TWI566036B - 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 - Google Patents
感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI566036B TWI566036B TW104110487A TW104110487A TWI566036B TW I566036 B TWI566036 B TW I566036B TW 104110487 A TW104110487 A TW 104110487A TW 104110487 A TW104110487 A TW 104110487A TW I566036 B TWI566036 B TW I566036B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- methyl
- polyoxyalkylene
- titanium
- ethyl
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本發明是有關於一種感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件。特別是關於一種顯影時的密著性佳的感光性聚矽氧烷組成物、其所形成的保護膜,以及具有保護膜的元件。
近年來,隨著半導體工業、液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)以及有機電激發光顯示器(organic electro-luminescence display,OELD)的發展,伴隨而來對於尺寸縮小化的需求,使得微影(photolithography)製程成為非常重要的議題。在微影(photolithography)製程中,必須將所需的圖案(pattern)的微細化(finer),以達到尺寸縮小化的目的。一般而言,微細化的圖案是由對具有高解析(resolution)及高感光性(photosensitivity)的正型感光性聚矽氧烷組成物(positive photosensitive polysiloxane composition)進行曝光及顯影來形成。值得一提的是,正型感光性
聚矽氧烷組成物通常是以聚矽氧烷(polysiloxane)為主要成分。
在液晶顯示器或有機電激發光顯示器中,層狀配線間通常會配置層間絕緣膜。感光性材料由於獲得圖案形狀的必要步驟數較少,同時,所獲得的絕緣膜平坦度佳,故被廣泛使用於形成層間絕緣膜的材料。
然而,由於聚矽氧烷的折射率比丙烯酸系樹脂(acrylic resin)低,因此塗佈於銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)等的其他層的表面時,由於折射率差大而容易見到ITO圖案,故存在液晶顯示畫面視認性低的缺點。
日本特開第2008-24832號公報提出一種含有矽氧烷(siloxane)化合物的高折射率材料,其中該矽氧烷具有芳香族烴基,但近年來更需要可形成具有高折射率的硬化膜的材料。具有高折射率的矽氧烷類材料例如是在金屬化合物粒子的存在下,使烷氧基矽烷經水解、縮合反應而得的矽氧烷類樹脂組成物。然而,該矽氧烷類樹脂組成物在曝光時的感度不充分,且由於顯影時發生殘留而解析度不佳。亦即,該矽氧烷類樹脂組成物在顯影時的密著性不佳。
因此,如何達到目前業界對顯影時的密著性的要求,實為本發明所屬技術領域中努力研究的目標。
有鑑於此,本發明提供一種顯影時的密著性佳的感光性
聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件。
本發明提供一種感光性聚矽氧烷組成物,其包括聚矽氧烷(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)以及溶劑(C)。聚矽氧烷(A)是由單體組分聚縮合而得,其中單體組分包括含鈦化合物(a-1)與式(2)表示的矽烷單體(a-2)。含鈦化合物(a-1)選自由式(1-1)表示的化合物以及加水分解性鈦二聚體所組成的族群。
Ti(R1)a(R2)4-a 式(1-1)
式(1-1)中,R1各自獨立表示具有烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烯基、環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基或氰基的有機基,且所述有機基藉由Ti-C鍵與鈦原子鍵結;R2各自獨立表示烷氧基、醯氧基或鹵素原子;a表示0至2的整數,
Si(Ra)w(ORb)4-w 式(2)
式(2)中,Ra各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為6至15的芳基、含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基;Rb各自獨立表示氫原子、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的醯基或碳數為6至15的芳基;w表示1至3的整數。
在本發明的一實施例中,上述的式(2)中,至少一個Ra表
示含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基。
在本發明的一實施例中,上述的聚矽氧烷(A)的聚縮合所使用的溶劑包括酮類溶劑。
在本發明的一實施例中,上述的聚矽氧烷(A)的重量平均分子量為600至4000。
在本發明的一實施例中,基於聚矽氧烷(A)為100重量份,鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的使用量為1至35重量份,並且溶劑(C)的使用量為100至1200重量份。
本發明另提供一種保護膜,其是將上述的感光性聚矽氧烷組成物塗佈於元件上,再經預烤、曝光、顯影及後烤後而形成。
本發明還提供一種具有保護膜的元件,其包括元件以及上述的保護膜,其中保護膜覆蓋在元件上。
基於上述,由於本發明的感光性聚矽氧烷組成物含有由特定的含鈦化合物聚縮合而得的聚矽氧烷,因此顯影時的密著性佳,而適用於形成保護膜。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例作詳細說明如下。
本發明提供一種感光性聚矽氧烷組成物,其包括聚矽氧烷(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)以及溶劑(C)。此外,若需要,感光性聚矽氧烷組成物可更包括添加劑(D)。
以下將詳細說明用於本發明的感光性聚矽氧烷組成物的各個成分。
在此說明的是,以下是以(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及/或甲基丙烯酸,並以(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯;同樣地,以(甲基)丙烯醯基表示丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基。
聚矽氧烷(A)是由單體組分聚縮合而得,其中單體組分包括含鈦化合物(a-1)與矽烷單體(a-2)。另外,單體組分可更包括但不限於除了鈦化合物(a-1)及矽烷單體(a-2)以外的矽氧烷預聚物(a-3)、二氧化矽粒子(a-4),或其組合。以下,進一步說明合成聚矽氧烷(A)的單體組分的各個成分以及聚縮合的反應步驟與條件。
含鈦化合物(a-1)選自由式(1-1)表示的化合物以及加水分解性鈦二聚體所組成的族群。
Ti(R1)a(R2)4-a 式(1-1)
式(1-1)中,R1各自獨立表示具有烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烯基、環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基或氰基的有機基,且所述有機基藉由Ti-C鍵與鈦原子鍵結;R2各自獨立表示烷氧基、醯氧基或鹵素原子;a表示0至2的整數。
由式(1-1)表示的化合物中,較佳為使用a表示0的化合物。
烷基可為具有直鏈或分支的碳數為1至10的烷基,例如是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、1-甲基正丁基、2-甲基正丁基、3-甲基正丁基、1,1-二甲基正丙基、1,2-二甲基正丙基、2,2-二甲基正丙基、1-乙基正丙基、正己基、1-甲基正戊基、2-甲基正戊基、3-甲基正戊基、4-甲基正戊基、1,1-二甲基正丁基、1,2-二甲基正丁基、1,3-二甲基正丁基、2,2-二甲基正丁基、2,3-二甲基正丁基、3,3-二甲基正丁基、1-乙基正丁基、2-乙基正丁基、1,1,2-三甲基正丙基、1,2,2-三甲基正丙基、1-乙基-1-甲基正丙基或1-乙基-2-甲基正丙基。
又,烷基亦可為碳數為1至10的環狀烷基,例如是環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-
二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基或2-乙基-3-甲基-環丙基。
又,碳數為1至10的伸烷基,可為由上述烷基所衍生的伸烷基。
芳基可為碳數為6至20的芳基,例如是苯基、鄰甲基苯基、間甲基苯基、對甲基苯基、鄰氯苯基、間氯苯基、對氯苯基、鄰氟苯基、對巰基苯基、鄰甲氧基苯基、對甲氧基苯基、對胺基苯基、對氰基苯基、α-萘基、β-萘基、鄰聯苯基、間聯苯基、對聯苯基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基或9-菲基。
烯基可為碳數為2至10的烯基,例如是乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、
2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-環戊烯基、2-環戊烯基、3-環戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-第二丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-第三丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基、1-異丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-環戊烯基、1-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-1-環戊烯基、2-甲基-2-環戊烯基、2-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-4-環戊烯
基、2-甲基-5-環戊烯基、2-甲基-環戊基、3-甲基-1-環戊烯基、3-甲基-2-環戊烯基、3-甲基-3-環戊烯基、3-甲基-4-環戊烯基、3-甲基-5-環戊烯基、3-甲基-環戊基、1-環己烯基、2-環己烯基或3-環己烯基等。
又,鹵化烷基及鹵化芳基例如是在上述烷基或芳基中,1個以上的氫原子經氟原子、氯原子、溴原子或碘原子等的鹵素原子取代的烷基或芳基。
