TWI494225B - A hard coat substrate and a transparent conductive film using the same - Google Patents

Description

硬塗布(hard coat)基材及使用其之透明導電性薄膜

本發明係關於可以使被實施圖案化的透明導電性薄膜的圖案部與非圖案部間之圖案痕成為無法辨識，而且干涉條紋變少，在觸控面板用途上具有良好辨識外觀的透明導電性薄膜。

觸控面板係依據檢測方法之差不同而有電阻膜方式、靜電容量方式、光學式、超音波方式等。其中，近年來智慧型手機或平板型個人電腦等多點觸控為可能的靜電容量方式之觸控面板之市場漸漸增大。靜電容量方式，特別是投影型觸控面板，係使圖案化的透明導電性薄膜成對而構成，藉由檢測觸控部分之靜電容量之變化而檢測出位置資訊的方式。靜電容量方式所使用的透明導電性薄膜係存在著具有透明導電層的圖案部與非圖案部，因此，基於圖案部與非圖案部造成膜構成差不同，而無法藉由目視進行圖案痕之辨識，作為觸控面板之顯示元件觀看時會有外觀不佳的問題存在。

針對上述問題，於專利文獻1係揭示於透明 導電層配置至少2種之基底塗布層(under coat layer)，將彼等基底塗布層之折射率及厚度分別設為特定值，而改善顯示元件之外觀的透明導電性薄膜。

又，於專利文獻2揭示，於透明導電層設置硬塗布層及設為特定折射率、厚度的中間層，而同樣改良作為顯示元件之外觀的透明導電性薄膜。

又，於專利文獻3揭示，藉由調整構成透明導電膜的硬塗布之折射率，則即使是圖案化的透明導電膜其圖案形狀亦不致於醒目的透明導電性薄膜。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]專利第4667471號公報

[專利文獻2]特開2012-25066號公報

[專利文獻3]特開2010-208169號公報

但是，於專利文獻1，由透明基材薄膜起第1層基底塗布層之折射率為1.5~1.7，於該折射率範圍進行透明導電層之圖案化處理時圖案部與非圖案部之色差(△E)改善不充分。另外，於專利文獻1之請求項1記載著，最遠離透明薄膜基材的基底塗布層亦和透明導電層同 樣被實施圖案化。此乃因為圖案化工程至少需要2工程，不僅工程複雜或成本增加之可能性變高，基底塗布層未被圖案化而殘留，導致圖案部與非圖案部之色差未被充分改善。另外，包含基底塗布層的透明導電層的全體光學厚度為208~554nm，在透明導電處理層的相反面形成硬塗布等之機能提供層時，兩面之厚度平衡性容易變為不均一，對透明導電性薄膜選擇退火處理時會產生薄膜捲曲(curl of a film)，有可能成為薄膜加工時之問題。

另一方面，專利文獻2係於透明基材薄膜上積層硬塗布層、中間層及摻雜錫的氧化銦層(ITO層)而改良外觀，但是需要包含硬塗布層、中間層及背面之硬塗布層的至少3層之塗布(coating)工程，就成本面而言會有問題。又，以ITO層為始的透明導電層之形成時，於ITO層之下為了密接性之提升及辨識性之提升大多形成氧化矽等低折射率層，想定上述構成時難以充分改善圖案部與非圖案部間之色差。

又，專利文獻3揭示之透明面狀體，係具備：依據透明導電膜、基底塗布層、硬塗布層(Hard Coat Layer)、透明基板之順序被積層的透明導電膜，及將基底塗布層表面予以覆蓋的覆蓋層，其中藉由將硬塗布層之折射率予以最佳化而使透明導電膜之圖案形狀不致於醒目。具體言之為，藉由設定硬塗布層之折射率成為1.60以上1.80以下而達成圖案形狀之辨識性之改善，但通常基板上之折射率設為高折射率化時，基板間之折射率差變大 ，塗膜-基板間之光干涉引起的干涉條紋容易變為醒目。因此，如專利文獻3之實施例所明記的使用具有一般折射率之易接著層的透明基板時，以上述透明面狀體作為顯示元件之構件使用時亦有可能帶來外觀不良。

