CN107017184B - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够提高处理部和分度器部的配置的自由度的基板处理装置。基板处理装置具有对基板进行处理的处理部。处理部的前表面以及处理部的后表面都能够与向处理部供给基板的分度器部连接。根据这样的基板处理装置，能够提高处理部和分度器部的配置的自由度。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及对半导体晶片、光掩模用的玻璃基板、液晶表示装置用的玻璃基板、光盘用的基板等(以下仅称为基板)进行处理的基板处理装置。

背景技术

以往，作为这种装置，存在具有对基板进行处理的处理部的基板处理装置。处理部的前表面与分度器部连接。处理部的后表面与接口连接。接口部还与曝光机连接。分度器部向处理部供给基板。处理部对基板进行处理。接口部在处理部和曝光机之间搬送基板(例如公开在日本国特开2009-010291号公报中)。

但是，在以往的装置中，仅能够使分度器部与处理部的前表面连接。即，处理部和分度器部的配置的自由度低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够提高处理部和分度器部的配置的自由度的基板处理装置。

本发明为了实现上述目的，采用如下的结构。

即，本发明是一种基板处理装置，所述基板处理装置具有对基板进行处理的处理部，所述处理部的前表面以及后表面都能够与向所述处理部供给基板的分度器部连接。

根据本发明的基板处理装置，由于处理部的前表面能够与分度器部连接，所以能够在处理部的前方配置分度器部。并且，由于处理部的后表面能够与分度器部连接，所以能够在处理部的后方配置分度器部。这样，能够提高处理部和分度器部的配置的自由度。在此，处理部的前表面是与处理部的后表面相反的面。

因此，只要决定处理部的规格，则即使尚未决定分度器部与处理部的前表面以及后表面中的哪个连接，也能制造处理部。由此，能够缩短处理部的交货时间。

在上述的发明中，优选所述处理部的所述前表面以及所述后表面都能够与接口部以及曝光机中的至少一个连接。由于处理部的前表面能够与接口部以及曝光机中的至少一个连接，所以在处理部的前方能够配置接口部以及曝光机中的至少一个。并且，由于处理部的后表面能够与接口部以及曝光机中的至少一个连接，所以在处理部的后方能够配置接口部以及曝光机中的至少一个。这样，能够提高处理部和接口部以及曝光机中的至少一个的配置的自由度。

在上述的发明中，优选在所述处理部的所述前表面与所述分度器部连接时所述处理部对基板进行的处理，与在所述处理部的所述后表面与所述分度器部连接时所述处理部对基板进行的处理相同。换言之，在所述处理部的所述前表面与所述分度器部连接的情况下，所述处理部对基板进行第1处理，在所述处理部的所述后表面与所述分度器部连接的情况下，所述处理部对基板进行与所述第1处理同种的处理。无论是在处理部的前方配置分度器部的情况还是在处理部的后方配置分度器部的情况，处理部都能够对基板进行相同的处理。即，即使处理部和分度器部的配置改变，处理部对基板进行的处理也不改变。因而，能够更加提高处理部和分度器部的配置的自由度。

在上述的发明中，优选所述处理部具有载置基板的载置部，所述载置部具有相对于所述处理部的前方开放的前部载置部和相对于所述处理部的后方开放的后部载置部，在主视下的所述前部载置部的位置与在后视下的所述后部载置部的位置相同。具体地说，优选从正面观察处理部时的前部载置部相对于处理部的前表面的位置，与从后表面观察处理部时的后部载置部相对于处理部的后表面的位置相同。无论是分度器部与处理部的前表面连接的情况，还是分度器部与处理部的后表面连接的情况，分度器部都能够以相同的位置向处理部供给基板。

在上述的发明中，优选所述处理部具有：

处理单元，对基板进行处理，

搬送机构，相对于所述处理单元以及所述载置部搬送基板；

所述处理部的所述前表面、所述处理单元、所述载置部和所述搬送机构的相对的位置关系，与所述处理部的所述后表面、所述处理单元、所述载置部和所述搬送机构的相对的位置关系相同。

换言之，优选所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构相对于所述处理部的前表面的各位置，与所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构相对于所述处理部的后表面的各位置相同。与通过处理部的前表面进入处理部的基板相关的搬送条件和与通过处理部的后表面进入处理部的基板相关的搬送条件实质上相同。在此，基板的搬送条件是指例如基板的搬送距离、基板的搬送方向或基板的搬送时间等。由此，无论是处理部的前表面与分度器部连接的情况还是处理部的后表面与分度器部连接的情况，都能够使处理部中的处理品质良好地相同。

在上述的发明中，优选所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构在俯视下呈点对称配置。能够使处理部的前表面、处理单元、载置部和搬送机构的相对的位置关系与处理部的后表面、处理单元、载置部和搬送机构的相对的位置关系良好地一致。

在上述的发明中，优选在所述处理部的前部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构，与在所述处理部的后部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构对称配置。简而言之，优选处理单元、载置部以及搬送机构前后对称配置。详细地说，优选所述处理单元、载置部以及搬送机构在俯视以及侧视中的至少一个下前后对称配置。在从处理部的前表面朝向后表面的方向上的处理单元、载置部以及搬送机构的排列，与在从处理部的后表面向前表面的方向上的处理单元、载置部以及搬送机构的排列相同。因而，无论是处理部的前表面与分度器部连接的情况还是处理部的后表面与分度器部连接的情况，都能够使处理部中的处理品质良好地相同。

在上述的发明中，优选在所述处理部的右部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构，与在所述处理部的左部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构对称配置。简而言之，优选处理单元、载置部以及搬送机构左右对称配置。详细地说，优选处理单元、载置部以及搬送机构在俯视以及主视中的至少一个下左右对称配置。在处理部的右部中的处理单元、载置部以及搬送机构，配置为与在处理部的左部中的处理单元、载置部以及搬送机构相同。由此，能够在处理部的右部中的维护与在处理部的左部中的维护大致相同。此外，“维护”是指，检查、修理、维修、更换等。

在上述的发明中，优选所述处理部设置有多个模块，多个所述模块设置为在连接所述处理部的所述前表面和所述后表面的前后方向上排列成一列，

从所述处理部之前起第i个配置的模块，具有与从所述处理部之后起第i个配置的模块相同的功能，其中，i为1以上的整数。

无论是处理部的前表面与分度器部连接的情况还是处理部的后表面与分度器部连接的情况，都能使处理部中的处理品质良好地相同。

此外，从处理部之前起第1个配置的模块位于处理部的前端部。从处理部之后起第1个配置的模块位于处理部的后端部。另外，“功能”是包括处理基板的功能和搬送基板的功能等的意思。

在上述的发明中，优选所述模块是对基板进行热处理的热处理模块、对基板进行液处理的液处理模块、以及在所述热处理模块和所述液处理模块之间对基板进行中转的中转模块中的某个，

从所述处理部的所述前表面朝向所述后表面的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列，与从所述处理部的所述后表面朝向所述前表面的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列相同。

换言之，优选在前后方向中的一个方向上的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列，与在前后方向中的另一个方向上的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列相同。前后方向中的另一个方向是与前后方向中的一个方向相反的方向。无论是处理部的前表面与分度器部连接的情况还是处理部的后表面与分度器部连接的情况，能够使处理部中的热处理以及液处理的处理品质良好地相同。

在上述的发明中，优选热处理模块、中转模块、液处理模块、中转模块、热处理模块从所述处理部的所述前表面朝向所述后表面依次排列。根据这样的结构，在热处理模块和液处理模块之间配置有中转模块。中转模块能够良好地提高热处理模块和液处理模块之间的基板的搬送效率。另外，中转模块能够降低热处理模块对液处理模块造成的影响。例如，中转模块能够降低热处理模块对液处理模块赋予的热的影响。

本发明是一种基板处理装置，所述基板处理装置具有对基板进行处理的处理部，

所述处理部具有：

前部热处理模块，配置在所述处理部的前端部，对基板进行热处理，

后部热处理模块，配置在所述处理部的后端部，对基板进行热处理，

液处理模块，配置在所述前部热处理模块和所述后部热处理模块之间，对基板进行液处理；

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别能够与向所述处理部供给基板的分度器部连接。

根据本发明的基板处理装置，由于前部热处理模块能够与分度器部连接，所以能够在处理部的前方配置分度器部。由于后部热处理模块能够与分度器部连接，所以能够在处理部的后方配置分度器部。这样，能够提高处理部和分度器部的配置的自由度。

在处理部的前端部配置的前部热处理模块和在处理部的后端部配置的后部热处理模块分别对基板进行热处理。因而，无论是在处理部的前方配置分度器部的情况还是在处理部的后方配置分度器部的情况，处理部能够对基板进行相同的处理。

在上述的发明中，优选所述液处理模块将进行了液处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了液处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行液处理后热处理。

液处理模块在对基板进行液处理后，将基板分配(分散)到前部热处理模块以及后部热处理模块。前部热处理模块和后部热处理模块分别从液处理模块接收进行了液处理的基板。然后，前部热处理模块和后部热处理模块分别对基板并行进行液处理后热处理。液处理后热处理是紧接着液处理进行的热处理。由此，能够高效地实施液处理后热处理。

在上述的发明中，优选所述液处理模块作为所述液处理进行向基板涂布涂膜材料的涂布处理，

所述液处理模块将进行了所述涂布处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了所述涂布处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行涂布后热处理。

液处理模块在对基板进行涂布处理后，将基板分配(分散)到前部热处理模块以及后部热处理模块。前部热处理模块和后部热处理模块分别从液处理模块接受进行了涂布处理的基板。然后，前部热处理模块和后部热处理模块分别对基板并行进行涂布后热处理。涂布后热处理是紧接着涂布处理进行的热处理。由此，能够高效地实施涂布后热处理。

在上述的发明中，优选所述液处理模块作为所述液处理进行向基板供给显影液的显影处理，

所述液处理模块将进行了所述显影处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了所述显影处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行显影后热处理。

液处理模块在对基板进行显影处理后，将基板分配(分散)到前部热处理模块以及后部热处理模块。前部热处理模块和后部热处理模块分别从液处理模块接受进行了显影处理的基板。并且，前部热处理模块和后部热处理模块分别并行进行显影后热处理。显影后热处理是紧接着显影处理进行的热处理。由此，能够高效地实施显影后热处理。

在上述的发明中，优选所述处理部具有：

前部中转模块，配置在所述前部热处理模块和所述液处理模块之间，对基板进行中转，

后部中转模块，配置在所述液处理模块和所述后部热处理模块之间，对基板进行中转；

所述前部热处理模块具有：

热处理单元，对基板进行热处理，

搬送机构，相对于所述前部热处理模块的所述热处理单元搬送基板；

所述前部中转模块具有：

载置部，载置基板，

搬送机构，相对于所述前部中转模块的所述载置部搬送基板；

所述液处理模块具有：

液处理单元，对基板进行液处理，

搬送机构，相对于所述液处理单元搬送基板；

所述后部中转模块具有：

载置部，载置基板，

搬送机构，相对于所述后部中转模块的所述载置部搬送基板；

所述后部热处理模块具有：

热处理单元，对基板进行热处理，

搬送机构，相对于所述后部热处理模块的所述热处理单元搬送基板。

前部热处理模块、前部中转模块、液处理模块、后部中转模块和后部热处理模块从处理部的前端部向后端部依次排列。着眼于各模块的功能，前部热处理模块具有与后部热处理模块相同的功能。前部中转模块具有与后部中转模块相同的功能。因此，无论从处理部的前端部观察还是从后端部观察，模块的排列实质上相同。换言之，在从处理部的前端部朝向后端部的方向上的模块的排列，与在从处理部的后端部朝向前端部的方向上的模块的排列在功能上相同。由此，无论是处理部的前端部与分度器部连接的情况还是处理部的后端部与分度器部连接的情况，都能够使处理部中热处理以及液处理的处理品质良好地相同。另外，在前部热处理模块和液处理模块之间配置有前部中转模块。前部中转模块能够良好地提高前部热处理模块和液处理模块之间的基板的搬送效率。另外，前部中转模块能够降低前部热处理模块对液处理模块造成的影响。同样地，在后部热处理模块和液处理模块之间配置有后部中转模块。后部中转模块能够良好地提高后部热处理模块和液处理模块之间的基板的搬送效率。另外，后部中转模块能够降低后部热处理模块对液处理模块造成影响。

在上述的发明中，优选所述前部中转模块的多个所述载置部彼此在上下方向上排列，

所述前部中转模块的多个所述搬送机构配置在所述前部中转模块的所述载置部的侧方，

所述液处理模块的多个所述搬送机构彼此在上下方向上排列，

所述后部中转模块的多个所述载置部彼此在上下方向上排列，

所述后部中转模块的多个所述搬送机构配置在所述后部中转模块的所述载置部的侧方，

以所述液处理模块的所述搬送机构各自与所述前部中转模块中的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部中转模块的所述载置部，

以所述液处理模块的所述搬送机构各自与所述后部中转模块的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部中转模块的所述载置部。

前部中转模块具有多个载置部。前部中转模块的各载置部在上下方向上排列配置。液处理模块具有多个搬送机构。液处理模块的各搬送机构在上下方向上排列配置。液处理模块的各搬送机构分别配置在前部中转模块的至少一个载置部的后方。因此，液处理模块的各搬送机构分别能经由前部中转模块的载置部向前部中转模块的搬送机构交付基板，且能够从前部中转模块的搬送机构接受基板。同样地，后部中转模块具有多个载置部。后部中转模块的各载置部在上下方向上排列配置。液处理模块的各搬送机构分别配置在后部中转模块的至少一个载置部的前方。因此，液处理模块的各搬送机构分别能够经由后部中转模块的载置部向后部中转模块的搬送机构交付基板，且能从后部中转模块的搬送机构接受基板。

在上述的发明中，优选所述前部热处理模块的多个所述搬送机构在上下方向以及横向中的某个方向上排列，

以所述前部热处理模块的所述搬送机构各自与所述前部中转模块中至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部中转模块的所述载置部，

所述后部热处理模块的多个所述搬送机构在与所述前部热处理模块的多个所述搬送机构相同的方向上排列，

以所述后部热处理模块的所述搬送机构各自与所述后部中转模块中的至少1以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部中转模块的所述载置部。

前部热处理模块具有多个搬送机构。前部热处理模块的各搬送机构在上下方向或横向上排列配置。横向是与上下方向垂直且与前后方向垂直的方向。前部热处理模块的各搬送机构分别配置在前部中转模块的至少一个载置部的前方。因此，无论是前部热处理模块的多个搬送机构在上下方向上排列的情况还是在横向上排列的情况，前部热处理模块的各搬送机构分别能够经由前部中转模块的载置部向前部中转模块的搬送机构交付基板，且能够从前部中转模块的搬送机构接受基板。同样地，后部热处理模块具有多个搬送机构。后部热处理模块的各搬送机构在上下方向或横向上排列配置。后部热处理模块的各搬送机构分别能够配置在后部中转模块的至少一个载置部的后方。因此，后部热处理模块的各搬送机构分别能够经由后部中转模块的载置部向后部中转模块的搬送机构交付基板，且能够从后部中转模块的搬送机构接受基板。

在上述的发明中，优选所述前部热处理模块具有载置基板的多个载置部，

所述前部热处理模块的多个所述载置部在所述前部热处理模块的所述搬送机构的侧方彼此在上下方向上排列，

以所述前部中转模块的所述搬送机构各自与所述前部热处理模块的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部热处理模块的所述载置部，

所述后部热处理模块具有载置基板的多个载置部，

所述后部热处理模块的多个所述载置部在所述后部热处理模块的所述搬送机构的侧方彼此在上下方向上排列，

以所述后部中转模块的所述搬送机构各自与所述后部热处理模块中的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部热处理模块的所述载置部。

前部热处理模块的各载置部在上下方向上排列配置。前部中转模块的各搬送机构分别配置在前部热处理模块的至少1个载置部的后方。因此，前部热处理模块的搬送机构和前部中转模块的搬送机构能经由前部热处理模块的载置部相互搬送基板。因而，能够提高前部热处理模块和前部中转模块之间的基板搬送的可靠性。同样地，后部热处理模块的各载置部在上下方向上排列配置。后部中转模块的各搬送机构分别配置在后部热处理模块的至少1个载置部的前方。因此，后部热处理模块的搬送机构和后部中转模块的搬送机构能够经由后部热处理模块的载置部相互搬送基板。因而，能够提高后部热处理模块和后部中转模块之间的基板搬送的可靠性。

附图说明

为了对发明进行说明，图示了当前较佳的几个方式，但应该理解，并不限于图示发明的结构以及对策。

图1A是实施例1的基板处理装置的侧视图，图1B是实施例1的基板处理装置的主视图，图1C是实施例1的基板处理装置的后视图。

图2A是表示实施例1的处理部和其他设备的连接的一例的侧视图，图2B是表示实施例1的处理部和其他设备的连接的另一例的侧视图。

图3是实施例1的基板处理装置1的俯视图。

图4是图3中的箭头a-a侧视图。

图5是图3中的箭头b-b侧视图。

图6是示意性地表示搬送机构和载置部的关系的概念图。

图7是从分度器部观察到的前部热处理模块的主视图

图8从分度器部观察到的前部中转模块的主视图

图9是从分度器部观察到的液处理模块的主视图。

图10是从分度器部观察到的后部中转模块的主视图。

图11是从分度器部观察到的后部热处理模块的主视图。

图12A、12B、12C、12D、12E分别是图4中的箭头a-a、b-b、c-c、d-d、e-e俯视图。

图13是实施例1的基板处理装置的控制模块图。

图14是表示对基板进行的处理的顺序的流程图。

图15是示意性地表示在动作例1中基板在模块之间移动的样子的概念图。

图16是表示动作例1中的基板的搬送路径的图。

图17是示意性地表示在动作例2中基板在模块之间移动的样子的概念图。

图18是表示动作例2中的基板的搬送路径的图。

图19是示意性地表示在动作例3中基板在模块之间移动的样子的概念图。

图20是表示动作例3中的基板的搬送路径的图。

图21是示意性地表示在动作例4中基板在模块之间移动的样子的概念图。

图22是表示动作例4中的基板的搬送路径的图。

图23A是表示实施例2的处理部和其他设备的连接的一例的侧视图，图23B是表示实施例2的处理部和其他设备的连接的另一例的侧视图。

图24是实施例2的基板处理装置的俯视图。

图25是图24中的箭头a-a侧视图。

图26是图24中的箭头b-b侧视图。

图27是从分度器部观察到的前部热处理模块的主视图。

图28是从分度器部观察到的前部中转模块的主视图。

图29是从分度器部观察到的液处理模块的主视图。

图30是从分度器部观察到的后部中转模块的主视图。

图31是从分度器部观察到的后部热处理模块的主视图。

图32是从分度器部观察到的接口模块的前部的主视图。

图33是从分度器部观察到的接口模块的后部的主视图。

图34A、34B、34C、34D是图25中的箭头a-a、b-b、c-c、d-d侧视图。

图35A、35B、35C、35D是图25中的箭头e-e、f-f、g-g、h-h侧视图。

图36是表示对基板进行的处理的顺序的流程图。

图37是表示动作例1中的基板的搬送路径的图。

图38是表示动作例2中的基板的搬送路径的图。

图39A、39B、39C分别是示意性地表示变形实施例的液处理模块的结构的侧视图。

图40是变形实施例的基板处理装置的俯视图。

具体实施方式

实施例1

以下，参照附图对本发明的实施例1进行说明。

<基板处理装置的概要>

图1A是实施例1的基板处理装置的侧视图，图1B是实施例1的基板处理装置的主视图，图1C是实施例1的基板处理装置的后视图。实施例1是对基板(例如半导体晶片)W进行处理的基板处理装置1。此外，基板W图示在后述的图3等中。

