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JP5246184B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われる基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
基板にレジストパターンを形成するための塗布、現像装置は、基板を搬送する搬送容器である基板キャリアが搬入されるキャリアブロックと、基板にレジスト膜を形成するブロック及び露光後の基板に対して現像を行うブロックを含む処理ブロックと、露光装置に接続されるインターフェイスブロックと、を備えている。例えば特許文献１には、塗布膜を基板に形成するブロックとして、反射防止膜を基板に形成するための塗布ブロックと、レジスト膜を基板に形成するための塗布ブロックとが上下に積層され、更に基板に現像を行うための現像ブロックが塗布ブロックに対して積層される構造が記載されている。
このような塗布、現像装置では、各段のブロックごとに水平な直線搬送路が形成され、この搬送路の両側に処理モジュールが配列されている。そして各段のブロック毎に、基板を搬入するための受け渡しモジュール及び当該ブロックにて一連の処理が終了した基板を搬出するための受け渡しモジュールが設けられている。これらモジュール群は、基板を搬送する順番が決められていて、２本以上のアームを有する搬送手段により、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、この搬送サイクルが繰り返される。そしてスループットを高めるために、モジュール群の中には、搬送の順番が同じであって、基板に対して同一の処理を行なう３つ以上のモジュールからなるマルチモジュールが含まれることがある。
ところでマルチモジュールにおいて、装置の不具合やメンテナンスなどによりモジュールが使用できない状態になることがある。塗布、現像装置が運転されているときにこのような使用不可のモジュールが発生すると、当該モジュールについては搬送スケジュールから除外する必要がある。このとき除外対象のモジュール内に基板が存在するときに、搬送サイクルの中でいかにして当該基板を装置の外に取り出すか、また除外対象のモジュールつまり使用不可のモジュールが使用可能になったときには、いかにして効率よく当該モジュールを搬送スケジュールの中に組み込むかが課題の一つである。
特許文献２には、使用不可のモジュールが発生したときには前のモジュールの基板を退避モジュールに退避させることが記載されているが、この場合には使用不可のモジュールが複数発生したときを見込んだ数の退避モジュールを用意しなければならない。なお除外対象のモジュール内に置き去りになった基板の対処については記載されていない。
特開２００９−０９９５７７ 特開２００６−２０３００３
本発明はこのような事情の下になされたものであり、モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送される搬送サイクルが繰り返し行われる基板処理装置において、使用不可のモジュールが発生してその後当該モジュールが使用可能になったときに、高いスループットで基板を処理することのできる技術を提供することにある。
本発明の基板処理装置は、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群の中には、搬送の順番が同じであって、基板に対して同一の処理を行なう３つ以上のモジュールからなるマルチモジュールが含まれ、
搬送手段により、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われ、
通常時には、前記マルチモジュールの各モジュールに対してはその前のモジュールから基板が一定の順序で分配され、前記マルチモジュールを構成する複数のモジュールには、基板が搬入される順番が決められていて、順番が最後であるモジュールに基板が搬入された後は、順番が最初であるモジュールに基板が搬入される基板処理装置において、
基板に順番を割り当て、基板の順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれている基板をその基板に対応するモジュールに搬送するように前記搬送手段を制御し、これにより搬送サイクルを実行する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記マルチモジュールを構成するモジュールのうち、少なくとも一つのモジュールが使用不可でありかつ他のモジュールが使用可能である状態から、使用不可のモジュールが使用可能の状態に復帰したときに、
前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を、
マルチモジュールを構成するモジュール群のうち当該基板の搬出時に最も近いタイミングで基板が搬入されたモジュールに対して、前記基板の搬入順序において次のモジュールに搬入するように前記搬送手段を制御することを特徴とする。
例えば、前記モジュール群のうち下流端のモジュールに対して、前記搬送手段とは別の他の搬送手段が基板の受け取りを行うように構成され、
前記制御部は、
前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を前記使用不可のモジュールに搬入するときに、当該使用不可のモジュール内に基板が存在する場合には、この基板を取り出して、前記他の搬送手段により受け渡しが可能なモジュールに搬送するように搬送手段を制御する。この場合、例えば 前記使用不可のモジュール内に存在する基板の搬送先は、前記下流端のモジュールであることを特徴とする。
例えば、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群である。
各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群であってもよい。また、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群に対して基板の搬送を行う搬送機構は、水平な直線搬送路に沿って移動できるように構成され、
露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群に対して基板の搬送を行う搬送機構は、前記直線搬送路とは別個に設けられた水平な直線搬送路に沿って移動できるように構成されていてもよい。
本発明の基板処理方法は、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群の中には、搬送の順番が同じであって、基板に対して同一の処理を行なう３つ以上のモジュールからなるマルチモジュールが含まれ、
搬送手段により、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われ、
通常時には、前記マルチモジュールの各モジュールに対してはその前のモジュールから基板が一定の順序で分配され、前記マルチモジュールを構成する複数のモジュールには、基板が搬入される順番が決められていて、順番が最後であるモジュールに基板が搬入された後は、順番が最初であるモジュールに基板が搬入される基板処理方法において、
基板に順番を割り当て、基板の順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれている基板をその基板に対応するモジュールに搬送するように前記搬送手段を制御し、これにより搬送サイクルを実行する工程と、
前記マルチモジュールを構成するモジュールのうち、少なくとも一つのモジュールが使用不可でありかつ他のモジュールが使用可能である状態から、使用不可のモジュールが使用可能の状態に復帰したときに、
前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を、
マルチモジュールを構成するモジュール群のうち当該基板の搬出時に最も近いタイミングで基板が搬入されたモジュールに対して、前記基板の搬入順序において次のモジュールに搬入するように前記搬送手段を制御する工程と、を含むことを特徴とする。
例えば、前記使用不可のモジュール内に存在する基板の搬送先は、前記下流端のモジュールである。また、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群であってもよい。
