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JP2003007579A - 有機薄膜形成方法 - Google Patents

有機薄膜形成方法

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Publication number
JP2003007579A
JP2003007579A JP2001184236A JP2001184236A JP2003007579A JP 2003007579 A JP2003007579 A JP 2003007579A JP 2001184236 A JP2001184236 A JP 2001184236A JP 2001184236 A JP2001184236 A JP 2001184236A JP 2003007579 A JP2003007579 A JP 2003007579A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
organic thin
organic
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001184236A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomofumi Shono
朋文 庄野
Kazuhiro Yamashita
一博 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001184236A priority Critical patent/JP2003007579A/ja
Priority to EP01126047A priority patent/EP1271244B1/en
Priority to DE60105141T priority patent/DE60105141T2/de
Priority to TW090127542A priority patent/TW498427B/zh
Priority to US09/987,004 priority patent/US6797647B2/en
Priority to CNB021050767A priority patent/CN1267974C/zh
Publication of JP2003007579A publication Critical patent/JP2003007579A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
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  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低粘度の有機材料を用いてシリコン窒化膜又
はシリコン窒化酸化膜上に有機薄膜を形成する場合に
も、塗布むらの発生を防止して膜厚均一性の優れた有機
薄膜を実現できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１０上にシリコン窒化膜又は
シリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１を形成した後、
下地膜１１に対して洗浄液１２を用いた湿式洗浄処理を
行なう。その後、下地膜１１に対して遠紫外線１３を照
射した後、半導体基板１０を回転させながら半導体基板
１０上に液状の有機材料を供給することによって、下地
膜１１上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜１４を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト膜又は反射
防止膜等となる有機薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】複雑な半導体集積回路を使用したシステ
ムの小型化に伴って、レジストパターンつまりパターン
化されたレジスト膜をマスクとして用いるパターンリソ
グラフィ法により複雑な回路を小さいサイズのチップ上
に転写することが極めて困難になってきている。その理
由としては、パターンリソグラフィ法で用いられるエネ
ルギービームの短波長化に伴って、レジスト膜となる感
光性有機膜を通過したエネルギービームの被エッチング
膜（レジスト膜の下側に形成されている）での反射率が
高くなる結果、感光性有機膜における不必要な領域（エ
ネルギービームを照射したくない領域）まで感光されて
しまうことが考えられる。
【０００３】そこで、レジスト膜となる感光性有機膜を
形成する前に、被エッチング膜上に、エネルギービーム
を吸収する有機材料を塗布して該有機材料よりなる反射
防止膜を形成し、それによって感光性有機膜を通過した
エネルギービームの反射を抑制する方法が提案されてい
る。
【０００４】図９（ａ）及び（ｂ）は従来の有機膜形成
方法の各工程を示す断面図である。
【０００５】まず、図９（ａ）に示すように、被エッチ
ング膜（図示省略）が形成された半導体基板１００に対
して、被エッチング膜の形成時等に半導体基板１００の
表面に付着した異物を除去するために湿式洗浄処理を行
なう。具体的には、半導体基板１００上にノズル１０１
から洗浄液１０２を供給しながら半導体基板１００を回
転させる。
【０００６】次に、図９（ｂ）に示すように、湿式洗浄
処理が行なわれた半導体基板１００上に、レジスト膜又
は反射防止膜等となる有機膜１０３を形成する。
【０００７】ところで、近年の電子デバイスの微細化に
伴って、レジスト膜となる感光性有機膜の厚さが大きい
場合、微細なレジストパターンを形成することが困難に
なってきている。また、反射防止膜となる有機膜につい
ても、その厚さが大きいとレジスト膜が不必要に削られ
てしまう。このため、レジストパターンを微細化するた
めに、レジスト膜又は反射防止膜等となる有機膜の厚さ
を小さくする方法が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】有機材料を用いて薄膜
を形成する場合、当然、有機材料を用いて厚膜を形成す
る場合と比べて同じレベル又はそれ以上の膜厚均一性が
要求される。
【０００９】しかしながら、有機薄膜を形成する場合、
使用する有機材料の粘度を低くするために有機材料中に
占める溶媒の量を多くする必要がある一方、溶媒の量が
多くなるに従って溶媒の気化熱が有機膜の膜厚均一性に
悪影響を及ぼしやすくなる（特開平８−１８６０７２
号）。
【００１０】また、前記の課題に加えて、本願発明者
は、ハードマスクや無機反射防止膜等として用いられる
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜の上に厚さ１０
０ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成した場合、該有機薄膜
に、基板となるウェハの中心部から周縁部方向に沿って
延びる放射状の塗布模様（以下、塗布むらと称する）が
発生してしまうという新たな課題を見出した。このよう
な塗布むらが生じた有機薄膜をレジスト膜又は反射防止
膜等として用いることはできない。
【００１１】前記に鑑み、本発明は、低粘度の有機材料
を用いてシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜上に有
