被封止体に樹脂封止材を供給してから成形を行うコンプレッションモールド成形が使用され始めている。コンプレッションモールド成形では、樹脂封止材を金型又は被封止体に直接供給するため、大面積の封止でも未充填部が発生しにくい利点がある。
コンプレッションモールド成形では、トランスファーモールド成形と同様に、固形又は液状の樹脂封止材が用いられる。しかしながら、被封止体が大型化した場合、液状の樹脂封止材では、液流れ等が発生し被封止体上への均一供給が困難となる場合がある。また、樹脂を被封止体上に均一に供給する必要があるため、固形の樹脂封止材としては、従来のペレット状の樹脂ではなく、顆粒又は粉体の樹脂封止材が使用される場合がある。しかしながら、顆粒又は粉体の樹脂封止材では、樹脂封止材を金型又は被封止体上に均一に供給することは難しく、また、顆粒又は粉体であるため、樹脂封止材が発塵原となり、装置又はクリーンルームの汚染が懸念される。
また、モールド成形では、樹脂を金型内で成形するため、封止構造体を大型化するには、金型の大型化が必須となる。しかしながら、金型の大型化には、高い金型精度が求められることから技術面での難易度が上がると共に、金型の製造コストが大幅に増加する。
これに対し、上記封止用フィルムによれば、樹脂の被封止体上への均一供給及び発塵の低減が可能である。また、モールド成形のみならず、金型（高圧力用の金型等）を必要としない成形方法（ラミネート、プレス等）による封止が可能な埋め込み能を得ることができる。
本実施形態の封止用フィルムは、電子部品を封止するために好適に用いられる。特に、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ及びファンアウト型パネルレベルパッケージのようなパッケージ基板を有しない薄型の半導体装置における電子部品の封止用として好適に用いることができる。
＜封止用フィルムの製造方法＞
本実施形態の封止用フィルム２は、熱硬化性樹脂として反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂と、無機充填材と、を含有する樹脂組成物を準備する工程（準備工程）と、該樹脂組成物をフィルム状に成形する工程（成形工程）と、を備える。
準備工程では、本実施形態の封止用フィルム２の構成成分（熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、溶剤等）を混合することでワニス（ワニス状樹脂組成物）を作製する。混合方法は、特に限定されず、ミル、ミキサ、撹拌羽根を使用できる。溶剤（有機溶剤等）は、封止用フィルム２の材料である樹脂組成物の構成成分を溶解及び分散してワニスを調製するため、又は、ワニスを調製することを補助するために用いることができる。塗工後の乾燥工程で溶剤の大部分を除去することができる。
成形工程では、例えば、上記ワニスを、支持体１（フィルム状の支持体等）に塗布した後、熱風吹き付け等によって加熱乾燥する。これにより、ワニスをフィルム状に成形し、封止用フィルム２を備える、支持体付き封止用フィルム１０を得ることができる。塗布（コーティング）方法としては、特に限定されないが、例えば、コンマコーター、バーコーター、キスコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイコーター等の塗工装置を用いることができる。
＜封止構造体＞
本実施形態の封止構造体は、被封止体と、当該被封止体を封止する本実施形態の封止用フィルムの硬化物（封止部）と、を備える。封止構造体としては、電子部品装置等が挙げられる。電子部品装置は、被封止体として電子部品を備える。電子部品としては、半導体素子；半導体ウエハ；集積回路；半導体デバイス；ＳＡＷフィルタ等のフィルタ；センサ等の受動部品などが挙げられる。半導体ウエハを個片化することにより得られる半導体素子を用いてもよい。電子部品装置は、電子部品として半導体素子又は半導体ウエハを備える半導体装置；プリント配線板等であってもよい。本実施形態の封止構造体は、複数の被封止体を備えていてもよい。複数の被封止体は、互いに同一の種類であってもよく、互いに異なる種類であってもよい。
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた封止構造体の製造方法について説明する。ここでは、被封止体である電子部品が半導体素子である場合について説明する。図２は、封止構造体の製造方法の一実施形態として、電子部品装置である半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態の製造方法は、被封止体（被埋め込み対象）である複数の半導体素子２０を、仮固定材４０を有する基板３０上に並べて配置する工程（図２の（ａ））と、支持体１と、支持体１上に設けられた封止用フィルム２と、を備える支持体付き封止用フィルム１０を半導体素子２０に対向させた後、半導体素子２０に封止用フィルム２を加熱下で押圧（ラミネート）することにより、封止用フィルム２に半導体素子２０を埋め込む工程（図２の（ｂ））と、半導体素子２０が埋め込まれた封止用フィルム２を硬化させて硬化物２ａを得る工程（図２の（ｃ））と、を備える。本実施形態においては、ラミネート法によって半導体素子２０を封止用フィルム２によって封止した後、封止用フィルム２を熱硬化することで、硬化物２ａに埋め込まれた半導体素子２０を備える封止構造体（電子部品装置）を得ているが、封止構造体をコンプレッションモールドにより得てもよい。