例えば各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群であってもよい。
本発明の記憶媒体は、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われる基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
本発明は、マルチモジュールを構成するモジュールのうち、少なくとも一つのモジュールが使用不可状態から使用可能である状態に復帰したときに、マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を、復帰したモジュールに直ちに搬入するのではなく、マルチモジュールを構成するモジュール群に対する基板の搬入順序に従って搬入するようにしているため、その後の搬送サイクル数が抑えられ、結果としてスループットの低下が抑えられる。
本発明の塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に含まれる現像処理ユニットの斜視図である。 ＣＯＴ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 ＤＥＶ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 前記ＤＥＶ層の搬送スケジュール表である。 ＤＥＶ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 前記ＤＥＶ層の搬送スケジュール表である。 ＤＥＶ層の搬送変更前の搬送状況を示す説明図である。 前記ＤＥＶ層の搬送スケジュール表である。 ＤＥＶ層の搬送変更後の搬送状況を示す説明図である。 前記ＤＥＶ層の搬送スケジュール表である。 現像モジュールへの搬入出状況を示すタイムチャートである。 現像モジュールへの搬入出状況を示すタイムチャートである。 ＣＯＴ層のウエハの搬送状況を示す説明図である。 ＤＥＶ層のウエハの搬送状況を示す説明図である。 ＣＯＴ層のウエハの搬送状況を示す説明図である。 ＤＥＶ層のウエハの搬送状況を示す説明図である。
先ず、本発明の基板処理装置である塗布、現像装置１の構成と、この塗布、現像装置１における搬送経路について説明する。ここで説明する搬送経路は各モジュールが正常に使用できる場合の搬送経路である。また、モジュールとは半導体ウエハ（以下ウエハ登記載する）Ｗが載置される場所のことを言う。図１には塗布、現像装置１に露光装置Ｃ５が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図２は同システムの斜視図である。また、図３は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置１にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台１１上に載置された密閉型のキャリアＣから受け渡しアーム１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。キャリアＣは、複数枚のウエハＷを収納する棚を備えている。
前記処理ブロックＣ２は、この例では図２に示すように、現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｆ１、レジスト膜の下層に反射防止膜を形成するための第２のブロックＦ２、レジスト膜の形成を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｆ３、レジスト膜の上層に形成される保護膜の形成処理を行うための第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｆ４を下から順に積層して構成されている。
処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されている。図１に示す第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｆ３を例に挙げて説明すると、ＣＯＴ層Ｆ３は塗布膜として例えばレジスト膜を形成するためのレジスト膜形成ユニット１３と、加熱系のモジュールにより構成される棚ユニットＵ１〜Ｕ５と、前記レジスト膜形成ユニット１３と棚ユニットＵ１〜Ｕ５との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＧ３と、により構成されている。
レジスト膜形成ユニット１３は４基のレジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４を備えている。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、搬送アームＧ３が移動する水平な直線搬送路である搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々上記の積層された加熱系のモジュールにより構成される。各棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８のうちの２基が夫々積層されて構成されている。加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８は、レジスト塗布後のウエハＷを加熱する。
第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｆ４及び第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｆ２については、前記レジスト膜形成モジュールに相当する保護膜形成モジュール、反射防止膜形成モジュールが夫々設けられている。そして、各モジュールにおいてレジストの代わりに塗布液として保護膜形成用の薬液、反射防止膜形成用の薬液がウエハＷに夫々供給されることを除けば、これらＢＣＴ層Ｆ２及びＩＴＣ層Ｆ４は、ＣＯＴ層Ｆ３と同様の構成である。
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｆ１については一つのＤＥＶ層Ｆ１内にレジスト膜形成ユニット１３に対応する現像処理ユニット２０が２段に積層されている。一つの現像処理ユニット２０は、４つの現像モジュールＤＥＶを備えており、従ってＤＥＶ層Ｆ１には計８つの現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ８が設けられている。また、ＤＥＶ層Ｆ１は、ＣＯＴ層Ｆ３と同様に棚ユニットＵ１〜Ｕ５を備えているが、各棚ユニットＵ１〜Ｕ５は夫々３基ずつ積層された加熱モジュールにて構成されている。これらの棚ユニットＵ１〜Ｕ５に含まれる加熱モジュールは、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を行うものと、現像処理後にウエハＷに加熱処理を行うものとがある。この実施形態では、棚ユニットＵ３〜Ｕ５の加熱モジュールが、現像処理後にウエハＷに加熱処理を行うＨＰ１〜ＨＰ９として構成されている。
図４を用いて現像処理ユニット２０の構成について説明する。上記のように現像処理ユニット２０は上下に積層されており、図４では下段側の現像処理ユニット２０について示している。図４の現像処理ユニット２０は、４つの現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４と、現像液を吐出する２つの現像ノズル２１Ａ、２１Ｂとが設けられている。現像ノズル２１Ａ、２１Ｂは夫々独立して現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４に現像液を供給して現像処理を行う。つまり、４つの現像モジュールに対して２つの現像ノズルが共有化されている。例えば現像ノズル２１ＡによりＤＥＶ１及びＤＥＶ２の処理が行われ、現像ノズル２１ＢによりＤＥＶ３及びＤＥＶ４の処理が夫々行われるように設定することができる。
