TWI703390B - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
顯示裝置包括,第一基板、多條資料線以及多條掃描線設置於第一基板上、多個畫素單元設置於第一基板上、平坦層覆蓋資料線、第一共用電極層設置於平坦層上、第二基板設置於第一基板的對向以及第二共用電極層設置於第二基板上。資料線沿著第一方向延伸,掃描線沿著第二方向延伸,且第一方向垂直第二方向。畫素單元電性連接至掃描線及資料線。第一共用電極層具有沿著第一方向延伸的多個第一部。於垂直第一基板的方向上,第一部重疊資料線。第二共用電極層位於第二基板與第一共用電極層之間。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置,且特別是有關於一種具有重疊資料線之共用電極的顯示裝置。
隨著平面式顯示面板的普及,具有空間利用效率佳、高畫質、低消耗功率、無輻射等優越特性之液晶顯示面板,目前已被廣為使用。一般而言,液晶顯示面板包括畫素陣列基板、相對於畫素陣列基板的彩色濾光片基板以及夾設於畫素陣列基板與彩色濾光片基板之間的液晶層。畫素陣列基板包括多個畫素電極。彩色濾光片基板包以括多個彩色濾光圖案以及遮蔽彩色濾光圖案之間的間隙的遮光圖案(即俗稱的黑色矩陣,black matrix)。在理想的組立(assembly)條件下,彩色濾光片基板的多個彩色濾光圖案與畫素陣列基板的多個畫素電極對齊,且彩色濾光片基板的遮光圖案會遮蔽畫素電極之間的間隙,以防止漏光或混色現象發生。
然而,隨著顯示面板的解析度提高,組立精度的要求也隨之提升,因此無法進一步縮減遮光圖案,以增加畫素開口率。此外,顯示面板可能因為衝擊或拍打,而導致遮光圖案與畫素電
極無法對準而於導致漏光。另外,為了防止訊號走線斷裂失效而設置的導電通孔會進一步降低畫素開口率。因此,如何提升顯示面板的畫素開口率並提升顯示品質,為本領域相關技術人員亟需解決的課題。
本發明提供一種顯示裝置,可以提升顯示裝置的畫素開口率以及性能,而具有良好的顯示品質。
本發明的顯示裝置包括第一基板、多條資料線以及多條掃描線設置於第一基板上、多個畫素單元設置於第一基板上、平坦層覆蓋這些資料線、第一共用電極層設置於平坦層上、第二基板設置於第一基板的對向以及第二共用電極層設置於第二基板上。這些資料線沿著第一方向延伸,該些掃描線沿著第二方向延伸,且第一方向垂直第二方向。這些畫素單元電性連接至這些掃描線及這些資料線。第一共用電極層具有延第一方向延伸的多個第一部,且於垂直第一基板的方向上,這些第一部重疊這些資料線。第二共用電極層位於第二基板與第一共用電極層之間。
本發明的顯示裝置包括第一基板、多條資料線以及多條掃描線設置於第一基板上、第一畫素單元及第二畫素單元設置於第一基板上、平坦層覆蓋這些資料線、第一共用電極層設置於平坦層上、間隙物設置於平坦層上、共用電極線通過貫孔與第一共用電極層電性連接、第二基板設置於第一基板的對向以及第二共
用電極層設置於第二基板上。這些資料線沿著第一方向延伸,這些掃描線沿著第二方向延伸,且第一方向垂直第二方向。第一畫素單元及第二畫素單元分別電性連接至這些掃描線及這些資料線。第一共用電極層具有沿著第一方向延伸的多個第一部,且於垂直第一基板的方向上,這些第一部重疊這些資料線。於垂直第一基板的方向上,間隙物重疊這些掃描線的一者。第二共用電極層位於第二基板與第一共用電極層之間。這些掃描線包括第一掃描線以及第二掃描線。這些資料線包括第一資料線,且第一資料線交錯第一掃描線以及第二掃描線。第一畫素單元以及第二畫素單元位於第一掃描線以及第二掃描線之間。第一畫素單元具有第一角落鄰近第二掃描線與第一資料線。間隙物鄰近第一畫素單元的第一角落。於第一方向上,間隙物與貫孔之間的距離為2微米至10微米。
基於上述,本發明一實施例的顯示裝置具有以網狀設置的第一共用電極層,且於垂直第一基板的方向上,共用電極層重疊這些資料線以及部分重疊這些掃描線,因此重疊資料線及掃描線之處的顯示介質層可受到第一共用電極層與第二共用電極層之間電場而轉動。藉此,顯示介質層可形成不透光區域,以吸收或阻擋自第一基板斜向穿透顯示介質層的光。如此,因平坦層厚度或遮光圖案層位移所產生側向漏光及混光的機率可被減少,進而提升顯示裝置的畫素開口率、性能以及顯示品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉
實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10A、10B、10C:顯示裝置
100:第一基板
110:閘絕緣層
120:平坦層
140、140’:第一共用電極層
141:第一部
142:第二部
143:第三部
144:第四部
151:第一角落
152:第二角落
160、160n、160n+1、160n+2、160n+3:共用電極線
162:主幹
164:分支
1641:第一分支
170、170A、172:貫孔
180:間隙物
200:第二基板
220:遮光圖案層
240:第二共用電極層
301、302:驅動電路
A-A’、B-B’:剖面線
Q:電荷
C1、C2:儲存電容
CCS:電容器
CH1、CH1’:第一半導體通道層
CH2:第二半導體通道層
D1、D1’:第一汲極
D2:第二汲極
DL、DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3:資料線
DL1:第一資料線
DL2:第二資料線
DL3:第三資料線
G1、G1’:第一閘極
G2:第二閘極
LC:顯示介質層
PE:畫素電極
PE1:第一畫素電極
PE1A:第一子畫素電極
PE1B:第二子畫素電極
PE2:第二畫素電極
PX:畫素單元
PX1、PX1’、PX1”:第一畫素單元
PX1A:第一子畫素區
PX1B:第二子畫素區
PX2:第二畫素單元
S1、S1’:第一源極
S2:第二源極
SL、SLn、SLn+1、SLn+2、SLn+3:掃描線
SL1:第一掃描線
SL2:第二掃描線
T:主動元件
T1、T1’、T1A:第一主動元件
T2、T1B:第二主動元件
T1C:第三主動元件
V1:第一電壓電位
V2:第二電壓電位
W1:第一寬度
W2:第二寬度
X:第二方向
Y:第一方向
圖1繪示為本發明一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖。
圖2繪示為圖1的顯示裝置沿剖面線A-A'的剖面示意圖。
圖3繪示為圖1的顯示裝置沿剖面線B-B'的剖面示意圖。
圖4繪示為本發明另一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖。
圖5繪示為本發明又一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖。
