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TW201308475A - 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置及壓印系統 - Google Patents

基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置及壓印系統 Download PDF

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TW201308475A
TW201308475A TW101113001A TW101113001A TW201308475A TW 201308475 A TW201308475 A TW 201308475A TW 101113001 A TW101113001 A TW 101113001A TW 101113001 A TW101113001 A TW 101113001A TW 201308475 A TW201308475 A TW 201308475A
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TW
Taiwan
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wafer
substrate
adhesive
unit
substrate processing
Prior art date
Application number
TW101113001A
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English (en)
Inventor
Koukichi Hiroshiro
Takanori Nishi
Shoichi Terada
Takahiro Kitano
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

〔課題〕在基板之表面上適當地成膜密合劑，並使基板處理之產率提升。〔解決手段〕在對於晶圓表面成膜離模劑之晶圓處理中，首先，於塗布單元處，係對於晶圓之表面照射紫外線，而將該晶圓之表面洗淨(工程A2)。接著，在該塗布單元處，一面對於晶圓表面照射紫外線，一面在該晶圓之表面上塗布密合劑(工程A3)。之後，在清洗單元處，對於晶圓上之密合劑作清洗，而將該密合劑之未反應部分除去(工程A4)。如此這般，在晶圓之表面上，係以特定之膜厚而成膜有密合膜。

Description

基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置及壓印系統
本發明，係有關於在基板上成膜用以使該基板之表面與塗布膜間之密合性提升的密合劑之基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、基板處理裝置以及壓印系統。
例如在半導體裝置之製造工程中，係進行有：例如對於半導體晶圓(以下，稱作「晶圓」)進行光微影處理，並在晶圓上形成特定之光阻圖案。
在形成上述之光阻圖案時，為了謀求半導體裝置之更進一步的高積體化，係要求有該光阻圖案之細微化。一般而言，在光微影處理中之細微化的極限，係為在曝光處理中所使用的光之波長的程度。因此，從先前起，將曝光處理之光短波長化一事便有所進展。但是，在曝光光源之短波長化中，係在技術上以及成本上有所極限，若是僅靠將光更加短波長化的方法，則在例如要形成數奈米尺度之細微的光阻圖案一事上，仍係處於困難的狀況。
因此，近年來，代替在晶圓上進行光微影處理，係提案有：使用所謂的被稱作壓印之方法，來在晶圓上形成細微之光阻圖案。此方法，係使於表面上具有細微之圖案的模版(亦有稱作模或模具的情況)壓著在被形成於晶圓上之光阻膜的表面，之後再將其剝離，而在該光阻膜之表面上直接進行圖案之轉印(專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2009-43998號公報
在上述之壓印方法中，為了將光阻膜從模版之表面而適當地剝離，係成為有必要使晶圓之表面和光阻膜相密合。因此，係有著在晶圓上成膜用以使該晶圓之表面和光阻膜之間的密合性提升之密合膜的情況。
當在晶圓之表面上成膜密合劑時，首先，係在將晶圓之表面洗淨後，在該晶圓之表面上塗布密合劑。接著，為了使晶圓之表面和光阻膜之間的密合性提升，而使密合劑密合於晶圓之表面上。具體而言，係使密合劑與晶圓之表面產生化學反應，並使密合劑中所包含之成分中的相對於光阻膜而具有反應性之成分、例如有機物成分，吸附在晶圓之表面上。之後，將密合劑之未反應部分除去，並在晶圓之表面上成膜特定之膜厚的密合劑。另外，所謂密合劑之未反應部分，係指密合劑之與晶圓之表面產生化學反應並相互密合的部分以外之部分。
然而，當如同上述一般而成膜密合劑的情況時，為了使晶圓上之密合劑密合於晶圓之表面上，係會耗費時間。例如，當將晶圓放置在常溫氛圍中的情況時，為了使密合劑與晶圓相互密合，係需要耗費約24小時。
因此，發明者們，係為了促進密合劑和晶圓之表面間的化學反應，而嘗試了將晶圓上之密合劑加熱並進行燒成。於此情況，係能夠縮短使密合劑密合於晶圓上之時間。例如，當將密合劑加熱至60℃的情況時，為了使密合劑密合於晶圓上所需要的時間，係為約1小時，又，當將密合劑加熱至200℃的情況時，為了使密合劑密合於晶圓上所需要的時間，係為約5分鐘。
但是，於此情況，為了將一旦被作了加熱的晶圓冷卻，係會耗費時間。故而，仍無法到達將晶圓處理之產率提升的程度。又，若是加熱密合劑，則由於該密合劑係會熱膨脹，因此，係無法在晶圓表面上將密合劑以特定之膜厚來成膜。而，當在如此這般而成膜有密合劑的晶圓上形成光阻膜並進行了壓印處理的情況時，要在晶圓上形成數奈米尺度之細微的光阻圖案一事，係為困難。
本發明，係為有鑑於上述之點而進行者，其目的，係在於：在基板之表面上適當地成膜密合劑，並使基板處理之產率提升。
為了達成前述目的，本發明，係為一種在基板上成膜用以使該基板之表面和塗布膜之間的密合性提升之密合劑的基板處理方法，其特徵為，具備有：一面對於前述基板之表面照射紫外線，一面在該基板之表面上塗布密合劑之塗布工程；和之後，對於被塗布在前述基板之表面上的密 合劑作清洗，而將該密合劑之未反應部分除去之清洗工程。另外，所謂密合劑之未反應部分，係指密合劑之與基板之表面產生化學反應並相互密合的部分以外之部分。
根據發明者之調查結果，係得知了：若是一面對於基板之表面照射紫外線，一面在該基板之表面上塗布密合劑，則在基板之表面和密合劑之間的化學反應係被促進，該基板之表面和密合劑之間的密合性係提升。具體而言，若是對於基板表面照射紫外線，則該基板之表面的氫氧基之鍵結係被切斷。而，在此種氫氧基之鍵結一旦被切斷後，便會立即使基板之表面與密合劑分子藉由脫水縮合而結合。進而，經由被照射在基板之表面上的紫外線，相鄰接之密合劑分子彼此會藉由脫水縮合而結合。如此這般，基板之表面和密合劑係強固地結合，基板之表面和密合劑之密合性係提升。故而，若是一面對於基板之表面照射紫外線，一面在該基板之表面上塗布密合劑，則係能夠在基板之表面上使密合劑以短時間而密合，並能夠使基板之表面和塗布膜之間的密合性提升。如此這般，由於係能夠在短時間內而使密合劑密合於基板之表面上，因此，係亦能夠使基板處理全體之產率提升。並且，於此情況，由於係並不需要如同先前技術一般地而加熱密合劑，因此亦不會有密合劑產生熱膨脹的情況。故而，係能夠在基板之表面上，將密合劑以特定之膜厚而適當地成膜。
亦可更進而具備有：在前述塗布工程之前，將前述基板之表面洗淨之洗淨工程。於此情況，在前述洗淨工程 中，係亦可對於前述基板之表面照射紫外線。