現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４は、ウエハＷを保持すると共に鉛直軸回りに回転する載置部２２と、載置部２２を囲むカップ２３と、現像液が供給されたウエハＷを洗浄する洗浄ノズル２４とを備えている。図４では洗浄ノズル２４は１基のみ示しているが、各カップ２３毎に設けられている。上段側の現像処理ユニット２０は、下段側の現像処理ユニット２０と同様に構成されており、現像モジュールＤＥＶ５〜ＤＥＶ８に対して現像ノズル２１Ｃ、２１Ｄが共有化されている。例えば現像ノズル２１ＣによりＤＥＶ５及びＤＥＶ６の処理が、現像ノズル２１ＣによりＤＥＶ７及びＤＥＶ８の処理が夫々行われるように設定することができる。
前記レジスト塗布処理ユニット１３はこの現像処理ユニット２０と略同様に構成されており、差異点として、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４で共有されるレジスト塗布ノズルを備えている。また、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４は、レジスト膜の周縁部を除去するために溶剤を供給する周縁部除去ノズルを各々備えている。
ＤＥＶ層Ｆ１の説明に戻って、当該ＤＥＶ層Ｆ１内には、２段の現像処理ユニット２０に含まれる各モジュールと、各加熱モジュールとにウエハＷを搬送するための搬送アームＧ１が設けられている。つまり、２段の現像処理ユニット２０に対して搬送アームＧ１が共通化されている構成となっている。
更に処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ６が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ６の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロックであるＢＣＴ層Ｆ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３のいずれかに順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｆ２内の搬送アームＧ２は、この受け渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３からウエハＷを受け取って、反射防止膜形成モジュールに搬送し、反射防止膜が形成されたウエハＷを加熱モジュールに搬送する。さらにその後、搬送アームＧ２は、ウエハＷを棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＢＦ１０に搬送する。受け渡しモジュールＢＦ１０のウエハＷは、昇降自在な受け渡しアームＤ１により、棚ユニットＵ６において第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｆ３に対応する高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ２１〜ＣＰＬ２３のいずれかに順次搬送される。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｆ３内の搬送アームＧ３は、これらの受け渡しモジュールＣＰＬ２１〜ＣＰＬ２３からウエハＷを受け取ってレジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４のいずれかに搬送し、レジスト膜を形成した後、加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８のいずれかに搬送する。
加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８にて加熱処理された後、搬送アームＧ３によりウエハＷは棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＢＦ２に搬送される。続いて、昇降自在な受け渡しアームＤ２により、棚ユニットＵ７において第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｆ４に対応する高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＣＰＬ３１〜ＣＰＬ３３のいずれかに搬送される。その後、搬送アームＧ４を介してＩＴＣ層Ｆ４に搬入され、レジスト塗布モジュールＣＯＴに相当する保護膜形成モジュールにてレジスト膜の上層に液浸露光用の保護膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＧ４により加熱モジュールに搬送された後、棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＢＦ３に搬送される。
一方ＤＥＶ層Ｆ１内の上部には、棚ユニットＵ６に設けられた受け渡し部１４から棚ユニットＵ７に設けられた受け渡し部１５にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトル１６が設けられている。保護膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＢＦ３から受け渡し部１４に搬入され、シャトル１６に受け渡される。そして、シャトル１６は、ウエハＷを棚ユニットＵ７の受け渡し部１５に搬送し、補助ブロックＣ３の搬送アーム１７が、シャトル１６からウエハＷを受け取る。搬送アーム１７は、補助ブロックＣ３の棚ユニットＵ８に設けられた受け渡しモジュールにウエハＷを搬送し、当該ウエハＷは、インターフェイスブロックＣ３に設けられたインターフェイスアーム１８に受け取られ、インターフェイスブロックＣ４に搬送される。なお、図３中のＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
次いで、ウエハＷはインターフェイスアーム１８により露光装置Ｃ５に搬送され、ここで例えば液浸露光による露光処理が行われる。その後、ウエハＷはインターフェイスアーム１８→棚ユニットＵ８の受け渡しモジュール→搬送アーム１７の順に搬送され、搬送アーム１７は、ウエハＷを補助ブロックＣ３の保護膜除去モジュールに１９に搬送し、そこで保護膜が除去される。続いて、ウエハＷは搬送アーム１７により、棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２に搬送され、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｆ１の搬送アームＧ１により、棚ユニットＵ１、Ｕ２の加熱モジュールに搬送され、加熱（ポストエクスポージャベーク）処理を受ける。
その後ウエハＷは、搬送アームＧ１により棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＣＰＬ４１〜ＣＰＬ４２のいずれかに搬送された後、現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ８のいずれかに搬送されて、現像処理を受ける。その後、加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８のいずれかに搬送され、加熱処理を受ける。然る後、搬送アームＧ１により棚ユニットＵ６の受け渡しモジュールＴＲＳ１またはＴＲＳ２に受け渡される。その後、ウエハＷは受け渡しアーム１２を介して、キャリアＣの元々置かれていた位置に戻される。
この塗布、現像装置１では制御部１００により、各部の動作が制御される。制御部１００は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、上述及び後述の搬送が行われ、搬送サイクルが実行されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納されている。このプログラムが制御部１００に読み出されることで、制御部１００は塗布、現像装置１の各部へ制御信号を送信する。それによって、各モジュールの動作及びモジュール間でのウエハＷの受け渡しなどが制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
ところで、処理ブロックＣ２の各加熱モジュール、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び現像モジュールＤＥＶは、搬入されたウエハＷを一枚ずつ処理する。また、処理ブロックＣ２の各層の搬送アームＧは、互いに独立してモジュールにアクセスするフォーク状のウエハ保持部を２つ備えており、各ウエハ保持部がウエハＷを保持することができる。
