JPS6082660A - 酸化物層の形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １゜産業上の利用分野 本発明は酸化物層の形成装置に関し、例えば光透過性基
体上に透明導電層が設けられている透明導電性フィルム
（例えば液晶表示装置や透視型指タツチ入力装置に好適
な透明導電性フィルム）を製造するのに好適な装置に関
するものである。

２、従来技術 高分子シート上にＩｎ２０ａ又はＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍＴｉｎ　０ｘｉｄｅ　）系透明導電膜を設けてなる
透明導電性フィルムが知られている。例えば特公昭５３
−２８２１４号公報によれば、第１図の如く、透明樹脂
シート基体１の一方の面上に、Ａ＃０３又はｃｅＦ３膜
２．５ｉＯｚ又はＳｉＯ膜３、Ｉｎ２Ｏ３膜４．５ｉＯ
ｚ又はＳｉＯ膜５、ＭｇＦ２膜６を順次積層し、上記各
層２．３及び５．６による多層反射防止膜を構成したも
のがある。この場合、膜２．３はＩｎ２ｏ３膜３の膜付
きの向上、電気特性の安定化を図る効果もあるとしてい
る。

ところが、この公知の透明導電性フィルムは、透明導電
膜４の上下に、反射防止効果を上げるだめに互いに成分
の異なる上記各層２．３．５．６を積層せしめているの
で、これらの各層を蒸着法で形成する際に蒸発源の個数
が増え、これに伴なって蒸着装置の構造が複雑化したり
、蒸着条件の制御も個別に行なう必要がある。しかも、
共通の蒸着槽内で複数種の蒸着を行なう場合には、槽の
壁面等に異種の物質が付着し、これが再蒸発若しくは剥
離して次の蒸着時の蒸発源に混入する等の事態が生じ、
蒸着槽の汚染、蒸着膜の膜質劣化等を避けることができ
ない。また、反射防止のための各膜間の付着力が異なる
ので、各膜間の膜付きを良くするのが困難なことが多い
。しかも、上記の各層２．３．５．６によってフィルム
の耐擦性能としての膜付きは幾分改良されるとしても、
フィルムの耐折曲性能は不良であシ、折曲げ試験によっ
てクラックが入って導電膜が断線し易く、シート抵抗が
著しく変化してしまうことが確認されている。

他方、第２図に示す如く、特開昭５３−１２８７９８号
公報においては、基体１上にアルキルチタネート溶液に
よる塗工で酸化チタン膜７を形成し、この上に金属薄膜
８を形成して透明導電性被膜を形成したものが知られて
いる。この場合でも、上記した従来例の如き欠陥は殆ん
ど解消することができない。

３、発明の目的 本発明の目的は、簡単かつ低コストに、膜質、膜付き又
は膜強度に優れた透明導電層等の酸化物層を形成できる
装置を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、基体上に酸化物層を形成するのに使用
する装置であって、前記基体上に酸化性ガスを供給する
ガス供給手段と、前記基体上に前記酸化物層の構成材料
を飛翔させる飛翔源と、前記基体を移動させる移動手段
とを有し、この移動手段による前記基体の移動時に、そ
の移動方向における後方側での酸化性ガスの濃度が比較
的高くなるように前記ガス供給手段の酸化性ガス供給量
が制御されていることを特徴とする酸化物層の形成装置
に係るものである。

本発明によれば、基体移動方向における後方側での酸化
性ガス濃度が比較的高く彦るように酸化性ガス供給量が
制御されているので、上記後方側にて基体上（特に基体
との接触域又はその近傍域）に堆積する酸化物の酸化度
を選択的忙高くシ、その上部の堆積酸化物の酸化度を低
くすることができる。　従って、単一構成成分からなる
酸化物層において、その厚み方向に酸化度を効果的に変
化させる（特に基体側では酸化度を高く、他の部分の酸
化度を低くする）ことができる０　これを上述した如き
透明導電性フィルム等の光学装置に適用した場合、透明
導電層を上記酸化物で形成するとき、後記に詳しく述べ
るように、上記酸化物は酸化度が高くなることによって
光透過率が向上するだけでなく、基体との膜付きが大幅
に向上する。