機薄膜を形成する場合にも、塗布むらの発生を防止して
膜厚均一性の優れた有機薄膜を実現できるようにするこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明に係る第１の有機薄膜形成方法は、基板上
にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地
膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用いた湿
式洗浄処理を行なう工程と、湿式洗浄処理が行なわれた
下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、基板を回転
させながら基板上に液状の有機材料を供給することによ
って、遠紫外線が照射された下地膜上に厚さ１００ｎｍ
程度以下の有機薄膜を形成する工程とを備えている。
【００１３】第１の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、下地膜に対して遠紫外線
を照射し、その後、下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下
の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫
外線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べ
て、低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均
一性を向上させることができる。従って、有機薄膜がレ
ジスト膜又は反射防止膜等として形成されている場合に
は、レジストパターンを微細化でき、それによって電子
デバイスを確実に微細化できる。
【００１４】本発明に係る第２の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジ
メチルエーテルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む。
【００１５】第２の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル
及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの少
なくとも１つの溶剤を含む有機材料を用いて、下地膜上
に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成する。この
ため、前述の溶剤を含む有機材料を用いない従来の有機
膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合に
も有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。従っ
て、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜等として形成
されている場合には、レジストパターンを微細化でき、
それによって電子デバイスを確実に微細化できる。
【００１６】また、第２の有機薄膜形成方法によると、
本発明に係る第１の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なう工程を省略できるの
で、有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜
形成工程に要する処理時間を短縮できる。
【００１７】第１又は第２の有機薄膜形成方法におい
て、湿式洗浄処理を行なう工程は、洗浄液中に超音波を
透過させる工程を含むことが好ましい。
【００１８】このようにすると、下地膜の形成時に下地
膜の表面に付着した異物をより確実に除去できる。
【００１９】第１又は第２の有機薄膜形成方法におい
て、下地膜を形成する工程と湿式洗浄処理を行なう工程
との間に、下地膜上に他の有機膜を形成した後に該他の
有機膜を除去する工程をさらに備えていることが好まし
い。
【００２０】このようにすると、他の有機膜の除去時に
下地膜の表面に付着した残さ等が湿式洗浄処理によって
確実に除去される。
【００２１】本発明に係る第３の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチ
ル及びジエチレングリコールジメチルエーテルのうちの
少なくとも１つの溶剤を含む。
【００２２】第３の有機薄膜形成方法によると、基板上
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル、ピルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチ
ルエーテルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む有機材
料を用いて、下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機
薄膜を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外線の
照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【００２３】また、第３の有機薄膜形成方法によると、
本発明に係る第１の有機薄膜形成方法と比べて、下地膜
に対して湿式洗浄処理を行なう工程を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
【００２４】第１又は第３の有機薄膜形成方法におい
て、遠紫外線を照射する工程は、基板に対して加熱処理
を行なう工程を含むことが好ましい。
【００２５】このようにすると、有機薄膜に塗布むらが
生じることをより確実に抑制できる。
【００２６】第１、第２又は第３の有機薄膜形成方法に
おいて、有機薄膜を形成する工程において用いられる有
機材料の液量の合計は０．８ｍｌ以上であることが好ま
しい。
【００２７】このようにすると、有機薄膜の膜厚均一性
をより一層向上させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面
を参照しながら説明する。
【００２９】図１（ａ）〜（ｄ）は第１の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【００３０】まず、図１（ａ）に示すように、８インチ
サイズのシリコンウェハよりなる半導体基板１０上に、
シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜
１１を化学的気相成長法により形成する。
【００３１】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基
板１０上にノズル５０から洗浄液１２を供給しながら半
導体基板１０を回転させることにより、下地膜１１に対
して湿式洗浄処理を行なう。このとき、洗浄効果を向上
させるために、洗浄液１２中に超音波を透過させる。
【００３２】図２は、第１の実施形態に係る有機薄膜形
成方法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示してい
る。
【００３３】図２に示すように、モーターの回転軸６１
