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JP5006122B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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JP5006122B2
JP5006122B2 JP2007172496A JP2007172496A JP5006122B2 JP 5006122 B2 JP5006122 B2 JP 5006122B2 JP 2007172496 A JP2007172496 A JP 2007172496A JP 2007172496 A JP2007172496 A JP 2007172496A JP 5006122 B2 JP5006122 B2 JP 5006122B2
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義光 福冨
毅 三橋
浩之 小椋
健也 森西
康夫 川松
広路 長嶋
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Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
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Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
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    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
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Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成し、レジスト膜が形成された基板を別体の露光機で露光し、露光された基板を現像する装置がある。具体的には、レジスト膜形成用塗布処理ユニットなど各種の薬液処理ユニットや熱処理ユニットがそれぞれ単一の主搬送機構と併設されて１つのブロックを構成し、このようなブロックを複数個並べて基板処理装置が構成されている。この装置では、各ブロックに基板を搬送しつつ、それぞれのブロックで処理を行う（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、ブロック内で一枚の基板を処理するために主搬送機構は５〜１０の搬送工程を要し、各搬送工程はそれぞれ数秒程度かかる。仮に搬送工程数を６工程とし、それぞれ５秒かかるとすると、ブロック内のスループットは基板１枚当り３０秒（１時間で１２０枚）まで可能である。しかし、すでに単一の主搬送機構の搬送工程数を低減したり各搬送工程の所要時間を短縮する余地があまりないので、ブロック内のスループットをさらに高めることは困難になってきている。このため、装置全体のスループットを改善することが困難になっているという不都合がある。これに対して、主搬送機構を増やすことが考えられる。しかしながら、ブロック内の主搬送機構の台数を増やすと、それに応じて薬液処理ユニットや加熱部の増加も伴ってフットプリントが増大するという不都合がある。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、横方向に並べられる複数の主搬送機構と、主搬送機構ごとに設けられ、基板を処理する複数の処理ユニットと、を含んで、各主搬送機構が対応する処理ユニットに基板を搬送しつつ横方向に隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡して、基板に一連の処理を行う基板処理列を構成し、この基板処理列を上下方向に複数設け、前記主搬送機構が設置される搬送スペースの雰囲気は基板処理列ごとに遮断されており、各基板処理列は、前記搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、前記搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、を備え、前記気体供給口は前記気体排出口より高い位置に配置されており、前記吹出しユニットまたは前記排出ユニットの少なくともいずれかが基板処理列ごとに雰囲気を遮断し、各基板処理列において行われる一連の処理は同じであることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、複数の基板処理列を上下方向に設けていることで、各基板処理例で基板を並行して処理することができる。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、基板処理列を上下方向に設けているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。なお、主搬送機構の並びは１列に限らず、複数列であってもよく、また直線的な並びに限らず、曲線的やジグザクの並びであってもよい。また、各基板処理列において、処理ユニットは並べて配置されるものに限らず、積層配置されていてもよい。
また、この構成によれば、搬送スペースの雰囲気をより清浄に保つことができる。
また、この構成によれば、装置構成を簡略化できる。
本発明において、各基板処理列における主搬送機構および処理ユニットの配置は平面視で略同じであることが好ましい（請求項２）。この構成によれば、装置構成を簡略化することができる。
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また、本発明において、前記気体供給口は前記搬送スペースの上部に配置され、前記気体排出口は前記搬送スペースの下部に配置されることが好ましい（請求項３）。この構成によれば、搬送スペース内に下向きの気流を形成できるので、搬送スペースをより清浄に保つことができる。
また、本発明において、複数枚の基板を収容するカセットに対して基板を搬送するインデクサ用搬送機構を備え、前記インデクサ用搬送機構は、各基板処理列の一端側の主搬送機構である一端搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、かつ、各一端搬送機構のうち上側の一端搬送機構とはその下部付近の高さ位置で基板の受け渡しを行い、各一端搬送機構のうち下側の一端搬送機構とはその上部付近の高さ位置で基板の受け渡しを行うことが好ましい（請求項４）。この構成によれば、上下の基板の受け渡し位置が近接するので、インデクサ用搬送機構の昇降量を抑えることができる。よって、インデクサ用搬送機構の処理効率を向上することができる。
また、本発明において、前記インデクサ用搬送機構と各一端搬送機構との間にそれぞれ設けられて基板を載置する載置部を備え、前記インデクサ用搬送機構は各載置部を介して基板を受け渡すことが好ましい（請求項５）。この構成によれば、載置部を介して基板の受け渡しを行なうので、搬送機構同士が直接に基板を受け渡しする場合と比べて、搬送効率を向上することができる。
