TWI681278B - 溫度控制電路、記憶體儲存裝置及溫度控制方法 - Google Patents

Abstract

本發明的範例實施例提供一種溫度控制電路，其用於電子裝置。所述溫度控制電路包括溫度偵測器、狀態偵測電路及控制電路。所述溫度偵測器用以偵測所述電子裝置的溫度並產生第一評估資訊。所述狀態偵測電路用以偵測所述電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊。所述控制電路用以根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述電子裝置的至少一電氣參數，以控制所述電子裝置的所述溫度。

Description

溫度控制電路、記憶體儲存裝置及溫度控制方法

本發明是有關於一種電子裝置的溫度控制技術，且特別是有關於一種溫度控制電路、記憶體儲存裝置及溫度控制方法。

數位相機、行動電話與MP3播放器在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由於可複寫式非揮發性記憶體模組(rewritable non-volatile memory module)(例如，快閃記憶體)具有資料非揮發性、省電、體積小，以及無機械結構等特性，所以非常適合內建於上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。

當記憶體儲存裝置或其他類型的電子裝置的溫度過高時，可能會造成內部電路或所儲存的資料損毀。因此，一般可藉由溫度偵測器來偵測裝置的溫度，並搭配除頻電路降低系統頻率，以嘗試降低裝置的溫度。然而，在實務上，單純根據溫度來調整系統頻率往往導致系統頻率被過度降低，大幅影響裝置效能。

本發明提供一種溫度控制電路、記憶體儲存裝置及溫度控制方法，可改善上述問題。

本發明的範例實施例提供一種溫度控制電路，其用於電子裝置。所述溫度控制電路包括溫度偵測器、狀態偵測電路及控制電路。所述溫度偵測器用以偵測所述電子裝置的溫度並產生第一評估資訊。所述狀態偵測電路用以偵測所述電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊。所述控制電路耦接至所述溫度偵測器與所述狀態偵測電路並用以根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述電子裝置的至少一電氣參數，以控制所述電子裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電路模組包括第一電路模組與第二電路模組，且所述狀態偵測電路偵測所述電子裝置中的所述至少一電路模組的所述工作狀態並產生所述第二評估資訊之操作包括：偵測所述第一電路模組的第一工作狀態；偵測所述第二電路模組的第二工作狀態；以及根據所述第一工作狀態、所述第二工作狀態、所述第一電路模組的第一權重資訊及所述第二電路模組的第二權重資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述狀態偵測電路包括第一閘電路、第二閘電路及邏輯電路。所述第一閘電路用以根據第一狀態訊號與第一權重訊號產生第一輸出訊號，其中所述第一狀態訊號反映所述第一工作狀態，且所述第一權重訊號反映所述第一權重資訊。第二閘電路用以根據第二狀態訊號與第二權重訊號產生第二輸出訊號，其中所述第二狀態訊號反映所述第二工作狀態，且所述第二權重訊號反映所述第二權重資訊。所述邏輯電路耦接至所述第一閘電路與所述第二閘電路且用以根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述邏輯電路包括累加器與正規化電路。所述累加器耦接至所述第一閘電路與所述第二閘電路且用以根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生累加資訊。所述正規化電路耦接至所述累加器且用以根據所述累加資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述的溫度控制電路更包括電流計，其耦接至所述控制電路並用以偵測所述電子裝置的電流並產生第三評估資訊。所述控制電路更根據所述第三評估資訊調整所述電子裝置的所述至少一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述控制電路包括比較器與調整電路。所述比較器用以根據所述第二評估資訊與至少一臨界資訊產生調整資訊。所述調整電路耦接至所述比較器並用以根據所述調整資訊將所述電子裝置的所述至少一電氣參數從第一電氣參數調整為第二電氣參數，以降低所述電子裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，所述控制電路更包括恢復電路，其耦接至所述調整電路並用以在所述第一評估資訊與所述第二評估資訊的至少其中之一符合預設條件時，將所述至少一電氣參數從所述第二電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述恢復電路包括計數器與恢復控制器。所述計數器用以計數所述電子裝置的所述溫度在預設溫度的維持時間。所述恢復控制器耦接至所述計數器並用以根據所述維持時間將所述至少一電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述的溫度控制電路更包括補償電路，其耦接至所述控制電路並用以根據所述電子裝置的所述溫度產生至少一補償參數，以對與所述至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電氣參數包括所述電子裝置的系統電壓、所述電子裝置的系統頻率、所述至少一電路模組的輸入電壓、所述至少一電路模組的輸出電壓及所述至少一電路模組的權重資訊的至少其中之一。

本發明的範例實施例另提供一種記憶體儲存裝置，其包括連接介面單元、可複寫式非揮發性記憶體模組、記憶體控制電路單元及溫度控制電路。所述連接介面單元用以耦接至主機系統。所述溫度控制電路耦接至所述連接介面單元、所述可複寫式非揮發性記憶體模組及所述記憶體控制電路單元。所述溫度控制電路用以偵測所述記憶體儲存裝置的溫度並產生第一評估資訊。所述溫度控制電路更用以偵測所述記憶體儲存裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊。所述溫度控制電路更用以根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電路模組包括第一電路模組與第二電路模組，且所述溫度控制電路偵測所述記憶體儲存裝置中的所述至少一電路模組的所述工作狀態並產生所述第二評估資訊之操作包括：偵測所述第一電路模組的第一工作狀態；偵測所述第二電路模組的第二工作狀態；以及根據所述第一工作狀態、所述第二工作狀態、所述第一電路模組的第一權重資訊及所述第二電路模組的第二權重資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路根據所述第一工作狀態、所述第二工作狀態、所述第一電路模組的所述第一權重資訊及所述第二電路模組的所述第二權重資訊產生所述第二評估資訊的操作包括：根據第一狀態訊號與第一權重訊號產生第一輸出訊號，其中所述第一狀態訊號反映所述第一工作狀態，且所述第一權重訊號反映所述第一權重資訊；根據第二狀態訊號與第二權重訊號產生第二輸出訊號，其中所述第二狀態訊號反映所述第二工作狀態，且所述第二權重訊號反映所述第二權重資訊；以及根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生所述第二評估資訊的操作包括：根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生累加資訊；以及根據所述累加資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路更用以偵測所述記憶體儲存裝置的電流並產生第三評估資訊。所述溫度控制電路更用以根據所述第三評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度的操作包括：根據所述第二評估資訊與至少一臨界資訊產生調整資訊；以及根據所述調整資訊將所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數從第一電氣參數調整為第二電氣參數，以降低所述記憶體儲存裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度之操作更包括：在所述第一評估資訊與所述第二評估資訊的至少其中之一符合預設條件時，將所述至少一電氣參數從所述第二電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路在所述第一評估資訊與所述第二評估資訊的所述至少其中之一符合所述預設條件時，將所述至少一電氣參數從所述第二電氣參數恢復為所述第一電氣參數的操作包括：計數所述記憶體儲存裝置的所述溫度在預設溫度的維持時間；以及根據所述維持時間將所述至少一電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述溫度控制電路更用以根據所述記憶體儲存裝置的所述溫度產生至少一補償參數，以對與所述至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。