に固着されたウェハチャック６０によって半導体基板１
０が保持されている。そして、回転軸６１により半導体
基板１０を回転させながら、ノズル５０から半導体基板
１０に対して洗浄液１２を吐出することによって、半導
体基板１０の表面を洗浄する。このとき、ノズル５０内
に設けられた超音波発振器５１によって管５２中を流れ
る洗浄液１２に対して、例えば周波数１ＭＨｚ、出力１
００Ｗの超音波が印加される。
【００３４】尚、第１の実施形態においては、洗浄液１
２として、ＣＯ2 を混入した純水を用いた。純水にＣＯ
2 を混入させる目的は、半導体基板１０における静電破
壊を防止するための抵抗値低減対策であって、純水の比
抵抗が１８ＭΩであるのに対して、ＣＯ2 を混入した純
水の比抵抗は０．０１ＭΩである。
【００３５】次に、下地膜１１の表面に付着した微小な
異物をより確実に除去するために、図１（ｃ）に示すよ
うに、下地膜１１に対して遠紫外線１３を照射する。図
１（ｃ）に示す遠紫外線１３の照射工程は、具体的に
は、遠紫外線１３の照射処理（以下、ランプモードと称
する）と、ヒーター７０による半導体基板１０に対する
加熱処理（以下、加熱モードと称する）との組み合わせ
処理から構成される。組み合わせ処理の総処理時間は１
５５秒である。ランプモードは、組み合わせ処理の開始
より１０秒間はＯＦＦ（停止）、次の２秒間はＯＮ（照
射）、次の５８秒間はＯＦＦ、次の７５秒間はＯＮ、次
の１０秒間はＯＦＦに設定される。加熱モードは、組み
合わせ処理の開始より７０秒間は加熱温度１００℃、次
の８５秒間は加熱温度１４０℃に設定される。
【００３６】次に、図１（ｄ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の有機
薄膜１４を反射防止膜として形成する。
【００３７】図３は、第１の実施形態に係る有機薄膜形
成方法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示
している。
【００３８】図３に示すように、モーターの回転軸８１
に固着されたウェハチャック８０によって半導体基板１
０が保持されている。そして、回転軸８１により半導体
基板１０を回転させながら、ノズル９０内の管９１から
液状の有機材料９２を半導体基板１０の中心に滴下する
ことによって、下地膜１１上に有機薄膜１４を形成す
る。このとき、有機材料９２の溶剤としてシクロヘキサ
ノンを用いると共に、半導体基板１０に対する有機材料
９２の総滴下量を１．５ｍｌとする。
【００３９】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜１４（厚さ６０ｎｍ程度）には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜１４の膜厚均一性はレ
ンジで３ｎｍ程度以下と良好であった。
【００４０】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
１４上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜１４を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【００４１】すなわち、第１の実施形態によると、シリ
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１
に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜１１に対し
て遠紫外線１３を照射し、その後、下地膜１１上に有機
薄膜１４を形成する。このため、下地膜に対して遠紫外
線の照射を行なわない従来の有機膜形成方法と比べて、
低粘度の有機材料を用いた場合にも有機薄膜１４に塗布
むらが生じることを抑制できるので、有機薄膜１４の膜
厚均一性を向上させることができる。従って、有機薄膜
１４よりなる反射防止膜を均一に形成できるため、反射
防止膜上にレジスト膜を均一に形成できるので、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
【００４２】尚、第１の実施形態において、有機薄膜１
４の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が１
００ｎｍ程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第１の実施形態において、膜厚６０ｎｍ程度の有機
薄膜１４を形成したが、膜厚２０ｎｍ程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【００４３】また、第１の実施形態において、半導体基
板１０に対する有機材料９２の総滴下量は特に限定され
るものではないが、該滴下量が０．８ｍｌ以上である
と、有機薄膜１４における塗布むらの発生を確実に防止
できる。また、該滴下量を大きくしていくと、半導体基
板１０上に有機材料９２を均一に拡げることが容易にな
るので、有機薄膜１４の膜厚均一性が向上することは明
らかである。
【００４４】また、第１の実施形態において、図１
（ｂ）に示す洗浄工程で洗浄液１２中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
【００４５】また、第１の実施形態において、図１
（ｃ）に示す遠紫外線１３の照射工程において、ヒータ
ー７０による加熱処理を行なわなくてもよい。
【００４６】また、第１の実施形態において、有機薄膜
１４を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【００４７】また、第１の実施形態において、半導体基
板１０を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【００４８】（第１の実施形態の変形例）以下、本発明
の第１の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方法につ
いて図面を参照しながら説明する。
【００４９】図４（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜
（ｃ）は第１の実施形態の変形例に係る有機薄膜形成方
法の各工程を示す断面図である。
【００５０】まず、第１の実施形態の図１（ａ）に示す
工程と同様に図４（ａ）に示すように、８インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板１０上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１を
化学的気相成長法により形成する。
【００５１】次に、図４（ｂ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の第１
の有機薄膜１５を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって（図３参
照）、第１の有機薄膜１５を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を１．５ｍｌとする。
【００５２】ところが、図４（ｂ）に示す工程において
は、第１の有機薄膜１５に塗布むらが発生し、また、第
１の有機薄膜１５の膜厚均一性はレンジで２５ｎｍ程度
と良くなかった。
