JP5151383B2 - 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置、その方法及び塗布、現像方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。ここで前記レジストパターン形成装置としては例えば特許文献１に示す装置が提案されている。この装置では、例えば図１４に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内において、塗布モジュール１３Ａにてレジスト液の塗布処理が行われた後、ウエハＷはインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送され、露光処理が行われる。次いでウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像モジュール１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。
前記レジスト液の塗布処理や現像処理の前後には、温調モジュールにおけるウエハＷの温調処理や、加熱モジュールにおける加熱処理、冷却モジュールにおける冷却処理が行われるが、これら温調モジュール、加熱モジュールや冷却モジュール等は、棚モジュール１４（１４ａ〜１４ｃ）に多段に配列されており、ウエハＷは処理ブロックＢに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、これら塗布モジュール１３Ａ、現像モジュール１３Ｂと棚モジュール１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれる個所を搬送されるようになっている。
ここでウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に記載されるように、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って前記搬送手段１５Ａ，１５Ｂによって搬送される。前記搬送手段１５Ａ，１５Ｂは、ウエハＷを保持するための２本以上のアームを備えており、一つのモジュールＭ１から一方のアームにより処理後のウエハＷ１を受け取り、当該モジュールＭ１に他方のアームに保持されているウエハＷ１の次のウエハＷ２を受け渡し、次いで他方のアームにより前記モジュールＭ１の下流側のモジュールＭ０からウエハＷ１の前のウエハＷ０を受け取り、前記一方のアームに保持されているウエハＷ１を前記モジュールＭ０に受け渡すという手順でウエハＷの搬送が行われる。
ところで前記塗布、現像装置には、既述のように塗布モジュールや現像モジュール等いろいろなモジュールが組み込まれているが、夫々の搭載数は、例えば塗布モジュールや反射防止膜形成モジュール、現像モジュール等は３個、塗布後の加熱モジュール（ＬＨＰ）は９個程度等、モジュールによって異なっている。これらモジュールは、全てのプロセスにおいて、搭載されている全てのモジュールを使用するわけではなく、目的のプロセスを行う際に、オペレータが使うモジュールとその個数を指定している。
つまり従来の装置では例えばモジュール毎に番号を付しておき、オペレータが使用するモジュールの番号を、使用する順番に指定することによって、ウエハＷの搬送順路を記載した搬送フローを作成し、さらに夫々のモジュールにおける処理レシピを選択することによって、前記搬送スケジュールが作成される。この際、同じ処理を行うモジュールをいくつ使用するかについては、オペレータの経験に基づいて決定されている。
ところで搬送スケジュールに沿ってウエハＷを搬送する際には、搬送スケジュールの１サイクルを実施する時間であるサイクル時間を決定するが、このサイクル時間は、一般的に、搬送手段１５Ａ（１５Ｂ）が、受け渡しを担当するモジュールにウエハＷの受け渡しを行いながら処理ブロックＢを１周するときに要する時間よりも、前記モジュールにおける必要搬送サイクル時間の方が長いので、全てのモジュールにおいて最も長い必要搬送サイクル時間を律速時間として、この時間が前記サイクル時間として決定される。ここで前記必要搬送サイクル時間は、前記モジュールに前記搬送手段によりウエハＷを受け渡してから、当該ウエハＷに対して処理を行い、この基板が前記搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間を、対応するモジュールの使用数で除して得られる時間である。
ここで塗布モジュールと、レジスト塗布後の加熱処理を行う加熱モジュールとを例にして、夫々のモジュールにおける使用モジュール数について説明するが、この際塗布モジュールは前記必要滞在時間が６０秒、搭載モジュール数が３個、塗布処理後の加熱モジュール（ＬＨＰ）は必要滞在時間が９０秒、搭載モジュール数が９個とする。一般に塗布モジュールは必要搬送サイクル時間が長いため、当該モジュールの必要搬送サイクル時間（６０秒／３個＝２０秒）がサイクル律速時間とされる。
一方塗布処理後の加熱モジュール（ＬＨＰ）にウエハＷを搬送することを考えると、このサイクル律速時間で搬送スケジュールの１サイクルを実施しながら処理を進めていくと、例えば１サイクル目の搬送で最初のウエハＷ１をＬＨＰ１に受け渡し、２サイクル目の搬送で２番目のウエハＷ２をＬＨＰ２（ＬＨＰ１における残りの必要滞在時間は７０秒）に受け渡し、３サイクル目の搬送で３番目のウエハＷ３をＬＨＰ３（ＬＨＰ１における残りの必要滞在時間は５０秒）に受け渡し、４サイクル目の搬送で４番目のウエハＷ４をＬＨＰ４（ＬＨＰ１における残りの必要滞在時間は３０秒）に受け渡し、５サイクル目の搬送で５番目のウエハＷ５をＬＨＰ５（ＬＨＰ１における残りの必要滞在時間は１０秒）に受け渡すと、６サイクル目の搬送ではＬＨＰ１で最初のウエハＷ１の処理が終わるので、１枚目のウエハＷ１を受け取った後、６番目のウエハＷ６をＬＨＰ１に受け渡すことができることになる。従ってこの場合の加熱モジュール（ＬＨＰ）の使用数は６個で足りる。
このため仮にオペレータが使用するモジュールとして９個の加熱モジュール（ＬＨＰ）を選択したとしても、６個の加熱モジュール（ＬＨＰ）で足り、残り３個の加熱モジュール（ＬＨＰ）は使用しないことになる。しかしながら各モジュールの使用数は、既述のようにオペレータの経験に基づいて決定されるので、現実には、使用しない加熱モジュール（ＬＨＰ）まで使用モジュールとして指定されてしまうことは多々発生している。

