TWI439976B - 可撓曲膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法 - Google Patents

Description

可撓曲膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法

本發明關於一種膜自載板上脫離的方法，特別關於一種包含可撓曲膜自載板上脫離的方法。

平面顯示器在朝大面積化發展的同時，具有更輕、更薄及可撓曲的特性將成為未來顯示器主要追求的目標。因此，以塑膠基板製作平面顯示面板將成為未來顯示器之發展趨勢。

目前可撓式平面顯示器的電晶體陣列基板的製造方法，係使用現有玻璃基板製程設備來製作。

先將一塑膠基板黏貼在一玻璃基板上(或直接在玻璃基板上塗佈塑膠基板)，再於塑膠基板上進行電晶體(TFT)等元件的製造步驟。此種方式雖能達到片對片(Sheet to Sheet)的製作流程，也達到一般的製程要求，但在完成電晶體等元件製作之後，必須面臨的問題是如何順利的將此具有電晶體陣列的塑膠基板自玻璃基板取下。

塑膠基板會與玻璃載板之間緊密黏著主要是因為用來做為塑膠基板的高分子材料(如：聚碳酸酯(PC)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚亞醯胺(PI)等等)其化學結構上存在許多陰電性強的氧原子(O)、氮原子(N)、甚至氟原子(F)，而玻璃的表面結構中含有部分的矽羥基(-Si-OH)結構，陰電性強的原子極易與-OH上的氫原子產生氫鍵而緊密結合，如第1圖所示。

美國專利US7279401提到將塑膠基板的其中一邊先以刀具切割出一道裂口，再以脫離液從此裂口滲入，慢慢撕離塑膠基板。

中華民國專利200712607揭露形成一離型層於該塑膠基板與玻璃基板之間，於製程完畢後剝離塑膠基板。

本發明之一實施例提出一種可撓曲膜自載板上脫離的方法，係包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之上表面進行一表面處理，以形成一具有離型性的上表面；形成一可撓曲膜於該載板具有離型性的上表面；以及，對形成於該載板上的該可撓曲膜進行切割脫離。

本發明之另一實施例提出一種可撓曲膜自載板上脫離的方法，係包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之上表面進行一表面處理，以形成一具有離型性的上表面；貼附一預先形成之可撓曲膜於該載板具有離型性的上表面；以及，對形成於該載板上的該可撓曲膜進行切割脫離。

本發明之又一實施例亦提供一種可撓式電子裝置的製造方法，包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之部份上表面進行一表面處理，以形成一具離型性區域，而未進行表面處理的部份定義為一具附著性區域；形成一可撓曲膜於該上表面，其中該可撓曲膜覆蓋該具離型性區域及該具附著性區域；形成一電子元件於該可撓曲膜之一上表；以及，對形成於該具離型性區域內的該可撓曲膜進行切割，得到一可撓式電子裝置。

以下藉由數個實施例並配合所附圖式，以更進一步說明本發明，但並非用來限制本發明之範圍，本發明之範圍應以所附之申請專利範圍為準。

以下，請配合圖式，詳細說明本發明之一較佳實施例所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法：

首先，請參照第2a圖，提供一載板10，其中該載板10具有一上表面11。該載板10係為一般具有一定剛性材質的硬基板，其可例如為金屬基板、塑膠基板、陶瓷基板、玻璃或矽晶圓，在此一實施例中，可為一玻璃基板。

接著，請參照第2b及2c圖，對該載板10之上表面11進行一表面處理，以形成一具離型性的上表面15。在此，該表面處理可包含提供一化學試劑13形成於該載板10之上表面11上並與該載板10進行反應(請參照第2b圖)，得到一具離型性的上表面15之載板10(請參照第2c圖)。此外，根據本發明其他實施例，對該載板10之上表面11進行之表面處理係可為電漿處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、或上述之組合。值得注意的是，該載板10之上表面11經該表面處理後，該上表面11其上之能與後續所形成可撓曲膜產生鍵結之官能基係被消耗、覆蓋或置換，導致所得之具離型性的上表面15與後續所形成可撓曲膜之間的附著性大幅降低。在此，該載板上表面之官能基與可撓曲膜可產生之鍵結係包含離子鍵、共價鍵、或氫鍵，其中該能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係包含醇基、羧基、胺基、或酯基。