圖6繪示為本發明再一實施例的顯示裝置的等效電路圖。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的,可以以各種不同的方式修改所描述的實施例,而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中,為了清楚起見,放大了各元件等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時,其可以直接在另一元件上或
與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電連接。
應當理解,儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非內容清楚地指示,否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式,包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的,術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解,當在本說明書中使用時,術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一個或多個其他特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外,諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件
的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此,示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其他元件“上方”。因此,示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此,可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此,本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀,而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如,示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外,所示的銳角可以是圓的。因此,圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀,並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1繪示為本發明一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖,圖1為了方便說明及觀察,僅示意性地繪示部分構件。圖2繪示為圖1的顯示裝置沿剖面線A-A'的剖面示意圖。圖3繪示為
圖1的顯示裝置沿剖面線B-B'的剖面示意圖。請參考圖1、圖2及圖3,顯示裝置10包括第一基板100、多條資料線DL以及多條掃描線SL、平坦層120、第一共用電極層140、第二基板200以及第二共用電極層240、多個畫素單元PX設置於第一基板100上且分別電性連接至這些掃描線SL及這些資料線DL。如圖1所示,顯示裝置10還包括共用電極線160設置於第一基板100上。此外,如圖2及圖3所示,顯示裝置10還包括遮光圖案層220設置於第二基板200與第二共用電極層240之間以及顯示介質層LC設置於第一基板100與第二基板200之間。換句話說,顯示裝置10例如為包括畫素陣列基板以及彩色濾光基板的液晶顯示面板(Liquid Crystal Display,LCD),但本發明不以此為限。以下將以一實施例簡單說明顯示裝置10的結構。
請參考圖1、圖2及圖3,在本實施例中,多條資料線DL以及多條掃描線SL交錯地設置於第一基板100上。詳細而言,第一基板100的材質例如為玻璃、石英、塑膠、有機聚合物、不透光/反射材料(例如:導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。在一些實施例中,第一基板100也可為可撓性基板,其材質包括有機聚合物,例如:聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)或其它合適的材料,本發明不以此為限。
請參考圖1及圖3,在本實施例中,多條掃描線SL設置於第一基板100上。多條掃描線SL包括第一掃描線SL1及第二掃
描線SL2彼此平行地設置於第一基板100上。如圖1所示,這些掃描線SL(包括:第一掃描線SL1及第二掃描線SL2)可沿著第一方向Y排列,且沿著第二方向X延伸。在本實施例中,第一方向Y垂直第二方向X。如圖1所示,第一掃描線SL1例如位於圖1的下方而第二掃描線SL2位於圖1的上方,但本發明不以此為限。
如圖1及圖2所示,顯示裝置10還包括共用電極線160設置於第一基板100上。共用電極線160設置於第一掃描線SL1與第二掃描線SL2之間,且共用電極線160具有沿著第二方向X延伸的主幹162以及沿著多條第一方向Y延伸的分支164。從另一角度而言,主幹162可以平行於掃描線SL,而多個分支164可垂直交錯於主幹162,但本發明不以此為限。在本實施例中,基於導電性考量,共用電極線160與掃描線SL一般是使用金屬材料製作,但也可以使用其他適當的導電材料。例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。需注意的是,圖1雖然僅繪示一條共用電極線160,然而實際上可以有多條共用電極線160且其中每一者分別設置於任兩相鄰的掃描線SL之間,而不僅以圖1所示為限。
如圖2及圖3所示,閘絕緣層110設置於第一基板100上並覆蓋掃描線SL(例如:第二掃描線SL2)以及共用電極線160(例如:分支164)。需注意的是,圖1為了圖式清楚而省略繪示
閘絕緣層110,然而閘絕緣層110是整面地設置於第一基板100上而會覆蓋並重疊多條掃描線SL以及共用電極線160(包括:主幹162及分支164)。在本實施例中,閘絕緣層110的材質包括無機材料、有機材料或上述材料的組合或其他合適的材料。上述無機材料例如是(但不限於):氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層。上述有機材料例如是(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。在本實施例中,閘絕緣層110為單一膜層,但本發明不限於此。在其他實施例中,閘絕緣層110也可以由多個膜層堆疊而成。
