JP6527436B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本開示は半導体集積回路装置に関し、例えば電流センス機能付き電力用半導体装置を駆動する半導体集積回路装置に適用可能である。

電力変換装置を構成する三相のインバータ回路は、６個の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）と、これらＩＧＢＴと逆並列に接続されたフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）とが２個ずつ直列に接続された直列回路が直流電源に並列に接続された構成を有し、各直列回路のＩＧＢＴ間の接続点に電動モータなどのインダクタンス負荷が接続されている。電力変換装置に使用されるＩＧＢＴでは、過電流が流れたときにＩＧＢＴを破壊から保護するために過電流保護回路が設けられている（例えば、米国特許出願公開第２０１４／０３７５３３３号明細書）。過電流の電流検出手段として、ＩＧＢＴのメイン電流を流す部分とは別に検出専用（センス）電流を流す部分（カレントミラー回路）を設け、センス電流（カレントミラー電流）を検出して、メイン電流の検出手段としている。以下、メイン電流値をセンス電流値で除した値をカレントミラー比という。

米国特許出願公開第２０１４／０３７５３３３号明細書

ＩＧＢＴ等の電力用半導体装置の特性からカレントミラー比のバラツキが大きく、電流検出精度が落ちる。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体集積回路装置は、電力用半導体装置の特性データに基づいてカレントミラー比のバラツキを補正する回路を備える。

上記半導体集積回路装置によれば、電流検出の精度を向上することができる。

比較例に係る電動機システムの一部を示すブロック図。 ＩＧＢＴのセンス電流を説明するための図。 ＩＧＢＴのカレントミラー比とコレクタ−エミッタ間飽和電圧との関係を示す図。 ＩＧＢＴのカレントミラー比と電流検出用抵抗との関係を示す図。 ＩＧＢＴのカレントミラー比とゲート−エミッタ間電圧との関係を示す図。 ＩＧＢＴのカレントミラー比と温度との関係を示す図。 ＩＧＢＴのカレントミラー比とコレクタ電流との関係を示す図。 実施例１に係る電動機システムの構成を示すブロック図。 図８の電動機システムの一部である電子装置の構成を示すブロック図。 図９の制御回路の機能を示すブロック図。 図９の電子装置の製造方法を示すフローチャート。 図９の電子装置の製造時の初期設定処理を示すフローチャート。 図９の電子装置の通常動作時の基準電圧変更処理を示すフローチャート。 図９の電子装置の通常動作時の駆動電流確認処理を示すフローチャート。 変形例１に係る電子装置の構成を示すブロック図。 図１５の電子装置の通常動作時の基準電圧変更処理を示すフローチャート。 変形例２に係る電子装置の構成を示すブロック図。 図１７の駆動回路の構成を示すブロック図。 図１７の制御回路の機能を示すブロック図。 図１７の電子装置の製造時の初期設定処理を示すフローチャート。 変形例３に係る電子装置の構成を示すブロック図。 図２１の制御回路の機能を示すブロック図。 図２１の電子装置の製造時の初期設定処理を示すフローチャート。 実施例２に係る電子装置の構成を示すブロック図。 図２４の制御回路の機能を示すブロック図。 図２４の電子装置の製造時の初期設定処理を示すフローチャート。 実施形態に係る電子装置の構成を示すブロック図。 実施形態１に係る半導体集積回路装置の構成を示すブロック図。 実施形態２に係る半導体集積回路装置の構成を示すブロック図。

以下、実施形態、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。

まず、本開示に先立って本願発明者が検討した技術（以下、比較例という。）について説明する。
図１は比較例に係る電動機システムの一部を示すブロック図である。図２はＩＧＢＴのセンス電流を説明するための図である。電動機システム１Ｒは三相モータ１０とインバータ回路２０とドライバＩＣ３０Ｒと制御回路４０Ｒとを備える。三相モータ１０は３個の変流器（コイル）１１を備える。なお、２つの位相電流検出ができれば、各相の電流計算は可能であるので、変流器は２個でもよい。インバータ回路２０は６個の電力用半導体装置２１によって三相ブリッジ構成する。図２に示すように、電力用半導体装置２１はスイッチングトランジスタであるＩＧＢＴ２２を備え、ＩＧＢＴ２２はゲート端子Ｇとコレクタ端子Ｃと駆動電流を流すエミッタ端子Ｅとセンス電流を流す電流検出端子ＳＥとを備える。ドライバＩＣ３０Ｒは電力用半導体２１を駆動し、制御回路４０ＲはドライバＩＣ３０Ｒを制御する。

ＩＧＢＴ２２を使ったインバータ回路において、モータ駆動を行うためには、駆動する電流をモニタしながらＩＧＢＴ２２を駆動するドライブ信号（ＰＷＭ信号）を制御する必要がある。電流のモニタは下記の２つを行う。
（１）各位相のモータ駆動電流を変流器１１、制御回路４０ＲのＡ／Ｄ変換器などを使ってモニタし、通常電流検出用としてモータ駆動制御に利用する。
（２）センス電流をドライバＩＣ３０Ｒでの電圧比較回路やＡ／Ｄ変換器などを使ってモニタし、過電流検出用として過電流時にドライバ信号を遮断するために利用する。

ＩＧＢＴ２２の駆動電流（Ｉｄ）はエミッタ電流（Ｉｅ）であり、センス電流はＩＧＢＴ２２内のカレントミラー回路の電流であるのでカレントミラー電流（Ｉγ）ともいう。エミッタ電流（Ｉｅ）とカレントミラー電流（Ｉγ）との比（Ｉｅ／Ｉγ）をカレントミラー比（γ）という。カレントミラー比は１０００〜１００００程度が選択される。モータの通常の駆動電流（Ｉｄ）を４００Ａ程度とすると、定格電流は１６００Ａ程度である。

過電流はカレントミラー電流（Ｉγ）を電流検出用抵抗（抵抗値（Ｒｓ））によって電圧（Ｖｓ）に変換し、コンパレータ（ＣＭＰ）で基準電圧（ＶＲＥＦ）と比較することにより検出することができる。電流検出用抵抗の抵抗値（Ｒｓ）の精度が±１％以内である場合、検出電圧（Ｖｓ）は下記の式（１）で表される。
Ｖｓ＝Ｉγ×Ｒｓ
＝Ｉｅ×（１／γ）×Ｒｓ
＝Ｉｄ×（１／γ）×Ｒｓ ・・・・・・（１）
したがって、定格電流値を超える異常判断にセンス電流を利用する場合、カレントミラー比（γ）を４０００、電流検出用抵抗の抵抗値（Ｒｓ）を５Ωとすると、過電流検出における検出電圧（Ｖｓ）は、下記のとおりである。
Ｖｓ＝１６００Ａ×（１／４０００）×５Ω＝２Ｖ
そこで、基準電圧（ＶＲＥＦ）を２Ｖに設定しておくと、モータの駆動電流に定格電流値が流れるとコンパレータ（ＣＰＭ）は過電流を検出する。

