TWI553787B - Ic載板、具有該ic載板的半導體器件及其製造方法 - Google Patents

Description

IC載板、具有該IC載板的半導體器件及其製造方法

本發明涉及一種IC載板、具有該IC載板的半導體器件及製造方法。

隨著晶片技術的日益發展，晶片內導線的線寬線距均越來越細。為使承載晶片的承載基板的導線密度與晶片的線路間距相適應通常會使用中介板作為連接媒介，惟，由於中介板及與其電連接的晶片突出所述承載基板，使得半導體器件的整體厚度增加，不利於實現輕薄化。另外，中介板突出承載基板其電氣特性易受外界影響。

有鑒於此，有必要提供一種克服上述問題的IC載板、具有該IC載板的半導體器件及其製作方法。

一種IC載板的製作方法，包括步驟：提供承載基板，所述承載基板包括依次設置的第一導電線路層、第一介電層及第一銅箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介電層形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上黏貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性 接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第二導電線路層，並在所述第二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層製成第四導電線路層；在第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；以及自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。

一種IC載板的製作方法，包括步驟：提供一個基板，所述基板包括一個承載板、位於所述承載板相對兩側的第一銅箔層及位於兩個第一銅箔層遠離承載板側的第一介電層；在第一介電層上均形成第一導電線路層；自所述第一導電線路層向所述第一介電層均形成第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上均黏貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所述中介板均壓合第二介電層，在第二介電層表面均形成第二導電線路層，並在所述第二介電層中均形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層均與所述承載板分開；將所述第一銅箔層製成第四導電線路層；在所述第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；以及自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從 所述第二凹槽露出。

一種半導體器件的製作方法，其包括步驟：提供承載基板，所述承載基板包括依次設置的第一導電線路層、第一介電層及第一銅箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介電層形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上黏貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第二導電線路層，並在所述第二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層製成第四導電線路層；在第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出；以及在所述凹槽中安裝一個晶片，所述晶片一側具有多個電極墊，所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上，所述晶片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。

一種IC載板，其包括中介板、防焊層及中介板載板。所述中介板載板包括依次接觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層。各導電線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接。所述第一 介電層中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔成孔方向相反。所述中介板內嵌於所述第一介電層中。所述中介板相對兩側具有相互電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊。所述第二電性接觸墊位於所述中介板靠近所述第一導電線路層的一側。自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽。所述凹槽貫穿所述第五導電線路層及第四介電層，露出所述中介板。所述多個第一電性接觸墊從所述凹槽露出。

一種半導體器件，其包括IC載板及晶片，所述IC載板包括中介板、防焊層及中介板載板。所述中介板載板包括依次接觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層。各導電線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接。所述第一介電層中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔成孔方向相反。所述中介板內嵌於所述第一介電層中。所述中介板相對兩側具有相互電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊。所述第二電性接觸墊位於所述中介板靠近所述第一導電線路層的一側。自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽。所述凹槽貫穿所述第五導電線路層及第四介電層，露出所述中介板。所述多個第一電性接觸墊從所述凹槽露出。所述晶片一側具有多個電極墊。所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接。在厚度方向上，所述晶片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。

本發明將中介板內嵌在所述IC載板中，使中介板與IC載板成為一體結構，一方面可減少安裝晶片後整體的厚度，另一方面，由於 中介板內嵌在IC載板中，使其與IC載板緊密連接，受外界影響較小。