本發明的範例實施例另提供一種溫度控制方法，其用於記憶體儲存裝置。所述溫度控制方法包括：偵測所述記憶體儲存裝置的溫度並產生第一評估資訊；偵測所述記憶體儲存裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊；以及根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電路模組包括第一電路模組與第二電路模組，且偵測所述記憶體儲存裝置中的所述至少一電路模組的所述工作狀態並產生所述第二評估資訊之步驟包括：偵測所述第一電路模組的第一工作狀態；偵測所述第二電路模組的第二工作狀態；以及根據所述第一工作狀態、所述第二工作狀態、所述第一電路模組的第一權重資訊及所述第二電路模組的第二權重資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，根據所述第一工作狀態、所述第二工作狀態、所述第一電路模組的所述第一權重資訊及所述第二電路模組的所述第二權重資訊產生所述第二評估資訊的步驟包括：根據第一狀態訊號與第一權重訊號產生第一輸出訊號，其中所述第一狀態訊號反映所述第一工作狀態，且所述第一權重訊號反映所述第一權重資訊；根據第二狀態訊號與第二權重訊號產生第二輸出訊號，其中所述第二狀態訊號反映所述第二工作狀態，且所述第二權重訊號反映所述第二權重資訊；以及根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生所述第二評估資訊的步驟包括：根據所述第一輸出訊號與所述第二輸出訊號產生累加資訊；以及根據所述累加資訊產生所述第二評估資訊。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電路模組的所述工作狀態對應所述至少一電路模組的忙碌狀態。

在本發明的一範例實施例中，所述的溫度控制方法更包括：偵測所述記憶體儲存裝置的電流並產生第三評估資訊；以及根據所述第三評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度之步驟包括：根據所述第二評估資訊與至少一臨界資訊產生調整資訊；以及根據所述調整資訊將所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數從第一電氣參數調整為第二電氣參數，以降低所述記憶體儲存裝置的所述溫度。

在本發明的一範例實施例中，根據所述第一評估資訊與所述第二評估資訊調整所述記憶體儲存裝置的所述至少一電氣參數，以控制所述記憶體儲存裝置的所述溫度之步驟更包括：在所述第一評估資訊與所述第二評估資訊的至少其中之一符合預設條件時，將所述至少一電氣參數從所述第二電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，在所述第一評估資訊與所述第二評估資訊的所述至少其中之一符合所述預設條件時，將所述至少一電氣參數從所述第二電氣參數恢復為所述第一電氣參數的步驟包括：計數所述記憶體儲存裝置的所述溫度在預設溫度的維持時間；以及根據所述維持時間將所述至少一電氣參數恢復為所述第一電氣參數。

在本發明的一範例實施例中，所述的溫度控制方法更包括：根據所述記憶體儲存裝置的所述溫度產生至少一補償參數，以對與所述至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。

在本發明的一範例實施例中，所述至少一電氣參數包括所述電子裝置的系統電壓、所述電子裝置的系統頻率、所述至少一電路模組的輸入電壓、所述至少一電路模組的輸出電壓及所述至少一電路模組的權重資訊的至少其中之一。

基於上述，在測得電子裝置的溫度與電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態後，控制電路可根據相應的評估資訊來調整電子裝置的至少一電氣參數，以控制電子裝置的溫度。藉由偵測電路模組的工作狀態來輔助溫度進行電氣參數的調整，可更精準地在溫度控制與維持系統效能之間取得平衡。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下提出多個實施例來說明本發明，然而本發明不僅限於所例示的多個實施例。又實施例之間也允許有適當的結合。在本案說明書全文(包括申請專利範圍)中所使用的「耦接」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接於第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置，或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。此外，「訊號」一詞可指至少一電流、電壓、電荷、溫度、資料、或任何其他一或多個訊號。

圖1是根據本發明的一範例實施例所繪示的溫度控制電路的示意圖。請參照圖1，溫度控制電路10可設置於任意類型的電子裝置中，以控制(或調節)所述電子裝置的溫度。在一範例實施例中，所述電子裝置可以是用以儲存資料的記憶體儲存裝置。或者，在另一範例實施例中，所述電子裝置也可以是其他類型的電子裝置，本發明不加以限制。

在一範例實施例中，溫度控制電路10包括溫度偵測器11、狀態偵測電路12、控制電路13、電壓調整電路14及震盪器15。溫度偵測器11用以偵測電子裝置的溫度並產生相應的評估資訊(亦稱為第一評估資訊)ES(1)。例如，溫度偵測器11可包括熱電偶、熱敏電阻器或其他類型的溫度感測元件。溫度偵測器11可根據所測得的溫度產生評估資訊ES(1)。換言之，評估資訊ES(1)可反映所測得的電子裝置之溫度。

狀態偵測電路12可用以偵測電子裝置中的電路模組101的工作狀態並產生相應的評估資訊(亦稱為第二評估資訊)ES(2)。評估資訊ES(2)可反映電路模組101的工作狀態。須注意的是，電路模組101的數目可以是一或多個，本發明不加以限制。此外，一個電路模組101可以是一個晶片模組、一個控制器模組、一個驅動電路模組或一個快閃記憶體模組，且本發明不限制電路模組101的類型、電路組成及功能。在一範例實施例中，電子裝置中的所有會產生功耗的電子電路都是屬於特定的電路模組101。

在一範例實施例中，電路模組101的工作狀態對應電路模組101的忙碌狀態。例如，根據所測得的電路模組101的工作狀態，狀態偵測電路12可獲得當前電路模組101的忙碌狀態。此忙碌狀態可反映電路模組101當前是處於忙碌或閒置狀態。狀態偵測電路12可根據電路模組101的工作狀態產生評估資訊ES(2)。

在一範例實施例中，評估資訊ES(1)與ES(2)是以電流或其他的訊號形式來進行傳遞。例如，在一範例實施例中，溫度偵測器11可將所測得的溫度轉換為輸出電流(亦稱為第一電流)且狀態偵測電路12可將所測得的工作狀態轉換為輸出電流(亦稱為第二電流)。第一電流的電流值可正相關於所測得的電子裝置的溫度。第二電流的電流值可正相關於所測得的電路模組101的忙碌程度。

控制電路13耦接至溫度偵測器11與狀態偵測電路12。控制電路13可從溫度偵測器11與狀態偵測電路12分別接收評估資訊ES(1)與ES(2)。控制電路13可根據評估資訊ES(1)與ES(2)調整電子裝置的至少一電氣參數，以控制電子裝置的溫度。控制電路13可包括一或多個控制器或其他類型的控制元件。