請參考圖1及圖2,在本實施例中,多條資料線DL設置於第一基板100上的閘絕緣層110上。這些資料線DL與這些掃描線SL位於不同平面上且分別彼此交錯。詳細而言,多條資料線DL包括第一資料線DL1。在本實施例中,這些資料線DL還包括第二資料線DL2與第三資料線DL3。第一資料線DL1、第二資料線DL2與第三資料線DL3彼此平行地設置於第一基板100上並交錯第一掃描線SL1與第二掃描線SL2。如圖1所示,這些資料線DL(包括:第一資料線DL1、第二資料線DL2及第三資料線DL3)可沿著第二方向X排列,且沿著第一方向Y延伸。如圖1所示,第一資料線DL1例如位於圖1的中間,第二資料線DL2位於圖1中第一資料線DL1的右方,而第三資料線DL3位於圖1中第一資料線DL1的左方,但本發明不以此為限。
在本實施例中,基於導電性考量,資料線DL一般是使用
金屬材料製作,但也可以使用其他適當的導電材料。例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。需注意的是,圖1雖然僅繪示二條掃描線SL及三條資料線DL,然而實際上可以有更多條掃描線SL以及資料案DL彼此交錯排列,而不僅以圖1所示數量為限。
如圖1所示,顯示裝置10包括多個畫素單元PX位於同一列且相鄰地設置,但本發明不以此為限。實際上,多個畫素單元PX是以二維陣列的方式設置於第一基板100上。這些畫素單元PX電性連接至掃描線SL及資料線DL。一般而言,每一畫素單元PX可例如代表一種顏色的子畫素(sub-pixel)。舉例而言,畫素單元PX例如可為紅色的子畫素、綠色的子畫素、藍色的子畫素、橘色的子畫素、黃色的子畫素或白色的子畫素,但不以此為限。在一些實施例中,每一畫素單元PX還可以包括多種顏色的子畫素,例如包括藍色及綠色的子畫素、紅色及綠色的子畫素或藍色及紅色的子畫素,但本發明不以此為限。
在本實施例中,這些畫素單元PX可包括第一畫素單元PX1以及第二畫素單元PX2設置於第一基板100上,且可以位於同一列並且相鄰。如圖1所示,第一畫素單元PX1例如設置於第一資料線DL1的左側,而第二畫素單元PX2例如設置於第二資料線DL2的右側,且第一畫素單元PX1及第二畫素單元PX2分別電性連接至對應的掃描線SL及資料線DL。詳細而言,第一畫素單
元PX1與第二畫素單元PX2均設置於第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2之間,且第一畫素單元PX1電性連接至第二掃描線SL2,第二畫素單元PX2也電性連接至第二掃描線SL2。從另一角度而言,第一畫素單元PX1及第二畫素單元PX2可以共用相同一條第二掃描線SL2,但本發明不以此為限。此外,如圖1所示第一畫素單元PX1電性連接至第三資料線DL3,而第二畫素單元PX2電性連接至第一資料線DL1,但本發明不以此為限。在此需注意的是,圖1僅繪示兩個畫素單元PX(例如為:第一畫素單元PX1及第二畫素單元PX2),實際上顯示裝置10可包括更多個畫素單元PX,例如十萬個、數百萬個或數千萬個個畫素單元,而不以圖1所示數量為限。
在本實施例中,各畫素單元PX例如包括主動元件T(標示於圖5)以及畫素電極PE(標示於圖5)。舉例而言,第一畫素單元PX1包括第一畫素電極PE1以及第一主動元件T1,而第二畫素單元PX2包括第二畫素電極PE2以及第二主動元件T2。如圖1所示,第一畫素電極PE1可透過第一主動元件T1而電性連接至第二掃描線SL2以及第三資料線DL3,而第二畫素電極PE2可透過第二主動元件T2而電性連接至第二掃描線SL2以及第一資料線DL1。在本實施例中,主動元件T例如為低溫多晶矽薄膜電晶體(low temperature poly-Si,LTPS)或非晶矽薄膜電晶體(amorphous Si,a-Si),但本發明不以此為限。在本實施例中,第一主動元件T1以及第二主動元件T2的結構及材料均相同。舉例而言,第一
主動元件T1包括第一閘極G1、第一半導體通道層CH1以及分別電性連接至第一半導體通道層CH1的第一源極S1與第一汲極D1。第二主動元件T2包括第二閘極G2、第二半導體通道層CH2以及分別電性連接至第二半導體通道層CH2的第二源極S2與第二汲極D2。
詳細而言,第一主動元件T1的第一閘極G1與第二掃描線SL2是由同一膜層製作且彼此電性連接。第二主動元件T2的第二閘極G2與第二掃描線SL2是由同一膜層製作且彼此電性連接。從另一角度而言,第一閘極G1與第二閘極G2均屬於第二掃描線SL2的部分。
第一半導體通道層CH1以及第二半導體通道層CH2分別設置於第二掃描線SL2上。舉例而言,第一半導體通道層CH1對應第一閘極G1設置,而第二半導體通道層CH2對應第二閘極G2設置。在本實施例中,第一半導體通道層CH1以及第二半導體通道層CH2的材質包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如:銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合)、或其它合適的材料、或含有摻雜物(dopant)於上述材料中、或上述之組合,但本發明不以此為限。
在本實施例中,第一主動元件T1的第一源極S1電性連接第三資料線DL3與第一半導體通道層CH1,而第二主動元件T2的第二源極S2電性連接第一資料線DL1與第二半導體通道層
CH2。第一主動元件T1的第一汲極D1電性連接至第一半導體通道層CH1,且第二主動元件T2的第二汲極D2電性連接至第二半導體通道層CH2。在本實施例中,資料線DL(包括第一資料線DL1以及第三資料線DL3)與第一源極S1及第二源極S2例如是由同一膜層製作,但本發明不以此為限。在本實施例中,第一汲極D1及第二汲極D2也可與第一源極S1及第二源極S2製作於相同的平面上,但本發明不以此為限。
在本實施例中,第一源極S1與第二源極S2以及第一汲極D1與第二汲極D2是使用金屬材料製作,但本發明不限於此,根據其他實施例,第一源極S1與第二源極S2以及第一汲極D1與第二汲極D2也可以使用其他適當的導電材料。例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在本實施例中,第一主動元件T1與第二主動元件T2以例如為底閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT),但本發明不以此為限。在其他實施例中,第一主動元件T1與第二主動元件T2也可為頂閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)或其他合適的薄膜電晶體。
請參考圖1、圖2及圖3,平坦層120設置於閘絕緣層110上並覆蓋資料線DL(包括:第一資料線DL1、第二資料線DL2及第三資料線DL3)以及第一主動元件T1及第二主動元件T2。圖1為了圖式清楚起見而省略繪示平坦層120,實際上平坦層120