ラミネート法に使用するラミネータとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ロール式、バルーン式等のラミネータが挙げられる。ラミネータは、埋め込み性に優れる観点から、真空加圧が可能なバルーン式であってもよい。
ラミネートは、通常、支持体の軟化点以下で行う。ラミネート温度は、封止用フィルムの最低溶融粘度付近であることが好ましい。ラミネート時の圧力は、埋め込む被封止体（例えば、半導体素子等の電子部品）のサイズ、密集度等によって異なる。ラミネート時の圧力は、例えば、０．２～１．５ＭＰａの範囲であってもよく、０．３～１．０ＭＰａの範囲であってもよい。ラミネート時間は、特に限定されるものではないが、２０～６００秒であってもよく、３０～３００秒であってもよく、４０～１２０秒であってもよい。
封止用フィルムの硬化は、例えば、大気下又は不活性ガス下で行うことができる。硬化温度（加熱温度）は、特に限定されるものではなく、８０～２８０℃であってもよく、１００～２４０℃であってもよく、１２０～２００℃であってもよい。硬化温度が８０℃以上であれば、封止用フィルムの硬化が充分に進み、不具合の発生を抑制することができる。硬化温度が２８０℃以下である場合は、他の材料への熱害の発生を抑制することができる傾向にある。硬化時間（加熱時間）は、特に限定されるものではなく、３０～６００分であってもよく、４５～３００分であってもよく、６０～２４０分であってもよい。硬化時間がこれらの範囲である場合、封止用フィルムの硬化が充分に進み、より良好な生産効率が得られる。また、硬化条件は、複数の条件を組み合わせてもよい。
また、本実施形態では、以下の絶縁層形成、配線パターン形成、ボールマウント、及びダイシングの各工程を経て、封止構造体である半導体装置を得てもよい。
まず、基板３０から剥離した封止成形物１００の半導体素子２０が露出する側に、絶縁層５０を設ける（図３（ａ）及び（ｂ））。次に、絶縁層５０に対し、配線パターン形成を行った後、ボールマウントを行い、絶縁層５２、配線５４、ボール５６を形成する。
次に、ダイシングカッター６０により、封止成形物を個片化して、半導体装置２００を得る。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
実施例及び比較例では以下の材料を用いた。
（熱硬化性樹脂）
Ａ１：柔軟性骨格含有ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＸＡ４８１６」、エポキシ基当量：４０３ｇ／ｅｑ、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂）
Ａ２：柔軟性骨格含有ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＸＡ４８５０－１０００」、エポキシ基当量：３５０ｇ／ｅｑ、２５℃にて液状を示すエポキシ樹脂）
Ａ３：オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「Ｎ５００Ｐ－１」、エポキシ基当量：２０１ｇ／ｅｑ、２５℃にて液状を示さないエポキシ樹脂）
Ｂ１：炭化水素基含有フェノール樹脂（フェノール性水酸基当量：１４０ｇ／ｅｑ）
Ｂ２：ナフタレン骨格含有ノボラック型フェノール樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名「ＳＮ４７５Ｎ」、フェノール性水酸基当量：２０５ｇ／ｅｑ）
Ｂ３：ナフタレン骨格含有ノボラック型フェノール樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名「ＳＮ３９５」、フェノール性水酸基当量：１１０ｇ／ｅｑ）
（硬化促進剤）
Ｃ１：イミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）
（エラストマー）
Ｄ１：アクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＳＧ－２８０ ＥＫ２３」、分子量９０万）
（無機充填材）
Ｅ１：シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＸ－Ｅ２」、フェニルアミノシラン処理、平均粒径：５．８μｍ）
なお、Ｂ１（炭化水素基含有フェノール樹脂）は、下記式（５）で表される構造単位４０モル％と、下記式（６）で表される構造単位６０モル％とからなる樹脂である。
Figure 0007070559000005
Figure 0007070559000006
本実施例では、特開２０１５－８９９４９に記載の方法にしたがってＢ１を調製した。具体的には、まず、カルダノールと、メタノールと、５０％ホルムアルデヒド水溶液とを混合して、混合液を得た。次いで、得られた混合液に３０％水酸化ナトリウム水溶液を滴下して反応させた後、得られた反応液に３５％塩酸を添加して水酸化ナトリウムを中和した。次いで、反応液にフェノールを添加した後、更にシュウ酸を添加した。次いで、反応液の水洗を行った後、過剰のフェノールを留去した。これによりＢ１を得た。
＜封止用フィルム（フィルム状エポキシ樹脂組成物）の作製＞
（実施例１）