前述塗布工程，係亦可在惰性氣體之氛圍中而進行。
在前述塗布工程中，係亦可在對於前述基板之表面照射紫外線的期間中，開始對於該基板之表面的密合劑之供給。
又，在前述塗布工程中，係亦可在與前述基板之表面和與該表面相對向地作配置之支持板之間而供給有密合劑的狀態下，開始對於前述基板之表面的前述紫外線之照射。於此情況，前述支持板，係亦可使前述紫外線透過。
若依據由其他觀點所致之本發明，則係提供一種程式，其特徵為：係為了經由基板處理裝置來實行前述基板處理方法，而在對於該基板處理裝置進行控制之控制部的電腦上動作。
又，若依據其他觀點之本發明，則係提供一種可讀取之電腦記憶媒體，其特徵為：係儲存有前述程式。
又，由其他觀點所致之本發明，係為一種在基板上成膜用以使該基板之表面和塗布膜之間的密合性提升之密合劑的基板處理裝置，其特徵為，具備有：塗布單元，係具備對於前述基板之表面照射紫外線之紫外線照射部、和對於前述基板之表面供給密合劑之密合劑供給部；和清洗單元，係對於被塗布在前述基板之表面上的密合劑作清洗，而將該密合劑之未反應部分除去；和控制部，係在前述塗布單元處，以實行一面對於前述基板之表面而照射前述紫外線一面在該基板之表面上塗布密合劑之塗布工程的方 式，來對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。另外，所謂密合劑之未反應部分，係指密合劑之與基板之表面產生化學反應並相互密合的部分以外之部分。
前述控制部，係亦可在實行前述塗布工程之前，以在前述塗布單元處而對於前述基板之表面照射紫外線的方式，來控制前述紫外線照射部。
亦可設為下述之構成：前述塗布單元，係更進而具備有：收容前述基板之處理容器；和對於前述處理容器內供給惰性氣體之氣體供給部，前述控制部，係以使前述塗布工程在惰性氣體之氛圍下來進行的方式，而對於前述氣體供給部作控制。
前述控制部，在前述塗布工程中，係亦能夠以在對於前述基板之表面照射紫外線的期間中而開始對於該基板之表面的密合劑之供給的方式，來對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。
亦可設為下述之構成：前述塗布單元，係具備有被與前述基板之表面作對向配置的支持板，前述控制部，係以在前述塗布工程中，在對於前述基板之表面和前述支持板之間而供給有密合劑的狀態下來開始對於前述基板之表面的前述紫外線之照射的方式，而對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。於此情況，前述支持板，係亦可使前述紫外線透過。
由又一其他觀點所致之本發明，係為一種具備有前述基板處理裝置的壓印系統，其特徵為，係具備有：壓印單 元，其係使用在表面上被形成有轉印圖案之模版，來將前述轉印圖案，轉印至在藉由前述基板處理裝置而成膜有密合劑之基板上所形成的前述塗布膜處，而在該塗布膜上形成特定之圖案。
若依據本發明，則係能夠在基板之表面上適當地成膜密合劑，並使基板處理之產率提升。
以下，針對本發明之實施型態作說明。圖1，係為對於作為本實施形態之晶圓處理裝置的晶圓處理裝置1之構成之概略作展示的平面圖。圖2以及圖3，係為對於晶圓處理裝置1的構成之概略作展示的側面圖。另外，在本實施形態中，係將在作為基板之晶圓W處而被進行有特定之處理的被處理面，稱作晶圓W之表面W1，並將與該表面W1相反側之面，稱作背面W2。
晶圓處理裝置1，係如圖1中所示一般，具備有將晶圓搬入搬出站2和晶圓處理站3作了一體性連接之構成，該晶圓搬入搬出站2，係將複數(例如25枚)之晶圓W，以卡匣單位而在外部和晶圓處理裝置1之間進行搬入搬出，或者是對於晶圓匣CW而將晶圓W作搬入搬出，該晶圓處理站3，係具備有對晶圓W施加特定之處理的複數之處理單元。
在晶圓搬入搬出站2處，係被設置有卡匣載置台10。卡匣載置台10，係成為將複數之晶圓匣CW在X方向(圖1中之上下方向)上自由地載置為一列。亦即是，晶圓搬入搬出站2，係構成為能夠保有複數之晶圓W。
在晶圓搬入搬出站2處，係被設置有能夠在朝向X方向延伸之搬送路徑11上而移動之晶圓搬送體12。晶圓搬送體12，係能夠在水平方向上自由伸縮，並且亦能夠在鉛直方向以及鉛直周圍(θ方向)上自由移動，而能夠在晶圓匣CW和晶圓處理站3之間搬送晶圓W。
在晶圓處理站3處，係於其之中心部處被設置有搬送單元20。在此搬送單元20之周邊，係被配置有將各種處理單元作了多段配置之例如4個的處理區塊G1~G4。在晶圓處理站3之正面側(圖1之X方向負方向側)處，係從晶圓搬入搬出站2側起，而依序配置有第1處理區塊G1、第2處理區塊G2。在晶圓處理站3之背面側(圖1之X方向正方向側)處，係從晶圓搬入搬出站2側起，而依序配置有第3處理區塊G3、第4處理區塊G4。在晶圓處理站3之晶圓搬入搬出站2側處，係被配置有用以進行晶圓W之授受的轉移單元21。
搬送單元20，係具備有保持晶圓W並作搬送且能夠在水平方向、鉛直方向以及鉛直周圍自由移動之搬送臂。而，搬送單元20，係能夠對於被配置在處理區塊G1~G4內之後述的各種處理單元、以及轉移單元21，而搬送晶圓W。
在第1處理單元G1處，如圖2中所示一般，複數之液處理單元，例如一面對於晶圓W之表面W1照射紫外線一面對於該晶圓W之表面W1塗布密合劑之塗布單元30、31，係從下方起而依序被重疊成2段。第2處理區塊G2，亦同樣的，係將塗布單元32、33從下方起而依序重疊成2段。又，在第1處理區塊G2以及第2處理區塊G2之最下段處，係分別被設置有用以對於前述液處理單元供給各種處理液之化學室34、35。
在第3處理單元G3處，如圖3中所示一般，複數之液處理單元，例如對於晶圓W上之密合劑作清洗之清洗單元40、41，係從下方起而依序被重疊成2段。第4處理區塊G4，亦同樣的，係將清洗單元42、43從下方起而依序重疊成2段。又，在第3處理區塊G3以及第4處理區塊G4之最下段處，係分別被設置有用以對於前述液處理單元供給各種處理液之化學室44、45。
接著，針對上述之塗布單元30~33的構成作說明。塗布單元30，係如圖4中所示一般，具備著於側面處被形成有晶圓W之搬入搬出口(未圖示)的處理容器100。
在處理容器100之頂面處，係被形成有用以朝向處理容器100之內部而供給惰性氣體(例如氮氣)之氣體供給口101。在氣體供給口分歧管101處，係經由氣體供給管102而被與供給氮氣之氣體供給源103作連接。另外，係亦可對於處理容器100之內部，供給氮氣和水蒸氣之混合氣體。又，在本實施形態中，係藉由此些之氣體供給口 101、氣體供給管102、氣體供給源103，而構成氣體供給部。
在處理容器100之底面處，係被形成有用以將處理容器100之內部的氛圍作排氣之排氣口104。在排氣口104處，係經由排氣管105而被連接有將處理容器100之內部的氛圍作真空抽氣之排氣幫浦106。
在處理容器100內之中央部處，係被設置有將晶圓W之背面W2作保持並使其旋轉之旋轉吸盤110。旋轉吸盤110，係具備有水平之上面，在該上面處，例如係被設置有吸引晶圓W之吸引口(未圖示)。藉由從此吸引口所進行之吸引，係能夠將晶圓W吸附保持在旋轉吸盤110上。
在旋轉吸盤110處，係經由軸111而被設置有旋轉驅動部112。藉由此旋轉驅動部112，旋轉吸盤110係能夠在鉛直周圍而以特定之速度來旋轉，並且能夠作升降。
在旋轉吸盤110之周圍，係被設置有將從晶圓W所飛散或落下之密合劑作承接並回收的杯113。在杯113之下面，係被連接有將回收後的液體排出之排出管114、和將杯113內之氛圍作排氣的排氣管115。
如圖5中所示一般，在杯113之X方向負方向(圖5之下方向)側處，係被形成有沿著Y方向(圖5之左右方向)而延伸的軌道120。軌道120，例如係從杯113之Y方向負方向(圖5之左方向)側的外方起而一直形成至Y方向正方向(圖5之右方向)側的外方處為止。在軌道 120處，係被安裝有臂121。