本發明，係為解決上述習知技術之問題點，目的在於以低成本提供透明導電層之圖案化形狀不醒目，作為顯示元件時亦具有極良好外觀的透明導電性薄膜。

本發明之硬塗布(Hard Coat)基材，係依序包含有透明基材、易接著層、及折射率調整層的硬塗布基材，其特徵為：上述折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90，上述折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70。

又，本發明之透明導電性薄膜，係含有透明導電層及硬塗布基材的透明導電性薄膜，其特徵為：上述硬塗布基材，係依序包含有透明基材、易接著層、及折射率調整層，上述折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90，上述折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70，上述透明導電層，係配置於上述折射率調整層之上，上述透明導電層之於波長550nm中之折射率為1.8~2.3，上述透明導電層之厚度為10~30nm。

依據本發明，可以低成本提供透明導電層之圖案化形狀不醒目，作為顯示元件時亦具有極良好外觀的透明導電性薄膜。

10，20‧‧‧透明導電性薄膜

11，21‧‧‧透明基材

12，22‧‧‧易接著層

13，23‧‧‧折射率調整層

14，24‧‧‧低折射率層

15，25‧‧‧透明導電層

15a，25a‧‧‧圖案部

15b，25b‧‧‧非圖案部

26‧‧‧機能提供層

[圖1]本發明之透明導電性薄膜之一例之模式斷面圖。

[圖2]本發明之透明導電性薄膜之另一例之模式斷面圖。

本發明之硬塗布基材，係依序具備透明基材、易接著層、及折射率調整層，其特徵為：上述折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90，上述折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70。

又，本發明之透明導電性薄膜，係具備透明導電層及硬塗布基材，其特徵為：上述硬塗布基材，係依序包含有透明基材、易接著層、及折射率調整層，上述折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90，上述折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70，上述透明導電層， 係配置於上述折射率調整層之上，上述透明導電層之於波長550nm中之折射率為1.8~2.3，上述透明導電層之厚度為10~30nm。

使用上述硬塗布基材的上述透明導電性薄膜，透明導電層之圖案化形狀不醒目，作為顯示元件時具有非常良好的外觀者。

以下，依據圖面詳細說明本發明。

圖1係表示本發明之第1形態之透明導電性薄膜之一例之模式斷面圖。於圖1，本發明之透明導電性薄膜10，係依序積層有：透明基材11，易接著層12，折射率調整層13，低折射率層14及透明導電層15而構成。又，透明導電層15係被實施圖案化，係由以下構成：由透明導電層15構成的圖案部15a，及透明導電層15被除去的非圖案部15b。於圖1，透明基材11，易接著層12及折射率調整層13係相當於本發明之硬塗布基材。

又，圖2係表示本發明之第2形態之透明導電性薄膜之另一例之模式斷面圖。於圖2，本發明之透明導電性薄膜20，係依序積層有：透明基材21，易接著層22，折射率調整層23，低折射率層24及透明導電層25而構成，另外，在和透明基材21之折射率調整層23之形成側的相反之側配置有機能提供層26。又，透明導電層25，係被圖案化，係由以下構成：由透明導電層25構成的圖案部25a，及透明導電層25被除去的非圖案部25b。於圖2，透明基材21，易接著層22及折射率調整層23係 相當於本發明之硬塗布基材。圖1與圖2之差不同點，僅在於機能提供層26之有無，其他之構成為同一。