０．５Ｌのポリエチレン容器にＭＥＫを１００ｇ入れ、Ａ１を１８．８ｇ、Ａ３を５６．３ｇ、Ｂ１を４５．７ｇ、Ｄ１を１２．１ｇ、Ｅ１を８６６．７ｇ入れ、撹拌羽で撹拌し、無機充填材Ｅ１を分散した。その後、硬化剤Ｃ１を０．４ｇ加えて、更に３０分撹拌した。得られた混合液をナイロン製＃１５０メッシュ（開口１０６μｍ）でろ過し、ろ液を採取した。これによりワニス状エポキシ樹脂組成物を得た。このワニス状エポキシ樹脂組成物を、塗工機を使用してＰＥＴフィルム上に、以下の条件で塗布した。これにより、厚さ２１０μｍの封止用フィルムを支持体（ＰＥＴフィルム）上に作製した。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：０．５ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：８０℃／１．５ｍ、１００℃／１．５ｍ
・フィルム状の支持体：厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム
封止用フィルムにおける支持体とは反対側に保護層（厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム）を配置することにより封止用フィルムの表面を保護した。なお、下記の各評価においては、支持体及び保護層を剥離した上で評価を行った。以下の実施例及び比較例についても同様である。
（実施例２～４及び比較例１～２）
使用した材料（Ａ１、Ａ３、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１、及びＥ１）の種類及び配合量を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２～４及び比較例１のワニス状エポキシ樹脂組成物を得た。次いで、実施例１のワニス状エポキシ樹脂に代えて、実施例２～４及び比較例１のワニス状エポキシ樹脂組成物をそれぞれ用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２～４及び比較例１の封止用フィルム（厚さ２１０μｍ）を得た。なお、表１中の各材料の配合量は、封止用フィルムの全質量を基準とした配合量（質量％）である。
＜評価＞
以下の方法で、封止構造体の反り及び割れ、並びに封止用フィルムの硬化後の弾性率及びガラス転移温度を評価した。なお、封止用フィルムの硬化後の弾性率及びガラス転移温度の評価では、実施例及び比較例のワニス状エポキシ樹脂組成物を用いて以下の条件で作製した厚さ１１０μｍの封止用フィルムを用いた。
・塗布ヘッド方式：コンマ
・塗布及び乾燥速度：１ｍ／分
・乾燥条件（温度／炉長）：８０℃／１．５ｍ、１００℃／１．５ｍ
・フィルム状の支持体：厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム
（１）封止構造体の反り
以下の条件で、厚さ２１０μｍの封止用フィルムを厚さ８００μｍのシリコンウエハ（１２インチサイズ）にラミネートし、未硬化の封止構造体（エポキシ樹脂封止体）を得た。
・ラミネータ装置：名機製作所製真空加圧ラミネータＭＶＬＰ－５００
・ラミネート温度：９０℃
・ラミネート圧力：０．５ＭＰａ
・真空引き時間：３０秒
・ラミネート時間：４０秒
得られた未硬化の封止構造体を、以下の条件で硬化し、封止構造体（エポキシ樹脂硬化体）を得た。
・オーブン：エスペック株式会社製ＳＡＦＥＴＹ ＯＶＥＮ ＳＰＨ－２０１
・オーブン温度：１４０℃
・時間：１２０分
得られた封止構造体の反り量を以下の装置を用いて測定した。
・反り測定ステージ装置名：コムス社製ＣＰ－５００
・反り測定レーザー光装置名：キーエンス社製ＬＫ－０３０
割れ性の指標として、以下の評価基準に基づいて硬化後の反りで評価した。
Ａ：反り量≦２．０ｍｍ
Ｂ：反り量＞２．０ｍｍ
（２）封止用フィルムの硬化後の弾性率及びガラス転移温度Ｔｇ
以下の条件で、実施例及び比較例の封止用フィルムを銅箔にラミネートし、銅箔付き封止用フィルムを得た。
・ラミネータ装置：名機製作所製真空加圧ラミネータＭＶＬＰ－５００
・ラミネート温度：１１０℃
・ラミネート圧力：０．５ＭＰａ
・真空引き時間：３０秒
・ラミネート時間：４０秒
銅箔付き封止用フィルムをＳＵＳ板に張り付け、以下の条件で封止用フィルムを硬化させ、銅箔付き封止用フィルムの硬化物（銅箔付きエポキシ樹脂硬化体）を得た。
・オーブン：エスペック株式会社製ＳＡＦＥＴＹ ＯＶＥＮ ＳＰＨ－２０１
・オーブン温度：１４０℃
・時間：１２０分
銅箔付き封止用フィルムの硬化物から銅箔を剥離した後、封止用フィルムの硬化物を、４ｍｍ×３０ｍｍに切断し試験片を作製した。以下の条件で、作製した試験片の弾性率及びガラス転移温度を測定した。
・測定装置：ＤＶＥ（株式会社レオロジ製ＤＶＥ－Ｖ４）
・測定温度：２５～３００℃
・昇温速度：５℃／ｍｉｎ
弾性率が高い場合、封止構造体に反り及び割れが発生しやすくなるため、以下の判断基準にしたがって弾性率を評価した。
Ａ：弾性率（３０℃）≦２５ＧＰａ
Ｂ：弾性率（３０℃）＞２５ＧＰａ
ガラス転移温度Ｔｇが低い場合、封止構造体の熱信頼性が悪化することから、以下の判断基準にしたがってガラス転移温度を評価した。
Ａ：ガラス転移温度（℃）≧１００
Ｂ：ガラス転移温度（℃）＜１００
＜評価結果＞
評価結果を表１に示す。
Figure 0007070559000007
１…支持体、２…封止用フィルム、２ａ…硬化物（封止部）、１０…支持体付き封止用フィルム、２０…半導体素子（被封止体）、３０…基板、４０…仮固定材、５０…絶縁層、５２…絶縁層、５４…配線、５６…ボール、６０…ダイシングカッター、１００…封止成形物（封止構造体）、２００…半導体装置（封止構造体）。