10‧‧‧半導體器件

100‧‧‧IC載板

110‧‧‧基板

111‧‧‧第一導電線路層

112‧‧‧第一介電層

113‧‧‧第一銅箔層

114‧‧‧中央區

115‧‧‧周邊區

116‧‧‧第一凹槽

117‧‧‧承載板

1121‧‧‧第一導電孔

120‧‧‧中介板

121‧‧‧第一玻璃基底

1211‧‧‧第二導電孔

1212‧‧‧第一導電線路

122‧‧‧第一電性接觸墊

123‧‧‧第二電性接觸墊

124‧‧‧介電膠片

130‧‧‧第一覆銅基材

131‧‧‧第二介電層

132‧‧‧第二銅箔層

1311‧‧‧第三導電孔

1321‧‧‧第二導電線路層

141‧‧‧第三介電層

1421‧‧‧第三導電線路層

1411‧‧‧第四導電孔

1131‧‧‧第四導電線路層

151‧‧‧第四介電層

1521‧‧‧第五導電線路層

1511‧‧‧第五導電孔

160‧‧‧第一防焊層

161‧‧‧第一開口

162‧‧‧第一焊墊

170‧‧‧第二防焊層

171‧‧‧第二開口

172‧‧‧第二焊墊

173‧‧‧第三開口

180‧‧‧凹槽

181‧‧‧開口

190‧‧‧晶片

191‧‧‧電極墊

192‧‧‧導電凸塊

193‧‧‧底部填充膠

圖1係本發明實施例所提供的基板的剖視圖。

圖2係在圖1中的第一介電層上均形成第一導電線路層，並在第一介電層中均形成多個第一導電孔後的剖視圖。

圖3係自圖2中的第一導電線路層向所述第一介電層內均形成第一凹槽後的剖視圖。

圖4係圖3中所示承載基板的的第一凹槽中安裝一個中介板後的剖視圖。

圖5係在圖4所示的承載基板的第一導電線路層形成第一覆銅材料後的剖視圖。

圖6係在圖5所示的第二介電層上形成第三導電孔及第二導電線路層後的剖視圖。

圖7係在圖6所示的第二導電線路層上形成第三介電層及第三導電線路層，並在所述第三介電層內形成第四導電孔後的剖視圖。

圖8係將圖7中所示第一銅箔層與承載板分開後的剖視圖。

圖9係在圖8所示的第一銅箔層上形成第四導電線路層後的剖視圖。

圖10係在圖9所示的第四導電線路層上形成第四介電層及第五導電線路層後的剖視圖。

圖11係在圖10所示的第三導電線路層形成第一防焊層，在所示第五導電線路層上形成第二防焊層後的剖視圖。

圖12係移除圖11所示的與所述第一介電層對應的部分第四介電層及第二防焊層後形成第二凹槽後得到的所述IC載板的剖視圖。

圖13係在圖12所示的第二凹槽中安裝一個晶片後得到的所述半導體器件的剖視圖。

本發明提供一種IC載板100及具有該IC載板的半導體器件10的製造方法，具體步驟如下：

第一步，請參閱圖1，提供一個基板110。

所述基板110包括一個承載板117、兩個第一銅箔層113及兩個第一介電層112。所述第一銅箔層113分別粘結於所述承載板117的相對兩側。所述第一介電層112分別位於所述第一銅箔層113遠離所述承載板117側。所述基板110包括一個中央區114及圍繞所述中央區114的周邊區115(圖中以虛線分開)。

後續制程中，第二步至第八步均為雙向進行，為便於描述，第二步至第八步均以單邊為例進行說明。

第二步，請參閱圖2，在所述周邊區115的第一介電層112上形成第一導電線路層111，並在第一介電層112中形成多個第一導電孔1121。所述第一導電線路層111通過第一導電孔1121與所述第一銅箔層113電性連接。

具體地，首先，在所述周邊區115，自所述第一介電層112遠離所 述承載板117側向所述第一介電層112內通過鐳射燒蝕的方法形成多個第一盲孔(圖未示)。所述第一盲孔貫穿所述第一介電層112，露出部分所述第一銅箔層113。接著，在所述第一介電層112上形成一層具有圖案化結構的電鍍阻擋層(圖未示)。所述第一盲孔及部分第一介電層112從所述電鍍阻擋層露出。然後，電鍍填滿所述第一盲孔形成第一導電孔1121，並在所述第一導電孔1121遠離第一銅箔層113的端部及露出的部分第一介電層112上電鍍形成第一導電線路層111。最後，移除所述電鍍阻擋層。

