TWI248539B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

1248539 A7 _ __B7_ 五、發明説明（1 ) 【發明之詳細說明】 【發明之技術區域】 本發明係一種液晶顯示裝置，其為一種稱為橫向電場驅 動方式（In-Plane Switching Mode Type)之液晶顯示裝置0 【先前技術】 所謂橫向電場驅動方式液晶顯示裝置，係藉中介液晶呈 相對配置之基板中之一側基板之液晶側之各像素區域上形 成像素電極及相對電極，電極之間所發生之電界中，藉由 與基板大致平行之方向上之成分，控制液晶光透過率。 之後，此液晶顯示裝置中，藉由絕緣膜形成像素電極與 相對電極之不同層，其一側電極形成一個大致遍布全像素 區域之透明電極之同時，其另一側之電極延伸至大致遍布 其像素區域全域之電極之一方向上，於該方向之並設方向 上形成一個複數條狀並設透明電極止為一般所知。 此般技術，於 K. TARUMI，M. BREMBER，AND B. SCHULER, IEICE TRANS. ELECTRON., VOL. E79-C NO. 8, PP· 103 5-1039, AUGUST 1996等文獻中有詳細記述。 此外，此液晶顯示裝置中採用稱之為主動矩陣型，例如 於X方向上延伸，於y方向上並設之閘極信號線及y方向上延 伸’於X方向上並設之閘極信號線中所包圍之各像素區域上 ’備有藉由其一側之閘極信號線之掃描訊號之供給所驅動 切換端子，藉此切換端子，其一側之源於汲極信號線之映 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1248539 五、發明説明（2 像’供給於别述之像素電極。 【發明所欲解決之課題及解決手段】 電=門=ΓΓ晶顯示裝置中，其像素電極與相對 Γ:: 界容易留下殘像之缺點為-般話病之 外，仍要求開口之提昇。 有鑑於此，本發明之目的在 _ θ 液晶顯示裝置。 的在仏供—種不易留下殘像之 裝=外，丨一個目的即為提供一個提昇開口率之液晶顯示 下於本發明所揭示之發明物中，其代表性者之簡要說明如 本發明之液晶顯示褒置之特徵為，藉由液晶呈相對配置 之基板之中之-侧之基板上，該液晶侧之像素區域上，傷 有源自於閘極信號線之掃描訊號所驅動之薄膜電晶體，及 藉此薄膜電晶體由源極信號線所提供之像素電極及於此像 素電極之間，造成電界之相對電極，藉由積層絕緣膜於像 素電極之上層形成前述相對電極’其前述積層絕緣膜係以 前述薄膜電晶體之閘極絕緣膜為一部之絕緣膜，無機材料 層與有機材料層之順序積層結構之順序所形成之保護膜， 前述相對電極係由往一方向上延伸，並設於與該一方向交 叉之方向上之複數個帶狀電極所形成，同時，前述像素= 極係由形成於像素區域之大部分區域上之透光性平面狀電 極所形成。 由此所構成之液晶顯示裝置，由於其係由介於像素電極 5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 1248539

與相對電極之間之絕緣膜為無機材料層與有機材料層之順 序積層結構所構成’其透電率可減小，且容易厚膜化，故 不易因於'、基板大致呈垂直之方向上所生之電界而留下殘 像。 此外，本發明之液晶顯示裝置之另一特徵，係由前述之 構成中，複數之各相對電極於汲極信號線呈大致平行之方 向上所形成之同時，其與該汲極信號線重疊，且該汲極信 號線與中心軸大致呈一致之安裝，其具備較該汲極信號^ 更寬幅之相對電極。 此般構成之液晶顯示裝置中，汲極信號線之形成區域中 也同樣地’與其重疊形成相對電極，故開口率得以提昇。 【發明之實施形態】 以下為藉由圖面之本發明之液晶顯示裝置之實施例之說 明。 實施例1 《等效電路》 圖2所示為本發明之液晶顯示裝置之等效電路圖。該圖雖 為等效電路，其亦對應於實際之幾何學配置。 該圖中，有透明基板SUB 1，藉由液晶，此透明基板SUB 1 與另一透明基板SUB2呈相對配置。 前述透明基板SUB 1之液晶側之面係由往圖中X方向上延 伸，y方向上並設之閘極信號線GL及與此閘極信號線GL 相絕緣之y方向上之延伸，X方向上並設之汲極信號線DL所 形成，其各信號線中所圍成之矩形區域即為像素區域，其 -6-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公着) 1248539 A7 B7 五、發明説明（4 ) 各像素區域集合構成表示部AR。 此外，各閘極信號線GL之間，與該閘極信號線GL呈平行 配置，形成相對電壓信號線CL。其各相對電壓信號線CL提 供一信號電壓作為後述映像信號之基準，其與各像素區域 中後述之相對電極CT相接。 於各像素區域中形成一薄膜電晶體TFT，其藉由一側之 閘極信號線GL所提供之掃描訊號電壓而驅動，及一像素電 極PIX，其藉由前述薄膜電晶體TFT得到供給於一側之汲極 信號線DL之映像信號電壓。 此外，於像素電極PIX與相對電壓信號線CL之間形成一 個容量元件Cstg，藉由此容量元件Cstg於前述薄膜電晶體 TFToff之時，提供於像素電極PIX之映像信號可長時間蓄積。 由於各像素區域中之像素電極PIX，對與此像素電極PIX 相鄰接之相對電極CT之間之透明基板SUB1產生具有大致 平行成分之電界，藉此得以控制其所對應之像素區域之液 晶之透過率。 各閘極信號線GL之一端延伸於透明基板之一邊側圖中 左側，於其延伸部上形成一端子部GTM，其與由搭載於該 透明基板SUB 1上之垂直掃描回路所形成之半導體積體電 路GDRC之BUMP相接。此外，各汲極信號線DL之一端也延 伸於透明基板SUB 1之一邊側圖中上侧，於其延伸部上形成 一端子部DTM，其與由搭載於該透明基板SUB1上之映像信 號驅動回路所形成之半導體積體電路DDRC之BUMP相接。 半導體積體電路GDRC，DDRC各自搭載於透明基板SUB1 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1248539 A7 B7 五、發明説明（5 ) 上，故稱為 COG(chip-on-glass)方式。 半導體積體電路GDRC，DDRC之入力側之各BUMP也各 自與形成於透明基板SUB1上之端子部GTM2，DTM2相接， 其各端子部GTM2，DTM2藉由各配線層各自與配置於透明 基板SUB 1之周邊中最接近端面之部分之端子部GTM3， DTM3相接。 此外’各相對電極信號線C L之一端右端，共同連接於延 伸至透明基板SUB1之端邊之端子部CTM。 前述透明基板SUB2，避開前述搭載有前述半導體積體電 路之區域，與SUB 1呈相對配置，其面積亦較透明基板SUB 1 為小。 相對於透明基板SUB1之透明基板SUB2之固定，藉由於 該透明基板SUB2之周邊形成一密封材SL固定，此密封材 亦有封止透明基板SUB1與透明基板SUB2之間之液晶之機 此外，上述之說明為針對採用COG方式之液晶顯示裝置 之說明，本發明亦可適用於TCP方式者《所謂TCP方式亦 即，以輸送膠帶方式形成半導體積體電路者，其出力端子 連接於形成於透明基板SUB1上之端子部，其入力端子連 接於正接於透明基板SUB 1側，配置於印刷基板上之端子 部上。 《像素之構成》 圖1所示為上述液晶顯示裝置之像素之一實施例之平面 圖。此外，同圖之ΙΠ-ΙΙΙ線之斷面圖於圖3，IV-IV圖之斷面 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1248539 A7 B7 五、發明説明（6 ) 圖於圖4，V-V線之斷面圖於圖5圖示。 此外’此實施例之液晶顯示裝置之構成，其像素電極PX 與相對電極CT之間，具有與透明基板SUB 1大致呈平行之成 分之電界若未發生時，則呈現黑色顯示之常態黑色狀態。 此常態黑色狀態可藉由液晶之特性例如此實施例中之p型 ’像素電極PX與相對電極CT之間電界之方向，配向膜〇Ri 之塗敷方向’偏光板p〇L之偏光透過轴方向而設定。 首先，於透明基板SUB 1之表面，像素區域之下側形成圖 中X方向延伸之閘極信號線GL。此閘極信號線為例如Cr 或其合金所構成。 裝 此閘極、號線GL ’與位在該像素區域之上側之像素區域 對應閘極信號線無圖示，後述之汲極信號線DL，位在該像 素區域右側之像素區域對應汲極信號線無圖示。共同形成 一將像素區域包圍之組成。 此外，鄰接於前述閘極信號線GL，與該閘極信號線呈平 行走向上形成一個相對電壓信號線CL。此相對電壓信號線 線 CL·於閘極信號線GL形成時同時形成，由例如^或其合金所 構成。 此外，於透明基板SUM之上面，迴避一例如由ΙΤ〇 (INDIUM-TIN-OXmE)膜或 IZ0 (INDium zinc 〇xid_ 等所構成之透光性像素電極PX。 此像素電極PX之形成以作為形成於像素區域之大部分 之平面狀電極。 如此般形成有閘極信號線GL，相對電極信號線以，像素 -9 - ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） ----- 1248539 A7 B7 五、發明説明（7 ) 電極PX之透明基板SUB1之表面上等形成一將此閘極信號 線GL等也覆蓋，由例如siN等所構成之絕緣膜〇1(參照圖3 ，圖4，圖5) 此絕緣膜GI，具有相對於相對電壓信號線cl之後述源極 電晶體TFT之作為其閘極絕緣膜之機能，相對後述容量端 子Cstg，作為其誘電膜之機能。 此外於前述絕緣膜GI之上面，與閘極信號線gl重疊之部 分上形成一例如非晶質矽（a-Si)所構成之半導體層as。 此半導體層AS作為薄膜電晶體TFT之半導體層，藉由於 其上面形成源極電壓SD1及源極電壓SD2形成以閘極信號 線GL之一部為閘極電極之逆交錯構造之mis型電晶體。 此外，此半導體層AS不僅形成了薄膜電晶體TFT之形成 區域’也形成了後述源極信號線DL之形成區域。其目的為 使其與其前述絕緣膜GI同時具有作為源極信號線dl之閘 極信號線GL及相對電壓信號線CL之層間絕緣膜之機能。 薄膜電晶體TFT之源極SD1係與源極電極DL同時形成， 此時’其源極電極SD2之形成係具有與該源極電極sd 1與薄 膜電晶體TFT之通道長度相當之間隔。 亦即，於前述絕緣膜GI上形成往圖中y方向延伸之源極信 號線DL。此時，其一部分藉由延伸至前述半導體層as之上 層，形成源極電極SD1。此等源極信號線DL及源極電極SD1 係由例如Cr或其合金所形成。 此外’形成於此時之源極電極S D 2由於延伸超出半導體 層AS之形成區域，此延伸部分即成為與前述像素電極ρχ連 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1248539 A7 B7 五、發明説明（8 ) 接之接觸部。 此外源極電極SD2即具有作為與相對電壓信號線CL之間 之容量端子Cstg之機能。 如此般於形成薄膜電晶體TFT，源極信號線DL，像素電 極PX之透明基板SUB1之表面上也覆蓋著該薄膜電晶體 TFT，形成由例如SiN等所構成之無機膜PSV1及由樹脂膜等 所構成之有機膜PSV2之順序積層結構所構成之保護膜PSV 。（圖3，圖4，圖5參照）此保護膜PSV形成之主要目的為迴 避與薄膜電晶體TFT之液晶LC之直接接觸。 採用由樹脂膜等所構成之有機膜PSV2作為保護膜PSV之 一部分之理由係因該有機膜PSV2之誘電膜PSV之信號線與 位在該保護膜上層之電極之間所產生之容量減小。 因此，發生於前述像素電極PX與後述相對電極CT之間之 電界之中，由於前述保護膜之誘電率小，大致與透明基板 SUB 1呈垂直方向之電界，則不易產生殘像。 有機膜PSV2之厚膜化較之無機膜PSV1為容易，相較於有 機膜PSV1，較易厚膜化，因此，具有防止由於透明基板SUB 1 上之配線等之端部之段差而產生之配向膜塗佈不良，塗敷 時之由於陰所引起之初期配向不良，液晶之切換異常（磁域） 等之效果。 