ここでオペレータが使用モジュールを選択すると、加熱モジュール（ＬＨＰ）では、選択された時点で加熱が始まり、加熱温度まで温度調整が行なわれる。この際、加熱温度は使用するレジスト（薬液）によっても異なるが、９０℃〜１３０℃と高いので、使用しない加熱モジュール（ＬＨＰ）まで温調してしまうと、電力の無駄になり、運転コストアップにつながり、製品価格の高騰を招く原因となっている。

そこで本発明者らは、使用するモジュールの個数を自動的に演算し、これにより使用しない加熱モジュール（ＬＨＰ）まで温調してしまうといった消費電力の無駄をなくし、運転コストの低減を図ることを検討している。しかしながら、使用モジュール数を自動的に求め、消費電力の削減を図るという点に関しては、特許文献１には何ら記載されていない。

特開２００４-１９３５９７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、使用する加熱モジュールの個数を自動的に求めることにより、消費電力の無駄をなくし、運転コストの低減を図ることができる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックは、塗布液を基板に塗布する複数の液処理モジュールと、基板を加熱処理する複数の加熱モジュールと、基板を温調する複数の温調モジュールと、前記各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、こうして前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置において、
前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する搬送フロー作成部と、
前記必要滞在時間を、同一種別のモジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間を搬送フローに記載されたモジュールの種別毎に演算し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とするサイクル律速時間決定部と、
搬送フローに記載された加熱モジュールについて、前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求め、使用モジュール数とする使用モジュール数決定部と、を備えたことを特徴とする。

また本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックは、基板が載置され、当該基板に対して処理を行う複数種別のモジュールと、各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、
前記複数種別のモジュールの中には、レジスト液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱処理する加熱モジュールと、基板を温調する温調モジュールと、が含まれると共に、塗布モジュール、加熱モジュール及び温調モジュールの各種別毎に複数のモジュールが搭載され、
前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置において、
前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する搬送フロー作成部と、
前記塗布モジュールにおける前記必要滞在時間を、塗布モジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とするサイクル律速時間決定部と、
前記搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とする使用モジュール数決定部と、を備えたことを特徴とする。

この際前記使用モジュール数決定部では、搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて使用モジュール数を求めた後、再度搬送フローに記載された並び潤に各モジュールについて使用モジュール数を求めるようにしてもよい。

また本発明の塗布、現像方法は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックは、塗布液を基板に塗布する複数の液処理モジュールと、基板を加熱処理する複数の加熱モジュールと、基板を温調する複数の温調モジュールと、前記各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、こうして前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像方法において、
前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する工程と、
次いで前記必要滞在時間を、同一種別のモジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間を搬送フローに記載されたモジュールの種別毎に演算し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とする工程と、
次いで搬送フローに記載された加熱モジュールについて、前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求め、使用モジュール数とする工程と、を含むことを特徴とする。

また本発明の塗布、現像方法では、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックは、基板が載置され、当該基板に対して処理を行う複数種別のモジュールと、各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、
前記複数種別のモジュールの中には、レジスト液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱処理する加熱モジュールと、基板を温調する温調モジュールと、が含まれると共に、塗布モジュール、加熱モジュール及び温調モジュールの各種別毎に複数のモジュールが搭載され、
前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法において、
前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する工程と、
前記塗布モジュールにおける前記必要滞在時間を、塗布モジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とする工程と、
前記搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とする工程と、を含むことを特徴とする。ここで前記使用モジュール数を決定する工程の後に、搬送フローに記載された並びに順に各モジュールについて、再度使用モジュール数を求める工程を行うようにしてもよい。
また本発明の記憶媒体は、処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

以上において本発明では、モジュールにおける基板搬送手段によるサイクル律速時間を求め、このサイクル律速時間に基づいて加熱モジュールにおける使用モジュール数を決定しているので、前記サイクル律速時間で基板を搬送するために必要な加熱モジュール数を自動的に求めることができる。このため使用しない加熱モジュールまで加熱するといった消費電力の無駄をなくし、運転コストの低減を図ることができる。

先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば３個の単位ブロックＢ１〜Ｂ３を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、例えば後述する単位ブロックＢ１，Ｂ２の一部の受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３として割り当てられており、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ３は夫々区画されている。

これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ３は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱モジュール等の各種の処理モジュールが多段に設けられた棚ユニットＵ１と、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ３とを備えている。

また各単位ブロックＢ１〜Ｂ３のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ３がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられている。この棚ユニットＵ２には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡し手段をなす受け渡しアームＤにより、棚ユニットＵ２に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。さらにまたＤＥＶ層Ｂ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられて、この棚ユニットＵ３は後述するインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部を備えている。

一方処理ブロックＳ２の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。

続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ３の構成について、先ずＤＥＶ層Ｂ１を例にして簡単に説明する。このＤＥＶ層Ｂ１のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１長さ方向（図１中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理モジュールとして、現像処理を行うための複数個例えば６個の現像モジュールＤＥＶ（ＤＥＶ１〜ＤＥＶ６）が２段×３列に設けられている。