本發明之一實施例所使用之化學試劑13具有與載板10之上表面11之官能基進行加成反應、脫去反應或取代反應之結構，舉例來說，該化學試劑13可具有以下結構：

其中，w係為C、Si、或Ge；X係為S、或Se；Y係為C或S；

R₁ 、R₂ 、及R₃ 係各自獨立，且係為氫、烴基、烷基、-OR或其結合，其中R係為碳數為介於1~18之烷基；

R₄ 係為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、醯胺基、鹵烷基或其組合；

R₅ 係為Li；以及

R₆ 、R₇ 、及R₈ 係各自獨立且係為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、醯胺基、鹵烷基、或其組合。

舉例來說，該化學試劑13可包含：二甲基氯矽烷、三甲基氯矽烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基矽烷、2-溴丙烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氟矽烷、三甲基溴矽烷、三甲基碘矽烷、三甲基氰矽烷、亞硫醯氯、三乙基氯矽烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫醯氯、叔丁基氯二甲基矽烷、或其混合。該化學試劑13之使用形態並無限制，可為一液態、氣態或固態試劑，較佳係為液態試劑，且其沸點可小於200℃，較佳係小於100℃，更佳係在常溫時就可以乾燥的液體。請參照第3圖，該化學試劑(在此以亞硫醯氯(thionyl chloride)為例)可與所接觸之載板10(例如：玻璃)上的醇基(-OH)進行反應，並將其轉換成其他非醇基之官能基(不會與可撓曲膜產生氫鍵)。

接著，請參照第2d圖，形成一可撓曲膜16於該載板10之具離型性的上表面15上。其中該可撓曲膜可例如為高分子膜，包含：聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)，而形成方法可為蒸鍍、或是溼式塗佈方式形成於該載板10上。在此一實施例中，由於該載板10之具離型性的上表面15表面能與該可撓曲膜16產生鍵結之官能基(例如醇基(-OH))已被該化學試劑13消耗並轉換成其他不會與可撓曲膜產生鍵結之官能基，不會有在醇基上的氫原子來和該可撓曲膜16來產生氫鍵。因此，該可撓曲膜16與經表面處理的載板附著度(adherence)，與未經表面處理的玻璃載板相比，會大幅下降。最後，請參照第2e圖，對該可撓曲膜16進行切割及分離。

在本發明另一實施例中，係利用電漿作為表面處理之手段，主要係利用電漿來處理載板之表面，例如：以氬氣為載氣，反應氣氛可為CF₂ 、CF₃ 或含矽基氣體，在大氣壓的環境下形成電漿，使其消耗或取代載板上表面之官能基，形成該具離型性之上表面。

此外，本發明一實施例所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，亦可進一步用於高分子基材的製造上，請參照以下實施例。

首先，請參照第4a圖，提供一或板10，其中該載板10具有一上表面11。接著，請參照第4b及4c圖，對該載板10之部份上表面11進行一表面處理，以形成一具離型性區域12，而未進行表面處理的部份則定義為一具附著性區域14，並請參照第5圖，其係為第4c圖之上視圖。該表面處理係包含提供一化學試劑13形成於該載板10之部份上表面11上並與該載板10進行反應，形成該具離型性區域12(請參照第4b圖)，得到一包含具離型性區域12之載板10(請參照第4c圖)。所形成之具離型性區域12可以為一圖形化之形式(例如矩形、圓形或其他圖形)；此外，該具離型性區域12亦可包含複數個區塊，如第6圖所示。

接著，請參照第4d圖，形成一可撓曲膜16於該載板10之上表面11上，其中該可撓曲膜16係同時覆蓋該具離型性區域12及該具附著性區域14。值得注意的是，該可撓曲膜16與該載板在該具離型性區域內12的附著度係小於該可撓曲膜與該載板在該具附著性區域內14的附著度，且該具附著性區域14係提供該可撓曲膜16整體在載板10上的固著性，有利於該可撓曲膜16的後續製程。舉例來說，當該可撓曲膜16與該載板10在該具附著性區域14內的附著度(adherence)維持在1B-5B時，該可撓曲膜16與該載板10在該具離型性區域12內的附著度(adherence)係介於0B-1B之間；本發明另一實施例中，當該可撓曲膜16與該載板10在該具附著性區域14內的附著度(adherence)維持在2B-5B時，該可撓曲膜16與該載板10在該具離型性區域12內的附著度(adherence)係介於0B-2B之間。

最後，請參照第4e圖，延一切割線17對形成於該具離型性區域12內的該可撓曲膜16進行切割，得到一可撓曲基材20。該切割線17可落在該具離型性區域12(也就是經過化學試劑處理過的載板10)的邊緣，如此該可撓曲基材20之尺寸則與該具離型性區域12之尺寸相同。此外，請參照第7圖，該切割線17亦可落在該具離型性區域12(也就是經過化學試劑處理過的載板10)的內側，如此該可撓曲基材20之尺寸則小於該具離型性區域12之尺寸。