在臂121處，係被支持有作為對於晶圓W上供給密合劑之密合劑供給部的密合劑噴嘴122。臂121，係藉由噴嘴驅動部123，而在軌道120上自由移動。藉由此，密合劑噴嘴122，係能夠從被設置在杯120之Y方向正方向側的外方處之待機部124起而一直移動至杯120內之晶圓W的中心部上方處為止。又，臂121，係能夠經由噴嘴驅動部123而自由升降，而可對於密合劑噴嘴122之高度作調整。另外，在密合劑之材料中，係使用使晶圓W之表面W1和後述之光阻膜間的密合性提升之材料，例如使用有機物化合物等。更具體而言，密合劑係為矽烷耦合劑，密合劑分子係具備有2個的官能基。亦即是，其中一個官能基，係為OR基(R係為例如烴基)。又，另外的官能基，係身為容易與光阻膜起反應之官能基，並具備有機物成分。
在處理容器100內之頂面且為旋轉吸盤110之上方處，係被設置有對於晶圓W之表面W1照射例如172nm之波長的紫外線之紫外線照射部130。紫外線照射部130，例如係與被保持在旋轉吸盤110上之晶圓W的表面W1相對向，並以覆蓋該表面W1全面的方式而被作配置。
另外，例如在旋轉吸盤110之下方處，係亦可設置噴射洗淨液(例如有機溶劑)之洗淨液噴嘴。經由從此洗淨液噴嘴來對於晶圓W之背面W2噴射洗淨液，係能夠將該背面W2洗淨。
另外，塗布單元31~33之構成，由於係與上述之塗布單元30的構成相同，因此係省略其說明。
接著，針對上述之清洗單元40~43的構成作說明。清洗單元40，係如圖6中所示一般，具備著於側面處被形成有晶圓W之搬入搬出口(未圖示)的處理容器140。
在處理容器140內之底面處，係被設置有將晶圓W作浸漬之浸漬槽141。在浸漬槽141內，係儲存有用以將晶圓W上之密合劑作清洗的清洗液(例如有機溶劑)。
在處理容器140內之頂面且為浸漬槽141之上方處，係被設置有將晶圓W作保持之保持部142。保持部142，係具備有將晶圓W之背面W2的外周部作吸附保持之吸盤143。晶圓W，係以使其之表面W1朝向上方的方式而被保持在吸盤143處。吸盤143，係能夠藉由升降機構144而升降。而，晶圓W，係在被保持於保持部142處的狀態下，而被浸漬在儲存於浸漬槽141處之有機溶劑中，該晶圓W上之密合劑係被作清洗。
保持部142，係具備有被設置在保持於吸盤143處之晶圓W的上方處之氣體供給部145。氣體供給部145，例如係能夠將氮等之惰性氣體或乾燥空氣等之氣體朝向下方(亦即是被保持在吸盤143處之晶圓W的表面W1)作吹拂。藉由此，係能夠使藉由浸漬槽141而作了清洗的晶圓W之表面W1乾燥。另外，在清洗單元31處，係被連接有將內部之氛圍作排氣的排氣管(未圖示)。
另外，清洗單元41~43之構成，由於係與上述之清 洗單元40的構成相同，因此係省略其說明。
在以上之晶圓處理裝置1處，係如圖1中所示一般，被設置有控制部150。控制部150，例如係為電腦，並具備有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中，係被儲存有：對於在晶圓搬入搬出站2和晶圓處理站3之間的晶圓W之搬送或者是在晶圓處理站3處之驅動系的動作等作控制，並實行在晶圓處理裝置1處之後述的晶圓處理之程式。另外，此程式，例如係亦可為被儲存在電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶媒體中，且從該記憶媒體而被安裝至控制部150中者。
本實施形態之晶圓處理裝置1，係如同上述一般地而構成。接著，針對在該晶圓處理裝置1處所進行之晶圓處理作說明。圖7，係對於此晶圓處理之主要的處理流程作展示，圖8，係對於在各工程中之晶圓W的狀態作展示。
首先，經由晶圓搬送體12，來將晶圓W從卡匣載置台10上之晶圓匣CW中取出，並搬送至晶圓處理站3之轉移單元21處(圖7之工程A1)。此時，在晶圓匣CW內，晶圓W，係以使其之表面W1朝向上方的方式而被收容，晶圓W並以此狀態而被搬送至轉移單元21處。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至塗布單元30處，並被遞交至旋轉吸盤110處。接著，係從氣體供給口101而將氮氣供給至處理容器100內。此時，處理容器100之內部的氛圍係從排氣口104而被排氣，處理容 器100之內部係被置換為氮氣氛圍。之後，如圖8(a)中所示一般，從紫外線照射部130而對於晶圓W之表面W1全面照射紫外線。之後，晶圓W之表面W1的有機物係被除去，該晶圓W之表面W1係被洗淨(圖7之工程A2)。另外，在此工程A2中之晶圓W的表面W1之洗淨，係亦可一面使該晶圓W旋轉而一面進行。
之後，使密合劑噴嘴122一直移動至晶圓W之中心部上方處，並且使晶圓W旋轉。而後，如圖8(b)中所示一般，接著，一面從紫外線照射部130來對於晶圓W之表面W1照射紫外線，一面從密合劑噴嘴122來對於旋轉中之晶圓W上供給密合劑B。亦即是，係在紫外線之照射中，而開始對於晶圓W之表面W1的密合劑B之供給。 被作了供給的密合劑B，係藉由離心力而在晶圓W上擴散，並被塗布於該晶圓W之表面W1全面上(圖7之工程A3)。另外，在此工程A3中，處理容器100之內部，係被維持於氮氣氛圍。又，在密合劑B之塗布後，係停止從紫外線照射部130而來之紫外線的照射以及從密合劑噴嘴122而來之密合劑B的供給，之後，接續地使晶圓W旋轉，並將該晶圓W之表面W1作甩開乾燥。
在此工程A3中，經由照射紫外線，如圖9中所示一般，晶圓W之表面W1上的氫氧基(OH基)之鍵結係被切斷。而後，如此這般，在氫氧基之鍵結一被作了切斷後，如圖10中所示一般，晶圓W之表面W1與密合劑分子係會立即藉由脫水縮合而結合。進而，經由被照射在晶 圓W之表面W1上的紫外線，相鄰接之密合劑分子彼此會藉由脫水縮合而結合。另外，雖並未圖示，但是，密合劑分子係被加水分解並脫水縮合。如此這般，如圖11中所示一般，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應係被促進，該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性係提升。另外，於圖10中，其中一個官能基處之OR基的R，係為烴基，例如為CH3。又，在圖10以及圖11中，另外的官能基BG(圖中之斜線部分)，係身為容易與光阻膜起反應之官能基，並具備有機物成分。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至清洗單元40處，並被保持在保持部142處。接著，使保持部142下降，並將晶圓W浸漬在被儲存於浸漬槽141處之有機溶劑中。若是經過特定時間，則僅有密合劑B之未反應部分(亦即是密合劑B與晶圓W之表面W1產生化學反應並與該表面W1相密合之部分以外的部分)會剝離。此時，在上述之工程A3中，由於密合劑B係密合於晶圓W之表面W1上，因此，從晶圓W之表面W1起而離開了特定之距離的範圍內之密合劑B係並不會剝離。如此這般，如同圖8(c)中所示一般，在晶圓W上，密合膜BF係以特定之膜厚而成膜(圖7之工程A4)。之後，使保持部142上升，並從氣體供給部145而將氣體對於晶圓W作吹拂，以使其之表面W1乾燥。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至轉移單元21處，並經由晶圓搬送體12而被送回至晶圓匣CW中 (圖7之工程A5)。如此這般，而結束在晶圓處理裝置1處之一連串的晶圓處理。
若依據以上之實施形態，則在工程A3中，由於係一面對於晶圓W之表面W1照射紫外線，一面將密合劑B塗布在該晶圓W之表面W1上，因此，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應係被促進，該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性係提升。亦即是，係能夠以短時間而使密合劑密合於晶圓W之表面W1上。藉由此，係能夠使工程A1~工程A5之晶圓處理的產率提升。