此外，於此保護膜PSV之上面，形成沿圖中y方向延伸， 沿X方向並設之複數帶狀相對電極CT。此相對電極CT由例 如 ITO (INDIUM-TIN-OXIDE)膜成 IZO (INDIUM-ZINC-OXIDE)膜等之透明導電膜所形成。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 B7 1248539 五、發明説明（9 ) 因其各相對電極CT係於與前述相對電壓信號線cl重叠 區域中互相連接之類型，其為可通電構成之同時，於此一 部分上，藉由形成於前述保護膜psv(有機膜psv2、無機臈 PSV1)之接觸孔CH1，連接前述相對電壓信號線cl。 此外’於形成此接觸孔CH1之際，也同時形成，露出像 素電極PX—部之接觸孔CH2及露出薄膜電晶體TFT之源極 電極SD2之延伸部之一部之接觸孔CH3，藉由構成前述相對 電極CT之材料，像素電極ρχ與薄膜電晶體TFT之源極電極 SD2得以連接。 更進而’於刖述源極、號線DL之形成區域上，該源極信 號線DL之中心軸大致相同，且形成較該源極信號線DL更為 寬幅之相對電極。換言之，由與透明基板SUB 1呈垂直方向 上看此相對電極CT時，形成無露出完全被覆狀態之前述源 極信號線DL。 此相對電極CT，即使以例如ITO膜等所構成之透明導電 層所形成，也同樣具有可以防止起因於源極信號線DL之近 旁驅動液晶之電界所引起之遮光之遮光機能。 亦即，如上所述，此液晶顯示裝置之構成係於像素電極 PX與相對電極CT之間不發生具有與透明基板大致呈平行 成分之電界時，呈現黑色顯示之常態黑色狀態。其係因於 相對電極CT之上方與透明基板大致呈垂直之方向上電界 多所發生，由於具有與該透明基板SUB 1大致平行之成分之 電界不發生，故而呈現黑色顯示，夺可替代為前述相對電 極CT之遮光膜。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 裝 訂 線 1248539 A7 _______ B7 五、發明説明（10 ) 此外，源極信號線DL上之相對電極CT可（終止）由該源極 栺號線DL所造成之電界，可抑制該源極信號線DL與鄰接像 素電極PX侧之終止。 此時’構成用以作為層體之保護膜PSV，其上層採用誘 電率低之樹脂層所構成之保護膜psV2，可容易終止於該相 對電極CT侧上源自於源極信號線dl之電界。 此即’像素電極PX僅憑藉經由薄膜電晶體TFT之映象信 號之電界，可使其發生於與相對電極CT之間，由於源極信 號線DL之雜音電界不得入侵，得以形成迴避顯示不良之構 成。 此外’由於相對電極CT之構成含蓋源極信號線DL之形成 區域’例如使所設定之本數之相對電極CT之離間距離變大 ，藉此可提昇開口率。 如此般地於形成相對電極CT之透明基板SUB 1之表面上 ’也覆蓋相對電極CT，形成配向膜0RI1。此配向膜0RJ1 為與該液晶LC直接接觸（規制）該液晶LC之分子之初期配 向方向之膜，此實施例中，其塗敷方向為相對於圖中y方向 之+ 0方向或方向。在此，前述0大於0。小於45。，其理 想範圍設定於f至30。之間。 此外’於透明基板SUB 1之液晶侧與相反侧上形成偏光板 POL 1’其偏光軸方向與前述配向膜〇Ri 1之rapping方向相同 或與其呈垂直方向。 此外，如此般所構成之透明基板SUB 1與藉由液晶LC呈相 對配置之透明基板SUB2之液晶側表面上，像元件各像素區 -13· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1248539 A7 __B7 ___ 五、發明説明（11 ) 域，形成黑色矩陣BM。此黑色矩陣BM形成之目的在於提 昇對比及迴避朝向薄膜電晶體TFT之外來光照射。如此般 於形成黑色矩陣BM之透明基板SUB2之表面上，形成與y方 向上並設之各像素區域共同色色濾網FIL。於X方向上以例 如紅（R)，綠（G)，藍（B)之順序配置。 然後，形成被覆這些黑色矩陣BM及色濾網FIL之由例如 樹脂膜構成之平坦化膜0C。於此平坦化膜0C之表面上形成 配向膜0RI2。此配向膜〇尺12之塗敷方向與透明基板81161 側之配向膜之方向呈相同。 此外，於透明基板SUB 1之液晶側與相反側之面上形成偏 光板P0L2,其偏光板方向與形成於前述透明基板suBl側上 之偏光板P0L1之偏光軸方向呈垂直。 作為本實施例所示有機膜PSV2之其他功能，也有提供保 護膜本身之信賴性之效果。以昔知之無機膜pSV丨單體構成 保護朦時，由配線端部之層面不良所導致之細致缺陷，使 配線材料之一部分流出到液晶内部，有影響液晶之電氣_ 光學特性之可能。藉由導入良好之層面及厚膜之有機膜 PSV2，可防止上述不良之發生。 上述貫施例為針對常態黑色狀態構成之液晶顯示裝置。 然而，於常態白色狀態構成也適用之事實不言即明。 實施例2 圖6所示為發明之液晶顯示裳置之像素構成之其他實 施例之平面圖，器為對應於圖丨之圖面。此外同圖之νπ·νιι 線之斷面圖於圖7, VIII_VIII線之斷面圖於圖8圖示。 -14 -

1248539 A7 ___B7 1、發明説明（~~) " ' " ' 與實施例1之構成向異之構成，在於其形成於像素電極 PX及與於絕緣GI之上層，或保護膜Psv之下層。 因此’此像素電極PX於薄膜電晶體TFT之源極電極Sd2 於同一層中形成，有了這些連接，則無需接觸孔。 亦即，為源極電極SD2設置一個延伸部，其形成令像素 電極PX可與此延伸部相重疊，令其互相連接。 如同實施例1 一般由於保護膜Psv係由無機材料層所構 成之保護膜psvi及由有機材料層所構成之保護膜PSV2之 順序積層結構所構成，其誘電率得以減小，於信號線與該 保護膜PSV上所形成之相對電極CT與其之容量結合得以減 小 0 實施例3 圖9所示為本發明之液晶顯示裝置之像素構成之其他之 貫施例之平面圖。其為圖6之對應圖面。此外，同圖之χ·χ 線之斷面圖於圖1〇，*χι_χι線之斷面圖於圖η表示。 實施例1 ’ 2構成之不同在於其像素電極ρχ由無機材料層 所構成之保護膜PSV 1之上層，及由有機材料所構成之保護 膜PSV2之下層。 該像素電極ΡΧ，由於藉由無機材料層所構成之保護膜 PSV1形成與薄膜電晶體TFT之源極電極SD2相異之層，藉 由於該保護膜PSV 1上形成之接觸孔CH4得以與該源極電極 SD2相連接。 因此’於像素電極ρχ於相對電極CT之間形成一個僅由有 機材料層所構成之保護膜PSV2之間隔之構成。 -15· 尺度適财_轉準(CNS) M規格(削χ挪公爱） 1248539 A7 B7 五、發明説明（13 此外’由於此保護膜PSV2係藉由塗佈有機材料而形成， 其膜厚谷易增大，其係較例如無機材料層之層厚度之構成 ’ 4號線與相對CT之重疊結合可極小。 由以上說明，本發明之液晶顯示裝置可以抑止殘像之發 生。亦可達到提昇開口率之效果。 【圖式簡單說明】 圖1所示為本發明之液晶顯示裝置之像素構成之一實施 例之平面圖。 圖2所示為本發明之液晶顯示裝置之一實施例之等效電 路圖。 圖3所示為圖1之ΙΙΙβΙΙΙ線之斷面圖。 圖4所示為圖1之線之斷面圖。 圖5所示為圖1之v-v線之斷面圖。 —圖6所示為本發明之液晶顯示装置之像素構成之另一個 實施例之平面圖。 圖7所示為圖6之vn_vil線之斷面圖。 圖8所示為圖6之νΙΠ-νπι線之斷面圖。 圖9所不為本發明之液晶顯示裝置之像素構成之另一 方也例之平面圖。 圖10所示為圖9之Χ-Χ線之斷面圖。 圖11所示為圖9之χΐ-χΐ線之斷面圖。 【主要元件符號說明】 SUB1，SUB2··.透明基板、GL…閘極信號線、CL.·.相對 電壓信號線、GI··.絕緣膜、AS...半導體層、sm .汲極電 -16-

1248539 A7 B7 五、發明説明（14 ) 極、SD2···源極電極、TFT···薄膜電晶體、PSV1···無機材料 層所構成之保護膜、PSV2···有機材料層所構成之保護層、 C T · · ·相對電極。 -17· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

1248539 ABCD --------- 六、申請專利範圍 /·:，液晶顯示裝置，其特徵為於隔著液晶呈相對配置之 土板中之-側基板之該液晶側之像素區域上，具有： 薄膜電阳體’其係由源自於閘極信號線之掃描訊號所 驅動； 像素電極，其經由、薄膜電晶體得到來自於源極信號線 之映像信號； 相對電極，其與像素電極之間造成電界； 2述相對電極透過積層絕緣膜形成像素電極之上層， 月j述積層絕緣膜包含以前述薄膜電晶體之閘極絕緣 膜為一部分之絕緣膜，及無機材料層與有機材料層之順 序積層結構所構成之保護膜； 前述相對電極包含於一財向延#，及該方向上交叉 方向上設置之複數個帶狀電極； 同時，則述像素電極係包含形成於像素區域之大部分 區域上之透光性平面狀電極。 2·根據專利申請範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中相對電 壓信號線形成於與像素電極同一層上，此相對電壓信號 線透過形成於上述積層絕緣膜上之穿孔而與相對電極 連接。 3·根據專利申請範圍第i項之液晶顯示裝置，其中像素電 極透過形成於其上層之積層絕緣膜之穿孔，及形成於薄 膜電晶體源極電極上層保護膜之穿孔而與該源極電極 連接。 4·根據專利申請範圍第1項之液晶顯示裝置，其中具有相 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公笼)

對電極，频數之各相料極與沒極㈣線大致呈平行 、，同時，為該汲極信號線所重疊，且該汲極信號線與中 心軸大致呈一致，且較汲極信號線為寬幅。 5· 一種液晶顯示裝置，其特徵為於隔著液晶呈相對配置之 基板中之一側基板之該液晶側之像素區域上，具有·· 薄膜電晶體，其係由源自於閘極信號線之掃描訊號所 驅動； 像素電極，其經由薄膜電晶體得到來自於源極信號線 之映像信號； 相對電極，其與像素電極之間造成電界； 2述相對電極透過保護膜形成像素電極之上層，· 前述保護膜，係包含無機材料層與有機材料層之順序 積層結構； 前述相對電極包含於一個方向延伸，及該方向上交叉 方向上設置之複數個帶狀電極； 同時，前述像素電極係包含形成於像素區域之大部分 區域上之透光性平面狀電極。 6·根據專利申請範圍第5項之液晶顯示裝置，其中像素電 極係形成於以薄膜電晶體之閘極絕緣膜為一部份之絕 緣膜上，且相對電壓信號線形成於此絕緣膜之下層，該 相對電壓信號線透過貫穿於前述保護膜及絕緣^之穿 孔與相對電極連接。 7.根據專利申請範圍第5項之液晶顯示裝置，其中具有之 相對電極’其複數之各相對史極與沒極信號線大致呈平 -2- 本紙水幻JL相中_家鮮(CNS) Μ^~^— Ϊ248539

六、申請專利範圍 行，同時，為該汲極信號線所重疊，且該汲極信號線與 中心軸大致呈一致，且較汲極信號線為寬幅。. 8. —種液晶顯示裝置，其特徵為於隔著液晶呈相對配置之 基板中之一側基板之該液晶側之像素區域上，具有： 薄膜電晶體，其係由源自於閘極信號線之掃描訊號所 驅動； 像素電極’其經由薄膜電晶體得到來自於源極信號線 之映像信號； 相對電極，其與像素電極之間造成電界； 前述像素電極，於包含覆蓋前述薄膜電晶體而形成之 無機材料層之第1保護膜上，及於像素區域之大部份而 呈平面狀形成，且包含透過形成於該第1保護膜上之接 觸孔而與該薄膜電晶體之源極電極連接之透光性導電 材； ^前述相對電極，形成於包含於前述第1保護膜上覆蓋 刚述像素電極而形成之有機材料層之第2保護膜上，且 包含於一方向上延伸，及該方向交叉之方向上設置之 數電極群。 9.根據專利申請範圍第8項之液晶顯示裝置，其中相對電 極係包含透光性之導電材。 ΐθ.根據專财請範圍第"之液晶顯示裝置，纟中存在有 相對電極’其汲極信號線與中心線大致呈相同重疊之配 置，其相對電極之幅寬較沒極信號線之幅為寬。 -3-