本發明一實施例所述之對該載板進行之表面處理，其所使用之化學試劑可利用浸泡技術、旋轉塗佈技術、壓印技術、刮印技術、或滾輪塗佈技術形成於該載板10之上。

根據本發明之一實施例，該化學試劑13係以旋轉塗佈形於一載板10上。首先，請參照第8a圖，利用微影技術，在該載板10上形成一圖形化光阻層22，並露出欲形成該具離型性區域之上表面11；接著，請參照第8b圖，利用旋轉塗佈方式形成該化學試劑13於該露出之上表面11；待化學試劑13與載板10反應後即可形成具離型性區域12，之後移除該光阻層22，請參照第8c及8d圖。

此外，根據本發明另一實施例，該化學試劑13係以壓印技術形於一載板10上。首先，請參照第9a圖，在一模板24上形成一化學試劑13塗層，並將該模板24與該載板10進行對位(alignment)，使得該化學試劑13塗層對準欲形成該具離型性區域之上表面11；接著，請參照第9b圖，將該模板24壓印(imprint)至該載板10；待化學試劑13與載板10反應形成具離型性區域12後，移除該模板24，請參照第9c及9d圖。

再者，根據本發明又一實施例，該化學試劑13係以刮印或滾輪塗佈技術形於一載板10上。首先，請參照第10a及10b圖，利用一滾輪26(或刮刀)朝一塗佈方向27，將化學試劑13塗佈於欲形成該具離型性區域之上表面11，即可得到具離型性區域12，請參照第10c及10d圖。此外，亦可以滾輪式凸版印製技術將化學試劑13圖案化塗佈於該載板10之上表面11，用以形成圖案化之具離型性區域12，請參照第11a及11b圖。

本發明之一實施例亦提供一種可撓式電子裝置的製造方法，根據本發明一實施例所述，在完成第4d圖所述之將可撓曲膜16形成於該載板10之上表面的製程後，請參照第12a圖，可以將一電子元件28形成於該可撓曲膜16之一上表面19，接著在對形成有電子元件28的可撓曲膜16進行切割，即可得到一可撓式電子裝置30，請參照第12b圖。其中該電子元件28的種類並無特別之限制，可為習知任何可形成於高分子基材上的電子元件，包含：電晶體陣列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽能電池、半導體電路、或其組合。

此外，根據本發明另一實施例所述，在形成該可撓曲膜16於該載板10前，可先形成一機能性膜32(functional film)於該載板10之上，其中該機能性膜32係同時覆蓋該具離型性區域12及該具附著性區域14，請參照第13圖。此外，該機能性膜32並非為一離型膜，相反的該機能性膜32係為該可撓式電子裝置30之組成單元之一，因此在對可撓曲膜16進行切割並剝離載板後，並不會將其移除。該機能性膜32可以為任何可搭配高分子基材功能需求的膜層，例如：應力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其組合。

根據本發明又一實施例所述，若是該可撓曲膜16係預先形成，再以貼附方式形成於該載板10上時，該機能性膜32亦可預先形成於該可撓曲膜16之一下表面21，而當該可撓曲膜16形成於載板10上時，係以該機能性膜32覆蓋該具離型性區域12及該具附著性區域14，如第14圖所示。

本發明一實施例所述之高分子基材及可撓式電子裝置的製造方法，可使切割後的可撓曲膜16完整的由載板10上剝離，該方法係利用反應使載板表面易與可撓曲膜形成鍵結的官能基消耗(或是覆蓋、取代，使失去活性)掉。本發明一實施例的優點在於載板表面處理之製程簡單，且載板表面處理之方法便宜、易取得且耐熱性佳，可不需擔心在後續製程中會因受熱產生形變或釋放出氣體的問題。此外，當可撓曲基材自載板上剝離後，該已進行表面處理的載板可以回收重覆使用，無須再給予一次表面處理步驟。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為基準。