またこの現像モジュールＤＥＶの搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば３段×４列に設けた棚ユニットＵ１が設けられており、この棚ユニットＵ１は、この例では、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている例えば６個の加熱モジュール（ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている例えば６個の加熱モジュール（ＬＨＡ１〜ＬＨＡ６）を備えている。

ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ２には、前記第１の受け渡し部として、ウエハ温度を所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２が設けられており、前記温調モジュールＣＰＬ１１に対しては、トランスファーアームＣとメインアームＡ１と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成され、前記温調モジュールＣＰＬ１２に対しては、受け渡しアームＤと後述するシャトルアームＥがアクセスできるように構成されている。

また棚ユニットＵ３には、前記第２の受け渡し部として、下方側から温調モジュールＣＰＬ４１，ＣＰＬ４２、受け渡しモジュールＴＲＳ４１，ＴＲＳ４２が設けられており、各モジュールはメインアームＡ１とインターフェイスアームＦとによりアクセスされるように構成されている。

続いて前記搬送領域Ｒ１に設けられたメインアームＡ１について説明する。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）の間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

このメインアームＡ１は、図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム３１，３２を備えており、これら保持アーム３１，３２は基台３３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台３３は、搬送基体３５上に回転機構３４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中３６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール３６、図中３７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体３５は、この昇降用ガイドレール３７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール３７の下端部はガイドレール３６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール３７がガイドレール３６に沿って横方向に移動することで、搬送基体３５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール３７は、棚ユニットＵ１の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム３１，３２と干渉しないように、保持アーム３１，３２が進退する位置からずれた位置において搬送基体３５に設けられている。なお図中４１は、その内部に３個の現像モジュールが搭載された現像モジュールの処理容器であり、４２は処理モジュールの収納容器、４３は収納容器４２に設けられたウエハＷの搬入出口である。

また前記シャトルアームＥは、例えばＤＥＶ層Ｂ１内の上部空間において、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３との間でウエハＷの搬送を行なうための専用の搬送手段である。このシャトルアームＥは、図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台５２に沿って進退するための１本の保持アーム５１を備えており、前記基台５２は、搬送基体５４上に回転機構５３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体５４は、例えば棚ユニットＵ１の上部側に、棚ユニットＵ１の長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材５６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール５５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚ユニットＵ２の温調モジュールＣＰＬ１２にアクセスすると共に、インターフェイスアームＦとの間で直接ウエハＷの受け渡しを行なうように構成されている。

なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、ＢＣＴ層Ｂ２は、液処理モジュールが３個であり、シャトルアームＥと棚ユニットＵ３とが設けられていない以外はＤＥＶ層Ｂ１とほぼ同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して反射防止膜形成用の塗布液を供給して、反射防止膜を形成するための３個の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ（ＢＣＴ１〜ＢＣＴ３）が設けられ、棚ユニットＵ１は、ウエハＷに対して疎水化処理を行なう例えば４個の疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ４と、反射防止膜形成処理後のウエハＷに対して加熱処理を行う例えば４個の加熱モジュールＬＨＰ２１〜ＬＨＰ２４と、例えば４個の連結オーブンまたは加熱モジュールＨＨＰ１〜ＨＨＰ４とを備えている。また棚ユニットＵ２には、第１の受け渡し部として、温調モジュールＣＰＬ２１，ＣＰＬ２２と、受け渡しモジュールＴＲＳ２１と、複数枚のウエハＷが保持されるバッファモジュールＳＢＵ２１とが設けられ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、棚ユニットＵ１及び棚ユニットＵ２に設けられたモジュールとの間でメインアームＡ２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。また棚ユニットＵ２の各モジュールに対しては、メインアームＡ２と受け渡しアームＤとがアクセスすると共に、受け渡しモジュールＴＲＳ２１に対してはキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣもアクセスできるようになっている。

またＣＯＴ層Ｂ３は、ＢＣＴ層Ｂ２と同様に構成され、液処理モジュールとして、ウエハＷに対してレジスト液（塗布液）を供給して、レジスト膜を形成するための３個の塗布モジュールＣＯＴ（ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３）が設けられ、棚ユニットＵ１は、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行う例えば９個の加熱モジュールＬＨＰ３１〜ＬＨＰ３９や１個の周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えている。前記加熱モジュールＬＨＰとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレートと、搬送アームを兼用する冷却プレートとを備え、メインアームＡ３と加熱プレートとの間のウエハＷの受け渡しを冷却プレートにより行なう、つまり加熱冷却を１つのモジュールにて行うことができる構成の装置が用いられる。

また棚ユニットＵ２には、前記第１の受け渡し部として、温調モジュールＣＰＬ３１，ＣＰＬ３２と、受け渡しモジュールＴＲＳ３１と、バッファモジュールＳＢＵ３１とが積層して設けられており、塗布モジュールＣＯＴと、棚ユニットＵ１及び棚ユニットＵ２に設けられた各モジュールとの間でメインアームＡ３によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。また棚ユニットＵ２の各モジュールに対しては、ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成されている。