【００５３】そこで、次に、塗布むらが生じた第１の有
機薄膜１５を除去するために、図４（ｃ）に示すよう
に、酸素をプラズマ分解して活性な酸素原子及びオゾン
１６を発生させて、該活性な酸素原子及びオゾン１６を
第１の有機薄膜１５上に輸送することによりアッシング
処理を行なう。
【００５４】次に、図４（ｃ）に示すアッシング処理に
よって下地膜１１の表面から除去できなかった異物を除
去するために、第１の実施形態の図１（ｂ）に示す工程
と同様に図５（ａ）に示すように、半導体基板１０上に
ノズル５０から、例えばＣＯ 2 を混入した純水よりなる
洗浄液１２を供給しながら半導体基板１０を回転させる
ことにより、下地膜１１に対して湿式洗浄処理を行な
う。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液１
２中に、例えば周波数１ＭＨｚ、出力１００Ｗの超音波
を透過させる（図２参照）。
【００５５】次に、下地膜１１の表面に付着した微小な
異物をより確実に除去するために、第１の実施形態の図
１（ｃ）に示す工程と同様に図５（ｂ）に示すように、
下地膜１１に対して遠紫外線１３を照射する。図５
（ｂ）に示す遠紫外線１３の照射工程は、具体的には、
遠紫外線１３の照射処理つまりランプモードと、ヒータ
ー７０による半導体基板１０に対する加熱処理つまり加
熱モードとの組み合わせ処理から構成される。組み合わ
せ処理の総処理時間は１５５秒である。ランプモード
は、組み合わせ処理の開始より１０秒間はＯＦＦ、次の
２秒間はＯＮ、次の５８秒間はＯＦＦ、次の７５秒間は
ＯＮ、次の１０秒間はＯＦＦに設定される。加熱モード
は、組み合わせ処理の開始より７０秒間は加熱温度１０
０℃、次の８５秒間は加熱温度１４０℃に設定される。
【００５６】次に、図５（ｃ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の第２
の有機薄膜１７を反射防止膜として形成する。具体的に
は、半導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半
導体基板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部
に液状の有機材料を滴下することによって（図３参
照）、第２の有機薄膜１７を形成する。このとき、有機
材料の溶剤としてシクロヘキサノンを用いると共に、該
有機材料の総滴下量を１．５ｍｌとする。
【００５７】以上に説明した工程によって形成された第
２の有機薄膜１７（厚さ６０ｎｍ程度）には塗布むらの
発生は見られなかった。また、第２の有機薄膜１７の膜
厚均一性はレンジで３ｎｍ程度以下と良好であった。
【００５８】その後、図示は省略しているが、第２の有
機薄膜１７上にレジスト膜を形成した後、第２の有機薄
膜１７を反射防止膜としてレジスト膜に対して露光を行
ない、その後、レジスト膜を現像してレジストパターン
を形成する。
【００５９】すなわち、第１の実施形態の変形例による
と、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下
地膜１１に対して湿式洗浄処理を行なった後、下地膜１
１に対して遠紫外線１３を照射し、その後、下地膜１１
上に第２の有機薄膜１７を形成する。このため、下地膜
に対して遠紫外線の照射を行なわない従来の有機膜形成
方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも第２
の有機薄膜１７に塗布むらが生じることを抑制できるの
で、第２の有機薄膜１７の膜厚均一性を向上させること
ができる。従って、第２の有機薄膜１７よりなる反射防
止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上にレジスト
膜を均一に形成できるので、レジストパターンを微細化
でき、それによって電子デバイスを確実に微細化でき
る。
【００６０】また、第１の実施形態の変形例によると、
下地膜１１上に第１の有機薄膜１５を形成した後、塗布
むらが生じた第１の有機薄膜１５を除去し、その後、下
地膜１１に対して湿式洗浄処理を行なうので、第１の有
機薄膜１５の除去時に下地膜１１の表面に付着した残さ
等が確実に除去される。
【００６１】尚、第１の実施形態の変形例において、第
２の有機薄膜１７の膜厚は特に限定されるものではない
が、該膜厚が１００ｎｍ程度以下であると、従来の有機
膜形成方法と比べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕
著になる。また、第１の実施形態において、膜厚６０ｎ
ｍ程度の第２の有機薄膜１７を形成したが、膜厚２０ｎ
ｍ程度の極薄の有機薄膜を本実施形態の方法により形成
した場合にも塗布むらの発生は見られなかった。
【００６２】また、第１の実施形態の変形例において、
第２の有機薄膜１７を形成するために半導体基板１０に
滴下される有機材料の液量は特に限定されるものではな
いが、該液量が０．８ｍｌ以上であると、第２の有機薄
膜１７における塗布むらの発生を確実に防止できる。ま
た、該有機材料の液量を大きくしていくと、半導体基板
１０上に有機材料を均一に拡げることが容易になるの
で、第２の有機薄膜１７の膜厚均一性が向上することは
明らかである。
【００６３】また、第１の実施形態の変形例において、
図５（ａ）に示す洗浄工程で洗浄液１２中に超音波を透
過させなくてもよい。
【００６４】また、第１の実施形態の変形例において、
図５（ｂ）に示す遠紫外線１３の照射工程において、ヒ
ーター７０による加熱処理を行なわなくてもよい。
【００６５】また、第１の実施形態の変形例において、
第２の有機薄膜１７を反射防止膜として形成したが、こ
れに代えて、レジスト膜となる感光性有機膜、又は層間
膜となる有機絶縁膜等を形成してもよい。
【００６６】また、第１の実施形態の変形例において、
半導体基板１０を用いたが、これに代えて、ガラス基板
等の他の基板を用いてもよい。
【００６７】（第１の比較例）以下、第１の比較例に係
る有機薄膜形成方法について図面を参照しながら説明す
る。
【００６８】図６（ａ）〜（ｃ）は第１の比較例に係る
有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【００６９】まず、第１の実施形態の図１（ａ）に示す
工程と同様に図６（ａ）に示すように、８インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板１０上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１を
化学的気相成長法により形成する。
【００７０】次に、第１の実施形態の図１（ｂ）に示す
工程と同様に図６（ｂ）に示すように、半導体基板１０
上にノズル５０から、例えばＣＯ2 を混入した純水より
なる洗浄液１２を供給しながら半導体基板１０を回転さ
せることにより、下地膜１１に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
１２中に例えば周波数１ＭＨｚ、出力１００Ｗの超音波
を透過させる（図２参照）。
【００７１】次に、図６（ｃ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の有機
薄膜１８を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって（図３参照）、有機