電壓調整電路14耦接至控制電路13並且用以輸出電壓(亦稱為系統電壓)。震盪器15耦接至控制電路13並且用以輸出時脈訊號(亦稱為系統時脈訊號或參考時脈訊號)。電壓調整電路14所輸出的電壓與震盪器15所輸出的時脈訊號可供電子裝置中的各式電子電路及/或電子元件使用。根據評估資訊ES(1)與ES(2)，控制電路13可發送調整訊號ADV(1)至電壓調整電路14及/或發送調整訊號ADV(2)至震盪器15。電壓調整電路14可根據調整訊號ADV(1)動態調整(例如提高或降低)所輸出之電壓的電壓值。震盪器15可根據調整訊號ADV(2)動態調整(例如提高或降低)所輸出之時脈訊號的頻率(亦稱為系統頻率)。

在一範例實施例中，所述電氣參數包括系統電壓及/或系統頻率。控制電路13可藉由調整訊號ADV(1)與ADV(2)的至少其中之一來降低電壓調整電路14所輸出的電壓之電壓值(即系統電壓)及/或降低震盪器15所輸出的時脈訊號之頻率(即系統頻率)，以降低電子裝置的溫度。在一範例實施例中，系統電壓及/或系統頻率的降低可能會導致電子裝置的系統效能下降。因此，若不需要持續降溫，則控制電路13可藉由調整訊號ADV(1)與ADV(2)的至少其中之一來提高電壓調整電路14所輸出的電壓之電壓值及/或提高震盪器15所輸出的時脈訊號之頻率，以恢復電子裝置的系統效能。須注意的是，在一範例實施例中，所述電氣參數還可以包括可用於調節電子裝置之溫度的其他類型之參數，例如特定電子電路的工作模式等等，本發明不加以限制。

在一範例實施例中，假設電路模組101包括至少兩個電路模組。此些電路模組可以彼此電性獨立或電性連接。狀態偵測電路12可偵測電路模組101中的某一電路模組(亦稱為第一電路模組)的工作狀態(亦稱為第一工作狀態)。狀態偵測電路12可偵測電路模組101中的另一電路模組(亦稱為第二電路模組)的工作狀態(亦稱為第二工作狀態)。狀態偵測電路12可根據第一工作狀態、第二工作狀態、第一電路模組的權重資訊(亦稱為第一權重資訊)及第二電路模組的權重資訊(亦稱為第二權重資訊)產生評估資訊ES(2)。須注意的是，第一權重資訊可相同或不同於第二權重資訊。例如，第一權重資訊可包括一個權重值(亦稱為第一權重值)，且第二權重資訊可包括另一個權重值(亦稱為第二權重值)。第一權重值可相同或不同於第二權重值。

圖2是根據本發明的一範例實施例所繪示的狀態偵測電路的示意圖。請參照圖2，在一範例實施例中，狀態偵測電路12包括閘電路210(1)~210(n)與邏輯電路220。閘電路210(1)~210(n)可分別耦接至電路模組201(1)~201(n)以偵測電路模組201(1)~201(n)的工作狀態。例如，閘電路210(1)~210(n)可分別從電路模組201(1)~201(n)偵測狀態訊號BS(1)~BS(n)。狀態訊號BS(1)~BS(n)分別反映電路模組201(1)~201(n)的工作狀態(或忙碌狀態)。以狀態訊號BS(1)為例，狀態訊號BS(1)之邏輯高可表示電路模組201(1)當前處於忙碌狀態，而狀態訊號BS(1)之邏輯低可表示電路模組201(1)當前非處於忙碌狀態。

閘電路210(1)~210(n)亦可分別接收權重訊號W(1)~W(n)。權重訊號W(1)~W(n)分別對應至電路模組201(1)~201(n)。例如，權重訊號W(1)~W(n)可分別反映對應於電路模組201(1)~201(n)的權重資訊。

閘電路210(1)~210(n)可根據狀態訊號BS(1)~BS(n)與權重訊號W(1)~W(n)產生輸出訊號WS(1)~WS(n)。例如，閘電路210(1)可根據狀態訊號BS(1)與權重訊號W(1)產生輸出訊號WS(1)。狀態訊號BS(1)反映電路模組201(1)的工作狀態。權重訊號W(1)反映對應於電路模組201(1)的權重資訊。例如，閘電路210(1)可根據狀態訊號BS(2)與權重訊號W(2)產生輸出訊號WS(2)。狀態訊號BS(2)反映電路模組201(2)的工作狀態。權重訊號W(2)反映對應於電路模組201(2)的權重資訊。

在一範例實施例中，對應於某一個電路模組的權重資訊與此電路模組的屬性、面積及/或功耗有關。以電路模組201(1)為例，權重訊號W(1)可正相關於電路模組201(1)的面積及/或功耗。亦即，若電路模組201(1)的面積及/或功耗越高，則權重訊號W(1)所反映的權重資訊(例如權重值)越大。或者，以電路模組201(1)與201(2)為例，若電路模組201(1)的面積大於電路模組201(2)的面積及/或電路模組201(1)的功耗大於電路模組201(2)的功耗，則權重訊號W(1)所反映的權重資訊(例如權重值)可大於權重訊號W(2)所反映的權重資訊(例如權重值)。

邏輯電路220耦接至閘電路210(1)~210(n)。邏輯電路220可根據輸出訊號WS(1)~WS(n)產生評估資訊ES(2)。例如，邏輯電路220可對輸出訊號WS(1)~WS(n)進行累加以產生評估資訊ES(2)。此外，邏輯電路220可對訊號WS(1)~WS(n)的累加結果執行正規化以產生評估資訊ES(2)。

在一範例實施例中，邏輯電路220包括累加器221與正規化電路222。累加器221的輸出耦接至正規化電路222的輸入。累加器221可接收輸出訊號WS(1)~WS(n)並對輸出訊號WS(1)~WS(n)進行累加以產生累加資訊。此累加資訊可反映訊號WS(1)~WS(n)所各別對應之邏輯值的總和。正規化電路222可接收此累加資訊並對此累加資訊執行正規化操作以產生評估資訊ES(2)。

在一範例實施例中，假設狀態訊號BS(1)與BS(2)皆為邏輯高(對應於邏輯值“1”)，其餘狀態訊號皆為邏輯低(對應於邏輯值“0”)，且權重訊號WS(1)與WS(2)分別對應於權重值“10”與“5”。閘電路210(1)可將狀態訊號BS(1)所對應的邏輯值“1”乘上權重訊號WS(1)所對應的權重值“10”以產生對應於邏輯值“10”的輸出訊號WS(1)(即1×10=10)。閘電路210(2)可將狀態訊號BS(2)所對應的邏輯值“1”乘上權重訊號WS(2)所對應的權重值“5”以產生對應於邏輯值“5”的輸出訊號WS(2)(即1×5=5)。累加器221可獲得邏輯值“10”與“5”的總和為邏輯值“15”(即10+5=15)(即累加資訊)。然後，正規化電路222可將邏輯值“15”加上一個調整值而產生評估資訊ES(2)。例如，假設調整值為邏輯值“200”，則評估資訊ES(2)可對應於邏輯值“215”(即15+200=215)。藉此，正規化電路222可輸出215毫安培(mA)的電流(即第二電流)。