具有環氧基的有機基例如是環氧丙氧基甲基(glycidoxymethyl)、環氧丙氧基乙基、環氧丙氧基丙基、環氧丙氧基丁基或環氧環己基等。
具有丙烯醯基(acryloyl)的有機基例如是丙烯醯基甲基、丙烯醯基乙基或丙烯醯基丙基等。
具有甲基丙烯醯基(methacryloyl)的有機基例如是甲基丙烯醯基甲基、甲基丙烯醯基乙基或甲基丙烯醯基丙基等。
具有巰基的有機基例如是乙基巰基、丁基巰基、己基巰基或辛基巰基等。
具有胺基的有機基例如是胺基甲基、胺基乙基或胺基丙基等。
具有氰基的有機基例如是氰基乙基或氰基丙基等。
具有磺醯基(Sulfonyl)的有機基例如是甲基磺醯基、烯丙基磺醯基或苯基磺醯基等。
烷氧基可為碳數為1至30的烷氧基,較佳為碳數為1至
10的烷氧基,例如是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、1-甲基正丁氧基、2-甲基正丁氧基、3-甲基正丁氧基、1,1-二甲基正丙氧基、1,2-二甲基正丙氧基、2,2-二甲基正丙氧基、1-乙基正丙氧基、正己氧基、1-甲基正戊氧基、2-甲基正戊氧基、3-甲基正戊氧基、4-甲基正戊氧基、1,1-二甲基正丁氧基、1,2-二甲基正丁氧基、1,3-二甲基正丁氧基、2,2-二甲基正丁氧基、2,3-二甲基正丁氧基、3,3-二甲基正丁氧基、1-乙基正丁氧基、2-乙基正丁氧基、1,1,2-三甲基正丙氧基、1,2,2,-三甲基正丙氧基、1-乙基-1-甲基正丙氧基、1-乙基-2-甲基正丙氧基或苯氧基等。
醯氧基(acyloxy)可為碳數為1至30的醯氧基,較佳為碳數為1至10的醯氧基,例如是甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、異丙基羰氧基、環丙基羰氧基、正丁基羰氧基、異丁基羰氧基、第二丁基羰氧基、第三丁基羰氧基、環丁基羰氧基、1-甲基-環丙基羰氧基、2-甲基-環丙基羰氧基、正戊基羰氧基、1-甲基正丁基羰氧基、2-甲基正丁基羰氧基、3-甲基正丁基羰氧基、1,1-二甲基正丙基羰氧基、1,2-二甲基正丙基羰氧基、2,2-二甲基正丙基羰氧基、1-乙基正丙基羰氧基、環戊基羰氧基、1-甲基-環丁基羰氧基、2-甲基-環丁基羰氧基、3-甲基-環丁基羰氧基、1,2-二甲基-環丙基羰氧基、2,3-二甲基-環丙基羰氧基、1-乙基-環丙基羰氧基、2-乙基-環丙基羰氧基、正己基羰氧基、1-甲基正戊基羰氧基、2-甲基正戊基羰氧基、3-甲基正戊基羰氧基、4-甲基正戊基
羰氧基、1,1-二甲基正丁基羰氧基、1,2-二甲基正丁基羰氧基、1,3-二甲基正丁基羰氧基、2,2-二甲基正丁基羰氧基、2,3-二甲基正丁基羰氧基、3,3-二甲基正丁基羰氧基、1-乙基正丁基羰氧基、2-乙基正丁基羰氧基、1,1,2-三甲基正丙基羰氧基、1,2,2-三甲基正丙基羰氧基、1-乙基-1-甲基正丙基羰氧基、1-乙基-2-甲基正丙基羰氧基、環己基羰氧基、1-甲基-環戊基羰氧基、2-甲基-環戊基羰氧基、3-甲基-環戊基羰氧基、1-乙基-環丁基羰氧基、2-乙基-環丁基羰氧基、3-乙基-環丁基羰氧基、1,2-二甲基-環丁基羰氧基、1,3-二甲基-環丁基羰氧基、2,2-二甲基-環丁基羰氧基、2,3-二甲基-環丁基羰氧基、2,4-二甲基-環丁基羰氧基、3,3-二甲基-環丁基羰氧基、1-正丙基-環丙基羰氧基、2-正丙基-環丙基羰氧基、1-異丙基-環丙基羰氧基、2-異丙基-環丙基羰氧基、1,2,2-三甲基-環丙基羰氧基、1,2,3-三甲基-環丙基羰氧基、2,2,3-三甲基-環丙基羰氧基、1-乙基-2-甲基-環丙基羰氧基、2-乙基-1-甲基-環丙基羰氧基、2-乙基-2-甲基-環丙基羰氧基、2-乙基-3-甲基-環丙基羰氧基或2-(丁氧基羰基)苯基]羰基]氧基([[2-(butoxycarbonyl)phenyl]carbonyl]oxy)等。
鹵素原子例如是氟原子、氯基、溴原子或碘原子。
由式(1-1)表示的化合物(加水分解性鈦化合物)中,若R2為烷氧基時,R2可為相同的烷氧基或相異的烷氧基。又,若R2為醯氧基或鹵素原子時,R2可為相同的醯氧基或鹵素原子或相異的醯氧基或鹵素原子。
由式(1-1)表示的化合物(加水分解性鈦化合物)的具體例
包括四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四正丁氧基鈦、四異丁氧基鈦、四-2-乙基己醇鈦(titanium 2-ethyl hexoxide)、四(甲氧基丙氧基)鈦、四苯氧基鈦、四苄氧基鈦、四苯基乙氧基鈦、四苯氧基乙氧基鈦、四萘氧基鈦(tetranaphthyloxy titanium)、四-2-乙基己氧基鈦、單乙氧基三異丙氧基鈦、二異丙氧基二異丁氧基鈦、烯丙氧基(聚乙烯氧基)三異丙氧基鈦、三異丙醇氯化鈦(titanium chloride triisopropoxide)、二乙醇二氯化鈦、2-乙基己醇鈦、三異丙醇碘化鈦、四甲氧基丙醇鈦、四甲基苯酚鈦、正壬醇鈦、四硬脂醇鈦或三異硬脂醯基單異丙醇鈦等的烷氧基鈦;四甲基羰氧基鈦、四乙基羰氧基鈦、四正丙基羰氧基鈦、四異丙基羰氧基鈦、甲基羰氧基三乙基羰氧基鈦、二乙基羰氧基二異丙基羰氧基鈦或二丁氧基雙[[[2-(丁氧基羰基)苯基]羰基]氧基]鈦(Dibutoxybis[[[2-(butoxycarbonyl)phenyl]carbonyl]oxy]titanium(IV))等的醯氧基鈦;四氟化鈦、四氯化鈦、四溴化鈦或四碘化鈦等的鹵化鈦;三異丙醇甲基鈦、三異丙醇乙基鈦或三異丁醇甲基鈦等的加水分解性烷基烷氧基鈦;或上述化合物的組合。
加水分解性鈦二聚體是烷氧基鈦、鹵化鈦、醯氧基鈦藉由Ti-O-Ti鍵結而二聚合化(dimerization)。具體而言,加水分解性鈦二聚體為由式(1-2)表示的化合物。
(R3)3-Ti-O-Ti-(R3)3 式(1-2)
式(1-2)中,R3各自獨立表示烷氧基、醯氧基或鹵素原子。
加水分解性鈦二聚體的具體例包括丁醇鈦二聚物、異丁醇鈦二聚物、丙醇鈦二聚物或異丙醇鈦二聚物。
含鈦化合物(a-1)的具體例較佳為包括四異丁氧基鈦、四-2-乙基己醇鈦、二丁氧基雙[[[2-(丁氧基羰基)苯基]羰基]氧基]鈦、丙醇鈦二聚物,或上述化合物的組合。
基於合成聚矽氧烷(A)的單體組分中的單體的總量為100莫耳百分率,含鈦化合物(a-1)的使用量為10莫耳百分率至60莫耳百分率,較佳為15莫耳百分率至55莫耳百分率,且更佳為20莫耳百分率至55莫耳百分率。當合成聚矽氧烷(A)的單體組分中,未包括含鈦化合物(a-1)時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著性不佳。
矽烷單體(a-2)為由式(2)表示的化合物。
Si(Ra)w(ORb)4-w 式(2)
式(2)中,Ra各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為6至15的芳基、含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基;Rb各自獨立表示氫原子、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的醯基或碳數為6
至15的芳基;w表示1至3的整數。
更詳細而言,當式(2)中的Ra表示碳數為1至10的烷基時,具體而言,Ra例如是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正己基或正癸基。又,Ra也可以是烷基上具有其他取代基的烷基,具體而言,Ra例如是三氟甲基、3,3,3-三氟丙基、3-胺丙基、3-巰丙基或3-異氰酸丙基。
當式(2)中的Ra表示碳數為2至10的烯基時,具體而言,Ra例如是乙烯基。又,Ra也可以是烯基上具有其他取代基的烯基,具體而言,Ra例如是3-丙烯醯氧基丙基或3-甲基丙烯醯氧基丙基。
當式(2)中的Ra表示碳數為6至15的芳基時,具體而言,Ra例如是苯基、甲苯基(tolyl)或萘基(naphthyl)。又,Ra也可以是芳基上具有其他取代基的芳基,具體而言,Ra例如是對-羥基苯基(o-hydroxyphenyl)、1-(對-羥基苯基)乙基(1-(o-hydroxyphenyl)ethyl)、2-(對-羥基苯基)乙基(2-(o-hydroxyphenyl)ethyl)或4-羥基-5-(對-羥基苯基羰氧基)戊基(4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pentyl)。
此外,式(2)中的Ra表示含有酸酐基的烷基,其中烷基較佳為碳數為1至10的烷基。具體而言,所述含有酸酐基的烷基例如是式(2-1)所示的乙基丁二酸酐、式(2-2)所示的丙基丁二酸酐或式(2-3)所示的丙基戊二酸酐。值得一提的是,酸酐基是由二羧酸(dicarboxylic acid)經分子內脫水(intramolecular dehydration)所形成的基團,其中二羧酸例如是丁二酸或戊二酸。
再者,式(2)中的Ra表示含有環氧基的烷基,其中烷基較佳為碳數為1至10的烷基。具體而言,所述含有環氧基的烷基例如是環氧丙烷基戊基(oxetanylpentyl)或2-(3,4-環氧環己基)乙基(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)。值得一提的是,環氧基是由二元醇(diol)經分子內脫水所形成的基團,其中二元醇例如是丙二醇、丁二醇或戊二醇。
式(2)中的Ra表示含有環氧基的烷氧基,其中烷氧基較佳為碳數為1至10的烷氧基。具體而言,所述含有環氧基的烷氧基例如是環氧丙氧基丙基(glycidoxypropyl)或2-環氧丙烷基丁氧基
(2-oxetanylbutoxy)。
另外,當式(2)的Rb表示碳數為1至6的烷基時,具體而言,Rb例如是甲基、乙基、正丙基、異丙基或正丁基。當式(2)中的Rb表示碳數為1至6的醯基時,具體而言,Rb例如是乙醯基。當式(2)中的Rb表示碳數為6至15的芳基時,具體而言,Rb例如是苯基。
在式(2)中,w表示1至3的整數。當w表示2或3時,多個Ra可為相同或不同;當w表示1或2時,多個Rb可為相同或不同。
矽烷單體(a-2)的具體例包括不含有酸酐基或環氧基的矽烷單體、含有酸酐基或環氧基的矽烷單體,或其組合。矽烷單體(a-2)的具體例較佳為含有酸酐基或環氧基的矽烷單體。當感光性聚矽氧烷組成物中,合成聚矽氧烷(A)的單體組分包括含有酸酐基或環氧基的矽烷單體時,感光性聚矽氧烷組成物的顯影時的密著性較佳。換言之,式(2)中,較佳為存在至少一個Ra表示含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基。
以下說明不含有酸酐基或環氧基的矽烷單體、含有酸酐基或環氧基的矽烷單體。在式(2)中,當w=0時,表示矽烷單體為四官能性矽烷單體(亦即具有四個可水解基團的矽烷單體);當w=1時,表示矽烷單體為三官能性矽烷單體(亦即具有三個可水解基團的矽烷單體);當w=2時,表示矽烷單體為二官能性矽烷單體(亦即具有二個可水解基團的矽烷單體);並且當w=3時,則表示矽烷
單體為單官能性矽烷單體(亦即具有一個可水解基團的矽烷單體)。值得一提的是,所述可水解基團是指可以進行水解反應並且與矽鍵結的基團,舉例來說,可水解基團例如是烷氧基、醯氧基(acyloxy group)或苯氧基(phenoxy group)。
