TWI398949B - 模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及封裝結構 - Google Patents
模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及封裝結構 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI398949B TWI398949B TW098128593A TW98128593A TWI398949B TW I398949 B TWI398949 B TW I398949B TW 098128593 A TW098128593 A TW 098128593A TW 98128593 A TW98128593 A TW 98128593A TW I398949 B TWI398949 B TW I398949B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- image sensor
- package structure
- sensor package
- mold
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 22
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/804—Containers or encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,特別為一種應用於影像感測器之模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構。
傳統影像感測器封裝結構(Image sensor package)主要是將影像感測晶片(Sensor chip)放置於一基板上,並且可藉由金屬導線電性連接影像感測晶片及基板,之後可再將一透光蓋(例如玻璃)設置於影像感測晶片的上方,進而使光線可穿透過透光蓋並被影像感測晶片所擷取。因此,完成封裝後的影像感測器結構即可供系統廠進行整合至印刷電路板等外部裝置,並可應用於數位相機(DSC)、數位攝影機(DV)、安全監控、行動電話、車用影像感測模組等各式電子產品。
習知製造影像感測器結構之方式主要是將透光蓋預先黏置在影像感測晶片上,以避免外界環境的污染粒子污染了影像感測晶片。而在黏置透光蓋後再設置金屬導線,以使得影像感測晶片可與基板或承載座電性連接後,利用高分子之液態封膠(Liquid Compound)將金屬導線包覆在其中,但是由於液態封膠的成本極高,並且需利用點膠(dispensing)方式設置,因此造成影像感測器製造速度慢及成本高之缺點。
為了解決上述問題,在美國專利第7,312,106號案所揭露的一種封裝具有感測表面晶片之方法(method for encapsulating a chip having a sensitive surface),其係將具有感測表面的晶片放置在承載器上,並且電性連接晶片及承載器上的接觸焊點,接著沿著感測表面的周圍塗佈一封閉的攔壩(dam),以使得攔壩之中定義出一開口,並藉由放置一透光蓋而封閉攔壩之開口。最後將晶片及承載器放置於模具中,並注入封裝材料於模具之模穴中,以利用模具轉移成型後烘烤以完成影像感測器之封裝。
在上述前案中使用的模具包括了一上模具及一下模具,並且上模具可具有一插入部,並且與晶片的感測表面相對設置,以使得封裝材料可完全包覆透光蓋的邊緣,但不包覆到透光蓋的中央上表面,藉以保護透光蓋周邊的結構。但是具有插入部的上模具製作成本較高,因此對於降低影像感測器製造成本來說實在是相當有限。另外,此前案亦有提出以不具有插入部的上模具製造影像感測器結構,但是由於是直接以上模具施壓於透光蓋上,因此需要在上模具與透光蓋之間加設彈性材料,以避免透光蓋因此而受損,但是以此方式製造影像感測器結構仍是具有損壞影像感測器結構之疑慮,並且造成影像感測器製造良率下降的問題。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,藉由在透光蓋上設置攔壩,以避免模具需直接施壓於透光蓋上之問題,進而達到提高影像感測器結構之製造良率。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,由於透光蓋上設置有攔壩,因此塑模封膠可環繞設置於晶片、透光蓋及攔壩的四周,藉以延長水氣入侵的途徑。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,利用攔壩之設置用以延長水氣入侵的途徑,以提升影像感測器封裝結構之可靠度。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,藉由以模造之方式製造影像感測器封裝結構,以大幅縮短製程的週期時間(Cycle Time),進而提升單位時間產出(throughput)。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,利用模造成型而大量以批次方式(batch-type)生產,進而降低製程成本。
本發明係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及其影像感測器封裝結構,以避免習知使用液態封膠所造成的材料成本高及以點膠方式生產所造成製程速度慢之缺點。
為達上述功效,本發明係提供一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法,其包括下列步驟:提供待封裝之一影像感測器半成品,並且影像感測器半成品具有:一基板,其具有一承載面,並且承載面上形成有複數個第一導電接點;至少一晶片,其具有:一第一表面;一第二表面;以及複數個第二導電接點,其中第一表面係結合於承載面上,而第二表面上具有一
感光區,並且第二導電接點圍繞設置於感光區之周圍,又第二導電接點係與第一導電接點電性連接;以及至少一透光蓋,其係分別設置於第二表面上,並覆蓋於感光區之上方以形成一氣室;設置一攔壩於透光蓋上,其係沿著透光蓋之頂面邊緣設置;藉由一模具將影像感測器半成品包覆於其中,並且模具具有一上模具及一下模具,其中上模具係與攔壩之頂面相接觸,而下模具則與基板之底面相接觸,並形成有一模穴;以及注入一塑模封膠於模穴中,以模造成型一影像感測器封裝結構後開模並烘烤固化;其中攔壩係為一環氧樹脂或一膠膜。