このため、透明導電性光学装置の機械的強度、信頼性が
著しく向上すると共に、そうした顕著な効果が透明導電
層の単一層中での酸化度の差を利用することによって得
られるために光学装置自体の製造が簡略化され、かつ膜
質も良好にすることができる。

なお、本発明の装置で製造可能な上記光学装置の一形態
である「フィルム」とは、通常は薄膜状のものを指すが
、その厚みや平面形状としてはシート状、テープ状等種
々のものを含む。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

まず第３図につき、本実施例による装置で作成可能な透
明導電性フィルムあの基本構造を説明する。このフィル
ムは、基体ｌとして従来と同様の高分子シートを有し、
この上に酸化物（例えばインジウム酸化物又はスズ酸化
物、インジウム酸化物とスズ酸化物又はスズとの混合物
（ＩＴＯ等）、或いはスズ酸化物とカドミウム又はカド
ミウム酸化物との混合物）からなる透明導電層１４を有
している。

ここで注目すべきことは、透明導電層１４は単一の酸化
物からなってはいるが、本発明の装置の使用によって、
基体１との接触部分又は近傍部分１４ａの酸化度が他の
部分１４ｂの酸化度よシも高くしていることである。　
次に、そうした酸化度の違いによる特長的な利点を実験
結果に基いて説明する。

例えばＩＴＯ膜（膜厚７００　Ａ、　Ｓｎ　５重量％）
の場合、その酸化度によるシート抵抗及び光透過率の変
化は第４図に示す通シとなった。　この酸化度は膜をエ
ツチングしなからＥＳＣＡ分析によって測定されたが、
酸化度が増すに従ってシート抵抗が上昇傾向を示す一方
、光透過率（波長５５０ｍμの光照射下）が酸化度１．
３付近から急激に上昇する。　ＩＴＯの主構成物質をＩ
ｎｚＯｙと表わせば、上記酸化度は２となる。

また、酸化度と、基体（ポリエチレンテレフタレート）
に対する膜付きとの関係を調べた。　膜付きはガーゼに
よる耐擦テストで評価したが、テストに際しては１００
　ｇ／Ｃｄの荷重で１ｏｏ　往復擦ったときのシート抵
抗変化／Ｈｏ（Ｒｏは初期のシート抵抗、Ｒはテスト後
のシート抵抗）を測定した。　結果は第５図に示したが
、酸化度が増えるに伴なってシート抵抗変化Ｒ／Ｒｏが
減少し、特に酸化度が１．０を越えるのが望ましいとと
が分る。

なお、酸化度は第６図に示した如きＥＳＣＡ分析によ請
求めたが、Ｉｎａｏと０１ｓとのピーク比に基いて計算
すると酸化度は１．３〜１．５（組成比ではＩｎｚＯｚ
、６〜３．ｏ）であることが分る。　具体的な実験デー
タを下記に示すが、これから酸化度は０１、濃度／　Ｉ
ｎａｏ濃度中１．３となる。

（Ｉ）、Ｉｎ、０の濃度（ＩＴＯ膜） ＥＳＣＡデータよシ各ピーク高さを測シ、補正値で割シ
、Ｉｎｇｏ　％　５ｎａｏｌ　Ｏ】ｓの比率をＩｎ、Ｓ
ｎ、Ｏの濃度（ａｔチ）とした。

以上に示した結果から、第３図の透明導電性フィルムに
おいて、透明導電膜１４のうち基体ｌとの接触部分１４
ａの酸化度を大きくすることによって、シート抵抗及び
光透過率共に適切な値を保持せしめながらフィルム自体
のシート抵抗変化を減少（膜付きを向上）させることが
できる。　しかも、膜部分１４ａと基体１との付着力が
大きいために、両者間にはフィルム折曲げ時でもクラッ
ク等が入ることはないことも確認された。　特に、膜部
分１．４　ａの酸化度が大きいことは、後述する成膜時
の０２　供給量（又は濃度）が増えて基体１表面が活性
酸素によって活性化され易く、基体１に対する付着力が
充分になること、及び膜部分１４ａの構造が酸素原子の
増加によって纜密となることを夫々意味する。膜部分１
４ａの酸化度は１．４〜１．５とするのが上記したこと
から望ましい。　一方、他方の膜部分１４ｂの酸化度は
０．８〜１．４（好ましくは１．０〜１．３）とするの
がよい。

具体的には、第３図において、透明導電性フィルム列の
層構成を次の通シにした。

基体１：ポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリ
エチレン−２，６−ナフ タリンジカルボキシレートフィルム、 或いはガラス板 透明導電膜１４の下層部分１４ａ： 酸化度１．４〜１，５、膜厚５０〜１５０Ａ透明導電膜
１４の上層部分１４ｂ： 酸化度０．８〜１．４、膜厚６００〜２００ＯＡなお、
上記透明導電膜１４の厚み方向における酵素濃度（第６
図の０１．）は第７図の如くであった。

インジウム濃度（Ｉｎａｏ）は破線で示した。

上記のように構成されたフィルムは次に示すように非常
に良好な膜特性を示した。

シート抵抗；ＩＫΩ／ロ〜１００Ω／ロ光透過率：８５
％〜８０％（波長５５０ｍμの光照射下） 耐擦性能、　／Ｒ６＝　１．５　（荷重１００９７ｃｎ
！、１００回往復） 耐折曲性能：　Ｒ／Ｒ≦＜　１．７　（折曲げテスト前
後のシート抵抗をｎｏ、Ｒ’とする。）但、下層部分１
４ａｔ−膜厚１００Ａ、　Ｉｎ４０ａｔ　％、０６０ａ
ｔ％（酸化度１．５）、上層部分１４ｂを膜厚９００Ａ
。

Ｉｎ４２ａｔ　％、０５６　ａｔ％（酸化度１．３）と
したとき、フィルムのシート抵抗は２００Ω／口、光透
過率は８３、チであった。

第３図の例においては、下層部分１４ａの酸化度を一定
としたが、この部分の酸化度を基体１の表面で１．５と
し、上層部分１４ｂ側との界面で１．３とし、両者間で
１．５から１．３へ連続的に減少させることができる。

　第８図には膜中の酸素濃度分布を示した。　この場合
、上層部分１４ｂの酸化度は１３と均一にし、まだ膜厚
については下層部分を１００Ａ。

上層部分１４ｂを６００〜２００ＯＡとする。　例えば
、土層部分１４ｂを９００１としたとき、フィルムのシ
ート抵抗は２２０Ω／口、光透過率は８３％であった。

このように、基体ｌ側の下層部分１４ａの酸化度を厚み
方向に連続変化させても、上記したと同様にシート抵抗
、光透過率、耐擦性能、耐折曲性能が良好であった。　
耐擦性能については、第９図の曲線ａに示す良好な結果
が得られた。　曲線すは上記の下層部分１４ａを設けな
い場合のデータであシ、耐擦性が著しく劣化することが
分る。

なお、上記のフィルム部の基体ｌの材質としては、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂
、アクリル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
スチレン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン樹
脂等の熱可塑性樹脂；又は、エポキシ樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂等の熱硬
化性樹脂等である。この中で、ポリエステル樹脂、特に
ポリエチレンテレフタレートフィルム又は、ポリエチレ
ン−２，６−ナフタリンジカルボキシレートフィルムは
、耐熱性、機械的性質及び透光性に優れていて好ましい
。

次に、上記の透明導電性フィルムの製造方法の一例を第
１０図について説明する。

製造に使用する蒸着装置は各室３０．３１．３２に仕切
られておシ、両側の室３２、恥にはシート基体ｌの巻取
シロール１６、供給ロール１３が配され、両ロール間で
基体１が順次送られながら次の如き処理が行われる。ま
ず、室３０中でヒーターランプ２４によシ予備加熱（６
０℃）して基体１の吸着水分を除去し、放電処理器５で
放電処理して清浄化し、次に蒸着槽としての室３１に入
った基体１に対し、搬送ローラ２６で送シながら（搬送
速度は１０　ｃｍ　／−ｍ〜２　ｍ　／馴）次の処理を
行なう。

ハロゲンヒータランプ（９）で加熱下にＩｎ　−Ｓｎ合
金又はＩＴＯからなる蒸発源２２（又はＩｎ及びＳｎの
２個の蒸発源）を加熱蒸発せしめ、かつ酸素ガスを放電
装置１１を介してイオン化又は活性化して導入すること
によって、基体１の一方の面にＩＴＯ透明導電膜（上述
の１４）を蒸着する。蒸着時の条件は以下の通りである
０ 蒸発源２２　二Ｉｎ−３ｎ合金（抵抗加熱）又はＩＴＯ
（電子銃加熱）、蒸着速 度２００Ａ／―〜１０００Ａ／１ｎｔｎ。

放電装置１１：酸素ガスを］Ｏ〜６０　ｃｃ　／　ｍｔ
ｎで導入（真空度５　Ｘ　１Ｏ−４Ｔｏｒｒ　〜９　Ｘ
ＩＯ’Ｔｏｒｒ　、　２００〜７００　Ｗの直流又は高
周波放電）。

こうしてＩＴＯ膜を堆積せしめた基体１を室３２へ入れ
、光透過型センサー１８で光透過率を、抵抗測定器１７
で電気抵抗を測定しながら巻取ロール１６上に順次巻取
る。　光透過率及び電気抵抗の測定値は前段の蒸着条件
にフィードバックして、蒸発源加熱温度’ｌ、　０２　
ガス導入量放電電力等をコントロールしてもよい。

上記の方法において極めて重要なことは、蒸着室３１中
で放電装置１１を基体１の搬送方向に対し所定角度傾む
けて操作していることである。　この結果、蒸着室３１
において基体１の進入側（即ち進行方向における後方側
）の領域Ａと導出側の領域Ｂとで、放電装置１１から放
出される酸素イオン又は活性酸素の基体１上への到達量
（即ち酸素濃度）に差ができる。　即ち、領域Ａでは酸
素濃度が比較的高くなシ、領域Ｂ側では酸素濃度が比較
的低くなる。　これによって、基体１上に堆積されるＩ
ＴＯの酸化度は、領域Ａ側で高くなって第３図の下層部
分１４ａが堆積し、更に領域Ｂ側では低くなって第３図
の上層部分１４ｂが堆積することになる。　但、実際に
は、領域ＡからＢにかけて酸素濃度が成る分布をもって
いて、堆積した下層部分１４ａの酸化度は１．３〜１．
５の範囲、上層部分１４ｂの酸化度は１．０〜１．３と
なる。

このように、１回の蒸着工程で、しかも蒸発源の個数を
少なくして、目的とする酸化度のＩＴＯ膜を成膜するこ
とができるのである。　従って、装置の構造、作業性が
簡略化されると共に、不純物質が膜中に混入する割合が
激減する。

なお、領域ＡとＢとで酸素濃度に充分な差をつける場合
には、図中に一点鎖線で示す如くに放電装置１１を更に
領域Ａ側へ指向させるように配置するとよい。

蒸着室は第１１図の如く、室３１ａと３１ｂとに分け、
室３１ａでは放電装置１１からの酸素量を多くシ、室３
１ｂでは放電装置１１からの酸素量を少なくすることも
可能である。　これによって、基体１上には、まず室３
１ａ中で酸化度の大きいＩＴＯが堆積し、次にこの上に
室３１ｂ中で酸化度の小さいＩＴＯが堆積することにな
る。　上記の蒸着室の個数や導入酸素量は目的に応じて
種々変化させてよい。

また、第１０図において、蒸発源２２の位置を選択する
ことによって、蒸発材料２１の飛翔範囲を限定し、領域
Ａ側の基体進入域での蒸気濃度を比較的少なくすること
によっても、基体１との接触域に堆積する酸化物の酸化
度（即ち酸素原子の割合）を更に高くシ、その上に堆積
する酸化物の酸化度を順次低下せしめることができる。

第１２図は、上記した蒸着に使用するガス放電装置１１
を詳細に示すものである。　この放電装置によれば、放
電用電極が導入管４３の周面を内包する如くに配された
複数のリング４５ａ、４５ｂからなシ、このうち、一方
のリング状電極４５ａはリード線６７によって高周波導
入端子４８に接続され、他方のリング状電極４５ｂはリ
ード線５８によシ金属製の防着部材４４に接続されて金
属製の取付は板３９を介して接地されている。上記電極
４５ａ、４５ｂは例えば内径２〜１０Ｌ：ｆｎφ、幅０
．５〜１０　ｃｒｎの銅製又はステンレス製の帯リング
からなシ、Ｃカップリング型（容量結合型）の放電を導
入管４３内で生ぜしめる（前記帯リングは、水冷管を巻
付け、冷却する事が可能である。）。　酸素ガスは導入
口５０から導入管４３に導入され、ここで活性化又はイ
オン化されて放出口５６より蒸着室内に供給される。

第１３図〜第１６図は、上述した透明導電性フィルム四
において反射防止層を設けた場合を例示するものである
。

一般に、反射防止膜においては、空気に接する第１層の
屈折率（ｎｌ）は基体の屈折率（ｎ、）よシも小さくな
ければ各反射面での反射光の振幅条件を満足することが
出来ない。例えば単層反射防止膜では、ｎｌ　＝　ｎｏ
凸、　（ｎＯは空気の屈折率）を満足する場合に中心波
長で反射率が零になる○第１３図の例では、反射防止層
４３を酸化シリコンで構成し、各構成層４０．４１．４
２を下記表のように形成する。

この第１３図の実施例において、第１層４０の屈折率が
１．５５を越えると、第２層４１との屈折率の差が小と
なシ、可視域全体での反射率が高くなってしまう。また
、第２層４１の屈折率が１．７５未満では特に可視域中
心部の反射率が高くな、９．１．８３を越えると酸化シ
リコン膜の吸収が大きく々る。また、第３層４２の屈折
率が１．６８を越えると可視域中心部の反射率が高くな
ｐ、１．４３０未満では可視域周辺部の反射率が高く、
いずれも実用上好ましくない。

第１４図は、この実施例において、第１層４０、第２層
４１、第３層４２の屈折率を夫々１．５０．１．８．１
．６８とし、基体１としてポリエチレンテレフタレート
（１００μｍ厚）を用い、透明導電層１４としてＩＴＯ
（酸化インジウム錫混合）層を前述の装置で作成した時
の分光反射率を示す（ＩＴＯの膜厚６００Ａ。

シート抵抗４００Ω／口）。可視域全域にわたって高い
反射防止効果を持っていることがわかる。また、透明導
電層１４側での反射率も、酸化シリコン層４３側での裏
面反射が減少するために波長５５０ｍμの光に対し１．
５％程度と小さくなシ、第１４図と同様のデータが観測
された。

第１３図の実施例による透明導電性フィルムは、主とし
て反射防止層４３側から光が入射するように使用される
タイプのものである。この場合、第１の酸化シリコン蒸
着層４０と基体ｌとの間には、第１層４０よシ屈折率が
高くて上述した振幅条件を満たす第２の酸化シリコン蒸
着層４１が設けられ、更にその下層に屈折率の比較的高
い第３の酸化シリコン蒸着槽４２が設けられているので
、充分な反射防止効果のあるフィルムを得ることができ
る。各蒸着層４２．４１．４０はこの順に蒸着条件（例
えば酸素ガス圧等）を変えるのみで同一成分として堆積
させればよいので、作製が簡単かつ低コストとなり、し
かも各層間の膜付きが充分であシ、異種物質の混入もな
いことがら膜質も非常に良好となる。

次に、第１５図に示す透明導電性フィルム路では、第１
の酸化シリコン蒸着層４０と基体１との間に、基体１側
から第１層４０側にかけて厚み方向に屈折率が連続的に
高くなる第２の酸化シリコン蒸着層４５を厚さλ／２に
設けている。

これを理等容易のだめに次の如く表わす〇この実施例に
おいては、第２層４５は屈折率が基体側から第１層側に
連続的に高くなるように変化する、いわゆる非均質膜に
なっている。

各層の屈折率の範囲は、上記した第１３図の実施例と同
じ理由で制限されるが、第２層４５の屈折率の上限は、
実質的にその部分の厚みが極めて小となるので、第１３
図の実施例の場合よシ幾分吸収の大きい範囲捷でか使用
可能となる。

上記の第１３図、第１５図の例において、例えば第１３
図の実施例の第２層４１、第３層４２を、膜厚をさらに
分割して屈折率を順次変える複数の層とじても本質的に
上記の両実施例と変るところはなく、反射防止効果も同
等のものが得られ、シート抵抗が低（（５００Ω／口以
下）、反射率１チ台（５５００Ａ波長〉の透明導電膜シ
ートが得られた。また、透明導電層１４側の反射率も第
１３図の測量様に小さかった。

なお、第１６図は、第１３図又は第１５図のフィルムに
関する波長による光透過率の変化を示すが、反射防止効
果が広波長域で高くなシ、波長５５０ｍμで９７チの光
透過率が得られた。

なお、上記のように、酸化シリコン蒸着層の屈折率を連
続的若しくは段階的に変化させるには、蒸着中に蒸着条
件を連続的若しくは段階的に変化させればよい。

以上説明したように、第１３図〜第１６図の各側の透明
導電性フィルムはいずれも、酸化シリコンのみの蒸着膜
を用い、実質的に多層膜を形成して高い反射防止効果を
得、しかも各層の屈折率は、蒸着速度あるいは雰囲気酸
素ガス圧を変化させるだけで変えうるので、その制御が
極めて容易であシ、その上、蒸発源として普通の抵抗加
熱装置を使うことが出来るなど、極めて実用価値の高い
ものである。

本実施例（例えば第１３図の例）による透明導電性フィ
ルム列は、例えば透視型指タツチ入力装置のディスプレ
イ画面に取付けて用いると非常に効果的である。

この種の入力装置は、キーボードを使用することなく、
指先でディスプレイ画面の所定位置に触れるだけで、そ
のままデータを入力することができるものである０この
ため、コンピュータの入出力用端末装置として、これま
で表示部（ディスプレイ面）と入力部（キーボード）と
が別々になっていたものに比べ、操作が著しく簡略化さ
れることになる。こうした入力装置において、第１７図
に拡大図示する如く、画面（又はフロントパネル）７０
の前面上には上述した透明導電性フィルム路を反射防止
層４３が外側となるように取付ける一方、７０ントバネ
ル７０の前面に対して直接に別の透明導電性フィルム７
８を取付け、両フィルム列及び７８を周辺のガスケット
（又はスペーサ）７５を介して一体化し、両フィルム間
に一定の間隙７６を形成しておく。この場合、フィルム
７８としては、公知の如くに高分子シート基体１上に透
明導電膜（ＩＴＯ膜）７４、反射防止層７７を積層せし
めたものを使用してよい。そして、対向した両フィルム
列、７８において、各導電膜１４−７４を互いに直交さ
せて夫々ストライプ状に配列せしめ、マトリックススイ
ッチ群を構成する。このマトリックス自体は公知である
のでその詳細は説明しない。

従って、第１７図のように、指先４９でフィルム邪の面
上の所望の位置を押せば、フィルム四が一点鎖腺で示す
如くに他方のフィルム７８に接するまで弾性変形し、こ
の時点でマトリックスの交差位置において両溝電膜１４
−７４間が導通（静電結合）し、これに対応した出力が
得られ、上記した如き動作を開始することができる。な
お、上記のフィルム７８において、反射防止膜７７は必
らずしも必要ではなく、両溝電膜１４−７４の直接接触
方式とすることもできる。まだ、フィルム７８は導電性
フィルムとせず、単なる抵抗シートとし、両フィルム間
の容量変化又は接触点の電圧値を出力として取出す方式
としてもよい。

いずれにしても、指先４９のタッチによる入力方式であ
るために、通常は基体面に付いた汚れによる影響が生じ
易いが、これは第１７図の例による場合には反射防止層
４３の存在によって効果的に防止される。特に、明室で
使用するときには、フィルム２８の表面での光反射が反
射防止層４３によって著しく減少するために、画面の表
示画像を鮮明に目視でき、かつ上記の汚れが殆んど気に
ならなくなる０ なお、第１７図に示した如き両フィルムの組合せは、液
晶表示装置としても適用可能である。即ち、第１８図に
示す如く両フィルムア、７８の各導電膜１４−７４の一
方（例えばフィルム７８側）の導電膜を日の字形に配し
、かつ両フィルム間の間隙７６に液晶７９を封入し、公
知の動作に従って日の字形の電極に時系列に電圧を印加
し、これによって所定の数字表示を行なわせることがで
きる。ただし、ツイストネマチック型表示の場合には、
配向膜、偏光膜が必要となる。この場合にも、表面側（
即ち、目視する側）のフィルム四における反射は反射防
止層４３によって充分に防止されるから、鮮明な数字パ
ターンを表示することができる０ 以上に述べた実施例は、本発明の技術的思想に基いて更
に変形が可能である。

例えば透明導電層１４の材質や酸素濃度分布、更には成
膜方法（スパ〉り法も適用可能）等は種々変更してよい
。上述した反射防止層内での屈折率変化が生じる界面は
少なくとも１つちればよい。

また、屈折率変化が連続的である場合、実質的に一層の
みで反射防止層を構成し、その層内で屈折率を連続的に
変化させてもよい。また、反射防止層は、上述した材料
以外にも、フッ化マグネシウムやフッ化セリウム等から
なっていてもよい。透明導電層の材質もＩＴＯに限らず
、酸化インジウム、酸化スズで構成することもできる。

なお、上述の透明導電性フィルムは、他の光学装置にも
適用できる。更に本発明は、上述の透明導電層以外の酸
化物層の形成にも勿論適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の透明導電性フィルムの二側の
各一部所面図である。 第３図〜第１８図は本発明の実施例を示すものであって
、 第３図は透明導電性フィルムの一部断面図、第４図は透
明導電層の酸化度とそのシート抵抗との関係を示すグラ
フ、 第５図は同酸化度による耐擦性能を示すグラフ、第６図
は透明導電層のＥＳＣＡ分析によるスペクトル図、 第７図は透明導電層の酸素濃度分布図、第８図は他の透
明導電層の酸素濃度分布図、第９図は第８図の透明導電
性フィルムの耐擦性能を示すグラフ、 第１０図、Ｍｌ１図は透明導電性フィルムの製造装置の
二側の各概略断面図、 第１２図は高周波ガス放電装置の斜視図、第１３図、第
１５図は透明導電性フィルムの他の二例の各一部断面図
、 第１４図は反射防止膜付き透明導電性フィルムの分光反
射率を示すグラフ、 第１６図は波長による光透過性基体を示すグラフ、第１
７図は指タツチ入力装置の断面図、第１８図は液晶表示
装置の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 １−−−−−−光透過性基体 １４−−−−−一透明導電層 １４　ａ−−−−−一酸化度の高い下層部分１４　ｂ、
−−−−−−一酸化度の低い上層部分２８、７８−−−
−−一透明導電性フイルム１１−−−−−−ガス放電装
置 ２２、−−−−−一蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏　（他１名）第１図 第２図 第３図 ８ 第４図 第５図 第７図 表面５７ざ山 第８図 表面５隠−［入１ 第９図 口ぞＶ（伎１） 第１０図 第１１図 第１２図 １ 第１３し１ ８ 第１５図 ８ 第１６図 オー＆　ｆｍμ） 第１８図 フＲ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基体上に酸化物層を形成するのに使用する装置であ
   って、前記基体上に酸化性ガスを供給するガス供給手段
   と、前記基体上に前記酸化物層の構成材料を飛翔させる
   飛翔源と、前記基体を移動させ、る移動手段とを有し、
   この移動手段による前記基体の移動時に、その移動方向
   における後方側での酸化性ガスの濃度が比較的高くなる
   ように前記ガス供給手段の酸化性ガス供給量が制御され
   ていることを特徴とする酸化物層の形成装置。