由式(2)表示的矽烷單體的具體例包括但不限於:(1)四官能性矽烷單體:四甲氧基矽烷(tetramethoxysilane)、四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane)、四乙醯氧基矽烷(tetraacetoxysilane)或四苯氧基矽烷等(tetraphenoxy silane);(2)三官能性矽烷單體:甲基三甲氧基矽烷(methyltrimethoxysilane簡稱MTMS)、甲基三乙氧基矽烷(methyltriethoxysilane)、甲基三異丙氧基矽烷(methyltriisopropoxysilane)、甲基三正丁氧基矽烷(methyltri-n-butoxysilane)、乙基三甲氧基矽烷(ethyltrimethoxysilane)、乙基三乙氧基矽烷(ethyltriethoxysilane)、乙基三異丙氧基矽烷(ethyltriisopropoxysilane)、乙基三正丁氧基矽烷(ethyltri-n-butoxysilane)、正丙基三甲氧基矽烷(n-propyltrimethoxysilane)、正丙基三乙氧基矽烷(n-propyltriethoxysilane)、正丁基三甲氧基矽烷(n-butyltrimethoxysilane)、正丁基三乙氧基矽烷(n-butyltriethoxysilane)、正己基三甲氧基矽烷(n-hexyltrimethoxysilane)、正己基三乙氧基矽烷(n-hexyltriethoxysilane)、癸基三甲氧基矽烷
(decyltrimethoxysilane)、乙烯基三甲氧基矽烷(vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基矽烷(vinyltriethoxysilane)、苯基三甲氧基矽烷(phenyltrimethoxysilane,PTMS)、苯基三乙氧基矽烷(phenyltriethoxysilane,PTES)、對-羥基苯基三甲氧基矽烷(p-hydroxyphenyltrimethoxysilane)、1-(對-羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷(1-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane)、2-(對-羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷(2-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane)、4-羥基-5-(對-羥基苯基羰氧基)戊基三甲氧基矽烷(4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pentyltrimethoxysilane)、三氟甲基三甲氧基矽烷(trifluoromethyltrimethoxysilane)、三氟甲基三乙氧基矽烷(trifluoromethyltriethoxysilane)、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane)、3-胺丙基三甲氧基矽烷(3-aminopropyltrimethoxysilane)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(3-aminopropyltriethoxysilane)、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷或3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷;(3)二官能性矽烷單體:二甲基二甲氧基矽烷(dimethyldimethoxysilane簡稱DMDMS)、二甲基二乙氧基矽烷(dimethyldiethoxysilane)、二甲基二乙醯氧基矽烷(dimethyldiacetyloxysilane)、二正丁基二甲氧基矽烷[di-n-butyldimethoxysilane]或二苯基二甲氧基矽烷
(diphenyldimethoxysilane);或(4)單官能性矽烷單體:三甲基甲氧基矽烷(trimethylmethoxysilane)或三正丁基乙氧基矽烷(tri-n-butylethoxysilane)等。所述的各種矽烷單體可單獨使用或組合多種來使用。
不含有酸酐基或環氧基的矽烷單體的具體例較佳為包括甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷,或上述化合物的組合。
含有酸酐基或環氧基的矽烷單體的具體例包括3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane,簡稱TMS-GAA)、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl trimethoxy silane)、2-環氧丙烷基丁氧基丙基三苯氧基矽烷(2-oxetanylbutoxypropyl triphenoxysilane)、由東亞合成所製造的市售品:2-環氧丙烷基丁氧基丙基三甲氧基矽烷(2-oxetanylbutoxypropyltrimethoxysilane,商品名TMSOX-D)、2-環氧丙烷基丁氧基丙基三乙氧基矽烷(2-oxetanylbutoxypropyltriethoxysilane,商品名TESOX-D)、3-(三苯氧基矽基)丙基丁二酸酐、由信越化學所製造的市售品:3-(三甲氧基矽基)丙基丁二酸酐(商品名X-12-967)、由WACKER公司所製造的市售品:3-(三乙氧基矽基)丙基丁二酸酐(商品名GF-20)、3-(三甲氧基矽基)丙基戊二酸酐(簡稱TMSG)、3-(三乙氧基矽基)丙基戊
二酸酐、3-(三苯氧基矽基)丙基戊二酸酐、二異丙氧基-二(2-環氧丙烷基丁氧基丙基)矽烷(diisopropoxy-di(2-oxetanylbutoxy propyl)silane,簡稱DIDOS)、二(3-環氧丙烷基戊基)二甲氧基矽烷(di(3-oxetanylpentyl)dimethoxy silane)、(二正丁氧基矽基)二(丙基丁二酸酐)、(二甲氧基矽基)二(乙基丁二酸酐)、3-環氧丙氧基丙基二甲基甲氧基矽烷(3-glycidoxypropyldimethylmethoxysilane)、3-環氧丙氧基丙基二甲基乙氧基矽烷(3-glycidoxypropyl dimethylethoxysilane)、二(2-環氧丙烷基丁氧基戊基)-2-環氧丙烷基戊基乙氧基矽烷(di(2-oxetanylbutoxypentyl)-2-oxetanyl pentylethoxy silane)、三(2-環氧丙烷基戊基)甲氧基矽烷(tri(2-oxetanylpentyl)methoxy silane)、(苯氧基矽基)三(丙基丁二酸酐)、(甲基甲氧基矽基)二(乙基丁二酸酐),或上述化合物的組合。
含有酸酐基或環氧基的矽烷單體的具體例較佳為包括3-(三乙氧基矽基)丙基丁二酸酐、3-(三甲氧基矽基)丙基戊二酸酐、(二甲氧基矽基)二(乙基丁二酸酐)、2-環氧丙烷基丁氧基丙基三甲氧基矽烷、2-環氧丙烷基丁氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷,或上述化合物的組合。
基於合成聚矽氧烷(A)的單體組分中的單體的總量為100莫耳百分率,矽烷單體(a-2)的使用量為40莫耳百分率至90莫耳百分率,較佳為35莫耳百分率至85莫耳百分率,且更佳為35莫耳百分率至80莫耳百分率。當合成聚矽氧烷(A)的單體組分中,未包括矽烷單體(a-2)時,感光性聚矽氧烷組成物於曝光後無法顯
影而不佳。
矽氧烷預聚物(a-3)是由式(3)表示的化合物。
式(3)中,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為2至6的烯基或碳數為6至15的芳基,其中該烷基、烯基及芳基中任一者可選擇地含有取代基;Ri與Rj各自獨立表示氫原子、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的醯基或碳數為6至15的芳基,其中該烷基、醯基及芳基中任一者可選擇地含有取代基;s表示1至1000的整數。
式(3)中,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立表示碳數為1至10的烷基,舉例來說,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立為甲基、乙基或正丙基等。式(3)中,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立表示碳數為2至10的烯基,舉例來說,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立為乙烯基、丙烯醯氧基丙基或甲基丙烯醯氧基丙基。式(3)中,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立表示碳數為6至15的芳基,舉例來說,Re、Rf、Rg及Rh各自獨立為苯基、甲苯基或萘基等。值得注意的是,所述烷基、烯基及芳基中任一者可選擇地具有取代基。
式(3)中,Ri與Rj各自獨立表示碳數為1至6的烷基,舉例來說,Ri與Rj各自獨立為甲基、乙基、正丙基、異丙基或正丁基。式(3)中,Ri與Rj各自獨立表示碳數為1至6的醯基,舉例來說,例如是乙醯基。式(3)中,Ri與Rj各自獨立表示碳數為6至15的芳基,舉例來說,例如是苯基。值得注意的是,上述烷基、醯基及芳基中任一者可選擇地具有取代基。
式(3)中,s可為1至1000的整數,較佳為3至300的整數,並且更佳為5至200的整數。當s為2至1000的整數時,Re各自為相同或不同的基團,且Rf各自為相同或不同的基團。
矽氧烷預聚物(a-3)的具體例包括但不限於1,1,3,3-四甲基-1,3-二甲氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙基-1,3-二乙氧基二矽氧烷或者由吉來斯特(Gelest)公司製造的末端為矽烷醇的聚矽氧烷(Silanol terminated polydimethylsiloxane)的市售品(商品名如DMS-S12(分子量400至700)、DMS-S15(分子量1500至2000)、DMS-S21(分子量4200)、DMS-S27(分子量18000)、DMS-S31(分子量26000)、DMS-S32(分子量36000)、DMS-S33(分子量43500)、DMS-S35(分子量49000)、DMS-S38(分子量58000)、DMS-S42(分子量77000)或PDS-9931(分子量1000至1400))。
矽氧烷預聚物(a-3)可單獨使用或組合多種來使用。
二氧化矽粒子(a-4)的平均粒徑並無特別的限制。平均粒徑的範圍為2nm至250nm,較佳為5nm至200nm,且更佳為10nm至100nm。