為達上述功效,本發明又提供一種模造成型之影像感測器封裝結構,其包括:一基板,其具有一承載面,並且承載面上形成有複數個第一導電接點;一晶片,其具有:一第一表面,其係結合於承載面上;一第二表面,其係具有一感光區;以及複數個第二導電接點,其係圍繞設置於感光區之周圍,又第二導電接點係與第一導電接點電性連接;一透光蓋,其係設置於第二表面上,並覆蓋於感光區之上方以形成一氣室;一攔壩,其係沿著透光蓋之頂面邊緣設置;以及一塑模封膠,其係包覆住晶片、透光蓋及攔壩的四周;其中攔壩係為一環氧樹脂或一膠膜。
藉由本發明的實施,至少可達到下列進步功效:
一、藉由在透光蓋上設置攔壩,以避免模具需直接施壓於透光蓋上之問題,並可防止透光蓋因受壓而損壞,進而達到提高影像感測器結構之製造良率。
二、由於在透光蓋上設置有攔壩,因此無需再因應各種不同透
光蓋之大小而開立不同尺寸具有插入部之上模具,因此可大幅降低開立模具之成本。
三、藉由在透光蓋上設置攔壩以使得塑模封膠可環繞封裝於晶片、透光蓋及攔壩的四周,藉以延長水氣入侵的途徑。
四、利用攔壩之設置用以延長水氣入侵的途徑,以提升影像感測器封裝結構之可靠度。
五、藉由模造方式製造影像感測器封裝結構,用以縮短製程的週期時間,進而提升單位時間產出。
六、利用模造成型並且大量以批次方式生產影像感測器封裝結構,以達到降低影像感測器封裝結構製程成本之功效。
七、避免習知使用液態封膠所產生的材料成本高以及藉由點膠方式封裝影像感測器結構所造成製程速度慢之缺點。
為了使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點,因此將在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點。
第1圖係為本發明之一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法S100之流程實施例圖。第2圖係為本發明之一種影像感測器半成品10之結構實施例圖。第3A圖係為本發明之一種設置有攔壩20之影像感測器半成品10之第一實施態樣。第3B圖係為第3A圖之俯視實施例圖。第4A圖係為本發明之一
種以模具包覆設置有攔壩20之影像感測器半成品10之第一實施態樣。第4B圖係為本發明之一種注入塑模封膠40於模具之模穴33之第一實施態樣。第4C圖係為本發明之一種模造成型之影像感測器封裝結構之實施例圖。第5A圖係為本發明之一種設置有攔壩20之影像感測器半成品10之第二實施態樣。第5B圖係為本發明之一種以模具包覆設置有攔壩20之影像感測器半成品10之第二實施態樣。第5C圖係為本發明之一種注入塑模封膠40於模具之模穴33之第二實施態樣。第5D圖係為將第5C圖中模具開模後之實施例示意圖。第5E圖係為將第5D圖中之模造成型之影像感測器封裝結構切割為單體之實施例示意圖。第6A圖係為本發明之一種基板10之底面114設置有焊墊60之第一實施態樣。第6B圖係為本發明之一種基板10之底面114設置有焊墊60之第二實施態樣。
如第1圖所示,本實施例係為一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法S100,其包括下列步驟:提供待封裝之一影像感測器半成品S10;設置一攔壩於透光蓋上S20;藉由一模具將影像感測器半成品包覆於其中S30;注入一塑模封膠於模穴中S40;以及模造成型影像感測器封裝結構並開模及烘烤固化S50。
提供待封裝之一影像感測器半成品S10:如第2圖所示,提供待封裝之一影像感測器半成品10,並且待封裝之影像感測器半成品10具有:一基板11;至少一晶片12;以及至少一透光蓋13(Transparent Lid),又或者如第5A圖所示,可使複數個晶片12設置於同一基板11上,進而可同時製造複數個影像感
測器封裝結構。
基板11,其係為一般影像感測器所使用的基板11,並且可以為一電路基板,而且基板11具有一承載面111,用以承載晶片12,另外在承載面111上又形成有複數個第一導電接點112(如第3B圖所示)。
晶片12係以一第一表面121與基板11之承載面111結合,以使得晶片12可設置於基板11上,又晶片12與基板11間可設置有一膠黏層113,藉以將晶片12黏著於基板11上,並且晶片12可以為一互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)影像感測晶片或一電荷耦合元件(Charged Couple Device,CCD),可用以感測光線。此外,晶片12具有複數個感光元件以及複數個第二導電接點124(如第3B圖所示),其中感光元件係設置於晶片12的第二表面122上以形成一感光區123,而在感光區123的周圍圍繞設置有第二導電接點124,並且第二導電接點124係用以與感光元件電性連接,而且可藉由金屬導線15以打線之方式使晶片12上的第二導電接點124及基板11上的第一導電接點112電性連接,其中上述晶片12的第一表面121即為晶片12的下表面,而晶片12的第二表面122即為晶片12的上表面。
透光蓋13,其係用以保護晶片12並可避免污染物污染晶片12上的感光區123,而且光線可透射過透光蓋13並且入射至晶片12的感光區123上。透光蓋13係以一黏著層14黏附於一晶片12的第二表面122上以覆蓋感光區123的上方,以使得透光蓋13與晶片12間形成一氣室,並且黏著層14可以
為一環氧樹脂。由於黏著層14係設置於感光區123與第二導電接點124間,並不會覆蓋到感光區123,因此並不影響到晶片12感測光線的功能。
設置一攔壩於透光蓋上S20:如第3A圖及第5A圖所示,設置一攔壩20(Dam)於透光蓋13上,並且攔壩20是沿著透光蓋13的周圍設置,而且並不會覆蓋到晶片12的感光區123(如第3B圖所示)的上方,因此光線仍可順利地穿透過透光蓋13入射至晶片12的感光區123。而攔壩20可以為一環氧樹脂(Epoxy)或一膠膜(Film),可先將環氧樹脂或膠膜(Film),預先塗布在預定的位置,並可利用紫外光照射或烘烤使其半固化,藉此使其可保持適度彈性,並在後續的製程中再度加以烘烤以使其完全固化。
藉由一模具將影像感測器半成品包覆於其中S30:如第4A圖及第5B圖所示,模具包括一下模具31及一上模具32,其中下模具31係設置於基板11的底面114,並且與基板11的底面114相接觸,上模具32的側壁321則設置於基板11的頂面上,並與下模具31分別夾持住基板11的承載面111及底面114。此外,上模具32內部的上表面係為一平面,並且上模具32內部的上表面係與攔壩20的頂面相接觸,以使得上模具32與下模具31間形成一模穴33。
注入一塑模封膠於模穴中S40:如第4B圖及第5C圖所示,將塑模封膠40注入上模具32及下模具31所形成的模穴33中,因此塑模封膠40得以將金屬導線15包覆在其中,並包覆住晶片12、透光蓋13及攔壩20的四周。因為攔壩20可在