是整面地形成於閘絕緣層110上。在本實施例中,平坦層120的材質包括無機材料、有機材料或上述材料的組合或其他合適的材料。上述無機材料例如是(但不限於):氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層。上述有機材料例如是(但不限於):聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。在本實施例中,平坦層120分別為單一膜層,但本發明不限於此。在其他實施例中,平坦層120也可以由多個膜層堆疊而成。
如圖1、圖2及圖3所示,第一畫素電極PE1設置於平坦層120上並電性連接至第一主動元件T1,且第二畫素電極PE2也設置於平坦層120上並電性連接至第二主動元件T2,但本發明不以此為限。如圖1所示,第一主動元件T1的第一汲極D1透過一個貫孔172電性連接至第一畫素電極PE1,而第二主動元件T2的第二汲極D2透過另一個貫孔172電性連接至第二畫素電極PE2。在上述的設置下,第三資料線DL3可藉由第一主動元件T1而電性連接並提供驅動訊號至第一畫素電極PE1,且第一資料線DL1可藉由第二主動元件T2而電性連接並提供驅動訊號至第二畫素電極PE2,但本發明不以此為限。
在本實施例中,第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2的材質可為透明的導體材料,例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁錫氧化物(ATO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鍺鋅氧化物(IGZO)等金屬氧化物,但本發明不以此為限。在上述的設置下,第一基板100例如為液晶顯示面板的畫素陣列基板,但本
發明不以此為限。
如圖1、圖2及圖3所示,第一共用電極層140設置於平坦層120上。如圖1所示,第一共用電極層140具有沿著第一方向Y延伸的多個第一部141以及沿著第二方向X延伸的多個第二部142。在本實施例中,這些第二部142連接相鄰的兩個第一部141,但本發明不以此為限。在一些實施例中,也可以僅一部分的這些第二部142連接相鄰的兩個第一部141,而另一部分的這些第二部142僅連接至相鄰的兩個第一部141的其中之一者,而不連接其中另一者。在上述的設置下,於俯視上,具有這些第一部141與這些第二部142的第一共用電極層140可形成網狀或格子狀的圖案,但本發明不以此為限。在本實施例中,第一共用電極層140的材質可為透明的導體材料,例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁錫氧化物(ATO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鍺鋅氧化物(IGZO)等金屬氧化物,但本發明不以此為限。
在本實施例中,間隙物180可設置於第二掃描線SL2上,但本發明不以次為限。實際上,間隙物180可以設置在任一掃描線SL上。換句話說,依使用者的需求,間隙物180也可以設置於第一掃描線SL1上,而不僅以圖1所繪示者為限。如圖1所示,第一畫素單元PX1例如為具有四個角落的矩形。上述四個角落的其中之一可定義為第一角落151。第一角落151例如為第一畫素單元PX1鄰近第二掃描線SL2與第一資料線DL1的右上角角落。此外,第二畫素單元PX2也例如為具有四個角落的矩形,且其中之
一可定義為第二角落152。第二角落152例如為第二畫素單元PX2鄰近第二掃描線SL2與第一資料線DL1的左上角角落。換句話說,第一角落151與第二角落152是分別位於第一資料線DL1的兩側。在本實施例中,間隙物180可以對應第一畫素單元PX1的第一角落151設置。換句話說,間隙物180可以鄰近第二掃描線SL2與第一資料線DL1設置,但本發明不以此為限。此外,如圖1所示,第二主動元件T2可以鄰近第二角落152設置,但本發明不以此為限。藉此,可提升畫素開口率。
請參考圖2及圖3,第二基板200設置於第一基板100的對向。在本實施例中,第二基板200的材質例如為玻璃、石英、塑膠、有機聚合物、或是其他可適用的材料。在一些實施例中,第一基板100也可為可撓性基板,其材質包括有機聚合物,例如:聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)或其它合適的材料,本發明不以此為限。
如圖2及圖3所示,遮光圖案層220設置於第二基板200上。遮光圖案層220於第一基板100上的正投影完全重疊第一共用電極層140的第一部141於第一基板100上的正投影以及第一資料線DL1於第一基板100上的正投影。換句話說,第一共用電極層140的第一部141於第一基板100上的正投影以及第一資料線DL1於第一基板100上的正投影位於遮光圖案層220於第一基板100上的正投影之內。此外,第二掃描線SL2於第一基板100上的正投影也位於遮光圖案層220於第一基板100上的正投影之
內。如此一來,遮光圖案層220可以遮住資料線DL(例如包括:第一資料線DL1)以及掃描線SL(例如包括:第二掃描線SL2)。從另一角度而言,遮光圖案層220例如為遮蔽設置於畫素單元PX之間的資料線DL與掃描線SL的黑色矩陣(Black Matrix,BM),用以遮蔽顯示裝置10中不欲被使用者觀看到的元件及走線,以及減少產生混光及漏光的機率。在本實施例中,遮光圖案層220的材質例如是黑色樹脂或是遮光金屬(例如:鉻)等反射性較低的材料,但本發明不以此為限。
如圖2及圖3所示,第二共用電極層240設置於第二基板200上並覆蓋遮光圖案層220。在本實施例中,第二共用電極層240例如是整面地形成於第二基板200上,而位於第二基板200與第一共用電極層140之間。在本實施例中,第二共用電極層240的材質可為透明的導體材料,例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁錫氧化物(ATO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鍺鋅氧化物(IGZO)等金屬氧化物,但本發明不以此為限。在本實施例中,第一共用電極層140與第二共用電極層240電性連接至共同電壓電位。如此,第一共用電極層140與第二共用電極層240之間可產生電場。
在一些實施例中,第二基板200與第二共用電極層240之間還可以夾設有彩色濾光片(Color Filter)、偏光片(polarizer)或其他光學元件,本發明不以此為限。在上述的設置下,第二基板200例如為液晶顯示面板的彩色濾光基板,但本發明不以此為
限。
如圖2及圖3所示,顯示介質層LC設置於第一基板100的畫素電極PE(例如包括:第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2)與第二基板200的第二共用電極層240之間。顯示介質層LC可包括液晶分子、電泳顯示介質、或是其他可適用的介質。在本發明下列實施例中的顯示介質層LC係以包括液晶分子當作範例,但本發明不以此為限。再者,在本發明下列實施例中的液晶分子,較佳地,可為負型液晶,係以可被垂直電場轉動或切換的液晶分子為範例,但本發明不以此為限。