二氧化矽粒子的具體例包括但不限於由觸媒化成公司所製造的市售品(商品名如OSCAR 1132(粒徑12nm;分散劑為甲醇)、OSCAR 1332(粒徑12nm;分散劑為正丙醇)、OSCAR 105(粒徑60nm;分散劑為γ-丁內酯)、OSCAR 106(粒徑120nm;分散劑為二丙酮醇)等)、由扶桑化學公司所製造的市售品(商品名如Quartron PL-1-IPA(粒徑13nm;分散劑為異丙酮)、Quartron PL-1-TOL(粒徑13nm;分散劑為甲苯)、Quartron PL-2L-PGME(粒徑18nm;分散劑為丙二醇單甲醚)或Quartron PL-2L-MEK(粒徑18nm;分散劑為甲乙酮)等)或由日產化學公司所製造的市售品(商品名如IPA-ST(粒徑12nm;分散劑為異丙醇)、EG-ST(粒徑12nm;分散劑為乙二醇)、IPA-ST-L(粒徑45nm;分散劑為異丙醇)或IPA-ST-ZL(粒徑100nm;分散劑為異丙醇))。二氧化矽粒子可單獨使用或組合多種來使用。
一般而言,上述聚縮合反應是以下列步驟來進行:合成聚矽氧烷(A)的單體組分中添加溶劑、水,或可選擇性地添加觸媒(catalyst)以及於50℃至150℃下加熱攪拌0.5小時至120小時,
且可進一步藉由蒸餾(distillation)除去副產物(醇類、水等)。
聚縮合反應所使用的溶劑並沒有特別限制,且所述溶劑可與本發明的感光性聚矽氧烷組成物所包括的溶劑(D)相同或不同。
聚矽氧烷(A)的聚縮合所使用的溶劑較佳為包括酮類溶劑。酮類溶劑的具體例包括丙酮、甲基乙基酮、甲基丙基酮、甲基異丙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、甲基正己基酮、二乙基酮、二異丙基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、環庚酮、甲基環己酮、乙醯丙酮、二丙酮醇、環己烯-1-酮,或其組合;其中較佳為甲基異丁基酮、二異丙基酮、環己酮,或其組合。當聚矽氧烷(A)的聚縮合所使用的溶劑包括酮類溶劑時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著性較佳。
基於合成聚矽氧烷(A)的單體組分的總量為100克,溶劑的使用量較佳為15克至1200克;更佳為20克至1100克;且再更佳為30克至1000克。
基於合成聚矽氧烷(A)的單體組分的可水解基團為1莫耳,聚縮合反應所使用的水(亦即用於水解的水)為0.5莫耳至2莫耳。
聚縮合反應所使用的觸媒沒有特別的限制,且較佳為選自酸觸媒或鹼觸媒。酸觸媒的具體例包括但不限於鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸(hydrofluoric acid)、草酸、磷酸、醋酸、三氟醋酸、蟻酸、多元羧酸或其酸酐或離子交換樹脂等。鹼觸媒的具體例包
括但不限於二乙胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、含有胺基的具有烷氧基的矽烷或離子交換樹脂等。
基於合成聚矽氧烷(A)的單體組分的總量為100克,觸媒的使用量較佳為0.005克至15克;更佳為0.01克至12克;且較佳為0.05克至10克。
基於安定性(stability)的觀點,聚矽氧烷(A)較佳為不含副產物(如醇類或水)及觸媒。因此,可選擇性地將聚縮合反應後的反應混合物進行純化(purification)來獲得的聚矽氧烷(A)。純化的方法無特別限制,較佳為可使用疏水性溶劑(hydrophobic solvent)稀釋反應混合物。接著,將疏水性溶劑與反應混合物轉移至分液漏斗(separation funnel)。然後,以水洗滌數回有機層,再以旋轉蒸發器(rotary evaporator)濃縮有機層,以除去醇類或水。另外,可使用離子交換樹脂除去觸媒。
聚矽氧烷(A)的重量平均分子量為600至4000,較佳為800至4000。當聚矽氧烷(A)的重量平均分子量於上述範圍時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著性較佳。
鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的種類沒有特別的限制,可使用一般所使用的鄰萘醌二疊氮磺酸酯,惟其可達到本發明所訴求的目的即可。所述鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)可為完全酯化(completely
esterify)或部分酯化(partially esterify)的酯類化合物(ester-based compound)。
鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)較佳為由鄰萘醌二疊氮磺酸(o-naphthoquinonediazidesulfonic acid)或其鹽類與羥基化合物反應來製備。鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)更佳為由鄰萘醌二疊氮磺酸或其鹽類與多元羥基化合物(polyhydroxy compound)反應來製備。
鄰萘醌二疊氮磺酸的具體例包括但不限於鄰萘醌二疊氮-4-磺酸、鄰萘醌二疊氮-5-磺酸或鄰萘醌二疊氮-6-磺酸等。此外,鄰萘醌二疊氮磺酸的鹽類例如是鄰萘醌二疊氮磺醯基鹵化物(diazonaphthoquinone sulfonyl halide)。
羥基化合物的具體例包括但不限於羥基二苯甲酮類化合物、羥基芳基類化合物、(羥基苯基)烴類化合物、其他芳香族羥基類化合物,或上述化合物的組合。
(1)羥基二苯甲酮類化合物(hydroxybenzophenone-based compound)的具體例包括但不限於2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,4'-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,4,2',4'-四羥基二苯甲酮、2,4,6,3',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',5'-五羥基二苯甲酮、2,4,5,3',5'-五羥基二苯甲酮或2,3,4,3',4',5'-六羥基二苯甲酮等。
(2)羥基芳基類化合物(hydroxyaryl-based compound)的具體例包括但不限於由式(4-1)表示的羥基芳基類化合物。
式(4-1)中,B1及B2各自獨立表示氫原子、鹵素原子或碳數為1至6烷基;B3、B4及B7各自獨立表示氫原子或碳數為1至6的烷基;B5、B6、B8、B9、B10及B11各自獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的烷氧基、碳數為1至6的烯基或環烷基(cycloalkyl);h、i及j各自獨立表示1至3的整數;k表示0或1。
具體而言,由式(4-1)表示的羥基芳基類化合物的具體例包括但不限於三(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-
羥基苯基)-3-甲氧基-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(3-環己基-6-羥基-4-甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙基]苯,或上述化合物的組合。
(3)(羥基苯基)烴類化合物((hydroxyphenyl)hydrocarbon compound)的具體例包括但不限於由式(4-2)表示的(羥基苯基)烴類化合物。
式(4-2)中,B12與B13各自獨立表示氫原子或碳數為1至6的
烷基;m及n各自獨立表示1至3的整數。
具體而言,由式(4-2)表示的(羥基苯基)烴類化合物的具體例包括但不限於2-(2,3,4-三羥基苯基)-2-(2',3',4'-三羥基苯基)丙烷、2-(2,4-二羥基苯基)-2-(2',4'-二羥基苯基)丙烷、2-(4-羥基苯基)-2-(4'-羥基苯基)丙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷或雙(2,4-二羥基苯基)甲烷等。
(4)其他芳香族羥基類化合物的具體例包括但不限於苯酚(phenol)、對-甲氧基苯酚、二甲基苯酚、對苯二酚、雙酚A、萘酚、鄰苯二酚、1,2,3-苯三酚甲醚、1,2,3-苯三酚-1,3-二甲基醚、3,4,5-三羥基苯甲酸、或者部分酯化或部分醚化(etherify)的3,4,5-三羥基苯甲酸等。
羥基化合物較佳為1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮或其組合。羥基化合物可單獨使用或組合多種來使用。
鄰萘醌二疊氮磺酸或其鹽類與羥基化合物的反應通常在二氧雜環己烷(dioxane)、N-吡咯烷酮(N-pyrrolidone)或乙醯胺(acetamide)等有機溶劑中進行。此外,上述反應較佳為在三乙醇胺、鹼金屬碳酸鹽或鹼金屬碳酸氫鹽等鹼性縮合劑(condensing agent)進行。
鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的酯化度(degree of esterification)較佳為50%以上,亦即基於羥基化合物中的羥基總量為100莫耳百分率(mol%),羥基化合物中有50mol%以上的羥基與鄰萘醌二
疊氮磺酸或其鹽類進行酯化反應。鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的酯化度更佳為60%以上。
基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的使用量為1至35重量份;較佳為1至30重量份;且更佳為5至30重量份。
溶劑(C)的種類沒有特別的限制。溶劑(C)例如是含醇式羥基(alcoholic hydroxy)的化合物或含羰基(carbonyl group)的環狀化合物等。
含醇式羥基的化合物的具體例包括但不限於丙酮醇(acetol)、3-羥基-3-甲基-2-丁酮(3-hydroxy-3-methyl-2-butanone)、4-羥基-3-甲基-2-丁酮(4-hydroxy-3-methyl-2-butanone)、5-羥基-2-戊酮(5-hydroxy-2-pehtanone)、4-羥基-4-甲基-2-戊酮(4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone)(亦稱為二丙酮醇(diacetone alcohol,DAA))、乳酸乙酯(ethyl lactate)、乳酸丁酯(butyl lactate)、丙二醇單甲醚propylene glycol monomethyl ether)、丙二醇單乙醚(propylene glycol monoethyl ether,PGEE)、丙二醇單甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)、丙二醇單正丙醚(propylene glycol mono-n-propyl ether)、丙二醇單正丁醚(propylene glycol mono-n-butyl ether)、丙二醇單第三丁醚(propylene glycol mono-t-butyl ether)、3-甲氧基-1-丁醇