透光蓋13及上模具32之間形成擋牆,因此藉由攔壩20的設置,塑模封膠40可被攔壩20阻隔於透光蓋13之外,而不會溢流至透光蓋13上表面的中央區域,並且上模具32直接壓制於攔壩20上,所以可避免上模具32直接與透光蓋13接觸,以防止透光蓋13受損或是透光蓋13表面受到污染等問題之產生。
模造成型影像感測器封裝結構並開模及烘烤固化S50:藉由上模具32及下模具31使塑模封膠40轉移成型(Transfer Molding),並在開模後再進行後烘烤固化(Post Mold Cure),以使得影像感測器封裝結構成為如第4C圖之結構,並且在進行後烘烤固化的同時,也完成了攔壩20的烘烤的程序,以使得攔壩20完全的固化。
此外,最後還可包括一焊球植球步驟,例如第4C圖及第5D圖所示,可在基板11的底面114上植入複數個焊球50(Solder Ball),並使得焊球50可以藉由基板11中的電路結構與承載面111上的第一導電接點112電性連接,藉此可利用焊球50使影像感測器封裝結構可與其他的電路裝置進行電性連接。
由於塑模封膠40的材料成本較原有的液態封膠(Liquid Compound)的材料成本來得低,因此以塑模封膠40取代原有的液態封膠可大幅降低封裝的材料成本。此外,由於液態封膠需以點膠(Dispensing)方式塗膠,因此產出非常地慢,但是改用塑模封膠40則可使用轉移成型(Transfer Molding)技術使塑模封膠40成型,因此可大幅縮短製程的週期時間(Cycle Time),進
而提升單位時間產出(throughput)並可間接降低成本。此外,因為在透光蓋13上多了一圈攔壩20,所以可延長水氣入侵至晶片12的路徑,進而可達到有效提高影像感測器封裝結構的可靠度。
又如第5A圖至第5E圖所示,上述之模造成型之影像感測器封裝結構製造方法S100亦可以應用於同時製造複數個影像感測器封裝結構,其將設置有複數個晶片12之基板11放置於一模具中(如第5B圖所示),並將塑模封膠40注入模具所形成的模穴33中(如第5C圖所示),以使得塑模封膠40轉移成型後再開模並進行後烘烤固化。此外還可在進行後烘烤固化後植上焊球50,以使得焊球50可藉由基板11中的電路結構與基板11上的第一導電接點112電性連接,以便利用焊球50使影像感測器封裝結構與其他的電路裝置進行電性連接。最後如第5D圖及第5E圖所示,當完成影像感測器封裝結構之後烘烤固化及焊球植球步驟後,可再進一步進行一切割步驟,以利用切割技術切割複數個已封裝完成之影像感測器封裝結構,使其成為影像感測器封裝結構單體,藉此可更有效地提升單位時間產出。
此外如第6A圖及第6B圖所示,基板11之底面114除了可植上焊球50外,也可設置有焊墊60,並與基板11內部的電路結構電性連接,以使得焊墊60可與基板11上的第一導電接點112電性連接,以便利用焊墊60使影像感測器封裝結構可與其他的電路裝置進行電性連接。更佳的是,焊墊60可以環繞設置於底面114之周緣(如第6A圖所示),或是以一陣列方
式排列(如第6B圖所示)。
此外,模造成型之影像感測器封裝結構可應用於車用影像感測器,並可使影像感測器封裝結構具有可有效阻擋水氣入侵之優點。
惟上述各實施例係用以說明本發明之特點,其目的在使熟習該技術者能瞭解本發明之內容並據以實施,而非限定本發明之專利範圍,故凡其他未脫離本發明所揭示之精神而完成之等效修飾或修改,仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。
10‧‧‧影像感測器半成品
11‧‧‧基板
111‧‧‧承載面
112‧‧‧第一導電接點
113‧‧‧膠黏層
114‧‧‧底面
12‧‧‧晶片
121‧‧‧第一表面
122‧‧‧第二表面
123‧‧‧感光區
124‧‧‧第二導電接點
13‧‧‧透光蓋
14‧‧‧黏著層
15‧‧‧金屬導線
20‧‧‧攔壩
31‧‧‧下模具
32‧‧‧上模具
321‧‧‧側壁
33‧‧‧模穴
40‧‧‧塑模封膠
50‧‧‧焊球
60‧‧‧焊墊
第1圖係為本發明之一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法之流程實施例圖。
第2圖係為本發明之一種影像感測器半成品之結構實施例圖。
第3A圖係為本發明之一種設置有攔壩之影像感測器半成品之第一實施態樣。
第3B圖係為第3A圖之俯視實施例圖。
第4A圖係為本發明之一種以模具包覆設置有攔壩之影像感測器半成品之第一實施態樣。
第4B圖係為本發明之一種注入塑模封膠於模具之模穴之第一實施態樣。
第4C圖係為本發明之一種模造成型之影像感測器封裝結構之實施例圖。
第5A圖係為本發明之一種設置有攔壩之影像感測器半成品之第二實施態樣。
第5B圖係為本發明之一種以模具包覆設置有攔壩之影像感測器半成品之第二實施態樣。
第5C圖係為本發明之一種注入塑模封膠於模具之模穴之第二實施態樣。
第5D圖係為將第5C圖中模具開模後之實施例示意圖。
第5E圖係為將第5D圖中之模造成型之影像感測器封裝結構切割為單體之實施例示意圖。
第6A圖係為本發明之一種基板之底面設置有焊墊之第一實施態樣。
第6B圖係為本發明之一種基板之底面設置有焊墊之第二實施態樣。
S10...提供待封裝之一影像感測器半成品
S20...設置一攔壩於透光蓋上
S30...藉由一模具將影像感測器半成品包覆於其中
S40...注入一塑模封膠於模穴中
S50...模造成型影像感測器封裝結構並開模及烘烤固化
Claims (27)
- 一種模造成型之影像感測器封裝結構製造方法,其包括下列步驟:提供待封裝之一影像感測器半成品,並且該影像感測器半成品具有:一基板,其具有一承載面,並且該承載面上形成有複數個第一導電接點;至少一晶片,其具有:一第一表面;一第二表面;以及複數個第二導電接點,其中該第一表面係結合於該承載面上,而該第二表面上具有一感光區,並且該些第二導電接點圍繞設置於該感光區之周圍,又該些第二導電接點係與該些第一導電接點電性連接;以及至少一透光蓋,其係分別設置於該第二表面上,並覆蓋於該感光區之上方以形成一氣室;設置一攔壩於該透光蓋上,其係沿著該透光蓋之頂面邊緣設置;藉由一模具將該影像感測器半成品包覆於其中,並且該模具具有一上模具及一下模具,其中該上模具係與該攔壩之頂面相接觸,而該下模具則與該基板之底面相接觸,以形成有一模穴;注入一塑模封膠於該模穴中;以及模造成型一影像感測器封裝結構並開模及烘烤固化;其中該攔壩係為一環氧樹脂或一膠膜。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該基板係為一電路基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方 法,其中該晶片係為一互補式金氧半導體影像感測晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該晶片係為一電荷耦合元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該些第二導電接點與該些第一導電接點係利用打線之方式以一金屬導線電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該感光區係由複數個感光元件所形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該透光蓋係以一黏著層黏附於該第二表面上。
