TW568891B - Reflection control member and method of fabricating the same - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 之表面提供期望光 諸如顯示螢幕之表 本發明大致係關於在透光或反射元件 學性質，及尤其係關於在光透明元件， 面上提供抗反射塗層。 2塗層塗布至透光或反射元件，以賦予元件期 螢幕：’可將一或多個塗層塗布至電腦監視器： 螢幕’以長:供極化或降低反射。降低來 .r (CRT) 反射光之大約四分之一波長之厚度的抗反射 抗反射 :為有機材料’諸如聚合物，或無 ^ :折2= 具有低婦之折射率。當沈積：反屬:： 材料之折射率的平方根時，可得到反射 。'匕方法具有限制。單層的低折射率抗反射塗 層通吊s展現明顯的顏色，尤其係關於反射。 經由使用多個沈積層，可得到具有較寬帶寬，及因此較 少顏色的抗反射塗層。兩種常見的抗反射塗層設計為四分 之四刀之（QQ)及四分之—一半-四分之一（QHQ)堆 疊。換s之’抗反射塗層係由具有不同折射率之許多層所 形成，其光學厚度各等於企圖抗反射之波長的四分之一 (Q)或一半（Η)。 抗反射堆疊之詳細說明包含在受讓給本發明之受讓人之 發證給Bright等人之美國專利心· 744, 227中。至少形 成兩層對，以提供抗反射性質。各層對之一層為具有在i ·

568891 五、發明說明（2) 8而射率之導電性、透光的無機材料， 氧化物。㈣疊對於達圍内之折射率之透光無機 p @ @ 、達』羞的光學性質表現良好。 射二降低：：：1上係利用非吸收性材料製造。因此，反 c=;;=加傳送至須要抗反射之元件(例如， LK 1 J円之月t*里而達成〇、;凡止的y 對比可能有剎 ^ L /〇先路住的一些吸收對於增進影像 :透二將吸收性材料加至用於製造crt 妊^徊玻璃中。或者’保護CRT之抗反射塗層可包 吸收性層可具有在—之分散，其 夫目田ο Γ獲良好的抗反射性質（即低反射和寬帶寬）。 參么，：如，發證給〇yama#人之美國專利Ν〇. 其中氮化鈦(TiNx)經證實為較佳的吸收性 Γ 1 Γ" 2，僅包括兩層之簡單堆疊（例如，T i Nx及呂i 02) — 般僅對範S1狹窄的透射值提供&好的抗反射性質。在發證 = 7之美國專利N〇. 5, 091，以4中亦教授使用金屬 層。η情況中，氮化物並非供抗反 ，且 較佳材料，由於氮化物之光學性質通常有相者 而係，沈：條件(例如，* 一沈積環境中之〜及〇2之相i 里）而疋。然而，仍需要光學特性之進一步改良。 發證給Rancourt等人之美國專利Ν〇· 4, 846, 55 1說明一 種增進影像對比及降低CRT之閃光的渡光器組合。在基材 上形成許多層，以獲致期望的光學性質。帛一層係具有至 少1;70▲毫被米厚度之氧化鋁層，其大約為在大約5〇〇毫微米 之設計波長下之8/3個波之光學厚度。在此較佳具體例