基板处理装置1具有处理部17。处理部17的外形呈大致长方体。处理部17在主视、侧视以及主视下都呈大致矩形。处理部17具有前表面17f和后表面17b。前表面17f是与后表面17b相反的面。前表面17f和后表面17b具有相同的形状(例如矩形)。前表面17f和后表面17b具有相同的大小。

在此，将连接前表面17f和后表面17b的方向称为“前后方向X”。前后方向X为水平的方向。特别是，将从后表面17b朝向前表面17f的方向称为“前方XF”，将与前方XF相反的方向称为“后方XB”。将与前后方向X垂直的水平的方向称为“横向Y”或仅称为“侧方”。进而，将“横向Y”中的一个方向适当称为“右方YR”，将与右方YR相反的另一个方向称为“左方YL”。将垂直的方向称为“上下方向Z”。上下方向Z与前后方向X垂直。上下方向Z与横向Y垂直。

处理部17具有载置部P。载置部P具有相对于处理部17的前方XF开放的前部载置部Pf和相对于处理部17的后方XB开放的后部载置部Pb。在前表面17f形成有用于将前部载置部Pf开放的开口17fa。前部载置部Pf配置在开口17fa的后方XB。在后表面17b形成有用于将后部载置部Pb开放的开口17ba。后部载置部Pb配置在开口17ba的前方XF。如图1B、图1C所示，前部载置部Pf相对于前表面17f的位置与后部载置部Pb相对于后表面17b的位置相同。

图2A是表示实施例1的处理部与其他设备的连接的一例的侧视图。在图2A中，处理部17的前表面17f与分度器部11连接。分度器部11向处理部17供给基板W。处理部17的后表面17b与曝光机EXP连接。曝光机EXP对基板W进行曝光处理。分度器部11、处理部17和曝光机EXP在前后方向X上排列成一列。分度器部11、处理部17和曝光机EXP以该顺序向后方XB排列。

在本实施例1中，分度器部11是基板处理装置1的构件。即，分度器部11是在基板处理装置1的内部设置的内部设备。曝光机EXP是在基板处理装置1的外部设置的外部设备。

在图2A的情况下，基板处理装置1以及曝光机EXP如下动作。即，分度器部11向处理部17搬送基板W。具体地说，分度器部11经由前部载置部Pf向处理部17供给基板W。处理部17对基板W进行处理。在处理部17对基板W进行处理时，从处理部17经由后部载置部Pb向曝光机EXP搬送基板W，利用曝光机EXP对基板W进行曝光处理。当处理部17的处理结束时，从处理部17经由前部载置部Pf向分度器部11搬送基板W。

图2B是实施例1的处理部和其他设备的连接的另一例的侧视图。在图2B中，后表面17b与分度器部11连接。前表面17f与曝光机EXP连接。分度器部11、处理部17和曝光机EXP在前后方向X上排成一列。分度器部11、处理部17和曝光机EXP以该顺序向前方XF排列。

在图2B的情况下，基板处理装置1和曝光机EXP如下动作。即，分度器部11向处理部17搬送基板W。具体地说，分度器部11经由后部载置部Pb向处理部17供给基板W。处理部17对基板W进行处理。在处理部17对基板W进行处理时，从处理部17经由前部载置部Pf向曝光机EXP搬送基板W，利用曝光机EXP对基板W进行曝光处理。当结束处理部17的处理时，从处理部17经由后部载置部Pb向分度器部11搬送基板W。

这样，根据本实施例1的基板处理装置1，前表面17f能够与分度器部11连接。通过前表面17f与分度器部11连接，能够在处理部17的前方XF配置分度器部11。后表面17b能够与分度器部11连接。通过后表面17b与分度器部11连接，能够在处理部17的后方XB配置分度器部11。这样，由于前表面17f以及后表面17f都能够与分度器部11连接，所以能够提高处理部17和分度器部11的配置的自由度。

因此，不管处理部17的前表面17f以及后表面17b中的哪个面与分度器部11连接，处理部17的规格都不会改变。因此，即使没有决定在前表面17f以及后表面17b中的哪个面上连接分度器部11来运用基板处理装置1，也能够确定处理部17的规格。因而，能够在决定前表面17f以及后表面17b中的哪个面与分度器部11连接之前，开始制造处理部17。由此，能够缩短处理部17或基板处理装置1的交货时间。

前表面17f以及后表面17b都能够与曝光机EXP连接。通过前表面17f与曝光机EXP连接，能够在处理部17的前方XF配置曝光机EXP。通过后表面17b与曝光机EXP连接，能够在处理部17的后方XB配置曝光机EXP。这样，也能够提高处理部17和曝光机EXP的配置的自由度。

从正面观察处理部17时的前部载置部Pf相对于前表面17f的位置与从后表面观察处理部17时的后部载置部Pb相对于后表面17b的位置相同。因此，前部载置部Pf相对于与前表面17f连接的分度器部11的位置和后部载置部Pb相对于与后表面17b连接的分度器部11的位置相同。因此，无论是在将分度器部11与前表面17f连接的情况还是将分度器部11与后表面17b连接的情况，分度器部11都能够以相同的位置向处理部17供给基板W。

以下，对基板处理装置1的结构更详细地说明。

<基板处理装置1的整体结构>

图3是实施例1的基板处理装置1的俯视图。图4是图3中的箭头a-a侧视图。图5是图3中的箭头b-b侧视图。此外，在图3至图5中，为了便于说明，示出了处理部17的前表面17f与分度器部11连接且处理部17的后表面17b与曝光机EXP连接的例子。

处理部17具有2个热处理模块BH、2个中转模块BT和1个液处理模块BC。各热处理模块BH对基板W进行热处理。各中转模块BT对基板W进行中转。液处理模块BC对基板W进行液处理。液处理是向基板W供给处理液的处理。处理液是例如涂膜材料和显影液。液处理是例如涂布处理和显影处理。

热处理模块BH、中转模块BT和液处理模块BC在前后方向X上排列成一列。朝向前方XF的模块BH、BT、BC的排列ArF、以及朝向后方XB的模块BH、BT、BC的排列ArB分别如下。

排列ArF：BH→BT→BC→BT→BH

排列ArB：BH→BT→BC→BT→BH

这样，排列ArF与排列ArB相同。

一个热处理模块BH位于处理部17的前端部。一个热处理模块BH的前表面相当于处理部17的前表面17f。一个热处理模块BH的前表面与分度器部11连接。另一个热处理模块BH位于处理部17的后端部。另一个热处理模块BH的后表面相当于处理部17的后表面17b。另一个热处理模块BH的后表面与曝光机EXP连接。

从处理部17之前起第i个(其中，i为1以上的整数)配置的模块具有与从处理部17之后起第i个配置的模块相同的功能。

具体地说，从处理部17之前起第1个配置的模块是一个热处理模块。从处理部17之后起第1个配置的模块是另一个热处理模块BH。因此，从处理部17之前起第1个配置的模块具有与从处理部17之后起第1个配置的模块相同的功能。

从处理部17之前起第2个配置的模块是一个中转模块BD。从处理部17之后起第2个配置的模块是另一个中转模块BD。因而，从处理部17之前起第2个配置的模块具有与从处理部17之后起第2个配置的模块相同的功能。

从处理部17之前起第3个配置的模块就是从处理部17之后起第3个配置的模块本身，具体地说是液处理模块BC。但是，从处理部17之前起第3个配置的模块具有与从处理部17之后起第3个配置的模块相同的功能。

以下，为了便于说明，将位于处理部17的前端部的热处理模块BH称为“前部热处理模块BA”，将位于处理部17的后端部的热处理模块BH称为“后部热处理模块BE”。另外，将在前部热处理模块BA和液处理模块BC之间配置的中转模块BT称为“前部中转模块BB”，将在后部热处理模块BE和液处理模块BC之间配置的中转模块BT称为“后部中转模块BD”。

各模块BA、BB、BC、BD、BE的外形分别呈大致长方体。各模块BA、BB、BC、BD、BE各自在俯视下、侧视下以及主视下都呈大致矩形。各模块BA、BB、BC、BD、BE的横向Y的长度大致相同。

模块BA-BB直接连接，能够相互搬送基板W。同样地，模块BB-BC、BC-BD、BD-BE分别直接连接，能够相互搬送基板W。但是，模块BA不与模块BC、BD、BE直接连接。模块BB不与模块BD、BE直接连接。模块BC不与模块BA、BE直接连接。

<分度器部11>

参照图3至图5。分度器部11具有运送器载置部12、分度器用搬送机构13和搬送空间16。

运送器载置部12载置运送器C。运送器C容纳多张基板W。运送器C例如是FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)。运送器C由例如未图示的外部搬送机构载置在运送器载置部12上。

搬送空间16设置在运送器载置部12的后方XB。在搬送空间16设置有分度器用搬送机构13。分度器用搬送机构13相对于运送器C搬送基板W。分度器用搬送机构13还能够相对于前部热处理模块BA搬送基板W。

例如，分度器用搬送机构13具有保持基板W的2个手部14和驱动各手部14的手部驱动机构15。各手部14分别保持1张基板W。手部驱动机构15使手部14在前后方向X、横向Y以及上下方向Z上移动，且以上下方向Z为中心使手部14旋转。由此，分度器用搬送机构13相对于运送器C以及前部热处理模块BA搬送基板W。

<前部热处理模块BA的结构>

参照图3至图7。图6是示意性地表示搬送机构和载置部的关系的概念图。带箭头的线表示搬送机构访问的载置部。此外，“访问”是指，搬送机构移动到能够相对于载置部/处理单元搬入基板W或搬出基板W的位置。图7是从分度器部11观察前部热处理模块BA得到的主视图。

前部热处理模块BA具有热处理单元HA、载置部PA、搬送机构TA和搬送空间AA。热处理单元HA对基板W进行热处理。热处理例如为加热处理和冷却处理。载置部PA载置基板W。载置部PA相当于上述的前部载置部Pf。搬送机构TA相对于热处理单元HA和载置部PA搬送基板W。搬送机构TA并不是指所谓的本地搬送机构(针对各热处理单元设置，专门用于相对于1个热处理单元搬入/搬出基板的机构)。搬送空间AA是用于设置搬送机构TA的空间。

在本说明书中，例如在仅记载为“热处理单元HA”时，是指前部热处理模块BA的热处理单元，而不是指除了前部热处理模块BA以外的模块的热处理单元。对于其他相同名称的构件，也同样地通过附图标记加以区别。

在俯视下，搬送空间AA配置在前部热处理模块BA的横向Y中央。换言之，在俯视下，搬送空间AA配置在中心面CX上。中心面CX是与前后方向X以及上下方向Z平行的平面，且是通过处理部17的中心PC的平面。中心面CX是假想面。在俯视下，搬送空间AA在前后方向X上延伸。搬送空间AA到达前部热处理模块BA的前表面以及后表面。

前部热处理模块BA还具有向搬送空间AA供给清洁的气体的供气单元SAA和从搬送空间AA排出气体的排气单元EXA。供气单元SAA配置在搬送空间AA的上部，向下方喷射气体。排气单元EXA配置在搬送空间AA的下部。由此，在搬送空间AA形成向下的气体的气流(下降流)。

搬送机构TA设置在搬送空间AA内。搬送机构TA包括搬送机构TAR和搬送机构TAL。搬送机构TAR和搬送机构TAL相互在横向Y上排列配置。

热处理单元HA和载置部PA分别配置在搬送空间AA的两侧方。热处理单元HA包括在搬送空间AA的右方YR配置的2个热处理单元HAR和在搬送空间AA的左方YL配置的2个热处理单元HAL。载置部PA包括在搬送空间AA的右方YR配置的载置部PAR和在搬送空间AA的左方YL配置的载置部PAL。

热处理单元HAR以及载置部PAR位于搬送机构TAR的右方YR。搬送机构TAR面对2个热处理单元HAR以及1个载置部PAR。2个热处理单元HAR和1个载置部PAR相互在上下方向Z上排列配置。搬送机构TAR构成为能够在上下方向Z上升降，以访问热处理单元HAR以及载置部PAR。

热处理单元HAL以及载置部PAL位于搬送机构TAL的左方YL。搬送机构TAL面对2个热处理单元HAL以及1个载置部PAL。2个热处理单元HAL和1个载置部PAL相互在上下方向Z上排列配置。搬送机构TAL构成为能够在上下方向Z上升降，以访问热处理单元HAL以及载置部PAL。

<前部中转模块BB的结构>

参照图3-6、8。图8是从分度器部11观察前部中转模块BB得到的主视图。

前部中转模块BB具有载置部PB和搬送机构TB。载置部PB载置基板W。搬送机构TB相对于载置部PB搬送基板W。

在俯视下，载置部PB配置在前部中转模块BB的横向Y中央。换言之，在俯视下，载置部PB配置在中心面CX上。

多个载置部PB彼此在上下方向Z上排列配置。更具体地说，载置部PB包括载置部PB1、PB2、PB3、PB4。载置部PB1、PB2、PB3、PB4彼此在上下方向Z上排列。载置部PB1、PB2、PB3、PB4以该顺序从下向上排列。

搬送机构TB分别配置在载置部PB的两侧方。具体地说，搬送机构TB包括在载置部PB的右方YR配置的搬送机构TBR和在载置部PB的左方YL配置的搬送机构TBL。搬送机构TBR、TBL分别面对载置部PB。

换言之，前部中转模块BB具有在载置部PB的右方YR形成的搬送空间ABR和在载置部PB的左方YL形成的搬送空间ABL。在搬送空间ABR设置有搬送机构TBR。在搬送空间ABL设置有搬送机构TBL。

此外，在搬送空间ABR、ABL的上部分别设置有供气单元SABR、SABL。在搬送空间ABR、ABL的下部分别设置有排气单元EXBR、EXBL。

搬送机构TBR、TBL分别面对载置部PB。搬送机构TBR构成为能够在上下方向Z上升降，以访问载置部PB。搬送机构TBL构成为能够在上下方向Z上升降，以访问载置部PB。

<液处理模块BC的结构>

参照图3-6、9。图9是从分度器部11观察液处理模块BC得到的主视图。

液处理模块BC具有液处理单元SC和搬送机构TC。液处理单元SC对基板W进行液处理。搬送机构TC相对于液处理单元SC搬送基板W。

液处理模块BC具有包括在上下方向Z排列的多个层K1、K2、K3、K4的层结构(参照图9)。各层K1、K2、K3、K4分别具有1个搬送机构TC、该搬送机构TC搬送基板W的1个以上液处理单元SC。层K1、K2、K3、K4以该顺序从下向上排列。以下具体说明。

液处理模块BC除了液处理单元SC和搬送机构TC外，还具有搬送空间AC。在俯视下，搬送空间AC配置在液处理模块BC的横向Y中央。换言之，在俯视下，搬送空间AC配置在中心面CX上。在俯视下，搬送空间AC在前后方向X上延伸。搬送空间AC到达液处理模块BC的前表面以及后表面。

搬送空间AC被划分为多个(例如4个)分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4。分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4彼此在上下方向Z上排列。分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4以该顺序从下向上排列。

在分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4的上部分别设置有供气单元(未图示)，在分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4的下部分别设置有排气单元(未图示)。

液处理模块BC可以具有多个(例如3个)遮蔽板40。遮蔽板40设置于在上下方向Z上相邻的2个分割搬送空间之间，对2个分割搬送空间的环境进行遮断。例如，遮蔽板40设置在分割搬送空间AC1和分割搬送空间AC2之间、分割搬送空间AC2和分割搬送空间AC3之间、以及分割搬送空间AC3和分割搬送空间AC4之间。

在分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4分别设置有一个搬送机构TC。各搬送机构TC彼此在上下方向Z上排列配置。

更具体地说，搬送机构TC包括搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4。搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4分别设置在分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4。各搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4彼此在上下方向Z上排列。各搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4以该顺序从下向上排列。搬送机构TC1在分割搬送空间AC1内动作，而不涉及到其他分割搬送空间AC2、AC3、AC4。对于其他搬送机构TC2、TC3、TC4也同样。

液处理单元SC分别配置在分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4的侧方。更具体地说，液处理单元SC包括液处理单元SC1、SC2、SC3、SC4。液处理单元SC1分别配置在分割搬送空间AC1的两侧方。在本实施例1中，1个液处理单元SC1配置在搬送机构TC1的右方YR，另一个液处理单元SC1配置在搬送机构TC1的左方YL。同样地，液处理单元SC2分别配置在分割搬送空间AC2的两侧方。液处理单元SC3分别配置在分割搬送空间AC3的两侧方。液处理单元SC4分别配置在分割搬送空间AC4的两侧方。

在搬送空间AC的右方YR配置的液处理单元SC1、SC2、SC3、SC4相互在上下方向Z上排列。在搬送空间AC的左方YL配置的液处理单元SC1、SC2、SC3、SC4也相互在上下方向Z上排列。