10．．．載板

11．．．上表面

12．．．具離型性區域

13．．．化學試劑

14．．．具附著性區域

15．．．具離型性的上表面

16．．．可撓曲膜

17．．．切割線

19．．．可撓曲膜上表面

20．．．可撓曲基材

21．．．可撓曲膜下表面

22．．．光阻層

24．．．模板

26．．．滾輪

27．．．塗佈方向

28．．．電子元件

30．．．可撓式電子裝置

以及

32．．．機能性膜

第1圖係為一示意圖，係顯示塑膠基板之強陰電性原子與玻璃載板之醇基易產生氫鍵，而使得塑膠基板與玻璃載板緊密結合。

第2a-2e圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法。

第3圖顯示本發明一實施例所述之經表面處理的載板，該載板經表面處理後其上的醇基並轉換成其他非醇基之官能基。

第4a-4e圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述之高分子基材的製造流程。

第5圖係為第4c圖所示結構之上視圖。

第6圖係顯示本發明另一實施例所述經表面處理的載板，其包含一經圖形化的具離型性區域。

第7圖係為一剖面圖，顯示切割所得之高分子基材其尺寸可小於該具離型性區域之尺寸。

第8a-8d圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述以旋轉塗佈方式將化學試劑與載板反應，形成具離型性區域的製造流程。

第9a-9d圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述以壓印方式將化學試劑與載板反應，形成具離型性區域的製造流程。

第10a-10d圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述以滾輪塗佈方式將化學試劑與載板反應，形成具離型性區域的製造流程。

第11a-11b圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述以以滾輪式凸版印製技術將化學試劑與載板反應，形成圖案化具離型性區域的製造流程。

第12a-12b圖係為一系列剖面圖，顯示本發明一實施例所述之可撓式電子裝置的製造方法。

第13圖係為一剖面圖，顯示一機能性膜於可配置於該可撓曲膜及該載板之間。

第14圖係為一剖面圖，顯示一機能性膜形成於該可撓曲膜之下表面，再貼附至該載板。

10．．．載板

11．．．上表面

12．．．具離型性區域

14．．．具附著性區域

16．．．於附著性區域之可撓曲膜

17．．．切割線

20．．．可撓曲基材

Claims (37)