(3-methoxy-1-butanol)、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇(3-methyl-3-methoxy-1-butanol)或其組合。值得注意的是,含醇式羥基的化合物較佳為二丙酮醇、乳酸乙酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚醋酸酯或其組合。含醇式羥基的化合物可單獨使用或組合多種來使用。
含羰基的環狀化合物的具體例包括但不限於γ-丁內酯(γ-butyrolactone)、γ-戊內酯(γ-valerolactone)、δ-戊內酯(δ-valerolactone)、碳酸丙烯酯(propylene carbonate)、氮-甲基吡咯烷酮(N-methyl pyrrolidone)、環己酮(cyclohexanone)或環庚酮(cycloheptanone)等。值得注意的是,含羰基的環狀化合物較佳為γ-丁內酯、氮-甲基吡咯烷酮、環己酮或其組合。含羰基的環狀化合物可單獨使用或組合多種來使用。
含醇式羥基的化合物可與含羰基的環狀化合物組合使用,且其重量比率沒有特別限制。含醇式羥基的化合物與含羰基的環狀化合物的重量比值較佳為99/1至50/50;更佳為95/5至60/40。值得一提的是,當在溶劑(C)中,含醇式羥基的化合物與含羰基的環狀化合物的重量比值為99/1至50/50時,聚矽氧烷(A)中未反應的矽烷醇(silanol,Si-OH)基不易產生縮合反應而降低貯藏安定性(storage stability)。此外,由於含醇式羥基的化合物以及含羰基的環狀化合物與鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的相容性佳,因此於塗佈成膜時不易有白化的現象,可維持保護膜的透明性。
在不損及本發明的效果的範圍內,溶劑(C)亦可以含有其
他溶劑。其他溶劑例如是:(1)酯類:醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸異丙酯、醋酸正丁酯、醋酸異丁酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、3-甲氧基-1-醋酸丁酯或3-甲基-3-甲氧基-1-醋酸丁酯等;(2)酮類:丙酮、甲基乙基酮、甲基丙基酮、甲基異丙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、甲基正己基酮、二乙基酮、二異丙基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、環庚酮、甲基環己酮、乙醯丙酮、二丙酮醇或環己烯-1-酮等;或者(3)醚類:二乙醚、二異丙醚、二正丁醚或二苯醚等。
溶劑(C)可單獨使用或組合多種來使用。
基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,溶劑(C)的使用量為100至1200重量份;較佳為150至1000重量份;且更佳為150至900重量份。
本發明的感光性聚矽氧烷組成物可選擇性地進一步添加添加劑(D)。具體而言,添加劑(D)例如是增感劑(sensitizer)、密著助劑(adhesion auxiliary agent)、界面活性劑(surfactant)、溶解促進劑(solubility promoter)、消泡劑(defoamer)或其組合。
增感劑的種類並無特別的限制。增感劑較佳為使用含有酚式羥基(phenolic hydroxy)的化合物,其中含有酚式羥基的化合物的具體例包括但不限於三苯酚型化合物、雙苯酚型化合物、多核分枝型化合物、縮合型苯酚化合物、多羥基二苯甲酮類或上述
化合物的組合。
(1)三苯酚型化合物(trisphenol type compound)的具體例包括但不限於三(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羥基苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)-3-甲氧基-4-羥基苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-4-羥基苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3-羥基苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-2-羥基苯基甲烷或雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3,4-二羥基苯基甲烷。
(2)雙苯酚型化合物(bisphenol type compound)的具體例包括但不限於雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、雙(2,4-二羥基苯基)甲烷、2,3,4-三羥基苯基-4'-羥基苯基甲烷、2-(2,3,4-三羥基苯基)-2-(2',3',4'-三羥基苯基)丙烷、2-(2,4-二羥基苯基)-2-(2',4'-二羥基苯基)丙烷、2-(4-羥基苯基)-2-(4'-羥基苯基)丙烷、2-(3-氟基-4-羥基苯基)-2-(3'-氟基-4'-羥基苯基)丙烷、2-(2,4-二羥基苯基)-2-(4'-羥基苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥基苯基)-2-(4'-羥基苯基)丙烷或
2-(2,3,4-三羥基苯基)-2-(4'-羥基-3',5'-二甲基苯基)丙烷等。
(3)多核分枝型化合物(polynuclear branched compound)的具體例包括但不限於1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯或1-[1-(3-甲基-4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙基]苯等。
(4)縮合型苯酚化合物(condensation type phenol compound)的具體例包括但不限於1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷等。
(5)多羥基二苯甲酮類(polyhydroxy benzophenone)的具體例包括但不限於2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,4'-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基-2'-甲基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,4,2',4'-四羥基二苯甲酮、2,4,6,3',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',4'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,2',5'-五羥基二苯甲酮、2,4,6,3',4',5'-六羥基二苯甲酮或2,3,4,3',4',5'-六羥基二苯甲酮等。
基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,增感劑的使用量為5至50重量份;較佳為8至40重量份;且更佳為10至35重量份。
密著助劑的具體例包括三聚氰胺(melamine)化合物及矽烷系化合物等。密著助劑的作用在於增加由感光性聚矽氧烷組成物所形成的保護膜與被保護的元件之間的密著性。
三聚氰胺的市售品的具體例包括由三井化學製造的商品名為Cymel-300或Cymel-303等;或者由三和化學製造的商品名為MW-30MH、MW-30、MS-11、MS-001、MX-750或MX-706等。
當使用三聚氰胺化合物做為密著助劑時,基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,三聚氰胺化合物的使用量為0至20重量份;較佳為0.5至18重量份;且更佳為1.0至15重量份。
矽烷系化合物的具體例包括乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、氮-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、氮-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基二甲基甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷或由信越化學公司製造的市售品(商品名如KBM403)等。
當使用矽烷系化合物作為密著助劑時,基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,矽烷系化合物的使用量為0至2重量份;較佳為0.05至1重量份;且更佳為0.1至0.8重量份。
界面活性劑的具體例包括陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑、兩性界面活性劑、聚矽氧烷系界面活性劑、氟系界面活性劑或其組合。
界面活性劑的具體例包括但不限於(1)聚環氧乙烷烷基醚類(polyoxyethylene alkyl ethers):聚環氧乙烷十二烷基醚等;(2)聚環氧乙烷烷基苯基醚類(polyoxyethylene phenyl ethers):聚環氧乙烷辛基苯基醚、聚環氧乙烷壬基苯基醚等;(3)聚乙二醇二酯類
(polyethylene glycol diesters):聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬酸酯等;(4)山梨糖醇酐脂肪酸酯類(sorbitan fatty acid esters);(5)經脂肪酸改質的聚酯類(fatty acid modified poly esters);及(6)經三級胺改質的聚胺基甲酸酯類(tertiary amine modified polyurethanes)等。界面活性劑的市售商品的具體例包括KP(由信越化學工業製造)、SF-8427(由道康寧東麗聚矽氧股份有限公司(Dow Corning Toray Silicone Co.,Ltd.)製造)、Polyflow(由共榮社油脂化學工業製造)、F-Top(由得克姆股份有限公司製造(Tochem Products Co.,Ltd.)製造)、Megaface(由大日本印墨化學工業(DIC)製造)、Fluorade(由住友3M股份有限公司(Sumitomo 3M Ltd.)製造)、Surflon(由旭硝子製造)、SINOPOL E8008(由中日合成化學製造)、F-475(由大日本印墨化學工業製造)或其組合。
基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,界面活性劑的使用量為0.5至50重量份;較佳為1至40重量份;且更佳為3至30重量份。