搬送アームＧの動作を詳しく説明する。一の保持部にはウエハＷが無く、他の保持部にはウエハＷが保持されている状態になっているものとし、この状態で搬送アームＧが、一のモジュールの手前に移動しているものとする。そして、一のモジュールに置かれているウエハＷを一の保持部により取り出す。そして、空いたそのモジュールに、他の保持部が保持しているウエハＷを受け渡す。その後、搬送アームＧは、一の保持部のウエハＷを下流側の他のモジュールに受け渡すために移動する。
こうして、各層では搬送アームＧが、例えば後段側のモジュールからスタートして、順次ウエハＷを一枚ずつ、一つ順番が後のモジュールに移す。それによって、搬送アームＧが、一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行する。そして、各搬送サイクルが順次実行される。このように各搬送アームＧが動作することにより、キャリアＣから先に払い出されたウエハＷがキャリアＣから後に払い出されたウエハＷよりも下流側のモジュールに位置する状態が維持されながら、モジュール間を上記のように順番に各ウエハＷが移動する。このような搬送アームＧによる搬送は、処理ブロックＣ２の各層毎に独立して行われる。
また、制御部１００は、キャリアＣから塗布、現像装置１に搬入される順に、ウエハＷに順番を割り当てる。ここでは、一のキャリアから払い出された複数の同種のウエハＷの集合をロットＡといい、そのロットＡのウエハＷをウエハＡとする。そして、ロットＡの後続のロットをロットＢとし、そのロットＢのウエハＷをウエハＢとする。そして、前記制御部１００は各ロットＡ、ロットＢ及びその後続のロットの各ウエハについて、夫々キャリアから払い出される順に番号を割り当てるものとする。具体的に、制御部１００は、ロットＡのウエハＷについて、塗布、現像装置１に搬入される順にウエハＡ１、Ａ２、Ａ３・・・というように順番を割り当てる。
そして、制御部１００は、搬送スケジュールに基づいて塗布、現像装置１の搬送アームＧなどの各ウエハの搬送手段に制御信号を送信し、それによって搬送手段がウエハＷを各モジュールに搬送する。ここで搬送スケジュールとは、ウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクル（フェーズ）を指定した搬送サイクルデータを、時系列に並べて作成されたものである。この搬送スケジュールは、例えば制御部１００に含まれる記憶部に記憶される。
この塗布、現像装置１では、上述のようにウエハＷの搬送が行われるが、ウエハＷの搬送中にモジュールにトラブルが発生したときや、メンテナンスを行う必要が発生したときは、そのモジュールに対してウエハＷを搬入出できなくなる。このようにウエハＷを搬入出できないモジュールを除外対象モジュールと呼ぶ。また、このように、モジュールが使用できなくなったことにより、本来の搬送スケジュールとは異なる搬送スケジュールでウエハＷが搬送される。このように本来のものとは異なる搬送スケジュールによる搬送を特殊搬送と呼び、当該特殊搬送によってウエハの搬送が除外されているモジュールを除外中モジュール（使用不可のモジュール）と呼ぶ。また、これら除外対象モジュール及び除外中モジュールにあるウエハＷを、置き去りウエハＵと呼ぶ。
また、例えばＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３、ＣＯＴ４など、ウエハＷの一連の処理工程で、互いに同じ段階でウエハＷに対して同一の処理を行うモジュールのグループを、マルチモジュールと呼ぶ。マルチモジュールを構成する各モジュールに対しては、その前のモジュールから一定の順序でウエハＷが搬入されるように設定されており、順番が最後のモジュールにウエハＷが搬入された後は、再び順番が最初のモジュールにウエハＷが搬入され、以降は順にウエハＷが搬入される。
また、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び現像モジュールＤＥＶで使用される各ノズルは、ウエハの処理を目的としない薬液吐出処理、いわゆるダミーディスペンスが行われる。各ノズルは例えば予め設定された時間が経過するたびにダミーディスペンスを行う。また、処理するウエハＷのロットが切り替わる時にもこのようなダミーディスペンスが行われる。
また、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び現像モジュールＤＥＶでは、カップ洗浄、ノズル洗浄及び排気ダクト洗浄などの洗浄処理が行われる。加熱モジュールにおいても排気ダクト洗浄が行われる。これらの洗浄処理は、例えば各モジュールにおいて例えば予め設定された時間が経過するたびに行われる。これらの洗浄処理及びダミーディスペンスが、搬送に与える影響については下記の搬送のルールで説明する。
続いて、除外中モジュールが使用可能な状態に復帰し、当該モジュールへの搬送が可能になった場合の搬送のルールについて説明する。ルールの１つとして、除外中モジュールへの搬送が搬送可能になった時点で、該当する処理工程（ステップ）に搬送していないウエハから、前記除外中モジュールに搬送再開する。つまり、使用可能な状態に復帰した除外中モジュールが属するマルチモジュールに搬送されてないウエハが、当該除外中モジュールに搬送される。ただし、モジュールが使用可能な状態に復帰したときに既述のダミーディスペンスまたは洗浄処理を行う条件が成立していれば、これらダミーディスペンスまたは洗浄処理が行われた後に当該モジュールへウエハＷの搬送が再開される。
また、ルールの１つとして、除外中モジュールが使用可能な状態に復帰し、搬送可能になっても、その除外中モジュールが属するマルチモジュールについて予め設定された搬送順に従ってウエハを搬送していく。つまり、マルチモジュールの一つ手前のモジュールから搬出されたウエハＷを、当該マルチモジュールについて予め設定された順番に従い、マルチモジュールを構成するモジュール群のうち、前記ウエハＷの一つ前のウエハが搬入されたモジュールの次の順番のモジュールに搬入する。従って、除外中モジュールが搬送可能になっても、すぐに当該モジュールにウエハＷを搬入するわけではなく、除外中モジュールが使用可能な状態に復帰したタイミングによっては、当該モジュールにすぐにウエハを搬入しない。
また、搬送のルールとして、除外中モジュールが搬送可能になった時点で、その除外中モジュールが属するマルチモジュールに搬送していないウエハの搬送は、搬送可能なモジュールをすべて使用するように行われる。つまり、使用可能なマルチモジュールは、すべて使用されるように搬送が行われる。このルールにより、搬送先のモジュールに置き去りウエハＵが有ろうと無かろうと、当該モジュールへの搬送が行われる。ただし、モジュールが使用可能な状態に復帰したときに既述のダミーディスペンスまたは洗浄処理を行う条件が成立していれば、これらダミーディスペンスまたは洗浄処理が行われた後に当該モジュールへウエハＷの搬送が再開される。
これらのルールに従った搬送変更について、具体的な各例を示した図を参照しながら説明する。図５はＣＯＴ層Ｆ３の各モジュールを展開して、平面に表した展開図である。このＣＯＴ層Ｆ３のレジスト塗布モジュールＣＯＴについては、特殊搬送が行われない場合、ＣＯＴ１→ＣＯＴ２→ＣＯＴ３→ＣＯＴ４→ＣＯＴ１→・・・の順でウエハＷが搬送されるものとする。また、加熱モジュールについても、特殊搬送が行われない場合は、レジスト塗布モジュールＣＯＴと同様に、当該加熱モジュールの番号順にウエハＷが搬送されるものとする。
（搬送変更例１）
図５に示す例ではレジスト塗布モジュールＣＯＴ４にトラブルが発生し、当該ＣＯＴ４が除外中モジュールとなっている。従って、特殊搬送が行われ、ＣＯＴ１→ＣＯＴ２→ＣＯＴ３→ＣＯＴ１→・・・の順で繰り返しウエハが搬送されるようになっている。なお、この図５以降の各図で、除外中モジュールには多数の点を付して示しており、各図中Ｓを付けた番号は、搬送先のマルチモジュールにおける搬送順を示している。図５のＣＯＴ層Ｆ３では、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３に夫々ウエハＡ１、Ａ２、Ａ３が滞留している。そして、受け渡しモジュールＣＰＬ２１、ＣＰＬ２２、ＣＰＬ２３には、ウエハＡ４、Ａ５、Ａ６が夫々搬入されている。上記のようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ４が使用できないので、これらのウエハＡ４、Ａ５、Ａ６は、若い番号のものから図中に矢印で示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３に、順次搬送されるように搬送スケジュールが設定されている。
