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TWI469864B - 壓印系統、壓印方法、程式及電腦記憶媒體 - Google Patents

壓印系統、壓印方法、程式及電腦記憶媒體 Download PDF

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TWI469864B
TWI469864B TW99119958A TW99119958A TWI469864B TW I469864 B TWI469864 B TW I469864B TW 99119958 A TW99119958 A TW 99119958A TW 99119958 A TW99119958 A TW 99119958A TW I469864 B TWI469864 B TW I469864B
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Inventor
Shoichi Terada
Yoshio Kimura
Takahiro Kitano
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Description

壓印系統、壓印方法、程式及電腦記憶媒體
本發明係關於具有壓印單元的以下項目：壓印系統、使用該壓印系統之壓印方法、程式及電腦記憶媒體；其中，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜而在該塗佈膜形成既定圖案。
在例如半導體元件的製造步驟中，將會進行例如在半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」。)進行光蝕刻處理而在晶圓上形成既定的抗蝕劑圖案。
在形成上述抗蝕劑圖案時，為了達成半導體元件的更高度積體化，因而追求該抗蝕劑圖案的微小化。一般而言，光蝕刻處理中的微小化極限係在曝光處理所用光線的波長左右。因此，使曝光處理之光線相較於習知進一步短波長化。但是，曝光光源的短波長化有其技術上與成本上的極限，僅針對使光線進一步短波長化的方法而言，例如就有難以形成數奈米數量級之微小抗蝕劑圖案之狀況。
所以，近年來有人提案使用稱為壓印的方法，在晶圓上形成微小的抗蝕劑圖案，取代在晶圓進行光蝕刻處理。此方法係將正面具有微小圖案之模板(也稱為模或模具。)壓接到在晶圓上形成的抗蝕劑表面，其後剝離，而在該抗蝕劑表面進行直接圖案轉印(特許文獻1)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2009－43998號公報
但是，反覆進行上述壓印方法時，亦即使用同一模板在多數晶圓上形成抗蝕劑圖案時，將從某個時間點起無法正確進行圖案轉印。例如，雖然通常在模板之正面成膜有對於抗蝕劑具備斥液性的脫模劑，但此脫模劑終將劣化所致。因此，必須定期更換模板。
又，在多數晶圓上形成不同的抗蝕劑圖案時，每種抗蝕劑圖案都必須更換模板。
但是，在習知的壓印方法中，完全未考慮到以有效率的方式進行此種模板更換。因此，例如在模板產生劣化等缺陷時，將持續在晶圓上形成不良的抗蝕劑圖案。又，例如在多數晶圓上形成不同的抗蝕劑圖案時，在習知的壓印方法中，無法有效率地更換對應到該不同的抗蝕劑圖案之模板。所以，對於多數晶圓不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案，事實上有困難，無法對應到半導體元件的量產化。
本發明有鑑於此點，目的在於有效率地進行模板之更換，對於多數基板不間斷地形成既定圖案。
為了達成上述目的，本發明係具有壓印單元的壓印系統，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜形成既定圖案，且該壓印系統包含：基板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該基板，且在該壓印單元側搬入搬出該基板；模板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該模板，且在該壓印單元側以既定時序搬入搬出該模板。另，搬入搬出模板的既定時序，係考慮例如模板的劣化等而設定。又，對於在基板形成不同的圖案時，亦搬入搬出模板。
本發明之壓印系統，因為具有該基板搬入搬出站與模板搬入搬出站，所以可在壓印單元中，使用同一模板在既定數量的基板形成既定圖案後，將該模板不間斷地更換成其另一模板。藉此，可在模板劣化前，或是在多數基板上形成不同的圖案時，有效率而不間斷地更換壓印單元內的模板。所以，可對於多數基板不間斷地形成既定圖案。
亦可在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將脫模劑成膜到該模板上的脫模劑處理區塊。
亦可在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有洗境從該壓印單元搬出的模板之正面的模板洗淨區塊。另，亦可在洗淨模板之正面時除去該模板上的脫模劑。
該模板洗淨區塊亦可具有以紫外線照射該模板之正面的紫外線照射部。
該模板洗淨區塊亦可具有將洗淨液供給到該模板之正面的洗淨液供給部。該洗淨液中可使用有機溶劑或純水，又，亦可使用有機溶劑與純水兩者。
該模板洗淨區塊亦可具有檢査該洗淨後的模板之正面的檢査單元。
該壓印單元包含：基板保持部，保持該基板；模板保持部，保持該模板；以及移動機構，使該模板保持部升降；該基板保持部與該模板保持部亦可配置為使得保持在該基板保持部的該基板與保持在該模板保持部的該模板係相向。
在該壓印單元中，該模板保持部係配置在該基板保持部的上方，亦可在對於該壓印單元的該模板搬入搬出站側設有使該模板之正反面反轉的反轉單元。此時，該壓印單元亦可為了形成該塗佈膜，而具有將塗佈液供給到保持在該基板保持部的該基板上之塗佈液供給部。
該壓印單元中，該模板保持部亦可配置在該基板保持部的下方，並在對於該壓印單元的該基板搬入搬出站側，設有使該基板之正反面反轉的反轉單元。此時，該壓印單元亦可為了形成該塗佈膜，而具有將塗佈液供給到保持在該模板保持部的該模板上之塗佈液供給部。
另，亦可在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將塗佈液塗佈到該模板上的塗佈單元，用來形成該塗佈膜。
亦可至少在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，將多數該模板保持在同一架座。
本發明之其他態樣係一種使用壓印系統的壓印方法，該壓印系統包含：壓印單元，使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，在該塗佈膜形成既定圖案；基板搬入搬出站，連接到該壓印單元，可存放多數該基板，且在該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接到該壓印單元，可存放多數該模板，且在該壓印單元側搬入搬出該模板；該壓印方法之特徵在於，在該壓印單元中，使用同一該模板，在既定數量的基板形成既定圖案後，將該模板從該壓印單元搬出，並且將另一該模板搬入該壓印單元，而更換該壓印單元內的模板。
亦可在從該模板搬入搬出站將該模板搬送到該壓印單元期間，將脫模劑成膜到該模板上。
亦可在從該壓印單元將該模板搬送到該模板搬入搬出站期間，洗淨該模板之正面。另，亦可在洗淨模板之正面時除去該模板上的脫模劑。
亦可在洗淨該模板之正面時以紫外線照射該正面。此時，亦可在以紫外線照射該模板之正面後再將洗淨液供給到該正面。又，該洗淨液係有機溶劑或純水均可。
又，亦可在洗淨該模板之正面時將洗淨液供給到該正面。此時，該洗淨液亦可係有機溶劑。
亦可在洗淨該模板之正面後檢查該模板之正面。
當在該壓印單元中，該模板係配置在該基板的上方，並使該模板下降到該基板側而在該塗佈膜形成既定圖案時，亦可在從該模板搬入搬出站將該模板搬送到該壓印單元期間，使該模板之正反面反轉。此時亦可在該壓印單元中將塗佈液供給到該基板上，而形成該塗佈膜。
當在該壓印單元中，該模板係配置在該基板的下方，並使該模板上升到該基板側而在該塗佈膜形成既定圖案時，亦可在從該基板搬入搬出站將該基板搬送到該壓印單元期間，使該基板之正反面反轉。此時亦可在該壓印單元中將塗佈液供給到該模板上，而形成該塗佈膜。