また、請求項６に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられて基板に処理を行う処理ユニットと、各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、を有する処理ブロックを横方向に複数個並べてあり、一の処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットと複数の主搬送機構とをまとめて収容する筐体を処理ブロックごとに備え、各処理ブロックは、各階層間に設けられる遮蔽板と、各階層の主搬送機構の搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、各階層の主搬送機構の搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、を備え、各搬送スペースの気体供給口は、その搬送スペースの気体排出口より高い位置に配置されており、前記吹出しユニットまたは前記排出ユニットの少なくともいずれかが前記遮蔽板を兼ね、隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して基板に一連の処理を行い、各処理ブロックにおいて、上下方向に配設される各処理ユニットが行う処理は同じであることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項６に記載の発明によれば、横方向に複数個並べられた処理ブロックの各階層に属する処理ユニットと搬送機構とが基板に一連の処理を並行して行う。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、処理ユニットや搬送機構を上下方向に配設して階層構造にしているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。
また、この構成によれば、処理ブロック単位で取り扱うことができるので、基板処理装置の製造、補修を簡易にすることができる。
また、この構成によれば、搬送機構による発塵が他の階層に及ぶことを防ぐことができる。また、各階層の搬送スペースを清浄に保つことができる。
また、装置構成を簡略化できる。
また、この構成によれば、搬送スペース内の気流がいわゆるダウンフローになるので、搬送スペースをより清浄に保つことができる。
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また、本発明において、複数枚の基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに、一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うインデクサ用搬送機構を備え、一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で前記インデクサ用搬送機構が基板の受け渡しを行う各位置は近接していることが好ましい（請求項７）。この構成によれば、インデクサ用搬送機構の昇降量を抑えることができるので、インデクサ用搬送機構の処理効率を上げることができる。
また、本発明において、一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構と前記インデクサ用搬送機構との間にそれぞれ設けられて基板を載置する載置部を備え、前記インデクサ用搬送機構は各載置部を介して基板を受け渡すことが好ましい（請求項８）。この構成によれば、搬送機構同士が直接に基板を受け渡しするものに比べて、搬送効率を向上することができる。
また、請求項９に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、複数枚の基板を収納するカセットに対して基板を搬送するインデクサ用搬送機構を備えたインデクサ部と、前記インデクサ部に隣接する塗布処理ブロックであって、上下方向の階層ごとに設けられ、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを備える塗布処理ブロックと、前記塗布処理ブロックに隣接する現像処理ブロックであって、上下方向の階層ごとに設けられ、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを備える現像処理ブロックと、前記現像処理ブロックに隣接し、本装置とは別体の露光機に対して基板を搬送するインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェイス部とを備え、前記インデクサ用搬送機構は、前記塗布処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、前記塗布処理ブロックにおける各階層の主搬送機構は、前記現像処理ブロックにおける同じ階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、前記インターフェイス用搬送機構は、前記現像処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、前記装置は、前記塗布処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットおよび複数の主搬送機構をまとめて収容する筐体と、前記現像処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットおよび複数の主搬送機構をまとめて収容する筐体と、を備え、前記塗布処理ブロック及び前記現像処理ブロックは、それぞれ各階層間に設けられる遮蔽板と、各階層の主搬送機構の搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、各階層の主搬送機構の搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、を備え、各搬送スペースの気体供給口は、その搬送スペースの気体排出口より高い位置に配置されており、前記吹出しユニットまたは排出ユニットの少なくともいずれかが前記遮蔽板を兼ね、前記塗布処理ブロックおよび前記現像処理ブロックにおいて、上下方向に配設される各処理ユニットが行う処理は同じであることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、インデクサ用搬送機構がカセットから基板を順に取り出し、それらの基板を塗布処理ブロックの各階層の搬送機構に渡す。基板を受け取った各階層の搬送機構は、それぞれが担当する塗布処理ユニットや熱処理ユニットに対して基板を搬送する。搬送された基板は各階層の処理ユニットで所要の処理を並行して受ける。塗布処理ブロックの各階層の搬送機構は、レジスト膜が形成された基板を、隣接する現像処理ブロックの同じ階層の搬送機構に渡す。現像処理ブロックの各階層の搬送機構は、その基板を隣接するインターフェイス部のインターフェイス用搬送機構に渡す。インターフェイス用搬送機構は受け取った基板を外部装置である露光機に渡す。露光処理された基板は再びインターフェイス部に戻される。インターフェイス用搬送機構は、各基板を現像処理ブロックの各階層の搬送機構に渡す。基板を受け取った各階層の搬送機構は、それぞれが担当する現像処理ブロックや熱処理ユニットに対して基板を搬送する。搬送された基板は各階層の処理ユニットで所要の処理を並行して受ける。現像処理ブロックの各階層の搬送機構は、現像処理された基板を、隣接する塗布処理ブロックの同じ階層の搬送機構に渡す。塗布処理ブロックの各階層の搬送機構は、その基板をインデクサ部のインデクサ用搬送機構に渡す。インデクサ用搬送機構は、その基板を所定のカセットに収納する。以上のように、この構成によれば、上下の各階層でレジスト膜の生成処理と現像処理とが並行して行われるので、基板処理装置の処理効率を増大させることができる。また、塗布処理ブロックや現像処理ブロックは上下の階層構造になっているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。
また、本発明において、インデクサ用搬送機構がカセットから基板を取り出した順番と同じ順番で、インターフェイス用搬送機構が基板を露光機に送るように制御する制御手段を備えていることが好ましい（請求項１０）。この構成によれば、複数の基板を好適に管理することができる。