このようなこのレジストパターン形成装置において、塗布膜として反射防止膜とレジスト膜を形成する場合を例にして、図５を用いてウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ２１を介してＢＣＴ層Ｂ２に受け渡され、ＢＣＴ層Ｂ２内にて、メインアームＡ２により疎水化処理モジュールＡＤＨ→棚ユニットＵ２の温調モジュールＣＰＬ２２(２１)→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＬＨＰの経路で搬送され、反射防止膜が形成される。

続いてウエハＷは、メインアームＡ２により例えば棚ユニットＵ２のバッファモジュールＳＵＢ２１→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調モジュールＣＰＬ３１(３２)の経路で搬送され、ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３により塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周縁露光装置ＷＥＥの経路で搬送されて、反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。

次いでウエハＷは、棚ユニットＵ２のバッファモジュールＳＵＢ３１→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調モジュールＣＰＬ１２→シャトルアームＥまで搬送される。次いでシャトルアームＥ上のウエハＷはインターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦにより直接受け取られ、露光装置Ｓ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。

露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦ→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ４１(４２)→メインアームＡ１の経路によりＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、当該ＤＥＶ層Ｂ１にて、加熱モジュールＰＨＰ→棚ユニットＵ３の温調モジュールＣＰＬ４１（４２）→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＬＨＡ→棚ユニットＵ２の温調モジュールＣＰＬ１１の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部７を備えている。この制御部７は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして、これらプログラムが制御部７に読み出されることにより、制御部７によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

図６はこの制御部７の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理モジュール）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明では加熱モジュール数の使用モジュール数の決定に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。図６中７０はバスであり、このバス７０には、搬送フロー作成部７１、搬送律速時間演算部７２、サイクル律速時間決定部７３、使用モジュール数演算部７４、使用モジュール選択部７５、搬送スケジュール作成部７６、レシピ格納部７７、搬送制御部７８が接続されている。

搬送フロー作成部７１は、前記キャリアブロックＳ１内のキャリア２０にかかるプロセスレシピに応じて、ウエハＷが搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記メインアームＡ（Ａ１〜Ａ３）によりウエハＷを受け渡してから、当該ウエハＷに対して処理を行い、このウエハＷが前記メインアームＡに対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する手段である。

例えばオペレータがコンピュータの画面上で、レシピ格納部７１に格納されたプロセスレシピから、前記キャリアブロックＳ１内のキャリア２０にかかる所定のプロセスレシピを選択すると、これに基づいて前記搬送フローが作成されるようになっている。つまり前記プロセスレシピには、ウエハＷが搬送される順番に沿ってモジュールの種別が記載された搬送レシピと、各モジュールにて行なわれる処理レシピとが記載されており、一つのプロセスレシピが選択されると、自動的に前記モジュールの種別と、前記必要滞在時間とが選択され、前記搬送フローが作成されるようになっている。なおオペレータがコンピュータの画面上で、ウエハＷが搬送される順番に沿ってモジュールの種別を選択し、次いで各モジュールにおいて行なわれる処理レシピを選択することにより、前記モジュールの種別と、前記必要滞在時間とを選択し、これに基づいて前記搬送フローが作成するようにしてもよい。この際、オペレータが選択するモジュールは、例えば塗布モジュールＣＯＴや加熱モジュールＬＨＰというように、同じ処理を行うモジュールの種別であって、塗布モジュールＣＯＴ１や加熱モジュールＬＨＰ１というような個々のモジュールではない。

また前記必要滞在時間とは、既述のように、あるモジュールにメインアームＡからウエハＷを受け渡してから、当該ウエハＷに対して処理を行い、処理後のウエハＷが前記メインアームＡに対して受け渡し可能になるまでに当該モジュール内にウエハＷが滞在する最低時間である。あるモジュールにメインアームＡからウエハＷを受け渡すとは、例えばこのモジュールの載置部に設けられた昇降ピン上にメインアームＡからウエハＷを受け渡すことをいい、前記処理後のウエハＷが前記メインアームＡに対して受け渡し可能になるとは、例えば処理後のウエハＷを保持する昇降ピンがメインアームＡにウエハＷを受け渡すために上昇したときをいう。

前記搬送律速時間演算部７２は、メインアームＡが受け渡しを担当するモジュール数に基づいて、メインアームＡ毎に必要搬送時間を演算し、最も長い時間を搬送律速時間とする手段である。メインアームＡの搬送速度は決まっているので、受け渡しを行なうモジュールが多くなれば必要搬送時間が長くなり、反対にモジュールが少なくなれば必要搬送時間が短くなる。

サイクル律速時間決定部７３は、塗布モジュールＣＯＴについて、前記必要滞在時間を、当該塗布モジュールＣＯＴの搭載数で除した必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とする手段である。このサイクル律速時間とは、搬送スケジュールに沿ってウエハＷを搬送する際に、搬送スケジュールの１サイクルを実施する時間である。

また使用モジュール数決定部７４は、搬送フローに記載された並び順に前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とする手段である。

また使用モジュール選択部７５は、決定された使用モジュール数に基づいて、使用するモジュールを選択する手段であり、例えばこのモジュールの選択はオペレータによりコンピュータの画面上にて、使用するモジュールを選択することにより行われる。

さらに搬送スケジュール作成部７６は、前記搬送フローと、選択された使用モジュールと、各モジュールにおいて行われるプロセスレシピに基づいて、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容のスケジュール、例えばウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを作成する手段である。この搬送スケジュールでは、前記新たなサイクル律速時間により、搬送スケジュールの１サイクルが実施される。