次に、カレントミラー比にバラツキについて以下説明する。
図３はＩＧＢＴのカレントミラー比とコレクタ−エミッタ間飽和電圧との関係を示す図である。条件は、周囲温度（Ｔｃ）＝２５℃、ゲート−エミッタ間電圧（ＶＧＥ）＝１５Ｖ、検出抵抗（Ｒｓ）＝２．９Ω、コレクタ電流（ＩＣ）＝５００Ａ、である。コレクタ−エミッタ間飽和電圧（ＶＣＥ（ｓａｔ））のバラツキ範囲（Ａ＝１．１５〜１．７５Ｖ）でカレントミラー比（γ）は４０００±７５％バラついている。全条件（Ｔｃ＝−４０〜１７５℃、ＶＧＥ＝１４〜１８Ｖ、Ｒｓ＝２．９Ω、ＩＣ＝５００Ａ）を想定すると、カレントミラー比（γ）は４０００ −７５％／１４０％ と非常に大きい値となり、４０００±１０％には収まらない。

図４はＩＧＢＴのカレントミラー比と電流検出用抵抗との関係を示す図である。条件は、Ｔｃ＝２５℃、ＶＧＥ＝１５Ｖ、ＩＣ＝５００Ａ、である。カレントミラー比（γ）は、Ｒｓ＝２．９Ωで±７５％、Ｒｓ＝０．５Ωで−４０％／４５％、Ｒｓ＝２０Ωで±８０％バラついているが、Ｒｓが小さい程、精度が上がる傾向にある。

図５はＩＧＢＴのカレントミラー比とゲート−エミッタ間飽和電圧との関係を示す図である。条件は、Ｔｃ＝２５℃、Ｒｓ＝２．９Ω、ＩＣ＝５００Ａ、である。カレントミラー比（γ）は、ＶＧ＝１５Ｖで±７５％、ＶＧ＝１４Ｖで−７５％／７５％、ＶＧ＝１８Ｖで−２０％／５０％バラついているが、ＶＧＥが大きい程、精度が上がる傾向にある。

図６はＩＧＢＴのカレントミラー比と周囲温度との関係を示す図である。条件は、Ｒｓ＝２．９Ω、ＶＧＥ＝１５Ｖ、ＩＣ＝５００Ａ、である。カレントミラー比（γ）は、Ｔｃ＝２５℃で±７５％、ＴＣ＝−４０℃で−７５％／１１０％、Ｔｃ＝１７５℃で−７５％／５％バラついている。全温度（−４０〜１７５℃）を考慮すると、−７５％／１１０％（２５℃基準）の精度が推定される。

図７はＩＧＢＴのカレントミラー比とコレクタ電流との関係を示す図である。条件は、Ｒｓ＝２．９Ω、ＶＧＥ＝１５Ｖ、Ｔｃ＝２５℃、である。カレントミラー比（γ）は、ＩＣ＝５００Ａで±７５％、ＩＣ＝１００Ａで−５０％／０％、ＩＣ＝６００Ａで−９０％／１００％バラついているが、ＩＣが小さい程、精度が上がる傾向にある。

上述したように、ＩＧＢＴの特性からカレントミラー比のバラツキが大きく、例えば検出電圧（Ｖｓ）の温度特性は下記のようになる。
Ｖｓ＝１６００Ａ×（１／４０００）×５Ω＝２Ｖ ・・・常温時
Ｖｓ＝１６００Ａ×（１／３０００）×５Ω＝２．６７Ｖ ・・・高温時（１５０℃）
Ｖｓ＝１６００Ａ×（１／５０００）×５Ω＝１．６Ｖ ・・・低温時（−４５℃）
コンパレータ（ＣＭＰ）の基準電圧（ＶＲＥＦ）が常温時と同じであると、高温時では小さい電流で過電流を検出し、低温時では定格電流よりも大きくなっても過電流が検出できなくなり、電流検出精度が落ちる。その結果、過電流検知時に検知電流検知時間にバラツキが生じ、その後の保護措置に遅れが生じ、最悪の場合、素子の破壊が発生する。そのため、実際のインバータ設計環境ではＩＧＢＴを実装したボードで電流検出用抵抗の抵抗値を個別に調整したり、バラツキの低いデバイスを選別したりする必要がある。

＜実施形態＞
図２７は実施形態に係る電子装置の構成を示すブロック図である。
実施形態に係る電子装置は、電力用半導体装置（ＰＳ）と、電力用半導体装置（ＰＳ）を駆動する第１の半導体集積回路装置（ＩＣ１）と、第１の半導体集積回路装置（ＩＣ１）を制御する第２の半導体集積回路装置（ＩＣ２）と、を備える。電力用半導体装置（ＰＳ）はセンス電流（Ｉγ）を出力する端子（ＳＴ）を備える。第１の半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、センス電流（Ｉγ）に基づいて過電流を検出する過電流検出回路（ＯＣＤＣ）と、電力用半導体装置（ＯＳ）の温度を検出する温度検出回路（ＴＤＣ）と、を備える。第２の半導体集積回路装置（ＩＣ２）は、電力用半導体装置（ＰＳ）のカレントミラー比の温度特性を格納する記憶装置（ＭＥＭ）と、温度検出回路（ＴＤＣ）の出力に基づいて温度を算出する温度検出部（ＴＤＵ）と、温度検出部（ＴＤＵ）が検出した温度と記憶装置（ＭＥＭ）に格納されたカレントミラー比の温度特性とに基づいて、過電流検出回路（ＯＣＤＣ）を制御する過電流検出制御部（ＯＣＤＣＵ）と、を備える。

例えば、過電流検出回路（ＯＣＤＣ）は、カレントミラー電流（Ｉγ）を電流検出用抵抗（抵抗値（Ｒｓ））によって電圧（Ｖｓ）に変換し、コンパレータ（ＣＭＰ）で基準電圧（ＶＲＥＦ）と電圧（ｖｓ）とを比較して過電流を検出し、電力用半導体装置のカレントミラー比（γ）の温度特性データに基づいて、基準電圧（ＶＲＥＦ）を変更可能とする。第１実施形態では、電力用半導体装置のカレントミラー比（γ）の温度特性データまたはそれを取得する情報を電力用半導体装置自身に保持させる。第２実施形態では、電力用半導体装置のカレントミラー比（γ）の温度特性データを測定して、過電流を検出する半導体集積回路装置とは別の半導体集積回路装置にカレントミラー比（γ）の温度特性データを保持させる。

