JP4025739B2 - リソグラフィ投影アセンブリを操作する方法およびリソグラフィ投影装置 - Google Patents

Description

本発明は、ハンドラ室を備える基板ハンドラを備えるリソグラフィ投影アセンブリおよび投影室を備えるリソグラフィ投影装置に関し、投影室およびハンドラ室は、処理される基板をハンドラ室から投影室へ、処理した基板を投影室からハンドラ室へと交換するために連絡する。

リソグラフィ投影装置は通常、一般に
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターニング手段を支持する支持構造とを備え、パターニング手段は、所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する装置システムとを備える。

本明細書において使用する「パターニング手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン化断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきである。また、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス（以下を参照）であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターニング手段には以下が含まれる。すなわち、
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６に開示されており、詳細は、これら文献を参照されたい。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されており、詳細は、これら文献を参照されたい。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。

簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して説明することとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。

リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成する。そして、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）にこのパターンを描像することが出来る。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。マスクテーブル上のマスクによるパターン形成を用いる現在の装置は、異なる２つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、全体マスクパターンを目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパと称されている。走査ステップ式装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「走査」方向）にマスクパターンを投影ビームで徐々に走査し、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影装置は倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号から得ることが出来、詳細は、これら文献を参照されたい。

リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスにおいて、パターン（例えばマスクにおける）は少なくとも部分的に放射線感光材（レジスト）の層で覆われた基板上に描像される。この描像ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種のプロセスを経る。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および描像フィーチャの測定／検査といったような他の工程を通る。この一連プロセスは、例えばＩＣといったような素子の個々の層をパターン化するための基準として使用される。このようなパターン形成された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。数枚の層が必要とされる場合には、全体プロセス、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうしたプロセスに関するさらなる情報は、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４に記載されており、詳細は、これら文献を参照されたい。

簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。例えば、デュアルステージリソグラフィ装置について、米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号において記載がなされており、詳細は、これら文献を参照されたい。

典型的なリソグラフィ装置では、基板は基板トラックおよび基板ハンドラを介してリソグラフィ投影装置の基板テーブルへと移送される。基板トラック内で、基板の表面が前処理される。基板の前処理には通常、放射線感光性材料（レジスト）の層で基板を少なくとも部分的に覆うことを含む。さらに、描像ステップに先立ち、基板はプライミングおよびソフトベークといったような他の前処理手順を経る。基板の前処理後、基板は基板ホルダを介して基板トラックから基板ステージへと移送される。

基板ハンドラは通常、基板を基板テーブル上に精確に配置するような構成であり、基板の温度も制御することができる。

超紫外線（短ＥＵＶ線にある）を使用する装置など、特定のリソグラフィ投影装置の場合は、基板への投影を真空にて操作することが非常に重要である。したがって、基板ハンドラは、前処理した基板を真空中に移送するよう構成しなければならない。これは通常、少なくとも基板トラック内で基板を前処理した後、基板の取扱いおよび温度制御を真空中で実行しなければならないことを意味する。

１５７ｎｍの放射線を使用してＮ_２環境で操作する装置のように別のタイプのリソグラフィ投影装置の場合は、Ｎ_２環境のような特定の気体環境を維持することが非常に重要である。したがって、基板ハンドラは、前処理した基板を特定の気体環境中に移送するような構成でなければならない。これは通常、少なくとも基板トラック内で基板を前処理した後、基板の取扱いおよび温度制御を特定の気体環境で実行しなければならないことを意味する。

第一態様
基板トラックなどの第一環境と、一般的に基板ステージを含む投影室との間で基板を効果的に移送するため、制限された量の移送手段の使用を可能にするレイアウトを有するリソグラフィ投影装置を提供することが、本発明の目的である。

本目的並びに他の目的は、以下を備えるリソグラフィ投影装置において、本発明に従い達成される。ここで、リソグラフィ投影装置は、
− 第一環境と第二環境間で基板を移送する少なくとも２つのロードロックを備え、第二環境は第一環境より低い圧力を有し、さらに、
− 第二環境が優勢であるハンドラ室を備えた基板ハンドラと、
− 投影室を備えるリソグラフィ投影装置とを備え、
ハンドラ室と投影室は、一方では基板がハンドラ室から投影室へと入るためにロード位置を介して、他方では、基板を投影室からハンドラ室へと取り出すためにアンロード位置を介して連絡し、この態様では、ロード位置およびアンロード位置は、一つの同じ位置でも、異なる位置でもよく、
ハンドラ室には、
− 基板を前処理するためにプレアライメント手段および／あるいは熱処理手段などの前処理手段と、
−基板をロードロックから前処理手段へ、および前処理手段からロード位置へと移送し、さらに基板をアンロード位置からロードロックへと移送するような構成である搬送手段とを設ける。

ロードロックにより、基板が、例えば大気状態などにある第一環境から、第一環境より低い圧力を有する第二環境へと入ることができ、第二環境は、例えば真空、またはほぼ真空である。第二環境はハンドラ室内を占めている。ハンドラ室は、基板をロードロックから投影室へ、およびその逆へと移送する移送手段を備える。ハンドラ室は、後に投影室内で、基板を極めて正確に処理することができるよう、基板を正確に配置するプレアライメント手段などの前処理手段も備えるか、基板を所定の温度にしたり、基板全体の温度を均一にしたり、基板の温度を調整したりするために基板を熱処理する熱処理手段も備えるか、あるいはその両方を備える。プレアライメント手段は一般に、特定の基準点に対して基板の位置を決定および／あるいは補正する手段を含む。少なくとも２つのロードロックを設けることにより、投影装置で処理すべき基板、さらに投影装置で処理される基板のスループットが増加し、これによって必然的にロボット数など、移送手段数が増加するか、移送手段の取扱い速度が上がる。

実施形態によると、投影室は真空室で、リソグラフィ投影装置は、真空室内に真空を確立するか、それを維持する真空手段を備える。このようなリソグラフィ投影アセンブリは特に、ＥＵＶ放射線を使用するような構成であり、このため、真空中で基板を処理する必要がある。真空とは、０．１バール未満の絶対圧力と理解される。

実施形態によると、移送手段はグリッパを設けた１つの、特に１つだけのマニピュレータを備え、リソグラフィ投影アセンブリは、
− ロードロックの１つから基板を取り上げて、上記の基板を前処理手段へと移送し、
− 前処理手段から基板を取り上げて、上記の基板をロード位置へと移送し、
− アンロード位置から基板を取り上げて、上記の基板をロードロックの１つへと移送するため、
マニピュレータを制御するような構成である制御手段を備える。この実施形態により、最小数のマニピュレータを使用することが可能になり、このため空間と費用が節約される。

さらなる実施形態によると、リソグラフィ投影アセンブリは、移送手段が、第一グリッパを設けた第一マニピュレータ、および第二グリッパを設けた第二マニピュレータを備え、リソグラフィ投影アセンブリが、
− 第一グリッパでロードロックの１つから基板を取り上げて、上記基板を前処理手段へと移送し、
− 第二グリッパで前処理手段から基板を取り上げて、上記基板をロード位置へと移送し、
− 第一グリッパでアンロード位置から基板を取り上げて、上記基板をロードロックのうち１つへと移送するため、
第一および第二マニピュレータを制御するような構成である制御手段を備えることを特徴とする。

第一および第二マニピュレータおよびそれに応じて構成された制御手段を設けることにより、第二グリッパのみが処理すべき基板を投影室に移送するようにしている。

これは、前処理手段で前処理した後、基板は非常に正確な作業する第二グリッパによって扱われる一方、第一グリッパは、それより低い正確さで作業してもよく、これにより第一グリッパおよびマニピュレータに対する要求が低くなる。任意選択で、前処理手段は、基板の位置決め正確さを改善するため、基板を予め位置合わせする事前位置合わせ手段を備えることができる。第一グリッパのみが、処理済み基板をロードロックへと、さらに処理すべき基板をロードロックから移送する。したがって、基板をロードロックへ、およびロードロックから移送するために１つのマニピュレータを使用することにより、基板の往来が激しいゾーンで空間を節約した構成が達成される。さらに、基板を投影室内へと送出するために第二マニピュレータを使用し、基板を投影室から取り出すために第一マニピュレータを使用することにより、投影室とハンドラ室間の基板の交換速度が上昇する。