<透明基材>

上述透明基材之種類並無特別限定，通常係使用具有透明性的樹脂薄膜。又，上述樹脂薄膜使用的樹脂，例如為聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)樹脂、三醋酸纖維素(TAC)樹脂、聚烯烴系(P.O)樹脂等，就成本面或折射率調整之觀點而言聚酯系樹脂、其中以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)為較好。上述透明基材之厚度未特別限定，考慮透光性與強度之平衡性等，較好是10~250μm，更好是20~188μm。

<易接著層>

於上述透明基材之表面，為了對其上塗布塗膜賦予密接性，而形成有易接著層。上述易接著層之對於波長550nm之折射率需要設為1.56~1.70之範圍，更好是1.60~1.68。本發明之透明導電性薄膜，為了使透明導電層之圖案不可辨識，而需要將高折射率之折射率調整層塗布於透明基材，但是透明基材之易接著層之折射率低於1.56時和被塗布折射率調整層間之折射率差會變大，干涉條紋容易變為醒目，上述折射率大於1.70時和透明基材間之折射率差會變大而較為不好。

上述易接著層，可以是在透明基材之製膜時事先被加工者，或者另外藉由例如濕式塗布等之方法進行易接著層之塗布而形成者。於透明基材之上另行形成上述易接著層時，該易接著層使用之材料，通常使用例如聚酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、尿烷樹脂、環氧樹脂、聚碳酸酯樹脂等。又，上述易接著層之高折射率化目的下，於易接著層分散氧化鈦等之高折射率之材料亦可，於易接著層分散水性之聚酯樹脂與水溶性之無機螯合化合物(Inorganic chelate compound)亦可，另外將具有高折射率之芴(fluorene)骨幹的聚酯樹脂塗布於透明基材而形成易接著層亦可。

上述易接著層之厚度未特別限定，通常為50~150nm左右。

<折射率調整層>

於上述易接著層之上形成折射率調整層。上述折射率調整層對於550nm之折射率需要設為1.60~1.90之範圍，更好是1.65~1.80。藉由上述折射率調整層之折射率設定於上述範圍，於本發明之透明導電性薄膜，可以減低透明導電層之圖案化的圖案部之有無所引起的色差。上述折射率小於1.60時，無法充分減低圖案部‧非圖案部之色差，又，高於1.90時透明基材與易接著層間之折射率差變大，折射率調整層之干涉條紋變為醒目，作為透明導電性薄膜時會有外觀上問題。

又，上述折射率調整層之厚度需要設為0.3~5μm，更好是0.5~3μm。上述厚度較0.3μm薄時，不僅無法充分顯現硬塗布層之機能，以透明導電層之結晶化‧安定化為目的而於150℃，30分左右之條件下進行退火處理時，該時來自透明基材之低分子量成分之溶出上述折射率調整層無法被黏著(block)，導致本發明之透明導電性薄膜之光學特性劣化(特別是霧度增大等)。又，上述厚度大於5μm時，會導致透光性之降低或霧度之增大，不利於作業性或成本面。

上述折射率調整層，係被要求高折射率，因此較好是含有高折射率填充劑之氧化鈦或氧化鋯等之金屬氧化物。又，將組合上述金屬氧化物與紫外線硬化型樹脂的塗布液塗布於上述易接著層之上之後，藉由高壓水銀燈，金屬鹵化燈等進行紫外線照射，使塗膜硬化而形成折射率調整層乃較好者。亦即，為了製造工程之效率化，上述折射率調整層較好是藉由濕式塗布法形成。上述濕式塗布之方法並未特別限定，可藉由輥塗布，縫隙塗布(Die Coat)，氣刀塗布，刮刀塗布，反向塗布，凹版塗布，微型凹版塗布等之公知方法進行塗布。

上述紫外線硬化型樹脂之材料，通常係使用具有自由基聚合可能的二重結合的化合物之材料。例如可使用(甲基)丙烯酰基、乙烯基、苯乙烯基、烯丙基等具有不飽和之聚合性官能基的單體(monomer)、預聚物(prepolymer)、聚合物(polymer)。彼等可單獨或組合 二種類以上予以使用，其中較好是使用具有(甲基)丙烯酰基的單體、預聚物。又，上述紫外線硬化型樹脂，就生產性及硬度之兼顧之觀點而言較好是使用具有2個以上自由基聚合可能的不飽和基(二重結合)之多官能樹脂。