1. 一種可撓曲膜自載板上脫離的方法，包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之上表面進行一表面處理，以形成一具有離型性的上表面，其中該表面處理包含電漿處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、或提供一化學試劑與該載板之上表面進行反應；形成一可撓曲膜於該載板具有離型性的上表面；以及對形成於該載板上的該可撓曲膜進行切割脫離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑膠基板、陶瓷基板、玻璃或矽晶圓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該載板之上表面經該表面處理後，其上之能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係被消耗、覆蓋或置換。
4. 如申請專利範圍第3項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係包含醇基、羧基、胺基、或酯基。
5. 如申請專利範圍第3項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，該載板上表面之官能基與可撓曲膜產生之鍵結係包含離子鍵、共價鍵、或氫鍵。
6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑具有以下結構： 其中，w係為C、Si、或Ge；X係為S、或Se；Y係為C或S；R₁ 、R₂ 、及R₃ 係各自獨立，且係為氫、烴基、烷基、-OR或其結合，其中R係為碳數為介於1~18之烷基；R₄ 係為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、醯胺基、鹵烷基或其組合；R₅ 係為Li；以及R₆ 、R₇ 、及R₈ 係各自獨立且係為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、醯胺基、鹵烷基、或其組合。
7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑包含：二甲基氯矽烷、三甲基氯矽烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基矽烷、2-溴丙烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氟矽烷、三甲基溴矽烷、三甲基碘矽烷、三甲基氰矽烷、亞硫醯氯、三乙基氯矽烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫醯氯、叔丁基氯二甲基矽烷、或其混合。
8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上 脫離的方法，其中該化學試劑係以浸泡技術、旋轉塗佈技術、壓印技術、刮印技術、或滾輪塗佈技術形成於該載板之上表面。
9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該可撓曲膜包含：聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。
10. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，在形成該可撓曲膜於該載板之上表面前，更包含形成一機能性膜於該載板之上，其中該機能性膜包含：應力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其組合。
11. 如申請專利範圍第1項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該可撓曲膜係以溼式塗佈或蒸鍍方式形成於該載板之上表面。
12. 一種可撓曲膜自載板上脫離的方法，包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之上表面進行一表面處理，以形成一具有離型性的上表面，其中該表面處理包含電漿處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、提供一化學試劑與該載板之上表面進行反應、或上述之組合；貼附一預先形成之可撓曲膜於該載板具有離型性的 上表面；以及對形成於該載板上的該可撓曲膜進行切割脫離。
13. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑膠基板、陶瓷基板、玻璃或矽晶圓。
14. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該載板之上表面經該表面處理後，其上之能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係被消耗、覆蓋或置換。
15. 如申請專利範圍第14項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係包含醇基、羧基、胺基、或酯基。
16. 如申請專利範圍第14項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，該載板上表面之官能基與可撓曲膜產生之鍵結係包含離子鍵、共價鍵、或氫鍵。
17. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑具有以下結構： 其中，w係為C、Si、或Ge；X係為S、或Se；Y係為C或S；R₁ 、R₂ 、及R₃ 係各自獨立，且係為氫、烴基、烷基、-OR或其結合，其中R係為碳數為介於1~18之烷基；R₄ 係為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、醯胺基、鹵烷基或其組合；R₅ 係為Li；以及R₆ 、R₇ 、及R₈ 係各自獨立且係為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、醯胺基、鹵烷基、或其組合。
18. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑包含：二甲基氯矽烷、三甲基氯矽烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基矽烷、2-溴丙烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氟矽烷、三甲基溴矽烷、三甲基碘矽烷、三甲基氰矽烷、亞硫醯氯、三乙基氯矽烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫醯氯、叔丁基氯二甲基矽烷、或其混合。
19. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑係以浸泡技術、旋轉塗佈技術、壓印技術、刮印技術、或滾輪塗佈技術形成於該載板之上表面。
20. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，其中該可撓曲膜包含：聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene, PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。
21. 如申請專利範圍第12項所述之可撓曲膜自載板上脫離的方法，在貼附該可撓曲膜於該載板之上表面前，更包含形成一機能性膜於該載板之上，其中該機能性膜包含：應力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其組合。
22. 一種可撓式電子裝置的製造方法，包含：提供一載板，其中該載板具有一上表面；對該載板之部份上表面進行一表面處理，以形成一具離型性區域，而未進行表面處理的部份定義為一具附著性區域，其中該表面處理包含電漿處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、提供一化學試劑與該載板之上表面進行反應、或上述之組合；形成一可撓曲膜於該上表面，其中該可撓曲膜覆蓋該具離型性區域及該具附著性區域；形成一電子元件於該可撓曲膜之一上表面；以及對形成於該具離型性區域內的該可撓曲膜進行切割，得到一可撓式電子裝置。
23. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該載板包含金屬基板、塑膠基板、陶瓷基板、玻璃或矽晶圓。
24. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該載板之上表面經該表面處理後，其上 之能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係被消耗、覆蓋或置換。
25. 如申請專利範圍第24項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該能與可撓曲膜產生鍵結之官能基係包含醇基、羧基、胺基、或酯基。
26. 如申請專利範圍第24項所述之可撓式電子裝置的製造方法，該載板上表面之官能基與可撓曲膜產生之鍵結係包含離子鍵、共價鍵、或氫鍵。
27. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該化學試劑具有以下結構： 其中，w係為C、Si、或Ge；X係為S、或Se；Y係為C或S；R₁ 、R₂ 、及R₃ 係各自獨立，且係為氫、烴基、烷基、-OR或其結合，其中R係為碳數為介於1~18之烷基；R₄ 係為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、醯胺基、鹵烷基或其組合；R₅ 係為Li；以及 R₆ 、R₇ 、及R₈ 係各自獨立且係為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、醯胺基、鹵烷基、或其組合。
28. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該化學試劑包含：二甲基氯矽烷、三甲基氯矽烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基矽烷、2-溴丙烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氟矽烷、三甲基溴矽烷、三甲基碘矽烷、三甲基氰矽烷、亞硫醯氯、三乙基氯矽烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫醯氯、叔丁基氯二甲基矽烷、或其混合。
29. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該化學試劑係以浸泡技術、旋轉塗佈技術、壓印技術、刮印技術、或滾輪塗佈技術形成於該載板之上表面。
30. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該可撓曲膜包含：聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)或聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)。
31. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，在形成該可撓曲膜於該載板之上表面前，更包含形成一機能性膜於該載板之上，其中該機能性膜包含：應力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其結合。
32. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該可撓曲膜係以溼式塗佈或蒸鍍方式形成於該載板之上表面。
33. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該可撓曲膜係預先形成，並以貼附方式形成於該載板之上表面。
34. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中，該可撓曲膜與該載板在該具離型性區域內的附著度係小於該可撓曲膜與該載板在該具附著性區域內的附著度。
35. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該可撓式電子裝置之尺寸係與該具離型性區域之尺寸相同。
36. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該可撓式電子裝置之尺寸係小於該具離型性區域之尺寸。
37. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式電子裝置的製造方法，其中該電子元件包含：電晶體陣列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽能電池、半導體電路、或其組合。