值得注意的是,在本實施例中,第一共用電極層140是以網狀的方式設置於平坦層120上,並且於垂直第一基板100的方向上,重疊這些資料線DL以及部分重疊這些掃描線SL。具體而言,第一共用電極層140的這些第一部141可以完全地重疊這些資料線DL,而這些第二部142可以部分地重疊這些掃描線SL。從另一角度而言,如圖2及圖3所示,第一共用電極層140可以與畫素電極(例如為:第一畫素電極PE1及第二畫素電極PE2)位於相同的平面,且透過相同材料製作而具有導電性。在上述的設置下,如圖2及圖3所示,遮光圖案層220重疊資料線DL(例如為:第一資料線DL1)及掃描線SL(例如為:第二掃描線SL2)之處的顯示介質層LC會位於第一共用電極層140與第二共用電極層240之間。因此,如位於畫素電極與第二共用電極240之間的顯示介質層LC一般,顯示介質層LC中的液晶分子會受到第一共
用電極層140與第二共用電極層240之間電場而轉動,搭配適當的偏光片設置,進而可在遮光圖案層220於第一基板100上的正投影之內形成不透光區域。
如此一來,相較於習知的顯示裝置,其遮光圖案層與訊號線(例如資料線或掃描線)之間為液晶不受控區域,本實施例的顯示裝置10在遮光圖案層220與第一資料線DL1及/或第二掃描線SL2之間顯示介質層LC的液晶分子可被第一共用電極層140與第二共用電極層240之間的電場轉動而受調控。因此,顯示介質層LC在遮光圖案層220於第一基板100上的正投影之內所形成的不透光區域,可吸收或阻擋自第一基板100斜向穿透顯示介質層LC的光。換句話說,如圖2所示,第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2之間重疊遮光圖案220及第一資料線DL1的顯示介質層LC為不透光。藉此,可以減少因平坦層120厚度或遮光圖案層220位移所產生側向漏光及混光的機率,因而可進一步縮小遮光圖案層220所需的寬度,進而提升畫素開口率。
此外,相較於習知的顯示裝置,其重疊於資料線與掃描線的顯示介質層可被來自資料線的電場所影響。反觀,本實施例的第一共用電極層140可降低第一資料線DL1影響顯示介質層LC中液晶分子的風險,更進一步地提升對液晶分子的控制,而具有良好的性能。因此,顯示裝置10可透過第一共用電極層140調控重疊資料線DL以及遮光圖案層220的顯示介質層LC中的液晶分子,而減少側向漏光及混光的機率並提升畫素開口率,提升顯示
裝置10的性能並具有良好的顯示品質。
另外,如圖3所示,第一共用電極層140的兩個相鄰的第二部142之間與第二共用電極層240也可以產生電場。如此一來,重疊掃描線SL(例如為:第二掃描線SL2)以及遮光圖案層220的顯示介質層LC中的液晶分子也可被轉動而形成不透光區域,進而獲致上述的技術功效。
請參考圖1及圖2,在本實施例中,第一共用電極140的第一部141具有第一寬度W1,而資料線DL(例如為:第一資料線DL1)具有第二寬度W2。在本實施例中,第一寬度W1≧第二寬度W2。換句話說,第一資料DL1於第一基板100上的正投影會完全位於第一部141於第一基板100上的正投影之內。如此,當第一部141的第一寬度W1定義為不透光區域時,上述不透光區域可完全重疊第一資料線DL1。藉此,可進一步縮減遮蔽圖案220的寬度,以增加畫素開口率,而提升顯示裝置10的顯示品質。
請參考圖1,本實施例的顯示裝置10還包括多個貫孔170。貫孔170例如為貫穿平坦層120與閘絕緣層110的開口,以暴露出共用電極線160。在上述的設置下,共用電極線160可通過貫孔170與第一共用電極層140電性連接。詳細而言,貫孔170可以重疊於共用電極線160。如圖1所示,共用電極線160包括主幹162以及自主幹162沿第一方向Y延伸的分支164。主幹162可以部分重疊第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2、第一資料線DL1、第二資料線DL2、第三資料線DL3以及第一共用電極層
140的多個第一部141。在本實施例中,多個分支164是位於第一部141與第一畫素電極PE1及/或第二畫素電極PE2之間並平行於第一部141。從另一角度而言,這些分支164例如是設置於資料線DL兩側的遮光金屬圖案(shielding metal),但本發明不以此為限。
在本實施例中,第一資料線DL1與第一畫素電極PE1之間的分支164可被定義為第一分支1641。第一分支1641沿著第一方向Y延伸並連接主幹162。如圖1所示,貫孔170可以設置於第一畫素單元PX1的第一角落151中,重疊第一分支1641。更詳細而言,第一共用電極層140還包括沿第二方向X延伸的第三部143。第三部143平行於第二部142且與第一部141連接。如圖1所示,第三部143位於第二部142與第一畫素電極PE1之間,且第三部143部分重疊第二掃描線SL2,但不重疊第一畫素電極PE1。在本實施例中,第二部142也可以部分重疊第二掃描線SL2,且第二部142及/或第三部143於第一基板100上的垂直投影與第二掃描線SL2於第一基板100上的垂直投影的重疊部分之寬度為0.5微米至4微米,且較佳地為2微米至4微米。此外,於第一角落151之處,第三部143部分重疊第一分支1641。更詳細而言,第一分支1641於重疊第三部143之處,設置有貫孔170。也就是說,貫孔170可以在第一角落151暴露出第一分支1641,使共用電極線160的第一分支1641可通過貫孔170與第一共用電極層140的第三部143電性連接,但本發明不以此為限。
在上述的設置下,當共用電極線160出現斷線時,共用
電極線160的訊號可以透過貫孔170(例如為位於第一角落151的貫孔170)而傳遞至第一共用電極層140。上述訊號可再沿著網格狀並重疊資料線DL及掃描線SL的第一共用電極層140,而傳遞至另一貫孔(未繪示)而傳遞回共用電極線160。如此一來,可以減少共用電極線160因斷線產生訊號異常或失效的風險,更可減少貫孔170所占顯示區域的空間以提升開口率,增加顯示裝置10的顯示區域,因而提升性能以及顯示品質。
另外,如圖1所示,設置於第二掃描線SL2上的間隙物180可以對應第一畫素單元PX1的第一角落151設置。在上述的設置下,可以將間隙物180與貫孔170鄰近地設置於靠近第一角落151。舉例而言,在本實施例中,於第一方向Y上,間隙物180與貫孔170之間的距離例如可為2微米至15微米。在一優選的實施例中,間隙物180與貫孔170之間的距離更可為2微米至7微米。如此一來,間隙物180與貫孔170可以對應的設置以縮減遮光圖案層220(繪示於圖2及圖3)的寬度,而進一步增加畫素開口率,提升顯示裝置10的顯示品質。