実施形態に係る電子装置の第１の半導体集積回路装置（ＩＣ１）の第１実施形態について説明する。図２８は第１実施形態に係る半導体集積回路装置を説明するためのブロック図である。
第１実施形態に係る半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、別の半導体集積回路装置（ＩＣ２）からの信号（Ｓ１）を入力するための第１端子（Ｔ１）と、電力用半導体装置（ＰＳ）のゲート端子（ＧＴ）と接続するための第２端子（Ｔ２）と、電力用半導体装置（ＰＳ）のセンス電流端子（ＳＴ）および電流検出用抵抗（ＲＤ）と接続するための第３端子（Ｔ３）と、を備える。また、半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、第３端子に接続されるコンパレータ（ＣＭＰ）と、コンパレータ（ＣＭＰ）に接続される基準電圧生成回路（ＶＲＧ）と、信号（Ｓ１）およびコンパレータ（ＣＭＰ）の出力信号（ＯＣＤ）に基づいた駆動信号（ＤＲＶ）を第２端子（Ｔ２）に出力する駆動回路（ＤＲＩＶＥＲ）と、を備える。また、半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、電力用半導体装置（ＰＳ）の温度情報（ＴＥＭＰ）を入力するための第４端子（Ｔ４）と、電力用半導体装置（ＰＳ）のカレントミラー比の温度特性に関する情報（ＣＨＡＲ）を電力用半導体装置（ＰＳ）から入力するための第５端子（Ｔ５）と、温度情報（ＴＥＭＰ）を第１データ（Ｄ１）に変換する変換回路と、を備える。また、半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、カレントミラー比の温度特性に関する情報（ＣＨＡＲ）を第２データ（Ｄ２）に変換する変換回路と、第１データ（Ｄ１）および第２データ（Ｄ２）に基づいた基準電圧生成回路（ＶＲＧ）の電圧を制御する情報（ＶＲＥＦＣ）を入力するための第６端子（Ｔ６）と、を備える。

実施形態に係る電子装置の第１の半導体集積回路装置（ＩＣ１）の第２実施形態について説明する。図２９は第２実施形態に係る半導体集積回路装置を説明するためのブロック図である。
第２実施形態に係る半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、別の半導体集積回路装置（ＩＣ２）からの信号（Ｓ１）を入力するための第１端子（Ｔ１）と、電力用半導体装置（ＰＳ）のゲート端子（ＧＴ）と接続するための第２端子（Ｔ２）と、電力用半導体装置（ＰＳ）のセンス電流端子（ＳＴ）および電流検出用抵抗（ＲＤ）と接続するための第３端子（Ｔ３）と、を備える。また、半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、第３端子に接続されるコンパレータ（ＣＭＰ）と、コンパレータ（ＣＭＰ）に接続される基準電圧生成回路（ＶＲＧ）と、信号（Ｓ１）およびコンパレータ（ＣＭＰ）の出力（ＯＣＤ）に基づいた駆動信号（ＤＲＶ）を第２端子（Ｔ２）に出力する駆動回路（ＤＲＩＶＥＲ）と、を備える。また、半導体集積回路装置（ＩＣ１）は、電力用半導体装置（ＰＳ）の温度情報（ＴＥＭＰ）を入力するための第４端子（Ｔ４）と、温度情報（ＴＥＭＰ）を第１データ（Ｄ１）に変換する変換回路と、第３端子（Ｔ３）の電圧（Ｖｓ）を第２データ（Ｄ２）に変換する変換回路と、を備える。また、第１データ（Ｄ１）、第２データ（Ｄ２）および電力用半導体装置（ＰＳ）の出力である駆動電流を検出する変流器のデータに基づいた基準電圧生成回路（ＶＲＧ）の電圧を制御する情報（ＶＲＥＦＣ）を入力するための第６端子（Ｔ６）と、を備える。

実施形態によれば、カレントミラー比の温度特性に基づいて過電流検出回路を制御することができるので、カレントミラー比が温度に対してバラついたとしても過電流を精度よく検出することが可能となる。第１実施形態によれば、カレントミラー比の温度特性に関する情報を電力用半導体装置から取得可能であり、カレントミラー比の温度特性に関する情報と電力用半導体装置の温度情報に基づいて基準電圧を変更することが可能となる。第２実施形態によれば、カレントミラー比の温度特性が測定可能であり、カレントミラー比の温度特性と電力用半導体装置の温度情報に基づいて基準電圧を変更することが可能となる。これらにより、カレントミラー比が温度に対してバラついたとしても過電流を精度よく検出することが可能となる。

過電流を精度よく検出することができると、負荷短絡状態などの異常電流発生モードで高精度かつ高速にパワーデバイス（電力用半導体装置）の保護動作に移行することが可能となる。その結果、パワーデバイスの破壊耐量設計の最適化を行い、パワーデバイスの電気的特性を改善することが可能となる。

第１実施形態の第１実施例（実施例１）は電力用半導体装置のカレントミラー比（γ）の温度特性データを取得するための情報を電力用半導体装置自身に保持させるものである。

（電動機システム）
図８は実施例１に係る電動機システムの構成を示すブロック図である。電動機システム１は三相モータ１０と電力用半導体装置を６個用いたインバータ回路２０と６個のドライバＩＣ３０と制御回路４０と直流電源５０とを備える。インバータ回路２０はパワーモジュールともいう。インバータ回路２０、６個のドライバＩＣ３０および制御回路４０で構成される部分を電子装置２という。インバータ回路２０は、車両等の駆動時には直流電源（ＤＣ）５０の電圧から、三相モータ１０の各相に電流を流すように、インバータ回路２０内部のスイッチングトランジスタ２２をＯＮ／ＯＦＦ制御し、このスイッチングの周波数により車両等の速度を変化させる。また、車両等の制動時には、三相モータ１０の各相に生じる電圧に同期してスイッチングトランジスタ２２をＯＮ／ＯＦＦ制御し、いわゆる整流動作を行い、直流電圧に変換して回生を行う。

三相モータ１０は回転子が永久磁石で、電機子がコイルで構成され、三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電機子巻き線は１２０度間隔に配置される。コイルはデルタ結線され、常にＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３つのコイルに電流が流れる。三相モータ１０は変流器等の電流検出器１１と角速度および位置検出器１２を備える。

インバータ回路２０は、電力用半導体装置によりＵ相、Ｖ相、Ｗ相のブリッジ回路を構成している。Ｕ相のブリッジ回路は電力用半導体装置２１Ｕと電力用半導体装置２１Ｘの接続点が三相モータ１０に接続されている。Ｖ相のブリッジ回路は電力用半導体装置２１Ｖと電力用半導体装置２１Ｙの接続点が三相モータ１０に接続されている。Ｗ相のブリッジ回路は電力用半導体装置２１Ｗと電力用半導体装置２１Ｚの接続点が三相モータ１０に接続されている。ここで、電力用半導体装置２１Ｕ，２１Ｖ，２１Ｗ，２１Ｘ，２１Ｙ，２１Ｚの構成は同じであるので、これらを総称して電力用半導体装置２１ということもある。電力用半導体装置２１はＩＧＢＴで構成されるスイッチングトランジスタ（以下、ＩＧＢＴという。）２２および温度検出用ダイオードＤ１を備えた半導体チップと、ＩＧＢＴ２２のエミッタとコレクタ間に並列に接続された還流ダイオード（ＦＷＤ）Ｄ２を備えた半導体チップとで構成される。還流ダイオードＤ２は、ＩＧＢＴ２２に流れる電流とは逆方向で電流を流すように接続されている。ＩＧＢＴ２２と温度検出用ダイオードＤ１とが形成される半導体チップと還流ダイオードＤ２が形成される半導体チップとは同一のパッケージに封入するのが好ましい。還流ダイオードＤ２はＩＧＢＴ２２と温度検出用ダイオードＤ１とが形成された半導体チップと同一チップに形成されてもよい。

第１の半導体集積回路装置であるドライバＩＣ３０はＩＧＢＴ２２のゲートを駆動する信号を生成する駆動回路（DRIVER）３１と過電流検出回路（OVER CURRENT）３２と温度検出回路（TEMP. DETECT）３３とＩＤ読み出し回路（ID READ CIRCUIT）３４を１つの半導体基板に備える。第２の半導体集積回路装置である制御回路４０はＣＰＵ４１とＰＷＭ回路（ＰＷＭ）４２とＩ／Ｏインタフェース（Ｉ／Ｏ ＩＦ）４３とを１つの半導体基板に備える。

（電子装置）
図９は図８の電動機システムの一部である電子装置を示すブロック図である。電力用半導体装置２１はスイッチングトランジスタであるＩＧＢＴ２２と温度検出用ダイオードＤ１とチップ固有のＩＤコードを記憶するＩＤ回路（ID CIRCUIT）２４とを１つの半導体基板上に備える。電力用半導体装置２１はゲート端子Ｇとコレクタ端子Ｃと駆動電流を流すエミッタ端子Ｅとセンス電流を流す電流検出端子ＳＥとを備える。ＩＤ回路２４はラダー抵抗と電気フューズ等で構成される。電力用半導体装置２１のウェア製造時のウェハテストにおいて、常温、高温テストを実施し、その際に得られた電力用半導体装置２１の特性データ（カレントミラー比（γ）の温度特性）をＩＤコードと共にウェハ測定データライブラリとして記憶装置５６に格納する。なお、ウェハテストの際に電力用半導体装置２１のＩＤ回路２４の電気フューズを切断する等によってＩＤコードを設定する。

ドライバＩＣ３０は駆動回路３１と電流検出回路３２と温度検出回路３３とＩＤ読み読出し回路３４とアイソレータ３５とＣＰＵインタフェース（ＣＰＵ＿ＩＦ）回路３６とを備える。駆動回路３１は制御回路４０から端子Ｔ１を介して入力されるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号に基づいてＩＧＢＴ２２をオン・オフするためにゲート電極を駆動するドライブ信号（ＤＲＶ）を生成し端子Ｔ２に出力する。駆動回路３１の端子Ｔ２とＩＧＢＴ２２のゲート端子Ｇとの間に抵抗５１が設けられている。駆動回路３１は後述する過電流検出信号（ＯＣＤ）に基づいて、ドライブ信号（ＤＲＶ）をＬｏｗにするとともに、遮断信号（ＣＯＳ）を出力し、遮断用トランジスタ５３をオンすることによって、抵抗５１とＩＧＢＴ２２のゲート端子Ｇとの間の電位をＬｏｗにする。遮断用トランジスタ５３とＩＧＢＴ２２のゲート端子Ｇとの間に抵抗５２が設けられている。

電流検出回路３２はコンパレータ３２１と基準電圧生成回路３２２とを備える。過電流検出回路３２１はセンス電流を端子Ｔ３に接続される電流検出抵抗５４で検出電圧（Ｖｓ）に変換し、検出電圧（Ｖｓ）と基準電圧生成回路３２２の基準電圧（ＶＲＥＦ）とをコンパレータ３２１で比較して過電流を検出する。検出電圧（Ｖｓ）が基準電圧（ＶＲＥＦ）よりも大きいとき、過電流検出回路３２１は過電流検出信号（ＯＣＤ）を駆動回路３１に送られＩＧＢＴ２２の駆動信号を遮断するとともに、アイソレータ３５、端子Ｔ１１、制御回路４０のＩ／Ｏインタフェース４３を介してＣＰＵ４１に送る。また、後述するＡ／Ｄ変換回路３３１は検出電圧（Ｖｓ）を変換し、端子Ｔ８、アイソレータ３５、ＣＰＵインタフェース３６、端子Ｔ１０、制御回路４０のＩ／Ｏインタフェース４４を介してＣＰＵ４１に送る。基準電圧生成回路３２２の基準電圧（ＶＲＥＦ）は端子Ｔ６から入力される信号によって変更することが可能である。

温度検出回路３３は温度検出用ダイオードＤ１の順方向電圧（ＶＦ）の検出回路であるＡ／Ｄ変換回路３３１と温度検出用ダイオードＤ１へのバイアス電流を供給する電流バイアス回路（BIAS）３３２とを備える。電力用半導体装置２１のチップ温度は、温度検出用ダイオードＤ１の順方向電圧を使って、温度測定を行う。温度検出回路３３は電流バイアス回路３３２から端子Ｔ１２および端子（温度検出用ダイオードのアノード端子）ＴＤを介して定電流（ＩＦ）を温度検出用ダイオードＤ１に流し、検出電圧（ＶＦ）をＡ／Ｄ変換回路３３１で変換し、端子Ｔ８、アイソレータ３５、ＣＰＵインタフェース３６、端子Ｔ１０、制御回路４０のＩ／Ｏインタフェース４４を介してＣＰＵ４１に送る。

ＩＤ読出回路３４は端子Ｔ５を介してＩＤ回路２４のＩＤコードを読み出し、端子Ｔ９、アイソレータ３５、ＣＰＵインタフェース３６、端子Ｔ１０、制御回路４０のＩ／Ｏインタフェース４４を介してＣＯＵ４１に送る。ＩＤ読出回路３４はＡ／Ｄ変換回路等で構成される。

アイソレータ３５はドライバＩＣ３０と制御回路４０との間を伝送する信号を磁気結合によって伝達する。アイソレータ３５は配線で形成されたオンチップトランスを層間膜で絶縁することにより構成される。

ＣＰＵインタフェース３６はドライバＩＣ３０の回路と制御回路４０のＣＰＵ４１とをＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）等で接続するためのインタフェースである。

制御回路４０はＣＰＵ４１とＰＷＭ回路（PWM）４２と記憶装置（MEMORY）４７と外部デバイスとのインタフェース入出力部であるＩ／Ｏインタフェース（Ｉ／Ｏ＿ＩＦ）４４とＡ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）４５と外部ＰＣ（Personal Computer）とのインタフェース部であるＰＣインタフェース（ＰＣ＿ＩＦ）４６とを１つの半導体基板上に備え、例えばマイクロコンピュータユニット（ＭＣＵ）で構成される。記憶装置４７はフラッシュメモリ等の電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリで構成するのが好ましい。また、ＣＰＵ４１が実行するプログラムはフラッシュメモリ等の電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリに格納するのが好ましく、記憶装置４７に格納するようにしてもよい。

なお、ＣＰＵ４１が実行するプログラムを制御回路４０の不揮発性メモリへの格納は以下のいずれであってもよい。
（１）第２の半導体集積回路装置である制御回路４０のウェハ製造時。
（２）制御回路４０のパッケージに封入後、電子装置２のプリント基板に実装される前。
（３）電子装置２のプリント基板に実装後（ＰＣ５７からＰＣインタフェース４６を介して格納）。

図１０は図９の制御回路の機能を示すブロック図である。制御回路４０は外気温度検出部４１１、過電流検出制御部４１４、温度検出部４１６および電流検出部４１７を備える。また、制御回路４０は、図示していないモータのトルクや回転数に応じて電力用半導体装置のスイッチングトランジスタをＯＮ／ＯＦＦ制御するドライブ信号を生成するＰＷＭ制御部を備える。破線で示すブロックはソフトウェアの処理（ＣＰＵ４１がプログラムを実行する処理）であるが、それに限定されるものではなく、例えばハードウェハで構成してもよい。

外気温度検出部４１１は平均化処理部４１２と選択部４１３から構成される。サーミスタ等の温度センサである外気温度検出器５５の出力をＡ／Ｄ変換器４５で変換し、平均化処理部４１３で入力信号をサンプリングし複数分を平均化してノイズ除去した信号、またはＰＣ５７からＰＣインタフェース４６を介して入力される環境温度の温度設定値、を選択部４１３で選択する。後述するように、恒温槽等の電子装置２の環境温度を設定可能な空間の温度設定をＰＣ５７で行うか、温度設定値をＰＣ５７が取得するので、ＰＣ５７が環境温度の設定値を制御回路４０に入力することができる。環境温度は外気温度検出器５５またはＰＣ５７のいずれかで検出すればよいので、いずれか一方はなくてもよい。この場合、外気温度検出部４１１の選択部４１３はなくてもよく、ＰＣ５７により環境温度を検出する場合、平均化処理部４１２はなくてもよい。

選択部４１３の出力である温度情報およびＡ／Ｄ変換回路３３１の出力を温度検出部４１６で変換した温度検出用ダイオードの電圧情報が過電流検出制御部４１４に入力される。ＩＤ認識部４１５はＩＤ読出回路からの信号に基づいてＩＤコードを認識し、ＩＤコードに対応する素子特性をＰＣ５７のウェハ測定データライブラリが格納されている外部記憶装置（STORAGE）５６から取得して記憶装置４７に格納する。ＩＤ認識部４１５が取得したＩＤコードに対応する素子特性を記憶装置４７に格納する。電流検出部４１７は変流器１１の出力をＡ／Ｄ変換器４５で変換した駆動電流（Ｉｄ）に対応する値と検出電圧（Ｖｓ）をＡ／Ｄ変換回路３３１で変換したカレントミラー電流（Ｉγ）に対応する値を入力する。

（電子装置の製造方法）
電子装置２の製造方法の一工程であるカレントミラー比（γ）の温度特性データの取得方法について図１１乃至図１４を用いて説明する。
図１１は実施例１に係る電子装置の製造方法を説明するための図である。図１２は実施例１に係る電子装置の製造時の初期設定処理のフローチャートである。
図１１に示すように、カレントミラー比（γ）の温度特性データを電子装置に格納する工程は電子装置の製造工程におけるテスト工程等で行う。電力用半導体装置２１とドライバＩＣ３０と制御回路４０とを備える電子装置２を準備する（ステップＳ１０）。電子装置２を恒温槽等の環境温度が設定可能な空間に搬入し、外気温度検出器５５やＰＣ５７を接続する。後述する方法でカレントミラー比（γ）の温度特性を取得する（ステップＳ２０）。電子装置２から外気温度検出器５５やＰＣ５７を取り外し、環境温度が設定可能な空間から搬出する。

図１２に示すように、まず、ＩＤ認識部４１５は電力用半導体装置２１のＩＤコードを読み取る（ステップＳ２１）。次に、ＩＤ認識部４１５はＩＤコードによってウェハ測定データライブラリが格納される外部記憶装置５６からカレントミラー比（γ）の温度特性データを取得し、記憶装置４７に格納する（ステップＳ２２）。過電流検出制御部４１４は記憶装置４７から常温時のカレントミラー比（γ）を抽出する（ステップＳ２３）。過電流検出制御部４１４は式（１）の計算結果で得られる電圧値を基準電圧生成回路３２２に設定する（ステップＳ２５）。

上述の初期設定処理は電子装置２を構成する全（６個）の電力用半導体装置に対応する全（６個）のドライバＩＣに適用する。

（通常動作時の動作）
次に、電子装置（電動機システム）の通常動作時（モータ運転時）の動作について図１３および図１４を用いて説明する。なお、外気温度検出器５５やＰＣ５７はカレントミラー比（γ）の温度特性データを取得する際には必要であるが、通常動作時には必要ない。
図１３は実施例１に係る制御回路の通常動作時の基準電圧変更処理のフロー図である。図１４は実施例１に係る制御回路の通常動作時の駆動電流確認処理のフロー図である。
温度検出用ダイオードＤ１によって電力用半導体装置２１の温度を計測する（ステップＳ３１）。温度検出部４１６は、ドライバＩＣ３０の電流バイアス回路３３２から定電流（ＩＦ）を温度検出用ダイオードＤ１に流して検出した検出電圧（ＶＦ）をＡ／Ｄ変換回路３３１で変換した電圧情報を温度情報に変換して電力用半導体装置の温度を計測する。過電流検出制御部４１４は記憶装置４７から温度変換部４１６で取得した温度測定結果に対応するカレントミラー比（γ）を抽出する（ステップＳ３２）。過電流検出制御部４１４は式（１）の計算結果で得られる電圧値を基準電圧生成回路３２２に設定する（ステップＳ３３）。上述の基準電圧変更処理は定期的周期（例えば１０ｍｓ−１００ｍｓ）で実行する。