スループットを増加させるため、本発明の実施形態によると、第一および／あるいは第二グリッパに、基板を所定の温度にしたり、基板全体で温度を均一化したり、基板の温度を調整したりするために、熱処理手段を設けると有利である。これにより、基板の移送に使用する時間が、同時に基板の熱処理にも使用される。基板温度の調整は、上記基板温度の動揺を最小限に抑える。

必要とされるマニピュレータの数を最少にするため、本発明の実施形態によると、少なくとも２つのロードロックが第一および第二ロードロックを備え、上記第一および上記第二ロードロックと協働するため、１つのマニピュレータまたは第一マニピュレータを配置すると有利である。したがって、基板ハンドラの側から、両方のロードロックを１つの同じマニピュレータで対応する。さらに、この構成は基板のスループットを増加させる。ロードロックに対応するマニピュレータは、基板を第一ロードロック内に配置するか、基板を第一ロードロックから取り出すために使用されている間に、基板を第一環境と第二環境との間で移送するため、第二ロードロックを同時に使用することができる。

さらなる実施形態によると、第一および／あるいは第二ロードロックなどの少なくとも１つのロードロックに、第一および第二基板支持位置を設ける。これにより、少なくとも１つのロードロックを使用する際の融通性が高まる。例えば、ロードロックが、処理すべき基板を基板ハンドラに提示する場合、マニピュレータは最初に処理済み基板をロードロックの自由支持位置に送出し、次に提示された処理すべき基板を取り出すことができる。これは、マニピュレータの実行すべき動作の数を減少させる。

さらなる実施形態によると、基板を第一および第二ロードロックに供給し、そこから取り出すため、第一および第二ロードロックは基板トラックに接続される。

さらなる実施形態によると、リソグラフィ投影アセンブリはさらに、基板のようなオブジェクトを第三環境から第二環境へと移送する第三ロードロックを備え、第三ロードロックは、第三環境に面する側で自由にアクセス可能である。このような自由にアクセスできる第三ロードロックにより、一方でリソグラフィ投影アセンブリに、何らかの理由でリソグラフィ投影アセンブリに導入する必要がある交換用部品、ツールなどの特殊なオブジェクトを導入することができる。第三ロードロックを介してこれを実行することにより、ハンドラ室および／あるいは投影室内の真空またはほぼ真空状態を維持することができる。第三ロードロックを一時的なバッファまたは保存場所として使用できるようにするため、本発明の実施形態によると、制御手段が、基板を上記搬送手段で第三ロードロック内に配置し、上記配置された基板が第三ロードロック内にある間、第三ロードロックの外部ドアを閉鎖状態に維持し、他の基板を同じ搬送手段で移送した後、上記配置された基板を同じ搬送手段グリッパで取り上げるよう構成すると有利である。

本発明の実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリの融通性を上げるため、制御手段が、ロードロックを相互に対して独立して制御するような構成であると有利である。つまり、制御手段がロードロックに特定の位相差を与えない限り、ロードロックは相互に対して同位相で結合されない。実際、ロードロックはイベント作用によって駆動することができ、イベント作用は制御手段によって制御される。

本発明のさらなる実施形態によると、少なくとも２つのロードロックのうち１つまたは複数が、基板などのオブジェクトを第四環境から第二環境へと移送するために、追加のドアを備え、追加のドアは第四環境に面して、自由にアクセス可能である。このような自由にアクセスできる追加のドアにより、何らかの理由でリソグラフィ投影アセンブリに導入する必要がある交換用部品、ツールなどの特殊なオブジェクトを、リソグラフィ投影アセンブリに導入することができる。追加のドアを介してこれを実行することにより、ロードロックの第一環境側でステーションがロードロックから分離されていない状態にある間に、ハンドラ室および／あるいは投影室内の真空またはほぼ真空状態を維持することができる。ここでハードウェアの大部分を取り外さずにオペレータがアクセスできる自由アクセス可能手段、ロードロックまたはその追加のドアを、したがって任意選択でカバーにより密封することができる。

さらなる実施形態によると、前処理手段は、基板を所定の温度にしたり、基板全体の温度を均一化したりするために、熱処理手段を備える。熱処理手段を伴う前処理手段を設けることにより、ロードロック内で熱処理せずに済ますか、ロードロック内で穏やかな熱処理のみを可能にすることができる。これにより、ロードロックのスループットを増加させることができ、このスループットは、リソグラフィ投影アセンブリの全体的スループットを全体として決定する要素の一つである。さらなる利点として、前処理手段がプレアライメント手段も備える場合、事前位置合わせ作業は比較的長い時間がかかることがあるので、熱処理とプレアライメント手段を組み合わせると、熱処理と事前位置合わせが効果的に同時に行なえる。

さらなる実施形態によると、基板は半導体ウェハである。

本発明のこの態様の下位態様によると、本発明は、基板を取扱うために、本発明によるアセンブリを備えるが、投影装置がない取扱い装置にも関する。このような取扱い装置は、基板ハンドラアセンブリと呼ばれ、
− 基板を第一環境から第二環境へと移送する少なくとも２つのロードロックを備え、第二環境は第一環境より低い圧力を有し、さらに、
− 第二環境が占めるハンドラ室を備えた第二ハンドラを備え、
ハンドラ室は、一方で、基板をハンドラ室から次のステーションに入れるためにロード位置を介して、他方では、基板を次のステーションからハンドラ室へと移動するためにアンロード位置を介して連絡し、
ハンドラ室には、
− 基板を処理する前処理手段と、
− 基板をロードロックから前処理手段へ、および前処理手段からロード位置へと移送し、さらに基板をアンロード位置からロードロックへと移送する搬送手段とを設けるものとして、さらに明確に定義することができる。

本発明によるリソグラフィ投影アセンブリとしての取扱い装置および基板ハンドラアセンブリの場合、さらにトラックを備え、この中で少なくとも２つのロードロックがトラックと基板ハンドラの間に配置されると有利である。

本発明の本態様の下位態様によると、基板を扱う方法も提供され、方法は、
ａ）基板を第一環境から、少なくとも２つのロードロック内へと上記ロードロックの外部ドアを通して移送するステップと、
ｂ）上記外部ドアを閉鎖して、前記１つのロードロックを排気するステップと、
ｃ）上記ロードロックの内部ドアを開放するステップと、
ｄ）第一マニピュレータで基板を上記ロードロックから取り上げ、上記第一マニピュレータで基板を前処理手段へと移送するステップと、
ｅ）前処理手段で基板を処理するステップと、
ｆ）前記第一マニピュレータまたは第二マニピュレータで基板を前処理手段から取り上げるステップと、
ｇ）前記第一または第二マニピュレータで前処理手段から取り上げた基板をロード位置へと移送するステップと、
ｈ）基板を処理し、基板をアンロード位置へと送出するステップと、
ｉ）上記第一マニピュレータで基板をアンロード位置から取り上げ、内部ドアを通して基板を上記ロードロックへ、または内部ドアを通して別のロードロックへと移送するステップと、
ｊ）個々の内部ドアを閉鎖して、個々のロードロックを換気するステップと、
ｋ）上記個々のロードロックを解放して、基板を上記個々のロードロックから取り出すステップとを含む。

この方法は、最少のマニピュレータで時間的に効率よく実行することができる。さらなる利点は、開示の以上の部分から明白になる。

投影室内で処理すべき基板を特定の温度にするため、ステップｃ）の前、ステップｂ）の排気ステップ中および／あるいはその後に基板を熱処理すると有利である。これにより、排気に必要な時間の間に、基板の所要の熱処理の少なくとも一部を行うことができる。

さらなる実施形態によると、基板は、基板が前処理手段にある時に熱処理することができる。これにより、比較的長くなる事前位置合わせに必要な時間を、基板の必要な熱処理の一部また全部を行うために使用できるので有利である。

第一環境と第二環境との交換速度を上げるため、本発明の実施形態によると、ステップｄ）を１つのロードロックに関して実行している間に、ステップａ）および／あるいはステップｂ）および／あるいはステップｃ）および／あるいはステップｊ）および／あるいはステップｋ）を同時に別のロードロックで実行すると有利である。

さらなる実施形態によると、基板は半導体ウェハである。

本態様のさらなる下位態様によると、本発明は、本発明のこの第一態様によるリソグラフィ投影アセンブリを操作する方法で、始動モード、正常動作モードおよび実行エンプティモードを含む方法を提供し、少なくとも２つのロードロックがそれぞれ、個々のロードロック内の圧力が低下するポンプ停止サイクルと、個々のロードロック内の圧力が上昇する換気サイクルとを有し、
始動モードでは、上記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で換気サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で、ポンプ停止サイクルを実行し、
正常動作モードでは、上記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロック内に基板がある状態で、ポンプ停止サイクルおよび換気サイクルを実行し、
実行エンプティモードでは、上記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で、ポンプ停止サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で換気サイクルを実行する。

この方法は、例えば数日間連続的に本発明によりリソグラフィ投影アセンブリを比較的大きいスループットで操作するため、少なくとも２つのロードロック、または少なくとも１つのロードロック（この点に関しては数段落下の所見を参照）、および搬送手段を時間的に効率よく使用する。例えばリソグラフィ投影装置内で、または処理すべき基板をロードロックへと供給する際に、例えば基板の淀みが発生した場合、制御手段が正常動作モードから実行エンプティモードへと切り替わる。状況に応じて、この実行エンプティモードは、比較的長い時間、または１ロードロックの１換気サイクルのみなど、非常に短い時間だけ動作することができる。淀みが解決されたら、制御手段は、状況に応じて、正常運転モードまたは始動モードへと直接切り替わることができ、その後に正常運転モードに切り替わる可能性が高いが、状況に応じては切り替わって実行エンプティモードへと戻ることも可能である。したがって、始動モードおよび実行エンプティモードは、基板の生産開始時または基板の生産終了時には発生しないが、生産中にも発生しない。したがって、好ましい実施形態によると、始動モード、正常運転モードおよび実行エンプティモードのうち１つまたは複数を、リソグラフィ投影アセンブリ内で基板を処理中に発生する事象に応じて、任意の順番で繰り返す。

ロードロックが１つしかなく、このロードロックに第一および第二基板支持位置を設けると、本発明のこの方法により、高い効率が獲得される。言うまでもなく、これは、複数のロードロックにも当てはまり、その全てまたは一部にのみ第一と第２の基板支持位置を設けると有利である。しかし、２つ以上のロードロックがある場合、全てのロードロックまたはロードロックの幾つかが１つしか基板支持位置を有さなくても効率は高くなる。

本発明のこの第一態様によるリソグラフィ投影アセンブリは、１つのロードロックのみでも動作することができる。つまり請求の範囲で「少なくとも２つのロードロック」という句を「少なくとも１つのロードロック」と置き換えることができる。「少なくとも２つのロードロック」の利点の一部は、この置き換えによって失われるが、他の利点の多くは「１つのロードロック」の場合にも当てはまる。

さらに、本発明のこの第一態様によると、１つのマニピュレータおよび／あるいは第一マニピュレータおよび／あるいは第二マニピュレータといったマニピュレータには、グリッパを１つのみ（これが好ましい）、さらに２つ以上のグリッパを設けることができる。

第二態様
この態様は、リソグラフィ投影アセンブリのロードロックに関する。「ロードロック」とは、基板などのオブジェクトを第一環境から第二環境へと移送する装置で、環境の一方は他方の環境より低い圧力を有する。

先行技術によると、ロードロックに１つの支持位置を設ける。この支持位置は、第二環境へと移送するために第一環境から来るオブジェクトを移送し、さらに第一環境へと移送するために第二環境から来るオブジェクトを移送するために使用される。

オブジェクトを第一環境から第二環境へと移送する間、ロードロックの内部は排気される。排気は、特定の量の時間がかかる。第二環境から第二環境へと移送されるオブジェクトの数を増加させるため、排気プロセスの速度を上昇させることが可能である。しかし、先行技術によるロードロックの排気には、なお最少の時間が必要である。

本発明の本態様の目的は、リソグラフィ投影アセンブリのスループットを改善することであり、リソグラフィ投影アセンブリの構成要素を収容するために必要な空間は比較的小さい。

本目的並びに他の目的は、以下を備えるリソグラフィ投影アセンブリを提供することにより、本発明のこの態様に従い達成される。ここで、リソグラフィ投影アセンブリは、
− 第一環境と第二環境間で基板などのオブジェクトを移送する少なくとも１つのロードロックを備え、第二環境は第一環境より低い圧力を有し、さらに、
− 第二環境が占めるハンドラ室を備えたオブジェクトハンドラと、
− 投影室を備えるリソグラフィ投影装置とを備え、
ハンドラ室と投影室は、オブジェクトを交換するために連絡し、ロードロックは、
− ロードロック室と、
− ロードロック室を排気する排気手段と、
排気中にはロードロック室を閉鎖し、オブジェクトをロードロック室に入れるか、オブジェクトを取り出すためには、ロードロック室を開放するドア手段とを備え、ロードロック室には、少なくとも２つのオブジェクト支持位置を設ける。

ロードロック内に第一および第二支持位置など、少なくとも２つのオブジェクト支持位置が存在することの利点は、ロードロックサイクル中に、第一オブジェクトを１つのオブジェクト支持位置に配置し、第二オブジェクトを別のオブジェクト支持位置から取り出すことができることである。例えば、ロードロック室の内部を第二環境と接続するためにロードロックを開放した場合、最初に処理済み基板をオブジェクト支持位置に配置し、その後に既に別のオブジェクト支持位置に配置された処理すべきオブジェクトを取り出すことが可能である。その後、閉鎖して、ロードロック室を第一環境に向かって換気した後、その内部を第一環境と接続して、処理済みオブジェクトを取り出して、新たに処理すべきオブジェクトを挿入することができる。次に、ロードロックを排気して、以前の手順の繰り返しなどを実行することができる。この手順により、第一環境と第二環境間で基板などのオブジェクトを時間的に効率よく移送することができる。さらに、第一環境と第二環境との間で移送すべき基板などのオブジェクトを把持し、操作するため、マニピュレータなど、例えばロボットアームのような機器を動作させるために必要な時間を、最短に維持することができる。

ロードロックの内部を排気する場合、圧力差がロードロック室内の温度に影響を及ぼす。しかし、ロードロック室内にある基板などのオブジェクトの温度にも影響が出る。リソグラフィ投影アセンブリで処理されるオブジェクトに関して、オブジェクトの温度は、制御下にする必要がある要素の一つである。これは特に、基板がリソグラフィ投影装置自体の中にある場合に当てはまるが、リソグラフィ投影装置への移送プロセスでも基板の温度に注意しなければならない、という意味でもある。

ロードロックを通してオブジェクトを移送中にその温度制御を改善するため、本発明の実施形態によると、オブジェクト支持位置のうち少なくとも１つに配置されたオブジェクトの表面に近接する気体の体積を減少させるため、ロードロックは体積減少手段を備える。この措置により、オブジェクトの表面に近接する気体の体積は最小になる。つまり、オブジェクトの移送中に圧力差によって生じる温度差が、最小限に維持される。