また、本発明において、インターフェイス部に備えられ、基板を一時的に収納するバッファ部を備え、前記制御手段は、インデクサ用搬送機構がカセットから基板を取り出した順番と異なる順番で、現像処理ブロックから基板が払い出された場合には、インターフェイス用搬送機構がこの基板を受け取ってバッファ部に搬送するように制御することが好ましい（請求項１１）。この構成によれば、インデクサ用搬送機構がカセットから基板を取り出した順番と異なる順番になる場合でも、現像処理ブロックからから払い出された基板をバッファ部に移すことで、引き続き現像処理ブロックからの基板の払い出しを許容することができる。よって、基板を所定の順番に好適に処理することができる。
また、本発明において、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットとを含むことが好ましい（請求項１２）。この構成によれば、基板を好適に処理することができる。
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
（１）請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、各基板処理列において行われる一連の処理は同じであることを特徴とする基板処理装置。
前記（１）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
（２）請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理ユニットは基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記（２）に記載の発明によれば、基板に種々の処理を行うことができる。
（３）請求項２に記載の基板処理装置において、上下方向に位置する各主搬送機構に対応する複数の処理ユニットのそれぞれに対して清浄な気体を供給する単一の第２気体供給管を備えていることを特徴とする基板処理装置。
前記（３）に記載の発明によれば、設置面積を低減することができる。
（４）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、各処理ブロックにおいて各階層の搬送機構は平面視で同じ位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
前記（４）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
（５）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、各処理ブロックにおいて、上下方向に配設される各処理ユニットが行う処理は同じであることを特徴とする基板処理装置。
前記（５）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
（６）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、上下方向に配置される複数の処理ユニットに対して清浄な気体を供給する単一の第２気体供給管を備えていることを特徴とする基板処理装置。
前記（６）に記載の発明によれば、設置面積を低減できる。
（７）請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、各階層の処理ユニットは積層されていることを特徴とする基板処理装置。
前記（７）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
この発明に係る基板処理装置によれば、基板に一連の処理を行う複数の処理ユニットと複数の主搬送機構を横方向に並べて構成される複数の基板処理列を上下方向に配置した階層構造にしたので、各階層の基板処理列で基板を並行して処理することができる。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、基板処理列を上下方向の階層に配置しているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４ないし図７は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とに分けられる。処理部３の両側にはＩＤ部１とＩＦ部５が隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９と各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。
処理部３は４基の主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。処理部３は各主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４ごとに第１ないし第４セル１１、１２、１３、１４に分けられる。第１、第３セル１１、１３では基板Ｗにレジスト膜等を形成する。第２、第４セル１２、１４では基板Ｗを現像する。これら各セル１１〜１４には、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４が搬送を負担する処理ユニット（後述）が複数設けられている。
横方向に並ぶ第１、第２セル１１、１２は連結されて、ＩＤ部１とＩＦ部５との間を結ぶ一の基板処理列を構成する。また、横方向に並ぶ第３、第４セル１３、１４も連結されて、ＩＤ部１とＩＦ部５との間を結ぶ一の基板処理列を構成する。これら２つの基板処理列は上下方向に略平行に設けられている。言い換えれば、処理部３は階層構造の基板処理列で構成されている。
また、各階層の基板処理列は上下方向に積層されている。すなわち、第１セル１１は第３セル１３の上に積層されており、第２セル１２は第４セル１４の上に積層されている。よって、第１、第３セル１１、１３で構成される処理ブロックと、第２、第４セル１２、１４で構成される処理ブロックが横方向に並べられて処理部３が構成されていると言うことができる。
ＩＦ部５は露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。
そして、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはＩＤ部１と隣接する第１、第３セル１１、１３の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３との間で基板Ｗの受け渡しをする。また、各セル１１〜１４の主搬送機構Ｔ１〜Ｔ４は連結される同じ階層の他のセルとの間で基板Ｗの受け渡しをする。さらに、ＩＦ用搬送機構ＴＩＦはＩＦ部５と隣接する第２、第４セル１２、１４の主搬送機構Ｔ２、Ｔ４との間で基板Ｗの受け渡しをする。この結果、２つの基板処理列を通じてＩＤ部１とＩＦ部５の間で基板Ｗを並行して搬送するとともに、各基板処理列において一連の処理を基板Ｗに行う。主搬送機構Ｔ１、Ｔ３は、この発明における一端搬送機構に相当する。
本装置はさらに、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１、Ｔ３の間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３を備えている。同様に、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２同士の基板受け渡しのための載置部ＰＡＳＳ２と、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４同士の基板受け渡しのための載置部ＰＡＳＳ４とを備えている。また、主搬送機構Ｔ２、Ｔ４とＩＦ用搬送機構ＴＩＦの間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６を備えている。各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６は突出形成された複数の支持ピンをそれぞれ有し、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成されている。
［ＩＤ部１］