搬送机构TC1面对在两侧方设置的2个液处理单元SC1。搬送机构TC1构成为能够以上下方向Z为中心旋转，以访问2个液处理单元SC1。但是，层K1的搬送机构TC1不会访问在其他层K2、K3、K4设置的液处理单元SC2、SC3、SC4。同样地，搬送机构TC2、TC3、TC4分别访问液处理单元SC2、SC3、SC4。

上述的分割搬送空间ACj、搬送机构TCj、液处理单元SCj分别是构成层Kj的构件(其中，j为1、2、3、4中任意一个)。

<后部中转模块BD的结构>

参照图3-6、10。图10是从分度器部11观察后部中转模块BD得到的主视图。

后部中转模块BD具有载置部PD和搬送机构TD。载置部PD载置基板W。搬送机构TD相对于载置部PD搬送基板W。

后部中转模块BD具有与前部中转模块BB相同的结构。即，后部中转模块BD具有载置部PD、搬送机构TD、搬送空间ADR、ADL、供气单元SADR、SADL和排气单元EXDR、EXDL。载置部PD包括载置部PD1、PD2、PD3、PD4，搬送机构TD包括搬送机构TDR、TDL。后部中转模块BD的各构件的相对的位置关系与前部中转模块BB的各构件的相对的位置关系相同。

具体地说，就后部中转模块BD的结构而言，相当于在上述的<前部中转模块BB的结构>的说明中，将前部中转模块BB换成后部中转模块BD，将搬送机构TB、TBR、TBL分别换成搬送机构TD、TDR、TDL，将载置部PB、PB1、PB2、PB3、PB4分别换成载置部PD、PD1、PD2、PD3、PD4，将搬送空间ABR、ABL换成搬送空间ADR、ADL，将供气单元SABR、SABL换成供气单元SADR、SADL，将排气单元EXBR、EXBL换成排气单元EXDR、EXDL。

<后部热处理模块BE的结构>

参照图3-6、11。图11是从分度器部11观察后部热处理模块BE得到的主视图。

后部热处理模块BE具有前部热处理模块BA相同的结构。即，后部热处理模块BE具有热处理单元HE、搬送机构TE、搬送空间AE、载置部PE、供气单元SAE和排气单元EXE。此外，载置部PE相当于上述的后部载置部Pb。热处理单元HE包括热处理单元HER和热处理单元HEL，载置部PE包括载置部PER和载置部PEL，搬送机构TE包括搬送机构TER和搬送机构TEL。后部热处理模块BE的各构件的相对的位置关系与前部热处理模块BA的各构件的相对的位置关系相同。例如，搬送机构TER和搬送机构TEL在与搬送机构TAR和搬送机构TAL排列的方向(横向Y)相同的方向上排列。

具体地说，就后部热处理模块BE的结构而言，相当于在上述的<前部热处理模块BA的结构>的说明中，将前部热处理模块BA换成后部热处理模块BE，将搬送机构TA、TAR、TAL分别换成搬送机构TE、TER、TEL，将热处理单元HA、HAR、HAL分别换成热处理单元HE、HER、HEL，将载置部PA、PAR、PAL分别换成载置部PE、PER、PEL，将搬送空间AA换成搬送空间AE，将供气单元SAA换成供气单元SAE，将排气单元EXA换成排气单元EXE。

<处理单元、载置部和搬送机构的配置>

参照图12A-12E。图12A是图4中的箭头a-a俯视图。同样地，图12B-12E分别是图4中的箭头b-b、c-c、d-d、e-e俯视图。

在没有对热处理单元HAR、HAL、HER、HEL特别区别的情况下，将热处理单元HAR、HAL、HER、HEL称为“热处理单元H”，同等看待。在没有对液处理单元SC1-SC4特别区别的情况下，将液处理单元SC1-SC4称为“液处理单元SC”，同等看待。在没有对热处理单元H和液处理单元SC特别区别的的情况下，将热处理单元H和液处理单元SC称为“处理单元”，同等看待。在没有对载置部PAR、PAL、PB1-PB4、PD1-PD4、PER、PEL特别区别的情况下，将载置部PAR、PAL、PB1-PB4、PD1-PD4、PER、PEL称为“载置部P”，同等看待。在没有对搬送机构TAR、TAL、TBR、TBL、TC1-TC4、TDR、TDL、TER、TEL区别的情况下，将搬送机构TAR、TAL、TBR、TBL、TC1-TC4、TDR、TDL、TER、TEL称为“搬送机构T”，同等看待。

如图12A-12E所示，处理部17的前表面17f、处理单元、载置部P和搬送机构T的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b、处理单元、载置部P、搬送机构T的相对的位置关系相同。换言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T相对于处理部17的前表面17f的各位置，与处理单元、载置部P以及搬送机构T相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

具体地说，处理部17的前表面17f、热处理单元H、液处理单元SC的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b、热处理单元H、液处理单元SC的相对的位置关系相同。换言之，热处理单元H以及液处理单元SC相对于处理部17的前表面17f的各位置，与热处理单元H以及液处理单元SC相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

处理部17的前表面17f和载置部P的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b和载置部P的相对的位置关系相同。换言之，载置部P相对于处理部17的前表面17f的各位置，与载置部P相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

处理部17的前表面17f和搬送机构T的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b和搬送机构T的相对的位置关系相同。换言之，搬送机构T相对于处理部17的前表面17f的各位置，与搬送机构T相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下呈点对称配置。

具体地说，处理单元在俯视下呈点对称配置。点对称的中心(即，对称点)例如是俯视下的处理部17的中心PC。热处理单元H在俯视下呈点对称配置(参照图12C)。液处理单元SC在俯视下呈点对称配置(参照图12A-12E)。载置部P在俯视下呈点对称配置(参照图12A-12E)。搬送机构T在俯视下呈点对称配置(参照图12A-12E)。

在处理部17的右部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T，与在处理部17的左部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T对称配置。简而言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T左右对称配置。详细地说，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视以及主视中的至少一个下配置为左右对称。在此，处理部17的右部例如是处理部17中的比中心面CX靠右方YR的部分。处理部17的左部例如是处理部17中的比中心面CX靠左方YL的部分。

参照图12A-12E。处理单元在俯视下左右对称配置(参照图12A-12E)。热处理单元H在俯视下左右对称配置(参照图12C)。液处理单元SC在俯视下左右对称配置(参照图12A-12E)。载置部P在俯视下左右对称配置(参照图12A-12E)。搬送机构T在俯视下左右对称配置(参照图12A-12E)。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下左右对称配置。线对称的对称轴例如是俯视下的中心面CX。中心面CX是与前后方向X以及上下方向Z平行的平面，且是通过处理部17的中心PC的平面。因而，俯视下的中心面CX相当于与前后方向X平行且通过处理部17的中心PC的直线。

参照图7-11。处理单元在主视下左右对称配置(参照图7、9、11)。热处理单元H在主视下左右对称配置(参照图7、11)。液处理单元SC在主视下左右对称配置(参照图9)。载置部P在主视下左右对称配置(参照图7-11)。搬送机构T在主视下左右对称配置(图7-11)。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在主视下左右对称配置。线对称的对称轴例如是主视下的中心面CX。主视下的中心面CX相当于与上下方向Z平行且通过处理部17的中心PC的直线。

处理部17的前部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T，与处理部17的后部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T对称配置。简而言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T前后对称配置。详细地说，处理单元、载置部P以及搬送机构T在主视以及侧视中的至少一个下前后对称配置。在此，处理部17的前部例如是处理部17中的比中心面CY靠前方XF的部分。处理部17的后部例如是处理部17中的比中心面CY靠后方YL的部分。中心面CY是与前后方向X垂直的平面且是通过处理部17的中心PC的平面。

参照图12A-12E。处理单元在俯视下前后对称配置(参照图12A-12E)。热处理单元H在俯视下前后对称配置(参照图12C)。液处理单元SC在俯视下前后对称配置(参照图12A-12E)。载置部P在俯视下前后对称配置(参照图12A-12E)。搬送机构T在俯视下前后对称配置(参照图12A-12E)。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下前后对称配置。线对称的对称轴例如是俯视下的中心面CY。俯视下的中心面CY相当于与前后方向X垂直且通过处理部17的中心PC的直线。

参照图4、5。处理单元在侧视下前后对称配置。热处理单元H在侧视下前后对称配置。液处理单元SC在侧视下前后对称配置。载置部P在侧视下前后对称配置。搬送机构T在侧视下前后对称配置。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在侧视下前后对称配置。线对称的对称轴例如是侧视下的中心面CY。侧视下的中心面CY相当于与上下方向Z平行且通过处理部17的中心PC的直线。

<分度器部11和模块BA的关系>

参照图3-6。分度器部11和搬送机构TA相互搬送基板W。具体地说，载置部PA(载置部PAR以及载置部PAL)相对于分度器部11(搬送空间16)开放。分度器用搬送机构13访问载置部PA。由此，分度器用搬送机构13和搬送机构TAR经由载置部PAR相互搬送基板W。分度器用搬送机构13和搬送机构TAL经由载置部PAL相互搬送基板W。

<前部热处理模块BA和前部中转模块BB的关系>

搬送机构TA和搬送机构TB经由前部热处理模块BA的载置部PA相互搬送基板W。

具体地说，搬送机构TBR和载置部PAR在前后方向X上排列。载置部PAR相对于搬送空间ABR开放。搬送机构TBR和载置部PAR相对。搬送机构TBR构成为能够以上下方向Z为中心进行旋转，访问载置部PAR。由此，搬送机构TAR和搬送机构TBR能够经由载置部PAR相互搬送基板W。

同样地，搬送机构TBL和载置部PAL在前后方向X上排列。载置部PAL相对于搬送空间ABL开放。搬送机构TBL和载置部PAL相对。搬送机构TBL构成为能够以上下方向Z为中心进行旋转，访问载置部PAL。由此，搬送机构TAL和搬送机构TBL能够经由载置部PAL相互搬送基板W。

进而，搬送机构TA和搬送机构TB经由前部中转模块BB的载置部PB相互搬送基板W。

具体地说，载置部PB和搬送空间AA在前后方向X上排列。即，搬送机构TAR和载置部PB在大致前后方向上排列，搬送机构TAL和载置部PB在大致前后方向上排列。各载置部PB相对于搬送空间AA开放。搬送机构TAR面对载置部PB。搬送机构TAL也面对载置部PB。搬送机构TAR、TAL分别在上下方向Z上升降，以上下方向Z为中心旋转，由此访问载置部PB1-PB4。由此，搬送机构TAR和搬送机构TBR能够经由载置部PB1-PB4相互搬送基板W。搬送机构TAL和搬送机构TBL能够经由载置部PB1-PB4相互搬送基板W。

<分度器部11、模块BA和模块BB的关系>

分度器用搬送机构13和搬送机构TB能够不使用搬送机构TA来相互搬送基板W。

具体地说，载置部PAR与分度器用搬送机构13以及搬送机构TBR这两方相对。分度器用搬送机构13和搬送机构TBR能经由载置部PAR相互搬送基板W。即，分度器用搬送机构13和搬送机构TBR能够跳过搬送机构TA相互搬送基板W。

同样地，载置部PAL与分度器用搬送机构13和搬送机构TBL这两方相对。分度器用搬送机构13和搬送机构TBL能够经由载置部PAL相互搬送基板W。即，分度器用搬送机构13和搬送机构TBL能够跳过搬送机构TA来相互搬送基板W。

<模块BB和模块BC的关系>

搬送机构TB和搬送机构TC相互搬送基板W。以下具体说明。

搬送空间AC和载置部PB在前后方向X上排列。载置部PB1、PB2、PB3、PB4分别配置在与分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4相对的位置。载置部PB1、PB2、PB3、PB4分别相对于分割搬送空间AC1、AC2、AC3、AC4开放。各搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4分别面对载置部PB1、PB2、PB3、PB4。

各搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4分别构成为能够在前后方向X上移动，以访问载置部PB1、PB2、PB3、PB4。由此，搬送机构TC1和搬送机构TBR、TBL经由载置部PB1相互搬送基板W。搬送机构TC2和搬送机构TBR、TBL经由载置部PB2相互搬送基板W。搬送机构TC3和搬送机构TBR、TBL经由载置部PB3相互搬送基板W。搬送机构TC4和搬送机构TBR、TBL经由载置部PB4相互搬送基板W。

<模块BA、模块BB和模块BC的关系>

搬送机构TA和搬送机构TC能够不使用搬送机构TB而相互搬送基板W。

具体地说，载置部PB1和搬送机构TC1与搬送机构TAR、TAL相对。搬送机构TC1和搬送机构TAR、TAL能够经由载置部PB1相互搬送基板W。即，搬送机构TC1和搬送机构TAR、TAL能够跳过搬送机构TBR、TBL，相互搬送基板W。

同样地，搬送机构TC2和搬送机构TAR、TAL能够经由载置部PB2相互搬送基板W。搬送机构TC3和搬送机构TAR、TAL能够经由载置部PB3相互搬送基板W。搬送机构TC4和搬送机构TAR、TAL能够经由载置部PB4相互搬送基板W。

<模块BC和模块BD的关系>

液处理模块BC和后部中转模块BD的关系与前部中转模块BB和液处理模块BC的关系相同。即，搬送机构TC和搬送机构TD经由载置部PD相互搬送基板W。具体地说，搬送机构TC1和搬送机构TDR、TDL经由载置部PD1相互搬送基板W。搬送机构TC2和搬送机构TDR、TDL经由载置部PD2相互搬送基板W。搬送机构TC3和搬送机构TDR、TDL经由载置部PD3相互搬送基板W。搬送机构TC4和搬送机构TDR、TDL经由载置部PD4相互搬送基板W。

<模块BD和模块BE的关系>

后部中转模块BD和后部热处理模块BE的关系，与前部中转模块BB和前部热处理模块BA的关系相同。

即，搬送机构TD和搬送机构TE经由后部中转模块BD的载置部PD相互搬送基板W。在本实施例中，搬送机构TDR和搬送机构TER、TEL经由载置部PD1-PD4相互搬送基板W。

进而，搬送机构TD和搬送机构TE经由后部热处理模块BE的载置部PE相互搬送基板W。具体地说，搬送机构TDR和搬送机构TER经由载置部PER相互搬送基板W。搬送机构TDL和搬送机构TEL经由载置部PEL相互搬送基板W。

<模块BC、模块BD和模块BE的关系>

液处理模块BC、后部中转模块BD和后部热处理模块BE的关系，与液处理模块BC、前部中转模块BB和前部热处理模块BA的关系相同。即，搬送机构TC和搬送机构TE能够不使用搬送机构TD相互搬送基板W。

在本实施例中，搬送机构TC1和搬送机构TER、TEL经由载置部PD1相互搬送基板W。搬送机构TC2和搬送机构TER、TEL经由载置部PD2相互搬送基板W。搬送机构TC3和搬送机构TER、TEL经由载置部PD3相互搬送基板W。搬送机构TC4和搬送机构TER、TEL经由载置部PD4相互搬送基板W。

<后部热处理模块BE和曝光机EXP的关系>

搬送机构TE和曝光机EXP相互基板W。具体地说，各载置部PE相对于曝光机EXP开放。曝光机EXP访问载置部PER和载置部PEL。由此，搬送机构TER和曝光机EXP经由载置部PER相互搬送基板W。搬送机构TEL和曝光机EXP经由载置部PEL相互搬送基板W。

<前部热处理模块BA的各构件的结构>

例示各构件的结构。在此，在不同的构件(例如热处理板HA和热处理板HE)具有同种零件的情况下，对该零件标注共用的附图标记，省略详细的说明。例如，热处理板HA具有板21，热处理板HE具有与板21同种的的板时，将热处理板HE的板记载为“板21”。

参照图3-5、7。热处理单元HA具有板21、腔室23和闸门24。热处理板21载置基板W。在板21的内部或外部安装有用于调节板21的温度的温度调节设备(例如加热器等的发热设备和散热器等的吸热设备)。板21对板21上的基板W赋予热或从板21上的基板W夺取热，将基板W调整为规定的温度(即，进行热处理)。腔室23容纳板21。腔室23具有在腔室23的表面形成的基板搬送口23a。基板搬送口23a配置在与搬送机构TA相对的位置。换言之，基板搬送口23a配置在与搬送空间AA相接的位置。闸门24对基板搬送口23a进行开闭。在图7中，热处理单元HAR的腔室23被关闭，热处理单元HAL的腔室23被开放。

载置部PA具有载置基板W的板26。板26设置在搁板27上。板26没有被腔室等堵塞，基本上在水平方向(前后方向X以及横向Y)上开放。因此，不仅搬送机构TA，而且分度器用搬送机构13和搬送机构TB等也能够容易访问载置部PA。

搬送机构TA具有引导轴部31、驱动机构32和一对手部33。引导轴部31在上下方向Z上延伸。驱动机构32安装在引导轴部31上。驱动机构能沿着引导轴部31升降且能围绕引导轴部31旋转。进而，驱动机构32能够相对于引导轴部31在水平方向上进退移动(伸缩)。例如，驱动机构32也可以具有能够伸缩的连杆机构(未图示)。一对手部33安装在驱动机构32上。各手部33将1张基板W保持为水平姿势。

<前部中转模块BB的各构件的结构>

参照图3-5、8。载置部PB具有与载置部PA大致相同的结构。即，载置部PB具有安装在搁板27上的板26。

搬送机构TB具有与搬送机构TA大致相同的结构。即，搬送机构TB具有引导轴部31、驱动机构32和手部33。

<液处理模块BC的各构件的结构>

参照图3-5、9。液处理单元SC1、SC2对基板W进行涂布处理。液处理单元SC1、SC2具有大致相同的结构。具体地说，液处理单元SC1、SC2分别具有旋转保持部41、杯42、喷嘴43、腔室44和闸门45。旋转保持部41能够旋转地保持基板W。杯42设置在旋转保持部41的周围，对所飞散的处理液进行回收。喷嘴43将涂膜材料作为处理液向基板W喷出。涂膜材料例如是抗蚀剂膜材料。喷嘴43设置为能够在旋转保持部41的上方的处理位置与从杯42的上方离开的退避位置之间移动。腔室44容纳旋转保持部41、杯42和喷嘴43。腔室44具有在腔室44的表面形成的基板搬送口44a。液处理单元SC1的基板搬送口44a配置在与搬送机构TC1相对的位置。换言之，液处理单元SC1的基板搬送口44a配置在与分割搬送空间AC1相接的位置。同样地，液处理单元SC2的基板搬送口44a配置在与搬送机构TC2相对的位置。闸门45对基板搬送口44a进行开闭。在图9中，液处理单元SC1的腔室44被关闭，液处理单元SC2的腔室44被开放。