電流検出部４１７は電力用半導体装置のセンス電流端子ＳＥからのカレントミラー電流（Ｉγ）に基づく電流測定と、変流器１１からの駆動電流（Ｉｄ）に基づく電流測定と、を並行して行う（ステップＳ３４）。Ｉγに基づく測定電流とＩｄの基づく測定電流とがほぼ同一であるか判定する（ステップＳ３５）。この判定は、例えば特定時間内での差分データ累積が所定値を超えないことで行う。ＮＯの場合はステップＳ３６に移り、ＹＥＳの場合は終了する。ステップＳ３６ではドライブ信号を停止または抑制する異常状態処理を行う。これにより、カレントミラー電流と駆動電流とが所定の範囲内になく過電流が検出できない場合でも電力用半導体装置を保護することが可能となる。
実施例１によれば、電力用半導体装置にＩＤコードし、ＩＤコードに対応するウェハ測定データライブラリから制御回路の記憶装置のカレントミラー比の温度特性を格納し、カレントミラー比の温度特性に基づいて過電流検出回路を制御することができるので、カレントミラー比が温度に対してバラついたとしても過電流を精度よく検出することが可能となる。

＜変形例１＞
電力用半導体装置の温度測定はオンチップの温度検出用ダイオードを用いなくても測定が可能であり、実施例１の第１変形例（変形例１）では電力用半導体装置を搭載したパワーモジュールにサーミスタを載置して温度測定を行う。

図１５は変形例１に係る電子装置の構成を示すブロック図である。変形例１に係る電子装置２Ａは電力用半導体装置を除いて実施例１に係る電子装置と同様である。電力用半導体装置２１Ａに温度検出用ダイードが内蔵されていない。それに伴って、サーミスタ５８が電力用半導体装置２１を搭載するパワーモジュールに載置され、サーミスタ５８の一端がドライバＩＣ３０の端子Ｔ４に接続される。電力用半導体装置２１Ａは温度検出用ダイードが内蔵されていないことを除き実施例１に係る電力用半導体装置と同様である。

図１６は変形例１に係る電子装置の通常動作時の基準電圧変更処理のフローチャートである。変形例１に係る電子装置の動作時の基準電圧変更処理は温度計測にサーミスタを用いることを除いて実施例１と同様である。なお、変形例１の製造時の初期設定処理および通常動作時の駆動電流確認処理は実施例１と同様である。

変形例１では、電力用半導体装置ごとに温度検出用ダイオードを内蔵する必要がないため、電力用半導体装置１個あたりのボンディングワイヤ本数に制限があるなどの実装条件に制限がある場合でも温度検出が可能となる。

＜変形例２＞
電力用半導体装置の常温時のカレントミラー比（γ）が設計基準値のカレントミラー比（γ）と異なる場合がある。そこで、実施例１の第２の変形例（変形例２）では、初期設定処理において、カレントミラー比（γ）を測定して設計基準値のカレントミラー比（γ）と同一となるようにゲートドライブ電圧を制御する。

図１７は変形例２に係る電子装置の構成を示すブロック図である。図１８は図１７の駆動回路の構成を示すブロック図である。変形例２に係る電子装置はドライバＩＣの駆動回路およびその制御が実施例１と異なるが、その他は実施例１と同様である。実施例１との相違点を中心に説明する。

電子装置２Ｂは電力用半導体装置２１とドライバＩＣ３０Ｂと制御回路４０Ｂとを備える。ドライバＩＣ３０Ｂは駆動回路３１Ｂとアイソレータ３５ＢとＣＰＵインタフェース３６Ｂとを備える。駆動回路３１Ｂは駆動トランジスタ３１１と駆動電圧制御回路（ＶＣＮＴ）３１２とを備え、駆動電圧制御回路３１２によって駆動回路３１Ｂの外部に位置するブースト回路３７の電圧を制御することにより、駆動トランジスタ３１１の駆動電圧を変更する。カレントミラー比（γ）を上げたい場合は、ブースト回路３７の出力電圧を上昇させ、逆にカレントミラー比（γ）下げたい場合は、ブースト回路３７の電圧を下降させることで、駆動電圧を調整することができる。駆動電圧制御回路３１２を制御する信号はＣＰＵ４１からＩ／Ｏインタフェース４４、端子Ｔ１０、ＣＰＵインタフェース３６Ｂ、アイソレータ３５Ｂ、端子Ｔ７を介して入力される。アイソレータ３５Ｂ、ＣＰＵインタフェース３６Ｂは入出信号線の本数が異なるが実施例１のアイソレータ３５、ＣＰＵインタフェース３６と同様な構成である。

図１９は図１７の制御回路の機能を示すブロック図である。制御回路４０Ｂは、実施例１の制御回路４０の過電流検出制御部４１４および電流検出部４１７よりも機能が追加になった過電流検出制御部４１４Ｂおよび電流検出部４１７Ｂを備える。過電流検出制御部４１４Ｂは駆動回路３１Ｂの駆動電圧制御回路３１２を制御する信号を生成する機能が追加になっている。電流検出部４１７Ｂは測定した駆動電流（Ｉｄ）とカレントミラー電流（Ｉγ）とからカレントミラー比（γ）を計算する機能が追加になっている。

図２０は変形例２に係る電子装置の製造時の初期設定処理のフローチャートである。
まず、ＩＤ認識部４１５は電力用半導体装置２１のＩＤコードを読み取る（ステップＳ２１）。次に、ＩＤ認識部４１５はＩＤコードによってウェハ測定データライブラリが格納される外部記憶装置５６からカレントミラー比（γ）の温度特性データを取得し、記憶装置４７に格納する（ステップＳ２２）。過電流検出制御部４１４Ｂは記憶装置４７から常温時のカレントミラー比（γ）を抽出する（ステップＳ２３）。過電流検出制御部４１４Ｂは抽出したカレントミラー比（γ）と設計基準値のカレントミラー比（γ）とを比較して異なる場合は、電流検出部４１７Ｂで計測したカレントミラー比（γ）と設計基準値のカレントミラー比（γ）とが同一値になるように駆動電圧制御迂回路３１２を調整する（ステップＳ２４）過電流検出制御部４１４Ｂは式（１）の計算結果で得られる電圧値を基準電圧生成回路３２２に設定する（ステップＳ２５）。なお、変形例２の通常動作時の基準電圧変更処理および駆動電流確認処理は実施例１と同様である。

変形例２によれば、カレントミラー比を設計基準値近傍にすることができるので、実施例１よりも精度よく過電流を検出することが可能となる。

変形例２の温度検出ダイオードＤ１に代えて変形例１と同様にサーミスタ５８を用いてもよい。

＜変形例３＞
実施例１、変形例１および変形例２では、電力用半導体装置はＩＤコードを格納し、電力用半導体装置の素子特性は外部記憶装置５６にウェハ測定データライブラリとして格納されている。実施例１の第３の変形例（変形例３）では、電力用半導体装置の素子特性は電力用半導体装置自身に格納されている。