另，亦可在從該模板搬入搬出站將該模板搬送到該壓印單元期間，將塗佈液供給到該模板上，而形成該塗佈膜。
亦可至少在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，將多數該模板保持在同一架座。
本發明之其他態樣，係提供在控制壓印系統之控制部的電腦上動作之程式，用來藉由該壓印系統執行該壓印方法。
本發明又一態樣係提供儲存有該程式的可讀取電腦記憶媒體。
依據本發明，可有效率地進行模板的更換，對於多數基板不間斷地形成既定圖案。
(實施發明之最佳形態)
以下說明本發明的實施形態。圖1係概略顯示本實施形態的壓印系統1之構成的上視圖。圖2係概略顯示壓印系統1之構成的側視圖。
本實施形態的壓印系統1中，如圖3所示，使用具有直方體形狀，且正面有既定轉印圖案C形成的模板T。以下，將模板T有轉印圖案C形成的面稱為正面T1 ，與該正面T1 相反側的面稱為背面T2 。模板T之正面T1 ，如圖4所示成膜有沿轉印圖案C的形狀的脫模劑S。另，模板T使用可透過可見光、近紫外光、紫外線等光線的透明材料，例如玻璃。又，脫模劑S的材料，使用對於後述晶圓上的抗蝕劑膜具有斥液性的材料，例如氟系樹脂等。
壓印系統1如圖1所示，具有將下者連接為一體之構成：模板搬入搬出站2，將多數模板T，例如5片，以匣盒為單位在外部與壓印系統1之間搬入搬出，並對於模板匣盒CT 搬入搬出模板T；壓印單元3，使用模板T在作為基板的晶圓W上形成抗蝕劑圖案；晶圓搬入搬出站4，作為基板搬入搬出站，將多數晶圓W，例如25片，以匣盒為單位在外部與壓印系統1之間搬入搬出，並對於晶圓匣盒CW 搬入搬出晶圓W。
模板搬入搬出站2設有匣盒載置台10。匣盒載置台10將多數模板匣盒CT 在X方向(圖1中的上下方向)自由載置成一列。亦即，模板搬入搬出站2係構成為可存放多數模板T。
模板搬入搬出站2設有可移動在往X方向延伸的搬送通道11上的模板搬送體12。模板搬送體12在垂直方向及垂直迴繞(θ方向)均可自由移動，可在模板匣盒CT 與壓印單元3之間搬送模板T。
亦可更在模板搬入搬出站2設有使模板T之正反面反轉的反轉單元13。
晶圓搬入搬出站4設有匣盒載置台20。匣盒載置台20將多數晶圓匣盒CW 在X方向(圖1中的上下方向)自由載置成一列。亦即，晶圓搬入搬出站4係構成為可存放多數晶圓W。
晶圓搬入搬出站4設有可移動在往X方向延伸的搬送通道21上的晶圓搬送體22。晶圓搬送體22在垂直方向及垂直迴繞(θ方向)均可自由移動，可在晶圓匣盒CW 與壓印單元3之間搬送晶圓W。
晶圓搬入搬出站4更設有調整晶圓W朝向的對齊單元23。對齊單元23調整晶圓的朝向，例如依據晶圓W的凹口部位置。
其次說明上述壓印單元3之構成。壓印單元3如圖5所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)與晶圓W的搬入搬出口(未圖示)的外殼30。
外殼30內的底面設有晶圓保持部31作為載置保持晶圓W的基板保持部。晶圓W載置在晶圓保持部31的頂面並使該被處理面朝上。晶圓保持部31內設有用來從下方支持並使晶圓W升降的升降銷32。升降銷32可藉由升降驅動部33而上下移動。晶圓保持部31的頂面有在厚度方向貫穿該頂面的貫穿孔34形成，且升降銷32插穿貫穿孔34。又，晶圓保持部31可藉由設在該晶圓保持部31下方的移動機構35而在水平方向移動，且能以垂直迴繞的方式自由旋轉。
如圖6所示，在晶圓保持部31的X方向負向(圖6的下方向)側，設有沿Y方向(圖6的左右方向)延伸的軌道40。軌道40例如從晶圓保持部31的Y方向負向(圖6的左方向)側外端形成到Y方向正向(圖6的右方向)側外端。軌道40安裝有臂41。
作為塗佈液供給部而將作為塗佈液之抗蝕劑液供給到晶圓W上的抗蝕劑液噴嘴42係由臂41支持。抗蝕劑液噴嘴42，具有例如與晶圓W的直徑尺寸相同或較長而沿X方向的細長形狀。抗蝕劑液噴嘴42使用例如噴墨式的噴嘴，在抗蝕劑液噴嘴42的下部，有沿長邊方向形成為一列的多數供給口(未圖示)形成。並且，抗蝕劑液噴嘴42可嚴格控制抗蝕劑液的供給時序、抗蝕劑液的供給量等。
臂41係藉由噴嘴驅動部43而在軌道40上自由移動。藉此，抗蝕劑液噴嘴42可從設置在晶圓保持部31之Y方向正向側外端的待命部44起，移動到晶圓保持部31上的晶圓W的上方，且可在該晶圓W之正面上往晶圓W的徑方向移動。又，臂41係藉由噴嘴驅動部43而自由升降，可調整抗蝕劑液噴嘴42的高度。
在外殼30內的頂面，亦即晶圓保持部31的上方，如圖5所示，設有保持模板T的模板保持部50。亦即，晶圓保持部31與模板保持部50係配置為：使得載置在晶圓保持部31的晶圓W、與保持在模板保持部50的模板T彼此面對。又，模板保持部50具有吸附在模板T之背面T2 的外周部進行保持的吸爪51。吸爪51藉由設在該吸爪51的上方的移動機構52，在垂直方向自由移動，且以垂直迴繞的方式自由旋轉。藉此，模板T可面對著晶圓保持部31上的晶圓W以既定方向旋轉升降。
模板保持部50具有光源53，設在吸爪51所保持的模板T上方。從光源53發出例如可見光、近紫外光、紫外線等光線，來自此光源53的光線係透過模板T而向下照射。
其次說明上述反轉單元13之構成。反轉單元13如圖7所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼60。
外殼60內設有使模板T之正反面反轉的反轉機構70。反轉機構70具有一對可互相接近、分離的保持部71、71。保持部71具有：框架部72，構成為適合模板T的外形；以及臂部73，支持框架部72；此等框架部72與臂部73係形成為一體。框架部72設有用來保持模板T的夾持部74，夾持部74有推拔溝(未圖示)形成。並且，如圖8所示藉由一對分離的保持部71、71互相接近，使模板T的外周部插入夾持部74的推拔溝，進而支持模板T。
保持部71如圖9所示由旋轉驅動部75支持。藉由此旋轉驅動部75，保持部71可以以水平迴繞(Y軸迴繞)的方式旋動，且可在水平方向(Y方向)。亦即，使保持部71所保持的模板T之正反面反轉。旋轉驅動部75的下方，中隔軸桿76設有升降驅動部77。旋轉驅動部75及保持部71可藉由此升降驅動部77而升降。
以上的壓印系統1中如圖1所示，設有控制部100。控制部100例如係電腦，且具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部係儲存程式，該程式控制模板T在模板搬入搬出站2與壓印單元3之間的搬送、晶圓W在晶圓搬入搬出站4與壓印單元3之間的搬送、或壓印單元3中驅動系統的動作等控制，並執行壓印系統1中後述壓印處理。另，此程式係紀錄在電腦可讀取的記憶媒體，例如電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)，記憶卡等，亦可從該記憶媒體安裝到控制部100。
本實施形態之壓印系統1係如以上構成。其次說明在該壓印系統1進行的壓印處理。圖10係顯示此壓印處理的主要處理流程，圖11係顯示各步驟中模板T與晶圓W之狀態。
首先，在模板搬入搬出站2中，藉由模板搬送體12從匣盒載置台10上的模板匣盒CT 取出模板T，搬送到反轉單元13。此時在模板匣盒CT 內，模板T係以有轉印圖案C形成之正面T1 朝上的方式收容，模板T在此狀態下搬送到反轉單元13。
將搬入反轉單元13的模板T傳遞到反轉機構70，使其正反面反轉。亦即，使模板T的背面T2 朝上。其後，模板T藉由模板搬送體12而搬送到壓印單元3(圖10的步驟A1)。搬入壓印單元3的模板T，吸附保持在模板保持部50的吸爪51。
如此從模板搬入搬出站2將模板T搬送往壓印單元3途中，在晶圓搬入搬出站4藉由晶圓搬送體22將晶圓W從匣盒載置台20上的晶圓匣盒CW 取出，搬送到對齊單元23。並且，在對齊單元23中，依據晶圓W的凹口部位置，調整晶圓W的朝向。其後，晶圓W藉由晶圓搬送體22搬送到壓印單元3(圖10的步驟A2)。另，晶圓搬入搬出站4中，晶圓匣盒CW 內的晶圓W係以其被處理面朝上的方式收容，晶圓W在此狀態下搬送到壓印單元3。
將搬入壓印單元3的晶圓W傳遞到升降銷32，並載置保持在晶圓保持部31上。接著，使保持在晶圓保持部31的晶圓W移動到水平方向的既定位置並對齊位置後，使抗蝕劑液噴嘴42往晶圓W的徑方向移動，如圖11(a)所示將抗蝕劑液塗佈到晶圓W上，形成作為塗佈膜的抗蝕劑膜R(圖10的步驟A3)。此時，藉由控制部100控制從抗蝕劑液噴嘴42供給的抗蝕劑液之供給時序或供給量等。亦即，控制使得晶圓W上形成的抗蝕劑圖案中，塗佈在對應於凸部的部分(模板T的轉印圖案C中對應於凹部的部分)之抗蝕劑液的量較多，塗佈在對應於凹部的部分(轉印圖案C中對應於凸部的部分)之抗蝕劑液的量較少。抗蝕劑液係如此因應於轉印圖案C的開口率而塗佈在晶圓W上。