- 如申請專利範圍第7項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該黏著層係為一環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該上模具內部之上表面係為一平面,並與該攔壩之頂面相接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該塑模封膠注入於該模穴後,該塑模封膠係包覆住該晶片、該透光蓋及該攔壩的四周。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其進一步包括一焊球植球步驟,其係將複數個焊球設置於該基板之底面,並使該些焊球藉由該基板中之電路結構與該些第一導電接點電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其進一步包括一焊墊設置步驟,其係將複數個焊墊設 置於該基板之底面,並使該些焊墊藉由該基板中之電路結構與該些第一導電接點電性連接。
- 如申請專利範圍第12項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該些焊墊係環繞設置於該基板之底面之周緣。
- 如申請專利範圍第12項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該些焊墊係以一陣列方式排列。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器封裝結構製造方法,其中該影像感測器半成品具有至少二該晶片時,於烘烤固化該影像感測器封裝結構後進一步進行一切割步驟,其係切割該些影像感測器封裝結構使其成為複數個影像感測器封裝結構單體。
- 一種模造成型之影像感測器封裝結構,其包括:一基板,其具有一承載面,並且該承載面上形成有複數個第一導電接點;一晶片,其具有:一第一表面,其係結合於該承載面上;一第二表面,其係具有一感光區;以及複數個第二導電接點,其係圍繞設置於該感光區之周圍,又該些第二導電接點係與該些第一導電接點電性連接;一透光蓋,其係設置於該第二表面上,並覆蓋於該感光區之上方以形成一氣室;一攔壩,其係沿著該透光蓋之頂面邊緣設置;以及一塑模封膠,其係包覆住該晶片、該透光蓋及該攔壩的四周;其中該攔壩係為一環氧樹脂或一膠膜。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該基板係為一電路基板。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該晶片係為一互補式金氧半導體影像感測晶片。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該晶片係為一電荷耦合元件。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該些第二導電接點與該些第一導電接點係利用打線之方式以一金屬導線電性連接。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該感光區係由複數個感光元件所形成。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其中該透光蓋係以一黏著層黏附於該第二表面上。
- 如申請專利範圍第22項所述之影像感測器封裝結構,其中該黏著層係為一環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其進一步包括複數個焊球,其係設置於該基板之底面,並使該些焊球藉由該基板中之電路結構與該些第一導電接點電性連接。
- 如申請專利範圍第16項所述之影像感測器封裝結構,其進一步包括複數個焊墊,其係設置於該基板之底面,並使該些焊墊藉由該基板中之電路結構與該些第一導電接點電性連接。
- 如申請專利範圍第25項所述之影像感測器封裝結構,其中 該些焊墊係環繞設置於該基板之底面之周緣。
- 如申請專利範圍第25項所述之影像感測器封裝結構,其中該些焊墊係以一陣列方式排列。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22940409P | 2009-07-29 | 2009-07-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201104849A TW201104849A (en) | 2011-02-01 |
TWI398949B true TWI398949B (zh) | 2013-06-11 |
Family
ID=43264984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098128593A TWI398949B (zh) | 2009-07-29 | 2009-08-26 | 模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及封裝結構 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8093674B2 (zh) |
EP (1) | EP2282327A3 (zh) |
JP (1) | JP4871983B2 (zh) |
CN (1) | CN101989555B (zh) |
TW (1) | TWI398949B (zh) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8729697B2 (en) * | 2012-01-09 | 2014-05-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor arrangement, a measurement circuit, chip-packages and a method for forming a sensor arrangement |