またレシピ格納部７７は記憶部に相当する部位であり、各モジュールにおいて、ウエハＷに対して行う処理条件などが記録されたプロセスレシピや、前記搬送フローや、搬送スケジュール等が格納される手段である。搬送制御部７８は、前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、トランスファーアームＣ、メインアームＡ１〜Ａ３、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、トランスファーアームＣ、インターフェイスアームＦを制御し、これにより搬送サイクルを実行する部位であり、メインアームＡを制御する手段に相当する。
続いて本実施の形態の作用説明を図７〜図１１を用いて行う。先ずオペレータが、コンピュータの画面上にて、キャリアブロックＳ１のキャリア２０に応じたプロセスレシピを選択する。これによりウエハＷを搬送する順番に沿ってモジュールの種類が選択され（ステップＳ１）、各モジュールにて行われる処理の処理レシピを選択されるので（ステップＳ２）、これによって搬送フロー作成部７１にて、例えば図８に示すような搬送フローが作成される（ステップＳ３）。図８の搬送フローでは、同じ種類のモジュールの搭載数と、受け渡しを担当するメインアームＡが合わせて記載されている。なおこの搬送フローにおいては、ステップ２〜ステップ７はＢＣＴ層Ｂ２、ステップ８〜ステップ１２はＣＯＴ層Ｂ３、ステップＳ１５〜ステップ２０はＤＥＶ層Ｂ１にて行われる工程を夫々示している。またステップ１３のＩＳＵＨは、シャトルアームＥに関する工程（温調モジュールＣＰＬ１２→シャトルアームＥを纏めて記載したものであり、またステップＳ１４のＥＩＦはインターフェイスアームＦである。
こうして各メインアームが受け渡しを担当するモジュールが決定されるので、搬送律速時間演算部７２にて各メインアームＡ１〜Ａ３の搬送必要搬送サイクル時間が演算され、最も長い時間この例ではメインアームＡ１とメインアームＡ３の必要搬送時間である１６秒が搬送律速時間として決定される（ステップＳ４）。

続いてサイクル律速時間決定部７３により塗布モジュールＣＯＴについて前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間と前記搬送律速時間とを比較して、長い方をサイクル律速時間に設定する（ステップＳ５）。ここでは塗布モジュールＣＯＴの必要滞在時間は６０秒、搭載数は３個であるので、この必要搬送サイクル時間は、（必要滞在時間／搭載数＝６０秒／３個）により２０秒となり、前記搬送律速時間（１６秒）よりも長いので、この時間がサイクル律速時間と設定される。なお通常は、装置のスループットを向上させるために、メインアームの搬送律速時間がサイクル律速時間とならないように、各モジュールの搭載数が決定されているため、メインアームＡにおける搬送律速時間を求める工程や、搬送律速時間と必要搬送サイクル時間との比較によりサイクル律速時間を求める工程は省略し、塗布モジュールＣＯＴの必要サイクル時間をサイクル律速時間と決定してもよい。

次いで使用モジュール数決定部７４により、前記搬送フローに記載され並び潤に各モジュール毎に使用モジュール数を求める（ステップＳ６）。この例について、図９及び図１０のフローチャートを用いて説明すると、先ずステップＳ１１にて搬送フローの最初のモジュールから始めるように指令を出力し、ステップＳ１２にて当該モジュールに必要滞在時間があるか否かを判断する。そして必要滞在時間がない場合にはステップＳ２０に進み、搬送フローの次のモジュールに進むように指令を出力する。この搬送フローでは最初のモジュールであるＴＲＳモジュール（受け渡しモジュール）には必要滞在時間がないので、次いでＡＤＨモジュール（疎水化モジュール）に進む。

一方当該モジュールに必要滞在時間がある場合にはステップＳ１３に進み、当該モジュールの必要搬送サイクル時間がサイクル律速時間以内であるか否かを判断する。そしてサイクル律速時間以内であればステップＳ１４に進み、サイクル律速時間を超えている場合にはステップＳ１５に進んで、このモジュールの必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間に設定した後、ステップＳ１３に戻る。前記ＡＤＨモジュールでは、必要搬送サイクル時間は１５秒（必要滞在時間：６０秒／搭載数：４個＝１５秒）であるので、そのままステップＳ１４に進む。

ステップＳ１４にてｍ＝１とした後ステップＳ１６に進み、ここで当該モジュールの必要滞在時間／（搭載数−ｍ）がサイクル律速時間以内であるか否かを判断する。サイクル律速時間以内であればステップＳ１７に進み、新たに前記ｍに１を加えてステップＳ１６に戻る。一方サイクル律速時間を超えていればステップＳ１８に進み、ここで次の（１）式より使用モジュール数を求める。

使用モジュール数＝搭載数−ｍ＋１・・・（１）
前記ＡＤＨモジュールでは、ステップＳ１６にて、必要滞在時間／（搭載数−ｍ：ｍ＝１）＝６０秒／（４−１）＝２０秒であって、サイクル律速時間以内であるので、ステップＳ１７を介して再度ステップＳ１６にて、必要滞在時間／（搭載数ーｍ:ｍ＝２）＝６０秒／（４−２）＝３０秒を演算する。この場合にはサイクル律速時間を超えてしまうので、ステップＳ１８にて、使用モジュール数は（１）式より４−２＋１個つまり３個となる。