晶圓W上有抗蝕劑膜R形成時，使保持在晶圓保持部31的晶圓W移動到水平方向的既定位置並對齊位置，使保持在模板保持部50的模板T旋轉到既定朝向。並且，以圖11(a)的箭頭所示的使模板T下降到晶圓W側。模板T下降到既定位置，令模板T之正面T1 抵住晶圓W上的抗蝕劑膜R。另，此既定位置，係依據在晶圓W上形成的抗蝕劑圖案之高度而設定。接著，從光源53照射光線。來自光源53的光線，係如圖11(b)所示透過模板T而照射到晶圓W上的抗蝕劑膜R，抗蝕劑膜R藉此而光聚合。如此將模板T的轉印圖案C轉印到晶圓W上的抗蝕劑膜R，形成抗蝕劑圖案P(圖10的步驟A4)。
其後，如圖11(c)所示令模板T上升，在晶圓W上形成抗蝕劑圖案P。此時，因為模板T之正面T1 塗佈有脫模劑S，因此晶圓W上的抗蝕劑不會附著在模板T之正面T1 。其後，將晶圓W藉由升降銷32傳遞到晶圓搬送體22，並從壓印單元3搬送到晶圓搬入搬出站4，回到晶圓匣盒CW (圖10的步驟A5)。另，有時在晶圓W上形成的抗蝕劑圖案P的凹部殘留有薄薄的抗蝕劑殘存膜L，但可例如在壓印系統1的外部如圖11(d)所示除去該殘存膜L。
反覆進行以上的步驟A2～A5(圖10中虛線框起的部分)，使用同一模板T，分別在多數晶圓W上形成抗蝕劑圖案P。對於既定片數的晶圓W進行此種處理後，更換模板T。亦即，將壓印單元3內的模板T傳遞到模板搬送體12，並從壓印單元3搬送到模板搬入搬出站2(圖10的步驟A6)。其後，將模板T搬送到反轉單元13，使該模板T之正反面反轉後，亦即使模板T之正面T1 朝上後，回到模板匣盒CT 。接著，將次一模板T從模板搬入搬出站2搬送到壓印單元3。另，更換模板T之時序係考慮模板T的劣化等而設定。又，在晶圓W形成不同的圖案P時，亦會更換模板T。例如亦可使用1次模板T即更換該模板T。又，例如可對每1片晶圓W更換模板T，例如亦可對每1組更換模板T。
如此，在壓印系統1，對於多數晶圓W不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案P。
以上實施形態的壓印系統1，因為具有模板搬入搬出站2與晶圓搬入搬出站4，故可在壓印單元3中使用同一模板T在既定片數的晶圓W形成既定的抗蝕劑圖案P後，將該模板T不間斷地更換成另一模板T。藉此，可在例如模板T劣化前，或在多數晶圓W上形成不同的抗蝕劑圖案P時，不受中斷而有效率地更換壓印單元3內的模板T。所以，可對於多數晶圓W不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案P。又，藉此亦可實現半導體元件的量產化。
又，因為模板搬入搬出站2設有使模板T之正反面反轉的反轉單元13，所以可在模板搬入搬出站2內的模板匣盒CT 與壓印單元3之間，滑順地搬送模板T。又，因為模板T小於晶圓W，故能簡單地使模板T之正反面反轉。
以上實施形態的壓印系統1中，亦可如圖12所示在模板搬入搬出單元2與壓印單元3之間，配置以下站點：處理站200，包含對於模板T施以既定處理的多數處理單元；以及中介站201，設為鄰接於處理站200，在處理站200與壓印單元3之間進行模板T的傳遞。
處理站200在其中心部設有搬送單元210。此搬送單元210的周邊配置有多段各種處理單元，例如配置有6個處理區塊G1～G6。處理站200之正面側(圖12的X方向負向側)，從模板搬入搬出站2側起依序配置有第1處理區塊G1、第2處理區塊G2。處理站200的模板搬入搬出站2側配置有第3處理區塊G3，處理站200的壓印單元3側配置有第4處理區塊G4。處理站200的背面側(圖12的X方向正向側)，從模板搬入搬出站2側起依序配置有第5處理區塊G5、第6處理區塊G6。搬送單元210可將模板T搬送給配置在此等處理區塊G1～G6內的後述各種處理單元。另，本實施形態中係藉由處理區塊G1～G4構成脫模劑處理區塊，藉由處理區塊G5、G6構成模板洗淨區塊。
第1處理區塊G1如圖13所示，依序重疊有多數液處理單元，例如從下方起依序重疊有以下2段單元：脫模劑塗佈單元211，將液體狀的脫模劑S塗佈到模板T；以及清洗單元212，清洗模板T上的脫模劑S。第2處理區塊G2亦相同，從下方起依序重疊有以下2段單元：脫模劑塗佈單元213、以及清洗單元214。又，在第1處理區塊G1及第2處理區塊G2的最下段，分別設有用來將各種處理液供給到該液處理單元的化學室215、216。
第3處理區塊G3如圖14所示，從下方起依序重疊有以下6段單元：前洗淨單元220，以紫外線照射模板T，洗淨模板T上脫模劑S成膜前之正面T1 ；溫度調節單元221、222，調節模板T的溫度；傳遞單元223，用來傳遞模板T；以及加熱單元224、225，對於模板T進行加熱處理。
第4處理區塊G4亦與第3處理區塊G3相同，由下方起依序設有以下6段單元：前洗淨單元230；溫度調節單元231、232；傳遞單元233；以及加熱單元234、235。
第5處理區塊G5如圖15所示，從下方起依序設有以下3段單元：後洗淨單元240、241，洗淨使用後的模板T之正面T1 ；以及檢査單元242，檢查洗淨後的模板T之正面T1 。
第6處理區塊G6亦與第5處理區塊G5相同，從下方起依序設有以下3段單元：後洗淨單元250、251；以及檢査單元252。另，後洗淨單元240、241、250、251亦可再洗淨模板T之背面T2 ，檢査單元242、252亦可再檢査模板T的背面T2 。
中介站201如圖12所示，設有移動在往X方向延伸的搬送通道260上之模板搬送體261。又，在搬送通道260的X方向正向側，配置有使模板T之正反面反轉的反轉單元13，在搬送通道260的X方向負向側，配置有暫時保管多數模板T的暫存匣盒262。模板搬送體261在垂直方向及垂直迴繞(θ方向)均係自由移動，可在處理站200、反轉單元13、暫存匣盒262、壓印單元3之間搬送模板T。另，本實施形態的反轉單元13，係將圖1所示模板搬入搬出站2設置的反轉單元13，移動配置到中介站201。
其次說明上述搬送單元210之構成。搬送單元210如圖16所示，具有多數保持並搬送模板T的搬送臂270，例如具有2隻。
搬送臂270如圖17所示，具有以下部分：臂部271，構成為大於模板T直徑的約略3/4圓環狀；以及支持部272，與此臂部271形成為一體，且支持臂部271。臂部271設有向內側突出並保持模板T角隅部的保持部273，例如設有4處。搬送臂270，可將模板T水平保持在此保持部273上。
搬送臂270的基端部如圖16所示，設有臂驅動部274。藉由此臂驅動部274，各搬送臂270可獨立在水平方向移動。此搬送臂270與臂驅動部274係由基台275支持。基台275的底面，中隔軸桿276而設有旋轉驅動部277。藉由此旋轉驅動部277，基台275及搬送臂270能以軸桿276為中心軸旋轉，且可升降。
其次說明上述脫模劑塗佈單元211、213之構成。脫模劑塗佈單元211如圖18所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼280。
外殼280內的中央部設有保持並使模板T旋轉的保持構件281。保持構件281的中央部分向下凹入，形成收容模板T的收容部282。收容部282的下部有小於模板T之外形的溝部282a形成。所以，在收容部282內，模板T的底面內周部係藉由溝部282a而不與保持構件281相接，僅模板T的底面外周部受到保持構件281支持。收容部282如圖19所示，具有適合於模板T之外形的約略四邊形的平面形狀。收容部282有多數從側面向內側突出的突出部283形成，並藉由此突出部283來定位收容在收容部282的模板T的位置。又，從搬送臂270將模板T傳遞到收容部282時，為了避免搬送臂270的保持部273與收容部282發生干涉，在收容部282的外周有4處之缺口部284形成。
保持構件281如圖18所示安裝在罩蓋體285，保持構件281的下方，中隔軸桿286而設有旋轉驅動部287。藉由此旋轉驅動部287，保持構件281能以垂直迴繞的方式以既定速度旋轉，且可升降。
保持構件281的周圍設有承接、回收從模板T飛散或落下之脫模劑S的杯具290。杯具290的底面，連接有將回收的脫模劑S加以排出的排出管291、與將杯具290內的環境氣體加以排氣的排氣管292。