<低折射率層>

於上述折射率調整層與上述透明導電層間之間，較好是配置低折射率層。藉由上述低折射率層之配置，不解可以作為光學折射率調整層之機能，亦可獲得和其上所積層的透明導電層間之密接性之改善效果。上述低折射率層，其對於波長550nm之折射率設為1.35~1.45，其之厚度設為5~30nm即可獲得上述效果。

上述低折射率層的構成材料，可使用例如氧化矽，氟化鋁，氟化鋰，氟化鎂，氟化鈣，氟化鋇，氟化鈉等。又，上述低折射率層可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法、CVD法等形成，其中濺鍍法的製膜因為製膜速度快而具有生產性之優點。

<透明導電層>

於上述低折射率層之上形成上述透明導電層。不配置上述低折射率層時，係於上述折射率調整層之上直接形成上述透明導電層。上述透明導電層的構成材料，只要是透明性佳，導電性高即可，並未特別限定，可使用例如氧化錫，銦摻雜氧化錫(ITO)，銻摻雜氧化錫(ATO)，氟 摻雜氧化錫(FTO)，氧化鋅，鋁摻雜氧化鋅(AZO)，鎵摻雜氧化鋅(GZO)等之金屬氧化物等，特別是透明性及導電性高的ITO較好。又，上述透明導電層可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法、CVD法等形成，其中濺鍍法的製膜因為製膜速度快而具有生產性之優點。

又，如上述說明，上述透明導電層以透明導電層之結晶化‧安定化為目的而可於150℃、30分左右之條件下進行退火處理。

上述透明導電層之折射率，係依據上述透明導電層的材料而決定，上述透明導電層之於波長550nm中之折射率為1.8~2.3之範圍，為了由設定的折射率調整層之折射率顯現圖案部、非圖案部之色差抑制效果，上述透明導電層之於波長550nm中之折射率較好是設為1.9~2.2。

又，上述透明導電層之厚度較好是10~30nm，更好是12~25nm。上述厚度較10nm薄時，無法獲得所要之電阻率，無法獲得所要的電極特性，較30nm厚時透光性會降低，會有無法滿足光學特性之可能性。

如圖1及圖2所示，上述透明導電層可對應於其之目的被圖案化成為所要之圖案而使用。其之圖案化方法，例如可使用於透明導電層將光阻劑塗布成為圖案狀，進行蝕刻的光微影法等。於圖1及圖2，作為透明導電層之圖案化後之狀態，係成為低折射率層殘存之狀態，圖案化時亦可除去低折射率層。

上述透明導電層構成的圖案部之反射色度，和上述透明導電層被除去的非圖案部之反射色度間之色差(△E)，較好是5以下，更好是3以下。△E大於5則圖案部與非圖案部可以明顯被辨識，本發明之透明導電性薄膜被組入顯示元件時會損及外觀。

於此，色差(△E)可依據L^* a^* b^* 色度圖，藉由下述式算出。

△E=(△L^*2 +△a^*2 +△b^*2 )^1/2

<機能提供層>

在上述透明基材之和形成有上述折射率調整層側的相反側，係如圖2所示可以更進一步配置機能提供層。上述機能提供層，可為例如硬塗布層、AN(防牛頓環(Anti-Newton's rings)層、AFP(防指紋)層、反射防止層等。