須注意的是，在另一範例實施例中，上述調整值也可以是其他數值，視實務需求而定。此外，上述正規化操作僅為範例，本發明並不限制正規化電路222執行的正規化操作的實施細節。例如，在另一範例實施例中，正規化電路222亦可以藉由其他邏輯操作(例如將累加資訊乘一個調整值)來產生評估資訊ES(2)。

在一範例實施例中，圖1的溫度控制電路10還包括電流計16。電流計16耦接至電路模組101與控制電路13。電流計16可用以偵測電子裝置(例如電路模組101)的電流並產生評估資訊(亦稱為第三評估資訊)ES(3)。換言之，評估資訊ES(3)可反映流經電路模組101的至少一偵測腳位的電流，且評估資訊ES(3)可正相關此電流之電流值。此外，評估資訊ES(3)亦可以電流(亦稱為第三電流)的形式輸出。

在一範例實施例中，控制電路13可根據評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一來產生調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)。例如，控制電路13可分析評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一並根據分析結果來產生調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)。在一範例實施例中，評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一所對應的邏輯值(例如電流值)可正相關於所述電氣參數的調整量(或調整幅度)。例如，假設控制電路13是根據評估資訊ES(1)來產生調整訊號ADV(1)，則若評估資訊ES(1)的邏輯值越大，電壓調整電路14之輸出電壓的電壓下降量可越大。或者，假設控制電路13是根據評估資訊ES(1)與ES(2)來產生調整訊號ADV(2)，則若評估資訊ES(1)及/或ES(2)的邏輯值越大，震盪器15之輸出時脈的頻率之下降量可越大。

圖3是根據本發明的一範例實施例所繪示的控制電路的示意圖。請參照圖3，在一範例實施例中，控制電路13包括比較器310與調整電路320。比較器310的輸出耦接至調整電路320的輸入。比較器310可接收評估資訊ES(i)與臨界資訊THR。評估資訊ES(i)可為評估資訊ES(1)~ES(3)的其中之一。比較器310可根據評估資訊ES(i)與臨界資訊THR產生調整資訊ADI。例如，比較器310可比較評估資訊ES(i)與臨界資訊THR並根據比較結果產生調整資訊ADI。調整電路320可根據調整資訊ADI產生調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)。根據調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)，電子裝置的至少一電氣參數可從某一電氣參數(亦稱為第一電氣參數)調整為另一電氣參數(亦稱為第二電氣參數)，以降低電子裝置的溫度。例如，假設當前系統電壓為0.9伏特(V)，則調整電路320可產生調整訊號ADV(1)以將系統電壓降低至0.7伏特。此外，在調整電子裝置之溫度的期間，評估資訊ES(i)可在評估資訊ES(1)~ES(3)之間切換。

在一範例實施例中，調整電路320包括更新濾波器321與調度器322。更新濾波器321的輸出耦接至調度器322的輸入。更新濾波器321用以過濾評估資訊ES(i)中的雜訊及/或突波。調度器322用以根據更新濾波器321的輸出產生調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)。例如，根據所設定的調度規則，調度器322可產生調整訊號ADV(1)與ADV(2)的至少其中之一。例如，所述調度規則可根據評估資訊ES(i)來決定。例如，調度器322可根據當前電子裝置的溫度(或評估資訊ES(1))來決定所使用的調度規則。此外，在不同的溫度範圍，所設定的調度規則可以不同。

圖4是根據本發明的一範例實施例所繪示的控制電路的示意圖。請參照圖4，在一範例實施例中，控制電路13包括比較器310、調整電路320及恢復電路330。恢復電路330耦接至比較器310與調整電路320。恢復電路330可判斷評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一是否符合預設條件。若評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一符合預設條件，恢復電路330可將經調整的電氣參數從第二電氣參數恢復為第一電氣參數。藉此，在將電子裝置的部分電氣參數調整為第二電氣參數以降溫之後，恢復電路330可用於恢復(例如提高)至少部分的系統效能。

在一範例實施例中，恢復電路330包括控制器(亦稱為恢復控制器)331、監視器(亦稱為恢復監視器)332及計數器(亦稱為恢復計數器)333。恢復監視器332可接收評估資訊ES(i)並持續分析評估資訊ES(i)。若評估資訊ES(i)符合一觸發條件，恢復監視器332可啟動恢復計數器333以開始計數。若恢復計數器333的計數值符合一預設值，恢復控制器331可指示調整電路320產生相應的調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)以將經調整的電氣參數從第二電氣參數恢復為第一電氣參數。

在一範例實施例中，在將某些電氣參數調整為第二電氣參數以降低電子裝置的溫度後，恢復監視器332可持續根據評估資訊ES(1)判斷電子裝置的溫度是否達到一預設溫度(或一預設溫度範圍)。若電子裝置的溫度達到此預設溫度，恢復監視器332可啟動恢復計數器333以計數電子裝置的溫度在此預設溫度的維持時間。恢復控制器331可根據此維持時間將經調整的電氣參數從第二電氣參數恢復為第一電氣參數。例如，在電子裝置的溫度在某一預設溫度(或預設溫度範圍)的維持時間達到預設時間後，恢復控制器331可指示調整電路320更新調整訊號ADV(1)與ADV(2)的至少其中之一，以提高系統電壓及/或系統頻率。或者，若電子裝置的溫度在此預設溫度的維持時間尚未達到預設時間，則恢復控制器331可指示調整電路320維持(或不更新)調整訊號ADV(1)及/或ADV(2)。此外，在啟動恢復計數器333後，若電子裝置的溫度脫離此預設溫度，則恢復監視器332可重置恢復計數器333。

換言之，在電子裝置的溫度已下降且達到穩定後，控制電路13可藉由恢復電路330小幅度地提高系統電壓及/或系統頻率。藉此，在電子裝置的溫度下降過程中，電子裝置的系統效能可逐漸恢復。此外，若電子裝置的溫度再次上升至超出允許範圍，則控制電路13可根據評估資訊ES(i)再次降低系統電壓及/或系統頻率，以調低電子裝置的溫度。