第三步，請參閱圖3，在所述中央區114自所述第一導電線路層111向所述第一介電層112形成一個第一凹槽116，露出部分第一銅箔層113。

具體地，首先，沿所述中央區114與周邊區115的邊界自所述第一介電層112遠離所述承載板117側向所述第一介電層112形成一個開口(圖未示)。所述開口在厚度上截止於所述第一銅箔層113遠離所述承載板117側。然後，移除所述開口內的第一介電層112，露出部分第一銅箔層113，形成所述第一凹槽116。

第四步，請參閱圖4，在所述第一凹槽116露出的部分第一銅箔層上通過一個介電膠片124黏貼一個中介板120，所述中介板120收容於所述第一凹槽116內。所述中介板120包括第一玻璃基底121及暴露於所述第一玻璃基底121相對兩側的多個第一電性接觸墊122及第二電性接觸墊123。所述第一玻璃基底121內形成有多個第二導電孔1211及多條第一導電線路1212。所述多個第二導電孔1211位於所述第一玻璃基底121遠離所述第一銅箔層113側，且每個所述第二導電孔1211遠離所述第一銅箔層113的一端均與一個 所述第二電性接觸墊123電性連接，每個所述第二導電孔1211靠近所述第一銅箔層113的一端均與一條第一導電線路1212電性連接。所述多條第一導電線路1212位於所述第一玻璃基底121靠近所述第一銅箔層113側，且每條所述第一導電線路1212靠近所述第一銅箔層113一端均與一個所述第一電性接觸墊122電性連接。每條所述第一導電線路1212遠離所述第一銅箔層113一端均與一個所述第二導電孔1211靠近所述第一銅箔層113的一端電性連接，以實現每個所述第二電性接觸墊123均通過一個第二導電孔1211及一條第一導電線路1212與相應的一個所述第一電性接觸墊122的電性連接。

第五步，請參閱圖5，在所述第一導電線路層111上壓合一層第一覆銅基材130。所述第一覆銅基材130包括一個第二介電層131及第二銅箔層132。所述第二介電層131位於所述第一導電線路層111及第二銅箔層132之間。所述第二介電層131覆蓋所述第一導電線路層111、從所述第一導電線路層111露出的第一介電層112、第二電性接觸墊123及從第二電性接觸墊123露出的第一玻璃基底121，並填充所述第一介電層112與所述中介板120之間的空隙。

第六步，請參閱圖6，在所述第二介電層131中形成第三導電孔1311並在所述第二銅箔層132側形成第二導電線路層1321。所述第二導電線路層1321通過所述第三導電孔1311與所述第一導電線路層111及第二電性接觸墊123電性連接。所述第三導電孔1311與所述第二介電層131平行的截面自所述第一導電線路層111至所述第二導電線路層逐漸增大。

具體地，首先，自所述第二銅箔層132向所述第一導電線路層111及第二電性接觸墊123通過鐳射燒蝕的方式形成多個第一盲孔(圖未示)。所述第一盲孔貫穿所述第二銅箔層132及第二介電層131，露出所述第二電性接觸墊123及部分所述第一導電線路層111。接著，在所述第二銅箔層132上形成一層具有圖案化結構的電鍍阻擋層(圖未示)，所述第一盲孔及部分第二銅箔層132從所述電鍍阻擋層露出。接著，電鍍填滿所述第一盲孔形成第三導電孔1311，並在所述第三導電孔1311遠離所述第一導電線路層111側及露出的部分所述第二銅箔層132上鍍上一層面銅。然後，去除所述電鍍阻擋層，露出被其遮擋的部分第二銅箔層132。最後，快速蝕刻去除露出的部分第二銅箔層132，形成第二導電線路層1321。所述第二導電線路層1321通過所述第三導電孔1311與所述第一導電線路層111及第二電性接觸墊123電性連接。