TW201503334A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | Kingpaktechnology Inc | 影像感測器二階段封裝方法 |
US9859250B2 (en) * | 2013-12-20 | 2018-01-02 | Cyntec Co., Ltd. | Substrate and the method to fabricate thereof |
CN103779286A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-05-07 | 清华大学 | 一种封装结构、封装方法及在封装方法中使用的模板 |
FR3029687A1 (fr) * | 2014-12-09 | 2016-06-10 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation |
EP3234997A4 (en) * | 2014-12-17 | 2018-08-29 | Robert Bosch GmbH | Exposed-die mold package for a sensor and method for encapsulating a sensor that interacts with the environment |
US9634059B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-04-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods of forming image sensor integrated circuit packages |
KR102384157B1 (ko) | 2015-03-04 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
CN105898120B (zh) * | 2016-04-21 | 2019-11-29 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 基于模塑工艺的摄像模组 |
WO2017140092A1 (zh) | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 基于一体封装工艺的摄像模组及其一体基座组件和制造方法 |
US10197890B2 (en) * | 2016-02-18 | 2019-02-05 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Array imaging module and molded photosensitive assembly, circuit board assembly and manufacturing methods thereof for electronic device |
SG11201602031TA (en) * | 2016-03-08 | 2017-10-30 | Tnc Optics & Tech Pte Ltd | A fabrication method of optical sensor cover having a lens |
CN107516651B (zh) * | 2016-06-16 | 2023-08-08 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件和摄像模组及其制造方法 |
CN105681637B (zh) * | 2016-03-15 | 2019-12-31 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 阵列摄像模组及其感光组件和制造方法 |
CN105827916B (zh) * | 2016-04-28 | 2020-07-24 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其制造方法 |
US10908324B2 (en) * | 2016-03-12 | 2021-02-02 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Molded photosensitive assembly of array imaging module |
CN110022424B (zh) * | 2016-03-12 | 2021-08-10 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件和制造方法 |
US10750071B2 (en) | 2016-03-12 | 2020-08-18 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Camera module with lens array arrangement, circuit board assembly, and image sensor and manufacturing method thereof |
US20190148429A1 (en) | 2016-03-12 | 2019-05-16 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | Camera module, and photosensitive component thereof and manufacturing method therefor |
KR102152516B1 (ko) | 2016-03-28 | 2020-09-04 | 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. | 카메라 모듈과 성형 감광성 어셈블리 및 그 제조 방법, 및 전자 장치 |
CN111193852B (zh) * | 2016-03-28 | 2021-10-15 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其制造方法 |
JP6952052B2 (ja) | 2016-04-21 | 2021-10-20 | ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッドNingbo Sunny Opotech Co.,Ltd. | 統合パッケージング技術に基づいたカメラモジュールおよびアレイカメラモジュール |
KR102199508B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2021-01-06 | 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. | 촬영 모듈과 그 몰딩 회로기판 컴포넌트 및 몰딩 감광 컴포넌트와 제조방법 |
US10388684B2 (en) | 2016-10-04 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor packages formed using temporary protection layers and related methods |
CN108401094B (zh) * | 2017-02-08 | 2024-06-11 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 阵列摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及带有阵列摄像模组的电子设备 |
DE102017106407A1 (de) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen |
US20180315894A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and a method of manufacturing the same |
CN109905574A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 纮华电子科技(上海)有限公司 | 一种摄像头模组及其封装方法 |
CN111370431B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-04-18 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 光电传感集成系统的封装方法 |
CN114698363A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 适配器组件的制造方法、适配器 |
EP4318589A4 (en) * | 2021-03-26 | 2024-08-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SEMICONDUCTOR HOUSING AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR HOUSING |
KR20240125555A (ko) * | 2021-12-13 | 2024-08-19 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 전자 기기 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN114256279A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Cis芯片的封装方法 |
WO2024257483A1 (ja) * | 2023-06-14 | 2024-12-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7059040B1 (en) * | 2001-01-16 | 2006-06-13 | Amkor Technology, Inc. | Optical module with lens integral holder fabrication method |
EP1708279A2 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device module, and method of fabricating the optical device module |
TW200917400A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-16 | Powertech Technology Inc | Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266197B1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-07-24 | Amkor Technology, Inc. | Molded window array for image sensor packages |
US6492699B1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-12-10 | Amkor Technology, Inc. | Image sensor package having sealed cavity over active area |
EP1246235A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-02 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface |
US7199438B2 (en) * | 2003-09-23 | 2007-04-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Overmolded optical package |
JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP2006179718A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Sony Corp | 青色光学素子パッケージ及び光学素子パッケージの製造方法 |