在一範例實施例中，圖1的溫度控制電路10更包括補償電路17。補償電路17可根據電子裝置的溫度產生至少一補償參數，以對與所述電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。例如，補償電路17可耦接至控制電路13、電壓調變電路14及震盪器15。補償電路17可根據評估資訊ES(1)獲得電子裝置的溫度。補償電路17可根據此溫度產生補償參數CP(1)及/或CP(2)。補償參數CP(1)可被提供至電壓調整電路14，且補償參數CP(2)可被提供至震盪器15。藉此，在不同的溫度狀態下，電壓調整電路14與震盪器15可分別根據補償參數CP(1)與CP(2)對輸出訊號進行補償(或調校)。須注意的是，補償電路17還可以對其他類型的類比電路進行補償，而不限於圖1的電壓調變電路14與震盪器15。

圖5是根據本發明的一範例實施例所繪示的補償電路的示意圖。請參照圖5，補償電路17可包括多工器501~503。多工器501~503皆可用以接收補償參數TP(1)~TP(3)。補償參數TP(1)~TP(3)對電路的補償能力各不相同。多工器501~503的輸出端分別耦接至電壓調整電路510、震盪器520及輸入/輸出(I/O)驅動器530。在不同的溫度狀態下，補償電路17可經由選擇訊號SEL(1)~SEL(3)選擇性地將補償參數TP(1)~TP(3)的其中之一提供至電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530。

在一範例實施例中，補償參數TP(1)~TP(3)分別對應於第一溫度範圍至第三溫度範圍。第一溫度範圍的溫度高於第二溫度範圍的溫度，且第二溫度範圍的溫度高於第三溫度範圍的溫度。若補償電路17判定當前電子裝置的溫度屬於第一溫度範圍，則補償電路17可經由選擇訊號SEL(1)~SEL(3)選擇性地將補償參數TP(1)提供至電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530，以對電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530的輸出進行補償。若補償電路17判定當前電子裝置的溫度屬於第二溫度範圍，則補償電路17可經由選擇訊號SEL(1)~SEL(3)選擇性地將補償參數TP(2)提供至電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530，以對電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530的輸出進行補償。或者，若補償電路17判定當前電子裝置的溫度屬於第三溫度範圍，則補償電路17可經由選擇訊號SEL(1)~SEL(3)選擇性地將補償參數TP(3)提供至電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530，以對電壓調整電路510、震盪器520及/或I/O驅動器530的輸出進行補償。

在一範例實施例中，所述電路模組(例如圖1的電路模組101或圖2的電路模組201(1)~201(n))亦可包含上述根據電氣參數進行補償的類比電路。例如，在圖1的一範例實施例中，電壓調整電路14及/或震盪器15亦可包含於電路模組101中。

在一範例實施例中，所述電氣參數還可包括某一個電路模組(例如圖2的電路模組201(1))的輸入電壓、某一個電路模組的輸出電壓及/或對應於某一個電路模組的權重資訊(例如圖2的電路模組201(1)所對應的權重訊號W(1))。根據不同的溫度狀態及/或不同的工作狀態，電路模組101中至少部分電子電路的電氣參數亦可以根據評估資訊ES(1)~ES(3)的至少其中之一而被動態調整。以圖2為例，根據不同的溫度狀態及/或電路模組201(1)中至少一個電子電路之不同的工作狀態，圖2的權重訊號W(1)所對應的權重值(即權重資訊)可被動態調整。藉此，可更精準地在溫度控制與維持系統效能之間取得平衡。

須注意的是，在前述範例實施例中，各電路元件之間的耦接關係皆為範例，而非用以限制本發明。在前述範例實施例中，至少部分電路元件的耦接關係可以被調整，至少部分電路元件可以被其他具有相同或相似功能的電路元件取代，及/或更多電路元件可以被加入，以提供額外功能。

在一範例實施例中，圖1的溫度控制電路10可設置於一個記憶體儲存裝置或一個記憶體控制電路單元中。或者，在一範例實施例中，圖1的溫度控制電路10亦可設置於任意類型的電子裝置中，本發明不加以限制。

一般而言，記憶體儲存裝置(亦稱，記憶體儲存系統)包括可複寫式非揮發性記憶體模組(rewritable non-volatile memory module)與控制器(亦稱，控制電路)。通常記憶體儲存裝置是與主機系統一起使用，以使主機系統可將資料寫入至記憶體儲存裝置或從記憶體儲存裝置中讀取資料。

圖6是根據本發明的一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及輸入/輸出(I/O)裝置的示意圖。圖7是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及I/O裝置的示意圖。

請參照圖6與圖7，主機系統61一般包括處理器611、隨機存取記憶體(random access memory, RAM)612、唯讀記憶體(read only memory, ROM)613及資料傳輸介面614。處理器611、隨機存取記憶體612、唯讀記憶體613及資料傳輸介面614皆耦接至系統匯流排(system bus)610。

在本範例實施例中，主機系統61是透過資料傳輸介面614與記憶體儲存裝置60耦接。例如，主機系統61可經由資料傳輸介面614將資料儲存至記憶體儲存裝置60或從記憶體儲存裝置60中讀取資料。此外，主機系統61是透過系統匯流排610與I/O裝置62耦接。例如，主機系統61可經由系統匯流排610將輸出訊號傳送至I/O裝置62或從I/O裝置62接收輸入訊號。

在本範例實施例中，處理器611、隨機存取記憶體612、唯讀記憶體613及資料傳輸介面614可設置在主機系統61的主機板70上。資料傳輸介面614的數目可以是一或多個。透過資料傳輸介面614，主機板70可以經由有線或無線方式耦接至記憶體儲存裝置60。記憶體儲存裝置60可例如是隨身碟701、記憶卡702、固態硬碟(Solid State Drive, SSD)703或無線記憶體儲存裝置704。無線記憶體儲存裝置704可例如是近距離無線通訊(Near Field Communication, NFC)記憶體儲存裝置、無線傳真(WiFi)記憶體儲存裝置、藍牙(Bluetooth)記憶體儲存裝置或低功耗藍牙記憶體儲存裝置(例如，iBeacon)等以各式無線通訊技術為基礎的記憶體儲存裝置。此外，主機板70也可以透過系統匯流排610耦接至全球定位系統(Global Positioning System, GPS)模組705、網路介面卡706、無線傳輸裝置707、鍵盤708、螢幕709、喇叭710等各式I/O裝置。例如，在一範例實施例中，主機板70可透過無線傳輸裝置707存取無線記憶體儲存裝置704。

在一範例實施例中，所提及的主機系統為可實質地與記憶體儲存裝置配合以儲存資料的任意系統。雖然在上述範例實施例中，主機系統是以電腦系統來作說明，然而，圖8是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。請參照圖8，在另一範例實施例中，主機系統81也可以是數位相機、攝影機、通訊裝置、音訊播放器、視訊播放器或平板電腦等系統，而記憶體儲存裝置80可為其所使用的安全數位(Secure Digital, SD)卡82、小型快閃(Compact Flash, CF)卡83或嵌入式儲存裝置64等各式非揮發性記憶體儲存裝置。嵌入式儲存裝置84包括嵌入式多媒體卡(embedded Multi Media Card, eMMC)841及/或嵌入式多晶片封裝(embedded Multi Chip Package, eMCP)儲存裝置842等各類型將記憶體模組直接耦接於主機系統的基板上的嵌入式儲存裝置。