この図５に示す状態から、図６に示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ４がトラブルから復帰し、ウエハＷの搬入出が可能な状態になったとする。上記のルールに従って、その時点でレジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４へ搬送していないウエハＷを、当該レジスト塗布モジュールＣＯＴ４に搬送できるようになる。そして、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３の順番でウエハＷが搬入されているため、上記の順番に従って次のウエハＷをＣＯＴ４に搬入するように搬送スケジュールが変更される。従って、図６に矢印で示すようにウエハＡ４を、当該ＣＯＴ４に搬入するように搬送スケジュールが変更される。また、ウエハＡ５、Ａ６はＣＯＴ１、ＣＯＴ２に夫々搬入される。
（搬送変更例２）
以下、搬送変更例１と同様にレジスト塗布モジュールＣＯＴへの搬送が変更される例について説明する。図７は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４がトラブルにより除外中モジュールとなっている状態を示している。レジスト塗布モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２には夫々ウエハＡ１、Ａ２が滞留している。そして、受け渡しモジュールＣＰＬ２１、ＣＰＬ２２、ＣＰＬ２３には、ウエハＡ３、Ａ４、Ａ５が夫々搬入されている。上記のようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４が使用できないので、これらのウエハＡ３、Ａ４、Ａ５は矢印で示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ１に、若い番号のものから順次搬送されるように搬送スケジュールが設定されている。
この図７に示す状態から、図８に示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ３が、ウエハＷの搬入出可能な状態になったとする。搬送変更例１と同様に、そのように搬入出可能になった時点で、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４へ搬送してないウエハＷを、復帰した当該レジスト塗布モジュールＣＯＴ３への搬入することが可能になる。そして、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２の順番でウエハＷが搬入されているため、順番に従って次のウエハＷをＣＯＴ３に搬入するように搬送スケジュールが変更される。従って、図８に矢印で示すようにウエハＡ３を、当該ＣＯＴ３に搬入するように搬送スケジュールが変更される。ウエハＡ４、Ａ５はＣＯＴ１、ＣＯＴ２に夫々搬入される。
（搬送変更例３）
図９は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１がトラブルにより除外中モジュールとなっている状態を示している。レジスト塗布モジュールＣＯＴ２にはウエハＡ１が滞留している。そして、受け渡しモジュールＣＰＬ２１、ＣＰＬ２２、ＣＰＬ２３には、ウエハＡ４、Ａ２、Ａ３が夫々搬入されている。レジスト塗布モジュールＣＯＴ１が使用できないため、これらのウエハＡ２、Ａ３、Ａ４は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４、ＣＯＴ２に順次搬入されるように搬送スケジュールが設定されている。
この図９に示す状態から、図１０に示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ１がトラブルから復帰し、ウエハＷの搬入出が可能な状態になったとする。上記のルールに従って、このように復帰した時点でレジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４へ搬送していないウエハＷを、復帰した当該レジスト塗布モジュールＣＯＴ１に搬送できるように搬送スケジュールが変更される。ここで、ウエハＡ１がＣＯＴ２に搬入されているため、続いてＣＯＴに搬入されるウエハＡ２、Ａ３は、ＣＯＴ内での搬送順に従ってＣＯＴ３、ＣＯＴ４に搬入される。そして、続くウエハＡ４がＣＯＴ１に搬入されるように前記搬送スケジュールが設定される。なお、ウエハＡ４以降のウエハＡ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８・・・はＣＯＴ２、ＣＯＴ３、ＣＯＴ４、ＣＯＴ１・・・の順に搬送される。
（搬送変更例４）
図１１は、搬送変更例３と同様にレジスト塗布モジュールＣＯＴ１がトラブルにより除外中モジュールとなっている状態を示しており、ＣＯＴ１には置き去りウエハＵが滞留している。レジスト塗布モジュールＣＯＴ２にはウエハＡ１３が滞留している。そして、受け渡しモジュールＣＰＬ２１、ＣＰＬ２２、ＣＰＬ２３には、ウエハＡ１６、Ａ１４、Ａ１５が夫々搬入されている。レジスト塗布モジュールＣＯＴ１が使用できないため、これらのウエハＡ１６、Ａ１４、Ａ１５は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４、ＣＯＴ２に順次搬入されるように搬送スケジュールが設定されている。
この図１１に示す状態から、図１２に示すようにレジスト塗布モジュールＣＯＴ１が復帰し、使用可能になったとする。ここで、ウエハＡ１３がＣＯＴ２に搬入されているため、続いてＣＯＴに搬入されるウエハＡ１４、Ａ１５は、ＣＯＴ内での搬送順に従ってＣＯＴ３、ＣＯＴ４に搬入され、続くウエハＡ１６がＣＯＴ１に搬入されるように前記搬送スケジュールが設定される。このように置き去りウエハＵがあっても、モジュールが使用可能になったときにはウエハＷを当該モジュールに搬送する。レジスト塗布モジュールＣＯＴ１の置き去りウエハＵは、受け渡しモジュールＢＦ２へ搬送される。なお、ウエハＡ１６以降のウエハＡ１７、Ａ１８、Ａ１９、Ａ２０・・・はＣＯＴ２、ＣＯＴ３、ＣＯＴ４、ＣＯＴ１・・・の順に搬送される。
（搬送変更例５）
図１３は、加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８がトラブルにより除外中モジュールとなっている状態を示している。そして、加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ３及びＨＰ５〜ＨＰ７には置き去りウエハＵが滞留している。レジスト塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４にはウエハＡ１〜Ａ４が滞留している。この図１３に示す状態から、図１４に示すように加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ８がトラブルから復帰し、ウエハＷの搬入出が可能な状態になったとする。上記のルールに従い、置き去りウエハＵの有無に関わらず、加熱モジュールＨＰ内で設定された順番に従ってウエハが搬入されるように搬送スケジュールが設定される。その結果として、図１４に矢印で示すように、ウエハＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４が、順次加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４へ夫々搬送される。加熱モジュールＨＰ１〜ＨＰ３から搬出された各置き去りウエハＵは、受け渡しモジュールＢＦ２へ搬送される。置き去りウエハＵの搬送経路については後に詳しく述べる。
（搬送変更例６）