薄膜１８を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
シクロヘキサノンを用いると共に、該有機材料の総滴下
量を１．５ｍｌとする。
【００７２】すなわち、第１の比較例においては、第１
の実施形態の図１（ｃ）に示す遠紫外線１３の照射工程
を行なうことなく、有機薄膜１８を形成する。
【００７３】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜１８には塗布むらの発生が見られた。また、有機
薄膜１８の膜厚均一性はレンジで２５ｎｍ程度と良くな
かった。
【００７４】尚、第１の比較例において、有機薄膜１８
を形成するための有機材料の溶剤として、シクロヘキサ
ノンに代えてジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合にも、シクロヘキサノンを用いた場合と同
様の塗布むらが発生した。
【００７５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
【００７６】図７（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【００７７】まず、第１の実施形態の図１（ａ）に示す
工程と同様に図７（ａ）に示すように、８インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板１０上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１を
化学的気相成長法により形成する。
【００７８】次に、第１の実施形態の図１（ｂ）に示す
工程と同様に図７（ｂ）に示すように、半導体基板１０
上にノズル５０から、例えばＣＯ2 を混入した純水より
なる洗浄液１２を供給しながら半導体基板１０を回転さ
せることにより、下地膜１１に対して湿式洗浄処理を行
なう。このとき、洗浄効果を向上させるために、洗浄液
１２中に例えば周波数１ＭＨｚ、出力１００Ｗの超音波
を透過させる（図２参照）。
【００７９】次に、図７（ｃ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の有機
薄膜１８を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって（図３参照）、有機
薄膜１９を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を１．５ｍｌとす
る。
【００８０】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜１９（厚さ６０ｎｍ程度）には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜１９の膜厚均一性はレ
ンジで２ｎｍ程度以下と、第１の実施形態よりもさらに
良好であった。
【００８１】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
１９上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜１９を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【００８２】すなわち、第２の実施形態によると、シリ
コン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１
に対して湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテートを溶剤として含む有
機材料を用いて、下地膜１１上に有機薄膜１９を形成す
る。このため、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートを含む有機材料を用いない従来の有機膜形
成方法と比べて、低粘度の有機材料を用いた場合にも有
機薄膜１９に塗布むらが生じることを抑制できるので、
有機薄膜１９の膜厚均一性を向上させることができる。
従って、有機薄膜１９よりなる反射防止膜を均一に形成
できるため、反射防止膜上にレジスト膜を均一に形成で
きるので、レジストパターンを微細化でき、それによっ
て電子デバイスを確実に微細化できる。
【００８３】また、第２の実施形態によると、第１の実
施形態と比べて、下地膜１１に対して遠紫外線１３の照
射を行なう工程（図１（ｃ）参照）を省略できるので、
有機薄膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成
工程に要する処理時間を短縮できる。
【００８４】尚、第２の実施形態において、有機薄膜１
９の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が１
００ｎｍ程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第２の実施形態において、膜厚６０ｎｍ程度の有機
薄膜１９を形成したが、膜厚２０ｎｍ程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【００８５】また、第２の実施形態において、有機薄膜
１９を形成するために半導体基板１０に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が０．８ｍｌ以上であると、有機薄膜１９におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板１０上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜１
９の膜厚均一性が向上することは明らかである。
【００８６】また、第２の実施形態において、図７
（ｂ）に示す洗浄工程で洗浄液１２中に超音波を透過さ
せなくてもよい。
【００８７】また、第２の実施形態において、有機薄膜
１９を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【００８８】また、第２の実施形態において、半導体基
板１０を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【００８９】また、第２の実施形態において、有機薄膜
１９を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜１９を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも１つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜１９を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
【００９０】また、第２の実施形態において、図７
（ａ）に示す下地膜１１を形成する工程と、図７（ｂ）
に示す湿式洗浄処理を行なう工程との間に、下地膜１１
上に他の有機膜を形成した後に該他の有機膜を除去する
工程をさらに備えていてもよい。このようにすると、他
の有機膜の除去時に下地膜の表面に付着した残さ等が湿
式洗浄処理によって確実に除去される。
【００９１】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る有機薄膜形成方法について図面を参照し