Claims (12)

  1. 熱硬化性樹脂と、無機充填材と、を含有する封止用フィルムの製造方法であって、
    前記熱硬化性樹脂として反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂と、前記無機充填材と、を含有する樹脂組成物を準備する工程と、
    前記樹脂組成物をフィルム状に成形する工程と、を備え、
    前記樹脂組成物は、硬化後のガラス転移温度が８０～１８０℃であり、
    前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂は、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含む、封止用フィルムの製造方法。
  2. 前記樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂として、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を更に含有する、請求項１に記載の封止用フィルムの製造方法。
  3. 前記樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂として、前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂を更に含有する、請求項１又は２に記載の封止用フィルムの製造方法。
  4. 前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂はエポキシ樹脂を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の封止用フィルムの製造方法。
  5. 前記封止用フィルムの膜厚は２０～２５０μｍである、請求項１～４のいずれか一項に記載の封止用フィルムの製造方法。
  6. 熱硬化性樹脂と、無機充填材と、を含有し、
    前記熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂を含み、
    硬化後のガラス転移温度は８０～１８０℃であり、
    前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂は、反応性官能基当量が３００～４１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を含む、封止用フィルム。
  7. 前記熱硬化性樹脂は、反応性官能基当量が１００～２１０ｇ／ｍｏｌである樹脂を更に含む、請求項６に記載の封止用フィルム。
  8. 前記熱硬化性樹脂は、前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂の反応性官能基当量に対し１／２．９～１／２倍の反応性官能基当量を有する樹脂を更に含む、請求項６又は７に記載の封止用フィルム。
  9. 前記反応性官能基当量が２５０ｇ／ｍｏｌより大きい樹脂はエポキシ樹脂を含む、請求項６～８のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
  10. 膜厚は２０～２５０μｍである、請求項６～９のいずれか一項に記載の封止用フィルム。
  11. 被封止体と、当該被封止体を封止する請求項６～１０のいずれか一項に記載の封止用フィルムの硬化物と、を備える封止構造体。
  12. 請求項１～５のいずれか一項に記載の方法により得られる封止用フィルム、又は、請求項６～１０のいずれか一項に記載の封止用フィルムを用いて、被封止体を封止する工程を備える、封止構造体の製造方法。
JP2019514668A 2017-04-28 2018-04-27 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 Active JP7070559B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017090356 2017-04-28
JP2017090356 2017-04-28
PCT/JP2018/017268 WO2018199309A1 (ja) 2017-04-28 2018-04-27 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018199309A1 JPWO2018199309A1 (ja) 2020-03-12
JP7070559B2 true JP7070559B2 (ja) 2022-05-18