図２１は変形例３に係る電子装置の構成を示すブロック図である。変形例３に係る電子装置は電力用半導体装置のＩＤ回路、ドライバＩＣのＩＤ読出回路およびその制御が実施例１と異なるが、その他は実施例１と同様である。実施例１との相違点を中心に説明する。電子装置２Ｃは電力用半導体装置２１ＣとドライバＩＣ３０Ｃと制御回路４０Ｃとを備える。電力用半導体装置２１Ｃは電力用半導体装置の素子特性を格納するＩＤ回路２４Ｃを備える。電力用半導体装置２１Ｃのウェア製造時のウェハテストにおいて、常温、高温テストを実施し、その際に得られた電力用半導体装置２１Ｃの特性データ（カレントミラー比（γ）の温度特性）をＩＤ回路２４Ｃに格納する。なお、ウェハテストの際に電力用半導体装置２１ＣのＩＤ回路２４Ｃの電気フューズを切断する等によって特性データを設定する。ドライバＩＣ３０ＣはＩＤ回路２４Ｃの内容を読み出すＩＤ読出回路３４Ｃを備える。ＩＤ読出回路３４Ｃは実施例１のＩＤ読出回路３４と同様にＡ／Ｄ変換回路等で構成される。

図２２は図２１の制御回路の機能を示すブロック図である。制御回路４０ＣはＰＣインタフェース４６を有しないこと、外気温度検出部４１１Ｃに選択部４１３を有しないことおよびＩＤコードを読み出すＩＤ認識部４１５に代わってカレントミラー比（γ）の温度特性データを読み出すＩＤ認識部４１５Ｃがある他は、実施例１の制御回路４０と同様である。

図２３は変形例３に係る電子装置の製造時の初期設定処理のフローチャートである。
まず、ＩＤ認識部４１５Ｃは電力用半導体装置２１のＩＤコードを読み取る（ステップＳ２１Ｃ）。ここで、ＩＤコードにはカレントミラー比（γ）の温度特性が含まれる。次に、ＩＤ認識部４１５はＩＤコードに含むカレントミラー比（γ）の温度特性データを取得し、記憶装置４７に格納する（ステップＳ２２）。過電流検出制御部４１４は記憶装置４７から常温時のカレントミラー比（γ）を抽出する（ステップＳ２３）。過電流検出制御部４１４は式（１）の計算結果で得られる電圧値を基準電圧生成回路３２２に設定する（ステップＳ２５）。なお、実施例２の通常動作時の基準電圧変更処理および駆動電流確認処理は実施例１と同様である。

変形例３によれば、ウェハ測定データライブラリを別途用意する必要がなく、また外部ＰＣとの接続がないため、実施例１よりも初期設定工程の手間を簡略化することが可能である。

変形例３の温度検出ダイオードに代えて変形例１と同様にサーミスタ５８を用いてもよい。また、変形例３の駆動回路に変形例２と同様に駆動電圧制御回路３１２を設けて制御回路の過電流検出制御部で制御するようにしてもよい。

第２実施形態の第２実施例（実施例２）は、電力用半導体装置のカレントミラー比（γ）の温度特性データを測定して、過電流を検出する半導体集積回路装置とは別の半導体集積回路装置にカレントミラー比（γ）の温度特性データを保持させる。

図２４は実施例２に係る電子装置の構成を示すブロック図である。実施例２に係る電子装置２Ｄは電力用半導体装置にＩＤ回路がなく、ドライバＩＣにＩＤ読出回路がなく、制御回路にＩＤ認識部がない点が実施例１と異なるが、その他は実施例１と同様である。電子装置２Ｄは電子装置２に代わって電動機システム１に用いられる。実施例１との相違点を中心に説明する。

図２５は図２４の制御回路の機能を示すブロック図である。制御回路４０ＤはＩＤ認識部４１５を備えないで、実施例１の制御回路４０の過電流検出制御部４１４および電流検出部４１７よりも機能が変更になった過電流検出制御部４１４Ｄおよび電流検出部４１７Ｄを備える。過電流検出制御部４１４Ｄは電流検出部が計算したカレントミラー比（γ）を記憶装置４７に格納する機能を備える。電流検出部４１７Ｄは測定した駆動電流（Ｉｄ）とカレントミラー電流（Ｉγ）とからカレントミラー比（γ）を計算する機能を備える。環境温度は外気温度検出器５５またはＰＣ５７のいずれかで検出すればよいので、いずれか一方はなくてもよい。この場合、外気温度検出部４１１の選択部４１３はなくてもよく、ＰＣ５７により環境温度を検出する場合、平均化処理部４１２はなくてもよい。

図２６は実施例２に係る電子装置の製造時の初期設定処理のフローチャートである。
まず、環境温度を常温（Ａ℃）に設定する（ステップＳ４１）。電流検出部４１７Ｄは駆動電流（Ｉｄ）およびセンス電流（Ｉγ）を測定し、カレントミラー比（γ）を計算し、過電流検出制御部４１４Ｄは計算したカレントミラー比（γ）を記憶装置に格納する（ステップＳ４２）。環境温度を高温（Ｈ℃）に設定する（ステップＳ４３）。電流検出部４１７Ｄは駆動電流（Ｉｄ）およびセンス電流（Ｉγ）を測定し、カレントミラー比（γ）を計算し、過電流検出制御部４１４Ｄは計算したカレントミラー比（γ）を記憶装置に格納する（ステップＳ４４）。環境温度を高温（Ｌ℃）に設定する（ステップＳ４５）。電流検出部４１７Ｄは駆動電流（Ｉｄ）およびセンス電流（Ｉγ）を測定し、カレントミラー比（γ）を計算し、過電流検出制御部４１４Ｄは計算したカレントミラー比（γ）を記憶装置に格納する（ステップＳ４６）。次に、過電流検出制御部４１４Ｄは記憶装置４７から常温時のカレントミラー比（γ）を抽出する（ステップＳ２３）。過電流検出制御部４１４Ｄは式（１）の計算結果で得られる電圧値を基準電圧生成回路３２２に設定する（ステップＳ２５）。なお、実施例２の通常動作時の基準電圧変更処理および駆動電流確認処理は実施例１と同様である。

実施例２では、電力用半導体装置ごとにＩＤ回路を内蔵する必要がないため、電力用半導体装置１個あたりのボンディングワイヤ本数に制限があるなどの実装条件に制限がある場合でもカレントミラー比の温度特性の取得が可能となる。