進而，在工程A3中，由於係能夠經由紫外線來使密合劑B密合於晶圓W之表面W1上，因此，係並不需要如同先前技術一般地加熱密合劑B，且亦不會有密合劑B產生熱膨脹的情況。故而，係能夠在晶圓W之表面W1上，將密合劑B以特定之膜厚而適當地成膜。
又，在工程A3中，由於對於晶圓W之表面W1的紫外線之照射係在氮氣氛圍中而進行，因此，係能夠防止在處理容器100內而產生臭氧的情形。
又，在工程A3中，由於紫外線照射部130係能夠藉由一次之照射而對於晶圓W之表面W1全面的密合劑B照射紫外線，因此，係能夠迅速地進行晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合。
又，由於在工程A2中係將晶圓W的表面W1洗淨，因此，係能夠適當地進行後續之工程A3。又，由於在工程A2中，係將紫外線對於晶圓W之表面W1作照射，因 此，相較於例如使用液體狀之有機溶劑來將晶圓W之表面W1洗淨的情況，係能夠更適當地除去有機物並將晶圓W之表面W1更適當地洗淨。
於此，在日本特開2011-56747中，係記載有：將與密合劑相同之身為矽烷耦合劑的離模劑塗布在模版上，之後，對於該被塗布之離模劑照射光，而使模版之表面和離模劑之間的密合性提升。相對於此，在本實施形態中，由於係一面照射紫外線一面在晶圓W上塗布密合劑，因此，在經由紫外線而使晶圓W上之氫氧基的鍵結被切斷之後，密合劑分子係立即藉由脫水縮合而被結合。在日本特開2011-56747所揭示之方法中，雖然能夠將模版之表面和離模劑之間的化學反應作某種程度的促進，但是，係仍無法如同本實施形態一般之在將密合劑B供給至晶圓W上之後而立即使該晶圓W之表面W1與密合劑B作結合。故而，若依據本實施形態，則相較於日本特開2011-56747中所揭示之方法，係能夠更進一步促進晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應，而能夠將該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性更進一步作提升。
在以上之實施形態中，雖係於工程A3中，而於紫外線之照射期間中來開始對於晶圓W之表面W1的密合劑B之供給，但是，亦可在對於晶圓W之表面W1供給了密合劑B之狀態下，來開始對於晶圓W之表面W1的紫外線之照射。
於此情況，為了進行工程A3，例如係使用圖12中所 示之塗布單元30。塗布單元30，係具備著於側面處被形成有晶圓W之搬入搬出口(未圖示)的處理容器200。
在處理容器200之頂面處，係被形成有用以朝向處理容器200之內部而供給惰性氣體(例如氮氣)之氣體供給口201。在氣體供給口分歧管201處，係經由氣體供給管202而被與供給氮氣之氣體供給源203作連接。另外，係亦可對於處理容器200之內部，供給氮氣和水蒸氣之混合氣體。又，在本實施形態中，係藉由此些之氣體供給口201、氣體供給管202、氣體供給源203，而構成氣體供給部。
在處理容器200之底面處，係被形成有用以將處理容器200之內部的氛圍作排氣之排氣口204。在排氣口204處，係經由排氣管205而被連接有將處理容器200之內部的氛圍作真空抽氣之排氣幫浦206。
在處理容器200內之底面處，係被設置有將晶圓W作載置之載置台210。晶圓W，係以使其之表面W1朝向上方的方式而被載置在載置台210之上面。在載置台210內，係被設置有用以將晶圓W從下方來作支持並使其升降的升降銷211。升降銷211，係能夠藉由升降驅動部212而作上下移動。在載置台210之上面，係被形成有於厚度方向而貫通該上面之貫通孔213，升降銷211，係成為插通於貫通孔213中。
在處理容器200內之頂面且為載置台210之上方處，係被設置有對於晶圓W之表面W1照射例如172nm之波長 的紫外線之紫外線照射部220。紫外線照射部220，例如係與被載置在載置台210上之晶圓W的表面W1相對向，並以覆蓋該表面W1全面的方式而被作配置。
在載置台210與紫外線照射部220之間，係被配置有支持板221。支持板221，例如係隔著特定之空隙而與被載置在載置台210上之晶圓W的表面W1相對向，並以覆蓋該表面W1全面的方式而被作配置。另外，支持板221係成為能夠經由移動機構(未圖示)而在處理容器200內移動。又，支持板221，係使用能夠透過紫外線之透明材料，在本實施形態中，例如係使用石英玻璃。
在處理容器200之內部，係被配置有對於被載置在載置台210上之晶圓W的表面W1和支持板221之間供給密合劑B的作為密合劑供給部之密合劑噴嘴230。密合劑噴嘴230，例如係以使其之下端部的供給口230a朝向斜下方的方式而被作配置。密合劑噴嘴230，係被支持於臂231處，在臂231處，係被安裝有移動機構(未圖示)，密合劑噴嘴230，係成為能夠在處理容器200內移動。
另外，塗布單元31~33之構成，由於係與上述之塗布單元30的構成相同，因此係省略其說明。又，晶圓處理裝置1之其他構成，由於係與上述實施形態之晶圓處理裝置1的構成相同，因此係省略其說明。
接著，針對藉由本實施形態之晶圓處理裝置1所進行的晶圓處理作說明。圖13，係為對於在晶圓處理之各工程中的晶圓W之狀態作展示。另外，在本實施形態中之晶 圓處理的處理流程，係與圖7中所示之處理流程相同。
首先，經由晶圓搬送體12，來將晶圓W從卡匣載置台10上之晶圓匣CW中取出，並搬送至轉移單元21處(圖7之工程A1)。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至塗布單元30處。被搬入至塗布單元30處之晶圓W，係被遞交至升降銷211處，並被載置在載置台210上。接著，係從氣體供給口201而將氮氣供給至處理容器200內。此時，處理容器200之內部的氛圍係從排氣口204而被排氣，處理容器200之內部係被置換為氮氣氛圍。之後，如圖13(a)中所示一般，從紫外線照射部220而對於晶圓W之表面W1全面照射紫外線。之後，晶圓W之表面W1的有機物係被除去，該晶圓W之表面W1係被洗淨(圖7之工程A2)。
之後，暫時停止從紫外線照射部220而來之紫外線的照射，並如圖13(b)中所示一般，以使晶圓W之表面W1和支持板221隔著特定之空隙而相對向的方式，來配置支持板221。而後，從密合劑噴嘴230來對於晶圓W之表面W1和支持板221之間供給密合劑B。被作了供給的密合劑B，係經由毛細管現象(表面張力)而在晶圓W之表面W1和支持板221之間擴散。接著，如圖13(c)中所示一般，在對於晶圓W之表面W1和支持板221之間供給了密合劑B的狀態下，從紫外線照射部220而對於下方照射紫外線。紫外線，係通過支持板221而被照射至晶圓 W之表面W1全面上。如此這般，一面對於晶圓W之表面W1照射紫外線，一面在晶圓W上塗布密合劑B(圖7之工程A3)。在此工程A3中，處理容器200之內部，係被維持於氮氣氛圍。而，藉由此工程A3，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應係被促進，該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性係提升。在密合劑B之塗布後，係停止從紫外線照射部220而來之紫外線的照射以及從密合劑噴嘴230而來之密合劑B的供給，之後，例如將氮等之惰性氣體或乾燥氣體等之氣體，吹拂至晶圓W之表面W1上，而使該表面W1乾燥。另外，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應，由於係與上述實施形態之工程A3中的化學反應相同，因此係省略其說明。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至清洗單元40處並被進行清洗，而如圖13(d)中所示一般，在晶圓W上，密合膜BF係以特定之膜厚而被成膜(圖7之工程A4)。另外，此工程A4，由於係與上述實施形態之工程A4相同，故係省略其說明。