こうしてステップＳ１８にて使用モジュール数が決定された後、ステップＳ１９に進み、当該モジュールが搬送フローの最後のモジュールであるか否かを判断し、最後のモジュールである場合には、図１０に示す工程に進む。一方最後のモジュールではない場合には、ステップＳ２０に進み、搬送フローの次のモジュールに進む。

このように図９のフローチャートに従って、搬送フローの各モジュールについて、順番が最小のモジュール（ＴＲＳモジュール）から順番が最大のモジュール（ＣＰＬモジュール）まで順に、使用モジュール数の決定が行われる。この際搬送フローのステップＳ６のＬＨＰモジュール（加熱モジュール）の場合を例にして再度説明すると、当該モジュールの必要搬送サイクル時間は２２．５秒（必要滞在時間：９０秒／搭載数：４個＝２２．５秒）であり、サイクル律速時間である２０秒を超えているので、ステップＳ１５に進み、当該モジュールの必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、以降のステップを行なう。

つまりステップＳ１６において、必要滞在時間／（搭載数−ｍ:ｍ＝１）＝９０秒／（４−１）＝３０秒であって、新たなサイクル律速時間である２２．５秒を超えていると判断してステップＳ１８に進み、使用モジュール数を（１）式より４個（４−１＋１個）と求める。

また搬送フローのステップ１０のＬＨＰモジュール（加熱モジュール）の場合には、当該モジュールの必要搬送サイクル時間は２２．５秒（必要滞在時間：９０秒／搭載数：９個＝１０秒）であり、新たなサイクル律速時間である２２．５秒以内であるので、ステップＳ１６に進み、必要滞在時間／（搭載数ーｍ:ｍ＝１）＝９０秒／（９−１）＝１１．５秒が前記新たなサイクル律速時間以内であるか否かを判断する。この場合にはサイクル律速時間以内であるので、ステップＳ１７を介してステップＳ１６にて再び必要滞在時間／（搭載数−ｍ）を演算する。この例では、ｍ＝５では、必要滞在時間／（搭載数−ｍ:ｍ＝５）＝９０秒／（９−５）＝２２．５秒であり、ｍ＝６では、必要滞在時間／（搭載数−ｍ:ｍ＝６）＝９０秒／（９−６）＝３０秒であるので、ｍ＝６のときにステップＳ１８に進み、使用モジュール数を（１）式より４個（９−６＋１個）と求める。

このようにすると、前記使用モジュール数決定部７４において、搬送フローに記載された順番が最小のモジュールから最大のモジュールまで順に前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて使用モジュール数とすることが行われることになり、こうして求められた使用モジュール数は例えば図１１に示すように、搬送フローに記載される。

こうしてステップＳ６において、各モジュールについて使用モジュール数が演算された後、搬送フローに記載された各モジュールについて、順番が最小のモジュールから最大のモジュールまで順に使用モジュール数の再演算が行われる（ステップＳ７）。この再演算は、例えば図１０に示すフローチャートに基づいて行われる。このフローチャートは、この再演算のときには、既に各モジュールについて前記必要搬送サイクル時間が計算されており、最も必要搬送サイクル時間が長いモジュールに基づいてサイクル律速時間が決定されていて、新たなサイクル律速時間の設定は不要であるため、この点を省略したことを除いては図９に示すフローチャートとほぼ同様であるので説明は省略する。

続いて使用モジュール選択部７５により、例えばオペレータが具体的に使用するモジュールを、例えばＣＯＴ層Ｂ３においてＬＨＰモジュールを４個選択する場合には、ＬＨＰ１，ＬＨＰ２，ＬＨＰ３，ＬＨＰ４というように、これらモジュール固有の識別番号を用いて選択し（ステップＳ８）、次いで搬送スケジュール作成部７６により、図１１に示す搬送フローに基づいて、ウエハＷの順序と搬送順序とを対応づけた搬送スケジュールを作成する。そして塗布、現像装置では、この搬送スケジュールに基づいてウエハＷが搬送され、所定のレジストパターン形成処理が行われることになる。この搬送スケジュールでは、前記新たなサイクル律速時間である２２．５秒間で、搬送スケジュールの１サイクルが実施される。

このような構成では、オペレータが搬送順序に沿って使用するモジュールを選択すると共に、各モジュールにて行われる処理レシピを選択すると、自動的に各モジュールの使用数が演算されるので、オペレータの経験や勘に寄らずに、正確なモジュールの使用数が求められる。この際このモジュールの使用数は、モジュールのサイクル律速時間に基づいて設定されているので、当該サイクル律速時間にて搬送スケジュールの１サイクルを実施するときに、必要な個数として決定される。

従って従来のように、使用する可能性のないモジュールまで誤って搬送スケジュールに組み込むおそれがないので、加熱モジュールＬＨＰや、疎水化処理モジュールＡＤＨ等のように処理温度まで温度調整が行なわなければならないモジュール等において、使用しないモジュールについて温度調整を行なうといった事態の発生が防止できる。このため電力の無駄を省いて、省エネルギー化を図り、運転コストを低減することができる。

また上述の例では、搬送フローに記載された全てのモジュールについて使用モジュール数が演算された後、再度全てのモジュールについて使用モジュール数が再演算されるので、例えば搬送フローにおける最後のモジュールについて新たなサイクル律速時間が設定された場合であっても、これに基づいて使用モジュール数が再演算されることになり、使用モジュール数の決定を正確に行うことができる。