本発明の本態様の実施形態によると、少なくとも１つのオブジェクト支持位置は、支持されるオブジェクトとほぼ等しい、またはそれより大きいサイズの支持プレートを備え、上記少なくとも１つのオブジェクト支持位置の上に天井プレートを設け、天井プレートは、オブジェクトとほぼ等しい、またはそれより大きいサイズを有し、体積減少手段は、
− ロードロック室の排気前および／あるいは排気中に、少なくとも１つのオブジェクト支持位置の支持プレートと天井プレート間の距離を減少させ、
− オブジェクトを少なくとも１つのオブジェクト支持位置から取り出すか、そこへ送出する為に、支持プレートと天井プレート間の距離を増加させるため、
リフト手段を備える。
支持されるオブジェクトとほぼ等しい、またはそれより大きいサイズの支持プレートとは、基板の場合、基板の支持される側が、基板に近接する気体体積と接触しない、または支持プレートが先行技術で知られているような凸凹のプレートである場合、支持される側は、基板の支持される側と支持プレートと支持プレートの凸凹との間に存在する気体体積との接触が制限されることを意味する。天井プレートは、ロードロック室に配置された別個のプレート要素、さらにロードロック室の壁またはロードロック室に存在する任意の要素の平坦な表面でよく、これも基板の上面に近接する気体の体積を最小にできるため、基板とほぼ等しい、またはこれより大きいサイズを有する必要がある。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、手段の位置は、支持プレートに作用するようになっており、対応する天井プレートは、ロードロック室内に静止した状態で配置することが好ましい。この配置は、基板をグリッパから基板指示位置へ、または逆に基板を基板支持位置からグリッパへと取扱うために必要な時間を短縮する上で利点を提供する。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、位置決め手段を、ロードロック室の側部および／あるいはロードロック室の上部および／あるいはロードロック室の底部に設ける。この配置によって、前側、さらに後側からロードロック室に自由に入ることができる。

ロードロック室を通して移送する間にオブジェクトに作用する温度の影響を補償したり、初期段階にあるオブジェクトを温度処理にかけたりするために、本発明の実施形態によると、ロードロック、好ましくはロードロックの少なくとも２つのうち１つ以上が、オブジェクトを所定の温度にしたり、オブジェクト全体の温度を均一化したりするために、熱処理手段を備える。

これに関して、本発明の実施形態により、少なくとも２つの支持位置のうち１つ１つ以上の支持プレートに、熱処理手段を設ける。このような熱処理手段は、個々の支持プレートの内部に設けた管または通路などのラインの形態でよく、このラインを通して、支持プレートの、および支持プレートを介してオブジェクトの温度を制御するため、流体を給送する。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、上記少なくとも２つの支持位置のうち２つを、上下に配置する。この状況で、熱処理手段を上記２つの支持位置の間に配置すると有利である。熱処理では、手段は、例えば以上で説明したように流体を給送する内部ラインを有するプレートでよい。この構成の利点は、上記熱処理手段の上にある支持位置、さらに上記熱処理手段の下にある支持位置を熱処理するために使用できる熱処理手段を設けることにより、空間、さらには構成要素が節約されることである。リソグラフィ投影装置内で処理されるオブジェクト、さらに上記リソグラフィ投影装置内で処理されたオブジェクトを移送するために、１つの同じロードロックを使用する場合、熱処理は、一般的にこれから処理されるオブジェクトにとって特に重要であり、既に処理したオブジェクトにとってはそれほど重要でないが、後処理の手順に応じてはなお多少重要であることに留意することが重要である。つまり、これは少なくとも、支持位置の一方がこれから処理されるオブジェクトに使用され、他方の支持位置が既に処理されたオブジェクトに使用されると仮定すると２つの支持位置の間に配置された熱処理手段は、両方の支持位置に対して同等に効果的である必要はない。

既に示したように、本発明の実施形態によると、熱処理手段は、管または通路などのライン、および前記ラインを通って流体を給送する流体給送システムを備え、ラインは、支持プレート内か、ロードロック室の１つまたは複数の壁に、あるいはその両方に設けると有利である。

本発明の本態様のさらなる好ましい実施形態によると、ロードロック室は上壁および底壁を備え、排気手段は、ロードロック室の底壁に設けた排気開口を備え、ロードロックは、ロードロック室の上壁に設けた換気開口を備える。底部から排気し、上壁から換気することにより、装置内の気体の流れは上部かて底部へとなる。つまり、粒子が存在する場合、これは気体によってロードロック室の上部から底部へと異動する。粒子は、ロードロック室の底部に堆積するか、ロードロック室から除去される。この点で、換気開口および排気開口は、支持位置に対して中心に配置し、支持位置は上下に配置することが好ましい。これにより、排気および／あるいは換気中にロードロック室の内部で生成される気体の流れを、ロードロック室に配置された基板に載るか、それに付着した粒子を除去するために使用することが可能になる。上壁および／あるいは底壁は、固定することができるが、固定する必要はなく、上壁および／あるいは底壁は保守のために取り外し可能であると有利である。

本態様のさらなる実施形態によると、投影室は真空室で、リソグラフィ投影装置は、真空室内で真空を確立するか、それを維持するための真空手段を備える。真空とは、約０．１バール以下の絶対圧力を意味する。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、投影装置は、
− 放射線の投影ビームを提供する放射線システムと、
− パターニング手段を支持する支持構造とを備え、パターニング手段は、所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを備える。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、オブジェクトは半導体ウェハである。

本発明の本態様のさらなる実施形態によると、ドア手段は、第一環境に向かう第一ドアと、第二環境に向かう第二ドアとを備える。それぞれ一方の環境に向かう２つのドアを有することで、ロードロック室自体を操作する必要がなくなる。ロードロック室は固定した位置で装着することができる。これはロードロックの入力速度を上げる。

本発明の実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリのスループットを上げるため、リソグラフィ投影アセンブリは２つ以上の上記ロードロックを備えると有利である。ロードロックのスループットを制限する要素は、換気および排気に必要な時間である。２つ以上のロードロックを有することにより、ある期間内に第二環境に提示できるオブジェクトが多くなる。例えば他方のロードロックが、後に第二環境へと移送すべきオブジェクトを既に含む間、一方のロードロックを第二環境に向かって開放することができる。

本発明の本態様によると、本発明は、上述したようなロードロックにも関する。言い換えると、本発明はこのように、基板などのオブジェクトを第一環境と第二環境間で移送するロードロックにも関し、第二環境は第一環境より低い圧力を有し、ロードロックは、
− ロードロック室と、
− ロードロック室を排気する排気手段と、
− 排気中にロードロック室を閉鎖し、オブジェクトをロードロック室に入れるか、オブジェクトをそこから取り出すために、ロードロック室を開放するドア手段とを備え、
ロードロック室に少なくとも２つのオブジェクト支持位置を設ける。リソグラフィ投影アセンブリを指向する従属請求項は、このロードロックの請求項に従属する請求項と見なすことができ、ロードロックの好ましい実施形態を形成する。

本発明の本態様によると、本発明は、本発明によるロードロックオンアセンブリ、およびウェハトラックシステムにも関し、第一環境に面するドア手段はウェハトラックシステム側に出る。

本態様によると、本発明は基板などのオブジェクトを第一環境と第二環境間で移送する方法にも関し、方法はロードロック、好ましくは上述したようなロードロックを使用し、ロードロックはロードロック室を有し、方法は、
− 第一オブジェクトをロードロック内の第一オブジェクト支持位置に配置することと、
− オブジェクトを封入するためにロードロックを閉鎖することと、
− 排気手段によってロードロックを排気することと、
− ロードロックを第二環境に接続するため、ロードロックを開放することと、
− 第二オブジェクトをロードロック内の第二オブジェクト支持位置に配置し、第一オブジェクトを第一オブジェクト支持位置から取り出すこととを含む。この方法の利点は、リソグラフィ投影アセンブリに関する以上の説明から明白になる。

本発明の本態様の方法の実施形態によると、方法がその後、
−第二オブジェクトを封入するため、ロードロックを閉鎖することと、
− ロードロックを換気することと、
− ロードロックを第一環境と接続するため、ロードロックを開放することと、
− 第二オブジェクトをロードロックから取り出すこととを含むと有利である。

本発明の実施形態による方法のスループットは、第一オブジェクトを取り出す前に第二オブジェクトの配置を実行し、上記配置および取り出しを同じグリッパで実行すると、向上させることができる。

以上で説明した理由で、本発明の実施形態による方法は、ロードロックを排気する前に、第一オブジェクト支持位置に配置した第一オブジェクトに近接する気体の体積を減少させることを含むと有利である。

一般的注
本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当業者にとって明らかである。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

以下で明白になるように、本発明は幾つかの態様を備える。各態様は、本発明の他の態様から分離されるが、１つまたは複数の態様、または態様の部分は、本発明によると相互に組み合わせることができるので有利である。

本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。全図を通して同様部品は、同様の参照番号で示すものとする。

図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置（ＬＰ）を示したものである。この図は、リソグラフィ投影装置の様々な部品を示すよう意図されている。この装置は、
− この特別なケースでは放射線源ＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＥＵＶ放射線）を供給する放射線システムＥｘ、ＩＬと、
− マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段ＰＭに連結を行った第一オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段ＰＷに連結を行った第二オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
− マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば反射性ミラーシステム）とにより構成されている。

ここで示しているように、本装置は反射タイプ（すなわち反射マスクを有する）である。しかし、一般的には、例えば（透過マスクを有する）透過タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。

ソースＬＡ（例えばプラズマソース）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダＥｘといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭから成る。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。

図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ装置のハウジング内にある（これは例えばソースＬＡが水銀ランプである場合に多い）が、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（例えば適した誘導ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザである場合が多い。本発明および請求の範囲はこれら両方のシナリオを網羅するものである。

続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡを通過して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段ＰＷ（および干渉計測手段ＩＦ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段ＰＭは、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴおよびオブジェクトテーブルＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（走査ステップ式装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置を合わせることができる。

ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．スキャンモードにおいては、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。

図２は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの別個モジュールのレイアウトを概略的に示す。本図は、本開示に使用するモジュールを示すよう意図されている。

レイアウトは、
− 基板を第一環境と第二環境間で移送する２つのロードロックＬＬを備え、第二環境は、モジュールＨＣおよびＬＰ内でを占めており、第一環境より低い圧力を有し、さらに、
− 基板を前処理するためにプレアライメント手段および／あるいは熱処理手段などの前処理手段と、基板をロードロックＬＬから前処理手段へ、さらに前処理手段からリソグラフィ投影装置ＬＰのロード位置へ、および逆方向でリソグラフィ投影装置ＬＰのアンロード位置からロードロックＬＬへと移送する搬送手段とを設けたハンドラ室ＨＣと、
− 上記でさらに詳細に説明したリソグラフィ投影装置ＬＰとを備える。

ロードロックは、ハンドラ室とともに、一般的に基板ハンドラＳＨで、またはウェハが処理中の場合はウェハハンドラで示される。

リソグラフィ投影装置は投影室を備え、これは特に基板テーブルＷＴと、通常は図１に開示の第二位置決め手段ＰＷおよび投影室を排気する排気手段を備える。ロードロックおよびハンドラ室の機能については、以下でさらに詳細に説明する。

図３および図４は、それぞれ本発明の第一および第二実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリを示す。両方の図で、以下のモジュールが認識される。つまり、
− ２つのロードロックと、
− ２つのロードロックＬＬとの組合せて基板ハンドラＳＨまたはウェハハンドラとして示されるハンドラ室ＨＣと、
− 投影室を備えるリソグラフィ投影装置ＬＰである。

後者のモジュールＬＰでは、構成は詳細に図示されていないが、図１および図２から例示によって理解することができる。

ロードロックＬＬに近接してハンドラ室ＨＣとは反対側に基板トラックＳＴ（図２参照）などの別のモジュールがあり、これは、基板をロードロックＬＬに供給し、そこから取り出すために装備される。

各ロードロックＬＬ内にドア１０、１１があり、このドアは、基板が第一環境とロードロックＬＬ間で移送できるようにするためのものである。その反対側で、各ロードロックには、基板をロードロックＬＬとハンドラ室ＨＣ間で移送できるようにするため、ドア１２、１３を設ける。第二環境は、投影プロセス中、ハンドラ室ＨＣおよびリソグラフィ投影装置ＬＰを占めている。各ドア１０、１１、１２、１３は、気密状態で個々のロードロックの内部を閉鎖するため装備される。

各ロードロックは、基板またはウェハを支持するために基盤支持位置１４ａ、１５ａを有する。図４には、第二基板支持位置１４ｂ、１５ｂが図示されていない。第一および第二基板支持位置が図５および図６に図示され、したがって以下で説明する。

第二環境は、第一環境より低い圧力を有する。リソグラフィ投影装置ＬＰが例えば超紫外線（ＥＵＶ）放射線を使用する場合、第二環境は真空環境になる。このケースの投影室は真空室である。真空雰囲気を確立するため、両方の実施形態のリソグラフィ投影アセンブリに真空手段を設けて、真空（図示せず）を確立するか、維持することができる。

あるいは、第二環境は、窒素環境などの特殊気体環境でもよい。

制御されていない猛烈な空気流で重要な部品に損傷を与えることなく、第一環境とこれより圧力が低い第二環境との間で基板を移送するために、一度にロードロックＬＬの１つのドアのみを開放する。基板支持位置１４ａ、１５ａから第一環境へと移送したら、ロードロックＬＬは、個々のドア１０、１１が開放する前に最初に換気されるが、基板支持位置１４ｂ、１５ｂから第二環境へと移送したら、ロードロックは、個々のドア１２、１３が開放する前に最初に必要な真空レベルまでポンプを使用する。

ハンドラ室ＨＣ内には前処理位置１６があり、ここにプレアライメント手段および熱処理手段が配置される（図示せず）。前処理位置１６での事前位置合わせは、基板をウェハテーブルＷＴ上で位置決めする際に必要なレベルの正確さに到達するために重要である。次の位置は、リソグラフィ投影装置ＬＰ内のロード位置１７である。この位置で、基板を図１の基板テーブルＷＴに配置する。ウェハを処理している場合、このテーブルはウェハステージと見なされる。この位置１６で熱処理手段を適用することは、基板全体で制御された温度を維持するために有利である。

図４に示した本発明の第二実施形態では、追加のアンロード位置１８をリソグラフィ投影装置ＬＰに配置する。これは、両方の位置１７および１８がたまたま一致する図３の第一実施形態とは対照的である。

基板をハンドラ室ＨＣからリソグラフィ投影装置ＬＰへ、およびその逆に移送したら、基板は入口２３または２４を通過する。以前の段落の違いと同様に、図３の第一実施形態では、ハンドラ室とロードおよびアンロード位置２３、２４間の入口がたまたま一致する。

図３および図４の第一実施形態と第二実施形態との間にある別の違いは、搬送手段に関する。図３の第一実施形態は、グリッパ２０を有する１つのマニピュレータ１９を備え、図４に示す第二実施形態は、第一マニピュレータの次に第二マニピュレータを備え、これもグリッパ２２を有する。これらの実施形態にある両方のマニピュレータはロボット、ＳＣＡＲＡロボットであるが、他のロボットまたは他のマニピュレータも考えられる。

ロボットは、以下の作業のうち１つ以上をするようになっている。
１．基板をロードロックＬＬの１つから取り上げ、上記基板を前処理手段１６へと移送する。
２．基板を前処理手段１６から取り上げ、上記基板をロード位置１７へと移送する。
３．基板をアンロード位置１８から取り上げ、上記基板をロードロックＬＬのうち１つの基板搬送位置１４、１５へと移送する。

第一実施形態の基板のスループット向上は、ロードロックＬＬの一方を換気するか、ポンプで汲み出す前に、上述した３つの作業のうち２つ以上を組み合わせることによって達成することができる。

上述した作業を組み合わせる可能性は、第二実施形態のケースのように、１つのロボットではなく２つのロボットを使用することにより、劇的に向上する。

言うまでもなく、他の有利な組合せが可能である。

移送作業の最も論理的なシーケンスは、リソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの運転モードによって決定される。
− アンロード位置１８からロードロックＬＬへの基板の移送が必要なく、１つまたは複数の基板がハンドラ室およびリソグラフィ投影装置内へと移送される始動段階
− それぞれロード位置１７およびアンロード位置１８との間の一様な移送である定常運転
− ロードロックＬＬから前処理位置１６またはロード位置への移送がなく、１つまたは複数の基板がハンドラ室およびリソグラフィ投影装置から外へと移送される実行エンプティ段階。

本発明の実施形態によると、各ロードロックＬＬに第一基板支持位置１４ａ、１５ａおよび第二基板支持位置１４ｂ、１５ｂ（図３および図４には図示しないが、図５および図６に図示）を設ける。追加の支持位置は、上述した３つの移送作業を組み合わせる可能性を向上させる。というのは、第二位置が、出入りする基板に対してある種のバッファとして作用できるからである。

第一および第二実施形態の両方で、ロードロックは対応するロボットとともに、いわゆる双方向ロードロックとして形成され、これはドア１０、１１、１２、１３を越えて両方向に基板を移送できるような方法で、各ロードロックがハンドラ室内の両ロボット、および基板トラックなどからのロボットによってアクセス可能であるという意味である。これは、図３および図４で矢印の頭を設けた線Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇによって示される。この形状は、基板のスループットを向上することができる。一方のロードロックが入る基板用で、他方のロードロックが出る基板用である本発明によるリソグラフィ投影アセンブリの実施形態も実現可能である。このような実施形態は、移送作業３つの組合せの融通性を低下させるが、それと同時にロボットの作業到達範囲に関する要件を低減させる。

両方の実施形態で、基板ハンドラＳＨには任意選択で基板を第三環境と第二環境間で移送する第三ロードロック２５を設ける。第三ロードロック２５の両側には、２つのドア２７、２８を設ける。ドア２７は、第三ロードロックの内部をハンドラ室に接続する。外部ドア２８は、第三ロードロックの内部を基板ハンドラの外部の環境に接続する。

この第三ロードロックは、ハンドラ室の自由にアクセス可能な側に配置され、これは、基板を取り出さねばならない場合、または第一および第二ロードロック１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの両基板支持位置を既にとっている場合、例えばこの第三ロードロックをバッファとして使用することにより、リソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの融通性および応用の可能性を向上させる。さらに、ハンドラ室ＨＣおよび／あるいはリソグラフィ投影装置ＬＰの修理および保守を容易にするために使用することができる。第三環境は第一環境と同じでよいが、第一環境と異なっても良いことが注記される。

図３および図４で、ロードロックＬＬの一方が任意選択の外部ドア２６を備え、これは自由にアクセス可能な側に配置される。このドア２６は、基板または他のオブジェクトを第三環境（第一環境と同じでよい）からロードロックへと直接移送するためのものである。さらに、これは対応するロードロックの修理および保守に使用することができる。両方のロードロックに外部ドア２６を設けるか、外部ドア２６を他方のロードロックＬＬに配置することも可能である。

図５は、本発明の実施形態によるロードロックの断面図を示す。

図５の幾つかの部分は、以前の２つの図から認識することができる。つまり、
− 第一環境と接続するロードロックドア１０、１１
− 第二環境と接像するロードロックドア１２、１３
− ロードロックの上部分にある第一基板支持位置１４ａ、１５ａ
− ロードロックの下部分にある第二基板支持位置１４ｂ、１５ｂ
− ハンドラ室ＨＣのロボットからのグリッパ２０である。

左側には、基板をロードロックと基板トラックシステムなどの第一環境との間で移送するために装備されたグリッパ３０が図示されている。このグリッパ３０は、グリッパ２０と同様、基板を取り上げて様々な基板支持位置まで、およびそこから送出することができる。図５では、基板３１はグリッパ３０によって第一基板支持位置１４ａに配置されたところであり、第二基板３２は第二基板支持位置１４ｂ、１５ｂによって支持されている。

基板支持位置１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂは両方とも、支持プレート３３、３５およびエジェクタピン３４、３６を備える。エジェクタピン３４、３６は、基板と支持プレート３３、３５間の変位を容易にするものであり、したがって基板を基板支持位置へと送出する際、または基板を基板支持位置から取り出す際に、グリッパの一部を基板と支持プレートとの間に挟むことができる。グリッパ３０が基板３１を送出し、それ自体がロードロックの外側へと移動した後、エジェクタピン３４、３６および／あるいは支持プレート３３、３５は、図５の下部基板３２の場合と同様、支持プレート３３、３５に基板を支持させるため、自身間で移動する。同様に、エジェクタピン３４、３６および／あるいは支持プレート３３、３５は、グリッパ３０、２０の一部を基板と支持プレート間に挟めるよう、自身間で移動することができ、したがってグリッパは基板を取り上げ、ロードロックから外部へと移送する。

図５では、支持プレートごとにエジェクタピン３４、３６が１つしか図示されていないが、大抵の場合は、支持プレートが３つ以上のエジェクタピンを有する。

支持プレート３３、３５間に中間プレート５５が配置され、その機能については以下で説明する。

図５で、２つの基板支持位置の利点が容易に説明される。ロードロックＬＬが第一環境へと換気され、第一基板３１は第一基板支持位置１４ａ、１５ａへと送出されたところであり、ハンドラ室ＨＣから来て、したがってロードロックを換気する前に既に存在する第二基板は、第二基板支持位置１４ｂ、１５ｂ上に支持されている。この状況から、以下の動作を実行することができる。
− グリッパ３０をロードロックの外部へと移動する。
− 支持プレート３３が十分に基板３１を支持するため、支持プレート３３および／あるいはエジェクタピン３４を自身間で移動する。
− 第二基板３２を支持プレート３５から持ち上げるため、支持プレート３５および／あるいはエジェクタピン３６を自身間で移動させる。
− グリッパ３０、または場合によっては第二グリッパ（図示せず）を第二基板３２へと移動させ、その後にそのグリッパに第二基板３２を把持させる。
− グリッパ３０を第二基板３２と、または場合によっては第二グリッパ（図示せず）とともにロードロック（第一環境）の外部へと移動させる。
− ドア１０、１１を閉鎖し、ロードロックをポンプで排気する。
その利点は、２つの連続する換気動作と排気動作との間に、ロードロックへ、およびそこから基板を移送できることである。

グリッパ２０を使用して、２つの基板をハンドラ室ＨＣとロードロックＬＬとの間で移送するため、同様の動作のシーケンスが可能であることが容易に理解される。

さらに図５では、換気用開口３７を備える上壁３８が一方に図示され、排気用開口３９を備える底壁４０が他方に図示されている。開口３７、３９は、換気および排気手段を通して気体を供給するか、ポンプで排出するために使用される。換気用開口および排気用開口のこの形状の利点は、ロードロック内の気体流が常に上部から底部に向かい、これが空中に浮遊する粒子が基板の支持されていない表面へと降りることを防止するのに役立つことである。

図５には詳細に図示されていないが、本発明の別の態様は、基板の温度を安定化させるため１つまたは複数の支持プレートに統合された任意選択の温度制御手段である。この手段は、例示により、支持プレートの内部に配置された通路、トンネルまたは管などのライン６０、６１、および温度制御された流体をラインを通して給送する流体給送システムを備える。支持プレート３３、３５は、様々な温度処理を実施することができる。

代替方法は、ロードロック室の１つまたは複数の壁、例えば壁３８、４０、５０、５１および／あるいはドア１０、１１、１２、１３に温度制御手段を配置することであり、この方が基板温度を安定化させるには効果が低いが、構造がはるかに単純である。

図６は、本発明の実施形態によるロードロックの図５の線ＶＩ−ＶＩによる断面図を示す。ロードロックのドアの代わりに、この断面図には側壁５０および５１が図示されている。これらの壁は底壁４０および上壁３８とともにロードロック室５２を画定する。エジェクタピン３４、３６、支持プレート３３、３５および換気および排気用開口３７、３９に加えて、この実施形態は、リフト手段５３および／あるいは５４を備える。蛇腹５６、５６が天井として使用される。

これらのリフト手段は、ロードロック室が排気される前に、最初にそれぞれ基板３１、３２と一方では上壁３８、他方では中間プレート５５との間の距離Ａ、Ｂを減少させるよう機能する。第二に、リフト手段は、基板を送出するか、取り上げる前に、支持プレート３３、３５とそれぞれ上壁３８および中間プレート５５との間の距離を増加させるよう機能する。

以上で検討したように、距離ＡおよびＢを減少させることの有利な効果は、基板の周囲に存在する気体の体積が減少することである。気体の体積が減少すると、ロードロック室５２の排気中の断熱効果があり、それにより基板への温度効果も減少する。

基板と上壁または中間プレートとの接触を回避するため、距離ＡおよびＢは１００μｍを上回る。その追加の理由は、給送時間の増加を回避することであり、これはロードロック室内に存在するギャップが小さすぎる場合に生じることがある。

ロードロック室５２を排気し、ドア１２、１３を開放した後に、距離Ａ、Ｂが増加し、グリッパ２０が基板を取り上げ、取り出すか、送出するのに十分な余地を確立する。

支持プレート３３、３５／基板３１、３２を固定された上壁３８／中間プレート５５へと移動する代わりに、代替方法は、固定式または可動式支持プレート／基板へと移動する可動式（天井）プレート（図示せず）を使用することである。第一支持プレート３３と基板３１については、このような天井プレートが、適切な移動手段を配置した上壁３８に配置され、第二支持プレート３５と基板３２については、中間プレート５５が天井プレートとして機能する。後者については、適切な移動手段を側壁５０などに配置することができる。

図６では、両方の基板支持位置１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂが移動可能である。両方の基板支持位置のうち一方のみが移動可能である実施形態も考えられる。このような実施形態は、一方の基板支持位置が（比較的大きい部分について）出るウェハのために保留されている場合に特に有利であり、ここでは細かい温度制御はそれほど重要でない。好ましい実施形態によると、この点に関して上部基板支持位置１４ａ、１５ａは移動可能であり、下部基板支持位置１４ａ、１５ｂは固定されている（つまり例えば蛇腹５６は不必要であり、リフト手段５４は、固定した棒で置換することができる）。しかし、上部基板支持位置１４ａ、１５ａを固定する一方、下部基板支持位置１４ｂ、１５ｂが移動可能であることも考えられる。

代替実施形態では、リフト手段５３、５４を壁５０、５１に統合することも考えられる。

図６の実施形態では、排気用開口３９がリフト手段５４の形態に統合されている。

リソグラフィ投影装置ＬＰ内で汚染を最小に抑えねばならないことが当業者に知られ、それは、汚染粒子が投影された光が基板の放射線感受性表面に到達するのを妨げることがあるからである。また、基板Ｗの背面または基板テーブルＷＴの基板支持表面にある汚染粒子も、基板Ｗに投影されるパターンの位置合わせ不良を招くことがある。したがって、ロードロックＬＬ、特に基板Ｗと接触しているロードロックＬＬの１つまたは複数の表面は、有機材料などの汚染粒子との良好な親和性を有する材料で作成すると有利である。これにより、汚染粒子が、基板ＷではなくロードロックＬＬの表面に付着する。汚染粒子の収集は、静電力を使用して実行することもできる。例えば、汚染粒子が１つまたは複数の表面に付着するよう、ロードロックＬＬの１つまたは複数の表面にある電荷を、汚染粒子に反対の電荷を設けることができる。

ロードロックＬＬに蓋を設けて、粒子が付着している表面にクリーニングのためのアクセスを提供し、表面、特に接触表面は、簡単にクリーニングできるため、ロードロックＬＬから簡単に取り出せるような方法で構成することができる。

ロードロックＬＬ内で汚染粒子を収集すると、汚染粒子が第一環境から第二環境へ、およびその逆への搬送が最小限になり、例えばハンドラ室ＨＣの汚染が最低になる。さらに、ロードロックＬＬ内で多くの粒子を収集することにより、有害になり得るリソグラフィ投影装置ＬＰの基板テーブルＷＴへの汚染粒子の到達を減少させることができる。

さらに、ロードロックＬＬのクリーニングは、基板テーブルＷＴまたはハンドラ室ＨＣのクリーニングよりはるかに簡単で、消費する時間も少ない。ロードロックＬＬ内で粒子を収集することにより、ハンドラ室ＨＣまたはリソグラフィ投影装置ＬＰを開放し、したがって真空を妨害する必要性を低下させることができる。その結果、クリーニング手順により失われる時間が短縮される。真空の再確立には時間がかかるからである。クリーニング手順の結果生じる汚染の危険性も減少する（例えば指紋）。クリーニングするために、ハンドラ室および／あるいはリソグラフィ投影装置を開放することを少なくすることができるからである。

ロードロックＬＬは、いわゆる粘着性のウェハをハンドラＨＣおよび／あるいはリソグラフィ投影装置ＬＰへと搬送するのに使用することもできる。このような粘着性のウェハは、汚染粒子（レジストの残りなど）を収集する特性を有するウェハ状オブジェクトである。１つまたは複数のこのような粘着性ウェハが、リソグラフィ投影装置ＬＰ、ハンドラ室ＨＣおよび／あるいはロードロックＬＬを通って循環し、汚染粒子を収集する。このような粘着性ウェハの表面は、リソグラフィ投影装置ＬＰ、ハンドラ室ＨＣおよび／あるいはロードロックＬＬの接触表面より汚染粒子に対して大きい親和性を有していなければならない。粒子を収集する粘着性ウェハは、機械から外部へと運搬し、クリーニングしてから、さらに循環するために機械へと再挿入することができる。

粘着性ウェハの収集特性は、幾つかのメカニズムに基づく。例えば、１つのメカニズムは静電力である。粘着性ウェハは、汚染粒子を引き寄せるよう帯電することができる。ウェハが循環すると、遊離した荷電粒子（双極子を含む）を粘着性ウェハに引き寄せ、例えば粘着性ウェハを機械から外部へと運搬することにより、機械から取り出す。汚染粒子にとって適切であれば、粘着性ウェハに磁気を使用してもよい。

収集メカニズムの別の例には、接着および／あるいは凝集がある。接着性ウェハは、汚染粒子（レジスト粒子など）に対する大きい親和性を有する。汚染粒子は、粘着性ウェハに接着する傾向を有する。凝集性の粘着性ウェハの場合、粘着性ウェハに接着する粒子は、粘着性ウェハ上に残り、クランプ表面などの他の表面へと行かない傾向がある。粘着性ウェハは、強力な接着性および強力な凝集性の両方を提供するので有利である。様々なレベルの接着および／あるいは凝集を適用して、用途に合わせることができる。このような接着および／あるいは凝集は、例えばウェハ上の特殊な接着性および／あるいは凝集性コーティングを通して提供するか、ウェハ自体を接着性および／あるいは凝集性材料で作成することができる。

粘着性ウェハをクリーニング装置として使用することには、少なくとも幾つかの利点がある。例えば、粘着性ウェハは、通常のウェハより効果的である。さらに、ハンドラ室ＨＣおよび／あるいはリソグラフィ投影装置ＬＰ内の真空は、粘着性ウェハが機械を通って循環する間、妨害されない状態を維持することができる。真空を再確立するには時間がかかることがある。さらに、手作業のクリーニング自体による汚染の危険性を低下させることができる。ハンドラ室ＨＣ、ロードロックＬＬおよび／あるいはリソグラフィ投影装置ＬＰに必要な手作業のクリーニングが少なくなるからである。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。本説明は本発明を制限する意図ではない。

本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示したものである。 本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置の別個のモジュールの一般的レイアウトを概略的に示したものである。 本発明の第一実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリを示したものである。 本発明の第二実施形態によるリソグラフィ投影アセンブリを示したものである。 本発明の実施形態によるロードロックの断面を示したものである。 本発明の実施形態によるロードロックの図５の断面とは直角の断面（線ＶＩ−ＶＩ）を示したものである。

Claims (21)

1. 少なくとも２つのロードロック、ハンドラ室、およびリソグラフィ投影装置を有するリソグラフィ投影アセンブリを操作する方法で、
   動作モードとして、始動モード、定常動作モードおよび実行エンプティモードを含み、
   前記始動モードは、前記リソグラフィ投影装置における基板のアンロード位置から前記ロードロックへの前記基板の移送が不要であって、少なくとも一の基板が前記ハンドラ室および前記リソグラフィ装置内へと移送される段階であり、
   前記定常動作モードは、前記リソグラフィ投影装置の基板のロード位置へ、および、前記アンロード位置から、基板が一様に移送される段階であり、
   前記実行エンプティモードは、前記ロードロックから所定の前処理位置または前記ロード位置への移送がなく、少なくとも一の基板が前記ハンドラ室および前記リソグラフィ装置から外部へ移送される段階であり、
   前記少なくとも２つのロードロックがそれぞれ、個々のロードロック内の圧力が低下する減圧サイクルと、個々のロードロック内の圧力が上昇する減圧解放サイクルとを有し、
   前記始動モードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で前記減圧解放サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で、前記減圧サイクルを実行し、
   前記定常動作モードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロック内に基板がある状態で、前記減圧サイクルおよび前記減圧解放サイクルを実行し、
   前記実行エンプティモードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で、前記減圧サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で前記減圧解放サイクルを実行する方法。
2. 前記始動モード、前記定常動作モード、および前記実行エンプティモードのうち１つ以上が、前記リソグラフィ投影アセンブリ内で基板を処理中に発生するイベントに応じて、任意の順序で繰り返される、請求項１に記載の方法。
3. １つの前記ロードロックに第一および第二基板支持位置を設ける、請求項１または２に記載の方法。
4. １つまたは複数の前記ロードロックが、それぞれ１つまたは２つ以上の基板支持位置を有する２つのロードロックを備える、請求項１または２に記載の方法。
5. リソグラフィ投影アセンブリであって、
   − 第一環境と第二環境間で基板を移送する少なくとも２つのロードロックを備え、第二環境は第一環境より低い圧力を有し、さらに、
   − 第二環境が占めるハンドラ室を備えた基板ハンドラと、
   − 投影室を備えるリソグラフィ投影装置と、を備え、
   前記ハンドラ室と前記投影室とは、一方では基板が前記ハンドラ室から前記投影室へと入るために基板のロード位置を介して、他方では、基板を前記投影室から前記ハンドラ室へと取り出すために基板のアンロード位置を介して連絡し、
   前記ハンドラ室には、
   − 基板を前処理する前処理手段と、
   −基板を前記ロードロックから前記前処理手段へ、および前記前処理手段から前記ロード位置へと移送し、さらに基板を前記アンロード位置から前記ロードロックへと移送するような構成である搬送手段を備え、
   前記リソグラフィ投影アセンブリは、動作モードとして、始動モード、定常動作モードおよび実行エンプティモードを実行する制御手段を備え、
   前記始動モードは、前記リソグラフィ投影装置における前記アンロード位置から前記ロードロックへの基板の移送が不要であって、少なくとも一の基板が前記ハンドラ室および前記リソグラフィ装置内へと移送される段階であり、
   前記定常動作モードは、前記リソグラフィ投影装置の前記ロード位置へ、および、前記アンロード位置から、基板が一様に移送される段階であり、
   前記実行エンプティモードは、前記ロードロックから前記前処理位置または前記ロード位置への移送がなく、少なくとも一の基板が前記ハンドラ室および前記リソグラフィ装置から外部へ移送される段階であり、
   前記少なくとも２つのロードロックがそれぞれ、個々のロードロック内の圧力が低下する減圧サイクルと、個々のロードロック内の圧力が上昇する減圧解放サイクルとを有し、
   前記始動モードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で前記減圧解放サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で、前記減圧サイクルを実行し、
   前記定常動作モードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロック内に基板がある状態で、前記減圧サイクルおよび前記減圧解放サイクルを実行し、
   前記実行エンプティモードでは、前記少なくとも２つのロードロックのうち少なくとも１つが、個々のロードロックに基板がない状態で、前記減圧サイクルを実行する一方、個々のロードロックが、個々のロードロックに基板がある状態で前記減圧解放サイクルを実行する、
   リソグラフィ投影アセンブリ。
6. 前記投影室が真空室で、前記リソグラフィ投影装置が、真空室内に真空を確立するか、それを維持する真空手段を備える、請求項５に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
7. 前記前処理手段が、基板を事前位置合わせするプレアライメント手段を備える、請求項５または６に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
8. 前記搬送手段が、第一グリッパを設けた１つのマニピュレータを備え、
   前記リソグラフィ投影アセンブリが、
   − 前記ロードロックの１つから基板を取り上げて、基板を前記前処理手段へと移送し、
   − 前記前処理手段から基板を取り上げて、基板を前記ロード位置へと移送し、
   − 前記アンロード位置から基板を取り上げて、基板を前記ロードロックの１つへと移送するため、 グリッパを制御するような構成である前記制御手段を備える、請求項５から７のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
9. 前記搬送手段が、第一グリッパを設けた第一マニピュレータ、および第二グリッパを設けた第二マニピュレータを備え、
   前記リソグラフィ投影アセンブリが、
   − 前記第一グリッパで前記ロードロックの１つから基板を取り上げて、基板を前記前処理手段へと移送し、
   − 前記第二グリッパで前記前処理手段から基板を取り上げて、基板を前記ロード位置へと移送し、
   − 前記第一グリッパで前記アンロード位置から基板を取り上げて、基板を前記ロードロックのうち１つへと移送するため、
   前記第一および前記第二マニピュレータを制御するような構成である前記制御手段を備える、請求項５から７のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
10. 基板を所定の温度にしたり、基板全体で温度を均一にしたり、基板の温度を調整したりするために、前記第一および／または前記第二グリッパに、熱処理手段を設ける、請求項８または９に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
11. 前記少なくとも２つのロードロックが第一および第二ロードロックを備え、
    前記第一および前記第二ロードロックと協働するため、１つのマニピュレータまたは前記第一マニピュレータを配置する、
    請求項８から１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
12. 前記第一および前記第二ロードロックがそれぞれ双方向ロードロックとして形成される、請求項５から１１のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
13. 前記第一および前記第二ロードロックのそれぞれに、第一および第二基板支持位置を設ける、請求項５から１２のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
14. 基板を前記第一および前記第二ロードロックに供給し、そこから取り出すため、前記第一および前記第二ロードロックが基板トラックに接続される、請求項５から１３のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
15. 前記リソグラフィ投影アセンブリがさらに、基板のようなオブジェクトを第三環境から第二環境へと移送する第三ロードロックを備え、
    前記第三ロードロックが、前記第三環境に面する側で自由にアクセス可能である、請求項５から１４のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
16. 前記制御手段が、基板を前記搬送手段で前記第三ロードロック内に配置し、
    配置された基板が前記第三ロードロック内にある間、前記第三ロードロックの外部ドアを閉鎖状態に維持し、他の基板を前記搬送手段で移送した後、配置された基板を前記搬送手段で取り上げ、移送するような構成である、請求項１５に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
17. 前記少なくとも２つのロードロックのうち１つまたは複数が、基板などのオブジェクトを第四環境から第二環境へと移送するために側部ドアを備え、
    前記側部ドアが前記第四環境に面して、自由にアクセス可能である、請求項５から１６のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
18. 前記制御手段が、相互に対して独立して前記ロードロックを制御するような構成である、請求項５から１７のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
19. 前記前処理手段に、基板を所定の温度にしたり、基板全体の温度を均一化したりするために、熱処理手段を設ける、請求項５から１８のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
20. 投影装置が、
    − 放射線の投影ビームを提供する放射線システムと、
    − パターニング手段を支持する支持構造とを備え、パターニング手段は、所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
    − 基板を保持する基板テーブルと、
    − パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを備える、請求項５から１９のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
21. 基板が半導体ウェハである、請求項５から２０のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。

Images