568891 五 ，發明說明（3) 中’在氧化鋁層上方為鎳及氟化鎂之交替層。第一鎳層係 开少成於氧化紹上。乳化銘係設計於使鎳層可牢固地結合至' ，材。鎳層具有約13至80埃之厚度》下一層為具有等於四 t之一波光學厚度之厚度的氟化鎂薄膜。將第二鎳層形成 為具有在75埃左右之厚度。最後，第二氟化鎂層具有四分 ^ I ί之光學厚度。此篇專利表示此配合CRT使用之濾光 1塗層之試驗測量證實僅有〇· 5 — 0. 8百分比之整體反射光 顯示之觀看者的眼睛，且影像顯示的整體透光度大約 =84百分比。相比之下，當未使用濾光器塗層時，有 0~12百分比之反射光到達觀看者的眼睛。 雖然現有的光學塗層可達到可接受的結 且相當容易適應製程，以達到在 質比（Tvis)，同時仍可維持良好抗反射性 因此：ίΐ塗層”匕外’希望吸收性層的沈積相當容易， 因此而可獲致高的製造生產力。 匆 包η!之結構的廣義說明中，多層吸收性抗反射塗層 材料的至+及具有在丨，25至1,7之範圍内之折射率之透明 ’、、至乂四個交替層。在一四層堆疊中，1中一伽七人 屬層係最靠近須要抗反射之表；： J漆層而黏合至表面4漆層以“低的 佳狹義說明中’透明材料為氧化矽(Si〇x)較 及一虱化矽更佳。灰金屬為鎳鉻合金（Nicr)，諸如車具 568891 五、發明說明（4) 有8 0 / 2 0之組成的鎳鉻較佳。除了鎳鉻之外，可接受的灰 金屬包括英高鎳（i ncone 1)、蒙鎳（mone 1)、不銹鋼及鉻。 本發明之另一層級的說明係關於層厚。最靠近受保護表 面（例如，CRT螢幕）之灰金屬層之厚度應係在〇· 5毫微米至 30毫微米之範圍内，及在！毫微米至15毫微米之範圍内更 佳。相鄰的Si0X層以具有在5〇毫微米至20 0毫微米之範圍 内的厚度較佳，及在70毫微米至150毫微米之範圍内更 佳。然而，此第二層之厚度係視前一層之光學性質而定。 第二灰金屬層具有在與第一灰金屬層相同範圍内之厚度， 但在較佳具體例中，調整厚度以使全體塗層達到期望的 ί Γ在2〇%至8〇%之範圍内調整，但在30%至60% 之乾圍内调整更佳。第二叫層具有在6〇毫 微米之範圍内的厚度。可調整此 ，性。舉例來說，表層之厚度二f 堆豐之反射最小值（Rmin)之波長 抗反射 層之光學及電性質提供另―層“ 長。 前所指，Tvis值調ii?至6°%之範圍内更佳。如 調整。在Si ox層内在可見光^兩個灰金屬層之厚度而作 收（Avis)，及此值t 應發生不多於1 〇%之吸 過2000歐姆每平方薄 火金屬層以具有不超 係由介電材料，例如率較佳，而層對中之另-層 可將層對形成於軟fA一材氧化：所形成。 “基材，諸如聚對苯二甲酸乙二醋 88119628.ptd 第8頁 568891 五 發明說明（5) (PET)上，但可使用其 ' 可將-硬塗層形成於基材上。硬=;]二1伽)。 :過程中，及在終產品之使用過程；質基材在加 為已知硬塗層材料之任何一種， ί用性。硬塗層可 氧烷硬塗層、二臂f 氧化石夕基硬塗層、矽 種材料典型上酸系硬塗層等等。此 後經歷轉變，即良氧：，了者至硬塗上層。底漆可為於沈積 無機材料的材料。例如，上無色之 -段時間後生成氧化矽之層。硬塗層：厚;n，以致於 至20微米之範圍内，而底漆層 ：J微米 = 的一面上可形成保護性表面塗料。表 用:碳化物之組合，作為供她ί n j &材枓，此氣碳化物提供期望的潤滑性質。作為潤 =料用之一種可接冑的氣碳化物係由3M公司以聯邦ς冊 商標FLUORORAD所銷售。表面塗料係疏水性及疏油性，°且 ^有低表面能量及高接觸角。因此’表面塗料展現防污特 十生0 々本發明亦可參照製造方法作說明。雖然並不重要，但此 等層可利用濺鍍沈積技術沈積。在通過濺鍍沈積裝置之第| 一程中，溫和的前輝光（pregl〇w)處理為基材材料之表面 作準備，以改良黏著供後續沈積層之塗布用。形成底漆 之材料（例如，石夕）係在此起始程中引入。使底漆 月&無氧的環境中沈積較佳。然而，於塗布底漆層後，使底