ながら説明する。
【００９２】図８（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【００９３】まず、第１の実施形態の図１（ａ）に示す
工程と同様に図８（ａ）に示すように、８インチサイズ
のシリコンウェハよりなる半導体基板１０上に、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜１１を
化学的気相成長法により形成する。
【００９４】次に、第１の実施形態の図１（ｃ）に示す
工程と同様に図８（ｂ）に示すように、下地膜１１に対
して遠紫外線１３を照射する。図８（ｂ）に示す遠紫外
線１３の照射工程は、具体的には、遠紫外線１３の照射
処理（以下、ランプモードと称する）と、ヒーター７０
による半導体基板１０に対する加熱処理（以下、加熱モ
ードと称する）との組み合わせ処理から構成される。組
み合わせ処理の総処理時間は１５５秒である。ランプモ
ードは、組み合わせ処理の開始より１０秒間はＯＦＦ、
次の２秒間はＯＮ、次の５８秒間はＯＦＦ、次の７５秒
間はＯＮ、次の１０秒間はＯＦＦに設定される。加熱モ
ードは、組み合わせ処理の開始より７０秒間は加熱温度
１００℃、次の８５秒間は加熱温度１４０℃に設定され
る。
【００９５】次に、図８（ｃ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の有機
薄膜２０を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって（図３参照）、有機
薄膜２０を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を１．５ｍｌとす
る。
【００９６】以上に説明した工程によって形成された有
機薄膜２０（厚さ６０ｎｍ程度）には塗布むらの発生は
見られなかった。また、有機薄膜２０の膜厚均一性はレ
ンジで２ｎｍ程度以下と、第１の実施形態よりもさらに
良好であった。
【００９７】その後、図示は省略しているが、有機薄膜
２０上にレジスト膜を形成した後、有機薄膜２０を反射
防止膜としてレジスト膜に対して露光を行ない、その
後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る。
【００９８】すなわち、第３の実施形態によると、半導
体基板１０上に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン
窒化酸化膜よりなる下地膜１１に対して遠紫外線１３を
照射を行なった後、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートを溶剤として含む有機材料を用いて、
下地膜１１上に有機薄膜２０を形成する。このため、下
地膜に対して遠紫外線の照射を行なわず且つプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートを含む有機材
料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の
有機材料を用いた場合にも有機薄膜２０に塗布むらが生
じることを抑制できるので、有機薄膜２０の膜厚均一性
を向上させることができる。従って、有機薄膜２０より
なる反射防止膜を均一に形成できるため、反射防止膜上
にレジスト膜を均一に形成できるので、レジストパター
ンを微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微
細化できる。
【００９９】また、第３の実施形態によると、第１の実
施形態と比べて、下地膜１１に対して湿式洗浄処理を行
なう工程（図１（ｂ）参照）を省略できるので、有機薄
膜形成工程を簡単化できると共に、有機薄膜形成工程に
要する処理時間を短縮できる。
【０１００】尚、第３の実施形態において、有機薄膜２
０の膜厚は特に限定されるものではないが、該膜厚が１
００ｎｍ程度以下であると、従来の有機膜形成方法と比
べて、塗布むら発生を抑制する効果が顕著になる。ま
た、第３の実施形態において、膜厚６０ｎｍ程度の有機
薄膜２０を形成したが、膜厚２０ｎｍ程度の極薄の有機
薄膜を本実施形態の方法により形成した場合にも塗布む
らの発生は見られなかった。
【０１０１】また、第３の実施形態において、有機薄膜
２０を形成するために半導体基板１０に滴下する有機材
料の液量は特に限定されるものではないが、該有機材料
の液量が０．８ｍｌ以上であると、有機薄膜２０におけ
る塗布むらの発生を確実に防止できる。また、該有機材
料の液量を大きくしていくと、半導体基板１０上に有機
材料を均一に拡げることが容易になるので、有機薄膜２
０の膜厚均一性が向上することは明らかである。
【０１０２】また、第３の実施形態において、図８
（ｂ）に示す遠紫外線１３の照射工程において、ヒータ
ー７０による加熱処理を行なわなくてもよい。
【０１０３】また、第３の実施形態において、有機薄膜
２０を反射防止膜として形成したが、これに代えて、レ
ジスト膜となる感光性有機膜、又は層間膜となる有機絶
縁膜等を形成してもよい。
【０１０４】また、第３の実施形態において、半導体基
板１０を用いたが、これに代えて、ガラス基板等の他の
基板を用いてもよい。
【０１０５】また、第３の実施形態において、有機薄膜
２０を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜２０を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル、ピ
ルビン酸メチル及びジエチレングリコールジメチルエー
テルのうちの少なくとも１つの溶剤を含むと、本実施形
態と同様の効果が得られる。しかし、有機薄膜２０を形
成するための有機材料の溶剤としてシクロヘキサノン、
ジグライム又はメチルイソブチルケトン等を用いた場合
には、本実施形態と同様の効果は得られず、塗布むらが
発生した。
【０１０６】
【発明の効果】本発明によると、低粘度の有機材料を用
いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制で
きるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることがで
きる。このため、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機薄膜形成方
法における湿式洗浄処理の具体的な様子を示す図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機薄膜形成方
法における有機材料の回転塗布の具体的な様子を示す図
である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の変
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の変
形例に係る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は第１の比較例に係る有機薄膜
形成方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係
る有機薄膜形成方法の各工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は従来の有機膜形成方法の各