以下、ＩＤ部１から順について説明する。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えて、各カセットＣ、載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３との間で基板Ｗを搬送可能に構成されている。
［第１セル１１］
基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡ１は、この第１セル１１の中央を通り、セル１１、１２の並び方向に平行な帯状に形成されている。第１セル１１の処理ユニットは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１である。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。
塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する処理を行う反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行うレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。塗布処理ユニット３１はこの発明における液処理ユニットに相当する。
図８を参照する。図８（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。各段に設けられる２組の回転保持部３２及びカップ３３は、仕切り壁等で間仕切りされることなく併設されている。供給部３４は複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。
図９を参照する。図９は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
［第３セル１３］
第３セル１３について説明する。なお、第１セル１１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第３セル１３内の主搬送機構Ｔ３および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第１セル１１のそれと略同じである。このため、塗布処理ユニット３１は、第１セル１１と第３セル１３の各階層にわたって上下方向に積層されていると言うことができる。同様に、熱処理ユニット４１も各階層にわたって積層されていると言うことができる。また、主搬送機構Ｔ３から見た第３セル１３の各種処理ユニットの配置も主搬送機構Ｔ１から見た第１セル１１の各種処理ユニットの配置と略同じである。
以下において、第１、第３セル１１、１３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、第１セル１１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
［第１セル１１と第３セル１３］
第１セル１１及び第３セル１３に関連する構成についてまとめて説明する。載置部ＰＡＳＳ１はＩＤ部１と第１セル１１との間に配置されている。載置部ＰＡＳＳ３はＩＤ部１と第３セル１３との間に配置されている。平面視では載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３はそれぞれ搬送スペースＡ１、Ａ３のＩＤ部１側に配置されている。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は主搬送機構Ｔ１の下部付近の高さに配置され、載置部ＰＡＳＳ３は主搬送機構Ｔ３の上部付近の高さに配置されている。このため、載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との位置が近接しており、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３とに移動することができる。
載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３はともに複数（２つ）であり、それぞれ上下２段に配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ１ＡはＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ基板Ｗを渡すためのものであり、載置部ＰＡＳＳ１Ａには専らＩＤ用搬送機構ＴＩＤによって基板Ｗが置かれる。他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂは主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ基板Ｗを渡すためのものであり、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには専ら主搬送機構Ｔ１によって基板Ｗが置かれる。なお、後述する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６も、同様に２つずつ設けられており、受け渡しの方向ごとに使い分けられている。
載置部ＰＡＳＳ２は、第１セル１１と第２セル１２の間に設けられている。載置部ＰＡＳＳ４は、第３セル１３と第４セル１４の間に設けられている。載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４は、平面視で同じ位置に配置されている。載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の上方および下方には、基板Ｗを仮置きするバッファや基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニットなど（いずれも図示省略）が適宜に配備されている。
搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。第１吹出口６１ａは、この発明における気体供給口に相当する。排出口６２ａは、この発明における気体排出口に相当する。第１吹出ユニット６１はこの発明の吹出ユニットに相当する。
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
第１、第３セル１１、１３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、第３セル１３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、第３セル１３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに第１、第３セル１１、１３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
また、第１セル１１及び第３セル１３が有する主搬送機構Ｔ１、Ｔ３と各処理ユニットは、それぞれ一の筐体７５に収容されている。後述する第２セル１２と第４セル１４の各構成も別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。
［第２セル１２］
第２セル１２について説明する。第１セル１１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第２セル１２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
第２セル１２の処理ユニットは基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰを含む。
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