圖9是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。請參照圖9，記憶體儲存裝置90包括連接介面單元902、記憶體控制電路單元904與可複寫式非揮發性記憶體模組906。

連接介面單元902用以將記憶體儲存裝置90耦接至主機系統61。記憶體儲存裝置90可透過連接介面單元902與主機系統61通訊。在本範例實施例中，連接介面單元902是相容於序列先進附件(Serial Advanced Technology Attachment, SATA)標準。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，連接介面單元902亦可以是符合並列先進附件(Parallel Advanced Technology Attachment, PATA)標準、電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE)1394標準、高速周邊零件連接介面(Peripheral Component Interconnect Express, PCI Express)標準、通用序列匯流排(Universal Serial Bus, USB)標準、SD介面標準、超高速一代(Ultra High Speed-I, UHS-I)介面標準、超高速二代(Ultra High Speed-II, UHS-II)介面標準、記憶棒(Memory Stick, MS)介面標準、MCP介面標準、MMC介面標準、eMMC介面標準、通用快閃記憶體(Universal Flash Storage, UFS)介面標準、eMCP介面標準、CF介面標準、整合式驅動電子介面(Integrated Device Electronics, IDE)標準或其他適合的標準。連接介面單元902可與記憶體控制電路單元904封裝在一個晶片中，或者連接介面單元902是佈設於一包含記憶體控制電路單元904之晶片外。

記憶體控制電路單元904用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令並且根據主機系統61的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組906中進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。

可複寫式非揮發性記憶體模組906是耦接至記憶體控制電路單元904並且用以儲存主機系統61所寫入之資料。可複寫式非揮發性記憶體模組906可以是單階記憶胞(Single Level Cell, SLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存1個位元的快閃記憶體模組)、多階記憶胞(Multi Level Cell, MLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存2個位元的快閃記憶體模組)、三階記憶胞(Triple Level Cell，TLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存3個位元的快閃記憶體模組)、四階記憶胞(Quad Level Cell，TLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存4個位元的快閃記憶體模組)、其他快閃記憶體模組或其他具有相同特性的記憶體模組。

可複寫式非揮發性記憶體模組906中的每一個記憶胞是以電壓(以下亦稱為臨界電壓)的改變來儲存一或多個位元。具體來說，每一個記憶胞的控制閘極(control gate)與通道之間有一個電荷捕捉層。透過施予一寫入電壓至控制閘極，可以改變電荷補捉層的電子量，進而改變記憶胞的臨界電壓。此改變記憶胞之臨界電壓的操作亦稱為“把資料寫入至記憶胞”或“程式化(programming)記憶胞”。隨著臨界電壓的改變，可複寫式非揮發性記憶體模組1006中的每一個記憶胞具有多個儲存狀態。透過施予讀取電壓可以判斷一個記憶胞是屬於哪一個儲存狀態，藉此取得此記憶胞所儲存的一或多個位元。

在本範例實施例中，可複寫式非揮發性記憶體模組906的記憶胞可構成多個實體程式化單元，並且此些實體程式化單元可構成多個實體抹除單元。具體來說，同一條字元線上的記憶胞可組成一或多個實體程式化單元。若每一個記憶胞可儲存2個以上的位元，則同一條字元線上的實體程式化單元可至少可被分類為下實體程式化單元與上實體程式化單元。例如，一記憶胞的最低有效位元(Least Significant Bit，LSB)是屬於下實體程式化單元，並且一記憶胞的最高有效位元(Most Significant Bit，MSB)是屬於上實體程式化單元。一般來說，在MLC NAND型快閃記憶體中，下實體程式化單元的寫入速度會大於上實體程式化單元的寫入速度，及/或下實體程式化單元的可靠度是高於上實體程式化單元的可靠度。

在本範例實施例中，實體程式化單元為程式化的最小單元。即，實體程式化單元為寫入資料的最小單元。例如，實體程式化單元可為實體頁面(page)或是實體扇(sector)。若實體程式化單元為實體頁面，則此些實體程式化單元可包括資料位元區與冗餘(redundancy)位元區。資料位元區包含多個實體扇，用以儲存使用者資料，而冗餘位元區用以儲存系統資料(例如，錯誤更正碼等管理資料)。在本範例實施例中，資料位元區包含32個實體扇，且一個實體扇的大小為512位元組(byte, B)。然而，在其他範例實施例中，資料位元區中也可包含8個、16個或數目更多或更少的實體扇，並且每一個實體扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，實體抹除單元為抹除之最小單位。亦即，每一實體抹除單元含有最小數目之一併被抹除之記憶胞。例如，實體抹除單元為實體區塊(block)。

在一範例實施例中，圖9的可複寫式非揮發性記憶體模組906亦稱為快閃記憶體模組。在一範例實施例中，圖9的記憶體控制電路單元904亦稱為用於控制快閃記憶體模組的快閃記憶體控制器。

圖10是根據本發明的一範例實施例所繪示的溫度控制方法的流程圖。請參照圖10，在步驟S1001中，偵測電子裝置(例如記憶體儲存裝置)的溫度並產生第一評估資訊。在步驟S1002中，偵測所述電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊。在步驟S1003中，根據第一評估資訊與第二評估資訊調整所述電子裝置的至少一電氣參數，以控制所述電子裝置的溫度。