次にＤＥＶ層Ｆ１における搬送例について説明する。ＤＥＶ層Ｆ１の現像モジュールＤＥＶについては、特殊搬送が行われない場合、ＤＥＶ１→ＤＥＶ５→ＤＥＶ２→ＤＥＶ６→ＤＥＶ３→ＤＥＶ７→ＤＥＶ４→ＤＥＶ８→ＤＥＶ１→・・・の順でウエハＷが搬送されるように設定されている。現像後に加熱処理を行う加熱モジュールＨＰについては、特殊搬送が行われない場合その番号順に、つまりＨＰ１→ＨＰ２→ＨＰ３→・・・の順でウエハＷが搬送されるように設定されている。図１５はＤＥＶ層Ｆ１の各モジュールを展開して、平面に表した展開図である。この図１５に示す例では、現像モジュールＤＥＶ５にトラブルが発生し、当該ＤＥＶ５が除外中モジュールとなっている。また、現像モジュールＤＥＶ５には置き去りウエハＵが滞留している。図１６は、このときの各ウエハＷの搬送スケジュールを示している。現像モジュールについて見ると、ＤＥＶ５にウエハを搬送できないため、ＤＥＶ１に続いてＤＥＶ２にウエハを搬入し、以降は正常時と同様にＤＥＶ６→ＤＥＶ３→ＤＥＶ７→ＤＥＶ４→ＤＥＶ８と、上段側、下段側の現像ユニット２０に交互にウエハＷを搬送している。このスケジュール表及び後に示すスケジュール表において、モジュールが使用できなくなっているサイクルには多数の点を付して示している。表中では便宜上、ウエハＷの各番号の先頭に０を付して、３桁の数字で示している。
この図１５は、図１６の搬送スケジュールのサイクル数４の状態を示しており、受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３には、ウエハＡ１８、Ａ１９、Ａ１７が夫々搬入されている。そして、これらのウエハが現像モジュールＤＥＶ８、ＤＥＶ１、ＤＥＶ２に夫々搬入されるようにスケジュールが設定されている。
サイクル数４の間に現像モジュールＤＥＶ５がトラブルから復帰し、使用可能な状態になったとする。すると、上記のルールに従って、このように復帰した時点で現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ８へ搬送していないウエハＷを、復帰した当該現像モジュールＤＥＶ５に搬送できるように搬送スケジュールが変更される。ここで、サイクル数４の時点ではＤＥＶ４にウエハＡ１６が搬入されている。そして、ＤＥＶについて設定された順番通りにウエハＷが搬入されるため、図１７に示すように後続のウエハＡ１７は、当該順番に従ってＤＥＶ８に搬入される。続くウエハＡ１８もその順番に従ってＤＥＶ１に搬入される。その後、ウエハＡ１９が順番に従って復帰したＤＥＶ５に搬入され、ＤＥＶ５の置き去りウエハＵはウエハＡ１９の代わりに当該ＤＥＶ５から搬出される。これ以降もＤＥＶには順番通りにウエハが搬入される。このような搬送が行われるようにウエハの搬送スケジュールの変更がなされる。図１８には変更された搬送スケジュールを示している。
図１８の搬送スケジュールについて図１６の搬送スケジュールと対比しながら説明すると、ウエハＡ１９の搬送先が変更されたこと及び使用できる現像モジュールＤＥＶの数が増えたことにより、各ウエハのＤＥＶの滞在サイクル数が１サイクル増えている。また、サイクル数７では、上記の置き去りウエハＵをＴＲＳ１へと搬送した後に、加熱モジュールＨＰ３のウエハＡ３を受け渡しモジュールＴＲＳ２に搬送している。表中のＡＢＯＲＴは置き去りウエハＵを示す。このように置き去りウエハＵを受け渡しモジュールＴＲＳに搬送するため、この搬送以降、ウエハの各加熱モジュールＨＰへの搬入間隔が１サイクル分空いている。また、サイクル数７でウエハを２枚ＴＲＳへ搬送したため、サイクル数１６ではＴＲＳにウエハＷが搬入されない。
（搬送変更例７）
この例では各現像処理ユニット２０に現像モジュールＤＥＶが３基設けられているものとする。下段側の現像処理ユニット２０に現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ３が設けられており、上段側の現像処理ユニット２０に現像モジュールＤＥＶ４〜ＤＥＶ６が設けられている。現像処理ユニット２０は、現像モジュールＤＥＶの数が異なる他は他の各実施形態と同様に構成されている。下段側の現像処理ユニット２０では、例えば現像モジュールＤＥＶ１及びＤＥＶ２によりノズル２１Ａが使用され、現像モジュールＤＥＶ３によりノズル２１Ｂが使用される。また、上段側の現像処理ユニット２０では、例えば現像モジュールＤＥＶ４及びＤＥＶ５によりノズル２１Ｃが使用され、現像モジュールＤＥＶ６によりノズル２１Ｄが使用される。特殊搬送が行われない場合、ＤＥＶ１→ＤＥＶ４→ＤＥＶ３→ＤＥＶ２→ＤＥＶ５→ＤＥＶ６の順で繰り返しウエハＷは搬送されるように設定されている。また、この例ではＤＥＶ層Ｆ１において、現像後の加熱を行う加熱モジュールはＨＰ１〜ＨＰ６の６基が設けられている。
図１９に示す例では、現像モジュールＤＥＶ４が除外中モジュールとなっている。また、当該現像モジュールＤＥＶ４には置き去りウエハＵが滞留している。図２０は、このときの各ウエハＷの搬送スケジュールを示している。現像モジュールについて見ると、ＤＥＶ４にウエハを搬送できないため、ＤＥＶ１に続いてＤＥＶ３にウエハを搬入し、以降は正常時と同様にＤＥＶ２→ＤＥＶ５→ＤＥＶ６の順で繰り返しウエハＷを搬送している。
この図１９は、図２０の搬送スケジュールのサイクル数４の状態を示しており、受け渡しモジュールＣＰＬ４１、ＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３には、ウエハＡ１５、Ａ１３、Ａ１４が夫々搬入されている。そして、これらのウエハが現像モジュールＤＥＶ６、ＤＥＶ１、ＤＥＶ３に夫々搬入されるようにスケジュールが設定されている。
図２１に示すようにサイクル数４の間に現像モジュールＤＥＶ４がトラブルから復帰したとする。ここで、サイクル数４の時点ではＤＥＶ５にウエハＡ１２が搬入されている。そして、ＤＥＶについて設定された順番通りにウエハＷが搬入されるため、後続のウエハＡ１３は、当該順番に従ってＤＥＶ６に搬入される。続くウエハＡ１４もその順番に従ってＤＥＶ１に搬入される。その後、ウエハＡ１５が順番に従って復帰したＤＥＶ４に搬入され、ＤＥＶ４の置き去りウエハＵは、ウエハＡ１５の代わりに当該ＤＥＶ４から搬出される。これ以降もＤＥＶには順番通りにウエハが搬入される。このような搬送が行われるようにウエハの搬送スケジュールが変更される。図２２には変更された搬送スケジュールを示している。図２０の搬送スケジュールと比較すると、搬送変更例６と同様にＤＥＶでのウエハＷの滞在サイクル数などが変化している。
続いて、搬送変更例７のように構成されたＤＥＶ層Ｆ１の他の搬送例について図２３、図２４を参照しながら説明する。図２３、図２４は各現像モジュールＤＥＶでのウエハ処理状況を示したタイムチャートである。図２３（ａ）は、各現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ６にトラブルが発生していない状態の処理状況、図２３（ｂ）は、ウエハＡ１の現像モジュール搬入前にＤＥＶ５でトラブルが発生したときの処理状況を示している。図２３（ａ）に示すように、この例においてもウエハは現像モジュールＤＥＶ１→ＤＥＶ４→ＤＥＶ３→ＤＥＶ２→ＤＥＶ５→ＤＥＶ６の順で搬送されるように設定されている。
また、図２４（ａ）は、ウエハＡ７入れ替え時にＤＥＶ５が復帰し、上記ルールに従ってウエハＷを搬入した場合の処理状況である。また、図２４（ｂ）は、ウエハＡ７入れ替え時にＤＥＶ５が復帰し、上記ルールに従わず、すぐに復帰したＤＥＶ５にウエハＷを搬入した場合の処理状況である。この例ではウエハＷは、当該ウエハＷを処理するノズルが使用できる状態になったときに、モジュールへ搬入されるものとする。表中の入、替、出の文字は、夫々ウエハの搬入、入れ替え、搬出を示している。この入から替あるいは出までのウエハＷの番号が書かれている区間は、当該ウエハＷに対してモジュールで処理が行われている処理区間を示している。図中の表において、黒く塗り潰し、中に白くモジュールの番号を示した箇所は、当該番号を示したモジュールに対して現像ノズル２１が使用される区間を示す。斜線を付した区間は、現像モジュールＤＥＶ５が使用できない区間を示している。図２４（ａ）と図２４（ｂ）のウエハＷの処理状況を比較すると、図２４（ｂ）では、現像ノズル２１が占有されることにより、ウエハの現像モジュールへの搬入待ちが発生し、それによってスループットが図２４（ａ）に示す例に比べて低下していることが分かる。従って復帰したモジュールにすぐにウエハＷを搬入するよりも、上記のルールに従い、モジュールに順番にウエハＷを搬入する方がスループットを高くすることができる。