液处理单元SC3、SC4对基板W进行显影处理。液处理单元SC3、SC4具有大致相同的结构。液处理单元SC3、SC4分别具有旋转保持部51、杯52、喷嘴53、腔室54和闸门55。旋转保持部51能够旋转地保持基板W。杯52配置在旋转保持部51的周围，对所飞散的处理液进行回收。喷嘴53向基板W喷出显影液(处理液)。喷嘴53设置为，能够在旋转保持部51的上方的处理位置和从杯52的上方离开的退避位置之间移动。腔室54容纳旋转保持部51、杯52和喷嘴53。腔室54具有在腔室54的表面形成的基板搬送口54a。液处理单元SC3的基板搬送口54a配置在与搬送机构TC3相对的位置。液处理单元SC4的基板搬送口54a配置在与搬送机构TC4相对的位置。闸门55对基板搬送口54a进行开闭。在图9中，液处理单元SC3的腔室54被关闭，液处理单元SC4的腔室54被开放。

搬送机构TC具有驱动机构61和1对手部62。驱动机构61例如安装在遮蔽板40上。手部62安装在驱动机构61上。驱动机构61使手部62在各种方向X、Y、Z上移动，并以上下方向Z为中心使各手部62旋转。各手部62保持基板W。

<后部中转模块BD的各构件的结构>

参照图3-5、10。载置部PD具有与载置部PA大致相同的结构。即，载置部PD具有安装在搁板27上的板26。

搬送机构TD具有与搬送机构TA大致相同的结构。即，搬送机构TD具有引导轴部31、驱动机构32和手部33。

<后部热处理模块BE的各构件的结构>

参照图3-5、11。热处理单元HE具有热处理单元HA大致相同的结构。即，热处理单元HE具有板21、腔室23和闸门24。

载置部PE具有与载置部PA大致相同的结构。即，载置部PE具有安装在搁板27上的板26。

搬送机构TE具有与搬送机构TA大致相同的结构。即，搬送机构TE具有引导轴部31、驱动机构32和手部33。

<模块的连接结构>

参照图3-5、图7-11。前部热处理模块BA还具有框架FA。框架FA对热处理单元HA、搬送机构TA和载置部PA进行支撑。框架FA具有大致箱形状，容纳热处理单元HA、载置部PA和搬送机构TA。框架FA具有用于将载置部PA朝向处理部17的前方XF开放的开口17fa(参照图1B)。进而，框架FA具有用于将载置部PA朝向前部中转模块BB开放的开口(未图示)。

同样地，其他模块BB、BC、BD、BE分别具有框架FB、FC、FD、FE。各框架FB-FE分别对模块BB-BE的处理单元、载置部、搬送机构等进行支撑。各框架FB-FE分别具有大致箱形状，容纳模块BB-BE的构件。各框架FB、FC、FD、FE分别具有用于将载置部PB、PD、PE朝向相邻的模块开放的开口(未图示)。进而，框架FE具有用于将载置部PE朝向处理部17的后方XB开放的开口17ba(参照图1B)。

模块BA-BB的连接通过框架FA-FB的连接来实现。模块BB-BC、BC-BD、BD-BE的连接分别通过框架FB-FC、FC-FD、FD-FE的连接来实现。

在制造基板处理装置1时，首先组装模块BA。例如，在框架FA中安装热处理单元HA、搬送机构TA和载置部PA。同样地，分别独立组装模块BB、BC、BD、BE。接着，将各模块BA、BB、BC、BD、BE相互连接，并且在模块BA上连接分度器部11。

<控制系统的构成>

图13是基板处理装置1的控制模块图。基板处理装置1还具有控制部67。

控制部67例如设置在处理部17。控制部67对分度器部11以及处理部17一并控制。具体地说，对分度器部11的分度器用搬送机构13的动作进行控制，对在模块BA-BE设置的各搬送机构以及在模块BA、BC、BE设置的各处理单元的动作进行控制。

控制部67由执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM(Random-Access Memory：随机存取存储器)、硬盘等的存储介质等实现。在存储介质中存储有用于对基板W进行处理的的处理方法(处理程序)和用于识别各基板W的信息等各种信息。

<处理部17对基板W进行的处理例>

图14是表示对基板进行处理的顺序的流程图。

处理部17对基板W依次进行例如涂布处理、涂布后热处理、显影处理、显影后热处理。此时，在涂布后热处理之后且在显影处理之前，曝光机EXP对基板W进行曝光处理。涂布后热处理是紧接着涂布处理进行的热处理。显影后热处理是紧接着显影处理进行的热处理。涂布后热处理和显影后热处理分别是本发明中的液处理后热处理的例。

无论是处理部17的前表面17f与分度器部11连接的情况还是处理部17的后表面17b与分度器部11连接的情况，处理部17都能够对基板W进行上述的一系列的处理。即，在处理部17的前表面17f与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理，与在处理部17的后表面17b与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理相同。

以下，说明前表面17f与分度器部11连接的情况下的2个动作例和后表面17b与分度器部11连接的情况下的2个动作例。

<基板处理装置1的动作例1>

动作例1是前表面17f与分度器部11连接的情况下的动作例。图15是示意性地表示在动作例1中基板W在模块BA-BE之间移动的样子的概念图。在图15中，为了便于说明，对液处理单元SC1、SC2标记意味涂布处理的“COAT”，对液处理单元SC3、SC4标记意味显影处理的“DEV”。图16是表示动作例1中的基板W的搬送路径的图。

如图15、16所示，在动作例1中，将一部分基板W沿着第1路径搬送，将其他基板W沿着与第1路径不同的第2路径搬送。

参照图16。第1路径包括第1去路和第1回路。第2路径包括第2去路和第2回路。第1去路和第2去路是基板W从分度器部11进入处理部17起，到从处理部17来到曝光机EXP为止的路径。第1回路和第2回路是基板W从曝光机EXP进入处理部17起，到从处理部17来到分度器部11为止的基板W的路径。

以下，将动作例1分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作来进行说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C搬出1张基板W，将该基板W载置在载置部PAR上。接着，分度器用搬送机构13从运送器C搬出1张基板W，将该基板W载置在载置部PAL上。然后，分度器用搬送机构13再次从运送器C向载置部PAR搬送基板W。这样，分度器用搬送机构13向载置部PAR和载置部PAL交替地一张一张地搬送基板W。

[处理部17的动作(去路)]

由于与第1去路相关的动作和与第2去路相关的动作类似，所以为了方便，对与第1去路相关的动作进行说明。此外，关于与第2去路相关的动作，相当于在以下的说明中，将搬送机构TBR、TC1、TER分别换成搬送机构TBL、TC2、TEL，将载置部PAR、PB1、PD1、PER分别换成载置部PAL、PB2、PD2、PEL，将处理单元SC1、HER换成处理单元SC2、HEL。

搬送机构TBR取下载置部PAR上的基板W，并将该基板W搬送到载置部PB1上。搬送机构TC1取下载置部PB1上的基板W，并将该基板W搬送到液处理单元SC1。在此，搬送机构TC1向2个液处理单元SC1交替搬送基板W。

在搬送机构TC1向液处理单元SC1搬送基板W时，闸门45将基板搬送口44a暂时开放。由此，允许手部62进入腔室44内。在手部62退出到腔室44的外部后，闸门45再次关闭基板搬送口44a。由此，液处理单元S在腔室44被关闭的状态下进行液处理。

液处理单元SC1向基板W涂布涂膜材料(步骤S1)。具体地说，旋转保持部41保持基板W。喷嘴43从退避位置移动到处理位置。旋转保持部41使基板W旋转，喷嘴43喷出涂膜材料。涂膜材料被涂布到基板W的表面。涂膜材料的一部分被从基板W甩掉，而被回收到杯42中。

当涂布处理结束时，搬送机构TC1从液处理单元SC1搬出基板W。此时，腔室44也相对于分割搬送空间AC1开放。并且，搬送机构TC1将该基板W搬送到载置部PD1。

此外，搬送机构TC1也可以在保持从载置部PB1取下的未处理的基板W的状态下，从液处理单元SC1搬出处理完的基板W，接着，将未处理的基板W搬入液处理单元SC1。

搬送机构TER从载置部PD1取下基板W，并搬送到热处理单元HER。在此，搬送机构TER向2个热处理单元HER交替搬送基板W。在搬送机构TER向热处理单元HER搬送基板W时，闸门24将基板搬送口23a暂时开放。由此，允许搬送机构TER的手部33进入腔室23内。在手部33退出到腔室23的外部后，闸门24再次关闭基板搬送口23a。由此，热处理单元HER在腔室23被关闭的状态下进行热处理。

热处理单元HER对基板W进行涂布后热处理(步骤S2)。

当涂布后热处理结束时，搬送机构TER从热处理单元HER搬出基板W。此时，腔室23也相对于搬送空间AE开放。然后，搬送机构TER将该基板W搬送到载置部PER。

以上是与第1去路相关的动作。与第1去路相关的动作和与第2去路相关的动作可以并行进行。

[曝光机EXP的动作]

载置部PER以及载置部PEL上的基板W被搬送到曝光机EXP。曝光机EXP对基板W进行曝光处理(步骤S3)。当曝光处理结束时，从曝光机EXP向载置部PER以及载置部PEL搬送基板W。

[处理部17的动作(回路)]

由于与第1回路相关的动作和与第2回路相关的动作类似，所以为了方便，对与第1回路相关的动作进行说明。此外，关于与第2回路相关的动作，相当于在以下的说明中，将搬送机构TAR、TC3、TDR分别换成搬送机构TAL、TC4、TDL，将载置部PAR、PB3、PD3、PER分别换成载置部PAL、PB4、PD4、PEL，将处理单元SC3、HAR换成处理单元SC4、HAL。

搬送机构TDR从载置部PER向载置部PD3搬送基板W。搬送机构TC3从载置部PD3向液处理单元SC3搬送基板W。在此，搬送机构TC3向2个液处理单元SC3交替搬送基板W。

在搬送机构TC3向液处理单元SC3搬送基板W时，闸门55将基板搬送口54a暂时开放。

液处理单元SC3向基板W供给显影液(步骤S4)。具体地说，旋转保持部51保持基板W。喷嘴53从退避位置移动到处理位置。喷嘴53喷出显影液。显影液覆盖基板W的表面。此时，旋转保持部51可以使基板W旋转。当经过规定的时间时，从基板W上除去显影液。例如，可以通过旋转保持部51使基板W旋转，从而从基板W上甩掉显影液。或者，可以从与喷嘴53不同的喷嘴(未图示)向基板W供给清洗液，将基板W上的显影液置换成清洗液。显影液等被杯52回收。

当显影处理结束时，搬送机构TC3从液处理单元SC3搬出基板W。此时，腔室54也相对于分割搬送空间AC3开放。然后，搬送机构TC3将该基板W搬送到载置部PB3。

搬送机构TAR从载置部PB3向热处理单元HAR搬送基板W。在此，搬送机构TAR向2个热处理单元HAR交替搬送基板W。在搬送机构TAR向热处理单元HAR搬送基板W时，闸门24对热处理单元HAR的腔室23进行开闭。

热处理单元HAR对基板W进行显影后热处理(步骤S5)。

当显影后热处理结束时，搬送机构TAR从热处理单元HAR搬出基板W。此时，腔室23也相对于搬送空间AA开放。然后，搬送机构TAR将该基板W搬送到载置部PAR。

以上是与第1回路相关的动作。与第1回路相关的动作和与第2回路相关的动作可以并行进行。

[分度器部11的动作(基板W的回收)]

分度器用搬送机构13从载置部PAR向运送器C搬送基板W。接着，分度器用搬送机构13从载置部PAL向运送器C搬送基板W。然后，分度器用搬送机构13再次从载置部PAR向运送器C搬送基板W。这样，分度器用搬送机构13从载置部PAR和载置部PAL交替地一张一张地搬送基板W。

此外，分度器用搬送机构13可以紧接着取下载置部PAR上的基板W的动作，将其他基板W载置在载置部PAR上。同样地，分度器用搬送机构13可以紧接着取下载置部PAL上的基板W的动作，将其他基板W载置在载置部PAL上。

<基板处理装置1的动作例2>

动作例2是后表面17b与分度器部11连接的情况下的动作例。图17是示意性地表示在动作例2中基板W在模块BA-BE之间移动的样子的概念图。图18是表示动作例2中的基板W的搬送路径的图。

如图17、18所示，在动作例2中，将一部分基板W沿着第3路径搬送，将其他基板W沿着与第3路径不同的第4路径搬送。第3路径包括第3去路和第3回路。第4路径包括第4去路和第4回路。

以下将动作例2分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作来说明。此外，关于与动作例1共通的动作，适当省略说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C向载置部PER、PEL供给基板W。

[处理部17的动作(去路)]

由于与第3去路相关的动作和与第4去路相关的动作类似，所以为了方便，对与第3去路相关的动作进行说明。

搬送机构TDR从载置部PER向载置部PD1搬送基板W。搬送机构TC1从载置部PD1向液处理单元SC1搬送基板W。

液处理单元SC1向基板W涂布涂膜材料(步骤S1)。

当涂布处理结束时，搬送机构TC1从液处理单元SC1向载置部PB1搬送基板W。搬送机构TAR从载置部PB1向热处理单元HAR搬送基板W。

热处理单元HAR对基板W进行涂布后热处理(步骤S2)。

当涂布后热处理结束时，搬送机构TAR从热处理单元HAR向载置部PAR搬送基板W。

[曝光机EXP的动作]

基板W被从载置部PAR、PAL搬送到曝光机EXP。曝光机EXP对基板W进行曝光处理(步骤S3)。当曝光处理结束时，基板W被从曝光机EXP搬送至载置部PAR、PAL。

[处理部17的动作(回路)]

由于与第3回路相关的动作和与第4回路相关的动作类似，所以为了方便，对与第3回路相关的动作进行说明。

搬送机构TBR从载置部PAR向载置部PB3搬送基板W。搬送机构TC3从载置部PB3向液处理单元SC3搬送基板W。

液处理单元SC3向基板W供给显影液(步骤S4)。

当显影处理结束时，搬送机构TC3从液处理单元SC3向载置部PD3搬送基板W。搬送机构TER从载置部PD3向热处理单元HER搬送基板W。

热处理单元HER对基板W进行显影后热处理(步骤S5)。

当显影后热处理结束时，搬送机构TER从热处理单元HER向载置部PER搬送基板W。

[分度器部11的动作(基板W的回收)]

分度器用搬送机构13从载置部PER、PEL向运送器C搬送基板W。

<基板处理装置1的动作例3>

动作例3是在前表面17f与分度器部11连接的情况下的动作例。图19是示意性地表示在动作例3中基板W在模块BA-BE之间移动的样子的概念图。图20是表示动作例3中的基板W的搬送路径的图。

如图19、20所示，在动作例3中，将一部分基板W沿着第5路径搬送，将其他基板W沿着与第5路径不同的第6路径搬送。第5路径包括第5去路和第5回路。第6路径包括第6去路和第6回路。为了便于说明，将沿着第5路径搬送的基板W记为“基板W1”，将沿着第6路径搬送的基板W记为“基板W2”。

以下，将动作例3分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作进行说明。此外，关于与动作例1、2共通的动作，适当省略说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C向载置部PAR搬送基板W1，并从运送器C向载置部PAL搬送基板W2。

[处理部17的动作(去路)]

搬送机构TBR从载置部PAR向载置部PB1搬送基板W1。搬送机构TC1从载置部PB1向液处理单元SC1搬送基板W1。液处理单元SC1对基板W1进行涂布处理(步骤S1)。同样地，搬送机构TBL从载置部PAL向载置部PB2搬送基板W2。搬送机构TC2从载置部PB2向液处理单元SC2搬送基板W2。液处理单元SC2对基板W2进行涂布处理(步骤S1)。

当涂布处理结束时，将基板W1向前部热处理模块BA搬送，将基板W2向后部热处理模块BE搬送。由此，前部热处理模块BA对基板W1进行涂布后热处理，后部热处理模块BE对基板W2进行涂布后热处理。

具体地说，搬送机构TC1从液处理单元SC1向载置部PB1搬送基板W1。搬送机构TAL从载置部PB1向热处理单元HAL搬送基板W1。热处理单元HAL对基板W1进行涂布后热处理(步骤S2)。另一方面，搬送机构TC2从液处理单元SC2向载置部PD2搬送基板W2。搬送机构TEL从载置部PD2向热处理单元HER搬送基板W2。热处理单元HER对基板W2进行涂布后热处理(步骤S2)。

当涂布后热处理结束时，搬送机构TAL从热处理单元HAL向载置部PB1搬送基板W1。搬送机构TC1从载置部PB1向载置部PD1搬送基板W1。搬送机构TEL从载置部PD1向载置部PEL搬送基板W1。另一方面，搬送机构TER从热处理单元HER向载置部PER搬送基板W2。

[曝光机EXP的动作]

基板W1被从载置部PER搬送到曝光机EXP。基板W2被从载置部PEL搬送到曝光机EXP。基板W1、W2在曝光机EXP中受到曝光处理(步骤S3)。当曝光处理结束时，基板W1被从曝光机EXP搬送到载置部PER。基板W2被从曝光机EXP搬送到载置部PEL。

[处理部17的动作(回路)]

搬送机构TDL从载置部PEL向载置部PD3搬送基板W1。搬送机构TC3从载置部PD3向液处理单元SC3搬送基板W1。液处理单元SC3对基板W1进行显影处理(步骤S4)。同样地，搬送机构TDR从载置部PER向载置部PD4搬送基板W2。搬送机构TC4从载置部PD4向液处理单元SC4搬送基板W2。液处理单元SC4对基板W2进行显影处理(步骤S4)。

当显影处理结束时，将基板W1向前部热处理模块BA搬送，将基板W2向后部热处理模块BE搬送。由此，前部热处理模块BA对基板W1进行显影后热处理，后部热处理模块BE对基板W2进行显影后热处理。

具体地说，搬送机构TC3从液处理单元SC3向载置部PB3搬送基板W1。搬送机构TAR从载置部PB3向热处理单元HAR搬送基板W1。热处理单元HAR对基板W1进行显影后热处理(步骤S5)。另一方面，搬送机构TC4从液处理单元SC4向载置部PD4搬送基板W2。搬送机构TEL从载置部PD4向热处理单元HEL搬送基板W2。热处理单元HEL对基板W2进行显影后热处理(步骤S5)。

当显影后热处理结束时，搬送机构TAR从热处理单元HAR向载置部PAR搬送基板W1。另一方面，搬送机构TEL从热处理单元HEL向载置部PD4搬送基板W2。搬送机构TC4从载置部PD4向载置部PB4搬送基板W2。搬送机构TAL从载置部PB4向载置部PAL搬送基板W2。

[分度器部11的动作(基板W的回收)]

分度器用搬送机构13从载置部PAR向运送器C搬送基板W1。分度器用搬送机构13从载置部PAL向运送器C搬送基板W2。

<基板处理装置1的动作例4>

动作例4是在后表面17b与分度器部11连接的情况下的动作例。图21是示意性地表示在动作例4中基板W在模块BA-BE之间移动的样子的概念图。图22是表示动作例4中的基板W的搬送路径的图。

如图21、22所示，在动作例4中，将一部分基板W沿着第7路径搬送，将其他基板W沿着与第7路径不同的第8路径搬送。第7路径包括第7去路和第7回路。第8路径包括第8去路和第8回路。为了便于说明，将沿着第7路径搬送的基板W记为“基板W1”，将沿着第8路径搬送的基板W记为“基板W2”。

以下，将动作例4分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作进行说明。此外，关于与动作例1-3共通的动作，适当省略说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C向载置部PER、PEL供给基板W1、W2。

[处理部17的动作(去路)]

搬送机构TDR从载置部PER向载置部PD1搬送基板W1。搬送机构TC1从载置部PD1向液处理单元SC1搬送基板W1。液处理单元SC1对基板W1进行涂布处理(步骤S1)。同样地，搬送机构TDL从载置部PEL向载置部PD2搬送基板W2。搬送机构TC2从载置部PD2向液处理单元SC2搬送基板W2。液处理单元SC2对基板W2进行涂布处理(步骤S1)。

当涂布处理结束时，将基板W1向后部热处理模块BE搬送，将基板W2向前部热处理模块BA搬送。由此，后部热处理模块BE对基板W1进行涂布后热处理，前部热处理模块BA对基板W2进行涂布后热处理。

具体地说，搬送机构TC1从液处理单元SC1向载置部PD1搬送基板W1。搬送机构TEL从载置部PD1向热处理单元HEL搬送基板W1。热处理单元HEL对基板W1进行涂布后热处理(步骤S2)。另一方面，搬送机构TC2从液处理单元SC2向载置部PB2搬送基板W2。搬送机构TAR从载置部PB2向热处理单元HAR搬送基板W2。热处理单元HAR对基板W2进行涂布后热处理(步骤S2)。

当涂布后热处理结束时，搬送机构TEL从热处理单元HEL向载置部PD1搬送基板W1。搬送机构TC1从载置部PD1向载置部PB1搬送基板W1。搬送机构TAL从载置部PB1向载置部PAL搬送基板W1。另一方面，搬送机构TAR从热处理单元HAR向载置部PAR搬送基板W2。

[曝光机EXP的动作]

基板W被从载置部PAR、PAL搬送到曝光机EXP，在曝光机EXP接受曝光处理(步骤S3)。当曝光处理结束时，基板W被从曝光机EXP搬送到载置部PAR、PAL。

<处理部17的动作(回路)>

搬送机构TBL从载置部PAL向载置部PB3搬送基板W1。搬送机构TC3从载置部PD3向液处理单元SC3搬送基板W1。液处理单元SC3向基板W1供给显影液(步骤S4)。同样地，搬送机构TBR从载置部PAR向载置部PB4搬送基板W2。搬送机构TC4从载置部PB4向液处理单元SC4供给基板W2。液处理单元SC4向基板W2供给显影液(步骤S4)。

当显影处理结束时，将基板W1向后部热处理模块BE搬送，将基板W2向前部热处理模块BA搬送。由此，后部热处理模块BE对基板W1进行显影后热处理，前部热处理模块BA对基板W2进行显影后热处理。

具体地说，搬送机构TC3从液处理单元SC3向载置部PD3搬送基板W1。搬送机构TER从载置部PD3向热处理单元HER搬送基板W1。热处理单元HER对基板W1进行显影后热处理(步骤S5)。另一方面，搬送机构TC4从液处理单元SC4向载置部PB4搬送基板W2。搬送机构TAL从载置部PD4向热处理单元HAL搬送基板W2。热处理单元HAL对基板W2进行显影后热处理(步骤S5)。

当显影后热处理结束时，搬送机构TER从热处理单元HER向载置部PER搬送基板W1。另一方面，搬送机构TAL从热处理单元HAL向载置部PB4搬送基板W2。搬送机构TC4从载置部PB4向载置部PD4搬送基板W2。搬送机构TEL从载置部PD4向载置部PEL搬送基板W2。

[分度器部11的动作(基板W的回收)]

分度器用搬送机构13从载置部PER、PEL向运送器C搬送基板W1、W2。

<实施例1的效果>

如上所述，由于前表面17f以及后表面17b都能够与分度器部11连接，所以能够提高处理部17和分度器部11的配置的自由度。

由于前表面17f以及后表面17b都能够与曝光机EXP连接，所以也能够提高处理部17和曝光机EXP的配置的自由度。

在处理部17的前表面17f与分度器部11连接的情况下，处理部17进行图14所示的一系列的处理(参照动作例1、3)。在处理部17的后表面17b与分度器部11连接的情况下，处理部17也进行图14所示的一系列的处理(参照动作例2、4)。即，在前表面17f与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理，与在后表面17b与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理相同。这样，无论前表面17f以及后表面17b中的哪一个与分度器部11连接，处理部17都对基板W进行相同的处理。因而，即使处理部17和分度器部11的配置改变，处理部17对基板W进行的处理也不改变。因此，能够进一步提高处理部17和分度器部11的配置的自由度。

如图12A-12E所示，前表面17f、处理单元(H、SC)、载置部P、搬送机构T的相对的位置关系，与后表面17b、处理单元(H、SC)、载置部P和搬送机构T的相对的位置关系相同。换言之，能够使与通过前表面17f进入处理部17的基板W相关的搬送条件和与通过后表面17b进入处理部17的基板W相关的搬送条件实质上相同。在此，基板W的搬送条件是指，例如基板W的搬送距离、基板W的搬送方向或基板W的搬送时间等。因而，能够使在前表面17f与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质和在后表面17b与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质良好地相同。

处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T在俯视下呈点对称配置。因而，能够使前表面17f、处理单元(H、SC)、载置部P和搬送机构T的相对的位置关系，与后表面17b、处理单元(H、SC)、载置部P和搬送机构T的相对的位置关系良好地一致。

在处理部17的前部中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T，与在处理部17的后部中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T对称配置。因此，能够使在前表面17f与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质和在后表面17b与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质更良好地一致相同。

在处理部17的右部中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T，与在处理部17的左部中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T对称配置。因此，在处理部17的右侧面中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T的配置，与在处理部17的左侧面中的处理单元(H、SC)、载置部P以及搬送机构T的配置相同(参照图12A-12E)。因而，能够使处理部17的右侧面中的维护和处理部17的左侧面中的维护共通化。

从处理部17之前起第i个(其中，i为1以上的整数)配置的模块，具有与从处理部17之后起第i个配置的模块相同的功能。因此，能够使在前表面17f与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质与在后表面17b与分度器部11连接的情况下的处理部17的处理品质更良好地相同。

模块BH、BT、BC的排列ArF与模块BH、BT、BC的排列ArB相同。换言之，液处理模块BC、热处理模块BH以及中转模块BT向前方XF排列的顺序，与液处理模块BC、热处理模块BH以及中转模块BT向后方XB排列的順序相同。因此，能够使在前表面17f与分度器部11连接的情况下的热处理以及液处理的品质和在后表面17b与分度器部11连接的情况下的热处理以及液处理的品质良好地相同。

从处理部17的前表面17f向后表面17b，依次排列有热处理模块BH、中转模块BT、液处理模块BC、中转模块BT、热处理模块BH。由于中转模块BT配置在热处理模块BH和液处理模块BC之间，所以能够良好地提高热处理模块BH和液处理模块BC之间的基板W的搬送效率。另外，中转模块BT能够降低热处理模块BH对液处理模块BC赋予的热的影响。具体地说，在中转模块BT设置的载置部P或搬送机构T能够良好地阻碍从热处理单元H放出的热和气体到达液处理单元SC。在此，热例如是从热处理单元H的腔室23的表面辐射的热。气体例如是在腔室23开闭时从腔室23内流出到热处理单元H的外部的热处理气体。其结果，液处理单元SC能够高品质地进行液处理。

在处理部17的前端部和后端部都配置有热处理模块BH。因而，无论是在处理部17的前方XF配置分度器部11的情况，还是在处理部17的后方XB配置分度器部11的情况，都能够使分度器部11与处理部17良好地连接。

在动作例3、4中，液处理模块BC将进行了涂布处理的基板W1、W2分配(分散)到前部热处理模块BA以及后部热处理模块BE。由此，能够由前部热处理模块BA以及后部热处理模块BE并行进行涂布后热处理。

另外，液处理模块BC将进行了显影处理的基板W1、W2分配(分散)到前部热处理模块BA以及后部热处理模块BE。由此，能够由前部热处理模块BA以及后部热处理模块BE并行进行显影后热处理。即，能够高效地实施显影后热处理。

载置部PB1-PB4彼此在上下方向Z上排列，搬送机构TBR、TBL配置在载置部PB1-PB4的侧方。搬送机构TC1-TC4彼此在上下方向Z上排列。进而，载置部PB1配置在与搬送机构TC1相对的位置。同样地，载置部PB2、PB3、PB4分别配置在与搬送机构TC2、TC3、TC4相对的位置。其结果，搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4分别配置在至少一个载置部PB的后方XB。根据这样的结构，搬送机构TC1-TC4和搬送机构TBR、TBL能够经由载置部PB相互搬送基板W。

载置部PD1-PD4彼此在上下方向Z上排列，搬送机构TDR、TDL配置在载置部PD1-PD4的侧方。进而，载置部PD1-PD4分别配置在与搬送机构TC1-TC4相对的位置。其结果，搬送机构TC1、TC2、TC3、TC4分别配置在至少一个载置部PD的前方XF。根据这样的结构，搬送机构TC1-TC4和搬送机构TDR、TDL能够经由载置部PD1-PD4相互搬送基板W。

搬送机构TAR、TAL在横向Y上排列。载置部PB1-PB4分别配置在与搬送机构TAR、TAL两方相对的位置。其结果，搬送机构TAR、TAL分别配置在至少一个载置部PB的前方XF。根据这样的结构，搬送机构TAR、TAL和搬送机构TBR、TBL能够经由载置部PB相互搬送基板W。

搬送机构TER、TEL在横向Y上排列。载置部PD1-PD4分别配置在与搬送机构TER、TEL两方相对的位置。其结果，搬送机构TER、TEL分别配置在至少一个载置部PD的后方XB。根据这样的结构，搬送机构TER、TEL和搬送机构TDR、TDL能够经由载置部PD相互搬送基板W。

载置部PAR配置在搬送机构TAR的侧方，且配置在与搬送机构TBR相对的位置。搬送机构TBR配置在载置部PAR的后方XB。因而，搬送机构TAR和搬送机构TBR不仅能够经由载置部PB搬送基板W，而且能够经由载置部PAR相互搬送基板W。同样地，载置部PAL配置在搬送机构TAL的侧方，且配置在与搬送机构TBL相对的位置。搬送机构TBL配置在载置部PAL的后方XB。因而，搬送机构TAL和搬送机构TBL不仅能够经由载置部PB搬送基板W，而且能够经由载置部PAL相互搬送基板W。因此，在前部热处理模块BA和前部中转模块BB之间，能够灵活地搬送基板W。

载置部PER配置在搬送机构TER的侧方，且配置在与搬送机构TDR相对的位置。搬送机构TDR配置在载置部PER的前方XF。因而，搬送机构TER和搬送机构TDR不仅能够经由载置部PD搬送基板W，而且能够经由载置部PER相互搬送基板W。同样地，载置部PEL配置在搬送机构TEL的侧方，且配置在与搬送机构TDL相对的位置。搬送机构TDL配置在载置部PEL的前方XF。因而，搬送机构TEL和搬送机构TDL不仅能够经由载置部PD搬送基板W，而且能够经由载置部PEL相互搬送基板W。因此，在后部热处理模块BE和后部中转模块BD之间，能够灵活地搬送基板W。

搬送机构TAR、TAL和搬送机构TC1-TC4能够不使用搬送机构TB而相互搬送基板W。即，搬送机构TAR、TAL和搬送机构TC1-TC4能够经由载置部PB相互搬送基板W。因而，在前部热处理模块BA和液处理模块BC之间，能够高效地搬送基板W。

搬送机构TER、TEL和搬送机构TC1-TC4能够不使用搬送机构TD而相互搬送基板W。即，搬送机构TER、TEL和搬送机构TC1-TC4能够经由载置部PD相互搬送基板W。因而，在后部热处理模块BE和液处理模块BC之间，能够高效地搬送基板W。

液处理模块BC具有比其他模块BA、BB、BD、BE更多的搬送机构。具体地说，液处理模块BC中的搬送机构TC的数量为4台，是其他模块BA、BB、BD、BE的1倍。因而，能够有效地提高液处理模块BC中的基板W的搬送能力。

液处理单元SC具有液处理单元SC1、SC2，液处理单元SC1、SC2是将涂膜材料向基板W涂布的涂布单元。因而，能够良好地对基板W进行涂布处理。液处理单元SC具有液处理单元SC3、SC4，液处理单元C3、SC4是将显影液向基板W供给的显影单元。因而，能够良好地对基板W进行显影处理。

实施例2

接着，参照附图，对本发明的实施例2进行说明。此外，对于与实施例1相同的结构标注相同的附图标记，而省略详细的说明。

<基板处理装置1的概要>

图23A是表示处理部和其他设备的连接的一例的侧视图。在图23A中，处理部17的前表面17f与分度器部11连接。处理部17的后表面17b与接口模块BF连接。接口模块BF和处理部17能够相互搬送基板W。接口模块BF还与曝光机EXP连接。接口模块BF和曝光机EXP能够相互搬送基板W。分度器部11、处理部17、接口模块BF和曝光机EXP在前后方向X上排列成1列。分度器部11、处理部17、接口模块BF和曝光机EXP以该顺序向后方XB排列。曝光机EXP通过例如浸液法对基板W进行曝光处理。接口模块BF是本发明中的接口部的例子。

在本实施例2中，接口模块BF是基板处理装置1的构件，即，是设置在基板处理装置1的内部的内部设备。

在图23A的情况下，基板处理装置1和曝光机EXP如下动作。即，分度器部11向处理部17搬送基板W。具体地说，分度器部11经由前部载置部Pf向处理部17供给基板W。处理部17对基板W进行处理。在处理部17对基板W进行处理时，从处理部17经由后部载置部Pb向接口模块BF搬送基板W，进而从接口模块BF向曝光机EXP搬送基板W，由曝光机EXP对基板W进行曝光处理。当结束处理部17的处理时，从处理部17经由前部载置部Pf向分度器部11搬送基板W。

图23B是表示实施例2的处理部和其他设备的连接的另一例的侧视图。在图23B中，后表面17b和分度器部11连接。前表面17f与接口模块BF连接。接口模块BF还与曝光机EXP连接。分度器部11、处理部17、接口模块BF和曝光机EXP以该顺序向前方XF排列成1列。在该情况下，基板处理装置1和曝光机EXP如下进行动作。即，分度器部11向处理部17搬送基板W。具体地说，分度器部11经由后部载置部Pb向处理部17供给基板W。处理部17对基板W进行处理。在处理部17对基板W进行处理时，从处理部17经由前部载置部Pf向接口模块BF搬送基板W，进而从接口模块BF向曝光机EXP搬送基板W，由曝光机EXP对基板W进行曝光处理。当结束处理部17的处理时，从处理部17经由后部载置部Pb向分度器部11搬送基板W。

这样，根据本实施例2的基板处理装置1，前表面17f以及后表面17b都能够与分度器部11连接。因而，能够提高处理部17和分度器部11的配置的自由度。

前表面17f以及后表面17b都能够与接口模块BF连接。因而，在处理部17的前方XF也能配置接口模块BF，且在处理部17的后方XB也能配置接口模块BF。即，也能够提高处理部17和接口模块BF的配置的自由度。

<基板处理装置1的全体结构>

图24是实施例2的基板处理装置1的俯视图。图25是图24中的箭头a-a侧视图。图26是图24中的箭头b-b侧视图。此外，在图24至26中，为了便于说明，示出了处理部17的前表面17f与分度器部11连接，且处理部17的后表面17b与接口模块BF连接的例子。实施例2的基板处理装置1在基板W上形成反射防止膜、抗蚀剂膜以及保护膜，且对基板W进行显影。

处理部17具有2个热处理模块BH、2个中转模块BT和1个液处理模块BC。模块BH、BT、BC的配置与实施例1相同。将位于处理部17的前端部的热处理模块BH称为“前部热处理模块BA”，将位于处理部17的后端部的热处理模块BH称为“后部热处理模块BE”。另外，将在前部热处理模块BA和液处理模块BC之间配置的中转模块BT称为“前部中转模块BB”，将在后部热处理模块BE和液处理模块BC之间配置的中转模块BT称为“后部中转模块BD”。

<前部热处理模块BA的结构>

参照图24-27。图27是从分度器部11观察前部热处理模块BA得到的主视图。

前部热处理模块BA具有包括在上下方向Z上排列的2个层的层结构。具体地说，搬送空间AA被划分为2个分割搬送空间AA1、AA2。分割搬送空间AA1、AA2彼此在上下方向Z上排列。分割搬送空间AA1、AA2以该顺序从下向上排列。

搬送机构TA具有搬送机构TA1和搬送机构TA2。搬送机构TA1设置在分割搬送空间AA1内，搬送机构TA2设置在分割搬送空间AA2内。各搬送机构TA1、TA2彼此在上下方向Z上排列配置。