搬送スペースＡ２に面するとともにＩＦ部５と隣接する一画には、載置部ＰＡＳＳ５と加熱冷却ユニットＰＨＰが積層して設けられている。これら載置部ＰＡＳＳ５と加熱冷却ユニットＰＨＰの一側方は熱処理ユニット４２と隣接しており、熱処理ユニット４２に並ぶように設けられている。加熱冷却ユニットＰＨＰについてはＩＦ用搬送機構ＴＩＦが搬送を負担するものである点で第２セル１２の熱処理ユニット４２と区別されるが、レイアウト上は第２、第４セル１２、１４と同じ筐体７５に収容されている。そして、これら加熱冷却ユニットＰＨＰと載置部ＰＡＳＳ５は搬送スペースＡ２に面する前面側とＩＦ部５に面する側面側とから基板Ｗを搬入、搬出可能に構成されている。
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
［第４理ブロック１４］
第１、第２セル１１、１２と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第４セル１４内の主搬送機構Ｔ４および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第２セル１２のそれと略同じである。また、主搬送機構Ｔ４から見た第４セル１４の各種処理ユニットの配置も主搬送機構Ｔ２から見た第２セル１２の各種処理ユニットの配置と略同じである。このため、第２セル１２と第４セル１４の各現像処理ユニットＤＥＶは上下に積層されている。同様に、第２セル１２と第４セル１４の各熱処理ユニット４２等は上下に積層されている。
［第２セル１２と第４セル１４］
第２セル１２及び第４セル１４に関連する構成も第１、第３セル１１、１３に関連する構成と略同様であり簡略に説明する。第２、第４セル１２、１４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、第２、第４セル１２、１４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
以下において、第２、第４セル１２、１４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、第２セル１２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。
［ＩＦ部５など］
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、セル１１、１２（１３、１４）の並び方向と直交する方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは第２、４セル１２、１４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは第２、４セル１２、１４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。これら第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。そして、加熱冷却ユニット（ＰＨＰ２、ＰＨＰ４）、載置部（ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ−ＣＰ）およびバッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。そして、載置部（ＰＡＳＳ−ＣＰ、ＰＡＳＳ７）と露光機ＥＸＰの間で基板Ｗを搬送する。
次に本装置の制御系について説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置はメインコントローラ９１と第１ないし第６コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８を備えている。
第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１と冷却ユニットＣＰ１と加熱冷却ユニットＰＨＰ１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。上述した第１〜第６コントローラ９３〜９８による制御はそれぞれ互いに独立して行われる。
メインコントローラ９１は、第１から第６コントローラ９３〜９８を統括的に制御する。具体的にはメインコントローラ９１は各搬送機構の連携を制御する。たとえば、載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６に各搬送機構がアクセスするタイミングを調整する。また、メインコントローラ９１はカセットＣから搬出した順序と同じ順番で露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送するように制御する。
メインコントローラ９１および第１〜第６コントローラ９３〜９８はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。メインコントローラ９１および第１〜第６コントローラ９３〜９８は、この発明における制御手段に相当する。
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図８におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はそのままカセットＣにアクセスする。そして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣから一枚ずつ搬出された基板Ｗは第１セル１１と第３セル１３に交互に搬送される。
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
主搬送機構Ｔ１は所定の冷却ユニットＣＰ１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ１には既に所定の熱処理（冷却）が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１に移動する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗに対して熱処理（冷却）を開始する（ステップＳ２）。なお、この後、主搬送機構Ｔ１が各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１にアクセスする際、これら処理ユニット（３１、４１）には既に所定の処理を終えた基板Ｗがあるものとする。
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ３）。
具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。
主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４）。
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１に移動すると、冷却ユニットＣＰ１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５）。
続いて、主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に基板Ｗを搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Ｗにレジスト膜を形成する（ステップＳ６）。
主搬送機構Ｔ１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う。（ステップＳ７、Ｓ８）。
主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置し（ステップＳ９）、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１）。