以上において、使用モジュール数の決定は次のように行ってもよい。この例においては、図１２に示すようにステップＳ３１〜ステップＳ３４までは、図７のフローチャートのステップＳ１〜ステップＳ４までと同じであるが、前記サイクル律速時間決定部７３では、前記必要搬送サイクル時間を搬送フローに記載されたモジュール毎に演算し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間を求めることが行われ、搬送律速時間と必要搬送サイクル時間との比較により、長い方の時間がサイクル律速時間と決定される（ステップＳ３５）。なおこの例においても、搬送律速時間を求める工程や、搬送律速時間と必要搬送サイクル時間との比較によりサイクル律速時間を求める工程は省略し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間と決定してもよい。

そして使用モジュール数決定部７４では、搬送フローに記載された加熱モジュールについて、前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求め、使用モジュール数とすることが行われる（ステップＳ６）。具体的に図１３のフローチャートを用いて説明すると、先ずステップＳ４１にて搬送フローの最初のモジュールから始めるように指令し、ステップＳ４２にて当該モジュールに必要滞在時間があるか否かを判断する。そして必要滞在時間がない場合にはステップＳ４８に進み、搬送フローの次のモジュールに進むように指令を出力する。

一方当該モジュールに必要滞在時間がある場合には、ステップＳ４３を介してステップＳ４４に進み、ここで必要滞在時間／（搭載数−ｍ）がサイクル律速時間以内であるか否かを判断する。サイクル律速時間以内であればステップＳ４５に進み、新たに前記ｍに１を加えてステップＳ４４に戻る。一方サイクル律速時間を超えていればステップＳ４６に進み、前記（１）式より使用モジュール数を求める。

ステップＳ４６にて使用モジュール数が決定されるとステップＳ４７に進み、当該モジュールが搬送フローの最後のモジュールであるか否かを判断し、最後のモジュールではない場合にはステップＳ４８に進み、搬送フローの次のモジュールについて使用モジュール数を決定する。一方最後のモジュールである場合には終了する。

この例においては、使用モジュール数の演算を行う前に、搬送フローに記載されたモジュールにおいて最も長い必要搬送サイクル時間であるサイクル律速時間を求めているので、使用モジュール数の演算を行う際にサイクル律速時間が新たに設定されることがない。このため使用モジュール数の計算をスムーズに行うことができる。また使用モジュール数を演算する際にサイクル律速時間が新たに設定されることがないので、使用モジュール数の再演算を行う必要がない。

以上において使用モジュール数の計算は、加熱モジュールのみに対して行うようにしてもよい。ここで加熱モジュールとは、ＬＨＰモジュールや、ＰＨＰモジュール、ＬＨＡモジュール等である。仮に温調モジュールについて使用しないモジュールがあったとしても、当該モジュールの温調に対しては電力の消費量が少ないからである。また使用モジュール数の再演算をしなくても、ある種類の加熱モジュールについては使用数が正確に求められ、これにより電力の無駄を抑えるという効果があるので、必ずしも使用モジュール数の再演算は必要はない。

さらに本発明では、オペレータが加熱モジュールを選択する代わりに、例えば前ロットで使用した加熱モジュールにおける処理温度と、前ロットで使用しない加熱モジュールの温度と、当該ロットにおける処理温度とを比較し、温調時間が最も短くなるように、加熱モジュールを自動的に選択するようにしてもよい。

例えば温調時間が短くなるとは、前ロットで使用した加熱モジュールの処理温度と、当該ロットで使用する加熱モジュールの処理温度が同じである場合には前ロットで使用した加熱モジュールを選択し、
また前ロットで使用した加熱モジュールの処理温度と、当該ロットで使用する加熱モジュールの処理温度が異なる場合では、前ロットで使用しない加熱モジュールがある場合には、その加熱モジュールを選択するということである。前ロットで使用した加熱モジュールは、当該加熱モジュールにおいて前ロットの最後のウエハＷ２０を処理し、当該ウエハＷ２０を当該加熱モジュールから搬出してから、温度調整を開始するのに対し、前ロットで使用しない加熱モジュールについては、前ロットのウエハＷを処理を行っているときから温調することができるので、使用しないモジュールの方が温調時間が短いからである。

ここで装置内に６個搭載された加熱モジュール（ＬＨＰモジュール）を用いて具体的に説明する。前ロットではＬＨＰ１，ＬＨＰ２，ＬＨＰ３，ＬＨＰ４の４個の加熱モジュールを使用し、当該ロットにおいても加熱モジュールを４個使用する場合であって処理温度が異なる場合を想定する。当該ロットでは先ず使用していない２個のＬＨＰ５モジュール，ＬＨＰ６モジュールを選択し、これらモジュールについては前ロットの間に温調しておく、そして当該ロットでは、これらＬＨＰ５モジュール，ＬＨＰ６モジュールに対して、順次当該ロットのウエハＢ１、Ｂ２を入れていく。そして前ロットでは、ＬＨＰ１モジュール、ＬＨＰ２モジュールから順次処理済みの全ロットのウエハが搬出されていき、早く空くので，ウエハＢ３、ウエハＢ４については、前記ＬＨＰ１及びＬＨＰ２モジュールから順次搬送するようにモジュールを選択する。なおこの選択方法を実施するに際しては、２つ以上のロットのウエハＷについて、オペレータが同時に搬送順序を指定して、使用モジュール数を演算し、使用モジュールを選択することが必要となる。