消泡劑的具體例包括Surfynol MD-20、Surfynol MD-30、EnviroGem AD01、EnviroGem AE01、EnviroGem AE02、Surfynol DF110D、Surfynol 104E、Surfynol 420、Surfynol DF37、Surfynol DF58、Surfynol DF66、Surfynol DF70以及Surfynol DF210(由氣體產品(Air products)製造)等。基於聚矽氧烷(A)的總量100重量份,消泡劑的使用量為1至10重量份;較佳為2至9重量份;且更佳為3至8重量份。
溶解促進劑的具體例包括氮-羥基二羧基醯亞胺化合物(N-hydroxydicarboxylic imide)以及含酚式羥基的化合物。溶解促進劑例如是鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)中所使用的含酚式羥基的化合物。基於聚矽氧烷(A)的使用量為100重量份,溶解促進劑的使用量為1至20重量份;較佳為2至15重量份;且更佳為3至10重量份。
本發明的感光性聚矽氧烷組成物是一種正型感光性組成物。可用來製備感光性聚矽氧烷組成物的方法例如:將聚矽氧烷(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)以及溶劑(C)放置於攪拌器中攪拌,使其均勻混合成溶液狀態,必要時亦可添加添加劑(D),予以均勻混合後,便可獲得溶液狀態的感光性聚矽氧烷組成物。
本發明另提供一種保護膜,其是將上述的感光性聚矽氧烷組成物塗佈於元件上,再經預烤、曝光、顯影及後烤後而形成。
本發明還提供一種具有保護膜的元件,其包括元件以及上述的保護膜,其中保護膜覆蓋在元件上。具體而言,具有保護膜的元件例如是液晶顯示元件及有機電激發光顯示器中所使用的平坦化膜、層間絕緣膜、或者光波導路的芯材或包覆材料等。
以下將詳細描述保護膜的形成方法,其依序包括:使用
感光性聚矽氧烷組成物來形成預烤塗膜、對預烤塗膜進行圖案化曝光、藉由鹼顯影移除未曝光區域以形成圖案;以及進行後烤處理以形成保護膜。
藉由迴轉塗布、流延塗布或輥式塗布等塗布方式,在被保護的元件(以下稱為基材)上塗佈溶液狀態的感光性聚矽氧烷組成物,以形成塗膜。
基材可以是用於液晶顯示裝置的無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、硬質玻璃(派勒斯玻璃)、石英玻璃、附著有透明導電膜的此等玻璃者,或是用於光電變換裝置(如固體攝影裝置)的基材(如:矽基材)。
形成塗膜之後,以減壓乾燥方式去除感光性聚矽氧烷組成物的大部分有機溶劑,然後以預烤(pre-bake)方式將殘餘的有機溶劑完全去除,使其形成預烤塗膜。
上述減壓乾燥及預烤的操作條件可依各成份的種類、配合比率而異。一般而言,減壓乾燥乃在0托(torr)至200托的壓力下進行1秒鐘至60秒鐘,並且預烤乃在70℃至110℃溫度下進行1分鐘至15分鐘。
以具有特定圖案的光罩對上述預烤塗膜進行曝光。在曝光過程中所使用的光線,以g線、h線或i線等紫外線為佳,並且用來提供紫外線的設備可為(超)高壓水銀燈或金屬鹵素燈。
將經曝光的預烤塗膜浸漬於溫度介於23±2℃的顯影液中,進行約15秒至5分鐘的顯影,以去除經曝光的預烤塗膜的不需要的部分,藉此可在基材上形成具有預定圖案的保護膜的半成品。顯影液的具體例包括但不限於氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、碳酸氫鉀、矽酸鈉、甲基矽酸鈉(sodium methylsilicate)、氨水、乙胺、二乙胺、二甲基乙醇胺、氫氧化四甲銨(THAM)、氫氧化四乙銨、膽鹼、吡咯、呱啶或1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯等鹼性化合物。
值得一提的是,顯影液的濃度太高會使得特定圖案損毀或造成特定圖案的解析度變差;濃度太低會造成顯影不良,導致特定圖案無法成型或者曝光部分的組成物殘留。因此,濃度的多寡會影響後續感光性聚矽氧烷組成物經曝光後的特定圖案的形成。顯影液的濃度範圍較佳為0.001wt%至10wt%;更佳為0.005wt%至5wt%;再更佳為0.01wt%至1wt%。本發明的實施例是使用2.38wt%的氫氧化四甲銨的顯影液。值得一提的是,即使使用濃度更低的顯影液,本發明感光性聚矽氧烷組成物也能形成良好的微細化圖案。
用水清洗基材(其中基材上有預定圖案的保護膜的半成品),以清除上述經曝光的預烤塗膜的不需要的部分。然後,用壓
縮空氣或壓縮氮氣乾燥上述具有預定圖案的保護膜的半成品。最後以加熱板或烘箱等加熱裝置對上述具有預定圖案的保護膜的半成品進行後烤(post-bake)處理。加熱溫度設定在100℃至250℃之間,使用加熱板時的加熱時間為1分鐘至60分鐘,使用烘箱時的加熱時間則為5分鐘至90分鐘。藉此,可使上述具有預定圖案的保護膜的半成品的圖案固定,以形成保護膜。
本發明將就以下實施例來作進一步說明,但應瞭解的是,該等實施例僅為例示說明之用,而不應被解釋為本發明實施之限制。
以下說明聚矽氧烷(A)的合成例A-1至合成例A-12:
在容積為500毫升的三頸燒瓶中,加入0.40莫耳的四異丁氧基鈦(以下簡稱為TBT)、0.35莫耳的苯基三甲氧基矽烷(以下簡稱為PTMS)、0.25莫耳的3-(三乙氧基矽基]丙基丁二酸酐(以下簡稱為GF-20)以及280克的甲基異丁基酮(以下簡稱為MIBK),並於室溫下一邊攪拌一邊於30分鐘內添加草酸水溶液(0.30克草酸溶於50克水)。接著,將三頸燒瓶浸漬於30℃的油浴中並攪拌30分鐘。然後,於30分鐘內將油浴升溫至60℃。待溶液的溫度降到105℃(亦即反應溫度)時,持續加熱攪拌進行聚合3小時(亦即聚縮
合時間)。再接著,利用蒸餾方式將溶劑及副產物移除,即可獲得聚矽氧烷A-1。聚矽氧烷A-1的成分種類及其使用量如表1所示。
合成例A-2至合成例A-9及合成例A-11的聚矽氧烷(A)(亦即聚矽氧烷A-2至聚矽氧烷A-9及合成例A-11)是以與合成例A-1相同的步驟來製備,並且其不同處在於:改變合成聚矽氧烷(A)的單體組分、溶劑、觸媒及其使用量、反應溫度及聚縮合時間(如表1所示)。
在容積為500毫升的三頸燒瓶中,加入0.50莫耳的甲基三甲氧基矽烷(以下簡稱為MTMS)、0.45莫耳的苯基三甲氧基矽烷(以下簡稱為PTMS)、0.05莫耳的3-(三甲氧基矽基)丙基戊二酸酐(以下簡稱為TMSG)以及250克的丙二醇單乙醚(以下簡稱為PGEE),並於室溫下一邊攪拌一邊於30分鐘內添加草酸水溶液(0.40克草酸溶於75克水)。接著,將三頸燒瓶浸漬於30℃的油浴中並攪拌30分鐘。然後,於30分鐘內將油浴升溫至120℃。待溶液的溫度降到105℃(亦即反應溫度)時,持續加熱攪拌進行聚合5小時(亦即聚縮合時間)。再接著,利用蒸餾方式將溶劑及副產物移除,即可獲得聚矽氧烷A-10。聚矽氧烷A-10的成分種類及其使用量如表1所示。
在容積為500毫升的三頸燒瓶中,加入0.30莫耳的甲基三甲氧基矽烷(簡稱為MTMS)、0.65莫耳的苯基三甲氧基矽烷(簡稱為PTMS)、0.05莫耳的3-(三乙氧基矽基)丙基丁二酸酐(簡稱GF-20)、60克的氧化矽-氧化鈦複合粒子的分散液(Optolake TR-513,觸媒化成工業(股)製造)以及220克的丙二醇單乙醚(簡稱PGEE),並於室溫下一邊攪拌一邊於30分鐘內添加草酸水溶液(0.40克草酸溶於75克水)。接著,將燒瓶浸漬於30℃的油浴中並攪拌30分鐘。然後,於30分鐘內將油浴升溫至120℃。待溶液的溫度降到105℃(亦即反應溫度)時,持續加熱攪拌進行聚合6小時(亦即聚縮合時間)。再接著,利用蒸餾方式將溶劑移除,即可獲得聚矽氧烷A-12。
在容積為500毫升的三頸燒瓶中,加入0.30莫耳的甲基三甲氧基矽烷(以下簡稱MTMS)、0.65莫耳的苯基三甲氧基矽烷(以下簡稱PTMS)、0.05莫耳的3-(三乙氧基矽基)丙基丁二酸酐(以下簡稱GF-20)、2克的二異丙氧基雙(乙醯乙酸乙酯)鈦酸酯(di-i-propoxy bis(ethyl acetoacetato)titanium)以及220克的丙二醇單乙醚(以下簡稱PGEE),並於室溫下一邊攪拌一邊於30分鐘內添加草酸水溶液(0.40克草酸溶於75克水)。接著,將燒瓶浸漬於30℃的油浴中並攪拌30分鐘。然後,於30分鐘內將油浴升溫至
120℃。待溶液的溫度降到105℃(亦即反應溫度)時,持續加熱攪拌進行聚合6小時(亦即聚縮合時間)。再接著,利用蒸餾方式將溶劑移除,即可獲得聚矽氧烷聚矽氧烷A-13。
表1中簡稱所對應的化合物如下所示。
以下說明感光性聚矽氧烷組成物及保護膜的實施例1至實施例8以及比較例1至比較例6:
將100重量份的聚矽氧烷A-1、1重量份的1-[1-(4-羥基苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥基苯基)乙基]苯與鄰萘醌二疊氮-5-磺酸所形成的鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B-1)以及0.1重量份的SF-8427(D-1)加入100重量份的丙二醇單甲醚醋酸酯(Propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)(D-1)中,並且以搖動式攪拌器(shaking type stirrer)攪拌均勻後,即可製得實施例1的感光性聚矽氧烷組成物。將實施例1的感光性聚矽氧烷組成物以後述評價方式進行評價,其結果如表2所示。
將感光性聚矽氧烷組成物以旋轉塗佈方式塗佈於100×100×0.7mm3大小的玻璃基板上,以形成塗膜。接著,將塗膜在100℃下預烤2分鐘,形成厚度約2μm的預烤塗膜。然後,在曝光機與預烤塗膜間置入正光阻用光罩,並利用300mJ/cm2的紫外光對預烤塗膜進行圖案化曝光(曝光機型號為AG500-4N,由M&R奈米科技(M&R Nanotechnology)製造)。接著,將上面有經曝光的預烤塗膜的基板在23℃下,以2.38%的氫氧化四甲基銨(TMAH)
水溶液顯影60秒,以去除玻璃基板上未經曝光的部分的塗膜。然後,用水清洗玻璃基板。接者,利用曝光機以200mJ/cm2的能量照射經曝光、顯影的預烤塗膜。然後,將預烤塗膜在230℃下以烘箱進行後烤60分鐘,以在玻璃基板上形成保護膜。
實施例2至實施例8的感光性聚矽氧烷組成物及保護膜是以與實施例1相同的步驟分別製備,並且其不同處在於:改變成分的種類及其使用量,如表2所示。將實施例2至12所製得的感光性聚矽氧烷組成物以後述評價方式進行評價,其結果如表2所示。
比較例1至比較例6的感光性聚矽氧烷組成物是以與實施例1相同的步驟分別製備,並且其不同處在於:改變成分的種類及其使用量,如表3所示。將比較例1至比較例6所製得的感光性聚矽氧烷組成物以下列各評價方式進行評價,其結果如表3所示。
表2及表3中簡稱所對應的化合物如下所示。
聚矽氧烷(A)的重量平均分子量(Mw)是利用已知市售標
準苯乙烯作成之檢量線求得,以具示差曲折率偵測及光散射偵測兩項功能的凝膠透析層析儀(GPC,沃特世(Waters)公司製造)測定。