工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体基板 １１ 下地膜 １２ 洗浄液 １３ 遠紫外線 １４ 有機薄膜 １５ 第１の有機薄膜 １６ 活性な酸素原子及びオゾン １７ 第２の有機薄膜 １８ 有機薄膜 １９ 有機薄膜 ２０ 有機薄膜 ５０ ノズル ５１ 超音波発振器 ５２ 管 ６０ ウェハチャック ６１ 回転軸 ７０ ヒーター ８０ ウェハチャック ８１ 回転軸 ９０ ノズル ９１ 管 ９２ 有機材料
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月１３日（２００２．２．１
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】本発明に係る第２の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して洗浄液を用
いた湿式洗浄処理を行なう工程と、基板を回転させなが
ら基板上に液状の有機材料を供給することによって、湿
式洗浄処理が行なわれた下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度
以下の有機薄膜を形成する工程とを備え、有機材料は、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチ
ル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプ
ロピオネート、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソ
ルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸
メチル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも１つの
溶剤を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】第２の有機薄膜形成方法によると、シリコ
ン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりなる下地膜に対し
て湿式洗浄処理を行なった後、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピ
オネート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタ
ノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルメ
トキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メチ
ルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む有機材料を用い
て、下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形
成する。このため、前述の溶剤を含む有機材料を用いな
い従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度の有機材料を
用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じることを抑制
できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。従って、有機薄膜がレジスト膜又は反射防止膜
等として形成されている場合には、レジストパターンを
微細化でき、それによって電子デバイスを確実に微細化
できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】本発明に係る第３の有機薄膜形成方法は、
基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よりな
る下地膜を形成する工程と、下地膜に対して遠紫外線を
照射する工程と、基板を回転させながら基板上に液状の
有機材料を供給することによって、遠紫外線が照射され
た下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成
する工程とを備え、有機材料は、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロ
ピオネート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプ
タノン、ピルビン酸エチル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、メチルセルソルブアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル
メトキシプロピオネート、乳酸メチル及びピルビン酸メ
チルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】第３の有機薄膜形成方法によると、基板上
に形成されたシリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜よ
りなる下地膜に対して遠紫外線を照射を行なった後、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、
メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピ
オネート、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブ
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチ
ル及びピルビン酸メチルのうちの少なくとも１つの溶剤
を含む有機材料を用いて、下地膜上に厚さ１００ｎｍ程
度以下の有機薄膜を形成する。このため、下地膜に対し
て遠紫外線の照射を行なわず且つ前述の溶剤を含む有機
材料を用いない従来の有機膜形成方法と比べて、低粘度
の有機材料を用いた場合にも有機薄膜に塗布むらが生じ
ることを抑制できるので、有機薄膜の膜厚均一性を向上
させることができる。従って、有機薄膜がレジスト膜又
は反射防止膜等として形成されている場合には、レジス
トパターンを微細化でき、それによって電子デバイスを
確実に微細化できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７９】次に、図７（ｃ）に示すように、下地膜１
１上に有機材料を回転塗布して厚さ６０ｎｍ程度の有機
薄膜１９を反射防止膜として形成する。具体的には、半
導体基板１０を基板保持機構に保持した状態で半導体基
板１０を回転させながら半導体基板１０の中心部に液状
の有機材料を滴下することによって（図３参照）、有機
薄膜１９を形成する。このとき、有機材料の溶剤として
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを
用いると共に、該有機材料の総滴下量を１．５ｍｌとす
る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８９】また、第２の実施形態において、有機薄膜