以上において本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。また塗布、現像装置の構成については上述の例に限らず、同じ処理ブロック内に塗布モジュールや現像モジュールが搭載されている構成であってもよいし、塗布、現像装置に搭載されるモジュールの種類や搭載数、配置、モジュールの搬送順序等は適宜選択可能である。

本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層Ｂ１の単位ブロックを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を示す断面図である。 前記塗布、現像装置の制御部の一例を示す構成図である。 前記塗布、現像装置において使用モジュール数を決定する際の工程図である。 前記塗布、現像装置における搬送フローの一例を示す構成図である。 前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフローチャートの一例である。 前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフローチャートの一例である。 前記塗布、現像装置における搬送フローの一例を示す構成図である。 前記塗布、現像装置において使用モジュール数を決定する際の工程図である。 前記塗布、現像装置における搬送フローの一例を示す構成図である。 従来の塗布、現像装置を示す平面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ３ メインアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ 受け渡しアーム
Ｅ シャトルアーム
Ｆ インターフェイスアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
ＣＯＴ 塗布モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
７ 制御部
７１ 搬送フロー作成部
７３ サイクル律速時間演算部
７４ 使用モジュール数決定部

Claims (7)

1. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
   処理ブロックは、塗布液を基板に塗布する複数の液処理モジュールと、基板を加熱処理する複数の加熱モジュールと、基板を温調する複数の温調モジュールと、前記各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、こうして前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置において、
   前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する搬送フロー作成部と、
   前記必要滞在時間を、同一種別のモジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間を搬送フローに記載されたモジュールの種別毎に演算し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とするサイクル律速時間決定部と、
   搬送フローに記載された加熱モジュールについて、前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求め、使用モジュール数とする使用モジュール数決定部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
   処理ブロックは、基板が載置され、当該基板に対して処理を行う複数種別のモジュールと、各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、
   前記複数種別のモジュールの中には、レジスト液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱処理する加熱モジュールと、基板を温調する温調モジュールと、が含まれると共に、塗布モジュール、加熱モジュール及び温調モジュールの各種別毎に複数のモジュールが搭載され、
   前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置において、
   前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する搬送フロー作成部と、
   前記塗布モジュールにおける前記必要滞在時間を、塗布モジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とするサイクル律速時間決定部と、
   前記搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とする使用モジュール数決定部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
3. 前記使用モジュール数決定部では、搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて使用モジュール数を求めた後、再度搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて使用モジュール数を求めることを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
4. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
   処理ブロックは、塗布液を基板に塗布する複数の液処理モジュールと、基板を加熱処理する複数の加熱モジュールと、基板を温調する複数の温調モジュールと、前記各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、こうして前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像方法において、
   前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する工程と、
   次いで前記必要滞在時間を、同一種別のモジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間を搬送フローに記載されたモジュールの種別毎に演算し、最も長い必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とする工程と、
   次いで搬送フローに記載された加熱モジュールについて、前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求め、使用モジュール数とする工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
5. 複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
   処理ブロックは、基板が載置され、当該基板に対して処理を行う複数種別のモジュールと、各モジュールの内の基板の搬送経路における下流側のモジュールから当該モジュールにより処理された基板を受け取って、前記モジュールよりも１つ上流側のモジュールにより処理された基板を前記下流側のモジュールに受け渡す基板搬送手段と、を備え、
   前記複数種別のモジュールの中には、レジスト液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱処理する加熱モジュールと、基板を温調する温調モジュールと、が含まれると共に、塗布モジュール、加熱モジュール及び温調モジュールの各種別毎に複数のモジュールが搭載され、
   前記基板搬送手段により、基板が上流側のモジュールから下流側のモジュールに順次搬送されて行く塗布、現像装置を用いて塗布、現像を行う方法において、
   前記キャリアブロック内のキャリアにかかるプロセスレシピに応じて、基板が搬送される順番に沿って並ぶ前記モジュールの種別と、前記モジュールに前記基板搬送手段により基板を受け渡してから、当該基板に対して処理を行い、この基板が前記基板搬送手段に対して受け渡し可能になるまでの必要滞在時間と、を対応付けた搬送フローを作成する工程と、
   前記塗布モジュールにおける前記必要滞在時間を、塗布モジュールの搭載数で除して得られる必要搬送サイクル時間をサイクル律速時間とする工程と、
   前記搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて前記必要搬送サイクル時間を演算し、この必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間以下のときには、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を前記サイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とし、前記必要搬送サイクル時間が前記サイクル律速時間より大きいときには、この必要搬送サイクル時間を新たなサイクル律速時間として、加熱モジュールにおける前記必要滞在時間を新たなサイクル律速時間で除した値と同じか、前記値よりも大きくて最も近い整数を求めて当該加熱モジュールの使用モジュール数とする工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
6. 前記使用モジュール数を決定する工程の後に、搬送フローに記載された並び順に各モジュールについて、再度使用モジュール数を求める工程を行うことを特徴とする請求項５記載の塗布、現像方法。
7. 処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
   前記プログラムは、請求項４ないし請求項６に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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