第七步，請參閱圖7，在所述第二導電線路層1321上形成第三介電層141並在所述第三介電層141表面形成第三導電線路層1421。

所述第三介電層141位於所述第二導電線路層1321與第三導電線路層1421之間。所述第三介電層141覆蓋所述第二導電線路層1321及從所述第二導電線路層1321露出的第二介電層131。所述第三介電層141中形成有多個第四導電孔1411。所述第四導電孔1411與所述第三介電層141平行的截面自所述第二導電線路層1321至所述第三導電線路層1421逐漸增大。所述第三導電線路層1421位於所述第三介電層141遠離所述第二導電線路層1321側。所述第三導電線路層1421與所述第二導電線路層1321通過所述第四導電孔1411電性連接。所述第三導電線路層1421及第四導電孔 1411的具體形成方式與上述第三步及第四步中所述第二導電線路層1321及第三導電孔1311的形成方式相同。

第八步，請參閱圖8及圖9，將每個所述第一銅箔層113均與所述承載板117分開，並將每個所述第一銅箔層113均通過影像轉移及蝕刻的方法製成第四導電線路層1131。所述第四導電線路層1131形成於所述周邊區115。所述第四導電線路層1131與所述第一導電線路層111通過所述第一導電孔1121電性連接。

第九步，請參閱圖10，在所述第四導電線路層1131上形成第四介電層151，並在所述第四介電層151表面形成第五導電線路層1521。所述第四介電層151位於所述第四導電線路層1131與第五導電線路層1521之間。所述第四介電層151覆蓋所述第四導電線路層1131、從所述第四導電線路層1131露出的第一介電層112及介電膠片124。所述第四介電層151形成有多個第五導電孔1511。所述第五導電孔1511與所述第四介電層151平行的截面自所述第五導電線路層1521至第四導電線路層1131逐漸減小。所述第五導電線路層1521與所述第四導電線路層1131通過所述第五導電孔1511電性連接。所述第五導電線路層1521與所述中央區114對應的部分未設置有導電線路，即，所述第五導電線路層1521形成於所述第四介電層151與所述周邊區115對應的遠離所述第四導電線路層1131側表面上。所述第五導電線路層1521及第五導電孔1511的形成方式與上述第三步及第四步中所述第二導電線路層1321及第三導電孔1311的形成方式相同。可以理解的是，所述第五導電孔1511的成型方向與第二導電孔1211、第三導電孔1311及第四導電孔的成型方向相反。

第十步，請參閱圖11，在所述第三導電線路層1421及從所述第三導電線路層1421露出的第三介電層141的表面形成第一防焊層160。所述第一防焊層160具有多個第一開口161，露出部分所述第三導電線路層1421形成第一焊墊162。在所述第五導電線路層1521及從所述第五導電線路層1521露出的第四介電層151的表面形成第二防焊層170。所述第二防焊層170有多個第二開口171，露出部分所述第五導電線路層1521，形成第二焊墊172。

第十一步，請參閱圖12，自所述第二防焊層170向所述第一介電層112形成凹槽180，露出所述第一電性接觸墊122。

具體地，首先，自所述第二防焊層170至所述第一介電層112沿著所述中央區114與周邊區115的邊界形成一個開口181(圖未示)。所述開口181在厚度方向上截止於第一介電層112遠離所述第一導電線路層111側。接著，移除所述開口181內的第二防焊層170、第四介電層151及介電膠片124形成凹槽180，露出所述中介板120及部分第一介電層112。所述多個第一電性接觸墊122從所述凹槽180露出，得到所述IC載板100。

第十二步，請參閱圖13，在所述凹槽180中安裝一個晶片190。所述晶片190完全收容於所述凹槽180中。所述晶片190一側具有多個電極墊191。所述電極墊191分別通過一個導電凸塊192與所述第一電性接觸墊122電性連接。所述晶片190遠離所述電極墊191的表面未超出所述第四介電層151遠離所述第四導電線路層1131的表面。優選地，所述電極墊191、導電凸塊192及第一電性接觸墊122之間的空隙形成有底部填充膠193，以防止所述晶片190脫落。