將感光性聚矽氧烷組成物以旋轉塗佈方式塗佈於玻璃基板上,以形成塗膜。接著,將塗膜在100℃下預烤2分鐘,形成厚度約2μm的預烤塗膜。然後,在曝光機與預烤塗膜間置入線與間距(line and space)的光罩(由日本惠爾康(NIPPON FILCON)製造),並利用300mJ/cm2的紫外光對預烤塗膜進行曝光(曝光機型號為AG500-4N,由M&R奈米科技製造)。接著,將上面有經曝光的預烤塗膜的基板在23℃下,以2.38%的氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液顯影60秒,以去除玻璃基板上未經曝光的部分的塗膜,接著以純水洗淨後,記錄顯影圖案於玻璃基板上可顯影的線寬。可顯影的線寬的評價基準如下所示,其中可顯影的線寬越小,表示顯影時的密著性越佳。
◎:可顯影的線寬≦12μm;○:12μm<可顯影的線寬≦20μm;△:20μm<可顯影的線寬≦40μm;×:可顯影的線寬>40μm。
由表2及表3得知,與同時使用含鈦化合物(a-1)與式(2)表示的矽烷單體(a-2)的聚矽氧烷(A)的感光性聚矽氧烷組成物(實施例1至實施例11)相比,不同時使用包括含鈦化合物(a-1)與式(2)表示的矽烷單體(a-2)的含有聚矽氧烷(A)的感光性聚矽氧烷組成物(比較例1與比較例3至5)於顯影時的密著性不佳。由此可知,當合成聚矽氧烷(A)的單體組分中,未包括含鈦化合物(a-1)時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著性不佳。
另外,當合成聚矽氧烷(A)的單體組分中,未包括矽烷單體(a-2)(比較例2)時,感光性聚矽氧烷組成物於曝光後無法顯影而不佳。
又,當合成聚矽氧烷(A)的單體組分包括含有酸酐基或環氧基的矽烷單體(實施例1、2、4至8、10及11)時,感光性聚矽氧烷組成物的顯影時的密著性較佳。由此可知,當矽烷單體(a-2)中,存在至少一個含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基時,感光性聚矽氧烷組成物的顯影時的密著性較佳。
當聚矽氧烷(A)的聚縮合所使用的溶劑包括酮類溶劑(實施例1、4至7、9及10)時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著性較佳。
當聚矽氧烷(A)的重量平均分子量為600至4000(實施例1、2、4至5、7至11)時,感光性聚矽氧烷組成物於顯影時的密著
性較佳。
綜上所述,本發明的感光性聚矽氧烷組成物含有由特定的含鈦化合物聚縮合而得的聚矽氧烷,因此顯影時的密著性佳,而適用於形成保護膜,例如液晶顯示元件及有機電激發光顯示器中所使用的平坦化膜、層間絕緣膜或光波導路的芯材、或包覆材料等。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
Claims (6)
- 一種感光性聚矽氧烷組成物,包括:聚矽氧烷(A);鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B);以及溶劑(C),其中,所述聚矽氧烷(A)是由單體組分聚縮合而得,其中所述單體組分包括含鈦化合物(a-1)與式(2)表示的矽烷單體(a-2),所述含鈦化合物(a-1)選自由式(1-1)表示的化合物以及加水分解性鈦二聚體所組成的族群,Ti(R1)a(R2)4-a 式(1-1)式(1-1)中,R1各自獨立表示具有烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烯基、環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基或氰基的有機基,且所述有機基藉由Ti-C鍵與鈦原子鍵結;R2各自獨立表示烷氧基、醯氧基或鹵素原子;a表示0至2的整數,Si(Ra)w(ORb)4-w 式(2)式(2)中,Ra各自獨立表示氫原子、碳數為1至10的烷基、碳數為2至10的烯基、碳數為6至15的芳基、含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基,其中,至少一個 Ra表示含有酸酐基的烷基、含有環氧基的烷基或含有環氧基的烷氧基;Rb各自獨立表示氫原子、碳數為1至6的烷基、碳數為1至6的醯基或碳數為6至15的芳基;w表示1至3的整數。
- 如申請專利範圍第1項所述的感光性聚矽氧烷組成物,其中,所述聚矽氧烷(A)的聚縮合所使用的溶劑包括酮類溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所述的感光性聚矽氧烷組成物,其中,所述聚矽氧烷(A)的重量平均分子量為600至4000。
- 如申請專利範圍第1項所述的感光性聚矽氧烷組成物,其中,基於所述聚矽氧烷(A)為100重量份,所述鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)的使用量為1至35重量份,並且所述溶劑(C)的使用量為100至1200重量份。
- 一種保護膜,其是由如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的感光性聚矽氧烷組成物塗佈於元件上,再經預烤、曝光、顯影及後烤後而形成。
- 一種具有保護膜的元件,其包括元件以及如申請專利範圍第5項所述的保護膜,其中所述保護膜覆蓋在所述元件上。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104110487A TWI566036B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 |
US15/077,909 US20160291470A1 (en) | 2015-03-31 | 2016-03-23 | Photosensitive polysiloxane composition, protecting film, and element having protective film |
CN201610182403.1A CN106019847A (zh) | 2015-03-31 | 2016-03-28 | 感光性聚硅氧烷组成物、保护膜以及具有保护膜的元件 |
JP2016065096A JP2016194686A (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-29 | 感光性ポリシロキサン組成物、保護膜、および保護膜を有する素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104110487A TWI566036B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201635014A TW201635014A (zh) | 2016-10-01 |
TWI566036B true TWI566036B (zh) | 2017-01-11 |
Family
ID=57017482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104110487A TWI566036B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160291470A1 (zh) |
JP (1) | JP2016194686A (zh) |
CN (1) | CN106019847A (zh) |
TW (1) | TWI566036B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020112268A1 (de) * | 2020-05-06 | 2021-11-11 | EXXERGY GmbH | Verbesserung der Glasfestigkeit und Bruchzähigkeit durch eine nicht spröde, abriebfeste Beschichtung |
US20240101765A1 (en) * | 2021-02-18 | 2024-03-28 | Hunetplus Co.,Ltd | Photosensitive composition comprising organic metal compound and polysiloxane copolymer, and preparation method therefor |
KR102726974B1 (ko) * | 2021-11-19 | 2024-11-07 | 유한회사 디씨티머티리얼 | 무기 성분 및 실리콘을 함유하는 공중합체, 그 제조 방법, 이를 이용한 감광막 형성용 조성물, 감광막 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI249081B (en) * | 1999-04-12 | 2006-02-11 | Jsr Corp | Composition for resist underlayer film and method for producing the same |
TW201009515A (en) * | 2008-05-15 | 2010-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Patterning process |
TW201316127A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-04-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物 |
TW201413388A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-01 | Chi Mei Corp | 感光性樹脂組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03260653A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成方法及び感光性樹脂組成物 |
JPH03288857A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及び感光性樹脂組成物 |
TWI265378B (en) * | 2003-10-07 | 2006-11-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Radiation-curing resin composition and preservation method thereof, forming method of curing film, forming method and operating method of pattern, electronic device and optical wave guide |
US20050196699A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polymers and photoresists comprising same |
JP5003081B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP4553835B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 |