之後，經由搬送單元20，晶圓W係被搬送至轉移單元21處，並經由晶圓搬送體12而被送回至晶圓匣CW中(圖7之工程A5)。如此這般，而結束在晶圓處理裝置1處之一連串的晶圓處理。
在本實施形態中，係亦可享受到與上述實施形態之效果相同的效果。例如，在工程A3中，由於係一面對於晶圓W之表面W1照射紫外線，一面將密合劑B塗布在該晶 圓W之表面W1上，因此，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應係被促進，該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性係提升。故而，係能夠使密合劑B以短時間而密合在晶圓W之表面W1上，而能夠使工程A1~工程A5之晶圓處理的產率提升。
又，在本實施形態中，於工程A3中，由於係在對於晶圓W之表面W1和支持板221之間供給了密合劑B的狀態下，來對於晶圓W之表面W1照射紫外線，因此，係不會有密合劑B在擴散中而被照射紫外線的情形。亦即是，係能夠將對於晶圓W之表面W1的紫外線之照射設為短時間。經由此，係能夠對於晶圓W之密合劑B被紫外線所破壞的情況作抑制。
另外，在本實施形態之工程A3中，雖係設為利用毛細管現象來對於晶圓W的表面W1和支持板221之間供給密合劑B，但是，密合劑B之供給方法，係並不被限定於此。例如，亦可將密合劑B壓入至晶圓W之表面W1和支持板221之間。
又，在本實施形態之工程A3中，雖係在對於晶圓W的表面W1和支持板221之間供給密合劑B時，將從紫外線照射部220而來之紫外線的照射暫時停止，但是，亦可持續進行該紫外線之照射。亦即是，在工程A2和工程A3中，係亦可持續進行從紫外線照射部220而來之紫外線的照射。
在以上之實施形態中，於工程A3中，雖係從支持板 221側起來對於晶圓W之表面W1照射紫外線，但是，亦可如圖14中所示一般，從晶圓W之背面W2側來對於表面W1照射紫外線。為了如此這般而照射紫外線，在塗布單元20處，係亦可將晶圓W和支持板221之上下配置設為相反，亦即是，亦可將晶圓W配置在支持板221之上方。或者是，亦可將被配置在處理容器200之頂板面處的紫外線照射部220，配置在晶圓W之下方處。
於此情況，如圖14中所示一般，從晶圓W之背面W2側所照射的紫外線，係通過晶圓W並被照射至該晶圓W之表面W1處。如此這般，一面對於晶圓W之表面W1照射紫外線，一面在晶圓W上塗布密合劑B。如此一來，晶圓W之表面W1和密合劑B之間的化學反應係被促進，該晶圓W之表面W1和密合劑B之間的密合性係提升。
若依據本實施形態，則由於係從晶圓W之背面W2側來對於表面W1照射紫外線，因此，紫外線係並不會被密合劑B所妨礙地而到達晶圓W之表面W1和密合劑B的界面處。因此，紫外線係並不會有被密合劑B所衰減的情況，而照射至晶圓W之表面W1上。又，密合劑B亦係變得難以被紫外線所分解。進而，由於係在對於晶圓W之表面W1和支持板221之間供給了密合劑B的狀態下，來對於晶圓W之表面W1照射紫外線，因此，係不會有密合劑B在擴散中而被照射紫外線的情形。亦即是，係能夠將對於晶圓W之表面W1的紫外線之照射設為短時間。經由此，係能夠對於晶圓W之密合劑B被紫外線所分解的情 況作抑制，如同上述一般，若依據本實施形態，則係能夠使晶圓W之表面W1和密合劑B更有效率地作密合。
在以上之實施形態中，於工程A2中之晶圓W的表面W1之洗淨，係藉由進行工程A3之塗布單元30來進行，但是，係亦可藉由其他的洗淨單元來進行。此洗淨單元，例如係被配置在晶圓處理裝置1之處理區塊G1~G4的其中一者處。
於此情況，如同圖15以及圖16中所示一般，洗淨單元240，係具備著於側面處被形成有晶圓W之搬入搬出口(未圖示)的處理容器250。
在處理容器250內，係被設置有將晶圓W作吸附保持之吸盤251。吸盤251，係以使晶圓W之表面W1朝向上方的方式，而將其之背面W2作吸附保持。在吸盤251之下方處，係被設置有吸盤驅動部252。此吸盤驅動部252，係被安裝於設置在處理容器250內之底面處並沿著Y方向而延伸之軌道253上。藉由此吸盤驅動部252，吸盤251係能夠沿著軌道253而移動。
在處理容器250內之頂面且為軌道253之上方處，係被設置有對於被保持在吸盤251處之晶圓W照射紫外線的紫外線照射部254。紫外線照射部254，係如圖16中所示一般而朝向X方向延伸。
之後，被搬送至洗淨單元240處之晶圓W，係被吸附保持在吸盤251上。接著，係一面經由吸盤驅動部252來使晶圓W沿著軌道253移動，一面從紫外線照射部254 來對於該晶圓W照射紫外線。，如此這般，紫外線係被照射至晶圓W之表面W1的全面，晶圓W之表面W1係被洗淨。
在以上之實施形態中，於塗布單元30處，係藉由對於旋轉中之晶圓W上供給密合劑B，而將密合劑B塗布在晶圓W之表面W1上，但是，亦可例如使用於晶圓W之寬幅方向上延伸並於下面被形成有細縫狀之供給口的密合劑噴嘴，來將密合劑B塗布在晶圓W上。於此情況，係一面使密合劑噴嘴朝向晶圓W之邊方向移動，一面從供給口來供給密合劑B，而將密合劑B塗布在晶圓W之表面W1全面上。
在以上之實施形態的清洗單元40處，雖係藉由將晶圓W浸漬在被儲存於浸漬槽151處之有機溶劑中，來將密合劑B作清洗，但是，係亦可使用具備有與圖4以及圖5中所示之塗布單元30相同之構成的清洗單元。於此情況，代替塗布單元30之密合劑噴嘴122，係使用對於晶圓W上而供給作為密合劑B之清洗液的有機溶劑之清洗液噴嘴。
而，在此清洗單元中，係對於旋轉中之晶圓W上供給有機溶劑，並對於晶圓W之表面W1全面進行清洗。若是經過特定時間，則僅有密合劑B之未反應部分會剝離，在晶圓W上係被成膜有密合膜BF。之後，在停止了有機溶劑之供給後，進而使晶圓W繼續旋轉，而將其之表面W作甩開乾燥。如此這般，晶圓W上之密合劑B係被清 洗。
在以上之實施形態中，於晶圓處理站3處，雖係經由搬送單元20來搬送晶圓W，但是，係亦可使用所謂的平流形式來將晶圓W作滾輪搬送。於此情況，在晶圓處理站3處，係依序被配置有塗布單元和清洗單元。而，被從晶圓搬入搬出站2所搬出之晶圓W，係經由使用有搬送滾輪之搬送，來依序被搬送至此些之處理單元處。在各處理單元處，係對於搬送中之晶圓W而進行有特定之處理。如此這般，若是在晶圓W上被形成密合膜BF，則晶圓W係被送回至晶圓搬入搬出站2處，並結束一連串之晶圓處理。於此情況，在各處理單元處，由於係在晶圓W之搬送中而進行有特定之處理，因此係能夠將晶圓處理之產率作更進一步的提升。。
以上之實施形態的晶圓處理裝置1，係亦可如圖17~19中所示一般，被配置在壓印系統300中。又，在本實施形態之壓印系統300中，係亦配置有在模版T上成膜離模劑之模版處理裝置310。
在本實施形態之壓印系統300(模版處理裝置310)處，係使用有如同圖20中所示一般之具備直方體形狀並在表面上被形成有特定之轉印圖案C的模版T。以下，將被形成有轉印圖案C之模版T的面，稱作表面T1，並將與該表面T1相反側之面，稱作背面T2。另外，在模版T處，係使用能夠使可視光、近紫外光、紫外線等之光透過的透明材料，例如係使用石英玻璃。
壓印系統300，係如同圖17中所示一般，除了上述之晶圓處理裝置1和模版處理裝置310之外，亦具備有使用藉由模版處理裝置310而作了處理的模版T來在藉由晶圓處理裝置1而作了處理的晶圓W上形成光阻圖案之壓印單元320。在晶圓處理裝置1和壓印單元320之間，係被配置有用以進行晶圓W之授受的介面站321。又，在模版處理裝置310和壓印單元320之間，係被配置有用以進行模版T之授受的介面站322。亦即是，晶圓處理裝置1、介面站321、壓印單元320、介面站322、模版處理裝置310，係依此順序而在Y方向(圖17之左右方向)上被作並排配置，並且被作一體性連接。