又，製作本發明之透明導電性薄膜時，為了工程簡略化而不使用保護層狀薄膜時，較好是在薄膜無黏著(黏貼)之情況下予以捲繞。因此，機能提供層較好是具有抗黏著性。

例如將硬塗布層之平滑塗膜塗布於透明基材之兩面時，薄膜之捲取時發生黏著(黏貼)會有捲取困難問題。因此，通常於片側之塗布面黏貼保護層狀薄膜使成為可以捲取。但是，保護層狀薄膜黏貼時，對於透明導電 性薄膜之製造加工會多出一工程，有可能增大成本。因此，對上述機能提供層付與稱為抗黏著性的機能，亦即在塗膜表面具有微小凹凸形狀的機能，可以抑制塗膜間之黏貼，捲取時無須保護層狀薄膜即可在無黏著之情況下進行卷取。

在上述機能提供層提供抗黏著性的方法並未特別限定，例如可將含有特定之尺寸之填充劑的塗料進行塗布，乾燥‧硬化時使填充劑滲出機能提供層之表面，形成微小凹凸構造而提供抗黏著性的方法。又，亦有將物性不同而缺乏相溶性的樹脂成分複數種予以混合，乾燥時產生相分離，使樹脂成分析出塗膜表面，與上述機能提供層形成凹凸而付與抗黏著性的方法等。

上述機能提供層，亦具有抑制前述透明導電層之退火處理時來自透明基材之低分子量成分之溶出機能。又，於上述機能提供層，亦具有退火處理時之透明導電性薄膜之捲曲抑制效果。因此，透明導電層側之折射率調整層之厚度設為a，相反側之機能提供層之厚度設為b時，厚度構成較好是在2a>b>0.5a之範圍。上述範圍外之厚度設定時，兩塗膜之熱收縮之平衡性大幅崩潰有可能造成薄膜之捲曲。

上述機能提供層，為了製造工程之效率化，較好是藉由前述濕式塗布法形成。

[實施例] <折射率調整塗料之製作>

如下述製作折射率調整塗料1~4。

(折射率調整塗料1)

藉由分配器將平均粒徑5nm之氧化鋯之分散液“SZR-K”(堺化學公司製，固形分濃度：30質量%)100質量部，季戊四醇六丙烯酸酯“KAYARAD DPHA”(日本化藥公司製之紫外線硬化型樹脂)10質量部，及光聚合引發劑“IRGACURE184”(BASF公司製)0.3質量部予以混合，製作折射率調整塗料1。針對製作的折射率調整塗料1之硬化物之於550nm中之折射率進行測定結果為1.71。

(折射率調整塗料2)

除了“KAYARAD DPHA”之使用量變更為7.5質量部，“IRGACURE184”之使用量變更為0.2質量部以外，均和折射率調整塗料1同樣製作折射率調整塗料2。對製作的折射率調整塗料2之硬化物於550nm中之折射率進行測定結果為1.75。

(折射率調整塗料3)

將超微粒子氧化鈦“TTO-V-3”(石原產業公司製)30質量部，分散劑之“SOLSPERSE36000”(日本Lubrizol Corp.公司製)5質量部，丙二醇單甲基醚65質量部盛入 塑膠容器，添加直徑0.1mm之氧化鋯珠，以使氧化鈦之平均粒徑成為30nm的方式藉由油漆攪拌器(東洋精機公司製)進行分散，最後藉由過濾除去氧化鋯珠，而製作氧化鈦漿料。

藉由分配器將製作的上述氧化鈦漿料100質量部，“KAYARAD DPHA”7質量部，“IRGACURE184”0.3質量部予以混合，製作折射率調整塗料3。針對製作的折射率調整塗料3之硬化物於550nm中之折射率進行測定結果為1.92。

(折射率調整塗料4)

藉由分配器將“KAYARAD DPHA”30質量部，“IRGACURE184”0.9質量部，甲基乙基酮(MEK)70質量部予以混合，製作折射率調整塗料4。針對製作的折射率調整塗料4之硬化物之於550nm中之折射率進行測定結果為1.53。

接著使用上述折射率調整塗料1~4，如下述製作透明導電性薄膜。

(實施例1)