綜上所述，在測得電子裝置的溫度與電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態後，控制電路可根據相應的評估資訊來調整電子裝置的至少一電氣參數，以控制電子裝置的溫度。藉由偵測電路模組的工作狀態來輔助溫度進行電氣參數的調整，可更精準地在溫度控制與維持系統效能之間取得平衡。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧溫度控制電路 11‧‧‧溫度偵測器 12‧‧‧狀態偵測電路 13‧‧‧控制電路 14、510‧‧‧電壓調整電路 15、520‧‧‧震盪器 16‧‧‧電流計 17‧‧‧補償電路 101、201(1)~201(n)‧‧‧電路模組 210(1)~210(n)‧‧‧閘電路 220‧‧‧邏輯電路 221‧‧‧累加器 222‧‧‧正規化電路 310‧‧‧比較器 320‧‧‧調整電路 321‧‧‧更新濾波器 322‧‧‧調度器 330‧‧‧恢復電路 331‧‧‧恢復控制器 332‧‧‧恢復監視器 333‧‧‧恢復計數器 501~503‧‧‧多工器 530‧‧‧I/O驅動器 60、80、90‧‧‧記憶體儲存裝置 61、91‧‧‧主機系統 610‧‧‧系統匯流排 611‧‧‧處理器 612‧‧‧隨機存取記憶體 613‧‧‧唯讀記憶體 614‧‧‧資料傳輸介面 62‧‧‧輸入/輸出(I/O)裝置 70‧‧‧主機板 701‧‧‧隨身碟 702‧‧‧記憶卡 703‧‧‧固態硬碟 704‧‧‧無線記憶體儲存裝置 705‧‧‧全球定位系統模組 706‧‧‧網路介面卡 707‧‧‧無線傳輸裝置 708‧‧‧鍵盤 509‧‧‧螢幕 710‧‧‧喇叭 82‧‧‧SD卡 83‧‧‧CF卡 84‧‧‧嵌入式儲存裝置 841‧‧‧嵌入式多媒體卡 842‧‧‧嵌入式多晶片封裝儲存裝置 902‧‧‧連接介面單元 904‧‧‧記憶體控制電路單元 906‧‧‧可複寫式非揮發性記憶體模組 S1001‧‧‧步驟(偵測電子裝置的溫度並產生第一評估資訊) S1002‧‧‧步驟(偵測所述電子裝置中的至少一電路模組的工作狀態並產生第二評估資訊) S1003‧‧‧步驟(根據第一評估資訊與第二評估資訊調整所述電子裝置的至少一電氣參數，以控制所述電子裝置的溫度) ES(1)~ES(3)‧‧‧評估資訊 ADV(1)、ADV(2)‧‧‧調整訊號 CP(1)、CP(2)‧‧‧補償參數 BS(1)~BS(n)‧‧‧狀態訊號 W(1)~W(n)‧‧‧權重訊號 WS(1)~WS(n)‧‧‧輸出訊號

圖1是根據本發明的一範例實施例所繪示的溫度控制電路的示意圖。 圖2是根據本發明的一範例實施例所繪示的狀態偵測電路的示意圖。 圖3是根據本發明的一範例實施例所繪示的控制電路的示意圖。 圖4是根據本發明的一範例實施例所繪示的控制電路的示意圖。 圖5是根據本發明的一範例實施例所繪示的補償電路的示意圖。 圖6是根據本發明的一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及輸入/輸出(I/O)裝置的示意圖。 圖7是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及I/O裝置的示意圖。 圖8是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。 圖9是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。 圖10是根據本發明的一範例實施例所繪示的溫度控制方法的流程圖。

10‧‧‧溫度控制電路

11‧‧‧溫度偵測器

12‧‧‧狀態偵測電路

13‧‧‧控制電路

14‧‧‧電壓調整電路

15‧‧‧震盪器

16‧‧‧電流計

17‧‧‧補償電路

101‧‧‧電路模組

ES(1)~ES(3)‧‧‧評估資訊

ADV(1)、ADV(2)‧‧‧調整訊號

CP(1)、CP(2)‧‧‧補償參數

Claims (33)