模版處理裝置310，係具備有將模版搬入搬出站330和模版處理站331作了一體性連接之構成，該模版搬入搬出站330，係將複數(例如5枚)之模版T，以卡匣單位而在外部和模版處理裝置310之間進行搬入搬出，或者是對於模版匣CT而將模版T作搬入搬出，該模版處理站331，係具備有對模版T施加特定之處理的複數之處理單元。
在模版搬入搬出站330處，係被設置有卡匣載置台340。卡匣載置台340，係成為將複數之模版匣CT在X方向(圖17中之上下方向)上自由地載置為一列。亦即是，模版搬入搬出站330，係構成為能夠保有複數之模版T。
在模版搬入搬出站330處，係被設置有能夠在朝向X 方向延伸之搬送路徑341上而移動之模版搬送體342。模版搬送體342，係能夠在水平方向上自由伸縮，並且亦能夠在鉛直方向以及鉛直周圍(θ方向)上自由移動，而能夠在模版匣CT和模版處理站331之間搬送模版T。
在模版處理站331處，係於其之中心部處被設置有搬送單元350。在此搬送單元350之周邊，係被配置有將各種處理單元作了多段配置之例如4個的處理區塊F1~F4。在模版處理站331之正面側(圖17之X方向負方向側)處，係從模版搬入搬出站330側起，而依序配置有第1處理區塊F1、第2處理區塊F2。在模版處理站331之背面側(圖17之X方向正方向側)處，係從模版搬入搬出站330側起，而依序配置有第3處理區塊F3、第4處理區塊F4。在模版處理站331之模版搬入搬出站330側處，係被配置有用以進行模版T之授受的轉移單元351。又，在模版處理站331之介面站322側處，亦係被配置有用以進行模版T之授受的轉移單元352。
搬送單元350，係具備有保持模版T並作搬送且能夠在水平方向、鉛直方向以及鉛直周圍自由移動之搬送臂。而，搬送單元350，係能夠對於被配置在處理區塊F1~F4內之後述的各種處理單元、以及轉移單元351、352，而搬送模版T。
在第1處理單元F1處，如圖18中所示一般，複數之液處理單元，例如一面對於模版T之表面T1照射紫外線一面對於該模版T之表面T1塗布離模劑之塗布單元360、 361，係從下方起而依序被重疊成2段。第2處理區塊F2，亦同樣的，係將塗布單元362、363從下方起而依序重疊成2段。又，在第1處理區塊F1以及第2處理區塊F2之最下段處，係分別被設置有用以對於前述液處理單元供給各種處理液之化學室364、365。
另外，塗布單元360~363之構成，由於係與晶圓處理裝置1中之在晶圓W上塗布密合劑B的塗布單元30之構成相同，因此係省略其說明。但是，在塗布單元360~363處，係代替密合劑噴嘴122，而設置有對於模版T之表面T1上供給離模劑之離模劑噴嘴。又，在塗布單元360~363處，代替將晶圓W作吸附保持之旋轉吸盤110，係被設置有將模版T作收容保持之保持構件。另外，在離模劑之材料中，係使用後述之相對於晶圓W上的光阻膜而具有撥液性之材料，例如使用氟碳系化合物等。更具體而言，離模劑，係與密合劑相同的，而身為矽烷耦合劑，離模劑分子係具備有2個的官能基。亦即是，其中一個官能基，係為OR基(R係為例如烴基)。又，其他的官能基，係為相對於晶圓W上的光阻膜而具有撥液性之官能基，而具有氟化物成分。
在第3處理單元F3處，係如圖19中所示一般，複數之液處理單元，例如對於模版T上之離模劑作清洗之清洗單元370、371，係從下方起而依序被重疊成2段。第4處理區塊F4，亦同樣的，係將清洗單元372、373從下方起而依序重疊成2段。又，在第3處理區塊F3以及第4處 理區塊F4之最下段處，係分別被設置有用以對於前述液處理單元供給各種處理液之化學室374、375。
另外，清洗單元370~373之構成，由於係與將晶圓W上之密合劑B作清洗的清洗單元40之構成相同，因此係省略其說明。又，在清洗單元370~373處，亦係作為清洗亦而例如使用有機溶劑。
在介面站321處，係如圖17中所示一般，被設置有在朝向X方向延伸之搬送路徑380上而移動之晶圓搬送體381。又，在搬送路徑380之X方向負方向側處，係被配置有將複數之晶圓W作暫時性保管的緩衝卡匣382。晶圓搬送體381，係能夠在水平方向上自由伸縮，並且亦能夠在鉛直方向以及鉛直周圍(θ方向)上自由移動，而能夠在晶圓處理站3、緩衝卡匣382和壓印單元320之間而搬送晶圓W。另外，在晶圓處理裝置1之晶圓處理站3處，係於搬送單元20之介面站321側處，被配置有用以進行模版T之授受的轉移單元383。
在介面站322處，係被設置有在朝向X方向延伸之搬送路徑390上而移動之模版搬送體391。又，在搬送路徑390之X方向正方向側處，係被配置有將模版T之表背面作反轉的反轉單元392，在搬送路徑390之X方向負方向側處，係被配置有將複數之模版T作暫時性保管的緩衝卡匣393。模版搬送體391，係能夠在水平方向上自由伸縮，並且亦能夠在鉛直方向以及鉛直周圍(θ方向)上自由移動，而能夠在模版處理站331、反轉單元392、緩衝 卡匣393和壓印單元320之間而搬送模版T。
接著，針對上述之壓印單元320的構成作說明。壓印單元320，係如圖21中所示一般，具備著於側面處被形成有模版T之搬入搬出口(未圖示)和晶圓W之搬入搬出口(未圖示)的處理容器400。
在處理容器400內之底面處，係被設置有將晶圓W作載置並保持之晶圓保持部401。晶圓W，係以使其之表面W1朝向上方的方式而被載置在晶圓保持部401之上面。在晶圓保持部401內，係被設置有用以將晶圓W從下方來作支持並使其升降的升降銷402。升降銷402，係能夠藉由升降驅動部403而作上下移動。在晶圓保持部401之上面，係被形成有於厚度方向而貫通該上面之貫通孔404，升降銷402，係成為插通於貫通孔404中。又，晶圓保持部401，係藉由被設置在該晶圓保持部401之下方的移動機構405，而能夠在水平方向上移動，並且能夠在鉛直周圍自由旋轉。
如圖22中所示一般，在晶圓保持部401之X方向負方向(圖22之下方向)側處，係被形成有沿著Y方向(圖22之左右方向)而延伸的軌道410。軌道410，例如係從晶圓保持部401之Y方向負方向(圖22之左方向)側的外方起而一直形成至Y方向正方向(圖22之右方向)側的外方處為止。在軌道410處，係被安裝有臂411。
在臂411處，係被支持有對於晶圓W上供給光阻液 之光阻液噴嘴412。光阻液噴嘴401，例如係具備有與晶圓W之直徑尺寸相同或者是較其更長之沿著X方向的細長形狀。光阻液噴嘴401，例如係使用噴墨方式之噴嘴，在光阻液噴嘴412之下部，係被形成有沿著長邊方向而形成為一列之複數的供給口(未圖示)。而，光阻液噴嘴412，係能夠對於光阻液之供給時序、光阻液之供給量等作嚴密的控制。
臂411，係藉由噴嘴驅動部413，而在軌道410上自由移動。藉由此，光阻液噴嘴412，係能夠從被設置在晶圓保持部401之Y方向正方向側的外方處之待機部414起而一直移動至晶圓保持部4401上之晶圓W的上方處，並進而能夠在該基緣W之表面上而朝向晶圓W之直徑方向作移動。又，臂411，係能夠經由噴嘴驅動部413而自由升降，而可對於光阻液噴嘴412之高度作調整。
在處理容器400內之頂面且為晶圓保持部401之上方處，係如圖21中所示一般，被設置有將模版T作保持之模版保持部420。亦即是，晶圓保持部401和模版保持部420，係以使被載置在晶圓保持部401上之晶圓W和被保持在模版保持部420上之模版T相對向的方式，而被作配置。又，模版保持部420，係具備有將模版T之背面T2的外周部作吸附保持之吸盤421。吸盤421，係藉由被設置在該吸盤421之上方的移動機構422，而能夠在鉛直方向上自由移動，並且成為能夠在鉛直周圍自由旋轉。藉由此，模版T，係能夠相對於晶圓保持部401上之晶圓W而 朝特定之方向作旋轉並升降。