至此，完成所述半導體器件10的製作。

可以理解的是，在第八步完成後，還可以在露出來的第一焊墊162及第二焊墊172上進行表面處理，以避免焊墊表面氧化，進而影響其電氣特性。表面處理的方式可採用化學鍍金、化學鍍鎳等方式形成保護層，或者在焊墊上形成有機保焊膜(OSP)。

可以理解的是，本技術方案提供的IC載板的製作方法還可以包括在所述第一焊墊162及第二焊墊172上形成焊球及通過所述焊球電性連接電氣元件或封裝體的步驟。

可以理解的是，其他實施例中，在完成第三步後，可將所述第一銅箔層113與所述承載板117分開得到兩個結構相同的承載基板。所述承載基板包括第一銅箔層113、第一介電層112及第一導電線路層111。所述第一銅箔層113與第一導電線路層111位於所述第一介電層112的相對兩側，並通過所述第一介電層中的第一導電孔1121電性連接。自所述第一導電線路層111向所述第一介電層112內形成有一個第一凹槽116，露出部分所述第一銅箔層113。然後在所述承載基板上形成所述IC載板100。當然，也可直接提供一個所述承載基板，然後在其上形成所述IC載板100。

可以理解的是，所述開口181可通過撈型或者鐳射切割的方式形成。

可以理解的是，其他實施例中，也可不形成第三介電層141及第三導電線路層1421。此時，直接在所述第二導電線路層1321上形成具有多個開口的第一防焊層160。當然，也可以在所述第三導電線路層1421及第五導電線路層1521上形成新的介電層及導電線 路層。

可以理解的是，其他實施例中，可先自所述第五導電線路層1521向所述第一介電層112沿所述中央區114與周邊區115的邊界形成一個開口，去除所述開口內的第四介電層151及介電膠片124得到所述凹槽180之後，再在所述第五導電線路層1521上形成第二防焊層170。此時，所述第二防焊層170除具有多個第二開口171露出部分所述第五導電線路層1521形成第二焊墊172外，還具有一個第三開口173。所述第三開口173與所述凹槽180對應，露出所述中介板120及部分所述第一介電層112。

可以理解的是，本實施例中，所述第一銅箔層113可通過一粘結膠片粘結於所述承載板117。

請參圖13，本技術方案還提供一種通過上述方法制得的半導體器件10，其包括IC載板100及晶片190。

所述IC載板100包括第一導電線路層111、第一介電層112、第二導電線路層1321、第二介電層131、第三導電線路層1421、第三介電層141、第四導電線路層1131、第四介電層151、第五導電線路層1521、第一防焊層160、第二防焊層170及中介板120。

所述第一介電層112位於所述第四導電線路層1131與第一導電線路層111之間，且分別與所述第四導電線路層1131及第一導電線路層111相接觸。所述第一導電線路層111與所述第四導電線路層1131通過所述第一介電層112中的第一導電孔1121相互電性連接。所述第二介電層131位於所述第一導電線路層111與第二導電線路層1321之間，且分別與第一導電線路層111及第二導電線路層 1321相接觸。所述第二導電線路層1321與第一導電線路層111通過所述第二介電層131中的第三導電孔1311電性連接。所述第三介電層位於所述第二導電線路層1321與第三導電線路層1421之間，且分別與第二導電線路層1321及第三導電線路層1421相接觸。所述第二導電線路層1321與第三導電線路層1421通過所述第三介電層中的第四導電孔1411電性連接。所述第四介電層151位於所述第四導電線路層1131與第五導電線路層1521之間且分別與第四導電線路層1131相接觸。所述第四導電線路層1131與第五導電線路層1521通過所述第四介電層151中的第五導電孔1511電性連接。所述第一導電孔1121、第三導電孔1311及第四導電孔1411的成孔方向與所述第五導電孔1511的成孔方向相反。即，每個所述第一導電孔1121、第三導電孔1311、第四導電孔1411平行於相應介電層的截面自靠近所述第三導電線路層1421側至靠近第五導電線路層1521側逐漸減小，而每個所述第五導電孔1511平行於所述第四介電層151的截面自靠近所述第三導電線路層1421側至靠近所述第五導電線路層1521側逐漸增大。

