TWI750895B

TWI750895B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI750895B
Application number: TW109139872A
Authority: TW
Inventors: 王睦凱; 黃國有; 徐雅玲; 王洸富
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-08-21
Filing date: 2020-11-16
Publication date: 2021-12-21
Also published as: TWI753790B; TWI755957B; TW202208956A; TW202208955A; TW202209294A; TW202209278A; TW202208951A; TW202208962A; TW202209290A; TWI768903B; TW202209289A; TWI740736B; TWI766564B; TW202209071A; TWI756952B; TW202209072A; TW202209728A; TWI754554B; TWI756054B; TWI755980B

Abstract

一種電子裝置，包括基板、多條閘極線、資料線、轉接線以及多個畫素結構。多條閘極線、資料線、轉接線以及多個畫素結構都配置於基板上。閘極線沿第一方向延伸。資料線沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。轉接線平行於資料線並彼此相鄰，轉接線連接多條閘極線的其中一條，轉接線的材質包括資料線的材質。轉接線在基板上的高度小於資料線在基板上的高度。據此，可有助於降低線路之間的耦合而提供電子裝置改進的品質。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置。

隨著電子產品的普及化，各種電子裝置中的線路佈局月亦複雜。因此，許多相鄰的線路可能用於傳遞不同類型的訊號。然而，相鄰線路之間的耦合作用往往影響訊號傳遞的品質，而導致最終呈現的功能不符預期。因此，線路佈局的規劃，往往是電子產品中的設計重點之一。

本發明提供一種電子裝置，其設計可有助於降低線路之間的耦合（coupling）而提供改進的品質。

本發明的電子裝置包括基板、多條閘極線、資料線、轉接線以及多個畫素結構。多條閘極線、資料線、轉接線以及多個畫素結構都配置於基板上。多條閘極線沿第一方向延伸。資料線沿第二方向延伸，其中第一方向與所述第二方向相交。轉接線平行於資料線並彼此相鄰，轉接線連接多條閘極線的其中一條，轉接線的材質包括資料線的材質。多個畫素結構的其中一者被多條閘極線的相鄰兩條以及轉接線圍繞且包括畫素電極及主動元件。轉接線在基板上的高度小於資料線在基板上的高度。

在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括至少一絕緣層，其中至少一絕緣層包括第一開口。第一開口在基板的垂直投影範圍涵蓋畫素電極在基板的垂直投影範圍，轉接線配置於第一開口內，資料線配置於至少一絕緣層上。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層由不同材質的絕緣材料彼此堆疊而成。

在本發明的一實施例中，轉接線的材質與資料線的材質相同。

在本發明的一實施例中，在畫素結構中，轉接線與基板接觸，轉接線與資料線在基板上的高度差為至少一絕緣層的膜厚。在部分實施例中，至少一絕緣層包括緩衝層、閘極絕緣層以及層間絕緣層，其中緩衝層與基板接觸，閘極絕緣層的所在膜層位於主動元件的主動層的膜層與閘極的膜層之間，層間絕緣層的所在膜層位於閘極線的膜層與資料線的膜層之間，轉接線與資料線的高度差為緩衝層、閘極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。

在本發明的一實施例中，在畫素結構中，轉接線與基板之間包括緩衝層，資料線與基板之間包括緩衝層以及至少一絕緣層。在部分實施例中，至少一絕緣層包括閘極絕緣層以及層間絕緣層，閘極絕緣層的所在膜層位於主動元件的主動層的膜層與閘極的膜層之間，層間絕緣層的所在膜層位於閘極線的膜層與資料線的膜層之間，轉接線與資料線的高度差為閘極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。

在本發明的一實施例中，主動元件與基板之間更包括遮光導體層，資料線由第二導電層所構成，轉接線由遮光導體層與第二導電層直接堆疊而成。

在本發明的一實施例中，上述的至少一絕緣層包括位於閘極線與資料線之間的層間絕緣層，層間絕緣層更包括第一貫孔以及貫穿第一貫孔的第一導通結構，轉接線經由第一導通結構連接多條閘極線的其中一條。在部分實施例中，上述的層間絕緣層還可包括第二貫孔以及貫穿第二貫孔的第二導通結構，主動元件的源極經由第二導通結構連接資料線。在部分實施例中，上述的層間絕緣層還可更包括第三貫孔以及貫穿第三貫孔的第三導通結構，主動元件的汲極經由第三導通結構連接畫素電極。

在本發明的一實施例中，轉接線與資料線具有相互平行的曲折圖案。

在本發明的一實施例中，畫素電極於垂直基板方向上重疊轉接線。

在本發明的一實施例中，在電子裝置的俯視圖中，畫素電極的邊緣位於轉接線與資料線之間，畫素電極的邊緣與轉接線在基板投影上相距第一距離，畫素電極的邊緣與資料線在基板投影上相距第二距離，第一距離為至少2微米，第二距離為至少3微米。

基於上述，本發明實施例的電子裝置中，轉接線在基板上的高度小於資料線在基板上的高度，藉此可使傳遞不同訊號且彼此相鄰的轉接線與資料線分設在基板的不共平面上，有助於以減輕轉接線與資料線之間的訊號耦合。此外，在部分實施例中，轉接線可由不同導電層堆疊並聯而成，藉此可進一步降低轉接線的阻抗，提升訊號傳遞的品質，另一方面，也減低轉接線因地形斷差而產生斷線的可能性。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者二元件之間也可以存在中間元件。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數值（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為依照本發明的一種電子裝置的局部上視示意圖。在圖1中，電子裝置100包括基板110、多條閘極線GL、資料線DL、轉接線TL以及多個畫素結構120。如圖1所示，畫素結構120以陣列排列的方式配置於基板110上。換言之，畫素結構120沿著第一方向D1以及相交於第一方向D1的第二方向D2呈現陣列排列，其中在本實施例中，第一方向D1可理解為橫向方向，而第二方向D2可理解為縱向方向。如圖1所示，沿著橫向方向延伸的線路為閘極線GL，而沿縱向方向延伸的線路可劃分為直接連接畫素結構120的資料線DL以及沒有直接連接畫素結構120的轉接線TL。各資料線DL與轉接線TL相互平行。值得注意的是，在本實施例中，轉接線TL與資料線DL雖以直線表示，但於部分實施例中，轉接線TL與資料線DL亦可以局部包括曲折圖案，本發明並不以此為限。如圖1所示，沿著第二方向D2排成一行的畫素結構120夾於兩條資料線DL之間，且各畫素結構120連接於資料線DL的其中一條。在本實施例中，各轉接線TL僅設置於第3n條資料線DL與其所連接的畫素電極124之間。例如，如圖1的虛框所示，3個畫素結構120（例如紅色畫素、綠色畫素、藍色畫素）作為1個畫素單元10，轉接線TL設置於最右側畫素結構120的畫素電極124及資料線DL之間。

在部分實施例中，各畫素結構120可包括主動元件122以及連接於主動元件122的畫素電極124。每個主動元件122可為具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條資料線DL，源極連接到其中一條資料線DL，而汲極連接到畫素電極124。另外，每一條閘極線GL都連接至其中一條轉接線TL。因此，主動元件122的閘極的訊號可以由轉接線TL傳遞給閘極線GL，再由閘極線GL輸入至閘極。此外，為了避免閘極線GL與資料線DL之間、或閘極線GL與轉接線TL之間發生短路，閘極線GL與資料線DL可由不同膜層構成，閘極線GL與轉接線TL可由不同膜層構成。例如，閘極線GL的材質可由第一導電層C1所構成，而資料線DL與轉接線TL的材質可包括第二導電層C2，而閘極線GL與資料線DL之間、或閘極線GL與轉接線TL之間可夾有一或多層絕緣層。以下將細部說明上述線路的膜層堆疊關係。

在部分的實施例中，電子裝置100可更包括驅動電路IC，且驅動電路IC位於轉接線TL的一端。資料線DL與轉接線TL可以直接接收由驅動電路IC所提供的訊號，而閘極線GL則可透過轉接線TL接收到對應的訊號。如此一來，電子裝置100在第一方向D1的兩端無須設置傳遞訊號用的線路或是相關電路而可達到窄邊框的設計，並且電子裝置100的輪廓也無須受限。舉例而言，由上視視角來看，電子裝置100可以具有非矩形的輪廓。在一些實施例中，電子裝置100中還可包括另一訊號轉接線（未繪示），所述另一訊號轉接線可以不用來傳遞閘極線GL需要的訊號，而是被輸入直流電位。舉例而言，所述另一訊號轉接線可以不連接任何閘極線GL，而應用於觸控或其他功能的實現。

圖2為圖1的電子裝置中虛框處放大的一種實施方式的示意圖。圖3為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的一種實施方式的示意圖。圖2的電子裝置100A具有大致相似於圖1的電子裝置100的布局設計，因此兩者的說明中採用相同的元件符號來表示相同的構件。在圖2中，電子裝置100A包括配置於基板110上的多條閘極線GL、多條資料線DL、多個畫素結構120以及一條轉接線TL。多條閘極線GL、多條資料線DL、轉接線TL與多個畫素結構120的佈局與連接關係如圖1所述，在此不另重述。

在圖2的電子裝置100A中，閘極線GL的延伸方向例如為圖1所示的第一方向D1，而資料線DL及轉接線TL的延伸方向例如為圖1所述的第二方向D2，其中第一方向D1與第二方向D2彼此相交，但兩者相交角度不以90度為限。如圖2所示，本實施例之轉接線TL與資料線DL具有相互平行的曲折圖案，亦即本實施例之轉接線TL與資料線DL並非直線，而是在基板110上以蜿蜒的方式在第二方向D2上延伸。如圖2所示，畫素結構120的其中一個位於閘極線GL的相鄰兩條之間且位於資料線DL的相鄰兩條之間。為了方便說明，以下主要闡述圖2中位於最右側的單一個畫素結構120周邊的訊號線路。畫素結構120可包括主動元件122與畫素電極124，其中主動元件122的三端分別連接至對應的閘極線GL、資料線DL以及畫素電極124。本實施例之畫素電極124的邊緣平行於轉接線TL及資料線DL的曲折圖案。

如圖2所示，在最右側的單一個畫素結構120的周邊除了主動元件122所連接的資料線DL外，更包括於資料線DL靠近畫素電極124的一側設置轉接線TL，亦即，畫素電極124的邊緣位於轉接線TL與資料線DL之間。並且，畫素電極124於垂直基板110方向上重疊轉接線TL。換言之，轉接線TL直接穿越畫素電極124的正下方。更具體而言，如圖2的最右側的單一個畫素結構120所示，畫素電極124的邊緣與左側的轉接線TL在基板110投影上可相距第一距離DIS1，第一距離DIS1可以為至少2微米，較佳為3微米至5微米。另一方面，畫素電極124的邊緣與右側的資料線DL在基板110投影上可相距第二距離DIS2，第二距離DIS2可以為至少3微米，較佳為4微米至6微米。

圖3為圖2的電子裝置中沿剖線A-A 及沿剖線B-B的剖面的一種實施方式的示意圖，並且在圖3的剖面圖中僅標示出本文中所述的部分構件，而省略了畫素電極與平坦層之間視需求可存在的構件或膜層，例如觸控電極等。同時參閱圖2與圖3，在本實施例中，轉接線TL與基板110接觸。相對於此，資料線DL與基板110之間夾設有至少一絕緣層130。如此，轉接線TL在基板110上的高度H _T小於資料線DL在基板110上的高度H _D（在本實施例中H _T為零）。並且，由於轉接線TL與資料線DL在基板110上不共平面，可在維持兩線路的水平間距的前提下，藉由高度差拉長轉接線TL與資料線DL之間的距離，如此，有助於減輕轉接線TL與資料線DL之間的訊號耦合。

為清楚說明資料線DL與轉接線TL在電子裝置100A膜層中更具體的膜層關係，圖4為有意地將圖3中資料線下方的膜層局部放大，以清楚說明資料線與轉接線高度差來源的膜層。請同時參閱圖2至圖4。更具體而言，在本實施例中，資料線DL與基板110之間的至少一絕緣層130包括三種分屬不同製程中所形成的絕緣層的疊層，例如緩衝層I0、閘極絕緣層I1與層間絕緣層I2。

以下說明本實施例之至少一絕緣層130的疊層的製作方式。請同時參照圖2、圖3與圖4，於基板110的主動元件122預定形成區域上形成遮光導體層SM。此外，於基板110上製作主動元件122前可選擇性地形成緩衝層I0。接著，於緩衝層I0上依序形成由半導電層S所構成的主動元件122的主動層、位於主動元件122的主動層與閘極之間的閘極絕緣層I1、由第一導電層C1所構成的主動元件122的閘極以及閘極線GL、位於閘極線GL與資料線DL之間的層間絕緣層I2、由第二導電層C2所構成主動元件122的源極與汲極以及資料線DL與轉接線TL、位於畫素電極124與資料線DL之間的平坦層I3以及由第三導電層C3所構成的畫素電極124。換言之，本發明的轉接線TL的形成步驟可被整合於資料線DL與主動元件122的源極與汲極的形成步驟中，而無須額外增加另外的光罩或製程來形成轉接線TL。此外，由於轉接線TL被整合於資料線DL的形成步驟中，因此轉接線TL的材質包含資料線DL的材質，在本實施例中例如轉接線TL與資料線DL的材質相同，都是由第二導電層所構成。在部分實施例中，轉接線TL的材質除了包含資料線DL的材質以外，亦可更包含其他導電層（於後述實施例中詳細說明）。

在本實施例中，閘極線GL為第一導電層C1，而轉接線TL及資料線DL則由不同於第一導電層C1的第二導電層C2所構成。基於導電性的考量，在本實施例中，第一導電層C1與第二導電層C2是使用金屬材料。具體而言，本實施例之第一導電層C1的材質例如為鉬，而第二導電層C2的材質例如為鈦/鋁/鈦，然而本發明不限於此，第一導電層C1與第二導電層C2也可以使用其他金屬材料或其他金屬材料疊層或其他導電材料。所述金屬例如是鈦（Ti）、鋁（Al）、銀（Ag）、鐵（Fe）、鎳（Ni）、鉬（Mo）、鎢（W）。其他導電材料例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層，本發明不限於此。

此外，本文中有關轉接線TL或資料線DL在基板110上的高度的定義方式例如為轉接線TL或資料線DL的底部到基板110表面的垂直距離。舉例來說，圖4中，轉接線TL的底部與基板110表面直接接觸，故轉接線TL在基板110上的高度H _T為零。另一方面，本實施例之資料線DL的高度H _D實質上相當於緩衝層I0、閘極絕緣層I1與層間絕緣層I2的膜厚的總和。在一些實施例中，上述的緩衝層I0、閘極絕緣層I1、層間絕緣層I2與平坦層I3的材質可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等。

以下進一步說明至少一絕緣層130之第一開口130H的一種製作流程。同前述內容於基板110上形成緩衝層I0、主動元件122的主動層、閘極絕緣層I1、閘極與閘極線GL、層間絕緣層I2等。接著，在形成第二導電層C2的步驟之前，於基板110的資料線DL形成預定區域上先形成緩衝層I0、閘極絕緣層I1以及層間絕緣層I2的疊層。接著，對緩衝層I0、閘極絕緣層I1以及層間絕緣層I2的疊層進行圖案化製程，以於畫素結構120的顯示區域（即畫素電極124的涵蓋區域）中形成暴露出基板110的第一開口130H。在此步驟中，還可包括對層間絕緣層I2進行圖案化的製程，以於層間絕緣層I2形成如圖2所示的第一貫孔VIA1、第二貫孔VIA2以及第三貫孔VIA3。

接著，於基板110上形成第二導電層C2，並對第二導電層C2進行圖案化製程，以直接於基板110上形成配置於顯示區域上的轉接線TL、並同時於前述疊層（緩衝層I0、閘極絕緣層I1及層間絕緣層I2）上形成資料線DL。如此，可使轉接線TL配置於第一開口130H內並直接與基板110接觸。之後，形成覆蓋第一開口130H的平坦層I3。接著，於平坦層I3上形成畫素電極124。

藉由上述製作流程所製成的電子裝置中，轉接線TL在基板110上的高度H _T小於資料線DL在基板110上的高度H _D。此外，在部分實施例中，如圖2所示，在形成第二導電層C2的步驟中，還可更於第一貫孔VIA1內形成貫穿第一貫孔VIA1的第一導通結構，轉接線TL經由第一導通結構連接多條閘極線GL的其中一條。在此步驟中，還可於第二貫孔VIA2內形成貫穿第二貫孔VIA2的第二導通結構，主動元件122的源極經由所述第二導通結構連接所述資料線DL。在此步驟中，還可於第三貫孔VIA3內形成貫穿第三貫孔VIA3的第三導通結構，主動元件122的汲極經由第三導通結構連接畫素電極124。

在此，閘極線GL與轉接線TL用於提供掃描訊號給畫素結構120，而資料線DL用於提供資料訊號給畫素結構120。換言之，轉接線TL與資料線DL雖彼此相鄰，卻是用於傳遞不同類型的訊號。在這樣的線路設置之下，轉接線TL與資料線DL彼此耦合可能造成彼此的訊號傳輸品質受到影響。尤其，當轉接線TL與資料線DL共平面時，訊號耦合的干擾更為嚴重。不過，本發明的電子裝置100A中，藉由使在形成資料線DL與轉接線TL之前事先移除轉接線TL下方的膜層，如此可使由第二導電層C2所構成的轉接線TL與資料線DL配置於基板110的不共平面上，例如本實施例的轉接線TL在基板110上的高度H _T為零，小於資料線DL在基板110上的高度H _D。因此，轉接線TL與資料線DL的高度差有助於減輕轉接線TL與資料線DL彼此之間的干擾，有助於確保轉接線TL與資料線DL的訊號傳遞品質，從而使電子裝置所執行的功能(例如畫面顯示、觸控感測等)可符合預期。

圖5為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖5的電子裝置100B的剖面圖大致相似於圖4的電子裝置100A的剖面圖，各膜層與各線路的相對關係可參照前述實施例，不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖4的實施例之處在於，電子裝置100B中轉接線TL與基板110之間具有緩衝層I0，並非直接接觸。因此，本實施例之轉接線TL在基板110上的高度H _T實質上相當於緩衝層I0的膜厚，而資料線DL在基板110上的高度H _D實質上相當於緩衝層I0、閘極絕緣層I1與層間絕緣層I2的膜厚的總和，轉接線TL在基板110上的高度H _T小於資料線DL在基板110上的膜厚。在本實施例中，轉接線TL與資料線DL的高度差實質上相當於閘極絕緣層I1以及層間絕緣層I2的膜厚的總和。

本實施例的電子裝置100B，有助於減輕轉接線TL與資料線DL彼此之間的干擾，有助於確保轉接線TL與資料線DL的訊號傳遞品質以外，由於轉接線TL通過緩衝層I0配置於基板110上，因此可增加轉接線TL與基板110之間的附著力，提升電子裝置100的信賴性（Reliability）。

圖6為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖6的電子裝置100C的剖面圖大致相似於圖4的電子裝置100A的剖面圖，各膜層與各線路的相對關係可參照前述實施例，不在此重述。具體而言，本實施例不同於圖4的實施例之處在於，電子裝置100C中，轉接線TL由不同膜層的遮光導電層SM與第二導電層C2直接堆疊並聯而成。具體而言，在本實施例中，轉接線TL可由轉接底層TL1與轉接頂層TL2的上下兩層直接堆疊並聯而成。轉接底層TL1例如是在形成主動元件122前，預先形成於基板110上的遮光導體層SM。接著，以前述電子裝置100A相同的製作流程，於遮光半導體SM上形成主動元件122的各膜層。並且，於畫素結構120的上述顯示區域中，對緩衝層I0、閘極絕緣層I1與層間絕緣層I2的疊層進行圖案化，形成第一開口130H，以於第一開口130H中暴露出轉接底層TL1。之後，於基板110上形成第二導電層C2，並對第二導電層C2進行圖案化製程，以於轉接底層TL1上形成轉接頂層TL2，轉接頂層TL2與轉接底層TL1直接堆疊。在此步驟中，同時形成配置於緩衝層I0、閘極絕緣層I1以及層間絕緣層I2的疊層上的資料線DL。如此，本實施例之轉接線TL的材質包括由遮光導體層SM所構成的轉接底層TL1以及由第二導電層C2所構成的轉接頂層TL2。

本實施例的電子裝置100C，有助於減輕轉接線TL與資料線DL彼此之間的干擾，有助於確保轉接線TL與資料線DL的訊號傳遞品質以外，由於轉接線TL由不同導電層直接堆疊並聯而成，因此更能夠降低轉接線TL的阻抗，能夠進一步提升轉接線TL的訊號傳遞品質。此外，由於轉接線TL整體的厚度增加，藉此能夠減輕轉接線TL與資料線DL之間的地形（topography）差異，並且可減少轉接線TL因地形斷差而產生斷線的可能性，提升製程良率。

圖7為依照本發明的一種電子裝置的局部上視示意圖。圖7的電子裝置100D大致相似於圖1的電子裝置100，各膜層與各線路的相對關係可參照前述內容。電子裝置100D包括基板110、閘極線GL1至GL3、資料線DL1至DL4、轉接線TL以及多個畫素結構120R、120G、120B。沿著第二方向D2排成一行的畫素結構，例如畫素結構120B夾於兩條資料線DL1、DL2之間。轉接線TL設置於資料線DL1與其所連接的畫素電極124之間。閘極線GL1至GL3、資料線DL1至DL4、轉接線TL、畫素結構120的相對關係、以及轉接線TL在基板110上的高度H _T小於資料線DL在基板110上的高度H _D的膜層關係可參照前述實施例，而不在此重述。本實施例不同於圖1的實施例之處在於，電子裝置100D第一列與第二列的畫素結構120的主動元件122的設計型態不同，並且位於同一行的畫素結構120主動元件122分別與不同側的資料線電性連接。具體而言，以最左側畫素結構120R為例，第一列的畫素結構120R藉由向右側延伸的主動元件122而與右側的資料線DL3電性連接。第二列的畫素結構120R則藉由向左側延伸的主動元件122而與左側的資料線DL4電性連接，且同一行畫素結構中，第一列與第二列畫素結構的主動元件122彼此呈左右鏡向的型態。

本實施例的電子裝置100，除有助於減輕轉接線TL與資料線DL彼此之間的干擾，有助於確保轉接線TL與資料線DL的訊號傳遞品質以外，電阻電容負載（RC loading）能被減少。

綜上所述，本發明實施例的電子裝置中，轉接線在基板上的高度小於資料線在基板上的高度，藉此可使得傳遞不同訊號的相鄰轉接線與資料線別設置基板的不共平面上，以降低線路之間的耦合造成的不良影響。此外，在部分實施例中，轉接線可由不同導電層堆疊並聯而成，藉此可進一步降低轉接線的阻抗、或可降低轉接線受地形影響而斷線的可能性。因此，本揭露實施例的電子裝置可具有較佳的品質。

100、100A、100B、100C、100D:電子裝置 110:基板 120、120R、120G、120B:畫素結構 124:畫素電極 122:主動元件 124:畫素電極 130:絕緣層 130H:第一開口 C1:第一導電層 C2:第二導電層 DL:資料線 D1:第一方向 D2:第二方向 DIS1:第一距離 DIS2:第二距離 GL:閘極線 H _T、H _D:高度 I0:緩衝層 I1:閘極絕緣層 I2:層間絕緣層 I3:平坦層 S:半導電層 SM:遮光導體層 TL:轉接線 TL1:轉接底層 TL2:轉接頂層 VIA1:第一貫孔 VIA2:第二貫孔 VIA3:第三貫孔

圖1為依照本發明的一種電子裝置的局部上視示意圖。圖2為圖1的電子裝置中虛框處放大的一種實施方式的示意圖。圖3為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的一種實施方式的示意圖。圖4為圖3中資料線下方膜層的局部放大圖。圖5為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖6為圖2的電子裝置中沿剖線A-A及沿剖線B-B的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖7為依照本發明的一種電子裝置的局部上視示意圖。