WO2008038550A1 (fr) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition sensible au rayonnement, procédé de formation d'un film de protection à base de silice, film de protection à base de silice, appareil et élément comportant un film de protection à base de silice et agent photosensibilisant destiné à isoler un film |
TWI428697B (zh) * | 2008-03-31 | 2014-03-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 氧化矽系正型感光性樹脂組成物 |
JPWO2010073445A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-05-31 | 積水化学工業株式会社 | 活性エネルギー線硬化型組成物、活性エネルギー線硬化型コーティング材及び成形品 |
JP2011123450A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法 |
JP5581684B2 (ja) * | 2009-12-17 | 2014-09-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及び硬化膜 |
DE102011053865A1 (de) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Hydrolysierbare und polymerisierbare Silane mit einstellbarer räumlicher Verteilung der funktionellen Gruppen sowie deren Verwendung |
TWI443465B (zh) * | 2012-04-23 | 2014-07-01 | Chi Mei Corp | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
JP5642731B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2014-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
WO2014058018A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | 日産化学工業株式会社 | 無機酸化物被膜形成用塗布液、無機酸化物被膜、及び表示デバイス |
TWI540181B (zh) * | 2012-12-20 | 2016-07-01 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
JP6318634B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2018-05-09 | 東レ株式会社 | 感光性シロキサン組成物、硬化膜及び素子 |
JP5830044B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP6233081B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-11-22 | Jsr株式会社 | ゲート絶縁膜、組成物、硬化膜、半導体素子、半導体素子の製造方法および表示装置 |
TWI506374B (zh) * | 2013-09-10 | 2015-11-01 | Chi Mei Corp | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
JP6119544B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
TWI540396B (zh) * | 2014-02-18 | 2016-07-01 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
-
2015
- 2015-03-31 TW TW104110487A patent/TWI566036B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-03-23 US US15/077,909 patent/US20160291470A1/en not_active Abandoned
- 2016-03-28 CN CN201610182403.1A patent/CN106019847A/zh active Pending
- 2016-03-29 JP JP2016065096A patent/JP2016194686A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI249081B (en) * | 1999-04-12 | 2006-02-11 | Jsr Corp | Composition for resist underlayer film and method for producing the same |
TW201009515A (en) * | 2008-05-15 | 2010-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Patterning process |
TW201316127A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-04-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物 |
TW201413388A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-01 | Chi Mei Corp | 感光性樹脂組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201635014A (zh) | 2016-10-01 |
JP2016194686A (ja) | 2016-11-17 |
US20160291470A1 (en) | 2016-10-06 |
CN106019847A (zh) | 2016-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI648598B (zh) | 形成含有具陰離子基之聚矽氧的光阻下層膜用組成物 | |
TWI507825B (zh) | 包含有含醯胺酸之矽的抗蝕下層膜形成組成物 | |
JP4784283B2 (ja) | ポジ型感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 | |
TWI551951B (zh) | 感光性組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 | |
JP5696665B2 (ja) | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 | |
TWI596436B (zh) | 含有含二酮結構之有機基之含矽光阻下層膜形成組成物 | |
US8921024B2 (en) | Photosensitive polysiloxane composition and applications thereof | |
US9063419B2 (en) | Photo-curing polysiloxane composition and application thereof | |
CN104375381A (zh) | 感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置 | |
TWI459145B (zh) | 光硬化性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 | |
JP2009116223A (ja) | ポジ型感光性組成物、それから形成された硬化膜、硬化膜を有する素子、および素子の製造方法 | |
TWI566036B (zh) | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 | |
TW201522511A (zh) | 正型感光性組合物 | |
TWI540396B (zh) | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 | |
JP6569211B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜ならびにそれを具備する発光素子および固体撮像素子 | |
TWI506374B (zh) | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 | |
US8828640B2 (en) | Photo-curing polysiloxane composition and application thereof | |
TW201537301A (zh) | 感光性聚矽氧烷組成物及其應用 | |
US20150346601A1 (en) | Photosensitive polysiloxane composition, protective film and element having the protective film | |
WO2015002183A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、それを硬化させてなる硬化膜およびそれを具備する光学デバイス | |
TW201903523A (zh) | 正型感光性聚矽氧烷組成物及其應用 | |
JP6186766B2 (ja) | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、およびその硬化膜を有する素子 | |
TW201837086A (zh) | 正型感光性聚矽氧烷組成物 | |
CN106918989B (zh) | 感光性聚硅氧烷组成物、保护膜以及具有保护膜的组件 | |
TW201635034A (zh) | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜之元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |