1234692 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投射組合，其包含一含有一處理 機之基底處理機及一含有一投射腔之微影投射裝置，其中 投射腔及處理機腔之連接係用於將被處理基底從處理機腔 交換至投射腔，且從投射腔交換已被處理基底至處理機腔。 【先前技術】 一種微影投射裝置一般典型地包含·· -一輻射線系統，其係用於供應一輻射投射光束， · -一支撐結構，其係用於支撐圖案化構件，該圖案化構件 的作用是根據想要的圖案將投射光束圖案化； -一基底平台，其係用於托住一基底；及 -一投射系統，其係用於將圖案化光束投射至基底之一目 標部分上。 在此所使用之術語"圖案化構件，，應該被廣泛地詮釋成是 指可以被使用於賦予進入的輻射線束一種圖案化橫截面， 與被建立在基底之目標部分中之圖案相同；術語"光線閥" 亦可以被使用於本文中。通常，該圖案將對應至被建立於 目標部分中之元件的特定功能層，諸如積體電路或其他元 件（參看下文）。此圖案化構件之實例包含： --光罩，光罩的概念在微影中是眾所周知的，且它包含 數種光罩類型，諸如二元光罩、交替相位移光罩及衰減： 位移光罩及各式各樣的混合光罩類型。此一光罩在輻射線 束之定位造成照射在光罩上之放射線的選擇性傳送⑽送 91456.doc 1234692 :罩的實⑷或反射(反射光罩的實例)，根據光罩上的圖 ==的例子中，支撐結構通常將是-光軍平台，其 確保光罩可以被固 疋在入射輻射線束中的想要位置，且如 果有必要它可以相對光束被移動； 二可:式鏡陣列。此元件之一個實例是一種可定址矩陣 :面、、具有-黏彈性控制層及一反射表面。此一裝置背 二里是(例如)反射表面之定址區域反射入射光線 Π用反之未定址區域反射入射光線成非衍射光 種適當的濾鏡，該非衍射光線可以從反射光束 — _下订射先線；在此方法中，根據可定址矩 渾表面之疋址圖崇水击 _ ^案先束變成圖案。可程式鏡陣列之一替 ^⑽利用一微小鏡面之矩陣配置，藉由應用-適當的 局部電場或應用壓電致勤# ^ y ^ 电致動構件，它們都可以對著-軸線獨 ?頃斜。再—次’鏡面是矩陣可定址的，以致定址鏡 2以與非定址鏡面不同方向反射入射輕射線束；在此方 卩射光束根據矩陣可定址鏡面之定址圖案被圖案 化。所需矩陣定址可以使用適合的電子構件被實施。在上 述:種情況中，圖案化構件可以包含一或多個可程式化鏡 面P列。例如，此所指鏡面陣列的更多資訊可以荒集自美 國專利案US5,29M9m及仍5,523，193號及專利合作條約 PCT專利申請案w〇 98/38597號及w〇 98/33_號其以引 用的方式併入本文中。在可程式化鏡面陣列的實例中，咳 支撐結構可以被實施成框架或平台，其依需要可以被固定 或是可移動的，·及 91456.doc 1234692 _ 一可程式化液晶顯示器陣列。此結構之一個實例得自於 美國專利案US 5,229,872號，其以引用#方式併入本文中、。 如上文，纟這實<列中之支樓結構可以被實施成框架或平 台，其依需要可以被固定或是可移動的。 為了簡明之目的，本文剩下的部分，在某些位置，特別 引導它本身至包含光罩及光罩平台之實例；然而，在此例 子中所討論之-般原理應該被見於如上文所提出之圖案構 件之較廣泛的上下文。 例如，微影投射裝置可以被使用於積體電路（ic)的製造 中。在此實例中，圖案化構件可以產生一電路圖案，其對 應1C之個別層―，且此圖案可以被映射在已經塗有輕射線感 應材料層（抗蝕劑）之基底（矽晶圓）之一目標部分（例如包含 :或多個晶粒)。-般而言，單-晶圓將含有-整個相鄰目 標部分之網路’這些相鄰的目標部分經由投射系統被連續 且一次一個地照射。在現今的裝置中，藉由光罩平台上的 光罩使用圖案，會在兩種不同類型機器之間產生差異。在 一種類型微影投射裝置中，藉由—次—個將整個光罩圖案 曝光在目標部分上，各目標部分被照射；此一裝置一般被 =為晶圓步進機（Wafer step㈣或步進重複（吻㈣ 裝置。在一種替代的裝置中—一般被稱為步進掃描 (Ste"P-_-scan)裝置—藉由在投射光束下以一既定參考方 向（掃祂方向）逐步掃描光罩圖案，而同時以與此方向平行 或：平行地掃描基底平台；一般而言，因為投射系統將具 有仑率係數M(通常< 1 )，基底平台倍掃描的速率v將是光 91456.doc 1234692 罩平台被掃描速率的 影元件資訊可以得知自美^j夕關於在此所說明之微 的方式併人本文中。 案US 6，G46,792號，以引用 被—微影投射裝置的製程中，—圖_如在光罩中） 被映射至一至少姑私細# + 、次感應材料（抗蝕劑）部分覆蓋之基底 。在此映射步驟之前，基底會經歷不同的程序，諸如塗 二：劑塗覆及軟烤。在曝光之後，基底可以接受其他 = 如曝光後烘烤（PEB)、顯影、硬烤及映射功能之測 :’心查。此-系列的程序被使用當作一基準以圖案化一元 之個別層’例如-積體電路(ic)。此一圖案化層可以經歷 不同的處理，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、 化學機械研磨等，所有工作到完成-個別層停止。如果需 要㈣層，則整個程序或其變化將必須被重複用於各新的 層:取後’ _個元件陣列將出現在基底（晶圓）上。這些元件 、諸如里線或切割之技術將彼此分離開，因此個別的元件 可以被固疋在載體上，被連接至接腳等。關於該處理程序 的進-步資訊可以得自，例如，由彼得詹茲(petervanzant) =著麥格羅希爾出版公司於西元1997年所出版之圖書"微 日日片衣這.半導體製程實用指南（Micr〇chip以心卜奴丨⑽：a
ical Guide to Semiconductor Processing)’’第三版ISBN 0-07-067250-4,以引用的方式併入本文中。 為了簡明易懂的目的，投射系統在此後文中可以被稱為，，透 鏡，然而，此術語應該被廣泛地解釋成包含各種形式之投 射系統，例如包含折射光學儀器、反射光學儀器及折反射 9l456.doc -10- 1234692 系統。輻射線系統亦可以包含一些元件，這些元件根據用 於&引成型或控制輻射線投射光束之任何這些設計形式 運作且此元件亦可以共同地或單獨地在下文中被稱為，，透 鏡此外，微影裝置可以是一種具有兩個或更多個基底平 口（及/或兩個或多個光罩平台）的類型。在這種，，多平台，，的 70件中，增加的平台可以被並聯使用，預備步驟可以被實 靶在或夕個平台上而一或多個其他平台被使用於曝光。 例如一平台，微影裝置被說明於美國專利案US 5,969,441 號及專利合作條約PCT專利申請案w〇98/4〇79h#u，兩者以 引用的方式併入本文中。 在一種典型的微影配置中，基底經由一基底執道及一基 底處理機被運送至微影投射裝置之基底平台。在基底執道 中，基底的表面被預先處理。基底的預先處理典型地包含 以層輻射線感應材料（抗钱劑）至少部分地覆蓋基底。此 外，在映射步驟之前，基底可以經歷各種的其他預先處理 程序，諸如塗底及軟烤。在基底的預先處理之後，基底從 基底執道經由基底處理機被運送至基底平台。 基底處理機典型地適用於將基底精確地定位在基底平台 上且亦可以控制基底的溫度。 對某些彳政影投射裝置而言，諸如一種使用遠紫外射線（簡 稱EUV射線）之裝置，投射至基底上之操作必須在真空下。 因此，基底處理機應該適用於運送預先處理基底至一真空 衣置。典型的意思是至少在基底執道中基底的預先處理之 後，基底之處理及溫度控制必須在真空裝置中被完成。 91456.doc -11 - 1234692 對/、他颂型的微影投射裝置而言，諸如在氮氣（N2)環境 中操作使用1 57奈米輻射線之裝置，必須維持一種特殊氣體 環境，諸如一種氮氣環境。因此，基底處理機應該適合用 於運送預先處理基底進入一特殊氣體環境。典型的意思是 至少在基底執道中基底的預先處理之後，基底之處理及溫 度控制必須在一特殊氣體環境中被完成。 【發明内容】 第一態樣 本發明的一個目的是提供一種微影投射組合，為了要在 第一環境（諸如基底軌道）與投射腔（其通常基底平台）之間 有效率地運送—基底，其具有一種能夠使用有限數量傳送構 件之佈局。 在一微影投射組合中根據本發明，此及其他目的被實 現，包含： •至少兩個承載室，用於在第一環境與第二環境之間運送 基底’第二環境的壓力低於第一環境； •一基底處理機，其含有一處理機腔，腔内為第二環境； •一微影投射裝置，其包含一投射腔； 處理機腔及投射腔的連接一方面經由一載入位置，且另一 方面經由一卸載位置，載入位置用於使一基底從處理機腔 進入至投射腔，卸載位置用於從投射腔移動一基底進入處 理機腔…在此方面應注意載入位置及卸載位置可以是一個 且相同的位置及不同的位置； 處理機腔具有： 91456.doc -12- 1234692 •則置處理構件’諸如前置對準構件及/或熱處理構件，用 於機底之前置處理；及 义ϋ構件’用於從承載室搬移基底至前置處理構件且從 前置處理構件搬移基底至載入位置，且用於從卸载位置 搬移基底至承載室。 :載至使基底能夠從第一環境，例如在大氣條件下進入 ，壓力低於第一環境之第二環境，第二環境例如是一真空 5、接ι真二。處理機腔内為第二環境。處理機腔包含運送 構件，用於將基底從承載室搬移至投射腔且反之亦缺。處 理機腔亦包含前置處理構件，諸如前置對準構件及/或熱處 理構件，前置對準構件用於精確定位基底，以致稍後在投 射l中基底可以以非常高的精確性被處理，熱處理構件用 於基底之熱處理，將它的溫度調整至預定溫度且/或使整個 基底之溫度一致及/或決定基底之溫度。通常，前置對準構 件包3相對某個芩考點決定及/或修正基底位置之構件。藉 由提供至少兩個承載室，在投射裝置中將被處理基底及在 投射裝置中被處理基底的流通量被增加，因此其必須增加 運送構件的數量，諸如自動控制裝置的數目，或增加運送 構件之處理速度。 根據一實施例，投射腔是一真空腔且微影投射裝置包含 真空構件以建立或保持真空腔中的真空。此—微影投射組 合特別適合使用EUV輻射線，其需要在真空下處理基底。 關於真空被認為絕對壓力小於〇.1巴（bar)。 根據一實施例，運送構件包含單一，特別是只有一個操 91456.doc -13 - 1234692
作機，θ I /、具有一夾子且微影投射組合包含控制構件用於控 制操作機： 二 •從其中之一的承载室選取一基底且搬移該基底至前置處 理構件，· •攸則置處理構件選取一基底且搬移該基底至載入位置； 且 從卸載位置選取一基底且搬移該基底至其中之一的承載 室。 •此實施例讓使用的操作機數量能夠最少，因此省空間及 成本。 根據另一個—實施例，微影投射組合的特徵是運送構件包 含一第一操作機及一第二操作機，第一操作機具有一第一 夾子，第二操作機具有一第二夾子，且微影投射組合包含 控制構件用於控制第一及第二操作機： 以第一夾子從其中之一承載室夾取一基底且搬移該基底 至前置處理構件； •以第二夾子從前置處理構件夾取一基底且搬移該基底至 載入位置； •以第一夾子從卸載位置夾取一基底且搬移該基底至其中 之一承載室。 藉由提供一個第一及一個第二操作機及適當的控制構 件，第一夾子只搬移將被處理的基底進入投射腔將被實現。 此意味著在前置處理之後在前置處理構件，基底被第二 夾子處理，其工作非常準確，而第一夾子可以被允許較不 91456.doc -14 - 1234692 準確，因此其對第一夾子及操作機的要求較低。視情況而 疋，别置處理構件可以包含預先對準構件，其預先對準基 底用於改進基底的位置準確性。第一夾子只搬移被處理： 的f底朝向承载室且把將被處理的基底搬移離開承载室。 =疋，猎由使用一個操作機於基底朝向或離開承載室之搬 2在具有忙碌基底流量之區域中實現一空間節省組 =°此外’藉由使用—個運送基底進人投射腔之第二操作 機且藉由使用一個從投射腔移除基底之第-操作機，:投 射腔與處理機腔之間的基底交換率被增加。 又 各$ 了要乓加—生產率，有利的是根據本發明的一實施例， ^ ^ 或第一夾子具有熱處理構件時是，熱處理構件將 基底:至預定溫度且/或使得整個基底的溫度均等化”且/ 或决疋基底之溫度。藉此，被使用於基底運送的時間同時 被使:於基底之熱處理。基底溫度之決定將該基底溫度之 混亂最小化。 =要將所需的操作機數目最小化’有利的是根據本發 -貫施例，當至少兩承载室包含第一及第二承載室時， 或：：：與該第一及該第二承载室共同操作，單-操作機 5、，木作機被疋位。於是，從基底處理機端，兩個承載 ^皮當作叫固及相同的操作機使用。此外，此組態增加基 二。同時’為了在第一承載室内部定位-基底或 用；:底m承載室之操作機被使 皇冑至可以同日^破使用於在第-環境與第二環境 之間轉移一基底。 91456.doc -15- 1234692 根據另-個實施例，至少一個承載室，諸如 ::載f ’具有第：及第二基底支撐位置。這增加至少： 固7載至之使用的彈性。例如，當一承載室山一 理的基底至基底處理機時，操作機可 ：：：被處 文疋在承載官φ -自由支撐位置上的-被處理過的基底且然後取走 將被處理的基底。此減少由操作機所造成移動的數量。又 根據另一個實施例，箆_芬赞—T亦— 〇 #及弟一承載室被連接至用於供 應基底至第一及第二承載室且你筮 底之基底軌道。-且…弟二承载室移除基 根據另一個實施例，微影投射組合尚 - ^ 3 弟二承載 室，其用於將物件，諸如基底，從第三環境轉移至第二環 境，第三承載室在面對第三環境的那端是可大量存取的1 此種可大量存取的第三承载室一方面可以導入特殊物件進 入微影投射組合，諸如替代零件、工具等等，因為某些理 由必須被導入微影投射組合。以經由第三承載室完成此， 其可以於處理機腔及/或投射腔中保持真空或接$真空條 件。為了要能夠使用第三承載室當作一暫時緩衝器或儲存 位置，有利的是根據本發明一實施例，當控制構件被用於 以該運送構件置放一基底進入第三承載室，用於保留第三 承載至之一對外的出入口關閉而該被置放的基底是在第三 承載室中，及夾取且以相同的運送構件夾子在已經以該運 送構件轉移其他基底之後轉移該置放基底。 為了增加根據本發明實施例之微影投射組合的彈性，當 控制構件被用於獨立地彼此控制承載室時是有利的。此意 91456.doc -16- 1234692 味著承載室彼此在相位上 室上的宜， 連接除非控制構件利用承载 至上的某-相位差。事實上，承载室可以被事 2 这些事件是在控制構件的控制下。 且 明的另一個實施例’至少兩個承載室的其中之 -豹…m 衣坆轉移物件，諸如基底至第 I，額外出…對第四環境且是可大 入二”1广：大$存取的額外出入口讓特定物件能夠傳 f又射組合，諸如替換零件、工具等等，直因為某此 二由：要被傳入微影投射組合。由於經由—額外出入口： 日ϋ-Γ維持處理機腔及/或投射腔中第二環境真 工同日守在承载室第一環境側之卓△叮& 承載室斷線…下， 停留在它沒有與 戟至辦線的^兄下。在此，可大量存取的意思是可以被 =者存取而不必去除一大部分的硬體，承載室或它的 頜外出入口可以視情況地以一蓋子密封。 =據本發明的另一個實施例，前置處理構件包含熱處理 4 ’其用於將基底的溫度加熱至預^溫度且使得整個基 ^的溫度相等。由於提供具有熱處理構件之前置處理構 ^ ’可以免除承載室中的熱處理或只允許在承載室中的適 又…、處里II此’承載室的生產率可以被增加，整體看來 其生產率是微影投射組合之整體生產率的其中一個決定因 素。另外的優點是，當前置處理構件亦包含預先對準構件 日可’因為預先對準工作會花費相對大量的時間，熱處理構 件與預先對準構件之組合導致有效率地同時熱處理及預先 對準。 9 i456.doc -17- 1234692 根據本發明的另一個實施例，基底是半導體晶圓。 根據本發明此觀點的次觀點，本發明亦關於一種處理基 底之處理裝置，包含根據本發明之組合，然而沒有投射裝 置。此種處理裝置，被稱作一種基底處理機組合，可以更 清楚地被定義成包含·· •至少兩個承載室，其用於從第一環境轉移基底至第二 環境’第二環境的壓力低於第一環境； •一基底處理機，其包含一處理機腔，腔内為第二環境； 處理機腔的連接一方面是經由一載入位置，另一方面是 經由一卸載位置，載入位置是用於從處理機腔輸入一基 底進入下一站，卸載位置是用於從下一站移動一基底進 入處理機腔； 處理機腔具有： •前置處理構件，用於基底之處理；及 •運达構件，其詩從承載室轉移基底至預先處理構件 及從預先處理構件轉移基底至載入位置，並且用於從 却載位置轉移基底至承載室。 對處縣置及如根據本發明微影投射組合之基底處理機 、、且口而吕，當它尚包含一軌道時是有利地，其中至少兩個 承載室被配置於執道與基底處理機之間。 根據本發明此觀點 規2，亦&供一種處理基底之方 法，包含步驟有： 一 a) 從第一環境轉移_美麻 ，其通過該承載室之外部出入口而進入該承載室; 個 土底進入至少兩個承載室的其中 91456.doc -18- 1234692 b) c) d) 關閉該外部出入口且排空該承载室； 打開該承载室之一内部出入口； 以第一操作機從該承載室取一基底且以該第 轉移基底至一預先處理構件，· 操作機 e) f) 以預先處理構件處理基底； 以該第一操作機或第二操作機從 底； 前置處理構件取得基 g)將從前置處理構件所取得的基底以該第 機轉移至载入位置； w處理基底且運送基底至卸载位置； 一或第二操作 1)從卸载位置以該第一操作機取得基底且通過 口運送基底進人該承載室或通過—内部出人口進入另 一個承載室； j) 關閉各自的内部出入口且減輕各自承载室 且 内的壓力； k)打開該各自的承載室且從該各自的承載室移除基底。 此方法可以以最少的操作機有時間效率地被實施。其他 的優點將從本發明前面的部分被清楚說明。 為了把在投射腔中將被處理的基底加熱到某—溫度，在 步驟C)前，在步驟b)之排空步驟i P1 '里又 u間及/或之後熱處理基底 疋有利地。藉此可以，例如，讓排 衣併二以扼乂基底所需時間 之使用於至少一部分它必須經歷的熱處理。 根據另'一個貫施例’當基底县古乂班a 、 田I底疋在月置處理構件時，基底 可以被熱處理。藉此可以有利地讓 衣丁貝无對準所需時間-該時 91456.doc -19- 1234692 部分或所有所需 間是相對長的-之使用用於提交基底至一 之熱處理。 要增加第-環境與第二環境之間㈣換率，根據本發明 優點之一實施例，當步驟d)被實行於一個承载室時，同护 步驟a)及/或b)及/或C)及/或j)及/或幻被實行於另一個承r載 根據另一個實施例，基底是 根據本發明此觀點的次觀點，本發明提供一種根據本發 明第一觀點操作一微影投射組合之方法，包含啟動广式s :般操作模式及結㈣式㈣empty mGde)，至少兩2載 至，其各具有一抽氣週期及一排氣週期，抽氣週期其令各 m載錢力被減少，且排氣週期其中各自的承載室： =中’啟動模式中，該至少兩個承載室中的至少其中_個 各自的承載室中沒有基底的情況下實施通氣週期，而各 自的承載室在各自的承载室 ° 週期； 戰至内有基底的情況下實施抽氣 =二ΓΓ似中’該至少兩個承載室中的至少其中 氣週期；纟載至中有基底的情況下實施抽氣週期及通 八中、纟°束拉式中，該至少兩個承載室中的、 在各自的承载室中沒有基底的情況下實施=、中一個 自的承載室在各自的承载室内有一 順，而各 週期。 基底的h況下實施通氣 9l456.doc -20- 1234692 :方法讓至少兩個承载室或替代的至少一個承 看下文相P j凡贫山 义至（多 p又；中之評論）之使用及用於連續操作數天之 對大的生::間:,據之微影投射組合具有相 生或將被處理基底之二二广射裝置中基底之停滞發 土底之杈入至承載室停滯，控 般操作模式切換到 稱件將攸- 可以被my 據環境狀況’此結束模式 I 長時m常短的時間，諸如只有-承 至、一個通氣週期。當停滯被解決，依據環境狀、兄 制構件直接切換至—般操作模式或况，控 況，报可能啟動模式後接著被切換至_ f1 亦有可能切換回結束模式。因此=:，雖然 口备恭a + # 啟動杈式及結束模式不 生產之開始及基底生產之結束，而是以可 -般操作模式及結束模式的盆中：广，啟動模式、 微旦π们人， 或多個模式依據發生於 说衫奴射組合中基底處理期 複。 間之事件以隨意的順序被重 當如果只有一個承載室時，此 底支撐位置，根據本發明之此方法有弟-及弟二基 «用於-個以上的承載室，所有或只有—二'室= 弟：及第二基底支擇位置將是有利的。然而：如果兩= 更多個承載室，所有承載室或部分 3 支撐位置的情況下亦會有高效率。 只具有-個基底 根據本發明此第一觀點之微影投射組合亦可以— 個承載室操作，即在申請專利範圍 > /、 中，岡組’至少兩個承载 91456.doc -21 - 1234692 室”可以以”至少一個承載室，，取代。，，至少 些優點將會因為這樣的取代而消失，然而，許多:的一 點亦適用”至少一個承載室"的情況。 "他的優 4此外’吾人應該瞭解，根據本發明此第-觀點，—操作 機4如早“作機及/或第—操作機及/或第二操作 只具有-個夹子（較佳的）且可以具有兩個或更多 第二態樣 此觀點是關於微影投射组合之一承載室。”承載室"是一 種從第-環境轉移物件，諸如基底，至第二環境之裝置， /、中種環土兄的壓力小於另一個環境。 根據先前技術’ 一承載室具有單一支撐位置。此支撐位 置被用於將來自第—環境之物件轉移至第：環境，且用於 將來自第二環境之物件轉移至第一環境。 在從第-環境轉移物件至第二環境的期間，承載室之内 部被排氣。排氣將花費某些時間。為了要增加從第一環境 2傳送至第二環境的物件數量，增加排氣程序速度是有可 此的然而，根據先前技術之承載室排氣依然將需要一小 段時間。 广务明此觀點的一個目的是要改良微影投射組合的生產 率〃中谷納微影投射組合零件所需的空間是相對小的。 此及其他目的根據本發明此觀點藉由提供一種微影投射 組合可以被達成，其包含： 至^個承載室，用於在第一環境與第二環境之間轉移 物件，諸如基底，第二環境的屢力小於第一環境； 91456.doc -22- 1234692 •一物件處理機，包含-處理機腔，其中為第二環境； •一微影投射裝置，包含一投射腔； 其中處理機腔與投射腔連接用於交換物件；其中承載室包 含·· •一承載室腔； •排氣構件，用於承載室腔之排氣； ^ 構件，用於在排氣期間關閉承載室腔及開啟承載 室腔以輸入一物件或從承載室腔移除一物件； 其中承載室腔具有至少兩個物件支撐位置。 至少兩個物件支撐位置，諸如筮一 — 居如弟及弟二支撐位置存在 於承載室内的一優點是，在一 、 ^ 牡枣戰至週期中，第一物件可 以被定位在一個物件支撐 保位置且弟一物件彳以從$ -個物 牛支撐位置被移除。例如， 田為了連接具有第二環境之承 載至肽内部而打開承載室，有 喟J月匕无疋位一個已處理基底 於一物件支撐位置且之後移動一 * 文秒軔個已經被定位在另一物件 支姜位置之將被處理物件。 — 卞接者在關閉之後，且將承載 至=:向第一環境，它的内部可以與第—環境連接且已 處理物件可以被移動且-個新的將被處理物件可以被插 入然後承载室可以被排氣且弈前的和广 辨巩且先刖的程序可以被重複等。 匕耘序讓第一與第二環境之間 . L t ]幻物件，堵如基底轉移更有 寸效性。此外，移動設備，諸 即私作機9例如機器手臂以 夾取及操作物件，諸如基底 ^ ^ 0. Pw /、弟一裱境之間轉移所 而的日守間可以被保持在最小值。 當排空承載室内部的氣體時， &刀差將影響承载室腔内 91456.doc •23- 1234692 的脈度。猎此’承載室腔内物件，諸如基底之溫度亦將 破影響。有關微影投射組合中即將被處理物件的溫度，物 ?溫度是必須被控制因素的其中-個。此特別有關當基底 7在微影投射裝置本身中時n此亦代表在關於微影 投射裝置的轉移過程中，應該注意基底的溫度。 為了改菩物件在其通過承載室之轉移期間的溫度控制， 根據本發明之一實施例提供，承載室包含容積減少構件， 用於❹位於至少其中一個物件支擇位置上之物件表面附 ”孔體奋積。因為此措施，物件表面附近的氣體容積將 疋最小的。那樣表示由物件轉移期間麼力差所導致的溫差 將被保持在最— 小值。 =據本發明此觀點的一實施例，至少_個物件支撐位置 包3 一支撐板，其大小大約等於或大於被支撐的物件，·一 、板（ceiling plate)被^^供於該至少一個物件支撐位置的上 方，頂板的大小大約等於或大於物件；及容積減少構件， 其包含舉升構件，用於·· 在承載室腔排氣之前及/或期間減少至少一個物件支撐 位置之支撐板與頂板之間的距離；且 •在物件從至少一個物件支撐位置移除或運送至至少一個 物件支撐位置之前，增加支撐板與頂板之間的距離。 支撐板的大小約等於或大於將被支撐物件代表如果是基底 勺凊況基底之被支樓面被防止與基底附近的氣體容積接 觸或，當支撐板是一種凸點板時_由先前技術所知_被支撐面 與出現在基底支撐面、支撐板及支撐板的凸點之間的氣體 91456.doc -24 - 1234692 各積具有有限的接觸。頂板，盆可 3 八了以疋被配置於承載室腔 甲之一分開的板狀元件及承载室腔 紅< μ壁或承載室腔内任 可元件之平坦表面，的大小亦雲 力而要大約寻於或大於基底， …了是能夠將基底上表面附近的氣體容積最小化。 根據本發明此觀點的另-個實施例，構件之位置適用於 支擇板上，㈣應的頂板較佳地以固定的方式被配置於承 载室腔中。此配置的優點是減少從夾子移交基底至基底支 撑位置或相反程序從基底支撐位置移交基底 時間。 人卞所而之 根據本發明此觀點的另—個實施例1位構件被提供於 承載室腔之側邊及/或丨部及/或下部。此配置允許從前面及 後面自由進入承載室。 為了要補償在移轉通過承載室腔及/或在較早階段提交 物件至熱處理期間作用在物件上溫度影響，根據本發明之 貝鈿例，承載室，最好是一或多個至少兩個承載室支撐 位置，包含熱處理構件，用於將物件加熱至預定溫度且 使整個物件溫度均等。 此觀點中，根據本發明之一實施例，一或多個至少兩個 支撐位置之支撐板可以具有熱處理構件。此熱處理構件可 以，例如是以線狀物的形式，諸如管狀物或通道，被提供 於各自的支撐板内部，通過這些線狀物5 一流體被灌入以 控制支撐板的溫度且經由支撐板控制物件的溫度。 根據本發明此觀點的另一個實施例，該至少兩個支撐位 置的其中兩個的設置方式是將其中一個設置於另一個上 91456.doc -25- 1234692 方。在此情況下，熱處理構件被定位在該兩個支撐位置之 間是有利的。熱處理構件可以，例如是一種具有灌入流體 之内部線狀物之平板，如先前所說明。藉由提供一熱處理 構件，其可以被使用於在該熱處理構件上方之支撐位置及 忒熱處理構件下方之支撐位置之熱處理，此組態的優點是 即省空間及7G件。如果一個相同的承載是被使用於微影投 射裝置中將被處理物件且在該微影投射裝置中所處理物件 之轉移，值得注意的是熱處理通常對即將被處理的物件而 言是特別重要的且對已經被處理物件而言是較不重要的， 但是要視一些重要的處理程序之後而定。此表示配置於兩 個支樓位置之間的熱處理構件對兩個支撐位置不需要是相 等有效的，至少假設其中-個支擇位置被使用於即將被處 理的物件且另-個支撐位置被使祕6經被處理的物件。 如已經說明的’根據本發明的一實施例，當熱處理構件 包含線狀物及-流體灌入系統時是有利的，該線狀物，諸 如管子或通道’被提供於—切板㈣及/或承載室腔之一 或多個内壁内部’流體灌入系統用於灌注流體通過該線狀 根據本發明此觀點的另一個實施例，承載室腔包含一上 内壁及-下内壁，I中排氣構件包含—個被提供於承載室 :下内壁中的排氣口，且其中承載室包含—個被提供於承 载至腔上㈣中的通氣Π。藉由從下内壁的排氣及上内辟 的通氣，纟置㈣氣體流動將U上而下。此代表微粒； 如果出現，將被氣體從承載室腔的上半部_ 91456.doc -26- 1234692 些微粒將被沉積在承載室腔的底部或從承載室腔被移除。 在此觀點中，通氣口及排氣口的配置位置是對應支撐位置 的中心，且支撐位置的配置是一個配置於另一個之上。這 木八提供使用在排氣及/或通氣期間於承載室腔内部所產生 之氣々丨L將可此落在或黏在被置於承載室腔中基底上的微粒 私除的可旎性。上内壁及/或下内壁可以被固定，但有利 地’為了維修的目的，上内壁及/或下内壁不需要被固定。 根據本發明此觀點的另一個實施例，投射腔是一種真空 L且微#投射裝置包含真空構件，用於建立或維持真空腔 中的真：。真空的意思是表示一種大約〇1巴（h)或更小的 根據本务明此觀點的另一個實施例，投射裝置包含： 二輻射線系統，用於提供_輻射投射光束； 支撐…構’用於支撐圖案構件，圖案構件的作用是根 康一想要的圖案將投射光束圖案化； 一基底平台，用於固定一基底；及 、糸統，用於投射圖案光束至基底 二據本發明此觀點的另-個實施二二： 又本發明此觀點的另一個每 個朝向第一環产” 伯貝峰出入口構件包含- 出入口。弟一出入口及-個朝向第二環境之第- 必須操作；出入口，各朝向其中-個環境，避幻 此增加承=本身。承載室腔可以«在固定位置, 戰至的輪入速度。 9H56.doc -27- I234692 為了要增加根據本發明一每 率，當微影投射組合包含^^例之微影投射組合的生產 的。承計… 個或多個該承載室時是有利 Η #丄 京疋通氣及排氣所需要的時 間。猎由具有兩個或多個承载室而… ψ ™ ^ ^ 具可以在一時間週期中 出現更多的物件於第二I ’ 向第-。兄中。例如’-個承載室可以朝 7罘一％纟兄被打開，而其他 被糙狡 > 、、载至已經含有一個之後將 被轉移至第二環境之物件。 1交对 根據本發明之此觀點，本 承^ 月亦關於一種如上文所述之 氣载至。換句話說，本發明 铱—' 種用於在第一璟挎盥 苐一％境之間轉移物件，諸如 ’、 壓力小於第一肝·盆“ &之承载至，第二環境的 於弟，其中承载室包含： •一承載室腔； •排氣構件，用於承载室腔之排氣，· 出入口構件，用於在排氣期 7lc番〜 4门關閉承载室腔且用於打開 載至腔以輸入一物件至承載 … 、 物件· 戰至I或攸承载室腔移除一 /、中承載至腔具有至少兩個物件支撐位置。 應用至一微影投射組合之獨立項申 满焱扭秘， 只r明專利乾圍亦可以被 二、根據此承載室申請專利範圍 ^ ^ ^ ^ 固炙甲叫專利範圍，形成承 載至之較佳實施例。 根據本發明之此觀點，本 Μ“ 種根據本發明之 戰至及一晶圓執道系 入口 ，、中面對第一環境之出 的出入口在晶圓執道系統處。 根據此觀點，本發明亦關於一 ^ ^ 裱境與第二環境 91456.doc -28- 1234692 :間轉移物件，諸如基底之方法，此 取好是如上述之承葡6 J用一承载室， 义之承载至，承載室具 含： 戟至腔，此方法包 卜物件定位於承载室内部之第—物 _為了封住物件而關閉承載室， 牙位置’ -藉由排氣構件排空承载室内氣體， -打開承載室將承載室連接至第二環境， 將第—物件定位於承载室内部之第_ 4 將筮 u 乐—物件支撐位置且 將弟一物件從第一支 射組合之㈣^ 直移除攸先則有關於微影投 口之呪明，此方法的優點將是清楚的。 根據本發明此觀點之方法的一 方法接著包含： &疋有利的當此 為了封住第—物件而關閉承載室， '讓承載室通氣， 為了將承載至連接至第一環境而打開承载室，且 -從承載室移除第二物件。 者田第_物件之定位是在第—物件之移除前被實施時，且 田以相同的夾子實施定位及移除時，根據本發明之一實施 例之方法的生產率可以被增加。 為了 4文所述的理由，根據本發明之一實施例之方法有 J也匕3在承載室排氣之前，減少被定位在第一物件支撐 位置上之第一物件附近氣體容積。 一般注意事項 雖然在正文中特定的參照可以被變成在1C製造中根據本 91456.doc -29- 1234692 鲞明裝置之使用，但是它應該被明確地瞭解此一裝置具有 斗夕其他可能的應用。例如，它可以被使用在積體光學系 統、磁疇記憶體之引導及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜 磁頭等之製造中。精通此技術者將瞭解，此替代應用中之 上下文中，在本文中任何術語，，微粒”或”晶粒，，之使用應該被 考慮成分別以更通用術語，，光罩”、，，基底，，及，，目標部分，，取 代。 在本文件中，術語”輻射線”及，，光束”被使用於包含所有類 型的電磁輻射線，包含紫外光（uv)輻射線（例如具有365、 248、193、157或126奈米之波長）及遠紫外光（EUV)輻射線 (例如具有5-20奈米範圍内之波長），及微粒束，諸如離子束 或電子束。 如將’欠得α楚，此發明包含許多觀點。各觀點彼此獨立， 然而一或多個觀點或部分這些觀點可以根據本發明有利地 彼此被組合。 【實施方式】 圖1概要描繪根據本發明一特殊實施例之微影投射裝置 (LP)。此圖形之說明是要圖例說明微影投射裝置之不同部 分。裝置包含： -一輻射線系統Ex，IL，用於供應一輻射線投射光束ρΒ (例 如EUV輻射線）。在此特殊的情況下，輻射線系統亦包含一 輻射線光源L A ; -一第一物件平台（光罩平台）MT，其具有一光罩夾具，用 於夾住一光罩MA(例如一標線），且被連接至第一定位構件 91456.doc -30- 1234692 第疋位構件PM用於精確定位與項目PL相關之光罩； --第二物件平台(基底平台)WT，其具有一基底夾具，用 於夾住-基底w(例如-抗姓冑塗覆石夕晶圓），且被連接至第 二定位構件PW，第二定位構件pw用於精確定位與項目凡 相關之基底；及 -刀-投射系統（”透鏡，，）PL(例如一反射鏡系統），其用於將被 …、射邛刀之光罩MA映射至基底W之一目標部分c(例如包 含一或多個晶粒）上。 如這裡所述，裝置是一種反射類型（即具有一反射光罩）。 然而，通常，例如它亦可以是透射類型（具有折射透鏡系統 之透射光罩）。另一種選擇是，裝置可以利用另一種圖案構 件，諸如一種如上文所述類型之可程式化鏡陣列。 光源LA(例如電漿光源）產生一輻射光束。此光束直接或 在例如已經穿過調整構件（諸如擴束器E x)之後被饋入一照 明系統（照明器）IL。照明器IL可以包含調整構件AM，用於 設定光束中強度分布的外徑及/或外徑寬度（通常分別以心 外及σ-内），通常它將包含不同的其他元件，諸如一整合器 IN及一聚光态C0。在此方法中，撞擊光罩μΑ上之光束ρβ 在它的橫截面中具有要求的均勻度及強度分布。 吾人應該注意關於圖1，光源L A可以是在微影投射裝置 的外罩内（通常是在當光源LA例如是水銀燈時的情況），但 是它亦可以是在遠離微影投射裝置的地方，它產生的輻射 光束被饋入裝置中（例如藉助適合的導向鏡）；後面的方案常 常是發生在光源LA是一種準分子雷射時（excimer laser)。本 91456.doc -31 - 1234692 發明及申請專利範圍包含這兩種方案。 接者’光束PB搁截被固定於光罩平台]yjT上之光罩]y[A。 已經牙過光罩ΜΑ，光束PB傳送通過透鏡PL，其將光束PB 聚焦於基底W之一目標部分C上。藉由第二定位構件？界的 幫助（及干涉測量構件IFp基底平台WT可以精準地被移 動，例如以便在光束PB路徑中定位不同的目標部分C。同 樣地，第一定位構件PM可以被使用於對應光束？6路徑精確 地定位光罩MA，例如在光罩MA從光罩庫中機械取回之 後，或在掃描期間。通常，物件平台MT，WT之移動是藉助 於長衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（細微定位）而被實 現，它們沒有'明確被描繪於圖丨中。然而，在晶圓步進機的 例子中（與步進掃描裝置相反），光罩平台MT可以僅被連接 至短衝程致動器，或可以被固定。光罩MA及基底w之對準 可以使用對準標冗]VII，M2及基底對準標記p 1，p2。 所述裝置可以被使用於兩種不同模式： 1·步進模式中，光罩平台MT實質上被保持不動，且一整個 光罩影像被一次一個地投射（即單一”閃光"）於一目標部分c 上。然後基底平台WT以X及/或乂方向被偏移，以致於不同 的目標部分C可以被光束pb照射；及 2·掃描核式中，實質地，除了一特定目標部分c不以單一 閃光π被曝光之外，相同的方案實施。反之，光罩平台MT 在一特定方向是可移動的（所謂的”掃描方向"，例如乂方 向），移動速度為V，所以導致投射光束？6掃描整個光罩影 像；同時發生地，基底平台WT同時以速度ν=Μν以相同或 91456.doc -32- 1234692 相反的方向被移動，其令M是透鏡PL的倍率（典型&Μ=ι/4 或1/5)。在此方法中，相對大的目標部分c可以被曝光，不 會受解析度的影響。 圖2概要地描繪根據本發明一實施例之微影投射組合 LPA個別模組之佈局圖。此附圖的意思是圖例說明在此發明 中所使用之模組。 佈局包含： -兩個承载室LL，用於在第一環境與第二環境之間轉移基 底。第二環境，佔據於模組HC及LP中，的壓力小於第一環 境； 1 處理機腔HC ,其具有用於基底預先處理之前置處理構 件諸如預先對準構件及/或熱處理構件，及運送構件，運 送，件用於將基底從承載室LL轉移至前置處理構件且另外 從丽置處理構件轉移至微影投射裝置乙?中的載入位置，且 以相反方向從微影投射裝置Lp中的卸載位置轉移 室 LL° -微影投射裝置LP，如上文中所更詳、細說明的。 在晶圓被處理的例子中’承載室與處理機腔—起通稱為 基底處理機SH或晶圓處理機。 、，微影投射裝置包含-投射腔，其尤其包含來自圖i之基底 平口 WT及典型地第二定位構件pw及用於排空投射腔内空 氣之排氣構件。承載室及處理機腔的功能將在下文被更= 細地說明。 圖3及圖4描緣分別根據本發明第一及第二實施例之一微 91456.doc -33- 1234692 影投射組合。在兩個圖中，下列的模組將被識別： -兩個載入室LL ; -處理機腔HC，結合兩個承載室ll被稱為基底處理機 或晶圓處理機； -微影投射裝置LP，包含一投射腔。 在後面的模組LP中，配置未被詳細地顯示，但是可以由 圖1及2之實例被瞭解。 與承載室LL相鄰而與處理機腔11(：相反的位置，將出現另 一個模組，諸如一基底執道ST(參看圖2)，其被設置用於供 應基底至承載室LL·及從承載室LL移除基底。 在各個承載—室LL中，具有一出入口1〇, u，此出入口的 作用是允許在第一環境與承載室LL2間的基底轉移。在其
相反側，各承載室具有一出入口 12，13，允許在承載室LL 與處理機腔HC之間的基底轉移。在投射過程期間，第二環 境將佔滿處理機腔HC及微影投射裝置LP。各個出入口 1〇, 11，12, 13被設置，以一氣密方式隔離各個承載室之内部。 各承載室具有一個基底支撐位置14a，15a，其支撐一基底 或一晶圓。未顯示於圖4中的是第二基底支撐位置Mb， 15b。第一及第二基底支撐位置被圖示於圖5及圖6中，且在 此後被說明。 第二環境具有的壓力低於第一環境。當微影投射裝置^ 使用例如遠紫外線（EUV)輻射時，第二環境將是一真空釋 境。在此例子中投射腔是一種真空腔。要建立一二二$ — 兵二乳壓， 兩貫施例之微影投射組合可以具有真空構件以建立或_ 91456.doc -34- Ϊ234692 一真空（未顯示）。 替代地，第二環境亦可以是一種特殊的氣體環境，諸如 一種氮氣環境。 為了要在第一環境與具有較低壓力的第二環境之間轉移 基底而不會因為強烈的氣流損壞重要部分，一次僅一承载 室LL之一個出入口開啟。在從基底支撐位置Ma、15&轉移 至第一 ％ i兄之後，承載室LL在開啟各出入口丨〇、丨丨之前將 被先被減輕壓力，而在從基底支撐位置14]^、15b轉移至第 一％埏之後，承載室在開啟各出入口 12、13之前將先被抽 氣至需要的真空程度。 在處理機腔HC中，具有一前置處理位置16，在此位置配 置預先對準構件及熱處理構件（未顯示）。為了要在晶圓 WT上達到要求精確性程度之基底定位，在前置處理位置 之預先對準是重要的。下—個位置是微影投射裝置Lp中的 載入位置17。在此位置’基底被置於圖i之基底平台WT。 在晶圓被處理的例子中，此平台被視為一晶圓平台。為了 要在整個基底上維持—控制溫度，在此位置16應用熱處理 構件是有利地。 在圖4中所描述的本發明第二實施例中’一額外的卸載位 置18被設置於微影投射裝置Lp中。此與圖3之第一實施例相 反’其中位置17及18同時發生。 /處理機腔批與微影投射裝置LP之間轉移基底等等之 後’-基底通過-人口23或24。與先前段落中之差異比較， 在圖3之帛貝紅例中，在處理機腔與载入及卸載位置μ、 91456.doc 35- 1234692 24之間的入口同時發生。 構=及圖4之第—及第二實施例之間的另—個差異是運送 圖3之第一實施例包含一個具有—夾子加之操作機 而圖4中所描述之第二實施例包含—個緊鄰第一操作機 二作機’其亦具有一夾子22。在這些實施例中此兩 *乍機都是機器人’-種平面關節型（SCARa)機器人， 但是其他的機器人或其他的操作機亦是可理解的。 機器人用於下列操作： I從承載室LL夾取-基底且將該基底轉移至前 16且/或； 再1〒 2·從前置處理構件I6夾取一基底且 氐立將该基底轉移至載入位 置17 ;且/或 3.從卸載位置18夾取一基底且將該基底轉移至其中一個承 載室LL之基底傳送位置14、15。 在第一實施例中，藉由在對其中-個承載室LL排氣或抽 氣之前組合上文所述三個操作之兩個或更多操作達到提高 基底生產量之目的。 吾人很容易瞭解’因使用兩個機器人取代使用—個機器 人，上文所述操作組合之可能性大大地被提高，如同在第 二實施例中的例子。 當然也可能是其他有利的組合。 最合邏輯的轉移操作川員序將根據微影投射組合LpA的操 作模式而定； -啟動階段’在此階段不需要從卸載位置18至承載室以 91456.doc -36 - 1234692 基底轉移且一或多個基底被轉移進入處理機腔及微影投射 裝置； -穩態操作；分別轉移至載入位置1 7且從卸載位置1 8轉移； -結束階段，在此階段沒有從承載室LL至前置處理位置16 或至一載入位置之轉移發生且一或多個基底被轉移出處理 機腔及微影投射裝置。 根據本發明之實施例，各承載室LL具有一第一 14a、15a 及一第二基底支撐位置14b、15b(未被顯示於圖3及圖4中， 但被顯示於圖5及圖6中）。額外的支撐位置提高組合上述三 個操作的可能性，因為第二位置可以作用如進入及離開之 基底的一種緩衝器。 在第一及第二實施例中 不戰室與對應機器 八 一.…々饭升》 成所謂的雙向承載室，意思是各承載室是可關時被處理 機腔内機器人及例如來自基底軌道之機器人存取的，在此 一方法中，基底可以雙向被轉移通過出入口 1〇、u、丨2、 。此被以圖3及4中具有箭頭的線D' E、F、G表示。此組 態可以提高基底的生產量。根據本發明微影投射組合之實 施例，-個承載室用於進入的基底且另一個承載室用於出 來的基底意是可實行的。此一杳 、 、 匕貝轭例減低轉移操作組合的 舞性，但疋在相同時間減少關 東。 剛A娀為人刼作可及範圍之需 隹雨貫施例中，基底處
^ 視情況具有一第三承載J 25，用於將基底在第環 兄興第―壞境之間轉移。在第： 承載室25的相反兩側上呈右 你乐一 j上具有兩個出入口 27、28。出入π 9 連接第三承載室的内部至處理 啊L。外面的出入口 28連去 91456.doc -37- 1234692 第三承载室的内部至基底處理機。 第二承载室被設置於處理機腔可自由存取的一側且如果 基底應該被移除或如果第一及第二承載室之基底支撐位置 14a 14b、15a、15b都已經被佔帛，藉由使用第三承载室 當作一緩衝器’它提高微影投射組合LPA的彈性及應用可能 性。此外，它可以被使用於幫助處理機腔此及〆或微影投射 裝置LP之維修。注意第三環境可以是與第一環境相同，但 亦可以與第一環境不同。 在圖3及4中，其中一個承載室LL包含一非必要的外部出 入口26 ’其被設置於其可自由存取的—側。此出入口26的 作用是直接從第三環境（其可以與第—環境相同）轉移基底 或其他物件至承載室。此外’它可以被使用於對應承载室 之維修。亦有可能提供兩個承載室共用—個外部出入口％ 或設置外部出入口 26於另一個承載室。 圖5描繪根據本發明實施例之承載室的横截面圖。 圖5中的才多部分可以從先前兩個圖中被識別·· -承載室出入口 10、11，用於與第一環境連接； -承載室出入口 12、13,用於與第二環境連接； 一 一第一基底支撐位置14a、15a，其位於承載室的上部； --第二基底支撐位置14b、15b，其位於承載室的下部，· -來自處理機腔HC中之機器人之夾子2〇。 ’ 在圖左側，一夾子30被描繪，用於在承载室與例如基底 執道系統中第一環境之間轉移基底。此夹子3〇，盥夾二 相同可以夾取且傳送基底至及來自不_基底支撐位置。 91456.doc -38- 1234692 圖5中，一基底31已經被夾子30放置於基底支撐位置14a， 同時第二基底32被第二基底支撐位置14b，i5b支撲。 基底支擇位置14a、14b、15a、15b都包含一支撐板33、 3 5及一射梢（eject〇r pin) 34、36。射梢34、36是為了 幫助一 基底與支撐板33、35之間的置換，所以夾子的一部分會被 插入基底與支撐板之間，不管是在傳送一基底至一基底支 撐位置或是自一基底支撐位置移除一基底。在夾子3〇已經 傳送基底31且它本身被移出承載室之後，為了要讓支撐板 33、35支撐基底，射梢34、36及/或支撐板33、35在它們本 身之間移動，如圖5中下方基底32的情況。同樣地，為了要 允許夾子30、20的一部分能被插入基底與支撐板之間而讓 夾子夾取且轉移基底離開承載室，射梢34、36及/或支撐板 33、35可以在它們本身之間移動。 圖5中，每一個支撐板只有一個射梢34、％被描繪，但是 在大部分的例子中，支撐板將具有三個或更多射梢。 在支撐板33、35之間，一個中間板55被設置，其功能將 在稍後被說明。 對應圖5，兩個基底φ擔仿罟沾復g a &.......
^一 π φJ 1 〇經被傅送至第一基 而來自處理機腔HC且在排氣承載室 基底被支撐於第二基底支撐位置 14b 1 5b。從此情況看來，下列操作會發生： -在承載室外部移動夾子3 〇 ; ’移動支撐板33及/或 -為了要讓支撐板33充分支撐基底31 91456.doc -39- 1234692 射梢34於它們本身之間； -為了要從支撐板35舉起第二基底32 射梢36於它們本身之間； 軔克撐板35及/或 基底32且 一夾子（未顯 _㈣夾子30或可能的第二夾子(未顯示)至 接著讓此夹子抓取第二基底32，· -移動具有第二基底32之夾子3〇或可能的第 不）至承載室外部（第一環境）； _關閉出入口 10，Π且承載室抽氣。 轉移至承 優點是基底可以在兩個連續排氣操作之間同時被 載室且從承载室被轉移。 吾人將报容易瞭解，為了I名考 處理機腔此與承載室之 間使用夹子2〇轉移兩個基底，可比較的操作順序是可能的。 另外在圖十含有—通氣σ37之—上内壁顺描緣於— 面上且含有一排氣口 39之一下内壁4〇在另一面上。缺口 37、39被使用於經由通氣及排氣構件供應或抽出氣體。此 通氣口及排氣口之組態優點是承载室中的氣流一直保持從 上至下’其有助於防止空氣中傳播的微粒落在基底 撐表面。 未詳細顯示於圖5中，但是本發明的另一種形式，是非必 要的溫控構件，其與一或多個支撐板整合在一起，其目的 疋要使基底溫度穩定。經由實例，此構件包含線狀物6〇、 61，諸如通道、隧道或管子，被設置於支撐板内部，亦包 含一流體灌注系統，其用於灌注溫度控制流體通過這些線 狀物。支撐板33、35可以接受不同的溫度處理。 91456.doc -40- 1234692 13其在穩定基底溫度上的效率是 常簡單的結構。 -種替代的方式是設置溫控構建於一或多個内壁，例如 内壁38、4〇、50、51中及/或承載室腔之出入口 10、u、12、 比較低的，但是提供非 、圖6“緣根據本發明—實施例之承載室的橫截面圖，此橫 截面是取決於圖5中的直線¥1^1。取代承載室出入口，在 此橫截面中，側内壁5〇及51被描繪。這些内壁與下内壁 及上内壁38—起定義承載室腔52。除了射梢34、^撐 板33、35及通氣及排氣缺口 37、39，此實施例包含舉升構 件53及/或54。風箱56、57被使用當作密封。 k些舉升構件首先在承載室腔排氣之前作用分別減少基 底31與上内壁38之間的距離A及基底32與中間板“之間的 距離B。接著舉升構件在運送或夾取—基底前作用以增加支 擇板33與上内壁38及支撐板35與中間心之間的距離。 如稍早所討論的，減少距離A&B的有利效果是出現在基 底附近的氣體量被減少。由於減少的氣體量，在承載室腔 排氣J間基底上的絕熱效果及後來的溫度效果亦被減 少。 為了要避免基底與上内壁或中間板之間的任何接觸，距 離八及仏必須大於⑽微米（μιη)。此額外的理由是避免在打 亂時間之增加，當太小的間隙存在於承載室腔時，它也許 會升高。 在排出承載室腔52的氣體及打開出入口 12、13之後，距 離A、Β被增加以建立足夠的空間給夾子別以夾取及移開或 91456.doc • 41 - 1234692 運送一基底。 取代移動支撐板33、35/基底31、32朝向一固定的上内壁 38/中間板55，一種替代是使用可移動（頂板）板（未顯示）， 其被移動朝向固定或可移動支撐板/基底。對具有基底Μ之 第支撐板33而言，此一頂板將被設置在上内壁38，其中 设置適合的移動構件，而對具有基底32之第二支撐板35而 口中間板55當作一頂板。後者適合的移動構件可以被設 置於例如在側内壁50中。 在圖6中，所有的基底支撐位置14a、14b、15a、i5b是可 移動的。*中所有基底支撐位置只有-個是可移動的實施 例亦疋可實行^。當一個基底支撐位置（較大的部分）被保留 給出來的晶圓，其接近溫度控制較不無關緊要時，這些實 =例疋特別有利地。根據此方面的較佳實施例，上基底支 撐位置14a、15a是可移動的，而下基底支撐位置i4b、 是固定的（即，例如，風箱56是不需要的且舉升構件54可以 是以口疋棒取代）。然而，如果上基底支撐位置14a、15a 是固定的，而下基底支撐位置14b、15b是可移動的亦是可 行的。 在曰代貝施例中，將舉升構件53、54整合於内壁5〇、 5 1中亦是可行的。 在圖之g鈿例中，排氣口 39被整合在舉升構件Μ的組態 中 〇 為精通此技術者所熟知的是，在微影投射裝置LP中的污 染應該要被減至最小n亏染物微粒會阻擔投射光線到 91456.doc -42- 1234692 :基底：的輕射感應表面。而且，基底〜背面或基底平台 土底支撐表面上之污染物微粒會導致被投射在基_ 圖案之誤對準。因此，承載室LLt—或多個表面，及尤 其“載室以中與基底w接觸之表面，的材料對污染物微 粒攻好是具有好的吸弓丨力’諸如有機材料。這樣將導致污 ^物微粒黏在承載室LLt的表面，而不是基底w。污毕物 微粒的收集亦可以利用靜電力。例如，承載室LLt 一或多 個表面可以具有-電荷且污染物微粒具有相反電荷，所以 污染物微粒被吸附至一或多個表面。 承載室LL可以具有蓋子以提供清潔進人微粒被附著的表 ，些表面：特別地接觸表面，可以被以此方法被配置， 它們可以輕易地從承載室LL被移除，易於清潔。 承載至LL中污染物微粒之收集將污染物微粒從第一至第 %扰之運达最小化且反之亦然，例如將處理機腔hc中的 污木卩牛至最低。此外，藉由收集承載室lL中的許多微粒， ^達微影投射裝置LP中基底平台WT之污染物微粒，它們可 能是有害的，可以被減少。 而且，承載室LL之清潔相較於清潔基底平台WT或處理機 腔HC疋較容易的且較不費時。藉由承載室ll中之清潔，需 要打開處理機腔HC或微影投射裝置1^的機會，且因此擾亂 真工，可以被減少。因此，較少的時間會因為清潔程序而 損失，因為重新建立一真空是費時的。而且，由於清潔程 序所導致的污染風險亦被降低（例如指紋），因為處理機腔 及/或微影投射裝置可以較不用為了清潔而打開。 91456.doc -43 - 1234692 承載室LL亦可以被使用於傳送所謂的黏性晶圓至處理機 腔HC及/或微影投射裝置lp。這些黏性晶圓是類似晶圓的 物件，具有收集污染物微粒的特性（諸如抗蝕劑的殘留）。一 或夕個這些黏性晶圓被循環通過微影投射裝置，處理機 I HC及/或承載至LL以收集污染物微粒。這樣的一種黏性 晶圓表面對污染物微粒應該比微影投射裝置1^>，處理機腔 HC及/或承載室LL中的接觸表面具有更大的吸引力。一黏 生曰曰圓微粒被收集於其上，可以被轉移出機器、清潔且 然後被重新插入機器中用於另外的循環。 黏性晶圓之收集特性可以是根據數個技巧。例如，一個 技巧是靜電力。黏性晶圓可以靜電地被充電，以便吸引污 染物微粒。當該晶圓是循環的時，例如，#由將黏性晶圓 轉移出機态’失去電荷的微粒(包含偶極)將被吸引至黏性晶 ®且被移出機11 °磁力亦可以被使用於黏性晶®，適合用 於處理污染物微粒。 個收集技巧的實例可以是附著力及/或内聚力。一附 著晶圓對污染物微粒具有大的吸引力(諸如抗蝕劑微粒)。污 二物，粒將具有-種黏著黏性晶圓之傾向。如果是内聚力 黏性曰曰圓’黏著至黏性晶圓之微粒將會保留在黏性晶圓 土 不讓匕散佈到其他表面上，諸如夾鉗表面上。有利 _ 丨生aa圓將同時提供強的附著力及強的内聚力。不 同耘度之附著力及’或内聚力可以被實施至適合的應 如，、經由一接处丄 4 特殊的附著性及/或内聚性塗覆在晶圓上或曰曰 0 本身 Ρ/ H .. 疋以附著性及/或内聚性材料所形成，這樣的附 91456.doc -44- 1234692 著力及/或内聚力可以被提供。 使：黏性晶圓作為清潔元件至少具有數個優點。例如， 、壯Q 匕身又晶圓更有效。此外，處理機腔HC或微影投 射裝置LP中之真空可以保持不受干擾，而黏性晶圓 通過機器。重建直办s罄口主从 又 九 建真工疋費時的。而且，由於人工清潔它本 一卞物的風險亦被減低，因為處理機腔Hc、承載室ll 及/或从衫投射裝置1^較不需要人工清潔。 雖然本發明的特定實施例已經在上文巾被制，吾人將 瞭解本發明可以以所說明方法的其他方法被實施。說明不 應該限制本發明。 【圖式簡單說"η月】 曰:由κ例亚參照概要附圖，本發明實施例現在將被說 明’其中相同的參考符號或編號代表相同的部分，且其中： _ W1概要^#根據本發明一實施例之微影投射裝置； “圖概要犏繪根據本發明一實施例之微影投射組合個別 模级之大致佈局圖； -圖3描纷根據本發明第—實施例之微影投射組合； -圖4描纷根據本發明第二實施例之微影投射組合； -圖5描纷根據本發明—實施例之承載室之橫截面； -圖6描|會與根擔士 、根據本發明一實施例圖5承載室橫截面（線 νΐΛ/Ί)垂直之橫截面。 在况明的部分中，所有附圖中相同的參考符號或編號是 表示相同的部分。 91456.doc -45- 1234692 【圖式代表符號說明 AM 調整構件 C 目標部 CO 聚光器 Ex 光束擴展器 HC 處理機腔 IF 位置感應器 IL 照明系統 IN 累積器 LA 輻射線光源 MA 光罩 MT 光罩平台 PB 投射光束 PL 投射糸統 PM 定位構件 LL 承載室 LP 微影投射裝置 LPA 微影投射組合 Ml，M2 光罩對準標記 PW 定位構件 Pl，P2 基底對準標記 ST 基底軌道 SH 基底處理機 W 基底 9I456.doc -46- 1234692
WT 10, 11，12, 13 14a，1 5a 14b， 15b 16 17 18 19, 21 20, 22 23 24 _ 25 26 27, 28 30 31，32 33, 35 34, 36 37 38 39 40 50, 51 52 53, 54 基底平台 出入口 基底支撐位置 基底支撐位置 前置處理位置 載入位置 卸載位置 操作機 夾子 載入位置 卸載位置 第三承載室 外部出入口 出入口 夾子 基底 支撐板 射梢 通氣口 上内壁 排氣口 下内壁 侧内壁 承載室腔 舉升構件 91456.doc -47· 1234692 55 56, 57 60, 61 中間板 風箱 線狀物 91456.doc -48