如圖20所示，在杯具290的X方向負向(圖20的下方向)側有沿Y方向(圖20的左右方向)延伸的軌道300形成。軌道300係例如從杯具290的Y方向負向(圖20的左方向)側外端起，形成到Y方向正向(圖20的右方向)側外端。軌道300安裝有臂301。
臂301支持將脫模劑S供給到模板T上的脫模劑噴嘴302。臂301係藉由噴嘴驅動部303而在軌道300上自由移動。藉此，脫模劑噴嘴302可從設置在杯具290的Y方向正向側外端之待命部304起，移動到杯具290內模板T的中心部上方。又，臂301係藉由噴嘴驅動部303而自由升降，可調整脫模劑噴嘴302的高度。
另，例如亦可在保持構件281的溝部282a內，設置噴射洗淨液的洗淨液噴嘴，噴射例如有機溶劑。藉由從此洗淨液噴嘴將洗淨液噴射到模板T的背面T2 ，可洗淨該背面T2 。
另，脫模劑塗佈單元213之構成係與上述脫模劑塗佈單元211之構成相同，故省略說明。
其次說明上述清洗單元212、214之構成。清洗單元212如圖21所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼310。
外殼310內的底面設有浸漬模板T的浸漬槽311。浸漬槽311內貯留有用來清洗模板T上的脫模劑S的有機溶劑。
外殼310內的頂面，亦即浸漬槽311的上方，設有保持模板T的保持部312。保持部312具有吸附在模板T之背面T2 的外周部進行保持的吸爪313。模板T係以其正面T1 朝上的方式保持在吸爪313。吸爪313可藉由升降機構314而升降。並且，模板T在保持在保持部312的狀態下，浸漬到貯留在浸漬槽311的有機溶劑中，而清洗該模板T上的脫模劑S。
保持部312具有設在保持在吸爪313的模板T的上方的氣體供給部315。氣體供給部315可將例如氮等不活性氣體、或乾燥空氣等氣體噴射到下方，亦即噴射到保持在吸爪313的模板T之正面T1 。藉此，可使在浸漬層311清洗的模板T之正面T1 乾燥。另，清洗單元214連接有將內部的環境氣體加以排氣的排氣管(未圖示)。
另，清洗單元214之構成係與上述清洗單元212之構成相同，故省略說明。
其次說明上述前洗淨單元220、230之構成。前洗淨單元220如圖22所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼320。
外殼320內設有吸附保持模板T的吸爪321。吸爪321係吸附在其背面T2 進行保持並使模板T之正面T1 朝上。吸爪321的下方設有吸爪驅動部322。此吸爪驅動部322安裝在設在外殼320內的底面沿Y方向延伸的軌道323上。吸爪321係藉由此吸爪驅動部322而可沿軌道323移動。
外殼320內的頂面，亦即軌道323的上方，設有以紫外線照射保持在吸爪321之模板T的紫外線照射部324。紫外線照射部324如圖23所示往X方向延伸。並且，藉由在模板T沿軌道323移動途中，從紫外線照射部324以紫外線照射該模板T之正面T1 ，而使模板T之正面T1 整面均經紫外線照射。
另，前洗淨單元230之構成係與上述前洗淨單元220之構成相同，故省略說明。
其次說明上述加熱單元224、225、234、235之構成。加熱單元224如圖24所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼330。
外殼330內的底面設有載置模板T的載置台331。模板T以其正面T1 朝上的方式載置在載置台331的頂面。載置台331內設有用來從下方支持並使模板T升降的升降銷332。升降銷332可藉由升降驅動部333而上下移動。載置台331的頂面有貫穿該頂面厚度方向的貫穿孔334形成，且升降銷332插穿貫穿孔334。又，載置台331的頂面設有加熱模板T的熱板335。熱板335的內部設有例如藉由供電而發熱的加熱器，熱板335可調節到既定設定溫度。另，此熱板335亦可設於模板T的上方，例如後述蓋體340的頂面。又，亦可在模板T的上方與下方設置熱板335。
載置台331的上方設有自由上下移動的蓋體340。蓋體340形成底面開口且與載置台331成為一體的處理室K。蓋體340的頂面中央部設有排氣部341。處理室K內的環境氣體係從排氣部341均勻地進行排氣。
另，加熱單元225、234、235之構成係與上述加熱單元224之構成相同，故省略說明。
又，溫度調節單元221、222、231、232之構成，亦與上述加熱單元224具有同樣構成，並使用溫度調節板取代熱板335。溫度調節板的內部設有例如帕耳帖元件等冷卻構件，可將溫度調節板調節到設定溫度。又，此時亦可省略加熱單元224之蓋體340。
其次說明上述後洗淨單元240、241、250、251之構成。後洗淨單元240如圖25所示，具有在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼350。
外殼350內的底面設有載置模板T的載置台351。模板T係以其正面T1 朝上的方式載置在載置台351的頂面。載置台351內設有用來從下方支持並使模板T升降的升降銷352。升降銷352係藉由升降驅動部353而可上下移動。載置台351的頂面，有貫穿該頂面厚度方向的貫穿孔354形成，且升降銷352插穿貫穿孔354。
在如圖26所示的載置台351的X方向負向(圖26的下方向)側，設有沿Y方向(圖26的左右方向)延伸的軌道360。軌道360係從例如載置台351的Y方向負向(圖26的左方向)側外端起，形成到Y方向正向(圖6的右方向)側外端。軌道360安裝有臂361。
作為將洗淨液供給到模板T上的洗淨液供給部洗淨液噴嘴362係由臂361支持。洗淨液噴嘴362例如具有與模板T的一邊尺寸相同或較長並沿X方向的細長形狀。另，洗淨液係使用例如有機溶劑或純水，就有機溶劑而言，係使用IPA(異丙醇)、二丁醚、環己烷等。
臂361係藉由噴嘴驅動部363而在軌道360上自由移動。藉此，洗淨液噴嘴362可從設置在載置台351的Y方向正向側外端的待命部364起，移動到載置台351上的模板T的上方，可更在該模板T之正面T1 上往模板T的邊緣方向移動。又，臂361係藉由噴嘴驅動部363而自由升降，可調整洗淨液噴嘴362的高度。
外殼350內的頂面，亦即載置台351的上方，設有以紫外線照射模板T的紫外線照射部365。紫外線照射部365配置成面對著載置在載置台351的模板T之正面T1 ，能以紫外線照射該模板T之正面T1 整面。
另，後洗淨單元241、250、251之構成係與上述後洗淨單元240的構成相同，故省略說明。
本實施形態之壓印系統1係如以上構成。其次說明在該壓印系統1進行的壓印處理。圖27係顯示此壓印處理的主要處理流程，圖28係顯示各步驟中模板T與晶圓W的狀態。
首先，藉由模板搬送體12從匣盒載置台10上的模板匣盒CT 將模板T取出，搬送到處理站200的第3處理區塊G3內的傳遞單元223(圖27的步驟B1)。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到前洗淨單元220，吸附保持在吸爪321。接著，藉由吸爪驅動部322將模板T沿軌道323移動，並從紫外線照射部324以紫外線照射該模板T。如此以紫外線照射模板T之正面T1 整面，如圖28(a)所示洗淨模板T之正面T1 (圖27的步驟B2)。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到脫模劑塗佈單元211，傳遞到保持構件281。接著，將脫模劑噴嘴302移動到模板T的中心部上方，並且使模板T旋轉。並且，將脫模劑S供給到旋轉中的模板T上，藉由離心力使脫模劑S在模板T上擴散，如圖28(b)所示將脫模劑S塗佈到模板T之正面T1 整面(圖27的步驟B3)。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到加熱單元224。將搬入加熱單元224的模板T傳遞到升降銷332，並載置在載置台331。接著，蓋上蓋體340，將模板T藉由熱板335加熱到例如200℃。經過既定時間後，如圖28(c)所示，模板T上的脫模劑S係經烘烤(圖27的步驟B4)。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到溫度調節單元211，將模板T調節到既定溫度。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到清洗單元212，保持在保持部312。接著，使保持部312下降，將模板T浸漬到貯留在浸漬槽311的有機溶劑。經過既定時間後，僅剝離脫模劑S未反應的部份，如圖28(d)所示將沿轉印圖案C的脫模劑S成膜到模板T上(圖27的步驟B5)。其後，使保持部312上升，從氣體供給部315將氣體噴射到模板T，使其正面T1 乾燥。另，脫模劑S的未反應部份係指：脫模劑S與模板T之正面T1 進行化學反應而吸附該正面T1 的部分以外。