このように塗布、現像装置１では、現像モジュールＤＥＶ群、加熱モジュールＨＰ群、レジスト塗布モジュール群などのマルチモジュールを構成するモジュールのうち、一つのモジュールが使用不可状態から使用可能である状態に復帰したときに、マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出されたウエハを、マルチモジュールを構成するモジュール群に対するウエハＷの搬入順序に従って搬入するようにしている。それによって、本来の搬送スケジュールから大きく搬送スケジュールが変更されることを防ぎ、ウエハのモジュールへの搬入間隔が広がることを抑えることができる。従って、搬送中のウエハのロットのスループットの低下を防ぐことができる。また、搬送可能なモジュールをすべて使用して搬送を行うので、この点からもスループットの低下を抑えることができる。また、ウエハＷを搬入すると共に置き去りウエハＵを回収するため、後述のウエハの回収処理を行うための時間を削減することができる。
続いて、塗布、現像装置１の起動時にトラブルが発生したことにより、ウエハの回収ができなかったモジュールに対するウエハＷの搬送について説明する。例えばレジスト塗布モジュールＣＯＴや現像モジュールＤＥＶや周縁露光を行う周縁露光モジュールには、モジュール内にウエハを検知するセンサが設けられている。前記センサを備えたモジュールが、前記特殊搬送中にウエハＷを搬入出できるようになった場合、当該モジュール内にウエハが無ければ、搬送に使用される。ただし、モジュール内にウエハがある場合は後述の全ウエハ回収処理を行った後に、当該モジュールを使用する。前記周縁露光モジュールは、例えばＣＯＴ層Ｆ３の棚ユニットＵ１〜Ｕ５に設けられ、レジストが塗布されたウエハＷの周縁部を露光する。
また、例えば加熱モジュールＨＰには前記センサが設けられていない。このようにセンサを備えていないモジュールが、特殊搬送中にウエハＷを搬送可能になった場合であっても、ウエハＷが搬送されるのは全ウエハ回収処理後である。つまり、前記センサを備えていないモジュールにおいては、当該モジュール内のウエハの有無に関わらず、全ウエハ回収処理後に搬送可能になる。
全ウエハ回収処理とは、塗布、現像装置１において、すべてのモジュールにあるウエハＷを、各搬送手段を用いてキャリアに戻すための処理で、ユーザの指示により実行される。除外対象モジュールからウエハＷを搬出可能な場合は、この処理により当該ウエハＷが搬出される。この全ウエハ回収による搬送は、後述の置き去りウエハＵの搬送と同様に、ウエハに対して処理を行うモジュールを経由させずに、ウエハを搬送経路の下流側へと順次搬送し、キャリアＣに戻す。この全ウエハ回収処理を行うと、モジュール内のウエハが搬出不可であることを示すアラームが消える。また、全ウエハ回収処理後に除外中モジュールにウエハを搬送することができなければ、その状況を示すアラームが発生する。
続いて、置き去りウエハＵの搬送について説明する。置き去りウエハは、出口側（搬送経路の下流側）にある受け渡しモジュールに搬送する。これは、置き去りウエハが搬送される層での正常なウエハの追い越しを避けるためである。具体的に、図２５に示すようにＣＯＴ層Ｆ３では、各置き去りウエハＵは受け渡しモジュールＢＦ２へと搬送される。この置き去りウエハＵは、ＢＦ２の下流側では例えばＩＴＣ層Ｆ４、シャトル１６、受け渡しモジュールＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２、ＤＥＶ層Ｆ１を順に通ってキャリアＣに戻される。また、図２６では、現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ８の置き去りウエハＵを受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２へと搬送する例について示している。
置き去りウエハＵは、上記のように露光装置Ｃ５には搬入されない。また処理ブロックＣ２において、例えば加熱モジュール、保護膜形成モジュール、現像モジュールなど、ウエハに処理を行うモジュールを経由せずにキャリアＣに戻される。このように搬送されるため、置き去りウエハＵは、通常の処理を受けるウエハＷに比べて早くキャリアＣに戻される。
また、制御部１００は、ウエハＷに処理を行う各モジュールにレシピを転送し、そのレシピに基づいて、ウエハＷが処理される。しかし、置き去りウエハＵは上記のように搬送されるため、各モジュールに転送されているレシピが、その置き去りウエハＵについて設定されたレシピと異なっていても、この置き去りウエハＵを処理するためのレシピは各モジュールに転送されない。
また、置き去りウエハＵが属するロットは、当該置き去りウエハＵをキャリアＣに格納するまで、処理が終わったことにはならない。従って、例えば置き去りウエハＵを格納するまで、その置き去りウエハＵを払い出したキャリアＣはキャリアブロックＣ１に載置される。
ところで、置き去りウエハＵを受け渡しモジュールに搬送できない場合は、搬送アームＧが置き去りウエハを保持したまま、その受け渡しモジュールに搬送できるまで待機する。図２７、図２８にはそのように搬送アームＧが待機する状態になっている例を示している。図２７ではＣＯＴ層Ｆ３において、受け渡しモジュールＢＦ２にウエハが搬入されており、空いてない。従って搬送アームＧ２は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ１から受け取った置き去りウエハＵを保持したまま、待機する。
図２８ではＤＥＶ層Ｆ１において、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に夫々ウエハＡ１、Ａ２が搬入されている。従って、搬送アームＧ２はレジスト塗布モジュールＣＯＴ１から受け取った置き去りウエハＵを保持したまま、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２が空くまで待機する。
なお、置き去りウエハＵは、上記の例では通常のウエハＷが搬入されるモジュールを経由して回収される。ただし、置き去りウエハＵを回収するために、当該置き去りウエハＵが搬入される専用のモジュールを設けてもよい。例えばＣＯＴ層Ｆ３において、受け渡しモジュールＢＦ２に積層される受け渡しモジュールＢＦ５を設けて当該ＢＦ５に置き去りウエハＵを搬入する一方で、受け渡しモジュールＢＦ２には通常のウエハＷを搬入するようにしてもよい。ＢＦ５の置き去りウエハＵは、通常のウエハＷと同様に受け渡しアームＤ２によりＩＴＣ層Ｆ４へ搬送され、以降は上記の経路で搬送される。
Ｗ ウエハ
ＢＦ 受け渡しモジュール
Ｃ キャリア
Ｃ１ キャリアブロック
Ｃ２ 処理ブロック
Ｃ４ インターフェイスブロック
ＣＯＴ レジスト塗布モジュール
ＣＰＬ 受け渡しモジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｆ１ ＤＥＶ層
Ｆ２ ＢＣＴ層
Ｆ３ ＣＯＴ層
Ｆ４ ＩＴＣ層
Ｇ１ 搬送アーム
Ｇ２ 搬送アーム
Ｇ３ 搬送アーム
Ｇ４ 搬送アーム
ＨＰ 加熱モジュール
１ 塗布、現像装置
１００ 制御部
２０ 現像処理ユニット

Claims (12)

  1. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群の中には、搬送の順番が同じであって、基板に対して同一の処理を行なう３つ以上のモジュールからなるマルチモジュールが含まれ、
    搬送手段により、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われ、
    通常時には、前記マルチモジュールの各モジュールに対してはその前のモジュールから基板が一定の順序で分配され、前記マルチモジュールを構成する複数のモジュールには、基板が搬入される順番が決められていて、順番が最後であるモジュールに基板が搬入された後は、順番が最初であるモジュールに基板が搬入される基板処理装置において、
    基板に順番を割り当て、基板の順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
    前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれている基板をその基板に対応するモジュールに搬送するように前記搬送手段を制御し、これにより搬送サイクルを実行する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記マルチモジュールを構成するモジュールのうち、少なくとも一つのモジュールが使用不可でありかつ他のモジュールが使用可能である状態から、使用不可のモジュールが使用可能の状態に復帰したときに、