１９を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜１９を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜１９を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０５】また、第３の実施形態において、有機薄膜
２０を形成するための有機材料の溶剤としてプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートを用いたが、
有機薄膜２０を形成するための有機材料が、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、メチルメ
トキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネー
ト、２−ヘプタノン、ピルビン酸エチル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、メチルセルソルブアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、エチルメトキシプロピオネート、乳酸メチル及び
ピルビン酸メチルのうちの少なくとも１つの溶剤を含む
と、本実施形態と同様の効果が得られる。しかし、有機
薄膜２０を形成するための有機材料の溶剤としてシクロ
ヘキサノン、ジグライム又はメチルイソブチルケトン等
を用いた場合には、本実施形態と同様の効果は得られ
ず、塗布むらが発生した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｄ 21/312 Ａ 21/312 21/30 ５６３ ５６４Ｄ Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 DA34 EA01 2H096 AA25 CA01 CA06 4D075 AC64 AC92 AC94 AE03 AE27 BB13Y BB20Y BB25Y BB44Y BB45Y BB46Y BB49Y BB65Y BB70Y BB85X CA48 CB02 DA08 DB13 DB14 DC22 DC24 EA07 EA45 EC30 5F046 HA03 HA07 JA13 5F058 AA03 AE02 AE04 AF04 AH02 AH10

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
    化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して洗浄液を用いた湿式洗浄処理を行な
    う工程と、 前記湿式洗浄処理が行なわれた前記下地膜に対して遠紫
    外線を照射する工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
    を供給することによって、前記遠紫外線が照射された前
    記下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成
    する工程とを備えていることを特徴とする有機薄膜形成
    方法。
  2. 【請求項２】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
    化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して洗浄液を用いた湿式洗浄処理を行な
    う工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
    を供給することによって、前記湿式洗浄処理が行なわれ
    た前記下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を
    形成する工程とを備え、 前記有機材料は、プロピレングリコールモノメチルエー
    テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
    テル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エ
    チルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、ピルビ
    ン酸エチル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
    ル、メチルセルソルブアセテート、プロピレングリコー
    ルモノエチルエーテルアセテート、エチルメトキシプロ
    ピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル及びジエチ
    レングリコールジメチルエーテルのうちの少なくとも１
    つの溶剤を含むことを特徴とする有機薄膜形成方法。
  3. 【請求項３】 前記湿式洗浄処理を行なう工程は、前記
    洗浄液中に超音波を透過させる工程を含むことを特徴と
    する請求項１又は２に記載の有機薄膜形成方法。
  4. 【請求項４】 前記下地膜を形成する工程と前記湿式洗
    浄処理を行なう工程との間に、前記下地膜上に他の有機
    膜を形成した後に該他の有機膜を除去する工程をさらに
    備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有
    機薄膜形成方法。
  5. 【請求項５】 基板上にシリコン窒化膜又はシリコン窒
    化酸化膜よりなる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜に対して遠紫外線を照射する工程と、 前記基板を回転させながら前記基板上に液状の有機材料
    を供給することによって、前記遠紫外線が照射された前
    記下地膜上に厚さ１００ｎｍ程度以下の有機薄膜を形成
    する工程とを備え、 前記有機材料は、プロピレングリコールモノメチルエー
    テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
    テル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エ
    チルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、ピルビ
    ン酸エチル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
    ル、メチルセルソルブアセテート、プロピレングリコー
    ルモノエチルエーテルアセテート、エチルメトキシプロ
    ピオネート、乳酸メチル、ピルビン酸メチル及びジエチ
    レングリコールジメチルエーテルのうちの少なくとも１
    つの溶剤を含むことを特徴とする有機薄膜形成方法。
  6. 【請求項６】 前記遠紫外線を照射する工程は、前記基
    板に対して加熱処理を行なう工程を含むことを特徴とす
    る請求項１又は５に記載の有機薄膜形成方法。
  7. 【請求項７】 前記有機薄膜を形成する工程において用
    いられる前記有機材料の液量の合計は０．８ｍｌ以上で
    あることを特徴とする請求項１、２又は５に記載の有機
    薄膜形成方法。
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