100A:電子裝置

110:基板

124:畫素電極

130:絕緣層

C1:第一導電層

C2:第二導電層

C3:第三導電層

DL:資料線

DIS1:第一距離

DIS2:第二距離

GL:閘極線

I0:緩衝層

I1:閘極絕緣層

I2:層間絕緣層

I3:平坦層

S:半導電層

SM:遮光導體層

TL:轉接線

H_T、H_D:高度

VIA3:第三貫孔

Claims

一種電子裝置，包括：基板；多條閘極線，配置於所述基板上，並沿第一方向延伸；資料線，配置於所述基板上，並沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；轉接線，配置於所述基板上，所述轉接線平行於所述資料線並彼此相鄰，所述轉接線連接所述多條閘極線的其中一條，所述轉接線的至少一部分與所述資料線形成於同一第二導電層，且在電子裝置的俯視圖中，所述資料線與所述轉接線錯開；多個畫素結構，配置於所述基板上，所述多個畫素結構的其中一者被所述多條閘極線的相鄰兩條以及所述轉接線圍繞且包括畫素電極及主動元件，其中所述轉接線在所述基板上的高度小於所述資料線在所述基板上的高度；以及至少一絕緣層，其中所述至少一絕緣層包括第一開口，所述第一開口在所述基板的垂直投影範圍涵蓋所述畫素電極在所述基板的垂直投影範圍，所述轉接線配置於所述第一開口內，所述資料線配置於所述至少一絕緣層上。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層由不同材質的絕緣材料彼此堆疊而成。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述轉接線的材質與所述資料線的材質相同。
如請求項1所述的電子裝置，其中在所述畫素結構中，所述轉接線與所述基板接觸，所述轉接線與所述資料線在所述基板上的高度差為所述至少一絕緣層的膜厚。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括緩衝層、閘極絕緣層以及層間絕緣層，所述緩衝層與所述基板接觸，所述閘極絕緣層的所在膜層位於所述主動元件的主動層的膜層與閘極的膜層之間，所述層間絕緣層的所在膜層位於所述閘極線的膜層與所述資料線的膜層之間，所述轉接線與所述資料線的高度差為所述緩衝層、所述閘極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。
如請求項1所述的電子裝置，其中在所述畫素結構中，所述轉接線與所述基板之間包括緩衝層，所述資料線與所述基板之間包括所述緩衝層以及所述至少一絕緣層。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括閘極絕緣層以及層間絕緣層，所述閘極絕緣層的所在膜層位於所述主動元件的主動層的膜層與閘極的膜層之間，所述層間絕緣層的所在膜層位於所述閘極線的膜層與所述資料線的膜層之間，所述轉接線與所述資料線的高度差為所述閘極絕緣層以及層間絕緣層的膜厚的總和。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述主動元件與所述基板之間更包括遮光導體層，所述資料線由第二導電層所構成，所述轉接線由所述遮光導體層與所述第二導電層直接堆疊而成。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一絕緣層包括位於所述閘極線與所述資料線之間的層間絕緣層，所述層間絕緣層更包括第一貫孔以及貫穿所述第一貫孔的第一導通結構，所述轉接線經由所述第一導通結構連接所述多條閘極線的其中一條。
如請求項9所述的電子裝置，其中所述層間絕緣層更包括第二貫孔以及貫穿所述第二貫孔的第二導通結構，所述主動元件的源極經由所述第二導通結構連接所述資料線。
如請求項10所述的電子裝置，其中所述層間絕緣層更包括第三貫孔以及貫穿所述第三貫孔的第三導通結構，所述主動元件的汲極經由所述第三導通結構連接所述畫素電極。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述轉接線與所述資料線具有相互平行的曲折圖案。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述畫素電極於垂直所述基板方向上重疊所述轉接線。
如請求項1所述的電子裝置，其中在電子裝置的俯視圖中，所述畫素電極的邊緣位於所述轉接線與所述資料線之間，所述畫素電極的所述邊緣與所述轉接線在基板投影上相距第一距離，所述畫素電極的邊緣與所述資料線在基板投影上相距第二距離，所述第一距離為至少2微米，所述第二距離為至少3微米。