其後，藉由搬送單元210將模板T搬送到第4處理區塊G4的傳遞單元233。接著，將模板T藉由中介站201的模板搬送體261搬送到反轉單元13，並使模板T之正反面反轉。其後，將模板T藉由模板搬送體261搬送到壓印單元3，吸附保持在模板保持部50的吸爪51。
如此在處理站200對於模板T進行既定處理，在將模板T往壓印單元3搬送途中，從晶圓搬入搬出站4將晶圓W搬送到壓印單元3(圖27的步驟B6)。另，此步驟B6係與前述實施形態中的步驟A2相同，故省略詳細說明。
其後，在壓印單元3中，如圖28(e)所示將抗蝕劑液塗佈到晶圓W上(圖27的步驟B7)，如圖28(f)所示使模板T之正面T1 抵住晶圓W上的抗蝕劑膜R，而將模板T的轉印圖案C轉印到晶圓W上的抗蝕劑膜R，形成抗蝕劑圖案P(圖27的步驟B8)。其後，如圖28(g)所示使模板T上升，在晶圓W上有抗蝕劑圖案P形成後，回到晶圓匣盒CW (圖27的步驟B9)。另，此等步驟B7～B9係與前述實施形態中的步驟A3～A5相同，故省略詳細說明。又，亦可在進行步驟B9後，與前述實施形態相同，如圖28(h)所示除去晶圓W上的殘存膜L。
反覆進行以上的步驟B6～B9(圖27中以虛線框起的部分)，使用同一模板T，分別在多數晶圓W上形成抗蝕劑圖案P。此段期間，反覆進行上述步驟B1～B5，將脫模劑S成膜到多數模板T之正面T1 上。成膜有脫模劑S的模板T係保管在中介站201的暫存匣盒262。並且，對於既定片數的晶圓W進行步驟B6～B9後，藉由模板搬送體261將已使用的模板T從壓印單元3搬出，搬送到反轉單元13(圖27的步驟B10)。搬送到反轉單元13的已使用的模板T，使其正反面反轉。其後，藉由模板搬送體261將模板T搬送到第4處理區塊G4的傳遞單元233。接著，藉由模板搬送體261將暫存匣盒262內的模板T搬送到壓印單元3。藉此而更換壓印單元3內的模板T。
搬送到傳遞單元233的模板T，其後藉由搬送單元210搬送到後洗淨單元240。搬送到後洗淨單元240的模板T，傳遞到升降銷352，載置在載置台351。接著，從紫外線照射部365以紫外線照射模板T之正面T1 整面。如此使模板T上的脫模劑S氣化而幾近除去。經過既定時間後，停止紫外線的照射，將洗淨液噴嘴362往模板T的邊緣方向移動，並將洗淨液供給到殘存在該模板T上的脫模劑S。如此而除去模板T上的脫模劑S，洗淨正面T1 (圖27的步驟B11)。另，使用純水作為洗淨液時，為了避免模板T之正面T1 有水跡(Watermark)附著，其後宜再使用有機溶劑，即使用IPA洗淨。另，後洗淨單元240可不僅洗淨模板T之正面T1 ，並再洗淨背面T2 。
其後藉由搬送單元210將模板T搬送到檢査單元242。並且，在檢査單元242藉由例如觀察干涉條紋等來檢查模板T之正面T1 (圖27的步驟B12)。另，檢査單元242可不僅檢查模板T之正面T1 ，並再檢査背面T2 。
其後，將模板T藉由搬送單元210搬送到傳遞單元223，並藉由模板搬送體12而回到模板匣盒CT 。另，當檢査單元242的檢査結果係良好時，例如模板T之正面T1 經適當洗淨且該正面T1 未劣化時，在壓印單元1內再度使用回到模板匣盒CT 的模板T。另一方面，檢査單元242的檢査結果係不良，例如模板T之正面T1 劣化時，將模板T搬出到壓印單元1的外部。
如此在壓印系統1中不間斷地更換模板T，並且對於多數晶圓W不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案P。
依據以上實施形態，因為處理站200內設有構成脫模劑處理區塊的處理區塊G1～G4，故可在壓印系統1內將脫模劑S成膜到模板T上，並且不間斷地將模板T供給到壓印單元3。藉此，可在例如模板T劣化前，或在多數晶圓W上形成不同的抗蝕劑圖案P時，亦不受中斷而有效率地更換壓印單元3內的模板T。所以，可對於多數晶圓W不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案P。
又，因為處理站200內設有構成模板洗淨區塊的處理區塊G5、G6，亦即後洗淨單元240、241、250、251，故可在壓印系統1內洗淨使用後的模板T之正面T1 。藉此，可在壓印單元1內再度使用模板T。
又，因為在後洗淨單元240、241、250、251設有紫外線照射部365與洗淨液噴嘴362，故可藉由從紫外線照射部365照射的紫外線與從洗淨液噴嘴362供給的洗淨液兩者來洗淨模板T之正面T1 。亦即，因為對於模板T進行所謂的乾式洗淨與濕式洗淨兩者，故可確實洗淨模板T之正面T1 。
又，因為紫外線照射部365利用一次照射即能以紫外線照射模板T之正面T1 整面，故可迅速進行針對模板T的乾式洗淨。
再者，因為處理站200內設有檢査單元242、252，故可檢查洗淨後的模板T之正面T1 。並且，可依據此檢査結果來決定例如再度在壓印單元1內使用該模板T，或者搬出到壓印單元1的外部等。藉此，因為可有效利用模板T，並且不會在壓印單元1內使用不良的模板T，故可在多數晶圓W上恰當的形成既定的抗蝕劑圖案P。
另，以上實施形態的處理站200設有以下兩者：構成脫模劑處理區塊的處理區塊G1～G4、與構成模板洗淨區塊的處理區塊G5、G6，但例如亦可如圖29所示，僅在處理站200內設置脫模劑處理區塊，即處理區塊G1～G4。此時省略該實施形態的步驟B11、B12，使用後的模板T之正面T1 的洗淨係在壓印系統1的外部進行。又，例如亦可如圖30所示，在處理站200內設置模板洗淨區塊，即處理區塊G5、G6，而在處理區塊G3、G4的位置分別設置用來進行模板T之傳遞的傳遞單元370、371。此時省略該實施形態的步驟B2～B5，模板T上的脫模劑S之成膜係在壓印系統1的外部進行。亦即，係將已成膜有脫模劑S的模板T搬入壓印系統1。其中任一者均可不間斷地更換壓印單元3內的模板T，而可對於多數晶圓W不間斷地形成既定的抗蝕劑圖案P。
以上實施形態的脫模劑塗佈單元211、213中，係藉由將脫模劑S供給到旋轉中的模板T上，而將脫模劑S塗佈到模板T之正面T1 ，但亦可例如使用往模板T的寬度方向延伸且在底面有狹縫狀供給口形成的脫模劑噴嘴，來將脫模劑S塗佈到模板T上。此時，將脫模劑噴嘴往模板T的邊緣方向移動，並且從供給口供給脫模劑S，將脫模劑S塗佈到模板T之正面T1 整面。另，此時亦可固定脫模劑噴嘴而移動模板T。再者，例如亦可將模板T浸漬到貯留有脫模劑S的浸漬槽，而將脫模劑S塗佈到模板T上。
以上實施形態的清洗單元212、214中，係藉由將浸漬層311模板T浸漬到貯留的有機溶劑來清洗脫模劑S，但亦可使用與圖18及圖20所示的脫模劑塗佈單元211、214具有相同構成的清洗單元。此時，係使用將作為脫模劑S清洗液之有機溶劑供給到模板T上的清洗液噴嘴，來取代脫模劑塗佈單元211、214的脫模劑噴嘴302。
並且在此清洗單元中，將有機溶劑供給到旋轉中的模板T上，而清洗模板T之正面T1 整面。經過既定時間後，僅將脫模劑S的未反應部份剝離，沿轉印圖案C將脫模劑S成膜到模板T上。其後，停止供給有機溶劑後，再繼續使模板T旋轉，甩乾該正面T1 。如此而清洗模板T上的脫模劑S。
以上實施形態的後洗淨單元240、241、250、251係設有紫外線照射部365與洗淨液噴嘴362兩者，但亦可僅設置其中任一者。例如僅藉由照射紫外線來洗淨模板T之正面T1 時，在圖25及圖26所示的後洗淨單元240中，亦可僅設置紫外線照射部365，而省略洗淨液噴嘴362。另一方面，僅藉由供給洗淨液來洗淨模板T之正面T1 時，在圖25及圖26所示的後洗淨單元240中，亦可僅設置洗淨液噴嘴362，而省略紫外線照射部365。此時洗淨液中使用有機溶劑。另，例如使用IPA作為有機溶劑時，僅藉由該IPA即可除去脫模劑S。另一方面，使用例如二丁謎或環己烷時，宜在供給該有機溶劑後，再供給IPA來除去脫模劑S。
又，亦可將僅使用上述紫外線照射部365的單元、僅使用洗淨液噴嘴362的單元之兩者組合使用，來取代後洗淨單元240、241、250、251。此時，往模板T照射紫外線與供給洗淨液係在各自單元進行。又，此時亦可在僅使用洗淨液噴嘴362的單元，藉由如後所述從旋轉中的模板T之中心部上方供給洗淨液，使該洗淨液擴散到正面T1 整面，而除去模板T上的脫模劑S。