88119628.ptd 第9頁 568891 五、發明說明（6) 漆材料暴露至氧係可接受。在黛— 化，並形成第一層對；金^:;:’使前輝光再次活 件而定，可能需要引入第三_ 近基材。視製程條 如，Sio )之厚声 一私，以牦加第一對之上層（例 ^ 6 1 」之厚度0此上層之厘痒乂么、 興胜14而—l , ^ 旱度係視第一灰金屬層之光 干特性而疋，如由灰金屬材料 決定。立亦滿+士从田丄 、伴及及金屬層之厚度所 ::疋[亦視π成堆豐中之期望透射而定 ， 沈積第二層對。如須要n纟卜5 中夂"接一“ 的層#，則需要後續的程，其 料。王/b、θ、之兩層。然後視需要加入潤滑表面塗、 本發明之一優點為可你用ώ γ g 顯著地增進在顯示裝：二:所提供之吸收於* 單單經由調整層之：如CRT之對比。可 經由將層之厚度最適化，可在寬 廣的波長範圍内（即寬帶甯）碴釗彳 見 使用灰金屬，此導電性屉可柞A m睥，。另一優點為經由 ^ ^ 导％ 11層可作為屏障而延緩由CRT所發出 =。終產品具有在自然環境中關於氧化的高安定性出， =沈積於適當的硬塗層上時在機械上強韌。此穩定的灰 金屬可保持原來的抗反射特性數年。 詳細說明 ^ =照圖i，將用於形成多層吸收性抗反射塗層之光學配 置之一具體例不為包括透光基材12。此基材可由ρΕτ所 形、，但可使用其他材料。基材材料對於本發明並不重 要：但在較佳具體例中’將說明於下的抗反射及表面塗料 層塗布為基料形態’以致基材應為軟質。然後可將此軟質

568891 、發明說明（7) 基材及各種層附加至另一基材，諸如CRT螢幕上。另一方 面，可將抗反射及表面塗料層直接塗布至終產品。因此， 基材可為有機或無機材料。 存=層14、16、18及2〇所形成之吸收性抗反射堆 *下，土材2應在可見光波長内展現低於20%之反射程 度2例來說，m反射10%至15%之可見光（兩面反反; 將由層14-20所形成之抗反射土隹疊設計成經由吸收及經由 反射$之破壞性干涉而使反射程度顯著地降低。 f抗反射堆疊上方為黏著促進層22，諸如矽烷 抗摩擦性質以促進清潔及抗刮傷性之氣碳 fluororadV^ t # ^ #

Fr 790 # 材科較佳。最佳的材料為FLUORORAD =層2==於氣化溶劑中亀液銷w 28在層14 — 2°與基材12之間為硬塗層26及底漆層 使用、岛Γ:可改良軟質基材在加工過程中，及在終產品之 塗層2=:::性。硬塗層係技藝中所知曉。圖1之硬 氧i硬涂® ^種已知材料，諸如氧化石夕基硬塗層、矽 種材料：；上：層、丙稀酸系硬塗層等等^ 妒孫户你、t八有 · 60之折射率。因此，折射率一1 ί俜自1二：丰材？之折射率相同的範圍Θ。可接受的厚度範 ㈤係自1彳政米至2 〇微米。 漆ί ΐ =促進抗反射層14_2°之黏著至硬塗層26。底 、《了為於沈積後經歷轉變，即氧化，以產生實質上透

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五、發明說明（8) 明，實質上無色之無機材料諸如金屬或半導體氧化物的金 屬或半導體。有用底漆材料之例子包括矽、鈦、鉻及鎳。 或者，可將底漆層沈積為低於化學計量之氧化物，諸如

CrOx、SiOx等等。底漆層28應夠薄，以使光學配置1〇之期 望光學性質的破壞減至最小。底漆層以具有低於5 〇 度較佳。 、厚 層14及16形成第一層對，而層18及2〇形成第二層對。各 層對具有下方吸收性灰金屬層14及18及上方透明層16及 20。上方透明層係由具有在丨“至丨·了之範圍内之折射率 的材料所形成。較佳的材料為“心，最佳的材料為二氧化 矽。第一及第三抗反射層14及18相對於第二及 層16及20為「高折射率層」。 机夂射 ★灰金屬層14及18各具有實質程度的導電性較佳。例如， 阻率低於1 χ1()6歐姆每平方較佳，及低於2〇()()歐姆 母平方更I。在較佳具體例中，灰金屬為鎳鉻合金，諸如 ίί 8乂2〇之組成的鎳鉻。然而，其他可接受的灰金屬包 括兴南鎳、蒙鎳、不銹鋼及鉻。下方灰金屬 係在U毫微米至3。毫微米之範圍内，及在 微米之範圍内更佳。相鄰的Si〇x層i 6以具有在5。毫卡二5毫 。然而，此層16之厚度係視在包括層14及 1 9對内之灰金屬層14的光學性質而定。 广第淨一灰^屬層18具有在與第一灰金屬層14相同範圍内之 厚 在較佳具體例巾，調整厚度以使全體光學配置10