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取ると、主搬送機構Ｔ１はこの基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ１）に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて複数の処理ユニットに順番に移動して、各処理ユニットの処理済みの基板Ｗを他の処理ユニットに移し替えていく。各処理ユニット（３１、４１）では処理済みの基板Ｗが未処理の基板Ｗの置き換えられるたびに、所定の処理を開始する。よって、複数枚の基板Ｗに対してそれぞれ異なる処理ユニットで並行して処理が行われる。ただし、基板Ｗを複数の処理ユニット（３１、４１）に移載して処理するスケジュールは一律となるように第２コントローラ９４が制御する。このため、一連の処理は先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に終了していくので、載置部ＰＡＳＳ１に載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２に払い出される。同様に、主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２から受け取った順番どおりに基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１）、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９）。
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０）。
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ１１）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９、Ｓ２０）。
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂに払い出される。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第１搬送機構ＴＩＦＡ］
第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
次に、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。
第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する。続いて、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４における処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する。
その後、第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。このように、載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６から交互に載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送することで、カセットＣからＩＤ用搬送機構ＴＩＤが取り出した順序どおりに基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置する。
ただし、主搬送機構Ｔによる処理ユニットに対する搬送および各処理ユニットの処理の制御はセル１１〜１４ごとに独立している。すなわち、載置部ＰＡＳＳ５と載置部ＰＡＳＳ６に払い出される各タイミングが調整されることはない。このため、基板処理または搬送の遅延等の障害に起因して、載置部ＰＡＳＳ５及び載置部ＰＡＳＳ６の双方に払い出される前後関係がカセットＣから取り出した順序と一致しない場合がある。このような場合においては、第６コントローラ９８による制御に基づき、第１搬送機構ＴＩＦＡを次のように動作させる。
載置部ＰＡＳＳ５Ａおよび載置部ＰＡＳＳ６Ａのいずれか一方に基板Ｗが払い出されなくなった場合において他方の載置部に基板Ｗが載置されたときは、その載置部に載置された基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰではなく、バッファＢＦに搬送先を変更する。そして、払い出しが停止していた一方の載置部に再び基板Ｗが載置され始めると、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに対して、復旧した一方の載置部とバッファＢＦとから交互に基板Ｗを搬送する。これにより、載置部ＰＡＳＳ５及び載置部ＰＡＳＳ６に払い出されるタイミングの前後関係がカセットＣから取り出した順序と異なる場合であっても、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬入される基板Ｗの順序についてはカセットＣから取り出した順序と一致する。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。
その後、第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作も第６コントローラ９８によって制御されている。このように第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢが連携して動作するため、カセットＣから取り出した順序どおりに基板Ｗを露光機ＥＸＰに送る。
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、上下に配設された基板処理列を２つ備えていることで、反射防止膜およびレジスト膜を形成する処理と現像処理の各処理能力を略倍増させることができる。よって、基板処理装置のスループットを大幅に改善することができる。
また、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を上の階層と下の階層にそれぞれ１列ずつであるので、基板処理装置の設置面積の増大を抑制することができる。
上下２つの基板処理列における主搬送機構Ｔ１、Ｔ３（Ｔ２、Ｔ４）および処理ユニットの配置は平面視で略同じであるので、装置の構成を簡略化できる。
また、上下２つの基板処理列を構成する処理ユニットを同種として、上下２つの基板処理列で行われる一連の処理を同じとすることで、装置の構成を簡略化できる。
また、上下のセル１１、１３（１２、１４）の各処理ユニットは互いに積層関係にあるので、上下２つのセルで構成される処理ブロックの構造を簡略化できる。
また、処理ブロック内の上下２基の主搬送機構Ｔと複数の処理ユニットをまとめて支持する筐体７５を処理ブロックごとに備えているので、基板処理装置を効率よく製造できるととともに補修を容易に行うことができる。
また、各搬送スペースＡ１〜Ａ４には、それぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが設けられているので、各搬送スペースＡを清浄に保つことができる。
また、第１吹出口６１ａが搬送スペースＡの上部に、排出口６２ａが搬送スペースＡの下部に配置されているので、搬送スペースＡには略鉛直下向きの気流が形成される。これにより、各熱処理ユニット４１からの熱によって搬送スペースＡや塗布処理ユニット３１又は現像処理ユニットＤＥＶの温度環境が影響を受けることを防止することができる。
また、搬送スペースＡ１（Ａ２）に設けられる排出ユニット６２と搬送スペースＡ３（Ａ４）に設けられる第１吹出ユニット６１が各搬送スペースＡ１、Ａ３（Ａ２、Ａ４）の雰囲気を遮断するので、各搬送スペースＡをそれぞれ清浄に保つことができる。また、専ら雰囲気を遮断する部材を設けることを要しないので、装置構成を簡略化できる。
上下の搬送スペースＡ１、Ａ３にそれぞれ設けられる第１吹出ユニット６１に対して共通の第１気体供給管６１を備えることで、配管設置スペースを低減し、装置構成を簡略化することができる。