JP4382030B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2009-12-09 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4825538B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-11-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI289916B (en) * | 2006-03-24 | 2007-11-11 | Advanced Semiconductor Eng | Chip package and package process thereof |
JP2008305845A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
US20090134481A1 (en) * | 2007-11-28 | 2009-05-28 | Analog Devices, Inc. | Molded Sensor Package and Assembly Method |
JP2009152481A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 撮像用半導体装置および撮像用半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-08-26 TW TW098128593A patent/TWI398949B/zh active
- 2009-09-10 CN CN2009101737283A patent/CN101989555B/zh active Active
- 2009-09-17 JP JP2009216260A patent/JP4871983B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-22 US US12/603,591 patent/US8093674B2/en active Active
- 2009-11-23 EP EP20090176774 patent/EP2282327A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7059040B1 (en) * | 2001-01-16 | 2006-06-13 | Amkor Technology, Inc. | Optical module with lens integral holder fabrication method |
EP1708279A2 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device module, and method of fabricating the optical device module |
TW200917400A (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-16 | Powertech Technology Inc | Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2282327A2 (en) | 2011-02-09 |
JP4871983B2 (ja) | 2012-02-08 |
CN101989555A (zh) | 2011-03-23 |
JP2011035360A (ja) | 2011-02-17 |
TW201104849A (en) | 2011-02-01 |
US20110024861A1 (en) | 2011-02-03 |
EP2282327A3 (en) | 2012-05-09 |
CN101989555B (zh) | 2013-05-29 |
US8093674B2 (en) | 2012-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI398949B (zh) | 模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及封裝結構 | |
TWI414060B (zh) | 模造成型之免調焦距影像感測器構裝結構及其製造方法 | |
TWI437700B (zh) | 晶圓級影像感測器構裝結構之製造方法 | |
TWI466278B (zh) | 晶圓級影像感測器構裝結構及其製造方法 | |
TWI425825B (zh) | 免調焦距影像感測器封裝結構 | |
TWI425597B (zh) | 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構 | |
CN102077351B (zh) | 使用垫片封胶封装图像传感器的装置和方法 | |
US6906403B2 (en) | Sealed electronic device packages with transparent coverings | |
TWI449162B (zh) | 具有特定焦距之晶圓級影像感測器模組之製造方法 | |
US7242068B2 (en) | Photosensitive semiconductor package, method for fabricating the same, and lead frame thereof | |
TWI414027B (zh) | 晶片尺寸封裝件及其製法 | |
US20090256222A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
CN103915393A (zh) | 光电封装体及其制造方法 | |
JP2007311416A (ja) | 固体撮像装置 | |
TWM455258U (zh) | 具有氣室缺口之影像感測器結構 | |
US8003426B2 (en) | Method for manufacturing package structure of optical device | |
KR101159807B1 (ko) | 이미지 센서 패키지 및 제작 방법 | |
US20100142169A1 (en) | Electronic device and process for manufacturing electronic device | |
TW201338142A (zh) | 影像感測器及影像感測器的封裝結構製造方法 | |
CN103311255A (zh) | 影像感测器封装结构及其制造方法 |