模版保持部420，係具備有被設置在保持於吸盤421處之模版T的上方處之光源423。從光源423，例如係發出有可視光、近紫外光、紫外線等之光，從此光源423而來之光，係透過模版T並被照射至下方。
本實施形態之壓印系統300，係如同上述一般地而構成。接著，針對在該壓印系統300處所進行之壓印處理作說明。圖23，係對於此壓印處理之主要的處理流程作展示，圖24，係對於在此壓印處理之各工程中之模版T和晶圓W的狀態作展示。
首先，經由模版搬送體342，來將模版T從卡匣載置台340上之模版匣CT中取出，並搬送至模版處理站331之轉移單元351處(圖23之工程B1)。此時，在模版匣CT內，模版T，係以使其之被形成有轉印表面C之表面T1朝向上方的方式而被收容，模版T並以此狀態而被搬送至轉移單元351處。
之後，經由搬送單元350，模版T係被搬送至塗布單元360處，在模版T之表面T1上係被照射有紫外線，該表面T1係被洗淨(圖23之工程B2)。接著，在該塗布單元360處，一面對於模版T之表面T1照射紫外線，一面在該表面T1上塗布離模劑(圖23之工程B3)。如此一來，模版T之表面T1和離模劑之間的化學反應係被促進，該模版T之表面T1和離模劑之間的密合性係提升。之後，模版T係被搬送至清洗單元370處，模版T上之離 模劑係被作清洗(圖23之工程B4)。如此這般，如圖24中所示一般，在模版T之表面T1上，係沿著轉印圖案C而以特定之膜厚成膜有離模膜SF。另外，在此些之工程B2~B4中，由於係對於模版T，而進行與在前述實施形態中對於晶圓W所進行之工程A2~A4相同的處理，因此，係省略詳細說明。
被成膜了離模膜SF之模版T，係被搬送至轉移單元352處。接著，模版T，係經由介面站322之模版搬送體391，而被搬送至反轉單元392處，模版T之表背面係被反轉。亦即是，模版T之背面T2係被朝向上方。之後，模版T，係經由模版搬送體391，而被搬送至壓印單元320處，並被吸附保持在模版保持部420之吸盤421處。此時，在將模版T搬送至壓印單元320處之前，係亦可於緩衝匣393處，將被成膜有離模膜SF之模版T作暫時性保管。
如此這般，當在模版處理站331處而對於模版T進行特定之處理，並對於壓印系統320而搬送模版T的期間中，晶圓W係從晶圓搬入搬出站2而被搬送至晶圓處理站3處(圖23之工程B5)。在晶圓處理站3處，係依序進行有晶圓W之表面W1的洗淨(圖23之工程B6)、對於晶圓W之表面W1的紫外線之照射以及對於表面W1的密合劑B之塗布(圖23之工程B7)、晶圓W上之密合劑B的清洗(圖23之工程B8)，在晶圓W之表面W1上係被成膜有密合膜BF。另外，此些之工程B6~B8，由於係 與上述實施形態之工程A2~A4相同，故係省略其說明。
被成膜了密合膜BF之晶圓W，係被搬送至轉移單元383處。接著，晶圓W，係經由晶圓搬送體381而被搬送至壓印單元320內。此時，在將晶圓W搬送至壓印單元320處之前，係亦可於緩衝匣382處，將被形成有密合膜BF之晶圓W作暫時性保管。
被搬入至壓印單元320處之晶圓W，係被遞交至升降銷402處，並被載置在載置台401上而被保持。接著，在將被保持在晶圓保持部401處之晶圓W移動至水平方向之特定位置處並作了對位之後，使光阻液噴嘴412朝向晶圓W之直徑方向移動，並如圖24(a)中所示一般，在晶圓W之密合膜BF上塗布光阻液R(圖23之工程B9)。此時，藉由控制部160，從光阻液噴嘴412所供給而來之光阻液R的供給時序或供給量等係被作控制。亦即是，在被形成於晶圓W上之光阻圖案中，與凸部相對應之部分(與模版T之轉印圖案C中的凹部相對應之部分)處所塗布之光阻液R的量係為多，與凹部相對應之部分(與轉印圖案C中的凸部相對應之部分)處所塗布之光阻液R的量係為少。如此這般，因應於轉印圖案C之開口率，在晶圓W上係被塗布有光阻液R。而，經由晶圓W上之密合膜BF，晶圓W之表面和光阻液R係相互密合，並如圖24(b)中所示一般而被形成有作為塗布膜之光阻膜RF。
若是在晶圓W上形成了光阻膜RF，則係將被保持在晶圓保持部401上之晶圓W移動至水平方向之特定位置 處而進行對位，並且，使被保持在模版保持部420處之模版T朝向特定之方向旋轉。之後，如圖24(b)之箭頭所示一般，使模版T朝向晶圓W側下降。模版T係一直下降至特定之位置處，模版T之表面T1係被推壓至晶圓W上之光阻膜RF上。另外，此特定之位置，係根據被形成在晶圓W上之光阻圖案的高度而被設定。接著，從光源423而照射光。從光源423而來之光，係如圖24(c)中所示一般地透過模版並被照射至晶圓W上之光阻膜RF處，藉由此，光阻膜RF係進行光聚合。如此這般，在晶圓W上之光阻膜RF處，係被轉印有模版T之轉印圖案C，並形成光阻圖案P(圖23之工程B10)。
之後，如圖24(d)中所示一般，使模版T上升，並在晶圓W上形成光阻圖案P。此時，在模版T之表面上由於係成膜有離模膜SF，因此並不會有晶圓W上之光阻附著在模版T之表面T1上的情況。之後，晶圓W，係藉由升降銷402而被遞交至晶圓搬送體381處，並從壓印單元320而被搬送至晶圓搬入搬出站2處，再送回至晶圓匣CW中(圖23之工程B11)。另外，在被形成於晶圓W上之光阻圖案P的凹部處，雖然會有殘留有薄的光阻殘存膜L的情況，但是，例如亦可在壓印系統300之外部，如同圖23(e)所示一般地而將該殘存膜除去。
反覆進行以上之工程B5~B11(圖23中之以虛線所包圍的部分)，來使用1個模版T而在複數之晶圓W上分別形成光阻圖案P。於此期間，反覆進行上述之工程B1 ~B4，而在複數之模版T之表面T1上成膜離模膜SF。被成膜了離模膜SF之模版T，係被保管在介面站322之緩衝匣393中。
之後，若是對於特定枚數之晶圓W而進行工程B5~B11，則係經由模版搬送體391，而將使用過的模版T從壓印單元320搬出，並搬送至反轉單元392處(圖23之工程B12)。接著，經由模版搬送體391，緩衝匣393內之模版T係被搬送至壓印單元320處。如此這般，壓印單元320內之模版T係被交換。另外，將模版T作交換之時機，係對於模版T之劣化等作考慮而設定。又，當在晶圓W處形成相異之圖案P的情況時，亦會對模版T作交換。而，例如亦可在每將模版T作1次使用時便將該模版T作交換。又，例如亦可在每一枚晶圓W之處理後而將模版T作交換，例如亦可在每一批次後而將模版T作交換。
被搬送至反轉單元392處之使用後的模版T，係將其之表背面作反轉。之後，模版T，係經由模版搬送體391、搬送單元350、模版搬送體342，而被送回至模版匣CT中。如此這般，在壓印系統300處，係一面將模版T作連續性交換，一面對於複數之晶圓W而連續性形成特定之光阻圖案P。
若依據以上之實施形態，則由於壓印系統300係具備有模版處理裝置310和晶圓處理裝置1，因此，在壓印系統300中，係能夠在模版T上成膜離模膜SF並同時在晶圓W上成膜密合膜BF。如此這般，由於係在各壓印系統 300中而進行模版處理和晶圓處理，因此，係能夠使壓印處理之產率提升。又，藉由此，係亦成為能夠實現半導體裝置之量產化。
另外，在以上之實施形態中，於晶圓處理裝置1之塗布單元30處，雖係對於晶圓W上供給液體狀之密合劑B，但是，亦可供給氣體狀之密合劑。同樣的，於模版處理裝置310之塗布單元360處，雖係對於模版T上供給液體狀之離模劑，但是，亦可供給氣體狀之離模劑。
以上，雖係參考所添附之圖面而針對本發明之合適實施型態作了說明，但是，本發明係並不被限定於該些例子。只要是當業者，則應可瞭解到，在申請專利範圍所記載之思想的範疇內，係可想到各種之變更例或修正例，而該些亦當然係屬於本發明之技術性範圍內。本發明，係並不被限定於此些例子，而可採用各種之形態。本發明，當基板係為晶圓以外之FPD(平面面板顯示器)、光罩用之遮罩標線(mask reticle)等之其他基板的情況時，亦可作適用。
1‧‧‧晶圓處理裝置
30~33‧‧‧塗布單元
40~43‧‧‧清洗單元