所述第一防焊層160形成於所述第三導電線路層1421上。所述第一防焊層160具有多個第一開口161，露出部分所述第三導電線路層1421形成第一焊墊162；所述第二防焊層170形成於所述第五導電線路層1521上。所述第二防焊層具有多個第二開口171，露出部分所述第五導電線路層1521形成第二焊墊172。

所述中介板120內嵌於所述第一介電層112中。所述中介板120包括第一玻璃基底121及暴露於所述第一玻璃基底121相對兩側的第一電性接觸墊122及第二電性接觸墊123。所述第一玻璃基底121 內包括多個第一導電線路1212及第二導電孔1211。所述第二導電孔1211位於所述第一玻璃基底121靠近所述第二電性接觸墊123側，且其靠近所述第二電性接觸墊123的端部與所述第二電性接觸墊123電性連接。所述第二電性接觸墊123通過所述第三導電孔1311與所述第二導電線路層1321電性連接。所述第一導電線路1212位於所述第一玻璃基底121內靠近所述第一電性接觸墊122側，且其靠近所述第一電性接觸墊122的端部與所述第一電性接觸墊122電性連接。所述第一導電線路1212遠離所述第一電性接觸墊122的端部與所述第二導電孔1211遠離所述第二電性接觸墊123的端部電性連接。所述第二電性接觸墊123與所述第一電性接觸墊122通過一個第二導電孔1211及一條第一導電線路1212實現電性連接。

自所述第二防焊層170向所述第一介電層112形成有一個凹槽180。所述凹槽180貫穿所述第四介電層151、第五導電線路層1521及所述第二防焊層170，露出所述中介板120及部分所述第一介電層112。所述多個第一電性接觸墊122從所述凹槽180露出。

所述晶片190安裝於所述凹槽180中。所述晶片190完全收容於所述凹槽180中。所述晶片190一側具有多個電極墊191。每個所述電極墊191均通過一個導電凸塊192與所述第一電性接觸墊122對應電性連接。在厚度方向上，所述晶片190遠離所述電極墊191的表面未超出所述第四介電層151遠離所述第四導電線路層1131的表面。所述電極墊191、導電凸塊192及第一電性接觸墊122之間的空隙形成有底部填充膠193，以避免所述晶片190脫落。

可以理解的是，所述IC載板100也可不包括所述第三介電層141及 第三導電線路層1421。此時，所述具有多個第一開口161的第一防焊層160形成於所述第二導電線路層1321上。

可以理解的是，所述第五導電線路層1521、第四介電層151、第四導電線路層1131、第一介電層112、第一導電線路層111、第二介電層131、第二導電線路層1321、第三介電層141及第三導電線路層1421依次疊合所形成的結構可看作是所述中介板120的承載板，即，一個中介板載板。當然，所述中介板載板也可不包括第二介電層131、第二導電線路層、第三介電層及第三導電線路層。

本發明將中介板內嵌在所述IC載板中，使中介板與IC載板成為一體結構，一方面可減少安裝晶片後整體的厚度，另一方面，由於中介板內嵌在IC載板中，使其於IC載板緊密連接，受外界影響較小。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10‧‧‧半導體器件

100‧‧‧IC載板

111‧‧‧第一導電線路層

112‧‧‧第一介電層

1121‧‧‧第一導電孔

120‧‧‧中介板

121‧‧‧第一玻璃基底

1211‧‧‧第二導電孔

1212‧‧‧第一導電線路

122‧‧‧第一電性接觸墊

123‧‧‧第二電性接觸墊

131‧‧‧第二介電層

1311‧‧‧第三導電孔

1321‧‧‧第二導電線路層

141‧‧‧第三介電層

1421‧‧‧第三導電線路層

1411‧‧‧第四導電孔

1131‧‧‧第四導電線路層

151‧‧‧第四介電層

1521‧‧‧第五導電線路層

1511‧‧‧第五導電孔

160‧‧‧第一防焊層

161‧‧‧第一開口

162‧‧‧第一焊墊

170‧‧‧第二防焊層

171‧‧‧第二開口

172‧‧‧第二焊墊

180‧‧‧凹槽

190‧‧‧晶片

191‧‧‧電極墊

192‧‧‧導電凸塊

193‧‧‧底部填充膠

Claims (10)