1. 一種溫度控制電路，用於一電子裝置，包括：一溫度偵測器，用以偵測該電子裝置的一溫度並產生一第一評估資訊；一狀態偵測電路，用以偵測至少一狀態訊號並產生一第二評估資訊，其中該至少一狀態訊號反映該電子裝置中的至少一電路模組的一工作狀態，且該至少一狀態訊號不反映該至少一電路模組的電流；一控制電路，耦接至該溫度偵測器與該狀態偵測電路並用以根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該電子裝置的至少一電氣參數，以控制該電子裝置的該溫度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，其中該至少一電路模組包括一第一電路模組與一第二電路模組，且該狀態偵測電路偵測該至少一狀態訊號並產生該第二評估資訊之操作包括：偵測該第一電路模組的一第一工作狀態；偵測該第二電路模組的一第二工作狀態；以及根據該第一工作狀態、該第二工作狀態、該第一電路模組的第一權重資訊及該第二電路模組的第二權重資訊產生該第二評估資訊。
3. 如申請專利範圍第2項所述的溫度控制電路，其中該狀態偵測電路包括： 一第一閘電路，用以根據一第一狀態訊號與一第一權重訊號產生一第一輸出訊號，其中該第一狀態訊號反映該第一工作狀態，且該第一權重訊號反映該第一權重資訊；一第二閘電路，用以根據一第二狀態訊號與一第二權重訊號產生一第二輸出訊號，其中該第二狀態訊號反映該第二工作狀態，且該第二權重訊號反映該第二權重資訊；以及一邏輯電路，耦接至該第一閘電路與該第二閘電路且用以根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生該第二評估資訊。
4. 如申請專利範圍第3項所述的溫度控制電路，其中該邏輯電路包括：一累加器，耦接至該第一閘電路與該第二閘電路且用以根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生一累加資訊；以及一正規化電路，耦接至該累加器且用以根據該累加資訊產生該第二評估資訊。
5. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，其中該至少一電路模組的該工作狀態對應該至少一電路模組的一忙碌狀態。
6. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，更包括：一電流計，耦接至該控制電路並用以偵測該電子裝置的一電流並產生第三評估資訊，其中該控制電路更根據該第三評估資訊調整該電子裝置的該至少一電氣參數。
7. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，其中該控制電路包括：一比較器，用以根據該第二評估資訊與至少一臨界資訊產生一調整資訊；以及一調整電路，耦接至該比較器並用以根據該調整資訊將該電子裝置的該至少一電氣參數從一第一電氣參數調整為一第二電氣參數，以降低該電子裝置的該溫度。
8. 如申請專利範圍第7項所述的溫度控制電路，其中該控制電路更包括：一恢復電路，耦接至該調整電路並用以在該第一評估資訊與該第二評估資訊的至少其中之一符合一預設條件時，將該至少一電氣參數從該第二電氣參數恢復為該第一電氣參數。
9. 如申請專利範圍第8項所述的溫度控制電路，其中該恢復電路包括：一計數器，用以計數該電子裝置的該溫度在一預設溫度的一維持時間；以及一恢復控制器，耦接至該計數器並用以根據該維持時間將該至少一電氣參數恢復為該第一電氣參數。
10. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，更包括：一補償電路，耦接至該控制電路並用以根據該電子裝置的該溫度產生至少一補償參數，以對與該至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。
11. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制電路，其中該至少一電氣參數包括該電子裝置的一系統電壓、該電子裝置的一系統頻率、該至少一電路模組的一輸入電壓、該至少一電路模組的一輸出電壓及該至少一電路模組的權重資訊的至少其中之一。
12. 一種記憶體儲存裝置，包括：一連接介面單元，用以耦接至一主機系統；一可複寫式非揮發性記憶體模組；一記憶體控制電路單元；以及一溫度控制電路，耦接至該連接介面單元、該可複寫式非揮發性記憶體模組及該記憶體控制電路單元，其中該溫度控制電路用以偵測該記憶體儲存裝置的一溫度並產生一第一評估資訊，該溫度控制電路更用以偵測至少一狀態訊號並產生一第二評估資訊，其中該至少一狀態訊號反映該記憶體儲存裝置中的至少一電路模組的一工作狀態，且該至少一狀態訊號不反映該至少一電路模組的電流，並且該溫度控制電路更用以根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記憶體儲存裝置的至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度。
13. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該至少一電路模組包括一第一電路模組與一第二電路模組，且該 溫度控制電路偵測該至少一狀態訊號並產生該第二評估資訊之操作包括：偵測該第一電路模組的一第一工作狀態；偵測該第二電路模組的一第二工作狀態；以及根據該第一工作狀態、該第二工作狀態、該第一電路模組的第一權重資訊及該第二電路模組的第二權重資訊產生該第二評估資訊。
14. 如申請專利範圍第13項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路根據該第一工作狀態、該第二工作狀態、該第一電路模組的該第一權重資訊及該第二電路模組的該第二權重資訊產生該第二評估資訊的操作包括：根據一第一狀態訊號與一第一權重訊號產生一第一輸出訊號，其中該第一狀態訊號反映該第一工作狀態，且該第一權重訊號反映該第一權重資訊；根據一第二狀態訊號與一第二權重訊號產生一第二輸出訊號，其中該第二狀態訊號反映該第二工作狀態，且該第二權重訊號反映該第二權重資訊；以及根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生該第二評估資訊。
15. 如申請專利範圍第14項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生該第二評估資訊的操作包括： 根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生一累加資訊；以及根據該累加資訊產生該第二評估資訊。
16. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該至少一電路模組的該工作狀態對應該至少一電路模組的一忙碌狀態。
17. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路更用以偵測該記憶體儲存裝置的一電流並產生第三評估資訊，並且該溫度控制電路更用以根據該第三評估資訊調整該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數。
18. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度的操作包括：根據該第二評估資訊與至少一臨界資訊產生一調整資訊；以及根據該調整資訊將該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數從一第一電氣參數調整為一第二電氣參數，以降低該記憶體儲存裝置的該溫度。
19. 如申請專利範圍第18項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記 憶體儲存裝置的該至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度之操作更包括：在該第一評估資訊與該第二評估資訊的至少其中之一符合一預設條件時，將該至少一電氣參數從該第二電氣參數恢復為該第一電氣參數。
20. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路在該第一評估資訊與該第二評估資訊的該至少其中之一符合該預設條件時，將該至少一電氣參數從該第二電氣參數恢復為該第一電氣參數的操作包括：計數該記憶體儲存裝置的該溫度在一預設溫度的一維持時間；以及根據該維持時間將該至少一電氣參數恢復為該第一電氣參數。
21. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該溫度控制電路更用以根據該記憶體儲存裝置的該溫度產生至少一補償參數，以對與該至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。
22. 如申請專利範圍第12項所述的記憶體儲存裝置，其中該至少一電氣參數包括該記憶體儲存裝置的一系統電壓、該記憶體儲存裝置的一系統頻率、該至少一電路模組的一輸入電壓、該至少一電路模組的一輸出電壓及該至少一電路模組的權重資訊的至少其中之一。
23. 一種溫度控制方法，用於一記憶體儲存裝置，且該溫度控制方法包括：偵測該記憶體儲存裝置的一溫度並產生一第一評估資訊；偵測該至少一狀態訊號並產生一第二評估資訊，其中該至少一狀態訊號反映該記憶體儲存裝置中的至少一電路模組的一工作狀態，且該至少一狀態訊號不反映該至少一電路模組的電流；以及根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記憶體儲存裝置的至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度。
24. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，其中該至少一電路模組包括一第一電路模組與一第二電路模組，且偵測該至少一狀態訊號並產生該第二評估資訊之步驟包括：偵測該第一電路模組的一第一工作狀態；偵測該第二電路模組的一第二工作狀態；以及根據該第一工作狀態、該第二工作狀態、該第一電路模組的第一權重資訊及該第二電路模組的第二權重資訊產生該第二評估資訊。
25. 如申請專利範圍第24項所述的溫度控制方法，其中根據該第一工作狀態、該第二工作狀態、該第一電路模組的該第一權重資訊及該第二電路模組的該第二權重資訊產生該第二評估資訊的步驟包括：根據一第一狀態訊號與一第一權重訊號產生一第一輸出訊 號，其中該第一狀態訊號反映該第一工作狀態，且該第一權重訊號反映該第一權重資訊；根據一第二狀態訊號與一第二權重訊號產生一第二輸出訊號，其中該第二狀態訊號反映該第二工作狀態，且該第二權重訊號反映該第二權重資訊；以及根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生該第二評估資訊。
26. 如申請專利範圍第25項所述的溫度控制方法，其中根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生該第二評估資訊的步驟包括：根據該第一輸出訊號與該第二輸出訊號產生一累加資訊；以及根據該累加資訊產生該第二評估資訊。
27. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，其中該至少一電路模組的該工作狀態對應該至少一電路模組的一忙碌狀態。
28. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，更包括：偵測該記憶體儲存裝置的一電流並產生一第三評估資訊；以及根據該第三評估資訊調整該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數。
29. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，其中根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度之步驟包括：根據該第二評估資訊與至少一臨界資訊產生一調整資訊；以及根據該調整資訊將該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數從一第一電氣參數調整為一第二電氣參數，以降低該記憶體儲存裝置的該溫度。
30. 如申請專利範圍第29項所述的溫度控制方法，其中根據該第一評估資訊與該第二評估資訊調整該記憶體儲存裝置的該至少一電氣參數，以控制該記憶體儲存裝置的該溫度之步驟更包括：在該第一評估資訊與該第二評估資訊的至少其中之一符合一預設條件時，將該至少一電氣參數從該第二電氣參數恢復為該第一電氣參數。
31. 如申請專利範圍第30項所述的溫度控制方法，其中在該第一評估資訊與該第二評估資訊的該至少其中之一符合該預設條件時，將該至少一電氣參數從該第二電氣參數恢復為該第一電氣參數的步驟包括：計數該記憶體儲存裝置的該溫度在一預設溫度的一維持時間；以及根據該維持時間將該至少一電氣參數恢復為該第一電氣參 數。
32. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，更包括：根據該記憶體儲存裝置的該溫度產生至少一補償參數，以對與該至少一電氣參數有關的至少一類比電路進行補償。
33. 如申請專利範圍第23項所述的溫度控制方法，其中該至少一電氣參數包括該記憶體儲存裝置的一系統電壓、該記憶體儲存裝置的一系統頻率、該至少一電路模組的一輸入電壓、該至少一電路模組的一輸出電壓及該至少一電路模組的權重資訊的至少其中之一。

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