在兩面被實施易接著處理的透明基材之Toray Industries,Inc.製之PET薄膜“lumirror QT-D0”(厚度：125μm)之一方之低折射率易接著層面(易接著層之折射率：1.58)，以使抗黏著硬塗布劑“Z-739”(Aica Kogyo Company,Limited製)乾燥後之厚度成為2μm的方式，藉由微型凹版塗布器進行塗布，藉由高壓水銀燈以300mJ/cm² 之光量照射紫外線使硬化，形成作為機能提供層的抗黏著硬塗布層，製作抗黏著硬塗布處理薄膜。

在上述抗黏著硬塗布處理薄膜之，形成有抗黏著硬塗布層面的相反側之高折射率易接著層面(易接著層之折射率：1.65)之上，以使折射率調整塗料1乾燥後之厚度成為2μm的方式進行塗布，藉由高壓水銀燈以300mJ/cm² 之光量照射紫外線使硬化而形成折射率調整層，製作折射率調整硬塗布薄膜A。

(實施例2)

除取代折射率調整塗料1，改用折射率調整塗料2以外，均和實施例1同樣，製作折射率調整硬塗布薄膜B。

(實施例3)

在實施例1製作的折射率調整硬塗布薄膜A之折射率調整層之上藉由磁控管濺鍍法積層氧化矽，形成低折射率層(折射率：1.40，厚度：10nm)。其後，於上述低折射率層之上藉由磁控管濺鍍法積層銦摻雜氧化錫(ITO)，形成透明導電層(折射率：2.0，厚度：15nm)後，藉由光微影法對該透明導電層實施圖案化處理，製作具有圖案部與非圖案部的透明導電性薄膜A。

(實施例4)

除取代折射率調整硬塗布薄膜A，改用折射率調整硬塗布薄膜B以外，均和實施例3同樣製作透明導電性薄膜B。

(實施例5)

除了使用帝人杜邦薄膜公司製之PET薄膜“KEB-03W”(厚度：125μm，兩面之易接著層之折射率：1.60)作為兩面被實施易接著處理的透明基材以外，均和實施例1及3同樣製作透明導電性薄膜C。

(實施例6)

除了透明導電層之厚度設為20nm以外，均和實施例3同樣製作透明導電性薄膜D。

(比較例1)

除了取代折射率調整塗料1，改用折射率調整塗料3以外，均和實施例1同樣製作折射率調整硬塗布薄膜C。

(比較例2)

除了使用Toray Industries,Inc.製之PET薄膜“lumirror U34”(厚度：125μm，兩面之易接著層之折射率：1.51)作為兩面被實施易接著處理的透明基材以外，均和實施例1同樣製作折射率調整硬塗布薄膜D。

(比較例3)

除了取代折射率調整硬塗布薄膜A，改用折射率調整硬塗布薄膜C以外，均和實施例3同樣製作透明導電性薄膜E。

(比較例4)

除了取代折射率調整塗料1，改用折射率調整塗料4，使用Toray Industries,Inc.製之PET薄膜“U48”(厚度：125μm，兩面之易接著層之折射率：1.58)作為兩面被實施易接著處理的透明基材以外，均和實施例1及3同樣製作透明導電性薄膜F。

(比較例5)

除了取代折射率調整硬塗布薄膜A，改用折射率調整硬塗布薄膜D以外，均和實施例3同樣製作透明導電性薄膜G。

(比較例6)

除了折射率調整層之厚度設為0.1μm以外，均和實施例1及3同樣製作透明導電性薄膜H。

(比較例7)

取代抗黏著硬塗布劑“Z-739”，使用折射率調整塗料4 形成機能提供層，均和實施例1及3同樣製作透明導電性薄膜製作，但折射率調整層之塗布之捲取時產生薄膜之黏貼，無法進行其後之薄膜製造。