568891 五、發明說明（9) 達到期望的T v i s值。經由改變層1 4 - 2 0之厚度，可將此 Tvis值在20%至80%之範圍内作調整，但可在3〇%至6〇%之範 圍内調整更佳。第二層對之Si 〇2層20具有在60毫微米至 1 20毫微米之範圍内的厚度。可調整此第二層之厚度，以 改變光學配置1 〇之抗反射特性。舉例來說，如s丨〇x表層2 〇 之厚度增加，則光學配置1〇之反射最小值（Rmin)丄波"長將 移至較高波長。因此，可調整待抗反射的波長範圍。 第二及第四抗反射層16及2〇為Si〇x較佳，但此並不重 要。此兩層16及20各具有在丨.25至丨.7之範圍内的折射 率，及在1.4至1.6之範圍内更佳。可將此等層稱為提供吸 收性，反射能力之層對的「低折射率層」。各層當與其 中之高折射率層結合存在時為實質上透明及實質上色。 此層不應具有超過1〇% iAvis，及低於5%更佳。 形成低折射率層之適當特性之材料的例子為一些無機化 著至表面·現參照圖2，可將光學配靜電/將基材附 的捲湾形態傳送。將捲筒之片材 見广 要可在CRT上形成可紫外氺因朴沾私:σ至CRT 32。視需 ^〇β ^ ^ ^ 系卜先口化的黏者劑薄膜34。使用輥 子36於轭加所需的負荷力，以輥 直接層合。如cm系包括複合曲率半徑之材料元 568891 五、發明說明（10) 合之前將光學配置熱成形。熱成形技術係技藝中所知曉。 應注意灰金屬係以經設計成使加入至塗層中之氧之量減 至最少的方式沈積。然而，由於背景氣體、基材中之5份 等等’通常會發生一些輕微程度的氧化。然而，灰金屬中 之金屬對氧之原子比應低於0· 3，及低於〇· 2更佳。 圖1之光學配置1 0可使用濺鍍製造。此光學配置之一優 點為吸收性層（即灰金屬層14及18)並不需要使用氮化物<吸 收性層所需之反應性濺鍍沈積方法。因此，塗層堆疊沈 速率經最適化。 《且’〇、 典型上，底漆層28係在其上形成底漆層材料之具硬塗層 之基材之表面積之溫和的前輝光處理之後形成。前輝光係 一種調理表面以改良後續沈積層之黏著的離子化氣體清潔 作用。前輝光及底漆層沈積可在具硬塗層之基材材料之^ 料通過濺鍍沈積裝置之起始程中同時發生。在濺鍍中， ^應性或非反應性氣體之存在下，對金屬、半導體、 屬=合物濺鍍陰極施加電遷以產生電賤 二 I;之作用使陰極乾之原子移動並行進，而沈= mi之基材上。典型上，崎體為貴氣 濺於氣^虱枯蓺二ΐ由於其具吸引力的成本而為最常用的 。技藝中亦知使用大約1%至大約9〇%(或在欽乾之 二物之種反應性氣體作為濺鍵氣體 在而使金ΐ;半; 化物(當存在氧及氮源時)、；另=存料在氧源時)、氧氮 568891 發明說明αυ 圖3顯示連續基料塗布感 扛妙ά^ J 鍍衮置38。此基料塗布系統包 括、、'工由&線42抽直空之# ^ ^ /1 π 3, Η ^ ^ ^ ^ ” 之真工至40。室内包括使軟質基材12 ii! 2過一系列之磁控管濺鍍站44、46及48的傳動 :構用於傳動基料之組件包括進料輥5〇、惰輪52、54、 56、58、60、62 及64 及收蘩 ^

c。 汉收緊親6 6。基材繞過冷硬惰輪圓筒 68 0 可使用一對監視器70及72於測定在塗布塗層之前之基料 的光干性質，同時監視器74及76則測定於塗布塗層後的光

學性質。所關注的光學性質包括透光率、反射率及吸光 度。 濺鍍裝置38係經構造成可在兩個別的站44及46使用兩個 別的磁控管陰極，而在基料12上同時及連續地濺鍍沈積直 至兩層。在站46之陰極典型上為AC供電，而在站44之陰極 典型上為DC供電。 由於基料材料1 2係繞圓筒6 8之軸旋轉，因而基材首先遇 到提供前述之表面修飾的前輝光站78。第一站44放下圖1 之底漆層28。通常在第二程中，使用站44於沈積灰金屬層 14及18，而使用第二站46於沈積透明層16及20。典型上， 底漆層係在形成第一層對14及1 6之前的程中形成。此外， 使用圖3所示之裝置，各層對需要不同的程。 濺鍍裝置38之控制及監測係使用在此類型之塗布機器中 之標準的設備及感測器完成。使用質量流量控制器（MKS) 80於調節進入陰極站44及46之氣體流量。捲軸動作控制 器82調節當基料材料12移動通過裝置38時之張力、速度及

88119628.ptd 第15頁 568891 五、發明說明（12) 距離。一或多個AC或DC電源84提供動力給站44及46之兩賤 鍍陰極。使用光學監測系統86於測定基料材料在400毫微 米至2 0 0 〇毫微米之光譜區域内之光學特性。光學監測系統 係連接至四個監測器70、72、74及76。前輝光電源88控制 前輝光站78之操作。 f施例之椒诚 將具有7密爾（mil)厚度之具硬塗層之PET基材之捲筒裝 入參照圖3所說明之類型的濺鍍裝置38中。將基材定向成 使圖1之硬塗層26面向濺鍍站44、46及48。在起始程中， 使基材進行前輝光處理，並塗布底漆層28。此程係在以下 條件下進行： (1)輝光室78 氣體流量：02 13. 4 輝光壓力.16¾托爾（mHiiTorr) 輝光電壓：1 5 0 0伏特 輝光電流拉引：1〇〇毫安培 (2 )站46 線速度：25毫米/秒

Sl沈積之氣體流量：Ar 103.4 seem 靶功率·· 9 〇 〇瓦 壓力：3 · 0毫托爾 因此形成石夕底漆層。使用濺鍍裝 得波長40 0毫微米（即藍色）之透 起始程中之靶為矽靶， 置38之光學監測能力，测 射比有3%的下降。

568891 五、發明說明（13) 。由於起始程僅形成底漆層28，因而將其稱為「第〇 ^ 在「第1程」中，形成第一層對14及部分之16 (即77 彳政米）。鎳鉻層1 4之物理厚度並未作直接控制。反之， S鉻層所展現之光學特性係主要的關注重點。為對說明 =之塗層得到標的之可見光透射，將由於層對之 w 、之Tvis的下降調整成達 75. 6

Tv.s || S , 75. 1% ^?6. 1〇/〇 fiJ ^ f ^ 輝光電壓：0伏特（即關） w仵如下· 輕：1 NiCr乾跟著2 Si乾（即AC對） 線速度·· 9毫米/秒 在NiCr靶之氣體流量：訏ιι4 在NiCrl^之壓力：3.〇3毫托爾 在NiCr靶之電條件：39〇瓦，1.01安培/430伏特 在Si陰極之氣體流量：Ar 1〇3 3 s 4丄 在Si陰極之壓力：3.25毫托爾 ·3 sccm 在si陰極之電性質：5.〇仟 〇8 氧之分壓：0.22毫托爾。 /以伙特 由於此「第1程^之έ士里 ，《 w

Tvis ϋ化石夕層之。厚果;光學^置具有大約75.㈣之 ’禮之厚度大約為77· 3毫微米。 經測得部分完成之决趨 光予配置的光學特性可經由i秘知a亡 金屬及二氧化石夕之第—層二力= 良。在其他實驗中將此厚度增加。在一“； 加至110毫微米。在第二實 .：： 微米。由此第二實驗，推一 口 又曰刀芏大約1 20鼋 果汾進仃另一程以形成灰金屬及二氧& 568891 五、發明說明（14) 矽之第二層對。參照圖}，將灰金屬層18形成 微米之厚度，及將二氧化矽層2〇形成為具有86、亳微=· 7毫 度。經測得可見光透射為4 9 %。此程之條件如下·；、之厚 在NiCr陰極之氣體流篁·Αγ 11.4 seem 在NiCr陰極之系統：3· 01毫托爾 在NiCr陰極之電性質·· 75 0瓦，15安培/463伏特 在Si 陰極之氣體流量：Ar 102.5 seem; 02 5 3.9 Seem 在Si陰極之壓力：3· 19毫托爾 cm 在Si陰極之電性質：5· 〇仟瓦，1 2· 5安培/439伏特 圖4顯示所產生之光學配置在可見光波長下之反射性之 性質。然而，本發明之光學性質可容易地作調整，以符合 所需的規格。