在一些實施例中,間隙物180除了對應第一畫素單元PX1的第一角落151設置外,上述間隙物180所對應的第一畫素單元PX1所對應的第一顏色還可以為藍色。舉例而言,第一畫素單元PX1可以對應第一顏色,而第二畫素單元PX2可以對應第二顏色。第一顏色舉例為藍色,且不同於第二顏色,第二顏色例如為紅色或綠色或其他顏色。在上述的實施例中,貫孔170與間隙物
180可以對應第一顏色設置,但不以此為限。在上述的設置下,可以進一步地提升顯示裝置10之穿透率,而提升顯示裝置10的顯示品質。
簡言之,由於本實施例顯示裝置10具有以網狀設置的第一共用電極層140,且於垂直第一基板100的方向上,共用電極層140重疊這些資料線DL以及部分重疊這些掃描線SL,因此遮光圖案層220重疊資料線DL及掃描線SL之處的顯示介質層LC可受到第一共用電極層140與第二共用電極層240之間電場而轉動。藉此,搭配適當的偏光片配置,顯示介質層LC可在遮光圖案層220於第一基板100上的正投影之內形成不透光區域,以吸收或阻擋自第一基板100斜向穿透顯示介質層LC的光。如此,因平坦層120厚度或遮光圖案層220位移所產生側向漏光及混光的機率可被減少,因而可進一步縮小遮光圖案層220所需的寬度,進而提升顯示裝置10的畫素開口率及顯示品質。
此外,本實施例的第一共用電極層140可降低第一資料線DL1影響顯示介質層LC中液晶分子的風險,更進一步地提升顯示裝置10對液晶分子的控制,而具有良好的性能。
另外,本實施例顯示裝置10還可以透過貫孔170將共用電極線160電性連接至第一共用電極層140。如此,共用電極線160可透過第一共用電極層140傳遞訊號。藉此,可以減少共用電極線160因斷線產生訊號異常或失效的風險,以減少貫孔170所佔顯示區域,增加顯示裝置10的顯示區域並提升性能。因此,顯
示裝置10除了可透過第一共用電極層140以減少側向漏光及混光的機率,還可以提升畫素開口率、性能以及顯示品質。
下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例,下述實施例中不再重複贅述。
圖4繪示為本發明另一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖。本實施例所示的顯示裝置10A與圖1所示的顯示裝置10類似,主要的差異在於:第一畫素單元PX1’的第一主動元件T1’電性連接第一掃描線SL1,而第二畫素單元PX2電性連接第二掃描線SL2,且第一畫素單元PX1’與第二畫素單元PX2皆電性連接至第一資料線DL1。換句話說,本實施例的顯示裝置10A例如包括以半源極驅動(Half Source Driving,HSD)架構的畫素陣列。如此一來,相鄰的第一畫素單元PX1’與第二畫素單元PX2可以共用第一資料線DL1,而得以使資料線DL的整體數目減半。如此,除了可以減少資料線DL等走線所需的空間,使顯示裝置10B周邊線路的設計更有裕度外,還可以減少於顯示裝置10B周邊設置驅動元件(例如驅動晶片)的數量,以降低成本並縮小邊框。
在本實施例中,第一主動元件T1’包括第一閘極G1’、第一半導體通道層CH1’以及分別電性連接至第一半導體通道層CH1’的第一源極S1’與第一汲極D1’。第一主動元件T1’與圖1的第一主動元件T1的結構及材料相似,故於此不再贅述。在本實施
例中,第一主動元件T1’是透過第一源極S1’電性連接至第一資料線DL1,但本發明不以此為限。如此,顯示裝置10A可獲致與上述實施例類似的技術功效。
圖5繪示為本發明又一實施例的顯示裝置的局部上視示意圖。本實施例所示的顯示裝置10B與圖1所示的顯示裝置10類似,主要的差異在於:圖5繪示了多個畫素單元PX以3X4方式排列的陣列。具體而言,圖5繪示了4條掃描線SLn、SLn+1、SLn+2、SLn+3沿著第一方向Y排列以及4條資料線DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3沿著第二方向X排列而彼此交錯。3個畫素單元PX沿著第二方向X排列而4個畫素單元PX沿著第一方向Y排列,且各畫素單元PX分別位於兩條掃描線及兩條資料線之間(例如位於掃描線SLn、SLn+1以及資料線DLn、DLn+之間,但不以此為限)。各畫素單元PX包括主動元件T以及畫素電極PE。主動元件T及畫素電極PE與圖1的第一主動元件T1、第二主動元件T2及第一畫素電極PE1、第二畫素電極PE2的結構及材料相似,故於此不再贅述。在本實施例中,位於同一列的多個畫素單元PX電性連接至同一條掃描線(例如為掃描線SLn),而分別連接至對應的資料線(例如為資料線DLn、DLn+1、DLn+2),但不以此為限。此外,如圖5所是,每一列的畫素單元PX可以與共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3重疊。舉例而言,共用電極線160n的主幹162可以位於相鄰的的兩條掃描線(例如為掃描線SLn、SLn+1)之間,但不以此為限。在此需注意的是,圖5僅繪示顯示裝置10B的局部,
因此本發明的掃描線SLn、SLn+1、SLn+2、SLn+3、資料線DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3以及畫素電極PE的數量並不以圖5所示為限。
在本實施例中,第一共用電極層140’更具有沿著第二方向X延伸的第四部144。第四部144連接至第一部141且重疊共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3的主幹162的部分。在本實施例中,貫孔170A可設置於第四部144重疊主幹162之處,以暴露出主幹162,使主幹162可通過貫孔170A與第四部164電性連接,但本發明不以此為限。如圖5所示,畫素電極PE不重疊第四部144而部分重疊主幹162。如此,顯示裝置10B可獲致與上述實施例類似的技術功效。
此外,顯示裝置10B上設置有多個驅動電路301、302。驅動電路301、302例如為晶片以提供驅動訊號或參考訊號至共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3,n為正整數。如圖5所示,位於左右兩側的兩個驅動電路301、302可分別電性連接至對應的共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3。舉例而言,位於左側的驅動電路301可電性連接至共用電極線160n及160n+2,而位於右側的驅動電路302可電性連接至共用電極線160n+1及160n+3。換句話說,共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3不需連接至相同的驅動電路(例如:驅動電路301或驅動電路302),因此可以提升驅動電路301、302以及周邊走線設置的裕度。在一些實施例中,驅動電路301、302可以分別電性連接至這些共用電極線160n、