実施例２の温度検出ダイオードに代えて変形例１と同様にサーミスタ５８を用いてもよい。また、実施例２の駆動回路に変形例２と同様に駆動電圧制御回路３１２を設けて制御回路の過電流検出制御部で制御するようにしてもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

実施態様を下記に付記する。
（付記１）
電子装置の製造方法は、
（ａ）スイッチング素子と駆動電流を出力する端子とセンス電流を出力する端子とを備える電力用半導体装置と、前記スイッチング素子を駆動するゲート回路を有する第１の半導体集積回路装置と、前記ゲート回路を制御する制御部と電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリを有する第２の半導体集積回路装置と、準備する工程と、
（ｂ）前記電力用半導体装置のカレントミラー比の温度特性を取得する工程と、
を含む。
（付記２）
付記１の電子装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）第１の温度環境の温度を検出し、不揮発性メモリに格納するステップと、
（ｂ２）前記第１の温度環境で前記カレントミラー比を検出し、前記不揮発性メモリに格納するステップと、
（ｂ３）第２の温度環境の温度を検出するステップと、
（ｂ４）前記第２の温度環境で前記カレントミラー比を検出するステップと、
（ｂ５）前記（ｂ１）から（ｂ４）のステップで得られる前記温度および前記カレントミラー比に基づいて温度特性を取得し、前記不揮発性メモリに格納するステップと、
を含む。
（付記３）
（付記１）の電子装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記電力用半導体装置から当該電力用半導体装置の識別情報を認識するステップと、
（ｂ２）前記識別情報に対応するカレントミラー比の温度特性を外部データベースから取得し、前記不揮発性メモリに格納するステップと、
を含む。
（付記４）
（付記３）の電子装置の製造方法において、
前記カレントミラー比の温度特性データは当該電力用半導体装置の製造時のウェハテストにより得るものである。
（付記５）
（付記１）の電子装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記電力用半導体装置からカレントミラー比の温度特性を取得するステップと、
（ｂ２）前記取得したカレントミラー比の温度特性を前記不揮発性メモリに格納するステップと、
を含む。

１・・・電動機システム
１０・・・三相モータ
１１・・・変流器
２０・・・インバータ回路
２１・・・電力用半導体装置
２２・・・ＩＧＢＴ
３０・・・ドライバＩＣ
３１・・・駆動回路
３１１・・・駆動トランジスタ
３１２・・・駆動電圧制御回路
３２・・・過電流検出回路
３２１・・・コンパレータ
３２２・・・基準電圧生成回路
３３・・・温度検出回路
３３１・・・Ａ／Ｄ変換回路
３３２・・・電流バイアス回路
３４・・・ＩＤ読出回路
３５・・・アイソレータ
３６・・・ＣＰＵインタフェース回路
４０・・・制御回路
４１・・・ＣＰＵ
４２・・・ＰＷＭ回路
４３・・・Ｉ／Ｏインタフェース
４４・・・Ｉ／Ｏインタフェース
４５・・・Ａ／Ｄ変換回路
４６・・・ＰＣインタフェース
４７・・・記憶装置

Claims (8)

1. 電力用半導体装置と、
   前記電力用半導体装置を駆動する第１の半導体集積回路装置と、
   前記第１の半導体集積回路装置を制御する第２の半導体集積回路装置と、
   を備え、
   前記電力用半導体装置は、
   駆動電流を出力する端子と、
   センス電流を出力する端子と、
   当該電力用半導体装置のＩＤコードを有するＩＤ回路と、
   を備え、
   前記第１の半導体集積回路装置は、
   前記電力用半導体装置を駆動する駆動回路と、
   前記センス電流に基づいて過電流を検出する過電流検出回路と、
   前記電力用半導体装置の温度を検出する温度検出回路と、
   前記ＩＤコードを前記ＩＤ回路から読み出すＩＤ読出回路と、
   を備え、
   前記第２の半導体集積回路装置は、
   前記電力用半導体装置のカレントミラー比の温度特性を格納する記憶装置と、
   前記温度検出回路の出力に基づいて温度を算出する温度検出部と、
   前記温度検出部が検出した温度と前記記憶装置に格納されたカレントミラー比の温度特性とに基づいて、前記過電流検出回路を制御する過電流検出制御部と、
   前記ＩＤ読出回路からの前記ＩＤコードを認識するＩＤ認識部と、
   を備え、
   前記ＩＤコードに基づいて前記電力用半導体装置の製造時のウェハテストによって得られた前記温度特性を前記記憶装置に格納する電子装置。
2. 請求項１の電子装置において、
   前記第２の半導体集積回路装置は外部記憶装置に格納される前記カレントミラー比の温度特性を前記記憶装置に格納するためのＰＣインタフェースを備える電子装置。
3. 請求項１の電子装置において、
   前記ＩＤコードには前記カレントミラー比の温度特性が含まれている電子装置。
4. 電力用半導体装置と、
   前記電力用半導体装置を駆動する第１の半導体集積回路装置と、
   前記第１の半導体集積回路装置を制御する第２の半導体集積回路装置と、
   を備え、
   前記電力用半導体装置は、
   駆動電流を出力する端子と、
   センス電流を出力する端子と、
   を備え、
   前記第１の半導体集積回路装置は、
   前記電力用半導体装置を駆動する駆動回路と、
   前記センス電流に基づいて過電流を検出する過電流検出回路と、
   前記電力用半導体装置の温度を検出する温度検出回路と、
   前記センス電流を検出する回路と、
   を備え、
   前記第２の半導体集積回路装置は、
   前記電力用半導体装置のカレントミラー比の温度特性を格納する記憶装置と、
   前記温度検出回路の出力に基づいて温度を算出する温度検出部と、
   前記温度検出部が検出した温度と前記記憶装置に格納されたカレントミラー比の温度特性とに基づいて、前記過電流検出回路を制御する過電流検出制御部と、
   前記電力用半導体装置の駆動電流と前記センス電流とを取得する電流検出部と、
   を備え、
   前記駆動回路は駆動電圧を制御する駆動電圧制御回路を備え、
   前記過電流検出制御部は前記電流検出部で検出した前記駆動電流と前記センス電流とに基づいて前記駆動電圧制御回路を制御する電子装置。
5. 請求項４の電子装置において、
   前記過電流検出制御部は前記電流検出部で検出した前記駆動電流と前記センス電流とに基づいてカレントミラー比を計算し前記記憶装置に格納する電子装置。
6. 請求項１または４の電子装置において、
   前記第２の半導体集積回路装置はＣＰＵとプログラムを格納するメモリとを備える電子装置。
7. 請求項６の電子装置において、
   前記記憶装置およびメモリはフラッシュメモリである電子装置。
8. 請求項１または４の電子装置において、
   前記駆動回路は、前記過電流検出回路からの信号に基づいて駆動を停止または抑制する電子装置。

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