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Claims (1)

1. 568891 一案號 19628 曰 六 修正 申睛專利範圍 1 · 一種反射控制元件，包括 具有第一表面之基材； 在该基材上之多層抗反射塗層，該抗反射塗層包括： 由鎳鉻合金形成之第一層，該第一層係鄰接於該基材之 該第一表面； 在該第一層上之第二層，該第二層係氧化矽 在該第二層上之第三層，該第三層係鎳鉻層 在該第三層上之第四層，該第四層係氧化矽〜 在該基材與該抗反射塗層之間的底漆層，以促進該抗反 射=層之黏著，該底漆層具有低於5〇埃之厚度，且係由當 暴路至氧時易發生至少部分氧化之材料所形成。 2 ·如申請專利範圍第1項之反射控制元件，其中 漆層係在大致上無氧的環境中以矽沈積。 3.如申請專利範圍第1項之反射控制元件 括夾於該基材與該底漆層之間的硬塗層。 4·如申請專利範圍第3項之反射控制元件 塗層係矽氧烷基材料。 5·如申請專利範圍第1項之反射控制元件，其中，該第 一層具有在0.5毫微米至30毫微米之範圍内的厚度，及該 第三層具有經選擇成使該抗反射塗層之可見光透&射比以 (Tv is)達到在20百分比至80百分比之範圍内的厚度。 6 ·如申請專利範圍第1項之反射控制元件，其中夂，該第 一層具有在1毫微米至15毫微米之範圍内的厚度，及=第 三層具有經選擇成使該抗反射塗層iTvis達到在3〇百^分比 及 狀 JU· - ί 替換本 該底 其中，更包 其中，該硬

   \\八326\總檔\88\88119628\88119628(替換)-2.ptc 第21頁 568891

   至6 〇百分比之範圍内的厚度。 _ 7·如申請專利範圍第1項之反射控制元件，其中，該第 二及第四層為二氧化矽，其各具有在50毫微米至2〇〇毫微 米之範圍内的厚度。 8 · —種反射控制元件，包括： 透明基材； 具有低於5 0埃之厚度之底漆層，該底漆層係由經選擇成 "促進鎳鋒合金層之黏著的材料所形成；

   形成於該基材之一面上與該底漆層接觸之第一鎳鉻合金 二的二，了鎳鉻合金層具有〇. 5毫微米至3〇毫微米之範園 與該第一鎳鉻合金層接觸之第一透明氧化矽層，該 $明氧化矽層具有50毫微米至2〇〇毫微米之範圍内的厚 與該第-透明氧切層接觸之第二鎳鉻合金層，該第 =鉻合金層具有〇.5毫微米至3。毫微米之範圍内的厚度

   與該第二鎳鉻合金層接觸之第二透明氧 J明氧化石夕層具有6。毫微米至12。毫微米之範圍内的厚第 9·如申請專利範圍第8項之反射控制元件，其巾，心 漆層係由於沈積後易發生氧化之矽所形成。、 〇 10.如申請專利範圍第8項之反射控制元件，其中，更 括在该底漆層與該基材之間之硬塗層，以增進該基材之

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   用性。 11 ·如申凊專利範圍第9項之反射控制元件， 括形成於該第二透明氧化物層與該基材相 二中，更包 滑層。 〈一面上之潤 包括下列步驟·· 1 2 · —種製造反射控制元件之方法 提供透明基材； 在該基材上形成底漆層以利於鎳鉻層之黏著， 致上無氧化的環境中沈積矽至低於5〇埃之&度；’包括在大 在該底漆層上形成第一鎳鉻層； X ’ 在該第錄絡層上形成第一透明層； 在該第一透明層上形成第二鎳鉻層；及 在該第二鎳鉻層上形成第二透明層，該反射控制且 有在20百分比至8〇百分比之範圍内之Tvis。 ’、 1 3·如申請專利範圍第丨2項之方法，其中： 形成該第-錄鉻層之該步驟包括將材料 0.5毫微米至30毫微米之範圍内之厚度；及 檟至在 形成該第二鎳鉻層之該步驟包括將材料_沈積至經選 擇，使該反射控制元件2Tvis達到在2〇百分比至8。百分比 之範圍内之厚度。 i4.如申請專利範圍第12項之方法’㊣中，形成該第_ 及第一透明層之该步驟包括使各該層形成在5〇毫微 2 0 0毫微米之範圍内之厚度。

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