上述實施例1~6及比較例1~6之各薄膜之各層之折射率係如下述測定。

<折射率之測定>

關於折射率調整層之折射率，使用桿塗布器(Bar Coater)以使乾燥後之膜厚成為500nm的方式，將各折射率調整塗料塗布於100μm之PET薄膜(東洋紡公司製之“Cosmo Shine A4100”)之易接著未處理面，乾燥後藉由高壓水銀燈以300mJ/cm² 之光量照射紫外線使塗膜硬化。接著，在形成有塗膜側的相反側之薄膜面之全面黏貼黑帶，使用反射分光膜厚計(大塚電子公司製之“FE-3000”)進行塗膜面側之絕對反射率測定，由反射光譜進行折射率測定。

又，針對透明基材之易接著層之折射率，係在和形成有易接著層側的相反側之薄膜面之全面黏貼黑帶，和上述同樣使用上述反射分光膜厚計進行測定。在透明基材之兩面形成有易接著層時亦在一方之薄膜面黏貼黑帶和上述同樣進行易接著層之折射率測定。

又，針對透明導電層及低折射率層之折射率，係於上述PET薄膜藉由磁控管濺鍍法以使厚度成為20nm的方式形成各層後，藉由和上述同樣之方法進行各 層之折射率測定。

接著，如下針對上述實施例1~6及比較例1~6所形成的各薄膜進行評估。

<反射色度之測定>

在製作的各透明導電性薄膜之和形成有透明導電層之面相反的面黏貼黑帶，使用多頻道型分光光度計(大塚電子公司製之“MCPD-3700”)，對透明導電層之圖案部與非圖案部之反射光譜進行測定，藉由色演算模式(光源：D65，視野：2度)分別進行反射色之L^* a^* b^* 之解析，藉由前述說明的以下之式計算透明導電層之圖案部與非圖案部間之色差△E。

△E=(△L^*2 +△a^*2 +△b^*2 )^1/2

<薄膜之外觀>

將製作的各薄膜載置於具備3波長螢光燈(光量：3000LUX)的檢測台藉由目視進行外觀之觀察，針對硬塗布薄膜單體之干涉條紋及折射率調整層對透明導電層帶來之干涉條紋之影響，依據下述基準進行下述評估。

干涉條紋引起的色條紋非常薄時：良好

干涉條紋引起的色條紋大略可以辨識時：不充分

干涉條紋引起的色條紋可以清晰辨識時：不可

<加熱後之捲曲性>

將製作的各薄膜切片成為100mm×100mm之尺寸，將切片加溫至150℃放置於恆溫槽30分之後取出，針對取出之後2時間後之薄膜捲曲之高度，於4角部位分別進行測定，以數值最高之點作為捲曲之大小。又，實施例3~6及比較例3~6之透明導電性薄膜時，以透明導電層側朝上時呈凸狀捲曲時係將捲曲之大小以負(-)表記。

<薄膜加工性>

各薄膜之製作時，係針對藉由微型凹版塗布器進行折射率調整塗料之塗布時，及薄膜捲取時之加工性進行評估。具體言之為，依據下述基準進行下述評估。

無不良情況，塗布‧捲取可能時：良好

一部分之塗布‧捲取時有問題時：不充分

塗布‧卷取不可能時：不可

以上之評估結果圖示於表1~表4。又，於表1~表4亦表示各薄膜之構成。

由表1可知，於實施例1及2，藉由將易接著層之折射率及折射率調整層之折射率予以最佳化，可獲得外觀上干涉條紋較少的折射率調整硬塗布薄膜。

又，由表2可知，於實施例3~6，可以抑制透明導電層之圖案部與非圖案部間之反射色差。結果確認，實施例3~6之透明導電性薄膜之圖案痕之不可辨識化。又，由實施例3~6一可知，針對外觀亦可藉由易接著層與折射率調整層之折射率予以最佳化來抑制干涉條紋。 另外，實施例3~6可獲得加熱後之捲曲被抑制，薄膜加工性無問題之透明導電性薄膜。