再者，後洗淨單元240、241、250、251中，係移動洗淨液噴嘴362並將洗淨液供給到模板T之正面T1 整面，但亦可使用與圖18及圖20所示的脫模劑塗佈單元211、214具有相同構成的單元。此時，設有洗淨液噴嘴362來取代脫模劑塗佈單元211、214的脫模劑噴嘴302。並且，在此單元內，係藉由使模板T旋轉並從旋轉中的模板T之中心部上方供給洗淨液，使該洗淨液擴散到正面T1 整面，而除去模板T上的脫模劑S。
又，例如亦可使用具有貯留有洗淨液的浸漬槽的單元來取代後洗淨單元240、241、250、251。此時係將模板T浸漬到浸漬槽內的洗淨液中，除去模板T上的脫模劑S。
再者，在後洗淨單元240、241、250、251中，係由紫外線照射部365來以紫外線照射模板T之正面T1 整面，但亦可使用與圖22及圖23所示的前洗淨單元220具有相同構成的單元，移動模板T並且以紫外線照射該移動中的模板T。
另一方面，前洗淨單元220、230中，亦可使用與圖25及圖26所示的後洗淨單元240具有相同構成的單元，亦即與紫外線照射部365相同的紫外線照射部，來以紫外線照射模板T之正面T1 整面。又，此時亦可與圖18及圖20所示的脫模劑塗佈單元211、214相同，使模板T旋轉，並以紫外線照射該旋轉中的模板T之正面T1 整面。
以上實施形態，壓印單元3中，模板保持部50係設在晶圓保持部31的上方，但亦可將模板保持部設在晶圓保持部的下方。
此時如圖31所示，在壓印單元400之外殼401的底面設有模板保持部402。模板保持部402具有與圖5及圖6所示的模板保持部50相同之構成，係將該模板保持部50在垂直方向反轉而配置。所以，模板T係以其正面T1 朝上的方式保持在模板保持部402。又，從模板保持部402的光源53發出的光線係向上照射。
又，外殼401的內頂面，亦即模板保持部402的上方，設有晶圓保持部403。晶圓保持部403吸附在該晶圓W的背面進行保持，且使晶圓W的被處理面朝下。晶圓保持部403係藉由設在該晶圓保持部403上方之移動機構404而可在水平方向移動。
另，壓印單元400之其他構成係與圖5及圖6所示的壓印單元3之構成相同，故省略說明。
其次說明在以上構成的壓印單元400中進行的壓印處理。圖32係顯示主要步驟中模板T與晶圓W的狀態。
首先，將模板T與晶圓W搬入壓印單元400，分別吸附保持在模板保持部402與晶圓保持部403。
其後，將抗蝕劑液噴嘴42移動到模板T的邊緣方向，如圖32(a)所示將抗蝕劑液塗佈到模板T上，形成抗蝕劑膜R。此時將抗蝕劑液塗佈到模板T上的方式如下：塗佈在模板T的轉印圖案C中對應於凹部的部分(在晶圓W上形成的抗蝕劑圖案P中對應於凸部的部分)之抗蝕劑液的量較多，塗佈在對應於凸部的部分(抗蝕劑圖案P中對應於凹部的部分)之抗蝕劑液的量較少。如此因應於轉印圖案C的開口率來將抗蝕劑液塗佈到模板T上。
將抗蝕劑膜R塗佈到模板T上後，將保持在晶圓保持部403的晶圓W移動到水平方向的既定位置並進行對齊位置，並且使保持在模板保持部402的模板T旋轉到既定朝向。並且，如圖32(a)的箭頭所示使模板T上升到晶圓W側。模板T上升到既定位置，而模板T之正面T1 抵住晶圓W上的抗蝕劑膜R。接著，從光源53照射光線。來自光源53的光線，如圖32(b)所示透過模板T而照射到晶圓W上的抗蝕劑膜R，藉此使抗蝕劑膜R光聚合。如此將模板T的轉印圖案C轉印到晶圓W上的抗蝕劑膜R，形成抗蝕劑圖案P。
其後，如圖32(c)所示使模板T下降，在晶圓W上形成抗蝕劑圖案P。另，亦可在從壓印單元400搬出晶圓W後，如圖32(d)所示除去晶圓W上的殘存膜L。
依據以上實施形態，因為將抗蝕劑液塗佈到模板T上，故在該實施形態中不須進行將抗蝕劑液塗佈道晶圓W上時所進行的晶圓W之對齊位置。所以，在壓印單元400中，可迅速且有效率地在晶圓W上形成抗蝕劑圖案P。
具有以上構成的壓印單元400，係如圖33所示配置在壓印系統1內，取代圖12所示的壓印單元3。此時，在壓印單元400內，因為晶圓W係以其被處理面朝下的方式配置，所以在將晶圓W搬入搬出壓印單元400前，必須使該晶圓W之正反面反轉。因此，壓印系統1的晶圓搬入搬出站4設有使晶圓W之正反面反轉的反轉單元410。另，在壓印單元400內，因為模板T係以其正面T1 朝上的方式配置，故不須使模板T之正反面反轉，可省略圖12所示的反轉單元13。
反轉單元410如圖34所示具有反轉機構411。反轉機構411具有以下構成：在圖7及圖9所示的反轉機構70中，以另一對保持部412、412取代一對保持部71、71。保持部412具有構成為約略3/4圓環狀的框架部413、與支持框架部413的臂部414，此框架部413與臂部414係形成為一體。框架部413設有用來保持晶圓W的夾持部415，夾持部415有推拔溝(未圖示)形成。並且，晶圓W的周緣部插入夾持部415的推拔溝，進而支持晶圓W。另，反轉單元410之其他構成係與圖7及圖9所示的反轉單元13之構成相同，故省略說明。
此壓印系統1中，與前述實施形態同樣進行步驟B1～B12。並且，可不間斷地更換模板T，不間斷地對於多數晶圓W形成既定的抗蝕劑圖案P。另，本實施形態中，在如上述方式將晶圓W搬入壓印單元400前，與從壓印單元400搬出晶圓W後，利用反轉單元410使晶圓W之正反面反轉。又，不使模板T之正反面反轉，模板T恆以正面T1 朝上進行處理。
又，以上的實施形態係在壓印單元400內進行，亦可在處理站200內進行模板T上的抗蝕劑液之塗佈作業。例如，如圖35所示，在第5處理區塊G5與第6處理區塊G6的最下段，配置作為將抗蝕劑液塗佈到模板T上之塗佈單元的抗蝕劑塗佈單元420、421。抗蝕劑塗佈單元420、421具有的構成，係以供給抗蝕劑液的抗蝕劑液噴嘴，取代圖18及圖20所示脫模劑塗佈單元211、213中的脫模劑噴嘴302。另，此時在壓印單元400內不須將抗蝕劑液塗佈到模板T上，故可省略該壓印單元400內的抗蝕劑液噴嘴42。
此時，因為將有抗蝕劑膜R形成的模板T搬入壓印單元400，當已在1片晶圓W上形成抗蝕劑圖案P時，則更換已使用的模板T。藉此，因為減少在壓印單元400內的處理步驟，故可在晶圓W上迅速地形成抗蝕劑圖案P。
另，此種抗蝕劑塗佈單元420、421亦可配置在如圖12所示具有壓印單元3的壓印系統1。此時亦可省略壓印單元3內的抗蝕劑液噴嘴42。
以上的實施形態中，係在處理站200的脫模劑塗佈單元211、213藉由將液體狀的脫模劑S供給到旋轉中的模板T上，而將脫模劑S塗佈到模板T之正面T1 ，但亦可將氣化的脫模劑沉積到模板T之正面T1 而使脫模劑S成膜。此時，如圖36所示，壓印系統1的第1處理區塊G1配置有脫模劑塗佈單元430、431，取代如圖13所示的脫模劑塗佈單元211與清洗單元212。相同地，第2處理區塊G2亦配置有脫模劑塗佈單元432、433，取代脫模劑塗佈單元213與清洗單元214。
脫模劑塗佈單元430，具有如圖37所示在側面形成模板T的搬入搬出口(未圖示)的外殼440。外殼440的底面連接有將內部的環境氣體加以排氣的排氣管441。
外殼440內的底面設有載置模板T的載置台442。模板T以其正面T1 朝上的方式載置在載置台442的頂面。載置台442的頂面設有控制模板T溫度的溫度控制板443。溫度控制板443，例如內建有帕耳帖元件等，可將模板T設定在既定溫度。載置台442內設有用來從下方支持並使模板T升降的升降銷444。升降銷444可藉由升降驅動部445而上下移動。載置台442的頂面有貫穿該頂面厚度方向的貫穿孔446形成，且升降銷444插穿貫穿孔446。
外殼440內的頂面，亦即載置台442的上方，設有將氣化的脫模劑向下供給到模板T上的噴淋頭450。噴淋頭450配置為面對著載置在載置台442的模板T之正面T1 。噴淋頭450的內部有導入從脫模劑供給源(未圖示)供給的氣化的脫模劑的內部空間451形成。噴淋頭450的底面設有將導入內部空間451之脫模劑向下供給的多數供給口452，其係分布在噴淋頭450整個底面的狀態。亦即，有多數供給口452形成，而從噴淋頭450將氣化的脫模劑在水平面內均勻地供給。從噴淋頭450供給的脫模劑，沿轉印圖案C沉積在模板T之正面T1 上。
另，脫模劑塗佈單元431、432、433之構成係與上述脫模劑塗佈單元430的構成相同，故省略說明。
其次，說明在此配置有脫模劑塗佈單元430、431、432、433的處理站200中，將脫模劑S成膜到模板T的方法。
在處理站200內，首先，將模板T搬送到前洗淨單元220，如圖38(a)所示洗淨模板T之正面T1 。其後，將模板T搬送到脫模劑塗佈單元430，如圖38(b)所示將氣化的脫模劑S0 供給到模板T之正面T1 上，將該脫模劑S0 沿轉印圖案C沉積。此時，模板T係藉由溫度控制板443而設定在既定溫度。其後，將模板T搬送到加熱單元224，如圖38(c)所示烘烤模板T上的脫模劑S。其後，將模板T搬送到溫度調節單元211，並將模板T調節到既定溫度。如此而有沿轉印圖案C的脫模劑S成膜在模板T之正面T1 上。
依據以上的實施形態，因為將氣化的脫模劑S0 沿模板T的轉印圖案C沉積，故不須清洗脫模劑S。所以，在處理站200中，可更滑順的將脫模劑S成膜到模板T上，藉此，可提升壓印系統1之壓印處理的處理量。
以上的實施形態中，模板T的反轉單元13、晶圓W的反轉單元410係分別設在壓印單元3、400的外部，此等將模板T、晶圓W之正反面反轉的機構亦可設在壓印單元3、400的內部。
以上的實施形態中，係在模板搬入搬出站2與處理站200個別搬送並處理模板T，但亦可如圖39所示將多數的模板T，例如9片，保持在同一架座460來處理。此時，架座460如圖40所示，具有用來收容各模板T而向下凹入的收容部461形成。收容部461的底面例如有多數吸引口(未圖示)形成，將各模板T吸附保持在收容部461內。
依據本實施形態，可一次將保持在架座460的多數模板T搬送到壓印單元3側。又，在處理站200可一次對於多數模板T進行既定處理。所以，可更有效率地更換壓印單元4內的模板T。
以上參考附加圖式說明本發明的較佳實施形態，但本發明不限於此例。該技術領域中具有通常知識者，顯然能在申請專利範圍之思想範疇內思及各種變更例或修正例，其亦當然屬於本發明的技術範圍。本發明不限於此例而有各種的態様。本發明亦可適用於以下場合：基板係晶圓以外的FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)、光罩用的精密光罩(reticle)等其他基板。
(產業上利用性)
本發明係有助於以下場合：使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜形成既定圖案。
1．．．壓印系統
2．．．模板搬入搬出站
3、400．．．壓印單元
4．．．晶圓搬入搬出站
10、20．．．匣盒載置台
11、21、260．．．搬送通道
12、261．．．模板搬送體
13、410．．．反轉單元
22．．．晶圓搬送體
23．．．對齊單元
30、60、280、310、320、330、350、401、440．．．外殼
31、403．．．晶圓保持部
32、332、352、444．．．升降銷
33、77、333、353、445．．．升降驅動部
34、334、354、446．．．貫穿孔
35、52、404．．．移動機構
40、300、323、360．．．軌道
41、301、361．．．臂
42．．．抗蝕劑液噴嘴
43、303、363．．．噴嘴驅動部
44、304、364．．．待命部
50、402．．．模板保持部
51、313、321．．．吸爪
53．．．光源
70、411．．．反轉機構
71、273、312、412．．．保持部
72、413．．．框架部
73、271、414．．．臂部
74．．．夾持部
75、277、287．．．旋轉驅動部
76、276、286．．．軸桿
100．．．控制部
200．．．處理站
201．．．中介站
210．．．搬送單元
211、213．．．脫模劑塗佈單元
212、214．．．清洗單元
215、216．．．化學室
220、230．．．前洗淨單元
221、222、231、232．．．溫度調節單元
223、233．．．傳遞單元
224、225、234、235．．．加熱單元
240、241、250、251．．．後洗淨單元
242、252．．．檢査單元
262．．．暫存匣盒
270．．．搬送臂
272．．．支持部
274．．．臂驅動部
275．．．基台
281．．．保持構件
282、461．．．收容部
282a．．．溝部
283．．．突出部
284．．．缺口部
285．．．罩蓋體
290．．．杯具
291．．．排出管
292、441．．．排氣管
302．．．脫模劑噴嘴
311．．．浸漬槽
314．．．升降機構
315．．．氣體供給部
322．．．吸爪驅動部
324、365．．．紫外線照射部
331、351、442．．．載置台
335．．．熱板
340．．．蓋體
341．．．排氣部
362．．．洗淨液噴嘴
415．．．夾持部
420、421．．．抗蝕劑塗佈單元
430、431、432、433．．．脫模劑塗佈單元
443．．．溫度控制板
450．．．噴淋頭
451．．．內部空間
452．．．供給口
460．．．架座
A1~A6、B1~B12．．．步驟
C．．．轉印圖案
CT ．．．模板匣盒
CW ．．．晶圓匣盒
G1~G6．．．處理區塊
K．．．處理室
L．．．殘存膜
P．．．抗蝕劑圖案
R．．．抗蝕劑膜
S、S0 ．．．脫模劑
T．．．模板
T1 ．．．正面
T2 ．．．背面
W．．．晶圓
X、Y、θ．．．方向
圖1係概略顯示本實施形態之壓印系統之構成的上視圖。
圖2係概略顯示本實施形態之壓印系統之構成的側視圖。
圖3係模板的立體圖。
圖4係模板的側視圖。
圖5係概略顯示壓印單元之構成的縱剖面圖。
圖6係概略顯示壓印單元之構成的橫剖面圖。
圖7係概略顯示反轉單元之構成的橫剖面圖。
圖8係顯示反轉機構保持模板之模樣的說明圖。
圖9係概略顯示反轉單元之構成的縱剖面圖。
圖10係顯示壓印處理各步驟的流程圖。
圖11(a)~(d)係示意性顯示壓印處理各步驟中模板與晶圓之狀態的說明圖，(a)係顯示晶圓上已塗佈有抗蝕劑液的模樣，(b)係顯示已使晶圓上的抗蝕劑膜光聚合的模樣，(c)係顯示晶圓上已形成抗蝕劑圖案的模樣，(d)係顯示已除去晶圓上的殘存膜的模樣。
圖12係概略顯示另一實施形態之壓印系統之構成的上視圖。
圖13係概略顯示另一實施形態之壓印系統之構成的側視圖。
圖14係概略顯示另一實施形態之壓印系統之內部構成的側視圖。
圖15係概略顯示另一實施形態之壓印系統之構成的側視圖。
圖16係概略顯示搬送單元之構成的側視圖。
圖17係概略顯示搬送單元之構成的上視圖。
圖18係概略顯示脫模劑塗佈單元之構成的縱剖面圖。
圖19係概略顯示保持構件之構成的上視圖。
圖20係概略顯示脫模劑塗佈單元的構成的橫剖面圖。
圖21係概略顯示清洗單元的構成的縱剖面圖。
圖22係概略顯示前洗淨單元的構成的縱剖面圖。
圖23係概略顯示前洗淨單元的構成的橫剖面圖。
圖24係概略顯示加熱單元的構成的縱剖面圖。
圖25係概略顯示後洗淨單元的構成的縱剖面圖。
圖26係概略顯示後洗淨單元的構成的橫剖面圖。
圖27係顯示壓印處理各步驟的流程圖。
圖28(a)~(h)係示意性顯示壓印處理各步驟中模板與晶圓之狀態的說明圖，(a)係顯示已洗淨模板之正面的模樣，(b)係顯示模板之正面已塗佈有脫模劑的模樣，(c)係顯示已烘烤模板上的脫模劑的模樣，(d)係顯示模板上已成膜有脫模劑的模樣，(e)係顯示晶圓上已塗佈有抗蝕劑液的模樣，(f)係顯示已使晶圓上的抗蝕劑膜光聚合的模樣，(g)係顯示晶圓上已形成有抗蝕劑圖案的模樣，(h)係顯示已除去晶圓上的殘存膜的模樣。
圖29係概略顯示另一實施形態之壓印系統的構成的上視圖。
圖30係概略顯示另一實施形態之壓印系統的構成的上視圖。
圖31係概略顯示另一實施形態之壓印單元的構成的縱剖面圖。
圖32(a)~(d)示意性顯示壓印處理各步驟中模板與晶圓之狀態的說明圖，(a)係顯示模板上已塗佈有抗蝕劑液的模樣，(b)係顯示已使模板上的抗蝕劑膜光聚合的模樣，(c)係顯示晶圓上已形成有抗蝕劑圖案的模樣，(d)係顯示已除去晶圓上的殘存膜的模樣。
圖33係概略顯示另一實施形態之壓印系統的構成的上視圖。
圖34係概略顯示另一實施形態之反轉單元的構成的橫剖面圖。
圖35係概略顯示另一實施形態之壓印系統的構成的側視圖。
圖36係概略顯示另一實施形態之壓印系統的構成的側視圖。
圖37係概略顯示另一實施形態之脫模劑塗佈單元的構成的縱剖面圖。
圖38(a)~(c)係示意性顯示模板上的脫模劑的成膜處理各步驟中模板之狀態的說明圖，(a)係顯示已洗淨模板之正面的模樣，(b)係顯示模板之正面已沉積有氣化的脫模劑的模樣，(c)係顯示已烘烤模板上的脫模劑的模樣。
圖39係架座的上視圖。
圖40係架座的縱剖面圖。
1．．．壓印系統
2．．．模板搬入搬出站
3．．．壓印單元
4．．．晶圓搬入搬出站
10、20．．．匣盒載置台