100‧‧‧處理容器
101‧‧‧氣體供給口
102‧‧‧氣體供給管
103‧‧‧氣體供給源
122‧‧‧密合劑噴嘴
130‧‧‧紫外線照射部
150‧‧‧控制部
200‧‧‧處理容器
201‧‧‧氣體供給口
202‧‧‧氣體供給管
203‧‧‧氣體供給源
220‧‧‧紫外線照射部
221‧‧‧支持板
230‧‧‧密合劑噴嘴
240‧‧‧洗淨單元
300‧‧‧壓印系統
320‧‧‧壓印單元
B‧‧‧密合劑
BF‧‧‧密合膜
C‧‧‧轉印圖案
P‧‧‧光阻圖案
R‧‧‧光阻液
RF‧‧‧光阻膜
SF‧‧‧離模膜
T‧‧‧模版
W‧‧‧晶圓
〔圖1〕對於本實施形態之晶圓處理裝置的構成之概略作展示的平面圖。
〔圖2〕對於本實施形態之晶圓處理裝置的構成之概略作展示的側面圖。
〔圖3〕對於本實施形態之晶圓處理裝置的構成之概 略作展示的側面圖。
〔圖4〕對於塗布單元的構成之概略作展示之縱剖面圖。
〔圖5〕對於塗布單元的構成之概略作展示之橫剖面圖。
〔圖6〕對於清洗單元的構成之概略作展示之縱剖面圖。
〔圖7〕對於晶圓處理之各工程作展示的流程圖。
〔圖8〕係為對於在晶圓處理之各工程中的晶圓狀態作模式性展示之說明圖，(a)係對於將晶圓之表面作洗淨的模樣作展示，(b)係對於一面對晶圓之表面照射紫外線一面在該晶圓之表面上塗布密合劑的模樣作展示，(c)係對於在晶圓上成膜有密合劑的模樣作展示。
〔圖9〕對於晶圓上之氫氧基的鍵結被切斷的模樣作展示之說明圖。
〔圖10〕對於晶圓之表面和密合劑分子作脫水縮合的模樣作展示之說明圖。
〔圖11〕對於晶圓之表面和密合劑分子作了結合的模樣作展示之說明圖。
〔圖12〕對於其他實施形態之塗布單元的構成之概略作展示之縱剖面圖。
〔圖13〕係為對於在其他實施形態之晶圓處理之各工程中的晶圓狀態作模式性展示之說明圖，(a)係對於將晶圓之表面作洗淨的模樣作展示，(b)係對於對晶圓之 表面和支持板之間供給密合劑的模樣作展示，(c)係對於一面對晶圓之表面照射紫外線一面在該晶圓之表面上塗布密合劑的模樣作展示，(d)係對於在晶圓上成膜有密合膜的模樣作展示。
〔圖14〕對於從晶圓之背面側來朝向表面照射紫外線的模樣作展示之說明圖。
〔圖15〕對於洗淨單元的構成之概略作展示之縱剖面圖。
〔圖16〕對於洗淨單元的構成之概略作展示之橫剖面圖。
〔圖17〕對於本實施形態之壓印系統的構成之概略作展示的平面圖。
〔圖18〕對於本實施形態之壓印系統的構成之概略作展示的側面圖。
〔圖19〕對於本實施形態之壓印系統的構成之概略作展示的側面圖。
〔圖20〕模版之立體圖。
〔圖21〕對於壓印系統的構成之概略作展示之縱剖面圖。
〔圖22〕對於壓印系統的構成之概略作展示之橫剖面圖。
〔圖23〕對於壓印處理之各工程作展示的流程圖。
〔圖24〕係為對於在壓印處理之各工程中的模版和晶圓之狀態作模式性展示之說明圖，(a)係對於在晶圓之 密合膜上塗布光阻液的模樣作展示，(b)係對於在晶圓上成膜有光阻膜的模樣作展示，(c)係對於使晶圓上之光阻膜作光重合的模樣作展示，(d)係對於在晶圓上形成有光阻圖案的模樣作展示，(e)係對於晶圓上之殘存膜被除去後的模樣作展示。

Claims (16)

  1. 一種基板處理方法，係為在基板上成膜用以使該基板之表面和塗布膜之間的密合性提升之密合劑的基板處理方法，其特徵為，具備有：一面對於前述基板之表面照射紫外線，一面在該基板之表面上塗布密合劑之塗布工程；和之後，對於被塗布在前述基板之表面上的密合劑作清洗，而將該密合劑之未反應部分除去之清洗工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理方法，其中，係更進而具備有：在前述塗布工程之前，將前述基板之表面洗淨之洗淨工程。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理方法，其中，在前述洗淨工程中，係對於前述基板之表面照射紫外線。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，前述塗布工程，係在惰性氣體之氛圍下而進行。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，在前述塗布工程中，係在對於前述基板之表面照射紫外線的期間中，開始對於該基板之表面的密合劑之供給。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，在前述塗布工程中，係在與述基板之表面和該表面相對向地作配置之支持板之間供給有密合劑 的狀態下，開始對於前述基板之表面的前述紫外線之照射。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理方法，其中，前述支持板，係使前述紫外線透過。
  8. 一種程式，其特徵為：係為了經由基板處理裝置來實行如申請專利範圍第1~7項中之任一項所記載之基板處理方法，而在該基板處理裝置進行控制之控制部的電腦上動作。
  9. 一種可讀取之電腦記憶媒體，其特徵為：係儲存有如申請專利範圍第8項所記載之程式。
  10. 一種基板處理裝置，係為在基板上成膜用以使該基板之表面和塗布膜之間的密合性提升之密合劑的基板處理裝置，其特徵為，具備有：塗布單元，係具備對於前述基板之表面照射紫外線之紫外線照射部、和對於前述基板之表面供給密合劑之密合劑供給部；和清洗單元，係對於被塗布在前述基板之表面上的密合劑作清洗，而將該密合劑之未反應部分除去；和控制部，係在前述塗布單元處，以實行一面對於前述基板之表面而照射前述紫外線一面在該基板之表面上塗布密合劑之塗布工程的方式，來對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在實行前述塗布工程之前，以在前 述塗布單元處而對於前述基板之表面照射紫外線的方式，來控制前述紫外線照射部。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所記載之基板處理裝置，其中，前述塗布單元，係更進而具備有：收容前述基板之處理容器、和對於前述處理容器內供給惰性氣體之氣體供給部，前述控制部，係以使前述塗布工程在惰性氣體之氛圍下來進行的方式，而對於前述氣體供給部作控制。
  13. 如申請專利範圍第10~12項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以在前述塗布工程中之對於前述基板之表面照射前述紫外線的期間中，來開始對於該基板之表面的密合劑之供給的方式，而對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。
  14. 如申請專利範圍第10~12項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述塗布單元，係具備有與前述基板之表面作對向配置的支持板，前述控制部，係以在前述塗布工程中，在對於前述基板之表面和前述支持板之間供給有密合劑的狀態下來開始對於前述基板之表面的前述紫外線之照射的方式，而對於前述紫外線照射部和前述密合劑供給部作控制。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之基板處理裝置，其中，前述支持板，係使前述紫外線透過。
  16. 一種壓印系統，係為具備有如申請專利範圍第10 ~15項中之任一項所記載之基板處理裝置的壓印系統，其特徵為，係具備有：壓印單元，其係使用在表面上被形成有轉印圖案之模版，來將前述轉印圖案，轉印至在藉由前述基板處理裝置而成膜有密合劑之基板上所形成的前述塗布膜處，而在該塗布膜上形成特定之圖案。
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