また、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１、Ｔ３の間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３を備えているので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤおよび主搬送機構Ｔ１、Ｔ３の搬送効率が低下することを防止できる。同様に、各搬送機構間の基板Ｗの受け渡しも載置部ＰＡＳＳを介して行うことで、各搬送機構の搬送効率が悪化することを防止できる。
また、載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との位置が近接しているので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはより少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３にアクセスすることができる。
また、メインコントローラ９１と第１ないし第６コントローラ９３〜９８を備えていることで、各基板Ｗについて、カセットＣから取り出される順番と露光機ＥＸＰに投入される順番を一致させるように制御する。これにより、基板Ｗを識別するための構成を備えることなく、各基板Ｗを管理することや追跡調査することができる。
上下のセル１１、１３（１２、１４）にそれぞれ設けられる各塗布処理ユニット３１（各現像処理ユニットＤＥＶ）に対して共通の第２気体供給管６５を備えることで、配管設置スペースを低減し、装置構成を簡略化することができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、基板処理列を２つ構成したが、これに限られない。３以上の基板処理列を構成して上下に多段に設けるように変更してもよい。
（２）上述した実施例では、各基板処理列は２つのセル１１、１２（１３、１４）を連結して構成したが、これに限られない。３つ以上のセルを連結して基板処理列を構成してもよい。
（３）上述した実施例では、基板処理列は基板Ｗにレジスト膜、反射防止膜を形成する処理と露光済みの基板Ｗに現像する処理とを行うものであったが、これに限られない。基板処理列において洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行うように変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。また、ＩＦ部５を省略して基板処理装置を構成してもよい。
（４）上述した実施例では、２つの基板処理列で行われる一連の処理は同じであったが、これに限られない。各基板処理列で異なる処理を行うように変更してもよい。
（５）上述した実施例では、２つの基板処理列の平面レイアウトが略同じであったがこれに限られない。基板処理列ごとに（すなわち、上下のセル間で）主搬送機構Ｔや処理ユニットの配置が異なるように変更してもよい。
（６）上述した実施例では、上下のセル１１、１３（１２、１４）間で主搬送機構Ｔから見た処理ユニットの配置が同じであったが、これに限られることなく、上下のセル間で異なるように変更してもよい。
（７）上述した実施例では、各セル１１〜１４は搬送スペースＡの両側に処理ユニットを配置していたが、片側のみに処理ユニットを配置してもよい。
（８）上述した実施例では、載置部ＰＡＳＳを介して搬送機構間の受け渡しを行うように構成していたが、これに限られない。たとえば、直接受け渡すように変更してもよい。
（９）上述した実施例において、各載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の上側や下側に、バッファＢＦや冷却ユニットＣＰ等を配置するように構成してもよい。これにより、基板Ｗを適宜仮置きしたり、冷却することができる。
（１０）上述した実施例では、ＩＦ用搬送機構ＴＩＦを２基の搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢで構成したが、これに限られることなく、１基または３基以上の搬送機構で構成するように変更してもよい。
（１１）上述した実施例では、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの間に隔壁等を備えておらず、各ユニット間で雰囲気が連通していたが、これに限られない。適宜に両ユニットの雰囲気を遮断するように構成してもよい。
（１２）上述した実施例では、一の第１吹出ユニット６１と一の排出ユニット６２が各搬送スペースＡ１、Ａ３（Ａ２、Ａ４）の雰囲気を遮断するように構成したがこれに限られない。たとえば、第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方のみが雰囲気を遮断するように構成してもよい。あるいは、排出ユニット６２及び第１吹出ユニット６１とは別個に上下関係にある各搬送スペースＡの雰囲気を遮断する遮蔽板を備えるように構成してもよい。
（１３）上述した実施例では、各搬送スペースＡの上部に第１吹出ユニット６１を配置し、下部に排出ユニット６２を配置したが、これに限られない。搬送スペースＡの側部に第１吹出ユニット６１または排出ユニット６２を配置するように構成してもよい。また、同じ基板処理列の搬送スペースＡ１、Ａ２（Ａ３、Ａ４）で、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２を共通化してもよい。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。 主搬送機構の斜視図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板Ｗに行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
１１ …第１セル
１２ …第２セル
１３ …第３セル
１４ …第４セル
３１ …塗布処理ユニット
４１ …熱処理ユニット
６１ …第１吹出ユニット
６１ａ …第１吹出口
６２ …第２排出ユニット
６２ａ …排出口
６５ …第２気体供給管
６６ …第２気体排出管
９１ …メインコントローラ
９３〜９８ …第１ないし第６コントローラ
ＢＡＲＣ …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＥＥＷ …エッジ露光ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４ …主搬送機構
ＴＩＦ …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ …載置部
ＢＦ …バッファ
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４ …搬送スペース
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (12)

  1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    横方向に並べられる複数の主搬送機構と、
    主搬送機構ごとに設けられ、基板を処理する複数の処理ユニットと、
    を含んで、各主搬送機構が対応する処理ユニットに基板を搬送しつつ横方向に隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡して、基板に一連の処理を行う基板処理列を構成し、
    この基板処理列を上下方向に複数設け、
    前記主搬送機構が設置される搬送スペースの雰囲気は基板処理列ごとに遮断されており、
    各基板処理列は、
    前記搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、
    前記搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、
    を備え、
    前記気体供給口は前記気体排出口より高い位置に配置されており、