前部热处理模块BA作为热处理单元而具有加热单元HPaA、HPbA、HPcA和疏水化处理单元AHP。前部热处理模块BA具有载置部SPA、RPA。载置部SPA、RPA分别相当于前部载置部Pf。各构件HPaA、HPbA、HPcA、AHP、SPA、RPA分别配置于分割搬送空间AA1、AA2的侧方。以下，对各构件的附图标记适当标注表示设置场所的记号。表示设置场所的记号是组合表示高度位置的数字“1”、“2”和表示右方YR、左方YL的“R”、“L”而成的。对与搬送机构TA1相对的构件标注表示高度位置的数字“1”，对与搬送机构TA2相对的构件标注表示高度位置的数字“2”。换言之，对在分割搬送空间AA1的侧方配置的构件标注表示高度位置的数字“1”，对在分割搬送空间AA2的侧方配置的构件标注表示高度位置的数字“2”。例如，载置部SPA1R是在分割搬送空间AA1的右方YR设置的载置部SPA，加热单元HPaA2L是在分割搬送空间AA2的左方YL设置的加热单元HPaA。

各加热单元HPaA、HPbA、HPcA分别对基板W进行加热。疏水化处理单元AHP进行提高基板W和涂膜的紧贴性的疏水化处理。具体地说，疏水化处理单元AHP将包含六甲基二硅氮烷(HMDS：Hexamethyldisilazane：)的处理气体向基板W供给，并对基板W进行温度调节。

加热单元HPaA除了具有在实施例1说明的板21、腔室23和闸门24外，还具有本地搬送机构25(参照图24)。本地搬送机构25在横向Y上搬送基板W，并将基板W载置在板21上。其他加热单元HPbA、HPcA以及疏水化处理单元AHP也同样地，具有本地搬送机构25。

载置部SPA、RPA具有与实施例1的载置部PA相同的结构。载置部SPA例如专门为了载置朝向后方XB的基板W而使用，载置部RPA例如专门为了载置朝向前方XF的基板W而使用。

搬送机构TA1、TA2分别具有引导轴部31、驱动机构32和手部33。

搬送机构TA1访问在分割搬送空间AA1的右方YR设置的各构件HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、SPA1R、RPA1R、和在分割搬送空间AA1的左方YL设置的各构件HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、SPA1L、RPA1L。

搬送机构TA2访问在分割搬送空间AA2的右方YR设置的各构件HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R、SPA2R、RPA2R、和在分割搬送空间AA2的左方YL设置的各构件HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L、SPA2L、RPA2L。

<前部中转模块BB的结构>

参照图24-26、28。图28是从分度器部11观察前部中转模块BB得到的主视图。

前部中转模块BB具有载置部SPB、RPB、冷却载置部PCPB和冷却单元CPB。冷却单元CPB是热处理单元的一个样式，对基板W进行冷却。冷却载置部PCPB载置基板W并且进行冷却。冷却载置部PCPB是载置部的一个样式，并且是热处理单元的一个样式。冷却载置部PCPB具有板26和夺取板26的热的吸热设备(未图示)。冷却载置部PCPB与载置部SPB、RPB同样地，在水平方向上开放。

载置部SPB、RPB、冷却载置部PCPB和冷却单元CPB位于前部中转模块BB的横向Y中央并彼此在上下方向Z上层叠。

前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB被分类为位于分割搬送空间AA1的后方XB的第1组和位于分割搬送空间AA2的后方XB的第2组。属于第1组的构件SPB、RPB、PCPB、CPB与搬送机构TA1相对。属于第2组的构件SPB、RPB、PCPB、CPB与搬送机构TA2相对。对属于第1组的构件SPB、RPB、PCPB、CPB标注表示高度位置的数字“1”、“2”、“3”、“4”中的某一个。对属于第2组的构件SPB、RPB、PCPB、CPB标注表示高度位置的数字“5”、“6”、“7”、“8”中的某一个。

如后面所述，液处理模块BC具有在上下方向Z上排列的多个分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8、在各分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8内设置的搬送机构TC1、TC2、···、TC8。以构件SPB、RPB、PCPB、CPB中的至少1个以上位于各分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8的前方XF的方式，配置前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB。换言之，以构件SPB、RPB、PCPB、CPB中的至少1个以上与各搬送机构TC1、TC2、···、TC8相对的方式，配置构件SPB、RPB、PCPB、CPB。标注表示高度位置的数字“1”的构件SPB、RPB、PCPB、CPB与搬送机构TC1相对。同样地，标注表示高度位置的数字“2”、···、“8”的构件SPB、RPB、PCPB、CPB与搬送机构TC2、···、TC8相对。

如图26所示，形成分割搬送空间AC1-AC4的上下方向Z的范围，与形成分割搬送空间AA1的上下方向Z的范围相同。形成分割搬送空间AC5-AC8的上下方向Z的范围，与形成分割搬送空间AA2的上下方向Z的范围相同。

前部中转模块BB具有输入缓冲部Bf-in和输出缓冲部Bf-out。输入缓冲部Bf-in蓄积在基板处理装置1内未进行热处理和液处理等任何处理的基板W。输出缓冲部Bf-out蓄积在基板处理装置1内完成了一系列处理的基板W。输入缓冲部Bf-in以及输出缓冲部Bf-out各自能够蓄积的基板W的数量为例如50张。

输入缓冲部Bf-in配置在搬送空间ABR(搬送机构TBR)的右方YR。输出缓冲部Bf-out配置在搬送空间ABL(搬送机构TBL)的左方YL。

搬送机构TBR、TBL分别能够访问各构件SPB、RPB、PCPB、CPB。搬送机构TBR还能够访问输入缓冲部Bf-in。搬送机构TBL还能够访问输出缓冲部Bf-out。

<液处理模块BC的结构>

参照图24-26、29。图29是从分度器部11观察液处理模块BC得到的主视图。

液处理模块BC具有包括在上下方向Z上排列的8个层K1、K2、···、K8的层结构。具体地说，搬送空间AC被划分为8个分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8。分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8彼此在上下方向Z上排列。分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8以该顺序从下向上排列。

搬送机构TC包括搬送机构TC1、TC2、···、TC8。搬送机构TC1、TC2、···、TC8分别设置在分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8内。

液处理单元SC包括液处理单元SC1、SC2、···、SC8。液处理单元SC1、SC2、···、SC8分别设置在分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8的侧方。

液处理单元SC1、SC2、···、SC6是涂布单元。更详细地说，液处理单元SC1、SC2是反射防止膜用涂布单元(BARC)，液处理单元SC3、SC4是抗蚀剂膜用涂布单元(RESIST)，液处理单元SC5、SC6是保护膜用涂布单元(TARC)。反射防止膜用涂布单元SC1、SC2向基板W涂布反射防止膜材料。抗蚀剂膜用涂布单元SC3、SC4向基板W涂布抗蚀剂膜材料。保护膜用涂布单元SC5、SC6向基板W涂布保护膜材料。液处理单元SC7、SC8是显影单元(DEV)。

此外，在实施例2中，如图24、25所示，2个液处理单元SC配置在搬送机构TC的右方YR，2个液处理单元SC配置在搬送机构TC的左方YL。在搬送机构TC的右方YR设置的2个处理单元SC共用喷嘴43/53和腔室44/54。例如，在搬送机构TC8的右方YR设置的2个液处理单元SC8共用喷嘴53和腔室54。同样地，在搬送机构TC的左方YL设置的2个液处理单元SC也共用喷嘴43/53以及腔室44/54。

搬送机构TC1、TC2、···、TC8分别访问液处理单元SC1、SC2、···、SC8。

<后部中转模块BD的结构>

参照图24-26、30。图30是从分度器部11观察后部中转模块BD得到的主视图。

后部中转模块BD具有载置部SPD、RPD、冷却载置部PCPD和冷却单元CPD。载置部SPD、RPD、冷却载置部PCPD和冷却单元CPD位于后部中转模块BD的横向Y中央，彼此在上下方向Z上层叠。

以构件SPD、RPD、PCPD、CPD中的至少1个以上位于各分割搬送空间AC1、AC2、···、AC8的后方XB的方式，配置有后部中转模块BD的构件SPD、RPD、PCPD、CPD。换言之，以构件SPD、RPD、PCPD、CPD中的至少1个以上与各搬送机构TC1、TC2、···、TC8相对的方式，配置有构件SPD、RPD、PCPD、CPD。对与搬送机构TC1相对的构件SPD、RPD、PCPD、CPD，标注表示高度位置的数字“1”。同样地，对与搬送机构TC2、···、TC8相对的构件SPD、RPD、PCPD、CPD，标注表示高度位置的数字“2”、···、“8”。

搬送机构TDR、TDL能够分别访问各构件SPD、RPD、PCPD、CPD。

此外，在搬送机构TDR的右方YR和搬送机构TDL的左方YL没有设置缓冲部等(例如相当于输入缓冲部Bf-in和输出缓冲部Bf-out的构件)。因此，能够在后部中转模块BD的右侧部和左侧部设置例如用于向液处理模块BC供给处理液的泵等。

<后部热处理模块BE的结构>

参照图24-26、31。图31是从分度器部11观察后部热处理模块BE得到的主视图。

后部热处理模块BE与前部热处理模块BA同样地，具有包括2个层的层结构。具体地说，搬送空间AE被划分为分割搬送空间AE1、AE2。

搬送机构TE具有搬送机构TE1和搬送机构TE2。搬送机构TE1设置在分割搬送空间AE1内，搬送机构TE2设置在分割搬送空间AE2内。

搬送空间AE1与后部中转模块BD的构件SPD、RPD、PCPD、CPD的第1组在前后方向X上排列。即，搬送机构TE1与属于第1组的构件SPD、RPD、PCPD、CPD相对。搬送空间AE2与后部中转模块BD的构件SPD、RPD、PCPD、CPD的第2组在前后方向X上排列。即，搬送机构TE2与属于第2组的构件SPD、RPD、PCPD、CPD相对。在此，第1组包括被标注表示高度位置的数字“1”、“2”、“3”、“4”中的某个的构件SPD、RPD、PCPD、CPD。第2组包括被标注表示高度位置的数字“5”、“6”、“7”、“8”中的某个的构件SPD、RPD、PCPD、CPD。

后部热处理模块BE作为热处理单元具有加热单元HPaE、HPbE和冷却单元CPE。后部热处理模块BE具有载置部SPE、RPE。载置部SPE、RPE分别相当于后部载置部Pb。进而，后部热处理模块BE具有边缘曝光单元EEW。边缘曝光单元EEW对基板W上的抗蚀剂膜的周缘部进行曝光。

各构件单元HPaE、HPbE、CPE、SPE、RPE、EEW分别配置在分割搬送空间AE1、AE2的侧方。以下，对各构件的附图标记适当标注表示设置场所的记号。表示设置场所的记号是组合表示高度位置的数字“1”、“2”、表示右方YR、左方YL的“R”、“L”而成的。对与搬送机构TE1相对的构件标注表示高度位置的数字“1”，对与搬送机构TE2相对的构件标注表示高度位置的数字“2”。

<接口模块BF的结构>

参照24-26、32。图32是从分度器部11观察接口模块BF的前部得到的主视图。在此，接口模块BF的前部是接口模块BF中的处理部17侧的部分。

在接口模块BF的前部设置有载置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2、搬送机构TFR、TFL、曝光前清洗单元BSR、BSL和曝光后清洗处理单元SOR、SOL。

曝光前清洗单元BSR、BSL对曝光处理前的基板W进行清洗并干燥。曝光前清洗处理单元BSR、BSL例如对基板W的后表面和端部进行清洗。曝光后清洗处理单元SOR、SOL对曝光处理后的基板W进行清洗并干燥。例如，曝光前清洗处理单元BSR、BSL和曝光后清洗处理单元SOR、SOL分别具有使用基板W旋转的基板旋转机构、向基板W供给清洗液的清洗液供给机构、用于清洗基板W的刷等的清洗工具等(均未图示)。

载置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2配置在接口模块BF的横向Y中央。载置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2彼此在上下方向Z上排列。如图26所示，载置部SPF1、RPF1配置在与后部热处理模块BE的分割搬送空间AE1相对的位置。载置部SPF2、RPF2配置在与后部热处理模块BE的分割搬送空间AE2相对的位置。

搬送机构TFR配置在载置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2的右方YR。曝光前清洗单元BSR和曝光后清洗处理单元SOR配置在搬送机构TFR的右方YR。曝光前清洗单元BSR和曝光后清洗处理单元SOR彼此在上下方向Z上排列。

搬送机构TFL配置在载置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2的左方YL。曝光前清洗单元BSL和曝光后清洗处理单元SOL配置在搬送机构TFL的左方YL。曝光前清洗单元BSL和曝光后清洗处理单元SOL彼此在上下方向Z上排列。

参照图24-26、33。图33是从分度器部11观察接口模块BF的后部得到的主视图。在此，接口模块BF的后部是接口模块BF中的曝光机EXP侧的部分。在接口模块BF的后部设置有冷却载置部PCPF、载置部RPFB、搬送机构BHU、曝光后加热处理单元PEBR、PEBL、输送缓冲部SBf和返回缓冲部RBf。

曝光后加热处理单元PEBR、PEBL是热处理单元的一个样式，进行对曝光处理后的基板W加热的曝光后加热处理(Post Exposure Bake)。输送缓冲部SBf蓄积向曝光机EXP搬送之前的基板W。返回缓冲部RBf蓄积从曝光机EXP返回来的基板W。

冷却载置部PCPF和载置部RPFB配置在接口模块BF的横向Y中央。冷却载置部PCPF和载置部RPFB彼此在上下方向Z上排列。搬送机构BHU配置在冷却载置部PCPF以及载置部RPFB的右方YR。

输送缓冲部SBf和返回缓冲部RBf配置在接口模块BF的横向Y中央，并配置在冷却载置部PCPF以及载置部RPFB的上方。输送缓冲部SBf和返回缓冲部RBf彼此在上下方向Z上排列。

曝光后加热处理单元PEBR配置在输送缓冲部SBf以及返回缓冲部RBf的右方YR。多个曝光后加热处理单元PEBR彼此在上下方向Z上排列。曝光后加热处理单元PEBL配置在输送缓冲部SBf以及返回缓冲部RBf的左方YL。多个曝光后加热处理单元PEBL彼此在上下方向Z上排列。

搬送机构TFR能够访问载置部SPF1、RPF1、曝光前清洗单元BSR、曝光后清洗处理单元SOR、冷却载置部PCPF、载置部RPFB、曝光后加热处理单元PEBR、输送缓冲部SBf和返回缓冲部RBf。

搬送机构TFL能够访问载置部SPF2、RPF2、曝光前清洗单元BSL、曝光后清洗处理单元SOL、冷却载置部PCPF、载置部RPFB、曝光后加热处理单元PEBL、输送缓冲部SBf和返回缓冲部RBf。

搬送机构BHU能够访问冷却载置部PCPF和载置部RPFB。搬送机构BHU还能够向进行浸液曝光的曝光机EXP搬送基板W，并从曝光机EXP接受基板W。

<处理单元、载置部和搬送机构的配置>

参照图34A-34D、35A-35D。图34A-34D是图25中的箭头a-a、b-b、c-c、d-d俯视图。图35A-34D是图25中的箭头e-e、f-f、g-g、h-h俯视图。

在不对模块BA的加热单元HPaA、HPbA、HPcA以及疏水化处理单元AHP、模块BB的冷却单元CPB、模块BD的冷却单元CPD、模块BE的加热单元HPaE、HPbE以及冷却单元CPE特别区别的情况下，称为“热处理单元H”，同等对待。在不对液处理单元SC1-SC8特别区别的情况下，将液处理单元SC1-SC8称为“液处理单元SC”，同等对待。在不对热处理单元H和液处理单元SC特别区别的情况下，将热处理单元H和液处理单元SC称为“处理单元”，同等对待。在不对模块BA的载置部SPA、RPA、模块BB的载置部SPB、RPB以及冷却载置部PCPB、模块BD的载置部SPD、RPD以及冷却载置部PCPD、模块BE的载置部SPE、RPE特别区别的情况下，称为“载置部P”，同等对待。在不对搬送机构TA1、TA2、TBR、TBL、TC1-TC8、TDR、TDL、TE1、TE2特别区别的情况下，称为“搬送机构T”，同等对待。

如图34A-34D、35A-35D所示，处理部17的前表面17f、处理单元、载置部P、搬送机构T的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b、处理单元、载置部P、搬送机构T的相对的位置关系相同。换言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T相对于处理部17的前表面17f的各位置，与处理单元、载置部P以及搬送机构T相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

具体地说，处理部17的前表面17f、热处理单元H、液处理单元SC的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b、热处理单元H、液处理单元SC的相对的位置关系相同。换言之，热处理单元H以及液处理单元SC相对于处理部17的前表面17f的各位置，与热处理单元H以及液处理单元SC相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

处理部17的前表面17f和载置部P的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b和载置部P的相对的位置关系相同。换言之，载置部P相对于处理部17的前表面17f的各位置，与载置部P相对于处理部17的后表面17b的载置部P的各位置相同。

处理部17的前表面17f和搬送机构T的相对的位置关系，与处理部17的后表面17b和搬送机构T的相对的位置关系相同。换言之，搬送机构T相对于处理部17的前表面17f的各位置，与搬送机构T相对于处理部17的后表面17b的各位置相同。

处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下呈点对称配置(参照图34A-34D、35A-35D)。

具体地说，处理单元在俯视下呈点对称配置。点对称的中心(即，对称点)例如是俯视下的处理部17的中心PC。热处理单元H在俯视下呈点对称配置。液处理单元SC在俯视下呈点对称配置。载置部P在俯视下呈点对称配置。搬送机构T在俯视下呈点对称配置。

处理部17的右部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T，与处理部17的左部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T对称配置(参照图34A-34D、35A-35D)。简而言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T左右对称配置。详细地说，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视以及主视中的至少一个下左右对称配置。

参照图34A-34D、35A-35D。处理单元在俯视下左右对称配置。热处理单元H在俯视下左右对称配置。液处理单元SC在俯视下左右对称配置。载置部P在俯视下左右对称配置。搬送机构T在俯视下左右对称配置。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下左右对称配置。线对称的对称轴例如是俯视下的中心面CX。

参照图27-31。处理单元在主视下左右对称配置。热处理单元H在主视下左右对称配置。液处理单元SC在主视下左右对称配置(参照图29)。载置部P在主视下左右对称配置。搬送机构T在主视下左右对称配置。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在主视下左右对称配置。线对称的对称轴例如是主视下的中心面CX。