    前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を、
    マルチモジュールを構成するモジュール群のうち当該基板の搬出時に最も近いタイミングで基板が搬入されたモジュールに対して、前記基板の搬入順序において次のモジュールに搬入するように前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記モジュール群のうち下流端のモジュールに対して、前記搬送手段とは別の他の搬送手段が基板の受け取りを行うように構成され、
    前記制御部は、 前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を前記使用不可のモジュールに搬入するときに、当該使用不可のモジュール内に基板が存在する場合には、この基板を取り出して、前記他の搬送手段により受け渡しが可能なモジュールに搬送するように搬送手段を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記使用不可のモジュール内に存在する基板の搬送先は、前記下流端のモジュールであることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群に対して基板の搬送を行う搬送機構は、水平な直線搬送路に沿って移動できるように構成され、
    露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群に対して基板の搬送を行う搬送機構は、前記直線搬送路とは別個に設けられた水平な直線搬送路に沿って移動できるように構成されていることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
  7. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群の中には、搬送の順番が同じであって、基板に対して同一の処理を行なう３つ以上のモジュールからなるマルチモジュールが含まれ、
    搬送手段により、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われ、
    通常時には、前記マルチモジュールの各モジュールに対してはその前のモジュールから基板が一定の順序で分配され、前記マルチモジュールを構成する複数のモジュールには、基板が搬入される順番が決められていて、順番が最後であるモジュールに基板が搬入された後は、順番が最初であるモジュールに基板が搬入される基板処理方法において、
    基板に順番を割り当て、基板の順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれている基板をその基板に対応するモジュールに搬送するように前記搬送手段を制御し、これにより搬送サイクルを実行する工程と、
    前記マルチモジュールを構成するモジュールのうち、少なくとも一つのモジュールが使用不可でありかつ他のモジュールが使用可能である状態から、使用不可のモジュールが使用可能の状態に復帰したときに、
    前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を、
    マルチモジュールを構成するモジュール群のうち当該基板の搬出時に最も近いタイミングで基板が搬入されたモジュールに対して、前記基板の搬入順序において次のモジュールに搬入するように前記搬送手段を制御する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
  8. 前記モジュール群のうち下流端のモジュールに対して基板の受け取りを行うための、前記搬送手段とは別の他の搬送手段を用い、
    前記マルチモジュールの一つ前のモジュールから搬出された基板を前記使用不可のモジュールに搬入するときに、当該使用不可のモジュール内に基板が存在する場合には、この基板を取り出して、前記他の搬送手段により受け渡しが可能なモジュールに搬送する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
  9. 前記使用不可のモジュール内に存在する基板の搬送先は、前記下流端のモジュールであることを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
  10. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光前に基板に塗布膜を形成するためのモジュール群であることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  11. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群は、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置に用いられ、露光後に基板に対して行う処理であって、現像を含む処理を行うためのモジュール群であることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  12. 各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められているモジュール群を備え、モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の処理が行われる基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP5928283B2 (ja) * 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6049394B2 (ja) * 2012-10-22 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板の搬送制御方法
JP6224359B2 (ja) * 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
CN103529652B (zh) * 2013-10-23 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置
JP6435388B2 (ja) * 2017-10-04 2018-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7247743B2 (ja) * 2019-05-20 2023-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163087A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Toshiba Microelectronics Corp 基板処理装置及び搬送スケジューリング方法
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2005129868A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 搬送制御方法
JP4496073B2 (ja) * 2004-03-03 2010-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7191033B2 (en) * 2004-03-03 2007-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4577886B2 (ja) 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP5089306B2 (ja) * 2007-09-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP5151383B2 (ja) 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP5107961B2 (ja) * 2009-04-22 2012-12-26 株式会社日立製作所 真空処理装置及び真空処理方法

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