另一方面，由表3可知，於比較例1及2，易接著層之折射率及折射率調整層之折射率並非最佳，外觀確認結果，干涉條紋引起的色條紋可以被清晰辨識，干涉條紋惡化。

於比較例3，折射率調整層之折射率過高，因此透明基材及易接著層間之折射率差變大，將透明導電層積層時干涉條紋引起的色條紋可以被清晰辨識。

於比較例4，折射率調整層之折射率太低，圖案部與非圖案部間之反射色差大於5，圖案痕可被充分辨識。

於比較例5，易接著層之折射率太低，折射率調整層間之折射率差變大，透明導電層時干涉條紋引起的色條紋可以被清晰辨識。

於比較例6，折射率調整層之厚度太薄，因此和相反側之機能提供層間之厚度平衡性崩潰加熱處理後薄膜大幅捲曲。又，硬塗布性亦不充分，薄膜走行時會產生少許傷痕，薄膜加工性亦不充分。

於比較例7，機能提供層係使用無抗黏著性之材料，如上述說明無法完成薄膜之製造，比較例7未表示於表4。

10‧‧‧透明導電性薄膜

11‧‧‧透明基材

12‧‧‧易接著層

13‧‧‧折射率調整層

14‧‧‧低折射率層

15‧‧‧透明導電層

15a‧‧‧圖案部

15b‧‧‧非圖案部

Claims (12)

1. 一種硬塗布基材，係依序包含有透明基材、易接著層、及塗布型折射率調整層的硬塗布基材，其特徵為：上述塗布型折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90，上述塗布型折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70。
2. 如申請專利範圍第1項之硬塗布基材，其中，上述塗布型折射率調整層係由金屬氧化物與紫外線硬化型樹脂構成，上述金屬氧化物為氧化鋯或氧化鈦。
3. 如申請專利範圍第1或2項之硬塗布基材，其中，在上述透明基材之和形成有上述塗布型折射率調整層側之相反側，係另外配置有機能提供層。
4. 如申請專利範圍第3項之硬塗布基材，其中，上述機能提供層係具有抗黏著性。
5. 如申請專利範圍第1或2項之硬塗布基材，其中，上述塗布型折射率調整層，係藉由濕式塗布法形成。
6. 一種透明導電性薄膜，係含有透明導電層、硬塗布基材的透明導電性薄膜，其特徵為：上述硬塗布基材，係依序包含有透明基材、易接著層、及塗布型折射率調整層的硬塗布基材，上述塗布型折射率調整層之於波長550nm中之折射率為1.60~1.90， 上述塗布型折射率調整層之厚度為0.3~5μm，上述易接著層之於波長550nm中之折射率為1.56~1.70，上述透明導電層，係配置於上述塗布型折射率調整層之上，上述透明導電層之於波長550nm中之折射率為1.8~2.3，上述透明導電層之厚度為10~30nm。
7. 如申請專利範圍第6項之透明導電性薄膜，其中，於上述塗布型折射率調整層與上述透明導電層之間另外配置有塗布型低折射率層，上述塗布型低折射率層之於波長550nm中之折射率為1.35~1.45，上述塗布型低折射率層之厚度為5~30nm。
8. 如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，上述透明導電層係被實施圖案化，上述透明導電層構成的圖案部之反射色度，和上述透明導電層被除去的非圖案部之反射色度間之色差(△E)為5以下。
9. 如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，上述塗布型折射率調整層係由金屬氧化物與紫外線硬化型樹脂構成，上述金屬氧化物為氧化鋯或氧化鈦。
10. 如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，在上述透明基材之和形成有上述塗布型折射率調整層側之相反側，係另外配置有機能提供層。
11. 如申請專利範圍第10項之透明導電性薄膜，其中，上述機能提供層係具有抗黏著性。
12. 如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，上述塗布型折射率調整層係藉由濕式塗布法形成。