处理部17的前部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T与处理部17的后部中的处理单元、载置部P以及搬送机构T对称配置。简而言之，处理单元、载置部P以及搬送机构T前后对称配置。详细地说，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视以及侧视中的至少任一个下前后对称配置。

参照图34A-34D、35A-35D。处理单元在俯视下前后对称配置。热处理单元H在俯视下前后对称配置。液处理单元SC在俯视下前后对称配置。载置部P在俯视下前后对称配置。搬送机构T在俯视下前后对称配置。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视下前后对称配置。线对称的对称轴例如是俯视下的中心面CY。

参照图25、26。处理单元在侧视下前后对称配置。热处理单元H在侧视下前后对称配置。液处理单元SC在侧视下前后对称配置。载置部P在侧视下前后对称配置。搬送机构T在侧视下前后对称。这样，处理单元、载置部P以及搬送机构T在侧视下前后对称配置。线对称的对称轴例如是侧视下的中心面CY。

<分度器部11和模块BA的关系>

参照图24-26。分度器用搬送机构13和搬送机构TA相互搬送基板W。具体地说，载置部SPA、RPA相对于分度器部11(搬送空间16)开放，分度器用搬送机构13能够访问载置部SPA、RPA。分度器用搬送机构13和搬送机构TA1经由载置部SPA1R、SPA1L、RPA1R、RPA1L相互搬送基板W。分度器用搬送机构13和搬送机构TA2经由载置部SPA2R、SPA2L、RPA2R、RPA2L相互搬送基板W。

<前部热处理模块BA和前部中转模块BB的关系>

搬送机构TA和搬送机构TB能够相互搬送基板W。

具体地说，搬送机构TBR能够访问在搬送空间AA的右方YR配置的载置部SPA1R、RPA1R、SPA2R、RPA2R。因而，搬送机构TA1和搬送机构TBR能够经由载置部SPA1R、RPA1R相互搬送基板W。搬送机构TA2和搬送机构TBR能够经由载置部SPA2R、RPA2R相互搬送基板W。

同样地，搬送机构TBL能够访问在搬送空间AA的左方YL配置的载置部SPA1L、RPA1L、SPA2L、RPA2L。因而，搬送机构TA1和搬送机构TBL能够经由载置部SPA1L、RPA1L相互搬送基板W。搬送机构TA2和搬送机构TBL能够经由载置部SPA2L、RPA2L相互搬送基板W。

搬送机构TA1能够访问前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第1组。因而，搬送机构TA1和搬送机构TBR/TBL能够经由前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第1组相互搬送基板W。

同样地，搬送机构TA2能够访问前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第2组。因而，搬送机构TA2和搬送机构TBR/TBL能够经由前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第2组相互搬送基板W。

搬送机构TBR还能够访问在搬送空间AA的右方YR配置的热处理单元HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R。搬送机构TBL还能够访问在搬送空间AA的左方YL配置的热处理单元HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L。

<分度器部11、模块BA和模块BB的关系>

分度器用搬送机构13和搬送机构TB能够不使用搬送机构TA而相互搬送基板W。

具体地说，分度器用搬送机构13以及搬送机构TBR能够经由载置部SPA1R、RPA1R以及载置部SPA2R、RPA2R中的任一个相互搬送基板W。另外，分度器用搬送机构13以及搬送机构TBL能够经由载置部SPA1L、RPA1L以及载置部SPA2L、RPA2L中的任一个相互搬送基板W。

<模块BB和模块BC的关系>

搬送机构TB和搬送机构TC能够相互搬送基板W。

具体地说，搬送机构TC1能够访问与搬送机构TC1相对的载置部RPB1和冷却载置部PCPB1。搬送机构TBR/TBL和搬送机构TC1能够经由载置部RPB1或冷却载置部PCPB1相互搬送基板W。同样地，搬送机构TC2、TC3、···、TC8分别能够经由与搬送机构TC2、TC3、···、TC8相对的载置部SPB、RPB或冷却载置部PCPB，与搬送机构TBR/TBL相互交接基板W。

<模块BA、模块BB和模块BC的关系>

搬送机构TA和搬送机构TC能够不使用搬送机构TB而相互搬送基板W。例如，搬送机构TA1和搬送机构TC1/TC2/TC3/TC4能够经由前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第1组，相互搬送基板W。搬送机构TA2和搬送机构TC5/TC6/TC7/TC8能够经由前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第2组，相互搬送基板W。

<模块BC和模块BD的关系>

液处理模块BC和后部中转模块BD的关系与前部中转模块BB和液处理模块BC的关系相同。即，搬送机构TC1、TC2、···、TC8分别能够与搬送机构TDR/TDL相互交接基板W。

<模块BD和模块BE的关系>

后部中转模块BD和后部热处理模块BE的关系与前部中转模块BB和前部热处理模块BA的关系相同。

具体地说，搬送机构TDR和搬送机构TE1能够经由载置部SPE1R、RPE1R相互搬送基板W。搬送机构TDR和搬送机构TE2能够经由载置部SPE2R、RPE2R相互搬送基板W。同样地，搬送机构TDL和搬送机构TE1能够经由载置部SPE1L、RPE1L相互搬送基板W。搬送机构TDL和搬送机构TE2能够经由载置部SPE2L、RPE2L相互搬送基板W。进而，搬送机构TDR/TDL和搬送机构TE1能够经由后部中转模块BD的构件SPD、RPD、PCPD、CPD的第1组相互搬送基板W。搬送机构TDR/TDL和搬送机构TE2能够经由后部中转模块BD的构件SPD、RPD、PCPD、CPD的第2组相互搬送基板W。

搬送机构TDR能够相对于在搬送空间AE的右方YR配置的加热单元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷却单元CPE1R、CPE2R和边缘曝光单元EEW1R、EEW2R搬送基板W。搬送机构TDL能够相对于在搬送空间AE的左方YL配置的加热单元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷却单元CPE1L、CPE2L和边缘曝光单元EEW1L、EEW2L搬送基板W。

<模块BC、模块BD和模块BE的关系>

液处理模块BC、后部中转模块BD和后部热处理模块BE的关系与液处理模块BC、前部中转模块BB和前部热处理模块BA的关系相同。即，搬送机构TC和搬送机构TE能够不使用搬送机构TD相互搬送基板W。

<模块BE和接口模块BF的关系>

搬送机构TE和搬送机构TF能够相互搬送基板W。

具体地说，搬送机构TE1能够访问载置部SPF1、RPF1。搬送机构TE2能够访问载置部SPF2、RPF2。搬送机构TFR能够访问载置部SPE1R、RPE1R、SPE2R、RPE2R。搬送机构TFL能够访问载置部SPE1L、RPE1L、SPE2L、RPE2L。因而，搬送机构TE1和搬送机构TFR能够经由载置部SPE1R、RPE1R、SPF1、RPF1搬送基板W。搬送机构TE2和搬送机构TFR能够经由载置部SPE2R、RPE2R、SPF2、RPF2相互搬送基板W。搬送机构TE1和搬送机构TFL能够经由载置部SPE1L、RPE1L、SPF1、RPF1搬送基板W。搬送机构TE2和搬送机构TFL能够经由载置部SPE2L、RPE2L、SPF2、RPF2搬送基板W。

搬送机构TFR能够相对于在搬送空间AE的右方YR配置的加热单元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷却单元CPE1R、CPE2R和边缘曝光单元EEW1R、EEW2R搬送基板W。搬送机构TFL能够相对于在搬送空间AE的左方YL配置的加热单元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷却单元CPE1L、CPE2L、边缘曝光单元EEW1L、EEW2L搬送基板W。

<接口模块BF和曝光机EXP的关系>

搬送机构BHU能够向曝光机EXP搬送基板W，并从曝光机EXP接受基板W。

<处理部17对基板W进行的处理例>

图36是例示对基板进行的处理的顺序的流程图。

处理部17依次对基板W进行例如涂布处理、涂布后热处理、显影处理、显影加热处理。处理部17进行步骤S11-S19、S21-S25的处理、即包括液处理以及热处理的一系列处理。曝光机EXP对基板W进行步骤S20的处理、即曝光处理。

无论是处理部17的前表面17f与分度器部11连接的情况，还是处理部17的后表面17b与分度器部11连接的情况，处理部17都能够对基板W进行上述的一系列的处理。即，在处理部17的前表面17f与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理，与在处理部17的后表面17b与分度器部11连接时处理部17对基板W进行的处理相同。

以下，说明前表面17f与分度器部11连接的情况下的动作例1和后表面17b与分度器部11连接的情况下的动作例2。

<基板处理装置1的动作例1>

动作例1是前表面17f与分度器部11连接的情况下的动作例。图37是表示动作例1中的基板W的搬送路径的图。基板从上向下在图37所示的载置部以及处理单元移动。

如图37所示，在动作例1中，将一部分基板W沿着第1路径搬送，将其他基板W沿着与第1路径不同的第2路径搬送。第1路径包括第1去路和第1回路。第2路径包括第2去路和第2回路。

以下，将动作例1分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作进行说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C向载置部SPA1R、SPA2R、SPA1L、SPA2L搬送基板W。

[处理部17的动作(去路)]

由于与第1去路相关的动作和与第2去路相关的动作类似，因此，为了方便，对与第1去路相关的动作进行说明，省略与第2去路相关的动作的说明。

搬送机构TBR从载置部SPA1R/SPA2R向疏水化处理单元AHP1R/AHP2R搬送基板W。

此外，在停止从分度器部11向处理部17供给基板W时，在载置部SPA未载置基板W。在这样的情况下，搬送机构TBR从输入缓冲部Bf-in向疏水化处理单元AHP1R/AHP2R搬送基板W。在输入缓冲部Bf-in预先蓄积有基板W。

疏水化处理单元AHP1R/AHP2R对基板W进行疏水化处理。搬送机构TBR从疏水化处理单元AHP1R/AHP2R向冷却载置部PCPB1搬送基板W。冷却载置部PCPB1对基板W进行冷却。疏水化处理单元AHP1R/AHP2R以及冷却载置部PCPB1的一系列的处理相当于图36所示的步骤S11的热处理。

搬送机构TC1从冷却载置部PCPB1向液处理单元SC1搬送基板W。液处理单元SC1向基板W涂布反射防止膜材料(步骤S12)。搬送机构TC1从液处理单元SC1向载置部RPB1搬送基板W。

搬送机构TBR从载置部RPB1向加热单元HPaA1R、HPaA2R搬送基板W。加热单元HPaA1R、HPaA2R对基板W进行加热。搬送机构TA1从加热单元HPaA1R向加热单元HPbA1R搬送基板W。搬送机构TA2从加热单元HPaA2R向加热单元HPbA2R搬送基板W。加热单元HPbA1R、HPbA2R对基板W进行加热。例如，加热单元HPbA1R、HPbA2R进行加热的温度，比加热单元HPaA1R、HPaA2R高。采用这样的两阶段加热，能够迅速提高基板W的温度。搬送机构TBR从加热单元HPbA1R、HPbA2R向冷却载置部PCPB3搬送基板W。冷却载置部PCPB3对基板W进行冷却。加热单元HPaA1R、HPbA1R、HPaA2R、HPbA2R和冷却载置部PCPB3的一系列的处理，相当于图36所示的步骤S13的涂布后热处理。

搬送机构TC3从冷却载置部PCPB3向液处理单元SC3搬送基板W。液处理单元SC3向基板W涂布抗蚀剂膜材料(步骤S14)。

搬送机构TC3从液处理单元SC3向载置部SPD3搬送基板W。搬送机构TDR从载置部SPD3向加热单元HPaE1R、HPaE2R搬送基板W。加热单元HPaE1R、HPaE2R对基板W进行加热。搬送机构TDR从加热单元HPaE1R、HPaE2R向冷却载置部PCPD5搬送基板W。冷却载置部PCPD5对基板W进行冷却。加热单元HPaE1R、HPaE2R和冷却载置部PCPD5的一系列的处理，相当于图36所示的步骤S15的涂布后热处理。

搬送机构TC5从冷却载置部PCPD5向液处理单元SC5搬送基板W。液处理单元SC5向基板W涂布保护膜材料(步骤S16)。

搬送机构TC5从液处理单元SC5向载置部SPD5搬送基板W。搬送机构TDR从载置部SPD5向加热单元HPbE1R、HPbE2R搬送基板W。加热单元HPbE1R、HPbE2R对基板W进行加热。搬送机构TE1从加热单元HPbE1R向冷却单元CPE1R搬送基板W。搬送机构TE2从加热单元HPbE2R向冷却单元CPE2R搬送基板W。冷却单元CPE1R、CPE2R对基板W进行冷却。加热单元HPbE1R、HPbE2R和冷却单元CPE1R、CPE2R的一系列的处理，相当于图36所示的步骤S17的涂布后热处理。

搬送机构TE1从冷却单元CPE1R向边缘曝光单元EEW1R搬送基板W。搬送机构TE2从冷却单元CPE2R向边缘曝光单元EEW2R搬送基板W。边缘曝光单元EEW1R、EEW2R对基板W的周缘部进行曝光(步骤S18)。

搬送机构TFR从边缘曝光单元EEW1R、EEW2R向接口模块BF(载置部SPF1)搬送基板W。

<接口模块BF和曝光机EXP的动作>

搬送机构TFR从载置部SPF1向曝光前清洗单元BSR搬送基板W。曝光前清洗单元BSR对基板W进行清洗(步骤S19)。

搬送机构TFR从曝光前清洗单元BSR向冷却载置部PCPF搬送基板W。冷却载置部PCPF将基板W调整为规定的温度。

搬送机构BHU从冷却载置部PCPF向曝光机EXP搬送基板W。曝光机EXP对基板W进行浸液曝光处理(步骤S20)。

搬送机构BHU从曝光机EXP向载置部RPFB搬送基板W。搬送机构TFR从载置部RPFB向曝光后清洗处理单元SOR搬送基板W。曝光后清洗处理单元SOR对基板W进行清洗(步骤S21)。

搬送机构TFR从曝光后清洗处理单元SOR向曝光后加热处理单元PEBR搬送基板W。曝光后加热处理单元PEBR对基板W进行加热(步骤S22)。

搬送机构TFR从曝光后加热处理单元PEBR向载置部RPE1R、RPE2R搬送基板W。

<处理部17的动作(回路)>

由于与第1回路相关的动作和与第2回路相关的动作类似，所以为了方便，对与第1回路相关的动作进行说明，省略与第2回路相关的动作的说明。

搬送机构TDR从载置部RPE1R/RPE2R向冷却载置部PCPD7搬送基板W。冷却载置部PCPD7对基板W进行冷却(步骤S23)。

搬送机构TC7从冷却载置部PCPD7向液处理单元SC7搬送基板W。液处理单元SC7对基板W进行显影(步骤S24)。

搬送机构TC7从液处理单元SC7向载置部RPB7搬送基板W。搬送机构TBR从载置部RPB7向加热单元HPcA1R、HPcA2R搬送基板W。加热单元HPcA1R、HPcA2R对基板W进行加热。搬送机构TA1从加热单元HPcA1R向冷却单元CPB4搬送基板W。搬送机构TA2从加热单元HPcA2R向冷却单元CPB5搬送基板W。冷却单元CPB4、CPB5对基板W进行冷却。加热单元HPcA1R、HPcA2R和冷却单元CPB4、CPB5的一系列的处理，相当于图36所示的步骤S25的涂布后热处理。

搬送机构TBR从冷却单元CPB4、CPB5向载置部RPA1R、RPA2R搬送基板W。

<分度器部11从处理部17回收基板W的动作>

分度器用搬送机构13从载置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L向运送器C搬送基板W。

此外，当分度器部11从处理部17回收基板W的动作停止时，基板W保持载置在载置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L上的状态，无法将新的基板W载置在载置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L上。在这样的情况下，可以将从冷却单元CPB4/CPB5向输出缓冲部Bf-out搬送基板W。由此，在基板处理装置1内进行了一系列的处理的基板W被蓄积在输出缓冲部Bf-out。在此，基板处理装置1内的一系列的处理是上述步骤S11至S25的一系列的处理。为了向输出缓冲部Bf-out搬送基板W，可以使用搬送机构TBR、TBL。

<基板处理装置1的动作例2>

动作例2是后表面17b与分度器部11连接的情况下的动作例。图38是是表示动作例2中的基板W的搬送路径的图。在图38中，“*”标记表示与动作例1不同的路径(即，基板W通过的构件)。

如图38所示，在动作例2中，将一部分基板W沿着第3路径搬送，将其他基板W沿着与第3路径不同的第4路径搬送。第3路径包括第3去路和第3回路。第4路径包括第4去路和第4回路。

以下，将动作例2分为分度器部11、处理部17以及曝光机EXP的各动作进行说明。此外，适当省略与动作例1共通的动作的说明。

[分度器部11的动作(基板W的供给)]

分度器用搬送机构13从运送器C向载置部RPE1R、RPE2R、RPE1L、PRE2L搬送基板W。

[处理部17的动作(去路)]

与第3去路相关的动作和与第4去路相关的动作类似，因此，为了方便，对与第3去路相关的动作进行说明，省略与第4去路相关的动作的说明。

搬送机构TDR从载置部RPE1R/RPE2R向载置部RPD1搬送基板W。搬送机构TC1从载置部RPD1向载置部RPB1搬送基板W。搬送机构TBR从载置部RPB1向疏水化处理单元AHP1R/AHP2R搬送基板W。

疏水化处理单元AHP1R/AHP2R对基板W进行疏水化处理。搬送机构TBR从疏水化处理单元AHP1R/AHP2R向冷却载置部PCPB1搬送基板W。冷却载置部PCPB1对基板W进行冷却。疏水化处理单元AHP1R/AHP2R以及冷却载置部PCPB1的一系列的处理，相当于图36所示的步骤S11的热处理。

从步骤S11的热处理后至步骤S18的边缘曝光处理的动作，与动作例1相同。因而，省略步骤S11-S18的动作的说明。

在边缘曝光处理后，搬送机构TDR从边缘曝光单元EEW1R、EEW2R向载置部RPD5搬送基板W。搬送机构TC5从载置部RPD5向载置部RPB5搬送基板W。搬送机构TBR从载置部RPB5向载置部RPB3搬送基板W。搬送机构TA1从载置部RPB3向载置部SPF1搬送基板W。

<接口模块BF和曝光机EXP的动作>

与动作例1相同，接口模块BF和曝光机EXP进行步骤S19、S20、S21、S22的各处理。在步骤S22的曝光后加热处理后，搬送机构TFR从曝光后加热处理单元PEBR向载置部RPA1R、RPA2R搬送基板W。

<处理部17的动作(回路)>

由于与第3回路相关的动作和与第4回路相关的动作类似，所以为了方便，对与第3回路相关的动作进行说明，省略与第4回路相关的动作的说明。

搬送机构TBR从载置部RPA1R/RPA2R向冷却载置部PCPB7搬送基板W。冷却载置部PCPB7对基板W进行冷却(步骤S23)。

搬送机构TC7从冷却载置部PCPB7向液处理单元SC7搬送基板W。液处理单元SC7对基板W进行显影(步骤S24)。

步骤S24的显影处理后至步骤S25的显影后热处理的动作与动作例1相同。因而，省略步骤S24-S25的动作的说明。

显影后热处理后，搬送机构TBR从冷却单元CPB4向载置部RPB7搬送基板W。搬送机构TC7从载置部RPB7向载置部RPD7搬送基板W。搬送机构TDR从载置部RPD7向载置部RPE1R/RPE2R搬送基板W。

<分度器部11从处理部17回收基板W的动作>

分度器用搬送机构13从载置部RPE1R、RPE2R、RPE1L、RPE2L向运送器C搬送基板W。

<实施例2的效果>

如上所述，利用实施例2的基板处理装置1，也能具有与实施例1相同的效果。

进而，根据实施例2，前表面17f以及后表面17b都能够与接口模块BF连接。因而，能够提高处理部17和接口模块BF的配置的自由度。

前部中转模块BB能够降低加热单元HPa、HPb、HPc和疏水化处理单元AHP对液处理单元SC赋予的热的影响。因而，前部中转模块BB能够有效地保护液处理单元SC。后部中转模块BD能够降低加热单元HPaE、HPbE对液处理单元SC造成的影响。因而，后部热处理模块BE也能够更有效地保护液处理单元SC。

另外，根据实施例2的基板处理装置1，能够对基板W进行各种处理。例如能够将抗蚀剂膜、反射防止膜和保护膜形成在基板W上。

在实施例2中，搬送机构TA1、TA2在上下方向Z上排列。前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第1组与搬送机构TA1相对。换言之，搬送机构TA1配置在前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第1组的前方XF。因此，搬送机构TA1和搬送机构TBR能够相互搬送基板W。前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第2组与搬送机构TA2相对。换言之，搬送机构TA2配置在前部中转模块BB的构件SPB、RPB、PCPB、CPB的第2组的前方XF。因此，搬送机构TAL和搬送机构TBL相互能够良好地搬送基板W。

前部中转模块BB具有输入缓冲部Bf-in。因而，即使在停止从分度器部11向处理部17供给基板W的情况下，处理部17还能够对在输入缓冲部Bf-in蓄积的基板W进行处理。

前部中转模块BB具有输出缓冲部Bf-out。因而，即使在停止从处理部17向分度器部11输出基板W(换言之，分度器部11回收基板W)的情况下，处理部17还能在输出缓冲部Bf-out蓄积基板W。因而，能够抑制基板处理装置1的生成能力下降。

本发明并不限于上述实施方式，而能够如下变形实施。

(1)在上述的实施例2中，将由液处理模块BC进行了反射防止膜材料的涂布处理(步骤S12)的所有的基板W搬送到前部热处理模块BA，但并不限于此。例如，可以如实施例1的动作例3、4那样变更。具体地说，可以将由液处理模块BC进行了反射防止膜材料的涂布处理(步骤S12)的一部分基板W搬到到热处理模块BA、BE中的一方，将由液处理模块BC进行了反射防止膜材料的涂布处理(步骤S12)的其他基板W搬送到热处理模块BA、BE中的另一方。热处理模块BA、BE可以分别对进行了反射防止膜材料的涂布处理的基板进行涂布后热处理。

关于进行抗蚀剂膜材料的涂布处理(步骤S14)后的基板W的搬送，也可以同样变更。关于进行保护膜材料的涂布处理(步骤S16)后的基板W的搬送，也可以同样变更。关于进行显影处理(步骤S24)后的基板W的搬送，也可以同样变更。

或者，也可以变更为将疏水化处理单元AHP不仅设置在前部热处理模块BA，而且还设置在后部热处理模块BE，由前部热处理模块BA以及后部热处理模块BE并行进行疏水化处理。

(2)在上述的实施例1、2中，可以适当变更液处理模块BC的结构。例如，可以变更液处理模块BC具有的层K的数量。例如，可以变更液处理模块BC具有的搬送机构TC的数量。例如，可以变更液处理模块BC具有的液处理单元SC的数量。例如，可以变更液处理模块BC具有的液处理单元SC的处理内容。

图39A、39B、39C分别是示意性地表示变形实施例的液处理模块的结构的侧视图。

在图39A所示的变形实施例中，液处理模块BC具有8个层K1、K2、···、K8。在各层K1、K2、···、K8设置有液处理单元SC1、SC2、···、SC8。层K1、K2的液处理单元SC1、SC2是反射防止膜用涂布单元(BARC)。层K3、K4的液处理单元SC3、SC4是抗蚀剂膜用涂布单元(RESIST)。层K5-K8的液处理单元SC5-SC8是显影单元(DEV)。

在图39B所示的变形实施例中，层K1的液处理单元SC1是涂布反射防止膜材料以及抗蚀剂膜材料的涂布单元(RESIST/BARC)。例如，在层K1设置有多个液处理单元SC1，液处理单元SC1的一部分是反射防止膜用涂布单元(BARC)，其他液处理单元SC1是抗蚀剂膜用涂布单元(RESIST)。同样地，层K2-K4的液处理单元SC2-SC4分别是涂布反射防止膜材料以及抗蚀剂膜材料的涂布单元(RESIST/BARC)。层K5-K8的液处理单元SC5-SC8是显影单元(DEV)。

在图39C所示的变形实施例中，层K1-K8的液处理单元SC1-SC8分别是涂布反射防止膜材料以及抗蚀剂膜材料的涂布单元(RESIST/BARC)。例如，在层K1设置有多个液处理单元SC1，液处理单元SC1的一部分是反射防止膜用涂布单元(BARC)，其他液处理单元SC1是抗蚀剂膜用涂布单元(RESIST)。

(3)在上述的实施例1、2中，例示了载置部P、处理单元H、SC、搬送机构T的配置，但并不限于此。可以适当变更载置部P、处理单元H、SC、搬送机构T的配置。

(4)在上述的实施例1、2中，处理部17具有热处理模块BH、液处理单元SC和中转模块BT，但并不限于此。例如，也可以省略热处理模块BH、液处理模块BC、中转模块BT中的1个或2个。或者，处理部17可以具有除了这些模块BH、BC、BT以外的模块。

参照图40。图40是变形实施例的基板处理装置的俯视图。此外，在图40中，为了便于说明，示出处理部17的前表面17f与分度器部11连接，且处理部17的后表面17b与曝光机EXP连接的例子。此外，对与实施例相同的结构标注相同的附图标记，故省略详细的说明。

如图40所示，处理部17具有2个中转模块BT和1个液/热处理模块BCH。液/热处理模块BCH对基板W进行液处理以及热处理。中转模块BT和液/热处理模块BCH在前后方向X上排列成1列。中转模块BT和液/热处理模块BCH的排列ArF、ArB分别如下。

排列ArF：BT→BCH→BT

排列ArB：BT→BCH→BT

一个中转模块BT位于处理部17的前端部。一个中转模块BTH的前表面相当于处理部17的前表面17f，并与分度器部11连接。另一个中转模块BT位于处理部17的后端部。另一个中转模块BT的后表面相当于处理部17的后表面17b，与曝光机EXP连接。

液/热处理模块BCH具有液处理单元SC、热处理单元H和搬送机构TC。搬送机构TC相对于液处理单元SC和热处理单元H搬送基板W。

在分割搬送空间ACj的右方YR设置有液处理单元SC和热处理单元H。这些液处理单元SC和热处理单元H沿前后方向X排成1列。例如，热处理单元H、液处理单元SC和热处理单元H以该顺序在前后方向X上排列。液处理单元SC和热处理单元H分别与搬送机构TC相对。同样地，在分割搬送空间ACj的左方YL设置有液处理单元SC和热处理单元H。这些液处理单元SC和热处理单元H也沿前后方向X排列成1列。例如，热处理单元H、液处理单元SC和热处理单元H以该顺序在前后方向X上排列。液处理单元SC和热处理单元H分别与搬送机构TC相对。

即使采用本变形实施例，也能具有与上述实施例1、2同样的效果。另外，在本变形实施例中，由于1个模块BCH能够对基板W进行液处理以及热处理这双方，所以能够使处理部17小型化。另外，能够减轻基板W的搬送负担(例如搬送距离和搬送时间)。

(5)在上述的实施例1、2中，可以适当变更液处理单元SC使用的处理液。例如，处理液可以是清洗液和药液。另外，在上述的实施例1、2中，对基板W进行的一系列的处理的顺序可以适当变更。

(6)在上述的实施例1、2中，分度器部11是基板处理装置1的构件，但并不限于此。即，分度器部11可以是基板处理装置1的外部设备。另外，曝光机EXP是基板处理装置1的外部装置，但并不限于此。曝光机EXP可以是基板处理装置1的构件。

在上述的实施例2中，接口模块BF是基板处理装置1的构件，但并不限于此。即，接口模块BF可以是基板处理装置1的外部设备。

(7)在上述的实施例1、2中，例示了仅处理部17的前表面17f与分度器部11连接的例子(参照图2A、23A)和仅处理部17的后表面17b与分度器部11连接的例子(参照图2B、23B)，但并不限于此。例如，处理部17的前表面17f可以与第1分度器部连接，处理部17的后表面17b可以与第2分度器部连接。这样，处理部17与2个分度器部11连接。

(8)在上述的实施例1中，处理部17的前表面17f能够与分度器部11以及曝光机EXP连接，但并不限于此。例如，处理部17的前表面17f可以与分度器部11、曝光机EXP以及接口部连接。同样地，处理部17的后表面17b能够与分度器部11以及曝光机EXP连接，但并不限于此。例如，处理部17的后表面17b可以与分度器部11、曝光机EXP以及接口部连接。根据本变形实施例，能够进一步提高处理部17的配置的自由度。

在上述的实施例2中，处理部17的前表面17f能够与分度器部11以及接口模块BF连接，但并不限于此。例如，处理部17的前表面17f可以与分度器部11、接口模块BF以及曝光机EXP连接。同样地，处理部17的后表面17b能与分度器部11以及接口模块BF连接，但并不限于此。例如、处理部17的后表面17b可以与分度器部11、接口模块BF以及曝光机EXP连接。根据本变形实施例，能够进一步提高处理部17的配置的自由度。

(9)在上述的实施例1、2中，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视以及主视下左右对称配置，但并不限于此。处理单元、载置部P以及搬送机构T可以仅在俯视以及主视中的某一个下左右对称配置。

(10)在上述的实施例1、2中，处理单元、载置部P以及搬送机构T在俯视以及侧视下前后对称配置，但并不限于此。处理单元、载置部P以及搬送机构T可以仅在俯视以及侧视中的某一个下左右对称。

(11)上述的实施例以及各变形实施例的各结构可以适当组合变更。

对本发明进行了详细说明，但是上述的说明在所有方面都是例示，本发明并不限于此。在不脱离本发明的范围的情况下也能够想到未例示的无数的变形例。另外，在上述各实施方式以及各变形例说明的各结构只要不相互矛盾，就能够适当组合或省略。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置具有对基板进行处理的处理部，

所述处理部的前表面以及后表面都能够与向所述处理部供给基板的分度器部连接，

所述处理部的所述前表面以及所述后表面都能够与接口部以及曝光机中的至少一个连接，

在所述处理部的所述前表面与所述分度器部连接时，所述处理部的所述后表面与所述接口部以及所述曝光机中的某个连接，

在所述处理部的所述后表面与所述分度器部连接时，所述处理部的所述前表面与所述接口部以及所述曝光机中的某个连接，

所述处理部具有载置基板的多个载置部，

多个所述载置部包括相对于所述处理部的前方开放的前部载置部和相对于所述处理部的后方开放的后部载置部，

在主视下的所述前部载置部的位置与在后视下的所述后部载置部的位置相同。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述处理部的所述前表面与所述分度器部连接时所述处理部对基板进行的处理，与在所述处理部的所述后表面与所述分度器部连接时所述处理部对基板进行的处理相同。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部具有：

多个处理单元，对基板进行处理，

多个搬送机构，相对于所述处理单元以及所述载置部搬送基板；

所述处理部的所述前表面、所述处理单元、所述载置部和所述搬送机构的相对的位置关系，与所述处理部的所述后表面、所述处理单元、所述载置部和所述搬送机构的相对的位置关系相同。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述处理单元、多个所述载置部以及多个所述搬送机构分别在俯视下呈点对称配置，所述点对称的中心是俯视下的所述处理部的中心。

5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述处理部的前部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构，与在所述处理部的后部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构对称配置。

6.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述处理部的右部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构，与在所述处理部的左部中的所述处理单元、所述载置部以及所述搬送机构对称配置。

7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部具有多个模块，多个所述模块设置为在连接所述处理部的所述前表面和所述后表面的前后方向上排列成一列，

在所述处理部设置的多个模块中的从所述处理部的前表面起第i个配置的一个模块，具有与在所述处理部设置的多个模块中的从所述处理部的后表面起第i个配置的一个模块相同的功能，其中，i为1以上的整数。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述模块是对基板进行热处理的热处理模块、对基板进行液处理的液处理模块、以及在所述热处理模块和所述液处理模块之间对基板进行中转的中转模块中的某个，

从所述处理部的所述前表面朝向所述后表面的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列，与从所述处理部的所述后表面朝向所述前表面的液处理模块、热处理模块以及中转模块的排列相同。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

热处理模块、中转模块、液处理模块、中转模块、热处理模块从所述处理部的所述前表面朝向所述后表面依次排列。

10.一种基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置具有对基板进行处理的处理部，

所述处理部具有：

前部热处理模块，配置在所述处理部的前端部，对基板进行热处理，

后部热处理模块，配置在所述处理部的后端部，对基板进行热处理，

液处理模块，配置在所述前部热处理模块和所述后部热处理模块之间，对基板进行液处理；

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别能够与向所述处理部供给基板的分度器部连接，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别能够与接口部以及曝光机中的至少一个连接，

在所述前部热处理模块与所述分度器部连接时，所述后部热处理模块与所述接口部以及所述曝光机中的某个连接，

在所述后部热处理模块与所述分度器部连接时，所述前部热处理模块与所述接口部以及所述曝光机中的某个连接，

所述前部热处理模块具有载置基板的载置部，

所述后部热处理模块具有载置基板的载置部，

所述前部热处理模块的所述载置部相对于所述处理部的前方开放，

所述后部热处理模块的所述载置部相对于所述处理部的后方开放，

在主视下的所述前部热处理模块的所述载置部的位置与在后视下的所述后部热处理模块的所述载置部的位置相同。

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述液处理模块将进行了液处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了液处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行液处理后热处理。

12.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述液处理模块作为所述液处理进行向基板涂布涂膜材料的涂布处理，

所述液处理模块将进行了所述涂布处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了所述涂布处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行涂布后热处理。

13.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述液处理模块作为所述液处理进行向基板供给显影液的显影处理，

所述液处理模块将进行了所述显影处理的一部分基板向所述前部热处理模块输送，且将进行了所述显影处理的其他基板向所述后部热处理模块输送，

所述前部热处理模块以及所述后部热处理模块分别对基板进行显影后热处理。

14.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部具有：

前部中转模块，配置在所述前部热处理模块和所述液处理模块之间，对基板进行中转，

后部中转模块，配置在所述液处理模块和所述后部热处理模块之间，对基板进行中转；

所述前部热处理模块具有：

热处理单元，对基板进行热处理，

搬送机构，相对于所述前部热处理模块的所述热处理单元搬送基板；

所述前部中转模块具有：

载置部，载置基板，

搬送机构，相对于所述前部中转模块的所述载置部搬送基板；

所述液处理模块具有：

液处理单元，对基板进行液处理，

搬送机构，相对于所述液处理单元搬送基板；

所述后部中转模块具有：

载置部，载置基板，

搬送机构，相对于所述后部中转模块的所述载置部搬送基板；

所述后部热处理模块具有：

热处理单元，对基板进行热处理，

搬送机构，相对于所述后部热处理模块的所述热处理单元搬送基板。

15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

所述前部中转模块的多个所述载置部彼此在上下方向上排列，

所述前部中转模块的多个所述搬送机构配置在所述前部中转模块的所述载置部的侧方，

所述液处理模块的多个所述搬送机构彼此在上下方向上排列，

所述后部中转模块的多个所述载置部彼此在上下方向上排列，

所述后部中转模块的多个所述搬送机构配置在所述后部中转模块的所述载置部的侧方，

以所述液处理模块的所述搬送机构各自与所述前部中转模块中的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部中转模块的所述载置部，

以所述液处理模块的所述搬送机构各自与所述后部中转模块的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部中转模块的所述载置部。

16.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

所述前部热处理模块的多个所述搬送机构在上下方向以及横向中的某个方向上排列，

以所述前部热处理模块的所述搬送机构各自与所述前部中转模块中至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部中转模块的所述载置部，

所述后部热处理模块的多个所述搬送机构在与所述前部热处理模块的多个所述搬送机构相同的方向上排列，

以所述后部热处理模块的所述搬送机构各自与所述后部中转模块中的至少1以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部中转模块的所述载置部。

17.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

所述前部热处理模块具有的载置部为多个，

所述前部热处理模块的多个所述载置部在所述前部热处理模块的所述搬送机构的侧方彼此在上下方向上排列，

以所述前部中转模块的所述搬送机构各自与所述前部热处理模块的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述前部热处理模块的所述载置部，

所述后部热处理模块具有的载置部为多个，

所述后部热处理模块的多个所述载置部在所述后部热处理模块的所述搬送机构的侧方彼此在上下方向上排列，

以所述后部中转模块的所述搬送机构各自与所述后部热处理模块中的至少1个以上的所述载置部相对的方式，配置所述后部热处理模块的所述载置部。

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