11、21、260．．．搬送通道
12、261．．．模板搬送體
13．．．反轉單元
22．．．晶圓搬送體
23．．．對齊單元
200．．．處理站
201．．．中介站
210．．．搬送單元
262．．．暫存匣盒
CT ．．．模板匣盒
CW ．．．晶圓匣盒
G1~G6．．．處理區塊
T．．．模板
W．．．晶圓
X、Y、θ．．．方向

Claims (27)

  1. 一種壓印系統，其具有壓印單元，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜上形成既定圖案，且該壓印系統包含：基板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該基板，並對該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該模板，並對該壓印單元側依既定時序搬入搬出該模板；其中在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將從該壓印單元搬出的模板之正面予以洗淨用的模板洗淨區塊；且該模板洗淨區塊具有以紫外線照射該模板之正面用的紫外線照射部。
  2. 如申請專利範圍第1項之壓印系統，其中，在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將脫模劑成膜到該模板上之脫模劑處理區塊。
  3. 如申請專利範圍第1項之壓印系統，其中，該模板洗淨區塊，具有用來將洗淨液供給到該模板之正面的洗淨液供給部。
  4. 如申請專利範圍第3項之壓印系統，其中，該洗淨液係有機溶劑。
  5. 如申請專利範圍第3項之壓印系統，其中，該洗淨液係純水。
  6. 如申請專利範圍第1項之壓印系統，其中，該模板洗淨區塊具有用來檢查該洗淨後的模板之正面的檢査單元。
  7. 一種壓印系統，其具有壓印單元，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜上形成既定圖案，且該壓印系統包含：基板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該基板，並對該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該模板，並對該壓印單元側依既定時序搬入搬出該模板；其中該壓印單元包含：基板保持部，用來保持該基板； 模板保持部，用來保持該模板；以及移動機構，使該模板保持部升降；並且該基板保持部與該模板保持部係配置為：使得保持在該基板保持部的該基板，與保持在該模板保持部的該模板彼此面對；且於該壓印單元中，該模板保持部係配置在該基板保持部的上方，在對於該壓印單元的該模板搬入搬出站側，設有使該模板之正反面反轉的反轉單元；且該壓印單元設有塗佈液供給部，該塗佈液供給部係為了形成該塗佈膜而將塗佈液供給到保持於該基板保持部的該基板上。
  8. 如申請專利範圍第7項之壓印系統，其中，在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將脫模劑成膜到該模板上之脫模劑處理區塊。
  9. 如申請專利範圍第7項之壓印系統，其為了形成該塗佈膜，而在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間配置有將塗佈液塗佈到該模板上的塗佈單元。
  10. 一種壓印系統，其具有壓印單元，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜上形成既定圖案，且該壓印系統包含：基板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該基板，並對該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該模板，並對該壓印單元側依既定時序搬入搬出該模板；其中該壓印單元包含：基板保持部，用來保持該基板；模板保持部，用來保持該模板；以及移動機構，使該模板保持部升降；並且該基板保持部與該模板保持部係配置為：使得保持在該基板保持部的該基板，與保持在該模板保持部的該模板彼此面對；且 該壓印單元中，該模板保持部係配置在該基板保持部的下方，在對於該壓印單元的該基板搬入搬出站側，設有使該基板之正反面反轉的反轉單元；且該壓印單元設有塗佈液供給部，該塗佈液供給部係為了形成該塗佈膜而將塗佈液供給到保持於該模板保持部的該模板上。
  11. 一種壓印系統，其具有壓印單元，該壓印單元使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜上形成既定圖案，且該壓印系統包含：基板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該基板，並對該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接該壓印單元，可存放多數該模板，並對該壓印單元側依既定時序搬入搬出該模板；其中在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，配置有將脫模劑成膜到該模板上之脫模劑處理區塊；且至少在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，將多數該模板保持在同一架座上。
  12. 一種壓印方法，係利用一壓印系統施行之，該壓印系統包含：壓印單元，使用正面形成有轉印圖案的模板，將該轉印圖案轉印到形成於基板上的塗佈膜，而在該塗佈膜形成既定圖案；基板搬入搬出站，連接到該壓印單元，可存放多數該基板，且在該壓印單元側搬入搬出該基板；以及模板搬入搬出站，連接到該壓印單元，可存放多數該模板，且在該壓印單元側搬入搬出該模板；該壓印方法之特徵為：在該壓印單元中，使用一個該模板，在既定數量的基板形成既定圖案後，將該一模板從該壓印單元搬出，並且將另一該模板搬入該壓印單元，而更換該壓印單元內的模板。
  13. 如申請專利範圍第12項之壓印方法，其係在從該模板搬入搬出站將該模板搬送到該壓印單元期間，將脫模劑成膜於該模板上。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之壓印方法，其係在將該模板從該壓印單元搬送到該模板搬入搬出站期間，洗淨該模板之正面。
  15. 如申請專利範圍第14項之壓印方法，其係在洗淨該模板之正面時，以紫外線照射該正面。
  16. 如申請專利範圍第15項之壓印方法，其係在洗淨該模板之正面時，更將洗淨液供給到該正面。
  17. 如申請專利範圍第16項之壓印方法，其中，該洗淨液係有機溶劑或純水。
  18. 如申請專利範圍第14項之壓印方法，其係在洗淨該模板之正面時，將洗淨液供給到該正面。
  19. 如申請專利範圍第18項之壓印方法，其中，該洗淨液係有機溶劑。
  20. 如申請專利範圍第14項之壓印方法，其係在洗淨該模板之正面後，檢查該模板之正面。
  21. 如申請專利範圍第12或13項之壓印方法，其中，於該壓印單元中，將該模板配置在該基板的上方，在將該模板下降到該基板側而在該塗佈膜形成既定圖案時，於將該模板從該模板搬入搬出站搬送到該壓印單元期間，使該模板之正反面反轉。
  22. 如申請專利範圍第21項之壓印方法，其係在該壓印單元中，將塗佈液供給到該基板上而形成該塗佈膜。
  23. 如申請專利範圍第12或13項之壓印方法，其中，於該壓印單元中，將該模板配置在該基板的下方，在將該模板上升到該基板側而在該塗佈膜形成既定圖案時，於將該基板從該基板搬入搬出站搬送到該壓印單元期間，使該基板之正反面反轉。
  24. 如申請專利範圍第23項之壓印方法，其在該壓印單元中，將塗佈液供給到該模板上而形成該塗佈膜。
  25. 如申請專利範圍第21項之壓印方法，其係在將該模板從該模板搬入搬出站搬送到該壓印單元期間，將塗佈液供給到該模板上而形成該塗佈膜。
  26. 如申請專利範圍第13項之壓印方法，其至少在該壓印單元與該模板搬入搬出站之間，將多數該模板保持在同一架座。
  27. 一種可讀取的電腦記憶媒體，儲存有一種程式，該程式係在控 制一壓印系統之控制部的電腦上執行，用來使該壓印系統執行如申請專利範圍第12或13項之壓印方法。
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