Family

ID=63918457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019514668A Active JP7070559B2 (ja) 2017-04-28 2018-04-27 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7070559B2 (ja)
KR (1) KR102441766B1 (ja)
CN (1) CN110582528A (ja)
TW (1) TWI746841B (ja)
WO (1) WO2018199309A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218496A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Namics Corp 封止用樹脂フィルム
JP2008258492A (ja) 2007-04-06 2008-10-23 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用接着シート
JP2013041987A (ja) 2011-08-16 2013-02-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法、及び一括封止基板
JP2014095063A (ja) 2012-10-11 2014-05-22 Panasonic Corp 封止用エポキシ樹脂無機複合シート
WO2015037584A1 (ja) 2013-09-10 2015-03-19 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、エポキシ樹脂組成物、硬化物および半導体装置
JP2016148054A (ja) 2011-07-08 2016-08-18 日立化成株式会社 コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料及び半導体装置
WO2018003590A1 (ja) 2016-06-28 2018-01-04 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板および半導体装置
JP2018041889A (ja) 2016-09-09 2018-03-15 住友ベークライト株式会社 樹脂シート

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010031149A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP5768023B2 (ja) * 2012-08-29 2015-08-26 日東電工株式会社 電子部品封止用熱硬化性樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5943898B2 (ja) 2012-11-29 2016-07-05 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
JP6041933B2 (ja) 2012-11-29 2016-12-14 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
JP2014197670A (ja) 2013-03-07 2014-10-16 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート
KR20150097359A (ko) * 2014-02-18 2015-08-26 주식회사 엘지화학 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치
CN105339410B (zh) * 2014-06-04 2019-08-20 日立化成株式会社 膜状环氧树脂组合物、膜状环氧树脂组合物的制造方法和半导体装置的制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218496A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Namics Corp 封止用樹脂フィルム
JP2008258492A (ja) 2007-04-06 2008-10-23 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用接着シート
JP2016148054A (ja) 2011-07-08 2016-08-18 日立化成株式会社 コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料及び半導体装置
JP2013041987A (ja) 2011-08-16 2013-02-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法、及び一括封止基板
JP2014095063A (ja) 2012-10-11 2014-05-22 Panasonic Corp 封止用エポキシ樹脂無機複合シート
WO2015037584A1 (ja) 2013-09-10 2015-03-19 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、エポキシ樹脂組成物、硬化物および半導体装置
WO2018003590A1 (ja) 2016-06-28 2018-01-04 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板および半導体装置
JP2018041889A (ja) 2016-09-09 2018-03-15 住友ベークライト株式会社 樹脂シート

Also Published As

Publication number Publication date
TWI746841B (zh) 2021-11-21
TW201843287A (zh) 2018-12-16
CN110582528A (zh) 2019-12-17
KR102441766B1 (ko) 2022-09-07
KR20190138774A (ko) 2019-12-16
WO2018199309A1 (ja) 2018-11-01
JPWO2018199309A1 (ja) 2020-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102359868B1 (ko) 필름형 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6749887B2 (ja) 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置
JP7115520B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体
JP7099453B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法
JP6705501B2 (ja) 封止構造体の製造方法
JP7070559B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法
JP7124819B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法
TWI733014B (zh) 密封薄膜、電子零件裝置的製造方法及電子零件裝置
JP7354666B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体、及び封止構造体の製造方法
CN109983052A (zh) 密封用膜及其固化物、以及电子装置
JP2018064054A (ja) 封止材、及び、封止構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220418

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7070559

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350