160n+1、160n+2、160n+3的其中數條,但本發明不以此為限。換句話說,並非每一共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3均須連接驅動電路301或驅動電路302以提供訊號。舉例而言,圖5中的四條共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3可以僅一條、兩條或三條連接至對應的驅動電路301或驅動電路302。在另一些實施例中,也可以僅一條共用電極線160n連接至左側的驅動電路301而僅另一條共用電極線160n+3連接至右側的驅動電路302。在又一些實施例中,也可以依使用者的需求,僅於顯示裝置10B的一側設置驅動電路301(或驅動電路302)而僅部分或全部的共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3電性連接至上述的驅動電路301(或驅動電路302)。
在上述的設置下,由於共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3可電性連接至第一共用電極層140’,以透過第一共用電極層140’傳遞訊號,因此僅需部分的共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3電性連接至驅動電路301或驅動電路302,即可將上述訊號傳遞至共用電極線160n、160n+1、160n+2、160n+3的任一處。如此一來,顯示裝置10B於周邊的走線設計可更有裕度,而能進一步縮小標框,提升顯示品質。
圖6繪示為本發明再一實施例的顯示裝置的等效電路圖。請參考圖1及圖6,本實施例所示的顯示裝置10C與圖1所示的顯示裝置10類似,主要的差異在於:第一畫素單元PX1”包括第一子畫素區PX1A及第二子畫素區PX1B。詳細而言,顯示裝
置10C包括第一掃描線SL1與第二掃描線SL2、第一資料線DL1交錯第一掃描線SL1與第二掃描線SL2以及共用電極線160。
第一畫素單元PX1”中的第一子畫素區PX1A中包括第一子畫素電極PE1A以及第一主動元件T1A。第一子畫素電極PE1A通過第一主動元件T1A電性連接至第一資料線DL1以及第二掃描線SL2。第一主動元件T1A還可以電性連接至儲存電容C1,但本發明不以此為限。在本實施例中,第一主動元件T1A具有電性連接至第二掃描線SL2的控制端。因此,第一子畫素電極PE1A與儲存電容C1的充放電由第二掃描線SL2通過第一主動元件T1A所控制。
第一畫素單元PX1”中的第二子畫素區PX1B中包括第二子畫素電極PE1B、第二主動元件T1B以及第三主動元件T1C。第二子畫素電極PE1B通過第二主動元件T1B電性連接至第一資料線DL1及第二掃描線SL2。在本實施例中,第三主動元件T1C還可以串聯至第二主動元件T1B並電性連接至第一掃描線SL1。第三主動元件T1C電性連接至電容器CCS。在上述的設置下,第二子畫素電極PE1B可通過第三主動元件T1C以電性連接至電容器CCS。如圖6所示,第二主動元件T1B還可以電性連接至儲存電容C2,但本發明不以此為限。在本實施例中,第二主動元件T1B具有電性連接至第二掃描線SL2的控制端。因此,第二子畫素電極PE1B與儲存電容C2的充放電由第二掃描線SL2通過第二主動元件T1B所控制。此外,第三主動元件T1C具有電性連接至第一掃
描線SL1的控制端。因此,電容器CCS的充放電由第一掃描線SL1通過第三主動元件T1C所控制。藉此,第二子畫素電極PE1B與電容器CCS可具相關連的電荷Q以達成電荷分享(charge sharing)的需求。
綜上所述,本發明一實施例的顯示裝置具有以網狀設置的第一共用電極層,且於垂直第一基板的方向上,共用電極層重疊這些資料線以及部分重疊這些掃描線,因此遮光圖案層重疊資料線及掃描線之處的顯示介質層可受到第一共用電極層與第二共用電極層之間電場而轉動。藉此,顯示介質層可在遮光圖案層220於第一基板上的正投影之內形成不透光區域,以吸收或阻擋自第一基板斜向穿透顯示介質層的光。如此,因平坦層厚度或遮光圖案層位移所產生側向漏光及混光的機率可被減少,因而可進一步縮小遮光圖案層所需的寬度,進而提升顯示裝置的畫素開口率及顯示品質。
此外,第一共用電極層可降低第一資料線影響顯示介質層中液晶分子的風險,更進一步地提升顯示裝置對液晶分子的控制,而具有良好的性能。
另外,本發明的顯示裝置還可以透過貫孔將共用電極線電性連接至第一共用電極層。如此,共用電極線可透過第一共用電極層傳遞訊號。藉此,可以減少共用電極線因斷線產生訊號異常或失效的風險,更可直接在掃描線或對應的畫素單元上形成貫孔。如此,除了可以增加顯示裝置的顯示區域並提升性能,還可
將間隙物對應貫孔設置,以進一步提升對應顏色的畫素單元的畫素開口率,提升顯示裝置的顯示品質。因此,顯示裝置除了可透過第一共用電極層以減少側向漏光及混光的機率,還可以提升畫素開口率、性能以及顯示品質。
此外,由於共用電極線可電性連接至第一共用電極層,以透過第一共用電極層傳遞訊號,因此僅需部分的共用電極線電性連接至驅動電路即可將上述訊號傳遞至共用電極線的任一處。如此,顯示裝置於周邊的走線設計可更有裕度,而能進一步縮小顯示裝置的標框,提升顯示品質。
另外,本發明的顯示裝置還包括以半源極驅動架構的畫素陣列,而得以使資料線的整體數目減半。如此,除了可以減少資料線等走線所需的空間,使顯示裝置周邊線路的設計更有裕度外,還可以減少於顯示裝置周邊設置驅動元件(例如驅動晶片)的數量,以降低成本並縮小邊框。
此外,本發明的顯示面板更透過第三主動元件而將電容器串接至第二子畫素電極。藉此,第二子畫素電極與電容器相關連的電荷可以重新分布,而達成電荷分享的需求。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:顯示裝置
100:第一基板
140:第一共用電極層
141:第一部
142:第二部
143:第三部
151:第一角落
152:第二角落
160:共用電極線
162:主幹
164:分支
1641:第一分支
170、172:貫孔
180:間隙物
A-A’、B-B’:剖面線
CH1:第一半導體通道層
CH2:第二半導體通道層
D1:第一汲極
D2:第二汲極
DL:資料線
DL1:第一資料線
DL2:第二資料線
DL3:第三資料線
G1:第一閘極
G2:第二閘極
PE1:第一畫素電極
PE2:第二畫素電極
PX:畫素單元
PX1:第一畫素單元
PX2:第二畫素單元
S1:第一源極
S2:第二源極
SL:掃描線
SL1:第一掃描線
SL2:第二掃描線
T1:第一主動元件
T2:第二主動元件
W1:第一寬度
W2:第二寬度
X:第二方向
Y:第一方向
Claims (18)