1. 一種IC載板的製作方法，包括步驟：提供承載基板，所述承載基板包括依次設置的第一導電線路層、第一介電層及第一銅箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介電層形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上黏貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第二導電線路層，並在所述第二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層製成第四導電線路層；在第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；以及自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。
2. 如申請專利範圍第1項所述的IC載板的製作方法，其中，在所述第一導電線路層及中介板上形成第二介電層及第二導電線路層之後，將所述第一銅箔層製成第四導電線路層之前，所述IC載板的製作方法還包括在所述第二導電線路層上形成具有第四導電孔的第三介電層，並在所述第三介電層表面形成第三導電線路層，所述第三導電線路層與所述第二導電線路層通過所述第四導電孔電性連接。
3. 如申請專利範圍第2項所述的IC載板的製作方法，其中，在所述第四導電線路層上形成第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層之後，自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽之前，所述IC載板的製作方法還包括：在所述第三導電線路層及從所述第三導電線路層露出的第三介電層上形成具有第一開口的第一防焊層，從第一開口露出部分所述第三導電線路層形成第一焊墊；在所述第五導電線路層及從所述第五導電線路層露出的第四介電層上形成具有第二開口的第二防焊層，從第二開口露出部分所述第五導電線路層形成第二焊墊。
4. 如申請專利範圍第1項所述的IC載板的製作方法，其中，所述承載基板包括中央區與周邊區，所述第四導電線路層及第五導電線路層均形成於所述周邊區。
5. 如申請專利範圍第4項所述的IC載板的製作方法，其中，自所述第五導電線路層向所述第一介電層沿所述中央區與周邊區的邊界形成一個開口，去除所述開口內第四介電層，得到所述第二凹槽。
6. 一種IC載板的製作方法，包括步驟：提供一個基板，所述基板包括一個承載板、位於所述承載板相對兩側的第一銅箔層及位於兩個第一銅箔層遠離承載板側的第一介電層；在第一介電層上均形成第一導電線路層；自所述第一導電線路層向所述第一介電層均形成第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上均黏貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所述中介板均壓合第二介電層，在第二介電層 表面均形成第二導電線路層，並在所述第二介電層中均形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層均與所述承載板分開；將所述第一銅箔層製成第四導電線路層；在所述第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，並在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；以及自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。
7. 一種IC載板，其包括中介板、防焊層及中介板載板，所述中介板載板包括依次接觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層，各導電線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接，所述第一介電層中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔成孔方向相反，所述中介板內嵌於所述第一介電層中，所述中介板相對兩側具有相互電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第二電性接觸墊位於所述中介板靠近所述第一導電線路層的一側，自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽，所述凹槽貫穿所述第五導電線路層及第四介電層，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述凹槽露出。
8. 如申請專利範圍第7項所述的IC載板，其中，所述中介板載板還包括具有導電孔的第二介電層及第二導電線路層，所述第二介電層位於所述第一導電線路層與第二導電線路層之間，且分別與第一導電線路層及第二導電線路層相接觸，所述第二導電線路層通過所述第二介電層中的導電孔與所述第一導電線路層及所述第二電性接觸墊電性連接。
9. 一種半導體器件的製作方法，其包括提供一個如申請專利範圍第7或8項 所述IC載板及在所述凹槽中安裝一個晶片，所述晶片一側具有多個電極墊，所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上，所述晶片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。
10. 一種半導體器件，其包括如申請專利範圍第7或8項所述IC載板及晶片，所述晶片安裝於所述凹槽中，所述晶片一側具有多個電極墊，所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上，所述晶片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。