    前記吹出しユニットまたは前記排出ユニットの少なくともいずれかが基板処理列ごとに雰囲気を遮断し、
    各基板処理列において行われる一連の処理は同じであることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    各基板処理列における主搬送機構および処理ユニットの配置は平面視で略同じであることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記気体供給口は前記搬送スペースの上部に配置され、前記気体排出口は前記搬送スペースの下部に配置されることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットに対して基板を搬送するインデクサ用搬送機構を備え、
    前記インデクサ用搬送機構は、各基板処理列の一端側の主搬送機構である一端搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、
    かつ、各一端搬送機構のうち上側の一端搬送機構とはその下部付近の高さ位置で基板の受け渡しを行い、各一端搬送機構のうち下側の一端搬送機構とはその上部付近の高さ位置で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ用搬送機構と各一端搬送機構との間にそれぞれ設けられて基板を載置する載置部を備え、
    前記インデクサ用搬送機構は各載置部を介して基板を受け渡すことを特徴とする基板処理装置。
  6. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    上下方向の階層ごとに設けられて基板に処理を行う処理ユニットと、
    各階層に設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、
    を有する処理ブロックを横方向に複数個並べてあり、
    一の処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットと複数の主搬送機構とをまとめて収容する筐体を処理ブロックごとに備え、
    各処理ブロックは、
    各階層間に設けられる遮蔽板と、
    各階層の主搬送機構の搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、
    各階層の主搬送機構の搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、
    を備え、
    各搬送スペースの気体供給口は、その搬送スペースの気体排出口より高い位置に配置されており、
    前記吹出しユニットまたは前記排出ユニットの少なくともいずれかが前記遮蔽板を兼ね、
    隣接する処理ブロックの同じ階層の主搬送機構同士で基板を受け渡して基板に一連の処理を行い、
    各処理ブロックにおいて、上下方向に配設される各処理ユニットが行う処理は同じであることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに、一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うインデクサ用搬送機構を備え、
    一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で前記インデクサ用搬送機構が基板の受け渡しを行う各位置は近接していることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
    一側端の処理ブロックにおける各階層の主搬送機構と前記インデクサ用搬送機構との間にそれぞれ設けられて基板を載置する載置部を備え、
    前記インデクサ用搬送機構は各載置部を介して基板を受け渡すことを特徴とする基板処理装置。
  9. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    複数枚の基板を収納するカセットに対して基板を搬送するインデクサ用搬送機構を備えたインデクサ部と、
    前記インデクサ部に隣接する塗布処理ブロックであって、上下方向の階層ごとに設けられ、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを備える塗布処理ブロックと、
    前記塗布処理ブロックに隣接する現像処理ブロックであって、上下方向の階層ごとに設けられ、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを備える現像処理ブロックと、
    前記現像処理ブロックに隣接し、本装置とは別体の露光機に対して基板を搬送するインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェイス部とを備え、
    前記インデクサ用搬送機構は、前記塗布処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、
    前記塗布処理ブロックにおける各階層の主搬送機構は、前記現像処理ブロックにおける同じ階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、
    前記インターフェイス用搬送機構は、前記現像処理ブロックにおける各階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、
    前記装置は、
    前記塗布処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットおよび複数の主搬送機構をまとめて収容する筐体と、
    前記現像処理ブロックに含まれる複数の処理ユニットおよび複数の主搬送機構をまとめて収容する筐体と、
    を備え、
    前記塗布処理ブロック及び前記現像処理ブロックは、それぞれ
    各階層間に設けられる遮蔽板と、
    各階層の主搬送機構の搬送スペースに清浄な気体を供給する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔からなる気体供給口が下向きの姿勢で形成されている吹出しユニットと、
    各階層の主搬送機構の搬送スペースから気体を排出する、搬送スペースと同じ広さを有する扁平な箱状で、一方面に多数の小孔から構成された気体排出口が上向きの姿勢で形成されている排出ユニットと、
    を備え、
    各搬送スペースの気体供給口は、その搬送スペースの気体排出口より高い位置に配置されており、
    前記吹出しユニットまたは排出ユニットの少なくともいずれかが前記遮蔽板を兼ね、
    前記塗布処理ブロックおよび前記現像処理ブロックにおいて、上下方向に配設される各処理ユニットが行う処理は同じであることを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    インデクサ用搬送機構がカセットから基板を取り出した順番と同じ順番で、インターフェイス用搬送機構が基板を露光機に送るように制御する制御手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    インターフェイス部に備えられ、基板を一時的に収納するバッファ部を備え、
    前記制御手段は、インデクサ用搬送機構がカセットから基板を取り出した順番と異なる順番で、現像処理ブロックから基板が払い出された場合には、インターフェイス用搬送機構がこの基板を受け取ってバッファ部に搬送するように制御することを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項９から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットとを含むことを特徴とする基板処理装置。
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