- 一種顯示裝置,包括:一第一基板;多條資料線以及多條掃描線設置於該第一基板上,該些資料線沿著一第一方向延伸,該些掃描線沿著一第二方向延伸,且該第一方向垂直該第二方向;多個畫素單元設置於該第一基板上,該些畫素單元電性連接至該些掃描線及該些資料線;一平坦層覆蓋該些資料線;一第一共用電極層設置於該平坦層上,具有沿著該第一方向延伸的多個第一部,且於垂直該第一基板的方向上,該些第一部重疊該些資料線;一第二基板設置於該第一基板的對向;以及一第二共用電極層設置於該第二基板上,且位於該第二基板與該第一共用電極層之間,其中該第一共用電極層的每一該第一部具有一第一寬度W1,每一該資料線具有一第二寬度W2,且W1≧W2。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中該第一共用電極層更包括沿著該第二方向延伸的多個第二部,部分的該些第二部連接相鄰的兩個該些第一部,且於垂直該第一基板的方向上,該些第二部的部分重疊該些掃描線。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置,其中該些掃描線包括一第一掃描線以及一第二掃描線,該些資料線包括一第一資料線,且該第一資料線交錯該第一掃描線以及該第二掃描線,其中該些畫素單元包括一第一畫素單元位於該第一掃描線以及該第二掃描線之間,且該第一畫素單元電性連接該第二掃描線。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,更包括一共用電極線,該共用電極線通過一貫孔與該第一共用電極層電性連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置,其中該共用電極線具有沿著該第二方向延伸的一主幹以及與該第一部連接之一第四部,其中該主幹部分重疊該第一畫素電極、該第一資料線以及重疊該第一共用電極層的該第四部,且於該主幹重疊該第四部之處,該主幹通過該貫孔與該第四部電性連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置,其中該第一共用電極層更包括沿著該第二方向延伸的一第三部,該共用電極線更包括沿著該第二方向延伸的一主幹以及沿著該第一方向延伸的一第一分支,且該第一分支連接該主幹,該第一畫素單元具有一第一角落鄰近該第二掃描線與該第一資料線,其中該第三部平行於該第二部,且該第三部於該第一角落重疊該第一分支,其中於該第一分支重疊該第三部之處,該第一分支通過該貫孔與該第三部電性連接。
- 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,更包括一間隙物設置於該第二掃描線上,對應該第一畫素單元的該第一角落。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置,其中該間隙物所對應的該第一畫素單元,對應的顏色為藍色。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,其中該第一畫素單元包括一第一子畫素區和一第二子畫素區,該第一子畫素區包括一第一子畫素電極,該第一子畫素電極通過一第一主動元件電性連接至該第一資料線,該第二子畫素區包括一第二子畫素電極,該第二子畫素電極通過一第二主動元件電性連接至該第一資料線,且該第二子畫素電極還通過一第三主動元件連接至一電容器。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,其中該些畫素單元包括一第一畫素單元及一第二畫素單元,且該第一畫素單元和該第二畫素單元位於同一列且相鄰,該第一畫素單元電性連接該第一掃描線,該第二畫素單元電性連接該第二掃描線,且該第一畫素單元與該第二畫素單元電性連接該第一資料線。
- 一種顯示裝置,包括:一第一基板;多條資料線以及多條掃描線設置於該第一基板上,該些資料線沿著一第一方向延伸,該些掃描線沿著一第二方向延伸,且該第一方向垂直該第二方向;一第一畫素單元及一第二畫素單元設置於該第一基板上,該 第一畫素單元及該第二畫素單元分別電性連接至該些掃描線及該些資料線;一平坦層覆蓋該些資料線;一第一共用電極層設置於該平坦層上,具有沿著該第一方向延伸的多個第一部,且於垂直該第一基板的方向上,該些第一部重疊該些資料線;一間隙物設置於該平坦層上,且於垂直該第一基板的方向上,該間隙物重疊該些掃描線的一者;一共用電極線,該共用電極線通過一貫孔與該第一共用電極層電性連接;一第二基板設置於該第一基板的對向;以及一第二共用電極層設置於該第二基板上,且位於該第二基板與該第一共用電極層之間,其中該些掃描線包括一第一掃描線以及一第二掃描線,該些資料線包括一第一資料線,且該第一資料線交錯該第一掃描線以及該第二掃描線,該第一畫素單元以及該第二畫素單元位於該第一掃描線以及該第二掃描線之間,其中該第一畫素單元具有一第一角落鄰近該第二掃描線與該第一資料線,其中該間隙物鄰近該第一畫素單元的該第一角落,其中於該第一方向上,該間隙物與該貫孔之間的距離為2微米至10微米。
- 如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,其中該第一畫素單元電性連接該第一掃描線,該第二畫素單元連接該第二掃描線,該第一畫素單元與該第二畫素單元電性連接該第一資料線且位於同一列且相鄰。
- 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置,其中該第二畫素單元具有一第二角落鄰近該第二掃描線與該第一資料線,且該第一角落與該第二角落分別位於該第一資料線的兩側,且該第二畫素單元的一第二主動元件鄰近該第二角落。
- 如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,其中該第一畫素單元包括一第一子畫素區和一第二子畫素區,該第一子畫素區包括一第一子畫素電極,該第一子畫素電極通過一第一主動元件電性連接至該第一資料線,該第二子畫素區包括一第二子畫素電極,該第二子畫素電極通過一第二主動元件電性連接至該第一資料線,且該第二子畫素電極還通過一第三主動元件連接至一電容器。
- 如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,其中該貫孔與該間隙物鄰近該第一畫素的該第一角落。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示裝置,其中該第一畫素單元對應一第一顏色,該第二畫素單元對應一第二顏色,該第一顏色不同於該第二顏色,且該貫孔與該間隙物對應該第一顏色設置。
- 如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,更包括一驅動電路,其中該共用電極線為多條,且該驅動電路電性連接至該些共用電極線的部分。
- 如申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,其中該第一共用電極層與該第二共用電極層電性連接至一共同電壓電位。
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